27.11.

2010

TRANZISTORUL BIPOLAR

LABORATOR ELECTRONICA: 04

PREZENTARE DISPOZITIV. STRUCTURA TRANZISTORULUI BIPOLAR Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alcatuite dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiasi cristal semiconductor, regiunea centrala fiind mult mai ingusta si de tip diferit fata de regiunile laterale. Regiunea centrala este mult mai slab dotata cu impuritati decat celelalte regiuni si se numeste baza (B). Una dintre regiunile laterale, puternic dotata cu impuritati, se numeste emitor (E), iar cealalta, mai saraca in impuritati decat emitorul, se numeste colector (C). Regiunile TB formeaza cele doua jonctiuni ale acestuia. Structura TB: Structura contine doua jonctiuni: 1) jonctiunea de emitor sau emitor-baza (EB) pentru TB pnp; 2) baza-emitor (BE) pentru TB npn; 3) jonctiunea de colector sau colector-baza (CB) pentru TB pnp; 4) baza-colector (BC) pentru TB npn.

jonctiune pnp

jonctiune npn

Structurile celor doua tipuri de TB reprezinta modelele structurale unidimensionale ale acestora. denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu functiile lor. E este sursa de purtatori, care determina in general curentul prin tranzistor, iar C colecteaza purtatorii ajunsi aici. B are rolul de a controla (modifica) intensitatea curentului prin tranzistor in functie de tensiunea dintre B si E. Tranzistorul transfera curentul din circuitul de intrare de rezistenta mica in circuitul de iesire de rezistenta mare, de unde si denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANSFER RESISTOR). Simboluri TB:

jonctiune pnp Sensurile curentilor si tensiunilor:

jonctiune npn

fig. 1

Conform notatiilor din figura 1 la bornele tranzistorului se pot scrie ecuatiile:

Functionarea tranzistorului la variatii lente in timp sau curent continuu estedescrisa de ecuatiile Ebers-Moll. Modelul Ebers-Moll este valabil pentru orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior, adica pentru orice situatie de polarizare a jonctiunilor.

Sensurile tensiunilor si curentilor din ecuatii corespund notatiilor din figura 1 pentru fiecare tip de tranzistor. Functionarea dispozitivului este complet determinata daca se stiu parametrii: F , R , IES , ICS , unde : F se numeste factor de transfer direct in curent in conexiune baza comuna R se numeste factor de transfer invers in curent in conexiune baza comuna IES si ICS sunt curentii de saturatie ai celor doua jonctiuni CONEXIUNI FUNDAMENTALE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR Asa cum am mai spus TB trebuie tratat ca un diport (cuadripol), dar avnd doar trei borne, una dintre ele va fi comuna circuitelor de intrare si iesire. TB are trei noduri de conectare fundamentale: conexiunea BC (cu baza comuna) (fig. a); conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. b); conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig. c).

fig. a

fig. b

fig. c

Regimuri de functionare. Se definesc in functie de polarizarile aplicate jonctiunilor:

Caracteristicile tranzistorului in conexiunea baza comuna (BC) : Acestea se definesc privind tranzistorul ca pe un cuadripol.

Cum tranzistorul are doar trei terminale unul dintre ele este ales terminal comun si pentru intrare si pentru iesire. La TB nu exista un terminal privilegiat care sa fie ales intodeauna ca termianl comun, ci toate cele trei terminale pot fi alese pe rand pentru aceasta functie, rezultand trei conexiuni posibile. La conexiunea baza comuna (BC), baza este terminalul care este ales drept terminal comun intre intrare si iesire. Parametrii care caracterizeaza aceasta conexiune sunt : Marimi de intrare : curent de emitor IE si tensiunea baza emitor VBE Marimi de iesire : curentul de colector IC si tensiunea baza colector VBC

Variatia curentului Ig si a tensiunii Ec pentru montaj din figura de mai sus

R=100 Sensibilitatea osciloscopului pe axa x : 1V/div Sensibilitatea osciloscopului pe axa y : 100mV/div Kyi (sensibilitatea y in curent) = Ky/R = 100mV/100=1mA/div IC (mA) regiunea saturata 4 3 2 1 RAN IE : 0,4 IE : 0,3 IE : 0,2 IE : 0,1 VCB (V) 1 2 3 4 5

Caracteristica de iesire dependenta IC sau VBC avand ca parametru IE Caracteristicile tranzistorului in conexiunea emitor comun (EC) :

IB : 0,10,20,30,40 micro amperi VCE mici (0V.....0,4V) R=100 Sensibilitatea osciloscopului pe axa x : 100mV/div Kyi (sensibilitatea y in curent) = Ky/R = 100mV/100=1mA/div IC (mA) 4 3 2 1 0 100 200 300 400 500 IB : 40 IB : 30 IB : 20 IB : 10 IB : 0 VCE (mV)

IB : 0,10,20,30,40 micro amperi VCE medii (0V.....10V) R=100 Sensibilitatea osciloscopului pe axa x : 1V/div Kyi (sensibilitatea y in curent) = Ky/R = 100mV/100=1mA/div IC (mA) 4 3 2 1 IB : 40 IB : 30 IB : 20 IB : 10 IB : 0 1 2 3 4 5 VCE (mV)

Dreapta de sarcina. Amplificarea :

Caracteristica teoretica a dreptei de sarcina corespunzatoare valorilor EC = 8V si R=1k Caracteristicile tranzistorului in conexiunea emitor comun inversata (EC) :

R=100 Sensibilitatea osciloscopului pe axa x : 100mV/div Sensibilitatea osciloscopului pe axa y : 100mV/div Kyi (sensibilitatea y in curent) = Ky/R = 100mV/100=1mA/div

Familia de caracteristici la strapungere: R=100 Se injecteaza in baza trepte de curent avand valorile I`B=0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8 mA Sensibilitatea osciloscopului pe axa x : 1V/div Sensibilitatea osciloscopului pe axa y : 100mV/div Kyi (sensibilitatea y in curent) = Ky/R = 100mV/100=1mA/div

Concluzii:
In cadrul laboratorului de electronica am masurat caracteristicile tranzistorului bipolar si am determiant parametrii modelului Ebers-Moll al acestuia.