Sunteți pe pagina 1din 16

3.

TRANZISTOARE UNIPOLARE
Tranzistoarele unipolare sau cu efect de cmp sunt unele dintre cele mai importante dispozitive semiconductoare active i componente ale circuitelor integrate analogice i numerice. Pentru aceste tranzistoare, sunt folosite acronimele TU i FET (Field Effect Transistor) sau TEC (Transistor Effet de Champ, respectiv Tranzistor cu Efect de Cmp). Un tranzistor unipolar reprezint o cale semiconductoare de curent, cu conductan comandat de un cmp electric extern. Calea de curent, numit canal, este un semiconductor omogen (de tip N sau de tip P), la ale crui capete sunt sudai doi electrozi numii surs ( S ) i dren ( D ). Prin canal circul curentul de dren ( I D ) i acesta este asigurat prin deplasarea unui singur tip de purttori mobili de sarcin, motiv pentru care tranzistorul se numete unipolar. n funcionare, FET-urile se comport, ntre dren i surs, fie ca un rezistor cu rezisten comandat, fie ca o surs comandat de curent, comanda efectundu-se prin tensiunea aplicat ntre electrodul de comand (numit gril ( G ) sau poart) i sursa tranzistorului. FET-urile sunt realizate pe un substrat semiconductor din siliciu, numit baz (B). Dup modul de realizare a canalului, rezult dou familii de tranzistoare unipolare: a) FET-uri cu gril jonciune (JFET sau TECJ), la care canalul este realizat n volumul substratului semiconductor, b) FET-uri cu gril izolat (IGFET sau MISFET), la care canalul este realizat la suprafaa substratului semiconductor, adic apare o structur metal(M)izolator(I)semiconductor(S); dac izolatorul este bioxidul de siliciu, acronimul folosit este MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) sau TECMOS. Sensul convenional de circulaie a purttorilor mobili de sarcin prin canal este de la surs spre dren, pentru toate FET-urile. Indiferent de familie, semiconductorul canalului i acela al substratului sunt de tip opus. La baza funcionrii FET-urilor se afl efectul de cmp. Efectul de cmp const n controlul curentului de dren al tranzistorului, prin cmpul electric aplicat regiunilor de trecere ale jonciunilor unui JFET sau structurii MOS a unui tranzistor cu grila izolat. La un JFET, curentul de dren este controlat prin grosimea efectiv a canalului, n timp ce la un MOSFET prin grosimea efectiv a canalului i prin concentraia purttorilor majoritari din canal. Cele mai importante proprieti ale FET-urilor, care justific larga rspndire a acestor tranzistoare, sunt urmtoarele: dimensiuni fizice mici n tehnologie integrat, comparativ cu tranzistoarele bipolare, motiv pentru care FET-urile sunt preferate pentru obinerea unor densiti mari de integrare; n anumite condiii de polarizare, se comport, ntre surs i dren, ca o rezisten controlat n tensiune; astfel, un FET poate substitui o rezisten variabil convenional, care presupune elemete n micare; prezint o rezisten de intrare foarte mare i o capacitate de intrare foarte mic, ceea ce recomand aceste tranzistoare ca elemente de memorare, n circuitele numerice 3.1. Tranzistoare unipolare cu gril jonciune
O seciune transversal prin structura unui JFET cu canal N este prezentat n fig. 3.1.1.a. Pe un suport semiconductor puternic dopat de tip P+, numit substrat sau baz, se obin, succesiv, regiunea canalului de tip N i regiunea grilei de tip P+. La un JFET cu canal P, substratul i regiunea grilei sunt semiconductoare de tip N+ (fig. 3.1.1b). Contactele ohmice ale sursei ( S ) i drenei ( D ) se fixeaz la capetele canalului.

35

SiO2 P
+

SiO2 N
+

canal N

canal P

substrat P

substrat N

a.

b.

Fig. 3.1.1. Seciune transversal prin structur: a. JFET cu canal N; b. JFET cu canal P
D UDG ID UDS UGS S D UDG G UGS S D D ID UDS

S a. b.

Fig. 3.1.2. Simboluri grafice: a. JFET cu canal N; b. JFET cu canal P


Tranzistoarele unipolare cu gril jonciune au trei sau patru terminale. n cazul dispozitivelor cu trei terminale, utilizatorul nu are acces la substratul tranzistorului (baza este conectat la gril, prin construcie). Simbolurile folosite n reprezentarea grafic a celor dou tipuri de JFET-uri (canal N i canal P), cu trei i, respectiv, cu patru terminale, sunt date n fig. 3.1.2. Linia continu dintre dren i surs, din simbolul grafic al unui JFET, calific aceste tranzistoare ca dispozitive normal deschise la U GS = 0 , ntruct electrozii sursei i drenei sunt legai prin canalul semiconductor. Sgeata indic sensul curentului direct prin jonciunile gril-canal i baz-canal. Structura unui JFET conine dou jonciuni PN (jonciunea gril-canal i jonciunea canalsubstrat) ale cror regiuni de trecere delimiteaz partea activ a componentei (grosimea efectiv a canalului - zon prin care circul purttorii mobili de sarcin). Lrgimile regiunilor de trecere sunt foarte sensibile la tensiunea de polarizare invers a jonciunilor. Ca urmare, un control eficient al curentului de dren poate fi obinut numai dac cele dou jonciuni din structura tranzistorului sunt polarizate invers. Trecerea curentului prin canal este asigurat prin polarizarea corespunztoare a drenei, n raport cu sursa. La temperaturi normale de lucru, curentul de gril este neglijabil ( I G 0 ) i I S = I D + I G I D . Curentul de gril, extrem de redus, asigur nu numai o comand avantajoas din 36

punctul de vedere al consumului de putere n circuitul de control al curentului de dren, ci i o rezisten foarte mare ntre electrozii G i S ai tranzistorului. Polarizarea invers a jonciunilor structurii se asigur aplicnd U GS 0 i U DS 0 , n cazul unui JFET cu canal N, respectiv U GS 0 i U DS 0 n cazul unui JFET cu canal P. Cu baza conectat la gril, cele dou jonciuni ale structurii sunt conectate n paralel. Din acest motiv, n continuare, se va face referire la o singur jonciune, anume jonciunea gril-canal, ce va fi notat jGC . Tensiunea U GC de polarizare invers a jGC variaz n lungul canalului; ca urmare, lrgimea regiunii de trecere va crete de la surs ctre dren. Pentru expunerea principiului de funcionare, vor fi analizate dou cazuri particulare de polarizare i anume: U GS 0 (variabil) i U DS = 0 , respectiv U GS U P (constant) i U DS 0 variabil. Potenialul electric al sursei se consider cel de referin. Dac U DS = 0 i U GS 0 variabil, regiunea de trecere a jGC va avea aceeai lrgime pe toat lungimea canalului. ntruct U DS = 0 , se obine I D = 0 . Scderea tensiunii U GS va determina reducerea grosimii efective a canalului, n mod uniform, pe toat lungimea lui. Tensiunea de prag, notat U P , este tensiunea U GS la care canalul este obturat pe toat lungimea (cele dou regiuni de trecere se unesc, grosimea efectiv a canalului anulndu-se). Tensiunea U P depinde de temperatur i de datele tehnologice ale JFET-ului, iar pentru tranzistoarele de joas tensiune are valori tipice de civa voli. Prin ajustarea tensiunii U GS de la zero la U P , conductana canalului scade de la valoarea maxim (atins la U GS = 0 ), la zero (valoare atins la nchiderea canalului, cnd U GS = U P ). ntre dren i surs, tranzistorul poate fi echivalat cu un rezistor cu rezisten variabil ( R VV ), comandat de U GS , R VV 0 1 = . R VV U GS G VV 1 UP

(3.1.1)

Valabilitatea acestei relaii poate fi extins i la cazul tensiunilor U DS mici, cnd curentul de dren crete liniar cu tensiunea dren-surs aplicat: I D = G VV U GS . (3.1.2) Dac U GS U P (constant) i U DS 0 (variabil), nchiderea canalului se poate obine prin aciunea combinat a tensiunilor U GS i U DS sau numai prin aciunea tensiunii U DS (dac U GS = 0 ). La creterea tensiunii U DS , curentul I D va crete mai slab dect dependena liniar, datorit scderii conductanei canalului. Pe msur ce canalul este parcurs de la surs pn la dren, tensiunea de polarizare a jGC va scdea (de la U GS la U GD ). n acelai timp, grosimea efectiv a canalului se va micora, anulndu-se n apropierea drenei, cnd U GD = U P ; n acel moment, curentul de dren atinge valoarea maxim (se satureaz), corespunztoare tensiunii U GS aplicate. Tensiunea drensurs de nchidere a canalului ( U DSP ), se atinge cnd U GD = U P i are expresia U DSP = U GS U P . (3.1.3) Curentul care strbate canalul la U GS = 0 i U DS = U P este curentul nominal de saturaie,

I DSS = I D

U GS = 0; U DSP

(3.1.4)

Curentul I DSS este un parametru static al tranzistorului a crui valoare ( mA ), specificat n foile de catalog, depinde de temperatur i de datele tehnologice ale dispozitivului.
37

Dup nchiderea canalului ( U DS U DSP ), curentul I D devine aproape independent de tensiunea U DS , iar regimul de funcionare se numete de saturaie n curent. Tranzistorul se comport ca o surs comandat de curent, nivelul curentului fiind controlat prin tensiunea U GS :
U I D I DSS 1 GS . (3.1.5) UP Un JFET cu canal P are o comportare asemntoare, pentru aceleai condiii de funcionare. Fenomenele care se petrec sunt aceleai ca la JFET-ul cu canal N, singurele diferene constnd n polaritile opuse ale tensiunilor U GS i U DS i ale tensiunilor U P i U DSP , precum i n inversarea
2

sensului curentului I D .

3.2. Tranzistoare unipolare cu gril izolat


Tranzistoarele din aceast familie au grila metalic izolat de substratul semiconductor, printrun strat de bioxid de siliciu, de grosime foarte mic ( 10 1 m 10 2 m ). Dup modul de realizare a canalului, se disting: tranzistoare MOS cu canal indus i tranzistoare MOS cu canal iniial. La aceste dispozitive, curentul de gril este mai mic de 105 ori i rezistena de intrare (ntre gril i surs) mai mare de 105 ori dect la JFET-uri. Canalul i conducia curentului printr-un tranzistor MOS se realizeaz la suprafaa substratului semiconductor. Controlul curentului de dren, exercitat de cmpul electric aplicat structurii MOS, este realizat prin efectul variaiei concentraiei purttorilor majoritari din canal i a grosimii efective a canalului. Pentru tranzistoarele acestei familii, se folosesc i denumirile abreviate de tranzistor NMOS - pentru un tranzistor MOS cu canal N, i de tranzistor PMOS - pentru acela cu canal P. Tehnologia circuitelor integrate CMOS utilizeaz componente MOS complementare, adic perechi de componente NMOS i PMOS, cu caracteristici electrice identice. Spre deosebire de componentele din dispozitive, structurile MOS din circuitele integrate actuale prezint canale cu lungimi submicronice.

a) Tranzistoare MOS cu canal indus La aceste dispozitive, canalul este format prin apariia stratului de inversie la suprafaa substratului. Seciunile transversale prin structurile tranzistoarelor MOS cu canal indus N i P sunt date n fig. 3.2.1.
S SiO2 tox N
+

D SiO2

substrat P B a.

substrat N B b.

Fig. 3.2.1. Seciuni transversale prin structurile tranzistoarelor MOS: a. canal N indus; b. canal P indus

38

Simbolurile grafice (fig. 3.2.2) evideniaz proprietatea c grila metalic este izolat de substratul semiconductor, n care sunt realizate regiunile drenei i sursei. Linia ntrerupt dintre D i S, din simbolul grafic al unui tranzistor MOS cu canal indus, calific aceste tranzistoare ca dispozitive normal blocate la U GS = 0 , indiferent de valoarea i de polaritatea tensiunii U GS . La U GS = 0 , curentul I D este nul, ntruct nu exist canal, iar structura tranzistorului conine, ntre surs i dren, dou jonciuni PN legate n serie i n opoziie. Sgeata din simbolul grafic indic sensul curentului direct prin jonciunea baz-dren. La dispozitivele cu trei terminale, substratul este legat la surs, din construcie.
D D B G S a. G S G S G S D D B

b.

Fig. 3.2.2. Simbolurile grafice ale tranzistoarelor MOS: a. canal N indus; b. canal P indus
La aplicarea tensiunii U GS , cmpul electric creat n stratul de oxid i n substrat, va trebui, mai nti, s induc la interfaa oxid-substrat o zon de inversie, care constituie canalul (de acelai tip cu semiconductorul regiunilor drenei i sursei). Tensiunea U GS = U P la care se induce canalul ntre dren i surs se numete tensiune de prag; U P 0 , pentru tranzistoare NMOS, i U P 0 , pentru tranzistoare PMOS. Dup formarea canalului, aplicarea unei tensiuni ntre dren i surs conduce la apariia unui curent prin canal. Concentraia purttorilor mobili de sarcin din zona de inversie va crete odat cu creterea tensiunii gril-surs, determinnd creterea conductanei canalului. Acest mod de funcionare al tranzistoarelor MOS cu canal indus este cunoscut ca regim de mbogire. n cazul tensiunilor U DS mici, calea curentului de dren poate fi modelat printr-o conductan variabil G VV , comandat prin tensiunea U GS , iar relaia dintre I D i U DS este liniar (ca la JFET). Creterea tensiunii U DS are ca efect neuniformitatea concentraiei purttorilor majoritari din canal i a grosimii zonei de inversie; valorile celor doi parametri scad n lungul canalului, odat cu micorarea tensiunii de polarizare invers a jonciunii induse. Tensiunea dren-surs de nchidere a canalului, U DSP ( U DSP = U GS U P ), este tensiunea dren-surs la care canalul tranzistorului se obtureaz ntr-un punct din apropierea drenei. Dac U DS > U DSP , lungimea canalului se reduce, prin extinderea regiunii golite n interiorul canalului. Dup nchiderea parial a canalului, curentul de dren devine cvasiindependent de tensiunea U DS ( I D se satureaz): I D = (U GS U P )2 , = 10 4 10 3 A / V 2 . (3.2.1) 2

b) Tranzistoare MOS cu canal iniial n fig. 3.2.3, sunt date seciunile transversale prin structurile tranzistoarelor MOS cu canal iniial sau tehnologic, iar simbolurile grafice sunt cele din fig. 3.2.4. Acestea din urm evideniaz proprietatea comun tranzistoarelor MOS, respectiv grila metalic izolat de substratul semiconductor n care sunt realizate canalul i regiunile drenei i sursei. Linia continu dintre D i S , din simbolul grafic al unui MOSFET cu canal iniial, calific aceste tranzistoare ca dispozitive normal deschise la

39

U GS = 0 , ntruct regiunile sursei i drenei sunt legate printr-un canal semiconductor de acelai tip. Sgeata din simbolul grafic indic sensul curentului direct prin jonciunea baz-dren.
S G D SiO2 N
+

D SiO2

N canal L

P canal

substrat P

substrat N

a.

b.

Fig. 3.2.3. Seciuni transversale prin structurile tranzistoarelor MOS: a. canal N iniial; b. canal P iniial
Spre deosebire de un tranzistor MOS cu canal indus, un tranzistor MOS cu canal iniial admite tensiuni U GS de ambele polariti. Dac se consider comportarea tranzistorului cu grila scurtcircuitat la surs ( U GS = 0 ), ca referin, pot fi stabilite dou regimuri de funcionare, numite regimul de mbogire i regimul de srcire. n regim de mbogire, concentraia purttorilor majoritari din canal crete odat cu evoluia tensiunii U GS , de polaritate opus aceleia a tensiunii U P ( U GS 0 , pentru tranzistor NMOS, i U GS 0 , pentru tranzistor PMOS). n regim de srcire, concentraia purttorilor majoritari din canal scade, pe msur ce U GS se apropie de U P ( U GS 0 , pentru tranzistor NMOS, i U GS 0 , pentru tranzistor PMOS). Atunci cnd U GS = U P , MOSFET-ul va fi blocat (dispare practic calea de curent), iar I D 0 . Pentru un tranzistor NMOS, U P 0 , iar pentru un tranzistor PMOS, U P 0 .
D D B G S G S G S G S D D B

a. G

b.

D S c.

D S

Fig. 3.2.4. Simbolurile grafice ale tranzistoarelor MOS: a. canal N iniial; b. canal P iniial; c. Reprezentare simbolic simplificat
Pentru tensiuni U DS mici, canalul se comport ca o conductan variabil comandat de tensiunea U GS , iar I D crete liniar cu U DS . Creterea tensiunii U DS conduce la micorarea tensiunii U GC i, implicit, la scderea concentraiei purttorilor majoritari din canal i a grosimii canalului, pe msur ce canalul este parcurs de la surs la dren. Tensiunea dren-surs de nchidere a canalului,

40

U DSP ( U DSP = U GS U P ), este tensiunea U DS la care canalul tranzistorului se obtureaz punctiform, lng dren. Curentul care strbate canalul la U GS = 0 i U DSP = U P se numete curent nominal de saturaie, I DSS = I D . (3.2.2)
UGS =0;U DSP

Atunci cnd U DS depete U DSP , lungimea canalului se reduce, iar dup nchiderea parial a canalului, curentul I D devine cvasi-independent de tensiunea U DS . Dependena I D = f ( U GS ) , poate fi descris cu ajutorul relaiei (3.1.5) sau a relaiei echivalente (3.2.1). La MOSFET-uri, valorile parametrilor statici U P ( V ) i I DSS ( mA ) depind de temperatur i de datele tehnologice ale dispozitivului i sunt precizate n foile de catalog.

3.3. Modele de semnal mare


n funcie de relaia dintre U DS i U DSP , tranzistoarele unipolare cu canalul deschis pot funciona n unul din urmtoarele regimuri: atunci cnd U DS U DSP , se stabilete un regim cvasiliniar sau regim de conductan/rezisten

variabil comandat prin tensiunea U GS ; acest regim de funcionare este utilizat n divizoarele active de tensiune, n circuitele de comand automat a amplificrii etc.; atunci cnd U DS U DSP , se stabilete un regim activ sau regim de saturaie n curent, cnd comportarea dispozitivului este aceea de surs de curent cvasiconstant, fixat de tensiunea U GS de comand; acest regim de funcionare este utilizat n amplificatoarele liniare de semnale, n sursele de curent etc. Dac tranzistorul unipolar are canalul obturat pe toat lungimea, regimul de funcionare este un regim de blocare sau de tiere a curentului de dren.
ID G UGS RVV ID D UDS G UGS (U - U )2 GS P 2 D

UDS S

a.

S b.

Fig. 3.3.1. Modele de semnal mare: a. regim cvasiliniar; b. regim activ


Modelele de semnal mare, cu circuit echivalent, sunt date n fig. 3.3.1.a i 3.3.1.b, pentru regimul cvasiliniar, respectiv pentru regimul activ. n ambele modele, circuitul gril-surs este n gol ( I G 0 ).

3.4. Conexiuni. Caracteristici statice a) Conexiuni Unui tranzistor unipolar i se poate asocia un cuadripol nereciproc. Fiecare electrod al tranzistorului poate s fie borna comun a circuitelor de intrare i de ieire ale cuadripolului. Prin urmare, tranzistorul unipolar poate fi conectat n trei moduri diferite i anume: conexiunea gril comun ( GC ), conexiunea surs comun ( SC ) i conexiunea dren comun ( DC ). Cele trei conexiuni sunt reprezentate n fig. 3.4.1. De exemplu, la conexiunea surs comun (SC), borna sursei

41

este comun circuitelor de intrare i de ieire ale cuadripolului, grila intr n circuitul de intrare, iar drena aparine circuitului de ieire (fig. 3.4.1.b).

a.

b.

c.

Fig. 3.4.1. Conexiunile tranzistorului unipolar: a. gril comun (GC); b. surs comun (SC); c. dren comun (DC) b) Caracteristici statice Caracteristicile statice sunt reprezentri grafice ale relaiilor dintre curentul de dren i tensiunile aplicate la bornele tranzistorului unipolar, n regim static. Aceste caracteristici pot fi calculate din ecuaia curentului de dren sau ridicate experimental. n mod obinuit, cataloagele conin caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiunea SC. ntruct I G 0 , numai dou familii de caracteristici statice prezint interes pentru un FET n conexiunea SC, respectiv: familia caracteristicilor statice de ieire, I D = f (U DS ) U =ct;U =ct;T =ct , (3.3.1)
GS BS a

familia caracteristicilor statice de transfer, I D = f (U GS ) U = ct; U = ct; T = ct .


DS BS a
ID ID

(3.3.2)

UP a. ID ID

b. ID ID

c.

Fig. 3.4.2. Caracteristica static de transfer: a. JFET; b. MOSFET cu canal iniial; c. MOSFET cu canal indus

42

n fig. 3.4.2 a fost reprezentat cte o caracteristic static de transfer, pentru fiecare tip de FET cu trei terminale, la temperatur i tensiune dren-surs ( U DS U DSP ) constante. n pofida diferenelor constructive ale acestor dispozitive, modelele simplificate arat o comportare asemntoare a tranzistoarelor unipolare, n regim cvasiliniar sau activ; prin urmare, caracteristicile statice de ieire vor avea forme asemntoare. Indiferent de tensiunea U DS , I D = 0 cnd U GS = U P . De asemenea, exist o comportare simetric, n raport cu zona canalului, la tensiuni U DS mici. Pentru U DS U DSP , inversarea drenei cu sursa nu conduce dect la schimbarea sensului curentului care strbate canalul. Familia caracteristicilor statice de ieire, pentru un JFET cu canal N, n conexiunea SC, este prezentat n fig. 3.4.3.a. n acest plan, curba U DSP reprezint frontiera dintre dou regiuni, ce corespund celor dou regimuri de funcionare ale tranzistorului: regiunea ohmic sau cvasiliniar ( RO ) n care dispozitivul se comport ca o rezisten controlat prin UGS, respectiv regiunea activ ( RA ).
ID [mA] UDSP 8 RO 6 4 2 0 5 10 UDS[V] UGS= -1V UGS= 0 RA Ta= 25 C

UGS= -2V

a.

b. Fig. 3.4.3. Familia caracteristicilor statice de ieire: a. JFET cu canal N; b) MOSFET cu canal indus N

Pantele teoretice ale caracteristicilor din zona RO sunt date de conductanele G VV = 1 / R VV (relaia 3.1.1). Teoretic, un JFET n regim activ se comport ca o surs ideal de curent, comandat prin tensiunea UGS (relaia 3.1.5). Din caracteristicile experimentale, se observ o cretere uoar a curentului de dren, odat cu creterea tensiunii UDS. La un JFET cu canal P, se schimb polaritile tensiunilor UGS i UDS. Familia caracteristicilor statice de ieire, pentru un MOSFET cu canal indus N, n conexiunea SC, este prezentat n fig. 3.4.3.b, iar pentru un MOSFET cu canal iniial N n fig. 3.4.4.a. Se disting regiunile de funcionare ohmic (RO) i activ (RA), n care dispozitivele au aceeai comportare ca i JFET-ul.

c) Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice Temperatura intervine n funcionarea unui tranzistor unipolar, prin aciunea sa direct asupra mobilitii purttorilor majoritari din canal i a concentraiei acestora. La creterea temperaturii, mobilitatea scade, n timp ce concentraia purttorilor crete. Parametrii statici U P , i I DSS ai unui

43

tranzistor unipolar sunt funcii de temperatur, valorile lor scznd odat cu creterea temperaturii. Scderea parametrului la creterea temperaturii determin scderea curentului I D . Pentru aceeai cretere a temperaturii, scderea tensiunii de prag va determina o cretere a curentului de dren. La un FET, se constat c exist un punct de funcionare stabilizat cu temperatura; acest punct se afl pe poriunea puternic neliniar a caracteristicilor statice de transfer (la o tensiune UGS apropiat de UP). Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice de ieire poate fi observat n fig. 3.4.4.b.
ID [mA] UDSP 10 UGS= +1V, UBS= 0 Ta= 25 C

ID T0 T T0 T T0 ,T T T0
10 UDS[V]

T > T0 UGS=0 UGS= -1V UGS0

RO 5 UBS= +0.5V

RA

UGS= 0V UBS= -1V UGS= -1V, UBS= 0 0 5

UGS < UGS0 UDS

a. b. Fig. 3.4.4. a. MOSFET cu canal iniial N. Familia caracteristicilor statice de ieire b. JFET cu canal N. Caracteristicile statice de ieire din regiunea activ, la dou temperaturi
ID
/ ////// ////////

IDmax

Ta= ct UGS= ct
/// //// ///

AFS

//// ////
/// ////

/// //

///

Ptot 0 UDSmax UDS

Fig. 3.4.5. Aria de funcionare sigur n c.c. d) Solicitri maxime n curent i n tensiune Din considerente similare acelora prezentate la diode i la tranzistoare bipolare, i pentru un tranzistor unipolar, se impune respectarea valorilor limit absolut (termice i electrice), precizate n foaia de catalog a dispozitivului, oricare ar fi regimul de funcionare. Dintre acestea pot fi menionate temperatura maxim a jonciunilor ( Tj max ), puterea total disipat ( Ptot sau Pmax ), valoarea maxim
a rezistenei termice jonciune-ambiant ( R thja ), valoarea limit absolut a curentului de dren

44

( I D max ), tensiunea de strpungere a jonciunii gril-canal, prin avalan ( U (BR )DG ) - la JFET, tensiunea de strpungere prin avalan, ntre dren i surs ( U (BR )DS ) la MOSFET etc. innd seama de toate limitrile care sunt impuse unui tranzistor unipolar n funcionare, se stabilete zona (aria) de funcionare sigur (AFS), n planul caracteristicilor statice de ieire ale dispozitivului. Pentru regimul de c.c. sau de semnal mare i frecvene joase, AFS este delimitat de hiperbola Ptot de disipaie maxim admisibil, de valoarea maxim I D max a curentului de dren i de valoarea maxim U DS max a tensiunii dren-surs (fig. 3.4.5).

3.5. Circuite de polarizare


Se numete circuit de polarizare al tranzistorului unipolar, circuitul electric de c.c. care permite fixarea unui anumit punct static de funcionare i care asigur stabilizarea acestui punct. Caracteristicile statice, ca i parametrii statici ai tranzistorului unipolar, prezint o mare dispersie de fabricaie i, n plus, depind puternic de temperatur. Pentru toate circuitele cu tranzistoare unipolare, p.s.f. al tranzistorului trebuie s se gseasc n interiorul AFS (fig. 3.4.5). n aplicaii de tipul amplificatoarelor liniare sau surselor de curent, p.s.f. al tranzistorului va fi plasat ntotdeauna n regiunea activ a caracteristicilor statice de ieire. Stabilizarea p.s.f., n raport cu condiiile de funcionare, poate fi realizat n: circuite liniare de polarizare, prin asigurarea unei reacii negative n c.c., dup curentul sau dup tensiunea de ieire; circuite neliniare de polarizare, prin folosirea surselor de curent constant. Unul dintre cele mai folosite circuite liniare de polarizare este cel cu rezisten n surs. Se consider configuraia unui circuit de amplificare, realizat cu un FET cu canal N, n conexiune SC, din fig. 3.5.1.a. Circuitul de polarizare, constituit din rezistorii R D , R S , R G i sursa de tensiune continu VDD , trebuie s asigure un p.s.f. corespunztor regimului activ al tranzistorului i stabilizarea acestui punct. Stabilizarea p.s.f. se bazeaz pe reacia negativ dup curentul de dren, introdus de R S .
+VDD RD CG D G S RS a. CS b. RL IG G UGS S RS ID CD RD D ID UDS +VDD

us

RG

RG

Fig. 3.5.1. Circuit de amplificare, realizat cu unFET n conexiune SC: a. Schema de principiu; b. Circuitul de polarizare, cu rezisten n surs
Din circuit, rezult ecuaiile VDD = R D I D + U DS + R S I D , U GS = R S I D ,

(3.5.1) (3.5.2)

45

U DG = U DS U GS , (3.5.3) la care se adaug ecuaia curentului de dren, I D = (U GS U P )2 . (3.5.4) 2 Mrimile electrice ce caracterizeaz p.s.f. Q al tranzistorului ( I DQ , U GSQ , U DSQ , U DGQ ), fixat n
regiunea activ a caracteristicilor statice de ieire, satisfac ecuaiile (3.5.1)(3.5.4). Cu circuitul din fig. 3.5.1.b, nu poate fi fixat dect o tensiune U GS de polaritate opus tensiunii U DS ; ca urmare, circuitul asigur polarizarea corect a JFET-urilor i MOSFET-urilor cu canal inial, n regim de srcire, precum i meninerea p.s.f. ntr-o vecintate mic a poziiei iniiale. Reducerea variaiei I D a curentului de dren impune creterea rezistenei R S . Mecanismul de stabilizare a p.s.f. se bazeaz pe reacia negativ dup I D , introdus de rezistena nseriat cu sursa tranzistorului. La alegerea rezistenei R G , se face un compromis, innd seama c acest element de circuit determin rezistena de intrare a amplificatorului, n regim dinamic, i menine potenialul grilei la zero, n regim static. Rezistene de ordinul 12M satisfac ambele cerine.

3.6. Modele de semnal mic


n cele mai multe circuite de procesare a semnalelor analogice, tranzistoarele unipolare funcioneaz n regim variabil de semnal mic. Pentru variaii mici ( i d , u gs , u ds ) ale mrimilor electrice, n jurul unui p.s.f. Q ( I DQ , U GSQ , U DSQ ) plasat n regiunea activ, poate fi stabilit un model liniar al tranzistorului unipolar. Regimul variabil de semnal mic este regimul variabil al tranzistorului, n care este ndeplinit condiia de semnal mic: u gs (t ) 2 U GSQ U P pentru t.

(3.6.1)

Pentru domeniul frecvenelor joase, modelul de semnal mic al unui tranzistor unipolar este descris prin ecuaiile ig = 0 , (3.6.2)

i d = g m u gs + g d u ds . Ecuaia (3.6.3) poate fi rescris ca rd i d = g m rd u gs + u ds .

(3.6.3) (3.6.4)

n aceste relaii, g m este conductana de transfer a tranzistorului unipolar cu drena scurtcircuitat la surs, g d este conductana de ieire a tranzistorului unipolar cu grila scurtcircuit la surs, rd = 1 / g d reprezint rezistena de ieire a tranzistorului cu grila scurtcircuitat la surs,
= g m rd este factorul de amplificare n tensiune, al tranzistorului cu ieirea n gol, Parametrii dinamici de semnal mic depind de tipul FET-ului, de datele tehnologice ale tranzistorului, de p.s.f. i de temperatur. Aceti parametri pot fi exprimai n funcie de mrimile care descriu p.s.f. i parametrii statici ai tranzistorului. Pe baza ecuaiilor (3.6.2), (3.6.3) i (3.6.4) pot fi desenate dou circuite echivalente (fig. 3.6.1.a,b) care reprezint dou variante ale modelului (simplificat) de semnal mic i frecvene joase. Prezena sursei comandate de curent sau de tensiune, n circuitul de ieire al modelului, atest calitatea de dispozitiv activ a tranzistorului unipolar. Modelul de semnal mic este acelai indiferent de tipul

46

FET-ului; acest model se deseneaz pentru conexiunea SC, dar poate fi utilizat i pentru celelalte dou conexiuni, respectnd borna comun i bornele de intrare i de ieire ale conexiunii.

a.

b.

Fig. 3.6.1. Modele de semnal mic i frecvene joase, pentru un FET


La frecvene nalte, modelul, de semnal mic se completeaz cu capacitile interne ale tranzistorului: C gs ( 1pF ), C gd ( 0,1pF ), C ds ( 0,1pF 0,5pF ). Prima variant de circuit
echivalent rezultat este cea din fig. 3.6.2.

Fig. 3.6.2. Model simplificat de semnal mic i frecvene nalte


Analiznd corespondena care exist ntre modelul de semnal mic al unui TB i cel al unui FET, se constat c atunci cnd circuitul de amplificare trebuie s prezinte o rezisten mare de intrare, se va alege un tranzistor unipolar, iar n cazul n care circuitul de amplificare trebuie s realizeze o amplificare mare (n modul), va fi ales, ca dispozitiv activ, un tranzistor bipolar.

3.7. Circuite cu tranzistoare unipolare 3.7.1. Amplificatorul de semnal mic


Schema de principiu a unui etaj de amplificare de c.a., cu FET n conexiunea SC, este prezentat n fig. 3.7.1.a.; la intrarea amplificatorului se aplic un generator de tensiune (us), iar la ieire se conecteaz o rezisten de sarcin (RL). La frecvene medii, circuitul echivalent de c.a. al amplificatorului este acela dat n fig. 3.7.1.b, n care tranzistorul a fost nlocuit cu modelul simplificat de semnal mic. Acest circuit echivalent se obine prin punerea tuturor punctelor reci (de potenial constant) la masa montajului. n circuitul de polarizare, rezistena R G poate fi substituit de un divizor rezistiv ( R 1 , R 2 ), conectat n gril; n acest caz, n circuitul echivalent, R G este nlocuit de R 12 = R 1 // R 2 . Se consider R G = 10M , R D = 1,2k , R L = 10k , R S = 200 , iar tranzistorul un JFET cu canal N, tip BFW10, pentru care se cunosc: I DSS = 10mA , U P = 4V , g m = 3,7 mA / V , rd = 200k . Performanele amplificatorului (rezistena de intrare, rezistena ieire, amplificarea de tensiune, amplificarea de curent) depind de rezistenele circuitului de polarizare:

47

Ri =

u gs ii

= R G = 10M ,

(3.7.1) (3.7.2) (3.7.3) (3.7.4) (3.7.5) (3.7.6)

u Ro = o = rd // R D R D = 1,2k , io u =0 s u i (R L // R D ) (R L // R D ) A U0 = o = d = 3,96 , ui u gs rd + (R L // R D )

A u0 =

RD 4,44 , rd + R D R L i i RG RD RD A I0 = o = d = 3954 , ii R D + R L ii R D + R L rd + (R L // R D ) A i0 = lim A I0 = g m R G = 37000 . lim A U0 =


R L 0

o Rs ui us o Ri

ii

G o RG ugs

id rd

D o

io RD RL uo

ugs

o Ro

a. b. Fig. 3.7.1. Amplificator de semnal mic: a. Schema de principiu; b. Circuitul echivalent de c.a., la frecvene medii
Pentru acelai etaj pot fi calculate i celelalte dou performane funcionale: conductana de transfer i rezistena de transfer. Dac R G i R D se consider infinite, atunci R i , R o = rd = 200k , A u 0 = = 740 , A i0 . Analiznd rezultatele obinute, se constat c circuitul se comport ca un amplificator cu transfer de conductan.

3.7.2. Sursa de curent constant


Sursa de curent constant asigur la ieire un curent I O aproximativ constant la variaii ale tensiunii continue de alimentare (VDD) i ale rezistenei de sarcin (RL), ntre anumite limite. O surs simpl de curent, realizat cu un FET cu canal N, este cea din fig. 3.7.2.a, n care se consider R S = 5k , iar tranzistorul un JFET cu canal N, de tip BFW11, caracterizat de I DSS = 10mA ,

U P = 3V , g m = 1,44mA / V , rd = 100k . Curentul de ieire al sursei este curentul de dren al

48

tranzistorului i poate fi considerat constant dac JFET-ul funcioneaz n regim activ ( U DS > U DSP ). n aceste condiii, I D respect relaia (3.1.5). Expresia tensiunii U GS se obine aplicnd teorema a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de intrare: U GS = R S I D . (3.7.7) Rezolvnd sistemul format din ecuaiile (3.1.5) i 3.7.7), se obin valorile necunoscutelor: I D = 0,47mA i U GS = 2,35V . Se calculeaz apoi U DSP = U GS U P = 0,65V . Aplicnd teorema a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire, se obine VDD = R S I D + U DS + R L I D . (3.7.8) nlocuind valorile numerice cunoscute i impunnd U DS > 0,65V , se obine urmtoarea inegalitate:

VDD > 3 + 0,47 R L , (3.7.9) n care tensiunea este exprimat n voli, iar rezistena n k . n concluzie, curentul de ieire rmne constant la valoarea 0,47 mA , chiar dac tensiunea de alimentare i/sau rezistena de sarcin i schimb valoarea, cu condiia ca inegalitatea (3.7.9) s rmn satisfcut.
id

+VDD RL D G UGS RS S
ugs G
a. b.

rd
ugs S

ID UDS
udg RL

RS

RO

Fig. 3.7.2. Surs de curent, cu rezisten mare de ieire: a. Schema de principiu; b. Circuitul echivalent de c.a.
Pornind de la schema de principiu din fig. 3.7.2.a, se deseneaz un circuit echivalent n regim variabil de semnal mic i frecvene medii (fig. 3.7.2.b), pe baza cruia se calculeaz rezistena de ieire a sursei de curent: (3.7.10) R O = rd + (1 + )R S = 827 k . n cazul particular R S = 0 , se obine un curent de ieire I O = I DSS = 10mA i o rezisten de ieire mai mic: R O = rd = 100k . Exist mai multe configuraii de surse de curent, realizate cu unul sau mai multe FET-uri. Creterea complexitii circuitului asigur o mbuntire a performanelor.

3.7.3. Divizorul rezistiv controlat n tensiune


Schema de principiu a unui divizor rezistiv controlat n tensiune este cea din fig. 3.7.3.a. Dac tranzistorul unipolar este polarizat n regiunea ohmic din planul caracteristicilor statice de ieire, atunci dispozitivul se comport, ntre surs i dren, ca o rezisten R VV , a crei valoare este controlat prin tensiunea U GS :

49

R VV

R VV0 U GS 1 UP
o

.
o

(3.7.11)

R1

R1
o

ui
o

ui

uo UGS
o o

RVV
o

uo

a. b. Fig. 3.7.3. Divizor rezistiv controlat n tensiune: a. Schema de principiu; b. Circuitul echivalent.
Raportul de divizare a tensiunii are urmtoarea expresie: u R VV K= o = = f ( U GS ) . (3.7.12) u i R 1 + R VV La U GS = 0 , R VV = R VV 0 , iar K are cea mai mic valoare, n timp ce la U GS = U P , R VV , iar raportul de divizare atinge valoarea maxim ( K = 1 ).

-----*-----

50