I.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
1. Introducere
Electronica de putere cuprinde comutaţia, comanda, reglarea şi conversia energiei electrice utilizând circuite electronice de putere complexe denumite convertoare statice. Aceste circuite electronice sunt amplasate între sursa de energie şi consumator (receptor), având rolul de a modifica parametrii unei surse de energie electricã, cum ar fi tensiunea, frecvenţa, număr de faze, fie însãsi natura sursei, care poate sã fie sursã de curent continuu sau sursã de curent alternativ în funcţie de cerinţele consumatorului. Convertoarele statice sunt echipamente ce conțin dispozitivele semiconductoare de putere (tranzistoare, diode, tiristoare, triace, etc.) asociate cu dispozitivele auxiliare (blocuri de comandă, radiatoare de disipaţie a căldurii, circuite RC de protecţie).

2. Clasificarea convertoarelor statice
Convertoarele statice se pot clasifica din punct de vedere energetic şi din punct de vedere al comutației.

2.1.Clasificarea convertoarelor statice din punct de vedere energetic

Fig.1 Fluxul de energie în funcție de difertele tipuri de convertoare statice.

iar prin comandã se poate regla frecvența tensiunii de ieşiere.iar prin comandã se poate regla valoarea medie a tensiunii redresate.a de intrare spre sistemul de c. cat şi a frecvenței acestuia. fluxul de energie fiind orientat de la sistemul de c.a de ieşire. • Invertorul (convertor continuu-alternativ) transformă un sistem de c.a.a. într-un sistem de c. fluxul de energie având sensul de la sistemul alternativ la cel continuu. iar dupã modul în care realizeazã conversia alternativ-alternativ se înparte în douã categorii: • CSTF direct numit şi cicloconvertor (convertor alternativ-alternativ) converteşte un sistem de c.c.a.• Redresorul (convertor alternativ-continuu) converteşte un sistem de curent alternativ într-un sistem de curent continuu. frecvenţă şi număr de faze date într-un alt sistem de c. • Variatorul de curent alternativ sau de tensiune alternativă (convertor alternativalternativ) converteşte un sistem de curent alternativ într-un alt sistem de curent alternativ având aceeaşi frecvenţă cu primul. de tensiune.. de tensiune. • Variatorul de curent continuu sau de tensiune continuă-chopperul (convertor continuu-continuu) realizează conversia unui sistem de curent continuu de tensiune şi polaritate dată într-un alt sistem de curent continuu de altă tensiune şi polaritate cerută. • Convertorul static de tensiune şi frecvenţă care permite reglarea atat a valorii efective a tensiunii. .c . de ieşire.c. fluxul de energie va trece de la partea de c. la cea de c. Fluxul de energie trece de la sistemul de c. de intrare spre sistemul de c.c.a.

c. . fluxul de energie fiind orientat de la sistemul c. Convertorul este realizat dintr-un redresor pe partea de intrare şi un invertor autonom pe partea de ieşire. transformat. avand amplitudine constantã. • CSTF cu modulație în duratã.frecvenţă şi număr de faze cerute în mod direct fãrã a trece pin forma de c.a. • CSTF indirect de frecvenţă (convertor alternativ-alternativ) transformă un sistem de c. fiecare alternanțã a tensiunii de ieşire este formatã din unul sau mai multe pulsuri.caracter imprimat prin valoarea importantã a inductivitãții Ld. folosind un circuit intermediar de c.a. folosind un circuit intermediar de c.CSTF pot fi: • CSTF cu modulație in amplitudine.2 Schema de principiu a convertorului static de tensiune şi frecvențã indirect. Convertorul prezintă un invertor autonom pe partea de intrare şi un redresor pe partea de ieşire.. • Convertor indirect de tensiune continuă (convertor continuu-continuu) transformă un sistem de c. caracter imprimat de valoarea importantã a capacitãții Cd.c. într-un alt sistem de c. ale caror lãțimi se pot modifica. redresorul fiind comandat.a de intrare spre sistemul c. Dupã modul în care se regleazã valoarea efectivã a tensiunii . într-un alt sistem de c. circutul intermediar are caracter de sursã de curent. circuitul intermediar are caracter de sursã de tensiune.a. comada de reglare a valorii efective a tensiunii se aplica invertorului. reglarea valorii efective a tensiunii de ieşire se face prin reglarea valoarii medii a tensiunii din circuitul intermediar.c. Fig. Dupã caracterul circuitului intermediar CSTF indirecte pot fi: • CSTF de curent. • CSTF de tensiune.a.c.

masini unelte (comenzi numerice şi secvenţiale). Clasificarea convertoarelor statice din punct de vedere al comutaț iei • Convertoare statice cu comutaț ie externã sau naturalã. transport şi distribuţie a energiei electrice (interconexiunea elastică a două sisteme electrice de frecvenţe diferite. cu precădere. • Convertoare statice cu comutaț ie soft . valoare care va creşte în următorii ani. funcţionare silenţioasă şi exploatare simplă).. galvanizare) si metalurgice (alimentarea cuptoarelor electrice) etc.2. compensatoarele statice transversale sau longitudinale. . Sfera largă de utilizare a convertoarelor statice se explică prin aceea că ele permit realizarea de aplicaţii electrice cu parametri tehnico-economici superiori (fiabilitate ridicată. în: sistemele de producere. Convertoarele statice sunt utilizate. • Convertoare statice cu comutaț ie internã sau forțatã. randament mare. compensatoare statice de putere etc. tracţiune electrică (alimentarea motoarelor de tracţiune.In aceastã categorie intrã:redresoarele cu comutație naturalã. energia necesarã comutației trebuie creata în structura convertorului (în cazul tiristoarelor prin incãrcarea unor capacitãți) sau prin comandã (semiconductoare complet comandate). caracteristici de reglare bune. variatoarele de tensiune alternativã. acţionări electrice industriale (comanda maşinilor electrice de c. reglajul pornirii. precum convertoarele din staţiile de conversie ale sistemelor de transmisie în curent continuu. gabarit redus.Din aceasta categorie fac parte: variatoarele de tensiune continuã. peste 60 % din energia electrică produsă în centralele electrice este tranzitată de convertoarele statice.Initializarea comutație se face prin comanda unor oscilații in curent si tensine. invertoarele din CSTF indirecte. asincrone şi sincrone). frânării etc). vitezei. Echipamentele electronice. energia necesarã blocãrii elementelor existã în mod natural în circuit şi provine de la o sursã externã (generatorul de putere sau sarcina) . cicloconvertoarele şi invertoarele cu comutatie de la sarcinã.c. regulatoarle de putere din sistemele de conversie în curent alternativ sunt realizate cu ajutorul dispozitivelor semiconductoare de putere. transmisia energiei electrice la tensiune înaltă continuă. procese chimice (electroliză.comutația are loc la tensiune şi/sau curent nul.2. În prezent.).

tranzistorul bipolar de putere. caderea de tensiune este micã (1-2V). Fig. Dioda Dioda este formată dintr-o joncţiune pn. realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu.1. tiristorul. Dispozitive semiconductoare de putere Principalele dispozitive semiconductoare de putere întâlnite în schemele electrice ale echipamentelor electronice de putere sunt:dioda. .3. respectiv catod (ataşat zonei n). Dacă tensiunea invesă creşte peste o anumită valoare se produce fenomenul multiplicării în avalanşă a purtătorilor de sarcină şi joncţiunea se străpunge. La aplicarea unei tensiuni invese prin diodă va circula un curent invers foarte mic (de ordinul μA sau nA) denumit curent rezidual sau de fugă (IR).1 Dioda: a) Structura b) Simbolul grafic Caracteristica curent tensiune ne aratã cã dacã. 3. aceasta este in conducție . tranzistorul cu grilă izolată (IGTB). Fig 2. tiristorul cu blocare pe poartă (GTO). tiristorul controlat MOS (MCT).1. dioda este polarizatã în sens direct uAK ˃ 0. triacul. curentul prin ea creşte rapid. contacte denumite anod (ataşat zonei p). 2. având contacte metalice ataşate celor două regiuni.

Caracteristica satatică I(U) este neliniară şi poate fi aproximată analitic cu relaţia: I=IR(expU/UT – 1) IR . zona de bază a purtătorilor de sarcină este eliberată şi tensiunea de blocare poate fi preluată de această zonă.62*10-5 [eV/0K] – constanta lui Boltzman. iar tensiunea maximă inversă. După trecerea timpului de acumulare (ta). curentul nu se anulează după trecerea prin zero. Fig. care apare pe diodă. curentul invers scade cu o viteză mare şi dioda preia tensiunea de blocare. Fig.2. 2. El continuă sã treacă în sens invers până când.3.2.6*10-19 [C] – sarcina electronului. U – tensiunea aplicată.curentul rezidual al diodei. Caracteristica staticã Tensiunea inversă la care dioda se poate distruge datorită creşterii curentului invers poartă denumirea de tensiune de străpungere (VBR). K=8. la T=3000 K). cu URmax. Capacitatea parazită a diodei introduce întârzieri în procesul de comutaţie.Fig. Suprafaţa haşurată din Fig.3 Formele de undă ale curentului şi tensiunii în procesul de blocare al diodei . T – temperatura absolută. În aplicaţiile electronice de putere este importanat ca procesul de comutaţie al diodei semiconductoare să fie cât mai mic. e=1.Timpul de revenire al diodei s-a notat cu trr. La trecerea din starea de conducţie în starea blocată.3 reprezintă cantitatea de sarcină Qrr care trebuie eliminată din joncţiune pentru ca dioda să-şi recapete proprietatea de blocare. UT=kT/e – tensiunea termică (UT=26 mV. Caracteristica directă şi inversă sunt dependente de temperatura joncţiunii diodei.

• Diode rapide. în stare blocată poate suporta tensiuni de ordinul miilor de volţi.3V)şi tensiuni inverse de 50-100V. 2. Un timp de blocare de valoare mare micşorează frecvenţa maximă la care poate fi utilizată dioda şi măreşte pierderile de comutaţie. căderea de tensiune la borne având valori reduse. Structura pnpn. dupã intrarea în conducție nu mai este necesar un curent de grilã. iar sub acţiunea semnalului de comandă el trece în conducţie permiţând circulaţia curentului într-un singur sens. In constructia convertoarelor statice se utilizeaza trei tipuri de diode: • Diode normale (redresoare) caracterizate prin timpi de comutare mari. • Diode Schottky.4 Tiristorul: a) Structura b) Simbolul În lipsa semnalului de comandă. tiristorul blochează trecerea curentului în ambele sensuri.Micşorarea timpului de revenire constă în reducerea cantităţii de sarcină Qrr. iar în conducţie suportă curenţi de sute de amperi. curenți de panã la cațiva kA şi tensiuni inverse de ordinul kilovolților. şi avand timpi de comutare de ordinul μs.2 Tiristorul Tiristorul este un element comandat la intrarea in conducție avand trei electrozi: anodul A. catodul K şi electrodul de comandă G denumit poartă sau grilă. 3. ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcţionării.utilizate în cicuitele de înaltã frecvențã în combinație cu alte elemente comandate. caracterizate prin cãdere de tensiune în sens direc micã (0.La . Fig. care la rândul ei se poate micşora prin reducerea curentului care se comută şi mărirea pantei de scădere a curentului (di/dt).

La blocare. .Caracteristica idealã corespunde ipotezelor de studiu.produce reintrarea acestuia în conducție fãrã impuls de comandã .scãderea curentului sub valoarea de menținere IH tiristorul se blocheazã. iar în stare de conducție cãderea de tensiune pe tiristor este nulã. Polarizarea în sens direct a tiristorului. •la dispariția impulsului de comanda. trebuie sã treacã un timp t . q numit timp de revenire. dupã un timp mai mic decat t Comanda tiristoarelor: Pentru intrarea normalã in conducție a unui tiristor trebuie indeplinite trei condiții: • tiristorul sã fie polarizat in sens direct (Uak ˃0). • sã i se aplice un impuls de comandã pozitiv intre grilã şi catod avand un nivel energetic corespunzãtor. curentul prin tiristor sã depaşeascã valoare de agãțare (IL). dupã anularea curentului prin tiristor panã cand acesta poate prelua tensiune in sens direct. în stare blocatã curentul prin tiristor este nul. q .

respectiv . Caracteristicile dinamice definesc performanţele de comutaţie ale tiristorului şi au o mare importanţă în stabilirea limitelor de funcţionare.diodele D1 şi D2 permit aplicarea pe grilã numai a impulsurilor pozitive şi disiparea energiei corespunzãtoare impulsurilor negative pe R2. fiind necesare o amplificare a impulsului şi p separare intre parte de comandã şi cea de forțã. 3.3. d)Timpul de blocare (dezamorsare) prin comutaţia circuitului.In convertoarele statice de putere. Blocarea nu este posibilã prin comanda directã ea se obține în urmãtoarele moduri: • scãderea naturalã a curentului în sens direct. a)Viteza critică de creştere a tensiunii de blocare. impulsul de comandã nu se aplicã direct pe grila tiristorului. • aplicarea unei tensiuni inverse pe tiristor (polarizare în sens invers). c)Timpul de amorsare pe poartă. sub valoarea curentului de menținere IH. b) Viteza critică de creştere a curentului de conducţie directă. • devierea curentului anodic printr-o altã laturã de circuit. Tiristorul cu blocare pe poartă Tiristorul cu blocare pe poartă (GTO-Gate Turn-Off Thyristor) este un dispozitiv cu structura pnpn denumit şi tiristor bioperaţional. de impedanțã scãzutã. care poate fi comandat (amorsat.Rezistența R1 are rolul de a limita curentul prin tranzistorul amplificator . di/dt. Amplificarea se realizeazã mai multe etaje de amplificare iar separarea se face cu un transformator de impuls. tgt (turn-on time). dv/dt. tq (circuit commutated turn-off time).

blocat) integral prin aplicarea de semnale pe poartă: cu semnal pozitiv poate fi trecut în conducţie.6c. Fig.7.2. potrivit structurii triacului. iar cu semnal negativ poate fi blocat.2. Fig. respectiv blocare.6d.6a triacul rezultă prin integrarea pe aceeaşi structură a două tiristoare convenţionale conectate în montaj antiparalel. după trecerea tiristorului GTO în una din cele două stări stabile (on-off).7 Tiristorul GTO: a) Simbolul. Deşi este un dispozitiv semiconductor cu trei joncţiuni. rezultă simetrică faţă de origine. Fig 2. 3. iar cea din cadranul trei situaţiei inverse. b) Impulsurile de comandă şi curentul anodic Această funcţionare este prezentată în Fig.2. având o structură internă formată din straturi semiconductoare pn alternative. Fig. având amplitudinea IGB şi de durată tn. Tiristorul GTO este amorsat prin aplicarea pe poartă a unui impuls pozitiv de curent de amplitudine IGT si de durată tp şi este blocat prin aplicarea unui impuls negativ.2. blocare) necesită semnale de comandă în circuitul de poartă numai pe duratele lor tranzitorii. prezenţa semnalului de comandă în circuitul de poarta numai este necesară. tiristorul GTO prezintă avantajul unor puteri de valoare redusă consumate în circuitul de poartă atat pentru amorsare cât şî pentru blocare. Cele două procese de comutaţie (amorsare. caracteristica sa. tiristorul GTO se aseamănă cu tranzistorul bipolar npn prin polaritatea tensiunii de alimentare anod-catod şi prin polaritatea semnalelor de amorsare.4 Triacul Triacul (triode ac switch) este un tiristor bidirecţional cu trei terminale. Ramura din primul cadran corespunde tensiunii pozitive aplicate terminalului T2 In raport cu terminalul T1. Triacul este blocat în ambele . În comparaţie cu tranzistorul bipolar. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenţionale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forţă cât şi în cele de comandă.

6 Triacul: a) Structura. Astfel rezultă patru moduri de amorsare a triacului.sensuri atât timp cât IG=0 şi tensiunea aplicată între terminalele T1 si T2 nu depăşeşte tensiunea de întoarcere.2. c) Tiristoare în antiparalel. Tab. d) Caracteristica statică tensiune-curent Tab. Cadranul în care are loc conducţia 1 2 3 4 I I III III Polarizarea lui T2 în raport cu T1 pozitivă pozitivă negativă negativă Impulsul de comandă pe poartă pozitivă negativă pozitivă negativă 100% ≈300% ≈400% ≈200% Puterea necesară pe poartă Este avantajoasă folosirea modurilor I(+) şi III(-) care necesită semnale de puteri comparabile pe poartă. În cazul modurilor I(-) şi III(+) sensibilitatea porţii scade considerabil. b) Simbolul.crt. indiferent de polaritatea semnalului aplicat pe poartă. 2.1.1. Trecerea din blocare în conducţie se poate face atât în cadranul I c şi în cadranul III.2. . Modurile de amorsare a triacului Nr. Fig.

2. Prin creşterea curentului de bază se poate ajunge în zona de saturaţie când prin tranzistor va circula un curent de colector mare la tensiuni UCE mici (punctul 2). În Fig. Fig.5 Tranzistorul bipolar de putere Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor comandabil cu trei straturi pnp sau npn având trei terminale (colector-C.8. În regim liniar.3. la IB=0 tranzistorul este blocat şi prin acesta circulă un curent de colector mic.9 sunt reprezentate o familie de caracteristici de ieşire atranzistorului bipolar npn care redau dependenţa curentului de colector de tensiunea colector-emitor. b) pnp.2. respectiv baza-B).8 Structura şi simbolul tranzistorului bipolar: a) npn. Fig. denumit curent rezidual sau de fugă (punctul 1) Creşterea tensiunii UCE provoacă străpungerea prin avalanşă a tranzistorului. Pentru o anumită tensiune colector-emitor. curentul de colector IC este in funcţie de curentul de bază IB.emitor-E. la curenţi de bază constanţi: IC=f(UCE)/IB=ct. O variaţie liniară a curentului de bază duce la o variaţie corespunzătoare amplificată a curentului de colector pentru o tensiune colector-emitor. UCE. dată. 2. .

La curent de bază nul.Fig. Ic=F(UCE)/IB=ct Inversarea tensiunii colector-emitor provoacă străpungerea joncţiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ 10V. Fig.10 Tranzistorul în comutaţie: a) Starea deschisă şi închisă a circuitului. se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului.9 Caracteristica de ieşire a tranzistorului bipolar. iar la curentul de bază care îl aduce în saturaţie el este practic ca un întrerupător închis. Tranzistorul fiind un dispozitiv comandabil trebuie să fie un acord între curentul de colector şi cel de bază.2.10a. Pentru a conserva comanda în saturaţie şi a . Fig. 2. de obicei. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcţionarea tranzistorului în invers. iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarităţii tensiunii de alimentare. la funcţionarea în comutaţie. tranzistorul bipolar funcţionează. b) Aria de securitate tipică regimului în impulsuri În aplicaţiile de putere. 2. tranzistorul este blocat şi circuitul este considerat deschis. în comutaţie (ca întrerupător).

respectiv tensiunii de saturaţie şi curentului de colector în poziţia închis.2. Fiind considerat întrerupător. valorile curentului de colector (IC) şi tensiunii colector-emitor (UCE) trebuie să aparţină conturului reprezentat în Fig. trebuie respectătă aria de securitate reprezentată în Fig. În timpul comutaţiei între cele două stări reprezentate în Fig. Fig.2. Ea este datorată curentului rezidual. 2. . Pragul cel mai mic al timpilor de comutaţie dă o limită dreptunghiulară ariei de securitate. în poziţia deschis. Fig.2.b.evita o sarcină de bază excesivă. Tensiunea de saturaţie tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1.2.10b. pierderea de putere pe tranzistor este mică. b) evoluţia cuplului de valori UCE-IC Pentru a utiliza la capacitate maximă tranzistorul fără a-l supraîncărca termic în timpul comutaţiei.11 Comutaţia unui circuit inductiv cu un tranzitor bipolar: a) schema electrică.11a.11b. Pierderile în comutaţie ale unui tranzistor sunt datorate în special evoluţiei cuplului de valori UCE-IC în timpul trecerii din starea de saturaţie în cea de blocare.11.1V. curentul de bază trebuie să fie cel necesar pentru menţinerea tranzistorului în saturaţie.

6.12 sunt prezentate simbolul grafic şi caracteristica de ieşire a unui tranzistor MOS de putere cu canal de tip n. Acest lucru se obţine dacă tensiunea VGS este astfel reglată încât punctul de funcţionare al tranzistorului să se afle în zona de saturaţie. datorită acestui lucru. Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea sunt comandate în tensiune şi nu în curent.12 Tranzistor MOS de putere: a) Simbol grafic. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. Pentru a funcţiona în zona de saturaţie la curentul nominal al tranzistorului valoarea tensiunii VGS este de aproximativ 15 V. Fig. ceea ce înseamnă că necesită un curent mediu de comandă neglijabil de mic. 2. .2. În lipsa tensiunii de comandă VGS. În Fig. ceea ce înseamnă că tensiunea VDS trebuie să fie cât mai mică. Dispozitive semiconductoare de putere cu efect de câmp 3. pe dreapta B (întrerupător închis). curentul de drenă ID este practic neglijabil şi astfel punctul de funcţionare al tranzistorului se află pe dreapta A (întrerupător deschis).12b. În starea de conducţie a tranzistorului este necesar ca pierderile să fie minime. 2. Fig.12b.3. 2. În aplicaţiile de putere tranzistorul MOS este utilizat ca întrerupător electronic şi deci acesta funcţionează în comutaţie.1. este caracterizat prin valori mari ale raportului dintre puterea de ieşire şi cea de comandă. b) Caracteristica de ieşire ID=f(VDS)/VGS=ct. Fig.6. În general. tensiunea grilă-sursă este limitată la 20 V în cazul tranzistoarelor MOS de putere. Tranzistorul MOS de putere.

12. 3. Tranzistorul bipolar npn. 2. Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este zero prin structura acestui dispozitiv nu trece curent. pentru un tranzistor MOS de 100 V rezistenţa este de 0. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el şi care se încălzeşte mai mult să-şi crească rezistenţa şi astfel să forţeze o redistribuţie a curentului pe celelalte tranzistoare.Văzut între bornele G şi S.Tranzistorul bipolar cu grilă izolată-IGBT În domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere având un terminal de comandă (bază. tranzistorul echivalează cu o capacitate de căteva sute de picofarazi. Principiul integrării funcţionale Bi-MOS care stă la baza dispozitivelor cu poartă izolată este ilustrat în Fig.deci baza tranzistorului bipolar este în gol şi în consecinţă structura Bi-MOS se află în starea off.6. Rezistenţa drenă-sursă a dispozitivului aflat în conducţie (dreapta B) are valori mici care depind de tensiunea limită de străpungere a acestuia.2. tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducţie directă. care au o rezistenţă mai mare de intrare necesită o putere extrem de redusă pentru comandă.5 Ω. Îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcţională bipolară-MOS. poartă sau grilă) pentru controlul integral (on/off) al proceserlor de comutaţie tendinţa dominantă este micşorarea puterii de intrare (de comandă) necesară funcţionării în diferite moduri de lucru simultan cu mărirea densităţii de curent comutate. în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS care asigură curentul de bază al tranzistorului bipolar şi trecerea structurii Bi-MOS în starea on. 2.TEC-MOS). Se cunoaşte că dispozitivele unipolare (TEC-J. Coeficientul de temperatură al rezistenţei drenă-sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al tranzistoarelor MOS să fie relativ simplu. . respectiv MOS cu canal n.1 Ω. conectate în configuraţie Darlington sunt realizate pe aceeaşi structură. iar pentru unul de 500 V ea este de 0. De exemplu. Fig.12a. Timpii de aducere în conducţie şi de blocare corespund încărcării şi descărcării acestei capacităţi şi ei sunt foarte mici (sub 10-6 s).

b) Structura IGBT. a unor diode pentru preluarea curenților inverşi astfel aceste elemente nu sunt solicitate la tensiuni în sens invers.Acest tip de integrare funcţională (Bi-MOS) a fost dezvoltat şi în direcţia sructurii pnpn obţinându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGTB-Insulated Gate Bipolar Transistor). c) Simbol grafic 3. Analogia MCT-ului cu un tiristor rămâne totuşi limitată deoarece datorită integrării structurii MOS.Elementele folosite în construcția invertoarelor cu caracter de sursã de tensiune. Fig 2.13 Tranzistor bipolar cu grilă izolată: ) Structura Bi-MOS.12b. Alegerea elementelor semiconductoare de putere In funcție de tipul convertorului. care permite obţinerea unei densităţi de curent de 2. 4. . în sens direct . MCT-ul este un dispozitiv a cărui structură poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS cu canal n pentru a asigura amorsarea şi un tranzistor cu canal p pentru a realiza blocarea.5 ori mai mare ca cea a unui IGTB.eventual în sens invers. Fig.1. elemente semiconductoare componente se aleg pe baza solicitãrilor în tensiune şi curent. Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS Controlled Thyristor). respectiv bipolare pe acelaşi cip funcţionarea lui este asemănătoare cu a unui IGBT.3. necesitã montarea in antiparalel cu ele.6. respectiv : • Valoare de varf a tensiunii ce solicitã elementul respectiv în stare blocatã. de ultimă oră. 2. este un dispozitiv semiconductor de putere.

care inglobeazã circuitul de comandã cu separare opticã (driver) şi circuitul de protecție la supratensiuni de comutație (snubber).2 Protecț ia elementelor semiconductoare de putere Elementele semiconductoare utizate în construcția construcția convertoarelor statice trebuies protejate la scurtcircuit şi la pantele de variație ale curentului şi tensiunii. cicloconvertoare) apar şi suplimentar şi supratensiuni provenite din retea.• Valoarea medie pe o perioadã a curentului ce parcurge elementul în timpul funcționãrii.Valoarea medie nominalã a unui element semiconductor este indicatã în condițiile utilizãrii ventilației forțate. 4.4 din capacitatea nominalã. pentru tranzistoare.Cmune tuturor elementelor sunt supratensiunile de comutație.Pentru tranzistoare firmele constructoare livreazã module compacte. pentru tiristoare. sau prin controlul direct al curentului. iar în cazul convertoarelor conectate la reteaua de curent alternativ (redresoare. dacã se utilizeazã ventilația naturalã elementul respectiv poate fi solicitat panã la 0. Protecția la scurtcircuit se realizeazã cu siguranțe fuzibile ultrarapide. .3-0.