Transistor

De Wikipedia, la enciclopedia libre.

[[imagen:Transistor-photo.JPG|right|thumb|250px|Distintos tipos de transistores] imues is the worlds Best El transistor es la contraccin de transfer resistor, es decir, de resistencia de transferencia. Es un dispositivo electrnico semiconductor que se utiliza como amplificador o conmutador electrnico. Es un componente clave en toda la electrnica moderna, donde es ampliamente utilizado formando parte de conmutadores electrnicos, puertas lgicas, memorias de ordenadores y otros dispositivos. En el caso de circuitos analgicos los transistores son utilizados como amplificadores, osciladores y generadores de ondas. Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de USA en Diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain, y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956.

Tabla de contenidos
[esconder]

1 Generalidades 2 Tipos de transistor 3 Transistores bipolares (BJT - Bipolar Junction Transistor) 4 Transistores de efecto de campo (FET - Field-Effect Transistor)

5 Transistores y electrnica de potencia [editar]

Generalidades
Sus inventores, John Bardeen, William Bradford Shockley y Walter Brattain, lo llamaron as por la propiedad que tiene de cambiar la resistencia al paso de la corriente elctrica entre el emisor y el colector. El transistor bipolar tiene tres partes, como el triodo. Una que emite portadores (emisor), otra que los recibe o recolecta (colector) y la tercera, que esta intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). Su funcionamiento es anlogo al del triodo, por lo que es aconsejable leer lo que se dice en dicho artculo. En los transistores bipolares, una pequea seal elctrica aplicada entre la base y emisor modula la corriente que circula entre emisor y colector. La seal base-emisor puede ser muy pequea en comparacin con la emisor-colector. La corriente emisor-colector es aproximadamente de la misma forma que la base-emisor pero amplificada en un factor de amplificacin "Beta". El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador. Adems, como todo amplificador puede oscilar, puede usarse como oscilador y tambin como rectificador y como conmutador on-off.

El transistor tambin funciona, por tanto, como un interruptor electrnico, siendo esta propiedad aplicada en la electrnica en el diseo de algunos tipos de memorias y de otros circuitos como controladores de motores de DC y de pasos. [editar]

Tipos de transistor
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificacin ms aceptada consiste en dividirlos en transistores bipolares o BJT (bipolar junction transistor) y transistores de efecto de campo o FET (field effect transistor). La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc. La diferencia bsica entre ambos tipos de transistor radica en la forma en que se controla el flujo de corriente. En los transistores bipolares, que poseen una baja impedancia de entrada, el control se ejerce inyectando una baja corriente (corriente de base), mientras que en el caso de los transistores de efecto de campo, que poseen una alta impedancia, es mediante voltaje (tensin de puerta). [editar]

Transistores bipolares (BJT - Bipolar Junction Transistor)

PNP NPN
Smbolos esquemticos para los BJT de tipo PNP y NPN. B=Base, C=Collector y E=Emmiter

Los transistores bipolares surgen de la unin de tres cristales de semiconductor con dopajes diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN. Tecnolgicamente se desarrollaron antes que los de efecto de campo o FET. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la tecnologa TTL o BICMOS. Los MOSFET tienen en comn con los FET su ausencia de cargas en las placas metlicas as como un solo flujo de campo. Suelen venir integrados en capas de arrays con polivalencia de 3 a 4Tg. Trabajan,mayormente, a menor rango que los BICMOS y los PIMOS [editar]

Transistores de efecto de campo (FET - Field-Effect Transistor)

P-channel N-channel
Transistores de efecto de campo

Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales. [editar]

Transistores y electrnica de potencia

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en convertidores estticos de potencia, principalmente Inversores. Obtenido de "http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor"

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa. Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a mas corriente la curva es mas alta Regiones operativas del transistor

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib) Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganacia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador. Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0) - Emisor comn - Colector comn - Base comn Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

Transistor NPN

Transistor PNP

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha

que se ve en el grfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic = * Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa. Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a mas corriente la curva es mas alta Regiones operativas del transistor Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib) Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganacia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador. Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0) - Emisor comn - Colector comn - Base comn Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

Como probar un diodo. Poder determinar si un diodo est en buen estado o no. Es muy importante en la vida de un tcnico en electrnica, pues esto le permitir poner a funcionar correctamente un artculo electrnico. Pero no slo son los tcnicos los que necesitan saberlo. En el caso del aficionado que est implementando un circuito o revisando un proyecto, es indispensable saber en que estado se encuentran los componentes que utiliza. Hoy en da existen multmetros (VOM) digitales que permiten probar con mucha facilidad un diodo, pues ya vienen con esta alternativa listos de fbrica. El caso que se presenta aqu es el mtodo tpico de medicin de un diodo con un tester analgico (el que tiene una aguja) Para empezar, se coloca el selector para medir resistencias (ohmios / ohms), sin importar de momento la escala. Se realizan las dos pruebas siguientes: - Se coloca el cable de color rojo en el nodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la franja) y el cable de color negro en el ctodo (este lado tiene la franja), el propsito es que el multmetro inyecte una corriente en el diodo (esto es lo que hace cuando mide resistencias). Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando est polarizado en directo funciona bien y circula corriente a travs de l (como debe de ser). Si esta resistencia es muy alta, puede ser sntoma de que el diodo est "abierto" y deba de reemplazarlo. - Se coloca el cable de color rojo en el ctodo y el cable negro en el nodo. En este caso como en anterior el propsito es hacer circular corriente a travs del diodo, pero ahora en sentido opuesto a la flecha de este. Si la resistencia leda es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como se esperaba, pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente. Si esta resistencia es muy baja podra significar que el diodo esta en "corto" y deba de reemplazarlo.

Nota: - El cable rojo debe ir conectado al terminal del mismo color en el multmetro - El cable negro debe ir conectado al terminal del mismo color en el multmetro (el comn/ common)

Como probar un transistor Para probar transistores hay que analizar un circuito equivalente de este, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos. Ver la siguiente figura.

Se puede ver que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP estn compuestos por diodos y se puede seguir la misma tcnica que se sigue al probar diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E y C. Los mtodos a seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos. Al igual que con el diodo si uno de estos "diodos del equivalentes del transistor" no funcionan cono se espera hay que cambiar el transistor. Nota: Aunque este mtodo es muy confiable (99 % de los casos), hay casos en que, por las caractersticas del diodo o el transistor, esto no se cumple. Para efectos prcticos se sugiere tomarlo como confiable en un 100%

Como probar componentes electrnicos Prueba de capacitores Capacitores de bajo valor La prueba de capacitores de bajo valor se limita a saber si los mismos estn o no en cortocircuito. Valores por debajo de 100nf en general no son detectados por el multmetro y con el mismo en posicin R1k se puede saber si el capacitor esta en cortocircuito o no segn muestra la figura.

Si el capacitor posee resistencia infinita significa que el componente no posee prdidas excesivas ni est en cortocircuito. Generalmente esta indicacin es suficiente para considerar que el capacitor est, en buen estado pero en algn caso podra ocurrir que el elemento estuviera "abierto", o que un terminal en el interior del capacitor no hiciera contacto con la placa. Para confirmar con seguridad el estado del capacitor e incluso conocer su valor, se puede emplear el circuito de la figura.

Para conocer el valor de la capacidad se deben seguir los pasos que se describen a continuacin: 1. Armado el circuito se mide la tensin V1 y se anota. 2. Se calcula la corriente por el resistor que ser la misma que atraviesa el capacitor por estar ambos elementos en serie I = V1 / R 3. Se mide la tensin V2 y se anota. 4. Se calcula la reactancia capacitiva del componente en medicin XC = V2 / I 5. Se calcula el valor de la capacidad del capacitor con los valores obtenidos C = 1 / [ XC . 6 , 28 . f ] Observaciones Se debe emplear un solo voltmetro. La frecuencia ser 50 60Hz segn el pas donde ests ya que es la correspondiente a la red elctrica. Elegir el valor de R segn el valor del capacitor a medir: Capacidad a medir 0 , 01uf < Cx < 0 , 5uf Resistencia serie 10K

Cx orden de los nanofarad Cx mayores hasta 10uf

100K 1K

Con este mtodo pueden medirse capacitores cuyos valores estn comprendidos entre 0 , 01uf y 0 , 5uf. Si se desean medir capacidades menores debe tenerse en cuenta la resistencia que posee el multmetro usado como voltmetro cuando se efecte la medicin. Para medir capacidades mayores debe tenerse en cuenta que los capacitores sean no polarizados, debido a que la prueba se realiza con corriente alterna. Capacitores electrolticos Los capacitores electrolticos pueden medirse directamente con el multmetro utilizado como ohmetro. Cuando se conecta un capacitor entre los terminales del multmetro, este har que el componente se cargue con una constante de tiempo que depende de su capacidad y de la resistencia del multmetro. Por lo tanto la aguja deflexionar por completo y luego descender hasta cero indicando que el capacitor est cargado totalmente, ver figura.

El tiempo que tarda la aguja en descender hasta 0 depender del rango en que se encuentra el multmetro y de la capacidad del capacitor. En la prueba es conveniente respetar la tabla I. TABLA I Valor del capacitor Hasta 5uf Hasta 22uf Hasta 220uf Mas de 220uf Rango R1k R100 R10 R1

Si la aguja no se mueve indica que el capacitor est abierto, si va hasta cero sin retornar indica que est en cortocircuito y si retorna pero no a fondo de escala entonces el condensador tendr fugas. En la medida que la capacidad del componente es mayor, es normal que sea menor la resistencia que debe indicar el instrumento. La tabla II indica la resistencia de prdida que deberan tener los capacitores de buena calidad. TABLA II

Capacitor 10uf 47uf 100uf 470uf 1000uf 4700uf

Resistencia de prdida Mayor que 5M Mayor que 1M Mayor que 700K Mayor que 400K Mayor que 200K Mayor que 50K

Se realizar la prueba dos veces, invirtiendo la conexin de las puntas de prueba del multmetro. Para la medicin de la resistencia de prdida interesa la que resulta menor segn muestra la figura.

Prueba de diodos Los diodos son componentes que conducen la corriente en un solo sentido, teniendo en cuenta esto se pueden probar con un multmetro en la posicin ohmetro. El funcionamiento de tal aparato de medida se basa en la medicin de la corriente que circula por el elemento bajo prueba. Es muy importante conocer la polaridad de la batera interna del los multmetros analgicos en los cuales la punta negra del multmetro corresponde al terminal positivo de la batera interna y la punta roja corresponde al terminal negativo de la batera. Se emplear un multmetro y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm x 100. As cuando se intenta medir la resistencia de un diodo, se encontrarn dos valores totalmente distintos, segn el sentido de las puntas. Si la punta roja (negativo) se conecta a la zona N (ctodo del diodo) y la punta negra a la P (nodo), la unin se polariza en directo y se hace conductora. El valor concreto indicado por el instrumento no tiene significado alguno, salvo el de mostrar que por la unin circula corriente.

Por el contrario, cuando la punta roja se conecta a la zona P (nodo), y la negra a la zona N (ctodo), se esta aplicando una tensin inversa. La unin no conducir, y esto ser interpretado por el instrumento como una resistencia muy elevada.

Prueba de transistores Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposicin (tiene dos uniones), por lo tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando que el electrodo base es comn a ambas direcciones.

Se emplear un multmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas ohm x 1, ohm x 10 tambin ohm x 100. Antes de aplicar las puntas al transistor es conveniente cerciorarse del tipo de ste, ya que si es NPN se proceder de forma contraria que si se trata de un PNP. Para el primer caso (NPN) se situar la punta negra (positivo) del multmetro sobre el terminal de la base y se aplicar la punta roja sobre las patillas correspondientes al emisor y colector. Con esto se habr aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarizacin directa, lo que traer como consecuencia la entrada en conduccin de ambas uniones, movindose la aguja del multmetro

hasta indicar un cierto valor de resistencia, generalmente baja (algunos ohm) y que depende de muchos factores.

A continuacin se invertir la posicin de las puntas del instrumento, colocando la punta roja (negativa) sobre la base y la punta negra sobre el emisor y despus sobre el colector. De esta manera el transistor recibir una tensin inversa sobre sus uniones con lo que circular por l una corriente muy dbil, traducindose en un pequeo o incluso nulo movimiento de la aguja. Si se tratara de un transistor PNP el mtodo a seguir es justamente el opuesto al descrito, ya que las polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las del tipo NPN.

Las comprobaciones anteriores se completan con una medida, situando el multmetro entre los terminales de emisor y colector en las dos posibles combinaciones que puede existir; la indicacin del instrumento ser muy similar a la que se obtuvo en el caso de aplicar polarizacin inversa (alta resistencia), debido a que al dejar la base sin conexin el transistor estar bloqueado. Esta comprobacin no debe olvidarse, ya que se puede detectar un cortocircuito entre emisor y colector y en muchas ocasiones no se descubre con las medidas anteriores.

Transistores de Efecto de Campo

Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Smbolos grficos para un FET de canal N

Disposicin de las polarizaciones para un FET de canal N. La Figura muestra un esquema que ayudar a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N. La puerta est polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unin P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta. Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin. Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal. Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada. PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

Probador de controles remotos

Este sencillo dispositivo permite comprobar rpidamente si un control remoto emite la seal infrarroja (IR). Puede usarse cualquier fototransistor y se le puede agregar un transistor en la salida para amplificar ms la seal, personalmente lo uso tal como esta descripto aqu.

Como veras es muy sencillo. Se puede armar en una caja de un remoto viejo (conviene que sea de pocas teclas o botones, por cuidar un poco la esttica) y poner el receptor donde originalmente lleva el LED transmisor, en lugar de alguna de sus teclas se puede poner el LED indicador de encendido (D1) y en otra tecla poner el LED indicador de pulsos (D2). Debido a que el probador puede ser afectado si tiene incidencia directa de luz, el fototransistor (Q1) debe usar un filtro para atenuar la luz ambiente. El platico utilizado en la parte frontal de algunos controles puede ser apropiado. Se coloca el remoto cerca del probador (4 o 5 Cm) y se presionan una a una las teclas del mismo, D2 destellara mostrando la presencia de los pulsos IR. Con el uso te familiarizas con cada tipo de remoto y su emisin normal. Tiene una salida (AUX) para osciloscopio que te permite ver la forma de onda, porque hay veces que emiten infrarrojo, pero estn corridos de frecuencia o la seal esta deformada.

Componentes: Q1 - Fototransistor MRD3056 o similar D1 - LED Verde D2 - LED Rojo de alto brillo C1 - Condensador 0.1uF 50V R1 - Resistencia 330 ohms 0.25W R2 - Resistencia 150 ohms 0.25W SW1 - Interruptor 9V - Bateria de 9V
Colaboracin de Sergio Estefan (estefan@netgate.com.uy)

Otro proyecto Si dispones de un modulo receptor/amplificador IR de algn viejo TV u otro equipo electrnico puedes construir este otro circuito. Hay que identificar bien sus terminales y la tensin de funcionamiento (la mayora utiliza 5V). Estos mdulos generalmente tienen un alcance importante, de acuerdo, por supuesto, al modelo de receptor/amplificador usado.

Colaboracin de Sergio Estefan (estefan@netgate.com.uy)

Probador audible. Los probadores sugeridos, se pueden conectar a un amplificador de audio, o a un Seguidor de seales (Signal Tracer) para obtener una confirmacin audible. Tambin se le puede incorporar pequeo resonador piezoelctrico. Una idea aportada por Mario Figueredo (mafigue@arnet.com.ar) de Argentina, es incorporar el receptor infrarrojo dentro de un receptor de radio de bolsillo, conectndolo a la etapa de audio para obtener un probador pequeo y practico que da una indicacin audible cuando recibe la seal infrarroja.