7. TEHNOLOGIA DIODELOR SEMICONDUCTOARE Diodele semiconductoare au la baz o jonciune p-n prevzut cu contacte metalice ataate la cele dou zone.

Acest ansamblu este introdus ntr-o capsul din sticl, material plastic sau metal cu rol de protecie i de transfer al cldurii degajate n funcionare. Clasificarea diodelor semiconductoare se poate face dup tehnologia de fabricaie i dup domeniul de utilizare. O clasificare a tehnologiilor de realizare a diodelor semiconductoare se indic n figura 7.1.

Tehnologia diodelor

Diode cu contact punctiform

Tehnica alierii

Difuzia/Implemen tare ionic

Epitaxie

Epitaxie i difuzie

Diode Schottky

Tehnologie plantar

Tehnologie mesa

Separare selectiv

Fig. 7.1 Clasificare a tehnologiilor de realizare a diodelor n funcie de domeniul de utilizare se ntlnesc multe variante constructive, dar o clasificare a acestora se poate face n funcie de putere (curentul nominal) i frecvena maxim de lucru. n cele ce urmeaz se vor prezenta unele particulariti constructive ale diodelor detectoare i redresoare. 7.1. Diodele cu contact punctiform Diodele cu contact punctiform au la baz o jonciune p-n care se formeaz ntre un cristal de Ge de tip n i un vrf metalic (de exemplu: wolfram sau bronz) aflat n contact cu acest cristal de material semiconductor. Pentru mbuntirea caracteristicilor jonciunii, aceste diode se supun unui proces de formare prin aplicarea unor impulsuri de curent. Impulsurile de curent de amplitudine mare (cu valori mai mari dect curentul nominal) produc nclzirea structurii din jurul vrfului metalic. n aceast zon, prin difuzia atomilor din metal n cristalul semiconductor, are loc formarea unei zone de tip p (fig. 7.2). Vrful metalic corespunde contactului anodului diodei, iar materialul semiconductor (n-Ge) formeaz catodul.

Fig. 7.2 Construcia unei diode cu contact punctiform Aceast jonciune se caracterizeaz printr-o suprafa mult mai mic comparativ cu alte tipuri de jonciuni. Capacitatea echivalent a jonciunii este foarte redus i ca urmare aceste diode pot fi folosite la frecvene foarte mari (sute MHz) n circuitele de comutaie sau n cele de detecie.

7.2. Diode aliate Diodele aliate denumite astfel dup tehnologia alierii, procedeu de impurificare controlat folosit n special la dispozitivele semiconductoare cu germaniu, pe baza creia se realizeaz jonciunile acestor diode. Jonciunile realizate prin aliere sunt abrupte, deoarece concentraia realizat corespunde "solubilitii maxime" a impuritilor n materialul semiconductor. Zonele neutre ale jonciunilor au rezisten redus, ataarea contactelor metalice se face cu uurin. Datorit productivitii mici i a performanelor modeste ale dispozitivelor realizate prin aliere, n prezent acest procedeu are o utilizare limitat. O modalitate de realizare a unei jonciuni p-n de germaniu, prin tehnologia alierii, cu indicarea principalelor operaii se poate urmri n figura 7.3. Se folosesc cipuri din germaniu de tip n pe care se poziioneaz materialul de impurificare (mici sfere de Indiu) de tip p (fig. 7.3.a). Poziionarea materialului de impurificare pe suprafaa cipului se realizeaz prin intermediul unei casete din grafit. Prin nclzirea ansamblului n jurul temperaturii de topire a indiului (Tt = 1570 C) se produce o dizolvare parial a indiului n cristalul de germaniu, realiznd zona de tip p a jonciunii (fig. 7.3.b). Regiunea din vecintatea jonciunii se contureaz (fig. 7.3.c) pentru a mbuntii caracteristica de blocare, respectiv creterea tensiunii inverse maxime. Montajul diodei se realizeaz prin lipirea cristalului semiconductor pe grila (ambaza) capsulei (fig. 7.3.d). Ataarea contactului la zona p a jonciunii se realizeaz prin topirea superficial a stratului de indiu (1570C)(fig.7.3.e.).

Fig. 7.3 Principalele operaii de realizare a unei diode prin tehnologia alierii Pentru creterea tensiunii de strpungere, la periferia jonciunii se realizeaz o conturare sub un anumit unghi, aa cum se arat n figurile 7.3.c i 7.6.c. Conturarea se face n direcia stratului mai puin dopat pentru a se produce o lrgire a regiunii de sarcin spaial. n acest fel intensitatea cmpului electric la suprafa, cmp creat de sarcinile electrice din zona jonciunii, se reduce i prin acesta crete tensiunea de strpungere. 7.3. Diode difuzate Diodele difuzate cu siliciu se obin n urma unui proces de difuzie de impuriti acceptoare (tip p) ntr-un substrat de tip n sau printr-o difuzie de impuriti donoare (tip n) pe un substrat de tip p. Procesul de fabricaie are loc n cadrul tehnologiei planare, tehnologie specific siliciului, n care succesiunea de operaii se realizeaz pe aceiai fa a plachetei semiconductoare folosind tehnica fotolitografic. Etapele principale care permit fabricarea unei diode ntr-un substrat de siliciu de tip n se pot urmri n figura 7.4. n prima faz, dup curirea substratului placheta de siliciu este supus unui proces de oxidare umed, obinndu-se un strat de SiO2 pe toat suprafaa plachetei (fig. 7.4.a).

Fig. 7.4. Principalele operaii ale tehnologiei diodelor difuzate (tehnologia planar)

n continuare, prin procesul fotolitografic 1 se deschide fereastra de difuzie. Acest proces const din urmtoarele faze: - expunerea (fig. 7.4.b); - developare a fotorezistului (fig. 7.4.c); - corodarea (deschiderea ferestrei de difuzie) (fig. 7.4.d). Prin procesul fotolitografic 2 se urmrete realizarea contactului anodului prin parcurgerea, n principal, a urmtoarelor faze: - reoxidarea (fig. 7.4.f); - deschiderea ferestrei de metalizare (fig. 7.4.g); - metalizarea neselectiv cu aluminiu (fig. 7.4.h); - recoacere forming-gaz; - depunere de sticl de bor - acoperire de pasivizare; - fotolitografie pentru realizarea deschiderilor pentru contacte prin stratul de pasivizare. Urmtoarele operaii ale tehnologiei diodelor difuzate vizeaz obinerea contactelor metalice ale zonei p (anod) i a zonei n (catod): - corodarea stratului de aluminiu (fig. 7.4.i); - metalizarea prii inferioare a substratului (contact eutectic cu aur); - ataarea contactului anodului (fig. 7.4.k). Ansamblul astfel obinut se introduce ntr-o capsul specific tipului de diod. Prin tehnologia difuziei se pot realiza jonciuni cu suprafee suficient de mari care s permit utilizarea lor n construcia diodelor re dres oare pentru cureni mari, dar cu tensiuni inverse de valori relativ reduse. Pentru ca jonciunea difuzat s funcioneze la o tensiune invers Ub (capabilitatea n tensiune), este necesar o anumit dopare a materialului de baz (al substratului) NB, aa cum se indic n diagrama din figura 7.5, [11]. Valoarea tensiunii maxime Ub (capabilitatea n tensiune) depinde de intensitatea cmpului electric maxim Em care se poate aplica jonciunii i de limea zonei de sarcin spaial lm: Ub = Em Im (7.1)

Fig. 7.5 Dependena valorii maxime a cmpului electric Em a limii barierei de sarcin

Limea zonei de sarcin spaial lm scade odat cu creterea gradului de dopare a zonei n care se distribuie sarcina spaial i odat cu aceasta scade i tensiunea Ub. Pentru realizarea diodelor de tensiune mare este necesar o dopare cu o concentraie de impuriti NB de valoare redus. Doparea redus a materialului semiconductor al jonciunii va determina ns o conductivitate electric de valoare redus (conform relaiilor 2.13 i 2.14) a acestei zone la polarizarea direct. Ca urmare, cderea de tensiune pe o astfel de jonciune la polarizarea direct este mare, iar pierderile de energie vor avea o valoare important. Caracteristici electrice mai bune n domeniul tensiunilor i a curenilor mari se obin la diodele planar epitaxiale (fig. 7.6 i 7.7) i a celor epitaxial difuzate (fig. 7.8). 7.4. Diode planar epitaxiale Diode planar epitaxiale constau dintr-o jonciune realizat ntre un substrat de siliciu de tip n sau p i un strat epitaxial depus cu impurificarea diferit fa de substrat. Principalele etape ale tehnologiei acestor diode, n cazul a dou variante constructive sunt prezentate n figura 7.6 (tehnologia tip mesa) i n figura 7.7 (epitaxia selectiv). Operaiile procesului tehnologic din figura 7.6 cuprind, n prima faz, depunerea pe placheta de siliciu a unui strat epitaxial slab dopat (fig. 7.6.a).

Fig. 7.6 Etapele tehnologice ale producerii unei diode prin epitaxie (tehnica mesa)

Fig. 7.7 Etapele tehnologice ale producerii unei diode prin epitaxie selectiv

Printr-un proces fotolitografic se definete geometria structurii (fig. 7.6.b). Apoi se graveaz suprafaa pentru delimitarea suprafeei zonei de tranziie a structurii p-n n scopul creterii limii zonei de sarcin spaial lm (fig. 7.6.c). Dup nlturarea fotorezistului (fig. 7.6.d) se realizeaz metalizarea zonelor de contact (fig. 7.6.e). Cipurile jonciunilor astfel realizate se separ ntre ele prin decuparea plachetei. Substratul metalizat al plachetei se fixeaz pe grila capsulei (lipire, sudare) i se realizeaz legturile electrice la terminalele capsulei. Etapele tehnologice ale producerii unei diode prin epitaxie, aa cum sunt ilustrate n figura 7.6 cuprind: - depunerea pe placheta de siliciu a unui strat epitaxial slab dopat (fig. 7.6.a); - proces fotolitografic prin care se definete geometria structurii (fig. 7.6.b); - corodarea chimic a suprafeei pentru delimitarea suprafeei zonei de tranziie a structurii p-n (fig.7.6.c); - nlturarea fotorezistului (fig. 7.6.d); - metalizarea zonelor de contact (fig.7.6.e). Procesul tehnologic prezentat n figura 7.7 cuprinde etape ale epitaxiei selective: - proces fotolitografic care stabilete "fereastra" zonei epitaxiale (fig. 7.7.a); - corodare (fig. 7.7.b) - depunerea stratului epitaxial (fig. 7.7.c); - corodarea stratului de SiO2 (fig. 7.7.d) - metalizarea neselectiv i apoi gravarea zonelor de contact (fig. 7.7.e). Ansamblul astfel obinut se fixeaz pe grila capsulei i se realizeaz legturile electrice la

terminalele capsulei.

7.5. Diode epitaxiaI difuzate La realizarea diodelor de putere se folosesc jonciuni pn difuzate ntr-un strat epitaxial. Difuzia de tip p (cu adncime de 10 m i concentraie NA= 1019 cm-3) este realizat n stratul epitaxial slab dopat (ND = 1014 cm-.3) depus pe un substrat puternic dopat (ND= 1019 cm-3) de acelai tip cu stratul epitaxial [26]. Seciunea transversal printr-o jonciune a unei diode epitaxial difuzate, alturi de simbolul diodei este prezentat n figura 7.8.

Fig. 7.8 Simbolul i seciunea transversal prin jonciunea pn a unei diode epitaxial difuzate

Asemenea jonciuni se folosesc la diodele pentru redresarea curenilor mari (zeci, sute de amperi) la tensiuni ridicate (sute ... mii de voli). Aria jonciunii depinde de valoarea curentului pentru care este destinat dispozitivul. Suprafeele jonciunilor diodelor de putere folosite la redresarea curenilor de sute de amperi ating civa cm2. n procesul tehnologic de obinere a acestor jonciuni se folosesc plachete cu diametre D 100 mm. Stratul epitaxial slab dopat permite extinderea zonei de sarcin spaial lm a jonciunii p+ nla polarizarea invers. Valoarea tensiuni inverse maxime Ub depinde de grosimea zonei lm (diagrama din fig. 7.5) a stratului epitaxial situat sub stratul difuzat (fig. 7.8). Caracteristica i= f(u) a unei asemenea diode este prezentat n figura 7.9. La polarizarea direct, n poriunea iniial (U lV), caracteristica este exponenial. Odat cu creterea curentului, cderea de tensiune n stratul epitaxial (slab dopat) face ca dependena s fie aproape liniar (variaia exponenial este pus n inferioritate de cderea de tensiune n stratul slab dopat). Astfel, odat cu creterea curentului crete cderea de tensiune pe rezistena stratului epitaxial de grosime lm. Rezistena la conducia direct Rd a diodei, calculat ntr-un punct P al caracteristicii i=f(u), se poate scrie:
Rd U ctg I

(7.2)

La polarizarea invers prin jonciune trece un curent de valoare foarte mic (curentul determinat de purttorii minoritari). La depirea valorii tensiunii inverse maxime Uimax curentul crete foarte mult, astfel c la valoarea -UBD curentul este limitat numai de rezistena

circuitului exterior. n aceast situaie puterea disipat n interiorul jonciunii va duce la distrugerea acesteia.

Fig. 7.9 Caracteristica i = f(u) a unei diode de putere 7.6. Diode Schottky Diode Schottky sunt formate din jonciuni metal-semiconductor la care la transportul curentului particip numai purttorii majoritari. Conducia curentului nu se bazeaz pe un exces de sarcin electric, aceasta fiind rezultatul unei emisii termoelectrice de electroni din metal spre semiconductor i invers. Cnd jonciunii metal - semiconductor i se aplic o tensiune, curentul de electroni dintr-o direcie domin curentul de electroni de sens opus. Caracteristic pentru diodele Schottky este faptul c stratul de baraj se gsete n zona mai puin dopat, adic n stratul epitaxial al materialului semiconductor. Deoarece n metal sarcina negativ a stratului dublu electric ocup o grosime foarte mic (grosimea unui strat monoatomic), datorit concentraiei mari de electroni din metal, cderea de tensiune este mai mic dect la jonciunile semiconductoare (Ud= 0,2 ... 0,3 V). Dioda Schottky (fig. 7.10.a) se obine prin depunerea unei pelicule metalice (anodul diodei) pe un stratul epitaxial de tip n (n - Epi) depus pe un substrat puternic impurificat (n+ catodul diodei).

Fig. 7.10 Variante constructive de diode Schottky a)Varianta plan ar b)Tehnologia mesa invers c)Dioda Schottky cu metalizare dubl d)Dioda Schottky cu inel de protecie La selecia metalului se ia n considerare o serie de criterii cum ar fi: lucru mecanic de extracie al electronilor, gradul de aderen, rezistena la coroziune. Pentru obinerea caracteristicilor electrice necesare se acioneaz asupra potenialului

termoelectric al anodului (alegerea materialului aflat n contact cu materialul semiconductor) i asupra modului de dispunere a stratului metalic in raport cu stratul epitaxial. n figura 7.10.b, c, d sunt prezentate variante constructive de diode Schottky. Liniile punctate situate n stratul epitaxial indic distribuia zonei de sarcin spaial. La varianta planar (fig. 7.10.a) datorit limii reduse a zonei de sarcin spaial din jurul periferiei stratului metalic, aceasta se caracterizeaz prin valori mici ale tensiunii inverse (voli ... zeci de voli). La varianta constructiv din figura 7.10.b se practic o conturare invers (structur mesa invers), n regiunea mai slab dopat pentru a face s creasc limea zonei de sarcin spaial. Se obine astfel o reducere a intensitii cmpului electric la periferia structurii i prin aceasta o cretere a tensiunii inverse. La varianta constructiv din figura 7.10.c se folosesc dou pelicule metalice (Me 1 i Me 2). Metalul Me 1 se alege cu lucru termodinamic de ieire mare pentru a produce o cretere a stratului de sarcin spaial. Prin creterea limii stratului de sarcin spaial (de baraj) se reduce valoarea cmpului electric intern i prin aceasta crete valoarea tensiunii inverse maxime. Metalul Me 2, aflat n contact cu stratului epitaxial se alege cu lucru termodinamic de ieire redus pentru a contribui la procesele de conducie (cdere de tensiune redus). n mod frecvent se folosete combinaia Cr/Au. Un efect de lire a zonei de sarcin spaial se obine i la varianta din figura 7.10.d prin utilizarea unui inel de gard plasat la periferia anodului. Substratul folosit la realizarea diodelor Schottky este puternic dopat pentru a reduce rezistena la conducia direct. Grosimea i gradul de dopare al stratului epitaxial determin valorile tensiunii inverse maxime la fel ca la diodele epitaxiale. Diodele Schottky se folosesc n circuitele de redresare, de detecie i la cele de mixare la frecvene medii i mari. Pentru aceasta materialul substratului este de obicei GaAs, avnd n vedere valoarea ridicat a mobilitii (Tabelul 2.3).

7.7. ntrebri recapitulative Cum se clasific diodele n funcie de tehnologia de fabricaie Cum se realizeaz jonciunea unei diode cu contact punctiform? Cum se realizeaz diodele aliate? Care sunt etapele de realizare a diodelor difuzate? Care este tensiunea invers a jonciunii difuzate cu dopajul NB=1016 atomi/cm3? Cum depinde tensiunea invers maxim a unei jonciuni difuzate de caracteristicile materialului semiconductor folosit? 7. Care este structura i care sunt principalele etape de realizare a unei diode epitaxiale? 8. Care este structura unei diode Schottky i prin ce se caracterizeaz? 9. Cum se obine creterea tensiunii inverse a unei jonciuni metal - semiconductor?

1. 2. 3. 4. 5. 6.