Sunteți pe pagina 1din 4

UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" BUCURESTI DEPARTAMENTUL DE FIZICA LABORATORUL DE FIZICA ATOMICA SI FIZICA CORPULUI SOLID BN 031 A

FOTODIODA

2004 - 2005

FOTODIODA
1. Scopul lucrrii Studiul efectului fotovoltaic. Conversia direct a energiei luminoase n energie electric. 2. Teoria lucrrii Efectul fotovoltaic const n apariia unei tensiuni electromotoare ntr-o jonciune p-n cnd aceasta este iluminat. Prin acest efect se realizeaz conversia direct a energiei luminoase n energie electric. Intr-un semiconductor intrinsec conducia electric este realizat att de electroni, ct i de goluri. Electronii trec din zona de valen n zona de conducie, sub aciunea cmpului electric extern, unde se deplaseaz liber i creaz densitatea de curent de electroni Jn . Golurile din zona de valen, rezultate n urma plecrii electronilor, i care din punct de vedere al conduciei se comport ca sarcini elementare positive, creeaz densitatea de curent de goluri J p . Densitile de curent Jn i J p sunt: (1) J n = n e n E

Jp = p e p E (2) unde n este concentraia de electroni din zona de conducie, p este concentraia de goluri din zona de valen, e = 1,6 1019 C este sarcina electric elementar, purtat de un electron/gol, iar n i p sunt mobilitile electronilor i respectiv golurilor. Densitatea total de curent este:
j = n e n + p e p E

(3)

In semiconductorul intrinsec n=p (4) In semiconductorurii extrinseci (semiconductori dopai) conducia se realizeaz prin electroni n semiconductorii dopai cu impuriti donoare - semiconductorii de tip n i respectiv prin goluri n semiconductori de tip p dopai cu impuriti acceptoare. Densitatea de curent n semiconductorii de tip n este Jn (1) iar n semiconductorii de tip p este J p (2) unde n p. Jonciunea p-n este zona care separ, n acelai monocristal, dou regiuni cu conducii diferite: p i n. n fiecare dintre aceste regiuni micarea purttorilor liberi are un caracter dezordonat: electronii difuzeaz spre regiunea p, iar golurile spre regiunea n. La ntlnirea dintre un electron i un gol are loc fenomenul de recombinare care determin scderea concentraiei de electroni n zona n i de goluri n zona p. Acest fenomen face ca regiunea n s devin electropozitiv, comportndu-se ca o veritabil surs electric. In jonciune apare astfel un cmp electric dirijat de la regiunea n spre regiunea p, care limiteaz migrarea purttorilor. Difuzia purttorilor prin jonciunea p-n poate fi stimulat prin iluminarea acesteia. Datorit fotonilor, se realizeaz ionizarea atomilor, creindu-se noi purttori de sarcin liber, capabili s mreasc tensiunea electromotoare din jonciune. Acest fenomen poart denumirea de efect fotovoltaic. Randamentul conversiei energiei luminoase n energie electric depinde de natura materialului semiconductor, de compoziia spectral a luminii i de caracteristicile dispozitivului folosit. Acest dispozitiv se numte de fotodiod i este schiat n Fig. 1.

Piesa principal a unei fotodiode este o plcu de germaniu de tip n n interiorul creia s-a realizat jonciunea pn. Pentru construirea ei se aeaz o bobi de indiu pe placua de germaniu. Deoarece indiul are o temperatur de topire mai mic dect temperatura de topire a germaniului, bobia se topete prin nclzire i atomii de indiu difuzeaz n plcua de germaniu. Spaiul n care ptrund atomii de indiu devine o regiune cu conducie prin goluri (conducie de tip p). La limita acestei regiuni se formeaz jonciune tip p-n. La cele dou regiuni astfel crete se ataeaz firele de legtur.Totul se ncapsuleaz ntr-un tub de sticl nnegrit complet, cu excepia captului superior, cu form de lentil. Lentila are scopul de a concentra lumina pe jonciunea p-n, ducnd la Fig.1: Fotodioda apariia excesului de sarcin (n i p). Creterea fluxului luminos determin creterea concentraiei n exces (n i p). Prin urmare, att tensiunea electromotoare, ct i intensitatea curentului electric generat, se vor mri. Intensitatea curentului depinde de rezistena circuitului exterior: cu ct rezistena va fi mai mare, la o aceeai iluminare, cu att intensiatea curentului generat va fi mai sczut. 3. Metoda experimental folosit n aceast lucrare se va urmri modul cum variaz intensitatea curentului electric n funcie de iluminare, la diferite valori ale rezistenei exterioare. Intensitate curentului electric este direct proporional cu inversul rezistenei din circuit: I=U*1/R Ca urmare, graficul intensitii funcie de inversul rezistenei va fi o dreapt. 4. Montajul experimental Montajul experimental este prezentat n Fig. 2, unde L este o lampa electric i F reprezint fotodioda. Fotodioda debiteaz pe circuitul electric din Fig. 2, care cuprinde un microampermetru (A) legat n serie cu o cutie de rezisten cu ploturi. Fiecare rezisten poate fi introdus n circuit prin ridicarea plotului corespunztor.

Fig. 2. Dispozitivul experimental Lampa electric este alimentat de la reeaua de 220 V de curent alternativ. Se are grij ca lampa s lumineze normal suprafaa fotodiodei. n faa lentilei L este aezat o diafragm reglabil pentru modificarea fluxului luminos ce cade pe fotodiod. Se consider fluxul luminos proporional cu deschiderea diafragmei. Distana dintre lampa electric L i fotodioda F se menine fix, iar lampa trebuie s stea nemicat tot timpul lucrrii.

R este rezistena circuitului exterior al fotodiodei, care se modific prin scoaterea ploturilor din cutia de rezistene. Cnd cutia are toate platurile, rezisten exterioar R este egal cu rezistena Rg=3k a galvanometrului. Se va msura variaia fotocurentului n funcie de rezistena i flux la distan fix. 5. Modul de lucru 1. Dup recunoaterea aparatelor, efectuarea i verificarea schemei de montaj (Fig.2), se conecteaz instalaia la priz. 2. Se introduce n circuit rezistena R = 1k prin ridicarea plotului corespunztor. Se ndreapt sursa de lumin pe o direcie normal pe suprafaa fotorezistenei, avnd indicatorul diafragmei pe pozitia 1 (fluxul luminos 1). Se blocheaz spotul microampermetrului i, pentru fluxul incident 1, se citete intensitatea fotocurentului n diviziuni care se convertesc n microamperi, conform scrii utilizate. 3. Meninnd R constatnt, se modific valorile deschiderii diafragmei j = 2, 3, ... ,10 i se citete, ca la punctul (2), fotocurentul de fiecare dat. 4. Se repet operaiile de la punctele (2) i (3) variind rezistena circuitului prin ridicarea ploturilor corespunztoare.; toate datele i rezultatele msurtorilor se nscriu ntr-un tabel de forma: 5.
(u.r) Nr. crt. 1. 2. 3. 4. 5. 6. R(k) 1 2 10 12 20 22 Rt =R+ Rg 1/Rt 4 5 13 15 23 25 0.25 . 0.04 U1 U2 1 2 j 9 10 Obs. u. r.=uniti relative

I ( ) la
R = ct

Uj U9 U10

6. Dup efectuarea tuturor msurrilor se deconecteaz instalaia de la blocul de prize. 6. Prelucrarea datelor Pentru valori constate ale rezistenei se traseaz dependenele curentului electric din circuitul fotodiodei, de fluxul luminos: I = I ( ) la R = ct, folosindu-se valorile trecute pe fiecare linie din tabel. Se va lua n considerare rezistena galvanometrului Rg= 3k. Pentru valori constante ale fluxului (deschidere constant a diafragmei) se traseaz, pe aceeai hrtie milimetric, graficele I = I(1/Rt), folosind datele din coloanele corespunzatoare fiecarui flux i. Folosind pantele dreptelor corespunztoare fiecrui flux j, se determin tensiunea fotovoltaic corespunztoare unui flux luminos constant, Ufv(j)=I (j) / (1/R) Cu valorile nou obinute se traseaz dependena tensiunii fotovoltaice Ufvj = Ufv(j) de fluxul luminos. 7. ntrebri 1) Ce se nelege prin efect fotovoltaic? 2) Ce este o jonciune p-n? 3) Ce este o fotodiod?