I.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
1. Introducere
Electronica de putere cuprinde comutaţia, comanda, reglarea şi conversia energiei electrice utilizând circuite electronice de putere complexe denumite convertoare statice. Aceste circuite electronice sunt amplasate între sursa de energie şi consumator (receptor), având rolul de a modifica parametrii unei surse de energie electricã, cum ar fi tensiunea, frecvenţa, număr de faze, fie însãsi natura sursei, care poate sã fie sursã de curent continuu sau sursã de curent alternativ în funcţie de cerinţele consumatorului. Convertoarele statice sunt echipamente ce conțin dispozitivele semiconductoare de putere (tranzistoare, diode, tiristoare, triace, etc.) asociate cu dispozitivele auxiliare (blocuri de comandă, radiatoare de disipaţie a căldurii, circuite RC de protecţie).

2. Clasificarea convertoarelor statice
Convertoarele statice se pot clasifica din punct de vedere energetic şi din punct de vedere al comutației.

2.1.Clasificarea convertoarelor statice din punct de vedere energetic

Fig.1 Fluxul de energie în funcție de difertele tipuri de convertoare statice.

c.a.c.c . fluxul de energie având sensul de la sistemul alternativ la cel continuu.• Redresorul (convertor alternativ-continuu) converteşte un sistem de curent alternativ într-un sistem de curent continuu. • Convertorul static de tensiune şi frecvenţă care permite reglarea atat a valorii efective a tensiunii. de intrare spre sistemul de c. Fluxul de energie trece de la sistemul de c.iar prin comandã se poate regla frecvența tensiunii de ieşiere. de tensiune. cat şi a frecvenței acestuia. într-un sistem de c. • Invertorul (convertor continuu-alternativ) transformă un sistem de c.a de intrare spre sistemul de c.a de ieşire.a. iar dupã modul în care realizeazã conversia alternativ-alternativ se înparte în douã categorii: • CSTF direct numit şi cicloconvertor (convertor alternativ-alternativ) converteşte un sistem de c. . • Variatorul de curent continuu sau de tensiune continuă-chopperul (convertor continuu-continuu) realizează conversia unui sistem de curent continuu de tensiune şi polaritate dată într-un alt sistem de curent continuu de altă tensiune şi polaritate cerută. de tensiune.c.iar prin comandã se poate regla valoarea medie a tensiunii redresate. • Variatorul de curent alternativ sau de tensiune alternativă (convertor alternativalternativ) converteşte un sistem de curent alternativ într-un alt sistem de curent alternativ având aceeaşi frecvenţă cu primul..a. de ieşire.a. fluxul de energie fiind orientat de la sistemul de c. fluxul de energie va trece de la partea de c. frecvenţă şi număr de faze date într-un alt sistem de c. la cea de c.

într-un alt sistem de c.a.c. redresorul fiind comandat.a de intrare spre sistemul c. într-un alt sistem de c. • Convertor indirect de tensiune continuă (convertor continuu-continuu) transformă un sistem de c. transformat.c. fiecare alternanțã a tensiunii de ieşire este formatã din unul sau mai multe pulsuri.c.a. Convertorul prezintă un invertor autonom pe partea de intrare şi un redresor pe partea de ieşire. caracter imprimat de valoarea importantã a capacitãții Cd. Dupã modul în care se regleazã valoarea efectivã a tensiunii . ale caror lãțimi se pot modifica. Convertorul este realizat dintr-un redresor pe partea de intrare şi un invertor autonom pe partea de ieşire.a.2 Schema de principiu a convertorului static de tensiune şi frecvențã indirect.caracter imprimat prin valoarea importantã a inductivitãții Ld. folosind un circuit intermediar de c. folosind un circuit intermediar de c.. reglarea valorii efective a tensiunii de ieşire se face prin reglarea valoarii medii a tensiunii din circuitul intermediar. . • CSTF cu modulație în duratã. comada de reglare a valorii efective a tensiunii se aplica invertorului. fluxul de energie fiind orientat de la sistemul c.a. Dupã caracterul circuitului intermediar CSTF indirecte pot fi: • CSTF de curent. Fig. • CSTF de tensiune. • CSTF indirect de frecvenţă (convertor alternativ-alternativ) transformă un sistem de c. circutul intermediar are caracter de sursã de curent. avand amplitudine constantã.frecvenţă şi număr de faze cerute în mod direct fãrã a trece pin forma de c.CSTF pot fi: • CSTF cu modulație in amplitudine.c. circuitul intermediar are caracter de sursã de tensiune.

Convertoarele statice sunt utilizate. • Convertoare statice cu comutaț ie internã sau forțatã. . energia necesarã blocãrii elementelor existã în mod natural în circuit şi provine de la o sursã externã (generatorul de putere sau sarcina) .). • Convertoare statice cu comutaț ie soft . Clasificarea convertoarelor statice din punct de vedere al comutaț iei • Convertoare statice cu comutaț ie externã sau naturalã.In aceastã categorie intrã:redresoarele cu comutație naturalã.Din aceasta categorie fac parte: variatoarele de tensiune continuã.Initializarea comutație se face prin comanda unor oscilații in curent si tensine. funcţionare silenţioasă şi exploatare simplă). vitezei. În prezent. compensatoarele statice transversale sau longitudinale. asincrone şi sincrone). transmisia energiei electrice la tensiune înaltă continuă. randament mare. invertoarele din CSTF indirecte. procese chimice (electroliză.c. acţionări electrice industriale (comanda maşinilor electrice de c. galvanizare) si metalurgice (alimentarea cuptoarelor electrice) etc. caracteristici de reglare bune.2. energia necesarã comutației trebuie creata în structura convertorului (în cazul tiristoarelor prin incãrcarea unor capacitãți) sau prin comandã (semiconductoare complet comandate). transport şi distribuţie a energiei electrice (interconexiunea elastică a două sisteme electrice de frecvenţe diferite. în: sistemele de producere.. Sfera largă de utilizare a convertoarelor statice se explică prin aceea că ele permit realizarea de aplicaţii electrice cu parametri tehnico-economici superiori (fiabilitate ridicată. valoare care va creşte în următorii ani.comutația are loc la tensiune şi/sau curent nul. precum convertoarele din staţiile de conversie ale sistemelor de transmisie în curent continuu. variatoarele de tensiune alternativã. Echipamentele electronice. tracţiune electrică (alimentarea motoarelor de tracţiune. cu precădere. frânării etc). gabarit redus. compensatoare statice de putere etc. cicloconvertoarele şi invertoarele cu comutatie de la sarcinã.2. regulatoarle de putere din sistemele de conversie în curent alternativ sunt realizate cu ajutorul dispozitivelor semiconductoare de putere. masini unelte (comenzi numerice şi secvenţiale). peste 60 % din energia electrică produsă în centralele electrice este tranzitată de convertoarele statice. reglajul pornirii.

realizată într-un monocristal de siliciu sau germaniu. triacul. având contacte metalice ataşate celor două regiuni. 2.1. tranzistorul bipolar de putere. dioda este polarizatã în sens direct uAK ˃ 0. Fig 2. 3. contacte denumite anod (ataşat zonei p). tranzistorul cu grilă izolată (IGTB). curentul prin ea creşte rapid. La aplicarea unei tensiuni invese prin diodă va circula un curent invers foarte mic (de ordinul μA sau nA) denumit curent rezidual sau de fugă (IR). Dioda Dioda este formată dintr-o joncţiune pn. tiristorul. tiristorul controlat MOS (MCT). tiristorul cu blocare pe poartă (GTO). Dacă tensiunea invesă creşte peste o anumită valoare se produce fenomenul multiplicării în avalanşă a purtătorilor de sarcină şi joncţiunea se străpunge. Fig.1 Dioda: a) Structura b) Simbolul grafic Caracteristica curent tensiune ne aratã cã dacã. respectiv catod (ataşat zonei n). Dispozitive semiconductoare de putere Principalele dispozitive semiconductoare de putere întâlnite în schemele electrice ale echipamentelor electronice de putere sunt:dioda.3. . caderea de tensiune este micã (1-2V).1. aceasta este in conducție .

Caracteristica staticã Tensiunea inversă la care dioda se poate distruge datorită creşterii curentului invers poartă denumirea de tensiune de străpungere (VBR).3.curentul rezidual al diodei.2. zona de bază a purtătorilor de sarcină este eliberată şi tensiunea de blocare poate fi preluată de această zonă. Capacitatea parazită a diodei introduce întârzieri în procesul de comutaţie. iar tensiunea maximă inversă. cu URmax. La trecerea din starea de conducţie în starea blocată. U – tensiunea aplicată. În aplicaţiile electronice de putere este importanat ca procesul de comutaţie al diodei semiconductoare să fie cât mai mic. După trecerea timpului de acumulare (ta). T – temperatura absolută. UT=kT/e – tensiunea termică (UT=26 mV. curentul invers scade cu o viteză mare şi dioda preia tensiunea de blocare. Caracteristica directă şi inversă sunt dependente de temperatura joncţiunii diodei.2. e=1. curentul nu se anulează după trecerea prin zero. Fig. Caracteristica satatică I(U) este neliniară şi poate fi aproximată analitic cu relaţia: I=IR(expU/UT – 1) IR . K=8.3 Formele de undă ale curentului şi tensiunii în procesul de blocare al diodei .6*10-19 [C] – sarcina electronului. la T=3000 K). Suprafaţa haşurată din Fig.62*10-5 [eV/0K] – constanta lui Boltzman. care apare pe diodă. Fig. 2.3 reprezintă cantitatea de sarcină Qrr care trebuie eliminată din joncţiune pentru ca dioda să-şi recapete proprietatea de blocare. El continuă sã treacă în sens invers până când.Fig.Timpul de revenire al diodei s-a notat cu trr.

căderea de tensiune la borne având valori reduse. tiristorul blochează trecerea curentului în ambele sensuri.Micşorarea timpului de revenire constă în reducerea cantităţii de sarcină Qrr.2 Tiristorul Tiristorul este un element comandat la intrarea in conducție avand trei electrozi: anodul A. 3. care la rândul ei se poate micşora prin reducerea curentului care se comută şi mărirea pantei de scădere a curentului (di/dt). Un timp de blocare de valoare mare micşorează frecvenţa maximă la care poate fi utilizată dioda şi măreşte pierderile de comutaţie.La . ceea ce duce la încălzirea excesivă a dispozitivului în timpul funcţionării. în stare blocată poate suporta tensiuni de ordinul miilor de volţi. iar în conducţie suportă curenţi de sute de amperi. şi avand timpi de comutare de ordinul μs. Structura pnpn. curenți de panã la cațiva kA şi tensiuni inverse de ordinul kilovolților. iar sub acţiunea semnalului de comandă el trece în conducţie permiţând circulaţia curentului într-un singur sens.4 Tiristorul: a) Structura b) Simbolul În lipsa semnalului de comandă. catodul K şi electrodul de comandă G denumit poartă sau grilă. caracterizate prin cãdere de tensiune în sens direc micã (0. • Diode rapide. • Diode Schottky. Fig. 2. In constructia convertoarelor statice se utilizeaza trei tipuri de diode: • Diode normale (redresoare) caracterizate prin timpi de comutare mari.3V)şi tensiuni inverse de 50-100V.utilizate în cicuitele de înaltã frecvențã în combinație cu alte elemente comandate. dupã intrarea în conducție nu mai este necesar un curent de grilã.

• sã i se aplice un impuls de comandã pozitiv intre grilã şi catod avand un nivel energetic corespunzãtor.La blocare. trebuie sã treacã un timp t . dupã un timp mai mic decat t Comanda tiristoarelor: Pentru intrarea normalã in conducție a unui tiristor trebuie indeplinite trei condiții: • tiristorul sã fie polarizat in sens direct (Uak ˃0).Caracteristica idealã corespunde ipotezelor de studiu. în stare blocatã curentul prin tiristor este nul. .produce reintrarea acestuia în conducție fãrã impuls de comandã . Polarizarea în sens direct a tiristorului. dupã anularea curentului prin tiristor panã cand acesta poate prelua tensiune in sens direct. curentul prin tiristor sã depaşeascã valoare de agãțare (IL). •la dispariția impulsului de comanda. q numit timp de revenire. q .scãderea curentului sub valoarea de menținere IH tiristorul se blocheazã. iar în stare de conducție cãderea de tensiune pe tiristor este nulã.

3.Rezistența R1 are rolul de a limita curentul prin tranzistorul amplificator . dv/dt. Caracteristicile dinamice definesc performanţele de comutaţie ale tiristorului şi au o mare importanţă în stabilirea limitelor de funcţionare. respectiv . sub valoarea curentului de menținere IH. de impedanțã scãzutã. a)Viteza critică de creştere a tensiunii de blocare. Amplificarea se realizeazã mai multe etaje de amplificare iar separarea se face cu un transformator de impuls. c)Timpul de amorsare pe poartă. Blocarea nu este posibilã prin comanda directã ea se obține în urmãtoarele moduri: • scãderea naturalã a curentului în sens direct.In convertoarele statice de putere. impulsul de comandã nu se aplicã direct pe grila tiristorului. b) Viteza critică de creştere a curentului de conducţie directă. • aplicarea unei tensiuni inverse pe tiristor (polarizare în sens invers). fiind necesare o amplificare a impulsului şi p separare intre parte de comandã şi cea de forțã. tgt (turn-on time). • devierea curentului anodic printr-o altã laturã de circuit. Tiristorul cu blocare pe poartă Tiristorul cu blocare pe poartă (GTO-Gate Turn-Off Thyristor) este un dispozitiv cu structura pnpn denumit şi tiristor bioperaţional. di/dt. d)Timpul de blocare (dezamorsare) prin comutaţia circuitului. care poate fi comandat (amorsat.3.diodele D1 şi D2 permit aplicarea pe grilã numai a impulsurilor pozitive şi disiparea energiei corespunzãtoare impulsurilor negative pe R2. tq (circuit commutated turn-off time).

Tiristorul GTO este amorsat prin aplicarea pe poartă a unui impuls pozitiv de curent de amplitudine IGT si de durată tp şi este blocat prin aplicarea unui impuls negativ.6a triacul rezultă prin integrarea pe aceeaşi structură a două tiristoare convenţionale conectate în montaj antiparalel. Ramura din primul cadran corespunde tensiunii pozitive aplicate terminalului T2 In raport cu terminalul T1.2.7.2.4 Triacul Triacul (triode ac switch) este un tiristor bidirecţional cu trei terminale. Cele două procese de comutaţie (amorsare. tiristorul GTO se aseamănă cu tranzistorul bipolar npn prin polaritatea tensiunii de alimentare anod-catod şi prin polaritatea semnalelor de amorsare. Fig 2. În comparaţie cu tranzistorul bipolar. potrivit structurii triacului. Triacul este blocat în ambele . tiristorul GTO prezintă avantajul unor puteri de valoare redusă consumate în circuitul de poartă atat pentru amorsare cât şî pentru blocare. b) Impulsurile de comandă şi curentul anodic Această funcţionare este prezentată în Fig. respectiv blocare. Fig. Fig.6d. iar cea din cadranul trei situaţiei inverse. Fig. prezenţa semnalului de comandă în circuitul de poarta numai este necesară. caracteristica sa. 3. având amplitudinea IGB şi de durată tn. după trecerea tiristorului GTO în una din cele două stări stabile (on-off).6c. Deşi este un dispozitiv semiconductor cu trei joncţiuni.blocat) integral prin aplicarea de semnale pe poartă: cu semnal pozitiv poate fi trecut în conducţie.2.7 Tiristorul GTO: a) Simbolul. iar cu semnal negativ poate fi blocat. Utilizarea tiristoarelor GTO în locul celor convenţionale conduce la simplificări notabile atât în circuitele de forţă cât şi în cele de comandă.2. rezultă simetrică faţă de origine. având o structură internă formată din straturi semiconductoare pn alternative. blocare) necesită semnale de comandă în circuitul de poartă numai pe duratele lor tranzitorii.

1. . Trecerea din blocare în conducţie se poate face atât în cadranul I c şi în cadranul III. Fig. Astfel rezultă patru moduri de amorsare a triacului. c) Tiristoare în antiparalel.6 Triacul: a) Structura.sensuri atât timp cât IG=0 şi tensiunea aplicată între terminalele T1 si T2 nu depăşeşte tensiunea de întoarcere.2.crt. Cadranul în care are loc conducţia 1 2 3 4 I I III III Polarizarea lui T2 în raport cu T1 pozitivă pozitivă negativă negativă Impulsul de comandă pe poartă pozitivă negativă pozitivă negativă 100% ≈300% ≈400% ≈200% Puterea necesară pe poartă Este avantajoasă folosirea modurilor I(+) şi III(-) care necesită semnale de puteri comparabile pe poartă. 2. În cazul modurilor I(-) şi III(+) sensibilitatea porţii scade considerabil. Modurile de amorsare a triacului Nr. d) Caracteristica statică tensiune-curent Tab.1. indiferent de polaritatea semnalului aplicat pe poartă.2. b) Simbolul. Tab.

denumit curent rezidual sau de fugă (punctul 1) Creşterea tensiunii UCE provoacă străpungerea prin avalanşă a tranzistorului. respectiv baza-B). curentul de colector IC este in funcţie de curentul de bază IB. 2.2.emitor-E. Pentru o anumită tensiune colector-emitor. . la curenţi de bază constanţi: IC=f(UCE)/IB=ct. O variaţie liniară a curentului de bază duce la o variaţie corespunzătoare amplificată a curentului de colector pentru o tensiune colector-emitor. În regim liniar.9 sunt reprezentate o familie de caracteristici de ieşire atranzistorului bipolar npn care redau dependenţa curentului de colector de tensiunea colector-emitor. b) pnp. Fig.3.8 Structura şi simbolul tranzistorului bipolar: a) npn. Fig.8.5 Tranzistorul bipolar de putere Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor comandabil cu trei straturi pnp sau npn având trei terminale (colector-C. În Fig. dată. Prin creşterea curentului de bază se poate ajunge în zona de saturaţie când prin tranzistor va circula un curent de colector mare la tensiuni UCE mici (punctul 2).2. UCE. la IB=0 tranzistorul este blocat şi prin acesta circulă un curent de colector mic.

tranzistorul bipolar funcţionează. Datorită acestui fapt trebuie evitată funcţionarea tranzistorului în invers. Pentru a conserva comanda în saturaţie şi a . tranzistorul este blocat şi circuitul este considerat deschis. la funcţionarea în comutaţie.2. 2. Fig. de obicei. Ic=F(UCE)/IB=ct Inversarea tensiunii colector-emitor provoacă străpungerea joncţiunii bază-emitor la o tensiune de aproximativ 10V. iar la curentul de bază care îl aduce în saturaţie el este practic ca un întrerupător închis. La curent de bază nul.10 Tranzistorul în comutaţie: a) Starea deschisă şi închisă a circuitului. se montează o diodă în serie cu circuitul de colector al tranzistorului. Fig.9 Caracteristica de ieşire a tranzistorului bipolar. iar în circuitele în care există posibilitatea inversării polarităţii tensiunii de alimentare. în comutaţie (ca întrerupător). Tranzistorul fiind un dispozitiv comandabil trebuie să fie un acord între curentul de colector şi cel de bază.Fig. b) Aria de securitate tipică regimului în impulsuri În aplicaţiile de putere. 2.10a.

evita o sarcină de bază excesivă.2. Tensiunea de saturaţie tipică pentru un tranzistor de putere cu siliciu este de circa 1.b. curentul de bază trebuie să fie cel necesar pentru menţinerea tranzistorului în saturaţie.11 Comutaţia unui circuit inductiv cu un tranzitor bipolar: a) schema electrică. b) evoluţia cuplului de valori UCE-IC Pentru a utiliza la capacitate maximă tranzistorul fără a-l supraîncărca termic în timpul comutaţiei. respectiv tensiunii de saturaţie şi curentului de colector în poziţia închis.11. trebuie respectătă aria de securitate reprezentată în Fig. În timpul comutaţiei între cele două stări reprezentate în Fig. 2. în poziţia deschis. Pierderile în comutaţie ale unui tranzistor sunt datorate în special evoluţiei cuplului de valori UCE-IC în timpul trecerii din starea de saturaţie în cea de blocare. Ea este datorată curentului rezidual.2. Fig.2.2.11b.1V. Fig. valorile curentului de colector (IC) şi tensiunii colector-emitor (UCE) trebuie să aparţină conturului reprezentat în Fig. Pragul cel mai mic al timpilor de comutaţie dă o limită dreptunghiulară ariei de securitate. . pierderea de putere pe tranzistor este mică.10b.11a. Fiind considerat întrerupător.

Interesul acordat semiconductoarelor cu efect de câmp este datorat faptului că acestea sunt comandate în tensiune şi nu în curent. Pentru a funcţiona în zona de saturaţie la curentul nominal al tranzistorului valoarea tensiunii VGS este de aproximativ 15 V. Tranzistorul MOS de putere. tensiunea grilă-sursă este limitată la 20 V în cazul tranzistoarelor MOS de putere.12b. Fig.12 Tranzistor MOS de putere: a) Simbol grafic.12b. 2. datorită acestui lucru. pe dreapta B (întrerupător închis). 2. Tranzistorul MOS de putere Tranzistorul MOS (Metal Oxide Semiconductor) de putere este un tranzistor cu efect de câmp (FET-Field Effect Transistor) care are multiplicat numărul de canale prin care trece curentul de drenă. . curentul de drenă ID este practic neglijabil şi astfel punctul de funcţionare al tranzistorului se află pe dreapta A (întrerupător deschis). În aplicaţiile de putere tranzistorul MOS este utilizat ca întrerupător electronic şi deci acesta funcţionează în comutaţie.6. ceea ce înseamnă că tensiunea VDS trebuie să fie cât mai mică.6. În lipsa tensiunii de comandă VGS. În starea de conducţie a tranzistorului este necesar ca pierderile să fie minime. Fig.1. b) Caracteristica de ieşire ID=f(VDS)/VGS=ct. În Fig.12 sunt prezentate simbolul grafic şi caracteristica de ieşire a unui tranzistor MOS de putere cu canal de tip n. În general. Dispozitive semiconductoare de putere cu efect de câmp 3. Acest lucru se obţine dacă tensiunea VGS este astfel reglată încât punctul de funcţionare al tranzistorului să se afle în zona de saturaţie. este caracterizat prin valori mari ale raportului dintre puterea de ieşire şi cea de comandă. Fig. 2.2.3. ceea ce înseamnă că necesită un curent mediu de comandă neglijabil de mic.

în timp ce dispozitivele bipolare (tranzistorul bipolar. care au o rezistenţă mai mare de intrare necesită o putere extrem de redusă pentru comandă. Îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin integrarea funcţională bipolară-MOS. Tranzistorul bipolar npn. Acest lucru determină ca tranzistorul care preia un curent mai mare decât celelalte tranzistoare legate în paralel cu el şi care se încălzeşte mai mult să-şi crească rezistenţa şi astfel să forţeze o redistribuţie a curentului pe celelalte tranzistoare. tranzistorul echivalează cu o capacitate de căteva sute de picofarazi. 2. Fig.deci baza tranzistorului bipolar este în gol şi în consecinţă structura Bi-MOS se află în starea off.Tranzistorul bipolar cu grilă izolată-IGBT În domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere având un terminal de comandă (bază.1 Ω.5 Ω. Coeficientul de temperatură al rezistenţei drenă-sursă a unui tranzistor MOS este pozitiv ceea ce face ca montajul în paralel al tranzistoarelor MOS să fie relativ simplu.2. tiristorul GTO) au ca trăsătură distinctă densitatea relativ mare a curentului în conducţie directă. De exemplu. . Atunci când tensiunea grilă-sursă (VGS) a tranzistorului TEC-MOS este zero prin structura acestui dispozitiv nu trece curent.Văzut între bornele G şi S. conectate în configuraţie Darlington sunt realizate pe aceeaşi structură. Se cunoaşte că dispozitivele unipolare (TEC-J. pentru un tranzistor MOS de 100 V rezistenţa este de 0. Rezistenţa drenă-sursă a dispozitivului aflat în conducţie (dreapta B) are valori mici care depind de tensiunea limită de străpungere a acestuia. O tensiune pozitivă de valoare suficient de mare aplicată pe grilă deschide tranzistorul MOS care asigură curentul de bază al tranzistorului bipolar şi trecerea structurii Bi-MOS în starea on. respectiv MOS cu canal n. 2.12a. iar pentru unul de 500 V ea este de 0. Principiul integrării funcţionale Bi-MOS care stă la baza dispozitivelor cu poartă izolată este ilustrat în Fig.TEC-MOS). poartă sau grilă) pentru controlul integral (on/off) al proceserlor de comutaţie tendinţa dominantă este micşorarea puterii de intrare (de comandă) necesară funcţionării în diferite moduri de lucru simultan cu mărirea densităţii de curent comutate.12. 3.6. Timpii de aducere în conducţie şi de blocare corespund încărcării şi descărcării acestei capacităţi şi ei sunt foarte mici (sub 10-6 s).

1. respectiv bipolare pe acelaşi cip funcţionarea lui este asemănătoare cu a unui IGBT.12b. de ultimă oră.13 Tranzistor bipolar cu grilă izolată: ) Structura Bi-MOS. este un dispozitiv semiconductor de putere. b) Structura IGBT.eventual în sens invers. care permite obţinerea unei densităţi de curent de 2.Acest tip de integrare funcţională (Bi-MOS) a fost dezvoltat şi în direcţia sructurii pnpn obţinându-se un dispozitiv ce poartă denumirea de tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGTB-Insulated Gate Bipolar Transistor). a unor diode pentru preluarea curenților inverşi astfel aceste elemente nu sunt solicitate la tensiuni în sens invers.Elementele folosite în construcția invertoarelor cu caracter de sursã de tensiune. Fig 2. Tiristorul controlat MOS-MCT Tiristorul controlat MOS-MCT (MOS Controlled Thyristor). 4. Analogia MCT-ului cu un tiristor rămâne totuşi limitată deoarece datorită integrării structurii MOS.6. c) Simbol grafic 3. în sens direct . respectiv : • Valoare de varf a tensiunii ce solicitã elementul respectiv în stare blocatã. elemente semiconductoare componente se aleg pe baza solicitãrilor în tensiune şi curent.3. Alegerea elementelor semiconductoare de putere In funcție de tipul convertorului.5 ori mai mare ca cea a unui IGTB. Fig. MCT-ul este un dispozitiv a cărui structură poate fi considerată ca fiind realizată dintr-un tiristor la care a fost adăugat un tranzistor MOS cu canal n pentru a asigura amorsarea şi un tranzistor cu canal p pentru a realiza blocarea. . necesitã montarea in antiparalel cu ele. 2.

Protecția la scurtcircuit se realizeazã cu siguranțe fuzibile ultrarapide. care inglobeazã circuitul de comandã cu separare opticã (driver) şi circuitul de protecție la supratensiuni de comutație (snubber). dacã se utilizeazã ventilația naturalã elementul respectiv poate fi solicitat panã la 0. iar în cazul convertoarelor conectate la reteaua de curent alternativ (redresoare.4 din capacitatea nominalã. 4.Pentru tranzistoare firmele constructoare livreazã module compacte. . cicloconvertoare) apar şi suplimentar şi supratensiuni provenite din retea.• Valoarea medie pe o perioadã a curentului ce parcurge elementul în timpul funcționãrii. pentru tranzistoare.Valoarea medie nominalã a unui element semiconductor este indicatã în condițiile utilizãrii ventilației forțate. pentru tiristoare.3-0.Cmune tuturor elementelor sunt supratensiunile de comutație.2 Protecț ia elementelor semiconductoare de putere Elementele semiconductoare utizate în construcția construcția convertoarelor statice trebuies protejate la scurtcircuit şi la pantele de variație ale curentului şi tensiunii. sau prin controlul direct al curentului.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful