METALURGIA EN GENERAL

IMPERFECCIN DE LOS MATERIALES Imperfecciones en los arreglos atmicos e inicos.Al analizar el trmino "imperfeccin de un material'', se presupone de un error en la organizacin de dicho material, y muchas veces, tambin se enjuicia con alevosa y asumimos que dicha imperfeccin, relacionada con algn tipo de imagen de deformacin que es visualmente perceptible, le atribuyen al material el valor de obsoleto y no siempre es as. El arreglo de los tomos o iones en los materiales diseados tiene imperfecciones o defectos. Frecuentemente stos defectos tiene un efecto profundo sobre las propiedades de los materiales, y no necesariamente suceden a niveles macros, y pueden ser aprovechados en la aplicacin ingenieril tal como la capacidad de formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la corrosin. Un cristal perfecto consiste de un arreglo peridico de tomos, lo que genera una estructura definida. El trmino defecto se usa en general para describir cualquier cambio o variacin en la estructura o composicin del cristal. Idealmente, un cristal perfecto slo puede existir a 0 Kelvin (-273 C). A esta temperatura todos los tomos estn estticos, por lo que no presentan vibracin alguna, en otras palabras los tomos no poseen energa cintica. Sin embargo, a temperaturas mayores los tomos empiezan a vibrar constantemente debido a la absorcin de energa calorfica. La amplitud y cantidad de vibraciones entre los tomos crece con el aumento de la temperatura. Estas vibraciones son, en parte, las causantes de que los cristales presenten deformaciones o defectos. Adems, vale la pena mencionar que estas vibraciones tambin estn directamente relacionadas con el fenmeno de fusin de los materiales slidos. Por ejemplo, en el caso de los cristales de xidos metlicos se sabe que pierden hasta 2 % en peso de oxgeno antes de alcanzar su punto de fusin. Esto se debe a que los tomos de oxgeno que se encuentran en la superficie del cristal empiezan a vibrar de una manera muy acelerada debido al aumento en la temperatura, hasta que se desprenden de la superficie. La ausencia de tomos de oxgeno en la superficie produce un gradiente de difusin de tomos de dentro del material hacia la superficie del mismo, lo que provoca una continua prdida de oxgeno as como el inicio de la prdida de estructura cristalina. Finalmente, todo este movimiento de tomos produce la fusin del material.

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En este contexto, el material no se considera defectuoso desde el punto de vista de la aplicacin. Las dislocaciones, que son defectos lineales en un material suelen ser utilizadas para aumentar la resistencia de un material. En el uso de materiales electrnicos, conductores de electricidad, es necesario eliminar stas dislocaciones al menor ndice posible, con tal de garantizar la conductividad. El mtodo para dar un color especfico a cristales se realiza a nivel de imperfecciones, que al aumento de la cantidad de un material diferente, produce que este cambie sus propiedades internas, al nivel de su propio color. As la mxima pureza de un metal, tambin asegura el aumento en su conductividad. La formacin de defectos, en todos los casos, implica un proceso endotrmico, el cual podra no favorecer su formacin. Sin embargo, al formarse un defecto, aumenta la entropa (S), por lo tanto, y de acuerdo con la ecuacin 1, la entalpa de formacin (H, el calor absorbido), se compensa con el S en el equilibrio. De tal forma que la variacin de la energa libre de Gibbs (G) dentro de un cristal por la formacin de un defecto es cero. G = H TS Existen tres tipos de defectos: puntuales, lineales (dislocaciones) y superficiales. Si el cambio est localizado nicamente en una posicin atmica y sus tomos vecinos, este tipo de defecto se conoce como defecto puntual; por el contrario, si las modificaciones afectan reas ms grandes del cristal, se clasifican como defectos lineales, de superficie o de volumen, dependiendo de la regin y forma de cambio en la estructura cristalina. A continuacin nos enfocaremos a describir nicamente los defectos ms sencillos que se pueden encontrar en un cristal, los defectos puntuales o de dimensin cero.

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Defectos puntuales.-

En 1896 Robert Austen observ que el plomo difunde en el oro a 300 C a una velocidad superior a la que el NaCl difunde en agua a temperatura ambiente. Necesariamente, deba haber huecos que aceptaran los tomos de Pb, ya que la Eact. para mover un tomo es muy alta (PF Pb 327 C). Los defectos puntuales son alteraciones o discontinuidades de la red cristalina con respecto a la ideal, provocadas por uno o varios tomos. Se originan por el movimiento de tomos durante el calentamiento o procesado del material, introduccin de impurezas o por aleacin. (Una aleacin es una mezcla slida homognea de dos o ms metales, o de uno o ms metales con algunos elementos no metlicos) Estos defectos distorsionan la red a lo largo de cientos de tomos. Una dislocacin que se propaga por el material ordenado encontrar cerca del defecto puntual una regin estructural desordenada. Para continuar su movimiento y vencer al defecto, la dislocacin necesita un esfuerzo mayor. Se incrementa por tanto la resistencia mecnica del material.

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Estas interrupciones localizadas en arreglos atmicos o inicos no permiten que dichos tomos tengan una estructura cristalina perfecta. As las impurezas son elementos o compuestos presentes en las materias primas o en el procesamiento. Los defectos puntuales se pueden introducir por el movimiento de los tomos o iones al aumentar la energa por calentamiento, durante el procesamiento del material, por introduccin de impurezas o por dopado. Los dopantes son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en cantidades conocidas en lugares especficos de una microestructura, buscando un efecto benfico en las propiedades de dicho material. Se subdividen en: 1. Vacancia: Se produce cuando falta un tomo o in en su sitio normal en la red cristalina. Esta se origina durante la solidificacin a alta temperatura o como consecuencia de los daos provocados por la radiacin (intencional). En la ausencia de un tomo aumenta el desorden normal o entropa del material, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia. El sintetizado es un proceso mediante el cual se forma una masa densa calentando materiales pulverizados compactados. Con este proceso se fabrican los capacitores, y se asume como un tratamiento trmico. Existe una relacin entre la temperatura y la concentracin de vacancia, este comportamiento de Arrhenius, obedece a que la concentracin de vacancias a temperatura ambiente es pequea. Al aumentar la temperatura, aumenta en forma exponencial dicha cantidad, con la siguiente relacin.

Donde Nv es el nmero de vacantes por metro cbico N es el nmero de puntos en la red por metro cbico Q es la energa requerida para producir una vacancia (J/tomo) T es la temperatura en K K es la constante de Boltzmann de los gases (1.38 x 10-23J/tomoK) 8.62 x 105eV/tomoK

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Son las imperfecciones ms comunes en los cristales. Se dan hasta una por cada 10000 tomos. Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que forman divacantes o trivacantes.

VACANTE

2. Defecto Intersticial: Se forma cuando se inserta un tomo o in adicional en la estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada. Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el tomo es sustancialmente ms grande que la posicin intersticial en la que se sita. Consecuentemente la formacin de este defecto no es muy probable. Se pueden introducir en una estructura por radiacin.

DEFECTO INTERSTICIAL

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3. Defecto Sustitucional: Tambin se los denomina como impurezas en el material. Cuando un tomo es sustituido con un tipo distinto de tomo o in, los tomos sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Pueden ser mayores que los tomos o iones normales en la estructura cristalina, en cuyo caso se reducen los espacios interatmicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual causar que los tomos vecinos tengan distancias interatmicas mayores. Si el defecto sustitucional es mayor que los tomos normales la red se comprime, si es menor la red se expande (tensin). El nmero de defectos sustitucionales no depende de la temperatura.

DEFECTO DE SUSTITUCIN 4. Defecto de Frenkel.- Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial. Ocurre cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a un sitio intersticial dejando entonces una vacancia.

DEFECTO FRENKEL

Para calcular el nmero defectos de Frenkel por metro cbico se emplea:

Donde N es el nmero de posiciones reticulares catinicas y aninicas. Y Ni es el nmero de posiciones intersticiales.

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5. Defecto de Schottky.- Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.

DEFECTO SCHOTTKY

Para calcular el nmero defectos de Schottky por metro cbico se emplea:

Donde N es el nmero de posiciones reticulares catinicas y aninicas.

Otro defecto puntual importante ocurre cuando un ion de una carga reemplaza otro ion de diferente carga. Por ejemplo un ion de valencia +2 reemplaza a un ion de valencia +1. En este caso una carga extre positiva se introduce dentro de la estructura. Para mantener un balance de carga, se debe crear una vacante de una carga positiva (Enlaces inicos).

DEFECTO POR REEMPLAZAMIENTO POR IONES DE DIFERENTE CARGA

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