Convertoare statice Convertoare statice

CURS 5
http://www.conv.pub.ro/conv_stat/
2.7. Protectia tiristoarelor
2.7.1. Protectia la supracurenti
Protecia la supracureni se realizeaz cu sigurane fuzibile, n acelai mod ca i la
diode.
2.7.1. Protectia la supratensiuni
Protecia la supratensiuni se face cu: Protecia la supratensiuni se face cu:
- grup RC;
- cu varistoare; cu varistoare;
- cu diode cu avalan controlat.
Grupul RC diminueaz att amplitudinea, ct i panta supratensiunii. p p , p p
Energia undei de supratensiune se conserv, dar, dintr-o und cu amplitudine mare i durat
scurt, este transformat ntr-o und de durat mare i amplitudine mai mic dect limita p
periculoas pentru tiristor.
Grupul RC trebuie realizat cu elemente de putere mai mic sau mai mare, corespunztoare
energiei undei de supratensiune. La tiristor, grupul RC are i rolul de a grbi amorsarea
tiristorului, n circuite cu sarcin inductiv mare, deci cu pant a curentului foarte mic.
I
C
i
C
i
i
i s
I
L
C
t
i
i
T
s
t
1
t
2
t
i
G
0
t
0
t
g
G bi ii i i l i RC Grbirea amorsrii tiristorului cu grup RC
Pentru ca panta iniial a lui i
T
s nu fie prea mare, se limiteaz curentul maxim de
d l d l i i i R f l descrcare al condensatorului prin rezistena R, astfel ca:
TRM s
C
C s T
I I
R
V
I I I s + = + =

max
Pentru exemplul dat, impulsul de comand de durat t
g
nu poate amorsa tiristorul dect n
prezena grupului RC, deoarece : t
g
< t
2
, dar t
g
> t
1
.
La convertoarele de puteri mari, grupul RC se leag la bornele tiristorului printr-o punte
redresoare auxiliar, pentru a putea utiliza un condensator electrolitic mai ieftin. Dispare ns
posibilitatea de a grbi amorsarea tiristorului n cazul consumatorilor puternic inductivi. Se poate
monta un grup R
0
C
0
suplimentar, de putere mic
T
R
0
R
T
1
R
C
T
2
C
R
1
C
0
a
R
L
a) b)
Circuit de protecie individual la supratensiuni :
) d l i i b) l i i l l l a) de valori mari ; b) la tiristoare legate n paralel
La convertoare de putere mare, cu tiristoare legate n paralel, tiristorul care se aprinde
i l t i it il d t i RC l l l lt ti i t I d ti it t t t primul scurtcircuiteaz grupurile de protecie RC ale celorlalte tiristoare. Inductivitatea conectat
n serie cu fiecare tiristor, cu rol de egalizare a repartiiei curentului, previne descrcarea
celorlalte condensatoare pe tiristorul intrat primul n conducie i particip la atenuarea
supratensiunilor O rezisten R n paralel cu inductivitatea amortizeaz oscilaiile parazite supratensiunilor. O rezisten R
a
n paralel cu inductivitatea amortizeaz oscilaiile parazite.
2.7.2. Protecia mpotriva autoaprinderii prin efect dv
T
/dt
Se realizeaz att cu mijloace externe (configuraia circuitului), ct i interne (structura
semiconductorului). Grupul RC n paralel pe tiristor are efect favorabil i n aceast problem
Pentru tiristoarele de mic i medie putere o soluie frecvent utilizat este conectarea
unei rezistene n circuitul de comand (a). Aceast rezisten cu valori de 0,25kO, deviaz n
circuitul exterior o parte a curentului de deplasare din baza tranzistorului T
1
(npn) din schema p p
1
( p )
echivalent a tiristorului. Astfel se mpiedic stabilirea reaciei interne de curent prin decuplarea
acestui tranzistor. Acelasi efect are i negativarea grilei n raport cu catodul
G K
sunturi
R
R
T
R
T
p
n
++
G K
sunturi
K
G
2
T
I
S
I
2
I
R
S
(npn)
R
G
R
V
G
G p
++
n
-
T
1
I
B2
I
C1
(pnp)
(npn)
a) b)
A
c)
A
d)
Metode de protecie mpotriva autoaprinderii prin efect dv
T
/dt :
a) cu rezisten n circuitul de comand ; b) cu polarizare invers a circuitului de comand ;
c) structura tiristorului cu unturi la catod ; d) schema echivalent pentru structura de la poziia
c).
Soluia intern pentru creterea capabilitii n dv
T
/dt o constituie tiristoarele cu unturi la
catod. Aceste unturi sunt legturi directe ntre suprafaa metalizat de la catod i stratul slab
dopat p al porii, legturi ce traverseaz stratul puternic dopat n al catodului.
Prin aceste unturi, curentul de deplasare generat n structura tiristorului se evacueaz direct
d f i j l i i i d di spre catod, fr s mai joace vreun rol n generarea reaciei interne de curent. Tot din cauza
unturilor, eficiena de injecie a stratului puternic dopat p, care este baza tranzistorului T2, scade
i astfel coeficientul o
n
este meninut la o valoare mic. n acest mod se menine
+ < 1 i it it o
n
+ o
p
< 1 i se evit amorsarea parazit.
Actualmente se realizeaz tiristoare de putere cu 2030 unturi uniform distribuite pe
suprafaa catodului iar capabilitatea n dv /dt crete de la 20 50V/s la 1000 1200 V/s suprafaa catodului, iar capabilitatea n dv
T
/dt crete de la 2050V/s la 10001200 V/s.
Aceast soluie constructiv pentru tiristoare are bineneles i dezavantaje :
- creterea cderii de tensiune n stare de conducie deci i a pierderilor P pentru a - creterea cderii de tensiune n stare de conducie, deci i a pierderilor P
TAV
pentru a
menine acelai curent direct mediu prin tiristor, deoarece aria catodului este mult diminuat ;
- scderea capabilitii n di
T
/dt, deoarece scade viteza de rspndire a ariei iniiale de
conducie ; conducie ;
- creterea timpului de amorsare, t
gt
.
Capabilitatea n dv
T
/dt poate fi variat prin p
T
p p
- alegerea dimensiunilor i amplasrii unturilor;
- o dopare mai puternic a stratului porii;
- mrirea limii acestui strat.
2.7.3. Protecia mpotriva distrugerii prin efect di
T
/dt
Protecia mpotriva distrugerii prin efect di
T
/dt se poate face extern prin nserierea tiristorului
cu o inductivitate dar care are i urmtoarele dezavantaje :
mrirea timpului de amorsare ;
il ii i i i l d oscilaii parazite n circuitul de putere ;
gabarit mrit al instalaiei.
O l i i t d t i t d i lifi d i O soluie intern de protecie const n adugarea unui amplificator de poart integrat
n structura semiconductoare, care s acioneze numai n faza iniial a procesului tranzitoriu de
amorsare
R
K
Gp
I
++
G
K
++
I
T
G
I
G
I
T
a
p
p
I
p
n
++
n
-
p
n
++
a
a
I
Gp
p
I I
A
a
I
p
I
A
p
++
p
a)
A
b)
Tiristor cu amplificator de poart integrat : Tiristor cu amplificator de poart integrat :
a) schema echivalent ; b) structura semiconductoare
Schema echivalent (a) este cea a unui amplificator Darlington cu tiristoare format Schema echivalent (a) este cea a unui amplificator Darlington cu tiristoare, format
dintr-un tiristor principal T
p
i unul auxiliar T
a
. Prin aplicarea unui semnal de comand lui T
a
,
acesta amorseaz ; prin intermediul rezistenei R se aplic pe poarta tiristorului principal T
p
, un
curent de comand mrit (I =I +I ) ceea ce determin o suprafa iniial de conducie mrit curent de comand mrit (I
Gp
=I
a
+I
G
), ceea ce determin o suprafa iniial de conducie mrit
i o cretere a capabilitii n di
T
/dt, concomitent cu scderea puterii consumate n circuitul de
comand.
R
T
K
G
G
I
T
Gp
I
p
n
++
G
K
p
n
++
a
I
Gp
T
A
a
I
G
T
a
p
p
I
p
++
n
-
a
p
I I
a)
A
A
p
b)
Structura semiconductoare are dou zone puternic dopate n, una principal n
p
++
i alta
auxiliar n
a
++
, corespunztoare celor dou tiristoare. Curentul I
Gp
este transmis prin metalizarea
a Gp
ce leag straturile n
a
++
i p. Dup amorsarea lui T
p
, tiristorul auxiliar T
a
trebuie s se blocheze i
s nu mai participe la conducie. Tiristoarele cu amplificator de poart integrat au ctig n curent
la amorsare (G
on
) foarte mare.
T
A
T
a
p
G
l
G
K
G
l
a)
K
b) a) b)
Tiristor interdigitat cu amplificator de poart integrat :
a) explicativ pentru interdigitare; b) schema echivalent
La tiristoarele de putere mare este foarte important ca ntreaga suprafa a catodului s
intre practic odat n conducie. Deoarece aria acestor tiristoare este mare, ele se construiesc cu
t t i i t di it t l il i t d l t t d structuri interdigitate, la care grila i catodul se ntreptrund.
Deoarece dimensiunea l a zonelor de catod este comparabil cu cea a zonei iniiale de
conducie (100250m), la aplicarea semnalului de comand, conducia se iniiaz practic n
toat aria catodului ridicnd astfel mult limita lui (di /dt) care ar putea provoca distrugerea toat aria catodului, ridicnd astfel mult limita lui (di
T
/dt)
crit
, care ar putea provoca distrugerea
tiristorului.
Exist tiristoare cu structur interdigitat i cu amplificator de poart integrat. n acest
mod se poate ajunge pn la valori de peste 1000 A/s i la un ctig mare n curent mod se poate ajunge pn la valori de peste 1000 A/s i la un ctig mare n curent
3. TIRISTOARE SPECIALE
Exigene impuse tiristoarelor
tensiuni de blocare, directe i inverse tot mai ridicate ;
cureni inteni n circuitul de for;
viteze mari de variaie a tensiunii i curentului n regim tranzitoriu; g ;
timpi de comutaie redui;
putere de comand mic.
soluii constructive contradictorii
i i i li d i i tipuri specializate de tiristoare:
- tiristoare pentru convertoare ce funcioneaz la frecvena reelei (pentru
redresoare i variatoare de c.a.);
ti i t t t f i l f lt ( t - tiristoare pentru convertoare ce funcioneaz la frecvene nalte (pentru
invertoare i choppere);
- tiristoare comandate prin semnal optic, pentru instalaiile de nalt
tensiune ; tensiune ;
- tiristoare cu blocare pe poart, pentru aplicaiile n traciune electric ;
triace, pentru variatoare de tensiune alternativ
3.1. Tiristoarele pentru funcionare la frecvena reelei
Au configuraia convenional i au fost prezentate detaliat anterior. Au configuraia convenional i au fost prezentate detaliat anterior.
Caracteristici:
- tensiuni de blocare de pn la 5kV; - tensiuni de blocare de pn la 5kV;
- cureni de pn la 3kA;
- cderi de tensiune mici, de maximum 2V;
- timp de comutaie este mare (50s<t <200s), dar acest lucru nu are importan, timp de comutaie este mare (50s t
q
200s), dar acest lucru nu are importan,
frecvena de comutaie fiind de cel mult 50Hz.
-suport pante relativ mari ale tensiunii, de pn la 1000V/s;
- suport pante ale curentului de numai 200A/s. p p
- poate fi mbuntit utiliznd tiristoare cu amplificator de poart integrat,
ceea ce permite i scderea curentului de comand pn la 1...2A, deci
consum redus de putere n circuitul de poart.
3.2. Tiristoare pentru funcionare la frecvene nalte
Invertoarele i chopperele sunt convertoare statice alimentate n c c la care comutaia Invertoarele i chopperele sunt convertoare statice, alimentate n c.c., la care comutaia
este fie forat, fie natural de la sarcin. Energia reactiv necesar comutaiei este furnizat de
condensatoare i inductiviti, a cror valoare i gabarit este cu att mai mare, cu ct timpul de
comutaie este mai lung Iat de ce tiristoarele pentru invertoare i choppere trebuie s fie comutaie este mai lung. Iat de ce, tiristoarele pentru invertoare i choppere trebuie s fie
rapide, cu timpi de blocare mici (2s<t
q
<50s).
Un procedeu de micorare a timpului de blocare t
q
, este reducerea timpului de via al
purttorilor minoritari din bazele celor dou tranzistoare echivalente ale tiristorului. Metodele
principale de atingere a acestui scop sunt aceleai cu cele utilizate la diodele rapide: introducerea
de impuriti de aur sau platin i iradierea cu particule de energie mare (electroni, neutroni,
protoni). Modificarea duratei de via a purttorilor minoritari are ns un efect negativ asupra
altor parametri ai tiristorului: scad tensiunile de blocare, crete cderea de tensiune n conducie,
scad capabilitile n dv
T
/dt i di
T
/dt.
Fiecare dintre procedeele cunoscute are avantaje i dezavantaje. Funcie de scopul principal
it i ti l i d t i i i i t bil l l li t i f i li urmrit, micorarea timpului de comutaie i variaia acceptabil a celorlali parametri funcionali,
cea mai eficient metod este doparea cu platin, dar este i cea mai scump.
O mrire a frecvenei de lucru pn la 10...15 kHz necesit i micorarea timpului de amorsare
t Aceasta implic ns i mrirea capabilitii n di /dt Aceste dou cerine se realizeaz la t
gt
. Aceasta implic ns i mrirea capabilitii n di
T
/dt. Aceste dou cerine se realizeaz la
structurile interdigitate i cu amplificator de poart integrat.
3.2.1. Tiristoare cu blocare asistat de poart (GATT= Gate Assisted Turn off Thyristor)
Anterior s-a amintit efectul benefic al aplicrii, ctre sfritul preocesului tranzitoriu de Anterior s a amintit efectul benefic al aplicrii, ctre sfritul preocesului tranzitoriu de
blocare, a unei tensiuni inverse n circuitul de comand. Aceast tensiune de valoare mic
(2...6V) determin devierea, n circuitul exterior gril-catod, a unei pri din curentul pe care l
genereaz reaplicarea tensiunii directe. Astfel este mpiedicat polarizarea direct a jonciunii g p p p j
gril-catod i deci, procesul intern care ar determina reamorsarea tiristorului.
n figura urmatoare se observ corelarea ntre momentul aplicrii semnalului de comand
negativ cu cel al tensiunii directe, precum i anularea curentului direct parazit.
T
I
d
i
di
T
dt
i
T
I
-
t
q
[ s]
12
I
D
t
I
R
d
i
G
8
t
v
dv
T
dt
V
D
t
q
T
4
4 6
i [A]
G
8
t
dt
D
V
R
a)
0
0
-2 -4 -6 -8
-4 -8 -12
v [V]
G
b)
a) Comutaia unui tiristor GATT ; b) Timpul de blocare funcie de semnalul negativ de comand
Observatii:
Se observ o scdere drastic de pn la 50% a timpului t
q
, dac se menine constant I
T
. p p
q

T
Creterea peste 10A a curentului de comand invers nu mai are un efect sesizabil n scderea
timpului de blocare. Pentru parametrii I
T
, I
GR
i V
GR
constani, timpul de blocare crete cu
creterea pantei tensiunii dv
T
/dt, a curentului anodic di
T
/dt i a temperaturii de lucru T
vJ
.
La tiristoarele cu unturi la catod, acest procedeu de grbire a blocrii nu este eficient i are
chiar efect contrar. O variant mbuntit este tiristorul cu dou nivele de interdigitare
(TIL=Two Levels Interdigitation) la care ntreptrunderea celor dou straturi (catodului i porii)
este realizat pe dou direcii perpendiculare. Aceast configuraie permite ntreruperea reaciei
interne de curent prin decuplarea tranzistorului npn (vezi schema echivalent a tiristorului din
Fig.3.4) n momentul n care, la aplicarea tensiunii directe, cu dv
T
/dt mare, apare pericolul
ii it C t l d d l i t t t i i l l amorsrii parazite. Curentul de deplasare care ia natere, este evacuat cu uurin prin canalele
create n zona mai groas a stratului slab dopat p. Rezistena acestei zone fiind mai mic, nu se
ajunge la o polarizare a jonciunii J
3
suficient pentru a declana reacia intern de curent. Cu
acest tip de structuri timpul de blocare este redus de pn la ase ori La cureni inveri de acest tip de structuri, timpul de blocare este redus de pn la ase ori. La cureni inveri de
comand mici i reducerea lui t
q
este mai mic (50% la curent invers de 0,51 A).
n anumite convertoare statice, de exemplu n invertoarele de tensiune, tiristoarele sunt
montate antiparalel cu diode deci proprietatea lor de a bloca tensiuni inverse mari devine inutil montate antiparalel cu diode, deci proprietatea lor de a bloca tensiuni inverse mari devine inutil.
Din acest motiv, s-au conceput tiristoare care nu mai blocheaz tensiuni inverse, dar au mult
mbuntite performanele la polarizare direct.
3.2.2. Tiristoarele asimetrice (ASCR = Asymetrical Silicon Controlled Rectifier)
A
J
1
J
2
J
3
G
A
p n p
A
K
1 2 3
++
-
n
++
G
K
a)
n
l
b)
G
++
Tiristor asimetric : a) simbol ; b) structur
Spre deosebire de structura unui tiristor convenional, acest tip de tiristoare are un strat p , p
suplimentar, puternic dopat n, introdus ntre stratul puternic dopat p i cel slab dopat n.
Jonciunea J
1
a tiristorului este acum ntre dou straturi puternic dopate i deci, din acest motiv,
nu va mai putea susine o tensiune invers mare (maximum 20V).
Caracteristica static a acestui tiristor este asemntoare cu cea a tiristorului
convenional, cu diferena c tensiunea invers de strpungere este cu dou ordine de mrime mai
mic. mic.
i
T
I
C I
V
BR
I
H
I
L
V
T0
V
B0
v
T
C III
Caracteristica static a unui tiristor asimetric
2,5
2,6V
SCR
1 5
2
1,5V
0 25V
ASCR
1
2
5 10 20 30 50
1
1,5
1,35V
0,25V
Timpul de blocare pentru un tiristor convenional (SCR) i unul asimetric (ASCR), la aceeai
densitate de curent (2A/mm
2
) i tensiune de blocare (1200V) .
Stratul suplimentar puternic dopat n micoreaz lungimea l a stratului slab dopat n. Totui, nu
exist pericolul extinderii zonei de sarcin spaial a jonciunii J
2
pn la jonciunea J
1
i
scurtcircuitarea lor, tocmai din cauza existenei unei zone puternic dopate n. Reducerea lungimii
l determin reducerea lungimii de difuzie a purttorilor de sarcin i deci, durata lor de via.
Astfel se obine o scdere de 2...3 ori a timpului de blocaj t
q
fa de un tiristor convenional,
i d d i di d i i i d l i d i precum i o cdere de tensiune direct n conducie mai mic. Reducerea lui t
q
determin
scderea pierderilor n comutaie i permite astfel creterea frecvenei de comutaie a tiristorului
pn la 35kHz.
3.2.3. Tiristoare cu conducie n invers (RCT = Reverse Conducting Thyristors)
Reprezint un ansamblu tiristor (nesimetric) - diod montate antiparalel. Reprezint un ansamblu tiristor (nesimetric) diod montate antiparalel.
A
A
A
A
p
++
++
p
++
G
K
G
G
T D
n
++
p
n
_
n
++
n
++
a) b) c)
K K
K
K G
n n
Ti i d i i RCT ) i b l l b) ) h l i Tiristoare cu conducie n invers RCT : a) simbolul ; b) structura ; c) schema electric
echivalent
Se observ existena de unturi att la catodul, ct i la anodul acestei structuri
Tiristorul poate fi i asimetric dac exist strat suplimentar puternic dopat n.
V
Bo
RCT
i
T
I
L
C I
SCR
I
H
I
L
V
T0
V
B0
v
T
C III
T
J
C III
a) b)
Ti i d i i RCT ) i i i b) i i Tiristoare cu conducie n invers RCT : a) caracteristica static ; b) variaia cu temperatura a
tensiunii de autoaprindere
Avantajele Tiristoarelor cu conducie n invers:
timp de blocaj redus, procesul tranzitoriu fiind independent de procesul de refacere a
capacitii de blocare a celor dou tranzistoare componente;
temperaturi de lucru posibile ceva mai mari (150C);
valori mai mari pentru curenii maxim admii i puterea maxim disipat ;
i d i d i i i d ii tensiune de autoaprindere mai mare i creterea ei o dat cu creterea temperaturii
deoarece jonciunea J
2
se comport, datorit unturilor, ca jonciunea unei diode i nu ca o
jonciune inclus n structura complex a tiristorului;
i lifi i il simplificarea conexiunilor;
economisirea unei capsule pentru diod.
3.2.3. Tiristoare cu blocare pe poart GTO (Gate Turn Off Thiristors)
A
A
A
p
++
K
G
K
G
A
p
n
++
K
G
K K
n
G
++
a) b)
Tiristorul GTO : a) simbol ; b) structur.
Tiristorul GTO funcioneaz ca un tiristor convenional la polarizare direct, dar
este blocat printr-un semnal de comand negativ, aplicat pe poart, fr ns s mai fie
nevoie de inversarea tensiunii anod-catod nevoie de inversarea tensiunii anod catod
Aparent funcioneaz ca un tranzistor, dar are avantajele tiristoarelor:
- poate bloca tensiuni inverse i directe mult mai mari;
- poate vehicula cureni importani;
- are o rezisten sporit la suprasarcini are o rezisten sporit la suprasarcini.
Fa de tiristoarele convenionale, are avantajul simplificrii circuitelor de for,
deoarece se elimin acumulatoarele de energie (inductiviti i capaciti) necesare forrii g ( p )
blocrii n cazul tiristoarelor normale.
Dezavantajele j
- un pre nc mare comparativ cu al tiristoarelor convenionale;
- un consum sporit de energie n circuitul de comand
Constructiv, un tiristor GTO se deosebete de unul convenional prin aceea c, datorit
gradului de dopare i grosimii straturilor semiconductoare, factorii de amplificare n curent
colector - emitor (o
n
i o
p
), ai celor dou tranzistoare componente sunt mult diferii:
o
n
=0,6...0,8 este mai mare;
o
p
=0,1...0,2 este mai mic
dect la structura convenional.
Di l ii f t i i l i d i f l ti i t l l l Din cauza valorii foarte mici a lui o
p
, dei amorsarea se face ca la tiristorul normal, la
GTO este nevoie de meninerea unui curent de comand continuu pe durata conduciei.
n plus deoarece se utilizeaz structura interdigitat contactul de poart este ramificat n plus, deoarece se utilizeaz structura interdigitat, contactul de poart este ramificat
i acioneaz practic instantaneu asupra ntregii suprafee a catodului. Interdigitarea echivaleaz
ns practic cu o structur format din mai multe tiristoare legate n paralel, motiv pentru care
curenii I I i I sunt pn la de 10 ori mai mari dect la un tiristor conveional cu curenii I
GT
, I
L
i I
H
sunt pn la de 10 ori mai mari dect la un tiristor conveional, cu
performane comparabile.
Functionare
A
T (pnp)
2
I
I
E2
= I
T
I
B2
= I
C1
G
I
C2
I
GR
T (npn)
1
I
B1
I
E1
K
E1
Datorit extragerii de curent prin circuitul de poart curentul de comand I pentru T Datorit extragerii de curent prin circuitul de poart, curentul de comand I
B1
pentru T
1
scade, deci scade i curentul su de colector I
C1
. Acesta este ns curent de baz pentru T
2
. Cu
curent de comand sczut i factor de amplificare o
p
mic, T
2
va avea un curent de colector I
C2
insuficient pentru a menine reacia intern de curent i tiristorul se va bloca. insuficient pentru a menine reacia intern de curent i tiristorul se va bloca.
Condiia pentru blocarea tiristorului este deci:
GR C B
I I I s
2 1
Aplicnd relaiile cunoscute de la tranzistoare1e bipolare:
) 1 ( I I I =
02 2 p 2
01 1 n 1

) 1 (
CB E C
CB E B
I I I
I I I
+ =
=
pentru cureni baz colector I
CB01
i I
CB02
neglijabili, se obine
GR E E
I I I s
2 p 1 n
) 1 (
T E GR T E
I I I I I = =
2 1
si
( )
GR T GR T
I I I I s ) 1 (
p n
( )
T GR
I I

1 -
n
p n
+
>
n
Se definete un factor de ctig n curent la blocare G
off
, similar cu G
on
( )

1

n
+
s =
T
off
I
I
G
( ) 1 -
p n
+
GR
ff
I
Valori practice pentru G
off
sunt cuprinse n domeniul (28), adic este nevoie de un
off
curent invers de comand mare, de (2050%) din curentul principal. La tiristoarele GTO cu
amplificator de poart integrat i interdigitare, curentul invers de comand este mult redus, la
(15%) din curentul principal.
Caracteristicile statice ale tiristoarelor GTO deriv din cele ale tiristoarelor convenionale.
Caracteristica circuitului de for este identic, iar caracteristica de comand difer numai n
cadranul trei, adic acolo unde este domeniul comenzii la blocare. Corespunztor acestui
domeniu exist mrimi caracteristice specifice :
I
GRM
este valoarea maxim a curentului invers de comand ; depirea acestei valori,
determin distrugerea jonciunii J
3
prin efect electrotermic ;
I
GRmin
este valoarea minim a curentului invers de comand care mai poate asigura totui
blocarea tiristorului ;
V
GRM
este tensiunea invers maxim care poate fi aplicat jonciunii poart-catod. Are
valori uzuale de 1015V. Depirea acestei valori provoac strpungerea jonciunii J
3
;
V
GRmin
este tensiunea invers minim de comand care asigur blocarea tiristorului ;
i
A
I
GM
I
i
G
L
1
L
2
V
GRM
V
GR min
v
G
V
V V
I
GT
I
GD
B
I
I
GR min
v
GR
V
GD
V
GT
V
GM
I
GRM
i
GR
Caracteristica de comand a tiristorului GTO
Regimul dinamic al tiristorului GTO .
i
T
v
T
di
T
/dt
i
T I
TQM
V
DM
V
D
0,9V
D
v
T
TQM
V
D
i
T
0,9I
V
DSP
TQM
0,1V
D
t
gd
t
gr
I
TQ
0,25I
TQ
I
D
v
T
v
T
DSP
t
s
t
f
t
t
t
t
gt
s
f t
t
gq
t
off
t
i
G
v
G
di
G
/dt
I
GM
I
G
t
0
i
G
v
G
0 1I
0,1I
GM
0,1I
GRM
0,5I
GRM
V
GR
G
0,1I
GM
t
i
GR
,
GRM
di
GR
/dt
I
GRM
V
GRM
t
br
Procesul tranzitoriu la amorsare se desfoar la fel cu cel al tiristorului convenional
i este definit de aceeai timpi t
gd
, t
gr
i t
gt
. Comparativ cu un tiristor convenional cu parametrii
bili ti i t l GTO ti t i i bilit t di/dt it comparabili, tiristorul GTO are un timp t
gt
mai mare i o capabilitate n di/dt sporit.
Procesul tranzitoriu la blocare este prezentat pentru sarcin rezistiv inductiv Procesul tranzitoriu la blocare este prezentat pentru sarcin rezistiv - inductiv,
tiristorul fiind echipat cu circuit de mbuntire a comutaiei la blocare
. nceputul comutaiei n invers este momentul t
0
, cnd curentul invers de comand are
o valoare egal cu 10% din valoarea sa maxim Curentul i scade att de rapid nct produce o valoare egal cu 10% din valoarea sa maxim. Curentul i
T
scade att de rapid, nct produce
supratensiuni de comutaie superioare lui V
DRM
, motiv pentru care se monteaz circuitul RCD de
mbuntire a comutaiei. Acest circuit este asemntor cu cel folosit la tranzistoarele bipolare,
dar dimensionat pentru puteri mai mari i deci, mai scump. dar dimensionat pentru puteri mai mari i deci, mai scump.
G
v
G
A
K
i
G
i
GR
v
GR
v
T
L
i
T
D
v
T
D
C
R
u
C
Circuit de mbuntire a comutaiei la blocarea tiristorului GTO
Dup amorsare, tiristorul GTO trebuie s rmn n conducie un timp minim,
specificat, nainte de a putea fi blocat. Acest lucru este impus de faptul c puterea, dezvoltat pe
durata proceselor tranzitorii, ridic temperatura dispozitivului. ntre solicitrile termice de la p p p
amorsare i blocare trebuie deci s fie o pauz minim
Parametrii regimului dinamic la blocare:
t
s
este timpul de stocare i reprezint intervalul de timp, msurat de la t
0
, necesar
curentului anodic s scad la 90% din valoarea sa de regim permanent.
Zona de conducie prin tiristor se micoreaz, ceea ce duce la creterea temperaturii
ii i d C d fi i i ii f i structurii semiconductoare. Cnd o parte suficient a sarcinii stocate a fost evacuat, reacia
intern de curent este ntrerupt i curentul i
T
scade.
t
f
este timpul de cdere i reprezint intervalul de timp necesar scderii curentului
i de la 90% din valoarea sa de regim permanent pn la valoarea curentului de ncheiere (sau de i
T
de la 90% din valoarea sa de regim permanent, pn la valoarea curentului de ncheiere (sau de
coad), notat I
TQ
. Acest timp (uzual t
f
~1s) se caracterizeaz printr-o scdere cu pant foarte
mare a curentului i
T
.
t
b
este timpul de strpungere Dup t
f
jonciunea J
3
ncepe s conduc n invers t
br
este timpul de strpungere. Dup t
f
jonciunea J
3
ncepe s conduc n invers
prin efect Zener. Din cauza inductivitii parazite a circuitului de poart, inversarea sensului
pantei curentului de comand (di
GR
/dt) determin o supratensiune de comutaie invers, care
poate strpunge jonciunea, n caz c nu se iau msuri pentru limitarea ei la valoarea V
GRM
. Acest po e s pu ge jo c u e , c c u se u su pe u e e v o e V
GRM
. ces
fenomen dureaz timpul t
br
, n care trebuie evacuat o mare cantitate din purttorii de sarcin
stocai n bazele tranzistoarelor echivalente.
t
gq
= t
s
+t
f
este timpul de blocare prin comand pe poart.
gq s f
p p p p
t
t
este timpul de ncheiere (de coad) i reprezint intervalul de timp necesar
curentului i
T
s scad de la valoarea I
TQ
, la curentul I
D
foarte mic, practic nul, corespunztor
tiristorului blocat. Acest timp este necesar pentru evacuarea tuturor purttorilor de sarcin rmai
n stratul puternic dopat n al catodului.
t
off
= t
gq
+t
t
este timpul total de blocare.
Alti parametrii:
I
TQM
(notat i I
TGQ
sau I
TGQM
) este curentul anodic maxim controlabil de poart
i reprezint valoarea maxim a curentului direct care poate fi ntrerupt eficient, o singur dat,
prin aplicarea pe poart a unui semnal adecvat. Acest curent se indic pentru temperatura
j i ii 12 C i i di 2/3 jonciunii T
vJ
=125C i o tensiune direct V
D
=2/3V
DRM
.
I
TQRM
este curentul anodic maxim repetitiv controlabil de poart i reprezint
valoarea maxim a curentului direct care poate fi ntrerupt eficient n mod repetitiv prin aplicarea
t i l d t A t t i di t l l i diii i I pe poart a unui semnal adecvat. Acest curent se indic n catalog n aceleai condiii ca i I
TQM
.
G
off
= I
TQRM
/ I
GRM(min)
este ctigul maxim n curent la blocare
3.2.4. Tiristorul cu blocare pe poart i conducie n invers (RC-GTO = Reverse Conducting
GTO).
A
G
A
A
G
D
T
a) b)
G
K K
G
K
Tiristorul cu blocare pe poart i conducie n invers (RC-GTO): a)simbol; b)schema.
Acest tiristor este echivalent cu un tiristor GTO legat antiparalel cu o diod i pe lng Acest tiristor este echivalent cu un tiristor GTO legat antiparalel cu o diod i, pe lng
proprietile deja cunoscute ale unui RCT, poate fi blocat prin comand pe poart
3.2.5. Tiristor cu poarta controlat de MOSFET (MCT = Mos Controlled Thyristor)
Este un tiristor obinuit cu unul sau dou tranzistoare MOS-FET nglobate n structura porii. Este un tiristor obinuit cu unul sau dou tranzistoare MOS FET nglobate n structura porii.
Exist dou variante constructive:
cu control prin MOS-FET att la blocare, ct i la amorsare; p , ;
cu amorsare obinuit i control prin MOS-FET numai la blocare.
A
ON - FET
(canal n)
T
2
G
G
K
SiO
2
+ +
OFF - FET
(canal p)
G
( )
T
C1
T
C2
T
1
G
G
p
+
-
p
canal
OFF - FET
p
+
n
+
n
-
n
G
A K
)
K
b)
canal
ON - FET
A
)
-
n
p
+
c) a)
Tiristorul cu poart controlat de MOSFET la blocare i la amorsare: a) structur; b) schema
echivalent; c) simbol.
SiO
echivalent; c) simbol.
A
T
2
G
G
K
SiO
2
p
+
n n
_
_
p
+
OFF FET
T
C2
G
T
1
+
_
canal
OFF - FET p
n
n
b)
K
OFF - FET
(canal p)
A
a)
p
+
Tiristorul cu poart controlat de MOSFET la blocare:
a) structur; b) schema echivalent.
Aceste dispozitive au aplicaii similare unui GTO, dar semnalul de comand pe poart pentru
amorsare i blocare este n tensiune i deci, mai uor de obinut ,
Avantajele principale ale tiristoarelor MCT sunt:
- comanda n tensiune, deci mai simpl;
- consumul mai mic de energie n circuitul de comand fa de un GTO, mai
ales la blocare;
- posibilitatea de utilizare ntr-o plaj foarte larg de temperaturi, ntre
-55 C i 300 C;
- uurina de a fi conectate n serie i paralel, fr s necesite msuri d
eosebite de egalizare a repartiiei curenilor sau tensiunilor.
Actualmente, performanele limit ale acestor tiristoare sunt:
=3000 V; 1000V/s =1V
V =
|
|

|
v d
V
=3000 V; 1000V/s, =1V
=300A;
=1 s, =1000A/s
= 1 2 s
RRM
V
TAV
I
gt
t
ff
t
=
|
.

\
crit
t d
crit
t
i
|
.
|

\
|
d
d
TM
V
= 1.2 s,
off
t
crit
3.2.6. Triacul
E
1
i
T
E
1
E
1
T
2
T
1
i
G
G
v
G
T
E
2
v
T
n
1
p
1
n
2
E
1
G
G
E
G
G
p
2
n
G
n
3
E
2
E
2
a) b)
E
2
G
2
c)
T i l ) i b l b) h hi l )
TT
Triacul: a) simbol; b) schem echivalent; c) structur
Este destinat construirii variatoarelor de c.a. i ntreruptoarelor statice, care necesit
d bil bidi i l
1
T
1
T
componente comandabile, bidirecionale n curent.
Este echivalent cu dou tiristoare montate antiparalel, dar comandate printr-o singur
t poart
n cristalul semiconductor se realizeaz trei straturi: p
1
,n
2
i p
2
. Se difuzeaz o zon n
1
n stratul p
1
i alte dou zone, n
G
i n
3
, n stratul p
2
. Metalizrile pentru electrozi (E
1
, G i E
2
)
f l d fi il i l sunt astfel depuse, nct s fie n contact att cu straturile p, ct i cu zonele n.
Ansamblul (p
1
n
2
p
2
n
3
) formeaz tiristorul , iar (n
1
p
1
n
2
p
2
) formeaz tiristorul .
1
T
2
T
Triacul se va comporta ca un tiristor, indiferent de polaritatea tensiunii aplicate n
circuitul principal sau n cel de comand.
Mrimile caracteristice ale triacului sunt aceleai cu ale tiristorului
i
T
v
T
>0
C I
I
H(+)
I
1
v
T
>0
E
1
+
E
2
_
I
L(1)
I
H(-)
H(+)
I
G
=0
V
B0
+v
T
-v
T
-V
B0
I
G
=0
2
4
-V
T0
+V
T0
+
3
4
v
T
<0
E
2
+
E
1
_
I
L (3)
C III
i
G
I
GT
I
2
3
-i
T
E
2
+
+v
G
-v
G
I
GD
V
GT
V
GD
1
1'
2'
3'
-i
G
2
3'
a)
b)
Caracteristicile statice ale triacului a) caracteristica curent-tensiune; b) caracteristica de
comand.
Caracteristicile statice ale triacului deriv din cele ale tiristoarelor componente, cu diferena c
triacul are practic aceeai comportare att n cadranul CI, ct i n cadranul CIII. n cadranul CI
t t i ti d bl j (2) i d d i (1) ti i t l i T l i t di t i d l este caracteristica de blocaj (2) i de conducie (1) a tiristorului T
1
polarizat direct, iar n cadranul
CIII este caracteristica de blocaj (4) i de conducie (3) a tiristorului T
2
polarizat direct.
Triacul poate bloca tensiuni mari n ambele sensuri la cureni reziduali neglijabili aa Triacul poate bloca tensiuni mari n ambele sensuri, la cureni reziduali neglijabili, aa
cum indic poriunile 2 i 4 din figura, deoarece dopajul straturilor p
1
i p
2
este practic egal i
tensiunile sunt suportate de jonciunile p
1
n
2
sau n
2
p
2
, dup caz.
Triacul poate conduce cureni mari n ambele sensuri, la cderi de tensiune mici
(poriunile 1 i 3 din Fig.3.51.a),
Triacul este amorsat de semnale de comand de ambele sensuri i i recapt
capacitatea de blocare atunci cnd curentul scade sub valoarea de meninere,I
H
.
Calculul circuitului de comand se face astfel nct punctul de funcionare s se
gseasc n zonele de amorsare sigur, 3 i 3' ale caracteristicii de comand
Triacul poate fi amorsat printr-un semnal de comand aflat n oricare dintre cele patru cadrane ale
planului V
T
,V
G
.
ntre curenii de amorsare sigur exist urmtoarea relaie
I I I I
( ) ( ) ( ) ( ) CIV CII CIII CI
GT GT GT GT
I I I I < < ~
unde este curentul de comand din cadranul CK al planului (V
T
,V
G
). Comanda n cadranul
( )
GT
I
unde este curentul de comand din cadranul CK al planului (V
T
,V
G
). Comanda n cadranul
CIV este recomandabil s se evite.
( ) CK
GT
V
T
E
1
+
E
2
_
G
+
; ;
E
1
+
E
2
_
G
_
; ;
CI
CII
+V
G
-V
G
1 2
E
+
E
1
E
2
G
; ;
E E G
+
; ;
+
V
T
_
E
2
+
E
1
_
G
;
_
;
E
1
_
E
2
G
+
; ;
+
CIV
CIII
Corelare ntre potenialele din circuitul de for i din cel de comand pentru comanda n 4
cadrane a triacului
Din cauza asimetriei structurii (la ) este mai mare dect (la ).
( ) + H
I
0 >
T
v ( ) H
I 0 <
T
v
Curentul de acroare depinde de aceiai factori ca i la tiristor dar n plus depinde de cadranul n Curentul de acroare depinde de aceiai factori ca i la tiristor, dar, n plus, depinde de cadranul n
care se face comanda triacului, astfel:
( ) ( ) ( ) CIII CI CII
L L L
I I I ~ >
Pentru performane identice n curent i n tensiune, curenii de acroare i meninere ai unui triac
sunt mai mari dect ai unui tiristor. n cataloage se indic valorile maxime ale acestor cureni.
n regim dinamic, posibilitile triacului sunt inferioare unui grup de dou tiristoare
convenionale cu parametrii similari. Cuplajul foarte strns ntre cele dou tiristoare componente
determin:
un timp de blocare t
q
mult mai mare, deci frecvena maxim de utilizare mai redus;
sarcina stocat n baza tiristorului care conduce, poate, din cauza apropierii de cellalt
i i l i i l li i ii di l l i l i tiristor, s provoace amorsarea lui parazit, la aplicarea tensiunii directe, la valori ale pantei
acestei tensiuni mult mai mici dect pentru un tiristor convenional. n plus, tensiunea direct
pentru un tiristor component este tensiune invers pentru cellalt, deci trebuie limitat i panta de
t t i ii i l bl (d /dt) l t d t t i ii di t cretere a tensiunii inverse la blocare (dv/dt)
C
, pe lng panta de cretere a tensiunii directe n
stare de blocare (dv/dt)
crit
. Acest lucru se realizeaz cu un grup RC n paralel pe triac.
Din cauza acestor performane reduse, triacele sunt utilizate de obicei pentru controlul
energiei electrice n circuite de nclzire i iluminat alimentate din reeaua de curent alternativ cu energiei electrice n circuite de nclzire i iluminat, alimentate din reeaua de curent alternativ cu
frecven de 50 Hz. Comanda triacului trebuie s fie robust i simpl, circuitele de utilizare
neimpunnd, n general, o precizie deosebit a amorsrii. Comanda triacelor se poate face la fel
ca la tiristoare: n curent alternativ continuu sau cu impulsuri Schemele de comand se ca la tiristoare: n curent alternativ, continuu sau cu impulsuri. Schemele de comand se
realizeaz cu sau fr izolaie galvanic fa de circuitul de for, din elemente de circuit discrete
sau cu circuite integrate specializate, cu respectarea acelorai condiii impuse i n cazul
tiristoarelor.
n concluzie, triacul este un dispozitiv semiconductor ieftin, comod de utilizat, dar ale
crui performane i limiteaz aplicabilitatea la comanda sarcinilor de puteri moderate, p p p ,
funcionnd la frecvena reelei. La puteri i frecvene ridicate se folosesc tiristoare montate
antiparalel.
Pentru a depi limitele triacului i a-i utiliza avantajele, s-a conceput un alt dispozitiv
semiconductor, numit alternistor cu performane limit de 1200V/200A. Acesta este format din
dou tiristoare montate antiparalel, comandate printr-un triac, care are rol de amplificator de
poart. n felul acesta se reduce timpul de blocare t
q
i se crete capabilitatea n (dv/dt)
C
.
G T
1
E
1
E
2
1
T
T
T
2
Alternistorul.