UNIVERSITATEA "DUNREA DE JOS" DIN GALA I FACULTATEA DE INGINERIE DIN BRILA

ELECTRONICA CURS UZ INTERN

AUTOR: ING. LUIZA GRIGORESCU

BRILA 2000

Capitolul 1 1. Materiale semiconductoare

Materialele semiconductoare sunt materialele care din punct de vedere al conductivit ii electrice ocup o pozi ie intermediar ntre materialele conductoare i materialele electroizolante. Dintre materialele semiconductoare amintim oxizii de metal, sulfurile, seleniurile. Dintre materialele semiconductoare cele mai des utilizate n tehnica producerii componentelor electronice sunt siliciul i germaniul . La aceste materiale banda energetic de valen i cea de conduc ie sunt separate printr-o band interzis. Trecerea electronilor din banda de valen n banda de conduc ie se face cu un aport de energie care le permite acestora s depeasc zonele interzise. La temperaturi joase n semiconductori nu exist electroni n banda de conduc ie, deci putem spune c semiconductorii nu conduc agita ia termica si ca urmare electronii de valen a au energii suplimentare si au posibilitatea sa treac n banda de conduc ie devenind electroni liberi i asfel apare un curent electric. In materialele semiconductoare rezistivitataea :

1 , - conductivitate;

scade odat cu creterea temperaturii iar coeficientul de varia ie al rezistivit ii cu temperatura are ntotdeauna valori negative. Dup modul n care poate s apar conductivitatea electric se deosebesc materiale semiconductoare cu conductivitate intrinsec i materiale cu

conductivitate extrinsec.

1. 1 Semiconductoare cu conductivitate extrinsec Constatm c la un cristal de Ge n stare pur atomii vecini pun n comun electroni de valen prin intermediul unei legturi covalente. Astfel orice electron cuprins ntr-o legtur covalent este supus unei duble atrac ii:

- una din partea nucleului propriu - cea de-a doua din partea atomului vecin Conductivitatea extrinsec apare la semiconductoarele impuriflcate cu elemente de alt valen . 1.1.1 Semiconductoare de tip n Se ob in prin dopare arseniu, n concentra ie de 10-7 . n figura 2 este reprezentat doparea semiconductorului de Ge cu un atom pentavalent de fosfor. Patru dintre electroni de fosfor formeaz legturi covalente cu electronii de valen ai atomului de Ge vecin. Al cincilea rmne s fie supus doar atrac iei nucleului propriu i din acest motiv el devine relativ mai vulnerabil, fiind legat cu o legtur slab de atom. cu elmente pentavalente ca: staniu, fosfor,

Fig.2 Semiconductoare intrinseci

Cu un aport de energie de doar We = 0.05 eV acest electron se desprinde i devine electron liber. Dac din exterior ac ionm cu un cmp electric de intensitate E electronul liber devine electron de valen i se mic n sens opus sensului cmpului electric exterior. Dac n cazul conductoarelor cu conductivitate extrinsec plecarea unui electron las n urma sa un loc liber , un gol, la semiconductorii extrinseci pentru c acest electron nu a fost legat ntr-o legtur covalent nu va las n urma sa un gol. Simultan cu apari ia electronilor de conduc ie genera i de impurit i apar perechi electron-gol ca la semiconductoarele pure. Numrul de electroni din semiconductori este mai mare dect numrul de goluri, electronii fiind purttori de sarcin majoritari (iar golurile purttori de sarcin minoritari) din acest motiv semiconductorii se numesc de tip n. 1.1.2 Semiconductoare de tipp Atomii de aluminiu fiind trivalen i dispun pe ultimul strat doar de trei electroni de valen care formeaz legturi covalente cu electroni de valen ai atomilor de Ge vecini. A patra legtur rmne nesatisfacut lsnd n urma sa un gol. n mod conven ional golului i se asociaz o sarcin pozitiv.

Datorit agita iei termice chiar la temperatura normal un electron al unui atom vacin vine s ocupe locul liber din preajma atomului de Al. Acestui electron ii este necesar un aport de energie de doar 0.04 eV pentru a putea face deplasarea ctre golul respectiv. Prin plecarea lui, electronul va lsa un alt loc liber cruia i se asociaz un gol ce va fi ocupat de un alt electron al altui atom, asfel c micrii electronului ntr-un sens i va corespunde o micare a golurilor n sens invers . Deoarece numrul de goluri, de sarcin pozitiv, este mai mare dect numrul de elctroni 'semiconductorul se numete de tip p.

1.2 Semiconductoare cu conductivitate intrinsec Conductivitatea intrinsec apare numai la semiconductoarele aflate n stare pur. Din cei opt electroni afla i n jurul unui atom de Ge se poate ca datorit agita iei termice o parte din electronii de valen s prseasc legtura covalent formndu-se asfel electroni liberi iar apoi n prezen a unui cmp electric devin electroni de conduc ie. Sub ac iunea aceluiai cmp electric un alt electron aflat n vecintatea golului creat va veni s ocupe locul respectiv lsnd n urma sa un alt gol . n concluzie electronul de valen se deplaseaz n sens invers cmpului electric iar golurile n sensul acestuia. n materialele semiconductoare pure numrul de elctroni
4

i cel de goluri este acelai.

1.3 Recombinarea purttorilor de sarcin n orice semiconductor simultan cu procesul de generare a perechilor electron-gol apare i procesul de dispari ie a lor prin capturarea electronilor de conduc ie de ctre goluri, prin recombinare electronii devenind electroni de valen iar golurile dispar.

1.4 Jonc iunea pn Se numete jonc iune pn zona de contact dintre dou regiuni ale aceluiai cristal de semicoanductor , o regiune dopat cu impurit i acceptoare i o regiune cu impurit i donoare (de tip n) . n zona n purttorii majoritari sunt electronii iar n zona/? purttorii majoritari sunt golurile.

De

parte i de alta a jonc iunii apar dou straturi cu sarcini de semne contrare numit zon de trecere. n aceast regiune datorit srcinii spa iale de semne contrare apare un cmp electric orientat dinspre el spre regiunea p (de la sarcini pozitive la sarcini negative), numit cmp electric de contact. . Cmpul mpiedic trecerea n continuare a purttorilor de sarcin, deoarece sarcina spa ial pozitiv din regiunea de trecere de valoare pozitiv mpiedic difuzia golurilor din n n p. Se creeaz o stare de echilibru
5

n care micarea de electroni i de goluri nceteaz.

1.4.1 Jonc iunea pn polarizat direct Polarizarea direct se asigur prin legarea plusului sursei de alimentare la zona/7 i minusul la zona n. Tensiunea creeaz un cmp electric orientat de la p la n invers cmpului electric de contact i deoarece valoarea acestui cmp electric este mai mare dect cmpul electric purttorilor de sarcin din interiorul

semiconductorului (cmpul electric de contact), deplasarea purttorilor de sarcin este determinat de acest cmp. Electronii din zona n sunt atrai de poten ialul pozitiv al sursei de tensiune continu, trec cu uurin prin jonc iune, iar golurile din zona p difuzeaz prin suprafa a de contact spre poten ialul negativ al sursei. Prin jonc iunea pn se stabilete n cazul polarizrii directe un curent direct cu sensul " conven ional'' de la p ctre , intensitatea curentului crete foarte repede odat cu creterea tensiunii de polarizare direct .

1.4.2 Jonc iuneapn polarizat invers Polarizarea invers se realizeaz legnd zona n la borna pozitiv a sursei

i zona/? la borna negativ. Cmpul electric produs de surs este de acelai sens cu cmpul electric de contact, ntrind ac iunea acestuia. La polarizarea invers a jonc iunii deplasarea purttorilor de sarcin se realizeaz n felul urmtor:
6

-electronii din zona n sunt atrai de poten ialul pozitiv al sursei, se deprteaz de zona de contact la fel ca i golurile din zona/7 care sunt atrase de poten ialul negativ al sursei de alimentare. In stnga i n dreapta zonei de jonc iune apare un spa iu golit de purttori de sarcin numit strat de blocare, care ofer n circuit o rezisten electric foarte mare, prin care nu circul purttori de sarcin. Dei practic se consider curentul prin jonc iune ca fiind nul la polarizare invers, n realitate exist o circula ie de curent de valoare foarte mic, datorat purttorilor minoritari, numit curent invers cu valoare independent de tensiunea de polarizare.

1.5 Caracteristica unei diode cu jonc iune La o tensiune direct, u>0, apare un curent abia dup ce este depit pragul de deschidere al diodei. Acest prag are valoarea de - (0.2-0.4)V pentru semiconductorii de Ge - (0.4-0.8)V pentru semiconductorii de Si Peste aceast valoare curentul crete foarte rapid odat cu creterea tensiunii i exceptnd zona ini ial putem aproxima creterea ca fiind cvasiliniar.

Deoarece n acest domeniu tensiunea u < 1V i curentul are valoarea 1= (O.l-l)A, rezisten a direct oferit n circuit de diod este foarte mic. Atunci cnd dioda e polarizat invers, u<0, prin diod apar curen i de polarizare invers de valoare foarte mic. Pentru o zona mic valoarea curentului depinde de temperatura mediului ambiant i nu de tensiunea aplicat la Valorile acestor curen i sunt: borne.

1=10" A pentru diode cu semiconductori de

Ge, 1 = 10' A pentru diode cu semiconductori de Si. Aceast diferen de valori e determinat de existen a unor l imi diferite ale benzilor interzise n cazul germaniului i siliciului,benzi pe care electronii de valen trebuie s le depeasc pentru a deveni electroni de conduc ie.

Valoarea acestor curen i se dubleaz atunci cnd temperatura crete cu 7,5 C la Geicu 6,5 C la Si. n momentul ajungerii la satura ie , orict de mult crete curentul prin diod , tensiunea la bornele acesteia nu se mai modific. Creterea valorii curentului se datoreaz multiplicrii purttorilor de sarcin n avalan i efectului Zenner ( ac iunea unui cmp electric intens dat de creterea tensiunii de polarizare invers, avnd drept consecin formarea de perechi electron-gol.. Cnd dioda este polarizat invers rezisten a pe care o ofer n circuit aceasta este foarte mare {10 Q ). Dioda este elementul de circuit utilizat n scheme de redresare, stabilizare, modula ie, dar cu o dioda nu se poate realiza amplificarea semnalului electric, pentru aceasta s-au construit tranzistoarele.

Capitolul 2
Componente active 1. Tranzistorul bipolar
Tranzistoarele se ob in prin impurificarea unui cristal de Si sau Ge astfel nct s ob inem trei zone cu conduc ie diferit. Conduc ia ntr-un tranzistor este asigurat att de purttorii de sarcin pozitivi ct i de cei negativi. n figura 1 sunt reprezentate att un tranzistor pnp ct i unul npn mpreun cu simbolurile lor. Jonc iunea emitoare a tranzistorului se polarizeaz direct iar cea colectoare este polarizat invers, asigurndu-se astfel regimul activ normal de func ionare al tranzistorului. n figura 2 tranzistorul este conectat n conexiune baz- comun deoarece baza face parte i din circuitul de intrare mpreun cu emitorul, dar i din circuitul de ieire mpreun cu colectorul. De fapt tranzistorul din figura 2a purttorilor de sarcin de la o jonc iune la alta, fr ob inerea unui numr mare de recombinri, de aceea tranzistorul este cunoscut i sub numele de transfer-rezistor.

Jonc iunea emitoare fiind polarizat direct curentul care circul prin jonc iune este determinat de purttori majoritari de sarcin, adic de goluri. Apare astfel un
9

curent de difuzie a golurilor, din emitor n baz, notat cu/. Aceste goluri n regiunea bazei (care este de tip n ) devin purttori minoritari n exces cu o concentra ie mult mai mare dect cea corespunztoare temperaturii ambiante i deoarece baza este foarte ngust se recombin cu un numr mic de electroni majoritari din baz. nlocuirea acestor electroni pierdu i prin recombinare se face prin intermediul curentului de recombinare Ir cu un transport de electroni ce vin de la sursa de alimentare prin firul de conexiune al bazei.

Golurile venite din emitor i rmase nerecombinate n baz difuzeaz pn n apropierea jonc iunii colectoare care e polarizat invers. Cmpul favorizeaz trecerea purttorilor minoritari i astfel golurile care pentru baz sunt minoritare strbat jonc iunea colectoare sub forma unui curent de cmp Ipc, ajungnd n colector (care

e de tip p ) unde sunt considerate din nou purttori majoritari. n concluzie emitorul genereaz goluri pe care le capteaz colectorul, baza fiind cea care face controlul asupra curentului de colector. De obicei baza se impurific cu un numr mai mic de impurit i dect emitorul i colectorul, determinndu-se astfel existen a unui numr mai mic de electroni n ea. De aceea curentul Inb este mult mai mic ca valoare dect curentul Ipe. Jonc iunea colectoare polarizat invers este strbtut de golurile provenite din emitor i nerecombinate n baz Ipc ct i de curen ii de cmp da i
10

de purttorii minoritari genera i pe cale termic . Acest curent se noteaz ICBO i este format din golurile minoritare ale bazei ce trec n colector i din electronii minoritari ai colectorului ce trec n baz. ICBO reprezint curentul colector-baz cu emitorul n gol, adic atunci cnd emitorul nu injecteaz purttori de sarcin n baz.

2.1 Curen ii n tranzistor n cele ce urmeaz ne propunem determinarea curen ilor printr-un tranzistor bipolar. Pentru aceasta facem apel la legile lui Kirchoff pe nodurile i ochiurile din figura2.

Din rela iile (2) i (3) rezult :IB +IC = Ipe+Ir +Inb' cu ajutorul creia ob inem prima ecua ie fundamental a tranzistorului IE=Ic+lB (4)

A doua ecua ie fundamental exprim componen a curentului de colector

Dac .
ag = factor de amplificare n curent cu emitorul n gol de valoare a0 = 0,95 + 0,998 IcBn reprezint curentul rezidual de colector cu emitorul n gol. Dac IE =0 atunci IC= ICBO

11

2.2 Tipuri de conexiuni ale tranzistorului Cele mai utilizate n practic sunt conexiunile emitor-comun sau baz comun. Pentru conexiunea EC:

Dac se noteaz :

0 se numete factor de amplificare n curent baz-colector i are valori 0= 50-500

curent rezidual de colector cu baza n gol

Experimental s-a constatat ca valoarea lui ICE0 pentru conexiunea EC este mult mai mare dect ICB0 pentru conexiunea BC i de aceea ecua iile fundamentale pentru conexiunea EC sunt date de rela iile

2.3 Dependen a de temperatur a parametrilor tranzistorului Cea mai pronun at dependen fa de temperatur o au : -caracteristica de intrare -curentul rezidual de colector Pe o caracteristic de intrare iB = f(uBE) pentru un tranzistor n conexiune EC observm c odat cu creterea temperaturii se produce deplasarea spre stnga a caracteristicilor de intrare ctre tensiunile de polarizare direct mai mici. Pentru ob inerea unui curent de aceeai valoare sunt necesare pe msur ce temperatura crete , tensiuni de polarizare din ce n ce mai mici , sau privind altfel problema, la o
12

aceeai tensiune uBE, odat cu creterea temperaturii se ob in curen i din ce n ce mai mari. Aceast proprietate trebuie luat n considera ie deoarece la creteri mari de temperatur, valori mari ale curentului pot determina distrugerea jonc iunii prin efect termic. Curentul ICB0 se dubleaz la fiecare cretere a temperaturii cu 9 C n cazul tranzistoarelor cu germaniu i cu 6 C n cazul tranzistoarelor cu siliciu. Dei dublarea valorii curen ilor se face mai rapid la tranzistoarele cu Si dect la cele cu Ge, se prefer n ceea ce privete valoarea lui ICBQ folosirea tranzistoarelor cu siliciu, deoarece la temperatura camerei valoarea curentului rezidual este mult mai mic la siliciu (nanoamperi) fa de germaniu (microamperi). In cazul tranzistoarelor cu siliciu importan a lui ICB se poate neglija pentru valori ale temperaturii mai mici de 100C pe cnd la germaniu el trebuie luat n considerare la temperaturi mai mari de 80 C.

2.4 Parametrii care limiteaz funcMonar ea tranzistorului Func ionarea tranzistorului este limitat de urmtorii parametri: a) -temperatura maxim a jonc iunilor b)-puterea disipat maxim {Pdmax) c)-curentul de colector maxim d)-tensiunea colector-emitor maxim.
13

Pdmax se ob ine ca produsul dintre curentul de colector i tensiunea de colector-emitor. Punctul n care se face calculul trebuie situat n interiorul spa iului delimitat de curba de disipa ie maxim a puterii.

2.5 Tranzistorul ca amplificator Tranzistorul poate fi privit ca un cuadripol (circuit cu patru borne) .

Principala lui proprietate este amplificarea, care const n faptul c un semnal

de o anumit form i frecven aplicat la intrarea unui tranzistor se ob ine la ieirea lui cu aceeai form i frecven dar de amplitudine mrit. Pentru un tranzistor n conexiune emitor comun mrimile de intrare sunt curentul iB i tensiunea uBE iar cele de ieire sunt curentul iC i tensiunea UCE . Sursele EB i EC asigur polarizarea jonc iunilor i determin existen a

punctului static de func ionare n absen a semnalului de intrare. RC-rezisten a de colector ce are rol i de rezisten de sarcina,
14

RB -rezisten a de polarizare a bazei, u -generator de tensiune sinusoidal. Scriind teorema a doua a lui Kirchhoff pentru ochiul de ieire ob inem:

Considernd ecua iile (2) observm c ultima ecua ie poate fi asemnat cu ecua ia unei drepte y = ax + b i fcnd intersec ia cu axele de coordonate ob inem punctele de coordonate:

15

cu ajutorul crora determinm dreapta reprezentat prin tieturi din figura 6, dreapt ce poart numele de dreapt static de func ionare a tranzistorului. Pentru un montaj dat, punctul de func ionare trebuie s se men in pe aceast dreapt n limitele determinate de cele dou tieturi. Majoritatea amplificatoarelor de tensiune care lucreaz cu semnal mic la intrare au punctul static de func ionare (M) fixat la jumtatea dreptei de sarcin la o anumit valoare a curentului IB (n desen la 30/uA). Pentru a explica func ionarea ca amplificator considerm un generator de curent care alimenteaz baza tranzistorului, comanda de curent a tranzistorului fcndu-se mai uor dect n tensiune. Tranzistorul are rezisten a de intrare mic de cteva zeci de ohmi n conexiune baz comun i sute de ohmi pentru conexiunea emitor comun. De aceea un generator de semnal cu rezisten a de intrare de ordinul zecilor de kiloohmi va debita un curent de intrare independent de tranzistor. Dac considerm tensiunea EC=15V i rezisten a Rc-1.5kD ob inem ic=10mA. Tensiunea ob inut ntre colector i emitor este: EC=15V egal cu tensiunea colectoremitor. Amplasnd punctul M n pozi ia de mijloc a dreptei statice de func ionare a tranzistorului determinm mrimile ce caracterizeaz acest punct static de func ionare (P.S.F.)

De la generatorul de semnal sosete n baza tranzistorului un curent maxim de 20 A. Scriind toerema nti a lui Kirchhoff pentru nodul de intrare ob inem:

16

caracteristica dinamic de ieire, valorile maxime ale lui /g ob inndu-se n punctul N (IBO +IG) i n punctul P (IBO IG)- Observm c la ieire curentul i tensiunea de colector sunt tot mrimi cu evolu ie sinusoidal ce variaz n antifaz (defazate cu 180) fa de mrimile de la intrare. Avnd n vedere func ionarea prezentat putem afirma c etajul asigur o amplificare n curent egal cu raportul dintre curentul de colector i curentul debaz.
17

2.6 Rolul elementelor de circuit ntr-un amplificator

Etajele prezentate n figura la i lb se deosebesc prin aceea c polarizarea n curent continuu a bazei se face cu un singur rezistor n figura la i doi rezistori (divizor rezistiv) n figura lb.

-rezisten de sarcin care permite transmiterea semnalului la un alt etaj, din acest motiv RQ trebuie s aib o valoare mare (k/2) dar nu prea mare pentru a nu impune utilizarea unei surse de alimentare cu tensiune prea mare datorit cderii de tensiune continu ce se ob ine pe rezistenta RQ chiar i n absen a semnalului.

18

Pentru figura la determinm valoarea rezisten ei de baz:

n cazul figurii lb determinm valoarea divizorului rezistiv de polarizare a bazei astfel:

Rezisten a de emitor Re se utilizeaz pentru stabilizarea din punct de vedere termic al punctului static de func ionare al tranzistorului. La varia iile temperaturii mediului ambiant se nregistreaz o varia ie considerabil a curentului rezidual de colector ICO datorit purttorilor minoritari de sarcin ai colectorului. Cum ICO este parte component a curentului total IC, acesta crete pest valoarea maxim permis i are drept consecin distrugerea tranzistorului. Realizarea stabilizrii termice a punctului static de func ionare de ctre rezisten a de emitor RE. Deoarece IC = IB+ ICO , putem explica evolu ia mrimilor electrice din circuit dup cum urmeaz:
19

ICO creste IC descreste, ca urmare va creste si curentul de emitor(IE IC)

Observm c evolu ia mrimilor electrice din circuit determin scderea curentului din colector, circuitul rspunznd cu o scdere la creterea curentului. Totul se petrece att de rapid nct practic nu se observ i putem considera c valoarea curentulu de colector se men ine tot timpul constant la varia ia

temperaturii. Condensatorul CE de decuplare a emitorului ofer o reactan :

2.7 Schema echivalent de semnal mic a tranzistorului La frecven e joase tranzistorul poate fi nlocuit cu o schem echivalent cu parametri hibrizi ca cea din figura 2b. ntre mrimile electrice din circuit exist urmtoarele rela ii:

20

2 Tiristorul
Tiristorul se simbolizeaz astfel:

Tiristorul se ob ine dintr-un semiconductor de siliciu sau germaniu n care au fost create zone de conductibilitate alternat . Pe regiunile p i n extreme, din figura 1, s-au aplicat dou contacte ohmice (anod i catod) anodul legndu-se la plusul sursei de alimentare iar catodul la minusul sursei de alimentare. Pe regiunea/ central se afl un contact metalic reprezentnd un electrod de comand numit poart.

21

Tiristorul se mai numete i diod semicomandat, are trei jonc iuni J1 ,J2 ,J3 i poate fi echivalat cu doi tranzistori, unul pnp i cellalt npn care

au o jonc iune colectoare comun. Jonc iunile J1i J3 se numesc jonc iuni emitoare iar/2 jonc iune colectoare. Dac poarta este nepolarizat i legm anodul la plus i catodul la minus, jonc iunile J2 ,J3 vor fi polarizate direct iar J2 invers. J2 are atunci o rezisten invers foarte mare i rezult c valoarea curentului prin tranzistor este foarte mic(o) orict ar fi tensiunea aplicat ntre anod i catod. Dac se mrete treptat tensiunea aplicat tiristorului se constat c ncepnd de la o anumit valoare, numit tensiune de comuta ie, curentul prin tiristor crete brusc, iar tensiunea la borne scade. Tiristorul a trecut din starea de conduc ie n starea de blocare situa ie n care curentul prin dispozitiv poate fi limitat doar de elementele exterioare ale circuitului .
22

Fenomenele ce apar n tiristor pot fi explicate n felul urmtor : Presupunem comutatorul k1 nchis i comutatorul k2 deschis. Tiristorul este alimentat ntre anod i catod, jonc iunea central fiind strbtut de trei curen i:. -un curent de goluri injectat de emitorul tranzistorului pnp al primei jonc iuni J 1; -un curent de electroni injectat de emitorul celui de-al doilea tranzistor de tip npn , de jonc iune J3; -un curent invers, propriu jonc iunii centrale de colectori polarizate invers J2. Daca ai si a2 sunt coeficien ii de amplificare n curent ai celor doi tranzistori i I este curentul total al dispozitivului, care ajunge n exterior, atunci curen ii de emitori ai celor dou jonc iuni au valori 1I i 2 -I. Aplicnd teorema nti a lui Kirchoff ob inem:

rela ie care folosete la explicarea procesului calitativ al comuta iei (comuta ie nseamn trecerea din starea de blocare n starea de conduc ie). Dac la tranzistori jonc iunea colectoare este polarizat invers peste o anumit valoare numit valoare critic sau tensiune de strpungere, curentul crete practic nelimitat datorit multiplicrii n avalan a purttorilor minoritari de sarcin i ca urmare coeficientul de amplificare n curent al tranzistorului crete foarte mult. La tiristor, cnd jonc iunea J2 are o astfel de valoare, nct suma celor doi coeficien i de amplificare n curent devine :

n acest moment tiristorul trece din stadiul de blocare n stadiul de conduc ie, acelai fenomen producndu-se i dac egalitate 1 + 20= 1 este ob inut pe alt cale. n starea de blocare, condi ia practic nu este indeplinit deoarece curen ii prin
23

tranzistoare fiind practic neglijabili i coeficien ii lor de amplificare sunt extrem de mici . Pentru ai mri se poate injecta din exterior un curent numit curent de comand

In cazul montajului din figura 2 acest curent va apare atunci cnd comutatorul k2 este nchis . n aceast situa ie, jonc iunea J2 devine polarizat direct i condi ia de intrare n conduc ie a tiristorului este ndeplinit pentru o valoare mult mai sczut a tensiunii anod-catod. n momentul comuta iei, tensiunea la bornele tiristorului scade foarte mult, evolu ia comuta iei fiind reprezentat pentru diverse valori ale tensiunii de poart n figura 3 . Dup ce tiristorul a intrat n conduc ie, datorit fenomenului de

multiplicare n avalan tensiunea de comanda nu mai are nici o influen . Din acest motiv este nevoie de un impuls foarte scurt pentru comand, de putere foarte mic avnd rolul numai de a amorsa avalana. Dup comutarea tiristorului se poate nltura acest semnal de comand . Pentru ca un tiristor s fie comutat invers , adic s treac din starea de conduc ie n starea de blocare este necesar inversarea polarit ii tensiunii dintre anod i catod. Tiristoarele se construiesc de obicei pe cristale din siliciu i se folosesc pentru construc ia redresoarelor de putere comandate, care admit curen i maximi de
24

ordinul a mii de amperi i tensiuni inverse de mii de vol i, cu puteri de comand mici, timpii de comuta ie fiind de ordinul secundelor .

3 Diacul
Diacul este un dispozitiv multijonc iune care are proprietatea diodei pnpn asigurnd conduc ia n ambele sensuri . Dispozitivul are cinci straturi i patru jonc iuni . Pentru a fi comandat l putem considera ca fiind alctuit din dou structuri de tip pnpn aezate antiparalel. Diacul are conduc ie bidirec ional i este prevzut cu doi electrozi T1 i T2 prin care circul curentul iT. Ei se numesc terminalul T1 i terminalul T2 . La aplicarea unei tensiuni T >0 structura din partea dreapta este polarizat direct i se amorseaz la o tensiune BD . Caracteristica iT = f(T)

are aspectul din cadranul I al figurii 4. Cnd polaritatea tensiunii se schimb, intr n
25

conduc ie structura din partea stnga (figura 4c) la o tensiune negativ de valoare BR ,iar caracteristica iT = f(T) are aspectul din cadranul III. Este de dorit ca BD = BR = B0 asigurnd o caracteristic simetric . Practic se produc dispozitive cu vB0 garantat cu o toleran de 10% . Deoarece diacul are caracteristica bidirec ional , el se poate folosi n curent alternativ i este un dispozitiv de mic putere utilizat la comanda tiristoarelor i a dispozitivelor de tip triac . Triacul, constructiv este asemntor cu diacul, singura deosebire este c prezint un electrod de comanda numit poart . de zeci de vol i simetria fiind

26

Capitolul 3
Amplificatoare electronice
Amplificatoarele sunt circuite electronice care prelucreaz semnale electrice furniznd la ieire semnale de aceeai form i frecven cu cele aplicate la intrare dar cu amplitudine mrit .

Amplificarea total a etajului este:

A = A] -A2 ........... An

Pentru a ndeplini aceasta func ie un amplificator trebuie prevzut cu o surs de energie electric, pe seama creia se ob ine sporul de putere de la ieire i elemente active care s fie capabile s preia i s transforme o parte din energia absorbit de la sursa de alimentare n energie de curent alternativ variabil n ritmul semnalului. Amplificatoarele se clasific: Dup felul mrimii electrice pe care o poate prelucra: -amplificatoare de tensiune ; -amplificatoare de curent; -amplificatoare de putere.

Dup tipul de componente folosite n construc ia lor : -amplificatoare cu tuburi; -amplificatoare cu tranzistoare; -amplificatoare cu circuite integrate.

27

Dup frecven a semnalului pe care l prelucreaz: -amplificatoare de curent continuu (f=0 Hz); -amplificatoare de audiofrecven (20Hz 4- 20 KHz); -amplificatoare de radiofrecven (20 KHz 4-30 MHz), -amplificatoare de nalt frecven (30MHz4- 300MHz).

Dup l imea benzii de frecven : -amplificatoare de band redus, care lucreaz la (9 4- 30) Hz; -amplificatoare de band larg, numite i amplificatoare de video-frecven ( 0 45) MHz.

Dup tipul de cuplaj existent ntre etajele amplificatoarelor distingem: -amplificatoare cu cuplaj RC; -amplificatoare cuplate prin circuite acordate ; -amplificatoare cu cuplaj prin transformator ; -amplificator cu cuplaj rezistiv (amplificator de curent continuu).

Parametrii amplificatoarelor 1) Coeficientul de amplificare, cunoscut sub denumirea de amplificare sau ctig ; 2) Caracteristica amplificare-frecven i caracteristica faz-frecven ; 3) Distorsiunile ; 4) Gama dinamica ; 5) Raportul semnal-zgomot; 6) Sensibilitatea .

Coeficientul de amplificare se noteaz cu A i se definesc amplificri n tensiune, curent i put

28

n electronic i telecomunica ii pentru exprimarea valorii amplificrii se folosesc unit i logaritmice . Unitatea bazat pe logaritmul n baz zece se numete decibel (dB) iar cea bazat pe logaritmul natural se numete neper (Np) Dac dorim s exprimm amplificarea n tensiune n decibeli atunci aceasta va fi de forma de mai jos:

Caracteristica amplificare-frecven . Amplificatorul ideal este circuitul n care un semnal de amplitudine constant i de diferite frecven e este redat la ieire tot cu amplitudine constant mrit fa de cea de la intrare, aceeai pentru toate frecven ele din banda de frecven e a amplificatorului .Amplificatorul real are amplificarea constant n band, mai pu in la capetele benzii i anume, amplitudinea este mai mic la frecven a limit superioar i la frecven a limit inferioar .

Amplitudinea semnalului este mai mic la frecven a inferioar a benzii de frecven e . Aceasta se datoreaz elementelor reactive din circuit (bobine i condensatori ) care introduc reactan e inductive i capacitive independente de frecven .
29

Deasemenea, elementele active din circuit (tranzistoarele sau tuburile) au coeficien ii a i respectiv fi dependen i de frecven , afectnd i ele aspectul caracteristicii la capetele benzii.

Distorsiunile. Reproducerea inexact a semnalului de ieire fa de cel aplicat la intrare poart numele de distorsiune . Exist distorsiuni liniare i neliniare . Din categoria distorsiunilor liniare fac parte : -distorsiuni ale amplitudinii n func ie de frecven ; -distorsiuni ale fazei func ie de frecven . Din categoria distorsiunilor neliniare fac parte : -distorsiuni armonice ; -distorsiuni de intermodula ie.

Cele mai demne de luat n seam sunt distorsiunile neliniare armonice care sunt acele deformri ale semnalului de la ieire datorate elementelor neliniare de circuit (tuburi, tranzistoare i miezuri magnetice). Factorul de distorsiune se calculeaz dup cum urmeaz:

unde: U2,U3,...,Un sunt componente ale semnalului de la ieire, care este format

T T T dintr-o sum de semnale sinusoidale ce au perioadele: T, ; ;............. i 2 3 N

frecven ele f; 2f; 3f; ...; nf. Frecven a f se numete frecven fundamental , iar 2f ; 3f ; ...; nf se numesc frecven e armonice . Astfel , putem s scriem semnalul de ieire sub forma:

Raportul semnal-zgomot se definete ca raportul dintre semnalul de ieire i

30

cel de intrare:

Gama dinamic reprezint raportul dintre semnalul de putere maxim i cel de putere minim pe care le poate furniza amplificatorul. Sensibilitatea reprezint tensiunea necesar la intrarea unui amplificator pentru ca la ieire s se ob in tensiunea nominal .

3.1 Amplificatoare de tensiune n figura 2 este reprezentat un amplificator de tensiune format din dou etaje (I) i T2) ce cuprind tranzistori n conexiunea emitor-comun . Cuplajul ntre cele

dou etaje se realizeaz cu condensatorul de cuplaj CC2 unctul static de func ionare a amplificatorului se afl situat la jumtatea dreptei de sarcin. Cum semnalele de la intrare sunt de aplitudine mic se asigur o reproducere propor ional a semnalelor de intrare de ctre semnalul de ieire . Deoarece ntreaga plaja de varia ie vrf la vrf a tensiunii de semnal poate fi ncadrat n lungul dreptei de sarcin punctul static de func ionare va fi plasat n regiunea central a dreptei de sarcin determinnd ncadrarea amplificatorului de tensiune n clasa A de func ionare . Legnd n cascad cele dou etaje rezisten a de sarcin nu se mai reduce doar rezisten a de colector a lui T1{RC1 ) ci ea va fi format din grupul RS = RC1Il(R4IIR3) .
31

Caracteristica dinamic a

circuitului

format

din

etajul

ce

cuprinde

tranzistorul T1 nu se mai ob ine din caracteristica static, ea reprezentnd o dreapta ce trece prin PSF , dar face cu axa absciselor un unghi dedus din rela ia :

n care Uies, Iies sunt valorile efective ale semnalului alternativ ob inut la bornele de ieire ale etajului. Deplasarea punctului M pe caracteristica dinamic este limitat de intersec ia cu curbele:

n figura 3 este reprezentat schema echivalent n care tranzistorul este nlocuit cu schema lui echivalent cu parametri hibrizi. Condensatorul de cuplaj CC2 permite trecerea semnalului alternativ de la colectorul lui T1 la baza lui T2, dar blocheaz trecerea componentei continue. Cp reprezint capacitatea parazit totala a etajului

Cm - capacitatea introdus de conexiunile din montaj; Rintr - rezisten a de intrare n T1

Rg - rezisten a intern a generatorului; RE1, RE2 - rezisten e de emitor care stabilizeaz din punct de vedere termic punctul static de func ionare al etajului.
32

La frecven e medii, reactan a introdus de condensatorul CP, XCP iar cea a condensatorului CC2 XC2 0 i ca urmare la aceste frecven e schema arat ca n figura 3 n care lipsete Cp iar CC2 se comport ca un scurt circuit. Impedan a intern a generatorului este pur rezistiv, atunci tensiunea de intrare i cea de ieire se scriu astfel:

innd seama de ecua iile cu parametri hibrizi ai tranzistorului:

1) Ne propunem s calculm amplificarea n curent a etajului

nlocuim rela ia (3)n rela ia (5) i ob inem:

Ca urmare amplificarea n tensiune devine:

Deoarece h22 ,h22e sunt foarte mic (h22e 0) i de aceea Rint = h21e 3) Calculul amplificrii n tensiune

33

Notnd cu h = h11e h22e h12e h21e > atunci valoarea lui Rint este.

Deoarece h12e ,h22e sunt foarte mici i de aceea Rint = h1le 3) Calculul amplificrii n tensiune

Dac h12e = O, h22e = O, atunci valoarea amplificrii n curent este: AU0 =-SRS, unde S reprezint panta tranzistorului.

34

4 Calculul impedan ei de ieire (pur rezistiv)

Eliminm pe U1 i I1 ntre rela iile (9) i cele de legtur exprimate de schema cu parametri hibrizi, din care ob inem :

3.2 Schem practic de amplificator n conexiune emitor comun Schema din figurai cuprinde un tranzistor n conexiune emitor- comun. Emitorul este legat la mas prin rezisten a RE decuplat n regim de semnal de condensator CE. Reactan a condensatorului XCE tinde ctre zero.

CB este un condensator de cuplaj care aduce semnal de la etajul precedent n baza tranzistorului T. Condensatorul de cuplaj este necesar ca s separe n curent continuu colectorul tranzistorului anterior de baza lui T care din punct de vedere al curentului continuu are o alt tensiune fa de tranzistor.
35

In regim de semnal el trebuie s se comporte ca un scurtcircuit, reactan a lui tinznd ctre zero; la fel i condensatorul Cc . In curent continuu alimentarea tranzistorului se face la tensiunea de baza UB =1V, iar componenta continu din colector este de valoare UC=5V. Aceast tensiune se msoar cu voltmetrul punnd plusul n baza i minusul la mas. Peste tensiunea continu de baz de 1V se aplic un semnal sinusoidal astfel c n baz apare tensiunea instantanee uB (figura 2a). Cunoscnd func ionarea tranzistorului determinm tensiunea de la ieirea acestuia , mai precis din colector. n intervalul de timp (t1, t2) peste componenta continu UB sosete n baz alternan a pozitiv, astfel c uB crete.

36

Deci n intervalul (t1, t2) cnd la intrare se aplic o alternan pozitiv a tensiunii de baz, la ieire se ob ine alternan a negativ a tensiunii de colector amplificat. n intervalul (t2, t3) peste componenta continu din baz se suprapune alternan a negativa a tensiunii de baz i ca urmare evolu ia mrimilor electrice din circuit are
loc astfel :uB , uBE , IC, URC, =>uc.

Tranzistorul n conexiune emitor comun amplific un semnal i l fiirnizeaa la ieire defazat cu 180. Tensiunea instantanee de colector uc este n permanen pozitiv i axatpe componenta continua Uc. Dac aceast tensiune este trecut prin condensatorul de cuplaj Cc componenta continu este nlturat i uies va fi axat pe zero.

3.3 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune baz comun Acest tip de conexiune se utilizeaz la amplificatoare de nalta frecven . n conexiunea baz-comun frecven a limit superioar crete ntruct capacitatea parazitde ieire este redus.

n emitor peste componenta con inu UE se aplic semnalul sinusoidal de intrare astfel ca tensiunea instantanee de emitor (figura 4a) pe intervalul (t^tj va suferi o cretere.
37

n intervalul (t1, t2):uE. Tensiunea de baz emitor :

Scderea tensiunii de baz-emitor presupune i scderea curentului Ic .

n intervalul (t2, t3) peste componenta continu n emitor se suprapune alternan a negativ i rezult:

n conexiunea baz-comuna tranzistorul amplific semnalul i l furnizeaz la ieire n faz cu semnalul aplicat la intrare.

3.4 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune colector comun Tranzistorul trebuie alimentat astfel nct colectorul s fie legat la plusul sursei. Dac minusul sursei ar fi la mas colectorul nu-1 putem lega la minus deoarece astfel se unteaz tensiunea de alimentare. Impedan a de intrare a unui astfel de etaj este foarte mare iar cea de ieire este foarte mic. Amplificarea n tensiune a tranzistorului este aproximativ =1 i etajul se mai numete- repetor de tensiune deoarece repet la ieire tensiunea aplicat la intrare.

38

Func ionarea n regim de semnal decurge astfel: peste tensiunea UB se aplic semnalul sinusoidal de intrare i vom avea n baz un semnal instantaneu u%. n intervalul (t1, t2) sosete n baz alternan a pozitiv i ca urmare tensiunea instantanee de baz crete peste UB, iar uBE crete. Conform caracteristicii

IC = f (uBE), se produce o cretere a lui Ic i deoarece IE=IC, crete i IE. Atunci tensiunea instantanee de emitor egal cu cderea de tensiune pe rezisten a de emitor crete i ea. n intervalul acesta la intrare se aplic alternan a pozitiv i la ieire se ob ine tot alternan a pozitiv. n intervalul (t2 t3)n baz sosete alternan a negativ, deci u%scade sub valoarea lui UB i ca urmare i tensiunea baz-emitor scade, atrgnd dup sine scderea curntului de colector, a curentului de emitor i deci a lui U. Ca urmare la ieire ob inem tot alternan a negativ. n concluzie un tranzistor n conexiune emitor comun furnizeaz la ieire un semnal n faz cu cel de la intrare i neamplificat.

3.5 Amplificatoare de putere n cazul amplificatoarelor de putere prezint interes nu numai amplitudinea semnalului de la ieire, ci i puterea sa debitat pe sarcin. ntre amplificatoarele de tensiune i cele de putere exist cteva deosebiri importante: - nivel de semnal mare la intrare, la amplificatoarele de putere fa de amplificatoarele de tensiune care au semnal mic la intrare; - impedan a de sarcin este de numai c iva ohmi; - Randamentul etajului trebuie s fie ridicat. Dac notm cu Pa puterea absorbit de la sursa de alimentare, putere care se folosete ca putere util pe sarcin Pu i pe tranzistor i ca putere disipat i^pe elementele rezistive ale schemei prin care circul componenta continu, atunci randamentul etajului se determin astfel:
39

n cazul tranzistorului Pd(Pdmax.

3.5.1 Amplificator n clas B cu transformatoare Acest tip de amplificator este caracterizat de un randament mare.

Func ionarea n clas B se realizeaz atunci cnd unul dintre tranzistoare conduce pe o alternan iar cellalt pe cealalt alternan . Aceasta nseamn c atunci cnd unul dintre tranzistoare conduce cellalt se rcete crescnd fiabilitatea circuitului. n figura Ieste prezentat un amplificator n clas B cu transformator de excita ie i cu transformator adaptor de ieire. Func ionarea decurge astfel: Pe alternan a pozitiv a semnalului se poate reprezenta transformatorul de excita ie ca n figura lb. n captul "a" peste tensiunea pozitiv de 0,7V sosete semnalul pozitiv, deci tensiunea pozitiv din baza lui T2 crete, T1 fiind tranzistor npn, se va deschide amplificnd alternan a pozitiv. n captul "b" al secundarului peste peste tensiunea de +0,7V sosete semnalul negativ,
40

deci tensiunea pozitiv din baza lui T2 scade , acesta fiind tot un tranzistor npn se blocheaz pe alternan a pozitiv. Pe alternan a negativ a semnalului transformatorul de excita ie se reprezint ca n figura Ic. La captul "a" al secundarului, peste tensiunea de +0,7 V sosete semnalul negativ deci tensiunea din baza lui T1 scade. Tranzistorul T1 se blocheaz pe alternan a negativ. n captul "b" al secundarului, peste tensiunea pozitiv de +0,7V sosete semnalul pozitiv, deci tensiunea pozitiv din baza lui T2 crete. T2 fiind de tip npn se deschide amplific !nd alternan a negativ. n concluzie : pe alternan a pozitiv conduce tranzistorul Tl T2 fiind blocat. Pe alternan a negativ, lucrurile se petrec exact invers. Ambele tranzistoare lucreaz ntr-un regim termic corespunztor, ceea ce permite ob inerea unei puteri utile mari. Randamentul etajului crete n raport cu randamentul etajului n clas A. Transformatoarele sunt surse de distorsiuni de neliniaritate, pe lng faptul c sunt voluminoase i au un pre de cost mai ridicat. Stabilitatea termic a etajului se ob ine utiliznd RB2 termistor.

3.5.2

Amplificator

clas B cu tranzistori complementari Montajul din figura 2 elimin transformatoarele. Se utilizeaz doi tranzistori cu parametri identici, unul pnp i cellalt npn. Cei doi tranzistori trebuie s fie nperechia i adic s aib acelai factor de

amplificare. Dac nu respect acest lucru, amplificatorul va func iona cu distorsiuni mari la volum mare.
41

Alimentrile n curent continuu se realizeaz astfel: tranzistorul Tl de tip npn are colectorul legat la plusul sursei de alimentare, iar T2 de tip pnp are colectorul legat laminusul sursei de alimentare, deci la mas. T3 npn are colectorul legat la plusul sursei de alimentare prin Dl5 D2, R i Rs. Baza lui Tx se alimenteaz la o tensiune pozitiv prin divizorul realizat din Rs i R, RD1, RD2 n conduc ie, rezisten a colector-emitor a lui T3 i RE. Dac la ieire ntre emitorii lui T1 i T2 trebuie s rezulte fa de mas tensiunea +EC/2, atunci baza lui T1 va fi cu +0,6V mai pozitiv dect tensiunea de emitor a lui Tl3 adic EC/2 +0,6V. Baza lui T2 se alimenteaz prin acelai divizor ca i baza lui Tl5 numai c tensiunea va rezulta mult mai mic. Dac n emitor avem o tensiune + EC/2, atunci acesta fiind pnp baza rae o tensiune mai pu in pozitiv cu 0,6V dect emitorul, adic +EC82 -0,6V. Din figura 2 rezult c tensiunea pe cele dou diode Dl i D2 va fi

,6V+0,6V=l,2V. Aceasta fi tensiunea UBET + UBET = 1,2V. Baza lui T3(npn) se alimenteaz cu o tensiune pozitiv mai mic dect UCT3. Aceast tensiune se ia de la ieire dintre emitorii finalilor, prin rezisten a Rr. n paralel pe R,.se plaseaz Cr care va realiza o reac ie negativ global, de la ieirea amplificatorului la intrarea lui T3. Pentru a n elege func ionarea etajului urmrim figura 3.

Semnalul din baza lui T3 este amplificat i rezult n colector defazat cu 180. n figura 3 sunt reprezentate semnalele din baza lui Tl i respectiv T2. Pe alternan a negativ, n intervalul (fy,^)* tensiunea de baz a lui Tx scade sub valoare EC/2
42

+0,6V, deci Tl se blocheaz, ntruct UBET1 = =UBT1 asemenea uBT2 scade sub valoare +EC/2 - 0,6V + tensiunea uBT2. Rezult c uBT2
L

UET1

scade sub 0,6V. De

/, - 0,6V, deprtndu-se de

crete , T2 se deschide amplificnd alternan a

negativ. ntruct semnalul se aplic n baz i se culege n emitorul lui T2, el rezult la ieire n faz cu cel de la intrare, deci tot alternan a negativ, care se va aplica prin condensatorul electrolitic C, sarcinii Rs. Pe alternan a pozitiv care sosete n colectorul lui T3n intervalul (t2-t3) va rezulta creterea creterea tensiunii de baz a lui T2 peste valoarea +EC/2 0,6V. Ca urmare tensiunea de baz a lui T2 se apropie de tensiunea de emitor a lui T2 iar tranzistorul T2 se blocheaz. Tot ntre aceste momente crete i tensiunea de baz a lui T1 peste valoarea EC/2 + 0,6V, T1 fiind de tip npn i crescnd tensiunea pozitiv din baz , crete tensiunea uBT2 i ca urmare conduce amplificnd alternan a pozitiv. Semnalul de ieire se culege din emitor deci semnalul de la ieire este n faz cu cel de la intrare.Aceast alternan pozitiv se culege prin condensatorul C i se aplicpe rezisten a RS. n concluzie: pe alternan a pozitiv conduce tranzistorul npn T1 iar tranzistorul pnp T2 este blocat. Pe alternan a negativ tranzistorul pnp T2 conduce iar Tx este blocat. Deci cei doi tranzistori lucreaz n clas B n contratimp.

3.5.3 Amplificator n clas B cu tranzistori cvasicomplementari Aceste amplificatoare se utilizeaz pentru a ob ine puteri mai mari (figura 4). Montajul se alimenteaz de la o tensiune cu att mai mare cu ct puterea util va fi mai mare. tranzistoarele Tl i T/ formeaz o conexiune Darlington n care tranzistorii fiind de acelai tip, adic npn, au colectorii unta i, iar emitorul lui T/ se leag la baza lui Tl ca n figura 5. O astfel de conexiune, se poate realiza ntr-o singur capsul. Dac tranzistorii sunt unul pnp i cellalt npn, conexiunea Darlington se reprezint ca n figura 6. O astfel de legtur se realizeaz pentru a respecta condi iile de alimentare pentru un tranzistor pnp i unul npn. T2 i T2 sunt ntr-o astfel de conexiune. Rezisten ele RE1 i RE2 sunt mici (0,47 - 1)D. i au ca scop o stabilizare
43

din punct de vedere termic, plus o uoar reac ie negativ. La ieirea etajului trebuie s rezulte tensiunea continu EC/2, deci i tensiunea de emitor a lui T2 are aceeai valoare. Atunci T2 fiind un tranzistor pnp are tensiunea de baz de +EC/2 -0,6V i este egal cu tensiunea de colector a lui T4.

Tranzistorii T1 i T1 sunt npn, iar UET1 = EC/2 +URE1. Dac considerm cu aproxima ie c URE =0,6V, atunci UET = EC/2 +0,6V .De aici rezult c:

44

aceast tensiune se regleaz cu semireglabilul P. Dac UCET3 se micoreaz, atunci se micoreaz toate tensiunile de baz-emitor la tranzistorii TJ,TJ,T2, deci scade curentul prin tranzistorii finali la mersul n gol adic pentru semnal zero. tranzistorul T3se mai numetesuperdiod i are ca scop s preia o parte din cldura tranzistorului final micorndu-i rezisten a colector emitor. Aceasta scade UCET deci i tensiunile bazemitor pentru tranzistorii finali. Scznd curentul de colector pentru finali, deci i temperatura se realizeaz stabilizarea termic. Baz lui T4 se alimenteaz la tensiunea pozitiv adus de la ieire prin grupul CrIIRr , grup care realizeaz stabilizarea termic global, care micoreaz distorsiunile de neliniaritate i care mrete stabilitatea ntregului amplificator. Func ionarea n curent alternativdecurge astfel: pentru alternan a negativ n colectorul lui T4 va apare alternan a negativ n baza lui T2 i n baza lui T/ . Atunci T1 care este un tranzistor npn se va bloca, innd blocat i pe T:. Alternan a negativ din baza lui T2 face ca acest tranzistor s conduc. T2 fiind n conexiune Darlington cu T2 determin intrarea n conduc ie a acestuia. T2 furnizeaz n colector un semnal defazat cu 180, deci ob inem alternan a pozitiv. Aceasta se aplic n baza lui T2 care defazeaz semnalul cu nc 180, astfel c la ieirea lui T2, n colector se ob ine alternan a negativ pentru sarcin. Pe alternan a pozitiv din colectorul lui T4, se va transmite alternan a pozitiv n baza lui T2 i n baza lui T/. Atunci T2 care este de tip pnp se va bloca, innd

blocat i pe T2 cu care se afl legat ntr-o conexiune Darlington. Alternan a pozitiv din baza lui T1 de tip npn face ca acest tranzistor s conduc. T1 l va determina pe T1
45

s conduc. T1 furnizeaz n emitor un semnal n faz cu cel de la intrare, deci o alternan pozitiv. T1 va da i el n emitor semnal tot n faz, deci pe Rs va apare tot alternan a pozitiv.

4 Reac ia negativ n amplificatoare Reac ia negativ este folosit n amplificatoare cu scopul reducerii distorsiunilor de neliniaritate i mririi stabilit ii amplificatorului. Adic se evit posibilitatea intrrii n oscila ie a etajului respectiv de amplificare.

4.1 Distorsiunile de neliniaritate: Au ca efect asupra semnalului sinusoidal deformarea acestuia, amplitudinea fiind afectat, faza i frecven a rmnnd neschimbate. Un semnal periodic sinusoidal de frecven f este format prin nsumarea unor semnale periodice sinusoidale cu amplitudine cu att mai mic cu ct frecven a semnalului este mai mare.

Aceste semnalele sinusoidale au frecven ele urmtoare: f0, 2f0, 3f0, . . . , nf0 unde foeste frecven a fundamental, iar sinusoidele 2f0 , 3f0 , . . . , nfose numesc armonice .

46

5.2 Circuite cu reac ie negativ S presupunem c un amplificator este generator de distorsiuni de neliniaritate. Atunci cnd la intrarea sa se aplic un semnal sinusoidal de frecven f0 la ieire pe lng sinusoida de frecven f0 amplificat apar armonici, spre exemplu o sinusoid de frecven 3f0 numit armonica a treia. n prezen a reac ei negative, o parte din semnalul de ieire se ntoarce la intrare, defazat cu 180, sczndu-se din semnalul de la intrare. Simultan la intrare apare i o frac iune din semnalul de frecven 3f0, defazat i el tot cu780. Astfel c n final, la ieire va rezulta semnalul de frecven f0 cu amplitudine micorat i dou semnale de frecven 3f0 decalate cu 180. Armonicele se scad una din alta ajungndu-se la o reducere puternic a semnalului perturbator de frecven 3f0, i ca urmare scad puternic distorsiunile de neliniaritate. Reac ia negativ se poate aplica pe un singur tranzistor, reac ie numit reac ie negativ local sau pe doi tranzistori, atunci reac ia negativ numindu-se reac ie negativjglobal care este reprezentat n figurile urmtoare:

Tranzistorul T1 n figura 2 este un tranzistor amplificator care genereaz n colector un semnal defazat cu 180 fa de semnalul de la intrare. Tranzistorul T2 furnizeaz n emitor un semnal n faz cu cel primit n baz i defazat cu 180 fa de semnalul de la intrare. Semnalul din emitorul lui T2 este semnalul de reac ie care se ntoarce n baza lui. n baza lui T1 sosesc simultan dou
47

semnale: tensiunea de intrare i semnalul de reac ie. Ele sunt n opozi ie de faz, se scad unul din cellalt i deci se micoreaz distorsiunile introduse de amplificator. Aceast reac ie negativ mrete stabilitatea amplificatorului ntruct pentru a oscila, amplificatorul ar fi avut nevoie de o reac ie pozitiv. Practic datorit cuplajelor parazite poate s apar o mic reac ie pozitiv care este ns compensat de reac ia negativ. n figura 3, rezisten a REi nu are condensator de decuplare n paralel cu ea, semnalul de reac ie fiind adus din

colectorul lui T2 n emitorul lui T,. Tranzistoarele T1 i T2 defazeaz mpreun 360 . De fapt n colectorul lui T2 se ob ine un semnal care a revenit n faz cu semnalul aplicat la intrare, adic n faz cu tensiunea de intrare. Aceasta nseamn ca tranzistorului T1 i se va aplic o tensiune de baz- emitor: UBE = U intrare U reac ie UE = U reac ie Un semnal aplicat ntre baz i emitor s-a micorat, deci a ac ionat reac ia negativ care a fcut s scad uor i semnalul de la ieire. Dezavantajul scderii semnalului de la ieire i se opune avantajul creterii stabilit ii amplificatorului i micorarea distorsiunilor de neliniaritate.

5 Ocilatoare electronice
Un oscilator armonic este un circuit format dintr-un amplificator asupra cruia ac ioneaz o reac ie negativ i care func ioneaz n regim de curent alternativ. Amplificatorul i re eaua de reac ie sunt circuite liniare a cror func ionare este descris de ecua iile:

48

Iar dac etajul este alimentat de la un generator ce furnizeaz un semnal

Dac dorim s calculm amplificarea n prezen a buclei de reac ie:

Circuitul din figura 4 devine oscilator dac Maturnd semnalul de excita ie ob inem la ieire un semnal finit i diferit de zero.

5.1 Condi ia lui Barkhausen Semnific reproducerea semnalului pe bucla de reac ie ca n urmtoarea figur

49

Sub forma exponen ial, A se poate scrie astfel:

Pornind de la condi ia lui Barkhausen A = 1, se pot deduce att condi ia de faz ct i cea de amplitudine:10)

Dac este un numr real atunci re eaua de reac ie determin frecven a de oscila ie. Dac amplificarea amplificatorului fr reac ie este un numr real, atunci:

5.2 Oscilatoare RC n domeniul frecven elor joase se utilizeaz oscilatoare de tip RC la care bucla de reac ie este format din rezisten e i condensatoare. Oscilatoarele RC pot fi construite cu unul sau doi tranzistori. Caracteristic categoriei de oscilatoare construite cu tranzistoare este faptul c acesta introduce un defazaj de l80, ceea ce impune i pentru re eaua de reac ie tot un defazaj de 180 pentru a se ob ine condi ia de oscila ie ce trebuie s ndeplineasc defazajele:

Pentru fiecare celul RC datorit pierderilor pe elementul rezistiv defazajul dintre tensiunea la bornele circuitului RC i curentul prin acesta este mai mic de 90. Ca urmare cu dou celule RC nu se poate ob ine un defazaj de 180. Pentru aceasta sunt necesare minim trei celule RC. Folosind elemente egale se pot gsi valori ale acestora pentru care defazajul introdus de o singur celul RC s fie . Pentru trei celule ob inndu-se un defazaj de TI radiani (180).
50

In ceea ce privete condi ia de amplitudine, satisfacerea acesteia duce la aflarea valorilor minime ale parametrilor tranzistorilor pentru care oscilatorul oscileaz.

Oscilatorul este format dintr-un etaj de amplificare cu doi tranzistori, care asigur un defazaj de 360 i o re ea de reac ie alctuit din dou grupuri RC, unul serie i cellalt deriva ie. Pentru a stabili frecven a de oscila ie i panta tranzistorului se face apel la condi ia lui Barkhausen:
51

Rezisten a R' din schemele echivalente (n ambele cazuri) se calculeaz din condi ia c:

Pentru satisfacerea condi iei de amplitudine trebuie ca:

5.3 Oscilatoare RC cu punte Wien

Oscilatorul este format dintr-un etaj de amplificare cu doi tranzistori, care asigur un defazaj de 360 i o re ea de reac ie alctuit din dou grupuri RC, unul serie i cellalt deriva ie. Pentru a stabili frecven a de oscila ie i panta tranzistorului se face apel la condi ia lui Barkhausen:
52

A=1 Exprimm factorul de atenuare al buclei i amplificarea oferit de amplificator func ie de impedan ele din circuit, conform schemei bloc din figura 3.

Defazajul introdus de bucla de reac ie trebuie s fie zero. Deoarece (3 este numr complex, el poate fi scris sub form trigonometric:

Dac =0 i = \\, atunci este un numr real pozitiv, prin urmare partea imaginar este nul:

Ca urmare amplificarea minim necesar ob inerii oscila iei va fi egal cu 3.

53

5.4 Oscilatoare LC cu cuplaj magnetic Este prevzut cu un circuit acordat n colector i bobin de reac ie legal n circuitul de intrare (figura 4). Oscilatorul cuprinde un amplificator i un cuadripol de reac ie ntre care semnalul de reac ie se transmite inductiv pnn cuplaj mutual de la circuitul acordat la o bobin de reac ie. Frecven a de oscila ie este determinat de circuitul acordat. Propriet ile selective sunt datorate buclei de reac ie, fie amplificatorului. Condi ia lui Barkhausen referitoare la faz se realizeaz printr-o conectare direct a nceputurilor inferioare celor dou bobine. Condi ia de amorsare se ob ine aplicnd condi ia lui Barkhausen referitoare la amplitudine.

Cuadripolul LC deriva ie din colector prezint la rezonan o impedan de tip rezistiv :

Deci tensiunea de ieire va avea valoarea

iar curentul ce circul prin bobina circuitului oscilant este:

Conectnd

corespunztor

nceputurile

bobinelor

L1,L2 astfel nct

transformatorul s inverseze faza, tensiunea indus n secundar este:

54

Astfel valoarea minima pe care trerebuie s o aib panta tranzistorului pentru ca

montajul sa oscileze este:

Condi ia de faz (A + B = 2k) este ndeplinit,

deoarece tranzistorul

inverseaz cu 180, transformatorul cu nc 180 deci semnalul sosete la intrare defazat cu 360 adic n faz, ceea ce presupune prezen a reac iei pozitive.

5.5 Oscilatoare n trei puncte La aceste oscilatoare cele trei impedan e care constitue sarcina

amplificatorului i cuadripolul de reac ie, se conecteaz la cei trei electrozi ai elementului activ, ca n figura 1.

55

impedan e s fie legat la mas. n figura 2 este reprezentat schema echivalent de curent alternativ. Calculm rela ia dintre parametrii circuitului pentru a asigura intrarea n oscila ie(amorsarea oscila iei); valoarea frecven ei de oscila ie . tiind expresia amplificrii unui amplificator utiliznd panta tranzistorului i impedan a de sarcin de forma:

56

Cum tim c un numr complex este zero dac att partea real ct i cea imaginar sunt zero, calculm panta tranzistorului i frecven a de oscila ie:

care reprezint condi ia minim de amorsare a oscila iei

Deci Z1;Z3 sunt de aceeai natur, iar Z2 opus, astfel putem ob ine cele dou tipuri de oscilatoare n trei puncte i anume oscilatorul Colpitts i oscilatorul Hartley. Pentru un oscilator Colpitts impedan ele Zj;Z3 sunt de tip capacitiv, iar pentru un oscilator Hartley Zj; Z3 sunt de tip inductiv.

Pentru oscilatorul Hartley, determinm frecven a de oscila ie pornind de la legtura dintre reactan e, astfel:

57

Toate rela iile de mai sus sunt valabile n momemtul intrrii sistemului n oscila ie, atunci cnd tranzistorul func ioneaz n clas A. Dup intrarea n oscila ie,

tranzistorul trece n clas B sau chiar n clas C, limitarea amplitudinii aprnd ca urmare a caracteristicii oscilatorului. Cerin a de pant mare impune alegerea lui X1 i X3 ct mai mici,

presupunnd un cuplaj ct mai slab al tranzistorului cu circuitul acordat, astfel

58

evitndu-se i influen a capacit ilor i rezisten elor de intrare i ieire ale tranzistorului asupra frecven ei de oscila ie.

5.6 Oscilatoare cu cristal de cuar Cristalul de cuar Cuar ul, pentru a fi utilizat n circuitele electronice, este tiat dup anumite direc ii, numite direc ii cristalografice, se lefuiete si se depun electrozi metalici pe dou fe e paralele. Dac la cei doi electrozi aplicm o tensiune alternativ, se produc vibra ii mecanice datorit ac iunii cmpului electric asupra sarcinii electrice din re ea (efectul piezoelectric invers). Din punct de vedere electric, cristalul ofer o impedan cu propriet i de circuit rezonant. Circuitul electric echivalent unui cristal de cuar , lucreaz la frecven e cuprinse ntre 1 KHz i circa 20 MHz i are factorul de calitate Q foarte mare, de la cteva mii la sute de mii. Aceti parametri depind de dimensiunile cuar ului, de orientarea i de montarea acestuia. Modul n care este tiat cristalul n raport cu direc iile cristalografice este de asemenea important pentru mrimea coeficientului de temperatur al frecven ei de rezonan .

59

Simbolul cristalului de cuar folosit n circuitele electronice, precum i schemele echivalente sunt reprezentate n figurile 1 a,b,c. n figura 1b este reprezentat cel mai simplu circuit echivalent pentru un cristal de cuar , iar n figura Ic un circuit mai complet, care arat posibilitatea rezonan ei pe mai multe frecven e numite overtone. Aceste frecven e sunt armonici impare ale frecvenei fundamentale de oscila ie. n figura 1b cu C0 s-a notat capacitatea asociat monturii. Dac neglijm rezisten a de pierderi, constatm ca rectan a depinde de frecven dup o curb ca cea din figura 2.

60

61

La rezonan a serie cristalul are practic o impedan practic nul sau foarte mic n raport cu celelalte impedan e din circuit. El poate fi amplasat n bucl de reac ie pozitiv, care va avea o atenuare minima la frecventa co a cristalului. Cristalul se plaseaz astfel n circuit, nct s se comporte ca un scurtcircuit al unei rezisten e de polarizare, astfel amplificarea dispozitivului electronic s fie maxim la frecven a de rezonan . Semnalul de la intrarea tranzistorului UBE, este adus printr-un divizor format din cristalul de cuar i RE (n paralel cu rezisten a de intrare a tranzistorului).

Oscilatorul din figur este de tip Colpitts, el avnd reac ia pozitiv maxim la acea frecven la care impedan cristalului este minim, adic la cog. n aceast situa ie curentul alternativ de emitor este aproximativ egal cu curentul care trece prin cristal. Men ionm c n montajele practice rezisten a de emitor RE are valori de ordinul K -lor sau zeci de K . Curentul ce circul prin cristal este sinusoidal. Forma sinusoidal a curentului este determinat de faptul c un circuit rezonant serie prezint o impedan mult mai mare pentru armonicele curentului a crui fundamental egal este

cu frecven a de rezonan . Totui tensiunea baz-emitor va fi sinusoidal

datorit neliniaritatii caracteristicii de transfer exponen ial.

62

Schema din figura 4 reprezint un oscilator Colpitts cu doua tranzistoare cuplate prin emitor i cristal de cuar func ionnd pe frecven a de rezonan serie. Tranzistorul T2 joac rolul unui repetor pe emitor care comand tranzistorul amplificator principal T1. Dac RB este mic n raport cu impedan a de intrare n repetorul pe emitor Zintrr2 , atunci Rg se va comporta ca sunt fa de Zintr 2 i ntreg curentul sinusoidal din cristalul de cuar va trece practic prin RB2 , care dtermin tensiunea pe Re, ce determin la rndul su tensiunea UBE. Acest montaj reprezint una din modalit ile de utilizare a cristalului la frecven a de rezonan serie. O alt modalitate ar fi cuplarea cuar ului paralel pe rezisten a de emitor ca n figura 5.

63

n schema din figura 5 amorsarea oscila iilor are loc astfel: la frecven a de rezonan co, cristalul are impedan a aproape zero, deci foarte mic n raport cu rezisten a de emitor, care astfel va fi scurtcircuitat prin cuar . Astfel crete amplificarea tranzistorului i apar oscila ii.

Oscilatoare care utilizeaz rezonan a paralel Spre deosebire de modul de rezonan serie unde cristalul s-a comportat capacitiv, la utilizarea lui n modul de rezonan paralel cristalul se comport inductiv. El poate fi folosit n locul unei inductan e att n schemele de tip Hartley ct i cele de tip Colpitts. n figura 6 sunt prezentate dou scheme de oscilatoare cu tranzistoare cu efect de cmp i cristale de cuar . n figura 6 a-schema tip Miller iar n figura 6 b-oscilator tip Pierce. n ambele cazuri cristalele de cuar func ioneaz la frecven a de rezonan paralel i nlocuiesc o bobin din schema Hartley (6 a) respectiv Colpitts (6 b). Stabilitatea frecven ei oscilatorelor cu cuar este de ordinul 10" 10 . Se poate ob ine o stabilitate foarte

bun a frecven ei dacs e termostateaz cuar ul. De asemenea trebuie s inem seama c semnalul pe cristalul de cuar trebuie redus la minim, pentru a reduce astfel i disipa ia deputere care ar determina nclzirea cristalului de cuar i deci apari ia varia iei de frecven . Marele dezavantaj al oscilatoarelor cu cuar este acela ca ele func ioneaz numai pe frecven fix, posibilit ile de reglaj fiind foarte restrnse.

64

65

6 Circuite pentru generarea impulsurilor 6.1 Circuite basculante

Circuitele basculante sunt circuite electronice, prevzute cu o bucl de reac ie pozitiv, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite prezint n func ionare dou stri de durat de obicei inegal: una de acumulare, n care tensiunile i curen ii variaz foarte lent i una de basculare, n care au loc varia ii foarte rapide ale tensiunilor i curen ilor. Procesul de basculare este un proces cumulativ, care odat amorsat se dezvolta n avalan. Amorsarea proceselor de basculare se poate face fie cu ajutorul unor semnale de comand aplicate din exterior, fie n urma unui proces intern de varia ie relativ lent (de exemplu, descrcarea unui condensator) care creeaz la un moment dat condi ii pentru declanarea proceselor ce duc la basculare. Dup numrul de stri stabile pe care le pot prezenta, circuitele basculante se mpart n trei categorii: -Circuite basculante astabile (CBA): nu prezint nici o stare stabil; se caracterizeaz printr-o trecere dintr-o stare n alta, fr interven ia unor impulsuri de comand exterioar. Perioada semnalelor generate depinde de valorile parametrilor circuitului; -Circuite basculante monostabile (CBM): ce prezint o singur stare stabil, n care pot rmne un timp ndelungat. Cu ajutorul unui impuls exterior de comand, ele trec ntr-o stare n care rmn un interval de timp determinat de elementele circuitului, dup care revin la starea ini ial; -Circuite basculante bistabile (CBB): se caracterizeaz prin dou stri stabile, n care pot rmne un timp ndelungat. Trecerea dintr-o stare n alta se face prin aplicarea unui impuls scurt de comand din exterior. 6.2 Circuitele basculante astabile Se mai numesc multivibratoare i se utilizeaz pentru a genera impulsuri dreptunghiulare periodice. Ele pot fi considerate oscilatoare, n sensul c semnalul de ieire apare fr a necesita un semnal de comand la intrare. n figura 1 se prezint un
66

astfel de circuit, la care tranzistoarele se afla pe rnd n regim de condduc ie sau de blocare pe anumite intervale de timp, fr interven ia unor semnale de comand exterioare.

67

Dei schema este simetric, executat cu elemente respectiv egale,la conectarea sursei de alimentare, datorit imperfec iunilor tehnologice, apare o mic varia ie a curentului de colector, al unuia dintre tranzistoare (de exemplu IC1 ). Creterea cderii de tensiune produs pe RC1 (EC = const), determinat de creterea lui IC , duce la scderea poten ialului de colector al propriului tranzistor T1 (UCE1 + RC1IC1 = EC = const). Aceast cdere se transmite prin C1 pe baza tranzistorului T2, ducnd la micorarea curentului acestuia (IC2), de colector. Prin aceasta scade cderea de tensiune dat de IC2 pe rezisten a sa de colector i crete poten ialul de colector al lui T2. Aceast cretere se transmite prin C2 pe baza lui T1, mrind valoarea curentului su de colector IC1. Procesul evolueaz n avalan i duce n final la conduc ia la satura ie a lui T1 i la blocarea lui T2. n acest timp, condensatorul C1, care s-a ncrcat n circuitul + EC , RC1, rBE2 , ncepe s se descarce prin RC1 rBE2 i RBE2 rBE2 , ajungnd ca la un moment dat tensiunea pe RB2 (care este legat n paralel pe intrarea lui T2) s devin egal cu tensiunea de deschidere a tranzistorului T2. Acesta ncepe s func ioneze i cu aceeai succesiune de fenomene, referitoare de aceast data la T2, se ajunge la T2 saturat i Tj blocat. Fenomenul se repet periodic. Circuitele de ncrcare i respectiv de descrcare ale condensatorului Cj sunt redate n figura 3. n figura 3a se reprezint situa ia T1 blocat; T2 saturat. Condensatorul C1 se afl practic descrcat n circuitul alctuit din: EC, RC1 rCE1 i RBE2 rBE2. Dar T,

fiind blocat, rezisten a sa colector-emitor este foarte mare (rCE1 >> RC1) iar T2 fiind saturat, rezisten a sa baza-emitor este forte mic (rBE2<< RBE2), astfel c circuitul real de ncrcare a lui R, rmne alctuit din: EC1 , RC1 i rBE2..

68

Varia iile tensiunilor din colectoarele tranzistoarelor pot fi considerate ca impulsuri de form aproximativ dreptunghiular. Durata fiecrui impuls generat este determinat de timpul necesar poten ialului bazei tranzistorului blocat pentru a varia ntre valoarea maxim i zero, avnd valorile (figura 2b).

69

Pentru mbunt irea formei de und a semnalului de ieire, capacit ile C1 i C2 se conecteaz la colectoarele tranzistorului prin intermediul unei diode (figura 4), n punctul comun dintre diod i condensator introducndu-se cte o rezisten legat la sursa de alimentare. n felul acesta, ncrcarea condensatoarelor din colectoarele tranzistoarelor saturate nu se mai face prin rezisten ele de colector ale tranzistoarelor blocate, ci prin rezisten ele nou introduse, mbunt ind frontul anterior al impulsurilor din colectoare. ntruct, n mod obinuit, stabilitatea perioadei impulsurilor generate de multivibrator nu este satisfctoare, se recurge frecvent la sincronizarea prin impulsuri exterioare, aplicate pe bazele tranzistoarelor prin condensatoare de capacit i mici, determinnd deschiderea tranzistorului mai repede dect n absen a impulsului i asigurnd astfel frecven a de lucru dorit.

6.3 Circuite basculante monostabile (CBM). Schema tipic a unui astfel de circuit este dat n figuraS. Spre deosebire de cazul circuitelor astabile, schema nu mai este simetric, ceea ce determin i comportarea circuitului ce are o singur stare stabil. Func ionarea circuitului este urmtoarea: dac la aplicarea tensiunii de

alimentare se ob ine o varia ie suplimentar a curentului de colector IC1 , al

70

tranzistorului T1, prin fenomene similare celor descrise la circuitul basculant

astabil, T, ajunge s conduc la satura ie, iar T2 este blocat. Aceasta este o stare instabil, deoarece prin procesele descrise anterior are loc descrcarea condensatorului C1 pn ce tensiunea pe baza lui T2 scade, permi nd conduc ia lui T2. Din acest moment, procesele au loc n sensul mririi conduc iei lui T2 i micorrii conduc iei lui T1, pn ce T1 ajunge blocat i T2 saturat. Aceast a doua stare reprezint starea stabil a montajului. Datorit prezen ei tensiunii Eb de blocare a bazei lui T1, descrcarea lui C2, nu mai poate avea loc. Trecerea n starea ini ial se poate face numai aplicnd un impuls de comand pe baza lui Tj, de polaritate corespunztoare scoaterii bazei lui Tj din starea de blocare, sau pe baza lui T2, astfel nct s i micoreze starea de conduc ie. De obicei este folosit cea de-a doua variant (figura 6). La aplicarea fiecrui impuls de comand, pe colectorul tranzistorului T2 se ob ine un impuls dreptunghiular de polaritate negativ i durat propor ional cu constanta de timp C2Rj. Diagrama de varia ie a tensiunilor ob inute n colectoare, respectiv n bazele tranzistoarelor este reprezentat n figura 7.

71

6.4 Circuite basculante bistabile (CBB) Sunt caracterizate prin dou stri stabile egal posibile, au un domeniu vast de aplica ie, fiind elemente de baz n schemele logice de comand, numrtoare, registre, circuite de memorizare.
72

Func ionare. Schema cea mai rspndit este cea simetric (figura 8), n care se folosesc dou surse de polarizare: pentru colectoare (EC) i respectiv pentru bazele tranzistoarelor (EB). Procesele de basculare au o desfurare asemntoare celor descrise la circuitele basculante anterioare: o mic varia ie a curentului de colector al unuia dintre tranzistoare (de exemplu T1) determin, datorit cuplajelor existente ntre colectorul unui tranzistor i baza celuilalt, aducerea la satura ie a tranzistorului T1 i respectiv blocarea tranzistorului T2. Acesta stare este stabil, deoarece polarizarea exterioar a bazei tranzistorului blocat {Eb) mpiedic scderea tensiunii aplicate pe baza acestuia sub valoarea de tiere. In aceast stare circuitul poate rmne un timp orict de ndelungat. Pentru a provoca bascularea trebuie aplicat un impuls exterior astfel ales ca polaritate, amplitudine i loc de aplicare, nct s schimbe starea montajului. Acest lucru este posibil n dou situa ii: fie prin scoaterea lui T2 din starea de blocare, determinnd deschiderea sa , fie prin scoaterea lui T1 din satura ie, micornd conduc ia sa.

n multe cazuri impulsul exterior se aplic pe baza tranzistorului saturat, pentru schema prezentat (cu tranzistoare npn) impulsul avnd polaritate negativ.

73

Dup primirea impulsului de comand, circuitul basculeaz, trecnd rapid n cea de-a doua stare stabil, n care T2 conduce la satura ie i T1 este blocat. Pentru schimbarea acestei stri este necesar aplicarea unui nou impuls de comand exterior. n colectoarele celor dou tmzistoare se ob in impulsuri dreptunghiulare de polarit i opuse i de durat egal cu intervalul dintre dou impulsuri succesive de comand, (figura 9)

Spre deosebire de circuitul stabil, condensatorul C din schema are numai rolul de a accelera procesul de comutare de la o stare la alta, prezentndu-se ca un scurtcircuit la varia iile brute ale tensiunii i deci transmi nd integral aceste varia ii. Ele compenseaz n acelai timp efectele capacit ilor parazite de intrare ale tranzistoarelor care mpreun cu rezisten ele (R1 C1 si R2 C2) din schem pot forma circuite de integrare care ar produce rotunjirea frontierelor impulsurilor. Rotunjirea frontierelor nu poate fi ns complet evitat, ea datorndu-se timpului de comuta ie al tranzistoarelor, timp de valoare mai mare atunci cnd tranzistorul a lucrat la satura ie.
74

Pentru a evita eventualele inconveniente create de sursa de polarizare a bazelor Eb, se pot realiza circuite basculante bistabile, la care aceast surs este eliminat din schem. n acest caz, polarizarea bazelor este asigurat de o rezisten RE conectat n circuitul de emitor al celor dou tranzistoare (figurai 0).

ntruct tranzistoarele conduc pe rnd curen i egali, circuitul fiind simetric, tensiunea care apare la bornele acestei rezisten e este constant i asigur polarizarea necesar bazelor. Dup tipul circuitului de comand folosit, circuitele basculante bistabile pot fi de urmtoarele tipuri, (figura 11) Circuite basculante bistabile de tip RS (figura 1 la), la care comanda se face pe baze, pe dou intrri numite R i S, cu impulsuri dreptunghiulare aplicate prin intermediul unui circuit de derivare i o diod ce selecteaz polaritatea dorit pentru impulsul de comand. Impulsul aplicat pe R aduce circuitul ntr-o stare notat "0", iar cel aplicat pe S aduce circuitul n starea "1". Aplicnd simultan impulsuri pe ambele intrri, rezult o stare de nedeterminare, n sensul c circuitul poate rmne ntmpltor fie n starea anterioar aplicrii impulsului, fie poate bascula. Circuite basculante bistabile de tip JK (figura llb) constituie o variant
75

mbunt it a celui de tip RS. Legarea rezisten ei R a circuitului de derivare la colector (n loc de conectarea ei la mas) duce la ridicarea strii de nedeterminare. Impulsurile aplicate pe intrarea J aduc circuitul n starea "1", cele aplicate pe intrarea K aduc circuitul n starea "0", iar aplicarea simultan a impulsurilor pe J i K determin bascularea circuitului n starea complementar celei n care se afla. Circuite basculante bistabile de tip T (figura llc): la aplicarea unei succesiuni de impulsuri pe aceast intrare comun celor dou baze, circuitul basculeaz la fiecare comand primit.

76

77

Bistabilul (triggerul) Schmitt reprezint un circuit basculant cu dou stri stabile de echilibru, avnd ns o schem asimetric (figura 12).

Cuplajul dintre tranzistoare este asigurat din colectorul lui T1 n baza lui T2 prin rezisten a R, iar invers, ntre T2 si T1, prin intermediul rezisten ei de emitor Re. Din aceast cauz, circuitul mai este numit circuit bistabil cu cuplaj prin emitor. Func ionarea bistabilului este urmtoarea: se consider n starea ini ial Tj blocat i T2 n conduc ie puternic: la aplicarea la intrare (pe C) a unui semnal a crui amplitudine depete tensiunea de blocare ("nivelul de prag" U1), T1 ncepe s conduc. Tensiunea sa de colector scade, se aplic prin cuplaj rezistiv pe baza lui T2 care i micoreaz conduc ia, pe rezisten a comun Re apare o micorare a cderii de tensiune, determinnd o conduc ie ns mai puternic a lui T1, ducnd ntr-un timp extrem de scurt la situa ia: T1 saturat, T2 blocat (a doua stare stabil). Starea dureaz pn cnd semnalul exterior scade sub o anumit valoare (U2 ) fa de valoarea de
78

deschidere a tranzistorului T1. n acest caz T1 i micoreaz conduc ia, determinnd apari ia strii ini iale (T1 blocat, T2 saturat). Datorit specificului su de func ionare circuitul basculant bistabil Schmitt poate avea urmtoarele utilizri: a)-formator de impulsuri dreptunghiulare din semnale alternative aplicate la intrare. b)-memorator de impulsuri pentru un semnal de intrare alctuit dintr-o succesiune de impulsuri de polarit i diferite, circuitul basculeaz ori de cte ori se schimb polaritatea impulsurilor de intrare. c)-discriminator de amplitudine a impulsurilor; circuitul basculeaz, deci semnalul de ieire ori de intrare (de cte ori semnalul de intrare sau impulsurile de intrare depesc tensiunea de prag).

79

Cuprins
1. Materiale semiconductoare 1 1.1 Semiconductoare cu conductivitate extrinsec 2 1.2 Semiconductoare cu conductivitate intrinsec 5 1.3 Recombinarea purttorilor de sarcin 5 1.4 Jonc iuneajm 5 1.5 Caracteristica unei diode cu jonc iuni 8 2. Componente active 10 1 Tranzistorul bipolar 10 2.1 Prezentarea general a tranzistorului bipolar 13 2.2 Tipuri de conexiuni ale tranzistorului 13 2.3 Dependen a de temperatur a parametrilor 15 2.4 Parametrii care limiteaz func ionarea tranzistorului 15 2.5 Tranzistorul ca amplificator 20 2.6 Rolul elementelor de circuit ntr-un tranzistor 21 2.7 Schema echivalent de semnal mic a tranzistorului 23 2 Tiristorul 28 3 Diacul 30 3 Amplificatoare electronice 34 3.1 Amplificatoare de tensiune 38 3.2 Schem practic de amplificator n conexiune EC 40 3.3 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune 41 3.4 Amplificator de tensiune cu tranzistor n conexiune 42 3.5 Amplificatoare de putere 43 3.5.1 Amplificator n clas B cu transformatoare 45 3.5.2 Amplificator n clas B cu tranzistori 47 3.5.3 Amplificator n clas B cu tranzistori 51 4 Reac ia negativ n amplificatoare 51 4.1 Distorsiuni de neliniaritate 52 4.2 Circuite cu reac ie negativ 53 5 Oscilatoare electronice 54 5.1 Condi ia lui Barkhausen 55 5.2 Oscilatoare RC 57 5.3 Oscilatoare RC cu punte Wien 59 5.4 Oscilatoare LC cu cuplaj magnetic 60 5.5 Oscilatoare n trei puncte 65 5.6 Oscilatoare cu cristal de cuar 71 6 Circuite pentru generarea impulsurilor 71 6.1 Circuite basculante 72 6.2 Circuite basculante astabile 75 6.3 Circuite basculante monostabile 77 6.4 Circuite basculante bistabile 85 7 Cuprins 8 Bibliografie
80

88

Bibliografie

1. Cartianu, Gh., Analiza i sinteza circuitelor electronice. EDP, Bucureti, 1971. 2. Clarke, K., Hess, D., Communication circuits: analysis and design. Adison Wesley, Reading, Massachusetts, 1971. 3. Ryder, J., Electronic fundamentals and applications, Pitman, London, 1967. 4. Dasclu, D., Turic, L., Hoffman, I., Circuite electronice. EDP, 1981.

81