1

DCE curs2

Noiuni introductive privind materialele semiconductoare

Def. Materialele semiconductoare se caracterizeaz printr-o rezistivitate specific, situat intre cea a metalelor i cea a materialelor izolatoare. 1014 cm izolatori,10-3 cm metale,10-1 cm semiconductoare

R=

l s = R [ cm] s l

Obs. 1. Materialele semiconductoare utilizate n electronic trebuie s prezinte o structur regulat, lucru care se obine prin prelevarea acestor materiale dintr-un monocristal. 2. Fenomene interesante din punct de vedere electric sunt prezentate n cazul materialelor semiconductoare dopate controlat cu impuriti. Concentraia impuritilor variaz 1014 1018 cm-3 . Concentraia atomilor 1022 cm-3 fiind o concentraie foarte mic.

DCE curs2

I Semiconductori intrinseci (chimic pur)

T = 0K. La aceast temperatur electronii ocup toate legturile covalente rezult c n material nu exist electroni liberi i deci nu este posibil conducia de curent electric.

EG = EV EC

1,12 eV (Si) 0,67 eV (Gr) T >

0K. Datorit creteri de temperatur, crete energia electronilor i n consecin, unii dintre aceti electroni prsesc legturile covalente. Pentru T > 0K este posibil conducia de curent electric prin doua mecanisme: 1. Circulaia ordonat a electronilor liberi. 2. Circulaia ordonat de goluri. Fenomenul de conducie prin aportul att a electronilor ct i a golurilor este specific materialelor semiconductoare (la metale, conducia este asigurat exclusiv de circulaia electronilor liberi). Materialele izolatoare se comport n mod similar cu cel

DCE curs2

al semiconductorilor, cu diferena c numrul de perechi electroni-goluri este mult mai mic. Obs. Fenomenul de generare de perechi electroni-goluri este nsoit de procesul invers de recombinare. Rezultatul net al acestui proces dinamic l constituie un anumit numr de perechi electroni-goluri, care crete odat cu creterea temperaturii.

II Semiconductoare extrinseci (chimic impure)

Ele sunt de dou tipuri: 1. cu exces de electroni semiconductor ,,n. 2. cu exces de goluri semiconductor ,,p. 1. Aceste materiale semiconductoare se obin prin procedeul doprii controlate. Semiconductorii de tip ,,n se obin prin doparea cu

DCE curs2

DCE curs2

Relaii privind concentraia purttorilor de sarcin

Aceste relaii vor fi prezentate considernd materialul semiconductor la echilibru termic (termodinamic) fapt ce presupune temperatur uniform n interiorul materialului, apoi lipsa cmpului electric, concentraie de purttori uniform i lipsa radiaiilor.

p 0 n0 = k (T )
Pentru materialele intrinseci:

n0 = p o = ni p 0 n0 = ni2

DCE curs2

ni = AT 3

E exp G 2kT * * p 0 + N D = n0 + N A
2

* * unde N D i N A se numesc concentraiile de impuriti donore respectiv acceptoare a

atomilor ionizai.
* * La 300K N D N D i N A N A

Se consider un caz cu semiconductori de tip n.

NA = 0 N = 0
* A * p0 p0 + N D = ni2

* p0 + N D = n0

p0 n0 = ni2

p + N p ni2 = 0
2 0 * D

p01, 2

* * N D N D2 + 4ni2 N* N* = = D D + 4ni2 2 2 2

n0 =

N N 2 + 2 + 4ni 2
* D * D

T=300K Concentraia perechilor electron-volt este neglijabil fa de concentraia atomilor de impuritate.

ni = 1.45 1010 cm 3 ( Si )

ni = 2 1013 cm 3 ( Gr )

DCE curs2

N D 1014 1018
* n0 N D N D p0 =

ni2 ni2 n0 N D

T>>300K Concentraia perechilor electron-volt va fi foarte ridicat nct, practic, aportul impuritilor poate fi neglijat.

n0 ni p0 ni

Curenii de difuziune

F- fluxul de particule ce difuzeaz n unitatea de timp perpendicular pe unitatea de suprafa iar D este coeficientul de difuziune.

F = D( C ) dC C = n dX jnd = q Dnn j pd = q D p p jd = jnd + j pd j = jc + jd j = jc + jd + E t

DCE curs2

Fenomene de transport n material semiconductor

La echilibru termic exist o micare dezordonat a micrilor de sarcin, dar cu toate acestea nu poate fi vorba de o circulaie de curent, cantitatea de sarcin vehiculat din stnga n dreapta fiind nul. Poate exist un curent n materialul semiconductor numai n prezena unui cmp electric i/sau a unui gradient de concentraie. Exist n consecin, printr-un semiconductor aa-numii cureni de cmp, determinai de prezena unui electron i respectiv cureni de difuziune cauzai de un anumit profil al concentraiei de purttori.

Vn = n E Vp = p E jnc = q n Vn = n q n E j pc = q p V p = p q p E jc = j pc + jnc

Jonciunea p-n

Jonciunea p-n reprezint o structur fizic realizat ntr-un monocristal care are doua regiuni vecine dopate cu impuriti donore respectiv acceptoare i la care concentraia de impuriti se modific pe o distan suficient de mic.

DCE curs2

Jonciunea p-n la echilibru termic

Studiul se va face pe cazul particula al unui profil abrupt al coeficientului de impuriti i considernd fenomenele dup o singur ax. Cazul n care n i p sunt independente N
* nn0 N D N D

pn0 =
P

ni2 ND

p p0 N * N A A
p p0 = ni2 NA