P. 1
CAP I - Disp Semicond de Putere 01.07.

CAP I - Disp Semicond de Putere 01.07.

|Views: 29|Likes:
Published by s_marius_a

More info:

Published by: s_marius_a on Sep 06, 2012
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

04/10/2013

pdf

text

original

I.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
1. Introducere
Electronica de putere cuprinde comutaţia, comanda, reglarea şi conversia energiei electrice utilizând circuite electronice de putere complexe denumite convertoare statice. Aceste circuite electronice sunt amplasate între sursa de energie şi consumator (receptor), având rolul de a modifica parametrii unei surse de energie electricã, cum ar fi tensiunea, frecvenţa, număr de faze, fie însãsi natura sursei, care poate sã fie sursã de curent continuu sau sursã de curent alternativ în funcţie de cerinţele consumatorului. Convertoarele statice sunt echipamente ce conțin dispozitivele semiconductoare de putere (tranzistoare, diode, tiristoare, triace, etc.) asociate cu dispozitivele auxiliare (blocuri de comandă, radiatoare de disipaţie a căldurii, circuite RC de protecţie).

2. Clasificarea convertoarelor statice
Convertoarele statice se pot clasifica din punct de vedere energetic şi din punct de vedere al comutației.

2.1.Clasificarea convertoarelor statice din punct de vedere energetic

Fig.1 Fluxul de energie în funcție de difertele tipuri de convertoare statice.

la cea de c. frecvenţă şi număr de faze date într-un alt sistem de c.c .c.a. • Invertorul (convertor continuu-alternativ) transformă un sistem de c. de intrare spre sistemul de c. .a de intrare spre sistemul de c. • Variatorul de curent alternativ sau de tensiune alternativă (convertor alternativalternativ) converteşte un sistem de curent alternativ într-un alt sistem de curent alternativ având aceeaşi frecvenţă cu primul.iar prin comandã se poate regla valoarea medie a tensiunii redresate.c.a. de tensiune.a. Fluxul de energie trece de la sistemul de c. fluxul de energie având sensul de la sistemul alternativ la cel continuu.a de ieşire. fluxul de energie fiind orientat de la sistemul de c. fluxul de energie va trece de la partea de c. • Convertorul static de tensiune şi frecvenţă care permite reglarea atat a valorii efective a tensiunii.. de tensiune.c. cat şi a frecvenței acestuia. de ieşire.• Redresorul (convertor alternativ-continuu) converteşte un sistem de curent alternativ într-un sistem de curent continuu.a.iar prin comandã se poate regla frecvența tensiunii de ieşiere. într-un sistem de c. • Variatorul de curent continuu sau de tensiune continuă-chopperul (convertor continuu-continuu) realizează conversia unui sistem de curent continuu de tensiune şi polaritate dată într-un alt sistem de curent continuu de altă tensiune şi polaritate cerută. iar dupã modul în care realizeazã conversia alternativ-alternativ se înparte în douã categorii: • CSTF direct numit şi cicloconvertor (convertor alternativ-alternativ) converteşte un sistem de c.

c. fiecare alternanțã a tensiunii de ieşire este formatã din unul sau mai multe pulsuri. • CSTF indirect de frecvenţă (convertor alternativ-alternativ) transformă un sistem de c. avand amplitudine constantã. Fig.c. reglarea valorii efective a tensiunii de ieşire se face prin reglarea valoarii medii a tensiunii din circuitul intermediar. . Dupã caracterul circuitului intermediar CSTF indirecte pot fi: • CSTF de curent. Convertorul este realizat dintr-un redresor pe partea de intrare şi un invertor autonom pe partea de ieşire.a. Dupã modul în care se regleazã valoarea efectivã a tensiunii . fluxul de energie fiind orientat de la sistemul c. • Convertor indirect de tensiune continuă (convertor continuu-continuu) transformă un sistem de c.c.a. redresorul fiind comandat. într-un alt sistem de c. circuitul intermediar are caracter de sursã de tensiune.. • CSTF cu modulație în duratã.frecvenţă şi număr de faze cerute în mod direct fãrã a trece pin forma de c. transformat. caracter imprimat de valoarea importantã a capacitãții Cd. • CSTF de tensiune.a. Convertorul prezintă un invertor autonom pe partea de intrare şi un redresor pe partea de ieşire. ale caror lãțimi se pot modifica. folosind un circuit intermediar de c.a de intrare spre sistemul c.2 Schema de principiu a convertorului static de tensiune şi frecvențã indirect.c. comada de reglare a valorii efective a tensiunii se aplica invertorului.caracter imprimat prin valoarea importantã a inductivitãții Ld. circutul intermediar are caracter de sursã de curent.CSTF pot fi: • CSTF cu modulație in amplitudine. folosind un circuit intermediar de c.a. într-un alt sistem de c.

In aceastã categorie intrã:redresoarele cu comutație naturalã. cicloconvertoarele şi invertoarele cu comutatie de la sarcinã. regulatoarle de putere din sistemele de conversie în curent alternativ sunt realizate cu ajutorul dispozitivelor semiconductoare de putere. randament mare. asincrone şi sincrone). reglajul pornirii. energia necesarã comutației trebuie creata în structura convertorului (în cazul tiristoarelor prin incãrcarea unor capacitãți) sau prin comandã (semiconductoare complet comandate). .Din aceasta categorie fac parte: variatoarele de tensiune continuã.2. peste 60 % din energia electrică produsă în centralele electrice este tranzitată de convertoarele statice.). transport şi distribuţie a energiei electrice (interconexiunea elastică a două sisteme electrice de frecvenţe diferite. cu precădere.. precum convertoarele din staţiile de conversie ale sistemelor de transmisie în curent continuu. în: sistemele de producere. galvanizare) si metalurgice (alimentarea cuptoarelor electrice) etc. Convertoarele statice sunt utilizate. vitezei.2.comutația are loc la tensiune şi/sau curent nul. compensatoarele statice transversale sau longitudinale. • Convertoare statice cu comutaț ie internã sau forțatã. • Convertoare statice cu comutaț ie soft . Echipamentele electronice.Initializarea comutație se face prin comanda unor oscilații in curent si tensine. În prezent. Clasificarea convertoarelor statice din punct de vedere al comutaț iei • Convertoare statice cu comutaț ie externã sau naturalã. transmisia energiei electrice la tensiune înaltă continuă. energia necesarã blocãrii elementelor existã în mod natural în circuit şi provine de la o sursã externã (generatorul de putere sau sarcina) .c. acţionări electrice industriale (comanda maşinilor electrice de c. Sfera largă de utilizare a convertoarelor statice se explică prin aceea că ele permit realizarea de aplicaţii electrice cu parametri tehnico-economici superiori (fiabilitate ridicată. valoare care va creşte în următorii ani. procese chimice (electroliză. masini unelte (comenzi numerice şi secvenţiale). compensatoare statice de putere etc. gabarit redus. tracţiune electrică (alimentarea motoarelor de tracţiune. frânării etc). funcţionare silenţioasă şi exploatare simplă). variatoarele de tensiune alternativã. caracteristici de reglare bune. invertoarele din CSTF indirecte.

1 Dioda: a) Structura b) Simbolul grafic Caracteristica curent tensiune ne aratã cã dacã. tranzistorul cu grilă izolată (IGTB). 3. dioda este polarizatã în sens direct uAK ˃ 0. Dispozitive semiconductoare de putere Principalele dispozitive semiconductoare de putere întâlnite în schemele electrice ale echipamentelor electronice de putere sunt:dioda. tiristorul controlat MOS (MCT). triacul. tiristorul cu blocare pe poartă (GTO). tranzistorul bipolar de putere. Fig 2.3. Dioda Dioda este formată dintr-o joncţiune pn. tiristorul. realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu. curentul prin ea creşte rapid. 2. respectiv catod (ataşat zonei n).1.1. contacte denumite anod (ataşat zonei p). La aplicarea unei tensiuni invese prin diodă va circula un curent invers foarte mic (de ordinul μA sau nA) denumit curent rezidual sau de fugă (IR). aceasta este in conducție . având contacte metalice ataşate celor două regiuni. . caderea de tensiune este micã (1-2V). Fig. Dacă tensiunea invesă creşte peste o anumită valoare se produce fenomenul multiplicării în avalanşă a purtătorilor de sarcină şi joncţiunea se străpunge.

3. care apare pe diodă.62*10-5 [eV/0K] – constanta lui Boltzman. K=8. El continuă sã treacă în sens invers până când. Fig. T – temperatura absolută. Capacitatea parazită a diodei introduce întârzieri în procesul de comutaţie. U – tensiunea aplicată. După trecerea timpului de acumulare (ta).3 reprezintă cantitatea de sarcină Qrr care trebuie eliminată din joncţiune pentru ca dioda să-şi recapete proprietatea de blocare. În aplicaţiile electronice de putere este importanat ca procesul de comutaţie al diodei semiconductoare să fie cât mai mic.Timpul de revenire al diodei s-a notat cu trr. cu URmax. la T=3000 K). Caracteristica satatică I(U) este neliniară şi poate fi aproximată analitic cu relaţia: I=IR(expU/UT – 1) IR . curentul invers scade cu o viteză mare şi dioda preia tensiunea de blocare. Suprafaţa haşurată din Fig. UT=kT/e – tensiunea termică (UT=26 mV.2.2. e=1. Caracteristica directă şi inversă sunt dependente de temperatura joncţiunii diodei. iar tensiunea maximă inversă. Fig. 2. curentul nu se anulează după trecerea prin zero.3 Formele de undă ale curentului şi tensiunii în procesul de blocare al diodei .Fig. zona de bază a purtătorilor de sarcină este eliberată şi tensiunea de blocare poate fi preluată de această zonă. Caracteristica staticã Tensiunea inversă la care dioda se poate distruge datorită creşterii curentului invers poartă denumirea de tensiune de străpungere (VBR).6*10-19 [C] – sarcina electronului. La trecerea din starea de conducţie în starea blocată.curentul rezidual al diodei.

caracterizate prin cãdere de tensiune în sens direc micã (0. 3. Un timp de blocare de valoare mare micşorează frecvenţa maximă la care poate fi utilizată dioda şi măreşte pierderile de comutaţie.2 Tiristorul Tiristorul este un element comandat la intrarea in conducție avand trei electrozi: anodul A. în stare blocată poate suporta tensiuni de ordinul miilor de volţi. curenți de panã la cațiva kA şi tensiuni inverse de ordinul kilovolților. şi avand timpi de comutare de ordinul μs. 2. Fig. iar în conducţie suportă curenţi de sute de amperi. In constructia convertoarelor statice se utilizeaza trei tipuri de diode: • Diode normale (redresoare) caracterizate prin timpi de comutare mari. iar sub acţiunea semnalului de comandă el trece în conducţie permiţând circulaţia curentului într-un singur sens. ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcţionării.Micşorarea timpului de revenire constă în reducerea cantităţii de sarcină Qrr. • Diode Schottky. căderea de tensiune la borne având valori reduse.4 Tiristorul: a) Structura b) Simbolul În lipsa semnalului de comandă.utilizate în cicuitele de înaltã frecvențã în combinație cu alte elemente comandate. dupã intrarea în conducție nu mai este necesar un curent de grilã. care la rândul ei se poate micşora prin reducerea curentului care se comută şi mărirea pantei de scădere a curentului (di/dt). • Diode rapide.3V)şi tensiuni inverse de 50-100V. catodul K şi electrodul de comandă G denumit poartă sau grilă. tiristorul blochează trecerea curentului în ambele sensuri.La . Structura pnpn.

scãderea curentului sub valoarea de menținere IH tiristorul se blocheazã. iar în stare de conducție cãderea de tensiune pe tiristor este nulã. Polarizarea în sens direct a tiristorului. . q . •la dispariția impulsului de comanda.La blocare. • sã i se aplice un impuls de comandã pozitiv intre grilã şi catod avand un nivel energetic corespunzãtor. curentul prin tiristor sã depaşeascã valoare de agãțare (IL). în stare blocatã curentul prin tiristor este nul. dupã un timp mai mic decat t Comanda tiristoarelor: Pentru intrarea normalã in conducție a unui tiristor trebuie indeplinite trei condiții: • tiristorul sã fie polarizat in sens direct (Uak ˃0).Caracteristica idealã corespunde ipotezelor de studiu.produce reintrarea acestuia în conducție fãrã impuls de comandã . q numit timp de revenire. trebuie sã treacã un timp t . dupã anularea curentului prin tiristor panã cand acesta poate prelua tensiune in sens direct.

impulsul de comandã nu se aplicã direct pe grila tiristorului. de impedanțã scãzutã. care poate fi comandat (amorsat. dv/dt. d)Timpul de blocare (dezamorsare) prin comutaţia circuitului. 3. fiind necesare o amplificare a impulsului şi p separare intre parte de comandã şi cea de forțã. • devierea curentului anodic printr-o altã laturã de circuit.Rezistența R1 are rolul de a limita curentul prin tranzistorul amplificator . c)Timpul de amorsare pe poartă. Amplificarea se realizeazã mai multe etaje de amplificare iar separarea se face cu un transformator de impuls. Blocarea nu este posibilã prin comanda directã ea se obține în urmãtoarele moduri: • scãderea naturalã a curentului în sens direct.3. tq (circuit commutated turn-off time).In convertoarele statice de putere. a)Viteza critică de creştere a tensiunii de blocare. di/dt.diodele D1 şi D2 permit aplicarea pe grilã numai a impulsurilor pozitive şi disiparea energiei corespunzãtoare impulsurilor negative pe R2. tgt (turn-on time). sub valoarea curentului de menținere IH. • aplicarea unei tensiuni inverse pe tiristor (polarizare în sens invers). b) Viteza critică de creştere a curentului de conducţie directă. respectiv . Caracteristicile dinamice definesc performanţele de comutaţie ale tiristorului şi au o mare importanţă în stabilirea limitelor de funcţionare. Tiristorul cu blocare pe poartă Tiristorul cu blocare pe poartă (GTO-Gate Turn-Off Thyristor) este un dispozitiv cu structura pnpn denumit şi tiristor bioperaţional.

iar cea din cadranul trei situaţiei inverse. În comparaţie cu tranzistorul bipolar.6a triacul rezultă prin integrarea pe aceeaşi structură a două tiristoare convenţionale conectate în montaj antiparalel. tiristorul GTO se aseamănă cu tranzistorul bipolar npn prin polaritatea tensiunii de alimentare anod-catod şi prin polaritatea semnalelor de amorsare.2.4 Triacul Triacul (triode ac switch) este un tiristor bidirecţional cu trei terminale.2. după trecerea tiristorului GTO în una din cele două stări stabile (on-off). prezenţa semnalului de comandă în circuitul de poarta numai este necesară. respectiv blocare. Fig 2.7. b) Impulsurile de comandă şi curentul anodic Această funcţionare este prezentată în Fig. Ramura din primul cadran corespunde tensiunii pozitive aplicate terminalului T2 In raport cu terminalul T1. 3. Fig. având o structură internă formată din straturi semiconductoare pn alternative.blocat) integral prin aplicarea de semnale pe poartă: cu semnal pozitiv poate fi trecut în conducţie. Fig. rezultă simetrică faţă de origine. Tiristorul GTO este amorsat prin aplicarea pe poartă a unui impuls pozitiv de curent de amplitudine IGT si de durată tp şi este blocat prin aplicarea unui impuls negativ. Fig. având amplitudinea IGB şi de durată tn. Cele două procese de comutaţie (amorsare.2. caracteristica sa. Triacul este blocat în ambele . Deşi este un dispozitiv semiconductor cu trei joncţiuni. iar cu semnal negativ poate fi blocat. blocare) necesită semnale de comandă în circuitul de poartă numai pe duratele lor tranzitorii. potrivit structurii triacului. tiristorul GTO prezintă avantajul unor puteri de valoare redusă consumate în circuitul de poartă atat pentru amorsare cât şî pentru blocare.6c. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenţionale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forţă cât şi în cele de comandă.6d.7 Tiristorul GTO: a) Simbolul.2.

Modurile de amorsare a triacului Nr. În cazul modurilor I(-) şi III(+) sensibilitatea porţii scade considerabil.1. Trecerea din blocare în conducţie se poate face atât în cadranul I c şi în cadranul III.crt.1. Fig.6 Triacul: a) Structura. Cadranul în care are loc conducţia 1 2 3 4 I I III III Polarizarea lui T2 în raport cu T1 pozitivă pozitivă negativă negativă Impulsul de comandă pe poartă pozitivă negativă pozitivă negativă 100% ≈300% ≈400% ≈200% Puterea necesară pe poartă Este avantajoasă folosirea modurilor I(+) şi III(-) care necesită semnale de puteri comparabile pe poartă. Astfel rezultă patru moduri de amorsare a triacului. . c) Tiristoare în antiparalel.2.2. 2. indiferent de polaritatea semnalului aplicat pe poartă. Tab. d) Caracteristica statică tensiune-curent Tab.sensuri atât timp cât IG=0 şi tensiunea aplicată între terminalele T1 si T2 nu depăşeşte tensiunea de întoarcere. b) Simbolul.

emitor-E. 2.3. Prin creşterea curentului de bază se poate ajunge în zona de saturaţie când prin tranzistor va circula un curent de colector mare la tensiuni UCE mici (punctul 2).8 Structura şi simbolul tranzistorului bipolar: a) npn.5 Tranzistorul bipolar de putere Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor comandabil cu trei straturi pnp sau npn având trei terminale (colector-C. la IB=0 tranzistorul este blocat şi prin acesta circulă un curent de colector mic. . curentul de colector IC este in funcţie de curentul de bază IB. În regim liniar. Pentru o anumită tensiune colector-emitor.2. O variaţie liniară a curentului de bază duce la o variaţie corespunzătoare amplificată a curentului de colector pentru o tensiune colector-emitor. la curenţi de bază constanţi: IC=f(UCE)/IB=ct. dată. respectiv baza-B). UCE. Fig. Fig.2. În Fig. b) pnp.8. denumit curent rezidual sau de fugă (punctul 1) Creşterea tensiunii UCE provoacă străpungerea prin avalanşă a tranzistorului.9 sunt reprezentate o familie de caracteristici de ieşire atranzistorului bipolar npn care redau dependenţa curentului de colector de tensiunea colector-emitor.

Pentru a conserva comanda în saturaţie şi a . Fig. în comutaţie (ca întrerupător). de obicei.2.9 Caracteristica de ieşire a tranzistorului bipolar. Tranzistorul fiind un dispozitiv comandabil trebuie să fie un acord între curentul de colector şi cel de bază. se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. la funcţionarea în comutaţie. 2. iar la curentul de bază care îl aduce în saturaţie el este practic ca un întrerupător închis. tranzistorul este blocat şi circuitul este considerat deschis.Fig. Ic=F(UCE)/IB=ct Inversarea tensiunii colector-emitor provoacă străpungerea joncţiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ 10V. La curent de bază nul. b) Aria de securitate tipică regimului în impulsuri În aplicaţiile de putere. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcţionarea tranzistorului în invers.10a. Fig.10 Tranzistorul în comutaţie: a) Starea deschisă şi închisă a circuitului. tranzistorul bipolar funcţionează. iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarităţii tensiunii de alimentare. 2.

Fig. Pierderile în comutaţie ale unui tranzistor sunt datorate în special evoluţiei cuplului de valori UCE-IC în timpul trecerii din starea de saturaţie în cea de blocare. Fiind considerat întrerupător.2.b. valorile curentului de colector (IC) şi tensiunii colector-emitor (UCE) trebuie să aparţină conturului reprezentat în Fig. în poziţia deschis. Tensiunea de saturaţie tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1. b) evoluţia cuplului de valori UCE-IC Pentru a utiliza la capacitate maximă tranzistorul fără a-l supraîncărca termic în timpul comutaţiei.10b.11. trebuie respectătă aria de securitate reprezentată în Fig. . Ea este datorată curentului rezidual. curentul de bază trebuie să fie cel necesar pentru menţinerea tranzistorului în saturaţie. Fig. pierderea de putere pe tranzistor este mică.11 Comutaţia unui circuit inductiv cu un tranzitor bipolar: a) schema electrică. 2. În timpul comutaţiei între cele două stări reprezentate în Fig.2. respectiv tensiunii de saturaţie şi curentului de colector în poziţia închis.11a.11b.1V. Pragul cel mai mic al timpilor de comutaţie dă o limită dreptunghiulară ariei de securitate.evita o sarcină de bază excesivă.2.2.

12 Tranzistor MOS de putere: a) Simbol grafic. Acest lucru se obţine dacă tensiunea VGS este astfel reglată încât punctul de funcţionare al tranzistorului să se afle în zona de saturaţie.2. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea sunt comandate în tensiune şi nu în curent. ceea ce înseamnă că necesită un curent mediu de comandă neglijabil de mic. tensiunea grilă-sursă este limitată la 20 V în cazul tranzistoarelor MOS de putere.1.6. În lipsa tensiunii de comandă VGS. Dispozitive semiconductoare de putere cu efect de câmp 3. 2. datorită acestui lucru.12 sunt prezentate simbolul grafic şi caracteristica de ieşire a unui tranzistor MOS de putere cu canal de tip n. Fig. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. b) Caracteristica de ieşire ID=f(VDS)/VGS=ct. pe dreapta B (întrerupător închis). În aplicaţiile de putere tranzistorul MOS este utilizat ca întrerupător electronic şi deci acesta funcţionează în comutaţie. În starea de conducţie a tranzistorului este necesar ca pierderile să fie minime. 2. ceea ce înseamnă că tensiunea VDS trebuie să fie cât mai mică.12b. 2.3. În Fig. Fig. este caracterizat prin valori mari ale raportului dintre puterea de ieşire şi cea de comandă.12b. curentul de drenă ID este practic neglijabil şi astfel punctul de funcţionare al tranzistorului se află pe dreapta A (întrerupător deschis).6. În general. Fig. . Tranzistorul MOS de putere. Pentru a funcţiona în zona de saturaţie la curentul nominal al tranzistorului valoarea tensiunii VGS este de aproximativ 15 V.

poartă sau grilă) pentru controlul integral (on/off) al proceserlor de comutaţie tendinţa dominantă este micşorarea puterii de intrare (de comandă) necesară funcţionării în diferite moduri de lucru simultan cu mărirea densităţii de curent comutate. în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar. conectate în configuraţie Darlington sunt realizate pe aceeaşi structură. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS care asigură curentul de bază al tranzistorului bipolar şi trecerea structurii Bi-MOS în starea on. Fig.2.deci baza tranzistorului bipolar este în gol şi în consecinţă structura Bi-MOS se află în starea off.1 Ω. Rezistenţa drenă-sursă a dispozitivului aflat în conducţie (dreapta B) are valori mici care depind de tensiunea limită de străpungere a acestuia. 3. Se cunoaşte că dispozitivele unipolare (TEC-J. iar pentru unul de 500 V ea este de 0. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el şi care se încălzeşte mai mult să-şi crească rezistenţa şi astfel să forţeze o redistribuţie a curentului pe celelalte tranzistoare.TEC-MOS).Văzut între bornele G şi S. tranzistorul echivalează cu o capacitate de căteva sute de picofarazi. care au o rezistenţă mai mare de intrare necesită o putere extrem de redusă pentru comandă. Tranzistorul bipolar npn. Îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcţională bipolară-MOS.6. respectiv MOS cu canal n.5 Ω. tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducţie directă. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este zero prin structura acestui dispozitiv nu trece curent.Tranzistorul bipolar cu grilă izolată-IGBT În domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere având un terminal de comandă (bază. Principiul integrării funcţionale Bi-MOS care stă la baza dispozitivelor cu poartă izolată este ilustrat în Fig.12. Coeficientul de temperatură al rezistenţei drenă-sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al tranzistoarelor MOS să fie relativ simplu. 2.12a. De exemplu. . pentru un tranzistor MOS de 100 V rezistenţa este de 0. 2. Timpii de aducere în conducţie şi de blocare corespund încărcării şi descărcării acestei capacităţi şi ei sunt foarte mici (sub 10-6 s).

Fig 2. necesitã montarea in antiparalel cu ele. de ultimă oră. respectiv : • Valoare de varf a tensiunii ce solicitã elementul respectiv în stare blocatã.6. . Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS Controlled Thyristor).1.eventual în sens invers. c) Simbol grafic 3.3. 2. MCT-ul este un dispozitiv a cărui structură poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS cu canal n pentru a asigura amorsarea şi un tranzistor cu canal p pentru a realiza blocarea. care permite obţinerea unei densităţi de curent de 2.Acest tip de integrare funcţională (Bi-MOS) a fost dezvoltat şi în direcţia sructurii pnpn obţinându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGTB-Insulated Gate Bipolar Transistor).13 Tranzistor bipolar cu grilă izolată: ) Structura Bi-MOS. este un dispozitiv semiconductor de putere.Elementele folosite în construcția invertoarelor cu caracter de sursã de tensiune. a unor diode pentru preluarea curenților inverşi astfel aceste elemente nu sunt solicitate la tensiuni în sens invers. Fig. Analogia MCT-ului cu un tiristor rămâne totuşi limitată deoarece datorită integrării structurii MOS.12b. 4. respectiv bipolare pe acelaşi cip funcţionarea lui este asemănătoare cu a unui IGBT. în sens direct .5 ori mai mare ca cea a unui IGTB. b) Structura IGBT. elemente semiconductoare componente se aleg pe baza solicitãrilor în tensiune şi curent. Alegerea elementelor semiconductoare de putere In funcție de tipul convertorului.

4 din capacitatea nominalã.3-0. Protecția la scurtcircuit se realizeazã cu siguranțe fuzibile ultrarapide. care inglobeazã circuitul de comandã cu separare opticã (driver) şi circuitul de protecție la supratensiuni de comutație (snubber).Valoarea medie nominalã a unui element semiconductor este indicatã în condițiile utilizãrii ventilației forțate. cicloconvertoare) apar şi suplimentar şi supratensiuni provenite din retea. pentru tiristoare.• Valoarea medie pe o perioadã a curentului ce parcurge elementul în timpul funcționãrii. sau prin controlul direct al curentului. . pentru tranzistoare.Cmune tuturor elementelor sunt supratensiunile de comutație. 4. dacã se utilizeazã ventilația naturalã elementul respectiv poate fi solicitat panã la 0.Pentru tranzistoare firmele constructoare livreazã module compacte.2 Protecț ia elementelor semiconductoare de putere Elementele semiconductoare utizate în construcția construcția convertoarelor statice trebuies protejate la scurtcircuit şi la pantele de variație ale curentului şi tensiunii. iar în cazul convertoarelor conectate la reteaua de curent alternativ (redresoare.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->