2.

METODE DE PRODUCERE A FIBRELOR I GHIDURILOR OPTICE DE UND

2.1. Producerea fibrelor optice
n ultimii treizeci de ani s-au dezvoltat foarte mult dispozitivele optoelectronice active i pasive ghidate datorit posibilitilor de miniaturizare a circuitelor i de integrare monolitic pe acelai substrat a mai multor componente, acestea fiind fabricate prin diferite metode [2.1]-[2.9]. Unul dintre cele mai cunoscute ghiduri optice este fibra optic, aceasta avnd o seciune circular i fiind format dintr-un miez i o cma dispus la exteriorul miezului. Indicele de refracie al miezului este mai mare dect cel al cmii. Fibrele optice cel mai des utilizate sunt realizate dintr-un material refractar acid (silica) care conine cel puin 93% SiO 2 , fabricat din cuarite, cu liant de var sau cu argil, n general i cu adaosuri mineralizate, arse la 1460 1530 oC timp de 24 de ore, pentru a transforma o fraciune ct mai mare din cuar n trimidit (varietate a SiO 2 ). Diametrul miezului este mult mai mare dect lungimea de und a radiaiei, fiind cuprins ntre 5200 m. O valoare standard este de 50 m cu cma de 125 m. Pentru evitarea pierderilor luminoase parazite n cma, se adaug o cma exterioar cu indice de refracie mai mare dect al cmii interioare. Spre deosebire de fibra optic, ghidurile optice de und, folosite n circuitele optice integrate au de cele mai multe ori o structur planar cum ar fi de exemplu filmele plane sau panglicile (strips). n general, realizarea ghidurilor optice de und prin diferite metode (difuzie, schimb ionic etc.) se face pe baza unor tehnologii moderne care au n vedere aa-numitele tehnici de fotolitografiere i de difuzie, similare celor utilizate n industria microelectronic. Toate aceste procese tehnologice trebuie s se desfoare ntr-un mediu perfect curat pentru a evita ca eventualele impuriti coninute n aer s contamineze i s altereze ntr-o msur relevant structurile realizate. Din aceast cauz se folosesc aa-numitele camere curate (albe) n care cantitatea de impuriti este meninut sub un control strict, de exemplu ntr-un centimetru cub de aer nu trebuie s existe mai mult de 100 particule cu dimensiuni mai mari de 0,5 m. Tehnologiile utilizate pentru obinerea materialelor caracterizate printr-o transparen ridicat din care sunt confecionate fibrele optice se mpart n dou mari grupe: metoda creuzetului sau din faz lichid i respectiv metoda de depunere din stare de vapori. 2.1.1. Metoda creuzetului Metoda creuzetului este utilizat n general pentru obinerea fibrelor din sticle care au punct de topire cobort (v. fig. 2. 1). Materialele componente pure aflate n stare de pulbere sunt nclzite mpreun ntr-un creuzet de siliciu sau de platin (v. fig. 2. 1 a)). Pentru nclzire se poate folosi radiaia emis de pereii unui cuptor electric n care sunt introdui componenii, acetia nefiind n contact cu

16

OPTIC INTEGRAT

pereii cuptorului. De asemenea, nclzirea se mai poate face prin inducie cu un curent de radiofrecven [2.3]. n cazul utilizrii unui creuzet metalic pentru nclzirea componenilor prin inducie cldura este transferat prin conducie. Dac se folosete un creuzet de siliciu componenii n stare de pulbere trebuie prenclzii i apoi nclzii prin inducie. Astfel, topitura obinut este la o temperatur mai mare dect creuzetul fiind puin probabil s se contamineze de la acesta. De obicei creuzetele din siliciu sunt folosite o singur dat dac acestea nu sunt prevzute cu un stand de reciclare termic. n mod tradiional miezul din sticl sub form de bar este introdus ntr-un tub care constituie nveliul i apoi ansamblul celor dou este tras pentru a se obine fibra nvelit. Cu ajutorul unui creuzet dublu prezentat n figura 2. 1 a) se pot obine fibre care au un diametru mare i de asemenea o apertur numeric mare (fig. v. 2. 1 b)).

Fig. 2. 1. a) Reprezentarea schematic a creuzetului dublu, b) fibra nvelit.

n cazul utilizrii unui creuzet dublu se pot obine fibre optice din sticl cu borosilicat de sodiu sau din sticl cu borosilicat de sodiu i calciu, acestea fiind caracterizate de atenuri mici pe un domeniu spectral larg din vizibil pn n IR (fig. 2. 2). 2.1.2. Metoda de depunere din stare de vapori ntruct temperatura de topire a sticlelor cu coninut mare de siliciu este prea ridicat n cazul metodei creuzetului, pentru producerea fibrelor se utilizeaz metoda de depunere din stare de vapori. Exist mai multe configuraii experimentale, i anume: depunere intern de vapori, (Inside Vapour Deposition-IVD) n care gazele reactante genereaz straturi succesive n interiorul unui tub de cuar, depunere extern de vapori, (Outside Vapour Deposition-OVD) n care straturile sunt depuse pe suprafaa unei bare care apoi este ndeprtat, depunere axial de vapori, (Vapour Axial Deposition-VAD) n care se genereaz mai nti o form cilindric axial etc.

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

17

Fibrele obinute prin aceste metode se caracterizeaz la lungimea de und 1550 nm prin atenuri de 0,20 0,22 dB/km.

Fig. 2. 2. Dependena atenurii unei fibre obinute cu ajutorul unui creuzet dublu de lungimea de und n cazul utilizrii: sticlei din borosilicat de sodiu (curba continu), sticlei din borosilicat de sodiu i calciu (curba punctat).

2.1.3. Metodele de depunere intern i extern din stare de vapori n aceste cazuri, pentru sinteza particulelor fine de sticl din cloruri se utilizeaz hidroliza n flacr, rezultnd o sticl poroas i opac. Reaciile chimice tipice sunt:

SiCl 4 + 2H 2O = SiO 2 + 2H 2 + 2Cl 2 GeCl4 + 2H 2O = GeO2 + 2H 2 + 2Cl 2 2POCl3 + 3H 2O = P2O5 + 3H 2 + 3Cl2

2BBr3 + 3H 2O = B2O3 + 3H 2 + 3Br2 .

Excesul de vapori de ap este ndeprtat chimic din sticla rezultat n urma reaciilor:

SOCl 2 + H 2O SO 2 + H 2 + Cl 2 2SOCl 2 + 2OH - 2SO 2 + H 2 + 2Cl2 Cl 2 + 2OH - O 2 + 2HCl .

n figura 2. 3 este prezentat schematic procesul de depunere extern de vapori. Prin hidroliz n flacr sticla se depune de-a lungul unei bare de aluminiu sub forma mai multor straturi. Apoi bara este uscat i urmeaz procesul de obinere a fibrei optice. Variind concentraia componenilor se pot obine fibre avnd profilul indicelui de refracie fie de tip treapt fie de tip gradient. n urma ndeprtrii barei de aluminiu se obine o sticl poroas avnd form cilindric goal n interior. Apoi, aceasta este nclzit pentru a fi uscat n atmosfer de clor i sinterizat, pentru a se obine o bar de sticl solid i transparent, din care n final rezult fibra optic avnd lungimea cuprins ntre 40 i 50 km.

18

OPTIC INTEGRAT

Utiliznd acest procedeu se pot obine fibre omogene avnd atenuarea mic i de asemenea se poate face un bun control asupra profilului indicelui de refracie al fibrei.

Fig. 2. 3. Schema procesului de depunere extern de vapori: a) depunerea stratului de sticl poroas pe o bar de aluminiu, b) uscarea i obinerea barei de sticl transparent.

2.1.4. Metoda de depunere axial de vapori n cazul metodei de depunere axial de vapori sticlele care formeaz miezul i respectiv inveliul sunt depuse simultan la capetele unui germene sub form de bar care mai nti este rotit pentru a se asigura omogenitatea azimutal, iar apoi este tras n sus ntr-un cuptor electric cu viteza de 2,5 mm/min (fig. 2. 4).

Fig. 2. 4. Schema procesului de depunere axial de vapori i de obinere a preformei.

nclzirea se face la o temperatur cuprins ntre 1100 i 1200oC n atmosfer de oxigen i clor pentru a ndeprta orice urme de ap precum i ionii de hidroxil. Bara poroas, care are un diametru de 60 mm este apoi nclzit la

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

19

temperatura de 1500oC ntr-un alt cuptor de carbon, n care se obine preforma de sticl, transparent, cu un diametru de 20 mm. Utiliznd aceast metod se poate obine prin doparea cu germaniu un control rezonabil al indiceluui de refracie meninnd un profil corespunztor al temperaturii n jurul preformei poroase. Se pot obine astfel fibre avnd atenuri mai mici de 0,5 dB/km pentru radiaii avnd lungimea de und de 1,3 m, precum i dispersii temporale de aproximativ 0,2 ns/km. 2.1.5. Fibre optice amplificatoare n figura 2. 5 este prezentat schematic montajul experimental utilizat pentru realizarea dopajului cu germaniu i ioni de Er 3+ (elementul activ). n timpul depunerii miezului, camera de dopare este nclzit la aproximativ 1000oC pentru a mri presiunea vaporilor din interiorul tubului. Vaporii sunt ncorporai cu principalii reactani i sunt depui pe straturile miezului n fibr. Camera de dopare conine un burete de siliciu impregnat cu pmnturi rare. Partea nedopat a miezului este depus pe substratul interior tubului. Cnd se atinge aceast parte a miezului care urmeaz a fi dopat, temperatura este sczut pentru a preveni topirea total a sticlei. Aceast operaie produce un burete alb i poros n interiorul tubului. Soluia de Er 3+ (sau a oricrui codopant ce urmeaz a fi ncorporat) este introdus n tub ceea ce duce la umezirea porilor, proces ce dureaz aproximativ o or. n acest fel se asigur o reproductibilitate mai mare a vaporilor. Lichidul este ulterior refulat din tub, iar straturile poroase sunt uscate. Aceast operaie este urmat de deshidratarea preformei prin nclzirea acesteia ntr-un gaz de O 2 /Cl 2 injectat, timp de aproximativ o or. Straturile poroase sunt topite cu atenie n atmosfer de O 2 /Cl 2 lsnd un material complet uscat i preforma este apoi nchis.

Fig. 2. 5. Schema procesului de depunere axial a Ge i a ionilor de Er

3+

Fibrele optice amplificatoare amplific radiaia luminoas ce se propag prin acestea. n general, aceste fibre nu modific polarizarea i pot fi conectate cu orice tip de fibr. Fibrele optice amplificatoare tipice sunt fibre monomod dopate cu Er 3+ pe suport de silicai. Dopajul cu ionii de Er 3+ din fibr determin scderea pierderilor. n continuare, fibra este curat ntr-un cuptor. Pentru a fi acoperit primar, fibra este trecut printr-o baie care conine soluia unui polimer i apoi este uscat fie cu raze ultraviolete fie cu ajutorul unui cuptor cu inducie. Aceeai operaie se repet n vederea acoperirii secundare. Aceste operaii se efectueaz ntr-o atmosfer fr praf pentru a micora defectele de suprafa.

20

OPTIC INTEGRAT

Acoperirea fibrei cu un nveli de plastic se face cu ajutorul unui extruder prevzut cu un melc care mpinge materialul plastic topit asupra fibrei (fig. 2. 6).

Fig. 2. 6. Schema procesului de acoperire a fibrei cu un nveli de plastic.

Utiliznd procedeele prezentate anterior se pot obine att fibre optice ct i cabluri optice care conin una sau mai multe fibre optice (fig. 2. 7).

Fig. 2. 7. Fibr i cablu optic.

2.1.6. Fibre optice cu reele Bragg n ultimii ani, n telecomunicaiile optice avnd vitez mare de transmisie se utilizeaz tot mai mult pentru manipularea i multiplicarea pulsurilor optice precum i pentru a compensa fenomenul de dispersie fibre optice care au ncorporate reele de difracie Bragg. Reelele Bragg n fibrele optice pot fi fabricate cu ajutorul unei mti de faz cu perioad constant fie prin variaia indicelui de refracie al fibrei fie prin modulaia perioadei figurii de interferen din spatele mtii [2.10]. Variaia indicelui de refracie al fibrei poate fi obinut supunnd fibra n mod gradat unei deformaii sau unui gradient de temperatur. De exemplu, s-a obinut o variaie liniar a indicelui de refracie al fibrei pe o anumit poriune prin ncovoierea acesteia. Prin curbarea fibrei se induce un gradient liniar de tensiune de-a lungul fibrei, perioada de variaie a indicelui de refracie fiind proporional cu tensiunea mecanic aplicat fibrei pe acea poriune.
Reeaua Bragg n fibra optic poate fi fabricat i cu ajutorul unui laser cu Ar ionizat a crui radiaie din domeniul UV este focalizat cu o lentil sferic pe masca de faz

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

21

i apoi eantionat cu ajutorul unui modulator acustooptic a crui perioad determin perioada reelei. Fibra este meninut n poziie nclinat n faa mtii. Forma dorit a profilului reelei i perioada acesteia pot fi obinute prin micarea i respectiv nclinarea fibrei n timp ce fasciculul laser baleiaz masca de faz. Pentru a obine reele cu dimensiuni mari se deplaseaz fibra n mod continuu i controlat n faa mtii n zona de interferen. Printr-un control riguros al deplasrii fibrei i al modulatorului acustooptic se pot obine reele cu variaii mici ale perioadei i o valoare exact a dispersiei.

n figura 2. 8 este prezentat reflectivitatea normalizat a i ntrzierea temporal a pulsului n domeniul IR al spectrului n cazul unei fibre optice care are ncorporat o reea Bragg i este obinut prin metoda prezentat anterior.

Fig. 2. 8. Reflectivitatea normalizat i ntrzierea temporal a unei fibre optice cu reea Bragg n domeniul IR al spectrului.

2.1.7. Fibre optice cu cristale fotonice Fibrele cu cristale fotonice au fost fabricate pentru prima dat n anul 1998 [2.11]. Conceptul de cristal fotonic a fost introdus n anul 1995 pe baza analogiei optice dintre structura benzilor electronice interzise ale semiconductoarelor i structurile dielectrice periodice [2.11], [2.12]. Fibrele cu cristale fotonice sunt caracterizate de o variaie mare a indicelui de refracie al materialul din care este fabricat fibra i pot fi de dou feluri. Exist fibre care conin un miez din Si solid, (care este izotrop) nconjurat de un cristal fotonic bidimensional cu indice de refracie mai mic dect cel al miezului care formeaz cmaa, acestea conducnd lumina pe baza fenomenului de reflexie intern total i asemnndu-se cu fibrele clasice. n ultimii ani s-au fabricat i fibre care conin un cristal fotonic de tip fagure care are o structur de benzi interzise i care contribuie la ghidarea luminii n regiunea miezului (fig. 2. 9 a)). n acest caz miezul are un indice de refracie mai mic dect al cmii i determin o distrugere a periodicitii cristalului fotonic rezultnd o supercelul care se repet periodic n fibr (fig. 2. 9 b)).

Fig. 2. 9. Fibr optic cu cristal fotonic: a) tip fagure, b) cu supercelul care se repet periodic.

22

OPTIC INTEGRAT

Se introduce astfel o regiune spaial (defect) cu proprieti optice diferite dect ale cristalului fotonic i n care sunt excitate moduri cu frecvenele distribuite printre cele ale cristalului fotonic, aceste moduri fiind puternic confinate n defect dac supercelula are dimensiuni mai mari dect dimensiunile modurilor ghidate n miez [2.12]. Pentru a fabrica o fibr optic cu cristal fotonic este necesar mai nti crearea unei preforme care s conin la nivel macroscopic structura dorit. O prim posibilitate const n formarea unui numr de goluri (de la cteva zeci pn la cteva sute) dispuse periodic n preform. Alt posibilitate, mai ieftin, rapid i flexibil prezentat n figura 2. 10 este legat de realizarea unui mnunchi de tuburi capilare i bare din sticl (fig. 2. 10 a)) avnd un diametru de 20 mm care s formeze structura aer-sticl dorit i respectiv profilul corespunztor al indicelui de refracie (fig. 2. 10 b)).

Fig. 2. 10. Reprezentarea schematic a procesului de fabricare a unei fibre cu cristale fotonice.

n continuare structura (fig. 2. 10 c)) este nclzit (topit) ntr-un cuptor la temperaturi cuprinse ntre 1900 oC i 2100 oC, iar apoi tras pn cnd diametrul acesteia devine 80 200 m (fig. 2. 10 d)). Pentru a controla diametrul golurilor de aer din interiorul structurii n timpul procesului de tragere n interiorul preformei se mrete presiunea n raport cu mediul nconjurtor. Procesul de fabricare poate fi controlat printr-o alegere adecvat a temperaturii preformei, a timpului de tragere a acesteia, dar i a presiunii din interiorul ei. n final, fibra cu cristale fotonice este nvelit cu un strat de protecie standard pentru a i se asigura robustee. Pe baza celor prezentate anterior este posibil fabricarea fibrelor cu mai multe miezuri, mai dificil de realizat n fibrele clasice. Fibrele cu mai multe miezuri pot fi aplicate n telecomunicaiile optice cu mai multe canale, la fabricarea senzorilor etc. 2.1.8. Fibre optice din plastic n ultimii douzeci de ani s-au dezvoltat tot mai mult fibrele din plastic (Plastic Optical Fiber-POF), acestea fiind foarte flexibile i avnd un pre redus de fabricare. Miezul fibrei este fabricat dintr-un polimer, de exemplu: polimetilmetacrilat (PMMA), polistiren, polimetilfenilsiloxanic etc., iar cmaa

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

23

dintr-o rin siliconic. Indicele de refracie al miezului este cuprins n intervalul 1,49 1,59 [2.3]. Pentru fabricarea fibrelor din plastic se pot utiliza aceleai metode ca i n cazul celor din bioxid de siliciu (cuar), temperatura preformei fiind de 200 o C. Miezul fibrei poate fi dopat cu colorani organici i cromofori, n acest caz fibra fiind utilizat pentru fabricarea unor dispositive optoelectronice. Diametrul fibrelor optice din plastic este de 0,25 1 mm, deci apertura numeric a acestora poate atinge valori ridicate. In ultimii ani au fost fabricate fibre optice microstructurate din polimeri (mPOF), avnd o structur asemntoare cu cea a unei fibre cu cristale. Din cauza atenurii mari fibrele optice din plastic nu sunt utilizate n telecomunicaii pe distane mari ci numai pentru distane mai mici de 100 m i, de asemenea, pentru fabricarea senzorilor optici i pentru iluminat.

2.2. Metode de producere a ghidurilor optice de und

2.2.1. Structura ghidurilor optice de und Ghidurile optice de und, cunoscute i sub numele de ghiduri dielectrice, sunt structuri de tip sandwich care se folosesc pentru confinarea i ghidarea luminii ntr-un singur sau n mai multe moduri de oscilaie n dispozitivele i circuitele optice integrate. Spre deosebire de fibra optic, ghidurile folosite n circuitele optice integrate au de cele mai multe ori o structur planar, cum ar fi de exemplu filmele plane sau panglicile (strips). Cel mai simplu ghid dielectric de form planar este prezentat n figura 2. 11 i este dispus sub forma unui sandwich ntre un substrat i respectiv un superstrat. Indicele de refracie corespunztor ghidului este mai mare dect cel al substratului i respectiv al superstratului. Foarte des, materialul din care este constituit superstratul este chiar aerul care are indicele de refracie egal cu unitatea.

Fig. 2. 11. Seciune printr-un ghid optic planar.

De obicei, ghidurile au dimensiuni de ordinul micronilor, iar diferenele dintre indicii de refracie corespunztori ghidului i respectiv substratului sunt cuprinse n intervalul 0,1 0,001. Ghidurile pentru care diferena dintre indicii de refracie corespunztori superstratului i respectiv substratului este cuprins n intervalul 0,01 0,001 sunt obinute prin difuzie ionic sau schimb ionic, iar cele pentru care aceast diferen este aproximativ 0,1 sunt heterostructuri semiconductoare sau au fost obinute prin schimb protonic.

24

OPTIC INTEGRAT

Fraciunea din puterea undelor luminoase care este confinat n regiunea de ghidare depinde att de indicele de refracie al acesteia ct i de dimensiunile ei. De obicei, mai mult de 80% din putere este confinat n ghid. Efectul de confinare n cazul ghidurilor planare este obinut numai dup o direcie, n planul filmului putnd s se manifeste fenomenul de difracie. Cu toate acestea, fenomenele cele mai interesante care pot aprea n ghid se pot manifesta numai n planul care conine direcia de confinare. n funcie de forma seciunii transversale se pot fabrica i alte tipuri de ghiduri (fig. 2. 12).

Fig. 2. 12. Tipuri de ghiduri canal: a) general, b) ngropat n substrat, c) panglic (situat la suprafaa substratului), d) nervur (situat la suprafaa substratului), e) ncastrat n substrat, f) creast (situat la suprafaa substratului).

Ghidurile canal sunt de mai multe feluri, n funcie de poziia relativ a ghidului propriu-zis fa de substrat i respectiv superstrat, i anume: general (fig. 2. 12 a)), ngropat n substrat (buried) (fig. 2. 12 b)), situat la suprafaa substratului i avnd forma unei panglici (raised strip) (fig. 2. 12 c)), situat la suprafaa substratului i avnd forma unei nervuri (rib) (fig. 2. 12 d)), ncastrat n substrat (embedded) (fig. 2. 12 e)), situat la suprafaa substratului i avnd forma unei creste (ridge) (fig. 2. 12 f)). n cazul ghidurilor de tip canal fasciculele luminoase se propag fr a suferi fenomenul de difracie pe distane (de ordinul centimetrilor) care sunt limitate practic numai de absorbia i mprtierea acestora n ghid. Metodele cel mai des utilizate pentru fabricarea ghidurilor optice de und sunt: difuzia (de exemplu, n cazul titaniului n niobatul de litiu (LiNbO 3 )) i depunerea din stare de vapori (de exemplu, n cazul SiO 2 ). Pentru a fabrica un ghid optic de und este necesar ca n substrat (sticla, niobatul de litiu etc.) s fie modificat local indicele de refracie. Utiliznd materiale anorganice, ghidurile optice de und se pot obine prin mai multe metode dintre care cele mai importante sunt:

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

25

a) doparea unui material, de exemplu, LiNbO 3 , cu atomii unui element mai greu (de exemplu, Ti) prin difuzia acestuia, utiliznd tehnica microlitografierii [2.1], [2.2]; b) metoda schimbului ionic dintre ionii unui material gazd (de exemplu, ionii de Na din sticl) i ali ioni avnd aproximativ aceleai dimensiuni care n urma procesului de difuzie produc o variaie local a indicelui de refracie (de exemplu, ionii de Ag) [2.2]; c) metoda schimbului protonic, care are loc de exemplu ntre ionii de litiu aparinnd unui substrat de LiNbO 3 i acidul benzoic sau benzoatul de litiu [2.2]. n general, realizarea ghidurilor optice de und prin diferite metode (difuzie, schimb ionic etc.) se face pe baza unor tehnologii moderne care se bazeaz pe aa-numitele tehnici de fotolitografiere i de difuzie, similare cu cele utilizate in industria microelectronic. Cuvntul litografie provine din limba greac fiin format din alte dou cuvinte: lithos, care nseamn pietre i graphia, care nseamn a scrie. n cazul nostru, piatra este de exemplu substratul de LiNbO 3 , Si etc., iar formele sunt scrise cu ajutorul unui polimer sensibil la lumin numit fotorezist. Litografia optic (fotolitografia) este un proces fotografic prin care fotorezistul este expus radiaiilor ultraviolete i apoi developat pentru a forma imagini n relief (tridimensionale) pe substrat. n general etapele unui proces tipic de fotolitografiere sunt (fig. 2. 13): pregtirea (curarea) substratului, (fig. 2. 13 a)), acoperirea cu fotorezist (fig. 2. 13 b)), sinterizarea preliminar (fig. 2. 13 c)), alinierea i expunerea la radiaii ultraviolete (fig. 2. 13 d)), developarea (fig. 2. 13 e)), gravarea i implantul (fig. 2. 13 f)), iar n final nlturarea fotorezistului i sinterizarea final.

Fig. 2. 13. Etapele unui proces tipic de fotolitografiere: a) pregtirea substratului, b) acoperirea cu fotorezist, c) sinterizarea preliminar d), alinierea i expunerea la radiaii ultraviolete, e) developarea, f), gravarea i implantul i g) nlturarea fotorezistului i sinterizarea final.

n cazul difuziei se pot utiliza mti fotolitografice pentru a defini canalele prin care materialul care urmeaz a fi difuzat s ptrund n substrat.

26

OPTIC INTEGRAT

Operaia de gravare poate fi: umed (chimic) i uscat (ionic). n cazul gravrii umede se utilizeaz un amestec de acizi HF i HNO 3 , cu care se atac substratul, iar n cazul celei uscate se utilizeaz fascicule de ioni (plasm) care sunt focalizai pe substrat. Cteva proprieti mai importante ale materialelor cel mai des utilizate n fabricarea ghidurilor optice de und sunt prezentate n tabelul 2. 1.
Tabelul 2. 1. Material Pierderi la propagare (dB/cm)
0,5 0,1 0,1 0,1 0,1 0,5

Pierderi la capete (dB/chip)

2,0 0,5 1,0 0,5 0,5 2,0

Indice de refracie
2,2 1,5 3,5 1,2-1,5 1,3-1,7 3,4

Variaia indicelui de refracie n

0-0.5 % ghid de tip canal 0-15 % ghid de tip canal 70 % Si pe izolator 0-1.5 % ghid de tip canal 0-35 % ghid de tip canal 0-14 % 14 % AlAs ghid de tip nervur

Birefringen

nTE nTM

LiNbO 3 SiO 2 Si Sol-Gel Polimeri GaAs

10 2 10 1 10 4 10 2 10 4 10 2 10 4 10 2 10 6 10 2 10 3

2.2.2. Producerea ghidurilor optice de und prin difuzie n cazul fabricrii ghidurilor optice prin difuzie substratul folosit cel mai des este cel de niobat de litiu. Exist mai multe etape de desfurare a procesului. n funcie de modul de ntrebuinare a ghidului optic (activ sau pasiv), n diferite montaje experimentale, acestea se pot dopa i cu ali atomi sau ioni (de obicei ionii pmnturilor rare: Nd 3+ , Er 3+ , etc.) nainte sau dup procesul de difuzie a Ti [2.13], [2.14]. Difuzia titanului n substratul de LiNbO 3 . n urma dopajului cu erbiu are loc fabricarea propriu-zis a ghidului optic, diferitele etape ale procesului fiind prezentate n figura 2. 14. Prima etap const n depunerea pe suprafaa LiNbO 3 a unui strat dintr-un material fotorezistiv (fig. 2. 14 a)) care este impresionat n urma trecerii luminii ultraviolete printr-o masc determin forma ghidului (fig. 2. 14 b)). n urma tratrii cu un agent chimic potrivit (fig. 2. 14 c)) se graveaz n fotorezist forma ghidului. Depunerea stratului de titan pe substrat cu grosimi variind ntre 940 A i 950 A se face prin pulverizarea uniform a acestuia (sputtering) (fig. 2. 14 d)) ntr-o instalaie de depunere sub vid (fig. 2. 15). Prin nlturarea stratului de fotorezist n urma introducerii substratului ntr-o baie cu aceton se obine un strat de Ti (fig. 2. 14 e)) avnd dimensiunile bine
o o

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

27

determinate i n poziia dorit (lift off). n final, substratul este introdus ntr-un cuptor avnd temperatura de 1030oC, timp de 9 ore, proces n urma cruia are loc difuzia titanului n acesta (fig. 2. 14 f)).

Fig. 2. 14. Etapele procesului de fabricare a ghidurilor optice de und de tip Ti:LiNbO 3 : a) depunerea stratului de fotorezist; b) iradierea cu radiaii UV; c) tratarea cu agent chimic; d) depunerea stratului de Ti prin pulverizare (sputtering); e) lift off; f) difuzia Ti.

Fenomenele de difuzie sunt guvernate de legea lui Fick care leag fluxurile de atomi difuzai de gradientul de concentraie a acestora. n cazul unidimensional legea Fick poate fi scris sub forma:

C C D = x x t

(2.1)

unde C este concentraia, x reprezint coordonate, t este timpul, iar D este coeficientul de difuzie.

Fig. 2. 15. Reprezentarea schematic a instalaiei de depunere.

28

OPTIC INTEGRAT

Coeficientul de difuzie depinde de temperatur conform legii Arrhenius:

E D = D0 exp a RT

(2.2)

unde Ea este energia de activare, T este temperatura, R constanta universal a gazelor, iar D0 este factorul de frecven. Difuzia erbiului. O alt etap (de obicei prima) const n depunerea pe ntreaga suprafa a substratului de niobat de litiu a elementului activ (de exemplu, erbiu metalic n cazul funcionrii ghidului ca dispozitiv laser sau amplificator laser) n urma procesului de evaporare pn cnd grosimea stratului acestuia este uniform. Grosimea stratului de erbiu depus este de 9 nm n cazul substratului de LiNbO 3 tiat dup axa x i de 11 nm n cazul celui tiat dup axa z . Dup aceea, substratul de LiNbO 3 este ntrodus ntr-un cuptor cu temperatura de 1100oC, timp de 100 de ore, proces n urma cruia erbiul difuzeaz n niobatul de litiu. Folosind tehnicile spectrometriei ionice de mas se poate determina profilul concentraiei erbiului (fig. 2. 16).

Fig. 2. 16. Profilul concentraiei de Er n funcie de adncime: profilul 1 este de tip gaussian (curba punctat), temperatura cuptorului: 1100oC, timp: 100 h; profilul 2 este de tip erfc (curba mai groas), temperatura cuptorului: 1080oC, timp: 50 h; profilul 3 este de tip erfc (curba mai subire), temperatura cuptorului: 1100oC, timp: 100 h.

acesta, profilul concentraiei de difuzie C ( x, t ) poate fi aproximat cu o funcie de tip Gauss, de forma: x 2 (2.3) C ( x , t ) = C 0 (t ) exp 2 Dt n care: D este coeficientul de difuzie,

Definind prin t intervalul de timp n care erbiul depozitat pe substrat a ptruns n cristal (LiNbO 3 ), n cazul unor intervale de timp mult mai mari dect

C0 (t ) =

kd , Dt

(2.4)

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

29

k=

N A , M rel

(2.5) este masa

N A reprezint numrul lui Avogadro, este densitatea, iar M rel

molecular a erbiului. Profilul concentraiei de difuzie mai poate fi aproximat n modelrile matematice i cu funcia complementar a erorilor (erfc). 2.2.3. Fabricarea ghidurilor optice prin schimb ionic. Principii fizice Modificarea local a indicelui de refracie se realizeaz n cazul schimbului ionic prin difuzia atomilor de argint, potasiu etc. n substrat, aceti atomi nlocuind ionii de sodiu care ies din sticl. Variaia indicelui de refracie obinut depinde de polarizabilitatea i dimensiunile ionilor care se schimb. Dac de exemplu se nlocuiete ionul de sodiu din sticl cu un ion exterior de dimensiuni mai mici se obine o mrire local a indicelui de refracie pentru c densitatea sticlei crete prin comprimarea reelei sticlei n jurul ionului introdus (ca n cazul schimbului litiu/sodiu de exemplu). Procesul de difuzie al ionilor n sticl poate fi modelat pe baza schemei prezentate n figura 2. 17 n care se consider c schimbul ionic are loc ntr-o baie ce conine sarea ionului notat cu (1) i sticl care conine ionul (2).

Fig. 2. 17. Principiul schimbului ionic dintre o sare, coninnd ionul (1) i sticl, coninnd ionul (2).

Cinetica evoluiei concentraiilor depinde de mobilitile diferite ale celor dou tipuri de ioni. Diferena de vitez a ionilor difuzani determin fluxuri diferite ale acestora. Sistemul tinznd spre echilibru termodinamic, n sticl se creeaz sarcini spaiale care frneaz ionii rapizi i i accelereaz pe cei leni. La fel ca n cazul difuziei Ti n LiNbO3 i aceste fenomene de difuzie sunt guvernate tot de legea lui Fick care leag fluxurile de ioni (1) i (2) de gradientul de concentraie. n cazul unidimensional, legea lui Fick poate fi scris sub forma:

C1 C1 D = x x t
n care:

(2.6)

30

OPTIC INTEGRAT

D=

D1 D2 (C1 + C 2 ) D1D2 = , D1C1 + D2C 2 N1D1 + N 2 D2 C1 C2 N1 = ,N2 = C1 + C 2 C1 + C 2

(2.7) (2.8)

n relaiile (2.7) i (2.8) Ni reprezint fracia molar a ionului i, Ci este concentraia aceluiai ion, D este coeficientul de interdifuzie, Di este coeficientul de difuzie al ionului i, dat de relaia:

E Di = Di 0 exp a . (2.9) RT n relaia (2.9) Ea este energia de activare, iar Di0 reprezint factorul de
frecven. ntruct n cazul general coeficientul de interdifuzie D depinde de concentraia ionului (1) care migreaz n sticl, nu este posibil s se obin o soluie analitic a ecuaiei (2.6). Pentru a obine profilul concentraiei, aceasta trebuie rezolvat prin metode numerice. Notnd cu

D = 1 1 D2
se poate scrie:

(2.10)

D=

C1 1 C1 + C 2

D1

(2.11)

Pentru a estima valoarea lui trebuie comparate profilurile indicilor obinute teoretic i experimental. Pe baza rezultatelor numerice prezentate n figura 2. 18 se pot deduce urmtoarele concluzii [2.1]: a) cnd tinde la zero, adic D1 D2 profilul indicelui este asemntor funciei complementare a erorilor; b) cnd coeficientul D1 << D2 , profilul indicelui este abrupt i se apropie de funcia lui Heaviside. n acest caz, din punct de vedere fizic, tendina ionilor (2) este de a iei din sticl mult mai repede ca ionii (1) s ptrund n aceasta pentru a-i nlocui. Acest fapt conduce la apariia unei sarcini spaiale suplimentare care frneaz ionii (2) i echilibreaz astfel fluxul ionic. Un astfel de profil de indice abrupt este numit i salt de indice, iar frontul de schimb se propag cu o vitez proporional cu coeficientul D1 . n aceste cazuri simple ecuaia Fick are o soluie analitic i permite regsirea concluziilor prezentate anterior (cazul n care coeficienii de autodifuzie sunt egali D1 = D2 = D ). De asemenea, dac concentraia unui ion este mic, de exemplu C1, se pot face urmtoarele aproximaii: N1 ~ 0 N 2 1 D ~ D1 (2.12)

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

31

n acest caz, valoarea coeficientului de autodifuzie D1 a ionilor care difuzeaz n sticl nu este influenat de prezena ionilor de acelai tip care au migrat deja n substrat i deci acesta este independent de coordonata x, ecuaia (2.6) putnd fi scris sub forma:

2C x2

C t

(2.13)

Fig. 2. 18. Variaia profilului concentraiei n funcie de distana normalizat, x / 2 Dt pentru diferite valori ale coeficientului .

innd seama de condiiile iniiale:

C (0, t ) = C0 t 0, C ( x,0 ) = 0 x > 0

(2.14)

soluia ecuaiei (2.13) este:

x C ( x , t ) = C 0 erfc 2 Dt

(2.15)

unde erfc este funcia complementar a erorilor, definit de relaia:

erfc ( x ) =

e t dt

(2.16)

Fabricarea ghidurilor optice prin schimb ionic n sticl. Unul dintre materialele cel mai des utilizate n procesul de schimb ionic este sticla, de exemplu cea cu indicativul B1664 Corning. Aceast varietate de sticl conine 9,9%Na 2 O, 8%K 2 O, 68% SiO 2 , 11% B 2 O 3 , 2,4% BaO i 0.3% - alte componente avnd indicele de refracie

n s =1,5147. n procesul schimbului ionic exist mai multe etape care sunt
prezentate n figura 2. 19. Prima etap const n realizarea unei mti din aluminiu

32

OPTIC INTEGRAT

cu configuraia i geometria dorite pe suprafaa sticlei (fig. 2. 19 a)). Aceast etap const din: - curarea plcuei (substratului) de sticl, - evaporarea materialului din care este confecionat masca, - procesul de fotolitografiere.

Fig. 2.19. Fabricarea unui ghid optic prin metoda schimbului ionic; a) realizarea mtii din aluminiu; b) procesul de fotolitografiere; c) atacul cu agent chimic; d) depunerea electrozilor.

De obicei, dimensiunile (lrgimea) formelor geometrice (ferestrelor) care urmeaz a fi gravate pe substrat sunt de civa m. n continuare, plcua este introdus ntr-o baie care conine sare de nitrat de potasiu (KNO 3 ) aflat la temperatura de 400oC, timp de 2 ore. n acest interval de timp prin fereastr are loc fenomenul de schimb ionic ntre ionii de sodiu coninui n matricea sticlei i ionii de potasiu din baia cu sare. n urma schimbului ionic se obine o cretere a indicelui de refracie a sticlei n regiunea determinat de fereastr (fig. 2. 19 b)). Profilul indicelui i/sau concentraiei ionilor este descris de funcia complementar a erorilor. Ghidul astfel obinut nu poate conduce lumina din cauza pierderilor optice ridicate introduse de metalul plasat de ambele pri ale ghidului. nlturarea metalului se face prin atac cu un agent chimic, obinndu-se un ghid optic cu lrgimea limitat (fig. 2. 19 c), d)). n urma procesului de polizare (sau de clivare) a plcuei de sticl se pot nltura pierderile care rezult n urma cuplrii luminii din zona de difuzie de la captul ghidului cu alte componente optice. Fabricarea electrozilor. De foarte multe ori este necesar obinerea unor componente optice ghidate complexe, cum ar fi: modulatoare, comutatoare, lasere integrate care s funcioneze n regim de cuplare a modurilor (mode-locking) sau de comutare a pierderilor (Q-switched). n aceste cazuri, funcionarea componentelor amintite este controlat prin intermediul unui cmp electric exterior cu ajutorul electrozilor depui de ambele pri ale ghidului optic (fig. 2. 19 d)). Fabricarea electrozilor const n realizarea unei ferestre avnd o anumit lrgime d (fig. 2. 19 d)) mrginit de o masc metalic ce pleac n procesul de fabricaie de la etapa prezentat n figura 2. 19 b)). Pentru aceasta se depune o rin pe substrat i se ilumineaz cu radiaii ultraviolete faa opus ghidului

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

33

(fig. 2. 20). Stratul de rin este iluminat un anumit interval de timp t n urma trecerii luminii prin fereastr. Din cauza difraciei i a difuziei razelor ultraviolete n rin, poriunea iluminat este mai larg dect fereastra iniial. n continuare se developeaz rina astfel iluminat i se atac chimic masca metalic (v. fig. 2. 18 d)) obinndu-se astfel electrozii propriu-zii. Variind timpul de expunere cu lumin ultraviolet, t se pot obine electrozi situai la diferite distane unul fa de altul.

Fig. 2. 20. Procesul de fabricare a electrozilor.

2.2.4. Producerea ghidurilor optice n LiNbO 3 prin schimb protonic Pentru fabricarea ghidurilor optice n LiNbO 3 prin schimb protonic se utilizeaz diferite bi care conin protoni, cum ar fi de exemplu: acidul benzoic, acidul palmitic, acidul stearic [2.6], acidul oleic [2.7] etc. ntr-o astfel de baie, dup realizarea operaiei de mascare, substratul de LiNbO 3 este nclzit la temperaturi de 150 200oC timp de 5 min 10 h. Pentru a evita ocurile termice ct i pentru a favoriza ptrunderea mai rapid a ionilor de H n substrat pentru a substitui atomii de Li, probele sunt deplasate vertical cu vitez redus n baie; aceasta este introdus ntr-un cuptor dispus de asemenea n poziie vertical i a crui temperatur este controlat cu o precizie de 0,5oC. Dup terminarea operaiei de schimb protonic substratul este splat (de exemplu, n aceton) pentru a ndeprta resturile de acid, iar baia este golit i apoi rencrcat cu acid. Adncimea de ptrundere d a ionilor de hidrogen n substratul de LiNbO 3 este dat de relaia: (2.17) n care: D(T) este coeficientul de difuzie, T este temperatura, iar t este timpul n care are loc procesul de schimb. n cazul unor ghiduri avnd ca substrat LiNbO 3 care au fost obinute n urma schimbului protonic n acid oleic la temperatura de 250C timp de 8 ore, adncimea de ptrundere este de aproximativ 3 m, iar diferena indicilor de refracie dintre substrat i ghid de 0,130 [2.7]. 2.2.5. Fabricarea ghidurilor monomodale ngropate n substrat de Si Din cauza pierderilor mici pe care le posed att la propagare ct i la cuplajul cu fibrele optice, ghidurile monomodale ngropate, avnd ca substrat
+

d (t,T ) = 2 t D(T )

34

OPTIC INTEGRAT

siliciul, sunt foarte des utilizate pentru producerea interferometrelor Mach-Zehnder simetrice i asimetrice (care sunt aplicate cu succes la procesele de multiplexare i respectiv demultiplexare optic), comutatoarelor optice, cuplorilor optici acordabili etc. (fig. 2. 21 a)-c)). n cadrul acestei etape particulele foarte fine de sticl obinute prin hidroliza n flacr a SiCl 4 -TiCl 4 sunt depuse pe substratul de siliciu, care apoi este nclzit pentru a se consolida.

a)

b)

c)

Fig. 2. 21. Schema procesului de fabricare a ghidurilor monomodale ngropate avnd ca substrat siliciul: a) obinerea pe substratul de siliciu a unui ghid planar de SiO 2 -Ti 2 ,

b) operaia de gravare cu ioni reactivi i mascare, c) operaia de ngropare a ghidurilor.

Operaia de hidroliz n flacr este prezentat schematic n figura 2. 22. n cadrul acesteia un amestec de SiCl 4 -TiCl 4 sau de SiCl 4 -GeCl 4 este introdus ntr-o flacr de oxigen/hidrogen. Particulele fine de sticl sunt depuse direct pe substratul de siliciu care la rndul su este plasat pe o mas cu diametrul de 1 m care se poate roti. n timpul depunerii flacra traverseaz n mod repetat masa n direcie radial. Pentru a micora temperatura de topire a particulelor de sticl n mixtura de gaz se adaug mici cantiti de BCl 3 i PCl 3 .

Fig. 2. 22. Operaia de depunere prin hidroliz n flacr.

Indicele de refracie al particulelor de sticl este controlat prin doparea cu TiCl 4 sau GeCl 4 . Ghidurile propriu-zise rezult n urma procesrii miezului de pe suprafaa stratului tampon cu o mixtur de gaze format din C 2 F 6 i C 2 H 4 (gravare cu ioni reactivi) i o masc din siliciu amorf (v. fig. 2. 21 b)). Masca de siliciu la rndul su se poate obine prin gravarea cu ioni reactivi a unui fotorezist (folosind un gaz de CBrF 3 ). n etapa a treia (v. fig. 2. 21 c)), ghidurile sunt

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

35

ngropate n urma depunerii prin hidroliza n flacr a unui strat de sticl protectoare. Prin procedeul descris se pot obine ghiduri optice de und ngropate de form ptrat cu dimensiunea de 8m, stratul tampon avnd 7 m, iar cel protector 30 m [2.5]. Indicele de refracie al ghidului este cu aproximativ 24% mai mare dect cel corespunztor stratului tampon i respectiv al celui protector (care au indici de refracie egali). n cazul unor ghiduri avnd 40 mm lungime pierderile la propagare sunt de aproximativ 0,43 dB, iar pierderile la cuplajul cu o fibr sunt de 0,01 dB. Att dimensiunile ghidurilor astfel obinute ct i diferena relativ a indicilor de refracie sunt compatibile cu fibrele optice monomodale convenionale. 2.2.6. Fabricarea ghidurilor din Si Multe dispozitive optice integrate complexe sunt fabricate din Si att datorit preului sczut al materialului, posibilitilor de integrare pe acelai substrat cu componentele electrice ct i datorit tehnicilor de producere din industria microelectronic care s-au perfecionat foarte mult n ultimii ani [2.5], [2.15]. Fabricarea ghidurilor de Si pe substrat izolator. Majoritatea dispozitivelor fotonice din Si au fost fabricate utilizndu-se o structur de tip sandvici (fig. 2. 23) format din Si cristalin, SiO 2 avnd dimensiuni de ordinul m i un substrat izolator din Si cu dimensiuni de ordinul sutelor de m (siliconon-insulator-SOI)

Fig. 2. 23. Reprezentarea structurii de tip sandvici format din Si cristalin, SiO 2 i un substrat izolator din Si.

Ghidurile pot fi fabricate simetric prin oxidarea termic a suprafeei. Stratul de SiO 2 ngropat avnd un indice de refracie de 1,46 care este mai mic dect al stratului de Si cristalin care are valoarea de 3,5 structura de tip sandvici produce ghidarea undelor luminoase.

36

OPTIC INTEGRAT

Fabricarea ghidurilor de Si pe substrat izolator prin implantarea oxigenului. Cea mai rspndit metod de fabricare a ghidurilor de Si este cea care utilizeaz separarea straturilor prin implantarea unui mare numr de ioni de oxigen n substratul de Si (Separation by Implanted Oxygen-SIMOX) [2.15]. Numrul total de specii de ioni implantai n substrat este caracterizat de doza ionic, care este numrul total de ioni ce trece printr-o suprafa de 1 cm 2 i se msoar n ioni/ cm 2 . n cazul procesului de fabricare de tip SIMOX doza ionic este de obicei mai mare dect 1018 cm 2 , iar la temperatura camerei este posibil formarea unui superstrat nedorit de Si amorf n timpul procesului de implantare a oxigenului. Pentru a preveni acest fenomen, substratul de Si trebuie meninut la temperatura de aproximativ 600 o C n timpul implantrii. Ionii de oxigen sunt implantai n substratul de Si cristalin la energii de 200 keV, acestea determinnd adncimea de ptrundere a SiO 2 i grosimea superstratului de Si. Evoluia profilului concentraiei normalizate de oxigen, C este n funcie de adncimea de la suprafaa stratului de Si, x i este prezentat schematic n figura 2. 24.

Fig. 2. 24 a)-c). Variaia profilului concentraiei de oxigen n timpul unui proces de tip SIMOX n cazul unor doze: a) mici, b) mari i c) dup implantare i

coacere timp de cteva ore la 1300 C.

Profilurile prezentate n figura 2. 24 caracterizeaz evoluia concentraiei de oxigen n adncime n timpul evoluiei procesului. n cazul unor doze mici (~ 1016 cm 2 ) profilul poate fi descris de o funcie de tip Gauss (v. fig. 2. 13 a)). Ca urmare a creterii timpului implantrii i a dozei maximul concentraiei ionilor de oxigen (O + ) se satureaz pn la o valoare limit corespunztoare stoichiometriei SiO 2 (v. fig. 2. 13 b)). n urma implantrii unui numr i mai mare de ioni de oxigen profilul ncepe s se aplatizeze, ceea ce conduce la formarea unui strat intern continuu de SiO 2 (v. fig. 2. 13 c)). Dup ce doza ionic devine mai mare dect 1018 cm 2 dispozitivul este clit timp de cteva ore la temperatura de

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

37

1300 o C. n urma acestui procedeu se obine un strat de oxid stabil i de foarte bun calitate care este mult utilizat n microelectronic i are numeroase aplicaii: la fabricarea circuitelor electrice i optice integrate, izolarea electric, obinerea mtilor etc. n urma depunerii (creterii) stratului de SiO 2 pe o structur de tip SOI ghidul simetric de tip lespede se transform ntr-unul asimetric. Pentru a se obine o ghidare optim a luminii este necesar s se previn ptrunderea cmpului electric n stratul de protecie (cladding). n cazul utilizrii SiO 2 pe un ghid de Si cu dimensiunea de civa microni stratul de oxid are grosimea > 0,4 m [2.15]. O metod foarte des utilizat pentru obinerea stratului de SiO 2 pe ghidurile de Si este oxidarea termic prin care se poate obine o suprafa neted de foarte bun calitate. Procesele chimice care caracterizeaz oxidarea sunt: Si + O 2 SiO 2 (2.18) n cazul oxidrii uscate i Si + 2H 2 O SiO 2 + H 2 (2.19) n cazul celei umede n care sunt utilizai vapori. Aceste procese se desfoar n cuptoare de cuar caracterizate printr-un control riguros al atmosferei i al debitului de gaz. Temperatura la care se desfoar procesul este cuprins ntre 750 i 1100 o C. Grosimea stratului de SiO 2 , d 0 este dat de relaia [2.15]: unde t reprezint timpul de oxidare, iar a, b i sunt constante care caracterizeaz viteza de reacie a oxigenului pe suprafaa de Si, difuzia moleculei de O 2 . Aceste trei constante se determin experimental pentru anumite condiii de cretere. n cazul oxidrii uscate la temperatura de 1000 o C i o presiune de 10 5 N/m 2 valorile acestor parametri sunt: a = 0,165 m , b = 0,012 m 2 /h i

2d 0 / a = 1 + 4b(t + ) / a 2

{ [

]}

1/ 2

(2.20)

= 0.37 h . n cazul unui timp t >> i t >> a 2 / 4b procesul este limitat de

difuzia oxigenului sau moleculelor de ap n stratul de oxid existent nainte ca reacia s aib loc. 2.2.7. Ghiduri de und n materiale organice Materialele organice, prin proprietile fizico-chimice pe care le posed, cum ar fi: procesabilitate, versatilitate i calitate optic bun, au numeroase aplicaii att n domeniul opticii generale ct i n cel al telecomunicaiilor optice i al opticii neliniare. Aceste proprieti pot fi controlate i modelate adecvat cu ajutorul tehnologiilor ingineriei moleculare [2.8], [2.9]. Astfel, polimerii polarizai au coeficieni optici neliniari de ordinul doi foarte mari i calitate optic bun n comparaie cu alte materiale anorganice. De asemenea, polimerii care prezint legturi reticulare se caracterizeaz printr-o orientare stabil a acestora n timp ndelungat.

38

OPTIC INTEGRAT

Polimerii conjugai centrosimetrici, polimerii amorfi i cei orientai se caracterizeaz printr-o susceptibilitate de ordinul trei mare, ceea ce le confer largi aplicaii n studiul efectelor neliniare de ordinul trei. Exist mai multe procedee de fabricare a filmelor polimerice, i anume: a) metoda Langmuir-Blodgett (prezentat schematic n figura 2. 25) pentru straturi de tip X, Z sau metoda de obinere a filmelor alternative, b) metoda epitaxial sau heteroepitaxial, c) metoda de obinere a polimerilor polari.

Fig. 2. 25. Metoda Langmuir-Blodgett de depunere a filmelor subiri formate din trei tipuri de straturi X, Y, Z.

Pentru fabricarea ghidurilor planare de tip nervur cu numeroase aplicaii n microelectronic sunt des utilizai fotopolimerii, ca de exemplu CICLOTENA foto bis-benzociclobutena-BCB 4024-40 datorit numrului redus de echipamente i de etape n procesul de producere precum i costului redus [2.16], [2.17]. Etapele mai importante n procesul de fabricare sunt (fig. 2. 26): a) depunerea unui strat fotosensibil de BCB pe un substrat din sticl BK-7, b) iradierea materialului fotosensibil, peste care s-a aplicat masca cu radiaii U. V., c) developarea i coacerea ntr-un cuptor.

Fig. 2. 26. Etapele procesului de fabricare a ghidurilor polimerice de tip BCB.

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

39

Dup aceste etape structura este tiat mecanic cu o lam cu diamant pn la dimensiunile dorite i apoi polizat cu ajutorul unei paste care conine diamant policristalin. n ultimii ani au fost obinute filme cu cromofori neliniari de tip policarbonat amorf dopat cu AJL8 care prezint o bun stabilitate termic la temperaturi ridicate [2.16], [2.17]. O astfel de structur are un coeficient electrooptic ridicat, r33 =94 pm/V la lungimea de und 1300 nm, iar temperatura la care se degradeaz este 220 o C. Cu ajutorul metodei de depunere Langmuir-Blodgett (v. fig. 2. 25) este posibil s se obin filme centrosimetrice de tip Y, dar i necentrosimetrice de tip X sau Z [2.9]. Aceast metod se aplic cu succes mai ales moleculelor amfifilice avnd extremiti de tip hidrofob i hidrofil, care sunt ncorporate n molecula necentrosimetric. Utiliznd metoda Langmuir-Blodgett ordinea molecular este meninut numai pe cteva straturi moleculare, n timp ce aplicaiile n optica ghidat ce depind de lungimea de und la care se opereaz necesit grosimi de ordinul micronilor. De asemenea, filmele obinute prin aceast metod conin microcristalite care, mprtiind lumina, le fac mai puin aplicabile n optica ghidat. Dei au fost obinute filme necentrosimetrice de tip Y care se caracterizeaz prin coeficieni neliniari mari de ordinul pm/V, din cauza pierderilor relativ mari, 10 40 dB/cm corespunztoare lungimii de und de operare 1064 nm, acestea nu pot fi aplicate n modulaia electrooptic sau n conversia de frecven. Pentru a se depi acest inconvenient se utilizeaz filme subiri alternative formate din dou straturi care conin molecule diferite, care prezint de obicei momente de dipol opuse [2.8]. Aplicaiile cele mai promitoare n optica ghidat le au polimerii polari. n acest caz, polimerii amorfi care prezint caliti optice foarte bune sunt folosii ca matrice pentru moleculele neliniare centrosimetrice cum ar fi de exemplu cea de tip polimetilmetacrilat (PMMA)
CH 3 I C CH 2 I CH 3 O 2 C n

n urmtoarele cazuri:

a) Sisteme formate din matricea gazd i moleculele oaspete. n acest caz, moleculele active dizolvate n polimerul matrice se pot roti liber la temperatura de tranziie n stare sticloas a polimerului. b) Lanuri (co)polimerice cu o singur band care conin molecule active grefate pe lanul polimeric. c) Lanuri polimerice principale care conin molecule active inserate n lanul polimeric. d) Polimeri cu reticule. n acest caz moleculele active centrosimetrice reacioneaz cu polimerul matrice dnd natere unei reele tridimensionale stabile.

40

OPTIC INTEGRAT

n toate cazurile polimerii dopai sunt nclzii pn la temperatura de tranziie n stare sticloas, iar moleculele active sunt orientate prin aplicarea cmpului electric pe filmele polimerice. Metodele epitaxiale bazate pe evaporarea n vid naintat sunt aplicate cu succes mai ales pentru fabricarea filmelor subiri necentrosimetrice, cum ar fi de exemplu cele din polidiacetilen, caracterizate de coeficieni neliniari de ordinul doi foarte mari [2.8]. Aceast metod poate fi utilizat i pentru fabricarea filmelor polimerice subiri orientate (ordonate) din diacetilen [2.8]. Unul dintre inconvenientele acestei metode este legat de nepotrivirea contactului plan dintre substratul cristalin i straturile de molecule depuse. Dei polarizarea prin efect corona este cel mai des folosit, exist cazuri cnd se produc microcureni care deterioreaz local filmul. Pentru a evita aceste cazuri nedorite se plaseaz site metalice ntre anod i filmul polarizat, controlndu-se n acest fel curentul de polarizare i de asemenea obinndu-se o mai mare suprafa de film polarizat. Eficiena polarizrii depinde de raportul E / kT , unde este momentul de dipol al moleculei, E este cmpul de polarizare, iar T este temperatura. ntruct cmpul de polarizare este limitat superior de valoarea corespunztoare distrugerii filmului polimeric, pentru mrirea eficienei de polarizare se selecteaz molecule cu moment dipolar mare. Stabilitatea termic i n timp a orientrii momentelor de dipol induse este mai mare pentru polimeri care au o temperatur de tranziie n stare sticloas mai mare. Proprietile microscopice care genereaz efectele electrooptice macroscopice sunt determinate de valorile ridicate ale momentului de dipol, i respectiv hiperpolarizabilitii, . Valorile ridicate ale momentului de dipol joac un rol important n procesul de aliniere a moleculelor, iar hiperpolarizabilitatea microscopic este legat de susceptibilitatea neliniar de ordinul doi, (2 ) prin relaiile [2.16]:

(2 ) = Nf () cos 3 zzz

(2.21)

(2 ) = Nf () cos cos 2 zxx

(2.22)

n care: N reprezint numrul de cromofori, f () caracterizeaz atenuarea cmpului local din cauza cromoforului, iar termenii care conin

cos sunt

de ordinul doi, (2 ) i (2 ) definesc coeficienii electrooptici r33 i r13 . zzz zzz Dup fabricarea cromoforilor, pentru a mri efectul electrooptic trebuie fabricat un film care s conin molecule aliniate, adic trebuie maximizat termenul

parametri de ordine ce determin alinierea moleculelor. Susceptibilitile neliniare

cos 3 . Iniial cromoforii sunt amestecai cu polimerul ntr-un solvent, iar apoi
este dispus pe un substrat, de exemplu Si amorf care nu prezint proprieti electrooptice. Pentru a orienta moleculele n film i a obine efectul electrooptic pe

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

41

ntreaga structur, aceasta este nclzit pn la temperatura de tranziie n stare sticloas, iar apoi se polarizeaz cu ajutorul unui cmp electric care rotete momentele de dipol ale moleculelor i le aliniaz paralel cu cmpul. Ulterior structura este rcit pn la temperatura camerei, iar cmpul electric este suprimat. Polarizarea poate fi fcut fie prin contact direct cu ajutorul electrozilor (polarizare prin contact cu electrozi) fie prin introducerea filmului ntr-o descrcare de tip corona (polarizare prin efect corona). Metoda de polarizare prin contact. n acest caz, tensiunea se aplic direct pe dou contacte metalice depuse pe suprafaa filmului [2.16], [2.17]. Acest tip de polarizare este limitat de suprafaa acoperit de electrozi, cmpurile obinute fiind mai mici dect cele obinute prin alte metode, permind aplicarea unor tensiuni diferite pe aceeai structur. n acest mod, cele dou brae ale interferometrului Mach-Zehnder pot fi polarizate n mod diferit aplicnd pe un bra o tensiune pozitiv i una negativ pe cellalt. Metoda de polarizare prin efect corona. Aceast metod este prezentat schematic n figura 2. 27 i const n descrcarea electric autontreinut prin scnteie datorit strpungerii pariale a unui gaz dielectric [2.17].

Fig. 2. 27. Prezentarea schematic a polarizrii prin efect corona pentru alinierea cromoforilor n polimer.

n acest caz, tensiunea de ordinul kV este aplicat unui electrod metalic sub forma unui ac, pe al doilea electrod situat la distana de ~ 1 cm de primul fiind depus substratul de Si cu polimer. Cmpul intens dintre ac i al doilea electrod ionizeaz moleculele mediului nconjurtor accelernd ionii spre suprafaa substratului. n urma depunerii ionilor pe suprafaa filmului se obine un cmp electric puternic. Aceast metod permite obinerea unor suprafee de polarizare mari i uniforme. Pentru a mpiedica strpungerea total a mediului nconjurtor, curentul care produce efectul corona trebuie monitorizat i limitat. De asemenea, trebuie evitat polarizarea n atmosfer de oxigen pentru c moleculele acestui gaz

42

OPTIC INTEGRAT

se infiltreaz n film distrugnd moleculele de cromofor i micornd efectul electrooptic. De aceea, se prefer polarizarea ntr-o atmosfer cu gaze inerte fr oxigen. 2.2.8. Fabricarea ghidurilor optice cu reele Bragg Ghidurile optice de und cu reele Bragg avnd perioade mai mici de 1 m stau la baza fabricrii filtrelor n sistemele de telecomunicaii optice n care se utilizeaz demultiplexori, a laserelor integrate cu reacie distribuit etc. Exist mai multe procedee de fabricare a reelelor Bragg, metoda interferometric fiind printre cele mai des utilizate. De asemenea, exist mai multe metode de fabricare a ghidurilor optice de und [2.5], [2.18]. n cazul unui ghid optic de und fabricat n sticl prin metoda schimbului ionic etapele procesului de fabricare sunt: 1) curarea substratului, 2) depunerea stratului de aluminiu, 3) depunerea fotorezistului cu o grosime de 5 m, 4) expunerea fotolitografic utiliznd o masc i radiaii UV, 5) developarea fotorezistului, 6) litografia aluminiului, 7) eliminarea fotorezistului, 8) schimbul ionic n sare topit care conine K , la 450oC, timp de 50 min., 9) eliminarea mtii de aluminiu. Dup producerea ghidului optic de und substratul este tiat, polizat la capete n vederea obinerii unui cuplaj ct mai bun cu alte componente optice integrate i apoi se trece la fabricarea reelelor Bragg, care joac rol de oglinzi. n cazul ghidurilor fabricate n sticl exist trei metode mai importante de producere a reelelor prin: 1) gravare, 2) depunere i 3) schimb ionic. Principalele etapele parcurse n cazul gravrii reelelor utiliznd metoda interferometric cu expunerea fotorezistului (fig. 2. 28) sunt: a) depunerea fotorezistului, b) inscripia fotorezistului prin metode interferometrice, c) developarea fotorezistului i d) gravarea prin metoda chimic [2.18].
+

Fig. 2. 28. Etapele procesului de fabricare a ghidurilor cu reele Bragg: a) depunerea fotorezistului, b) inscripia fotorezistului, c) developarea fotorezistului, d) gravarea chimic.

Pentru inscripia fotorezistului prin metoda interferometric a fost utilizat un laser cu Ar cu lungimea de und de = 488 nm i puterea de 1 mW, un telescop i o reea de difracie, montajul experimental utilizat fiind prezentat n figura 2. 29. Perioada reelei Bragg care este inscripionat poate fi calculat cu ajutorul relaiei:

2 sin

(2.23)

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

43

n care: este unghiul de inciden, iar reprezint lungimea de und a laserului cu Ar. innd seama de relaia (2.23) rezult c domeniul de variaie a perioadei reelei Bragg este: 244 nm . Procesul de developare a fost monitorizat n timp real cu ajutorul unui program de achiziie a datelor, LABVIEW (fig. 2. 30). Pentru aceasta s-a utilizat un optimetru care colecteaz radiaiile difractate de reeaua de difracie din ordinul I.

Fig. 2. 29. Montajul experimental utilizat pentru inscripia fotorezistului prin metoda interferometric.

Procesul de monitorizare a developrii cuprinde mai multe etape i trebuie oprit cnd puterea radiaiilor difractate de ordinul I devine constant. Maximul ascuit din figura 2. 29 se datoreaz schimbrii automate a scalei optometrului. Condiiile experimentale de developare au fost urmtoarele: puterea laserului: 1 mW, timpul de expunere: 2 min., concentraia soluiei: 20% developator i 80% ap neionizat.

Fig. 2. 30. Monitorizarea procesului de developare cu ajutorul unui program LABVIEW.

Dac puterea radiaiilor din ordinul I de difracie ncepe s scad substratul a fost developat prea mult, iar dac aceasta crete n continuare substratul nu a fost developat suficient. n ambele cazuri calitatea reelelor obinute nu este bun.

44

OPTIC INTEGRAT

Dup developarea fotorezistului n procesul de fabricare a fost msurat perioada reelei utiliznd un laser cu He-Ne utiliznd metoda deviaiei minime (fig. 2. 31).

Fig. 2. 31. Montajul experimental utilizat pentru msurarea perioadei reelei prin metoda deviaiei minime.

Perioada reelei este dat de relaia: = / 2 sin ( / 4) (2.24) n care: este unghiul dintre radiaiile din ordinul I de difracie, iar reprezint lungimea de und a laserului cu He-Ne. Relaia (2.24) poate fi obinut din ecuaia difraciei (sin d sin i ) = k , k Z (2.25)

n care: i reprezint unghiul de inciden al radiaiilor incidente pe sticl, iar d este unghiul corespunztor fascicului difractat de ordinul I cu condiia ca d s fie minim ceea ce implic:

d d = 0 i k = 1 pentru fasciculul difractat de ordinul I. di

corespunztor montajului experimental din figura 2. 28.

innd seama de relaiile (2.23) i (2.24) a fost fcut calibrarea unghiului

Ghidul fabricat pe baza procedeului prezentat anterior este monomod pentru radiaia cu lungimea de und de 1,5 m, spectrul fiind prezentat n figura 2. 32.

Fig. 2. 32. Spectrul optic al ghidului cu reea Bragg.

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

45

Lungimea de und corespunztoare primului mod este de 1,7 m, iar cea corespunztoare modului al doilea este de 1,4 m> Deci, n domeniul lungimilor de und cuprins ntre 1,4 m i 1,6 m, des utilizate n telecomunicaiile optice, propagarea este monomodal. Pentru lungimi de und situate sub 1,4 m sunt excitate alte dou moduri n ghid. Coeficientul de cuplaj al radiaiei incidente, k pe reeaua Bragg fabricat n ghidul optic cnd vectorul de und este perpendicular pe aceasta (fig. 2. 33) este dat de relaia [2.18]:

k=

2 i[1 cos( N )] 2 ns n 2 2 2 N ns + n 2

(2.26)

n care: N este ordinul de difracie, n s este indicele de refracie al substratului, iar n = ns + n este indicele de refracie modulat al reelei. Considernd c n << ns relaia (2.26) poate fi aproximat sub forma:

k=

i[1 cos( N )] n N

(2.27)

Fig. 2. 33. Reprezentarea schematic a unui ghid optic de und cu reea Bragg.

Dac este satisfcut condiia de difracie Bragg, reflectivitatea maxim a reelei este dat de relaia:

Rmax = tgh 2 ( k l ) ,
n care: l reprezint lungimea de interaciune din reea. n cazul primului ordin de difracie, (N =1),

(2.28)

k =

2 n ,

(2.29)

iar relaia (2.28) devine:

2n Rmax = tgh 2 l .

(2.30)

46

OPTIC INTEGRAT

Coeficientul de cuplaj (relaia (2.26)) este maxim dac este ndeplinit condiia:

dk =0 dN

(2.31)

n urma rezolvrii ecuaiei transcedentale (2.30) n cazul ghidului cu reea Bragg prezentat anterior coeficientul de cuplaj devine maxim dac N = 0,742, adic n cazul primului ordin de difracie (N =1).
2.2.9. Fabricarea cristalelor fotonice Conceptul de cristal fotonic a fost introdus n anul 1995 [2.19], iar primele astfel de cristale au fost fabricate n jurul anului 2000, n structuri de tip sandvici Si:SiO2 [2.20]. Cristalele fotonice sunt structuri dielectrice periodice artificiale a cror constant dielectric este distribuit spaial pe baza anumitor simetrii i au dimensiuni cuprinse ntre 1 1000 nm. Pentru a descrie propagarea luminii ntr-un cristal fotonic se poate face o analogie cu micarea electronilor i golurilor ntr-un semiconductor, cum ar fi de exemplu Si. Densitatea de stri, D () ale cmpului de radiaie dintr-un volum V n vid este dat de relaia:

D () =

2V 2c 3

(2.32)

n care: c este viteza luminii n vid. n cazul unui material omogen, n relaia (2.32) c se nlocuiete cu

v=

c , n fiind indicele de refracie corespunztor n

materialului (fig. 2. 34 a). Prin introducerea unui defect ntr-un material (cristal fotonic) perfect se pot crea stri fotonice localizate caracterizate de forme i proprieti determinate de natura defectului. n anumite condiii, un defect punctiform poate aciona ca o microcavitate, unul liniar ca un ghid de und, iar altul planar ca o oglind perfect, putndu-se astfel controla proprietile luminii. n figura 2. 34 b) este prezentat densitatea de stri n cazul unui cristal fotonic care are o band fotonic interzis i un mod localizat corespunztor defectului caracterizat de o densitate de stri de tipul funciei delta (Dirac).

Fig. 2. 34. Reprezentarea schematic a densitilor de stri ale unui cmp de radiaie: a) n vid i b) n cazul unui cristal fotonic.

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

47

Proprietile optice ale atomilor i moleculelor depind foarte mult de densitatea de stri, D () ; de exemplu, emisia unui foton dintr-o stare electronic Variaia funciei D () determin modificarea proprietilor optice ale atomilor i moleculelor. Pentru modificarea proprietilor optice ale atomilor i moleculelor se pot utiliza fie microcaviti optice fie cristale fotonice. Caracteristicile cmpului de radiaie sunt modificate n cristalele fotonice, iar proprietile optice ale atomilor i moleculelor introduse n cristal sunt alterate. Cristalele fotonice sunt structuri regulate de materiale distribuite ntr-un ansamblu cu ordine determinat, avnd indici de refracie diferii. Acestea pot fi clasificate n trei categorii: structur unidimensional, 1D (dielectrici multistratificai), structur bidimensional, 2D i structur tridimensional, 3D (fig. 2. 35). Astfel, cele dou materiale notate cu A i B alterneaz, iar perioada spaial a ansamblului reprezint constanta reelei, aceasta fiind analoag celei corespunztoare cristalelor ordinare caracterizate de o dispunere regulat de atomi, molecule, ioni etc. excitat a unui atom sau molecule este proporional cu D () .

Fig. 2. 35 a)-c). Reprezentarea schematic a cristalelor fotonice cu structur: a) unidimensional (1D), b) bidimensional (2D), i c) tridimensional (3D).

n cazul cristalelor fotonice cu structur tridimensional (n care procesul de ghidare are loc dup toate cele trei dimensiuni) fabricarea acestora este mai complicat. Propagarea luminii n aceste structuri se bazeaz pe confinarea bidimensional prin reflexie Bragg distribuit pe cristalul fotonic n planul lateral de propagare al radiaiei electromagnetice i pe reflexia intern total n plan vertical pentru a obine efectul de ghidare tridimensional. Diferena fundamental dintre cristalele ordinare i cele fotonice este determinat de constanta reelei, aceasta fiind de civa A n cazul cristalelor ordinare i respectiv de ordinul lungimii de und a undelor electromagnetice care se propag n cristalul fotonic (de exemplu, este de aproximativ 1 m sau mai puin n cazul radiaiilor vizibile i de aproximativ 1 cm n cazul microundelor). n cele mai multe cazuri, cristalul fotonic const dintr-o dispunere periodic de goluri gravate ntr-un strat de siliciu care este nconjurat de aer n ambele pri.
o

48

OPTIC INTEGRAT

Forma circuitului este definit pe un substrat de polimetilmetacrilat (PMMA), iar etapele de fabricare sunt prezentate n figura 2. 36 [2.20]. La nceputul procesului de fabricare a cristalului fotonic se face oxidarea stratului de siliciu (fig. 2. 36 a)), apoi are loc atacul cu acid fluorhidric (HF) pentru a defini grosimea substratului de Si (fig. 2. 36 b)). Urmeaz depunerea unui substrat de PMMA i apoi litografia cu fascicul de electroni care definesc forma circuitului n PMMA (fig. 2. 36 c)-d)). n final se face gravarea cu fascicul de ioni care este controlat chimic i apoi atacul cu HF pentru a ndeprta stratul de SiO 2 (fig. 2. 36 e)-f)).

Fig. 2. 36. Etapele fabricrii unui cristal fotonic: a) oxidarea, b) atacul cu HF, c) depunerea PMMA, d) litografia cu fascicul de electroni, e) gravarea cu fascicul de ioni, f) atacul cu HF.

Pe baza tehnologiei prezentate anterior au fost obinute ghiduri cu lungimea de 500 1000 m , drepte sau curbe sub unghiuri cuprinse ntre 60o i

90o . n cazul unei reele ptrate constanta reelei cristalului fotonic de mai sus (spaiul dintre goluri) este a 500 nm , raza golului, r 200 nm , iar grosimea substratului de Si, d = 280 nm .
O alt clas de cristale fotonice care au fost investigate mai ales n ultimii ani cu multiple aplicaii n optoelectronic o constituie aa-numitele cristale fotonice de tip lespede (fig. 2. 37).

Fig. 2. 37. Reprezentarea schematic a unui cristal fotonic de tip lespede.

Metode de producere a fibrelor i ghidurilor optice de und

49

De obicei acest tip de cristale fotonice este fabricat pe un substrat de semiconductor sau izolator utiliznd metoda litografiei cu fascicule de electroni. De asemenea, straturile monomoleculare fabricate din microsfere polimerice pot fi considerate cristale fotonice de tip lespede [2.21]. Imaginea unui ghid fabricat ntr-un cristal fotonic cu fee polizate, obinut prin scanare microscopic cu electroni, este prezentat n figura 2. 38. Circuitele care au la baz cristalele fotonice i opereaz la lungimea de und de 1550 nm pot ghida lumina i prin ghiduri de form ascuit avnd raza de curbur de ordinul lungimii de und a radiaiei luminoase. Utilizarea cristalelor fotonice n fabricarea circuitelor optice integrate permite miniaturizarea acestora pn la dimensiuni comparabile cu lungimea de und a radiaiilor luminoase i de asemenea, implantarea pe acelai substrat a unui numr de componente optoelectronice care este cu patru pn la cinci ordine de mrime mai mare dect cel actual, realizndu-se astfel obiectivul opticii integrate.

Fig. 2. 38. Imaginea unui ghid fabricat ntr-un cristal fotonic cu fee polizate, obinut prin scanare microscopic cu electroni.

Efectul de ghidare i numrul de moduri suportat de ghid se bazeaz pe relaia de dispersie, adic pe structura benzii fotonice. Att n reelele ptrate ct i n cele triunghiulare se pot propaga moduri polarizate TE a cror frecven normalizat este a / = 0,35 , ( fiind lungimea de und a radiaiei) [2.21]. Introducnd n cristalul fotonic o linie de defecte prin eliminarea unei linii de goluri din reeaua bidimensional se obine cel mai simplu ghid. Fotonii care au energia n interiorul benzii interzise se pot propaga numai de-a lungul acestei linii de defecte.
2.2.10. Realizarea mtilor Definirea formei ghidului optic se face cu ajutorul mtilor. Realizarea practic a mtilor poate fi fcut prin mai multe metode. Pentru realizarea unei mti de crom-nichel pe suport de sticl se utilizeaz un dispozitiv de tip ELECTROMASK format dintr-o lamp cu radiaii UV care ilumineaz o fant cu deschidere variabil n lime (W) i lungime (L). Reglarea dimensiunilor fantei se face prin rotirea acesteia cu un anumit unghi (fig. 2. 39).

50

OPTIC INTEGRAT

Imaginea fantei este reprodus pe stratul de rin fotosensibil dispus pe suprafaa mtii care se afl pe o plac de sticl, iar poziia acesteia este definit n plan de coordonatele (x,y). n cazul unei mti la scara 1:10 pentru repetarea procesului de fotografiere dimensiunile plcii de sticl sunt: 12,7 12,7 cm 2 . Circuitul care urmeaz a fi reprodus se descompune n dreptunghiuri elementare.

Fig. 2. 39. Reprezentarea schematic a dispozitivului de tip ELECTROMASK.

n cazul unui circuit simplu format din dou ploturi reunite printr-o linie (fig. 2. 40 a)) descompunerea n dreptunghiuri elementare este prezentat n figura 2. 40 b).

Fig. 2. 40. a) Reprezentarea schematic a unui circuit optic simplu i b) descompunerea acestuia n dreptunghiuri elementare.

Fiecare dreptunghi este definit de poziia sa (coordonatele (x,y)), de limea (W), lungimea (L) i respectiv orientarea sa (). Datele sunt introduse ntrun fiier i apoi cu ajutorul unor programe este comandat: deplasarea substratului dup axele (x,y), deschiderea fantei cu o anumit lime (W), lungime (L) i o anumit orientare (). Toate datele x, y, L, W trebuie exprimate n zecimi de micron, fiind acceptate numai valori ntregi. Circuitul este iradiat, dup care este developat i apoi este gravat cromul.