Sunteți pe pagina 1din 20

1

Cap IV: Jonciunea p-n. Fenomene secundare n TB



4.1 Fabricarea jonciunii p-n. Structura intern
Pentru nelegerea unor fenomene de ordinul doi din tranzistorul bipolar, precum i a
abaterilor fa de comportarea dat de ecuaia Schokley n cazul diodei solicitate la tensiuni inverse,
este necesar analiza mai detaliat a jonciunii p-n.
Structura intern a unei jonciuni p-n este reprezentat n fig. 4.1.


Fig. 4.1

Pentru obinerea jonciunii s-a utilizat (de exemplu) un cip de tip n avnd dopare iniial constant n
tot volumul, N
D
= const. = 10
15
[atomi P/cm
3
] (este foarte important s observm ca impuritile
donoare sunt uniform repartizate n tot cipul i c ntr-un cm
3
din cip existnd aproximativ
10
22
[atomi Si/cm
3
] (mult mai muli atomi de Si fa de atomi de P), la 10 milioane de atomi de
siliciu revine doar un singur atom de impuritate donoare deci probabilitatea ca doi atomi donori s
fie nvecinai este practic nul). Forma geometric din fig. 1 se obine prin procedee tehnologice
planare utilizate la fabricarea dispozitivelor semiconductoare pe baza de siliciu: oxidare termic,
fotolitografie, difuzie in stare solid a impuritilor dorite (fizica solidului) sau implementare ionic.
n cazul difuziei n stare solid suprafaa cipului este splat de un gaz inert n care densitatea
atomilor acceptori de Bor este meninut constant la valoarea N
Asup
= 10
18
[atomi B/cm
3
]. Procedeul
de splare se desfoar la temperaturi mari, 1000-1400
0
C, ce determin ptrunderea atomilor de
Bor (difuzie) in reeaua cristalina a Si - atomii de bor substitue atomi de siliciu din reeaua
monocristalin. n urma procesului de difuzie se obine Si tip p, la suprafa de concentraie N
AS
din
gaz iar spre interior (direcia Ox) o concentraie N
A
(x) cztoare spre 0.
n fig.1 se evideniaz c pentru 0
j
x x < < semiconductorul este de tip p,
A D
N N > , iar
pentru 250 m
j
x x < < semiconductorul este de tip n,
D A
N N > . De reinut c profilul curbei
N
A
(x), cdere mai rapid sau mai lent (x
j
mai mic sau mai mare) este determinat de durata
procesului de difuzie i de temperatura la care se desfoar procesul.
2
O jonciune p-n are comportare de diod numai daca in jurul planului jonciunii,
j
x x ,
concentraia net de impuriti, definit prin ( ) ( ) ( )
D A
N x N x N x se modific de zece ori pe o
lime de aproximativ 100 nm. Prin procedee de difuzie n stare solid se obin jonciuni cu x
j

controlabil ntre 2m - 20m i profil aproximativ liniar gradat (n jurul planului jonciunii
( ) N x are variaie limiar,
'
( ) const. N x ).
Teoria jonciunii p-n, n toate manualele didactice, utilizeaz modelul jonciunii ideal abrupte
definit de
'
( ) N x . O jonciune real care are comportare aproximativ ideal se obine prin
procedeul implementare ionic, acesta permind controlul mrimii x
j
ncepnd de la zecimi de
micron, fig. 2 (concentraiile rezultate n urma a trei implanturi succesive cu energii descresctoare
ale ionilor implantai).

Fig. 4.2
Pentru explicaiile ce urmeaz vom utiliza modelul didactic din fig. 4.3 care este de fapt un detaliu
paralelipipedic din zona plan a jonciunii din fig.1.

Fig. 4.3
3
4.2 Regimul de echilibru.
Regimul de echilibru este definit de T = const. i nici o alt perturbaie energetic (lumin,
radiaie nuclear cmp electric, cmp magnetic ...). Analiza regimului de echilibru utilizeaz
rezultate din fizica materialelor semiconductoare:
Concentraiile volumetrice totale ale purttorilor liberi n, p dintr-un
semiconductor cu dopri oarecare
A
N ,
D
N , depind numai de temperatur i
satisfac, n regim de echilibru;
2
( )
i
np n T (4.1)

n semiconductorul intrinsec ideal concentraiile ( )
i i
n p f T cresc exponenial cu
temperatura i n cazul siliciului au valorile, [1]:
8 3
10 / cm
i i
n p la -25
0
C,
10 3
10 / cm
i i
n p la 25
0
C,
11 3
10 / cm
i i
n p la 50
0
C,
14 3
10 / cm
i i
n p la
175
0
C.....Concentraiile n(x), p(x), (Ox o direcie oarecare) sunt funcii continue.

n regim de echilibru, orice volum macroscopic din materialul semiconductor este n
starea de neutralitate electric (cantitatea total de sarcin electric, fix i/sau
mobil, este nul). Neutralitatea electric conduce la:

D A
N N n p (4.2)

n care,
A
N ,
D
N , sunt concentraii volumetrice ale sarcinilor fixe (ioni negativi acceptori i
respectiv ioni pozitivi donori) iar n, p, sunt concentraii volumetrice ale sarcinilor electrice mobile
(electroni i respectiv goluri).
Relaiile (4.1), (4.2), permit determinarea concentraiilor de purttori liberi n regim de
echilibru n orice poriune de semiconductor atunci cnd doprile sunt cunoscute. Fig.4.3 arat
situaia din regim de echilibru n vecintatea planului jonciunii. La fabricarea jonciunii golurile din
zona p vor difuza spre zona n iar electronii din zona n vor difuza prin planul jonciunii spre zona p
(purttorii liberi de un tip difuzeaz din locurile unde sunt mai muli spre locurile unde sunt mai
puini - tendina fiind de uniformizare). Difuzia determin apariia sarcinilor electrice fixe (rmn
ioni pozitivi n zona n i ioni negativi n zona p
+
) care implic apariia unui cmp electric intern ce
se opune difuziei. Aceste fenomene determin o zon golit de purttori liberi numit i regiune de
sarcin spaial (RSS), care n regim de echilibru are grosimea,

B p n
W x x + (4.3)
n afara RSS se gsesc zonele neutre ale jonciunii i utiliznd relaiile (4.1), (4.2) se pot
determina numeric concentraiile de echilibru din acestea. Cu doprile precizate ca exemplu i la
temperatura jonciunii de aproximativ 25
0
C se obin rezultatele:
18 3
0
2 3
0
15 3
0
5 3
0
10 / cm
10 / cm
10 / cm
10 / cm
p
p
n
n
p
n
n
p

'

(4.4)

4
Valorile numerice de mai sus scot n eviden modificri majore ale concentraiilor libere chiar dac
doprile rmn totui slabe. De exemplu, dac cipul ar fi fost intrinsec ar fi rezultat
10 3
10 / cm
i i
n p . Doparea uniform n proporia un atom donor pentru 10 milioane de atomi de
siliciu (cipul iniial este n exemplu tip n cu N
D
= const. = 10
15
/cm
3
) determin creterea
concentraiei de electroni liberi de o 100 mii de ori i micorarea concentraiei de goluri de
asemenea de o 100 mii de ori.
Sarcina fix din RSS, prin cmpul electric pe care-l determin, se comport ca o barier
intern de potenial pentru sarcinile mobile (potenialul electric al zonei neutre n este mai nalt dect
al zonei neutre p). Diferena de potenial dintre cele dou zone neutre o notm cu V
B
i se
demonstreaz (n ipoteza jonciunii ideal abrupte i golire complet de purttori liberi a RSS) c are
expresia:

2 2
ln ln
D A D A
B T
i i
N N N N kT
V V
q n n
_ _


, ,
(4.5)

unde, k este constanta Boltzman iar q este modulul sarcinii electrice a electronului. Cu doprile din
exemplu i T = 300K (tensiunea termic V
T
= kT/q= 26mV), se obine V
B
= 806 mV. Se determin,
[1], i expresii pentru mrimile geometrice ale RSS. Se obin:

2
( )
r o B D
p
A A D
V N
x
q N N N
_


+
,
(4.6)

2
( )
r o B A
n
A A D
V N
x
q N N N
_


+
,
(4.7)

2 1 1
r o B
B p n
D A
V
W x x
q N N
_
+ +

,
(4.8)

n relaiile anterioare
r
este permitivitatea electric relativ a siliciului (aproximativ 11,8) iar

0
=8.854x10
-12
[F/m], este permitivitatea electric relativ a vidului. De observat c n situaiile
doprilor jonciunilor pentru diode i tranzistoare se utilizeaz fie
A D
N N >> , fie
D A
N N >>
(jonciuni puternic asimetrice) ceea ce determin extinderea RSS practic numai n zona mai slab
dopat. De asemenea, pentru dopri foarte puternice (cazul diodei tunel cu
18 3 21 3
10 / cm .. 10 / cm
A D
N N < < ) se obin grosimi ale RSS foarte mici. O mrime foarte important
este valoarea maxim a modulului intensitii cmpului electric din RSS, aceasta determinnd
tensiunea invers maxim la care poate funciona o jonciune real:

1
max
2 2 1 1

B A D B
r o A D r o D A
qV N N qV
E
N N N N

1
+
1
+
]
(4.9)

5
n fig. 4.4 sunt reprezentate graficele mrimilor electrice; densitatea de sarcin electric
(fix) (x), intensitatea cmpului electric E(x) i diferena de potenial electric (referin de
potenial s-a ales zona neutr din p
+
) din zona RSS n ipoteza golirii complete i jonciune ideal
abrupt.

Fig. 4.4

4.3 Regimul perturbat. Curentul prin jonciune

Starea de echilibru caracterizat anterior poate fi modificat de orice perturbaie energetic
ns, ns cea mai important pentru domeniul circuitelor electronice este perturbaia cmp electric.
Fr a modifica temperatura de echilibru un cmp electric se poate aplica din exterior cu ajutorul
unui circuit de polarizare ca n fig. 4.5

Fig. 4.5 a Fig. 4.5 b
6
n fig. 4.5 a sursa de tensiune continu V
CC
determin o diferen de potenial ntre zonele p
+

i n notat V
F
(forward) iar n fig. 4.5 b sursa de tensiune continu V
CC
determin diferena de
potenial notat V
R
(revearse) ntre zonele n i p
+
.
Polarizarea direct a jonciunii va determina micorarea barierei interne de potenial;
aceasta va deveni V
BF
= V
B
V
F
i purttorii liberi din cele dou zone neutre o vor putea escalada
un numr de goluri vor tece din zona neutr p
+
spre zona neutr n i-n acelai timp electroni din
zona n vor trece n zona neutr p
+
. Aceste fenomene se numesc de injecie purttori liberi dintr-
o zon n care sunt majoritari trec n zona nvecinat unde sunt minoritari. Teoria jonciunii pn
presupune nivel mic de injecie purttorii liberi sosii ntr-o zon nu schimb tipul acesteia.
Notnd cu p
n
(0) concentraia total de goluri, n prezena fenomenelor de injecie prin RSS cauzate
de V
F
, la marginea din dreapta a RSS i cu n
p
(0) concentraia total de electroni la marginea din
stnga se demonstreaz [1], pentru jonciune ideal abrupt i golire complet a RSS (fizica
jonciunii), c:

( )
0
( )
0
(0) (0)
(0) (0)
B F
T
B F
T
V V
V n n
p A
V V
p p V
n D
p p
e
p N
n n
e
n N

'

(4.10)

Ecuaiile (4.10) evideniaz c variaii mici ale tensiunii de polarizare direct, V
F
, determin
variaii mari ale concentraiilor de purttori injectate la marginile RSS (concentraiile injectate
depind exponenial de V
F
). Concentraiile de echilibru, cele care existau n zonele neutre nainte de
aplicarea tensiunii directe V
F
satisfac relaii similare:

0 0
0
0 0
0
B
T
B
T
V
V n n
p A
V
p p V
n D
p p
e
p N
n n
e
n N

'

(4.11)

Eliminnd potenialul de barier V
B
din regim de echilibru, din (4.10) i (4.11) rezult pentru
concentraiile totale de purttorii minoritari, la marginile RSS :

0
0
(0)
(0)
F
T
F
T
V
V
n n
V
V
p p
p p e
n n e


'

(4.12)

Perturbarea concentraiilor minoritare la marginile RSS vor determina fenomene de curgere a
purttorilor liberi. n semiconductori ori de cte ori apare o neuniformitate a sarcinilor electrice
(graficele mrimilor n(x) i p(x) nu sunt constante) pe o direcie va apare fenomenul de curgere
prin difuzie care tinde s anuleze neuniformitatea. Concentraiile totale de purttori minoritari la
marginile RSS vor fi mai mari (fa de concentraiile minoritare de la distane deprtate de RSS care
7
rmn cele din regim de echilibru) i purttorii vor curge prin difuzie spre zonele neutre. Simultan
au loc i procese de recombinare cu sarcini majoritare care exist cu prisosin n zonele n care are
loc difuzia. Procesele de difuzie sunt caracterizate de mrimi parametrice numite lungimi de
difuzie, L
g
n zona n pentru goluri respectiv L
e
n zona p
+
pentru electroni. Acestea sunt dependente
de posibilitile de difuzie ale purttorilor n exces prin zone n care sunt minoritari (mrimile D
g

respectiv D
e
) i de timpii de via (valori medii) ale purttorilor n exces (mrimile
g
respectiv
e
).

g g g
e e e
L D
L D

'

(4.13)


Fig. 4.6

n fig. 4.6 sunt reprezentate variaiile concentraiilor n exces (zonele marcate) injectate de
V
F
prin RSS. Pierderile de electroni din zona n prin recombinri cu goluri n exces precum i
pierderile de goluri din zona p
+
prin recombinri cu electroni sunt completate n regim staionar de
sarcini electrice care sosesc de la sursa de alimentare (goluri care vin prin terminalul anod i zona
neutr din p
+
n locul unde exist fenomene de recombinare i electroni care vin prin terminalul
catod i zona neutr din n n locul unde exist fenomene de recombinare). n regim staionar apare n
acest mod un curent electric total cu dou componente, una de goluri avnd direcia Ox
n
din fig. 4.6
i una de electroni de direcie opus, Ox
p
n fig. 4.6. Este important sa se observe c la curentul total
particip doar concentraiile marcate (exces) n fig. 4.6, i anume:

'
0
'
0
( ) ( )
( ) ( )
n n n n n
p p p p p
p x p x p
n x n x n

'

(4.14)

Dependena de x (x
p
n zona p respectiv x
n
n zona n) a concentraiilor n exces este, [1]:
8
'
0
'
0
( ) ( 1)
( ) ( 1)
n F
g
T
p
F
e T
x
V
L
V
n n n
x
V
L V
p p p
p x p e e
n x n e e

'

(4.15)

Densitile de curent prin jonciune, determinate de curgerea prin difuzie a purttorilor n exces, n
ipotez c lungimile zonelor neutre sunt mult mai mari dect mrimile L
g
, L
e
, sunt:

'
0
0
'
0
0
( )
( 1)
( )
( 1)
F
T
n
F
T
p
V
g n V n n
Dp g
n g
x
V
p p e p V
Dn e
p e
x
D p
p x
J qD q e
x L
n x D n
J qD q e
x L

'

(4.16)

Rezult curentul total prin jonciunea de arie A
j
, la polarizare direct,

0 0
( ) ( ) ( 1)
( ) ( 1)
F
T
F
T
V
g n e p V
F j Dp Dn j
g e
V
V
F S
D p D n
I V A J J qA e
L L
I V I e
_
+


,

(4.17).

Parametrul de fabricaie I
S
se poate pune sub o form n care s intervin doprile din cele
dou zone. Rezult relaia:

2
0
2
2
0
1 1

i
n
D
i
g
e
p
S j i
A
D g A e
g g g
e e e
n
p
N
n
D
D
n
I qA n
N
N N
L D
L D


+
'

(4.18),

care este util pentru analiza dependenei de temperatur a tensiunii pe jonciune (termenul n
i
) la
polarizare direct.
Relaia (4.17) s-a obinut fr nici o referire la semnul tensiunii V
F
. Dac 0
F
V < se obine
situaia de polarizare invers din fig.4.5 b. Pentru 4 100mV
R F T
V V V < la 25
0
C, polarizarea
invers determin un curent invers prin jonciune aproximativ constant ( 100mV)
F S
I V I < . La
polarizare invers grosimea RSS crete, nlimea barierei de potenial devine V
BR
= V
B
+ V
R
, (V
R
cu
sensul din fig. 4.5 b) i escaladarea RSS de ctre purttori majoritari este complet oprit. La
marginile RSS exist ns i concentraii (foarte mici) de purttori minoritari, electroni n zona p
+
i
goluri n zona n. Purttorii minoritari vor fi absorbii n totalitate (saturaie) de cmpul electric din
9
RSS i vor fi trecui ntre terminale doar prin micare de drift electric. Curentul de drift este foarte
mic pentru c mrimile p
n0
i n
p0
sunt foarte mici. S observm c tensiunea invers ntre terminale,
notat V
R
n fig. 4.5 b, se aplic aproape n totalitate pe RSS, cderile de tensiune determinate de I
S

pe zonele neutre fiind practic nule (rezistenele zonelor neutre sunt mici iar I
S
este foarte mic).

4.4 Strpungerea jonciunii. Dioda zenner. Dioda tunel

n regim de polarizare invers pe RSS a jonciunii exist bariera intern de potenial crescut
fa de regimul de echilibru, V
BR
= V
B
+ V
R
, i valoarea extrem a cmpului electric poate atinge
valori foarte mari:
1 1
max
2 ( ) 2 1 1 1 1
B R R
r o D A r o D A
q V V qV
E
N N N N

1 1 +
+ +
1 1
] ]
(4.19).

De exemplu, cu doprile folosite ca exemplu, N
D
= const. = 10
15
[atomi P/cm
3
] i
N
A
=10
18
[atomiB/cm
3
], pentru o tensiune invers V
R
= 50V se obine intensitatea maxim a cmpului
electric din planul jonciunii, (observnd c
D A
N N << ),


5
max
2
1.245*10 [V/cm]
R
D
r o
qV
E N

(4.20)

Intensiti mari ale cmpului electric n RSS determin viteze medii de drift mari ale
purttorilor liberi, obinute ntre dou ciocniri succesive cu atomii de siliciu din RSS, i implicit
energii cinetice mari naintea ciocnirilor.


,med
,med
( ) ( )
( ) ( )
n n
p p
v x E x
v x E x

'

(4.21)

Atunci cnd intensitatea cmpului electric ajunge la valoarea 2*10
5
V/cm energia cinetic a
unui electron este suficient pentru ionizarea unui atom de siliciu i se declaneaz fenomenul de
multiplicare prin avalan a purttorilor liberi n RSS iar curentul invers prin jonciune crete
nelimitat dac nu exist n serie cu jonciunea un rezistor de limitare. Tensiunea V
R
la care ncepe
fenomenul se numete tensiune de strpungere prin avalan. Fenomenul de strpungere este
distructiv n diodele obinuite deoarece curentul invers nu este preluat uniform de toat aria
jonciunii. Diodele realizate prin tehnologii mai speciale, diode zenner, asigur uniformitatea
curentului invers i funcioneaz n regim de strpungere corect numai dac nu se depete puterea
total disipat. Doprile mai puternice a celor dou zone ale jonciunii vor conduce la intensiti
maxime ale cmpului electric crescute, relaia (4.19). Cnd se depete valoarea 5*10
5
V/cm
cmpul electric este att de intens n planul jonciunii nct este capabil s ionizeze atomii de siliciu
prin tunelare (electronii atomilor de siliciu sunt smuli de cmp). Cu dopri obinuite,
fenomenele de strpungere prin avalan i tunelare pot exista simultan (situaie ntlnit la diode
zenner cu V
Z
ntre 3V i 10 V. Tensiunea de strpungere prin avalan crete la creterea
temperaturii din cauz c electronii liberi sunt mai greu dirijai de cmp n timp ce tensiunea de
strpungere prin tunelare scade la creterea temperaturii pentru c va crete probabilitatea de
10
ionizarea atomilor de siliciu. La diodele zenner cu V
Z
= 6,2 V cele dou tendine se compenseaz i
se obine o variaie foarte slab a tensiunii V
Z
cu temperatura.
Dioda tunel conine o jonciune p
+
n
+
cu dopri foarte puternice. De exemplu dac
N
D
=10
18
[atomi/cm
3
], i N
A
=10
20
[atomi/cm
3
], se obine potenialul de barier n regim de echilibru
(la 25
0
C), V
B
1 V (relaia (4.5) i intensitatea maxim a cmpului electric pentru polarizare nul,
/E
max
/=5,66*10
5
V/cm , relaia (4.19) cu V
R
=0. Acest exemplu justific existena strpungerii prin
tunelare chiar la polarizare invers nul. Pentru oprirea tunelrii jonciunea trebuie polarizat direct
cu o tensiune direct ce se poate determina (se micoreaz tensiunea de barier) dup care la
creterea n continuare a tensiunii directe jonciunea are comportare obinuit (curentul prin
jonciune va fi de tip difuzie de purttori minoritari n exces prin zonele neutre ale jonciunii).
n fig. 4.7 sunt reprezentate caracteristicile statice tipice i simbolurile utilizate pentru o
diod uzual, pentru o diod zenner i pentru o diod tunel. De remarcat c dioda tunel are o
poriune cu rezisten dinamic negativ.


Fig. 4.7

4.5 Capaciti asociate jonciunii pn.

Capacitatea de barier C
Jb
este determinat de sarcina fix (ioni) din RSS. Orice
acumulare de sarcin electric determinat de o diferen de potenial electric determin o capacitate
electric.
n fig. 4.8 este reprezentat sarcina electric din RSS, obinut din densitatea volumetric de
sarcin (x) , fig. 4.4, nmulit cu volumele celor dou zone cu ioni ale RSS.

Fig. 4.8
11

Pentru tensiune invers V
R
aplicat ntre zonele neutre ale jonciunii sarcina electric Q are
expresia:
2 ( )
A D
j r o R B
A D
N N
Q A q V V
N N
+
+
(4.23),

din care rezult pentru capacitatea de barier a jonciunii:



2( )
r o A D
J b j
R R B A D
q N N dQ
C A
dV V V N N


+ +
(4.24).

Notnd cu C
j0
capacitatea jonciunii din regim de echilibru (V
R
= 0) se poate scrie (4.23) i
sub forma:

0

1
J
J b
R
B
C
C
V
V

+
(4.25).

Ultima relaie indic posibilitatea utilizrii jonciunii, polarizate invers, ca i condensator a
crui capacitate este controlat de tensiune, dioda varicap. Expresia (4.25) s-a obinut pentru o
jonciune abrupt ideal (gradientul concentraiei nete de impuriti, n planul jonciunii, are
modulul infinit, fig. 4.2). O diod varicap practic este realizat cu jonciune liniar gradat
(gradientul concentraiei nete este constant finit i controlat) pentru care se demonstreaz c are:

0 var
var
3 1
J
J b
R
B
C
C
V
V

+
4.26),
de unde se observ o plaj mai mare de modificare a capacitii (la aceeai variaie a tensiunii V
R
)
fa de situaia n care jonciunea ar fi fost ideal abrupt.
Capacitatea de difuzie C
Jd
este o mrime ce caracterizeaz funcionarea jonciunii n
regim de polarizare direct (exist difuzie de purttori la marginile RSS). Acumularea de sarcini
electrice n exces, n zonele neutre la marginile RSS- fig. 4.6 zonele marcate, determin efect de
capacitate. Utiliznd relaia (4.15) se poate demonstra c expresia acestei capaciti (pentru
polarizri normale directe care permit neglijarea termenului -1 din ecuaia curentului prin jonciune),
este:

2
0 0
( )
2
F
T
V
V
J d j g n e p
q
C A L p L n e
kT
+ (4.27)

care justific proporionalitatea capacitii de difuzie cu mrimea curentului direct prin jonciune
(din compararea relaiile (4.17), (4.27)).
12
Capacitile jonciunii au valori mici i nu intervin n regimul de semnal la frecvene joase.
n domeniul frecvenelor nalte acestea nu pot fi neglijate i vor completa modelele de semnal deja
prezentate n paragrafele anterioare.

4.6 Fenomene de ordinul doi n TB

4.6.1 Efectul Early. Tensiunea Early
Efectul Early l ntlnim la un TB funcionnd in RAN, conexiunea emitor comun;
jonciunea emitoare este direct polarizat iar jonciunea colectoare este invers polarizat, fig. 4.9. Cu
TB ntr-un punct static de funcionare mrimile electrice totale sunt cele de PSF, v
BE
= V
BE
, v
CE
=
V
CE
, i
B
= I
B
, i
E
= I
E
, i
C
= I
C
.


Fig. 4.9

n fig.4.9 sunt reprezentate fluxurile de purttori liberi care intervin n ecuaiile curenilor
prin tranzistor. Din fluxul total de electroni injectat prin terminalul emitor (determin curentul i
E
) o
parte foarte mic este pierdut pentru recombinri cu golurile injectate din baz prin jonciunea
emitoare direct polarizat i care determin curentul I
ES
. Injecia baz emitor este foarte slab
(comparativ cu injecia de electroni din emitor n baz) pentru c jonciunea este puternic asimetric
i baza este slab dopat cu atomi acceptori. Fluxul de electroni injectat prin RSS
E
determin
concentraia minoritar n exces
'
(0)
b
n care respect relaia (4.15) cu
F BE
V v , 0
p
x . Dac
lungimea L
e
, de difuzie a electronilor n exces n baz de tip p, satisface
e b
L W >> atunci curba
concentraiei injectate n baza neutr este aproximativ o dreapt ntre cele dou regiuni de sarcin
spaial, pe toat grosimea
b
W a bazei neutre. n baza neutr o parte din electronii injectai i care
curg prin difuzie pe distana
b
W se recombin cu goluri majoritare n baz de tip p i determin
componenta principal a curentului de baz (curent de goluri care sosesc prin terminalul baz pentru
recombinri). n fig. 4.10 este reprezentat variaia concentraiei minoritare n exces pe direcia Ox
13
n baza neutr. Curentul de total sosit prin terminalul baza este meninut constant, const.
B B
i I i
va determin aceeai valoare
'
(0)
b
n , iar polarizarea invers a jonciunii colectoare se poate modifica
din sursa de tensiune continu notat
CE
v . Se pot fixa de exemplu dou valori ale tensiunii iverse pe
jonciunea colectoare,
1 2 BC BC
v v > determinat de
1 2 CE CE
v v > .



Fig. 4.10

Creterea tensiunii inverse determin mrirea grosimii W
RSSC
, aceasta extinzndu-se att
n zoana p a bazei ct i n zona n a colectorului i se obine scderea grosimii neutre a bazei. Se
obine n acest mod o pant mai mare a concentraiei n exces din baz i ntruct curentul de
colector (curent de difuzie a electronilor n exces prin baza neutr) este proporional cu modulul
pantei concentraiei minoritare (rel. (4.16)) va rezulta creterea curentului de colector la creterea
tensiunii colector - emitor dei curentul de baz este meninut constant. Aceste fenomene descriu
efectul Early.
n figura 4.11 este reprezentat situaia caracteristicilor statice de ieire conexiunea emitor
comun pentru o valoare const.
B
I n prezena fenomenului Early curentul de colector crete liniar
la creterea tensiunii
CE
v .


Fig. 4.11

Se demonstreaz c familiile de caracteristici de ieire n conexiunea emitor comun,
const.
( )
B
C C CE
I
i i v

, se intersecteaz la valoarea
CE A
v V (fig4.12). Tensiunea V
A
se numete
tensiune Early i are valoarea ntre 50V i 100V la tranzistoarele bipolare planare cu siliciu.
14

Fig. 4.12
Ecuaia curentului de colector lund n consideraie i efectul Early devine:
( 1) 1
BE
T
v
V CE
C CS
A
v
i I e
V
_
+

,
(4.28)

4.6.2 Aglomerarea curentului de emitor

Indiferent c un TB planar rezult n urma a dou difuzii (TB discret) sau trei difuzii (TB
integrat), ntre conexiunea metal semiconductor a bazei i zona activ a TB (sub difuzia de emitor
puternic dopat) curentul de baz circul printr-o zon neutr, din zona p a bazei, a crei rezisten
ohmic nu poate fi neglijat n cazul funcionrii TB la frecvene mari sau la cureni de colector
mari.

Fig. 4.13

n fig.413 sunt prezentate structurile TB npn din cazurile discret i integrat; n ambele curentul
de baz curge longitudinal (paralel cu suprafaa cipului) spre zona din baz unde este efect de
15
tranzistor. n TB discret dublu difuzat curentul de colector este perpendicular pe suprafaa cipului n
timp ce n cazul TB integrat, din cauza necesitii scoaterii terminalului colector la suprafaa cipului,
curentul de colector circul, prin stratul n
++
ngropat spre terminalul colector, paralel cu suprafaa
cipului. Stratul ngropat are rolul de a micora rezistena serie a colectorului i implementarea
acestuia necesit o difuzie suplimentar (TB triplu difuzat). Stratul de tip n epitaxial este un strat cu
structura monocristalin a substratatului de tip p crescut prin procedeul tehnologic denumit
epitaxie. Acesta are dopare (uniform) i grosime controlate i prin strpungerea cu o difuzie p de
izolare se asigur izolarea componentelor circuitului integrat (componentele circuitului se
conecteaz pe deasupra cipului utiliznd mai multe nivele de metalizare separate ntre ele prin
straturi de oxid).
Privit de deasupra cipului, difuzia emitorului se realizeaz n difuzia bazei motiv pentru care
se obine aria de difuzie a emitorului inclus n aria de difuzie a bazei terminalele notate B n
fig.4.13 sunt de fapt aceeai metalizare.
Un detaliu din zona de curbur a difuziei n
++
de emitor este reprezentat n fig. 4.14.

Fig. 4.14.
Din cauza doprii puternice a emitorului se poate aproxima c toate punctele din difuzia de
emitor sunt la acelai potenial chiar la cureni de emitor mari. Baza fiind mult mai slab dopat fa
de emitor va determina diferenele de potenial v
BE1
, v
BE2
diferite i inegalitatea
1 2 BE BE
v v > este cu
att mai pronunat cu ct curentul de emitor este mai mare ( necesit curent de baz mai mare).
Fenomenele de injecie de purttori n exces prin jonciunea emitoare polarizat direct vor fi mai
puternice prin locurile unde v
BE
este mai mare deci liniile curentului de emitor vor fi mai dese n
zona de curbur fa de zona in care planul jonciunii este paralel cu suprafaa cipului. Rezult astfel
o cretere a densitii de curent prin zonele de curbur, fa de centru zona central, cu att mai
evident cu ct curentul de colector (emitor) este mai mare. Acest fenomen se numete de
aglomerare a curentului de emitor.
Fenomenul descris mai sus determin scderea factorului de amplificare la cureni de
colector mari. n zonele de curbur ale jonciunii emitoare grosimea neutr a bazei este mai mare i
gradientul purttorilor n exces,
'
( ) /
b
dn x dx va fi mai mic (n baza neutr mai groas vor fi mai multe
recombinri). De asemenea, rezistena extrinsec a bazei, va influena negativ i frecvena maxim
de funcionare n regim de semnal; capacitatea de difuzie a jonciunii emitoare se ncarc prin baza
neutr din zona curbat.
Reducerea influenei fenomenului de aglomerare a curentului de emitor cere asigurarea de
ctre procesul de fabricaie a unei valori mici pentru rezisten ohmic ntre baza intern i cea
extern. Pe de alt parte orice TB trebuie s asigure un curent maxim, precizat, de colector (de
16
emitor) deci trebuie s aib o arie precizat pentru jonciunea emitoare. Concluzia este c un TB
performant trebuie s aib raportul arie/perimetru pentru jonciunea emitoare ct mai mare.

Fig. 4.15.

Principiul de implementare a unui TB npn de acest tip este reprezentat n fig. 4.15 unde sunt
reprezentate (vedere de deasupra) numai difuzia bazei., difuzia emitorului i metalizrile bazei i
emitorului (metalizrile au structur pieptene sau interdigital).

4.7 Modele de semnal mic pentru TB n RAN

Pentru analiza aproximativ i proiectarea rapid a circuitelor electronice cu tranzistoare
bipolare sunt utile modele liniare pentru tranzistorul bipolar S-a artat c orice diod, polarizat
direct ntr-un punct static de funcionare, poate fi nlocuit, pentru regimul variabil de semnal mic n
jurul punctului static, cu un rezistor liniar avnd rezistena r
d
= V
T
/I
D
, n care I
D
este curentul
continuu prin diod. Folosind procedee similare se poate determina un circuit echivalent liniar, de
semnal mic, i pentru tranzistorul bipolar.

Fig. 4.16.
17
Dac TB din fig.4.16 este ntr-un PSF din RAN i funcioneaz n regim de semnal, cu
referinele mrimilor electrice fin figur se poate scrie direct curentul total al jonciunii emitoare i
pe baza definiiilor coeficienilor de amplificare se pot scrie i expresiile curenilor de baz i de
colector.


1 , , / (1 ) ,
BE
T
v
V
E ES C E B C E
i I e i i i i i
_


,
(4.29)

Curentul total de baz se mai poate scrie sub forma:

(1 ) 1
BE
T
v
V
B ES
i I e
_


,
(4.30).

Relaia de mai sus poate fi scris pentru regimul de curent continuu i se obine, ntre valorile
de PSF:

(1 ) 1
BE
T
V
V
B ES
I I e
_


,
(4.31).
n regim de semnal componentele totale din circuitul baz emitor vor fi:


( ) ( )
( ) 1 ) 1 1 )
( )
BE be BE be
T T
V v t V v t
V V
B B b ES ES
BE BE be
i I i t I e I e
v V v t

+ +
_
+

'
,

(4.32).

Pentru 0.5 0.7
BE
V V i variaii ale tensiunii de semnal mici n jurul punctului static valoarea
-1 se poate neglija fa de valoarea numeric a exponenialei.
Regimul de semnal mic este acela n care este acceptabil aproximarea:

( )
( )
( )
1 1
be
T
v t
be be V
T T
v t v t
e
V V
<< + (4.33);

amplitudinile semnalului de tensiune sunt mici fa de tensiunea termic , 25mV la 25
0
C. Practic se
poate accepta c TB funcioneaz n regim de semnal mic dac ( ) 10mV
be
v t . n regim de semnal
mic, folosind relaiile (4.31) i (4.32) se separ mrimile de semnal de cele din curent continuu i va
rezulta:

( ) ( ) ( ) ( ) t i r t v t v
V
I
t i
b be be be
T
B
b

,
_

(4.33),
18
din care se vede c pentru mrimile electrice de semnal ntre baz i emitor exist un rezistor
aproximativ liniar cu rezistena dependent de curentul continuu de polarizare n baz i de
temperatur.



,
T
be
B
C T
B
C
V
r r
I
I V
I r
I

'

(4.34).

Ultima relaie justific, pentru regim de semnal mic, circuitul echivalent din fig. 4.17.



Fig. 4.17.

Circuitul echivalent din fig. 4.17 a rezultat prin luarea n consideraie numai a fenomenelor din
baza activ (zona din difuzia bazei situat sub difuzia emitorului). Dac avem n vedere i
fenomenele expuse n paragrafele anterioare, un circuit echivalent mai apropiat de realitate este cel
din fig. 4.18 unde se pune n eviden i rezistena extrinsec a bazei ce nu poate fi neglijat la
frecvene mari.



Fig. 4.18

Nelund n considerare efectele de ordin II n tranzistor, ntruct cu componente totale se poate
scrie ( ) t i I i
C C C
+ , ( ) ( )
C B
i t i t i ( ) t i I i
b B B
+ se obine, pentru curentul de semnal din
colector , ( ) ( )
c b
i t i t . Rezult astfel, c, n regim de semnal mic, circuitul echivalent din fig.4.18
trebuie completat cu un generator de curent de semnal comandat de curentul de semnal din baz ca
n fig. 4.19.
19

Fig. 4.19

Circuitul echivalent liniar (sau modelul de semnal mic) al TB se poate simplifica la doar doi
parametri, dat de catalog i r

care poate fi determinat numeric la o temperatur a cipului


cunoscut i cu valorile de curent continuu din PSF determinate din analiza de curent continuu.
Rezistena extrinsec a bazei, r
x
, are valoare mic, depinde de foarte muli factori ai procesului de
fabricaie i de PSF. O valoare acoperitoare (dezavantajoas) este r
x
0.1 r

i n multe situaii se
poate neglija.
n tot domeniul de frecven deprtat de frecvena maxim pn la care poate funciona un
tranzistor bipolar, cel mai simplu model de semnal mic este unul din cele dou modele identice
reprezentate n fig.4.20, cu r
x
0.


Fig.4.20.

Se impune observaia c modelele de semnal mic reprezentate mai sus sunt valabile pentru
ambele tipuri de tranzistoare bipolare, npn i pnp (modelele neliniare, de semnal mare, sunt ns
diferite).
Faptul c o tensiune de semnal mic aplicat ntre terminalele baz emitor (terminale de intrare)
determin un curent comandat ntre terminalele colector emitor sugereaz introducerea unui
parametru care s ne arate cantitativ transferul intrare ieire al unui TB. Se definete
transconductana de semnal mic a unui TB ( i se noteaz cu g
m
) prin:

mA
40 cu n mA
V
c
m
be
C
m C C
T
i
g
v
I
g I I
V

'
1



(4.35).

Expresia de calcul pentru transconductan se obine utiliznd definiia i relaiile (4.33), (4.34), cu
V
T
= 25mV.
Utiliznd rezultatele analizei de curent continuu (curentul de colector din PSF n RAN) i
datele de catalog ( factorul de amplificare ) se determin valorile parametrilor de semnal mic n
20
ordinea : g
m
cu relaia (4.35), r

= / g
m
. Tranzistorul se nlocuiete (pentru cea mai aproximativ
analiz), n regim de semnal mic, cu unul din circuitele (modelele) echivalente reprezentate n fig.
4.21 (cele mai simple), tensiunea de semnal, v, fiind imprimat la intrare de circuitul n care se
gsete tranzistorul.


Fig.4.21

Atunci cnd circuitul n care se gsete tranzistorul trebuie s funcioneze i la frecvene nalte,
domeniu care conine frecvena maxim la care poate funciona TB, este necesar utilizarea
modelului din fig. 4.22.

Fig.4.22

Efectul Early este prezent la toate tranzistoarele bipolare funcionnd n RAN; mai slab sau
mai puternic n funcie de valoarea parametrului caracteristic V
A
. nclinarea caracteristicilor statice
de ieire din cauza acestui efect nseamn de fapt o rezisten dinamic ntre terminalele colector
emitor. Expresia acesteia se obine din relaia (4.28) prin derivare n POSF din RAN. Se obine:

PSF PSF
CE A
ce
C C
v V
r
i I

(4.36).

Dac TB funcioneaz la cureni mari de colector n PSF, influena rezistenei r
ce
asupra
regimului de semnal mic nu poate fi neglijat. Rezult necesitate completrii modelelor anterioare
cu rezistena r
ce
(de exemplu fig. 4.22 completat devine fig.4.23).

Fig.4.23
Modelele care conin i capaciti ale TB se mai numesc de tip hibrid.