Sunteți pe pagina 1din 173

ACADEMIA DE TIINE A REPUBLICII MOLDOVA

INSTITUTUL DE FIZIC APLICAT




Cu titlu de manuscris
C.Z.U: 621.315.592


USATI IURIE


OBINEREA CELULELOR SOLARE ITO-Si CU SUPRAFEE
MAJORATE I STUDIUL PROPRIETILOR ACESTORA

01.04.10 Fizica i ingineria semiconductorilor
TEZ DE DOCTOR N TEHNIC






Conductor tiinific: Dormidont erban, prof., dr.hab.
Consultant tiinific: Alexei Simachevici, acad., prof., dr.hab.




Chiinu 2011
2











Usati Iurie, 2011
3
CUPRINS
ADNOTARE 6
7
SUMMARY 8
LISTA ABREVIERILOR 9
INTRODUCERE 10
1. REVISTA PUBLICAIILOR CURENTE PRIVIND CELULELE SOLARE
N BAZA SILICIULUI 19
1.1. Sursele renovabile. Conversiunea fotovoltaic 19
1.2. Dezvoltarea celulelor solare n baza siliciului 21
1.3. Straturile TCO 22
1.4. Straturile ITO i ZnO 26
1.4.1. Straturile ITO 26
1.4.2. StraturileZnO 29
1.5. Structurile SIS 30
1.6. Celulele solare bifaciale 33
1.7. Celule solare cu heterojonciuni i straturi subiri amorfe i
microcristaline de siliciu 37
1.8. Concluzii la capitolul 1 39
2. CARACTERIZAREA DISPOZITIVELOR SOLARE 41
2.1. Instalaia de depunere a straturilor subiri pe plachetele de siliciu
cu diametrul de 100mm 42
2.2. Descrierea instalaiei de depunere a structurilor microamorfe 44
2.3. Descrierea msurrii R-T 48
2.4. Descrierea msurrii Raman 52
2.5. Descrierea msurrii I-V 56
2.6. Descrierea msurrii eficienii cuantice interne 57
2.7. Concluzii la capitolul 2 59
3. OBINEREA STRUCTURILOR n
+
ITO/nSiO
2
/nSi 60
3.1 Obinerea straturilor subiri oxidici prin metoda pulverizrii 60
3.1.1. Succesiunea proceselor de obinere a straturilor subiri
In
2
O
3
:SnO
2
(ITO) 61
3.1.2. Obinerea jonciunilor ITO/SiO
2
/nSi n baza plachetelor de siliciu
cu diametrul de 100mm 64
3.2. Determinarea concentraiei optimale a purttorilor de sarcin n Si
materialul de baz a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi 71
3.2.1. Selectarea plachetelor de siliciu 71
4
3.2.2. Caracteristicile I-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi 73
3.2.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi 79
3.2.4. Proprietile fotovoltaice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi 80
3.2.5. Fotosensibilitatea celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi 82
3.3. Determinarea grosimii optimale a stratului frontal ITO
n celulele solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi 84
3.3.1. Proprietile optice ale straturilor subiri ITO 84
3.3.2. Caracteristicile I-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
n dependen de grosimea stratului frontal ITO 88
3.3.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
n dependen de grosimea stratului frontal ITO 89
3.3.4. Proprietile fotovoltaice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
n dependenta de grosimea stratului frontal ITO 90
3.3.5. Fotosensibilitatea celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi 92
3.4. Dependena parametrilor celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi
de grosimea stratului SiO
2
94
3.4.1. Metodele de obinere a straturilor SiO
2
94
3.4.2. Determinarea grosimii straturilor SiO
2
96
3.4.3. Caracteristicile I-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO
2
98
3.4.4. Caracteristicile C-U i cinetice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO
2
99
3.4.5. Proprietile fotovoltaice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO
2
100
3.4.6. Fotosensibilitatea celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi 101
3.5. Panouri solare n baza structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi 102
3.5.1. Particularitile formrii jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi 103
3.5.2. Tierea celulelor solare din plachetele de siliciu 104
3.5.3. Parametrii celulelor solare obinute 106
3.5.4. Asamblarea panoului solar 107
3.6. Concluzii la capitolul 3 108
4. OBINEREA I CERCETAREA CELULELOR SOLARE BILATERALE
n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO 109
4.1. Modelarea diagramei energetice 110
4.1.1. Diagrama energetic a structurii n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO 110
4.1.2. Evaluarea parametrilor ai structurii n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO 112
5
4.2. Procedee de obinere a jonciunilor puin adnci 114
4.2.1. Surse de impuritate ne contactate cu placheta de siliciu 114
4.2.2. Surse de impuritate contactate cu placheta de siliciu 115
4.3. Prepararea i studiul celulelor solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu 117
4.3.1. Obinerea structurilor n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO 117
4.3.2. Principiul de funcionare al celulei solare elaborate
Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu 121
4.4. Optimizarea parametrilor celulelor solare elaborate 122
4.4.1. Influena adncimii jonciunii din spate asupra parametrilor
fotoelectrofizici ai celulei solare Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu
n dependen de parametrii siliciului utilizat 122
4.4.2. Proprietile electrice ale celulei solare bilaterale
Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu 124
4.4.3. Studiul proprietilor fotoelectrice ale celulelor solare bilaterale obinute 126
4.4.4. Fotosensibilitatea celulelor solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu 128
4.5. Concluzii la capitolul 4 129
5. REALIZAREA I CARACTERIZAREA CELULELOR SOLARE
MICROAMORFE DIN STRATURI SUBIRI DE SILICIU 131
5.1. Obinerea structurilor microamorfe 132
5.1.1. Descrierea substratelor 132
5.1.2. Evaporarea grilelor metalice 133
5.1.3. Depunerea materialului 133
5.1.4. Realizarea contactelor posterioare 134
5.2. Celul amorf p-i-n 134
5.3. Celul microcristalin p-i-n 141
5.4. Celul solar tandem microamorf 149
5.5. Realizarea modulelor tandem microamorfe 155
5.6. Concluzii la capitolul 5 156
CONCLUZII GENERALE I RECOMANDRI 157
BIBLIOGRAFIE 159
DECLARAIA PRIVIND ASUMAREA RSPUNDERII 168
CURRICULUM VITAE 169
6
ADNOTARE
la teza Obinerea celulelor solare ITO-Si cu suprafee majorate i studiul proprietilor
acestora, prezentat de Usatii Iurie pentru decernarea titlului tiinific de doctor n tiine
tehnice la specialitatea 01.04.10 Fizica i ingineria semiconductorilor

n tez sunt prezentate rezultatele cercetrilor de elaborare a unei tehnologii simple i puin
costisitoare de fabricare a celulelor solare de uz practic cu suprafee active majorate pn la 78,5cm
2

n baza structurilor de tip SIS nSi/SiO
2
/n
+
ITO, inclusiv a unui nou tip de celule solare bilaterale,
structura crora conine numai jonciuni izotipe, a celulelor solare tandem microamorfe cu eficien
majorat n baza straturilor subiri de Si i cercetarea proprietilor electrice i fotoelectrice a
acestora.
Sunt descrise actualitatea i importana problemei abordate, formulat scopul i obiectivele
tezei, naintate spre susinere. Este prezentat noutatea tiinific a rezultatelor obinute, importana
teoretic i valoarea aplicativ a lucrrii. Se conine o analiz ampl i bine documentat a
rezultatelor, expuse n literatura de specialitate privind dezvoltarea celulelor solare n baza siliciului.
Este descris procedeul de obinere a straturilor subiri SnO
2
i In
2
O
3
:SnO
2
(ITO) utilizind
instalatia de depunere prin metoda pulverizrii pirolitice a soluiilor chimice de In si Sn, cu scopul
crerii structurilor fotovoltaice ITO/SiO
2
/nSi n baza plachetelor de siliciu cu diametrul de 100mm.
Este cercetat dependena parametrilor fotovoltaici ai celulelor solare de valoarea conductibilitii
plachetelor de siliciu. Sunt determinate pierderile optice i ohmice n dependen de valorile grosimii
i conductibilitii stratului frontal de ITO, cercetate condiiile de obinere a stratului oxid SiO
2

intermediar n jonciunea n
+
ITO/SiO
2
/nSi i influena acestuia asupra parametrilor fotovoltaici.
Optimizarea tehnologiei de obinere a celulelor solare n baza jonciunilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi a condus
la elaborarea traseului i fielor tehnologice ale procedeului de fabricare a celulelor solare cu
eficien de 10,25%. Prin fabricarea n condiii de laborator a seriei mici de elemente fotovoltaice i
asamblarea n baza lor a panourilor solare de o putere de 36W, msurat in condiiile iluminrii
naturale, care varia intre 700-740W/m
2
, s-a demonstrat viabilitatea tehnologiei elaborate.
n premier este elaborat concepia i designul celulei solare bilaterale cu jonciuni izotipe.
Construcia celulei solare bilaterale elaborate include dou jonciuni izotipe, una din care este
format pe partea frontal a plachetei de Si, iar alta pe cea din spate. n primul rnd se formeaz
jonciunea din spate n
+
-nSi prin difuzia fosforului, impuritii ce majoreaz concentraia electronilor
n siliciu, care avea loc din sursa lichid POCl
3
la temperatura 850C timp de 15 - 105min. Dup
difuzie plachetele sunt supuse unui tratament termic la temperatura de 940C timp de 180 minute. n
rezultat se formeaz o barier de potenial cu nlimea de 0,1eV, situat la adncimea de 0,8-1,0m
de la suprafaa din spate a plachetei de siliciu. Jonciunea frontal n
+
ITO/SiO
2
/nSi se obine prin
utilizarea procedeului de pulverizare, menionat. Este modelat i evaluat diagrama energetic a
celulei solare de acest tip n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si, preparate componentele i sistemul fotovoltaic
integru menionat, studiate proprietile electrice i fotoelectrice, demonstrat viabilitatea unui nou
tip de dispozitiv fotovoltaic cu fotosensibilitate bilateral. Este descris succesiunea operaiunilor
tehnologice pentru obinerea celulelor solare bilaterale n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si de tip nou cu un
randament de 15,7%.
Este descris principiul de realizare i rezultatele cercetrii a celulelor solare tandem
microamorfe n baza jonciunilor p-i-n amorfe i microcristaline, care s-au obinut folosind metoda
depunerii chimice din faza de vapori asistat de plasm (PECVD).. Aceste structuri combin
avantajele siliciului amorf i tehnologia de stabilizare i sensibilizare a parametrilor structurilor n
baza acestuia. i posed o valoare stabil a eficienii (=11,1%). n baza structurilor menionate, s-au
fabricat panouri solare de putere pn la 1W, cu suprafa de 0,01m
2
.
Rezultatele obinute sunt reflectate n 31 lucrri tiinifice, un brevet de invenie, prezentate la
18 Conferine internaionale n domeniu i 7 Expoziii i Saloane internaionale.
7

ITO/Si
,
01.04.10


()
nSi/SiO
2
/n
+
ITO (78,5
2
) ,
, ,

.
,
, ,
.
,
.
SnO
2
In
2
O
3
:SnO
2
(ITO)
ITO/SiO
2
/nSi 100
,
.

(100)
, .

ITO,
n
+
ITO/SiO
2
/nSi .
n
+
ITO/SiO
2
/nSi

(...) 10,25%.

36W,
(700-740W/m
2
), .
()
. ,
n
+
ITO/SiO
2
/nSi Si .
n
+
/nSi POCl
3

850 15 105 940
180. 0,1,
0,8 1 .

n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si. ,
.

n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si ... 15,7%

p-i-n ,
(PECVD). , ,
-Si:H - Si:H.
-Si:H .
... 11,1%
.
31 , 1 ., 18
7 .
8
SUMMARY
of the thesis Preparation of ITO-nSi solar cells with enlarged area and the study of their
properties presented by Iu. Usatii for the competition of doctor degree (technical sciences) in
semiconductor engineering

In the thesis are presented the results of the elaboration of a simple and inexpensive
technology of solar cells fabrication with enlarged active area up to 78,5cm
2
on the base SIS
nSi/SiO
2
/n
+
ITO structures, including a new type of bifacial solar cells, which contains only
isotype junctions. Tandem microamorphouse solar cells with enlarged efficiency on the base of
Si thin films were also fabricated and the investigation of the electrical and photoelectric
properties of all types of the elaborated solar cells has been carried out.
The topicality and the importance of the examined problem, the novelty, the aim and the
objectives of the thesis are formulated. A detailed analysis of the special literature concerning the
silicon solar cell- history, achievements and perspectives is considered.
The technology of SnO
2
and In
2
O
3
:SnO
2
(ITO) thin films obtaining by means of spraying
of alcoholic solution of InCl
3
and SnCl
4
in different proportions on the nSi crystals was
elaborated. Wafers oriented in the (100) plane with the diameter of 100mm have been used for
the fabrication of photovoltaic devices. The dependence of the photovoltaic parameters on the Si
crystals conductibility was studied. Optical and ohmic losses in dependence on the thickness and
the conductibility of the ITO frontal layer were determined. The conditions of the SiO
2
insulated
layer obtaining at the ITO-nSi interface and their influence on the solar cell photoelectrical
parameters was investigated. The optimization of the of solar cells obtaining on the base of
n
+
ITO/SiO
2
/nSi junctions allow to the elaboration of the technical documentation of the solar
cell fabrication with 10,25% efficiency. The viability of the elaborated technology was
confirmed by the fabrication in laboratory conditions of a small series of photovoltaic devices
and the assemblage on their base solar modules with a power of 36W, measured at daylight
(700-740W/m
2
).
For the first time the conception and the design of a bifacial solar cell with isotype
junctions was elaborated. This solar cell contains two isotype junctions. One of them is formed
on the frontal side of the Si wafer, the second on the rear side. At first, the n
+
-nSi junction at
the rear side is formed by phosphor diffusion from the liquid source POCl
3
during

15 - 105min.at
the temperature of 850. After the diffusion the wafers are annealed at the temperature of 940
during 180 minutes. As a result a 0,1eV heights potential barrier, situated at the depth of 0,8-
1,0m from the rear surface, is formed. The frontal junction is obtained by the above-mentioned
spraying process. The energetic band diagram of such n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si solar cell is proposed
and evaluated. The integral tandem photovoltaic system was fabricated; their electrical and
photoelectric properties have been studied. So, the viability of a new type of photovoltaic device
with bilateral sensitivity was demonstrated. The succession of the technological steps which are
necessary for the fabrication of a new type of n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si bifacial solar cells with
15,7% efficiency is described.
The principle of realization and the results of investigation of the properties of tandem
microamorphouse solar cells on the base of p-i-n the amorphous and microcrystalline junctions,
obtained by the method of plasma assisted chemical vapour deposition (PECVD) is presented.
These structures combine into one the advantages of the amorphous silicon and of the
technology of the stabilization and of the sensitivization of the structures, obtained on their base
and demonstrated a stable value of the efficiency (=11,1%). Solar modules with the area of
0,01m
2
and the power up to1W, were fabricated.
The obtained results are reflected in 31 scientific papers, one patent and were presented at
18 International conferences and 7 International exhibitions and salons.
9
LISTA ABREVIERILOR

CS celul solar;
Si siliciu;
SiO
2
bioxidului de siliciu;
Si:H siliciu amorf;
c-Si:H siliciu microcristalin;
CSB celul solar bifacial;
BSF back surface field (cmpul electric din spate);
TCO oxid conductiv transparent;
ITO oxid de indiu i staniu;
MIS metal-izolator-metal;
SIS semiconductor-izolator-semiconductor;
SC concentraia silanului;
I-U curent-tensiune;
C-U capacitate-tensiune;
U
d
potenial de difuzie;
W grosimea stratului de sarcin spaial;
Q
ef
eficiena cuantic intern efectiv;
UV ultraviolet;
VIS vizibil;
NIR infrarou;
I
sc
curentul de scurt circuit;
U
cd
tensiunea cercuitului deschis;
FF fill factor (coeficient de umplere);
R
ser
rezistena serie;
R
sh
- rezistena unt;

c
fracia fazei cristaline;
CVD Chemical Vapor Deposition (depunere chimic prin vapori);
PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (depunerea chimic n faz de vapori
asistat de plasma);
VHF-PECVD Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (depunerea
chimic n faz de vapori asistat de plasma la frecven foarte nalta).
10
INTRODUCERE
Actualitatea temei. Creterea n continuu a nivelului de existen al omenirii duce treptat
la epuizarea ntr-un viitor nu foarte ndeprtat a resurselor de energie fosile principale, precum
crbunele, gazele naturale i petrolul. Pe lng aceasta, arderea acestora duce la emisia n
cantiti mari a dioxidului de carbon (CO
2
), gaz incolor cu efect de ser, avnd mari consecine
asupra nclzirii planetare termin denumit de protectorii mediului nclzirea global.
Resursele se diminueaz, iar preurile la petrol anual ating noi i noi recorduri, iar n ultimii 15
ani acesta s-a triplat. Astfel, problema energetic devine una din principalele probleme cu care
societatea actual este constrns a se confrunta. Aceast problem poate fi rezolvat prin
implementarea ct mai larg n economia mondial a surselor regenerabile de energie, i, n
primul rnd a energiei solare, o surs de energie abundent i ecologic pur. Uniunea European
i-a pus ca scop n anul 2020 asigurarea de nu mai puin de 20% din energia consumat din
contul surselor regenerabile de energie. Aceast problem este foarte acut i pentru Republica
Moldova, unde 98% din combustibilul necesar pentru producerea energiei este importat.
Pe parcursul unei ore pe suprafaa Pmntului cade mai mult energie (4,310
20
J) n
form de radiaie solar, dect toat energia (4,110
20
J) consumat pe planet ntr-un an. Dac
120000TW de energie solar, care cade pe suprafaa pmntului, ar fi utilizat de ctre sistemele
fotovoltaice cu eficiena de 10%, situate pe o suprafa, care ocup nu mai mult de 0,16% din
suprafaa total a pmntului, s-ar putea obine 20TW de putere, ce reprezint consumul dublu
anual al globului [1, 2]. Moldova, situat la latitudinea de 46 are anual 2260-2300 ore nsorite i
primete anual 1100-1400kWh pe un metru ptrat de suprafa.
Energia solar poate fi transformat direct n energie electric datorit conversiunii
fotovoltaice realizate cu ajutorul celulelor solare (CS). Primele CS au fost elaborate n 1954 n
baza siliciului [3, 4]. Actualmente are loc o cretere brusc a produciei fotovoltaice, n ultimii
10 ani cu 36% anual, se elaboreaz i se cerceteaz materiale noi semiconductoare solare, dar
siliciul rmne pn azi materialul principal al produciei fotovoltaice. Cu toate c siliciul este un
element foarte rspndit n scoara pmntului, tehnologia de fabricare a CS este destul de
costisitoare i problema principal, care limiteaz folosirea larg a celulelor solare din siliciu n
condiii terestre, este diminuarea costului energiei electrice, generate n urma conversiunii
fotovoltaice. Aceast problem poate fi rezolvat prin elaborarea unor tehnologii noi mai simple
i mai ieftine de fabricare a celulelor solare i micorarea cantitii materialelor semiconductoare
necesare. nlocuirea jonciunii p-n n celulele solare prin structura semiconductor-izolator-
semiconductor (SIS), obinut prin pulverizare pirolitic, permite simplificarea procesului de
fabricare a celulelor i ieftinirea lui n urma diminurii cantitii energiei electrice, cheltuite [5, 6,
11
7]. n calitate de strat frontal n structurile SIS, fabricate n baza siliciului, cele mai potrivite sunt
straturile de oxizi transpareni i conductivi (TCO) [8, 9]. Straturile subiri din aa materiale
semiconductoare cu conductibilitate prin electroni ca oxidul de indiu i staniu In
2
O
3
:Sn (ITO),
dioxidul de staniu dopat cu fluor sau stibiu (FTO, ATO), oxidul de zinc dopat cu aluminiu sau
galiu (AZO, GZO) pe larg se utilizeaz ca elemente transparente active sau pasive n
dispozitivele menionate.
Cercetarea straturilor subiri nominalizate se efectueaz n dou direcii principale:
elaborarea procedeelor simple i puin costisitoare de obinere a straturilor subiri TCO,
dar care asigur parametri optimali ai acestora;
cercetarea utilizrii straturilor subiri TCO n diverse ramuri ale industriei.
Fotovoltaica n straturi subiri prezint un alt potenial de reducere a costurilor de
fabricare a modulelor solare, mulumit cantitii mici a materialului utilizat: straturile
absorbante prezint grosimi de civa micrometrii sau chiar mai puin de un micrometru, cum n
cazul siliciului amorf. Procesele de fabricare a modulelor n baza straturilor subiri sunt procese
de consum mic de energie. Din aceast cauz timpul pentru restituirea energiei cheltuite la
fabricarea unui modul fotovoltaic, care actual este de circa 1,5 ani n Europa centrala i un an n
Europa de sud, ar putea ajunge pn la cteva luni n viitorul apropiat. Actualmente se realizeaz
producerea modulelor fotovoltaice n baza straturilor subiri din siliciu amorf. Pe lng aspectele
pozitive, structurile solare n baza siliciului cu straturi subiri amorfe posed i careva neajunsuri,
precum degradarea eficienii celulelor pn la 25 la sut din valoarea iniial, cauzat de efectul
Staebler-Wronski. ns acest neajuns poate fi nlturat prin utilizarea structurilor microamorfe
care au o perspectiv de utilizare larg, deoarece sunt mai stabile.
Cele expuse mai sus demonstreaz elocvent actualitatea prezentei teme de cercetare.
Descrierea situaiei n domeniul de cercetare i identificarea problemelor de
cercetare. Cum deja a fost menionat, problema micorrii costului energiei electrice, furnizate
de CS, poate fi rezolvat prin elaborarea structurilor SIS, utiliznd siliciul ca material absorbant
i straturile SnO
2
sau ITO ca strat ce formeaz jonciunea. Rezultatele investigaiilor CS n baza
diferitor structuri SIS demonstreaz c depunerea straturilor ITO prin pulverizare pirolitic pe
suprafaa diferitor materiale semiconductoare (Si, InP, CdTe, GaAs ) permite fabricarea CS
printr-un procedeu simplu i puin costisitor. Cele mai eficiente sunt CS ITO/InP [10], dar,
innd seama de costul foarte nalt al cristalelor InP, aceste CS nu pot fi utilizate pe larg n
condiii terestre. Pentru aceasta pot fi folosite CS ITO/Si care asigur un randament mai mare de
10%, dar toate cercetrile efectuate anterior au fost obinute pe CS cu suprafaa activ nu mai
12
mare de civa cm
2
. De aceea este necesar de elaborat o tehnologie de obinere a acestor CS cu
suprafaa activ majorat ca n cazul CS cu jonciunea p-n n baza Si.
Celulele solare bilaterale sunt dispozitive semiconductoare de perspectiv, fiindc sunt
capabile de a transforma n energie electric a radiaiei solare incidente pe ambele pri ale
celulei, ce permite majorarea eficienei acestora. Au fost elaborate i cercetate diferite
configuraii ale celulelor solare bilaterale, construciile crora n dependen de tipul i de
numrul jonciunilor pot fi divizate n urmtoarele grupuri [11]:
a) structura cu dou jonciuni anizotipe p-n;
b) structura cu o jonciune anizotip p-n i o jonciune izotip n-n
+
sau p-p
+
;
c) structura cu o jonciune anizotip p-n;
Fiecare din structurile enumerate are neajunsurile sale. Astfel, celulele solare bilaterale cu
construcia de primul tip nu sunt favorabile n utilizarea lor practic, deoarece energiile generate
de fiecare jonciune nu se totalizeaz i la ieire se obine diferena lor. Construcia celulelor
solare bilaterale de tipul doi este complicat, iar celulele solare bilaterale de tipul trei nu asigur
o eficien suficient la iluminarea prii din spate a acestora. Jonciunile menionate n
majoritatea cazurilor sunt obinute prin difuzia impuritilor n placheta de siliciu. n cazul
formrii simultane a jonciunilor izotipe i anizotipe a celulelor solare bilaterale n placheta de Si
n acelai timp are loc difuzia impuritilor diferite (fosfor i bor), care acioneaz n mod contrar
asupra proprietilor siliciului. Faptul acesta determin neajunsurile principale ale procedeului de
obinere al celulei solare bilaterale propuse, care pot fi nlturate prin elaborarea structurilor noi,
de exemplu, a CS bilaterale numai cu jonciuni izotipe.
Rezultatele mai relevante n privina structurilor microamorfe au fost obinute in Japonia
[12], unde au fost elaborate CS tandem cu eficiena de 12,88% i fabricat o serie pilot de 266
module cu eficiena medie de 11,2%. n Germania pentru a elabora module de suprafaa 1m
2
au
fost obinute CS din Si:H i cSi:H cu eficiena de 11,2% i 7,2% respectiv [13].
Rezultatele prezentate demonstreaz c CS microamorfe au o mare perspectiv de
utilizare, deoarece ntrunesc avantajele siliciului amorf cu stabilitatea i sensibilitatea ridicat n
regiunea undelor lungi ai spectrului radiaiei solare a siliciului microcristalin. ns, proprietile
siliciului microcristalin depind n mare msur de condiiile de depunere a acestuia. Din aceste
considerente sunt necesare investigaii suplimentare.
Scopul i obiectivele lucrrii. Reieind din situaia n domeniul de cercetare i innd
cont de faptul, c pn n momentul de fa siliciul rmne cel mai utilizat material pentru
fabricarea convertoarelor fotovoltaice, lucrarea n realizare prevede:
13
Elaborarea unei tehnologii simple i puin costisitoare de fabricare a celulelor solare de uz
practic cu suprafee active majorate n baza structurilor de tip SIS nSi/SiO
2
/n
+
ITO, studiul
i optimizarea parametrilor acestora, demonstrarea viabilitii tehnologiei prin fabricarea
panourilor solare de divers putere electric.
Elaborarea unui nou tip de CS bilaterale, structura crora conine numai jonciuni izotipe
n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO i a traseului tehnologic de preparare, studiul proprietilor electrice i
fotovoltaice ale acestora.
Elaborarea noilor regimuri de cretere a CS tandem microamorfe stabile cu eficien
majorat n baza straturilor subiri de Si.
Obiectul cercetrii l constituie structurile nSi/SiO
2
/n
+
ITO, n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO,
SnO
2
/p
+
-Si:H/i-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al, SnO
2
/ZnO/p
+
c-Si:H/ic-Si:H/n
+
c-
Si:H/ZnO/Ag:Al i structura integr tandem microamorf SnO
2
/p
+
-Si:H/i-Si:H/n
+
c-
Si:H/p
+
c-Si:H/ic-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al. Obiectele de studiu enumerate, fiind structuri cu
doparea asimetric, n care componenta cu banda interzis mai larg are conductibilitate
metalic, pot fi asimilate cu structurile metal-semiconductor (MS) sau metal-izolator-
semiconductor (MIS) i, deci, procesele fizice, ce au loc n structurile indicate, pot fi destul de
reuit descrise prin metodele teoretice bine dezvoltate i verificate ale contactului metal-
semiconductor.
Metodologia cercetrii tiinifice. Pentru efectuarea investigaiilor au fost utilizate
metode clasice de cercetare n domeniul fotovoltaic recunoscute i folosite n centrele
specializate n domeniul menionat.
Scopul formulat a fost atins prin efectuarea urmtoarelor lucrri:
asamblarea instalaiei de obinere a straturilor subiri TCO pe substraturi cu diametrul de
pn la 100mm;
elaborarea procedeelor de realizare a structurilor SIS ITO/Si cu suprafee active majorate;
modelarea diagramei energetice i a designului structurii bilaterale izotipe
n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO, n care are loc sumarea curenilor generai de ambele jonciuni;
elaborarea procedeelor de realizare a structurilor bilaterale n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO;
optimizarea regimurilor de cretere a straturilor componente ale structurilor p-i-n amorfe
SnO
2
/p
+
-Si:H/i-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al i p-i-n microcristaline SnO
2
/ZnO/p
+
c-
Si:H/ic-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al;
optimizarea regimurilor de cretere a structurilor tandem microamorfe SnO
2
/p
+
-Si:H/i-
Si:H/n
+
c-Si:H/p
+
c-Si:H/ic-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al;
14
cercetarea proprietilor electrice i fotovoltaice ale structurilor realizate i determinarea
corelaiei dintre condiiile tehnologice de obinere i proprietile studiate;
cercetarea posibilitilor de aplicare practic a obiectelor de studiu realizate;
Noutatea i originalitatea tiinific const n:
identificarea modalitilor tehnologice de obinere a structurilor fotovoltaice ITO/SiO
2
/nSi
cu suprafee active majorate;
atingerea n premier prin stabilirea succesiunii aciunilor de optimizare a parametrilor
elementelor fotovoltaice ITO/SiO
2
/nSi cu suprafaa activ de 8,1cm
2
a valorii eficienii de
10,25%;
elucidarea proceselor fizice i elaborarea n premier (brevet MD N3737) a celulei solare
bilaterale de tip nou, format din jonciuni izotipe ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si;
obinerea i demonstrarea n premier a celulei solare bilaterale ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si cu
eficien de 15,7%;
studiul n premier a dependenei proprietilor structurilor fotovoltaice microcristaline
SnO
2
/ZnO/p
+
c-Si:H/ic-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al de rata de dopare a stratului p
+
c-
Si:H i de concentraia hidrogenului n camera de obinere a structurilor;
utilizarea n structurile fotovoltaice amorfe SnO
2
/p
+
-Si:H/i-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al
i microcristaline SnO
2
/ZnO/p
+
c-Si:H/ic-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al a stratului
absorbant i, obinut prin metoda VHF-PECVD (Very High Frequency Plasma Enhanced
Chemical Vapour Deposition) la frecven de 100MHz;
utilizarea temperaturilor mici de depunere (150C) la obinerea structurilor tandem
microamorfe SnO
2
/p
+
-Si:H/i-Si:H/n
+
c-Si:H/p
+
c-Si:H/ic-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al;
stabilirea particularitilor mecanismelor de transport a purttorilor de sarcin prin
obiectele de studiu, cercetate la aplicarea cmpului electric i iluminare.
Semnificaia teoretic i valoarea aplicativ a tezei
Modelarea designului structurii CS bilaterale n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si n baza jonciunilor
izotipe, cu capacitate de sumare a curenilor generai.
Elaborarea n premier (brevet de invenie MD N3737) a procedeului de fabricare a celulei
solare bilaterale n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si, obinerea acesteia i demonstrarea funcionrii n
condiiile simulatorului radiaiei solare, care asigur iradiere concomitent a ambelor
suprafee active.
15
Elaborarea n premier a instalaiei de obinere a structurilor fotovoltaice n
+
ITO/SiO
2
/nSi
n baza plachetelor de siliciu standarde (C100mm) prin metoda de pulverizare a soluiilor
chimice.
Elaborarea traseului tehnologic i a fielor tehnologice de obinere a jonciunilor
n
+
ITO/SiO
2
/nSi.
Fabricarea n baza tehnologiei elaborate a celulelor solare unipolare cu randament pn la
10,25% i a celulelor solare bilaterale de eficien pn la 15,7%.
Asamblarea n baza celulelor solare fabricate a panourilor solare de putere pn la 30W i
demonstrarea prin ncercri tehnice a viabilitii tehnologiei elaborate.
Fabricarea in baza tehnologiei VHF-PECVD a dispozitivelor fotovoltaice n straturi subiri
de siliciu amorf de putere pn la 1W pentru o suprafa de 100cm
2
.
Rezultatele tiinifice principale naintate spre susinere:
1. Procedeul de fabricare a convertoarelor fotovoltaice de uz practic n baza straturilor subiri
In
2
O
3
:Sn i a plachetelor de Si, jonciunea fiind format prin pulverizarea soluiilor chimice a
clorurilor de indiu i staniu pe suprafaa plachetelor de siliciu decapate chimic tradiional,
pasivate prin tratate n soluia HF:HNO
3
:1% Na
2
Cr
2
O
7
i nclzite pn la temperatura
450C;
2. eficiena convertoarelor fotovoltaice n
+
ITO/SiO
2
/nSi de 10,25%, obinut n condiiile
orientrii cristalografice a suprafeei plachetei de siliciu (100), grosimii stratului ITO
0,3m, grosimii stratului SiO
2
30 i concentraiei purttorilor de sarcin (electronilor) n
siliciu de (1-5)10
15
cm
-3
;
3. procedeul de fabricare a convertorului fotovoltaic bilateral, structura cruia conine numai
jonciuni izotipe n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si;
4. modificarea siturii jonciunii din spate nSi/n
+
Si a elementului fotovoltaic bilateral
n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si prin varierea duratei timpului de difuzie a fosforului n placheta de
siliciu puternic influeneaz asupra parametrilor fotovoltaici i nu influeneaz asupra
mecanismului de transport a curentului prin obiectul de studiu;
5. eficiena structurilor p-i-n amorfe de 10,31%, obinut la valoarea benzii interzise a stratului
p, apropiat de 1,98eV prin reducerea ratei de dopare pn la valoarea amestecului gazos
| |
| | | |
4 6 2
6 2
SiH H B
H B
+
=0,25%, i la grosimea stratului absorbant i de 360nm;
6. eficiena stabil a structurilor tandem microamorfe de 11,1% asigurat prin obinerea
stratului absorbant al jonciunii microcristaline la valoarea concentraiei silanului SC=6,1%,
16
fraciei fazei cristaline
c
=45% i la meninerea raportului ntre puterea electric aplicat i
presiunii n reactorul de depunere de 0,3W/Pa.
Aprobarea rezultatelor tiinifice. Rezultatele principale ale tezei au fost aprobate prin
obinerea brevetului de invenie (MD 3737) i prezentrile la urmtoarele Conferine
internaionale i naionale:
- The 20th, Barcelona, Spain, 2005; 22nd, Milan, Italy, 2007; 23rd, Valencia, Spain, 2008;
24th, Hamburg, Germany, 2009; 25th, Valencia, Spain, 2010 European Photovoltaic
Solar Energy Conferences and Exhibitions
- 2nd, 2004; 4th, 2008; 5th, 2010, Chiinu, Moldova, International Conferences on
Materials Science and Condensed Matter Physics
- The E-MRS Spring Meetings, Strasbourg, France, 2008, 2009, 2010
- First Mediterranean Photonics Conference, Ischia (Napoli), Italy, 2008
- The 3rd International Conference on Electrical and Control Technologies, Kaunas,
Lithuania, 8-9 May 2008.
- The Second Renewable Energy Conference, Erevan, Armeni, 2005
- Conferina Energetica Moldovei-2005, Chiinu, Moldova, 2005
- Conferina Fizicienilor din Moldova, Chiinu, Moldova, 2005
- Forumul internaional Anul Fizicii la Universitatea din Moscova, Moscova, Rusia,
2005
- 4th International Conference Microelectronics and Computer Science, Chiinu,
Moldova, 2005
- 4-th International Conference on Physics of Advanced Materials. Iai, Romnia, 2004.
Publicaii la tema tezei. Rezultatele principale ale tezei sunt publicate n 31 lucrri
tiinifice i un brevet de invenie.
Volumul i structura tezei. Teza const din introducere, cinci capitole, concluzii
generale i bibliografie. Teza conine 173 pagini text, 83 figuri, 21 tabele, asigurarea
bibliografica const din 124 de denumiri.
Cuvinte-cheie: dispozitive fotovoltaice, celul solar, celul solar bilateral, panou
solar, MIS, SIS, TSO, ITO, ITO/Si, pulverizare, jonciune, VHF-PECVD, eficien, parametri
fotovoltaici.
Sumarul compartimentelor tezei:
n Introducere este descris actualitatea i importana problemei abordate, este formulat
scopul i obiectivele tezei naintate spre susinere. Este prezentat noutatea tiinific a
17
rezultatelor obinute, importana teoretic i valoarea aplicativ a lucrrii. Sunt prezentate date
despre aprobarea rezultatelor lucrrii i sumarul compartimentelor tezei.
Capitolul nti conine o sintez a rezultatelor expuse n literatura de specialitate privind
dezvoltarea CS n baza siliciului. O analiz ampl i bine documentat a permis de a constata c
pn n ziua de azi siliciul rmne materialul de baz pentru fabricarea celulelor i panourilor
solare. n baza analizei rezultatelor cercetrii metodelor de obinere i a proprietilor celulelor
solare, fabricate din siliciu, au fost justificate i formulate obiectivele prezentei lucrri.
n Capitolul doi sunt prezentate descrierile instalaiilor de fabricare a elementelor
fotovoltaice nSi/SiO
2
/n
+
ITO i a structurilor tandem microamorfe n baza straturilor subiri de
siliciu amorf i microcristalin. Sunt descrise instalaiile ce au fost folosite pentru efectuarea
msurrilor necesare i pentru determinarea parametrilor ce caracterizeaz celulele solare,
precum: instalaia de msurare a transparenei i reflexiei; instalaia de msurare a structurii
materialelor prin spectrometria Raman; instalaia de msurare a caracteristicilor curent-tensiune
n condiii de ntuneric i la iluminarea standard AM1,5 prin utilizarea simulatoarelor a radiaiei
solare STV-1000, fabricat n Rusia, i Spectrolab X25 de origine german; instalaia de msurare
a distribuiei spectrale a sensibilitii i a eficienii cuantice interne a dispozitivelor fotovoltaice.
n Capitolul trei este descris procedeul de obinere a structurilor fotovoltaice
ITO/SiO
2
/nSi n baza plachetelor de siliciu cu diametrul de 100mm, jonciunea fiind format prin
pulverizarea soluiilor etilice a clorurilor de indiu i staniu pe suprafaa plachetelor de siliciu
preventiv tratate chimic i nclzite pn la 450C. S-a cercetat dependena parametrilor
fotovoltaici ai celulelor solare de valoarea conductibilitii plachetelor de siliciu, de valorile
grosimii i conductibilitii stratului frontal de ITO i de starea interfeei ITO/nSi. Optimizarea
tehnologiei de obinere a celulelor solare n baza jonciunilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi a condus la
majorarea eficienei acestora pn la 10,25%. Tot odat, viabilitatea tehnologiei elaborate a fost
demonstrat prin fabricarea n condiii de laborator a seriei mici de elemente fotovoltaice i
asamblarea n baza lor a panourilor solare de o putere de pn la 36W, msurat n condiiile
iluminrii naturale care varia intre 700-740W/m
2
.
n Capitolul patru este elaborat concepia CS bilaterale cu jonciuni izotipe, modelat i
evaluat diagrama energetic a celulei solare de acest tip n
+
Si/nSi/n
+
ITO, preparate
componentele i sistemul fotovoltaic integru menionat, studiate proprietile electrice i
fotoelectrice, demonstrat viabilitatea unui nou tip de elemente fotovoltaice cu fotosensibilitate
bilateral, bazate pe jonciuni izotipe. Este descris succesiunea operaiunilor tehnologice pentru
obinerea celulelor solare bilaterale n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si de tip nou cu jonciuni izotipe.
18
n Capitolul cinci este descris principiul de realizare i rezultatele cercetrii structurilor
solare tandem n baza jonciunilor p-i-n amorfe i microcristaline, care au fost obinute folosind
metodele depunerea chimica in faza de vapori asistata de plasma (PECVD) i VHF PECVD. CS
tandem microamorfe constau din o structur p-i-n amorf i o structura p-i-n microcristalin. n
particolar, pentru structurile respective sunt presentate rezultatele cercetrilor efectuate n doua
direcii, i anume: studiul stratului dopat p i a stratului absorbant i. Rezultatele obinute au
permis, realizarea, primelor panouri solare proprii n baza structurilor tandem microamorfe de
mrimea 1010cm
2
.
19
1. REVISTA PUBLICAIILOR CURENTE PRIVIND CELULELE SOLARE IN BAZA
SILICIULUI

1.1. Sursele renovabile. Conversiunea fotovoltaic
Dezvoltarea vertiginoas industrial din ultimul timp i creterea populaiei globului
pmntesc pn la 8 miliarde n anul 2020 necesit mrirea energiei consumate. Rezervele
surselor tradiionale principale de energie, petrolul i gazul, pot fi epuizate n secolul XXI. n
acelai timp utilizarea acestor surse de energie are un impact negativ asupra mediului ambiant,
duce la schimbarea climei datorit aa numitului efect de ser, cauzat de acumularea n
atmosfer a bioxidului de carbon i altor gaze nocive. Aceast problem, poate fi rezolvat
numai prin folosirea ct mai larg a surselor netradiionale regenerabile de energie, soarele,
vntul, biocombustibilul .a. Reieind din cele spuse mai sus Uniunea European i-a pus ca scop
n anul 2020 asigurarea de nu mai puin de 20% din energia consumat din contul surselor
regenerabile de energie. Aceast problem este foarte acut i pentru Republica Moldova, unde
98% din combustibilul necesar este importat.
Printre sursele regenerabile de energie un loc de frunte -l ocup soarele. Planeta noastr
primete n mediu 1014kW pe or de energie solar gratuit. Conversia numai a unei miimi pri
din aceast energie ar putea asigura fiecare locuitor al pmntului cu energie electric de 10KW,
ce reprezint azi consumul respectiv n SUA, cea mai dezvoltat ar din punct de vedere
industrial. Republica Moldova, situat la latitudinea de 460 are anual 2960-2300 ore nsorite i
primete anual 1100-1400kW ore pe un metru ptrat de suprafa.
Energia solar poate fi transformat n cldur ori direct n energie electric , datorit
efectului fotovoltaic, descoperit de Henry Bequerel nc n anul 1839 [14], dar n anii urmtori
acest efect a fost folosit numai pentru fabricarea sensorilor radiaiei optice. Aa, de exemplu n
1876 Adams i Day au elaborat primul fotodetector n baza corpului solid, utiliznd selenul ca
material de baz [15]. Mai trziu a fost stabilit, c n acest caz de fapt a fost fabricat prima
heterojonciune fotosensibil CdSe-Se, n care CdSe se forma datorit difuzei Cd din materialul
de contact.
Primele celule solare, au fost fabricate n baza siliciului n SUA la Bell Laboratories
(Figura 1.1). n 1941 CS au fost obinute n baza jonciunilor p-n, care se formau spontan n
lingouri policristaline de Si n timpul recristalizrii lor [16]. Bineneles, c acest proces era
necontrolabil i nu putea fi aplicat n tiin ori tehnic. n 1952 au fost elaborate CS n care
jonciunea se forma dirijat prin bombardamentul ionilor de He [17]. randamentul lor era de 1%.
Primele CS generatoare de energie electric cu suprafaa activ de civa cm
2
i randamentul de
20
6% au fost fabricate n 1954. Este interesant s notm c aceast elaborare a fost realizat de o
echip interdisciplinar, inginerul D. Chapin; chimistul C. Fuller i fizicianul G. Pearson.
Materialul de baz a fost nSi dopat cu As, n care se forma stratul superficial nSi prin difuzia B
[18].


Fig.1.1. Primele celule solare n baza siliciului [18]: a) 1941; b) 1952; c) 1954.

Pn n ziua de azi siliciul rmne materialul de baz pentru fabricarea celulelor i
panourilor solare, fiindc n cea mai mare parte corespunde criteriilor adresate materialelor
pentru fabricarea CS, care sunt urmtoarele:
1. Valoarea benzii energetice interzise ntre 1,1 i 1,7eV
2. Tranziii optice directe
3. Nu trebuie s fie toxice
4. Tehnologia dezvoltat de obinere
5. Asigurarea parametrilor fotovoltaici nali
6. Stabilitatea parametrilor
Afar de punctul 2 siliciul corespunde aproape ideal acestor criterii i aproape 90% din
producia fotovoltaic mondial este bazat pe siliciu i nu se prevede o schimbare radical n
aceast repartizare a materialelor fotovoltaice, cu toate c lucrrile de cercetare-dezvoltare n
cutarea materialelor noi fotovoltaice se duc foarte intens.

21
1.2. Dezvoltarea celulelor solare n baza siliciului
O analiz ampl i bine documentat a istoriei dezvoltrii celulelor solare n baza
siliciului se conine n monografia [19] comunicarea [20]. Peste 2 ani dup crearea CS
menionate mai sus, randamentul CS n baza siliciului crete pn la 10%, iar n 1960 pn la
14% [21], datorit contactului frontal n form de gril (Figura 1.2a), care, cu modificaii
nensemnate, se folosete pn azi. Astfel n 6 ani eficiena acestor CS s-a mrit de 2,5 ori, ce a
permis utilizarea lor n spaiu i destul de larg i n condiii terestre. Toate aceste celule aveau
cea mai simpl construcie cu o singur jonciune p-n, suprafaa lor activ nu depea civa cm
ptrai.
Criza petrolier din anul 1972 adus la o intensificare brusc a cercetrilor i a
modernizrii construciei CS. A fost propus i realizat construcia CS cu o jonciune izotip
suplimentar p-p
+
pe lng contactul din spate, ce duce la crearea unui cmp electric (BSF-back
surface field) [22]. Acest cmp electric nlesnete extragerea n circuitul exterior al purttorilor
majoritari, n timp ce purttorii minoritari sunt deplasai din regiunea contactului din spate n
volumul CS. Ca rezultat se micoreaz recombinarea la suprafa i crete randamentul.
Construcia CS cu BSF este reprezentat n Figura1.2 (b).

Fig.1.2. Dezvoltarea celulelor solare n baza siliciului.

22
Alte etape importante n dezvoltarea celulelor solare n baza siliciului au fost texturizarea
suprafeei celulei pentru micorarea refleciei luminii [23], (Figura1.2 (c)), depunerea contactelor
prin metoda screen printing i pasivarea suprafeei.
Aceste procedee tehnologice au adus la majorarea randamentlui CS de siliciu n timp de
25 ani pn la 17,5%, ns toate datele de mai sus se refer, dup cum am mai menionat, la CS
cu suprafee active de uniti de cm ptrai. Au fost necesare lucrri de cercetare-dezvoltare nc
timp de 30 ani pentru a obine valorile randamentului de 15-17% n cazul CS contemporane cu
suprafaa majorat pn la 40-50cm
2
.
Din cele spuse mai sus se vede, c majorarea eficienei CS este legat cu mrirea
numrului de trepte ale procesului tehnologic de fabricare. Acest proces devine mai complicat,
necesit mai mult energie i, prin urmare, devine mai scump, iar costul ridicat al energiei
electrice, furnizate de conversia fotovoltaic a energiei solare este punctul cel mai vulnerabil n
folosirea larg terestr a CS.
Pe de alt parte, inima acestor celule solare este jonciunea p-n, obinerea creia prin
procesul de difuzie necesit temperaturi nalte pn la 1300C, adic mari cheltuieli de energie.
Deaceia au fost ntreprinse ncercri de a nlocui jonciunea p-n prin alte structuri cu barier de
potenial, necesar pentru separarea purttorilor de neechilibru, generai de radiaia solar
absorbit. Astfel de structuri pot fi dioadele Schottky i structurile MIS, dar n acest caz apare o
alt problem - straturile de metal nu sunt transparente pentru radiaia solar, care, n cea mai
mare parte este reflectat de suprafaa metalului. Totui straturile foarte subiri de metal sunt
parial transpareni, ns aplicaia lor n diodele Schottky i structurile MIS rmn imposibile,
fiindc n acest caz brusc crete rezistena lor.
Rezolvarea acestei probleme a venit cu nlocuirea metalului prin oxizi transpareni
conductivi (TCOtransparent conductive oxides) i formarea structurilor SIS. Reieind din
cerinele prezentate materialelor TCO ele trebuie s aibe banda energetic interzis de ordinul
3eV i s fie puternic dopai pn la degenerarea gazului electronic. Aceste materiale vor fi
examinate n paragraful urmtor.

1.3. Straturile TCO
Straturile subiri cu transparena optic i conductivitatea electric nalte TCO, datorit
proprietilor lor foarte interesante, au atras de mult timp atenia cercettorilor i inginerilor i,
prin urmare, au gsit multe domenii de aplicaie n tiin i tehnic. Aceste materiale pot servi n
calitate de excelente straturi transparente de protecie i ca electrozi n studii spectroscopice.
Proprietatea lor de a reflecta razele infra roii se folosete pe larg la fabricarea ferestrelor pentru
23
economisirea energiei termice. Trecerea curentului electric prin aceste straturi se utilizeaz la
dezghearea ferestrelor diferitor mijloace de transport, la disiparea electricitii statice n multe
dispozitive. O aplicaie larg straturile TCO au gsit i n dispozitivele optoelectronice i
fotovoltaice [8].
Straturile TCO au fost obinute, folosind un ir larg de materiale oxizi de staniu, indiu,
zinc, cadmiu i alte metale. La fabricarea celulelor solare cele mai utilizate sunt oxizii de staniu,
indiu si amestecul lor numit ITO (indium tin oxide).
Straturile subiri ITO au fost depuse pe suprafaa diferitor materiale solare pentru a obine
structurile SIS i CS n baza acestora [5-7]. Conductivitatea electric nalt a straturilor ITO din
care se formeaz electrodul frontal al celulei asigur colectarea purttorilor de sarcin, generai
de radiaia solar, indicele de refracie a acestor straturi permite folosirea lor n calitate de strat
antireflectant, dar rolul lor principal este formarea barierei de potenial al structurii SIS.
Exist diferite metode de depunere a straturilor TCO: dispersarea magnetronic,
pulverizarea pirolitic, depunere chimic prin vapori (CVD), fiecare din aceste metode avnd
multe variante [24-26]. Cea mai simpl i mai ieftin este pulverizarea pirolitic, celelalte
metode ca dispersarea magnetronic, pulverizarea pirolitic, CVD cer reactori sofisticai i
instalaii scumpe cu vid.
Pentru diferite aplicaii a straturilor TCO n practic, afar de metoda de obinere, este
nevoie de luat n consideraie proprietile lor electrice, optice, mecanice , precum i stabilitatea
lor chimic, dintre care cele mai importante sunt conductibilitatea electric i transparena
optic T. n cazul ideal sunt necesare valorile maximale ale acestor parametri, ns n realitate
majorarea unuia din aceti parametri duce la micorarea altuia, i, prin urmare este necesar
gsirea soluiei optimale, adic obinerea condiiilor simultane a valorilor maximale posibile a
conductibilitii i a transparenei. De aceia, pentru a putea compara performanele diferitor
straturi TCO, n lucrarea [27] a fost propus un parametru, numit factorul de calitate Q a
materialului respectiv, n conformitate cu formula (1)
S
R T Q = (1.1)
unde R
s
este rezistena superficial n Ohmi pe ptrat, egal cu
d
R
S

=
o
1
(1.2)
iar d grosimea stratului de oxid n centimetri. Este tiut, c
24
) exp(
0
d I I T o = = (1.3)
unde este coeficientul de absorbie, msurat n cm
-1
. Atunci factorul de calitate Q poate fi
exprimat prin expresia:
) exp( d d Q o o = (1.4)
Valorile factorului de calitate Q, calculat dup expresiile (1.1) (1.4) pentru cele mai des
folosite materiale TCO sunt: SnO
2
85, ITO 270, Cd
2
SnO
4
350.
n lucrarea [28] au fost discutate criteriile necesare pentru diferite aplicaii a straturilor
TCO i propus o alt definiie pentru factorul de calitate Q, care prezint raportul dintre
conductivitatea electric ctre coeficientul de absorbie al stratului respectiv.
( ) | | R T R Q
S
+ = = ln o o (1.5)
unde T i R sunt respectiv transmisia i reflecia totale n domeniul vizibil al spectrului solar.
n Tabelul 1.1 sunt prezentate valorile factorului de calitate, determinat n conformitate
cu formula (1.5) pentru diferite straturi TCO, care permite o clasificare a acestor materiale [28].

Tabelul 1.1. Valorile factorului de calitate Q pentru diferite materiale TCO
Material R
s
(/) (cm
-1
) Q (
-1
)
ZnO:F 5 0.03 7
Cd
2
SnO
4
7.2 0.02 7
ZnO:Al 3.8 0.05 5
In
2
0
3
:Sn 6 0.04 4
SnO
2
:F 8 0.04 3
ZnO:Ga 3 0.12 3
ZnO:B 8 0.06 2
SnO
2
:Sb 20 0.12 0.4
ZnO:In 20 0.20 0.2

Din acest tabel se vede, c rezultatele cele mai bune au fost obinute pentru ZnO dopat cu
fluor i Al, Cd
2
SnO
4
i ITO, dar trebuie s menionm, c numai straturile ITO pot fi obinute
prin pulverizare la temperaturi joase pe suprafee mari. Aceiai concluzie se poate face i din
datele din lucrarea [27].
Limita de sus teoretic pentru factorul de calitate / a fost estimat din teoria
transportului electronilor n metale [29] i se exprim prin formula:
25
( )
2 2
2
* 3
0
2
4

= e m n c c t o o (1.6)
unde
0
este permitivitatea vidului, c viteza luminii n vid, n indicele de refracie, m* masa
efectiv a electronilor, mobilitatea, lungimea de und n domeniul vizibil, e sarcina
electronului.
n cazul majoritii straturilor TCO indicele de refracie e aproape de 2, pentru ZnO,
SnO
4
i ITO m*=0,3m, unde m este masa electronului liber. De aici se vede, c factorul de
calitate depinde de mobilitatea electronilor i nu depinde direct de concentraia lor, dar
concentraia electronilor determin mecanismul de mprtiere. n SnO
2
i ITO la concentraii
mici are loc mprtierea prin fononi i mobilitatea e 250cm
2
V
-1
s
-1
, dar n cele mai multe cazuri
se folosesc straturi puternic dopate cu concentraia mai mare de 10
20
cm
-3
, pentru care mobilitatea
nu depete 50cm
2
V
-1
s
-1
i este determinat de mprtierea prin ioni i de graniele cristalitelor
n straturi policristaline.
Informaia despre lucrul de ieire a unor straturi TCO este prezentat n Tabelul 1.2 [28].

Tabelul 1.2. Lucrul de eire a unor materiale TCO
Material Concentraia electronilor
(cm
-3
)
Lucrul de eire
(eV)
ZnO:F 210
20
4.2
ZnO 710
19
4.5
ln
2
O
3
:Sn 410
20
4,8
SnO
2
:F 610
19
4,9

n Tabelul 1.3 sunt prezentate proprietile prioritare ale straturilor TCO, care determin
aplicaia lor n diferite domenii [28].

Tabelul 1.3. Criteriile de selecie a TCO
Proprietile Materialul
Transparena maximal ZnO:F, Cd
2
SnO
4

Conductibilitatea maximal ln
2
O
3
:Sn
Lucrul de ieire maximal, contact optimal pentru p-Si SnO
2
:F, ZnSnO
3

Lucrul de ieire minimal, contact optimal pentru n-Si ZnO:F
Stabilitatea termic optimal SnO
2
:F, TiN, Cd
2
SnO
4

Durabilitatea mecanic optimal TiN, SnO
2
:F
Rezistena chimic optimal SnO
2
:F
Corodare uoar ZnO:F, TiN
Temperatura de depunere minimal ln
2
O
3
:Sn, ZnO:B, Ag
Toxivitatea minimal ZnO:F, SnO
2
:F
Costul minimal SnO
2
:F
26
Examinarea datelor din aceste tabele permite s facem concluzia, c cele mai potrivite
straturi TCO pentru fabricarea structurilor SIS i a CS n baza lor sunt straturile SnO
2
i ITO. Ele
posed unul din cei mai nali factori de calitate, cea mai mare conductibilitate electric, pot fi
cptate prin cea mai simpl metod de pulverizare pirolitic la temperaturi relativ joase.
Pe de alt parte cea mai mare valoare a factorului de calitate -l au straturile ZnO, ele sunt
i cele mai transparente, Reeind din cele spuse vom examina mai detaliat metodele de obinere
i proprietile straturilor SnO
2
, ITO i ZnO.

1.4. Straturile ITO i ZnO
1.4.1. Straturile ITO
Straturile ITO, afar de aplicaiile tradiionale a straturilor TCO, ca, de exemplu
dezghearea ferestrelor vehiculelor, n calitate de straturi antireflectante, electrozi transpareni
pentru diferite dispozitive, n ultimul timp sunt pe larg folosite n aa dispozitive moderne ca CS,
fotodioade i fototranzistori, laseri, ecranele televizoarelor LCD .a., adic se poate de spus, c
au devenit o parte integral important a electronicii i optoelectronicii.
ITO se formeaz prin doparea reelei cubice In
2
O
3
cu atomi de Sn, care substitue n reea
ionii de In. Straturile ITO posed structura cubic cu parametrul reelei de 10,12 10,31 [30].
n dependen de valena +2 ori +4 atomii interstiiali de Sn formeaz oxizii SnO ori SnO
2
.
Cantitatea lor relativ determin conductibilitatea straturilor ITO. SnO reduce concentraia
electronilor acionnd ca un gol, pe cnd excesul de SnO
2
acioneaz n calitate de donor, mrind
concentraia electronilor pn la degenerarea gazului electronic, concentraia critic fiind
2,310
19
cm
-3
[38]. n lucrarea [39] a fost detaliat studiat mecanismul de mprtiere al
electronilor pe oscilaiile reelei,impuritile ionizate i neutre, pe graniele cristalitelor. Structura
energetic se caracterizeaz prin tranziii optice directe, lrgimea benzii interzise fiind 3,75eV,
dar n diferite surse se menioneaz valori de la 3,5eV pn la 4,06eV [33]. Structura energetic a
straturilor ITO este prezentat n Figura 1.3 [31], iar valoarea indicelui de refracie este 1,96
[34].
n Tabelul 1.4 sunt prezentate proprietile straturilor ITO, obinute prin diferite metode.
n straturile ITO a fost observat efectul Burstein-Moss [31, 32], care este parial compensat prin
micorarea lrgimii benzii interzise datorit degenerrii gazului electronic.
n Tabelul 1.4 sunt artate cele mai rspndite metode de depunere a straturilor ITO:
dispersarea catodic la frecvene nalte, magnetronic i la curent continuu, dispersarea cu
ajutorul fascicolului de ioni i pulverizarea pirolitic. Aceasta din urm nu necesit instalaii cu
vid, tensiuni i temperaturi nalte i asigur productivitate destul de mare, mai mult de 1000 pe
27
secund. Alegerea metodei de depoziie a straturilor ITO depinde de muli factori, printre care
viteza de epoziie, omogenitatea straturilor, reproductibilitatea, costul procesului de depunere .a.
Toate aceste cerine sunt asigurate de pulverizarea pirolitic, deaceia i vom acorda mai mult
atenie.
Tabelul 1.4. Proprietile ale straturilor ITO obinute prin diferite metode
Metoda de
depunere
Grosimea
()
Mobilitatea
(cm
2
V
-1
s
-1
)
Concentraia
(cm
-3
)
Resistivitatea
(Ohmcm)
Transmitana
(%)
Dispersare la
radiofrecvene
7000 35 610
20
310
-4
90
Dispersare la
radiofrecvene
5000 12 1,210
21
410
-4
95
Dispersare la
radiofrecvene
4000 25 310
20
810
-4
-
Dispersare
magnetronic
800 26 610
20
410
-4
85
Dispersare la
curent
continuu
1000 35 910
20
210
-4
85
Evaporarea
reactiv
2500 30 510
20
410
-4
91
Dispersare
prin flux de
ioni
600 26 210
20
1210
-4
-
Pulverizare
pirolitic
3000 45 510
20
310
-4
85


Fig.1.3. Structura benzilor In
2
O
3
nedopat si dopat cu Sn.

Piroliza este descompunerea unui amestec de vapori pe o suprafa nclzit. n cazul
depunerii straturilor ITO pe suprafaa suportului necesar se pulverizeaz un amestec de soluii a
clorurilor de indiu (InCl
3
) i de staniu (SnCl
4
), folosind aerul, oxigenul ori nitrogenul n calitate
de gaz purttor. Temperatura suprafeei suportului este 400-500C [32]. O variant a acestei
28
metode este pulverizarea pirolitic n cmp electrostatic [35]. Pentru aceasta precursorul lichid
este transformat n aerosol cu picturi electrizate, care sunt ndreptate de un cmp electric spre
suportul nclzit, unde are loc procesul de piroliz. n acest caz se obin straturi ITO cu
conductibilitatea electric pn 510
4
Ohm
-1
cm
-1
, dar transparena lor nu depete 76%.
Proprietile straturilor ITO obinute prin pulverizare magnetronic sunt descrise n [36],
conductibilitatea lor electric este de (1-5)10
3
Ohm
-1
cm
-1
.
Proprietile electrice i optice ale straturilor ITO depuse prin pulverizare pirolitic
depind de coninutul relative al In i Sn n stratul depus i sunt prezentate n Tabelul 1.5 [7].

Tabelul 1.5. Procentajul InCl
3
n soluia alcoolic InCl
3
:SnCl
4

Parametrii 100 94 90 86 80 0
(Ohm
-1
cm
-1
) 2,610
2
2,610
3
4,710
3
2,610
3
1,310
3
42,4
n (cm
-3
) 110
20
5,510
20
1,110
21
6,510
20
6,810
20
5,310
19

(cm
2
V
-1
s
-1
) 15 29 27 25 14 5
E
g
(eV) 3,2 3,52 3,7 3,44 3,44 3,44

Straturi ITO cu conductivitate electric i transparena maximal de 90% n domeniul
vizibil al spectrului au fost cptate din soluii ce conin 90% InCl
3
i 10% SnCl
4
la temperatura
substratului de 450C. Din tabel se vede, c E
g
se schimb numai atunci, cnd n soluie se
conine mai mult de 90% InCl
3
, adic n acest caz se formeaz soluii solide In
2
O
3
, SnO
2
.
n calitate de concluzii putem spune urmtoarele. Straturile ITO sunt cele mai potrivite
pentru obinerea structurilor SIS din urmtoarele considerente:
1. ITO este un semiconductor degenerat de tipul n, de fapt nlocuete un strat de metal, i de
aceia utilizarea lui n calitate de strat frontal al CS micoreaz rezistena serie a celulei.
2. Indicele de refracie al stratului ITO (~2) este potrivit pentru a forma un strat antireflectant pe
siliciu.
3. Straturile ITO sunt stabile n diferite condiii al mediului nconjurtor, sunt rezistente din
punct de vedere chimic, adghezia lor pe diferite substrate este bun.
4. Banda interzis larg de 3,6eV asigur transparena maximal n domeniul vizibil al spectrului
solar.
5. Straturile ITO pot fi depuse pe suprafaa siliciului la temperaturi relativ joase
29
Din cele expuse n aceast scurt trecere n revist a metodelor de obinere i a
proprietilor straturilor ITO se poate face concluzia, c cele mai potrivite straturi pentru
fabricarea structurilor SIS i a CS n baza lor sunt straturile obinute prin pulverizarea simpl
pirolitic. Aceast metod este cea mai simpl i puin costisitoare, permite obinerea straturilor
ITO cu conductibilitatea electric pn 510
3
Ohm
-1
cm
-1
i cu transparena 90%.

1.4.2. StraturileZnO
Din punctul 1.3 se vede c straturile ZnO sunt cele mai transparente n domeniul vizibil
al spectrului, posed o conductibilitate electric nalt , pot fi depuse la temperaturi destul de
joase i sunt compuse din materiale ieftine. n Tabelul 1.6 sunt sistematizate datele privitor la
metodele de obinere a straturilor ZnO n ordine cronologic.

Tabelul 1.6. Sistematizarea datelor de obinere a straturilor ZnO
Materialul metoda de obinere Anul,
referina
ZnO:In pulverizare pirolitic 1984, [37]
ZnO:Al dispersare magnetronic 1984, [38]
ZnO:In dispersare la RF 1987, [39]
ZnO:Ga dispersare magnetronic 1990, [40]
ZnO:F CVD 1991, [41]
ZnO:Al CVD 1992, [42]
ZnO:Ga, CVD 1992, [43]
ZnO photo MOCVD 1994, [44]
ZnO:Al PECVD 2002, [45]
ZnO:Al metoda sol-gel 2002, [46]
ZnO:B LPCVD la presiuni joase 2006, [47]

Dup cum se vede din Tabelul 1.6 n majoritatea cazurilor se utilizeaz doparea
straturilor ZnO n timpul depunerii cu In, Al, Ga, F, B. n cazul obinerii straturilor prin
pulverizare pirolitic a fost observat, c cea mai mic rezisten i n acelai timp cea mai mare
transparen posed straturile ZnO , obinute n cazul, cnd n soluia de pulverizare se conin 2
at.% de In. Aceste straturi sunt stabile n vid ori oxigen pn la temperatura de 800K [37]. Cnd
straturile ZnO:In sunt obinute prin dispersare la RF proprietile lor depind de poziia vertical
ori orizontal a suportului. Pentru poziia vertical rezistivitatea este de 310
-4
cm, dar
straturile obinute pe suporturi , situate paralel cu inta, au rezistivitatea cu un ordin mai mare,
dar sunt mai stabile [39]. Straturile ZnO:F, depuse prin metoda CVD, posed conductibilitatea de
2,510
3
Ohm
-1
cm
-1
, rezistena de 5/, au mobilitatea 40cm
2
V
-1
s
-1
, transparena de 90% n
domeniul vizibil i reflecia de 85% n IR [41].
30
Pentru straturi dopate cu Ga indicele de refracie se schimb dela 1,96 pn la 1,73 cu
majorarea concentraiei electronilor pn la 3,710
20
cm
-3
. Rezistena lor este de 3,6/. Banda
interzis E
g
=3,28eV pentru straturi nedopate si 3,59eV pentru straturi dopate cu Ga n
conformitate cu regula Burstein-Moss [40].
Doparea ZnO cu B ori Al duce la mrirea conductivitii fr s micoreze transparena.
Rezistivitatea straturilor ZnO:Al este de 210
-4
Ohmcm, rezistena de 4/, transparena de 80
85%, reflecia n IR pn la 90% [38,42].
Trebuie s subliniem, c straturile ZnO, obinute prin metoda CVD, au suprafaa
texturizat,
n producerea CS cu Si amorf , spre deosebire de SnO
2
sau ITO, straturile ZnO sunt
rezistente n plasma cu H
2
. Ele sunt atractive i din alte considerente:
- temperatura joas de depunere (130C)
- nu sunt toxice
- sunt compuse din materiale rspndite i ieftine
- pot fi obinute cu suprafaa texturizat cu grosimea de 1,4 1,7m.
- se utilizeaz pentru contactul frontal i cel din spate, unde, mpreun cu strat de metal
(Ag sau Al), asigur reflecia luminii.

1.5. Structurile SIS
Dup cum a fost menionat mai sus, problema micorrii costului energiei electrice,
furnizate de CS, poate fi rezolvat prin elaborarea structurilor SIS, utiznd siliciul ca material
absorbant i straturile SnO
2
sau ITO ca strat izolator. Primele publicaii in aceast direcie se
refer la anul 1976 [37-41]. De exemplu, n [37] sunt descrise structurile SIS, obinute prin
dispersarea ITO la radiofrecvene pe suprafaa cristalelor nSi i pSi cu rezistivitatea de (0,13
5)Ohmcm. Avnd suprafaa activ de 0,13cm
2
aceste celule au demonstrat eficiena de 1%. Cea
mai mare eficien de 12% a fost comunicat n [39] pentru o CS de acest tip cu suprafaa pn la
0,5cm
2
. Rezultatele acestor lucrri au fost detailat analizate n [42-44] din punct de vedere
experimental i teoretic.
Reieind din teoria general a heterojonciunilor este de neneles cum pot funciona CS
obinute din materiale cu deosebire mare a tipului i constantelor reelelor cristaline: Si (diamant,
a=5,43), SnO
2
(tetragonal, a=4,74, c=3,19), In
2
O
3
(cubic, a=10, 12), atunci, cnd la
interfa se formeaz un strat intermediar cu multe defecte. Este interesant de menionat, c
diferii autori au primite rezultate destul de contradictorii [37, 39]. Examinnd aceste date, n
31
lucrarea [42] s-a ajuns la concluzia, c performanele acestor CS depind de stratul subire
intermediar dielectric. Acest strat nu este neaprat compus numai din SiO
2
, el poate s aiba o
compoziie destul de complicat, dar este sigur, c funcia lui principal este compensarea
discordanei reelelor cristaline. Grosimea lui nu este mai mare dect 30, ce iace asigur
posibilitatea trecerii purttorilor de sarcin prin tunelare. Diagrama benzilor energetice, propus
n [37] pentru structura ITO/nSi/n
+
Si, demonstreaz, c aceast structur este asemntoare cu
dioada Schottky, curentul este format din purttorii majoritari pe ambele pri ale barierei de
potenial (Figura 1.4).

Fig.1.4. Diagrama benzilor energetice a structurii ITO/nSi/n
+
Si: a) la ntuneric, b) la iluminare n
regim de circuit deschis. Suprafaa haurat prezint stratul izolator SiO
x
.

Analiza teoretic a structurilor ITO/nSi n regim de celul solar a demonstrat, c ele sunt
similare cu structurile MIS. A fost artat, c parametrii acestor CS depind de grosimea stratului
izolator, nivelul de dopare al substratului, concentraiei strilor de suprafa, sarcina electric a
oxidului i temperatur, optimizarea acestor parametri poate asigura eficiena de 20%. n
lucrarea [44] aceast problem a fost examinat din punct de vedere al pierderilor de energie n
procesul conversiei radiaiei solare n energie electric. Ca material experimental au fost folosite
caracteristicele curent- tensiune la ntuneric i a fost artat, c dup un anumit prag al tensiunii
directe aceste caracteristici nu difer de caracteristicele similare a unei jonciuni p-n n siliciu i
curentul este controlat de procesele de difuzie n volumul siliciului. Diferite mecanisme a
pierderelor de energie, care limiteaz creterea eficienei, sunt prezentate n Tabelul 1.7 [44].
Aceste mecanisme de pierderi probabil sunt valabile i n cazul altor structuri SIS.
32
n urmtorii ani structurile ITO-Si obinute prin diferite metode , au fost studiate de
cercettorii din India [7, 45, 46] i Moldova [6, 48]. n Rusia i Norvegia straturile ITO,
depuse pe diferite CS n baza siliciului, au fost folosite n calitate de strat antireflectant ori ca
material pentru obinerea contactelor [49].

Tabelul 1.7. Sumarizarea mecanismelor de pierdere a energiei , care nu permit obinerea
eficienei maximale posibile de 20%
Mecanismul
Cota pierderilor
(%)
Absorbia i reflexia n stratul ITO pn la 8
Recombinarea n stratul de sarcin spaial (0,1 1)
Reducerea nlimii V
cd
(0 12)
Lucrul de eire prea mare (0 3)
Strat SiO
x
neomogen (0 3)
Strat ITO slab dopat (0 3)
Curent de saturaie prea mare (0 3)
Fill-factorul mic (0 10)

Cea mai nalt eficien de 12,6% a fost obinut n cazul CS SnO
2
:P/SiO
2
/n-Si cu
suprafaa de 2cm
2
[45]. Aceste celule au fost fabricate prin depunerea straturilor SnO
2

dopate cu
P prin metoda CVD pe suprafaa texturat a cristalelor nSi cu rezistivitatea de 0,1Ohmcm.
Stratul izolator SiO
2
a fost obinut prin metoda chimic. n lucrarea [46] a fost studiat
mecanismul de transport al curentului n structurile ITO/Si, n care stratul TCO a fost obinut
prin metoda evaporrii sub aciunea unui fascicul de electroni. Tratarea preliminar a cristalelor
de Si cu Cl a adus la majorarea randamentului dela 2,3% pn la 5,5%. n acest caz mecanismul
de transport al curentului a fost dominat de recombinarea n stratul de sarcin spaial, pe cnd in
absena Cl el este determinat de termoemisia peste bariera de potenial. In lucrrile [7, 48] au fost
studiate proprietile structurilor ITO/nSi, obinute prin pulverizare pirolitic. Pentru CS cu
suprafaa activ de 4cm
2
randamentul este 10,8%.
Afar de siliciu structurile SIS pentru CS au fost obinute i in baza altor materiale
semiconductoare. Cele mai eficiente sunt celulele solare cu cristale InP n calitate de material
absorbant [10, 50-52]. CS ITO/InP cu eficiena de 11%, fabricate prin pulverizare pirolitic au
fost descrise n [51]. n lucrarea [10] au fost studiate dependena parametrilor fotoelectrici de
orientarea cristalografic a substratului InP i rezistena acestor CS la radiaia ionizant. Cea mai
mare eficien de 11,6% se obine n cazul planului [100], iar CS respective n cazul
bombardamentului cu flux de protoni cu energia de 20,6MeV i flux de electroni cu energia de
1MeV sunt cu mult mai rezistente dect CS n baza Si ori GaAs. n cazul CS ITO-InP, obinute
33
pe suporturi orientate n planul [111]A tratamentul termic ulterior n H
2
duce la majorarea
randamentului pn la 10% [53]. Randamentul record de 18,9% a fost obinut n lucrarea [52] n
cazul structurilor ITO/InP, n care stratul ITO a fost depus prin dispersare magnetronic pe
suporturi p-p
+
InP, tratate preliminar n plasma Ar/O
2
, iar n [50] acelai colectiv de autori din
SUA a comunicat despre nceperea produciei n serii mici a CS ITO/InP.
Structurile ITO/CdTe [54] i ITO/GaAs [55] au fost obinute prin pulverizarea pirolitic a
straturilor ITO pe suprafaa cristalelor pCdTe i pGaAs. n urma cercetrilor proprietilor
electrice i fotoelectrice au fost propuse diagramele energetice i determinai parametrii
fotoelectrici. n cazul CS ITO/CdTe randamentul este de 6%, pentru CS ITO/GaAs el nu
depea 2,5%.
Din aceast scurt trecere n revist a rezultatelor investigaiilor CS n baza diferitor
structuri SIS putem trage concluzia; c depunerea straturilor ITO prin pulverizare pirolitic pe
suprafaa diferitor materiale semiconductoare(Si, InP, CdTe, GaAs) permite fabricarea CS printr-
un procedeu simplu i puin costisitor. Cele mai eficiente sunt CS ITO/InP, dar innd seama de
costul foarte nalt al cristalelor InP aceste CS nu pot fi utilizate pe larg n condiii terestre. Pentru
aceasta pot fi folosite CS ITO/Si care asigur un randament mai mare de 10%, dar este necesar
de elaborat tehnologia de obinere a acestor CS cu suprafaa activ majorat ca n cazul CS cu
jonciunea p-n n baza Si.

1.6. Celulele solare bifaciale
Cea mai important problem a fotovoltaicii este folosirea ct mai complect a radiaiei
solare. Pentru rezolvarea ei cercetrile sunt efectuate n diferite direcii: majorarea eficienei prin
micorarea pierderilor de energie, ce au loc n procesul conversiei, utilizarea ct mai larg a
spectrului solar prin crearea CS n baza heterojonciunilor i a CS tandem, divizarea spectrului
solar n poriuni, pentru conversiunea acestora de ctre CS fabricate din materialele
semiconductoare ajustate domeniilor spectrale respective .a. O cale destul de promitoare n
aceast direcie este i elaborarea celulelor solare bifaciale (CSB), care au un ir de avantaje.
Aceste celule utilizeaz nu numai radiaia, care cade pe suprafaa frontal, ca n celulele
obinuite, dar i radiaia, ce nimerete pe suprafaa din spate. Astfel, CSB pot produce cu 50%
mai mult energie dect celulele solare obinite. n cazul CS, folosite n spaiu aceast radiaie
este determinat de albedo-ul pmntului, n condiii terestre ea poate fi lumina reflectat dela
fasadele cldirilor vopsite n alb sau dela alte obiecte. O aplicaie special a CSB este utilizarea
lor n concentratoarele radiaiei solare. Afar de aceasta, avantajul CSB const n neabsorbirea
radiaiei IR, care nclzete celula, datorit absenei contactului metalic compact din spate.
34
Prima CS , n care a avut loc conversiunea radiaiei solare de ctre ambele suprafee ale
celulei a fost elaborat n anul 1960 n baza siliciului [56]. Construcia acestei celule este artat
n Figura 1.5.

Fig.1.5. Structura primei celule bifaciale cu dou jonciuni. 1 nSi, 2,2 emitter din pSi, 3,4
contactele celulei.

n anii ce urmeaz dezvoltarea CSB mergea paralel cu dezvoltarea CS obinuite, n multe
cazuri cercetrile CSB aduceau un aport considerabil n fotovoltaic. Aici putem meniona aa
probleme ca recombinarea la o distan ndeprtat de jonciunea p-n, transportul purttorilor de
sarcin prin volumul celulei .a. O analiz ampl a istoriei dezvoltrii CSB se conine n [57]. n
aceast lucrare a fost propus o clasificare a CSB n conformitate cu numrul jonciunilor din
celul:
a) CSB cu dou jonciuni p-n
b) CSB cu o jonciune p-n i o jonciune homopolar n-n
+
sau p-p
+

c) CSB cu o singur jonciune p-n.
Toate CSB de tipul a) sunt elaborate n baza siliciului. Dup cum se vede din Figura 1.5,
ele sunt compuse din dou jonciuni i reprezint structura unui tranzistor. O cretere rapid a
eficienei CSB cu dou jonciuni p-n a nceput la sfritul anilor 70. n 1977 ea ajunge pn la
7% [58], iar peste 3 ani pn la 12,7% pentru o celul cu suprafaa de 4cm
2
[59]. Perfecionarea
constructiv a CSB de tipul a) a permis obinerea n anul 2000 eficiena de 21,3% n cazul
iluminrii frontale i 19,8% pentru iluminarea din spate [60]. Structura de tranzistor cu dou
jonciuni opuse una alteia i trei terminale creaz probleme n colectarea curentului, generat de
ambele jonciuni, dar n acelai timp permite lrgirea posibilitilor funcionale a acestui
dispozitiv.
Prima CSB de tipul b) din Si a fost elaborat n 1970 n Rusia, la Institutul VNIIT din
Moscova, principiul ei de funcionare a fost analizat n [61]. Jonciunea frontal a fost format
prin difuzia B, jonciunea n-n
+
din spate - prin difuzia P. Perfecionarea acestor CSB cu
suprafaa activ de 5cm
2
a permis obinerea n anul 1981 eficienele maximale de 15,7% i
35
13,6% respectiv pentru jonciunile frontale i din spate, structura lor este prezentat n Figura 1.6
[62]. Pentru o serie de 200 exemplare eficienele medii respective sunt egale cu 13,4% i 10,7%.


Fig.1.6. Structura CSB de tipul b) cu regiunea BSF la contactul din spate [96].

Texturizarea suprafeei acestor celulelor de acest tip (Figura 1.7) i optimizarea jonciunii
dln spate a permis majorarea eficienei pn la 19,1% n cazul iluminrii frontale i 18,1% pentru
iluminarea din spate [63].

Fig.1.7. Celula solar bifacial texturizat.

Utilizarea metodei de tipar prin trafaret pentru fabricarea contactelor i n acelai timp
pentru formarea jociunii frontale i a regiunii BSF a permis autorilor lucrrii [64] s elaboreze o
tehnologie de fabricare a CSB mai apropiat de cea industrial (Figura 1.8).
Un nou sistem de colectare al curentului, format din straturi ITO, depuse pe o celul,
bifacial de siliciu, i contacte exterioare alctuite din bare metalice i o gril de srm de cupru,
unite prin laminare cu stratul de oxid, a fost elaborat de autorii lucrrii [65]. Eficiena acestor
CSB atinge 17,7% cu coeficientul de bifacialitate 74-82%. CSB fabricate n baza plachetelor
pSi cu dimensiunile 12,512,5cm
2
cu emiterul format prin difuzia fosforului i regiunea BSF -
prin difuzia borului, cu eficienele de 15% i 10,5% respectiv pentru iluminarea frontal i din
spate, au fost elaborate de catre firma Hitachi [58].

36

Fig.1.8. Celula solar bifacial cu dopare prin metoda de tipar prin trafaret.

CSB de tipul c) pot fi fabricate n cazul cnd lungimea de difuzie a purtatorilor de sarcin
este mai mare dect grosimea plachetei de siliciu, iar suprafaa frontal este bine pasivat. O
astfel de CSB a fost elaborat n 1977 [58], structura ei este reprezentat n Figura 1.9. Contactul
metalic compact din spate este nlocuit prin grila de contact. Suprafeele frontal i din spate
sunt pasivate cu SnO
2
.

Fig.1.9. Construcia CSB de tipul c).

Eficiena la iluminare din spate alctuete 63% n comparaie cu iluminarea frontal.
nlocuind SnO
2
prin Si
3
N
4
i folosind n calitate de jonciune frontal o structur de tipul MIS, au
fost obinute eficienele de 15% i 13,2% respectiv pentru iluminarea frontal i din spate. Cu 10
ani mai trziu eficienele s-au majorat pn la 20,1% i 17.2% n cazul cnd structura frontal
MIS a fost nlocuit printr-o jonciune p-n, obinut prin difuzie (Figura 1.10) [66].


Fig.1.10. Celula solar bifacial texturizat de tipul c).

37
Din aceast scurt trecere n revist se vede, c utilizarea CSB permite o majorare
esenial a energiei , obinute prin conversiunea radiaiei solare, iar cercetarea i dezvoltarea lor
prezint un mare interes pentru tiin i tehnic.
Au fost elaborate i cercetate multe variante i modificaii a CSB, dar rezultatetele cele
mai impuntoare au fost obinute n cazul dispozitivelor de tipul b) n conformitate cu clasificaia
propus n [67]. n procesul de fabricare a acestor CSB sunt prezente procesele de difuzie pentru
obinerea jonctiunii frontale i a regiunii BSF la contactul din spate. Cnd ambele procese au loc
simultan este necesar de a proteja suprafeele celulei de impuritile nedorite, fiindc pentru a
forma prin difuzie jonciunea frontal i regiunea BSF se folosesc impuritile, care acioneaz n
mod opus asupra proprietilor Si. Trebuie de menionat, c n majoritatea absolut a lucrrilor,
suprafaa activ a CSB, cu excepia [58], nu depete civa cm
2
.

1.7. Celule solare cu heterojonciuni i straturi subiri amorfe i microcristaline de siliciu
Dup cum am menionat mai sus, una din principalele probleme ale fotovoltaicii este
reducerea costului energiei electrice, generate de celulele fotovoltaice. Acest obiectiv poate fi
realizat prin simplificarea tehnologiei de producere, despre care s-a vorbit n paragraful 1.5,
precum i prin diminuarea cantitii materialelor semiconductoare, necesare, adic trecerea la
CS n straturi subiri. n acest caz pot fi utilizate diferite materiale, ca CdTe, CuInSe
2
.a, dar
materialul de baz pn ce rmne siliciul, mai ales siliciul amorf. Cercetrile n acest domeniu s-
au dezvoltat foarte repede dup elaborarea n 1969 a metodei de obinere a siliciului amorf
hidrogenizat, Si:H. n 1976 a fost obinut jonciunea p-n n Si:H, citiva ani mai tirziu au fost
otinute si primele CS cu eficienta de 2,4%, estimind ca valorile maximale pentru aceste structuri
pot fi atinse de 14-15% [68].
Fabricarea CS din Si amorf are multe avantaje n comparaie cu CS din Si cristalin ori
policristalin:
1. Procesul de depunere a straturilor Si:H necesit numai silanul, obinut direct din
materia prim, rspndit foarte larg n lume, fr a obine Si cristalin ori n form de
pulbere.
2. Hidrogenul prezent in timpul depunerii compenseaz legturile Si-Si rupte, care sunt
cauza concentraiei mari a defectelor n cazul obinerii straturilor Si:H prin alte metode.
3. Straturile Si:H sunt foarte subiri de ordinea 1m n comparaie cu plachetele de Si
cristalin de 250-350m, deaceia se cheltuete mult mai puin material semiconductor,
respectiv greutatea lor este foarte mic.
38
4. Fiind formate din materiale semiconductoare cu tranziii optice directe, straturile Si:H
posed un coeficient de absorbie a radiaiei solare cu mult mai mare dect Si cristalin.
5. Banda energetic de 1,7eV permite absorbia unui spectru mai larg din regiunea undelor
scurte.
6. Straturile Si:H pot fi obinute pe diferite suporturi, inclusiv cele flexibile, temperatura de
depunere este joas.
n acelai timp CS n baza Straturilor Si:H au un mare neajuns, care const n
degradarea lor n primele cteva sute de ore de funcionare. Aceast degradare este condiionat
de efectul Stabler-Wronski [69], care const n reacii fotochimice n materialul Si:H, cu
legturile Si-Si rupte, compensate cu atomii de hidrogen. n urma acestor reacii crete
concentraia legturilor rupte, densitatea defectelor se mrete, nivelul Fermi se deplaseaz spre
mijlocul benzii interzise, prin urmare se micoreaz bariera de potenial.
Una din posibilitile de a depi problema degradrii CS n baza Si amorf este
combinarea straturilor amorfe cu straturi de Si microcristalin. Astfel de CS au primit denumirea
de micromorfe i constau dintr-un sistem tandem cu celula din c n partea de sus i o celul din
c-Si:H n partea din jos. Valorile benzilor energetice interzise egale cu 1,7eV pentru siliciul
amorf i 1,1eV pentru siliciul microcristalin asigur o pereche ideal din punkt de vedere teoretic
pentru CS tandem. CS micromorfe sunt i foarte promitoare din punct de vedere al costului.
Principala metod de obinere a straturilor de Si pentru fabricarea CS micromorfe este PECVD,
depunerea din vapori asistat de plasm. n anii 90 a secolului trecut industria a elaborat instalaii
cu reactoare, care permit depunerea straturilor att amorfe, ct i microcristaline de Si prin
metoda PECVD pe suprafee majorate i acest fapt a devenit o for motrice n dezvoltarea
producerii celulelor micromorfe [70].
n majoritatea CS micromorfe straturile ZnO, depuse prin metoda LPCVD sunt utilizate
n calitate de strat frontal i strat reflectant. Dup cum a fost menionat n punctul 1.4.2 aceste
straturi se obin cu suprafaa texturizat, ce permite majorarea absorbiei radiaiei solare i, prin
urmare, micorarea grosimii straturilor absorbante. Eficiena CS micromorfe depete 10% [70].
Majorarea eficienei pn la 12,2% (V
cd
=1,4V, FF=71,9%, I
sc
=12,1mA/cm
2
) a fost obinut n
cazul cnd stratul intermediar reflectant este format n baza oxidului de siliciu [71]. Acest strat
este introdus ntre celula de jos i cea de sus pentru a majora curentul celei din urm, care
limiteaz curentul ntregii celule tandem. Indicele de refracie a stratului intermediar, pentru a
asigura reflecia luminii dela interfa, trebuie s fie mai mic, dect a siliciului. n acelai timp
stratul intermediar trebuie s fie conductiv, pentru a nu bloca curentul celulei i transparent
pentru lumina activ a celulei de jos. n [71] s-a demonstrat, c stratul intermediar n baza SiO
2

39
este mai efectiv dect n baza ZnO. n [72] a fost comunicat despre obinerea CS n baza Si:H
cu eficiena de ordinul 10% i a panourilor solare respective cu randamentul 8,8% i suprafaa de
1,4m
2
. Se duc cercetri de elaborare a modulelor similare n baza celulelor micromorfe.
Rezultate mai relevante au fost obinute n Japonia. La firma Mitsubishi au fost elaborate
module cu suprafaa 5742cm
2
n baza CS tandem Si:H/c-Si:H, avnd eficiena de 12,9%, se
prevede fabricarea modulelor de 1,41,1m
2
cu puterea de 150W. O eficien preliminar de
14,1% demonstreaz CS n baza structurilor Si:H/Si policristalin. Au fost elaborate celule de 2
tipuri (Figura 1.11.) cu strat transparent intermediar i o serie-pilot de 266 module cu eficiena
medie de 11,2% [73]. i n Germania se duc lucrri de elaborare a modulelor solare cu suprafaa
de 1m
2
pe substraturi de sticl acoperite cu ZnO n baza straturilor de Si amorfe i
microcristaline cu utilizarea unei singure platforme de echipament. Pentru realizarea acestui
program deja au fost obinute CS din Si:H cu eficiena stabilizat de 11,2% i CS din c-Si:H
cu eficiena de 7,2% [74].

Fig.1.11. CS n baza structurilor Si:H/Si policristalin.

Din cele prezentate mai sus putem face concluzia, c CS micromorfe au o perspectiv de
utilizare larg fiindc ele ntrunesc avantajele siliciului amorf cu stabilitatea i sensibilitatea in
regiunea undelor lungi a siliciului microcristalin. Dar proprietile Si microcristalin depind n
mare msur de condiiile de depunere i din aceste considerente , mai ales pentru a ncepe o
producie industrial, mai sunt necesare investigaii suplimentare

1.8. Concluzii la capitolul 1
Reeind din cele expuse n acest capitol putem face urmtoarele concluzii:
40
1. Pentru conversiunea fotovoltaic a energiei solare cele mai solicitate n prezent i viitorul
apropiat sunt celulele i panourile solare n baza siliciului.
2. Problema principal care limiteaz folosirea larg a celulelor solare n condiii terestre este
diminuarea costului energiei electrice, generate n urma conversiunii fotovoltaice.
3. Aceast problem poate fi rezolvat prin elaborarea unor tehnologii noi mai simple i mai
puin costisitoare de fabricare a celulelor solare i micorarea cantitii materialelor
semiconductoare necesare.
4. nlocuirea jonciunii p-n n celulele solare prin structura semiconductor-izolator-
semiconductor, obinut prin pulverizare pirolitic, permite simplificarea procesului de
fabricare a celulelor i ieftinirea lui n urma diminurii cantitii energiei electrice, cheltuite.
5. n calitate de strat frontal n structura semiconductor-izolator-semiconductor, fabricate n
baza siliciului, cele mai potrivite sunt straturile ITO.
6. Costul CS n baza siliciului poate fi redus micornd cantitatea materialului absorbant prin
elaborarea dispozitivelor n straturi subiri amorfe i microcristaline.
7. Celulele solare micromorfe au o perspectiv de utilizare larg fiindc ele ntrunesc avantajele
siliciului amorf cu stabilitatea i sensibilitatea in regiunea undelor lungi a siliciului
microcristalin.
41
2. CARACTERIZAREA DISPOZITIVELOR SOLARE.

n comunitatea tiinific sunt specificate diverse metode de caracterizare a
performantelor celulelor i modulelor fotovoltaice [75]. Un parametru important pentru
clasificare panourilor i sistemelor fotovoltaice este picul de putere (randamentul) n condiii
standard, aceasta din cauza ca consumatorii procura panourile solare cu preul calculat in baza
costului de putere. Exista i ali indicatori care califica performantele, ca de exemplu estetica
panoului, care devine importanta n asamblarea dispozitivelor n cazul cnd merge vorba de
cldiri moderne. Un parametru fundamental este i degradarea, multe panouri sunt operative n
limitele eficienii stabilite pentru o perioada de 20 sau 30 de ani. Parametrii panourilor mai sunt
influenate de condiiile atmosferice, de temperatura i de lumina difuza. Este important ca
procedurile de msurare a dispozitivelor sa fie de o viteza nalt i nu mai puin important este
factorul de reproductibilitate a msurrilor [76].
n cazul nostru structurile solare obinute pe perioada efecturii lucrrii au fost supuse
urmtoarelor caracterizri:
Msurarea caracteristicii curent-tensiune n condiii de ntuneric si la iluminarea AM1,5.
Msurarea distribuiei spectrale si a eficienii cuantice interne.
Totui, nainte de a obine o celul solar au fost caracterizate componentele principale
din care erau compuse structurile noastre. n fond, totul s-a bazat pe tehnologia standart de
caracterizare a straturilor subiri, folosit n mare parte n toate centrele internaionale de
fotovoltaic, i anume:
- Msurarea grosimilor straturilor subiri i determinarea vitezelor de cretere;
- Msurarea conductibilitii electrice i fotoelectrice;
- Msurarea transparenei i reflexiei i determinarea energiei E
g
a materialelor;
- Spectrometria Raman utilizat pentru determinarea structurii materialelor.
Toate aceste msurri, n mare parte, au fost efectuate n Centrul de Cercetare ENEA (Agenzia
nazionale per le nuove tecnologie, lenergia e lo sviluppo economico sostenibile), din Italia.
n acest capitol este descris asamblarea instalaiei n varianta vertical de depunere a
straturilor subiri din semiconductori oxizi prin metoda pulverizrii soluiilor chimice pe
plachetele de siliciu cu suprafaa maximal de 81cm
2
, instalaia de obinere a structurilor tandem
n baza jonciunilor p-i-n amorfe i microcristaline, folosind metoda PECVD i sunt descrise
instalaiile ce au fost folosite pentru efectuarea msurrilor necesare i pentru determinarea
parametrilor ce caracterizeaz celulele solare.
42
2.1. Instalaia de depunere a straturilor subiri pe plachetele de siliciu cu diametrul de
100mm
Imaginea real i schematic a instalaiei de depunere a straturilor subiri este prezentat
n Figura 2.1 Componentele principale a instalaiei sunt: sistemul de pulverizare (12), cuptorul
electric (2), camera suportului (4), sistemul de introducere a suportului n cuptor i rotire a
acestuia (7) i sistemul de comand i control (1).
Sistemul de pulverizare, imaginea cruia este prezentat n Figura 2.2, constructiv conine
un vas (1) cu soluia chimic pentru pulverizare care se termin cu un injector pentru lichid (2).
Diametrul orificiului acestui injector poate fi variat prin nlocuirea injectorului prezent cu un
altul. Prin aceasta poate fi dirijat mrimea picturilor de lichid dispersat. Procesul de
pulverizare se ncepe la crearea curentului de gaz comprimat (O
2
, N, Ar, aer) care nvluie
injectorul pentru lichid. Aceast trecere a gazului comprimat cu vluirea injectorului pentru
lichid este posibil prin utilizarea injectorului pentru gazul comprimat (3). Mrimea fluxului
lichid dispersat, forma acestuia i mrimea picturilor de lichid n flux pot fi dirijate prin
selectarea injectoarelor (2), (3) i prin variaia presiunii gazului comprimat. Utilizarea diferitelor
gaze comprimate duce la posibilitatea crerii n reactor n zona depunerii straturilor subiri a
atmosferei oxidabile sau inoxidabile. Din cauza utilizrii gazului comprimat, viteza fluxului
lichid este majorat, fapt ce poate crea dificulti n momentul procesului de depunere a straturilor
subiri. Suportul i substratul situat pe suport ocup majoritatea spaiului seciunii transversale a
cuptorului electric. Din aceast cauz trecerea fluxului lichid dispersat poate ntlni o rezisten
indezirabil.
Din Figura 2.1 observm c pentru pulverizarea soluiilor chimice pulverizatorul (12) se
fixeaz pe stativul (14) ntr-aa poziie ca axa pulverizatorului s coincid cu axa cuptorului
electric. Soluia chimic lichid se toarn dozat n plnia (13). Pentru a elimina posibilitatea
cderii unei picturi ntmpltoare de soluie chimic n interiorul cuptorului electric este
prevzut ecranul (11) care cu mnerul (17) la nceputul procesului de pulverizare este deplasat n
direcie orizontal cu scopul deschiderii interiorului cuptorului electric pentru fluxul soluiei
chimice dispersate. Gazul comprimat, de exemplu oxigenul, de la o butelie cu oxigen ajunge
pn la injectorul de gaze prin furtunul (16). Presiunea gazului comprimat se variaz cu ajutorul
unui reductor de gaze i se controleaz cu un manometru. Suspendarea fluxului de gaz
comprimat se realizeaz cu ajutorul unui robinet.
Cuptorul electric este destinat pentru obinerea regimului termic n procesul de
pulverizare. Cuptorul electric este fabricat prin nfurarea firului de nicrom cu diametrul 2,0mm
pe un tub de cuar de diametrul 133mm. Pasul nfurrii este variabil, fiind minim la mijlocul
43
cuptorului i maxim la capetele acestuia. Firul electric nfurat pe tubul de cuar este acoperit cu
un strat de grosimea cca 5-10mm dintr-un material rezistent la ardere. Elementul cuptorului
descris se instaleaz ntr-un tub de diametru 200mm din material izolator electric i termic.
Fixarea elementului n acest tub se efectueaz cu ajutorul capacelor. Pentru a proteja suprafaa
inferioar a cuptorului electric de depunerea materialului pulverizat este prevzut reactorul.
Reactorul este fabricat dintr-un tub de cuar, diametrul exterior al cruia este cu cteva zecimi de
milimetri mai mic dect diametrul inferior al cuptorului electric. Puterea cuptorului electric
fabricat este de cca 1kW, permite obinerea n reactor a temperaturii constante 450C, 500C,
550C, 600C ntr-un interval de 40-60mm. Cu scopul obinerii n interiorul cuptorului a unei
temperaturi constante, care s se susin automat a fost utilizat sistemul de alimentare cu curent
electric i de reglare cu nalt precizie a temperaturii (0,5 grade) BT-2.


Fig.2.1. Imaginea reala (a) i schematic (b) a instalaiei pentru depunerea straturilor subiri ITO.
1 sistem de alimentare; 2 cuptor electric; 3 substrat; 4 poziia de ncrcare a
substratului; 5 termocuplu; 6 suport rotativ; 7 mecanism de rotire i deplasare; 8 capac;
9 sistem de evacuare; 10 poziia suportului de depunere; 11 ecran; 12 pulverizator; 13
pilnie; 14 stativ; 15 miner; 16 injector de gaze prin furtun; 17 miner.

Sub termenul suport se subnelege sistemul de fixare a plachetei-substrat pe care va fi
obinut stratul subire de semiconductori oxizi, de introducere a suportului cu placheta-substrat
fixat n interiorul cuptorului electric n regiunea cu temperatura necesar pentru obinerea
stratului subire i de rotire a suportului cu placheta substrat fixat i deplasat n interiorul
cuptorului. n Figura 2.1 este demonstrat camera suportului, care izoleaz suportul de sistemul
de introducere n cuptor i de rotire a acestuia. n Figura 2.1 observm suportul (6) pe suprafaa
superioar a cruia se situeaz placheta-substrat. Placheta n aceast poziie este fixat din cauza
44
existenei pe marginea suportului a peretelui puin mai ridicat dect planul pe care este situat
placheta-suport. Observm n corpul suportului i adncitura (4). n total aceste adncituri sunt
patru, aezate n cruce i destinate pentru folosirea pensetei la schimbarea plachetelor. Intrarea n
spaiul cuptorului electric este situat n partea de sus. Suportul (6) n momentul depunerii
stratului subire pe placheta substrat se introduce n interiorul cuptorului. Evacuarea produselor
reaciilor se efectueaz folosind ieirea (9). Evident c n momentul depunerii pe placheta-
substrat a stratului subire capacul camerei este nchis. Introducerea suportului n interiorul
cuptorului se efectueaz prin intermediul unui sistem. In Figura 2.1 sunt demonstrate doua poziii
a suportului, cnd suportul e situat n interiorul cuptorului la o distan minim de la sistemul de
pulverizare si poziia cind suportul este in afara cuptorului electric. Rotirea suportului se ncepe
la cuplarea unui motor electric prin-un ntreruptor situat pe panoul sistemului de comand i
control. Pe acest panou sunt situate i indicatoarele luminescente care indic poziia suportului n
interiorul cuptorului sau n camera suportului. n poziia cind suportul este in afara cuptorului,
rotirea suportului se stopeaz automat.


Fig.2.2. Imaginea schematic i real a sistemului de pulverizare
1 - vas cu soluia chimic pentru pulverizare; 2 - injector pentru lichid; 3 - injectorului pentru
gazul comprimat.

2.2. Descrierea instalaiei de depunere a structurilor microamorfe.
n Figura 2.3 este prezentat imaginea real i schematic a instalaiei MVSystems Inc.,
fabricat de Golden (Colorado), USA, pentru depunerea straturilor subiri prin metoda
PECVD/sputtering. Este o instalaie compusa din 5 camere de vid nalt MPZs (modular process
zones), folosite pentru depunerea straturilor subiri i o camera pentru ncrcarea substratelor LL
(load lock) aezate n jurul unei camere centrale ITZ (isolation and transfer zone) care este dotat
cu un bra robotizat folosit pentru transportarea mostrelor dintr-o camera n alta. Toi parametrii
instalaiei sunt controlai i comandai de un controlor programabil PLC (Programmable Logical
Controller) interfaciat cu un elaborator electronic care da posibilitatea de a opera cu instalaia
att n regim manual ct i cel automatic.
45
Componentele principale ale instalaiei MVSystems Inc sunt:
- Camerele de depunere (PL3, PL4, PL5, PL6 si PL7).
- Camera central cu braul robotizat
- Camera de ncrcare Load Lock (LL)
- Generator RF de 13.56MHz i generator RF de frecven variabil
- Pompele rotative i pompele turbomoleculare
- Linii de gaz i camera de gaz
- Sistema de electrovalvole
- Controlor programabil PLC i Scrubber
- Reea de racire
- Programa (softul) de conducere automatic de la PC.



Fig.2.3. Imaginea real (a) i schematic (b) a instalaiei MVSystems Inc.

Camerele de depunere: Camerele instalaiei sunt plasate n urmtoarea ordine iar
funcionarea lor se reduce la urmtorul:
- PL3: creterea straturilor dopate n i p prin metoda PECVD
- PL4: creterea straturilor intrinseci i prin metoda depunerea chimica n faza de vapori
asistat de plasma la frecvena foarte nalta (VHF-PECVD)
- PL5: depunerea straturilor de siliciu prin metoda Hot Wire
- PL6: depunerea straturilor prin sputtering
- PL7: efectuarea tratamentelor termice
a) b)
46
n procesul de lucru au fost utilizate camerele PL3 si PL4, pentru depunerea siliciului dopat n, p
i intrinsec i, care au un aspect cubic. n interiorul camerelor este prezent un electrod de tip
POR3002, legat la generator RF, de dimensiunea 13cm13cm, plasat pe nvelis protector de tip
POR3001 deasupra cruia sunt montate plcile pentru meninerea n poziie orizontala a ramei
metalice cu substratul pe care are loc depunerea materialului. Recomandarea productorului
pentru distana dintre electrod i substrat la depunerea siliciului amorf, trebuie sa fie ntre 10-
50mm, iar substratul care este paralel electrodului poate avea o abatere maximala de 0.3mm.
Experiena a artat ca calitatea bun a siliciului amorf i microcristalin, care se caracterizeaz
printr-o uniformitate constant, se obine la distanta catod-anod de 15mm. Pentru camera PL3 se
folosete un generator de frecven fix de 13,56MHz controlat n mod automat, iar pentru
camera PL4 un generator de frecven variabil acionat manual. Depunerea straturilor intrinseci
n cazul nostru avea loc la 100MHz. Camerele sunt prevzute cu pistoane electrice, unite la linia
de gaz, comandate de un controlor PLC. O conducta unita cu pompele de vid permit de a nltura
(a scoate n afara) gazul i a obine un vid n interiorul camerei de ordinul 110
-7
Torr. n partea
superioara a camerelor sunt orizontal poziionate sobele termice care se acceseaz n mod
manual. Termocuplurile cu indicatoare electronice, plasate n panoul de control, permite
controlarea temperaturii din reactor. Valorile temperaturilor setate pot varia de la temperatura
camerei pna la 800C. Camerele sunt legate de o camer central ITZ, fiind separate prin
pistoane electromecanice, care sunt aduse n funcie n mod att manual ct i automat. Vidul din
camere poate fi controlat cu citirea presiunii analizat printr-un senzor de presiune ion guage.
Camera centrala ITZ i braul robotic: Camera centrala ITZ conine un bra robotic care
permite micarea mostrei n interiorul instalaiei. Cele ase pistoane legate la ITZ, dintre care 5
permit accesul la camerele de depunere iar una la camera LL, pot fi comandate att n mod
automat ct si manual. La fel cum toate camerele de depunere i ITZ se afl n vid nalt (~10
-
5
Torr) i e conectata att la o pomp rotativ ct i la una turbomoleculara. Braul robotic
functioneaza n regim apuc i insereaz (pick an place), este destinat specific pentru
funcionare n vid nalt i conine o garnitur rotativ i fluid magnetic, care este suportat de o
alarm n procesul inserrii sau scoaterii mostrei, innd cont pe parcursul ndeplinirii sarcinii de
parametrii de rotare, nalime i viteza. Braul este confecionat din metal uor i are un unghi de
rotare de 360. Camera ITZ nu are n dotare o sob i este meninuta la temperatura camerei.
Camera de ncrcare LL: Camera de ncrcare LL (Figura 3.1.2) servete pentru nserirea
i extragerea mostrelor n/din instalaie. Camera este prevzut cu o ua de sticl i cu un cuplu
de platforme pentru montarea mostrei. O pompa rotativ permite de a obine un vid preventiv de
ordinul 10
-3
Torr naintea deschiderii pistonului legata cu ITZ, pentru evitarea introducerii
47
impuritilor i reducerea diferenii de presiune. Camera LL este dotat i cu o sistem de
ventilare care permite de a trece la presiunea atmosferic cnd se recupereaz mostra.
Pompele rotative i turbomoleculare: Orice camera, incluznd ITZ i LL, este conlegata
la o pomp rotativ, plasate ntr-o regiune separat a instalaiei. Pompele rotative de tipul
Leybold D-16B permit de a obine un vid iniial de ordinul 10
-4
Torr, care nu este suficient pentru
depunerea PECVD. Astfel fiecare camer n parte mai vine legata la o pompa turbomoleculara
care permite de a obine un vid de circa 110
-7
Torr. Pompele turbomoleculare montate la
instalaie sunt de tipul Varian Turbo-V250 produse la Torino, Italia. Doar camera PL4 este
dotata cu o pomp turbomolecular de modelul Varian Turbo-V550.
Liniile de gaz, camera de gaz i sistema de electrovalvole: Liniile de gaz sunt plasate n
externul laboratorului, unde sunt adpostite buteliile de gaz care este transportat printr-o
conducta directa ntr-o camera n interiorul laboratorului. n exterior scurgerile gazului sunt
controlate de senzori, dotai cu alarm, conectate la un regulator de apreciere mass flow
controller gestionat de sistema de control. Camera de gaz din interiorul laboratorului este dotat
cu o sistem de ventilare. Liniile ce duc gazul ctre instalaie sunt conectate direct la sistema de
electrovalvole. Orice linie de gaz este dotat cu o valvola electromecanic care este blocat n
stare de repaus a instalaiei. Valvola poate fi operata prin sistema operativ automat ori manual
de pe panelul de electrovalvole. Orice camer, la intrare, este dotat de o valvol pneumatic
care la rndul su tot este controlat de sistema operativ.
Controlor programabil PLC i Scrubber: Toate dispozitivele instalaiei (pompele,
valvolele, generatorul, etc.) sunt controlate de un controlor programabil PLC care comunic prin
sistema de operare cu calculatorul.
Scrubberul este legat cu o conduct la ieirea pompelor rotative produse la reacie i
gazul care e n exces care nu pot fi emii n atmosfera sunt filtrate de acest dispozitiv i apoi vin
distribuii n atmosfer.
Programul conducere automatic de la PC: Aproape toate dispozitivele prezente n
sistem sunt comandate de controlor conectat la interfaa de comunicare i la un PC. Softul de
controlare, creat de MVSystem, permite de a utiliza instalaia n maniera complet automatic,
programnd-o s execute diverse pasuri de depunere. n cazul nostru se utiliza modul
semiautomatic de depunere, adic: controlul era efectuat de sistema ns diveri pai de realizare
se implementau n mod manual (mutarea probei, deschiderea valvolelor de la camere, conectarea
generatorului, includerea parametrilor de depunere, etc.). n cazul depunerii siliciului intrinsec n
camera PL4 procesul se efectua completament manual.

48
2.3. Descrierea msurrii R-T
Instalaia utilizat pentru msurarea spectrelor de transparent i reflectant este un
spectrofotometru comercial Perkin Elmer model Lambda 900, cu dou raze i dou
monocromatoare cu o optic a instrumentului care permite de a efectua msurri n un interval de
lungimi de und ncepnd cu ultraviolet (UV) i pn la vecintatea infraroie (NIR),
=(1803200)nm. Spectrofotometrul cu cerine particulare la condiiile climatice este prevzut
pentru funcionare ntr-un mediu cu temperatura cuprins ntre 15 i 35 grade i umiditatea ntre
20 i 80%. Precizia lungimii de und este de 0.080nm n UV-Vizibil (VIS) i 0.300nm n NIR.
Rezoluia spectrala e de 0.05-5.00nm, pasul 0.01nm, i 0.20-20.00nm cu pasul 0.04nm respectiv
n UV-VIS i NIR. Structura spectrofotometrului este caracterizat de o sistem optic cu dou
monocromatoare i n fiecare monocromator sunt utilizai reticoli olografice, att pentru
lungimile de und UV- VIS ct i pentru NIR.
Sistema optic a spectrofotometrului este demonstrat n Figura 2.4. Pentru a acoperi
intervalul corespunztor de lungimi de und sunt folosite dou surse de radiaie, una este o lamp
de Deuteriu (DL) pentru regiunea UV i alta Halogenica (HL) pentru VIS-NIR. Principiul de
funcionare a spectrofotometrului este urmtorul:

Fig.2.4. Sistema optic a spectrofotometrului Perkin Elmer model Lambda 900.

Pentru msurarile n intervalul NIR/VIS oglinda M1 reflect radiaia care provine de la lampa
HL ctre oglinda M2, n acelasi timp blocnd radiatia ce provine de la lampa de DL. Pentru
masurile n intervalul lungimilor de unda UV, oglinda sursa M1 este nalat (ridicat) permind
radiaiei ce provine de la lampa de DL s loveasc oglinda M2. Schimbarea sursei este
automatic la lungimea de und de 320nm. Radiaia care provine de la una din dou lampe este
reflectat de oglinda M2 ctre oglinda M3 apoi ctre oglinda M4 preventiv fiind filtrat de un
49
filtru optic (FW) care este condus de un motor pas cu pas i sincronizat cu monocromatoarele.
De la oglinda M4 radiatia traversind liul SA este colimat catre oglinda M5 si reflectata catre
reticolul G1 a monocromatorului I. In functie de lungimea de unda radiatia loveste reticolul
pentru UV/VIS sau reticolul pentru NIR, schimbarea carora este sincronizzata in mod automat.
Radiatia ce afecteaza reticolul produce un spectru. Rotarea reticolului selectioneaza un segment
din spectru reflectindul catre oglinda M5 si de la acesta catre liul de esire. liul de esire are ca
scop de a restringe si mai mult segmentul spectrului. liul se schimba automat pe parcursul
rotarii monocromatorului. liul de esire de la monocromatorul 1 este acelasi de intrare pentru
monocromatorul 2. Radiatia este reflectata prin oglinda M6 catre reticolul G2, si dupa, prin
oglinda M6 si liul de esire al monocromatorului 2 ajunge la oglinda M7. Rotarea lui G2 este
sincronizzata cu G1. Radiatia formata de la liul de esire este caracterizata de o rezolutie
spectrala inalta si de o tulburare foarte mica.
In intervalul UV/VIS si NIR se poate de ales intre un li de largime fixata, un servoli si
un li programat. Cind servoliul este selectionat, largimea liului se schimba automat pe
parcursul achizitiei cu scopul de mentinere energia detectorului constanta.
De la oglinda M7 fascicolul este reflex, printr-o oglinda M8, catre un separator de
fascicol chopper (C). C format de un segment de oglinzi, un segment de fereastra iar altele doua
segmente intunecate, rotinduse face ca radiatia sa cada pe diverse segmente. Cind radiatia
intilneste segmentul de fereastra, trece spre oglinda M10 si creaza un fascicol de referiment (R,
reference beam). Cind, in schimb, fascicolul intilneste segmentul cu oglinda este reflectat spre
oglinda M9 si creaza fascicolul principal (S, sample beam). In acest mod masurarea poate fi
efectuata prin confruntarea intre fascicolul de masura care cade pe proba si acela de referiment.
Cind segmentul intunecat este in drumul fascicolului, nici un semnal nu ajunge la detector,
permitind detectorului sa creeze un semnal intunecat (dark signal), adica un semnal nul.
Inaltimea fascicolului este de 10mm, largimea depinde de la deschiderea liului: cu o deschidere
de 5mm se obtine o largimea de 4,5mm.
Compartimentul detectorului este format de o sfera de integrare, schema optica a caruia
este presentata in Figura 2.5. Sfera cu diametrul de 57mm este acoperita integral de un difuzor
perfect de sulfat di bariu (BaSO
4
), este dotat de un fotomultiplicator si un detector de PbS si,
astfel, poseda aceeasi extensie spectrala ca si a instrumentului. Schimbul detectorului este
efectuat in mod automat pe parcursul scanarii la 860nm.
Utilizarea acestui accesoriu este fundamentala pentru a efectua masurile de transparenta
pe probele care imprastie lumina incidenta. De fapt sistema care este descrisa permite de
dezvalui doar partea radiatiei transmisa care cade sub un unghi solid mic: aceasta usa, la
50
masurarea acestor probe, are o pierdere a radiatiei difuza si o sopravalutare al absorbimentului.
Sfera de integrare permite de a obtine si spectrele de reflectanta, atit specular cit si defuz, care
sunt fondamentale pentru studiul caracteristicilor optice a profilo examinate. Indepartarea a unei
parti minime de la propria sfera, indicata cu 11 in Figura 2.5, permite de fapt excluderea unei
parti a radiatiei reflectata si transmisa in mod specular, permitind astfel de a diferentia toate
evaluarile necesare.


Fig.2.5. Schema sferiei integrale de 60mm a spectrofotometrului Perkin Elmer model Lambda
900.

Cum se observa din Figura 2.5, fascicolul de referiment, generat prin pozitia R, este
reflectat prin oglinzile S15, E16, E17 in pozitia 10, unde intra, printr-o fereastra, in sfera,
constituind semnalul de referiment. Fascicolul generat in S, in schimb, intra in sfera printr-o
deschizatura in pozitia 9 dupa ce este reflexa de oglinda S15

catre E16

. Masurarea
transparentei, pentru probele care imprastie lumina incidenta, sunt efectuate introducind aceleasi,
nu mai mult in pozitia S ci in pozitia 9 si introducind pozitia 7,8,11 a difuzorilor ideali ai
radiatiei care imprastie ultima in toate directiile.. In acest mod, radiatia transmisa subto unghiul
soli deste racoltata de sfera si evidenziata. Se permite oricum distinge cita parte de lumina totala
evidenziata este transmisa sub un unghi solid diferit de cela directionat normal catre proba, care
o are radiatia incidenta. Aceasta poate fi efectuat, punind in schimbul unui difuzor ideal, o
oglinda plana in pozitia 7, progectata in asa mod, incit componenta radiatiei, transmisa
perpendicular in directia probei, formind un unghi de 8
o
cu axa normala a oglinzii. Inclinarea
este determinata in mod ca componenta normala luminii transmisa vine reflectata de la oglinda
catre fereastra care se afla in pozitia 11. Daca in aceasta pozitie este pus un difuzor ideal,
spectrofotometrul face o masurare de transparenta totala T
t
, in caz ca in fata ferestrei este montat
un interpolator (Beam catch), componenta normala este absorbita si nu mai intra in fereastra: in
asa mo deste masurata doar componenta difuza T
d
a radiatiei transmise. Componenta speculara
T
n
a transparentei se obtine prin diferenta a acestor doua spectre obtinute: T
n
=T
t
-T
d
.
Acelai discurs este prevzut si pentru msurarea reflexiei speculare si difuze. Pentru
interpretarea unei masurari a luminii reflexe de la o proba este necesar de inserire proba in fata
51
ferestrei montate in pozitia 7. Proba este sprijinita de o platforma, care conform deminsiunilor
sale, poate fi mutata vertical si mentenuta din spate de un accesoriu, care in regiunea in care
proba este transparenta, ar putea reflectare dinou inapoi radiatia transmisa de la strat. Pentru
evitare aceasta, pe parcursul masurarii reflexiei, in spatele stratului este instalat un material negru
care absoarbe radiatia transmisa de strat. Pentru a interpreta o masurare de reflexie totala R
t

(speculara + difusa) este montat in pozitia 11 difuzorul ideal; in cazul ca este necesar de a
masura componenta difusa R
d
e necesar, analogic ca si in cazul masurarii transparentii, de a pune
in fata ferestrii 11 fascicolul de captura care absoarbe componenta luminii reflexe specular de la
proba. Componenta speculara R
s
este data de relatia R
s
=R
t
-R
d
.
Pentru a interpreta masuri bune a semnalului se pot varia diferiti parametri; precum
deschizatura slitului, viteza de scanare, etc. O valoare majorata a deschizaturii selectioneaza o
banda a spectrului foarte larga, aceasta permite un bun raport semnal-zgomot, insa duce si la o
pierdere a rezolutiei. Cind semnalul transmis este mare nu sunt probleme legate de aceste valori.
In regiunea spectrului, in care materialul are o absorbie nalta, raportul semnal-zgomot poate
deveni destul de mic. In final s-a decis de a ajunge la un compromis si s-a stabilit deschizatura
SA la o valoare de 4mm. Pe parcursul scanarii valoarea reala a deschizaturii este putin modificata
de instalatia in regiunile unde din cauza sensibilitatii mici a detectorului, masura rezulta destul de
zgomotoasa, ceea ce se intimpla, spre exemplu, pentru valori de putin superioare de 860nm,
valoarea cind are loc schimbul detectorului.
Alegerea vitezei de scanare, depinde de natura probei investigate si de la banda de trecere
selectionata. Cind sunt prezente bande de absorbtie destul de largi, pot fi utilizate inca si valori
aproximativ inalte a vitezei: valoarea in cazul nostru, care e optimizata dupa raportul semnal-
zgomot pe intregul interval al spectrului este de 120nm/min.
Timpul de raspuns a masurarii conditionat de raportul semnal.zgomot este legat si de
viteza de scanare. Cresterea timpului da raspuns poate de fapt sa duca la micsorarea zgomotului.
In cazul cind viteza de scanare este destul de inalta, timpul de raspuns lung produce distorsiuni in
spectru. Timpul de raspuns ales este cel de-al doilea ales, aceasta valoare permite o scanare
rapida si nu da probleme legate de zgomot. Instrumentul permite pe linga aceasta de a alege
modalitatea de achizitie: transparenta sau absorbtia, care se mai numete densitatea optica si e
definita cum log(1/T).
Spectrofotometrul este condus de o programa de la Perkin Elmer printr-un calculator;
aceasta programa permite de fixare valorile parametrilor de masura despre care este scris mai sus
si de a selectiona intervalul de unda unde dorim sa facem masura. Spectrele rezultate sunt
52
prelucrate de o programa care permite determinarea constantelor optice si prevede construirea
dependentilor necesare precum si salvarea tabelelor rezultate.

2.4. Descrierea masurarii Raman.
n acest paragraf, este prezentata metoda de caracterizare care a fost folosita pentru
analiza structurala a straturilor subtiri de siliciu amorf si microcristalin si anume spectroscopia
Raman. Este tehnica analitica puternica bazata pe analiza inelastica scattering (dispersiv) la
interactiunea luminii cu materialul testat. Aceasta metoda poate fi aplicata pentru gaze, lichide
sau materiale solide. Spectroscopia Raman prevede caracterizarea spectrala a vibratiilor
moleculelor (sau fononilor in solide) care pot fi utilizate pentru identificarea probelor i/sau fazei
de cuantificare. Un spectru Raman reprezinta intensitatea luminii imprastiate in functie de
trecerea n frecven (de exemplu, de energie), de frecvena luminei de excitaie. Acest Raman
shift este legat direct de energiile vibrationale a legaturilor intre atomi in materialul dat. Mai
exact, in cazul siliciului in straturi subtiri, spectroscopia Raman este deosebit de bine adaptata
pentru a face diferenta intre faza amorfa si faza cristalina. Prin urmare, aceasta tehnica permite sa
cuantifice gradul cristalinitatii in siliciul microcristalin.
Spectroscopia Raman (sau spectroscopia micro-Raman) se refer la tipul de aparat
folosit. Exitatia luminii este ghidata si focusata pe o proba i semnalul Raman intors (dispersat)
este, de asemenea, colectat prin intermediul microscopului.
Avantajul spectroscopiei Raman este posibilitatea de a face o masura rapida fara a cauza
distrugeri superficiale a materialului cercetat. ntr-adevr, nu este necesar o preparare
suplimentara a probelor si aceasta tehnica de necontactare permite caracterizarea probelor evitind
in acelasi timp contaminarea sau deteriorarea lor. Deconvoluia spectrelor Raman ofera o
informatie cantitativa referitor la cristalinitate, astfel poate corela proprietatile transportului
electronic masurat in stratul microcristalin. Mai mult dect att, spectroscopia Raman nu este
aplicabila numai in cazul straturilor unice dar poate fi, de asemenea, efectuata pe o structura
intreaga alcatuita din mai multe straturi subtiri de siliciu. Astfel acest instrument ne da
posibilitatea de a caracteriza volumul fractiei amorfe si fazei cristaline a unei structuri solare in
baza straturilor subtiri de siliciu. In capitolul dedicat structurilor in baza straturilor subtiri de
siliciu vor fi masurate si vor fi stabilite relatiile dintre proprietatile electrice si cristalinitatea
celulelor solare.
La interactiunea luminii cu materia are loc fenomenul de dispersie a luminii, care poate fi
de doua tipuri:
53
dispersia elastica sau Rayleigh scattering, cazul in care imprastierea luminii are aceiai
lungime de und () sau frecven cu cea a luminii incidente:
1
=
2
. Acest model de
dispersie este n mare msur, predominant.
dispersia inelastica sau Raman scattering, cazul in care imprastierea luminii are diferita
lungime de unda sau frecventa dect cea de la lumina incidenta:
1

2
. Acest model de
dispersie are loc intr-o fractie foarte mica (~10
-5
-10
-7
) din valoarea total a luminii
imprastiate. In acest proces are loc si absorbtia sau emiterea unui fonon.
Spectroscopia Raman este un microscop optic specializat. Ca in orice microscopie optica
rezoluia spaial laterala este de ordinul micronilor. In Figura 2.6 este prezentata imaginea reala
a instalatiei utilizate in aceasta lucrare: Renishau Raman Microscope, system 2000. Sistema
completa consta din trei elemente (Figura 2.7).


Fig.2.6. Renishau Raman Microscope, system 2000


Fig.2.7. Schema sistemei Renishau Raman Microscope, system 2000

54
1. Lazerul. Sistema este echipata cu un argon (Ar) lazer (Melles Griot 532R-GS-A03)
iluminind la o lungime de und de 514nm (verde), precum i un heliu-neon (HeNe) laser
(Melles Griot 31-2108-000) iluminind, la o lungime de und de 633nm (rou). Cu scopul
de a adopta intensitatea lazerului care intra in spectrometru, fascicolul trece printr-un
filtru de atenuare a lazerului care contine patru filtre Neutral Density (ND) si un orificiu
care permite sa treaca 1%, 10%, 25%, 50% sau 100% din lumina initiala. Apoi, fascicolul
trece printr-un filtru band-pass, care previne trecerea luminii falsificate in
spectrofotometru.
2. Spectrometrul Raman. In Partea de jos al spectrometrului fascicolul exitat de la lazer
este directionat catre microscop (in Figura 2.7 elementele C si D: beam expander;
elementele B, E si F: oglinzi). Ulterior, in partea superioara are loc colectarea semnalului
de la mostr. Un set de filtre holografice (elementul G) elibereaza lumina dispersata
(imprastiata) Rayleigh (fiecare filtru este pentru o lungime de unda precisa si trebuie sa
fie schimbat in dependenta de lungimea de unda excitata). Dupa ce trece printr-o fant
precedat de o lentil (elementul I) lumina dispersata Raman ptrunde n spectrograf
constituit dintr-un singur suprtor din oglinzi in forma treunghiulara (elementele K si J
respectiv). Suprtorul extinde spatial diferite lungimi de unda care constituie semnalul
Raman. n cele din urm, un semnal detectat este obinut prin utilizarea unui dispozitiv
sensibil (charge coupled device CCD) care este racit termoelectric (elementul N). Este
de mentionat ca elementele spectrometrului H,O,P,Q,R si L sunt destinate pentru
masurari global imaging, care nu au fost utilizate in masurarile noastre.
3. Microscopul. Prin mutarea oglinzei si fascicolului separator, microscopul poate fi utilizat
fie ca un instrument comun pentru observarea probelor sau ca interfata intre spectrometru
si proba in timpul masuratorilor Raman. Fascicolul excitat este focusat pe monstra prin
intermediul unui obiectiv si apoi colecteaza lumina lumina imprastiata inapoi in acelasi
mod. In plus, un obiectiv cu o marire de 20, care este de obicei folosit pentru observarea
probelor, mai sunt montate pe microscop alte patru obiective care se folosesc pentru
masurarea Raman, cu diverse mariri (50 sau 100), folosite in dependenta de masurarile
efectuate.
Datele achizitionate de la CCD sunt citite, stocate si prelucrate de catre un computer, care
pe linga asta controleaza toate functiile spectrometrului in mod automat printr-un software pus la
disponibilitate de compania producatoare a instalatiei.
Pentru achiziionarea unui spectru Raman, proba este introdusa pe o platforma a
microscopului si fascicolul lazer este axat pe suprafata probei. In timpul masurarii Raman,
55
incaperea unde se afla sistema este in regim blacked-out. Pe linga asta, se blochiaza si fascicolul
luminos al microscopului, pentru a limita zgomotul in spectrul Raman. Principalii parametri care
trebuie s fie adaptati sau alesi, atunci cnd se achiziioneaz un spectru Raman sunt
urmtoarele:
Lungimea de unda pentru excitarea lazerului (514nm sau 633nm).
Obiectivul microscopului (de exemplu marirea si orificiul numeric, definirea diametrului
fascicolului concentrat).
Intensitatea luminii excitate.
Pozitia centrala a spectrului Raman, care de asemenea defineste diapazonul spectrului, n
funcie de lungimea de und folosita. Pentru caracterizarea materialelor in baza siliciului
(materialele noastre), de obicei pozitia centrala este de 520cm
-1
(calibrarea se face in la
aceasta pozitie, desi pot fi folosite si pozitii diverse) [77]. Ca o nota se poate de
mentionat ca cea mai mare parte a picurilor in caracteristicile Raman apar in intervalul
100 3600cm
-1
.
Timpul de expunere. Aceasta permite CCD sa fie expus la o iluminare de scanare Raman
mai mare sau mai joasa. Cresterea timpului de expunere poate mbunti calitatea datelor
a semnalului Raman n cazul n care acesta este slab si in cazul aparitiei unui zgomot.
Numarul de acumulari. Acumularea de date spectrale implic capturarea spectrelor
identice i co-adugarea lor mpreun. Aceasta este, de asemenea, utilizat pentru a mri
rata semnalului de zgomot care este sistematic si intimplator.
Prin utilizarea sistemei micro-Raman, spectrele Raman sunt obinute in volum microscopic al
probei; de obicei, acest volum depinde de raspunsul probei (indicile de refractie i absorbie),
lungimea de und, obiectivul utilizat i dac sistemul este sau nu este configurat pentru
focalizarea obiectivului. Intensitatea picului Raman (msurat fie de amplitudinea picului, sau de
ctre zona n care se afla picul) va depinde de volumul cercetat, de natura materialului, de
texturizarea suprafetei probei, de puterea luminii lazerului, de obiectivele propuse, de setarea
latimii liului si de metoda de captare a datelor spectrale (timpul de expunere, numarul de
acumulari, etc.). Aceasta determina numarul de fotoni generati, capturati si convertiti in semnal.
Prin urmare, intensitatea (sau area) unui pic nu poate fi folosita ca o masura absoluta pentru orice
caracterizare microstructurala. Numai intensitatea relativa (sau area) cu diverse picuri prezente
pe un acelai spectru Raman poate fi comparata i utilizata ca o informaie calitativa sau
cantitativa. Rezolutia limita a spectrului Raman obtinut cu sistema micro-Raman este de
aproximativ 1cm
-1
(este determinat de bariera).

56
2.5. Descrierea masurarii I-V.
Schema sistemei de masurare a caracteristicilor I-V este prezentata in Figura 2.8.
Verificarea caracteristici I-V se efectua, atit pentru celule cit si pentru module, in acord cu
normativele CEI 60904-1. Primul pas inaintea inceperii masurarilor este efectuarea calibrrii
simulatorului solar, care este efectuata folosind o celula de referiment, certificata, pentru care
este certificat curentul de scurt circuit in conditiile de iluminare a spectrului de referiment (AM0,
AM1, etc.). Conditiile de masurare pentru celulele solare in spectrele utilizate sunt sintetizate in
protocolul international ISO 9845-1. Calibrarea este efectuata cu un dispozitiv certificat SC-276,
care in conditiile AM1,5 are o valoarea a curentului de scurt circuit de 118,7mA. Valorile
curentului si tensiunii a dispozitivului pot fi citite pe 2 multimetre de tipul 3478A de productie
Hewlett + Packard (HP). Dupa azerarea valoarii tensiunii, este regulata intensitatea iluminarii de
pe panelul de control a simulatorului, in mod manual, pina la obtinerea valorii necesare a
curentului in dispozitivul de calibrare. Rezistenta interioara a dispozitivului de calibrare este
controlata de o sursa curent/tensiune de tipul Keithley 228A. Odata calibrat, se procede la
montarea celulei in rama-suport folosita la masurarile efectuate. Lumina incidenta pe probele
examenate are o uniformitate pe un diametru de pina la 150mm. Tot procesul de masurare este
gestionat de softul prezent intr-un calculator, care comunica cu dispozitivele folosite prin
interfata GPIB. Alimentatorul programabil permite explorarea in intervalul de tensiune necesar
pentru trage curva I-V; pentru orice valoare de tensiune multimetrul M1 detecta caderea
potentialului prezenta in dispozitiv si multimetrul M2 masoara curentul printr-un rezistor calibrat
la valoarea de 1Ohm. Datele sunt memorizate in memoria calculatorului, care trage curba un
grafic a curbei I-V a dispozitivului si calculeaza parametrii fotoelectrici fundamentali: V
cd
, J
sc
,
FF, E
FF
, R
ser
si R
sh
, pentru o arie de 1cm
2
, care este preventiv setata in procesul msurrii.
Aparatul de masurare I-V: Aparatul de masurare a caracteristicii I-V este configurat
conform schemei de mai jos. Componentele principale sunt urmatoarele:
- Simulatorul solar Spectrolab X25 Mark II s/n 7862: furnizeaza un fascicol luminos
continuu de intensitate regulabila intre limitele determinate si cu caracteristicile proprii
din clasa caruia ii apartine. Simulatorul consta, esential, dintr-o lampa de xenon de 3kW,
impreuna cu un alimentator, si citeva stadii optice pentru colectarea luminii generate, la
fascicolul directionat potrivit spectrului necesar. Principalele caracteristici sunt:
Sursa: Xenon 3kW continuu
Iradierea maxima: 120mW/cm2 pe masa de test
Disuniformitatea medie: <2%
Stabilitatea: 1%
57
Clasa pectrala: A.
- Alimentator de patru cadrane Keithley 228A s/n 313005. Alimentatorul este indicat cu
AP in schema blocului din Figura 2.8, interpreta functionarea incarcarii electronice.
- Multimetru HP 3478A s/n 254523181 pentru masurarea tensiunii si multimetrul HP
3478A s/n 261933788 pentru masurarea curentului la mijlocul shunt.
- Shunt de 1Ohm Yokogawa 2792 s/n 52FS4045: rezistenta calibrata permite de
determinare curentul care trece prin celulala masurata atraversind masura de tensiune. In
aceasta maniera este minimizata eroarea masurarii, astfel in cit nu este necesar de
conlegat multimetrul in serie, introducind un efect de sarcina.
- Termometru Fluke 2190A s/n 4150005 pentru analizarea continua a temperaturii
dispozitivului.
- Celula solara calibrata de referiment Spire SC080 (ESTI 2003)
- Celula solara calibrata de referiment Spire SC276 (ESTI 2005)

Fig.2.8. Schema sistemei de masurare a caracteristicilor curent-tensiune.

2.6. Descrierea masurarii eficientii cuantice interne
In Figura 2.9 este demonstrata schema sistemii care este utilizata pentru masurarea
eficienei cuantice interne efective (Q
ef
) i fotosensibilitatii spectrale a celulelor solare rezultatele
carora sunt prezentate in capitolele ce vor urma. Lumina monocromatic care provine de la o
lampa de Xenon traversind un monocromator cu grilaje si un chopper ca mai apoi sa fie
directionata catre proba. Choperul face semnalul luminos alternat. Lampa Xenon emite un
spectru cu picuri la anumite lungimi de unda care posibil sa creeze erori de masura. Aceste erori
pot fi eliminate in cazul cind se masura puterea luminii incidente asupra dispozitivului in timpul
real; pentru a face aceasta se utilizeaza un beam splitter care separa fascicolul monocromatic
in doua parti egale. Unul din aceste fluxuri cade pe suprafaa celulei solare calibrate, curentul de
scurt circuit (I
sc
) a creia determin energia fluxului de lumin incident. Aceast energie, fiind
mprit la h, indic numrul de fotoni incideni pe suprafaa celulei calibrate i, deci, i pe
58
suprafaa probei examinate. Fluxul al doilea de lumin monocromatic cade pe suprafaa probei,
fotocurentul generat este amplificat prin un lock-in si se masoara cu un multimetru de precizie
inalta. Se determin valoarea I
sc
, care, fiind mprit la sarcina elementar q, indic numrul de
electroni separai de jonciunea celulei solare. Raportul dintre numrul de electroni separai i
numrul de fotoni incideni pe suprafaa celulei solare este eficiena cuantic intern a acesteia
pentru o lungime de und fixat. Toata sistema este gestionata de un software printr-un
calculator. Programa inregistreaza la intrare parametrii principali de configurare a masurarii,
precum: intervalul lungimii de unda, pasul de masurare intre doua puncte a lungimii de unda,
biasul optic si electric. Dupa ce masura este configurata si aparatajul este impostat, softwerul
incepe un ciclu, unde pentru fiecare lungime de unda se masoara puterea luminii incidente prin
radiometru, noteaza fotocurentul dispozitivului si calculeaza Q
ef
.
Instalatia din figura , permite de a polariza celula atit cu un bias optic cit si cu un bias
electric. Biasul optic este necesar pentru masurarea Q
ef
a dispozitivilor tandem: lumina biasului
provine de la doua lampe, asezate lateral bancului de masura, este directionata catre proba printr-
o sistema de lentile; traversind filtre optice care pot fi schimbate in timpul masurarii. Avantajul
de a avea o sursa DC pentru bias optic este interferenta mica cu lumina AC care provine de la
monocromator. Alegerea lampii de bias si in acest caz este pentru Xenon, deoarece o lampa cu
filament clasica pot avea o emisie slaba in albastru, aceasta spre exemplu ar duce la
imposibilitatea saturarii celulei top in cazul masurarii celulelor tandem.
Polarizarea electrica este efectuata prin un generator DC, este aplicat pentru dispozitivul
tandem integru, astfel este important sa tinem cont de faptul ca jonctiunile unice se pot gasi la
tensiuni diferite. Pentru a efectua o masura corecta este necesar de a proceda in felul ca nici o
sursa de lumina externa nu poate sa contacteze dispozitivul, care este iluminata doar de lumina
monocromatica sau eventual de la lumina de bias.
Aparatul de masurare Q
ef
: Componentele principale a instalatiei pentru masurarea
eficientii spectrale sunt:
- Trei lampe Xenon ORIEL CORPORATION, modelul: 66181, 60184, 66056
- Monocromator SPEX 1681 0,22m Spectrometru: merge vorba de un monocromator cu
reticol de difractie, care permite de a obtine lumina monocromatica diracta catre
dispozitiv.
- Sistema de lentile: necesara pentru a dirija si de a focaliza lumina catre dispozitiv.
- beam splitter: pentru impartirea luminii monocromatice in doua fisii, unul catre
radiometru si altul catre dispozitiv
59
- Radiometrul LASER PRECISION CORP. Mod. RK5710: care primeste o parte de
lumina care provine de la monocromator. In baza datelor furnizate de la radiometru este
posibil de a deriva puterea luminii incidente.
- Bancul de instrumente a masurarilor: Amplificator Lock-in Stand Ford Research Systems
Mod.SR830 DSP, noteaza si masura fotocurentul generat a luminii monocromatice; un
multimetru Fluke 82404 care masoara curentul total care traverseaza celula, pe cind
generatorul DC Keithei 617 permite polarizarea dispozitivului
- Calculator personal: softwarul prezent prin interfata GPIB, gestioneaza instrumentele si
conduce monocromatorul valorile fotoraspunsului sunt salvate automat intr-un fisier
textual.


Fig.2.9. Schema sistemii pentru masurarea eficienei cuantice interne i fotosensibilitatii
spectrale a CS.

2.7. Concluzii la capitolul 2
Cum se vede din informaia prezentat n acest capitol pentru investigrile efectuate i
anume a cercetrii dispozitivelor obinute n baza siliciului cristalin i n baza siliciului n straturi
subiri, au fost utilizate aparate moderne, folosite n mare parte n toate centrele internaionale de
fotovoltaic, cum ar fi: spectrofotometrul Perkin Elmer model Lambda 900; Renishau Raman
Microscope, system 2000; simulatorul solar Spectrolab X25 Mark II s/n 7862 i aparatul de
msurare a Q
ef
. Utilajul respectiv a permis elucidarea concluziilor efectuate pe parcursul lucrrii
i prezentarea rezultatelor la un nivel tiinific nalt.
60
3. OBINEREA STRUCTURILOR n
+
ITO-nSiO
2
-nSi

n acest capitol sunt descrise procedeele succesive pentru obinerea straturilor subiri
SnO
2
i In
2
O
3
:SnO
2
(ITO). Sunt prezentate rezultatele studiului devierilor grosimii straturilor
obinute, conductibilitii electrice i caracteristicilor optice ale acestora. Sunt reflectate lucrrile
efectuate pentru obinerea jonciunilor de tip semiconductor-izolator-semiconductor (SIS) ITO-
nSi folosind n calitate de material de baz siliciul cu diverse valori ai parametrilor electrici.
Sunt prezentate rezultatele msurtorilor caracteristicilor de sarcin a jonciunilor n
calitate de convertori fotovoltaici, care au permis determinarea parametrilor optimali ai siliciului
pentru obinerea efectului fotovoltaic maximal.

3.1. Obinerea straturilor subiri oxidici prin metoda pulverizrii.
Straturile subiri de o nalt transparen n regiunea vizibil a spectrului radiaiei
electromagnetice i de o conductibilitate nalt comparabil cu conductibilitatea metalelor sunt
materiale importante pentru utilizare n dispozitive optoelectronice, n celule solare, n
construcia ecranelor luminiscente i din cristale lichide. Straturile subiri din aa materiale
semiconductoare de conductibilitate prin electroni ca oxidul de indiu i staniu In
2
O
3
:Sn (ITO),
dioxidul de staniu dopat cu fluor sau stibiu (FTO, ATO), oxidul de zinc dopat cu aluminiu sau
galiu (AZO, GZO) pe larg se utilizeaz ca elemente transparente active sau pasive n
dispozitivele menionate.
Cercetarea straturilor subiri nominalizate se efectueaz n dou direcii principale:
- elaborarea procedeelor simple i puin costisitoare de obinere a straturilor subiri
transparente i conductibile (TCO), dar care asigur parametri optimali ai acestora;
- cercetarea utilizrii a straturilor subiri TCO n diverse ramuri ale industriei.
Procedee noi de obinere a straturilor subiri ITO i SnO
2
:Sb sunt descrise n [78-80]. n
[78] se propune un procedeu alternativ de depunere a straturilor subiri In
2
O
3
:Sn i SnO
2
:Sb la
temperatura camerei prin tehnica de separare, nmuiere i pulverizare folosind soluii preparate
cu nanoparticule cristaline (mai mult de 10-15vol.%) ce se dizolv totalmente n ap (pentru
SnO
2
:Sb) sau alcool (pentru In
2
O
3
:Sn). Probele obinute au fost supuse tratamentului termic la
temperaturi pn la 900C. Straturile subiri In
2
O
3
:Sn aveau o rezistivitate de 1,510
-2
Ohmcm,
care se micora pn la 3,410
-3
Ohmcm dup o tratare suplimentar n atmosfer de azot.
Rezistivitatea straturilor subiri SnO
2
:Sb devenea minimal egal cu 1,710
-2
Ohmcm dup o
tratare termic la 550C. Parametri probelor SnO
2
:Sb au o durat lung de stabilitate, iar
61
rezistivitatea probelor In
2
O
3
:Sn dup tratarea termic crete cu timpul pn la o valoare de trei
ori mai mare. Se accentuiaz c probele cercetate sunt de o calitate optic nalt, transmisia
luminii n domeniul vizibil al spectrului fiind mai mare de 90%.
Toate lucrrile efectuate in aceasta lucrare sunt direcionate spre obinerea jonciunilor
puin adnci cu suprafaa activ egal cu suprafaa plachetelor de siliciu, utilizate n acest caz ca
material de baz pentru obinerea jonciunilor nominalizate. Cu acest scop a fost elaborat i
realizat instalaia de depunere a straturilor subiri ITO prin metoda de pulverizare i piroliz a
soluiilor chimice pe plachetele de siliciu cu diametrul 100mm. Straturile subiri ITO, obinute
prin aceast metod, n primul rnd, se caracterizau printr-o conductibilitate electric majorat.
Practic conductibilitatea straturilor ITO nu se deosebete de conductibilitatea metalelor. n al
doilea rnd, aceste straturi sunt transparente pentru radiaia solar i, avnd valoarea maximal a
conductibilitii electrice i a transparenei pentru razele solare, corespund cerinelor principale
ctre componenta frontal a jonciunilor, utilizate n energia solar [81]. Depunerea straturilor
subiri de ITO pe suprafaa plachetelor de siliciu, preventiv special tratat chimic, conduce la
apariia la interfaa materialelor numite a barierei de potenial, adncimea crei poate fi dirijat
prin depunerea componentei frontale de diverse valori ale grosimii. Deja a fost demonstrat
posibilitatea fabricrii convertoarelor fotovoltaice cu suprafaa activ 5cm
2
n baza structurilor de
tip SIS, jonciunea fiind format prin pulverizarea soluiilor chimice a clorurilor de indiu i
staniu pe suprafaa plachetelor de siliciu. Folosind aceeai metod de formare a jonciunii
urmeaz descrierea procedeului de obinere a celulelor solare cu suprafea activ 48,6cm
2
, i
prezentarea rezultatelor msurtorilor caracteristicilor tipice ale celulelor obinute.

3.1.1. Succesiunea proceselor de obinere a straturilor subiri In
2
O
3
:SnO
2
(ITO)
a) Punerea n funciune a cuptorului electric
Deja s-a menionat c alimentarea cuptorului electric n instalaia elaborat este efectuat
cu ajutorul sistemului de alimentare cu curent electric care asigur i reglarea cu precizie nalt a
temperaturii n interiorul cuptorului. Conform instruciunilor de utilizare a sistemului de
alimentare temperatura n cuptorul electric prin reglarea manual se ridic pn la valoarea
necesar. Aceast valoare a temperaturii se va susine automat dup comutarea sistemului de
alimentare n regim automat de lucru. La ridicarea temperaturii n cuptorul electric suportul este
situat n interiorul cuptorului n regiunea de lucru. Temperatura suportului se controleaz cu
ajutorul termocuplului cromel-capel (TXK68 GOST 304477), care este prevzut n construcia
suportului. Situarea suportului n interiorul cuptorului la ridicarea temperaturii este necesar, n
primul rnd, pentru a ncepe procesul de depunere a straturilor subiri imediat dup stabilirea
62
temperaturii n regiunea de lucru a cuptorului, n al doilea rnd, pentru stabilirea temperaturii
necesare n regiunea de lucru a cuptorului. Stabilirea temperaturii n cuptorul electric se
efectueaz prin trecerea de la reglarea manual la regimul de lucru automat al sistemului de
alimentare cu curent electric la o valoare optim a temperaturii. Atingerea acestei valori de
temperatur n cuptor indic termocuplul prezentat n construcia suportului.
b) Pregtirea soluiilor chimice
Soluiile chimice pregtite pentru dispersare reprezint soluiile clorurilor de indiu i
staniu n ap sau alcool. Pentru pulverizare au fost preparate dou soluii:
soluia SnCl
4
n ap pentru obinerea straturilor subiri de SnO
2

soluiile InCl
3
i SnCl
4
n alcool pentru obinerea straturilor subiri In
2
O
3
:SnO
2
(ITO).
S urmrim mai detaliat procesul de preparare a soluiilor.
Au fost pregtite soluiile molare ale chimicalelor menionate. n cazul clorurii de staniu
fiecreia molecule de SnCl
4
corespunde 5 molecule de ap (SnCl
4
5H
2
O), deci greutatea molar
a (SnCl
4
5H
2
O) este de 351gram/mol. Dac ntr-un vas cu aceast cantitate de (SnCl
4
5H
2
O) va fi
turnat atta ap distilat, ca soluia s ocupe volumul de 1 litru, atunci soluia preparat va fi
molar (soluie 1MSnCl
4
5H
2
O n ap). Soluia 1MSnCl
4
5H
2
O n alcool se prepar identic
numai n calitate de dizolvant se utilizeaz alcool etilic 96% C
2
H
5
OH.
n cazul InCl
3
fiecreia molecule corespunde 3 molecule de ap (InCl
3
3H
2
O) i greutatea
molar a acestei substane este de 275,5gram/mol. Dizolvnd aceast cantitate de InCl
3
3H
2
O n
att alcool etilic 96% ca volumul soluiei s ocupe 1 litru, obinem soluia 1MInCl
3
3H
2
O n
alcool.
Avnd la dispoziie soluiile preparate, care se pstreaz n vase de sticl ermetice, pentru
procesul de pulverizare, imediat la nceperea acestuia, se pregteau soluiile:
1MSnCl
4
5H
2
O:H
2
O n raport 1:1 pentru obinerea stratului subire din SnO
2
;
1MIn
2
O
3
3H
2
O:MSnCl
4
5H
2
O:C
2
H
5
OH n raport 9:1:10 pentru obinerea stratului
subire din ITO.
c) Degresarea plachetelor de siliciu
n calitate de substraturi pentru obinerea straturilor subiri SnO
2
i ITO au fost folosite
plachete din sticl, cuar, safir, siliciu. Pn la nceperea procesului de depunere pe substraturile
menionate a straturilor subiri, aceste substraturi au fost supuse degresrii i splrii minuioase.
Plachetele din sticl, safir i cuar de obicei n timp de 24 ore se tratau n soluie alctuit din
acid sulfuric i oxid de crom, apoi dup o splare n ap distilat i uscare se utilizau pentru
obinerea straturilor subiri ITO i SnO
2
ce urmau s fie cercetate din punct de vedere a
63
proprietilor optice i electrice. Plachetele din siliciu se tratau n acid fluorhidric pentru
eliminarea de pe suprafa a bioxidului de siliciu (SiO
2
), apoi se splau bine n ap distilat i se
uscau n vapori de aceton. Depunerea straturilor subiri de ITO i SnO
2
folosind n calitate de
substraturi plachetele de Si cu diametrul maximal (100mm, sau 4inci), urmrea scopul de a
cerceta omogenitatea i uniformitatea straturilor obinute.
d) Obinerea straturilor subiri SnO
2
, ITO
Reglarea operaiunilor tehnologice de obinere a straturilor subiri SnO
2
, ITO a fost
efectuat studiind procesul de obinere a straturilor subiri SnO
2
. Alegerea acestui proces n
calitate de obiect de studiu este cauzat de motive economice. ntr-adevr, clorura de staniu SnCl
4

este cu mult mai ieftin dect clorura de indiu InCl
3
i apoi SnCl
4
cu mult mai bine se dizolv n
ap dect InCl
3
i deci, ca dizolvant poate fi folosit apa distilat i nu alcoolul etilic de nalt
puritate.
Fie temperatura n cuptorul electric stabilit i egal 450C. Suportul este situat n
interiorul cuptorului i termocuplul suportului indic temperatura menionat. Aceasta nseamn
c sistemul de introducere i de rotire a suportului se afl n interiorul cuptorului (Figura 2.1).
Scoatem suportul din interiorul cuptorului n camera suportului, deschidem capacul camerei i cu
ajutorul pensetei aezm placheta de siliciu pe suportul (4). nchidem capacul camerei, ridicm
suportul n poziia iniial, ce nseamn c suportul cu placheta-substratul sunt situate n regiunea
de lucru a cuptorului (10). Dup un antrenament nu ndelungat micrile descrise se efectueaz
destul de rapid i temperatura suportului pe parcursul aezrii plachetei de siliciu practic nu se
micoreaz. In poziia descris suportul se rotete n jurul propriei axe cu o vitez 60 rotaii/min.
Fie sistemul de pulverizare reglat, oxigenul din butelie folosind reductorul, manometrul i
un robinet prin furtunul (16) (Figura 2.1) ajunge i trece prin injectorul de gaze a pulverizatorului
cu o presiune stabil 0,5atm. n rezervorul pentru lichide (13) a pulverizatorului se toarn o
cantitate de soluie preventiv pregtit 1MSnCl
4
:H
2
O n raport 1:1 i n acelai timp schimbnd
poziia mnerului (17) deplasm ecranul (11) i asigurm accesul fluxului de lichid dispersat n
interiorul cuptorului. Picturile din fluxul lichid dispersat se depun pe placheta de siliciu unde la
temperatura 450C are loc reacia de descompunere termic a soluiei i sinteza stratului oxid
SnO
2
conform reaciei (3.1).
HCl SnO O H SnCl 4 2
2 2 4
+ + (3.1)
Dup pulverizarea complet a lichidului din rezervorul sistemului de pulverizare toate
operaiunile tehnologice se repet n ordine invers.
Straturile subiri ITO se obin repetnd operaiunile tehnologice descrise i folosind
soluia 1MInCl
3
:1MSnCl
4
:C
2
H
5
OH n raport 9:1:10.
64
3.1.2. Obinerea jonciunilor ITO/SiO
2
/nSi n baza plachetelor de siliciu cu diametrul de
100mm
Pentru formarea jonciunii plachetele de siliciu trebuie s fie, n primul rnd, curate de
diverse murdrii i particule, situate pe suprafaa plachetei. Apoi, aceast suprafa se trateaz,
folosind diveri corodani, pentru a elimina o cantitate oarecare a siliciului i a obine o suprafa
pur fr distrugeri mecanice. Pentru efectuarea acestor lucrri a fost folosit suportul, prezentat
n Figura 3.1. Suportul este fabricat din politetrafluoretilen, care nu se distruge sub aciunea
soluiilor chimice alcaline, acide i chiar a apei regale. Pe baza (1) a suportului n adnciturile
special formate se aranjeaz cinci plachete de siliciu, care dup aceasta se fixeaz cu ajutorul
plcii mobile (3) situate pe stativul (4) a suportului. Suportul cu plachetele de siliciu fixate se
introduce ntr-un vas din sticl, rezistent la temperaturi nalte, se toarn pn la acoperirea
plachetelor degrasantul acetona, apoi vasul se instaleaz pe un reou cu firul electric nchis. La
fierberea acetonei se ncepe prima faz a procedeului de tratare chimic a plachetelor de siliciu i
anume degrasarea acestora i eliminarea particulelor strine de pe suprafeele plachetei. Dup
fierberea plachetelor de siliciu n aceton timp de 15-20min, acestea se usuc n vapori de
aceton i suportul mpreun cu plachete se instaleaz n alt vas, fabricat, ca i suportul, din
politetrafluoretilen. n acest vas se efectueaz a doua faz a procedeului de tratare chimic a
plachetelor de siliciu tratare n diveri corodani. Este cunoscut, c n baza corodantului chimic
trebuie s asiste dou componente chimice oxidantul i dizolvantul oxidului. n calitate de
oxidani pot fi utilizai acizii minerali HNO
3
, H
2
SO
4
, bioxizii H
2
O
2
, Na
2
O
2
, srurile complexe
K
2
Cr
2
O
7
, KMnO
4
, NaClO, iar n calitate de dizolvani ai oxizilor pe larg se folosesc acid
fluorhidric (HF), acid clorhidric (HCl), hidrooxizii KOH, NaOH etc. Deoarece plachetele de
siliciu degrasate pot fi acoperite cu un strat de oxid SiO
2
, acestea timp de 15-20min se trateaz n
acid fluorhidric. Pentru aceasta n vasul din politetrafluoretilen, n care este situat suportul cu
plachetele din Si, se toarn acid fluorhidric concentrat pn la acoperirea plachetelor. Dup
tratare suportul cu plachete se scoate din vas, se instaleaz n vasul din sticl, i plachetele
minuios se spal cu ap distilat. Acidul fluorhidric folosit se pstreaz ntr-un vas special.
Vasul din politetrafluoretilen se spal n ap distilat i se folosete pentru tratarea chimic a
plachetelor n alt corodant ce conine HNO
3
3 pri; HF 1 parte i CH
3
COOH 8 pri.
Mecanismul de autodizolvare a siliciului n corodantul de astfel coninut are un caracter
pronunat electrochimic. Acidul acetic CH
3
COOH n corodantul utilizat joac rolul elementului
(inhibitor) ce reduce viteza corodrii. Toate componentele corodantului n soluie sunt n stare
disociat i nivelul lor de activitate fa de suprafaa semiconductorului nemijlocit este legat de
nivelul lor de disociere. Deci, corodantul n baza sistemului HNO
3
-HF conine ionii:
65


Fig. 3.1. Suportul pentru plachetele de Si cu C100mm, utilizat la tratarea chimic a acestora
1 baza suportului; 2 plachete de Si cu C100 mm; 3 placa mobil a suportului; 4 stativ.

+
+
3 3
NO H HNO (3.2)
+
+ F H HF (3.3)
Dac n componena corodantului va fi introdus o cantitate destul de simitoare a
acidului acetic, aceasta, n rezultatul disocierii acidului, va conduce la apariia unui numr
suplimentar de ioni
+
+ COO CH H COOH CH
3 3
(3.4)
care vor influena asupra vitezei disocierii componentelor de baz a corodantului. Aceast
influen se manifest prin reducerea vitezei de disociere i, deci, prin scderea activitii de
corodare. Procesul de corodare n corodantul pe baza sistemului HNO
3
HF dureaz cca. 15min
dup ce plachetele de siliciu iari minuios se spal n ap distilat.
Considernd suprafeele plachetelor de siliciu purificate, urmeaz formarea stratului
dielectric pe suprafaa siliciului, pe care n continuare se va depune stratul subire ITO. Stratul
izolator n structurile de tip SIS n majoritatea cazurilor se formeaz din oxidul propriu al
componentei de baz. Stratul izolator intermediator la interfaa materialelor semiconductoare ce
formeaz jonciunea se folosete pentru a diminua concentraia strilor de suprafa, cauzate de
discordana parametrilor fizici ai acestora. Grosimea stratului izolator trebuie s fie numai de
zeci de Angstremi i din aceast cauz formarea lui este o operaiune tehnologic de nalt
responsabilitate. Stratul de SiO
2
pe plachetele de siliciu utilizate a fost format prin metoda
chimic i anume prin tratarea timp de 5min n soluia NH
4
OH+H
2
O
2
+H
2
O cu raportul
substanelor 1:1:4. Ca i n cazurile precedente, dup efectuarea unui procedeu de tratare chimic
plachetele de siliciu se splau n apa distilat i se uscau n vapori de aceton la fierberea acestei.
Toate lucrrile de pregtire pentru tratrile chimice i nsui aceste tratri se organizau ntr-aa
66
mod, ca pe parcursul zilei de lucru s rmn timp i pentru procesul de depunere pe plachetele
de siliciu a straturilor subiri ITO, ce i va fi expus n continuare.
Plachetele de siliciu recent tratate chimic se folosesc n calitate de substraturi pentru
depunerea straturilor subiri ITO. Pentru formarea barierii de potenial la interfaa ITO-Si
substraturile din siliciu posedau urmtorii parametri electrofizici:
- conductibilitatea electric prin electroni de valoare 0,2Ohm
-1
cm
-1
;
- concentraia purttorilor de sarcin 10
15
cm
-3

- mobilitatea purttorilor de sarcin 1500cm
2
/(Vs).
Reieind din doleana ca la finalizarea tratrilor chimice instalaia pentru depunerea straturilor
subiri ITO s fie pregtit pentru acest lucru, n timpul tratrii chimice a substraturilor, aceast
instalaie (Figura 2.1), prin sistemul su de alimentare i de reglare a temperaturii (1) se
conecteaz la reeaua electric.
n acelai timp se pregtete soluia lichid de pulverizare (vezi paragraful 3.1.1)
1MInCl
3
:1MSnCl
4
:C
2
H
5
OH n raport 9:1:10. Temperatura n interiorul cuptorului electric (2) se
controleaz prin termocuplul TXK68 (5) instalat n suportul rotativ (6), care cu ajutorul
mecanismului de rotire i deplasare (7) este situat n poziia de depunere (10), aflat la distana
25-30cm de la pulverizatorul (12). Se conecteaz la reea sistemul de evacuare (9) a produselor
de piroliz, care prezint un ventilator ce funcioneaz n regim de evacuare. Se stabilizeaz
temperatura suportului 450C. Suportul (4) din poziia (10) cu ajutorul mecanismului (7) se
situeaz n poziia de ncrcare a substratului. Se deschide capacul, pe suportul (4) se pune
substratul (3) ce reprezint placheta de siliciu recent tratat chimic, se nchide capacul i suportul
cu substratul aezat pe el prin mecanismul (7), care rotete automat (60rot/min) suportul (4) n
orice poziie cu excepia poziiei initiale, se situeaz n poziia de depunere (10).
Operaiunile de deplasare a suportului (4) din poziia de incarcare n poziia (10) i
invers dup aezarea substratului (3) pe suport se efectueaz ct se poate mai repede. n timpul
aciunilor rapide enumerate suportul masiv (4) practic nu pierde temperatura iniial, iar
substratul (3) placheta de siliciu de grosimea numai 300m imediat capt temperatura
suportului.
Se elimin ecranul (11), se deschid robinetele de alimentare cu gaz dispersat (oxigen),
care se doteaz cu o presiune 0,5atm i a lichidului (10ml de soluie
1MInCl
3
:1MSnCl
4
:C
2
H
5
OH), deci se pune n funcie pulverizatorul (12), care n timp de 60-
70sec pulverizeaz soluia pe suprafaa substratului plachetei de siliciu. Dup terminarea
procesului de pulverizare ecranul (11) se situeaz n poziia iniial, suportul (4) mpreun cu
67
substratul (3) din poziia (10) se deplaseaz n poziia de jos. Se deschide capacul camerei, se
schimb placheta de siliciu i procedeul de obinere a stratului subire ITO se repet.
Caracterizarea complexa a suprafeei unei plachete de Si in diverse stadii de prelucrare
(Figura 3.2) a fost realizata prin microscopia electronic de baleiaj (SEM). Aceasta caracterizare
a permis analiza si asigurarea controlului suprafeei dup fiecare proces in parte, si anume: 1-
placheta prelucrata RCA; 2-stadiul intermediar de prelucrare (prelucrarea chimica); 3- stadiul
final (dup depunerea stratului ITO). Rezultate obinute au demonstrat ca prelucrarea RCA nu
las nici o urm de impuriti pe suprafaa substratului de siliciu, care ar putea mpiedica
uniformitatea prelucrrii chimice a plachetei de siliciu. Chiar si in cazul spectrului 2 din Figura
3.2b) se observa ca nu avem nici un agent chimic suplimentar, ce ne demonstreaz ca suprafaa
substratului este bine splata in apa bidionizata dup tratamentul chimic. In cazul spectrului 3,
care a fost masurat deja dupa depunerea stratului oxidic ITO, observam ca avem un aport atomic
al tuturor elementelor prezente din lichidul folosit pentru depunere. Unicul element in plus este
K, care apare pe suprafaa siliciului dup depunere, care poate fi explicat doar prin faptul ca el
este prezent in praful iniial folosit pentru obinerea amestecului In
2
O
3
. Totui procentajul lui
atomar este att de mic in comparaie cu alte elemente (0,9%), incit poate fi neglijat. O alta
remarca care s-a observat este raportul dintre componentele In:Sn, care dup cum se observa din
rezultatele tabelare in inseria din Figura 3.2c) spectrul 3, este de circa 10:1.
Procedeul descris de depunere a straturilor subiri prin metoda pulverizrii cu ulterioara
piroliz a soluiilor chimice n comparaie cu procedeele analoge, descrise n literatur tiinific,
posed urmtoarele avantaje:
n primul rnd, diferena esenial dintre temperaturile soluiei pulverizate i a
substratului n procedeele analoge se nltur prin efectuarea pulverizrii soluiei chimice
n interiorul cuptorului electric unde temperatura crete succesiv de la 250C la marginea
cuptorului pn la 450C n regiunea depunerii straturilor subiri de ITO.
n al doilea rnd, deficitul oxigenului la realizarea oxidrii produselor pirolizei a
soluiilor depuse pe substrat i formarea stratului oxid se nvinge prin folosirea n calitate
de gaz dispersat a oxigenului comprimat ce permite realizarea reaciilor
Cl O In O InCl 12 2 3 4
3 2 2 3
+ = +
Cl SnO O SnCl 4
2 2 4
+ = +
i a amestecului In
2
O
3
:SnO
2
(ITO).
n al treilea rnd, substanele chimice, aprute n rezultatul pirolizei, care n procedeele
analoge nu se elimin i prin acumularea lor n regiunea formrii stratului oxid
68
destabilizeaz condiiile de formare a acestuia, provoac ireproducerea rezultatelor, n
procedeul elaborat efectiv se elimin cu ajutorul sistemului de evacuare (9).
Evaluarea reproductibilitii parametrilor straturilor obinute de ITO i anume a grosimii,
conductibilitii electrice i a transparenei n regiunea vizibil a spectrului radiaiei solare
demonstreaz c parametrii nominalizai variaz de la o prob la alta nu mai mult de 10% de la
valorile medii d = 0,4m, R = 30Ohm/, T =85% ale acestora [82].


Fig. 3.2. Spectrele SEM a), b) i c) a suprafeei siliciului.

Realizarea contactelor ohmice cu suprafeele celulelor solare ITO/SiO
2
/nSi
n celulele solare reale o parte din puterea electric furnizat se pierde pe rezistena serie
intern i extern. Rezistena serie intern este alctuit din rezistena stratului frontal, rezistena
bazei i rezistena regiunilor de tranziie semiconductor-contactul metalic, iar rezistena proprie a
contactelor metalice a celulei solare din spate i frontal formeaz rezistena serie extern. Dac
a)
b)
c)
69
rezistena serie intern poate fi numai optimizat, atunci rezistena serie extern trebuie maximal
s fie micorat.
Contactul frontal se execut n forma unor fii metalice paralele unite ntre ele cu o alt
fie metalic depus perpendicular fa de primele (grila de contact), iar contactul din spate
acoper toat suprafaa celulei. Evident, c ct grila de contact frontal, att i contactul din spate
a celulei solare trebuie s fie contacte ohmice, care se caracterizeaz prin absena la interfaa
metal-semiconductor a barierei de potenial.
Din cele expuse mai sus reies, c grila de contact pe suprafaa componentei frontale a
celulei solare trebuie s fie depus, folosind o masc special. Desenul acestei mti trebuie s
asigure depunerea contactului metalic n form de gril cu parametri determinai.
Elaborarea formei grilei de contact se ncepe cu determinarea dimensiunilor celulei
solare. Celula solar cu suprafaa maximal se obine la formarea jonciunii pe toat suprafaa
plachetei de siliciu. ns la asamblarea panourilor solare din celulele solare rotunde rmne
relativ mult spaiu a panoului neacoperit cu acestea. Mai des se folosesc celulele solare n form
optoedric. Celulele solare de aa form pot fi asamblate mai compact pe suprafaa panoului
solar. Noi am selectat forma optoedric cu lungimea laturilor mari de 55mm i acelor mici 18mm.
Reieind din aceste dimensiuni a fost elaborat grila de contact, forma i dimensiunile crei sunt
prezentate n Figura 3.3.
Pentru a obine o aa gril de contact pe suprafaa frontal a celulei solar este necesar de
a fabrica o masc cu desenul identic grilei elaborate. Desenul grilei se transfer pe materialul
mtii, care de obicei este o fie subire din cupru, prin metoda fotolitografiei. Pentru aceasta
sunt necesare fotoabloanele grilei de contact.
Materialul mtii se acoper cu un strat de fotorezist pozitiv, apoi acesta, fiind preventiv
iluminat prin fotoabloane se trateaz chimic. Tratarea chimic distruge locurile iluminate ale
fotorezistului, descoperind suprafaa foliei de cupru, care i ea ulterior poate fi corodat. Pentru
majorarea vitezei de corodare i pentru transferul mai corect al dimensiunilor desenului de pe
fotoablon corodarea mtii se efectuiaz din ambele pri ale foliei de cupru. Fia de cupru,
care se folosete pentru fabricarea mtilor are grosimea de 0,3mm. Dup toate operaiunile
tehnologice de tiere, corodare etc. mtile fabricate au o form ondulat.
Cu scopul ndreptrii formei mtile fabricate se supun unei tratri termice la temperatura
600C. Pentru efectuarea tratrii termice au fost utilizate trei placi masive din metal de grosimea
cca. 10mm. Mtile ondulatoare se situeaz ntre plci, laturile crora, ce sunt n contact cu
mtile situate ntre plci, sunt lefuite. Plcile se fixeaz n buloane i dispozitivul se instaleaz
ntr-un cuptor electric. Timp de 2-3 ore temperatura cuptorului electric se ridic pn la 600C,
70
se susine timp de ase ore, apoi cuptorul se deconecteaz de la reea i n acest regim
temperatura se coboar pn la temperatura camerei. Dup aceasta placile se demonteaz,
mtile fabricate tratate termic se nrmeaz i mpreun cu un suport special pentru depunerea
grilei de contact se pstreaz ntr-un ambalaj special.
n industria microelectronic contactele ohmice pentru dispozitivele n baza siliciului fie
cu conductibilitate electric prin electroni sau goluri se efectueaz prin depunerea straturilor
metalice din aluminiu. Preventiv suprafeele siliciului, pe care vor fi depuse straturile metalice
din aluminiu, puternic se dopeaz pn cnd conductibilitatea electric superficial devine
comparabil cu conductibilitatea stratului metalic. n literatur deseori pentru obinerea
contactului ohmic pe suprafaa siliciului cu conductibilitate prin electroni se folosesc straturile
subiri din aur-staniu. Deoarece utilizarea aurului pentru obinerea contactelor ohmice majoreaz
costul celulelor solare, aurul n celulele solare fabricate n cadrul lucrrii de fa a fost nlocuit cu
cupru. Aa dar, contactele ohmice din spate i grila de contact a celulelor solare fabricate
ITO/SiO
2
/nSi au fost obinute din cupru prin metoda evaporrii termice a acestuia.
Contactul din spate a celulelor solare se depune pe toat suprafaa respectiv a siliciului i
nu provoac dificulti. Contactul frontal n form de gril se obine prin evaporarea termic a
cuprului prin mti. Suprafaa celulei solare ITO/SiO
2
/nSi este de 55,55cm
2
, suprafaa ocupat de
grila metalic de contact, deci eliminat din procesul de conversie a radiaiei solare n energie
electric, este de 6,96cm
2
, ce constituie 12,5% din suprafaa total a celulei solare [83], astfel
suprafaa activ a celulelor solare obinute este de 48,59cm
2
.


Fig.3.3. Forma i dimensiunile grilei de contact.

Pentru optimizarea procedeului de obinere a celulelor solare i a parametrilor fotovoltaici
ai acestora sunt necesare urmtoarele investigaii:
71
- cercetarea condiiilor de obinere a stratului oxid SiO
2
intermediar n jonciunea
n
+
ITO/SiO
2
/nSi prin oxidarea chimic a suprafeei de siliciu n acid azotic concentrat i
prin tratarea termic;
- cercetarea dependenei parametrilor fotovoltaici ai celulelor solare de valoarea
conductibilitii plachetelor de siliciu cu orientarea cristalografic identic a suprafeei de
lucru (100) pe care se formeaz jonciunea;
- cercetarea variantelor de tratare chimic a suprafeei plachetelor de siliciu pe care se
formeaz jonciunea cu scopul pasivrii acestei i micorarea curentului de saturaie;
- determinarea pierderilor optice i ohmice n dependen de valorile grosimii i
conductibilitii stratului frontal de ITO.

3.2. Determinarea concentraiei optimale a purttorilor de sarcin n Si-materialul de baz
a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi
3.2.1 Selectarea plachetelor de siliciu
n cadrul lucrrii se examineaz structurile n
+
ITO-SiO
2
-nSi, deci structurile izotipice de
tip MIS. n [84] se demonstreaz c n cazul semiconductorului cu conductibilitate prin electroni
i n aproximarea srcirii complete a stratului de sarcin spaial n afara acestui strat
semiconductorul este neutru, iar n interiorul lui densitatea sarcinii este egal cu qN
D
. n absena
tensiunii aplicate din exterior cmpul electric n regiunea neutr a semiconductorului trebuie s
fie nul. n cazul contrar n aceast regiune ar fi curs un oarecare curent. Conform teoremei lui
Gauss legtura ntre cmpul electric i densitatea sarcinii se descrie prin relaia:
o
D
qN
dx
dE
cc
= (3.5)
unde E-densitatea cmpului electric n semiconductor; q - sarcina elementar; N
D
- concentraia
donorilor;
o
constanta dielectric a vidului i constanta dielectric a semiconductorului.
Valoarea lui E se majoreaz liniar pe msura apropierii spre grania cu metalul de la zero cnd x
= W pn la qN
D
W/(
0
) la interfa. n relaiile scrise W este grosimea stratului de sarcin
spaial (stratului de baraj). Dac admitem c potenialul electrostatic este egal cu zero n
regiunea neutr a semiconductorului, atunci (W)=0, iar n interiorul stratului de baraj pentru o
coordonat x arbitrar potenialul electrostatic se determin
( )
} }
=

= =
W
x o
D
o
D
W
x
x W
qN
dx
x W qN
Edx x
2
) (
2
) (
cc cc
(3.6)
72
Potenialul electrostatic se modific dup legea ptratic i la interfa atinge valoarea
qN
D
W
2
/2
0
. Potenialul la interfa este egal cu potenialul de difuzie U
d
i deci:
o
D
d
W qN
U
cc 2
2
= (3.7)
de unde obinem:
2
1
2
|
|
.
|

\
|
=
D
o d
qN
U
W
cc
(3.8)
Din expresia (3.7) observm c potenialul de difuzie U
d
crete cu majorarea concentraiei
purttorilor de sarcin n semiconductor, n baza cruia este format jonciunea de tip MIS.
Aceast majorare a U
d
este binevenit n cazul utilizrii structurilor MIS ca celule solare. n acest
caz bariera de potenial de la interfa va fi mai eficient n procesul de separare a purttorilor de
sarcin de neechilibru generai de radiaia solar incident pe suprafaa celulelor solare. Dar n
acelai timp, cum se vede din expresia (3.8), majorarea purttorilor de sarcin n materialul
semiconductor duce la micorarea grosimii stratului de sarcin spaial. Cmpul electric intern al
jonciunii antreneaz i separ numai purttorii de sarcin generai nemijlocit n spaiul stratului
de baraj i la distana de la acest strat de lungimea de difuzie a purttorului de sarcin minoritar,
n cazul nostru L
p
. Deci, micorarea grosimii stratului de sarcin spaial W duce la micorarea
sumei W+L
p
sau cu alte cuvinte a regiunii jonciunii MIS unde efectiv are loc procesul de
generare a purttorilor de sarcin care imediat sunt separai de bariera de potenial. Evident c
ngustarea acestei regiuni diminueaz eficiena celulei solare. Observm dou efecte contrare.
Promovarea unuia defavorizeaz altul.
Reieind din cele expuse concludem c eficiena celulelor solare poate fi optimizat prin
alegerea experimental a concentraiei purttorilor de sarcin n materialul semiconductor al
structurii de tip MIS.
n cazul structurii studiate n
+
ITO/SiO
2
/nSi pentru determinarea concentraiei optimale a
purttorilor de sarcin n componena absorbant au fost folosite plachetele de siliciu cu
concentraia purttorilor de sarcin 10
15
cm
-3
, 510
15
cm
-3
, 610
16
cm
-3
i 210
18
cm
-3
. Plachetele de
siliciu utilizate sunt caracterizate prin urmtorii parametri:
- Plachetele de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografic (100), rezistena
electric specific =4,5Ohmcm, concentraia N=10
15
cm
-3
, mobilitatea electronilor
=1250cm
2
/Vs, conductibilitatea electric =0,2Ohm
-1
cm
-1
, marcate 4,5 i
produse n Rusia;
73
- Plachete de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografic (100), rezistena
specific =1,05Ohmcm, concentraia N=510
15
cm
-3
, mobilitatea electronilor
=1390cm
2
/Vs, conductibilitatea electric =1Ohm
-1
cm
-1
, produse de firma
SILTRONIX n Germania;
- Plachete de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografic (100), rezistena
specific =0,093Ohmcm, concentraia N=610
16
cm
-3
, mobilitatea electronilor
=1000cm
2
/Vs, conductibilitatea electric =10Ohm
-1
cm
-1
, produse de firma
SILTRONIX n Germania.
- Plachete de siliciu, dopate cu stibiu, orientare cristalografic (100), rezistena
specific =0,02Ohmcm, concentraia N=210
18
cm
-3
, mobilitatea electronilor
=200cm
2
/Vs, conductibilitatea electric =60Ohm
-1
cm
-1
, firma de comercializare
SEMIREP din Germania.
n ncheiere se poate accentua c toate plachetele de siliciu utilizate sunt de o orientare
cristalografic similar (100) i aceast orientare este cea mai des ntlnit n publicaiile din
revistele de specialitate. Plachetele de siliciu selectate servesc ca baz pentru prepararea
heterojonciunilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi conform procedeului elaborat n Laboratorul Cercetri
tiinifice Fizica Semiconductorilor, USM i descris n [85].
Rezultatele cercetrilor proprietilor electrice sunt prezentate n paragraful ce urmeaz.

3.2.2. Caracteristicile I-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
Msurrile caracteristicilor statice I-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi s-au efectuat
utiliznd metoda bine cunoscut i aprobat care este descrisa in paragraful 2.5. Caracteristicile
I-U au fost studiate n dependen de concentraia purttorilor de sarcin n materialul
semiconductor de baz a structurilor investigate-siliciu. Probele au fost obinute n baza siliciului
cu concentraia electronilor 10
15
cm
-3
, 510
15
cm
-3
, 610
16
cm
-3
i 210
18
cm
-3
. S menionm c
mrimea tensiunii aplicate i semnul polarizrii acesteia au fost dirijate, iar valorile curentului au
fost nregistrate automat cu utilizarea unui program special pentru un calculator personal IBM
PC-386.
n Figura 3.4 sunt prezentate dependenele curent tensiune pentru probele menionate
msurate la ntuneric. Potenialul de difuzie U
d
care a fost determinat prin extrapolarea curbelor
cu axa tensiunii[86], in cazul polarizrii directe este egal cu 0,43V pentru concentraia
electronilor 10
15
cm
-3
, 0,45V pentru 510
15
cm
-3
, 0,35V pentru 610
16
cm
-3
si 0,27V in cazul
210
18
cm
-3
. Comparind rezultatele experimentale cu cele expuse in paragraful 3.2.1, vedem ca
74
avem o neconcordanta intre valorile experimentale si expresia (3.7). In acest caz putem
presupune ca efectul va fi reversibil, astfel putem spera la majorarea valorii grosimii stratului de
sarcina spatiala, care ar inbunatati eficienta celulei solare.. Tot odata se poate de mentionat ca
valorile mai exacte a potentialului de difuzie pot fi obtinute din dependentele caracteristicilor
capacitate-tensiune, care vor fi prezentate si analizate in paragraful urmator, si care vor permite
sa concludem unele argumente.
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
1-10
15
cm
-3
5-10
15
cm
-3
6-10
16
cm
-3
2-10
18
cm
-3

Fig. 3.4. Caracteristicile curent-tensiune la ntuneric ale structurii n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse
concentraii a purttorilor de sarcin n Si.

Conform consideraiilor teoretice dependena curentului prin jonciunea de tip MIS de
tensiunea aplicat din exterior este descris de urmtoarea relaie:
(

|
.
|

\
|
= 1 exp
0
AkT
qU
I I (3.9)
unde I-curentul prin jonciune, U-tensiunea aplicat, I
0
-curentul de saturaie, A-coeficientul de
neidealitate, k-constanta Bolman, q - sarcina elementar, T- temperatura la care se efectueaz
experimentul.
Dac structura studiat n
+
ITO/SiO
2
/nSi este o structur de tip MIS, atunci caracteristica I-
U n coordonatele lnI=f(U) trebuie s prezinte o dependen liniar. ntr-adevr, cum se observ
din Figura 3.4, aceast legitaie pentru tensiunile aplicate mai mici de valoarea U
d
se respect, n
plus la aceiai tensiune electric aplicat prin jonciunea format n siliciu cu concentraia
electronilor mai nalt curg cureni mai mari. Din dependenele prezentate pot fi calculate
valorile I
0
i A. Coeficientul A pentru toate tipurile de probe cercetate este A=2, iar valorile
curentului de saturaie I
0
sunt egale cu 8,810
-6
A/cm
2
pentru jonciunea n baza Si cu N
d
=10
15
cm
-
75
3
; 6,110
-6
A/cm
2
pentru jonciunea n Si cu N
d
=510
15
cm
-3
, 1,310
-4
A/cm
2
pentru jonciunea n Si
cu N
d
=610
16
cm
-3
i 1,210
-2
A/cm
2
pentru jonciunea cu concentraia purttorilor de sarcin n
siliciu 210
18
cm
-3
.
Curentul prin jonciunile n materialele semiconductoare la polarizare indirect a tensiunii
electrice aplicate din exterior este determinat de purttorii de sarcin minoritari n componentele
jonciunii. Deoarece purttorii de sarcin minoritari imediat sunt separai de cmpul electric
intern al jonciunii, curentul la aplicarea tensiunii indirecte este foarte mic incomparabil cu
curenii de scurgere, determinai de rezistena ohmic a carcaselor jonciunilor. Dac curenii
prin jonciune la polarizarea indirect a acesteia sunt cureni ohmici, atunci dependena I=f(U)
trebuie s fie prezentat n forma I=U
n
, unde n=1.
n Figura 3.5 sunt prezentate caracteristicile curent-tensiune pentru structurile studiate
n
+
ITO/SiO
2
/nSi polarizate indirect. Caracteristicile sunt prezentate n coordonate lnI=f(lnU) cu
scopul determinrii valorilor a coeficientului n. Din Figura 3.5 observm c dependenele
prezentate sunt liniare pe tot intervalul tensiunii indirecte aplicate. Panta dependenilor determin
coeficientul n, care n toate cazurile este egal aproximativ cu 1. La valorile tensiunii indirecte
aplicate din exterior curenii prin jonciunile cercetate se mresc, mai brusc prin jonciunea n
baza siliciului cu N
d
=610
16
cm
-3
i N
d
=210
18
cm
-3
, fata de jonciunea cu concentraia purttorilor
de sarcin n siliciu 10
15
cm
-3
. La aplicarea tensiunii indirecte nivelul E
c
al benzii de conducie a
materialului semiconductor poate s se deplaseze energetic mai jos de nivelul Fermi E
F
al
metalului i electronii din metal prin tunelare ptrund n banda de conducie a semiconductorului
majornd curentul prin jonciune. Aceast majorare va fi mai semnificativ n cazul jonciunii
formate n baza semiconductorului mai puternic dopat, deoarece grosimea barierei de potenial n
acest caz va fi mai mic (vezi relaia (3.7)).
Aadar structurile studiate n
+
ITO/SiO
2
/nSi formate n baza siliciului cu diverse
concentraii ale electronilor (10
15
cm
-3
; 510
15
cm
-3
; 610
16
cm
-3
i 210
18
cm
-3
) reprezint structuri
de tip MIS n care rolul metalelor l joac straturile subiri semiconductoare degenerate cu
conductibilitate metalic i din aceast cauz se mai numesc structuri de tip SIS. Cercetrile
proprietilor electrice efectuate permit evaluarea grosimii stratului de sarcin spaial (W) la
interfaa jonciunilor studiate. n cazul jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu concentraia electronilor n
siliciu 10
15
cm
-3
(10
21
m
-3
) conform relaiei (3.8), W este:
m m W 76 , 0 10 76 , 0
10 10 6 , 1
43 , 0 10 85 . 8 12 2
6
2
1
21 19
12
= =
|
|
.
|

\
|


=

.
76
n jonciunea cu concentraia electronilor n siliciu 510
15
cm
-3
W=0,35m, cu N
d
=610
16
cm
-3

W=0,09m, iar cu N
d
=210
18
cm
-3
W=0,013m. La majorarea concentraiei electronilor n siliciu
de cinci ori grosimea stratului de baraj se micoreaz de dou ori de la 0,76m pn la 0,35m,
iar majorarea concentraiei cu aproape dou ordine reduce grosimea stratului de 9 ori.

10
-1
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
1-10
15
cm
-3
5-10
15
cm
-3
6-10
16
cm
-3
2-10
18
cm
-3

Fig. 3.5. Caracteristicile curent-tensiune la ntuneric ale structurii n
+
ITO/SiO
2
/nSi invers
polarizate n coordonate lnI=f(lnU).

Cercetrile dependenei curenttensiune la temperatura camerei ale structurilor
fotovoltaice ITO/n-Si cu diverse concentraii ai purttorilor de sarcin n siliciu demonstreaz i
n acest caz c pentru utilizare n calitate de material absorbant al radiaiei solare sunt preferabile
plachetele de siliciu cu concentraia electronilor de ordinul 10
15
cm
-3
. Avnd n vedere acest fapt,
studiul proprietilor electrice n intervalul de temperaturi 293 413K (vezi Figura 3.6) cu
scopul de a determina mai corect mecanismele de trecere a purttorilor de sarcin prin bariera de
potenial a fost efectuat n baza structurilor cu siliciu de concentraia electronilor 110
15
cm
-3

[87].
Aspectul general al dependenelor curent tensiune din Figura 3.6, se caracterizeaz prin
prezena evideniat a dou pante, prima in intervalul tensiunilor de pina la 0,3V iar a doua de la
0,3V, de modificare a curentului cu creterea tensiunii mai pronunate la temperaturile
experimentului n intervalul 293-393K. Coeficientul A, determinat din prima pant, care
caracterizeaz modificarea curentului prin prob la aplicarea tensiunilor electrice mici, nu este
constant cu majorarea temperaturii. Valorile acestuia cu creterea temperaturii de la temperatura
camerei pn la 413K se micoreaz de la 2,6 pn la 1,6. Acest rezultat cert demonstreaz c
77
panta dependenei curentului prin bariera de potenial de tensiunea aplicat rmne constant,
deci nu se schimb la modificarea temperaturii. Conform [88] n acest caz trecerea purttorilor
de sarcin prin bariera de potenial se efectueaz prin procesele de tunelare-recombinare n
regiunea sarcinii spaiale. La polarizarea direct a probei n
+
ITO/SiO
2
/nSi acest mecanism poate
fi interpretat astfel (vezi Figura 3.7)

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
T= 293K
T= 313K
T= 333K
T= 353K
T= 373K
T= 393K
T= 413K

Fig.3.6. Dependenele curent tensiune la diverse temperaturi pentru structura ITO/n-Si.

Electronii, situai n banda de conducie a siliciului, sub aciunea cmpului electric
exterior formeaz un flux de purttori de sarcin liberi direcionat spre banda de conducie ITO.
Energia potenial a electronilor se majoreaz i apare posibilitatea de trecere a acestora prin
bariera de potenial de la interfaa structurii n
+
ITO-SiO
2
-nSi prin multiple procese de tunelare-
recombinare. Din punct de vedere matematic aceste procese se descriu prin relaia:
) exp( ) exp(
0
AV BT I I = (3.10)
unde A i B sunt constante, care nu depind respectiv de temperatur i de tensiune.
Valoarea numeric a mrimii fizice A n relaia (3.10), determinat din dependenele n
Figura 3.6, este egal cu 15V
-1
, iar valorile constantei B se determin din aceleai dependene
reconstruite n coordonatele lnI = f(T). Valoarea numeric a constantei B este 0,045K
-1
.
n [88] constanta A este determinat de relaia:
) (
3
8
*
D
s e
N
S m
h
A
c t
= (3.11)
78
unde pentru cazul nostru
*
e
m este masa efectiv a electronului n Si,
s
permeabilitatea
dielectric a siliciului, iar S caracterizeaz schimbul relativ al energiei electronului dup fiecare
treapt al procesului de tunelare, deci 1/S nu este altceva dect numrul de trepte de tunelare.


Fig.3.7. Mecanismele de trecere a electronilor prin bariera de potenial a probei ITO/n-Si la
aplicarea tensiunii n V pn la 0,3V (a) i mai mare de 0,3V (b).

Determinnd valoarea numerica a constantei A, nu e greu de calculat, folosind expresia
(3.11), numrul treptelor de tunelare 1/S, deoarece celelalte mrimi fizice n (3.11) sunt constante
fundamentale sau parametri fizici ai siliciului. Calculele efectuate [87] demonstreaz c numrul
proceselor de tunelare la trecerea electronilor din banda de conducie a Si n banda de conducie
ITO este de cca. 100.
La majorarea tensiunii electrice aplicate din exterior la valori ce depesc 0,3V
mecanismul de trecere a curentului prin structura n
+
ITO/SiO
2
/nSi se schimb. Pantele
dependenelor curent tensiune se modific la variaia temperaturii ce se certific prin mrimea
constant a parametrului A din relaia (3.9), care este de cca. 1,6 pentru tot intervalul de
temperaturi n care s-au efectuat msurtorile. Acest rezultat indic nceputul emisiei electronilor
din siliciu n ITO pe deasupra barierei de potenial (vezi Figura 3.7b)). Acest mecanism de
trecere a curentului se descrie prin relaia (3.9), care pentru polarizarea direct a probei i cu
evidena expresiei pentru I
o
se transform astfel
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
=
kT
qV
kT
C I
a B
exp exp

(3.12)
Din (3.12) se observ c dependena lnI = f(1/kT) creeaz posibilitatea de a determina
nlimea barierei de potenial
B
n structura cercetat n
+
ITO/SiO
2
/nSi, deoarece panta
dependenei menionate va fi egal cu
B
- qV
a
. n Figura 3.8 este prezentat dependena lnI =
79
f(1/kT), din care rezult c nlimea barierei de potenial n structurile n
+
ITO/SiO
2
/nSi este de
0,6eV ce satisfctor coreleaz cu datele experimentale.
28 30 32 34 36 38 40
10
-5
10
-4
10
-3
I

(
A
)
1/kT (eV
-1
)

b
=0,6eV

Fig.3.8. Dependena lnI = f(1/kT) pentru structura ITO/n-Si polarizat direct la tensiuni majorate.

3.2.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
Scopul msurrii caracteristicilor cinetice n acest paragraf const n studiul influenii
concentraiei siliciului asupra parametrilor celulelor solare n baza structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi.
n Figura 3.9 sunt prezentate dependenele C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi la ntuneric
pentru frecvena 10kHz. n domeniul de polarizare ntre -1V i 0,6V caracteristicile C
-2
=f(U) sunt
liniare i demonstreaz c jonciunile studiate sunt abrupte.
Valoarea potenialului de difuzie U
d
determinat prin extrapolarea dependenei C
-2
=f(U)
pn la intersecia cu axa x crete cu creterea concentraiei purttorilor de sarcin in siliciu i
valorile acestuia sunt cuprinse n limitele 0,6-0,85V (Figura 3.9). Valoarea aceluiai parametru
U
d
determinat din caracteristicile curent-tensiune este divers 0,43V.
Utiliznd ecuaia
W
S
C
o
cc
= (3.13)
unde W este grosimea stratului de sarcin spaial i S-aria jonciunii, i datele din Figura 3.9 se
poate determina valoarea W a jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi n echilibru termodinamic. ntr-adevr
din Figura 3.9, pentru structura n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu concentraia purttorilor de sarcin n siliciu
80
de 110
15
cm
-3
, la valoarea tensiunii U=0V, reies
4 2 8
2
10 78 , 0 m F
S
C

= |
.
|

\
|
, deci
2 4
10 14 , 1

= Fm
S
C
, iar W, conform relaiei (3.13), este m
S C
W
o

cc
94 , 0
10 14 , 1
10 85 , 8 12
4
12
=


= =

.
n cazul jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu concentraia electronilor n siliciu 510
15
cm
-3

W=0,41m iar cu N
d
=610
16
cm
-3
W=0,11m. Comparnd valorile grosimii stratului de sarcin
spaial n jonciunea n
+
ITO/SiO
2
/nSi obinute din caracteristicile curent-tensiune i
caracteristicile capacitate-tensiune observm o diferen minim a acestor valori ce poate fi
considerat satisfctoare.
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0,0
0,6
1,2
1,8
2,4
3,0
3,6
-10
-2
-10
-1
C
-
2

(
-
1
0
8
F

-
2
m
4
)
U (V)
1-10
15
cm
-3
5-10
15
cm
-3
6-10
16
cm
-3
U
D
= 0,85V
U
D
= 0,7V
U
D
= 0,6V

Fig.3.9. Dependenele C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse concentraie a purttorilor
de sarcin n siliciu la frecvena 10kHz.

3.2.4. Proprietile fotovoltaice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
Scopul studiului proprietilor fotovoltaice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi n baza
siliciului cu diverse concentraii ale electronilor const n determinarea concentraiei optimale a
purttorilor de sarcin n componenta de baz, care asigur eficiena maximal a celulelor solare
[89].
n Figura 3.10 sunt prezentate caracteristicile de sarcin a celulelor solare n baza
structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse concentraii ai electronilor n siliciu. Valorile parametrilor
fotovoltaici calculai din aceste caracteristici sunt prezentai n Tabelul 3.1.
Reieind din statistica rezultatelor prezentate n Tabelul 3.1 se poate de considerat c
concentraia optimal a electronilor n componenta de baz a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi
81
trebuie s fie (1-5)10
15
cm
-3
[90], dei aceste rezultate trezesc i multe ntrebri. De ce, de
exemplu, rezistenele serie sunt comparabile dac n determinarea acestora rolul principal l joac
volumul semiconductorului? Probabil odat cu asigurarea condiiilor identice de formare a
jonciunilor studiate (n cazul nostru formarea jonciunilor se efectua n unul i acelai proces de
pulverizare) trebuie de respectat condiiile identice de depunere a contactelor ohmice i altor
operaiuni tehnologice. Ca dovad c concentraiile electronilor (1-5)10
15
cm
-3
n siliciu sunt
optimale pot servi rezultatele prezentate n Figura 3.11.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,006
0,012
0,018
0,024
0,030
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
1-10
15
cm
-3
5-10
15
cm
-3
6-10
16
cm
-3
2-10
18
cm
-3

Fig.3.10. Caracteristicile de sarcin a celulelor solare n baza structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu
diverse concentraii ai electronilor n siliciu.

Tabelul 3.1. Parametrii fotovoltaici ai celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi n condiii AM1,5
N
d
n Si,
cm
-3
I
sc
,
mA/cm
2
U
cd
,
V
FF,
%
E
ff
,
%
R
ser
,
Ohmcm
2

R
sh
,
Ohmcm
2

110
15
28,31 0,48 70,43 9,57 2,97 3,810
3
510
15
28,47 0,47 71,26 9,59 2,19 1,710
3

610
16
29,93 0,44 63,29 8,26 2,34 1,210
3

210
18
19,89 0,31 38,34 2,33 5,88 4,810
1


n Figura 3.11a) se demonstreaz caracteristica de sarcin a celulei solare n baza
siliciului cu concentraia electronilor 110
15
cm
-3
i cu aria activ 8,1cm
2
, iar n Figura 3.11b)
caracteristica celulei solare identice cu aria activ 46,8cm
2
. Pe figuri sunt prezentate valorile
82
parametrilor fotovoltaici calculate din aceste caracteristici. Observm c n condiiile iluminrii
etalonate 100mW/cm
2
eficiena celulelor solare este destul de nalt i ntrece valoarea de 10%
Msurtorile se efectuau la conectarea probelor la instalaia de msurare prin contacte
mecanice. Influena puternic a rezistenii serie asupra parametrilor celulei solare se observ din
Figura 3.11. Ne convingem c majorarea suprafeei active a celulei solare duce la majorarea
rezistenii serie i prin urmare la reducerea eficienei a celulei solare de la 10,14% la 8,58%.
Diferena destul de simitoare ntre eficienile unei i aceleai celule solare dar cu diverse
suprafee active este explicabil [91]. Curenii, furnizai de celulele solare cu suprafee active
majorate, sunt cu mult mai mari dect n cazul celulelor solare cu suprafee mici, ns grosimea
contactelor ohmice n ambele cazuri este una i aceeai. Pentru evitarea acestor diminuri este
necesar elaborarea contactelor ohmice de rezisten electric pn la 1Ohm.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
-0,03
-0,02
-0,01
0,00
0,01
-0,2 -0,1 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
-0,03
-0,02
-0,01
0,00
0,01
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
U
CD
= 0,51V
J
SC
= 31,19mA/cm
2
FF = 53,92%
E
ff
= 8,58%
R
S
= 5,93Ohm
R
Sh
= 0,4kOhm
b
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
U
CD
= 0,54V
J
SC
= 26,39mA/cm
2
FF = 71,14%
E
ff
= 10,14%
R
S
= 2.57Ohm
R
Sh
= 1,2kOhm
a
Fig.3.11. Caracteristicile de sarcin a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi (110
15
cm
-3
) cu aria activ
8,1cm
2
(a) si 46,8cm
2
(b).

3.2.5. Fotosensibilitatea celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi
Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
nSi n
baza siliciului cu diverse concentraii ale electronilor sunt prezentate n Figura 3.12. Din Figura
3.12 observm c distribuia spectral a eficienii cuantice a celulelor solare cu concentraia (1-
60)10
15
cm
-3
este identic i practic nu depinde de concentraia purttorilor de sarcin n siliciu
[89]. Notm c eficiena cuantic intern n regiunea lungimilor de und 400-900nm este destul
de nalt i variaz n limitele 0,6-1. Modificarea curbelor dependenei eficienii cuantice interne
se observa n cazul utilizrii pentru prepararea probelor a siliciului cu concentraia electronilor de
210
18
cm
-3
. n acest caz limea regiunii de sarcin spaial are dimensiuni de cca. 0,013m i,
lund n consideraie valorile mici ale coeficientului de absorbie a radiaiei solare, e clar c
eficiena cuantic intern va fi maximal n regiunea undelor scurte a spectrului radiaiei solare.
83
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1-10
15
cm
-3
5-10
15
cm
-3
6-10
16
cm
-3
2-10
18
cm
-3
Q
e
f
(nm)

Fig.3.12. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu
diverse concentraii a electronilor n siliciu.

400 600 800 1000 1200
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
F
o
t
o
s
e
n
s
i
b
i
l
i
t
a
t
e
a

(
A
/
W
)
(nm)
1-10
15
cm
-3
5-10
15
cm
-3
6-10
16
cm
-3
2-10
18
cm
-3

Fig.3.13. Distribuiile spectrale a fotosensibilitii celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse
concentraii a electronilor n siliciu

Fotosensibilitatea monocromatic a celulelor solare n uniti A/W se determin uor
folosind aceiai instalaie ca i n cazul eficienei cuantice. Pentru o lungime de und incident
pe prob se msoar I
sc
generat de aceast prob. Curentul experimental determinat se i-a n
raport cu puterea fascicolului de lumin incident, care se determin prin msurarea I
sc
a celulei
calibrate. Distribuiile spectrale a fotosensibilitii celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi sunt
prezentate n Figura 3.13, din care observm c fotorspunsul se nregistreaz n limitele
lungimilor de und 350-1200nm, iar valoarea sensibilitii mai mare de 0,3A/W cuprinde
regiunea lungimilor de und 485-965nm. Totodat se observ c variaia concentraiei
84
purttorilor de sarcin n limitele 10
15
- 610
16
cm
-3
n componenta de baz, componenta ce
absoarbe radiaia solar, practic nu influeneaz nici asupra formei curbei distribuiei spectrale,
nici asupra valorii numerice a fotorspunsului. Acest rezultat experimental confirm nc o dat
c concentraiile menionate ale purttorilor de sarcin n Si asigur eficacitatea maximal a
conversiunii fotovoltaice a radiaiei solare n structurile studiate n
+
ITO/SiO
2
/nSi.

3.3. Determinarea grosimii optimale a stratului frontal ITO n celulele solare
n
+
ITO/SiO
2
/nSi
3.3.1. Proprietile optice ale straturilor subiri ITO
Distribuiile spectrale ale coeficienilor de transmisie i reflexie a stratului subire ITO cu
diferite grosimi obinut pe substrat din cuar sunt prezentate n Figura 3.14.
Din figura prezentat observm c n domeniul lungimilor de und vizibile transparena
structurilor subiri ITO este aproape de 92%, iar 8% din lumina incident pe suprafaa stratului
este reflectat [92]. Dup cum se tie coeficientul de absorbie a luminii de ctre un corp solid
este mrimea invers a grosimii stratului n acest material n care intensitatea luminii incidente se
micoreaz de e ori. Cunoscnd coeficienii de transmisie i reflexie a materialului (n cazul
nostru a materialului semiconductor) n dependen de lungimea de und incident se poate
determina coeficientul de absorbie a luminii de lungimea de und corespunztoare . Spectrul de
absorbie n cazul tranziiilor directe permise n semiconductor este dat de relaia:
2
1
) ( ) (
g
E h A h = v v o (3.14)
unde A poate fi considerat o constant.
Din relaia prezentat se vede c tranziiile directe a electronilor din banda de valen n
banda de conducie se vor ncepe la energii ale luminii incidente mai mari dect E
g
. ncepnd cu
energiile menionate, dependena ) (
2
v o h f = va fi liniar (vezi Figura 3.14), iar extrapolarea
dreptei pn la axa energiilor va indica lrgimea energetic a benzii interzise n cazul nostru a
ITO, care, cum observm, este egal cu 3,9eV.
Deoarece pentru obinerea celulelor solare straturile Subiri ITO se depun pe siliciu, au
fost studiate spectrele coeficientului de reflexie a acestor straturi n dependen de grosimea lor.
Grosimea straturilor ITO se varia prin cantitatea soluiei pulverizate. Distribuiile spectrale ale
coeficientului de reflexie sunt prezentate n Figura 3.15. Din figura prezentat observm c
lungimile de und mai mici de 200nm sunt absorbite n straturile ITO.

85
500 1000 1500 2000 2500
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
T

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
P1 (10ml)
P2 (15ml)
P3 (20ml)
a)
500 1000 1500 2000 2500
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
R

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
P1 (10ml)
P2 (15ml)
P3 (20ml)
b)
3,0 3,2 3,4 3,6 3,8 4,0 4,2
0
20
40
60
80
100
(
o
h
v
)
2
,

e
V
2

c
m
-
2
hv (eV)
P1 (10ml)
P2 (15ml)
P3 (20ml)
c)
Fig.3.14. Distribuia spectral a coeficienilor de transmisie (a) i de reflexie (b) a straturilor
subiri ITO depus pe substratul de cuar. Figura (c) prezint dependena (h)
2
=f(hv).
86
Pentru lungimile de und mai mari de 200nm inclusiv i pentru undele vizibile i din
regiunea infraroie apropiat straturile subiri ITO sunt transparente. n acest domeniu al
spectrului se observ variaia numrului de maximuri/minimuri ale interferenei luminii
reflectate de la suprafaa stratului ITO i de la interfaa ITO-Si i variaia amplasrii acestora.

500 1000 1500 2000 2500
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
R

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
356nm
395nm
461nm
571nm

Fig.3.15. Distribuiile spectrale ale coeficientului de reflexia a straturilor ITO depuse pe plachete
de siliciu.

4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
300
400
500
600
700
d

(
n
m
)
V (ml)

Fig.3.16. Dependena grosimii straturilor subiri ITO de cantitatea soluiei pulverizate.

Conform relaiei cunoscute [92]
) ( 2
1 2
2 1

=
d
n (3.15)
87
unde: n-indicele de refracie, egal cu 1,8 pentru ITO [93];
1
,
2
-lungimile de und de amplasare
a dou maximuri/minimuri vecine; d-grosimea stratului subire; au fost determinate grosimile
straturilor ITO, obinute pe plachetele de siliciu, n dependen de cantitatea soluiei pulverizate.
Analiznd Figura 3.15 observm, de asemenea, c numrul de maximuri/minimuri ai
interfeei se majoreaz cu creterea grosimii stratului ITO. Deci, este preferabil de a selecta o aa
grosime a stratului ITO care va asigura n regiunea de maxim sensibilitate a celulei solare
n
+
ITO/SiO
2
/nSi un minimum larg al reflexiei luminii incidente Din Figura 3.16 se observ c
valorile grosimilor straturilor ITO variaz de la 290nm pn la 720nm i dependena acestora de
cantitatea soluiei pulverizate este liniar [94].
Pentru a ne asigura de msurrile efectuate, s-a ncercat de a calcula grosimea stratului
ITO folosind SEM (Scanning Electron Microscope), modelul VEGA TS 5130, mulumita
colaborrii dintre Centrului Naional de Studiu si Testare a Materialelor din UTM si Laboratorul
Materiale si Structuri pentru energetica Solara din ASM. In Figura 3.17. este prezentata imaginea
transversala a unei msurri efectuate pe substrat de Si cu o cantitate a soluiei pulverizate de
10,5ml. Observam ca valoarea grosimii estimate a stratului ITO este de cca. 403nm care practic
corespunde valorii calculate din dependenta grosimii stratului ITO de cantitatea soluiei
pulverizate (Figura 3.16). Acest fapt ne demonstreaz viabilitatea msurrilor efectuate si nu
necesita verificarea msurrilor folosind metode de o precizie mai nalta precum profelometrul,
cu atit mai mult ca valoarea estimata nu poate fi regulata pe parcursul pulverizrii cu o precizie
fixa.


Fig.3.17. Imaginea transversal SEM a unei structuri n
+
ITO/SiO
2
/nSi.

88
n Figura 3.18 este prezentat dependena rezistenii de suprafa straturilor subiri ITO
depuse pe suportul de cuar. Observm c n cazul nostru rezistenele variaz n limitele valorilor
8-45/ . Luind in consideraie aceste valori, apare o neconcordanta, dintr-o parte avem nevoie
de grosimi mici a stratului ITO, pentru o transparenta mai nalta, iar din alt punct de vedere avem
o rezistenta de suprafaa majorata ce poate influenta negativ asupra rezistenii interne a
jonciunilor. Pentru o valorificare mai efectiva si mai cantitativa au fost preparate o serie de
structuri n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse grosimi a stratului frontal ITO, rezultatele crora sunt
prezentate in paragrafele de mai jos.
250 300 350 400 450 500 550 600 650
5
10
15
20
25
30
35
40
45
R

(
O
h
m
/
p
a
t
r
a
t
)
d
ITO
(nm)

Fig.3.18. Dependena rezistenii de suprafa de grosimea straturilor subiri ITO


3.3.2. Caracteristicile I-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi in dependenta de grosimea stratului
frontal ITO
n Figura 3.19 sunt prezentate dependenele curent tensiune pentru probele
n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependenta de grosimea stratului frontal ITO msurate la ntuneric pentru
concentraia electronilor in Si de 110
15
cm
-3
. Intervalul grosimii stratului ITO este cuprins ntre
290570nm. Aspectul general a msurrilor I-V nu difer radical, iar potenialul de difuzie U
d
,
determinat prin extrapolarea curbelor are o valoare a tensiunii de 0,54-0,56V. Valorile curentului
de saturaie I
0
variaz in dependenta de grosimea stratului ITO si sunt cuprinse intre valorile
3,410
-6
A/cm
2
pentru d=290nm si 2,710
-7
A/cm
2
pentru d=570nm [94, 95].

89
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
290nm
395nm
470nm
515nm
570nm
U
D
~ (0,54 0,56)V

Fig.3.19. Caracteristicile curent-tensiune la ntuneric ale structurii n
+
ITO/SiO
2
/nSi in
dependenta de grosimea stratului frontal ITO

3.3.3. Caracteristicile C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependen de grosimea stratului
frontal ITO
Analiza dependenii C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi in dependenta de grosimea
stratului frontal ITO a fost limitata pentru intervalul grosimilor de (290570)nm si este
prezentata in Figura 3.20 pentru frecventa de 10kHz. Aspectul general nu se modifica si
capacitatea se micoreaz la aplicarea polarizrii negative iar grosimea stratului de sarcina
spaiala creste. De la zero spre creterea tensiunii W se micoreaz pina cind grosimea va fi zero
in acest caz capacitatea va tinde spre saturaie (infinit). Purttorii de sarcina separai la bariera
aprui in ITO, cu cit ITO este mai subire cu atit e mai bine sa treac la suprafaa stratului
Conform expresiei (3.13), regiunea stratului de sarcina spaiala in siliciu de la o proba la
alta practic nu variaz si este cuprinsa in limitele W=(0,90,96)m.
Sa presupunem ca nu cunoatem concentraia donatorilor in siliciu. Determinam
concentraia donatorilor si nlimea barierei diodului Schottky folosind dependenta C-U.
Dependenta 1/C
2
=f(U) este o linie dreapta si ne demonstreaz ca concentraia donatorilor in
regiunea stratului de sarcina spaiala este constanta. Astfel putem scrie:
V
F cm
dU
C d
2 2
16
8 8 2
) (
10 25 , 1
0 4 , 0
10 78 , 0 10 28 , 1 ) 1 (
=


=
( ) ( )
3 15
16 14 19 2
10 95 , 0
10 25 , 1
1
10 85 , 8 9 , 11 10 6 , 1
2
1
1 2


= |
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

=
(


= cm
dU C d q
N
o
D
cc

90
V
N
N
q
kT
V
D
C
n
27 , 0
10 95 , 0
10 8 , 2
ln 0259 , 0 ln
15
19
=
|
|
.
|

\
|

= =
Deoarece din intersecia dependenii capacitate-tensiune V
bi
=0,58V, nlimea barierei este
V V V
n bi Bn
85 , 0 = + = |
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
2,4
C
-
2

(
-
1
0
8

F
-
2
m
4
)
U (V)
290nm
395nm
470nm
515nm
570nm
U
D
= 0,58V

Fig.3.20. Dependenele C-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi in dependenta de grosimea
stratului frontal ITO la frecvena 10kHz.

3.3.4. Proprietile fotovoltaice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi in dependenta de grosimea
stratului frontal ITO
Stratul subire ITO, fiind componenta frontal a CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi, are o influen
puternic asupra parametrilor fotovoltaici a celulei. n primul rnd grosimea acestui strat
determin cota luminii incidente ce ptrunde pn la jonciune i se absoarb n componenta de
baz a celulei solare, siliciu. Evident c cu ct grosimea stratului ITO este mai mic cu att el va
fi mai transparent pentru radiaia solar incident i cu att mai mult lumin de lungimi de und
mai mici dect
prag
va fi absorbit n siliciu. ns, n acelai timp golurile generate n n-Si i
separate de jonciune n stratul ITO pentru a fi colectate la borna celulei solare trebuie s se
deplaseze de-a lungul jonciunii pn la contactul cu fia metalic a grilei de contact. Pentru
deplasarea purttorului de sarcin de-a lungul jonciunii rezistena electric a stratului frontal va
fi mai mic cnd grosimea lui va fi mai mare. Observm dou condiii contraversate: pentru a
diminua pierderile optice stratul frontal trebuie s fie de o grosime minim, iar pentru a diminua
pierderile ohmice acest strat necesit a fi de grosimi mai mari.
91
Grosimea optimal a stratului frontal al celulei solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi a fost determinat
experimental [89]. n Figura 3.21 sunt prezentate caracteristicile de sarcin a CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi
n dependen de grosimea straturilor ITO.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,004
0,008
0,012
0,016
0,020
0,024
0,028
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
290nm
395nm
470nm
515nm
570nm

Fig.3.21. Caracteristicile de sarcin a CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependen de grosimea straturilor
ITO.

Tabelul 3.2. Parametrii fotovoltaici ai celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi in dependen de grosimea
straturilor ITO n condiii AM1,5 pentru concentraia purttorilor de sarcina in Si de 10
15
cm
-3

d,
nm
I
sc
,
mA/cm
2
U
cd
,
V
FF,
%
E
ff
,
%
R
ser
,
Ohmcm
2

R
sh
,
Ohmcm
2

290 25,12 0,503 44,08 5,57 10,88 4,910
2
395 27,38 0,507 46,47 6,45 10,11 4,610
2

470 28,58 0,522 65,02 9,70 3,98 1,710
3

485 28,31 0,525 67,69 10,06 2,36 1,710
3

515 27,88 0,522 66,23 9,64 4,05 2,510
3

555 27,44 0,521 51,51 7,36 8,86 8,510
2

570 27,26 0,507 45,32 6,26 8,41 4,810
2

630 26,91 0,509 35,56 4,87 13,67 2,310
2


Observm c creterea grosimii stratului frontal pn la 475nm se majoreaz valoarea I
sc

(Figura 3.22). Acest fapt demonstreaz c n rezultatul majorrii grosimii stratului frontal
pierderile optice nu sunt eseniale iar micorarea pierderilor ohmice duc la majorarea I
sc
pn la
92
28,59mA/cm
2
n cazul siliciului cu concentraia electronilor 10
15
cm
-3
. Curbele din Figura 3.21
demonstreaz n acelai timp c rezistena serie a CS examinate nu este o valoare bine controlat.
Rezultatele obinute pe parcursul efecturii lucrrii mrturisesc c n cazul utilizrii unuia i
aceluiai tip de siliciu n prepararea CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi rezistena serie R
ser
a CS variaz de la
2,57Ohmcm
2
pn la 10,1Ohmcm
2
, ce duce la micorarea valorii coeficientului de umplere a
caracteristicii de sarcin de la 0,72 pn la 0,5. Rezistena serie este determinat n principal de
volumul plachetei de siliciu i de grosimea stratului SiO
2
a CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi. Cum au
demonstrat rezultatele de mai sus variaia concentraiei purttorilor de sarcin n siliciu de la
10
15
cm
-3
pn la 610
16
cm
-3
nu influeneaz esenial valoarea R
ser
a CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi. Rmne
de presupus c valorile R
ser
a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi n mare msur depind de modul
de obinere i de grosimea stratului intermediar SiO
2
, ce i va fi obiectul de studiu, rezultatele
cruia sunt expuse n urmtorul paragraf.
250 300 350 400 450 500 550 600 650
0,024
0,025
0,026
0,027
0,028
0,029
5
6
7
8
9
10
I
s
c

(
A
/
c
m
2
)
d
ITO
(nm)
E
F
F

(
%
)
E
FF
= 10,06%
E
FF
J
SC

Fig.3.22. Caracteristica curentului de scurt cirsuit si randamentului structurilor CS
n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependen de grosimea straturilor ITO.

3.3.5. Fotosensibilitatea celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi
Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
nSi n
dependen de grosimea straturilor ITO sunt prezentate n Figura 3.23. Observm c distribuia
spectral a eficienii cuantice a celulelor solare cu concentraia 110
15
cm
-3
variaza in diferite
regiuni a spectrului. Notm c eficiena cuantic intern n regiunea lungimilor de und 400-
900nm este destul de nalt i variaz n limitele 0,6-1. Modificarea curbelor dependenei
eficienii cuantice interne se observa n regiunea lungimilor de und 600-900nm. Distribuiile
spectrale a fotosensibilitii celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependen de grosimea
93
straturilor ITO sunt prezentate n Figura 3.24, din care observm c fotorspunsul se
nregistreaz n limitele lungimilor de und 350-1200nm, iar valoarea sensibilitii mai mare de
0,3A/W cuprinde regiunea lungimilor de und 440-1000nm. Se observ c variaia grosimii
stratului ITO n componenta CS influeneaz puternic asupra formei curbei distribuiei spectrale
si asupra valorii numerice a fotorspunsului.
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Q
e
f

(
u
n
i
t
.

a
r
b
.
)
(nm)
290nm
470nm
570nm

Fig.3.23. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
nSi n
dependen de grosimea straturilor.
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
F
o
t
o
s
e
n
s
i
b
i
l
i
t
a
t
e
a

(
A
/
W
)
(nm)
290nm
470nm
570nm

Fig.3.24. Distribuiile spectrale a fotosensibilitii celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependen
de grosimea straturilor ITO.

n cazul cresterii grisimii stratului ITO, se vede o micsorare a sensibilitatii in regiunea
lungimilor de unda lungi, fapt care confirma micsorarea valorii tensiunii U
cd
. In cazul CS cu
94
grosimea stratului ITO de 470nm, sensibilitatea structurii pe tot intervalul lungimilor de unda
este mult mai inalta si se observa o crestere chiar in intervalul lungimilor scurte, ceia ce
lamureste cresterea valorii I
sc
(Tabelul 3.2).
Analiza distributiilor spectrale arata ca valoarea cea mai convingatoare a grosimii
stratului ITO in fabricarea CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi este de cca 470nm. Straturile ITO mai subtiri sunt
mai transparente insa au o rezistenta de suprafata mult mai inalta ce creste rezistenta serie a
dispozitivelor respective si tot odata are un factor de reflexie inalt, fapt ce duce la pierderea
absorbtiei in materialul de baza. In cazul cind stratul ITO este de o valoare mai mare de 500nm,
aportul principal il are coeficientul de transparenta, care la rindul sau nu lasa lumina sa patrunda
in materialul absorbant.

3.4 Dependenta parametrilor celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi de grosimea stratului
SiO
2

3.4.1. Metodele de obinere a straturilor SiO
2

n general, influena favorabil a stratului izolator de la interfaa structurilor de tip SIS
asupra proprietilor fizice ale acestora este bine cunoscut [96]. ns problema const n faptul
c pentru acelai tip de structuri, dar obinute n diferite condiii aceast influen n-a fost
studiat suficient. De exemplu structurile ITO/nSi pot fi obinute prin cel puin cinci metode
diferite [96, 97], astfel pentru fiecare caz aparte de obinere a structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi
influena stratului izolator asupra parametrilor structurii n calitate de convertor fotovoltaic va fi
specific.
La realizarea structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi au fost utilizate plachetele de siliciu
monocristaline, orientate cristalografic (100) cu conductibilitatea 0,2Ohm
-1
cm
-1
, concentraia
electronilor 10
15
cm
-3
cu mobilitatea 1380cm
2
/(Vs). Deoarece obiectele de studiu reprezint o
structur ce const dintr-un strat monocristalin cu un strat subire depus pe el (barier
superficial), confecionarea lor conine urmtoarele operaiuni: a) tratarea chimic a
substraturilor monocristaline; b) formarea stratului izolator SiO
2
; c) depunerea componentei
frontale a structurii sub forma unui strat subire ITO; d) depunerea contactelor ohmice.
Bariera de potenial se formeaz pe suprafaa siliciului curat de grsimi, oxizi i atomi
sorbii pe suprafa. Pentru curarea plachetelor de siliciu se efectueaz splarea acestora timp
de 15-20min la o temperatur de 80-85C n soluia NH
4
OH+H
2
O
2
+H
2
O n care substanele
chimice se conin n raport 1:1:3. Dup procesul de degrasare, cu scopul eliminrii stratului
oxidic de pe suprafaa plachetelor, acestea se trateaz n acid fluorhidric timp de 5min.
Urmtoarea treapt n tratarea chimic a plachetelor de siliciu este eliminarea stratului mecanic
95
deteriorat n procesul de tiere i lefuire a acestuia. Grosimea acestui strat se consider a fi
o = k d
, unde k-este o constant specific pentru fiecare material semiconductor concret, pentru
Si k=1,7; - dimensiunea particulei abrazive n pulberea folosit pentru tratarea mecanic a
materialului semiconductor cristalin.
Pentru eliminarea stratului mecanic deteriorat se efectuia tratarea chimic a plachetelor de
siliciu n corodanii ce utilizau ca componente acidul fluoric (HF) i azotic (HNO
3
), unde acidul
azotic ndeplinete rolul oxidantului suprafeei substratului, iar HF deformatorul (dezoxidantul).
Raportul acestor dou componente joac un rol important n viteza de corodare a suprafeei
cristalului. n unii corodani pentru micorarea vitezei de corodare i uurarea controlului
procesului de corodare n componena corodantului se adaug acidul acetic (CH
3
COOH).
Neajunsul principal n baza sistemei HF-HNO
3
const n viteze nalte a recombinrii la
suprafa, ajungnd la valoarea de 10-12m/s, care nu asigur o caracteristic stabil a suprafeei
cristalului. Pentru nlturarea acestui neajuns n componena coradanilor chimici se adaug
Na
2
Cr
2
O
7
sau cum se va numi in continuare corodant de pasivare. Aceti corodani permit
micorarea valorii curentului indirect i majorarea tensiunii de strpungere a jonciunilor n baza
siliciului. Viteza de recombinare la suprafa dup tratarea n corodanii respectivi, poate fi
micorat pn la o valoare de 3-5m/s. Variind cantitatea componentei Na
2
Cr
2
O
7
, se poate de
obinut o suprafa att neted ct i zgnuroas. Din aceste considerente la tratarea chimic a
plachetelor de siliciu sau folosit 5 tipuri de corodani, cu urmtoarea componen a elementelor:
1) NF:HNO
3
(1:3)
2) NF:HNO
3
(1:3) + NF:HNO
3
:CH
3
COOH (1:3:8)
3) NF:HNO
3
:CH
3
COOH (1:1:3)
4) NF:HNO
3
:CH
3
COOH (3:3:5)
5) NF:HNO
3
:1% Na
2
Cr
2
O
7
(2:3:0,1)
Timpul de tratare chimic diferenia pentru fiecare tip de corodant n parte reieind din
calculele cantitatii raportului dintre oxidant si dezoxidant. Dup splare minuioas n ap
bidistilat suprafeele plachetei de siliciu se considerau purificate i se trecea la formarea
stratului izolator pe suprafaa componentei de baz a celulei solare.
Formarea stratului oxidic SiO
2
pe suprafaa Si poate fi efectuata prin folosirea metodelor
de oxidare anodic, chimic i termic. ns n cazul preparrii celulelor solare n
+
ITO-SiO
2
-nSi
cu suprafee active majorate mai acceptabile s-au dovedit a fi metodele chimice i termice de
oxidare a suprafeei siliciului.
Metoda chimic const n urmtorul: dup tratarea plachetelor de siliciu n corodantul,
coninutul cruia este bazat pe acizii HF i HNO
3
, i splarea plachetelor n ap bidistilat,
96
acestea se tratau n diferite perioade de timp n HNO
3
, deoarece anume acest acid n corodantul
utilizat joac rolul oxidantului. Considernd grosimea stratului oxid, format n rezultatul acestei
tratri, proporional cu durata tratrii, au fost obinute plachete de siliciu cu diverse grosimi ale
stratului SiO
2
. Analizind rezultatele din Tabelul 3.3 (punctul 2,5 si 6) se observa ca tratarea in
HNO
3
timp de 15sec deja duce la creterea stratului izolator SiO
2
cu cca. 5. La creterea de mai
departe timpului de tratare, plus 15sec, valoarea stratului izolator se mrete cu o marine de 10.
Rezultatele respective demonstreaz viabilitatea metodii chimice de obtinere a stratului izolator
SiO
2
. Insa, valorile respective sunt prea inalte pentru a le lua in consideratie.
Ce privete metoda termic de oxidare a suprafeei plachetelor de siliciu, se poate
constata urmtorul. Metoda de depunere a stratului frontal ITO prin pulverizarea i piroliza
soluiei chimice prevede nclzirea plachetei de siliciu pn la 450-500

C ntr-un mediu oxidant,


format de oxigenul comprimat folosit pentru pulverizarea soluiei n etanol a clorurilor de indiu
i staniu. Clar c n timp de ~2min ce ocup instalarea plachetei pe suport n interiorul cuptorului
electric, nclzirea acestei i depunerea stratului ITO, suprafaa plachetei de siliciu se oxideaz.
Insa in cazul nostru aceasta oxidare este de o mrime de (12), care de fapt este considerata o
mrime de eroare relativa a msurrilor. Ca si in cazul precedent, putem neglija creterea
respectiva bazindune pe msurrile fcute din Tabelul 3.3.
Reieind din cele expuse, s-a ajuns la concluzia de cercetarea structurilor n
+
ITO-SiO
2
-nSi
in dependenta de grosimea stratului izolator SiO
2
, utilizind diveri corodanti. Despre grosimea i
structura straturilor SiO
2
formate vom vorbi puin mai jos.

3.4.2. Determinarea grosimii straturilor SiO
2

Msurtorile grosimilor straturilor SiO
2
obinute pe plachetele de siliciu prin metodele
descrise n paragraful 3.4.1 au fost efectuate prin metoda elipsometric la Centrul Fotovoltaic
ENEA, Portici, Italia, iar rezultatele obinute sunt prezentate n Tabelul 3.3.
Analiznd Tabelul 3.3 menionm c toate treptele de degrasare n NH
4
:H
2
O
2
:H
2
O
(1:1:3), tratare n HF i corodare n HNO
3
:HF (3:1) n cazul probelor 2,3,4,5,6 i 7 au fost
efectuate pentru toate probele ntr-un proces unic, care a asigurat unele i aceleai condiii de
tratare. Observm c valorile grosimilor straturilor subiri oxidice obinute pe suprafaa
plachetelor de siliciu sunt prea mari pentru a fi transparente n procesul de separare a golurilor de
bariera de potenial n
+
ITO-SiO
2
-nSi. Se poate de presupus c straturile oxidice obinute sunt
poroase i din aceast cauz tunelarea golurilor prin aceste straturi totui este posibil ce i se
demonstreaz experimental prin msurarea parametrilor fotovoltaici.

97
Tabelul 3.3. Valorile grosimilor straturilor SiO
2
, formate pe suprafaa Si (n=10
15
cm
-3
)
Nr.
pr.
Metoda tratrii suprafeei de siliciu
Grosimea
stratului SiO
2
()
1
2
3

4

5

6

7

8
9
10

11

12

13

Degrasare NH
4
:H
2
O
2
:H
2
O (1:1:3) + tratare HF
Degrasare + tratare HF + HNO
3
:HF (3:1) timp 2,10min
Degrasare + tratare HF + HNO
3
:HF (3:1) timp 2,10min + tratare termic
450
o
C timp 1min
Degrasare + tratare HF + HNO
3
:HF (3:1) timp 2,10min + tratare termic
450
o
C timp 3min
Degrasare + tratare HF + HNO
3
:HF (3:1) timp 2,10min + tratare HNO
3
,
timp 15s
Degrasare + tratare HF + HNO
3
:HF (3:1) timp 2,10min + tratare HNO
3
,
timp 30s
Degrasare + tratare HF + HNO
3
:HF (3:1) timp 2,10min+ tratarea
HNO
3
:HF:CH
3
COOH (3:1:8) timp 20min la T=80-85
o
C
Degrasare + tratare HF + tratare HNO
3
:HF:CH
3
COOH (1:1:3) timp 3min
Degrasare + tratare HF + tratare HNO
3
:HF:CH
3
COOH (3:3:5) timp 3min
Degrasare + tratare HF + tratare HF:HNO
3
:1% Na
2
Cr
2
O
7
(2:3:0,1) timp
30sec
Degrasare + tratare HF + tratare HF:HNO
3
:1% Na
2
Cr
2
O
7
(2:3:0,1) timp
60sec
Degrasare + tratare HF + tratare HF:HNO
3
:1% Na
2
Cr
2
O
7
(2:3:0,1) timp
90sec
Degrasare + tratare HF + tratare HF:HNO
3
:1% Na
2
Cr
2
O
7
(2:3:0,1) timp
90sec + tratare HF timp 10sec
23
70

72

72

75

85

75
90
110

30

30

35

30

Se poate de atras atenia i la faptul c nici tratarea suplimentar termic, nici cea chimic
nu majoreaz esenial grosimea straturilor oxidice. n acest caz pentru a obine straturi
monolitice este logic de a micora viteza corodrii suprafeei de siliciu, deci de utilizat pentru
acest proces, de exemplu, corodanii care au o vitez de corodare mai mic (cazul probelor 7,8 i
9). ns n aceste cazuri valorile straturilor oxidice sunt i mai mari, ceea ce probabil se datoreaz
creterii coninutului acidului azotic n corodanii menionai. Pentru a micora valoarea stratului
SiO
2
, proba 2 a fost supus unor tratri suplimentare n acid fluoric. In Figura 3.25 este
98
prezentat dependena grosimii stratului SiO
2
de timpul tratrii plachetei de siliciu n acid fluoric
(proba 2). Tratarea suplimentar permite reducerea valorii stratului oxidic pn la 43.
0 100 200 300 400
40
45
50
55
60
65
g
r
o
i
m
e
a

S
i
O
2


(
A
n
c
s
t
r
e
m
i
)
timpul (s)

Fig.3.25. Dependena grosimii stratului SiO
2
de timpul tratrii plachetei de siliciu n acid fluoric.

n cazul tratrii chimice, pasivarii, cu corodanii n coninutul crora este folosit
Na
2
Cr
2
O
7
(cazul probelor 10, 11, i 12) observm c straturile oxidice au valori n jur de 30, iar
tratarea suplimentar n HF nu modifica esenial valorile respective, mentininduse in limitele de
pn la 30 (cazul probei 13).
Rezultatele respective au fost reduse la obinerea a 4 tipuri de celule solare n
+
ITO-SiO
2
-
nSi cu grosimi a stratului izolator SiO
2
de 30, 75, 90 si 110.

3.4.3. Caracteristicile I-U ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse grosimi ale stratului
intermediar SiO
2

n Figura 3.26 sunt prezentate dependenele curenttensiune pentru probele
n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO
2
, msurate la ntuneric, pentru
concentraia electronilor in Si de 110
15
cm
-3
. Intervalul grosimii stratului intermediar SiO
2
este
cuprins intre 30110. Aspectul general a msurrilor I-V nu difer radical, iar potenialul de
difuzie U
d
, determinat prin extrapolarea curbelor are o valoare a tensiunii de 0,54V. Valorile
curentului de saturaie I
0
practic nu variaz si sunt cuprinse in intervalul (2,36,08)10
-6
A/cm
2

pentru d=470nm. Totusi, se poate de conchis c nitrura de natriu ntra-devr duce la micorarea
valorii curentului indirect i majorarea tensiunii de strpungere a jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi.
99
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
30A
75A
90A
110A

Fig.3.26. Caracteristicile curent-tensiune la ntuneric ale structurii n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse
grosimi ale stratului intermediar SiO
2
.

3.4.4. Caracteristicile C-U i cinetice ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse grosimi ale
stratului intermediar SiO
2

Scopul acestor msurtori const n studiul influenei grosimii stratului izolator SiO
2
,
format prin metoda chimic, asupra parametrilor celulelor solare n baza structurilor
n
+
ITO/SiO
2
/nSi. Cum a fost menionat mai sus, plachetele de Si au fost tratate chimic i, n final,
suprafaa siliciului a fost tratat n diverse moduri pentru formarea stratului izolator de SiO
2
.
Figura 3.27 prezint dependenele capacitate-tensiune ale structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi la
ntuneric. n domeniul de polarizare ntre -1V i 0,2V caracteristicile C
-2
=f(U) sunt liniare i
demonstreaz c jonciunile studiate sunt abrupte. Valoarea potenialului de difuzie U
d

determinat prin extrapolarea dependenei C
-2
=f(U) pn la intersecia cu axa x n limitele erorii
experimentului este diversa: U
d
=0,56V pentru d
ox
=30; U
d
=0,61V pentru d
ox
=75; U
d
=0,6V
pentru d
ox
=90 si U
d
=0,6V pentru d
ox
=110. Valoarea aceluiai parametru U
d
determinat din
caracteristicile curent-tensiune, pentru toate grosimile stratului izolator SiO
2
, este egal cu 0,54V.
Utiliznd ecuaia (3.13), valoarea grosimii stratului de sarcin spaial este cuprinsa in
intervalul 0,850,9m si descreste ca valoare la cresterea grosimii stratului izolator SiO
2
.
Comparnd valorile grosimii stratului de sarcin spaial n jonciunea n
+
ITO/SiO
2
/nSi obinute
din caracteristicile curent-tensiune, care este W=0,85m i caracteristicile capacitate-tensiune
observm o concordan foarte satisfacatoare a acestor valori. Considernd capacitatea specific
minim a jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi polarizate direct egal cu capacitatea unui condensator,
plcile cruia sunt situate la o distan egal cu grosimea stratului dielectric SiO
2
, s-a ncercat
100
calculul acestei grosimi. ns rezultatele obinute nu pot fi considerate reale din cauza c la
valorile obinute a grosimii stratului izolator nu poate fi admis tunelarea purttorilor de sarcin
prin acest strat.
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
C
-
2

(
-
1
0
8

F
-
2
m
4
)
U (V)
30A
75A
90A
110A

Fig.3.27. Dependenele C-U a structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi in dependenta de grosimea stratului
dielectric SiO
2
la frecvena 10kHz.

3.4.5. Proprietile fotovoltaice ale structurilor n
+
ITO-SiO
2
-nSi cu diverse grosimi ale stratului
intermediar SiO
2

n Figura 3.28 sunt prezentate curbele caracteristicilor de sarcin ale CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi
cu diverse grosimi ale stratului intermediar SiO
2
, pentru concentraia purttorilor de sarcina in Si
de 10
15
cm
-3
, la puterea radiaiei incidente AM1,5 (100mW/cm
2
), cu parametrii fotovoltaici in
Tabelul 3.4. Eficienta de conversie este maxima pentru proba cu siliciul tratat n solutia
HF:HNO
3
:1% Na
2
Cr
2
O
7
(2:3:0,1). Analiznd curbele din Figura 3.28 observm c cu creterea
grosimii stratului dielectric SiO
2
valorile I
sc
ai probelor examinate cresc, ceia ce nu ar trebui sa se
intimple din cauza grosimii mult excesive a stratului dielectric, care ajunge la o saturatie de cca
100, dupa care observam o descrestere a curentului. Acelasi efect se observa si in dependenta
fotasensibilitatii (Figura 3.30). Totusi, se observa ca pasivarea suprafetei stratului absorbant duce
la micsorarea rezistentii serie si la rindul sau cresterii FF, ceia ce a permis majorarea eficientii de
conversie cu cca 0.25% fata de corodarea normala.
101
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,004
0,008
0,012
0,016
0,020
0,024
0,028
0,032
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
30A
75A
90A
110A
pasivare

Fig.3.28. Caracteristicile de sarcin a CS n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse grosimi ale stratului
intermediar SiO
2


Tabelul 3.4. Parametrii fotovoltaici ai celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu diverse grosimi ale
stratului intermediar SiO
2
n condiii AM1,5
d,

I
sc
,
mA/cm
2
U
cd
,
V
FF,
%
E
ff
,
%
R
ser
,
Ohmcm
2

R
sh
,
Ohmcm
2

30 29,68 0,522 66,17 10,25 2,62 1,70E3
75 31,62 0,487 64,68 9,96 2,66 1,41E3
90 32,71 0,487 56,47 9 2,81 5,91E2
110 31,08 0,484 55,15 8,3 4,19 1,65E2

3.4.6. Fotosensibilitatea celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi
Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
nSi n
dependen de grosimea stratului intermediar SiO
2
sunt prezentate n Figura 3.29. Observm c
distribuia spectral a eficienii cuantice a celulelor solare cu concentraia 110
15
cm
-3
practic nu
variaza in regiunia spectrului analizat. Eficiena cuantic intern n regiunea lungimilor de und
400-900nm este destul de nalt. Doar in cazul structurii cu stratul intermediar SiO
2
de 30 avem
o sensibilitate mai joasa in regiunea lungimilor de unda lungi. In Figura 3.30 sunt prezentate
distribuiile spectrale a fotosensibilitii celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependen de
grosimea stratului intermediar SiO
2
, din care observm c fotorspunsul se nregistreaz n
limitele lungimilor de und 350-1200nm. Se observ c variaia grosimii stratului intermediar
102
SiO
2
n componenta CS nu influeneaz puternic asupra formei curbei distribuiei spectrale si
asupra valorii numerice a fotorspunsului.
400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Q
e
f

(
u
n
i
t
.

a
r
b
.
)
(nm)
30A
75A
90A
110A

Fig.3.29. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
nSi n
dependen de grosimea stratului intermediar SiO
2
.

400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
F
o
t
o
s
e
n
s
i
b
i
l
i
t
a
t
e
a

(
A
/
W
)
(nm)
30A
75A
90A
110A

Fig.3.30. Distribuiile spectrale a fotosensibilitii celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi n dependen
de grosimea stratului intermediar SiO
2
.

3.5. Panouri solare n baza structurilor n
+
ITO/nSiO
2
/nSi
n ultimii ani circa 80% din producia mondiala a panourilor solare era pe baza siliciului
cristalin. Siliciul cristalin este materialul care predomina pe piaa fotovoltaicii si poate sa
menin aceste poziii un timp destul de ndelungat. Un avantaj al celulelor solare n baza
103
siliciului cristalin este durata lor buna de funcionare care atinge cca. 35 de ani. Se considera ca
durata lor de funcionare nu este limitata din cauza celulelor ci din cauza sistemului electric de
cuplare a celulelor.
In paragraful dat urmeaz descrierea lucrrilor de asamblare a unor panouri solare de
diverse puteri in baza celulelor solare cu jonciunea n
+
ITO/SiO
2
/nSi formate pe suprafaa de
siliciu cu diametrul 100mm prin pulverizarea i piroliza la temperatura cca 450C a soluiei
chimice n alcool InCl
3
:SnCl
4
.
Rezultatele acumulate pe parcursul lucrrii de obinere a celulelor solare n baza
jonciunilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi au permis formularea unor concluzii si perfectarea tehnologiei
elaborate pentru fabricarea panourilor solare [98].

3.5.1. Particularitile formrii jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi
n procesul de elaborare a metodei de obinere a jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi pe suprafaa
egal cu suprafaa plachetei de siliciu au fost folosite procedeele utilizate n industria
microelictronic. Ca de obicei, elaborarea unui procedeu concret, cum este formarea jonciunii
izotipice n
+
ITO/SiO
2
/nSi pe suprafee majorate, este nsoit de o mulime de particulariti,
executarea crora este strict pentru, n primul rnd, a obine rezultatul necesar i, n al doilea
rnd, pentru a majora probabilitatea de repetare a procedeului elaborat.
Pentru formarea jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi au fost utilizate plachetele de siliciu cu
conductibilitate electronic egal cu 0,2Ohm
-1
cm
-1
, rezistena electric specific =4,5Ohmcm,
concentraia N=10
15
cm
-3
, mobilitatea electronilor =1380cm
2
/Vs produse n Rusia, rebutate n
industria microielictronic. Anume acest argument trebuie de specificat, deoarece toate panourile
create pe parcursul acestei lucrri au fost elaborate in baza siliciului rebutat. n urma mult
repetatelor experiene a fost determinat procedeul optimizat de prelucrare chimic a plachetelor
de siliciu utilizate, care const n paii descrii in paragraful 3.4.
n paragraful 3.1 mult atenie s-a acordat depunerii i formrii contactului ohmic frontal
al celulelor solare obinute, deoarece pentru obinerea acestuia este necesar un echipament
respectiv complicat. La prima vedere pare c formarea contactului ohmic din spate a celulelor
solare nu poate ntlni dificulti. ns, s-a dovedit a fi invers. Evident, c pn la formarea
contactului ohmic suprafaa siliciului trebuie s fie pregtit. De unde apare aceast necesitate?
Dup tratarea chimic a plachetei de siliciu (particularitile sunt enumerate mai sus) exist dou
posibiliti. Prima este obinerea jonciunii prin depunerea stratului subire ITO, iar a doua este
formarea contactului ohmic din spate din stratul metalic de cupru prin evaporarea termic n vid
a cuprului. n cazul realizrii primei posibiliti placheta de siliciu este amplasat n interiorul
104
cuptorului electric la temperatura cca. 450C. Evident, c suprafaa plachetei pe care nu s-a
depus stratul subire ITO la aceast temperatur se oxideaz i, pentru a forma pe aceast
suprafa contactul ohmic din spate, stratul oxid trebuie s fie eliminat. n cazul realizrii
posibilitii a doua, stratul metalic al contactului ohmic din spate din cupru se oxideaz i cere a
fi nnoit prin depunerea repetat a acestuia.
S-a dovedit a fi optimal urmtoarea succesiune a operaiunilor tehnologice:
1. tratarea chimic a plachetei de siliciu;
2. formarea jonciunii n
+
ITO-SiO
2
-nSi;
3. formarea contactului ohmic din spate prin depunerea stratului metalic de cupru pe
suprafaa liber tratat mecanic a plachetei de siliciu.
Tratarea mecanic a suprafeei de siliciu, care a constat n rodarea acestei prin folosirea
pulberii abrasive cu dimensiunile particulelor 10-14m, este preferabil pentru obinerea
contactului ohmic, deoarece dup o astfel de prelucrare la interfaa metal-semiconductor se
formeaz un strat de neregulariti. Acest strat joac rolul unui strat de recombinare intensiv a
purttorilor de sarcina injectai din contactul ohmic n semiconductor, unde apariia lor nu este
dorit. Respectarea succesiunii menionate a operaiunilor tehnologice evit necesitatea crerii
centrelor de recombinare prin introducerea impuritilor n suprafaa semiconductorului pe care
se formeaz contactul ohmic. Stratul de cupru a fost selectat din cauza ca, avind lucrul de ieire
al electronului mai mic decit lucrul de ieire din siliciu, formeaz la interfaa cupru-siliciu un
strat mbogit de purttori de sarcina, deci un contact ohmic. Imediat dup realizarea contactului
ohmic din spate pe suprafaa stratului ITO se efectua depunerea contactului frontal.

3.5.2. Tierea celulelor solare din plachetele de siliciu
Jonciunea n
+
ITO/SiO
2
/nSi se formeaz pe toat suprafaa plachetei de siliciu cu
diametrul 100mm. Celulele solare n baza acestei jonciuni pot fi de configuraie rotund sau de
alt configuraie, tiat din placheta rotund de siliciu.
Tipul de configuraie a celulelor solare a depins de cerinele noastre i de modul de
asamblare a panoului solar. Celulele solare rotunde ocup mai mult spaiu dect, de exemplu,
celulele optoedrice, din acest caz spaiul primului panou va fi mai mare dect al doilea. Avnd n
vedere cele expuse i pentru evitarea contactului electric ntre stratul frontal i contactul ohmic
din spate ale celulei solare, configuraia celulelor solare s-a ales a fi optoedric. Tierea celulei
solare din placheta de siliciu s-a efectuat prin dou metode, descrise mai jos.
Tierea CS din placheta de siliciu prin metoda scribing s-a efectuat manual cu folosirea
unui cuit special cu ti din diamant. Cuitul cu o vitez i o presiune ct se poate mai constante
105
manual se deplaseaz pe suprafaa plachetei de siliciu. n urma cuitului rmne o zgritur care
deformeaz materialul i reduce rezistena mecanic a acestuia, de acea placheta de siliciu se
rupe de-a lungul zgriturii. Aceast metod de tiere a CS este simpl, dar necesit o antrenare
corespunztoare, si in primul rind ca micrile efectuate s fie identice la multiple repetri.
Suportul pe care se amplaseaz placheta de siliciu trebuie s nu se supun curburii, deoarece din
aceast cauz ruptura se realizeaz deseori nu n locul ateptat.
Pentru nlturarea dificultilor ntlnite la tierea celulelor solare prin metoda scribing a
fost construit instalaia, imaginea creia este prezentat n Figura 3.31.

Fig.3.31. Imaginea instalaiei pentru tierea celulelor solare
1 motor electric; 2 bloc de alimentare; 3 disc cu ti exterior; 4 suport pentru placheta
de siliciu; 5 loc de situare a plachetei de siliciu; 6 limitator; 7 lact; 8 uruburi de
reglare; 9 - introductor

Din Figura 3.31 se observ c instalaia este compus din motorul electric de curent
continuu (1) cu 3900rot/min i blocul de alimentare (2), care asigur tensiunea electric 28V. Pe
axul motorului este amplasat un disc special cu ti exterior (3). Tiul este format prin
depunerea pulberii de diamant i are grosimea de 0,4mm. Suportul (4) este fabricat dintr-o plac
metalic de grosimea cca 7mm, n partea dreapt a creia este format o adncitur de 2-3mm
rotund (5) de diametrul egal cu diametrul plachetei de siliciu. Suportul (4) poate fi deplasat de-a
lungul discului (3) i de-a lungul limitatorului (6), care asigur identitatea deplasrilor. Placheta
de siliciu se situeaz n adncitura (5) ntre dou plachete de cauciuc i se fixeaz prin lactul
(7). Lactul (7) prin nurubarea sau deurubarea uruburilor (8) permite reglarea adnciturii de
tiere a plachetei de siliciu.
Aadar, utiliznd instalaia descris este posibil formarea zgriturilor identice, care
permit la aplicarea unei fore uoare manuale ruperea plachetei n locurile prevzute.

106
3.5.3. Parametrii celulelor solare obinute
Utiliznd tehnologia elaborat au fost fabricate 250 de celule solare cu suprafaa activ a
fiecrei de 48,6cm
2
, dintre care numai 6 celule au fost rebutate din cauza c jonciunea din
ntmplare a fost obinut pe pachetele de siliciu de conductibilitate electronic cu valoarea
1S/cm, suprafaa de lucru a creia este planul (111). S-a dovedit a fi c orientarea cristalografic
a suprafeei de lucru a plachetei de siliciu are o mare importan n cazul obinerii jonciunii prin
metoda de pulverizare i piroliz a soluiei chimice. Aceast metod se constat a fi aplicat
numai n cazul obinerii jonciunii pe suprafaa (100) a plachetei de siliciu. In lucrare au fost
efectuate investigaiile de selectare a plachetelor de siliciu pentru obinerea jonciunilor eficiente
n dependen de concentraia acestora i nu n dependen de orientarea cristalografic a
suprafeei pe care se formeaz jonciunea [99]. Analiza parametrilor fiecrui element in parte a
permis obinerea a unei histograme pentru suprafaa de 48,6cm
2
a randamentului CS care este
prezentata in Figura 3.32. Msurarea CS a fost efectuata la iluminarea de cca.80mW/cm
2
.


Fig.3.32. Histigrama randamentului celulelor solare n
+
ITO/SiO
2
/nSi cu aria activa
48,6cm
2
msurate la iluminarea de 80mW/cm
2
.

Rezultatele prezentate demonstreaz ca 75% din elementele obinute au valoarea
randamentului cuprinsa intre 6-8%, dintre care 59% ntrec eficienta de 7%. Se poate de conclus
ca la iluminarea standart AM1,5 aceste valori ar trebui sa creasc in mediu cu 10-15% ceea ce
ar nsemn ca randamentul celulelor solare va fi in jur de 7-9%. Desigur aceasta valoare a
randamentului nu poate fi comparata cu valoarea eficienii de conversie care este propusa pe
pia, insa argumentul nostru demonstreaz ca in baza metodei respective si in baza plachetelor
de siliciu defectate mecanic si chimic, se poate ajunge la un randament de cca. 9% (Figura
3.11b)), care dup prerea mea este un argument destul de puternic.
107
3.5.4. Asamblarea panoului solar
Cu scopul de a demonstra viabilitatea metodei elaborate de obinere a celulelor solare a
fost asamblate patru panouri solare. Au fost selectat un set din 216 celule solare. Acest set de
celule a fost mprit n dou pri a cite 36 de celule solare pentru a asambla dou panouri solare
si doua pri a cite 72 celule solare pentru a asambla alte doua panouri de o putere mai mare. n
primul lot au fost selectate 72 de celule solare care la o iluminare identic obineau valorile
curentului de scurt circuit n limitele de la 800 pn la 900mA i tensiunii circuitului deschis n
limitele 0,45-0,5V. Al doilea lot a fost alctuit din 144 de celule solare, care posedau valorile
curentului de scurt circuit n limitele 1000-1200mA i valorile tensiunii circuitului deschis n
limitele 0,5-0,53V. Selectarea celulelor solare a fost efectuat la iluminarea acestora cu un bec
electric de putere 150W de la o distan de 15cm care are o putere de iluminare de cca. 80
mW/cm
2
.
Panourile solare au fost asamblate prin unirea celulelor solare in serie [99]: a)doua
panouri solare, fiecare a cite 36 de elemente, cu o suprafa activ de 0,175m
2
si o putere
electrica a cite 12W, iar parametrii fotovoltaici de I
sc
=0,8A; U
cd
=15,4V si I
sc
=0,77A; U
cd
=16,2V
respectiv; b)altele 2 panouri solare fiecare a cite 72 elemente, cu parametrii eficienii de
conversie intre 7-9%. Aceste panouri aveau o suprafaa activa de 0,35m
2
si o putere electrica de
32W cu parametrii fotovoltaici I
sc
=2A; U
cd
=16V si 38W cu parametrii fotovoltaici I
sc
=1,2A;
U
cd
=32,4V. Panourile au fost cercetate in condiiile iluminrii naturale care varia intre 700-
740W/m
2
[98].
Conectarea consecutiv a celulelor solare s-a efectuat prin sudarea conductorilor izolai la
fiile grilei de contact a primei celule i contactului din spate a celulei ulterioare. Imaginea
general a panourilor solare asamblate este prezentat n Figura 3.33.

Fig.3.33. Panouri solare n baza celulelor solare obinute prin tehnologia elaborat.

108
3.6. Concluzii la capitolul 3
Analiznd rezultatele expuse pot fi formulate urmtoarele generalizri:
1. S-a elaborat instalaia i tehnologia de obinere a straturilor subiri oxide de SnO
2
i
In
2
O
3
:SnO
2
(ITO) cu grosimea de 0,2-0,7m, uniforme pe suprafaa pn la 75cm
2
. Straturile
subiri nominalizate posed rezistivitatea de suprafa 15-50Ohm/ , conductibilitatea prin
electroni de (7,548)10
2
S/cm, asigurat de concentraia purttorilor de sarcin
(3,515)10
21
cm
-3
i mobilitatea acestora de (1530)cm
2
/(Vs).
2. S-a elaborat procedeul de obinere a jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi n baza straturilor subiri
In
2
O
3
:Sn i a plachetelor de Si, cu jonciunea format prin pulverizarea soluiilor chimice a
clorurilor de indiu i staniu pe suprafaa plachetelor de siliciu tratate chimic tradiional,
pasivate i nclzite pn la temperatura 450C.
3. Cercetarea proprietilor electrice a structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi a permis determinarea
mecanismului de transport al sarcinilor electrice prin bariera de potenial la polarizarea
direct. Au fost observate dou mecanisme de transport - de tunelare-recombinare pn la
tensiunile aplicate de 0,3V i de emisie peste bariera de potenial la tensiuni mai mari de
0,3V. La polarizarea indirect a structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi mecanismul de transport al
purttorilor de sarcin este determinat de curenii de scurgere.
4. n baza structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi s-a elaborat procedeul, care include traseul tehnologic i
fiele tehnologice de fabricare a convertoarelor fotovoltaice de uz practic cu suprafaa activ
pn 48,6cm
2
. Eficiena maximal de 10,25% se obine n condiiile orientrii cristalografice
a suprafeei plachetei de siliciu (100), suprafeei active de 8,1cm
2
, grosimii stratului ITO
0,3m, grosimii stratului SiO
2
30 i concentraiei purttorilor de sarcin (electronilor) n
siliciu de (1-5)10
15
cm
-3
.
5. Viabilitatea tehnologiei elaborate se demonstreaz prin fabricarea n condiii de laborator a
seriei mici de elemente fotovoltaice i asamblarea n baza lor a panourilor solare de putere
pn la 30W.
109
4. OBINEREA I CERCETAREA CELULELOR SOLARE BILATERALE
n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO

n practica mondial de fabricare a celulelor solare sunt cunoscute celule solare bilaterale
de tip p
+
-p-n
+
sau n
+
-n-p
+
. Aceste dispozitive fotovoltaice se bazeaz pe formarea a dou
jonciuni, i anume, a jonciunii anizotipe p-n
+
sau n-p
+
pe o suprafa a plachetei de siliciu i a
jonciunii izotipe p
+
-p sau n
+
-n pe alt suprafa a plachetei [57]. Jonciunile menionate se obin
tradiional prin difuzia impuritilor n placheta de siliciu. Procedeul de difuzie este un procedeu
complicat, care necesit consum considerabil de energie, condiii speciale i o strict dirijare. n
cazul fabricrii celulelor bilaterale complicaiile se dubleaz. Apar dificulti din cauza
necesitii de a efectua procesul de difuzie pentru dou impuriti, care influeneaz contrar
asupra proprietilor plachetei de siliciu. Urmeaz probleme de protejare a jonciunii formate n
timpul formrii jonciunii secunde.
Problemele menionate pot fi nlturate prin elaborarea celulei solare cu fotosensibilitate
bilateral numai n baza jonciunilor izotipe de tip n
+
-n-n
+
. n acest caz, lund ca exemplu celula
solar din siliciu, este necesar de a efectua un singur proces de difuzie la formarea jonciunii
n
+
Si/nSi. A doua jonciune nSi/n
+
ITO se formeaz prin procedeul de pulverizare pirolitic a
soluiei chimice a clorurilor de staniu i indiu n etanol pe suprafaa plachetei de siliciu liber de
jonciunea n
+
Si/nSi.
In capitolul dat este elaborat concepia celulei solare bilaterale cu jonciuni izotipe,
modelat i evaluat diagrama energetic a celulei solare de acest tip n
+
Si/nSi/n
+
ITO, preparate
componentele i sistemul fotovoltaic integru menionat, studiate proprietile electrice i
fotoelectrice, demonstrat viabilitatea unui nou tip de elemente fotovoltaice cu fotosensibilitate
bilateral, bazate pe jonciuni izotipe. Este descris succesiunea operaiunilor tehnologice pentru
obinerea celulelor solare bilaterale n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si de tip nou cu jonciuni izotipe [100].
Au fost efectuate msurtorile caracteristicilor electrice i fotoelectrice ale obiectelor de
studiu nominalizate. n rezultatul analizei complexe a datelor experimentale s-a constatat c
rezultatele obinute bine se ncadreaz n modelul jonciunii de tip MIS. Modificarea siturii
jonciunii din spate n
+
-nSi a celulei bilaterale prin variaia duratei timpului de difuzie a fosforului
n placheta de siliciu practic nu influeneaz asupra proprietilor electrice ale obiectului de
studiu. Parametri fotovoltaici principali ai celulei solare bilaterale preparate la iluminarea acestea
simultan din partea frontal i din cea din spate se sumeaz, ce servete ca o dovad a elucidrii
corecte a principiului de funcionare i a construciei a unui nou tip de CS bilaterale bazate
numai pe jonciuni izotipe. Regiunea sensibilitii celulei solare elaborate este situat n
110
intervalul lungimilor de und 350 1200nm i nu depinde de direcia iluminrii. De aceast
direcie depinde valoarea eficienei cuantice interne efective, care este aproape egal cu 1
(valoarea maxim a acestuia) n cazul iluminrii frontale i 0,2 0,3 la iluminarea din spate. Au
fost determinate direciile de optimizare a traseului tehnologic de preparare a celulelor solare
bilaterale izotipe i a parametrilor fotovoltaici ai acestora.

4.1. Modelarea diagramei energetice.
n practica mondial de fabricare a celulelor solare sunt cunoscute celulele solare
bilaterale de tip p
+
-p-n
+
sau n
+
-n-p
+
. Aceste dispozitive fotovoltaice se bazeaz pe formarea a
dou jonciuni, i anume, a jonciunii p-n
+
sau n-p
+
pe o suprafa a plachetei de siliciu i a
jonciunii p
+
-p sau n
+
-n pe alt suprafa a plachetei [63]. Jonciunile menionate se obin
tradiional prin difuzia impuritilor n placheta de siliciu. Procedeul de difuzie este un procedeu
complicat, care necesit consum considerabil de energie, condiii speciale i o strict dirijare. n
cazul fabricrii celulelor bilaterale complicaiile se dubleaz. Apar dificulti din cauza
necesitii de a efectua procesul de difuzie pentru dou impuriti care influeneaz contrar
asupra proprietilor plachetei de siliciu. Urmeaz problemele de protejare a jonciunii formate n
timpul formrii jonciunii secunde.
Toate aceste probleme pot fi nlturate prin elaborarea CS izotipice de tip n
+
-n-n
+
[100].
n acest caz este necesar de a efectua un singur proces de difuziune la formarea jonciunii
n
+
Si/nSi. A doua jonciune nSi/n
+
ITO se formeaz prin procedeul de pulverizare pirolitic a
soluiei chimice a clorurilor de staniu i indiu n etanol pe suprafaa plachetei de siliciu liber de
jonciunea n
+
Si/nSi.
Diagrama energetic a CS bilaterale de tip n
+
-n-n
+
i evaluarea acestei, obinerea
componentelor i a sistemului fotovoltaic integru cu fotosensibilitate bilateral, studiul
proprietilor electrice i fotoelectrice urmeaz a fi prezentate.

4.1.1. Diagrama energetic a structurii n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO
Pentru a construi diagrama energetic a structurii n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO vom selecta din
literatura de specialitate parametri fizici principali ai substanelor ce formeaz aceast structur.
Urmrind regulile de construcie a diagramelor energetice expuse n sursele [101, 102] efectum
urmtoarele aciuni.
Desenm separat diagramele energetice ale materialelor n referin cu nivelul energetic a
vidului (Figura 4.1).

111
Tabelul 4.1. Parametrii fizici ai componentelor structurii n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si
ITO SiO
2
nSi n
+
Si
E
g
(eV) 3,9 9,0 1,11 1,11
_ (eV) 4,51 0,9 4,01 4,01
E
F
(eV) 0,1 4,5 0,2 0,1
N (cm
-3
) 10
21
10
15
10
18

c 12 12
c
0
(C-Nm
2
) 8,85 10
-12

q (C) 1,6.10
-19




Fig.4.1. Diagrama energetic a structurii n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO. a) n proces de construcie i b) n
echilibru termodinamic.

112
Din Figura 4.1a) observm c energia electronului pe nivelul Fermi (E
F
) este mai mic n
ITO. Din aceast cauz pentru egalizarea energetic a nivelelor Fermi, care este necesar s se
ntmple la aducerea materialelor n contact, o poriune de electroni din n
+
Si va trece n nSi, iar
din nSi n n
+
ITO. Aceast deplasare a electronilor provoac la interfaa contactelor curbura n
sus spre energii majorate a nivelului E
c
n n
+
Si i n nSi. Curbura de fapt a benzilor (din cauza c
n paralel cu nivelul E
c
se curbeaz i nivelul E
v
) se indic prin U
d
i se numete potenialul de
difuzie, deoarece curbura apare din cauza difuziei purttorilor de sarcin. Aadar, cum se
observ din Figura 4.1b), la aducerea n contact a materialelor n
+
Si, nSi i n
+
ITO la interfeele
contactelor n n
+
Si/nSi i nSi/n
+
ITO apar dou bariere de potenial. n urmtorul paragraf vom
evalua parametrii energetici ai acestor bariere de potenial.

4.1.2. Evaluarea parametrilor ai structurii n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO
n primul rnd vom calcula nlimea barierelor de potenial. Acest parametru, nlimea
barierei n eV n referin cu nivelul Fermi, se calculeaz dup expresia:
s m b
_ | | = (4.1)
unde |
b
nlimea barierei, |
m
lucru de ieire a electronului din n
+
ITO, _
s
afinitatea
electronului n nSi.
Folosind datele prezentate n Tabelul 4.1 obinem |
b
pentru bariera de potenial la
interfaa n nSi-n
+
ITO egal cu 0,5eV. Parametri obinui n rezultatul evalurii diagramei
energetice sunt prezentai n Figura 4.1b) prin subliniere.
O valoare mai important posed potenialul de difuzie U
d
, care determin proprietile
electrice i fotovoltaice ale barierei de potenial. S examinm bariera n
+
Si-nSi. Deplasarea
sumar
dn
dn
V V +
+
a nivelelor Fermi la realizarea contactului n
+
Si-nSi se calculeaz conform
expresiei (vezi Figura 4.1a)):
( ) ( )
Si dn Si dn
dnSi dnSi dnSi
Si dn
V V
+ + +
+ + = + o _ o _ (4.2)
i n cazul nostru constituie valoarea de 0,1eV.
Utiliznd ecuaia Poison (4.2) obinem:
0
2
2 c c
Si n
Si n Si n
Si dn
W qN
V
+
+ +
+

= (4.3)
0
2
2 c c
nSi
nSi nSi
dnSi
W qN
V

=
(4.4)
113
unde q sarcina electronului, N
nSi
,
Si n
N
+
concentraia purttorilor de sarcin n materialele
indicate,
Si n
W
+
, W
nSi
grosimea straturilor sarcinii spaiale, c
nSi
,
Si n
+
c i c
0
permeabilitile
dielectrice ale componentelor contactului examinat i constanta dielectric.
Avnd n vedere c
nSi
Si n
Si n
nSi
N
N
W
W +
+
~ , din (4.3) i (4.4) obinem
3
10 =

=
+ +
+
nSi nSi
Si n Si n
Si dn
dnSi
N
N
V
V
c
c
, ce
nseamn c curbura benzilor energetice are loc practic numai n nSi.
La examinarea barierei de potenial la interfaa n nSi/n
+
ITO obinem valoarea sumar a
potenialului de difuzie eV V V
ITO d
dnSi
2 , 0 = +
+
. Curbura benzilor energetice se efectueaz numai
n componenta nSi, deoarece raportul
ITO dn
dnSi
V V
+
este de ordinul 10
6
. Obinnd valorile
teoretice ale potenialului de difuzie V
d
n nSi poate fi calculat valoarea stratului sarcinii spaiale
n acest semiconductor [103].
Utiliznd expresia (4.4) obinem valoarea grosimii stratului sarcinii spaiale n nSi la
interfaa contactului n
+
Si/nSi egal cu 0,36m i la interfaa contactului nSi/n
+
ITO egal cu
0,81m.
La interfaa contactelor diverselor materiale semiconductoare se formeaz
discontinuitile nivelelor energetice AE
c
i AE
v
, care se calculeaz conform relaiilor:
eV E
Si ITO c
5 , 0 = = A _ _ (4.5)
Suma discontinuitilor AE
c
+AE
v
este egal cu diferena dintre benzile interzise ale
materialelor semiconductoare aflate n contact:
gSi gITO v c
E E E E = A + A (4.6)
Din expresia (4.6) revine AE
v
= 2,3eV.
n realitate proprietile contactelor dintre materialele semiconductoare n calitate de
elemente fotovoltaice se determin nu numai de valorile calculate ale parametrilor prezentate
mai sus, dar ntr-o mare parte i de fizic strilor la interfaa contactelor. Stratul dielectric
intermediar (n Figura 4.1b) stratul SiO
2
care exist permanent pe suprafaa plachetei de Si) dac
i elimin interaciunea reciproc a suprafeelor eterogene, nu elimin influena strilor de
suprafa i a sarcinilor localizate n acest strat.
Modelarea diagramei energetice a structurilor semiconductoare permite elucidarea
proprietilor structurilor elaborate. n cazul examinat cu certitudine se poate afirma c structura
n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO este eficient n calitate de sistem fotovoltaic bilateral [104].


114
4.2. Procedee de obinere a jonciunilor puin adnci
Tendina contemporan n dezvoltarea elementelor fotovoltaice preconizeaz utilizarea
plachetelor de materiale semiconductoare cu dimensiuni majorate. Aceasta tendin este cauzat
de posibilitatea majorrii coeficientului de umplere a spaiului panoului solar i de posibilitatea
reducerii costului de asamblare a acestui panou.
Jonciunile n elementele fotovoltaice trebuie s fie puin adnci, amplasate ct se poate
mai aproape de suprafaa iluminat a elementului. Tradiional pentru formarea acestor jonciuni
se utilizeaz metoda de depunerii ionic, care se caracterizeaz prin naltele uniformitate,
reproductivitate i puritate a introducerii impuritii. ns, aceste caliti ale procedeului pot fi
asigurate just numai n cazul suprafeelor nu prea mari ale plachetelor materialelor
semiconductoare, de exemplu, din siliciu. n cazul suprafeelor majorate ale jonciunilor ce
trebuie s fie formate, este necesar selecionarea sau elaborarea a altor metode. La momentul de
fa se consider c cel mai potrivit procedeu este obinerea jonciunilor puin adnci prin
metoda difuziei a impuritilor [105].
Sursele de impuriti pentru doparea siliciului prin procesul de difuzie pot fi divizate n
dou grupuri:
- sursele de impuritate care nu contacteaz cu placheta de siliciu i
- sursele de impuritate care contacteaz cu placheta de siliciu.
Examinarea surselor nominalizate urmeaz n paragrafele ulterioare.

4.2.1. Surse de impuritate ne contactate cu placheta de siliciu
Sursele de impuritate care se utilizeaz fr a fi n contact cu placheta de siliciu pot fi n
stare solid, lichid sau gazoas. Aceste surse pentru a fi utilizate necesit n mod obligatoriu un
sistem gazos pentru transportarea impuritii de la surs pn la placheta de siliciu. De exemplu,
esena procedeului de difuzie din sursa de impuritate lichid const n urmtorul (vezi Figura
4.2).
Plachetele de siliciu se instaleaz ntr-un tub de cuar amplasat n interiorul cuptorului
electric (1) nclzit. Prin tub este transportat un flux de gaz, numit purttor al impuritii
difuzante din sursa de impuritate (2), care n condiii ordinare se afl n stare lichid. n
majoritatea cazurilor n funcie de gaz purttor se folosete azotul sau argonul, la care poate fi
adugat n procesul de difuziune o oare care cantitate de oxigen. Metoda n descriere mai
frecvent este utilizat pentru efectuarea difuziei a borului (B) sau a fosforului (P) n plachetele de
siliciu. n calitate de surs a impuritilor se folosesc substanele PCl
3
, POCl
3
, PBr
3
, BBr
3
.a.
115
Sursele lichide de impuriti, cum se observ din Figura 4.2, fac posibil diluarea n dou
trepte a vaporilor impuritii prin dirijarea fluxurilor gazelor purttoare ce trec prin dozatorul doi
sau direct n reactor (tubul de cuar).


Fig.4.2. Imaginea schematic a instalaiei pentru efectuarea difuziei n cazul sursei de impuritate
lichid. 1-cuptor electric, 2- sursa lichid.

4.2.2. Surse de impuritate contactate cu placheta de siliciu
Acestui grup de surse de impuriti aparin sursele n baza compuilor simple neorganici,
difuzanii sticloi, materialele oxide dopate cu difuzani. Sursele de impuriti menionate se
depun prin diverse metode nemijlocit pe plachetele de siliciu. Depunerea se efectueaz la
temperaturi mai joase dect temperatura de difuzie. La temperaturi nalte (8501300C) se
realizeaz procesul de difuziune a impuritii din sursa care este n contact cu placheta de siliciu.
Din aceast cauz procedeul de difuzie poate fi efectuat chiar i n mediul ambiant ce
considerabil reduce costul tehnologiei de fabricare a elementelor fotovoltaice. Pentru depunerea
nemijlocit pe suprafaa plachetelor de siliciu la prima treapt a elaborrii acestui tip de surse de
impuritate au fost utilizate cele mai simple i disponibile substane neorganice acvatic sau etilic
solubile, printre care pot fi numite H
3
BO
3
, H
3
PO
4
, (NH
4
)
3
PO
4
, B
2
O
3
i altele [105]. Soluiile
acizilor sau a srurilor menionate se depuneau pe suprafaa plachetelor de siliciu prin
pulverizare, prin turnarea picturilor sau prin cufundare. Apoi, dup o tratare termic de scurt
timp la temperaturi joase pentru evaporarea dizolvantului, plachetele de siliciu se tratau la
temperaturi 10001300C pentru efectuarea procesului de difuzie a impuritii respective n
placheta menionat. Accentum momentul cheie difuzia impuritii se efectueaz din sursa
care este n contact nemijlocit cu obiectul de dopare (n cazul nostru placheta de siliciu).
116
Procesul de difuziune n acest caz nu necesit operaiunea tehnologic de transportare prin
folosirea diferitor amestecuri de gaze a impuritii de la surs la obiectul de dopare.
Obinerea stratului de conductibilitate prin electroni la utilizarea sursei n baza H
3
PO
4
se
efectueaz de obicei in dou trepte. n prima treapt pe o suprafa a plachetei de siliciu se depun
dou trei picturi ale soluiei acvatice sau etilice a H
3
PO
4,
care prin centrifugare sunt risipite pe
suprafaa menionat. Apoi plachetele sunt uscate i amplasate n cuptorul de difuzie nclzit
pn la temperatura cca 1050C pe 2030 minute. Treapta secund se ncepe cu extragerea
plachetelor din cuptorul electric, tratarea acestora n acid fluorhidric, splarea n ap deionizat,
uscarea i amplasarea lor iari n cuptorul de difuzie nclzit pn la temperaturi 10501250C
pentru obinerea profilului final al distribuiei impuritii n placheta de siliciu.
Metodele de difuzie cu utilizarea surselor de impuriti care se afl n contact cu placheta
de siliciu sunt de o productivitate nalt, nu necesit echipament tehnologic sofisticat. Procesul
de difuzie se efectueaz ntr-un sistem deschis n majoritatea cazurilor n condiiile mediului
ambiant. Procedeele descrise fac posibil obinerea diverselor valori ale concentraiilor
impuritii dopante.
Depunerea difuzantului pe suprafaa plachetei de siliciu n form de soluie a compuilor
neorganici face posibil dirijarea valorilor concentraiei a impuritilor de bor sau fosfor la
suprafaa plachetei n limitele 10
17
10
21
cm
-3
. ns, soluiile compuilor simple neorganici nu
posed capacitatea de formare a peliculelor i din aceast cauz dup evaporarea dizolvantului pe
suprafaa plachetei rmne un strat subire din difuzantul cristalizat. Deci, nici depunerea
picturilor de soluie pe suprafaa plachetei cu ulterioara risipire prin centrifugare, nici
pulverizarea soluiei nu asigur uniformitatea dup grosime a stratului de difuzant i, prin urmare
nu asigur controlul strict al cantitii elementului de dopare pe o unitate de suprafa a
materialului dopat. Pentru a majora uniformitatea stratului sursei de difuzie a impuritilor a fost
propus ideea [106] de fixare a atomilor elementelor de dopare n volumul oxidului de siliciu
(difuzani sticloi).
n calitate de astfel de surse ale impuritilor de bor, fosfor, galiu, stibiu i altele pe larg
se utilizeaz difuzani sticloi, n compoziia crora sunt incluse componentele electric active,
neactive i inerte. Printre componentele electric active n difuzanii sticloi pot fi numite oxizii
de bor (B
2
O
3
), de fosfor (P
2
O
5
), de galiu (Ga
2
O
3
), de indiu (In
2
O
3
), de taliu (Tl
2
O
3
), de stibiu
(Sb
2
O
3
) i altele care prin difuzie n materialul semiconductor determin tipul de conductibilitate
al acestuia. Lanul componentelor electric neactive l constituie oxizii elementelor al grupei IV
din Sistemul periodic al elementelor chimice SiO
2
, SnO, PbO i PbO
2
, care determin
proprietile sticloase ale difuzanilor. Componentele inerte, de umplutur, care nu influeneaz
117
esenial asupra tipului de conductibilitate al difuzantuiuli, dar pot varia ntr-un larg diapazon
proprietile termomecanice ale materialelor sticloase formate, sunt oxizii metalelor alcaline
Na
2
O, K
2
O, CaO .a.
n calitate de difuzant tipic al impuritii donoare poate servi sticla fosforosilicat (PSG)
de compoziie ce urmeaz: 34,9% P
2
O
5
, 25% Al
2
O
3
, 14,7% SiO
2
i 25,4% Na
2
O.
n calitate de difuzant sticlos poate fi utilizat i compusul (P
2
O
5
)
x
(CaO)
y
, diagrama de
stare a cruia demonstreaz c coninutul de 78% de CaO n compusul menionat determin
temperatura de topire a acestuia de 500C. Prepararea difuzantului este simpl: cantitatea
respectiv a pulberilor P
2
O
5
i CaO se amestec i se trateaz termic la temperatura 900C n
mediul azotului uscat. n rezultatul acestei proceduri se obine sticl pur. Moleculele CaO sunt
foarte stabile i la temperatura procedeului de difuzie nu se observ procesul de reducere pn la
calciu pur, care ar putea s ptrund prin difuzie n materialul semiconductor.
Pentru obinerea difuzanilor sticloi n majoritatea sa se folosesc sticle silicate cu o
temperatur joas de topire, care se formeaz din aliajul bioxidului de siliciu cu oxizii altor
elemente. Procedeul de fabricare a diferitor dup compoziie sticle este bine cunoscut i studiat
[107]. De aceea nu apar probleme n selectarea sticlelor de componen ce asigur proprietile
necesare ale difuzantului. Sticla selectat se frmieaz pn la dimensiunile particulelor mai
mici de 1m. Sticla frmiat se supune procesului de sedimentare n amestecul de etanol i
izopropanol. Particulele de dimensiuni mai mari n prima perioad a procesului de sedimentare
se colecteaz pe fundul vasului, iar particulele de dimensiuni potrivite rmn suspendate n
soluie spirtoas. Suspensia format se utilizeaz pentru depunerea pe suprafaa plachetelor din
materiale semiconductoare a unui strat subire din pulbere de sticl, deci a sursei de impuritate
pentru procedeul de difuzie.

4.3 Prepararea i studiul celulelor solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu
4.3.1. Obinerea structurilor n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO
Scopul investigaiilor efectuate este schimbarea structurii celulei solare bilaterale pentru
simplificarea i ieftinirea procedeului de preparare a acesteia. Problema propus se realizeaz
prin CS bilateral, compus din materialul semiconductor de baz, dou jonciuni i dou grile
metalice de contact, depuse pe prile frontal i din spate, n care ambele jonciuni sunt izotipe
cu materialul semiconductor de baz.
Construcia propus se realizeaz prin procedeul de preparare a CS bilaterale, care
include formarea a dou jonciuni pe prile frontal i din spate a materialului semiconductor de
baz i a grilelor metalice de contact, n care jonciunea frontal se formeaz pe suprafaa
118
materialului semiconductor de baz prin metoda de pulverizare pirolitic a soluiilor chimice.
Pentru aceasta jonciunea frontal se realizeaz n form de structur SIS nSi/iSiO
2
/n
+
ITO prin
pulverizarea pirolitic a soluiilor clorurilor de indiu (1M) i staniu (1M) n etanol cu compoziia
InCl
3
:SnCl
4
:C
2
H
5
OH n proporie de 9:1:10 pe suprafaa materialului semiconductor de baz
[108].
Efectul tehnic al implementrii acestei construcii const n aceia, c n loc de crearea n
materialul semiconductor de baz iniial cu conductibilitate de tip n cu o suprafa puternic
dopat n
+
a unei jonciunii n-p
+
, pe suprafaa lui ne dopat se formeaz jonciunea izotip n-i-n
+
,
care reprezint o structur de tip SIS. Pentru aceasta pe suprafaa nclzit a materialului
semiconductor de baz (temperatura n acest caz este de 2-3 ori mai joas dect temperatura
procedeului de difuzie, utilizat n fabricarea celulelor solare bilaterale tradiionale) n condiiile
mediului ambiant se depune prin metoda de pulverizare pirolitic un strat semiconductor cu
acelai tip de conductibilitate electric ca i materialul semiconductor de baz. Stratul
semiconductor depus are concentraia purttorilor de sarcin de 2-3 ordine mai nalt i lrgimea
benzii interzise mai mare dect n materialul semiconductor de baz. Simultan la interfa se
formeaz un strat subire de oxid propriu al materialului de baz, care este transparent pentru
transportul prin tunelare a purttorilor de sarcin. Acest strat de oxid este situat ntre stratul
depus i materialul de baz i contribuie la majorarea nlimii barierei de potenial i, prin
urmare, la majorarea eficienei separrii de ctre jonciunea n-i-n
+
a purttorilor de sarcin
generai de lumin.
Astfel, scopul propus este atins prin aceia, c construcia celulei solare bilaterale este
simplificat, fiind compus din dou jonciuni izotipe, spre deosebire de construcia celulelor
bilaterale tradiionale, care reprezint o combinaie de jonciuni izotip i anizotip [100].
Modificarea construciei celulei solare bilaterale duce la simplificarea procedeului de preparare a
acesteia. Procedeul de preparare a celulei solare bilaterale propuse include formarea jonciunii
izotipe din spate prin difuzia impuritii necesare n materialul semiconductor de baz la
temperatura i timpul de difuzie optimale, asigur obinerea concentraiei purttorilor de sarcin
de 2-3 ordine mai mare dect n materialul semiconductor de baz. Formarea jonciunii secunde
frontale izotipe de tipul structurii SIS se realizeaz prin metoda de pulverizare pirolitic n
condiiile mediului ambiant a soluiilor chimice pe suprafaa liber a materialului semiconductor
de baz, nclzit pn la o temperatur mult mai joas dect temperatura necesar pentru
formarea jonciunii n-p
+
prin metoda de difuzie a impuritilor.
Rezultatul tehnic al implementrii inveniei propuse const n urmtoarele:
119
1. Toate jonciunile din componena structurii celulei solare bilaterale sunt izotipe ce simplific
construcia i procedeul de preparare. Construcia propus poate fi caracterizat ca un nou tip
de celul solar bilateral.
2. Procedeul de preparare a celulei solare bilaterale propuse conine realizarea procesului de
difuzie numai a unui tip de impuriti pentru formarea jonciunii n-n
+
, de aceia acest proces
are loc la temperatura i timpul optimal fr utilizarea msurilor de protecie a regiunii
formrii jonciunii de aciunea altei impuriti.
3. Jonciunea frontal n-i-n
+
se obine prin pulverizare pirolitic n condiiile mediului ambiant
a soluiilor chimice pe suprafaa liber a materialului semiconductor de baz, nclzit pn
la o temperatur de 2-3 ori mai joas dect temperatura utilizat pentru formarea acestei
jonciuni prin difuzia impuritilor, ce simitor simplific i ieftinete procedeul de preparare
a celulei solare bilaterale.
n Figura 4.3 este prezentat celula solar bilateral elaborat n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si.

Fig.4.3. Imaginea schematic a celulei solare bilaterale n
+
ITO/SiO
2
/nSi/n
+
Si.

CSB const dintr-o plachet de siliciu cu conductibilitate electronic (1) cu un strat
puternic dopat (2). Pe suprafaa ei opus este format o structur SIS de tipul n-i-n
+
n care
stratul (3) este oxidul propriu al materialului de baz (SiO
2
), iar (4) este stratul ITO alctuit din
amestecul oxizilor In
2
O
3
i SnO
2
, obinut prin metoda pulverizrii pirolitice a soluiilor de cloruri
de indiu i de staniu, (5) i (6) sunt respectiv grilele metalice de contact frontal i din spate.
CS bilateral propus este preparat n modul urmtor. Drept componenta (1) este
utilizat o plachet de siliciu de tip -1, orientat n planul (100) cu conductibilitate
electronic i cu grosimea de 350m. Pentru formarea stratului (2), adic a jonciunii n
+
-nSi a
fost utilizat metoda de difuzie a fosforului din sursa lichid POCl
3
. Procesul de difuzie dureaz
120
30 minute la temperatura de 850C, dup ce plachetele sunt supuse unui tratament termic la
temperatura de 940C timp de 180 minute. n rezultat se formeaz o barier de potenial cu
nlimea de 0,1eV situat la adncimea de 0,8-1,0m de la suprafaa din spate a plachetei de
siliciu. Mai departe, pe suprafaa opus a plachetei de siliciu cu conductibilitatea electronic (1)
se depune stratul ITO (4) prin metoda de pulverizare pirolitic a soluiilor clorurilor de indiu
(1M) i staniu (1M) n etanol cu compoziia InCl
3
:SnCl
4
:C
2
H
5
OH n proporie de 9:1:10 la
temperatura de 450C. Acest regim de depunere asigur formarea oxidului propriu al
materialului de baz (SiO
2
) (3) cu grosimea de 30-40. Straturile subiri ITO aveau grosimea de
0,3-0,4m, rezistena de suprafa 10-12Ohm/ i lrgimea energetic a benzii interzise de
3,9eV. Contactele ohmice n form de grile metalice de contact (5) i (6) respectiv la straturile
ITO i n
+
Si sunt preparate prin evaporarea termic n vid prin mti speciale a cuprului.
Metoda descris de obinere a celulei solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu
permite schiarea traseului tehnologic de preparare a acestor celule, care schematic este prezentat
n Figura 4.4 [109].

Fig.4.4. Schema traseului tehnologic de preparare a celulelor solare bilaterale
Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu

Din Figurile 4.1 i 4.3 se vede, c n placheta de siliciu cu conductibilitate electronic se
formeaz dou jonciuni. Prima jonciune nSi/SiO
2
/n
+
ITO se numete frontal fiindc radiaia
solar nimerete nemijlocit pe suprafaa ei activ. Ea este situat la adncimea de 0,30,4m de
la suprafa. Adncimea jonciunii este determinat de grosimea stratului ITO, cu ct stratul de
ITO depus pe placheta de siliciu este mai gros, cu att jonciunea frontal este situat mai adnc
de la suprafaa activ a celulei solare. A doua jonciune n
+
Si-nSi se numete jonciunea din spate.
Radiaia incident pe suprafaa ei nu poate s nimereasc nemijlocit, dar poate s fie ndreptat
acolo cu ajutorul diferitor dispozitive reflectoare, n primul rnd, prin utilizarea concentratoarelor
121
staionare ai radiaiei solare. O variant al unui astfel de concentrator este elaborat de
colaboratorii Institutului din Rusia. Deoarece dispozitivul elaborat concentreaz
radiaia solar (coeficientul de multiplicare a energiei solare este de valori 4-5) eficiena celulei
solare poate fi simitor majorat.

4.3.2. Principiul de funcionare al celulei solare elaborate Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu
Celula solar bilateral propus funcioneaz n modul urmtor. Radiaia solar, care cade
pe suprafaa frontal a celulei solare bilaterale trece prin partea neacoperit a grilei metalice de
contact (5) (vezi Figura 4.3) i nimerete pe suprafaa stratului ITO (4). Fotonii cu energia mai
mic dect banda interzis a stratului ITO, precum i a stratului SiO
2
, nu sunt absorbii i
nimeresc pe suprafaa plachetei de siliciu cu conductibilitate electronic (1). Radiaia cu energia
fotonilor n intervalul 1,1-3,9eV este absorbit n acest material ceia-ce duce la generarea
perechilor electron-gol. Purttorii de sarcin generai sunt separai spaial de ctre cmpul
electric al jonciunii nSi/SiO
2
/ITO, regiunea de sarcin spaial a creia este complet amplasat
n Si. Electronii sunt antrenai de ctre cmpul electric al jonciunii, formate la interfaa plachetei
de siliciu cu conductibilitate electronic (1) i regiunea ei puternic dopate n
+
Si (2) i se
deplaseaz ctre grila metalic de contact (6), pe cnd golurile tuneleaz prin stratul subire SiO
2
,
recombin cu purttorii majoritari n stratul ITO i ncarc pozitiv grila metalic de contact (5).
Prin urmare, la iluminare ntre grilele metalice de contact ale celulei solare bilaterale propuse
apare o diferen de potenial.
Acelai efect apare i la iluminarea CS bilaterale din spate. Radiaia solar care trece n
acest caz prin grila metalic de contact (6), placheta de siliciu cu conductibilitate electronic (1)
cu un strat puternic dopat (2) i care ajunge pn la regiunea de sarcin spaial a jonciunii
nSi/SiO
2
/ITO, este absorbit i genereaz perechile electron-gol. Purttorii de sarcin generai
sunt separai spaial de ctre cmpul electric al jonciunii nSi/SiO
2
/ITO i mai departe se
deplaseaz spre grilele metalice de contact (5) i (6) cum deja este descris mai sus [109].
n diagrama energetica (Figura 4.1) E
c
este energia nivelului inferior al benzii de
conducie, E
v
este energia nivelului exterior al benzii de valen, E
f
este energia nivelului Fermi,
E
vac
este energia nivelului energetic al vidului, iar prin cifre sunt indicai parametrii materialelor
ce formeaz structura i parametrii calculai ai jonciunilor formate. Analiza acestei diagrame
energetice demonstreaz, c structura n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO alctuit numai din jonciuni izotipe
poate fi utilizat n calitate de celul solar bilateral. ntr-adevr, la iluminarea structurii prin
stratul ITO, dup cum se vede din Figura 4.1, fotonii din spectrul solar cu energia 1,1hv<3,9eV
trec liber prin stratul subire ITO (E
g
= 3,9eV) i sunt absorbii n materialul de baz nSi. Aici
122
sunt generate perechile electron-gol, care sunt separate spaial de ctre cmpul electric al
jonciunii nSi/iSiO
2
/n
+
ITO i fluxul de electroni se ndreapt spre n
+
Si, fiind favorizat de cmpul
electric al jonciunii n
+
-nSi. Golurile tuneleaz prin stratul SiO
2
i recombin cu electronii situai
n fanta energetic E
f(ITO)
-E
c(ITO)
. Aceleai procese au loc i la iluminarea structurii
n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO din partea n
+
Si. n cazul timpurilor de via a purttorilor de sarcin destul
de mari i, prin urmare, n cazul valorilor mari a lungimilor de difuzie a purttorilor generai de
lumin, apar fluxuri de electroni i goluri. Cu ct este mai mare timpul de via, cu att mai
intense vor fi aceste fluxuri. Este clar, c la iluminarea structurii din ambele pri, fluxurile de
electroni i goluri, generai de lumin i separai de cmpul electric al jonciunii nSi/SiO
2
/ITO, se
vor aduna i, prin urmare, dispozitivul propus Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu, preparat numai n
baza jonciunilor izotipe, este o celul solar bilateral de tip nou cu efectul de integrare a
energiei electrice generate.

4.4. Optimizarea parametrilor celulelor solare elaborate
4.4.1 Influena adncimii jonciunii din spate asupra parametrilor fotoelectrofizici ai celulei
solare Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu in dependenta de parametrii siliciului utilizat
Pe parcursul studiului structurilor de tip ITO/nSi obinute prin tehnica pulverizrii
pirolitice a soluiilor clorurilor de staniu i indiu n etanol s-a demonstrat, in capitolul 3, c
bariera de potenial la interfaa ITO/nSi se formeaz numai n cazul suprafeei siliciului cu
orientarea cristalografica (100).
Pentru a studia influena parametrilor plachetelor de siliciu asupra parametrilor
fotoelectrofizici ai celulelor solare bilaterale izotipe elaborate, lund in consideraie rezultatele
din capitolul 3 au fost selectate urmtoarele tipuri de plachete cu diverse concentraii a
purttorilor de sarcina in Si (4,510
14
cm
-3
, 110
15
cm
-3
, i 4,510
15
cm
-3
). Parametrii de
caracterizare a plachetelor de siliciu utilizate sunt:
- Plachete de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografic (100), rezistena
specific =10Ohmcm, concentraia N=4,510
14
cm
-3
, mobilitatea electronilor
=1390cm
2
/Vs, conductibilitatea electric =0,1Ohm
-1
cm
-1
, produse de firma
SILTRONIX n Germania;
- Plachetele de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografic (100), rezistena
electric specific =4,5Ohmcm, concentraia N=10
15
cm
-3
, mobilitatea electronilor
=1250cm
2
/Vs, conductibilitatea electric =0,2Ohm
-1
cm
-1
, marcate 4,5 i
produse n Rusia;
123
- Plachete de siliciu, dopate cu fosfor, orientare cristalografic (100), rezistena
specific =1,05Ohm

cm, concentraia N=510


15
cm
-3
, mobilitatea electronilor
=1390cm
2
/Vs, conductibilitatea electric =1Ohm
-1
cm
-1
, produse de firma
SILTRONIX n Germania.
Concentraiile de ordinul 10
16
-10
18
cm
-3
au fost excluse din cauza rezultatelor
nesatisfctoare, insa s-a decis de a obine structuri pentru concentraia de 10
14
cm
-3
. Utiliznd
plachetele de siliciu nominalizate, au fost preparate celule solare bilaterale, n care preventiv prin
difuzia fosforului au fost formate jonciunile n
+
-nSi.
Din traseul tehnologic descris i prezentat schematic n paragraful 4.3.1. se vede, c dup
tratarea chimic a plachetei de siliciu pe una din laturile acestea se efectueaz procesul de
difuziune a fosforului. Procedeul de difuziune se efectueaz cu scopul formrii jonciunii din
spate n
+
-nSi a CS bilaterale izotipe Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu, iar variaia timpului de difuzie a
fosforului a fost efectuat cu scopul influenrii asupra nlimii barierei de potenial din spate i
asupra adncimii acestea.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
10
17
10
18
10
19
10
20
10
21
C
o
n
c
e
n
t
r
a
t
i
a

(
A
t
o
m
i

c
m
-
3
)
d (m)
1- 850
o
C, 15'
2- 850
o
C, 60'
3- 850
o
C, 105'
1
2 3

Fig.4.5. Distribuia concentraiei atomilor de fosfor n placheta de siliciu dup diverse
regimuri de difuziune.

In cazul nostru, difuzia fosforului, impuritii ce majoreaz concentraia electronilor n
siliciu, are loc din sursa lichid POCl
3
la temperatura regiunii de amplasare a plachetei de siliciu
n reactor de 850C timp de 15, 60 i 105min. Variaia timpului procedeului de difuziune
influeneaz asupra adncimii jonciunii n
+
-nSi n placheta de siliciu. ntr-adevr, din Figura 4.5,
n care este prezentat distribuia concentraiei atomilor de fosfor n adncimea plachetei de
siliciu din partea laturii pe care se efectueaz difuzia, se observ c cu ct timpul de difuziune
124
este mai prelungit cu att jonciunea n
+
-n este situat mai adnc n placheta de siliciu. La timpul
de efectuare a difuziei de 15min, observm, jonciunea este situat la distana de la latura
respectiv de 0,26m. Dac perioada de timp, n care se efectueaz difuzia, este mai mare
amplasamentul jonciunii este mai adnc, situat la distana 0,40m pentru timpul de difuzie de
60min si 0,48m pentru 105min [109].
S examinm influena amplasamentului jonciunii n
+
-nSi asupra parametrilor
fotoelectrofizici a celulei solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO-Cu in dependenta de
concentraia siliciului utilizat.

4.4.2. Proprietile electrice ale celulei solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu
n Figura 4.6 sunt prezentate dependenele curent-tensiune la ntuneric a CS bilaterale
Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu in dependenta de concentraia siliciului si a timpului de difuzie a
fosforului pentru obinerea jonciunii n
+
-nSi.
Cum s-a menionat deja, obiectele de studiu prezint structuri de tip semiconductor -
izolator - semiconductor. Prima component a structurii, stratul subire ITO, prezint un material
semiconductor degenerat cu o conductibilitate electric de 10
21
Ohm
-1
cm
-1
comparabil cu
conductibilitatea metalelor. A doua component, placheta cristalin de siliciu, prezint materialul
de baz a structurii. Observm, c jonciunea format de aceste materiale din punct de vedere a
conductibilitii acestora este asimetric. Structura studiat mai repede prezint o structur de tip
MIS, care sunt bine teoretic cercetate in capitolul 3. n acest caz dependena curentului de
tensiunea aplicat la o astfel de prob conform capitolului 3 se va descrie prin relaia (3.9).
Pentru a ne convinge c afirmaiile noastre sunt corecte dependenele curent tensiune n
Figura 4.6a) sunt prezentate n coordonate lnI=f(U). Din (3.9) se observ c n aceste coordonate
relaia exponenial prezentat se transform n relaie liniar. ntr-adevr, cum se vede din
figura data, dependenele curent tensiune ale obiectelor studiate sunt liniare, ce confirm c
aceste obiecte de studiu sunt structuri de tip MIS. In acest caz, folosind expresia (3.9), pot fi
determinate valorile curentului de saturaie (I
s
) i coeficientul de neidealitate (A), valorile
respective sunt prezentate in Tabelul 4.2, de unde observam ca coeficientul A are valori puin
mai mari dect cifra 2, care indic mecanismul de recombinare a purttorilor de sarcin la
trecerea lor prin jonciunea structurilor studiate.
n Figura 4.6b) sunt prezentate dependenele menionate la polarizarea indirect a
obiectelor de studiu. Indicaia curbelor are acelai sens ca i n Figura 4.6a). La polarizarea
indirect a jonciunii dependena curentului de tensiunea aplicat se descrie prin relaia
cunoscuta:
125
n
U I = (4.7)
unde n este exponentul puterii. Din (4.7) observm c exponentul n poate fi uor determinat,
dac dependena curent tensiune la polarizare indirect a probei va fi prezentat n coordonate
lnI = nf(lnU). Valorile exponentului puterii se aranjeaz n intervalul cifrelor 1,0n1,5 [110].

10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
-1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-2
10
-1
10
0
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4

15
60
105
n = 1x10
15
cm
-3
U (V)
15
60
105
n = 4,5x10
14
cm
-3
I

(
A
/
c
m
2
)

I

(
A
/
c
m
2
)
15
60
105
n = 4,5x10
15
cm
-3


15
60
105
n = 1x10
15
cm
-3

U (V)
15
60
105
a)
b)
n = 4,5x10
14
cm
-3


15
60
105
n = 4,5x10
15
cm
-3

Fig.4.6. a) Dependenele I-V la ntuneric ale structurilor Cu/n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO/Cu;
b) Dependenele I-V la ntuneric ale Cu/n
+
Si/nSi/iSiO
2
/n
+
ITO/Cu polarizate indirect.


126
4.4.3 Studiul proprietilor fotoelectrice ale celulelor solare bilaterale obinute
n Figura 4.7 sunt prezentate caracteristicile de sarcin a celulei solare bilaterale
menionate, obinut n baza siliciului de cu diverse concentraii si 3 tipuri a timpului de difuzie a
fosforului pentru obinerea jonciunii n
+
-nSi. Caracteristicile de sarcin au fost msurate n
condiii standarde (temperatura camerei, iradierea simulatorului radiaiei solare AM1,5 cnd
puterea fluxului radiaiei solare incidente este 1000W/m
2
) la iluminarea consecutiv frontale i
din spate a probei.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
0,025
0,030
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
0,012
0,014
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
S01
S04
S07
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
S01(15)
S04(60)
S07(105)
a) b)

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
0,012
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,005
0,010
0,015
0,020
0,025
0,030
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
Z01(15)
Z03(60)
Z04(105)
c) d)
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
Z01(15)
Z03(60)
Z04(105)

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4
0,000
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,004
0,008
0,012
0,016
0,020
0,024
0,028
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
W01(15)
W05(60)
W08(105)
e) f)
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
W01 (15)
W05 (60)
W08 (105)

Fig.4.7. Caracteristicile de sarcin a celulei solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu,
obinute n baza Si cu diverse concentraii.
127
Caracteristicile, prezentate n Figura 4.7, demonstreaz c rezultatele cele mai
performante (Tabelul 4.2) se obin cit n cazul iluminrii frontale, att i n cazul iluminrii din
spate la testarea celulei solare cu jonciunea n
+
-nSi format timp de 60min prin difuzia fosforului
din sursa lichid la temperatura de 850C cu tratarea termic ulterioar la 940C timp de 180min
[109].

Tabelul 4.2. Parametrii fotovoltaici a CS bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu,
obinute n baza Si cu diverse concentraii
n,
cm
-3
partea
iluminata
t
dif
,
min
U
cd
,
V

I
sc
,
mA/cm
2

FF,
%
E
ff
,
%
R
ser
,
Ohmcm
2

R
sh
,
kOhmcm
2

4,510
15
top
15 0.474 25.68 69.35 8.44 2.62 2.58
60 0.474 27.30 67.73 8.76 2.65 2.12
105 0.473 28.66 59.62 8.08 4.91 2.64
botom
15 0.425 10.26 69.18 3.02 3.38 2.95
60 0.429 13.18 64.96 3.67 4.74 1.16
105 0.429 13.87 57.31 3.41 7.14 1.34
110
15

top
15 0.501 24.36 68.22 8.33 2.86 0.55
60 0.506 26.91 66.07 9.02 2.42 0.25
105 0.504 28.52 56.50 8.12 3.68 0.61
botom
15 0.430 9.91 65.49 2.79 8.61 2.62
60 0.431 11.82 65.23 3.32 7.28 1.22
105 0.429 12.46 56.45 3.02 9.26 0.82
4,510
14

top
15 0.475 24.16 55.42 6.36 6.03 0.59
60 0.478 25.89 59.88 7.41 4.11 0.71
105 0.476 27.47 46.58 6.09 8.25 0.12
botom
15 0.430 5.82 62.73 1.57 16.14 5.02
60 0.431 6.76 63.50 1.85 10.01 1.01
105 0.430 7.07 50.99 1.55 20.22 0.67

Observm, c n cazul folosirii n calitate de material de baz pentru prepararea CS
bilaterale a Si cu concentraia electronilor n=4,510
15
cm
-3
valorile parametrilor fotovoltaici ai
acestea n ambele cazuri de iluminare sunt mai mici dect valorile parametrilor celulei in baza Si
128
cu concentraia 10
15
cm
-3
. Acest rezultat poate fi explicat prin formarea n cazul siliciului cu
concentraia purttorilor de sarcin majorat a regiunilor mai nguste de sarcin spaial i a
lungimilor de difuzie a purttorilor de sarcin mai mici dect in siliciu cu concentraia minoritar
a purttorilor de sarcin. Din rezultatele prezentate observm de asemenea c eficiena celulelor
solare bilaterale studiate iluminate din spate constituie pn la 30-40% din valoarea eficienei n
cazul iluminrii acestora frontale pentru concentraia 10
15
cm
-3
. In cazul cnd concentraia este de
ordinul 10
14
cm
-3
aceasta valoare constituie mai puin de 20%.
Generalizind tot lucrul efectuat, studiul jonciunilor izotipe n
+
ITO/SiO
2
/nSi a permis
elaborarea n baza structurei nominalizate a unei CS de fotosensibilitate bilateral, formata
numai din jonciuni izotipe, cu randamentul de 15,73% (Figura 4.8) i coeficient de bifacilitate
65% obinut la utilizarea n calitate de absorbant a siliciului monocristalin cu concentraia
electronilor 10
15
cm
-3
. Experimental s-a demonstrat, c la iluminarea concomitent a ambelor
suprafee a unei astfel de structuri curentul generat se sumeaz.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
iluminarea frontala
V
cd
=0,478V
I
sc
=34,64mA/cm
2
FF=57,42%
Eff=9,53%
iluminarea din spate
V
cd
=0,461V
I
sc
=22,51mA/cm
2
FF=59,46%
Eff=6,24%

Fig.4.8. Caracteristica de sarcin a CS bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu,
obinute n baza Si cu concentraia electronilor 10
15
cm
-3
.

4.4.4 Fotosensibilitatea celulelor solare bilaterale Cu-n
+
Si-nSi-iSiO
2
-n
+
ITO-Cu
Studiul distribuiei spectrale a eficienei cuantice interne efective (Q
ef
) a demonstrat
(Figura 4.9) c regiunea sensibilitii celulelor solare elaborate este situat n intervalul
lungimilor de und 350 1200nm i nu depinde de direcia iluminrii. De aceast direcie
depinde valoarea eficienei cuantice interne efective, care este aproape egal cu 1 (valoarea
maxim a Q
ef
) n cazul iluminrii frontale i 0,2 0,3 la iluminarea din spate. Prezena unui ir
de maxime i minimuri pe curbele distribuiei spectrale a eficienei cuantice Q
ef
la iluminarea
129
frontal a probelor, ca si in cazul structurilor nSi/SiO
2
/n
+
ITO, este cauzat de interferena luminii
[111].
Un aport considerabil asupra eficienei celulelor solare bilaterale l are timpul de via a
purttorilor de sarcin fotogenerai. Cu prere de ru acest parametru pe parcursul efecturii
lucrrilor nu a putut fi controlat pentru a evidenia mai precis parametrii plachetelor de siliciu
mai favorabili pentru utilizare n prepararea celulelor solare bilaterale.

400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
E
f
i
c
i
e
n
t
a

c
u
a
n
t
i
c
a

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
Lungimea de unda (nm)
4,5-10
15
cm
-3
1-10
15
cm
-3
4,5-10
14
cm
-3

Fig.4.9. Distribuia spectral a eficienei cuantice interne efective (Q
ef
).

Rezultatele obinute pe parcursul efecturii lucrrilor descrise n acest i n paragraful
precedent cert demonstreaz posibilitatea optimizrii parametrilor fotovoltaici ai CS elaborate
[109]. De fapt lucrrile efectuate permit numai schiarea direciilor de optimizare a parametrilor
celulelor solare investigate. Deoarece CS n cauz prezint un nou tip de CS bilaterale,
optimizarea parametrilor fotovoltaici ai acestora este o lucrare tiinific independent [110].

4.4. Concluzii la capitolul 4
Analiza rezultatelor obinute permit formularea urmtoarelor concluzii:
1. n premier a fost elucidat principiu de funcionare, elaborat i preparat mostra de laborator
a unui nou tip de celul solar bilateral, structura creia conine numai jonciuni izotipe;
2. Este elaborat traseul tehnologic de preparare a celulelor solare bilaterale
Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu n baza jonciunilor izotipe, care nu necesit echipament
sofisticat i se bazeaz pe obinerea jonciunii frontale prin metoda de pulverizare pirolitic a
soluiilor chimice;
130
3. Analiza rezultatelor cercetrii proprietilor electrice i fotoelectrice ale celulei solare
bilaterale elaborate demonstreaz c rezultatele obinute bine se ncadreaz n modelul
jonciunii de tip MIS. Modificarea siturii jonciunii din spate n
+
-nSi a celulei bilaterale prin
variaia duratei timpului de difuzie a fosforului n placheta de siliciu practic nu influeneaz
asupra proprietilor electrice ale obiectului de studiu i puternic influeneaz asupra
parametrilor fotovoltaici.
4. Parametri fotovoltaici principali ai celulei solare bilaterale msurate la iluminarea acestea
simultan din partea frontal i din cea din spate se sumeaz, ce servete ca o dovad a
elucidrii corecte a principiului de funcionare a unui nou tip de celule solare bilaterale
bazate numai pe jonciuni izotipe.
5. Regiunea sensibilitii celulei solare elaborate este situat n intervalul lungimilor de und
350 1200nm i nu depinde de direcia iluminrii. De aceast direcie depinde valoarea
eficienei cuantice interne efective, care este aproape egal cu 1 (valoarea maxim a acestuia)
n cazul iluminrii frontale i 0,2 0,3 la iluminarea din spate.
6. Au fost determinate direciile de optimizare a procedeului de preparare i a parametrilor
celulelor solare Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu elaborate.
131
5. REALIZAREA SI CARACTERIZAREA CELULELOR SOLARE MICROAMORFE
DIN STRATURI SUBIRI DE SILICIU

Siliciul n straturi subiri promite sa concureze bine cunoscutul siliciu cristalin pe piaa
fotovoltaica. Principalele avantaje a siliciului n straturi subiri este posibilitatea depunerii pe
suprafee majorate (pn la 5m
2
) astfel reuind n mare parte de a economisi n ceea ce privete
unirea (fa de cel cristalin). Un altul const n economisirea materialului care se reduce la 1-
2m fa de cel cristalin 150m. Insa pe lng aspectele pozitive structurile solare n baza
siliciului cu straturi subiri poseda si careva neajunsuri, precum degradarea celulelor cu pn la
25% din eficienta iniiala, cauzata de efectul Staebler-Wronski, iar acest neajuns joaca un aport
mare in cazul vnzrilor celulelor cnd se ia n consideraie garania acordata furnizorului de
productor. Se cunosc doua msuri care reduc acest efect. Prima observaie este c celulele
multistrat (2 sau 3) se degradeaz mai puin. A doua alegere, e s fie folosit un material puin
modificat, siliciul microcristalin, care e o substan amorf parial recristalizat.
Depunerea chimica in faza de vapori (CVD) este una din cele mai importante metode
pentru prepararea straturilor subiri (se folosete pentru depunerea siliciului policristalin sau de
straturi izolante). CVD este un proces in care unul sau mai muli precursori volatili sunt
transportai prin intermediul fazei de vapori in camera de reacie unde sunt descompui pe un
substrat nclzit. Calitatea depunerii, si anume proprietile structurale i electrice, este n mare
parte influenat de presiunea si temperatura din cuptor. In cazul depunerii de straturi izolante,
randamentul reaciilor chimice din cuptor poate fi ameliorat prin activitatea moleculelor
participante intr-un cmp electromagnetic de nalt frecventa. Frecventa folosita este de
13,56MHz, aceasta metoda este numita depunerea chimica in faza de vapori asistata de plasma
(PECVD). In metoda PECVD substanele ce urmeaz a fi depuse sunt generate la temperaturi
joase (de cteva sute de grade) prin aportul energiei electromagnetice. Avantajul metodei consta
n evitarea nclzirii la temperaturi nalte care poate avea consecine nedorite precum
redistribuirea dopanilor [70].
In acest capitol sunt prezentate rezultatele obinute pe parcursul activitii tiinifice la
Centrul de Cercetare ENEA din Portici (Napoli), Italia. Lucrul de cercetare a constat n obinerea
structurilor tandem in baza jonciunilor p-i-n amorfe si microcristaline, folosind metoda PECVD,
precum si cercetarea proprietilor acestora.
Rezultatele obinute au permis, realizarea, primelor panouri solare proprii n baza
structurilor tandem de mrimea 1010cm
2
.

132
5.1 Obinerea structurilor microamorfe
Celulele solare microamorfe constau din o structura din siliciu amorf jonciunea top i
o structura jonciunea botom din siliciu microcristalin. Aceste structuri combin avantajele
siliciului amorf i tehnologia de stabilitate si sensibilitate spectrala a lungimilor de unda lungi a
siliciului microcristalin. Totui proprietile materialului microcristalin este strict influenat de
condiiile de depunere.
Primul pas nainte de efectuarea structurilor microamorfe a fost acela de a studia
regimurile de cretere si de a gsi condiiile optimale de depunere a straturilor dopate (n, p) si
analiza amnunit a stratului intrinsec (i). Cercetarea se reducea la creterea straturilor pe
substraturi de sticla de msura 1010cm
2
, efectund analiza amnunit ale proprietilor
electrice si optice si anume: determinarea vitezei de cretere, transparentei, reflexiei,
conductibilitii electrice si fotoelectrice si caracterizarea structurala (Raman).
Aadar, optimizarea unui dispozitiv prevedea urmtoarea ordine:
- analiza materialului;
- realizarea CS;
- caracterizarea CS;
- evaluarea rezultatelor in dependenta de diverse procese.
In continuare vor fi descrii parametrii de realizare si paii de depunere a structurilor
microamorfe.

5.1.1 Descrierea substratelor
Structurile au fost realizate pe substraturi de sticla de tip comercial Asahi U-Type, de
grosimea 1,2mm cu dimensiunile productorului 3030cm
2
, acoperite cu oxid conductiv
transparent (TCO), in cazul nostru este SnO
2
:F [112].
nainte de a ncepe procesul de depunere a structurilor microamorfe, preventiv
substraturile erau tiate in dimensiuni egale de 105cm
2
dup ce arau supuse unui tratament
chimic care prevedea degrsarea substratului, splarea in alcool si acetona si tratarea ultrasonica.
Pasul urmtor l constituia tratamentul termic pe o perioada de doua-trei ore la temperatura de
80C. Anume pe aceste dimensiuni (105cm
2
) se efectuau toate structurile microamorfe care
permiteau depunerea concomitenta a 8 celule de aria 11cm
2
.
Este de menionat ca pe lng substraturile Asahi au fost folosite si substraturi Neuchatel,
care aparin grupului IMT Neuchatel a Universitii din Elveia (in conformitate cu acordul de
colaborare dintre ENEA si Neuchatel). Ei au fost unii din primii care au introdus conceptul de
133
CS microamorf in 1994, utiliznd substraturi care nu sunt de tip comercial (substraturi proprii),
care sunt comparativ mai subiri ca substraturile Asahi (0,4mm), atit pentru structurile
microamorfe cit si pentru cele tandem. Prepararea substraturilor de grupul Neuchatel se reducea
la depunerea unui strat de oxidul de zinc (ZnO) pe sticla, folosind metoda depunerea chimica in
faza de vapori la presiune joasa (LPCVD), cu o atacare chimica pentru mbuntirea
morfologiei superficiale si optimizarea depunerilor ce urmau.

5.1.2. Evaporarea grilelor metalice
Primul pas l constituie evaporarea unei grile de argint de o grosime de 5000. In cazul
nostru contactele erau depuse la instalaia LEYBOLD L560. Avantajul instalaiei este
posibilitatea depunerii unui strat de oxid de zinc ZnO:Al prin metoda sputtering RF si
evaporarea metalelor in aceeai camera fr ntreruperea vidului. Sistema este compusa din:
camera de reacie, care conine un suport rotativ cu un disc unde sunt montai substraturile in
numr maxim de 5 cu suprafaa 1010cm
2
(in cazul nostru depunerea contactelor se efectua
concomitent pe 10 substraturi); generator de radiofregvena (RF) de 13.56MHz, utilizat pentru
sputtering, care este un model RF5PP.
In cazul realizrii unei structuri p-i-n microcristaline nainte de evaporarea grilelor
metalice de argint, se depunea un strat subire de ZnO:Al de cca.200, pentru evitarea
deteriorrii de SnO
2
prezent pe substratul Asahi, cauzat de plasma bogata in hidrogen [113]. In
cazul structurilor p-i-n amorfe si structurilor tandem depunerea ZnO:Al nu e necesara.

5.1.3. Depunerea materialului
Substraturile de sticl cu TCO si grila metalica se montau intr-o rama metalica de
dimensiunea 1313cm
2
, dup se ncrcau in camera LL. Depunerea straturilor dopate n si p se
efectua in camera PL3 a sistemei, prin metoda PECVD la RF de 13.56MHz. Straturile i se
realizau in camera PL4 pentru VHF-PECVD la 100MHz.
Depunerea straturilor dopai vine si pe pereii camerei, din aceasta cauza dup depunere
se efectueaz un proces de pasivare a camerei, adic are loc depunerea siliciului nedopat, pentru
un timp de 300sec la presiunea de 67Pa si puterea de 3W. Odat cu finisarea realizrii
structurilor, proba se plasa din sistema de depunere in camera LL, dup ce camera era ventilat si
proba putea fi descrcat.

134
5.1.4. Realizarea contactelor posterioare
Dup extragerea substratului cu jonciunea formata din rama substratul se monta intr-o
alta rama care permitea depunerea contactelor posterioare a structurii. Contactul posterior nu este
depus pe toata suprafaa ci in 8 buci de mrimea 11cm
2
. Structura se monta intr-un suport
metalic mpreun cu masca. Contactul este compus dintr-un strat de ZnO de grosimea cca.1000
si unul de argint de cca.2500, care este depus in sistema L560 Leybold, descrisa mai sus.
Pentru sputtering se utiliza argonul si o srm de oxid de zinc care este compusa (sinterizata) de
5% de oxid de aluminiu pentru creterea stratului de ZnO:Al. Depunerea are loc in vid de ordinul
510
-7
Torr.

5.2. Celula amorfa p-i-n
CS amorfe sunt structuri obinute in baza depunerii unui strat subire de siliciu amorf (cu
organizarea atomilor neregulata) pe substrat de sticla sau un material sintetic. Aceste celule sunt
utilizate in produse comerciale (ceasuri, calculatoare, etc.). Avantajul consta in comportarea mai
buna a acestor structuri la lumina difuza si cea fluorescenta, fiind deci mai performante la
temperaturi mai ridicate. Randametul structurilor amorfe este de o valoare de 6-8%, mult mai
mic ca cel a structurilor in baza siliciului cristalin, insa si preul este comparabil mai mic.
Scopul lucrrilor efectuate in acest paragraf a fost de a gsi o concordanta buna intre
parametrii tehnologici principali la obinerea unei structuri amorfe p-i-n. In particular sunt
prezentate rezultatele cercetrilor efectuate in doua direcii, si anume: varierea grosimii unei
structuri amorfe si varierea amestecului gazos in stratul dopat p. Daca in primul caz merge vorba
de variaia grosimii stratului intrinsec i, care poate influenta att pozitiv cit si negativ asupra unei
structuri p-i-n amorfe, in dependenta de scopul propus, atunci variaia stratului dopat p poate fi
analizat doar prin variaia dopajului chimic, care influeneaz asupra proprietilor optice si
electrice. Lund in consideraie faptul ca cercetarea structurilor amorfe s-a efectuat in primul si
in primul rnd pentru a gsi o recet ct mai eficient pentru implementarea ei intr-o structura
tandem, totui pe parcursul lucrrilor, un interes deosebit a aprut si pentru a obine celule
amorfe cu o eficienta cit mai nalta. Se poate de menionat ca cercetrile au fost directionate cu
accentul spre partea industriala, aducnd regimurile de lucru a instalaiei cit mai aproape de cele
productive, care este o instalaie mai mult de tip industriala si nu permite un control efectiv a
procesului de depunere, care are un aport important asupra reproductivitaii probelor obinute.
Lund in consideraie toate celea spuse, mai jos sunt prezentate rezultatele cercetrilor in baza a
circa 30 de structuri amorfe p-i-n obinute, parametrii tehnologici ai crora au fost impostati
135
reieind din analiza literaturii recente in domeniul respectiv i bazanduse pe rezultatele obinute
pina la momentul respectiv.
Deci, pentru nceput s-a ncercat de a obine o structura amorfa p-i-n de o grosime
acceptabila pentru a putea fi folosita ntr-un dispozitiv tandem. n Tabelul 5.1 este prezentat
ordinea de realizare a unei astfel de jonciuni p-i-n amorfe [114].

Tabelul 5.1. Ordinea de realizare a unei structuri p-i-n amorfe
Stratu
l
| |
| | | |
2 4
4
H SiH
SiH
+

| |
| | | |
4 6 2
6 2
SiH H B
H B
+

| |
| | | |
4 3
3
SiH PH
PH
+

Puterea
(W)
d
(nm)

(/s)
p 100% 0,5% 0% 3 8 2,8
i 100% 0% 0% 6,5
260
360
4
n 1% 0% 0,66% 35 40 1,3

Stratul iniial p joaca rolul stratului fereastra pentru radiaia solara, din aceasta cauza e
necesar ca valoarea grosimii stratului respectiv sa fie foarte mica. nsa aceast condiie nu este in
acord cu valoarea conductibilitii, care n cazul unei structuri amorfe trebuie sa fie >10
-5
Ohm
-
1
cm
-1
. Pentru a gsi un compromis intre grosimea stratului si parametrii electrici, depunerea
stratului p are loc in prezenta metanului (CH
4
), care permite obinerea unui material mai
transparent. Depunerea stratului se efectueaz la temperatura de 180C si presiunea 67Pa
(500mTorr). In cazul respectrii condiiilor descrise, valoarea conductibilitii electrice pentru
stratul dopat p depus pe substrat de sticla de mrimea 10cm10cm cu grosimea de 320nm este
310
-5
Ohm
-1
cm
-1
.
Stratul intrinsec (i) este depus utiliznd silanul pur folosind metoda Very High Frequency
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (VHF-PECVD) la 100MHz la temperatura sczut
a substratului (150C). Depunerea avea loc la presiunea de 27Pa (200mTorr) timp de 900sec
[114]. Dup cum se observa din tabela viteza de cretere este destul de nalta chiar si in cazul
utilizrii puterii joase de 6,5W. Stratul amorf i de grosimea respectiva, depus pe substrat de sticla
are valoarea conductibilitii electrice de ordinul 310
-10
Ohm
-1
cm
-1
.
Stratul dopat n este de tip microcristalin, deoarece depunerea are loc in prezenta
hidrogenului. Cum se vede din tabela, materialul creste lent chiar si la valori nalte a puterii de
35W. Depunerea are loc timp de 300sec la presiunea de 257Pa si temperatura substratului de
150C. Viteza de cretere este mica, chiar daca este utilizata o valoarea a presiunii nalte la
depunere. Straturile n, depuse pe substrat de sticla cu grosimea de 115nm, aveau
136
conductibilitatea de ordinul 1,2Ohm
-1
cm
-1
. Teoretic aceasta valoare trebuie sa fie mai mare de
10
-3
Ohm
-1
cm
-1
.
n Figura 5.1 este prezentata imaginea unei structuri p-i-n amorfe obinute dup
descrierea de mai sus.

Fig.5.1. Imaginea schematica a unei structuri p-i-n amorfe.

Pentru a analiza variaia parametrilor fotoelectrici n dependenta de grosimea stratului i,
au fost realizate 2 tipuri de structuri amorfe, nominalizate MA-14 de grosimea 360nm si MA-17
de 260nm. In Figura 5.2 sunt prezentate caracteristicile I-V la iluminarea AM1,5, cu parametrii
respectivi n Tabela 5.3. Se observa ca in cazul structurii MA-17 curentul de scurt circuit este de
o valoare mai mica cu cca. 14% fata de MA-14, astfel se poate de presupus ca in cazul structurii
cu stratul intrinsec mai subire mai muli purttori generai sunt separai de interfaa. Majornd
grosimea structurii, curentul de scurt circuit creste pn la o valoare de saturaie care depinde de
calitatea materialului intrinsec. Insa in acelai timp are loc micorarea coeficientului de umplere
(FF). De fapt, la majorarea cu 25% a grosimii structurii amorfe, valoarea FF (Tabelul 5.3) scade
de la 73.1% pin la 71.5% datorita rezistenii serie si practic nu are o micorare critica in cazul
nostru. Tensiunea circuitului deschis este comparabil egala si ne permite sa consideram ca natura
materialului intrinsec nu variaz tensiunea barierei de potenial. Deci se vede ca diminuarea
eficienii in cazul MA-17 de aproximativ 1% este cauzata doar de pierderea curentul de scurt
circuit. Este de menionat ca structurile respective (MA-14 si MA-17) au fost obinute dup
metoda clasic descris mai sus.
Reieind din analiza rezultatelor s-a obinut o structura p-i-n amorf, nominalizata MA-9,
de grosimea structurii MA-14. naintea efecturii contactului din spate, s-a depus un strat de ZnO
care permitea efectuarea tratamentului termic fr ca metalul (Ag) sa difundeze in materialul
amorf. Tratarea termica se efectua la temperatura de 150C timp de 30 minute. In acest mod
eficienta structurii amorfe atingea 9.81%. Cercetrile au artat ca prin depunerea ZnO si
efectuarea tratamentului termic eficienta structurilor amorfe cretea cu o valoare de pn la 1%
datorita majorrii curentului de scurt circuit. Neajunsul majorrii stratului intrinsec ducea la
majorarea grosimii structurii ce nu putea fi acceptata, deoarece scopul era obinerea unei
137
structuri tandem, iar in acest caz radiaia solar vine absorbit in mare parte in jonciunea
amorf.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
0,000
0,002
0,004
0,006
0,008
0,010
0,012
0,014
0,016
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
MA-9
MA-14
MA-17

Fig.5.2. Caracteristicile de sarcin a celulelor amorfe p-i-n in dependenta de grosimea stratului
intrinsec.

n Figura 5.3 sunt prezentate caracteristicile distribuiei eficienii cuantice a structurilor
p-i-n amorfe cercetate. Se observa ca picul de absorbie a celulelor MA-14 si MA-9 este in
regiunea valorii lungimilor de unda de cca.560nm. In cazul micorrii grosimii stratului i (MA-
17) picul de absorbie se deplaseaz ctre lungimile de unda mici cca.500nm, iar regiunea
sensibilitii se micoreaz si este cuprinsa in intervalul lungimilor de unda 350-670nm. In cazul
tratamentului termic (MA-9) sensibilitatea structurii este deplasata ctre lungimile de unda lungi
iar absorbia ncepe sa scad dup 720nm, din cauza valorii a materialului amorf (~1,7eV).
Aadar fotonii cu coninutul energetic sczut nu sunt absorbii de structura amorf si optic
dispozitivul funcioneaz ca un filtru [112].
O alta analiza despre care s-a menionat la nceputul acestui paragraf, a fost determinarea
concentraiei amestecului gazos in stratul dopat p. In cazul dat merge vorba despre variaia
concentraiei atomilor de bor (B
2
H
6
), care in cazul nostru a fost variat in intervalul 0,5-0,25%
(Tabelul 5.2). Reieind din cele spuse mai sus, structurile amorfe obinute (MA-53, MA-54 si
MA-55) erau de aceiai grosime a stratului intrinsec si toate au fost supuse unui tratament termic
identic: 150C timp de 30min. Desigur, naintea obinerii structurilor respective s-a fcut o
analiza mai detailata a stratului p amorf, analiznd proprietile electrice fiecruia in parte. In
Tabelul 5.2 sunt prezentai conductibilitatea electrica si valoarea benzii interzise a stratului dopat
p pentru 3 concentraii diverse a borului in amestecul gazos, care mai apoi au fost folosite in
138
structurile obinute. Straturile respective au fost obinute in urmtoarele condiii tehnologici:
temperatura in camera de depunerii T=180C, presiunea 500mTorr, puterea 3W, viteza de
depunere 3/s. Straturile dopate p erau depuse pe sticla cu o grosime de cca.500nm. Grosimea
excesiva era necesara pentru a putea calcula coeficientul de absorbie, dependenta cruia este
prezentata in Figura 5.4, extrapolarea creia pn la axa energiilor indica lrgimea energetic a
benzii interzise, care este o valoare dependenta de gradul de dopare.
400 500 600 700 800
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Q
e
f

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
MA-9
MA-14
MA-17

Fig.5.3. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor amorfe p-i-n n dependenta
de grosimea stratului intrinsec.

Tabelul 5.2. Parametrii stratului dopat p pentru 3 concentraii diverse a borului n amestecul
gazos
Stratul (celula)
| |
| | | |
4 6 2
6 2
SiH H B
H B
+


(S/cm)
E
g

(eV)
PA-10 (MA-53) 0,50% 3,810
-5
1,78
PA-11 (MA-55) 0,39% 2,310
-5
1,84
PA-12 (MA-54) 0,25% 1,010
-5
1,98

Analiza rezultatelor obinute, arat c la micorarea ratei de dopare valoarea energetic a
benzii interzise crete i in cazul nostru se apropie pn la o valoare de 1,98eV, ins scade
conductibilitatea electrica in condiii de ntuneric. Borul tinde de a forma o legtura chimica cu
siliciul, mai degrab are loc o modificare a structurii moleculare dect sa-l dopeze substantial,
aceasta ca rezultat duce la o puternica micorare a energiei E
g
. Reducerea valorii E
g
de obicei se
139
compenseaz prin adugarea atomilor de carbon in reeaua chimica. Proprietile dorite se obin
de obicei in amestecul fluxului gazos SiH
4
:CH
4
:B
2
H
6
la un raport de 1:2:0,001.
1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8
4,0x10
4
8,0x10
4
1,2x10
5
1,6x10
5
2,0x10
5
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
u
l

d
e

a
b
s
o
r
b
t
i
e

(
c
m
-
1
)
E (eV)
E
04
=1.78eV
E
04
=1.84eV
E
04
=1.98eV

Fig.5.4. Dependena (hv)
2
=f(hv)

n Figura 5.5 sunt prezentate dependenile I-V in condiiile iluminrii AM1,5 pentru 3
structuri amorfe cu diverse straturi dopate p (MA-53, MA-54 si MA-55). Micorarea ratei de
dopare cu circa 20% duce la o majorarea a valorii U
cd
. Dei aceasta cretere nu este eseniala,
totui influenta doprii este observata. In cazul reducerii ratei de dopare cu pn la 50% si
majorrii valorii E
g
se observa ca structura devine mult mai sensibila in intervalul lungimilor de
unda vizibile (Figura 5.6) si are loc o cretere a curentului I
sc
, meninnd valoarea U
cd
.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
0,000
0,004
0,008
0,012
0,016
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
MA53
MA54
MA55

Fig.5.5. Caracteristicile de sarcin a celulelor amorfe p-i-n in dependenta de rata de dopare a
stratului dopat p.

140
Deci putem spune ca micorarea ratei de dopare duce la micorarea conductibilitii
electrice a stratului dopat p, care nu influeneaz negativ asupra proprietilor fotoelectrice a
structurii si este dependenta in mare parte de proprietile optice, avnd un coeficient de
absorbie mai mic si un interval de sensibilitate mai larg.
Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne, prezentate in Figura 5.6, arata o
eficienta cuantica interna de pn la 0,9 in intervalul lungimilor de unda 350-700nm.

400 500 600 700 800
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Q
e
f

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
MA53
MA54
MA55

Fig.5.6. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor amorfe p-i-n in dependenta
de rata de dopare a stratului dopat p.

Tabelul 5.3. Parametrii fotovoltaici ai celulelor amorfe n condiiile AM1,5
Celula
U
cd

(V)
J
sc
(mA/cm
2
)
FF
(%)
E
FF

(%)
R
ser

(Ohm)
R
sh

(kOhm)
MA-9 0,847 16,31 71,05 9,81 4,71 1,84
MA-14 0,853 14,24 71,36 8,67 5,49 1,13
MA-17 0,841 12,52 74,81 7,88 4,95 12,5
MA-53 0,861 15,69 70,71 9,55 4,82 0,67
MA-54 0,876 16,17 72,78 10,31 4,51 1,08
MA-55 0,872 15,71 70,62 9,67 4,47 0,47

Generaliznd tot lucrul efectuat, s-a menionat ca rezultatele cele mai performante,
reieind din analiza parametrilor fotovoltaici care sunt prezentai in Tabelul 5.3, au fost obinute
in cazul structurilor amorfe p-i-n de o grosime a stratului intrinsec de 360nm si o rata de dopare a
141
stratului dopat p de 0,25%. Influenta stratului dopat n, care in cazul nostru a fost de structura
microcristalina, nu influeneaz asupra structurilor respective. Cercetarea in aceasta direcie a
fost suspendata din diverse motive, preventiv fiind introdus un strat dopat n cu o ricet bine
elaborat de echip ceva timp in urma. Valoare eficienii de conversie a structurilor amorfe a fost
ridicata pn la 10,66%. Neajunsul cel mai mare si cel mai cunoscut, si anume deteriorarea
parametrilor structurilor amorfe in timp, ducea si in cazul nostru la o micorare cu circa 15-20%
din eficienta conversiei si la stabilizarea ei, intr-un termen de 30-40 zile [115].

5.3. Celula microcristalin p-i-n
nainte de obinerea unei structuri microamorfe tandem este important de optimizat
jonciunea amorfa si cea microcristalina pentru a obine o valoare buna a curentului I
sc
si o nalta
valoare a U
cd
. In paragraful precedent sunt raportate rezultatele optimizrii unei celule amorfe,
care poarta denumirea de jonciunea top intr-o structura microamorf tandem. In paragraful dat
v-om ncerca sa ne focusm asupra componentei microcristaline, sau cum se mai spune
jonciunea botom.
Structura microcristalina este sensibil mai groasa ca cea amorf, circa 1,5m. Grosimea
majorata este necesara din cauza coeficientului de absorbie a materialului care este mai puin
sensibil respectnd cel amorf. Valoarea benzii interzise a materialului este de o valoare in jurul
1,1eV, astfel aceasta structura absoarbe un spectru a radiaiei energiei cuprinznd si IR. Vznd
necesitatea grosimilor majorate este necesar de a obine regimuri cu o buna calitate a vitezei de
depunere si proprietii materialelor in acelai timp [116]. In principiu, o vitez de cretere mic,
vznd grosimea, necesita timpuri de depunere incredibile pentru aplicare industrial, tot odat
grosimea duce la micorarea proprietilor electrice si optice a materialului.
Rolul stratului dopat p n structura microcristalina este fundamental, n particular
performanile unei structuri microcristaline p-i-n sunt strns influenate de aceast component.
In cazul cnd vorbim de o structura microcristalina p-i-n, stratul p este crescut direct pe TCO si
n ciuda grosimii reduse trebuie sa aib o buna microcristalinitate, conductibilitate nalta si o
absorbie mica. Pentru a obine un rezultat eficient, stratul p este obinut folosind o diluare nalta
a H
2
(H
2
/SiH
4
>100) si o densitate a puterii de depunere inalta (200mW/cm
2
). In cazul cnd
jonciunea microcristalina este folosita intr-o structura microamorf, care joaca rolul jonciunii
din spate (botom), stratul p este crescut pe un strat microcristalin n. Comportamentul jonciunii
tunel n-p are aportul sau in structura respectiv si cum se va comporta stratul microcristalin
dopat p in aceast structur depinde de diveri factori. In cazul nostru, in acest paragraf,
cercetarea s-a efectuat lund in consideraie doar jonciunea p-i-n si rezultatele obinute pot varia
142
in condiiile cnd aceasta jonciune este folosita intr-o structura microamorf. Plus la toate este
nevoie de evideniat si faptul, ca drogarea cu bor (B
2
H
6
) a stratului p nu favorizeaz creterea
materialului cristalin, astfel rspunderea este influenata de dimensiunile reduse a atomului
borului. Microcristalinitatea stratului p este un accesoriu necesar, fie c permite de a avea o
strngere buna, dar cel mai important este c influeneaz critic natura stratului intrinsec a celulei
microcristaline.
Reieind din analiza literaturii in domeniul dat au fost depuse 3 straturi microcristaline
dopate p diverse, cu grosimea de 80nm, la presiunea de 135Pa (1000mTorr), puterea 35W si
temperatura de 150C. Valorile vitezei de cretere si a conductibilitii electrice sunt prezentate
in Tabelul 5.4. Teoretic conductibilitatea electrica a stratului microcristalin p trebuie sa fie de
valoarea 2,610
-2
S/cm pentru grosimea stratului de 20nm si 1,5S/cm pentru grosimea de 300nm,
iar valorile fraciei cristaline (
C
) trebuie sa fie de 17% si respectiv 67%. Analiznd rezultatele
obinute din Tabelul 5.4 pentru straturile dopate p observam ca creterea conductibilitii
electrice are loc la obinerea stratului p in cazul creterii ratei de dopare a fazei cristaline de la
0,5% la 0,7%. Este de notat si faptul ca aceasta cretere nu influeneaz asupra vitezei de
depunere si valoarea fraciei cristaline este de 66% [117]. Creterea dilurii hidrogenului duce la
majorarea fazei cristaline, la micorarea vitezei de depunere a stratului p si de asemenea se
observ o cretere a conductibilitii electrice. Valorile fraciei cristaline au fost determinate din
analiza Raman a straturilor respective.

Tabelul 5.4. Parametrii stratului dopat p
Stratul
| |
| | | |
2 4
4
H SiH
SiH
+

| |
| | | |
4 6 2
6 2
SiH H B
H B
+


(/s)

(S/cm)

C

(%)
P1(35) 1% 0,5% 0,7 1,0 10
-2
55
P2(37) 0,66% 0,5% 0,5 2,3 10
-2
66
P3(36) 0,66% 0,7% 0,5 4,9 10
-2
66

Pentru a valuta efectul stratului p asupra structurilor microcristaline p-i-n, in baza
rezultatelor obinute, au fost fabricate 3 structuri, nominalizate M44 (P1), M51 (P2) si M53 (P3)
cu straturile i si n de acelai tip pentru toate jonciunile. Stratul dopat n corespunde parametrilor
prezentate in Tabelul 5.1 din paragraful 5.2 si a fost depus de o grosime de 40nm. Pentru stratul
intrinsec i s-au optat urmtori parametri: concentraia silanului de 5,2%, puterea de depunere
143
20W, presiunea 500mTorr si o grosime de 1,1m. In Figura 5.7 este prezentata imaginea
schematica a unei structuri microcristaline p-i-n obinute.

Fig.5.7. Imaginea schematica a unei structuri p-i-n microcristaline.

Stratul dopat p depinde strns si de substratul utilizat. nainte de depunerea stratului
dopat p, in cazul celulelor microcristaline, pe substratul comercial de sticla acoperit cu TCO, se
efectua o depunere de ZnO prin metoda spatering cu o grosime de 150-200. Aceasta procedura
era necesara pentru nlturarea atacului oxidului de staniu fata de atomii de hidrogen. Din cauza
prezenii borului care, dup cum s-a menionat, infavorizeaz creterea fazei cristaline, in cazul
structurilor noastre stratul p a fost crescut pe un strat intrinsec de nucleare, care este un strat
subire de silan cu hidrogen cu SC=1%. Astfel introducnd B
2
H
6
in amestecul gazos dup 60
secunde, stratul p avea posibilitatea de a creste pe o structura mai cristalina. Stratul p avea o
grosime de 25nm, care era o valoarea echilibrata in compromisul transparenii cu
conductibilitatea electrica.
n Figura 5.8 sunt prezentate caracteristicile curent-tensiune la iluminarea AM1,5 a
structurilor obinute. Rezultatele obinute (Tabelul 5.5) demonstreaz o influenta a stratului dopat
p asupra structurilor microcristaline. Observam ca valoarea coeficientului de umplere este practic
identica, cca.62%. Totui o diferen nesemnificativa se observa in cazul valorii U
cd
si anume
pentru structura M51, care este ceva mai joasa in comparaie cu structurile M44 si M53. Aceasta
micorare poate fi cauzat de majorarea dilurii silanului in hidrogen, care favorizeaz creterea
cristalinittii si duce la micorarea U
cd
. In cazul structurii M53 aceasta micorare practic nu se
observa, dei fracia cristalina este similara cu M51, ce poate fi lmurit prin creterea ratei de
dopare. O diferen mai puternica se observa in cazul rezistenii shunt a structurilor studiate. O
fracie a fazei cristaline larga a stratului p pare a favoriza formarea de crpturi, ceea ce cauzeaz
reducerea R
sh
[116, 117].
O diferen se observa si in cazul valorilor I
sc
, care vizual poate fi evideniat si din
dependenta distribuiei spectrale a eficienii cuantice din Figura 5.9. Dispozitivul M53 arat o
sensibilitate nalt in intervalul lungimilor de unda 360-600nm, care poate fi datorata
conductibilitii nalte a stratului dopat p, favoriznd astfel la colectare mai buna a purttorilor
fotogenerati. O sensibilitate bun in acelai interval spectral, puin mai joasa fata de structura
144
M53, se observ si in cazul structurii M44, care probabil este explicata mai mult din cauza
transparenii mai nalte a stratului dopat p (inseria in Figura 5.9). O sensibilitate mult mai joasa
in intervalul dat al spectrului se observa in cazul structurii M51, care nu poate fi explicata in
aceiai maniera ca in cazurile precedente.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,004
0,008
0,012
0,016
0,020
0,024
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
M44 (P1)
M51 (P2)
M53 (P3)

Fig.5.8. Caracteristicile de sarcin a celulelor microcristaline p-i-n in dependenta de rata de
dopare a stratul microcristalin p.

Tabelul 5.5. Parametrii fotovoltaici ai celulelor p-i-n microcristaline n condiiile AM1,5 pentru
diverse straturi dopate p
Celula
U
cd

(V)
J
sc
(mA/cm
2
)
FF
(%)
E
ff

(%)
R
ser

(Ohmcm)
R
sh

(kOhmcm)
M44 (P1) 0,486 21,39 62,02 6,44 3,54 6
M51 (P2) 0,475 20,22 61,73 5,93 6,35 3
M53 (P3) 0,483 21,42 61,37 6,35 3,51 4

Proprietile optice a straturilor dopate p au fost studiate prin masurile transparenii
(inseria din Figura 5.9). Straturile cu cristalinitatea mai nalta, P2 si P3, de aceiai valoare a
transparentei, in intervalul lungimilor de unda albastru-verde sunt mai transparente comparativ
cu stratul P1. Din moment ce toate straturile drogate au aceeai grosime i aceiai structura
morfologica de suprafa, reducerea transparenii probei P1 in intervalului lungimilor de unda
360-550nm este cauzata de absorbimentul optic mai mare in acord cu o faza cristalina mai joasa
a acestui material: absorbia luminii are loc ca intr-un material cu o faza amorfa. In principiu o
alta cauza a pierderii transparenii in acest interval de lungimi de unda poate proveni de la
145
calitatea proasta a interfeii p-i si/sau datorita prezenii unui strat amorf de incubaie. Pentru a
distinge intre aceste doua cauze posibile, au fost efectuate analizele Raman a structurilor
respective, cu focusarea lazerului Ar
+
din partea substratului de sticla, trecnd prin TCO si
ajungnd la stratul dopat microcristalin p. Pentru o puternica lumina de exitatie (514nm)
colectarea apare intre stratul dopat p de circa 25nm si primele zeci de nanometri a stratului
intrinsec i. Evaluarea fazei fraciei cristaline reflectate, valoarea
C
msurat a stratului drogat p,
care este de cca.60% pentru M44 si aproximativ 65-70% pentru M51 si M53 dau dovada de
neexistenta unui strat amorf de incubaie. Astfel putem conclude ca pierderile in celula M51 sunt
cauzate calitii proaste la interfaa p-i. Astfel putem spune ca calitatea rea a interfeei p-i explica
att valoarea joasa a U
cd
cit si reducerea rspunsului spectral. Totui, s-a ajuns la concluzia ca
pentru structurile microamorfe tandem in calitate de stratul dopat p va fi folosit P1.
400 500 600 700 800 900 1000
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
300 400 500 600 700 800 900 1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P1
P2
P3


T
r
a
n
s
m
i
t
t
a
n
c
e

(
%
)
Wavelength (nm)


Q
e
f

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
M44-P1
M51-P2
M53-P3

Fig.5.9. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a CS microcristaline p-i-n in
dependenta de rata de dopare a stratul microcristalin p.

Pasul urmtor a constat in analiza stratului intrinsec i asupra jonciunii p-i-n
microcristaline. Pentru a studia efectul parametrilor de depunere, pe substraturi de sticla de
dimensiunile 10cm
2
10cm
2
de tip Corning 7059, au fost crescute mai multe serii de straturi
intrinsece, in funcie de amestecul silanului in hidrogen, SC (concentraia siliciului
SiH
4
/(SiH
4
+H
2
)). Straturile au fost crescute prin metoda VHF PECVD la frecventa de 100MHz.
Seriile erau diverse prin diferena valorilor puterii de depunere (VHF) care cuprindea intervalul
de la 20 pn la 40W si de presiunea din camera cu valorile intre 0,5-1Torr. In toate cazurile
depunerea a avut loc la temperatura substratului de 150C. In Figura 5.10 este prezentata
dependenta vitezei de cretere de SC pentru cazurile menionate. In toate cazurile prezente se
146
observa o cretere liniara a vitezei de depunere cu creterea concentraiei silanului (sau
descreterii concentraiei hidrogenului), astfel materialul ncetul cu ncetul devine un pic amorf,
ceea ce respecta datele teoretice studiate [118]. Analiznd valorile obinute se poate de menionat
ca la meninerea presiunii constante (0,5Torr) odat cu creterea puterii viteza de cretere
rmne practic neschimbata. Daca presiunea se creste pn la 1Torr iar puterea la 30W, raportul
presiune putere e acelai ca la straturile la 20W si 0,5Torr. Creterea puterii pn la 40W duce la
creterea vitezei de depunere pn la 60% in raport cu straturile crescute la 30W.
4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
2
3
4
5
6
7
8
v

(

/
s
)
SC (%)
20W 0,5Torr
30W 0,8Torr
30W 1,0Torr
33W 0,5Torr
40W 1,0Torr

Fig.5.10. Dependenta vitezei de cretere in functie de SC in stratul intrinsec i depozitat prin VHF
PECVD la frecventa de 100MHz pentru diverse valori a puterii de depunere si presiunii din
camera.
4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
o

(
S
/
c
m
)
SC (%)
20W 0,5Torr
30W 0,8Torr
30W 1,0Torr
33W 0,5Torr
40W 1,0Torr
o
ph
o
d

Fig.5.11. Dependenta conductibilitii electrice si fotoelectrice de SC a stratului intrinsec
microamorf i.
147
Pentru a examina proprietile transportului electric au fost msurate conductibilitatea
electrica (
d
) si conductibilitatea fotoelectrica (
ph
) a straturilor i. Dependenta conductibilitilor

d
si
ph
in funcie de SC pentru aceleai VHF si presiune este prezentata in Figura 5.11. Daca
conductibilitatea
ph
este aproape constanta in tot intervalul SC (~10
-5
S/cm),
d
difera in
dependenta varirii setrilor utilizate, totui in toate cazurile
d
devine constanta ncepnd cu SC
de la 6,2% si are valori de ordinul 10
-10
-10
-11
S/cm. In intervalul SC=(4,7-6,2)% cu creterea
concentraiei silanului se observa o micorare a valorilor conductibilitilor.
Utiliznd rezultatele msurrilor transparenii si reflectantei straturilor microamorfe i in
intervalul concentraiei silanului 6-8%, anume in aceasta regiune valoarea
d
este constanta, au
fost determinate valorile E
g
. In Figura 5.12 este prezentata dependenta coeficientului de
absorbie de energia de activare. Rezultatele obinute au indicat o modificare in valoarea
energetica a benzii interzise, care in cazul unui material total microcristalin pentru SC=6,1% este
de E
g
=1,12eV, iar in cazul unui material total amorf, care corespunde concentraiei SC=7,8%,
este de ~1,7eV. Natura materialului a fost determinata folosind spectrele Raman (inseria din
Figura 5.12). Cu creterea concentraiei silanului observam o trecere a fazei cristaline in cea
amorfa in regiunea valorii SC=7%.
1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
10
3
10
4
10
5
350 400 450 500 550 600


C
o
u
n
t
s

(
a
.
u
.
)
Wavenumber (cm
-1
)
o

(
c
m
-
1
)
hv (eV)
SC = 6.1 %
SC = 7.0 %
SC = 7.8 %

Fig.5.12. Dependenta coeficientului de obsorbtie de energia de activare a stratului microamorf i.

Studiul straturilor aparte de siliciu a permis definirea parametrilor de cretere a stratului i
pentru creterea structurii microcristaline si anume variind SC in intervalul 4,7-5,7% la VHF de
20W. n Tabelul 5.6 sunt prezentai, parametrii de depunere a trei structuri microcristaline
realizate pe parcursul lucrrilor conform descrierii de mai sus (Figura 5.7). Anume aceste valori
a SC in stratul intrinsec i au trezit un interes deosebit din punct de vedere obinerii unei structuri
microcristaline p-i-n [116].
148
Tabelul 5.6. Parametrii de depunere a structurei microcristaline p-i-n
Stratul
| |
| | | |
2 4
4
H SiH
SiH
+

| |
| | | |
4 6 2
6 2
SiH H B
H B
+

| |
| | | |
4 3
3
SiH PH
PH
+

Puterea
(W)
d
(nm)

(/s)
p 1% 0,5% 0% 35 25 0,7
i 4,7-5,7% 0% 0% 20 1400 3
n 1% 0% 0,66% 35 40 1,3

n Figura 5.13 este prezentata caracteristica dependenii curentului de tensiune la
iluminarea AM1,5 pentru diverse SC in stratul intrinsec i, cu parametrii fotovoltaici in Tabelul
5.7. Analiznd rezultatele obinute s-a observat ca pentru valorile concentraiei silanului de 4,7%
si 5,2% curentul I
sc
practic este acelai si scade in cazul SC=5,7%. Aceasta micorare este
datorata sensibilitii mici in regiunea lungimilor de unda 350-600nm, care se observa din
dependenta distribuiei spectrale a eficienii cuantice interne din Figura 5.14. O variaie mai
accentuata s-a observat in cazul U
cd
, care creste cu majorarea SC si micorrii
d
, aceasta ne
demonstreaz faptul ca in stratul intrinsec deja la valori mici a SC apare o faza amorfa, care in
cazul analizei Raman a stratului i nu se evideniaz. Aceasta ne trezete careva ntrebri
referitoare la comportamentul structurii totale, care poate sa difere de rezultatele obtinute pentru
stratul i in parte.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
0,000
0,004
0,008
0,012
0,016
0,020
0,024
I

(
A
/
c
m
2
)
U (V)
SC=4,7%
SC=5,2%
SC=5,7%

Fig.5.13. Caracteristicile de sarcin a celulelor microcristaline p-i-n in pentru diverse SC in
stratul intrinsec i.

O caracterizare mult mai eficienta poate fi efectuata cu aceiasi analiza Raman, insa
aceasta cercetare s-a preconizat de a fi evaluata in paragraful urmator, luind in considerare
149
necesitatea utilizarii jonctiunii microcristaline intr-o structura microamorfa, care iarasi la rindul
sau poate varia in dependenta de straturile folosite. Totusi s-a constatat ca folosirea valorii
concentratiei silanului de 4,7% nu ar fi rationala, fapt care se datoreaza unei faze cristaline prea
mari, care infavorizeaza valoarea parametrului U
cd
. Daca in cazul I
sc
noi in mare parte trebuie sa
tinem cont de pierdirele optice, atunci pentru cazul U
cd
nu poate fi vorba de o pierdere atit de
insemnata [116, 117].

Tabelul 5.7. Parametrii fotovoltaici ai celulelor p-i-n microcristaline n condiiile AM1,5 in
dependenta de SC in stratul intrinsec i
SC
(%)
U
cd

(V)
J
sc
(mA/cm
2
)
FF
(%)
E
ff

(%)
R
ser

(Ohmcm)
R
sh

(kOhmcm)
4,7 0,467 21,46 60,18 6,03 3,83 0,4
5,2 0,483 21,55 60,94 6,34 3,74 0,7
5,7 0,497 20,40 62,82 6,37 3,65 0,5

400 500 600 700 800 900 1000
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Q
e
f

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
SC=4,7%
SC=5,2%
SC=5,7%

Fig.5.14. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a celulelor microcristaline p-i-n in
dependenta de SC in stratului intrinsec i.

5.4. Celula solar tandem microamorf
Celulele solare p-i-n realizate in baza siliciului amorf sau microcristalin prezint o
valoare a eficienii de conversie stabilizata de cca. 10%. O strategie importanta care a fost
validata din punct de vedere a majorrii eficienii de conversie este obinerea CS bazat pe
structurile cu doua sau trei jonciuni (multijonciuni) in baza straturilor subiri de siliciu amorf.
CS realizate in baza multijonciunilor reuesc sa ajung o eficienta mai mare si la moment sunt
150
utilizate pe larg in comer. Actual multijonciunea care pare a fi cea mai promitoare si din
punct de vedere industrial este o jonciune tandem numita microamorf. In aceasta structura
celula superioara, acea care este supusa iradierii este realizata din siliciu amorf iar cea inferioara
din siliciu microcristalin (Figura 5.15). Fabricarea celulelor microamorfe are ca scop reducerea
neajunsului principal si anume eliminrii degradrii parametrilor fotovoltaici in timp, care poate
fi nlturat prin folosirea jonciunii microcristaline. Plus la toate avantajul cel mai mare in
obinerea multijonciunilor microamorfe este utilizarea silanului, care este un gaz comparativ
mai puin costos faa de acelai germaniu utilizat in structurile siliciu-germaniu. Anume din acest
punct de vedere, scopul propus in ultima parte a acestei lucrri a fost de a obine o structur
microamorf tandem echilibrnd procesul de obinere in laborator cu cel industrial si in limita
posibilitii de a obine un panou solar experimental.


Fig.5.15. Imaginea schematica a unei structuri tandem microamorfe.

Dup optimizarea structurilor amorfe si microcristaline, conform scopului lucrrii, faza
urmtoare a constat in optimizarea structurilor tandem. Fixnd parametrii celulei amorfe
jonciunea top au fost analizate doua regimuri de cretere pentru stratul intrinsec i din jonciunea
microcristalina jonciunea botom. Aceste regimuri nu defer ca viteza de cretere a
materialului insa comportamentul conductibilitii electrice intr-un interval mic a concentraiei
silanului este destul de divers (Figura 5.11). Astfel au fost realizate doua serii de structuri la
aceeai presiune a stratului intrinsec din jonciunea botom de 500mTorr. Pentru prima serie la
depunerea stratului intrinsec a fost utilizata puterea VHF de 20W, iar pentru a doua serie puterea
de 33W, nominalizate T20 si respectiv T33. Pentru seria T20 au fost obinute structuri tandem cu
SC intr-un interval de la 5,2% pin la 7,4%, iar in cazul seriei T33 intervalul SC a fost lrgit pin
la 8,3%, care acoper regiunea de tranziie a materialului amorf microcristalin [119], pentru a
studia efectele compoziiei structurale in performantele structurilor si de a gsi optimul amestec a
mixturii in ambele cazuri.
n Tabelul 5.8 este prezentata ordinea de realizare a structurilor microamorfe tandem.
Grosimea jonciunii active jonciunea top a fost fixata de 320nm, pentru jonciunea botom de
151
cca.1,5m. Pentru ambele grupe, variaia componentelor are loc numai in jonciunea botom, cea
top nu se schimba.

Tabelul 5.8. Ordinea de realizare a structurilor microamorfe tandem
Stratul CS
| |
| | | |
2 4
4
H SiH
SiH
+

| |
| | | |
4 6 2
6 2
SiH H B
H B
+

| |
| | | |
4 3
3
SiH PH
PH
+

Puterea
(W)
d
(nm)
p(a-Si:H)
TOP
100% 0,5% 0% 3 8
i(a-Si:H) 100% 0% 0% 6,5 270
n(c-Si:H) 1% 0% 0,66% 35 40
p(c-Si:H)
BOTOM
1% 0,5% 0% 35 25
i(c-Si:H) (5,2 7,4)% 0% 0%
20
33
1400
n(c-Si:H) 1% 0% 0,66% 35 40

Parametrii fotoelectrici pentru jonciunile cu stratul absorbant crescut la 20W si 33W,
determinai din caracteristicile I-V a CS tandem microamorfe sunt prezentai in Figura 5.16.
Cum se vede valorile U
cd
cresc liniar cu creterea concentraiei silanului pentru ambele serii si
ajung la o valoare sumara a U
cd
abinute pentru fiecare jonciune in parte, demonstrnd astfel ca
pierderile de recombinare in jonciunea tunel sunt neglijabile. Majorarea U
cd
demonstreaz si
faptul ca ncetul cu ncetul stratul intrinsec i din jonciunea microcristalina devine mai amorf. I
sc
,
FF si eficienta cu majorarea SC pentru nceput demonstreaz o cretere a valorilor ajungind la un
maxim in regiunea concentraiei silanului de 6-6,5%, iar apoi se evideniaz o descretere. In
cazul seriei T20 comparativ cu T33 aceasta descretere este brusca. Valoarea maximala a I
sc
este
aproape egala pentru ambele serii: 11,8mA/cm
2
pentru T33 si 11,6mA/cm
2
pentru seria T20 si
sunt cuprinse intr-un interval cnd stratul absorbant din jonciunea botom a dispozitivelor poseda
o fracie a fazei cristaline joase, care a fost demonstrata in paragraful precedent, dei in cazul
seriei T33 rata puterii de presiune este de circa 0,5W/Pa contra ratei de ~0,3W/Pa pentru seria
T20. In particular pentru T33 in regiunea 5,6%<SC<7,4% se observa I
sc
>10,5mA/cm
2
. Pe de alta
parte in cazul seriei T20, tensiunea circuitului deschis are valori mai nalte comparativ cu T33,
nsoite si de valori bune a fill factorului (FF>70%) in regiunea 5,8%<SC<6,5%, care posibil sa
fie datorate unei interfee p-i mai bune din jonciunea botom care vine crescut acest regim mic
de putere a VHF.
152
5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5
3
4
5
6
7
8
9
10
11
q

(
%
)
SC (%)
T20
T33
52
56
60
64
68
72

F
F

(
%
)
4
5
6
7
8
9
10
11
12

J
s
c

(
m
A
/
c
m
2
)
1,15
1,20
1,25
1,30
1,35
1,40
1,45

U
c
d

(
V
)

Fig.5.16. Parametrii fotoelectrici pentru jonciunile cu stratul absorbant crescut la 20W si 33W,
determinai din caracteristicile I-V a CS tandem microamorfe.

153
Totui cele mai mici valori U
cd
au fost observate in seria T33, indicnd astfel o agravare
suplimentara al interfeei p-i, cauzata de puterea nalta a VHF (33W). Deci, in cazul seriei T20 se
observa mai accentuat regiunea de tranziie dintre creterea cristalina si amorfa comparativ cu
seria T33. Aceasta trecere a fost confirmata si prin analiza Raman a structurilor respective. In
Figura 5.17 sunt prezentate spectrele Raman obinute datorita focusarii luminii excitate (633nm)
care ajunge pina la ultimul strat drogat n din jonciunea botom. In acest caz la colectarea Raman
participa aria de la stratul dopat n din celula botom (40nm) si aproximativ jumtate din stratul
microcristalin i unde se vede o buna cristalinitate a stratului absorbant din jonciunea botom
[119]. Spectrul Raman a fost valutat datorita a trei picuri Gaussian si o baza liniara in regiunea
360-580cm
-1
[120]. S-a observat ca exista o modificare a compozitiei structurale pentru diferite
regimuri de depunere a structurilor. Pentru seria T33 fracia fazei cristaline este practic aceiai
intr-o regiune larga a SC (5,27,4%), in timp ce pentru seria T20 in aceiai regiune se observa o
variaie rapida a fraciei fazei cristaline. In acest caz analiza Raman releva un material mixt
(
c
=52%) la SC=5,5% si aproape un material total amorf la SC=7,2%. In cazul depunerii la o
putere mai mica (0,3W/Pa) cel mai bun rezultat pentru seria T20 a fost gasit la SC=6,1% cu

c
=45%. n special, densiti de curent mari, msurate n cazul seriei T33, sunt obinute pentru
stratul absorbant din jonctiunea botom caracterizat prin valorile fazei cristaline de 58%.

Fig.5.17. Spectrele Raman a structurilor tandem microamorfe cu stratul absorbant i crescut la
20W (a) i 33W (b).

Dintr-un punct de vedere seria T33 prezint o stabilitate buna a fazei cristaline, care duce
la o stabilitate a parametrilor fotovoltaici I
sc
, FF i , insa valorile mici a U
cd
au un aport implicit
asupra si astfel se obin eficiente joase a structurii microamorfe tandem [121]. Din acest motiv
eficienta maxima de 11,1% cu un FF de 72% a fost gsita in cazul seriei T20 la SC=6,1%
(Figurile 5.18 si 5.19). Totusi este nevoie de subliniat faptul ca, chiar daca cel mai bun rezultat a
300 350 400 450 500 550 600
7.2 ~0
6.7 32
6.3 40


C
o
u
n
t
s

(
a
.
u
.
)
Raman Shift (wavenumber) (cm
-1
)
5.5 52
SC (%) u
C
(%)
T20
300 350 400 450 500 550 600


C
o
u
n
t
s

(
a
.
u
.
)
Raman Shift (wavenumber) (cm
-1
)
5.2 59
7.4 57
8.2 37
SC (%) u
C
(%)
T33
a)
b)
154
fost gsit pentru seria T20, acest regim de cretere (la 20W) se caracterizeaza printr-un grad mai
pronuntat a dependentei concentratiei silanului. Regiunea mai larga a tranzitiei materialului din
stare microcristalina in amorf, gasita pentru seria T33, face acest regim de crestere mult mai
interesat din punct de vedere in aplicatii industriale, care ar duce la un control mai precis a
concentratiei gazului in cazul in care depunerea vine pe suprafete majorate, care la rindul sau
prezinta alte dificultati. Cu toate acestea este nevoie de un studiu mai aprofundat pentru a
imbunatati calitatea interfeei p-i [122], care poate fi uor deteriorata la valori nalte a puterii de
depunere. Aceasta este necesar pentru a majora viteza de depunere a materialului in cazul seriei
T33, care in regiunea SC>6% se menioneaz printr-o crestere brusca (Figura 5.10) a valorii cu
30% fata de seria T20 [123, 124].
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
0
2
4
6
8
10
12
V
OC
= 1.33V
J
SC
= 11.6mA/cm
2
FF = 72%
q = 11.1%
I

(
m
A
/
c
m
2
)
U (V)

Fig.5.18. Caracteristica de sarcina a CS tandem microamorfe obinute in condiiile regimului T20
la SC=6,1%.


Fig.5.19. Distribuiile spectrale a eficienii cuantice interne a CS tandem microamorfe cu stratul
absorbant i crescut la 20W (a) si 33W (b).

400 500 600 700 800 900 1000 1100
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
Q
e
f

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
5,5%
5,8%
6,1%
6,3%
T20
400 500 600 700 800 900 1000 1100
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
Q
e
f

(
u
n
i
t
.
a
r
b
.
)
(nm)
T54 (5,7%)
T56 (6,5%)
T58 (7,4%)
T33
a)
b)
155
5.5. Realizarea modulelor tandem microamorfe
Unul din avantajele tehnologiei straturilor subtiri este posibilitatea de realizare a
panourilor monolitice pe substrat de suprafaa larga fara necesitatea asamblarii celulelor unice,
procedura care se utilizeaza in cazul tehnologiei a siliciului cristalin. Conform scopului propus,
toate cercetarile din capitolul dat au dus la realizarea unui modul fotovoltaic de dimensiunea
1010cm
2
. Pentru a reduce pierderile rezistentei serie care apar in rezultatul scurgerii curentilor
inalti prin dispozitivul de suprafata larga, se separa pe substrat celulele unice care sunt
interconectate intre ele in serie. Aceasta se obtine utilizind trei taieturi lazer laser scribing care
permit de a realiza structura cu imaginea schematica dimonsttrata in Figura 5.20. Prima taietura
este aplicata asupra contactului frontal TCO, a doua, este aplicat asupra partii active a
dispozitivului, creind o carare electrica intre TCO si contactul posterior a celulei adiacente, a
treia taietura, in sfarsi, izoleaza contactul respectiv intre doua celule succesive. Suprafetele
asupra carora sunt realizate aceste taieturi lazer nu contribuie la generarea fotovoltaica, pentru
asta ea trebuie sa fie minimizata, optimizind adecvat procesul de lazer scribing.

Fig.5.20. Imaginea schematica a unui panou

Optimizind procesul de obtinere a unui astfel de panou solar, obtinut din 8 celule in serie
cu aria activa a fiecarei celule de 8,52cm
2
s-a obtinut un panou solar (Figura 5.21) cu parametrii
fotovoltaici I
sc
=10,5mA/cm
2
, U
cd
=10,1V, FF=57% si =7,7%.


Fig.5.21. Panou solar tandem microamorf obtinut din 8 celule in serie cu aria activa a fiecarei
celule de 8,52cm
2
.
156
In cazul cind confruntam eficientile masurate in laborator a celulelor cu suprafata mica de
1cm
2
cu performantele modulului, se observa o diferenta discreta. Exista diferiti factori care pot
influenta acest decalaj. Printre care putem constata ca eliminarea incompleta a materialului in
timpul taierii cu laser sau deteriorarea straturilor pe parcursul acestei operatiuni poate afecta
performantele dispozitivului. Pe linga aceasta, o influienta mare o are si dezuniformitatea
materialului care se observa in cazul cind depunerea vine pe substraturi cu suprafete majorate.
Intr-adevar, reducerea parametrilor fotovoltaici (I
sc
, U
cd
, sau a FF) intr-o singura celula are un
impact fundamental asupra performantelor intregului modul fotovoltaic.

5.6. Concluzii la capitolul 5
1. Structurile amorfe SnO
2
/p
+
-Si:H/i-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al cu eficiena de 10.31% se
obin n cazul grosimii stratului absorbant i de 360nm, limii benzii interzise a stratului p de
1,98eV, ratei cantitii B
2
H
6
n amestecul gazos din reactor de 0,25% i tratrii termice
ulterioare la temperatura 150C timp de 30min.
2. Conductibilitatea stratului microcristalin dopat p din structurile microamorfe este dependent
de valoarea de dopare a fazei cristaline. n cazul majorrii doprii prin majorarea ratei
cantitii B
2
H
6
n amestecul gazos de la 0.5% la 0.7%, se observ o cretere a conductibilitii
de la 2.310
-2
S/cm pn la 4.910
-2
S/cm . Acest fapt nu influeneaz asupra vitezei de
depunere, care este de 0.5/s, i a ratei fraciei cristaline (
c
=66%). Schimbarea ratei fraciei
cristaline de la 66% la 55% i modificarea vitezei de cretere de la 0.5/s la 0.7/s, are loc n
cazul micorrii dilurii hidrogenului de la 99,4% pn la 99% in amestecul gazos, fapt care
determin i micorarea conductibilitii stratului de la 2.310
-2
S/cm pn la 110
-2
S/cm.
3. Majorarea raportului puterea/presiune n procedeul de depunere a stratului absorbant din
jonciunea din spate a structurii tandem de la 0,3W/Pa la 0,5W/Pa demonstreaz o stabilitate
a parametrilor fotovoltaici (I
sc
i FF) intr-un interval larg al varierii concentraiei silanului n
amestecul gazos SC=(5,28,4)%. Acest factor este un avantaj pentru producerea industrial a
structurilor tandem cu suprafee active majorate, atunci cnd producerea dispozitivelor nu
necesit un control strict a uniformitii distribuirii gazului in reactor. n acest caz valoarea
stabil a eficienei dispozitivelor este de cca 10%, avantajul principal fiind considerat viteza
mult mai nalt de depunere, care crete de la 0,3/s la 0,4/s.
4. Structurile tandem microamorfe studiate posed o valoare stabil a eficienei =11,1%, cnd
stratul absorbant din jonciunea microcristalin se obine la o valoare a concentraiei silanului
de 6,1%, fracia fazei cristaline
c
=45%, iar raportul puterea/presiune este de 0,3W/Pa. n
baza structurilor menionate folosind tehnologia VHF-PECVD la temperaturi mici de
depunere (150C) au fost fabricate panouri solare de puterea electric de 1W cu suprafaa de
0,01m
2
.
157
CONCLUZII GENERALE I RECOMANDRI

1. S-a elaborat instalaia i tehnologia de obinere a straturilor subiri oxide de SnO
2
i
In
2
O
3
:SnO
2
(ITO) cu grosimea de 0,2-0,7m, uniforme pe suprafaa pn la 75cm
2
. Straturile
subiri nominalizate posed rezistivitatea de suprafa 15-50Ohm/, conductibilitatea prin
electroni de (7,5-48)10
2
Ohm
-1
cm
-1
, asigurat de concentraia purttorilor de sarcin (3,5-
15)10
21
cm
-3
i mobilitatea acestora de (15-30)cm
2
/(Vs).
2. S-a elaborat procedeul de obinere a jonciunii n
+
ITO/SiO
2
/nSi n baza straturilor subiri
In
2
O
3
:Sn i a plachetelor de Si, cu jonciunea format prin pulverizarea soluiilor chimice a
clorurilor de indiu i staniu pe suprafaa plachetelor de siliciu tratate chimic tradiional,
pasivate i nclzite pn la temperatura 450C.
3. Cercetarea proprietilor electrice a structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi a permis determinarea
mecanismului de transport al sarcinilor electrice prin bariera de potenial la polarizarea
direct. Au fost observate dou mecanisme de transport - de tunelare-recombinare pn la
tensiunile aplicate de 0,3V i de emisie peste bariera de potenial la tensiuni mai mari de 0,3V.
La polarizarea indirect a structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi mecanismul de transport al purttorilor
de sarcin este determinat de curenii de scurgere.
4. n baza structurilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi s-a elaborat procedeul, care include traseul tehnologic i
fiele tehnologice de fabricare a convertoarelor fotovoltaice de uz practic cu suprafaa activ
pn 48,6 cm
2
. Eficiena maximal de 10,25% se obine n condiiile orientrii cristalografice
a suprafeei plachetei de siliciu (100), suprafeei active de 8,1cm
2
, grosimii stratului ITO
0,3m, grosimii stratului SiO
2
30 i concentraiei purttorilor de sarcin (electronilor) n
siliciu de (1-5)10
15
cm
-3
. S-a demonstrat viabilitatea tehnologiei elaborate de fabricare a
celulelor solare n baza jonciunilor n
+
ITO/SiO
2
/nSi prin asamblarea a dou panouri solare de
putere cte 15W i a dou panouri solare de putere fiecare a cte 30W.
5. Studiul jonciunilor izotipe n
+
ITO/SiO
2
/nSi a permis elucidarea proceselor fizice n structurile
n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO i elaborarea n baza structurilor nominalizate a dispozitivelor
fotovoltaice de fotosensibilitate bilateral de tip nou, formate numai din jonciuni izotipe.
Teoretic i experimental s-a demonstrat, c la iluminarea concomitent a ambelor suprafee a
unei astfel de structuri curentul generat se sumeaz. S-a elaborat procedeul tehnologic de
fabricare a celulelor solare bilaterale Cu/n
+
Si/nSi/SiO
2
/n
+
ITO/Cu n baza jonciunilor izotipe,
care nu necesit echipament sofisticat i se bazeaz pe obinerea jonciunii frontale prin
metoda de pulverizare pirolitic a soluiilor chimice [100]. Modificarea siturii jonciunii din
spate n
+
/nSi a celulei bilaterale prin variaia duratei timpului de difuzie a fosforului n
placheta de siliciu practic nu influeneaz asupra proprietilor electrice ale obiectului de
studiu i puternic influeneaz asupra parametrilor fotovoltaici. CS bilaterale cu randament de
158
15,73% i coeficient de bifacilitate 65% se obin la utilizarea n calitate de absorbant a
siliciului monocristalin cu concentraia electronilor 10
15
cm
-3
.
6. Regiunea sensibilitii CS elaborate este situat n intervalul lungimilor de und 350
1200nm i nu depinde de direcia iluminrii. De aceast direcie depinde valoarea eficienei
cuantice interne efective, care este aproape egal cu 1 (valoarea maxim a acestuia) n cazul
iluminrii frontale i 0,2 0,3 la iluminarea din spate.
7. Structurile amorfe SnO
2
/p
+
-Si:H/i-Si:H/n
+
c-Si:H/ZnO/Ag:Al cu eficiena de 10.31% se
obin n cazul grosimii stratului absorbant i de 360nm, limii benzii interzise a stratului p de
1,98eV, ratei cantitii B
2
H
6
n amestecul gazos din reactor de 0,25% i tratrii termice
ulterioare la temperatura 150C timp de 30min.
8. Conductibilitatea stratului microcristalin dopat p din structurile microamorfe este dependent
de valoarea de dopare a fazei cristaline. n cazul majorrii doprii prin majorarea ratei
cantitii B
2
H
6
n amestecul gazos de la 0,5% la 0,7%, se observ o cretere a conductibilitii
de la 2,310
-2
S/cm pn la 4,910
-2
S/cm . Acest fapt nu influeneaz asupra vitezei de
depunere, care este de 0,5/s, i a ratei fraciei cristaline (
c
=66%). Schimbarea ratei fraciei
cristaline de la 66% la 55% i modificarea vitezei de cretere de la 0,5/s la 0,7/s, are loc n
cazul micorrii dilurii hidrogenului de la 99,4% pn la 99% in amestecul gazos, fapt care
determin i micorarea conductibilitii stratului de la 2,310
-2
S/cm pn la 110
-2
S/cm.
9. Majorarea raportului puterea/presiune n procedeul de depunere a stratului absorbant din
jonciunea din spate a structurii tandem de la 0,3W/Pa la 0,5W/Pa demonstreaz o stabilitate a
parametrilor fotovoltaici (I
sc
i FF) intr-un interval larg al varierii concentraiei silanului n
amestecul gazos SC=(5,28,4)%. Acest factor este un avantaj pentru producerea industrial a
structurilor tandem cu suprafee active majorate, atunci cnd producerea dispozitivelor nu
necesit un control strict a uniformitii distribuirii gazului n reactor. n acest caz valoarea
stabil a eficienei dispozitivelor este de cca.10%, avantajul principal fiind considerat viteza
mult mai nalt de depunere, care crete de la 0,3/s la 0,4/s.
10. Structurile tandem microamorfe studiate posed o valoare stabil a eficienei =11,1%,
cnd stratul absorbant din jonciunea microcristalin se obine la o valoare a concentraiei
silanului de 6,1%, fracia fazei cristaline
c
=45%, iar raportul puterea/presiune este de
0,3W/Pa. n baza structurilor menionate folosind tehnologia VHF-PECVD la temperaturi
mici de depunere (150C) au fost fabricate panouri solare de puterea electric de 1W cu
suprafaa de 0,01m
2
.
11. Cercetrile efectuate n prezenta lucrare au condus la realizarea CS de uz practic cu
suprafaa majorat, implementnd metode i procese noi de obinere a structurilor menionate
la temperaturi joase, reducnd costul tehnologiilor folosite n comparaie cu cele tradiionale.

159
BIBLIOGRAFIE

1. A.Simachevici, L.Gorceac, D.erban. Conversia fotovoltaic a energiei solare. Chisinu
2002, 250p.
2. Basic research needs for solar energy utilization (US Department of Energy, Washington,
DC, 2005) (www.er.doe. Gov/bes/reports/abstracts.html#SEU).
3. D.M.Chapin, C.S.Fuller and G.I.Pearson. A New Silicon p-n Junction Photocell for
Conversion Solar Radiation into Electrical Power. J.Appl.Phys., 1954. vol.25, p.676
4. G.P.Willeke. The crystalline silicon solar cell- history, achievements and perspectives..
Proc. of 19th European photovoltaic solar energy conference, Paris, 2004, p.383-386
5. J.Shewchun et al. The operation of the semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) solar
cells: Theory. J. Appl. Phys., vol.49, p.855-864, 1978.
6. L. Gagara et al. Photovoltaic converters of Solar Energy on the base of SIS structures.
Proc. of the Int. Conf. Euro Sun 96, DGS-Sonnenenergie Verlags_GmH, Munchen,
1996, vol. 2, p.665-669.
7. V.Vasu, A.Subrahmanyam. Photovoltaic properties of ITO/Si junctions prepared by spray
pyrolisis. dependence on oxidation time. Semicond. Sci. and Tech., 1992, vol.7, p.320.
8. K.L.Chopra, S.Major, and D.K.Pandya. Transparent Conductors. A Status Review. Thin
Solid Films, 1983, vol.102, p.146.
9. R.G.Gordon. Criteria for choosing transparent conductors. MRS Bulletin, August 2000,
p.52-57.
10. I. Andronic et al. InP based radiation stable solar cells. Proc of the 2
nd
World Conf. on PV
Solar Energy Conversion, Vienna, 1998, vol.1, p.249-252.
11. A.Cuevas. The early history of bifacial solar cells. Proc.of 20-th Photovoltaic Solar Energy
Conf., Barcelona, 2005, p.801-805.
12. H.Takatsuka et al. High efficiency thin film solar modules. Proc. of the 21-th European
PV Solar Energy Conf.Dresden, 2006, p.1531-1534.
13. B.Rech et al. A new concept for mass production of large area thin film silicon solar cells
on glass. Thin Solid Films, 2006, vol.502, p.300-305.
14. A. E. Becquerel. Memoire sur les effets electriques produits sous linfluence des rayons
solaires. Comptes Rendus, 1839, vol.9, p.561567.
15. W. Adams and R.Day in www.worldscibooks.com/phy_etextbook/p276/p276_chap1.
16. R.S.Ohl. Light sensitive electric device including silicon, US Patent 2443542, filed 27 May
1941.
160
17. E.F.Kingsbury and R.S.Ohl. Photoelectric properties of ionically bombarded silicon.
Bell.Syst.Techn.J., 1952, vol.31, p.8092.
18. D.M.Chapin, C.S.Fuller and G.I.Pearson. A New Silicon p-n Junction Photocell for
Conversion Solar Radiation into Electrical Power. J.Appl.Phys., 1954. vol.25, p.676.
19. M.A.Green. Silicon Solar Cells. Advanced Principles and Practice. Publisher Centre for
Photovoltaic Devices and Systems. University of New South Wales, Sydney, 1995, 233p.
20. G.P.Willeke. The Crystalline Silicon Solar Cell History, Achievements and Perspectives.
Proc. of the19-th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, 2004, p.383-386.
21. M.Wolf. Limitations and Possibilities for Improvement of Photovoltaic Solar Energy
Converters. Proc. of the IRE, 1960, vol.48, p.1246.
22. J.Mandelkorn and J.H.Lamneck. Simplified fabrication of back surface electric field
silicon cells and novel characteristics of such cells. Proc. of the 9-th IEEE Photovoltaic
Conf, Silver Spring, 1972, p.66-71.
23. M.A.Green. High Efficiency Silicon Solar Cells. Trans. Tech. Publications, 1987, p.146.
24. A.Balasubramaniyam et al. Electrical properties of electron-beam-evaporated indium oxide
thin films. Thin Solid Films, 1982, vol.91, p.71-79.
25. T.Minami et al. Physics of very thin ITO conducting films with high transparency prepared
by DC magnetron sputtering. Thin Solid Films, 1995, vol.270, p.37-42.
26. C.V.R.Vasant Kumar and A.Mansing. Effect of target-substrate distance on the growth and
properties of rf-sputtered indium thin oxide films. Journal of Applied Physics, 1989,
vol.65, p.1270.
27. G.Haacke. Figure of merit for transparent conductors. Journal of Applied Physics, 1976,
vol.47, p.4086-4089.
28. R.G.Gordon. Criteria for choosing transparent conductors. MRS Bulletin, August 2000,
p.52-57.
29. S.Nudelman and S.S.Mitra. Optical properties of solids. Chapt.3, 1969, Plenum Press, N.Y.
30. P.Nath and R. F. Bunshah. Preparation of In
2
O
3
and tin-doped In
2
O
3
films by a novel
activated reactive evaporation technique. Thin Solid Films, 1980, vol.69, p.63-68.
31. L.Gupta et al. Band gap narrowing and the band structure of tin doped indium oxide films.
Thin Solid Films, 1989, vol.176, p.33-44.
32. Kodigala Subba Ramalah et al. Optical, structural and electrical properties of tin doped
indium oxide thin films prepared by spray pyrolysis technique. Semicond. Sci.Technol.,
2000, vol.15, p.676-683.
161
33. N.Balasubramanian and A.Subrahmanyam. Electrical and optical properties of reactively
evaporated indium tin oxide (ITO) films - dependence on substrate temperature and tin
concentration. Journal of Physics D: Applied Physics, 1989, vol.22, p.206-209.
34. J. Szczyrbowski et al. Optical and electrical properties of r.f. sputtered indium-tin oxide
films. Phys Stat Sol (a), 1983, vol.78, p.243-252.
35. R.Chandrasekhar and K.L.Choy. Innovative and cost-effective synthesis of indium tin
oxide films. Thin Solid Films, 2001, vol.398-399, p.59-64.
36. .G.Ulyashin et al. Properties of ITO layers deposited by magnetron sputtering for solar cell
applications: the influence of deposition temperature, substrates and post-deposition
treatment. Proc.of 20-th European Photovoltaic solar energy conf. Barcelona, 2005, p.434-
437.
37. S.Major et al. Annealing studies of undoped and indium-doped films of zinc oxide. Thin
Solid Films, 1984, vol.122, p.31-43.
38. T.Minani et al. Highly conductive and transparent aluminum doped zinc oxide thin film
prepared by RF magnetron sputtering. J. Appl. Phys., Part 2 Lett. 1984, vol.23, p.L280-
L282.
39. S.N.Qiu et al. Air heat treatment of In-doped ZnO thin films. Solar Energy Mater. 1987,
vol.15, p.261-267.
40. B.H.Choi et al. Optical and electrical properties of Ga
2
O
3
doped ZnO films prepared by RF
sputtering. Thin Solid Films, 1990, vol.193-194, p.712-720.
41. J.Hu and R.G.Gordon. Textured fluorine-doped ZnO films by atmospheric pressure
chemical vapor deposition and their use in amorphous silicon solar cells. Solar Cells, 1991,
vol.30, p.437-450.
42. J.Hu and R.G.Gordon, Textured aluminum-doped zinc oxide thin films by atmospheric
pressure chemical- vapor deposition. J.Appl.Phys., 1992, v.71, p.880-890.
43. J.Hu and R.G.Gordon. Atmospheric pressure chemical vapor deposition of gallium doded
zinc oxide thin films from diethyl zinc, water, and triethyl gallium, J.Appl.Phys., 1992,
vol.72, p.5381-5391.
44. Wilson W.Wenas et al. Optimization of ZnO for front and rear contacts in -Si solar cells.
Solar Energy Materials and Solar Cells, 1994, vol.34, p.313-319.
45. A.Martin et al. Preparation of transparent and conductive Al-doped ZnO films by ECR
plasma enhanced CVD. Surface and coating Technology, 2002, vol.151-152, p.289-293.
46. G.K.Paul et al. Transport properties of as-prepared Al-doped Zinc oxide films using sol-gel
method. Phys.Stat. Solidi (a), 2002, vol.191, p.509-518.
162
47. M.L.Addonizio et al. Low pressure-chemical vapour deposition of ZnO thin films: relation
between deposition parameters and light scattering properties. Proc. of the 21
st
European
Photovoltaic Solar Energy Conf., Dresden, Germany, 2008, p.1692-1696.
48. L.Gagara et al. Photovoltaic converters of Solar Energy on the base of SIS structures. Proc.
of the Int. Conf. Euro Sun 96, v.2, DGS-Sonnenenergie Verlags GmH, Munchen, 1996,
p.665-669.
49. J.B.Dubow et al. Efficient photovoltaic heterojunctions of indium tin oxides on silicon.
Appl. Phys. Letters, 1976, vol.29, p.494-497.
50. J.Shewchun et al. The operation of the semiconductor-insulator- semiconductor (SIS) solar
cell:Theory. J.Appl.Phys. 1978, vol.49(2), p.855-864.
51. S.R.Wishwakarma et al. Low cost SnO
2
:P/SiO
2
/n-Si (textured) heterojunction solar cells.
J.Phys.D:Appl.Phys., 1993, vol.26, p.959-962.
52. S.Franz et al. Heterojunction Solar Cells of SnO
2
/Si. J.Electron. Materials, 1977, vol.6,
p.107-123.
53. V.Vasu, A.Subrahmanyam. Carrier transport mechanism in indium tin oxide (ITO)/silicon
heterojunctions effect of chlorine. Applied Physics A, Material science and processing,
2005, vol.80, N4, p.823-827.
54. N. Adeeb et al. Spray deposited ITO-CdTe solar cells. Sol. Energy Mater., 1987, vol.15,
p.9-19.
55. A.Coval et al. Solar energy conversion in ITO SIS systems. Solar Energy in Romania,
1993, vol.2, p.53-55.
56. H.Mori. Radiation energy transducing device. US Patent 3.278.811, Oct.1966 (priority Oct.
1960).
57. A.Cuevas. The early history of bifacial solar cells. Proc.of 20-th Photovoltaic Solar Energy
Conf., Barcelona, 2005, p.801-805.
58. I.Chambouleyron and Y.Chevalier. Silicon double solar cell. Proc. 1
st
European Com.
Conf. on Photovoltaic solar energy, Luxembourg, 1977, Reidel, Boston, 1978, p.967-976.
59. A.Cuevas et al. A n
+
pn
+
double-sided solar cell for optimal static concentration. Proc. 14
th

IEEE Photovoltaic Spec. conf., San Diego, 1980, p.76-81.
60. H.Ohtsuka et al. Bifacial silicon solar cell with 21,3% frontefficiency and 19,8% rear
efficiency. Progress in Photovoltaics, 2000, vol.8, p.385-390.
61. N.M.Bordina et al. Operation of a thin silicon photoconverter under illumination on both
sides. Applied solar energy, 1975, n.6, p.81-86.
163
62. A.Cuevas et al. High efficiency back-surface-field solar cells. Solar cells, 1981, vol.3,
p.337-340.
63. A.Moehlecke et al. Proc. First World Conf. on Photovoltaic energy conversion. Hawaii,
1994, p.1663-1666.
64. L.Perez et al. Global processes for the fabrication of low cost bifacial solar cells. Proc.of
20-th Photovoltaic Solar Energy Conf., Barcelona, 2005, p.891-894.
65. .. .
.
, 2005, .39, .1393-1398.
66. A.Hubner et al. 20% efficient bifacial solar cell. Proc. of the 14-th European PV Solar
Energy Conf. Barcelona, 1997, p.92-95.
67. G.G.Untila et al. Contact resistance between conducting antireflection coating and (n
+
-p)Si
solar cells. Proc of the 2
nd
World Conf. on PV Solar Energy Conversion, Vienna, 1998,
vol.2, p.1555- 1557.
68. D.E. Carlson and C.R. Wronski. Amorphous silicon solar cell. Appl. Phys. Lett., 1976,
vol.28, p.671673.
69. D.I.Stabler and C.R.Wronski. Reversible conductivity changes in discharge-produced
amorphous Si. Appl. Phys. Lett., 1977, vol.31, p.292-294.
70. J.Meier et al. Amorphous silicon single-junction and micromorphe tandem solar cells
prepared in UNAXIS KAI PECVD single chamber reactors. Proc.of 20-th Photovoltaic
Solar Energy Conf., Barcelona, 2005, p.1503-1508.
71. P.Buehlman et al. In situ silicon oxide based intermediate reflector for thin-film silicon
micromorph solar cells. Appl. Phys. Lett. 2007, vol.91, p.143505.
72. C.Ballif et al. Fabrication of high efficiency microcrystalline and micromorph thin film
solar cells on LPCVD ZnO coated glass substrates. Proc. of the 21-th European PV Solar
Energy Conf.Dresden, 2006, p.1552-1555.
73. K.Yamamoto et al. Large area thin film solar module. Solar Energy Materials & Solar
Cells, 2002, vol.74, p.449-455.
74. B.Rech et al. A new concept for mass production of large area thin film silicon solar cells
on glass. Thin Solid Films, 2006, vol.502, p.300-305.
75. K.A.Emery and C.R.Osterwald. Solar cell efficiency measurements. Solar Cells, 1986,
vol.17, p.253-274.
76. Nann S. and Emery K. Spectral effects on PV-device rating. Solar Energy Materials and
Solar Cells, 1992, vol.27, p.189-216.
164
77. Corinne Droz. Thse Thin Film Microcrystalline Silicon Layers and Solar Cells:
Microstructure and Electrical Performances. Universit de Neuchtel, Institut de
Microtechnique, 2003.
78. C.Goebbert et al. Wet chemical deposition of ATO and ITO coatings using crystalline
nanoparticles redispersable in solutions. Thin Solid Films, 1999, vol.351, p.79-84.
79. R.Chandrasekhar and K.L.Choy. Innovative and cost-effective synthesis of indium tin
oxide films. Thin Solid Films, 2000, vol.398-399, p.59-64.
80. Y.Sawad et al. Highly-conducting indium-tin-oxide transparent films fabricated by spray
CVD using ethanol solution of indium (III) chloride and tin (II) chloride. Thin Solid Films,
2002, vol.409, p.46-50.
81. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Transparent conductive oxide layers and their aplications in
solar energetic. Abstracts. Conferina Fizicienilor din Moldova, CFM-2009, Chisinau,
Moldova, 2009, p.105.
82. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Simple technology of silicon solar cells preparation.
Technology Transfer in Electronic Engineering, Multifunctional Materials and Fine
Mechanics, AM AITT, tiina, 2005, p.98-105.
83. ., . .
. 5 . -. .
, , , 2006, 4, .92-97.
84. Rhoderic E.H. Metal-semiconductor contacts. Clarendon Press-Oxford, 1978, traducere n
rus, M., Radio i sveazi, 1982, 208p.
85. D.erban et al. Elaborarea tehnologiei pilot de fabricare a celulelor i panourilor solare.
Raport tiinific asupra activitii de cercetare, nr. nregistrrii 0101 MD01961, Chiinu
2003, 82p.
86. A.Simashkevich, I.Usatii et al. ITO-nSi solar cells: voltage dependent charge transport
mechanisms. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21-25 September
2009, Hamburg, Germany, p.2230-2232.
87. D.Sherban, I.Usatii et al. Current transport mechanisms in ITO/nSi structures. Abstracts.
4
th
International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics.
September 23-26, 2008, Chisinau, p.84.
88. Ph.Parent et al. J. Electrochem. Soc. 1992. vol.139. p.276.
89. I.Usatii. Investigation of electrical and photoelectrical properties of ITO-nSi structures.
Proceedings of the 4th International Conference on Microelectronics and Computer
Science, UTM, 2005, vol.1, p.82-86.
165
90. D.Sherban, I.Usatii et al. Estimation of solar cell parameters in view of solar radiation
spectral structure. Abstracts 4
th
International Conference on Materials Science and
Condensed Matter Physics. September 23-26, 2008, Chisinau, p.98.
91. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Spray deposited ITO-nSi solar cells with enlarged area.
Proc. 20
th
European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 6-10 June
2005, Barcelona, Spain. p.980-982.
92. . . . , , 1976. 431.
93. K.L.Chopra et al. Transparent Conductors - A Status Review. Thin Solid Films. 1983,
vol.102, N.1, p.146.
94. D.Serban, I.Usatii et al. Spray deposited ITO-nSi solar cells with enlarged area. Abstracts
2
ND
International Conference on Materials Science and Condensed Matter Physics.
Chiinu, Moldova, september 21-26, 2004, p.138.
95. A.Simaschevici, I.Usatii et al. Spray-deposited ITO-nSi solar cells. Abstracts 7
th

International Conference on Physics of Advanced Materials. Iai, Romnia, June 10-12,
2004, p.184.
96. F.Marques and I.Chambouleyron. Surface Barrier SnO
2
/SiO
x
/c-Si(n) Solar Cells:
Optimisation of the Fabrication Process. Solar Cells, 1986, vol.17, p.167-181.
97. H.Kobayashi et al. Mechanism of carrier transport in highly efficient solar cells having
indium tin oxide/Si junctions. J.Appl.Phys, 1991, vol.69, N.3, p.1736-1743.
98. I.Usatii. Panouri solare de diverse puteri n baza structurilor ITO/nSi. Energetica
Moldovei-2005, Chiinu 2005, p.660-662.
99. I.Usatii. Panou solar n baza structurilor ITO/nSi. Conferina Fizicienilor din Moldova-
2005, Rezumatele lucrrilor, p.152-153.
100. Brevet de invenie 3737 F1, MD, H 01 L 31/18. Celul solar bilateral i procedeu de
fabricare a acesteia / SIMACHEVICI Alexei, ERBAN Dormidont, BRUC Leonid,
USATI Iurie, FEDOROV Vladimir (MD). Cererea depusa 26.03.2007, BOPI nr.10/2008.
101. ., .. . . ,
, 1975, 432.
102. .. . .
.. , , 1982, 208.
103. D.Sherban, I.Usatii et al. Fabrication and evaluation of parameters of bilateral solar cells
with isotype junctions. Proceedings of the 3rd International Conference on Electrical and
Control Technologies ECT-2008, ISSN 1822-5934, Kaunas, Lithuania, 8-9 May 2008,
p.369-373.
166
104. A.Simashkevich, I.Usatii et al. Bifacial solar cells based on isotype junctions. Proc. 22
nd

European Photovoltaic Solar Energy Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy, p.484-
486.
105. ., ., ..
. , 1990, N.5, T.348, 63.
106. .. .
.2, . ., , , 1980, 327.
107. . ..
. ., , 1990, 423.
108. A.Simachevici, I.Usatii et al. Solar Cells based on SIS structures optained by spray
pyrolisis. Energy for Future, The Second Renewable Energy, Conf. Proceedings, Erevan
2005, p.107-110.
109. L.Bruk, I.Usatii et al. Isotype bifacial silicon solar cells obtained by ITO spray pyrolysis.
Materials Science and Engineering B, 159-160, 2009, p.282-285.
110. .., . . ,
, .
6- -
, , 2008 ., .164-169.
111. .., . .
. 6-
-
, , 2008 ., .158-163.
112. M.L.Addonizio, R.Manoj and I.Usatii. Optimisation of low pressure-chemical vapour
deposited ZnO thin films as front electrode of thin film silicon based solar cells. Proc. 22nd
European Photovoltaic Solar Energy Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy,
p.2129-2133.
113. B.Drevillon. In situ studies of the growth of hydrogenated amorphous silicon. Journal of
Non-Crystalline Solids, 114, 1989, p.139-144.
114. A.E.Delahoy, I.Usatii et al. VHF PECVD deposition of nc-Si material and device
properties. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21-25 September 2009,
Hamburg, Germany, p.2860-2866.
115. F.Buatier de Mongeot, I.Usatii et al. Plasmon enhanced thin film PV devices on
nanostructured metallo-dielectric substrates. 24th European Photovoltaic Solar Energy
Conference, 21-25 September 2009, Hamburg, Germany, p.322-325.
167
116. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Influence of deposition conditions for bottom cell on
micromorph tandem device performance. Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, vol.354,
p.24782482.
117. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Influence of microcrystalline silicon bottom cell on
micromorph tandem solar cell performance. Thin Solid Films, 2008, vol.516, N.20,
p.6979-6983.
118. Y.Mai et al. Microcristalline silicon solar cells deposited at high rates. Journal of Applied
Physics 97, 2005, p. 114913 - 114913-12.
119. P. Delli Veneri et al. Correlation between structural properties and performances of
microcrystalline silicon solar cells. Thin Solid Films, 2005, vol.487, p.174-178.
120. C. Droz et al. Relationship between Raman crystallinity and open-circuit voltage in
microcrystalline silicon solar cells. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2004, vol.81, p.61-71.
121. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Micromorph tandem solar cells: influence of microcrystalline
silicon bottom cell on device performance. Proc. 22
nd
European Photovoltaic Solar Energy
Conference, 3-7 September 2007, Milan, Italy, p.1814-1818.
122. P. Delli Veneri, Lucia V. Mercaldo end I.Usatii. Silicon oxide based n-doped layer for
improved performance of thin film silicon solar cells. Appl. Phys. Lett. 97, 023512 (2010);
doi:10.1063/1.3463457.
123. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Doped silicon nitride as intermediate reflector in micromorph
tandem solar cells. Proc. 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5
September 2008, Valencia, Spain. p.2343-2346.
124. P.Delli Veneri, I.Usatii et al. Intermediate reflector for micromorph tandem solar cells:
comparison between two possible materials. 24th European Photovoltaic Solar Energy
Conference, 21-25 September 2009, Hamburg, Germany, p.2723-2726.
168
DECLARAIA PRIVIND ASUMAREA RSPUNDERII


Subsemnatul, declar pe proprie rspundere c materialele prezentate n teza de doctorat, se refer
la propriile activiti i realizri, n caz contrar urmnd s suport consecinele, n conformitate cu
legislaia n vigoare.








Usati Iurie

04/01/2011

169
CURRICULUM VITAE


Informaii personale

Nume/Prenume Usati Iurie
Adresa(e) Milescu Sptaru 5, MD-2044, or. Chiinu, Republica Moldova
Telefon(oane) +37322331296 Mobil +37379354009
Fax(uri) +37322738149
E-mail(uri) usaty1980@mail.ru
Naionalitate(-ti) Republica Moldova
Sex Brbtesc

Loc de munc vizat /
Domeniu
ocupaional
Institutul de Fizic Aplicat, AM
Fizica corpului solid. Conversia fotovoltaic a energiei solare.

Experiena
profesional


Perioada Ianuarie 2003 prezent
Laboratorul Materiale i Structuri pentru Energetica Solar al
Institutului de Fizic Aplicat
Funcia sau postul
ocupat
Cercettor tiinific
Activiti i
responsabiliti
principale
Obinerea soluiilor chimice a clorurilor de indiu i staniu n ap i
alcool utiliznd compuii de SnCl
4
5H
2
O, respectiv InCl
3
3H
2
O.
Depunerea straturilor oxidice subiri TCO utiliznd metoda de
pulverizare i piroliz (spray pyrolisis) pe substraturi organice i
inorganice n intervalul de temperaturi 300900K. Obinerea,
cercetarea i caracterizarea dispozitivelor fotovoltaice de tip IS,
utiliznd semiconductorul oxid ITO, n baza siliciului cristalin i a
materialelor A
3
B
5
, cu o atenie deosebita asupra procesul de
preparare/tratare chimica a materialelor cristaline. Realizarea celulelor
solare i asamblarea modulelor solare cu puteri de pn la 30W n baza
structurilor ITO/Si.
Studiul i dezvoltarea celulelor fotoelectrochimice bazate pe electrozi
nanostructurai a compuilor InP i GaAs.

Din septembrie 2005 pn n august 2006 participarea n cadrul unui
proiect internaional MOE2-3062-CS-03, ntitulat "Study of
170
Oxide/Nanoporous III-V Semiconductor Junctions for their use n
Photovoltaic and Photoelectrochemical Production of Hydrogen", ntre
Academia de tiine a Moldovei i Laboratorului Naional de Energie
Renovabil din SUA (NREL, 1617 Cole Bevd, Golden, Colorado
80401-3393).
Din ianuarie 2004 pn n decembrie 2004 participarea n cadrul
proiectului naional 45.005P, ntitulat Optimizarea tehnologiei pilot
de fabricare a celulelor solare.
Din septembrie 2002 pn n decembrie 2003 participarea n cadrul
unui proiect naional 03.012C, ntitulat Elaborarea tehnologiei-pilot
de fabricare a celulelor i panourilor solare.

Numele i adresa
angajatorului
Institutul de Fizic Aplicat al Academiei de tiine din Republica
Moldova
Adresa(e) Str. Academiei 5, MD2028, Chiinu, Republica Moldova
Tel:+37322738150, Fax:+37322738149, E-mail:
director@phys.asm.md, Website: www.phys.asm.md
Tipul activitii sau
sectorul de activitate
Sursele energetice renovabile (fotovoltaica)

Perioada Februarie 2009 Ianuarie 2011
Bursa de cercetare pentru participare la activiti tiinifice i tehnice n
cadrul proiectului de cercetare al Laboratorul naional public-privat
pentru dezvoltarea tehnologiilor pentru energia solar termic, la
temperatur nalt (ELIOSLAB), efectuat n cadrul Departamentului
TER (Tecnologie per lEnergia, Fonti Rinnovabili e Risparmio
Energetico)
Funcia sau postul
ocupat
Cercettor tiinific
Activiti i
responsabiliti
principale
Obinerea straturilor subiri de SiO
2
prin metoda PECVD pe substraturi
reflectente i polimerice. Caracterizarea optica, electrica i structurala
a straturilor i studierea posibilitii utilizrii lor n oglinzi reflectente.
Numele i adresa
angajatorului
Italian National Agency for New Technologies, Energy and
Sustainable Economic Development (ENEA), Portici Research Centre
Adresa(e) Localit Granatello, 80055, Portici (Napoli), Italia
Tel: +390817723273, Fax: +390817723344, E-mail:
carlo.privato@enea.it, Website: www.enea.it
Tipul activitii sau
sectorul de activitate
Energia solara termica

Perioada Octombrie 2006 Ianuarie 2009
Burs de studiu n cadrul unui proiect finanat de Direcia General de
Cooperare pentru Dezvoltare (DGDC) din cadrul Ministerului
Afacerilor Externe Italian prin intermediul Programului ICTP (the
Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics) pentru
Antrenare i Cercetare n Laboratoarele Italiene.
171
Funcia sau postul
ocupat
Cercettor tiinific
Activiti i
responsabiliti
principale
Depunerea straturilor subiri de siliciu amorf i microcristalin prin
utilizarea tehnicii PECVD. Studiul regimurilor de cretere a straturilor
subiri i condiiile de depunere cu o particular atenie asupra
vitezelor de cretere i a uniformitii grosimii straturilor. Analiz
proprietilor electrice (conductibilitatea electrica), optice
(spectrofotometria UV/VIS/NIR) i structurale a materialelor
(spectroscopia Raman).
Fabricarea dispozitivelor solare n baza jonciunilor microamorfe de tip
p-i-n i n-i-p precum i a dispozitivelor tandem. Msurarea i
caracterizarea parametrilor fotoelectrice a dispozitivelor obinute i
asamblarea panourilor solare n baza lor.
Numele i adresa
angajatorului
Italian National Agency for New Technologies, Energy and
Sustainable Economic Development (ENEA), Portici Research Centre
Adresa(e) Localit Granatello, 80055, Portici (Napoli), Italia
Tel: +390817723273, Fax: +390817723344, E-mail:
carlo.privato@enea.it, Website: www.enea.it
Tipul activitii sau
sectorul de activitate
Tehnologia straturilor subiri de siliciu amorf i microcristalin


Educaie i formare

Perioada Octombrie 2002 Septembrie 2003
Calificarea/diploma
obinut
Master n fizic
Profilul: Fizica
Specializarea: Fizica
Disciplinele
principale
studiate/competenele
profesionale
dobndite
Optica cuantica
Fizica strii amorfe
Convertori de energie cu semiconductori
Fizica semiconductorilor neordonai
Fizica centrelor adnci n cristale
Fizica frecvenelor nalte
Spectroscopia strii condensate
Modele experimentale ale electronicii cuantice
Teoria strii condensate

Titlul tezei de magistru: Proprietile electrice i fotoelectrice ale
contactului fosfura de indiu electrolit n calitate de convertor
fotovoltaic.
Numele i tipul
instituiei de
nvmnt/furnizorul
ui de formare
Universitatea de Stat din Republica Moldova, Facultatea de Fizic,
Catedra Fizica Aplicat i Informatica
Adresa(e) Str. Mateevici 60, MD2009, Chiinu, Republica Moldova
Tel: +37322577401, Fax: +37322244248, E-mail: rector@usm.md,
172
Website: www.usm.md

Perioada Septembrie 1998 Iunie 2002
Calificarea/diploma
obinut
Liceniat n Fizica
Specialitatea: Fizica
Specializarea: Fizica i energetica netraditional
Disciplinele
principale
studiate/competenele
profesionale
dobndite
Bazele fizice ale microelectronicii
Tehnologia dispozitivelor semiconductoare
Bazele fizice ale optoelectronicii
Fenomene de contact n semiconductori
Fenomene de neechilibru n semiconductori
Fizica dielectricilor
Teoria electronica a semiconductorilor
Termodinamica i fizica statistica
Bazele tehnicii vidului
Electrodinamica
Mecanica cuantica

Titlul tezei de licena: Obtinerea structurilor electrolit fosfura de
indiu i cercetarea proprietilor acestora.
Numele i tipul
instituiei de
nvmnt/furnizorul
ui de formare
Universitatea de Stat din Republica Moldova, Facultatea de Fizic,
Catedra Fizica Aplicat i Informatica
Adresa(e) Str. Mateevici 60, MD2009, Chiinu, Republica Moldova
Tel: +37322577401, Fax: +(37322)244248, E-mail: rector@usm.md,
Website: www.usm.md
Perioada Septembrie 1995 Iunie 1998
Calificarea/diploma
obinut
Diploma de bacalaureat
Disciplinele
principale
studiate/competenele
profesionale
dobndite
Profil real fizico matematic
Numele i tipul
instituiei de
nvmnt/furnizorul
ui de formare
Liceul Teoretic romno-german "Mihail Koglniceanu
Adresa(e) Str. Miron Costin 3, MD2068, Chiinu, Republica Moldova
Tel:+37322442035, Website: www.mkogalniceanu.md

Aptitudini i
competene
personale


173
Limba matern Romn

Limbi strine
cunoscute
Rus, Italian, Spaniol, Englez

Competene i abiliti
sociale
Spirit de echip: am experiena muncii n echip nc din facultate,
cnd am participat la activitile presupuse de proiectele practice i de
cercetare derulate n cadrul facultii. Am continuat s consolidez
aceast experien ca angajat n domeniul specialistic, participnd la
proiectele de cercetare.

Competene i
aptitudini
organizatorice
Disciplina, seriozitate, receptivitate fata de nou, adaptabilitate,
creativitate i originalitate, interes i efort pentru perfecionarea
personala continua. Planificarea activitii unui colectiv de proiect sau
al unei echipe de lucru, asumarea responsabilitii de membru de grup.
Competente n conceperea unor instalaii mecanice. Comunicare. etc.

Competene i
aptitudini tehnice
Depanare aparate electrice, mecanice i electrocasnice

Competene i
aptitudini de utilizare
a calculatorului
O bun cunoatere i stpnire a aplicaiilor informatice (Windows,
Office, Outlook Express, Photoshop, Adobe illustrator, Internet
Explorer, OriginLab)

Competente i
aptitudini artistice
Pasionat de artistica foto

Alte competene i
aptitudini
Hobby: construcii mecanice.

Permis de conducere B

Informaii
suplimentare
Referinele pot fi furnizate la cerere