Laborator de Fizica

DETERMINAREA ENERGIEI DE ACTIVARE A UNUI SEMICONDUCTOR

Laborator De Fizica Catedra De Fizica Universitatea Tehnica Din Cluj-Napoca I. Consideraii teoretice Semiconductorii sunt considerai ca nite conductori electrici cu valori ale conductibilitii electrice, la temperatura camerei, curprinse ntre 10-10 pn la 102 (cm)-1, valoare mai mic dect la metale, dar mai mare dect la izolatori. Prin aplicarea teoriei cuantice la micarea electronilor din reeaua cristalin s-a stabilit c energiile pe care le poate lua un electron ntr-un cristal sunt grupate n zone permise separate de zone interzise. Modul de distribuire al electronilor pe nivelele enrgetice aflate n interiorul unei zone permise este determinat de starea termic n care se afl cristalul. La temperatura de 00K electronii vor fi repartizai pe nivelele de energie cele mai joase, astfel nct zonele vor fi umplute integral ncepnd cu cele inferioare pn la o anumit zon care poate fi ocupat parial sau total. Ultimul nivel energetic populat cu electroni la 00K se numete nivel Fermi. n reprezentarea energetic a unui solid cristalin de obicei se iau numai ultimele trei zone i anume: zona de valen (z.v.), care este ultima zon permis parial sau complet ocupat, zona de conducie (z.c.), definit ca prima zona complet liber, iar zona interzis (z.i.) reprezint intervalul energetic care separ nivelul superior al zonei de valen de nivelul inferior al zonei de conducie. Dup gradul de ocupare a ultimei zone permise i dup mrimea zonei interzise, solidele se mpart n : conductori, semiconductori i dielectrici (fig.1). Lrgimea zonei interzise este determinat de tipul legturii chimice din cristal. Legtura ionic care se realizeaz n izolatori (ClNa) este mult mai puternic dect cea covalent care se realizeaz n semiconductorii puri ( Ge, Si ), astfel c zona interzis la un izolator este mai mare dect la un semiconductor. Se definete energia de activare E a unui semiconductor ca fiind cantitatea minim de energie necesar pentru trecerea unui electron din zona de valen n zona de conducie. Ea este egal cu diferena dintre energia Ec corespunztoare nivelului inferior al zonei de conducie i enrgia Ev corespunztoare nivelului superior al zonei de valen: (1) E = Ec - Ev Semiconductorii sunt de dou tipuri: intrinseci i extrinseci. a) Semiconductorii intrinseci (fr impuriti) nu posed nivele energetice adiionale n interiorul zonei interzise. Aceast condiie o ndeplinesc numai cristalele foarte pure (Ge, Si) (fig.2.a). b) Semiconductorii extrinseci (cu impuriti), posed nivele adiionale admise ntre zona de valen i cea de conducie, nivele determinate de anumite impuriti sau defecte aflate n cristal. Nivelele adiionale pot fi situate deasupra zonei de valen i se numesc nivele acceptoare sau n vecintatea zonei de conducie i se numesc nivele donoare (fig.2.b,c). Mecanismul de conducie n semiconductori puri se explic n felul urmtor: la creterea temperaturii, energia termic a electronilor din zona de valen crete, iar o parte din electroni trec n zona de conducie. Electronii care traverseaz, prin salt cuantic, zona interzis las n zona de valen un gol. Se obine generarea termic a perechii electron-gol, acetia sunt purttori de curent situai n zone energetice diferite. La aplicarea unei diferene de potenial apare o micare dirijat a acestor purttori determinnd o anumit conductibilitate electric a semiconductorului. n felul acesta la creterea temperaturii, 2

Laborator De Fizica Catedra De Fizica Universitatea Tehnica Din Cluj-Napoca conductibilitatea electric crete iar rezistena electric scade, dependen ce face ca semiconductorii s se deosebeasc net de metale. Pentru semiconductorii cu impuriti care posed nivele donoare sau acceptoare n interiorul zonei interzise, o energie de activare E mult mai mic va produce ionizarea impuritilor i crearea de purttori de curent. S-a stabilit c rezistivitatea semiconductorilor scade cu temperatura dup urmtoarea lege:
E

R = R0 e 2 KT
unde:

(2)

R - rezistenta la temperatura T R0 rezistenta la o temperatur T k constanta lui Boltzmann (1,38*10-23 joule/K) T temperatura n grade absolute E energia de activare Pentru a calcula energia de activare, mrime caracteristic fiecrui semiconductor, se liniarizeaz relaia (2). n acest scop se logaritmeaz n baz natural relaia (2) E ln R = ln R0 + (3) 2kT care n baz zecimal este: E lg R = lg R0 + 0,43 (4) 2kT rezult astfel c dependena logaritmului rezistivitii de inversul temperaturii este o dreapt (fig.3). Din panta dreptei se poate calcula valoarea energiei de activare E. Astfel: E (6) tg = 0,43 2k iar lg R2 lg R1 lg R [eV] (7) = 0,2 E = 0,2 3 10 3 10 3 10 T T2 T1 II. Metodica experimental

Figura 4

Pentru msurarea dependenei rezistenei electrice a unui semiconductor funcie de temperatur se realizeaz montajul redat n fig. 4, unde : C este cuptorul cu rezisten electric pentru nclzirea probei. Alimentarea lui se face prin intermediul unui autotransformator ( tensiunea maxim de lucru cca 60 V ). P proba semiconductoare, pentru asigurarea contactului ohmic feele pastilei sunt argintate, T termocuplu din cupru constantan, mV milivoltmetru pentru indicarea temperaturii, RLC punte pentru msurarea rezistenei. Schema electric a punii este redat in fig. 5, n care: E bateria electric K ntreruptor al circuitului bateriei G aparat de nul Rx rezistena de msurat R01, R02, ... , R06 rezistene etalon cu diverse ordine de mrime
3

Laborator De Fizica Catedra De Fizica Universitatea Tehnica Din Cluj-Napoca K1, K2, ... , K6 ntreruptoare prin intermediul crora se introduce n circuit rezistena etalon necesar C cursorul a crui scal este gradat n .
Modul de lucru

1. Se urmrete realizarea montajului electric redat in fig. 4. 2. Fr a nclzi cuptorul, se msoar rezistena semiconductorului la temperatura camerei. 3. Se nclzete cuptorul asigurnd o cretere a temperaturii probei din 100 n 100C pn la temperatura de 1000C
Prelucrarea datelor experimentale
10 3 1. Se traseaz graficul dependenei lg R = f T 2. Din grafic se determin panta dreptei, iar cu ajutorul relaiei (7) se calculeaz energia de activare corespunztoare semiconductorului studiat.

Rezultatele experimentale se trec n tabel: Tabel 1. t [oC]

20 30 40 50 60 70 80 90 100

T [K]

10 3 T [K-1]

R [k]

lg R -

E
[eV]

(E ) E [%]