Sunteți pe pagina 1din 9

Curs nr. 9.

ELECTRONIC Dispozitive electronice - Diode semiconductoare i aplicaiile lor


Dioda semiconductoare (sau mai simplu, dioda) are la baz o jonciune pn, jonciune care se formeaz la contactul unei regiuni p cu o regiune n a aceluiai cristal semiconductor.
p n

iA uA Fig. 1. Simbolul i mrimile electrice asociate diodei. Asocierea cu jonciunea pn. Simbolul diodei din figura 1 este n esen o sgeat orientat de la zona p la zona n a semiconductorului, sgeat care arat sensul de referin al tensiunii i a curentului prin diod. Proprietatea principal a diodei este conducia unilateral; dioda permite trecerea curentului n sensul sgeii i blocheaz curentul n cellalt sens. Terminalul pozitiv al diodei (cel cu sgeat, zona p) se numete anod, iar cel negativ catod; aceste denumiri s-au pstrat de la tuburile electronice (de la dioda cu vid). n cazul diodelor de mic putere, catodul este marcat cu o band (de culoare alb pentru capsule negre din plastic) sau un grup de benzi colorate (mai apropiate de catod, la unele diode cu capsul de sticl). Experimental, curentul iese din diod prin terminalul marcat cu band (catodul diodei). 1. Descrierea jonciunii pn Dioda semiconductoare este format dintr-o jonciune pn conform figurii 2. Jonciunea pn se formeaz la contactul unei regiuni de tip p cu o regiune de tip n a aceluiai cristal semiconductor. Regiunile p i n sunt create prin doparea diferit cu impuriti a celor dou regiuni; trecerea de la o regiune la alta se face pe o distan foarte mic, de ordinul fraciunilor de micron. La regiunile p i n sunt ataate terminale prin care se conecteaz dioda n circuit.
Contact metalic Semiconductor de tip p de tip n Contact metalic

Anod

Catod

Fig. 2. Structura fizic simplificat a jonciunii pn Jonciunea pn nu se poate realiza prin punerea n contact mecanic a 2 cristale p i n, deoarece metodele tehnologice actuale nu permit o alipire astfel nct s se obin distane mai mici dect cele interatomice, iar reeaua cristalin odat stricat nu mai poate fi refcut. n plus, orict de fin ar fi prelucrate suprafeele, defectele care apar n zona contactului mpiedic i ele micarea purttorilor de sarcin i mresc foarte mult viteza de recombinare a purttorilor de sarcin. Jonciunea pn este i elementul de baz al tranzistoarelor bipolare, joacnd un rol funcional important la tranzistoarele cu efect de cmp. De aceea, analiza jonciunii pn este important

pentru nelegerea funcionrii tuturor dispozitivelor semiconductoare. Jonciunile pn se pot realiza prin urmtoarele tehnologii: - metoda alierii; - tehnologia planar; - metoda creterii epitaxiale; - implantare ionic. 2. Jonciunea pn nepolarizat (la echilibru termic) Se consider o jonciune pn cu trecerea ntre zonele p i n abrupt. Imediat dup realizarea contactului celor dou regiuni p i n, n dreptul jonciunii, datorit diferenei de concentraie dintre cele dou regiuni p i n, purttorii majoritari de sarcin difuzeaz din regiunile cu concentraie mare n regiunile cu concentraie mic. Prin urmare, electronii majoritari n regiunea n, trec din n n regiunea p, unde se recombin cu golurile. Din regiunea p, golurile majoritare trec n regiunea n, unde se recombin cu electronii. Prin plecarea lor, de o parte i de alta a suprafeei de separaie se formeaz o regiune srcit n purttori de sarcin, numit regiune de trecere. Atomii ionizai rmai prin plecarea purttorilor de sarcin determin apariia unui cmp electric intern, E i ce acioneaz ca o barier asupr purttorilor majoritari de sarcin, mpiedicndu-i s mai nnainteze. Valoarea potenialului barierei, U0, este de 0,2-0,7 V. Sensul cmpului intern E i favorizeaz ns deplasarea purttorilor minoritari, care se deplaseaz acum tot de la concentraie mare la concentraie mic. Se stabilete astfel un echilibru termic i statistic, trecerile purttorilor majoritari fiind compensate de trecerile purttorilor minoritari n sens opus. Curentul total prin jonciune este nul, dac nu se aplic din exterior o tensiune electric ! La echilibru termic, jonciunea nepolarizat ( fr a i se aplica vreo tensiune din exterior) comport 3 regiuni: - o regiune neutr p, - o regiune neutr n, - o regiune de trecere srcit n purttori liberi de sarcin ( electroni, goluri), caracterizat de o conductivitate sczut, rezistivitate mare i de o barier de potenial de o valoare specific U0 ( 0,2-0,7V). 3. Jonciunea pn polarizat Prin polarizare se nelege aplicarea unei tensiuni continue (sau curent continuu) unui dispozitiv electronic, n acest caz unei jonciuni. Polarizarea jonciunii pn poate fi: - direct, cu borna (+) a sursei externe conectat la zona p; - invers, cu borna (+) a sursei externe conectat la zona n. 3.1. Jonciunea polarizat direct Datorit polarizrii se modific diferena de potenial pe jonciune, fa de tensiunea U0 de la echilibru termic. Se noteaz cu uA tensiunea de polarizare (cu sensul de la p la n). Modificarea tensiunii pe jonciune UJ , fa de U 0 : UJ U0 u A ,

conduce la modificarea limii zonei de trecere n sensul micorrii acesteia, figura 3.


UJ (<U0)

iA uA p

Ei-EA n EA Ei

Fig. 3. Jonciunea pn polarizat direct Curentul prin jonciune depinde foarte mult de tensiunea pe jonciune, fiind determinat de concentraia purttorilor majoritari care reuesc s nving bariera de potenial (barier care depinde de tensiunea pe jonciune i implicit de tensiunea de polarizare aplicat din exterior). La polarizare direct curentul prin jonciune este mare i se numete curent direct. 3.2. Jonciunea polarizat invers Sensul tensiunii aplicate determin creterea diferenei de potenial a barierei i creterea limii regiunii de trecere, figura 4. UJ U0 + u A Prin urmare, puini purttori majoritari de sarcin reuesc s depeasc bariera, prin urmare curentul prin jonciune este mic. Curentul se numete curent invers i este asigurat doar de purttorii minoritari de sarcin favorizai de sensul cmpului aplicat barierei de potenial. El are valori de ordinul nA sau A, n funcie de tipul cristalului semiconductor de baz n care este realizat jonciunea pn.
UJ (>U0) iA (<0) p uA (<0) EA+Ei n EA Ei

+ CONCLUZII: 4. Ecuaia jonciunii idealizate

Fig. 4. Jonciunea pn polarizat invers Jonciunea pn se comport diferit n funcie de polarizarea ei. Astfel: - prezint rezisten mic la polarizare direct i un curent mare prin jonciune; - prezint rezisten mare la polarizare invers i un curent f. mic prin jonciune.

Curentul prin jonciune iA, se obine din ecuaia jonciunii idealizate: u i A = I 0 exp A 1, UT UT = k T

Curentul I 0 reprezint curentul invers (prin jonciunea polarizat invers). Acest curent se mai numete i curent invers de saturaie al jonciunii, deoarece pentru tensiuni inverse (u A <0) mult mai mari n modul dect tensiunea termic (u A << UT ), curentul invers se satureaz, adic ajunge la o valoare constant i A = I 0 , conform relaiei de mai sus. Valoarea acestui curent este de ordinul microamperilor (10-6A) pentru diodele cu germaniu i de ordinul picoamperilor (10 -12A) pentru diodele cu siliciu. Curentul I 0 depinde exponenial de temperatura absolut conform ecuaiei de mai sus. La temperaturi uzuale se poate considera c I 0 se dubleaz la creterea temperaturii cu circa 10C. n ecuaie, k este constanta lui Boltzman, iar T este temperatura exprimat n grade Kelvin. 5. Caracteristica static a jonciunii pn Caracteristica static a jonciunii pn idealizate este graficul funciei i A (u A ) din ecuaia jonciunii idealizate. n cazul jonciunilor reale caracteristica static difer de cea ideal i poate fi obinut prin msurtori de laborator. O astfel de caracteristic este trasat n figura 5 (pentru cazul jonciunii cu siliciu). iA

UStr 0 0,5V 0,7V

uA

Fig. 5. Caracteristica static a jonciunii pn Se remarc existena a trei regiuni n care jonciunea se comport diferit, numite regiuni de: - polarizare direct, pentru uA >0, - polarizare invers, pentru uA <0, - strpungere, pentru uA <US t r . Proprietatea principal a diodei este pus n evident prin intermediul conceptului de diod ideal.

8. Polarizarea diodei semiconductoare( jonciunii pn) Dioda semiconductoare ca dispozitiv electronic este realizat cu o jonciune pn ncapsulat i prevzut cu dou terminale pentru conectarea n circuit. Un astfel de dispozitiv este ceea ce se numete o component discret de circuit. n circuitele integrate, dioda este realizat mpreun cu foarte multe alte dispozitive semiconductoare pe aceeai plachet de siliciu (cip); acest cip este ncapsulat ca atare i capsula este prevzut cu terminale pentru conectare n circuit. Considernd dioda format dintr-o jonciune pn, polarizarea diodei este identic polarizrii jonciunii pn. Analiza se realizeaz pe caracteristica static a jonciunii pn . iA

UStr 0 0,5V 0,7V

uA

Fig.6. Caracteristica static a diodei semiconductoare 8.1. Regiunea de polarizare direct Regiunea de polarizare direct (sau mai simplu regiunea direct) este caracterizat de o tensiune u A pozitiv (de la p la n) i poate fi mprit n trei subregiuni n funcie de valoarea curentului direct care trece prin jonciune. n domeniul curenilor mici i medii dependena tensiunii de curent este exponenial. Deoarece scalele de reprezentare sunt liniare, curentul pe caracteristica static apare neglijabil de mic pentru o tensiune mai mic dect circa 0,5V (la siliciu). Aceast tensiune se numete tensiune de deschidere (sau de prag). Pentru o tensiune mai mic dect tensiunea de deschidere curentul prin jonciune poate fi considerat ca fiind practic nul. O alt consecin a caracteristicii de tip exponenial este creterea rapid a curentului cu tensiunea. Astfel, pentru un domeniu foarte larg de cureni modificarea tensiunii pe jonciune este relativ mic; la o diod redresoare de 1A de exemplu, tensiunea pe diod variaz de la circa 0,6 la 0,8V pentru o variaie a curentului de la 1mA pn la 100mA (dou decade). Pentru simplitate se poate admite c tensiunea pe dioda n conducie este aproximativ constant i are circa 0,7V. n domeniul curenilor mari tensiunea pe jonciune este mai mare dect valoarea rezultat din caracteristica exponenial. Tensiunea uA aplicat jonciunii se divide, o parte revenind regiunii de trecere srcit n purttori de sarcin i restul tensiunii revenind

regiunilor neutre i contactelor ohmice ale diodei, care mpreun formeaz rezistena serie, rs . ntruct, din ecuaia jonciunii idealizate, att I 0 ct i UT sunt funcii de temperatur, caracteristica direct a jonciunii depinde de temperatur dup o funcie de tip exponenial. Deoarece i variaia curentului cu tensiunea este exponenial, se poate arta c, la un curent constant prin jonciune, tensiunea scade cu aproximativ 2mV pentru fiecare grad Celsius cretere a temperaturii. Liniaritatea tensiunii u A cu temperatura este utilizat la unele termometre electronice. La curent constant, tensiunea scade cu cca. 2mV pt. fiecare grad Celsius de cretere a temperaturii. iA
2mV/C T2 > T1

I uA

Fig. 7. Influena temperaturii asupra caracteristicii directe a jonciunii pn (diodei) 8.2. Regiunea de polarizare invers Conform ecuaiei jonciunii idealizate, curentul invers prin jonciune nu depinde de tensiunea invers aplicat (dac u A << UT ). Practic ns, curentul invers crete o dat cu creterea tensiunii inverse, deci nu se satureaz. Aceast cretere se datoreaz generrii termice i efectelor de suprafa care depind de tensiunea invers aplicat. Generarea termic se refer la purttorii minoritari generai termic n regiunea de terece a jonciunii pn care nu mai sunt compensai prin recombinare, deoarece purttorii majoritari cu care ar trebui s se recombine au o concentraie foarte mic n regiunea de trecere srcit n purttori de sarcin, golit de purttori. Apare astfel un curent de generare, care depinde de limea barierei de potenial i implicit de tensiunea invers aplicat. Fenomenele care duc la creterea curentului invers au o importan practic destul de redus deoarece curentul invers, chiar crescut fiind, rmne neglijabil pentru majoritatea aplicaiilor. 8.3. Regiunea de strpungere La tensiuni inverse mari, se constat o cretere foarte mare a curentului prin jonciune. La o anumit tensiune, numit tensiune de strpungere UStr , curentul crete abrupt ctre infinit i el trebuie s fie limitat din circuitul exterior pentru a nu depi valoarea la care jonciunea s-ar distruge. Mecanismele care pot cauza strpungerea sunt efectul Zener i multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin. 8.3.1. Efectul Zener Efectul Zener const din ruperea unor legturi covalente dintre atomii reelei cristaline datorit unui cmp electric foarte intens (concentrat n regiunea de trecere a jonciunii). Se

genereaz astfel perechi electron-gol, curentul invers crete foarte mult i se produce strpungerea jonciunii. Acest tip de strpungere are loc la jonciuni foarte nguste, realizate din semiconductoare puternic dopate (concentraii de impuriti >1018 atomi /cm3 ). La aceste jonciuni nguste cmpul electric de valori foarte mari apare pentru tensiuni reduse, de ordinul volilor; pentru US t r <5V este preponderent strpungerea prin efect Zener. Tensiunea de strpungere scade cu temperatura deoarece o dat cu creterea temperaturii crete agitaia termic i este necesar un surplus de energie mai mic pentru a rupe legturile covalente. Coeficientul de temperatur este negativ i este mai mare (n modul) pentru tensiuni de strpungere mai mici. 8.3.2. Fenomenul de multiplicare n avalan Strpungerea datorat multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin este specific jonciunilor realizate din semiconductoare cu un grad de dopare mic sau mediu (concentraia de impuriti=10141017 atomi/cm3 ) pentru care limea regiunii golite este comparabil cu drumul liber mediu al purttorilor de sarcin. Sub aciunea cmpului electric intens, purttorii mobili dobndesc o energie suficient pentru a produce ionizarea atomilor cu care se ciocnesc i apar purttori suplimentari, care ionizeaz la rndul lor ali atomi. Curentul crete foarte mult datorit multiplicrii n avalan a purttorilor n regiunea de trecere a jonciunii. Tensiunea de strpungere datorat multiplicrii n avalan depinde de temperatur deoarece la creterea temperaturii scade drumul liber mediu i pentru a obine aceeai energie este necesar un cmp electric de accelerare i deci o tensiune mai mare. Coeficientul de temperatur este pozitiv cu o valoare tipic de circa 0,1% pe grad Celsius. Fenomenul de strpungere este nedistructiv; distrugerea jonciunii poate s apar ns datorit efectelor termice asociate depirea puterii disipate admisibile a dispozitivului respectiv.

9. Tipuri de diode i aplicaiile lor n funcie de fenomenele fizice din jonciune pe care dioda le exploateaz, exist mai multe tipuri de diode. Cele mai utilizate tipuri sunt: diodele redresoare, care se bazeaz pe conducia unilateral (datorat diferenei foarte mari dintre curentul direct i curentul invers prin jonciune) i sunt destinate utilizrii n circuite redresoare pentru reeaua de c.a. de 50Hz. Parametrii lor principali sunt: curentul maxim IM i tensiunea invers maxim, UM. Plaja de valori ale acestor parametrii este de amperi- zeci de mii de amperi pentru IM i zeci de voli zeci de mii de voli pentru UM.

Diodele redresoare de cureni mari sunt construite n aa fel nct s le poat fi ataate radiatoare de rcire pentru puterea disipat. Diodele de cureni mici sunt nchise n capsule de plastic sau ceramic i au catodul marcat cu o band alb sau neagr. diodele stabilizatoare de tensiune, sau diode Zener, care exploateaz relativa independen a tensiunii inverse fa de curent, din regiunea de strpungere. Aceast diod este construit pentru a fi utilizat n zona de strpungere invers. Simbolurile utilizate ale diodei Zener este dat n figura 8.

Fig. 8. Simbolizri ale diodei Zener n polarizare direct, comportarea acestei diode este similar diodelor redresoare. n polarizare invers ns, dioda se strpunge la o tensiune numit tensiune Zener, UZ, constant pentru o anumit diod i de obicei marcat n clar pe corpul diodei. Acest tip de diod este utilizat ndeosebi n circuitele stabilizatoare de tensiune. diode de comutaie, care sunt destinate utilizrii n circuite funcionnd n comutaie sau la frecvene ridicate . Parametrii principali ai acestor diode sunt timpii de comutaie. diode varicap. Denumirea diodei vine de la expresia capacitate variabil. Simbolul ei este prezentat n figura 9. Dioda este utilizat n polarizare invers i proprietatea principal a ei este comportarea n aceast situaie ca un condensator cu capacitate variabil, dependent de tensiunea la borne.

Fig. 9. Simbol diod varicap Toate diodele au aceast proprietate, dar diodele varicap sunt construite astfel nct dependena capacitate tensiune s aib un profil optim. Zona de variaie este n intervalul 1 .....100 pF. Domeniul principal de utilizare al acestui tip de diode este cel al radiocomunicaiilor, n acordul circuitelor oscilante din emitoare i receptoare. diode varactor, sunt componente cu reactana variabil, de unde i denumirea lor: VARiable reACTOR. Acest tip de diode sunt utilizate n amplificatoare parametrice, generatoare de armonici ( dubloare, triploare de frecven de ordinul sutelor de MHz), generatoare de impulsuri, amplificatoare cu zgomot redus, etc. diode Gunn, specifice generatoarelor (oscilatoarelor) de microunde, funcionnd prin efectul Gunn. Acest efect const n apariia unei oscilaii de foarte nalt frecven n semiconductoare omogene, la trecerea unui curent prin acestea. Ele necesit tensiuni de alimentare relativ reduse (5-10V) i pot produce oscilaii de pn la 20-30GHz la puteri de 10-100mW. Diode Impatt, care funcioneaz n zona de avalan a caracteristicii u= f(i), la densiti foarte mari de curent, condiii n care ele produc oscilaii n domeniul microundelor de pn la 100GHz, cu un randament de pn la 10%. Datorit densitilor mari de curent (15 A/mm2= pe zona de avalan (70-120V), la realizarea acestor diode se impun msuri constructive deosebite, pentru eliminarea cldurii ( radiator interior), rezisten termic jonciune-capsul redus, etc. Acest tip de diode sunt utilizate la generatoare de microunde n domeniul 5-100GHz, generatoare ce sunt nglobate n dispozitive de alarm, radare pentru controlul circulaiei, sisteme de navigaie aerian. diode fotoluminiscente (LED), care transform energia electric n energie luminoas, la polarizare direct. Dioda fotoemisiv este compus dintr-o jonciune pn polarizat direct, care transform energia electric n energie luminoas monocromatic n mod direct.

Cristalul de baz n care se realizeaz jonciunea nu este Si sau Ge ca la celelalte tipuri de diode, ntruct energia de recombinare a purttorilor se degaj doar sub form de cldur, nefiind posibil obinerea unei radiaii luminoase. Materialele folosite sunt combinaii de Ga-As i Ga-As-P, a cror utilizare conduc la recombinri luminoase n numr mare. Simbolul diodelor fotoemisive este dat n figura 10.

Fig. 10. Simbolul diodei fotoluminiscente LED Lungimea de und a radiaiei emise de dioda LED depinde de materialul utilizat n cristalul de baz i de modul de dopare. Acest tip de diode sunt folosite pentru semnalizri i n afioarele cu 7 segmente ( figura 11).

Fig. 11. Afior cu 7 segmente Cele 7 elemente sunt 7 diode LED care au catodul comun, iar anozii sunt legai la terminale separate. Cifrele de le 0 la 9 se obin prin aplicare tensiunilor de polarizare pe anozii corespunztori segmentelor care intr n conturul cifrei respective.