Capitolul I SEMICONDUCTOARE

Majoritatea dispozitivelor electronice sunt realizate din semiconductoare. Semiconductoarele sunt materiale a cror conductivitate electric este cu cteva ordine de mrime mai mic dect a metalelor dar cu multe ordine de mrime mai mare dect a izolatoarelor. n tabelul 1 sunt prezentate conductivitile unui conductor tipic, cuprul, a celui mai utilizat semiconductor, siliciul, i a unui izolator des utilizat, mica.
Tabelul 1 valori tipice ale conductivitii

Conductor (Cu) 106 S/cm

Semiconductor (Si) 210-5 S/cm

Izolator (mica) 10-12 S/cm

Conductivitatea semiconductorilor este puternic dependent de factori externi precum temperatura, iluminarea, cmpuri electrice i magnetice. Materialul semiconductor cel mai comun este siliciul. Se utilizeaz mult mai rar germaniul, arsenura de galiu sau alte materiale semiconductoare.

1. PURTTORI DE SARCIN N SEMICONDUCTOARE Pentru a conduce curentul un material trebuie s aib purttori mobili de sarcin, care, sub influena unui cmp electric extern, s execute o micare ordonat pe direcia cmpului. La temperatura de 0 K (zero absolut), semiconductoarele nu au astfel de purttori. Spre deosebire de metale, electronii de valen ai semiconductoarelor nu sunt liberi s se deplaseze n ntregul volum al semiconductorului. Ei particip la legturile covalente care menin atomii semiconductorului ntr-o structur cristalin periodic. Modelul bidimensional al legturii covalente este dat n figura 1.
electron liber +4 +4 +4 electroni de valen +4 +4 +4 gol +4 +4 +4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

figura 1. Legtura covalent

figura 2. Generarea unei perechi electron-gol

Toi electronii de valen fiind prini n legturile covalente, nu exist purttori mobili de sarcin i deci semiconductorul, la aceast temperatur, se comport ca un izolator perfect. La temperaturi mai mari dect 0 K, energia termic primit de electroni poate fi, n cazul unora dintre ei, suficient pentru a rupe legtura covalent, aa cum sugereaz figura 2. Un numr de electroni nu mai sunt prini n legturi covalente ci devin purttori mobili de sarcin negativ i prin urmare semiconductorul poate conduce curentul electric. n urma electronilor devenii liberi rmne un numr egal de legturi covalente rupte, aa numitele goluri. Acestea sunt zone de sarcin pozitiv care vor exercita o for de atracie asupra electronilor de valen nvecinai. Dac un electron de valen, atras fiind, se mut n locul gol, golul va apare n locul acestui electron de valen (figura 3). Prin urmare golul se mut. Este evident c golurile nu se mic, ele se genereaz n alt loc. Cei care se mic sunt electronii de valen din apropierea unui gol. Pentru a face o distincie clar ntre micarea electronilor liberi i cea a electronilor de valen se folosete n electron literatura de specialitate urmtoarea liber convenie de exprimare: vom afirma c golurile se mic i sunt prin urmare +4 +4 +4 purttori mobili de sarcin pozitiv.
+4 +4 +4 gol +4 +4 +4

n semiconductoare exist deci dou tipuri de purttori mobili de sarcin: purttori mobili de sarcin negativ (electronii liberi); purttori mobili de sarcin pozitiv (golurile);

figura 3. Mutarea golului datorat miscrii unui electron de valen nvecinat

Dac notm cu n numrul de electroni liberi i cu p numrul de goluri putem afirma c: n=p (1)

ntr-adevr, eliberarea unui electron implic generarea unui gol deci electronii liberi i golurile apar numai n perechi. Fenomenul poart numele de generare a purttorilor. Ocuparea unui gol de ctre un electron de valen nu duce la dispariia unui gol, ci doar la mutarea acestuia n alt loc. Dac un gol este ocupat ns de un electron liber, atunci dispare un gol dar i electronul devine legat, deci, electronii liberi i golurile dispar tot n perechi, fapt ce demonstreaz valabilitatea relaiei (1). Fenomenul poart numele de recombinare a purttorilor de sarcin. La orice temperatur diferit de zero absolut, n orice semiconductor, se produce att fenomenul de generare ct i fenomenul de recombinare a purttorilor de sarcin. Viteza de generare a perechilor electron-gol este ns mai mare dect viteza de recombinare, prin urmare, exist n orice moment un numr de purttori mobili de sarcin. De exemplu, n cazul siliciului, la temperatura camerei (300 K), numrul de perechi electron-gol este de aproximativ 1,451010 perechi/cm3.

2. SEMICONDUCTOARE INTRINSECI Se numesc intrinseci, semiconductoarele pure din punct de vedere chimic, n care, purttorii mobili de sarcin apar pe baza fenomenului descris n paragraful precedent. Numrul de perechi electron gol este dat de relaia (1) i este valabil numai pentru acest tip de semiconductori, de aceea vom nota : n = p = ni (2)

n cazul siliciului, la temperatura camerei, ni este de ordinul a 1,51010perechi electron gol/cm3. Dat fiind c perechile electron gol apar ca urmare a energiei termice primite de semiconductor din exterior, este evident c ni va fi puternic dependent de temperatur. Mai precis ni crete exponenial cu creterea temperaturii i prin urmare conductivitatea electric a semiconductorilor intrinseci va crete odat cu creterea temperaturii. Proprietatea este utilizat pentru producerea termistoarelor. Acestea sunt nite rezistoare a cror rezisten depinde de temperatura de lucru. Din semiconductori se pot realiza termistori cu coeficient de temperatur negativ, adic termistori care i micoreaz rezistena odat cu creterea temperaturii. n alte aplicaii ns, aceast dependen de temperatur a conductivitii reprezint un mare dezavantaj : parametrii dispozitivelor realizate din semiconductoare depind de temperatur.

3. SEMICONDUCTOARE EXTRINSECI Semiconductoarele extrinseci sunt semiconductoare impurificate controlat, cu atomii altui element chimic, astfel nct numrul de purttori mobili de sarcin s fie mult mai mare dect ni. n situaia n care, ntr-un semiconductor, au fost introduse impuriti pentavalente, patru dintre electronii atomului de impuritate intr n legturi covalente cu atomii semiconductorului dar, un electron rmne liber. Prin urmare fiecare atom de impuritate contribuie cu un electron liber la numrul total de purttori mobili din semiconductor. Aceti atomi se numesc donori i vom nota cu ND numrul lor. n situaia n care ntr-un semiconductor au fost introduse impuriti trivalente, trei dintre electronii atomului de impuritate intr n legturi covalente cu atomii semiconductorului dar, o legtur rmne incomplet. Prin urmare, fiecare atom de impuritate contribuie cu un gol la numrul total de purttori mobili. Aceti atomi se numesc acceptori i vom nota cu NA numrul lor. Ca impuriti donoare se folosesc fosforul, arsenul i stibiul iar ca impuriti acceptoare borul, indiul sau aluminiul.

4. SEMICONDUCTOARE DE TIP N Un semiconductor impurificat cu atomi donori se numete de tip n, deoarece are mai muli purttori mobili de sarcin negativ dect pozitiv. La numrul ni de electroni din semiconductorul pur, se mai adaug ND electroni adui de atomii de impuritate i deci numrul total de electroni va fi : n = ni + ND Cum impuritile donoare nu genereaz goluri, numrul de goluri rmne ca n cazul semiconductorilor intrinseci: p = nI Din relaiile (3) i (4) rezult n>p (5) (4) (3)

motiv pentru care electronii se numesc purttori majoritari iar golurile purttori minoritari. De obicei ND este cu cteva ordine de mrime mai mare dect ni i evident nu se modific cu temperatura. Prin urmare proprietile electrice ale semiconductorilor de tip n vor fi mai puin dependente de temperatur dect n cazul semiconductorilor intrinseci.

5. SEMICONDUCTOARE DE TIP P Un semiconductor impurificat cu atomi acceptori se numete de tip p, deoarece are mai muli purttori mobili de sarcin pozitiv dect negativ. La numrul ni de electroni din semiconductorul pur, se mai adaug NA goluri generate de atomii de impuritate i deci numrul total de goluri va fi : p = ni + NA (6)

Cum impuritile acceptoare nu aduc electroni, numrul acestora rmne ca i n cazul semiconductorilor intrinseci: n = nI Din relaiile (3) i (4) rezult p>n (8) motiv pentru care, golurile vor fi purttori majoritari, iar electronii purttori minoritari. De obicei NA este cu cteva ordine de mrime mai mare dect nI i evident nu se modific cu temperatura. Prin urmare proprietile electrice ale semiconductorilor de tip p vor fi mai puin dependente de temperatur dect n cazul semiconductorilor intrinseci.
10

(7)

6. JONCIUNEA p-n Zona de trecere, mai mult sau mai puin abrupt de la o regiune de tip p la o regiune de tip n a unui semiconductor se numete jonciune p-n. Pe msur ce se realizeaz jonciunea, electronii majoritari n regiunea de tip n vor trece n regiunea de tip p, unde se vor recombina cu golurile majoritare. Se va forma astfel de o parte i de alta a jonciunii o regiune golit de purttori mobili. Dup cum se vede n figura 4, n regiunea de tip p se formeaz o zon de sarcin spaial negativ, datorat atomilor acceptori trivaleni care au acum un electron n plus, deci sunt ioni negativi. Ei se opun trecerii electronilor din regiunea n n regiunea p. La fel n regiunea de tip n se formeaz o zon de sarcin spaial pozitiv datorat atomilor donori pentavaleni care au acum un electron n minus, deci, sunt ioni pozitivi. Ei se opun trecerii golurilor din regiunea p n regiunea n.
recombinare Zone de sarcin spatial

A + A + A + A + A + A + A + A + A + p

- D - D - D - D - D - D - D - D - D n

A + A + A + A + A + A + p
VB

+ + +

- D - D - D - D - D - D n

Figura 4. Recombinarea purtatorilor in momentul realizarii jonctiunii si aparitia zonei de sarcina spatiala

Cele dou zone de sarcin spaial (imobil) situate de o parte i de alta a jonciunii formeaz mpreun o regiune golit de purttori mobili. ntre limitele exterioare ale regiunii golite ia natere o diferen de potenial intern, dat de acumulrile de sarcin de semn opus, situate de o parte i de alta a jonciunii. Aceast diferen de potenial intern poart numele de potenial de barier deoarece se opune trecerii purttorilor majoritari prin jonciune. Valoarea acestui potenial este dat de relaia:
VB = kT N A N D ln q n i2

(9)

n relaia (9)

k=1,3810-23 J/K

este constanta lui Boltzman, T este temperatura absolut iar q=1,610-19C este sarcina electronului. Termenul
kT din relaia (9) este din punct de vedere dimensional o tensiune: q
11

J K K = J = Volt C C
i este direct proporional cu temperatura, motiv pentru care se numete tensiune termic (vT): kT (10) vT = q La temperatura camerei ea are valoarea de aproximativ 26mV. Mrimea barierei de potenial la temperatura camerei, pentru o jonciune realizat pe siliciu (ni=1,51010perechi electron - gol/cm3), impurificat cu NA=1,11016acceptori/cm3, respectiv Nd=1015donori/cm3 va fi n conformitate cu relaiile (9) i (10):
v B = 26 mV ln 1,1 10 31 640 mV 2 ,25 10 20

Avnd n vedere aceast diferen intern de potenial dintre cele dou regiuni ale unei jonciuni se poate intui c, dac este aplicat asupra jonciunii o tensiune din exterior, comportarea electric a jonciunii va depinde de sensul tensiunii aplicate.

7. POLARIZAREA INVERS A JONCIUNII P-N Dac tensiunea exterioar, numit tensiune de polarizare are acelai sens cu vB, jonciunea este invers polarizat (figura 5).
deplasarea purttorilor minoritari + + + p VB + + + + + n + + -

U Figura 5. Polarizarea invers

n acest caz, efectul tensiunii de polarizare se adun la cel al potenialului de barier rezultnd o lrgire a regiunii golite i deci lipsa oricrui curent de purttori majoritari. Prin jonciune va trece totui un mic curent de purttori minoritari.
12

Sarcina spaial pozitiv din regiunea n va atrage electronii minoritari din zona p, iar sarcina spaial negativ din regiunea p va atrage golurile minoritare din zona n. Deplasarea electronilor de la p la n va da natere unui curent de acelai sens ca i deplasarea golurilor din n n p. Deplasrile au sensuri opuse dar i purttorii care se deplaseaz au sarcini de semn opus prin urmare, curenii de electroni i de goluri se nsumeaz. Dac tensiunea de polarizare invers crete, regiunea golit crete, dar curentul invers nu crete dect pn la valoarea IS (curentul invers de saturaie), fiind limitat de numrul redus de purttori minoritari. (figura 6)

0A V -10nA -20nA -10V I(D1) I -8V -6V V_V1 -4V -2V 0V

figura 6. Curentul invers prin jonciune funcie de tensiunea invers aplicat

Se poate remarca n figura 6 c nu exist o dependen ntre valoarea tensiunii de polarizare invers aplicat jonciunii i mrimea curentului invers dect pentru valori foarte mici ale tensiunii inverse. De aceea este o aproximaie mai mult dect rezonabil dac, la polarizare invers considerm: I = IS (11)

Mai mult dect att, dac avem n vedere valoarea foarte mic a IS (13 nA pentru jonciunea din figura 6) de multe ori vom ignora acest curent, astfel c relaia (11) devine: I=0 (12)

Pe baza relaiei (12) putem afirma c atunci cnd este invers polarizat, jonciunea p-n nu conduce curentul. Curentul IS este foarte mic datorit numrului mic de purttori minoritari. Dar cum aceti purttori sunt generai termic, numrul lor va crete cu creterea temperaturii jonciunii. Prin urmare valoarea curentului invers crete cu temperatura. Dependena de temperatur a curentului invers de saturaie se poate exprima prin urmtoarea constatare experimental: IS i dubleaz valoarea pentru o cretere cu 10oC a temperaturii jonciunii. Tot ce s-a discutat pn acum este valabil pentru orice valoare a tensiunii de polarizare invers mai mic dect tensiunea de strpungere (VSTR). Valoarea acestei tensiuni difer de la o jonciune la alta n funcie de gradul de impurificare cu atomi donori i/sau acceptori. Ea va fi mare dac semiconductorul este slab impurificat i scade pe msura creterii gradului de impurificare a semiconductorului. Dac tensiunea de polarizare invers se apropie de valoarea VSTR, purttorii minoritari care traverseaz regiunea golit vor avea o vitez i deci o energie cinetic foarte mare. Prin ciocnirea lor cu atomii reelei cristaline ei pot provoca
13

ruperea legturilor covalente, deci, generarea de noi perechi electron gol. Prin urmare numrul de purttori minoritari crete. Aceast cretere mrete probabilitatea ciocnirilor i prin urmare numrul de purttori minoritari se multiplic n avalan. Efectul este creterea abrupt a curentului invers prin diod. Acest fenomen poart numele de strpungerea jonciunii. Fenomenul de strpungere este reversibil. Dac tensiunea de polarizare invers scade sub valoarea de strpungere, electronii i golurile generate prin multiplicare n avalan vor disprea prin recombinare i curentul invers prin jonciune revine la valoarea IS.
- 0 m A

- 5 0 m A

- 1 0 0 m A

- 1 5 0 m A

I
- 2 0 0 m A - 3 0 V - 2 0 V - 1 0 V I ( D 4 : 1 ) - V ( D 4 : 2 ) - 0 V

figura 7. Strpungerea jonciunii p-n

Figura 7 prezint o jonciune pentru care tensiunea de strpungere este n jur de 20V. Se poate remarca faptul c n momentul n care tensiunea de polarizare invers este apropiat de aceast valoare, curentul invers prin jonciune crete foarte abrupt. Dei strpungerea este un fenomen reversibil i nu duce la distrugerea jonciunii, n acest regim poate s se produc un alt fenomen care distruge jonciunea. Puterea disipat de jonciune, egal cu produsul dintre VSTR i curentul prin jonciune poate atinge valori mari. Aceasta duce la o nclzire exagerat a semiconductorului i la distrugerea definitiv a jonciunii.

8. POLARIZAREA DIRECT A JONCIUNII P-N Dac tensiunea aplicat din exterior este de sens opus potenialului de barier, jonciunea este polarizat direct. Efectul tensiunii exterioare va fi opus potenialului de barier regiunea golit se ngusteaz pn la limita la care purttorii majoritari pot s traverseze jonciunea (figura 8). Aa cum s-a explicat n paragraful anterior, curentul dat de electroni se nsumeaz cu curentul produs de deplasarea golurilor. Dar, spre deosebire de polarizarea invers, n acest caz curentul este produs de deplasarea purttorilor majoritari. Din acest motiv valoarea lui este cu cteva ordine de mrime mai mare dect valoarea curentului invers.
14

Practic, dac tensiunea de polarizare direct crete, curentul prin jonciune crete exponenial. Se poate remarca din figura 9 c un curent direct ncepe s apar n cazul siliciului la o tensiune de polarizare direct mai mare de aproximativ 500mV. Valoarea lui crete foarte mult pentru o cretere mic a tensiunii.

+ + + p

+ + +

+ + +

goluri electroni

+ n

VB

VD figura 8. Polarizarea direct

80mA

Analitic, curentul prin jonciune ID, poate fi exprimat n funcie de tensiunea de polarizare direct VD, prin relaia:

60mA

i D = IS ( e
40mA

VD vT

1)

(13)

20mA

0A 0V I(D5) 400mV 800mV

figura 9. Graficul curentului n V_V1 funcie de tensiunea de polarizare direct

Este de remarcat faptul c tensiunea termic apare n expresia acestui curent i prin urmare i temperatura jonciunii va influena valoarea acestui curent. Mai mult dect vT, i IS este dependent de temperatur, aa cum s-a artat n paragraful anterior. Prin urmare iD va crete odat cu creterea temperaturii sau, ceea ce este echivalent, pentru a produce acelai curent, este nevoie de o tensiune VD mai mic. Se poate aproxima c VD scade 2mV / oC.

9. CONCLUZII Proprietile electrice ale jonciunii p-n sunt diferite n funcie de polarizarea ei. Dac jonciunea este direct polarizat (regiunea p pozitiv fa de regiunea n) ea poate s conduc curentul dac tensiunea de polarizare direct depete o anumit valoare. Acest prag de tensiune de la care dioda ncepe s conduc un curent semnificativ este n jur de 0,5 V pentru siliciu. Peste aceast valoare curentul
15

crete foarte mult pentru o cretere mic a tensiunii de polarizare. Cu alte cuvinte, cderea de tensiune pe o jonciune n conducie direct este aproximativ constant pentru limite largi de variaie ale curentului. Valoarea acestei cderi de tensiune poate fi dedus cu precizie din relaia 13. n mod uzual, n cazul siliciului, ea se poate aproxima, pentru o analiz calitativ, la valoarea: VP = 0,7V (14)

Dac jonciunea este invers polarizat (regiunea p negativ fa de regiunea n) ea nu conduce practic curentul (vezi relaia 12) sau mai precis este parcurs de un curent invers foarte mic (vezi relaia 11). Acest curent este de ordinul nanoamperilor n cazul siliciului.

16

Capitolul II DIODA SEMICONDUCTOARE

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic realizat dintr-o jonciune p-n, ncapsulat i prevzut cu dou terminale. Terminalul care face contact cu regiunea de tip p se numete anod i se noteaz A. Terminalul care face contact cu regiunea de tip n se numete catod i se noteaz K. Simbolul de circuit al diodei este reprezentat n figura 10.

figura10 Simbolul diodei

1. CARACTERISTICA STATIC A DIODEI SEMICONDUCTOARE Prin caracteristica static a diodei, nelegem graficul funciei ID = f(VD) (15)

care exprim dependena dintre curentul prin diod de tensiunea de pe diod. Ea se numete static deoarece este valabil numai n situaia n care viteza de modificare a tensiunii VD este suficient de mic pentru ca viteza de deplasare a purttorilor de sarcin prin semiconductor s nu trebuiasc a fi luat n calcul. Caracteristica diodei semiconductoare va fi caracteristica unei jonciuni p-n, deci ea poate fi trasat prin alturarea la aceeai scar a graficelor din figura 6, 7 i 9.
strpungere

VSTR

blocare

conducie

figura11 Caracteristica static a diodei 1N4148

n figura 11 este prezentat caracteristica static a diodei 1N4148, o diod de siliciu des utilizat n unele aplicaii. La aceast scar a graficului putem distinge 3 regiuni de funcionare a diodei. De la dreapta la

stnga, acestea sunt: regiunea de conducie, delimitat la stnga de axa curentului i care este caracterizat o valoare pozitiv a tensiunii de polarizare. n aceast regiune dioda este polarizat direct i curentul ID va fi dat de relaia 13. regiunea de blocare, delimitat la dreapta de axa curenilor, la stnga de tensiunea de strpungere, este caracterizat de o valoare negativ a tensiunii de polarizare, mai mic n valoare absolut dect VSTR. n aceast regiune dioda este polarizat invers i nu conduce curentul (la aceast scar, curentul IS nu se poate distinge). regiunea de strpungere, situat de-a lungul liniei punctate din stnga graficului, este caracterizat de o tensiune invers constant pe diod, n timp ce curentul invers crete foarte abrupt.
17

Pentru analiza circuitelor cu diode, relaia (13) este aplicabil dac ne aflm n regiunea de conducie sau de blocare. Utilizarea ei este ns incomod fr asistena calculatorului. Pentru o analiz calitativ a circuitelor este mai rezonabil s nlocuim dioda cu un circuit echivalent (un model) liniarizat. Cu alte cuvinte trebuie s gsim un circuit compus n exclusivitate din elemente liniare (surse, rezistene) care n condiiile specifice date s se comporte similar cu dispozitivul electronic. nlocuind dioda cu modelul ei, vom obine un circuit liniar care poate fi analizat prin calcul algebric simplu.

2. MODELUL DE DIOD IDEAL La scara la care este trasat graficul caracteristicii diodei din figura 11 , n regiune de conducie cderea de tensiune pe diod pare a fi zero iar n regiunea de blocare curentul prin diod este zero. Aceste aproximaii sunt acceptabile dac se lucreaz cu tensiuni de ordinul zecilor de voli i cu cureni de ordinul miliamperilor. De asemenea, se presupune c tensiunea de polarizare invers nu va depi valoarea de strpungere. n aceste condiii graficul caracteristicii statice se poate idealiza la forma din figura 12.
ID

Analitic, cele dou segmente ale graficului pot fi descrise de urmtoarele ecuaii: UD = 0 pentru regiunea de conducie
UD

(16) (17)

ID = 0 pentru regiunea de blocare

Relaia 16 descrie un element ideal de circuit numit scurtcircuit (sau rezisten de valoare 0), iar relaia (17) o ntrerupere (sau rezisten de valoare infinit). Prin urmare o diod polarizat direct se poate nlocui n scopul analizei circuitului cu un scurtcircuit, iar o diod polarizat invers cu o ntrerupere. Exemplificm utilizarea acestui model n analiza circuitului din figura 13.a.
figura 12 Caracteristica diodei ideale.

D V

I
R

+
R

a. b.

+ c.

figura 13. Analiza unui circuit cu diod pe baza modelului de diod

Determinm curentul prin circuit n situaia n care: v = VMAXsint Semnalul de intrare fiind sinusoidal, pe durata unei semialternane v este pozitiv i va polariza direct dioda, prin urmare o putem nlocui cu un scurtcircuit (figura 13.b.). Prin urmare, pe baza legii lui Ohm: V I = MAX sin t , pentru sint > 0. R
18

Pe durata semialternanei negative a semnalului de intrare, dioda este invers polarizat i pe baza modelului ideal se poate nlocui cu o ntrerupere (figura 13.c.). prin urmare: I = 0, pentru sint < 0 Figura 14 prezint formele de und ale tensiunii de intrare i ale curentului prin circuit.
40V

0V

-40V V(V:+) 40V

0V SEL>> -40V 0s

10ms 20ms 30ms 40ms 50ms V(R:2) figura 14 Forma de und a tensiunii (sus) i a curentului (jos) Time

60ms

3. MODELUL DIODEI LA TENSIUNI DE POLARIZARE DE ORDINUL VOLILOR Un detaliu al graficului caracteristicii statice din figura 11 pentru tensiuni de polarizare de ordinul volilor este prezentat n figura 15. Se poate remarca din figura 15 c n regiunea de conducie exist o cdere de tensiune, diferit de zero, pe diod. Considernd aceast tensiune figura 15 Detaliu al caracteristicii pentru polarizri de ordinul volilor constant (aproximativ 0,7V n cazul diodelor din siliciu) graficul din figura ID 15 poate fi aproximat prin graficul din figura 16. El reprezint o translatare cu 0,7V a caracteristicii diodei ideale n zona de conducie. Relaiile (16) i (17) devin
UD
0,7V

UD = 0,7V pentru regiunea de conducie ID = 0 pentru regiunea de blocare

(18) (19)
19

figura16. Caracteristica liniarizat

Relaia (18) descrie un element ideal de circuit numit surs ideal de tensiune (care are aceeai tensiune independent de celelalte elemente cu care se afl n circuit). Prin urmare o diod polarizat direct se poate nlocui n scopul analizei circuitului cu o surs ideal de tensiune continu cu valoarea de 0,7V, iar o diod polarizat invers cu o ntrerupere. Exemplificm utilizarea acestui model n analiza circuitului din figura 17.a.
R D R R

+ v -

v v +

0,7 V

a.

b.

c.

figura17. Luarea n considerare a cderii de tensiune pe dioda polarizat direct

Determinm tensiunea pe diod n situaia n care: v = VMAXsint. Pe durata semialternanei pozitive dioda este invers polarizat i se poate nlocui cu o ntrerupere (figura 17.b). Drept urmare tensiunea de pe diod va fi identic cu tensiunea de intrare. Pe durata semialternanei negative dioda este polarizat direct i prin urmare o vom nlocui cu o surs de tensiune constant, aa cum se vede n figura 17.c.. Este evident c n acest caz, tensiunea de ieire va fi de 0,7V. Graficele tensiunii de intrare i de ieire sunt prezentate n figura 18.
4.0V

0V SEL>> -4.0V V(V:+) 4.0V

0V

-4.0V 0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms V(D:2) figura18 Tensiunea de intrare (sus) i de pe diod (jos) Time 60ms

4. MODELUL DE SEMNAL MIC AL DIODEI Modelele descrise pn acum sunt valabile n situaia n care tensiunea de polarizare a diodei are valori mai mari dect 0,7V. Altfel spus acestea sunt modele de semnal mare.

20

Sunt situaii practice n care tensiunea de polarizare are o component continu care polarizeaz dioda i o component variabil, VD , de ordinul milivolilor sau a zecilor de milivoli. n acest caz, cu ajutorul modelului de semnal mare se poate determina curentul continuu prin diod ID. dar nu i variaiile ID produse de VD. Este nevoie prin urmare de un model de semnal mic adecvat acestei situaii. Modelul de semnal mic al diodei semiconductoare este o rezisten, aa numita rezisten dinamic: VD (20) rD = I D Valoarea ei se modific de la civa ohmi la sute de megaohmi n funcie de zona de pe caracteristica static n care lucreaz dioda. n figura 19 este ilustrat situaia n care o diod 1N750 este polarizat direct astfel nct VAK = 0,75V. Se poate remarca n figura 19 c pentru o modificare a tensiunii VAK = 24mV, corespunde o modificare a curentului IAK = 4mA Prin urmare conform relaiei (20):
Figura19 determinarea grafic a rezistenei rD

rd =

24 = 6. 4

Tot din figura 19 se poate intui c dac dioda ar fi fost polarizat cu o tensiune continu de 0,6 V, VAK nu produce aproape nici un efect asupra curentului prin diod, deci IAK 0. Conform relaiei (20) rD este foarte mare n acest caz. Metoda grafic de determinare a rezistenei dinamice nu este ntotdeauna convenabil. O metod analitic de determinare a rD rezult din relaia 20. Dac considerm inversul rezistenei dinamice, i considerm c VAK tinde la zero, atunci: dI 1 (21) = D r D dv D Prin derivarea relaiei (13) obinem:
I v 1 = D , sau, r D = T rD v T iD

(22)

unde ID este curentul continuu care trece prin diod. Cum la temperatura camerei vT = 26mV , din relaia (22) rezult c pentru un curent de polarizare de 10 A de exemplu, o diod va avea o rezisten dinamic de 2,6k iar la un curent de polarizare de 10mA, aceasta va fi de 2,6.

21

Trebuie remarcat faptul c relaia (22) exprim strict rezistena jonciunii p-n la un curent dat. Rezistena unei anumite diode include i rezistena ohmic a materialului semiconductor, precum i rezistena de contact dintre terminale i semiconductor. Spre deosebire de rezistena jonciunii, aceste rezistene nu se modific odat cu curentul care trece prin diod. Fixm noiunile prezentate n acest paragraf cu ajutorul unui exemplu: S se determine tensiunea la bornele diodei din figura 20. a dac tensiunea de intrare este de forma: vI = V + vMAXsint, unde V = 5V, vMAX=5mV, iar R = 4,3k.

R
vMAXsint V vD V

R
c.

VD

vI

vD

R
b. vMAXsint d.

vd

a.

figura 20. Circuit cu diod alimentat de la o surs cu component de c.c. i ca

Sursa de semnal de intrare se poate descompune n dou surse nseriate: o surs de curent continuu i o surs de curent alternativ, aa cum se prezint n figura 20. b. Dac folosim unul din modelele liniare pentru diod, atunci analiza acestui circuit se poate face pe dou circuite echivalente: un circuit echivalent de curent continuu (figura 20. c), din care se poate determina tensiunea i curentul continuu prin diod sau punctul static de funcionare al diodei. un circuit echivalent de curent alternativ (figura 20. d), din care se poate determina componenta alternativ a tensiunii de pe diod. Acest circuit se mai numete i circuit echivalent de semnal mic deoarece este valabil numai n ipoteza n care componenta de curent alternativ a semnalului de intrare produce variaii mici ale punctului static de funcionare, astfel nct caracteristica static s poat fi aproximat prin tangenta dus n punctul static de funcionare. nlocuim n circuitele din figura 20. c i d dioda cu modelul ei de semnal mare, respectiv de semnal mic i obinem circuitele din figurile 21. a i b.
I V

V = +5V
VD

0,7

R
vMAXsint

rD

vd

VD = 0,7V i I=

a.

b.

figura 21. Circuitele echivalente de c.c. i c.a.

V VD 4.3V = = 1mA R 4.3 k

22

Cunoscnd valoarea curentului prin diod, se poate determina pe baza relaiei (22) valoarea rezistenei rD:

rD =

vT 26 mV = = 26 k I 1mA

Prin urmare componenta alternativ a tensiunii pe diod va fi:

vd = rD 26 v MAX sin t = 5 sin t = 4.3 sin t [mV] 26 + 4.3 rD + R

Tensiunea total pe diod va fi dat de suma tensiunilor de c.c. i c.a. vD = VD + vd =0,7 + 4,310-3sint Graficul acestei tensiuni este prezentat n figura 22., pentru situaia n care frecvena semnalului de intrare este 50Hz:

750mV 500mV 250mV 0V 0s 20ms 40ms 60ms figura 22. Forma de und a tensiunii pe diod V(Vmaxsin:+) Time

5. TIPURI DE DIODE Se produc mai multe tipuri de diode semiconductoare, destinate diverselor aplicaii ale acestor dispozitive: Diode redresoare, utilizate pentru redresarea curentului alternativ, care au de obicei: cureni de lucru mari de ordinul amperilor, tensiuni de strpungere de ordinul sutelor de voli dar frecvena maxim de lucru mic, de ordinul sutelor de heri, deoarece se redreseaz de obicei tensiunea reelei. Diode de comutaie, utilizate ca i comutatoare electronice, comandate de polaritatea tensiunii vAK, care, din contr, lucreaz la cureni mici, de ordinul zecilor de mA dar au frecvena de lucru mare. Diode stabilizatoare de tensiune sau diode Zener, care lucreaz cu polarizare invers la tensiuni mai mari dect tensiunea de strpungere i exploateaz proprietatea jonciunii p-n aflate n strpungere de a menine o tensiune
23

constant la borne. Acestea lucreaz uzual cu cureni de ordinul zecilor de mA i pot avea tensiuni de strpungere (sau tensiunea Zener) de la civa voli la peste 100 de voli. Diode varicap, utilizate ca i condensatoare variabile n circuite rezonante i care utilizeaz capacitatea echivalent a regiunii de sarcin spaial a unei diode invers polarizate.

Exist i alte dispozitive cu dou terminale care se numesc diode, (ex. dioda Shockley) dar acestea au o alt structur dect diodele realizate pe baza unei singure jonciuni p-n i un alt principiu de funcionare.

6. CIRCUITE CU DIODE REDRESOARE Dup cum sugereaz i denumirea lor, acest tip de diode sunt utilizate la redresarea curentului alternativ. Prin redresare nelegem transformarea energiei electrice de curent alternativ n energie electric de curent continuu. Deoarece diodele au o rezisten mic, practic zero, atunci cnd sunt direct polarizate, i o rezisten mare, practic infinit, atunci cnd sunt invers polarizate, ele pot fi utilizate pentru redresare. O schem de redresor monoalternan este prezentat n figura 23. a.

Figura 23. a. Redresorul monoalternan b. Schema echivalent cnd dioda este polarizat direct c. Schema echivalent cnd dioda este polarizat invers. d. Formele de und ale tensiunii de la ieire i intrare

Atta timp ct tensiunea de intrare (v1) este pozitiv, circuitul echivalent al redresorului este cel din figura 1.b. n consecin tensiunea de ieire (v2) va fi egal cu tensiunea de intrare. Atta timp ct tensiunea de intrare (v1) este negativ, circuitul echivalent al redresorului este cel din figura 1.c. n consecin tensiunea de ieire (v2) va fi 0. Tensiunea de intrare are valoarea medie pe o perioad egal cu 0 n timp ce valoarea medie a tensiunii redresate este evident diferit de zero. Mai precis:
24

v 2 med =

v 1MAX

= 0 ,318 v 1MAX

(23)

Dei n medie valoarea tensiunii pe R1 este pozitiv, ea poate lua orice valoare ntre 0 i VMAX. Prin urmare, ondulaiile tensiunii de ieire (sau brumul de reea) sunt foarte mari. Atunci cnd redresoarele sunt folosite pentru alimentarea unor echipamente electronice, acest lucru este inacceptabil. Se impune prin urmare filtrarea ondulaiilor. Metoda cea mai simpl pentru filtrarea ondulaiilor este utilizarea unui condensator de filtraj. Condensatorul, montat n paralel pe ieire, se ncarc pe durata ct dioda conduce la o valoare apropiat de maximumul tensiunii de intrare. n perioada cnd dioda nu conduce, condensatorul se descarc prin sarcin asigurnd meninerea curentului i implicit a tensiunii de ieire pe toat perioada semnalului de intrare (figura 24).

figura24. Filtrarea cu condensator; schema i formele de und

n intervalul t1 condensatorul se ncarc la valoarea UMAX. n acest moment dioda se blocheaz deoarece potenialul catodului egaleaz potenialul anodului. n intervalul t2, C1 se descarc prin rezistena de sarcin R1 i tensiunea de ieire scade la valoarea UMIN, dup care ciclul se reia. n interval de o perioad: T = t1 + t2 vom avea o ondulaie a tensiunii de ieire: (24)

U = UMAX - UMIN

(25)
25

Valoarea medie a tensiunii redresate va fi

U med = u MAX

U
2

(26)

Dac circuitul este corect proiectat: t1 << t2 i prin urmare: T t2 (28) (27)

n aceste condiii curentul mediu prin sarcin este rezultatul descrcrii condensatorului:
I med = U med U = C1 = C1 U f R1 T

(29)

Prin urmare ondulaiile tensiunii de ieire se pot aproxima cu relaia:

U =

U med T R1C1

(30)

iar valoarea lui C1 pentru un anumit nivel admis al brumului de reea este:

C1 =

I med f U

(31)

Graficele din figura 24 au fost obinute prin simularea PSPICE a unui redresor pentru care C1 = 1000uF i R1 = 100. Din grafic se determin Umed = 17,3V i U = 3V. Din relaia (31) rezult:
C1 = 17 ,3 = 1153 F 100 50 3

Acest rezultat confirm aplicabilitatea metodei aproximative de calcul prezentate mai sus. Din calcul a rezultat un condensator mai mare dect prin simularea circuitului, deci cu valoarea calculat ar rezulta un filtraj mai bun dect cel prezumat. Aceast metod foarte simpl de filtraj are dou dezavantaje: Condensatorul de filtraj are valori mari dac curentul prin sarcin este mare (ceea ce implic pre ridicat i gabarit mare). Curentul prin diod este mult mai mare dect valoarea medie a curentului prin sarcin.

26

Din graficele din figura 24 se poate remarca c dioda conduce un timp scurt, t1, dintr-o perioad, timp n care asigur curentul de sarcin i ncarc condensatorul cu o cantitate de sarcin : q = IDt1 (32)

n timpul t2, mult mai mare, aceast sarcin descrcat din condensator asigur curentul mediu redresat deci: q = Imedt2 prin urmare, din relaiile (32) i (33) obinem:
ID = t2 I med t1

(33)

(34)

n cazul concret din figura 24, t1 = 2ms i t2 = 18ms prin urmare: ID = 9Imed = 1,5A. ID este de fapt, un curent mediu pe timpul t1, ct dioda conduce. Valoarea lui maxim va fi aproximativ IDmax = 2ID deci aproximativ 3 A n exemplul nostru concret. Prin urmare pentru a asigura 170mA n sarcin, trebuie folosit o diod care s reziste la impulsuri de curent de 3A. Raportul t2 / t1 este cu att mai mare cu ct condensatorul de filtraj este mai mare. Prin urmare cu ct filtrajul este mai bun, cu att curentul de vrf prin diod este mai mare. Randamentul redresrii poate fi practic dublat dac se redreseaz ambele semialternane ale tensiunii alternative. Acest deziderat se realizeaz cu dou tipuri de redresoare, ambele foarte des utilizate n practic: - Redresorul n punte - Redresorul cu priz median

6.1. Redresorul n punte n cazul acestui redresor se folosesc, aa cum se vede n figura 25 patru diode pentru redresarea tensiunii alternative. Pe durata semialternanei pozitive, sunt direct polarizate diodele D2 i D3, prin urmare sarcina va fi parcurs de curent n sensul indicat n figura 25.b. Pe durata semialternanei negative, vor fi direct polarizate diodele D4 i D1, prin urmare curentul va trece prin sarcin cu sensul indicat n figura 25.c. Se poate remarca faptul c, dei sensul curentului prin sursa de alimentare se schimb, sensul curentului prin sarcin rmne acelai deci i polaritatea tensiunii pe rezistena de sarcin este neschimbat pe o perioad. n consecin forma tensiunii pe rezistena de sarcin va fi cea din figura 25.d. Comparnd acest grafic cu cel din figura 24. se poate intui c valoarea medie a tensiunii redresate este dubl fa de redresorul monoalternan. Din relaia 23 prin nmulire cu doi obinem:
27

U med =

2 U MAX

= 0.637 U MAX

(35)

figura 25. Redresorul in punte. Schema electric, schema echivalent pentru cele dou semialternane, forma de und a tensiunii de ieire.

Evident c i n cazul acestui redresor se poate realiza filtrarea ondulaiilor cu un condensator de filtraj. Formulele (29), (30) i (31) rmn valabile i n acest caz, cu observaia c perioada tensiunii redresate va fi jumtate din perioada tensiunii redresate cu redresorul monoalternan, respectiv frecvena va fi dubl. Prin urmare, pentru acest redresor, la aceeai valoare a condensatorului de filtraj obinem un brum de reea de dou ori mai mic. La aceeai valoare admis a brumului condensatorul de filtraj poate fi de dou ori mai mic, ceea ce constituie un avantaj important. De asemenea, o capacitate mai mic implic i un curent mai mic de ncrcare, prin urmare i vrfurile de curent prin diodele redresoare vor fi de dou ori mai mici. Un dezavantaj minor al acestui redresor este c sarcina este mereu n serie cu dou diode. Prin urmare aproximativ 1,4V din tensiunea sursei de alimentare se pierd, nemaiajungnd pe rezistena de sarcin.

6.2.

Redresorul dubl alternan cu priz median.

n general, sursa de tensiune alternativ este secundarul unui transformator de reea. Dac acesta are dou nfurri identice, sau este prevzut cu o priz median, se poate realiza redresorul din figura 26. Priza median sau punctul comun al celor dou nfurri din secundarul transformatorului este punct de mas (potenial de referin). Dup cum se vede n figura 26.b pe durata semialternanei pozitive a tensiunii de reea dioda D1 este direct polarizat prin nfurarea L1 a transformatorului, n timp ce D2 este polarizat invers i nu conduce.
28

figura 26. Redresor dubl alternan cu priz median

Pe durata semialternanei negative va conduce D2 i D1 va fi blocat (figura 26.c). Se poate remarca din figura 26. b. i c. c indiferent de polaritatea tensiunii de intrare, curentul prin rezistena de sarcin nu i schimb sensul. Se produce deci o redresare a ambelor semialternane i forma tensiunii pe R1 precum i valoarea ei medie va fi aceeai ca i la redresorul n punte. Tot la fel, rmn valabile consideraiile legate de filtrarea tensiunii redresate. Dezavantajul acestei soluii de redresare este necesitatea realizrii a dou nfurri secundare identice, ceea ce ridic preul i gabaritul transformatorului de reea. Un tip de diod foarte des utilizat pentru redresarea curentului alternativ este dioda 1N 4007. Aceasta are valoarea tensiunii inverse maxime care se poate aplica repetitiv egal cu 1000V, curentul mediu redresat poate fi de 1A iar cderea de tensiune pe diod, la acest curent este de maximum 1,6V.

7. CIRCUITE CU DIODE DE COMUTAIE Prin comutaie nelegem trecerea brusc a unui dispozitiv din starea de blocare n starea de conducie sau invers. n cazul diodelor acest regim apare dac tensiunea de polarizare i schimb brusc sensul. Dac n circuitul din figura 23 aplicm la intrare un semnal dreptunghiular n loc de un semnal sinusoidal, obinem un circuit simplu n care dioda lucreaz n comutaie. n figura 27 avem formele de und ale tensiunii de intrare i ieire. Deoarece sarcina este rezistiv, curentul prin diod va avea aceeai form ca i tensiunea de ieire. Dac dioda utilizat nu este o diod special de comutaie, forma de und a tensiunii de ieire va fi asemntoare cu cea din figura 27 graficul din mijloc. Se poate remarca faptul aparent surprinztor c dioda conduce invers. Explicaia acestui fenomen este urmtoarea: Pe durata ct dioda este polarizat direct, ea este parcurs de un curent de purttori majoritari. Prin urmare, un numr mare de goluri din regiunea de tip p tranziteaz regiunea de tip n unde ei sunt purttori minoritari, respectiv un numr mare de electroni provenind din regiunea de tip n tranziteaz regiunea de tip p n care ei sunt purttori minoritari. La schimbarea brusc a polarizrii, n primul moment, cele dou regiuni ale jonciunii vor avea un numr mare de purttori minoritari. Dar purttorii minoritari pot s traverseze jonciunea invers polarizat.
29

5.0V 0V -5.0V V(V1:+) 10V 0V -10V V(R1:2) 5.0V SEL>> -5.0V 0s V(R:2) Time

10us

20us

30us

40us

50us

60us

figura 27 Forma de und a tensiunii de intrare (sus) i a tensiunii de ieire n dou situaii: dioda utilizat este o diod redresoare (mijloc) respectiv dioda este o diod de comutaie (jos)

Prin urmare jonciunea va fi parcurs de un curent invers semnificativ. Dup un timp care depinde de gradul de impurificare al semiconductorului i de dimensiunile lui geometrice, acest curent scade la valoarea IS adic aproape zero. Diodele de comutaie sunt special realizate pentru ca acest timp s fie foarte scurt. Din acest motiv n graficul din partea de jos a figurii 27 conducia invers nu mai este observabil. Asta nu nseamn c ea nu se produce ci c la scara la care este reprezentat graficul, timpul de dispariie al curentului invers este att de mic nct nu se mai distinge. Acest timp se numete timp de revenire invers i este un parametru important care caracterizeaz diodele n comutaie. O diod de comutaie foarte des utilizat este 1N4148. Ea are o tensiune invers repetitiv de 75V, un curent mediu redresat de 150mA i o cdere de tensiune n sens direct la acest curent de maxim 1V. Timpul de revenire invers este de 4ns. Un exemplu de circuit n comutaie este cel din figura 28. Tensiunile de intrare A, B, i C pot s ia independent una de cealalt valorile 0V sau 5V.
+5V R A D1 B D2 C D3
figura 28 Poart logic I realizat cu diode n comutaie 30

+5V R A 0,7V A

+5V R

Vo

Vo

Vo

Dac cel puin una dintre intrri este egal cu zero, dioda corespunztoare va fi direct polarizat i prin urmare tensiunea de ieire va fi aproximativ 0,7V. Dac toate intrrile sunt la nivel de 5V, toate diodele vor fi blocate i tensiunea de ieire va fi de +5V. Prin urmare, tensiunea de ieire este de 5V dac i numai dac A=5V i B=5V i C=5V. De aceea un circuit de acest tip se numete poart I. Figura 29 reprezint o poart logic SAU. Tensiunea de ieire va fi aproximativ 4,3V dac cel puin una din intrri are valoarea de 5V. Numai dac toate intrrile sunt 0 V ieirea va fi 0 V.
A D1 B D2 C D3
figura 29. Poart logic SAU realizat cu diode

Vo R

B +5V 0,7V C R

Vo

B R C

Vo

Circuitul se poate utiliza i dac tensiunile A, B, C iau valori arbitrare. Fie de exemplu A=9V, B=12V iar C=20V. n acest caz, Tensiunea de 20V de pe anodul diodei D3 determin deschiderea acestei diode. Tensiunea de ieire va fi de aproximativ 19,3V. Aceasta este i tensiunea catozilor diodelor i prin urmare D1 i D2 vor fi invers polarizate (dei au o tensiune pozitiv n anod, ea este mai mic dect potenialul catodului ). Generaliznd putem afirma c: Vo = max(A,B,C) 0,7V (36)

motiv pentru care circuitul din figura 29 se mai numete i circuit de maxim. O aplicaie uzual a acestui circuit este alimentarea unui aparat de la dou surse de alimentare. n acest caz dioda D3 lipsete iar A este tensiunea dat de un redresor iar B este tensiunea dat de o baterie. Dac este ndeplinit condiia A > B atunci Vo va fi egal cu tensiunea redresorului iar D2 va fi blocat. Prin urmare de la baterie nu se consum curent atunci cnd aparatul este alimentat de la priz. Dac redresorul este scos din priz, D1 se blocheaz dar echipamentul rmne alimentat de la baterie.

8. CIRCUITE CU DIODE ZENER Diodele Zener sunt diode semiconductoare special construite pentru a lucra n regim de polarizare invers. Dup cum se poate vedea n figura 30, la tensiuni de polarizare invers mai mari dect tensiunea de strpungere, tensiunea pe diod se modific foarte puin la

31

variaii mari ale curentului invers. Cu alte cuvinte, rezistena intern a diodei este foarte mic n aceast regiune a caracteristicii statice. Pentru cazul particular din figura 30:
rZ =

V 58 = = 1,8 33 I

Panta abrupt a caracteristicii ncepe de la un anumit curent Izmin. Curentul prin diod nu trebuie s depeasc o valoare Izmax pentru ca puterea disipat de diod s nu depeasc valoarea maxim admisibil. De exemplu, dioda Zener PL5V1 are tensiunea de strpungere de aproximativ 5,1V (eroarea putnd fi de cel mult 5%). Ea poate s disipe maximum 1W i are o rezisten de 5 la un curent de 100mA.
VZ

IZmin

IZmax

figura 30. a. Caracteristica diodei n zona de strpungere b. Simbolul diodei Zener c. Schema echivalent

Dac este asigurat un curent mai mare dect Izmin prin diod, ea tinde s menin constant tensiunea la bornele ei, cu o anumit eroare, dat de cderea de tensiune pe rz, care depinde de curentul prin diod. Prin urmare, dioda Zener se poate modela printr-o surs de tensiune constant, n serie cu o rezisten de ordinul ohmilor. Tendina de meninere a tensiunii la valoarea Vz este folosit pentru realizarea stabilizatoarelor de tensiune. Schema unui stabilizator parametric simplu este prezentat n figura 31.

figura 31. Stabilizator parametric cu diod Zener i schema echivalent

32

Vom determina tensiunea U2: I 1 = I z + I2

1 1 U V U1 U 2 U 2 VZ U 2 1 1 + Z = U2 + + = + R r R rZ R rZ RS RS Z
U2 = U1 VZ + r r R R 1+ + 1+ Z + Z rZ RS R RS

(37)

Dac rz ar fi 0 din relaia (37) rezult: U2 = Vz. Cum rz dei foarte mic, este totui diferit de 0 trebuie folosit semnul aproximativ : U2 Vz Eroarea pe care o introducem este cu att mai mic cu ct : R >> rz i Rs>>rz (39) (38)

Relaia (38) definete un stabilizator de tensiune, deoarece tensiunea de ieire este constant, indiferent de tensiunea de intrare sau rezistena de sarcin. Totui restriciile din relaia (39) impun ca rezistena de sarcin s fie mult mai mare dect rz. Prin urmare stabilizatorul parametric poate fi utilizat numai pentru sarcini cu consum redus de curent. Dac inem cont de faptul c dioda se comport ca stabilizator numai dac Iz este mai mare dect Izmin i mai mic dect Izmax obinem restricii suplimentare. Dac n figura 31 neglijm rz obinem relaia: Iz =
U1 V z VZ U V V = 1 Z Z R RS R R RS

(40)

Pentru ca Iz >Izmin trebuie pe baza relaiei 40 ca : Izmin < U1 min R VZ VZ R R S min

Cum ultimul termen din relaia de mai sus reprezint curentul maxim prin sarcin R<
U1 min VZ I Z min + I S max

(41)

Pe baza relaiei (40), pentru ca Iz < Izmax R>

U1 max VZ I Z max + I S min

(42)

33

Inegalitile (41) i (42) impun restricii evidente asupra tensiunii de intrare, curentului de ieire i a valorii maxime a rezistenei R. Cum pe baza relaiei (39) este de dorit ca R s fie ct se poate de mare, din relaia (41) rezult c valoarea minim a tensiunii de intrare trebuie s fie mai mare dect Vz. Cu ct U1min este mai mare dect Vz, cu att R poate fi ales de valoare mai mare. n practic este recomandat ca U1 s fie cu cel puin 30% mai mare dect Vz. Dup ce a fost stabilit pentru R cea mai mare valoare permis de relaia (41), se va verifica obligatoriu dac ea satisface i inegalitatea (42). Dac nu, se vor impune noi restricii pentru U1min i I2max, n sensul creterii tensiunii de intrare i al reducerii curentului prin sarcin.

9. CIRCUITE CU DIODE VARICAP O jonciune p-n invers polarizat poate fi privit ca un condensator. De o parte i de alta a regiunii golite, se gsesc acumulri de sarcin de semn contrar, (vezi figura 5) exact ca i pe armturile unui condensator plan. Regiunea golit ar fi dielectricul dintre armturi. Mai mult dect att, dac tensiunea de polarizare invers crete sau scade, lrgimea regiunii golite crete sau scade i prin urmare capacitatea jonciunii scade sau crete i ea. O diod varicap este prin urmare un condensator variabil, cu capacitatea dependent de tensiunea de polarizare invers aplicat. De exemplu, dioda varicap BB139 are o capacitate de 26pF la 3V tensiune invers aplicat i 4,3pF la o tensiune de 25V. Dioda BB125 are 12pF la 3V tensiune invers i 2,5pF la 25V. n figura 32 este prezentat simbolul de circuit al diodei varicap i o aplicaie uzual a acesteia. 2 1 ntre capetele 1i 2 ale bobinei L C1 sunt legai doi condensatori n serie: L 2 condensatorul fix C1 i capacitatea Vcc echivalent C2 a diodei varicap. DV 3 Frecvena de rezonan a circuitului 1 oscilant va fi prin urmare:

figura 32. Circuit acordat cu diod varicap figura 32. Circuit acordat cu diod varicap

f0 =

1 C1C 2 2 L C1 + C 2

(43)

Valoarea C2 se poate modifica prin modificarea polarizrii inverse. n acest scop au fost introduse poteniometrul i rezistena. Ambele au valori mari (zeci, sute de k, astfel nct s nu afecteze prea mult factorul de calitate al circuitului rezonant. Prezena condensatorului C1 este absolut necesar, pentru a separa circuitul rezonant de sursa de tensiune continu Vcc. Dac: (44) C1 C 2 atunci din relaia (43) rezult:

34

f0

1 2 LC 2

(45)

i prin urmare frecvena de rezonan a circuitului se poate modifica cu ajutorul poteniometrului. Un circuit similar cu cel din figura 32 este utilizat pentru acordul pe post al unor receptoare radio sau TV.

35

Capitolul III TRANZISTORUL BIPOLAR

Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni, realizate dintr-o succesiune de trei straturi semiconductoare de tip n-p-n sau p-n-p, dup cum se prezint n figura 33. Regiunea din stnga, numit emitor, este mai puternic impurificat dect celealalte regiuni, regiunea din mijloc, baza, este foarte ngust i mult mai slab impurificat dect regiunea din dreapta, colectorul. Ca o consecin a acestui fapt, rezistivitatea bazei este P P N mai mare dect a celorlalte regiuni. (E) (B (C) Pentru ca efectul de tranzistor s se produc, cele dou jonciuni trebuie polarizate dup cum urmeaz:
N (E) P (B N (C)

figura 33. Structura tranzistorului bipolar

Jonciunea emitor-baz trebuie polarizat direct Jonciunea colector-baz trebuie polarizat invers.
Se spune n acest caz c tranzistorul este polarizat

n regiunea activ normal.

1. FUNCIONAREA N REGIUNEA ACTIV NORMAL Datorit polarizrii directe jonciunea E-B permite trecerea purttorilor majoritari din E n B. Situaia este ilustrat n figura 34., pentru tranzistorul p-n-p. n acest caz, purttorii majoritari sunt golurile pentru regiunea emitorului i electronii pentru regiunea bazei. Dar cum regiunea emitorului este mult mai puternic impurificat dect baza prin jonciune va trece un curent important de goluri, IE, din E n B i un curent neglijabil de electroni din B n E. Are loc prin urmare o injecie de goluri n baz. Baza fiind de tip N, golurile sunt pentru ea purttori minoritari. Deci numrul de purttori minoritari din baz crete foarte mult. Datorit polarizrii inverse, jonciunea C-B permite trecerea purttorilor minoritari (figura 35). n acest caz, purttorii minoritari sunt golurile pentru regiunea bazei i electronii pentru regiunea colectorului. Dar cum regiunea colectorului este mai puternic impurificat dect baza, prin jonciune va trece un curent de electroni, ICB0, din C n B i un curent neglijabil de goluri din B n E. Aceasta ar fi situaia n cazul n care emitorul ar fi n gol. Sensul sgeii din figura 35 indic sensul deplasrii electronilor. Trebuie reinut c sensul tehnic al curentului electric este exact opus sensului micrii electronilor i prin urmare curenii IE i ICB0 au
36

P+++++ N ++++++ _ ++++ ++++++ _ ++++ _ ++++++ _ ++++++

vEB + figura 34. Jonctiunea E-B la polarizare directa

N
_ _ _ _

P+ + _ _+ + +

+ + + + +

+ + + + +

vBC + figura 35.Jonctiunea C-B la polarizare inversa

acelai sens tehnic. Dac combinm figurile 34 i 35 obinem imaginea din figura36 care arat sensul de micare al golurilor i curenii de goluri dintr-un tranzistor p-n-p. Se poate remarca faptul c majoritatea golurilor injectate de emitor n baz trec n colector. Aceasta din dou motive: Baza fiind de tip n, golurile sunt purttori minoritari n regiunea bazei. Aa cum s-a artat la studiul jonciunii pn, purttorii minoritari pot traversa jonciunea dac ea este invers polarizat. Jonciunea C-B fiind polarizat invers, golurile din baz pot trece n colector. Baza este foarte ngust i slab impurificat deci are rezistivitate mare. Prin urmare puine goluri vor reui s traverseze longitudinal regiunea bazei, fr a fi captai de colector.
IE
P++++++ +++++++ ++++ +++++++ ++++ +++++++ + + + + ++ +
N

IC
P+ + + + + + + + N _ ++++ __ + + + + ++++ _ + + + + + + +
++++

Prin urmare: Sau mai precis:

IE IC IC = F IE

(46) (47)

direct n curent, de la emitor la colector i are, aa cum sugereaz relaia (46), o valoare vEB vBC apropiat de 1. La tranzistoarele de mic putere, figura.36 Miscarea golurilor injectate care pot avea baza foarte subire, F este mai de emitor in baza. mare dect 0,95. Tranzistoarele de putere, care au, din considerente de disipaie termic, o arie mare i deci i o baz mai groas, valoarea F poate s scad la 0,9. Diferena dintre IC i IE este curentul care se nchide prin baz, IB:
B

IB

F din relaia (47) este factorul de transfer

IE = IC + IB
Pe baza relaiilor (47) i (48) putem determina relaia dintre IC i IB:
B

(48)

IC =
unde notm:

1 IB 1 F
1 1 F

(49)

(50)

Relaia (50) definete factorul de amplificare n curent al tranzistorului bipolar. Avnd n vedere c F este apropiat de unitate, putem afirma c are o valoare mare. Pentru tranzistoarele de mic putere este de ordinul sutelor, pentru cele de putere medie de ordinul zecilor iar pentru tranzistoarele de putere mare valoarea factorului de amplificare n curent poate fi mai mic dect zece. Din relaiile (49) i (50) avem:

IC = IB
Relaia (51) este foarte des utilizat pentru analiza circuitelor cu tranzistori.

(51)

37

Tranzistoarele despre care discutm se numesc bipolare pentru c la conducerea curentului particip purttori de sarcin de dou polariti: golurile i electronii. Dei s-a focalizat discuia numai pe curentul de goluri care este cel mai important n cazul tranzistoarelor pnp, pentru a fi riguroi, trebuie s amintim i curentul de electroni care trece prin dispozitiv. Jonciunea B-E polarizat direct, permite trecerea purttorilor majoritari deci, n afar de golurile din emitor ea va fi traversat i de electronii din regiunea bazei. Dar cum baza este foarte slab impurificat, acest curent este absolut nesemnificativ. Jonciunea B-C polarizat invers permite trecerea purttorilor minoritari deci, n afar de golurile din emitor ea va fi traversat i de electronii din regiunea colectorului (vezi figura 35). Acest curent, ICB0, fiind curentul invers al unei jonciuni este evident foarte mic n condiii normale de temperatur. Dar, mai ales n cazul tranzistoarelor de putere, temperatura semiconductorului poate s creasc foarte mult i prin urmare va crete numrul purttorilor minoritari (electronii) din colector. Acest fapt atrage dup sine creterea ICB0. n astfel de cazuri este bine s inem cont de faptul c: IC = F IE + ICB0 (52) precum i de faptul c ICB0 crete exponenial cu temperatura. Funcionarea tranzistoarelor n-p-n este similar. i n cazul lor jonciunea B-E trebuie direct polarizat iar jonciunea C-B invers. De data aceasta, emitorul va injecta electroni n baz de unde majoritatea lor va fi captat de colector, pe cnd ICB0 va fi un curent de goluri. Relaiile (46) (52) rmn valabile i n acest caz. Simbolurile de circuit pentru tranzistoarele bipolare, precum i sensul convenional al curenilor prin dispozitiv sunt prezentate n figura37. n majoritatea cazurilor sunt utilizate tranzistoarele npn. Motivul este c n IB IB cazul lor curentul principal este un curent de electroni liberi. Mobilitatea IE IC acestora este mai mare dect a pnp npn golurilor (prin noiunea de gol este descris de fapt micarea global a figura 37. Simboluri pentru tranzisroul bipolar electronilor de valen) i prin urmare la arii i grade de impurificare identice, tranzistoarele npn au proprieti electrice mai bune dect cele pnp. Desigur, exist cazuri n care este necesar utilizarea ambelor tipuri .
IE IC

2. FUNCIONAREA N REGIUNEA ACTIV INVERS Ne putem pune ntrebarea cum se va comporta tranzistorul dac:

Jonciunea emitor-baz este polarizat invers Jonciunea colector-baz este polarizat direct.
n acest caz dispozitivul se afl n regiunea activ invers i colectorul va injecta purttori minoritari n baz iar emitorul va colecta aceti purttori. Relaia (52) devine:
38

IE = R IC + IEB0

(53)

n care R este factorul de transfer invers n curent. Structura ne fiind simetric, colectorul fiind slab dopat fa de emitor, R va fi mult mai mic dect F, iar IEB0 mult mai mare dect ICB0. Deci n aceast regiune efectul de tranzistor se va produce cu un randament mai slab dect n regiunea activ normal iar dependena de temperatur a curentului prin dispozitiv va fi mai accentuat (prin intermediul IEB0). Rareori un tranzistor este utilizat n acest mod.

3. FUNCIONAREA N REGIUNEA DE BLOCARE Dac att jonciunea emitor-baz ct i jonciunea colector-baz sunt invers polarizate emitorul nu mai poate injecta purttori minoritari n baz i efectul de tranzistor nu se mai produce. Jonciunea emitor-baz va fi traversat de un curent de purttori minoritari din emitor, IEB0, iar jonciunea colector-baz va fi traversat de un curent de purttori minoritari provenii din colector ICB0 (figura 35). Nu exist nici o relaie ntre valorile acestor cureni i dac neglijm ICB0 :

IC 0

(54)

4. FUNCIONAREA N REGIUNEA DE SATURAIE Dac att jonciunea emitor-baz ct i jonciunea colector-baz sunt direct polarizate att emitorul ct i colectorul vor injecta purttori minoritari n baz i efectul de tranzistor nu se mai produce. Dispozitivul va fi traversat de un curent important dat de purttorii majoritari din emitor i colector. Valoarea acestui curent trebuie limitat de circuitul exterior tranzistorului, pentru a preveni defectarea lui. Se poate considera c n aceast regiune tranzistorul se comport ca un scurtcircuit ntre colector i emitor i prin urmare:

UCE 0

(55)

5. CARACTERISTICILE STATICE ALE TB Privit ca un cuadripol diport, care are o poart de ieire i una de intrare tranzistorul poate fi folosit n una din urmtoarele trei conexiuni fundamentale: Baza comun (BC) Emitor comun (EC) Colector comun (CC) vezi figura 38 vezi figura 39 vezi figura 40

Numele conexiunii provine de la numele terminalului care este comun porii de intrare i de ieire. n afara conexiunii BC, baza este terminalul pe care se aplic
39

semnalul de intrare. Semnalul de ieire se culege din colector, cu excepia conexiunii CC cnd ieirea se ia din emitor. Tabelul de mai jos sintetizeaz aceste afirmaii:
iI vI iO vO

Conexiunea B-C E-C C-C

vI , iI VEB , iE VBE , iB VBC , iB

B B

VO , iO VCB , iC VCE , iC VEC , iE

figura 38. Conexiunea B-C iO iI vI vO

n oricare conexiune, tensiunea de intrare se aplic pe jonciunea B-E, i curentul de intrare trece prin aceast jonciune. Graficul funciei

iB = f(vBE)

(56)

figura 39. Conexiunea E-C

vI

iI vO iO figura 40. Conexiunea C-C

reprezint caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar. Cum relaia (56) exprim dependena curentului printr-o jonciune p-n de tensiunea aplicat jonciunii, este de ateptat ca s avem caracteristica de intrare a TB identic cu caracteristica static a unei jonciuni. n figura 41 este prezentat caracteristica de intrare a tranzistorului 2N2222 Se poate remarca n figur c pn la o tensiune baz emitor de 0,5V nu avem practic curent de baz, deci pe baza relaiei 51 nici curent de colector. Tranzistorul este deci n regiunea de blocare. De la 0,6V curentul crete abrupt, tensiunea pe jonciune limitndu-se la aproximativ 0,7V. De aici provine i obinuina de a considera cderea de tensiune pe jonciunea B E, atunci cnd tranzistorul este polarizat n regiunea activ normal, ca fiind de aproximativ 0,7V. Caracteristica de ieire, care reprezint dependena curentului de ieire de tensiunea de ieire, difer, potrivit tabelului de mai sus, n funcie de conexiune: n cazul conexiunii B-C ea este graficul funciei

figura 41. Caracteristica de intrare

iC = f(vCB) n cazul conexiunii E-C (C-C) ea este graficul funciei iC = f(vCE)

Caracteristica de ieire pentru conexiunea E-C este prezentat n figura 42. Ea a fost obinut prin simulare PSPICE pentru un tranzistor npn de tipul 2N2222. i fost trasat pentru diferite valori ale curentului de baz. Se poate observa c pentru tensiuni vCE mici, de ordinul 0 300mV, (n funcie de curentul de baz) exist o puternic dependen ntre curentul de colector i
40

tensiunea colector emitor. n aceast zon jonciunea B-C este practic direct polarizat deoarece: VBC = vBE vCE = (0,50,7)V (00,3)V = (0,20,7) > 0
i prin urmare tranzistorul se gsete n regiunea de saturaie. Pentru tensiuni vCE mai mari dect 0,3V se constant c iC nu mai depinde practic de vCE n schimb crete pe msura creterii iB. n aceast zon este deci aplicabil relaia (51) i prin urmare ne aflm n regiunea activ normal. Se poate remarca n figura 42. Caracteristica de ieire a TB pentru EC figura 42 c pe msur ce curentul de baz (implicit i curentul de colector) crete, apare o uoar dependen a curentului de colector de tensiunea colector emitor (liniile graficului nu mai sunt orizontale ci au o uoar pant). Aceasta poate fi descris analitic prin rezistena de ieire, sau rezistena intern colector emitor: v CE rCE = (57) i C
B

Pentru tranzistorul cu caracteristica din figura 42 se poate vedea c pentru un curent de baz de 20A, la vCE = 6V corespunde iC = 0,3mA i conform relaiei 57

rCE = 20k.
n general rezistena colector emitor este de ordinul zecilor de k. Ea este cu att mai mare cu ct curentul de colector este mai mic. Caracteristica de ieire pentru conexiunea BC este prezentat n figura 43, pentru acelai tip de tranzistor ca i n cazul anterior . Ea este asemntoare cu caracteristica de ieire a conexiunii EC. Nu trebuie pierdut din vedere faptul c de aceast dat curentul
41

figura 43. Caracteristica de ieire a TB n conexiune BC

de colector este reprezentat n funcie de tensiunea colector baz, i nu funcie de tensiunea colector emitor. Astfel se explic diferena dintre cele dou grafice, n zona tensiunilor mici de colector. Dup cum se vede n graficul din figura 43, n conexiunea BC tranzistorul rmne n regiunea activ normal chiar i pentru tensiuni negative mici de colector, de ordinul sutelor de milivoli. n aceast regiune este valabil relaia (47) pentru descrierea funcionrii tranzistorului. Regiunea de saturaie ncepe de la aproximativ 500mV pentru acest tip de tranzistor. Rezistena de ieire, sau rezistena intern colector baz va fi:

v CB (58) i C Ea este dependent de iC ca i rCE. Pentru cazul particular din figura 43, la un curent de colector de aproximativ 8mA:
rCB = rCB = =
6V = 10K 0.6mA

Aceast valoare nu poate fi comparat valoarea rCE determinat pentru caracteristica din figura 42 deoarece C curenii de colector la care s-a fcut calculul difer. La acelai curent de B colector rezistena de ieire a conexiunii BC este mai mare dect la IB conexiunea EC, dar diferenele nu sunt foarte mari. i n cazul conexiunii E E BC rezistena de ieire este de ordinul zecilor de k.
figura 44. Model de semnal mare pentru TB

C B 0.7V E IB E C 6. MODEL DE PENTRU TB. SEMNAL MARE

figura 45. Model de semnal mare simplificat

E
figura 46. Model pentru TB blocat

Pe baza caracteristicilor statice prezentate anterior se poate face un model de semnal mare al tranzistorului bipolar. Din caracteristica de intrare se poate deduce c jonciunea baz emitor se comport ca o diod i va fi modelat ca atare. Din relaia (51) i pe baza caracteristicilor de ieire se poate constata c ntre colector i emitor tranzistorul se comport ca o surs de curent comandat de curentul de baz, avnd rezistena intern de ordinul zecilor de k.

42

Schema echivalent este prezentat n figura 44. Ea este de fapt o versiune foarte simplificat a unui model mult mai elaborat, modelul Ebers-Moll. Ne vom limita ns la utilizarea acestei variante simple deoarece permite o analiz calitativ suficient de precis a circuitelor cu tranzistori. Pentru calcule mai precise, necesare n cazul proiectrii circuitelor, se apeleaz la programe specializate cum este PSPICE care utilizeaz modele mult mai precise. Modelul din figura 44 este valabil C pentru regiunea activ normal. El B poate fi simplificat mai mult nlocuind dioda printr-o cdere de tensiune de 0,7V (figura 45). 0.7V Sub aceast form modelul de semnal mare va fi utilizat pentru E E analiza circuitelor de polarizare i la determinarea punctului static de figura 47. Model pentru TB saturat funcionare al tranzistoarelor bipolare. Pe baza relaiei (54), n regiunea de blocare, tranzistorul poate fi nlocuit cu o ntrerupere ntre colector i emitor. Cum n aceast regiune dioda B-E este polarizat invers, se poate nlocui cu o ntrerupere i aceast jonciune (figura 46). Prin urmare, atunci cnd este blocat, un tranzistor nu are nici o influen asupra circuitului din care face parte. n regiunea de saturaie, pe baza relaiei (55), putem considera tranzistorul ca fiind un scurtcircuit ntre colector i emitor (figura 47). Mai exact, tranzistorul se comport ntre colector i emitor ca o rezisten de valoare foarte mic . Cderea de tensiune UCE este n jur de 0,3V tipic. n regiunea de saturaie tranzistorul nu mai controleaz curentul de colector. Acest curent trebuie limitat prin introducerea unei rezistene n serie cu colectorul sau emitorul tranzistorului. Aceast rezisten trebuie s limiteze curentul de colector de saturaie la o valoare mai mic dect valoarea maxim admisibil pentru tranzistor.
12V Rc 12V 5V 0 Rb Q1 12V 0 Rb 5V Rb 0V Rc 12V Rc 12V

VO

VO

VO
0.7V

figura 48. Inversor cu TB sau TB folosit ca i comutator

Fixm noiunile prezentate pn acum printr-un exemplu:

43

n figura 48 a. este prezentat un inversor realizat cu TB. Din formele de und ale tensiunii de intrare i ieire desenate pe aceeai figur, se poate gsi justificarea acestei denumiri:

atunci cnd tensiunea de intrare este mic (0V n cazul nostru), tensiunea de ieire este mare (12V). cnd tensiunea de intrare este mare (+5V), tensiunea de ieire este mic (0V)
S analizm funcionarea acestui circuit pe baza modelului de semnal mare al TB, introdus anterior. dac tensiunea de intrare este 0V, potenialul bazei va fi egal cu al emitorului, deci jonciunea B-E este blocat. Cum potenialul colectorului este mai mare dect al bazei, i jonciunea C-E va fi blocat. Tranzistorul se gsete n regiunea de blocare i poate fi nlocuit cu circuitul echivalent din figura 46. Obinem circuitul din figura 48 b. din care se vede direct c VO = +12V. dac tensiunea de intrare este 5V, presupunem c tranzistorul este saturat. n acest caz el poate fi nlocuit cu schema echivalent din figura 47. Obinem circuitul din figura 48.c. din care se vede direct c VO = 0V. Aceast concluzie nu este valabil pentru orice valori ale Rc sau Rb. Pentru ca tensiunea de ieire s fie 0V, este necesar ca:

VCC = ICRC sau IC =

VCC Rc

Curentul de baz minim necesar pentru a asigura acest curent de colector va fi:
I B MIN = VCC R C

Din figura 48. c. se poate deduce c:

IB =

v i 0 ,7V Rb

deoarece curentul de baz trebuie s satisfac relaia:

I B I BMIN Rb

(VI

0.7 )RC VCC

(59)

Valoarea minim a rezistenei RC este dat de condiia ca la saturaie, curentul de colector s nu depeasc valoarea maxim admisibil pentru tipul de tranzistor folosit:
VCC V I MAX RC CC RC I MAX

(60)

44

Pentru exemplul din figura 48.a s considerm c se utilizeaz un tranzistor BC237 care , conform datelor de catalog are IMAX = 100mA i cuprins ntre 125 i 500. n aceste condiii din relaia (60) obinem valoarea minim admisibil pentru RC:
RC 12V = 120 100 mA

S presupunem c rezistena din colector este RC = 1k. Dat fiind c este mult mai mare dect 120, nu vom avea probleme cu depirea curentului maxim admis. Relaia (59) ne permite determinarea valorii Rb. Cum nu cunoatem precis valoarea , vom lua n calcul cea mai defavorabil situaie, adic =125.
Rb

(5 0.7 ) 125 1k
12

= 44.791k

Putem alege pentru Rb prima valoare standardizat mai mic dect aceasta, de exemplu 43k. n exemplul prezentat tranzistorul lucreaz ca un comutator electronic: el este fie deschis (blocat), fie nchis (saturat). Dac starea de blocare nu este condiionat dect de valoarea tensiunii de intrare, trebuie remarcat faptul c intrarea n saturaie depinde att de valorile rezistenelor ct i de tipul tranzistorului folosit.

7. MODEL DE SEMNAL MIC PENTRU TB. n paragraful anterior am analizat situaia n care modificarea semnalului de intrare este suficient de mare pentru a trece tranzistorul din blocare n saturaie. n multe aplicaii practice TB este utilizat n regim de semnal mic. El este polarizat pentru a lucra n regiunea activ normal iar semnalul de intrare are variaii suficient de mici pentru ca tensiunile i curenii prin tranzistor s se modifice puin fa de valorile din punctul static de funcionare. n condiii de semnal mic, dioda B-E din figura 44 se va nlocui cu rezistena ei dinamic, pe care o vom nota cu rBE . Vom obine astfel modelul de semnal mic pentru TB din figura 49.. Aa cum am stabilit n capitolul anterior, referitor la diode:

C B iB rBE E iB E

rBE =

vT iB

(61)

figura 49. Model de semnal mic pentru TB

Avnd n vedere relaia (51), relaia (60) devine: v (62) r BE = T iC

45

Sau innd cont de relaia (48):

r BE = ( + 1) vT iE

(63)

Cum din punct de vedere dimensional

vT este o rezisten, vom nota: iE vT iE

rEE =
i vom avea

(64)

rBE = (+1)rEE

(65)

C IB B IB rEE E E

Deci putem utiliza i un alt model de semnal mic pentru tranzistor, n care rezistena dinamic a diodei B-E este parcurs de curentul de emitor (figura 50.). Modelele din figurile 49 i 50 sunt evident echivalente, trecerea de la unul la cellalt fcndu-se pe baza relaiei 65.

Relaia 65 se poate explica i astfel: comparnd modelele din figurile 49 i 50 se constat c pe cele dou figura 50. Model de semnal mic pentru TB rezistene se aplic aceeai tensiune vBE. Dar rBE va fi parcurs de curentul iB n timp ce rEE este parcurs de iE care este de (+1) ori mai mare dect iB. Prin urmare :
B B

iB rBE = (+1) iB rEE

de unde:

rBE = (+1)rEE
Aceast demonstraie ne conduce la urmtoarea concluzie cu un caracter mai general:

rezisten R aflat n emitorul unui TB este vzut din baz ca fiind de (+1) ori mai mare rezisten R aflat n baza unui TB este vzut din emitor ca fiind de (+1) ori mai mic. Consideraiunile de mai sus sunt valabile pentru situaia n care tranzistoarele se gsesc n regiunea activ normal. n acest scop jonciunile lor trebuie polarizate aa cum s-a artat la nceputul acestui capitol.

46

De exemplu, un tranzistor cu = 200, polarizat s lucreze la un curent de 26 mV colector de 1mA va avea rEE = = 26 . Aceast valoare poate fi folosit cu 1mA modelul de semnal mic din figura 50. Dac preferm modelul din figura 49. vom determina pe baza relaiei (65) rBE = 20026 = 5200 = 5,2k.

8. CIRCUITE PENTRU POLARIZAREA TB. Prin polarizarea tranzistorului bipolar nelegem alimentarea lui cu tensiune continu astfel nct dispozitivul s lucreze n regiunea activ normal. Pentru aceasta, jonciunea BE trebuie polarizat direct iar jonciunea BC polarizat invers. n analiza circuitelor de polarizare se folosesc relaiile:

IC = IB IE IC VBE = 0,7V
8.1. Circuitul de polarizare prin curent de baz

(66) (67 ) (68)

Rb

Rc Vcc

Q1

Circuitul de polarizare este prezentat n figura 51. El este deosebit de simplu deoarece n afar de tranzistor i sursa de alimentare sunt necesare numai dou rezistene: RB care determin valoarea curentului de baz RC care determin valoarea tensiunii de colector
B

Curentul injectat n baz are valoarea:

figura 51. Polarizare prin curent de baz

IB =
B

VCC VBE RB

(69)

Curentul IC rezult din relaia (66) :

IC = IB
iar tensiunea colector emitor :

VCE = VCC - ICRC

(70)

Perechea de valori (VCE, IC) determin n planul caracteristicilor de ieire, coordonatele unui punct, Q, punctul static de funcionare (PSF) al dispozitivului. S determinm rezistenele RB i RC dac tranzistorul are = 50 i dorim ca s lucreze la un curent IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V. Tensiunea de alimentare este VCC = 12V. Din relaia (70) rezult:
47

RC =

VCC VCE (12 6 )V = = 3 k IC 2 mA

Din relaia (66):

IB = IC
=

2 mA = 40 A 50

prin urmare conform relaiei 69:

RB = VCC VBE 11,3V = = 282 ,5 K IB 40 A

Practic se va alege pentru RB cea mai apropiat valoare standardizat i va trebui acceptat abaterea de la punctul static de funcionare pe care o genereaz. Dac lum RB = 280k, va rezulta IB = 40,4A, i IC = 2,02mA , prin urmare VCE = 5,94V.

Acest circuit de polarizare foarte simplu, are dezavantajul c punctul static de funcionare, conform relaiei (66), depinde decisiv de . Pe lng faptul c este arareori cunoscut cu precizie, valoarea lui depinde i de temperatur. Prin urmare stabilitatea PSF la modificarea temperaturii sau la schimbarea tranzistorului nu este foarte bun n cazul acestui circuit.

8.2. Polarizarea prin divizor de tensiune Circuitul de polarizare este prezentat n figura 52. Fa de circuitul anterior mai apar dou rezistene, ntre baz i mas, respectiv emitor i mas.
Vcc

R1

Rc

Q1

R1 i R2 formeaz un divizor de tensiune care fixeaz potenialul bazei Re determin valoarea curentului de colector
Neglijnd curentul de baz, foarte mic fa de curentul care trece prin divizorul de tensiune, putem afirma conform formulei divizorului de tensiune c:

R2

Re

0
figura 52. Polarizare prin divizor de tensiune

VB =

R2 VCC R1 + R 2

(71)

Potenialul emitorului va fi :

VE = VB 0,7V
Prin urmare :

(72)

48

IE IC =

VE RE

(73) (74)

VCE = VCC IC ( RC + R E )

Se poate remarca din relaiile (71) (74) c nu intr n calcule i prin urmare punctul static de funcionare este independent de tipul de tranzistor folosit. n realitate concluzia este adevrat numai cu o oarecare aproximaie, deoarece n relaia 71 am neglijat efectul curentului de baz asupra divizorului de tensiune iar n relaia 73 am neglijat din nou curentul de baz. Dac nu neglijam curentul de baz, ar fi aprut n expresia punctului static de funcionare. Cu toate acestea acest circuit de polarizare asigur o stabilitate foarte bun a punctului static de funcionare att la variaiile de temperatur ct i la nlocuirea tranzistorului cu un altul (modificarea ). Din acest motiv acest circuit este foarte des utilizat n practic. S determinm valorile rezistenelor de polarizare pentru cazul n care dorim ca tranzistorul s lucreze la un curent IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V. Tensiunea de alimentare este VCC = 12V. Alegem RE = 1k i pentru a obine un curent de colector de 2mA va trebui s avem conform relaia 73, VE = 2V Din relaia (72) rezult VB = 2,7V R2 R2 Pe baza relaiei (71) putem scrie: 2 ,7 = 12 i deci = 0 ,225 R1 + R 2 R1 + R 2 Alegem R1 + R2=100k i rezult R2=22,5k, respectiv R1=77,5 k. Pe baza relaiei (74) putem scrie: 6V = 12V 2mA(RC + 1 k) de unde RC = 2K Vom alege pentru R1 i R2 valorile standardizate de 78k respectiv 22k i vom accepta o uoar abatere de la PSF preconizat: 22 VB = 12 = 2.64V 100 VE = 2,64 0,7 = 1,94V IC = 1,94mA VCE = 12V 1,94V3K = 6,18V.

8.3. Polarizarea prin reacie colector-baz Circuitul de polarizare este prezentat n figura 53. El este asemntor cu circuitul de polarizare din figura 51 cu deosebirea c RB se leag ntre colectorul i baza tranzistorului.
Vcc

Rb

Rc

Q1

Neglijnd curentul de baz, foarte mic fa de curentul de colector, putem afirma:

Figura 53. Polarizare prin reacie

VCE = VCC IC RC
Curentul de baz va fi :

(75)

49

IB =

IC

VCE 0.7V RB

(76)

din relaia (75) i (76) se poate determina :

IC = VCC 0 ,7V R RC + B

(77)

iar din relaia (75) se poate determina VCE. Rezistena RB realizeaz o reacie negativ ntre colector i baz. Astfel, dac dintr-un motiv oarecare (de exemplu din cauza creterii temperaturii) curentul de baz scade, atunci i curentul de colector va avea o tendin de scdere i prin urmare VCE va crete. Dar creterea tensiunii de colector determin o cretere a curentului de baz. Prin urmare reacia realizat prin RB, are tendina de a stabiliza PSF. Conform relaiei (77) PSF este cu att mai puin dependent de cu ct este mai mare i RB mai mic. S determinm RC i RB pentru aceleai condiii ca i n cazurile anterioare: IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V. Tensiunea de alimentare este VCC = 12V.
(12 6 )V = 3 k 2 mA V 0 ,7 5.3V Din relaia (76) R B = CE = 50 = 132 ,5 k 130 k . IC 2 mA

Din relaia (75) RC =

Polarizarea tranzistoarelor nu reprezint un scop n sine. Este o etap necesar pentru ca tranzistorul s poat fi utilizat ca amplificator.

9. TRANZISTORUL CA AMPLIFICATOR Dup cum arat relaia (66) curentul de colector este de ori mai mare dect curentul de baz, dac tranzistorul este polarizat n RAN. n consecin, o mic modificare a curentului de baz determin o modificare important a curentului de colector: I C (78) = I B Prin urmare, dac n baz vom conecta o surs de semnal de mic putere, iar n colector o rezisten de sarcin, vom putea obine n sarcin, un curent de aceeai form cu cel de la intrare, dar la o putere mult mai mare. Tranzistorul se comport ca amplificator. Aceasta nu nseamn c el ar produce energie. Dimpotriv, el nsui consum energie. Figura 54 prezint fluxul puterilor n cazul unui amplificator . Puterea consumat de la sursa de semnal de intrare PIN este mic. Dar la comanda semnalului de intrare, tranzistorul transfer o putere semnificativ de la sursa de alimentare n sarcin, PIE. Acest transfer se face ns cu un randament
50

SURSA DE ALIMENTARE

PCC

SURSA DE SEMNAL

subunitar deoarece o parte din puterea consumat de la surs, PCC, este disipat de tranzistor . Aceast putere PP se pierde prin efect termic. Prin urmare putem vorbi de amplificare numai n ceea ce privete raportul:
PIES SARCINA

PIN

aP =
PP

PIES >1 PIN

(79)
privete acesta

n ceea ce randamentul, este subunitar:

figura 54. Fluxul puterilor la un amplificator cu TB

PIES <1 PCC + PIN

(80)

Pentru a putea vorbi de amplificare, nu este suficient ca relaia (79) s fie satisfcut. Mai trebuie ca forma semnalului de intrare s fie identic, sau cel puin foarte apropiat de forma semnalului de ieire. Din nefericire, caracteristica de intrare a TB este puternic neliniar (exponenial) i prin urmare o variaie vBE a tensiunii de intrare va produce o variaie iB care nu va fi proporional cu tensiunea de intrare. Conform relaiei (78) nici iC nu va fi proporional cu semnalul de intrare i prin urmare nici tensiunea pe rezistena de sarcin nu va avea aceeai form de variaie ca i vBE. Numai dac vBE este foarte mic, putem aproxima caracteristica de intrare cu tangenta la ea n punctul static de funcionare i putem nlocui jonciunea baz emitor prin rezistena ei dinamic. Prin urmare putem utiliza tranzistorul ca amplificator de semnal mic. n figura 55 este prezentat un exemplu. Circuitul de polarizare asigur o tensiune VBE = 670mV. n consecin, potrivit caracteristicii de intrare va rezulta IB = 13A. Dac peste aceast polarizare n curent continuu se aplic n baz un semnal vi = VBE, va rezulta o modificare IB a curentului de baz. Cum VBE este suficient de mic pentru ca graficul caracteristicii de intrare s se suprapun practic cu tangenta dus n punctul static de funcionare, putem afirma n consecin c: n condiii de semnal mic (VBE<<VT) variaiile curentului de baz sunt proporionale cu variaiile tensiunii baz emitor. Factorul de proporionalitate este rBE, rezistena dinamic a jonciunii baz emitor. Se poate remarca n figura 55 c :
tg =

I B VBE

(81)

i prin urmare rBE se poate determina grafic:

51

rBE =

1 tg

(82)

20uA 13uA
IB VBE

10uA

670mV 0A 500mV 550mV 600mV 650mV figura 55. Aproximarea caracteristicii prin tangenta la curb IB(Q1) pentru variaii mici ale tensiunii BE V(Q1:b)

10. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC N CONEXIUNEA EMITOR COMUN O schem uzual de astfel de amplificator este dat n figura 56. Condensatorul C1 cupleaz n curent alternativ sursa de semnal la amplificator dar o
Q1
Rs Re C3

R1 C1 V1 R2

Rc

Vcc C2 Q1

V1

R1 R2

Rc

Rs

0
figura 57. Schema echivalent de curent alternativ 52

figura 56 Amplificator n conexiunea EC

decupleaz din punctul de vedere al curentului continuu. Astfel v1 nu afecteaz circuitul de polarizare al TB. Condensatorul C2 are rolul de a cupla rezistena de sarcin fr ca aceasta s afecteze PSF. Condensatorul C3 pune la mas emitorul TB n curent alternativ, n timp ce n curent continuu las n circuit rezistena de polarizare din emitor. Schema echivalent de curent continuu va fi prin urmare cea din figura 52., un circuit clasic de polarizare prin divizor de tensiune. Din punctul de vedere al variaiilor de semnal, VCC este un punct virtual de mas deoarece valoarea lui nu se modific. Prin urmare schema echivalent de semnal alternativ se va desena considernd VCC legat la mas i condensatoarele ca fiind scurtcircuite. Obinem schema din figura 57. Dac nlocuim tranzistorul cu modelul de semnal mic din figura 49 obinem schema echivalent de semnal mic din figura 58. Acesta este un circuit cu elemente liniare care poate fi rezolvat aplicnd legea lui Ohm i teoremele lui Kirchhoff. Notm:
RCECH = R C IIR S = RC R S RC + R S

i vom avea:
v 2 = i C RCECH = i B R CECH = v1 RCECH r BE

iC i1 v1 R1 iB R2 rBE IB

i2

RC

RS

v2

figura 58. Schema echivalenta de semnal mic

Prin urmare amplificarea de tensiune a montajului va fi:

R v2 = aV = CECH v1 r BE

(82)

Relaia (82) ne arat c amplificarea n tensiune a montajului este mare dac rezistena echivalent din colector nu este foarte mic n comparaie cu rBE. De obicei RCECH i rBE au valori comparabile prin urmare amplificarea n tensiune este mare, de ordinul zecilor sau sutelor, n funcie de valoarea . Amplificarea de curent se determin la fel de simplu:
i2 = RC RC RC R12 iC = i B = i 1 RC + R S RC + R S RC + R S rBE + R12
53

unde prin R12 am notat rezistena echivalent a R1 i R2 puse n paralel. Amplificarea de curent rezult:
RC i2 R12 = aI = i1 RC + R S r BE + R12

(83)

Pentru ca amplificarea de curent s se apropie de valoarea trebuie ca RC s fie mare n raport cu RS i R12 mare n raport cu rBE. A doua condiie este de regul ndeplinit prin grija proiectantului. Prima condiie depinde de valoarea rezistenei de sarcin deoarece valoarea RC este impus din considerente de polarizare. Din relaiile (82) i (83) se poate trage concluzia c amplificarea este maxim, att n curent ct i n tensiune dac rezistena de sarcin i rezistena din colector sunt una i aceeai rezisten. De cte ori este posibil inginerii aleg aceast soluie pentru proiectarea circuitului. Rezistena de intrare a circuitului este

rI =

v1 = R1 R 2 r BE r BE i1

(84)

deoarece aa cum am specificat R1 i R2 sunt de obicei cu mult mai mari dect rBE. Rezistena de ieire se determin cu intrarea n scurtcircuit i ieirea n gol, considernd c n locul rezistenei de sarcin avem o surs de tensiune v2:

rO =

v2 RC i2

(85)

n concluzie, TB n conexiune EC are amplificare mare att n curent ct i n tensiune (de ordinul zecilor, chiar sutelor) i are rezistenele de intrare i ieire medii (de ordinul kohmilor).

11. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC N CONEXIUNEA COLECTOR COMUN. Schema unui astfel de amplificator este prezentat n figura 59. iar schema echivalent de semnal mic n figura 60. Dup cum se vede din figur:
v 2 = i 2 R S = ( i C + i B )R S = ( + 1 )i B R S = ( + 1 ) v1 v 2 RS r BE

R v 2 1 + ( + 1 ) S r BE

v1 R S v 2 [r BE + ( + 1 )R S ] = ( + 1 )v 1 RS = ( + 1) r BE

de aici determinm amplificarea:

54

RS v2 = aV = r BE v1 + RS +1

(86)

Vcc R1 V1 R2 Rs Q1

I1

iB rBE

iC IB

v1

R12 RS

I2 v2

figura59. Amplificator cu TB n CC

fig. 24. schema echivalenta semnal mic de semnal mic

figura 60. Schema echivalent de

Relaia (86) arat c amplificarea de tensiune a acestui montaj este subunitar. Dac

rBE <<RS, +1
cum este cazul de obicei, amplificarea de tensiune se apropie de unitate:

aV 1
Avnd n vedere relaia (87):
v 2 v 1 i B 0 i1 = v1 R12

(87)

dar:
v 2 v1 i 2 v1 RS

prin urmare:
i2 R = aI = 12 i1 RS

(88)

Prin urmare amplificarea de curent a montajului poate fi foarte mare dac valoarea echivalent a rezistenelor R1 i R2 legate n paralel este mult mai mare dect rezistena de sarcin. Evident relaia (88) este un rezultat aproximativ. Ea a fost obinut prin neglijarea curentului de baz n raport cu curentul prin R12. Dac R12 tinde la infinit, din relaia (88) ar rezulta o amplificare infinit de curent. Dar aceast relaie nu mai este aplicabil deoarece premisele care au generat-o nu mai sunt ndeplinite. Simpla inspecie a circuitului din figura 60 ne indic faptul c n acest caz :
55

aI = aIMAX = +1

(89)

Pentru determinarea rezistenei de intrare n montaj trebuie s inem cont de ceea ce am demonstrat deja n paragraful 7: o rezisten plasat n emitor este vzut din baz de +1 ori mai mare. Prin urmare:

rI = R12 II [rBE + (+1)RS]

(90)

n funcie de valoarea RS rezistena de intrare poate s fie foarte mare dar nu mai mare dect R12. Pentru determinarea rezistenei de ieire vzute de sarcin trebuie s avem n vedere concluzia din paragraful 7: o rezisten plasat n baz este vzut din emitor de +1 ori mai mic. Cum ea se determin cu sursa de semnal n scurtcircuit, avem:

rO =

rBE +1

(91)

Observm c valoarea dat de relaia (91) este foarte mic dac este mare. n concluzie n conexiunea colector comun, TB repet la ieire tensiunea de la intrare, motiv pentru care acest montaj se mai numete i repetor pe emitor. Amplificarea de curent este mare, maximum +1. Rezistena de intrare este mare i rezistena de ieire mic.

12. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC N CONEXIUNEA BAZA COMUN. Schema unui astfel de amplificator este prezentat n figura 61., schema echivalent de curent continuu n figura 62 iar schema echivalent de semnal mic n figura 63.
C1 2 V1 Ls Q1 C2

Rb R1

Rc Vcc Q1

C3 1

R1

Rc

Rs

Vcc
figura 61 Conexiunea BC

F ig 1 5 . p de riza re figura 62.. Circuitulo lapolarizare p rin cu ren t d e b a z

Bobina de oc Ls este scurtcircuit n curent continuu, asigurnd legarea emitorului la mas, n timp ce la frecvena de lucru are o impedan foarte mare, practic infinit. Circuitul din care se poate determina PSF va fi cel din figura 62. Se poate remarca faptul c este un circuit simplu de polarizare prin curent de baz.

56

n schema echivalent de semnal mic (figura 63) emitorul este decuplat de la mas din cauza impedanei infinite a bobinei LS, condensatorul C1 cupleaz sursa de semnal n emitor, C2 cupleaz sarcina n colector, iar C3 leag baza la mas. Determinm amplificarea de tensiune:
v 2 = i C RCECH i E RCECH = i 1 RCECH = v1 RCECH r EE

i1 v1

rEE

iE iB

IB

iC RC

i2 RS v2

unde:
RCECH = R C IIR S = RC R S RC + R S

Prin urmare:
figura 63 Schema echivalent de semnal mic

R v2 = aV = CECH v1 r EE

sau, innd cont de relaia (65) dintre rEE i rBE

aV = R CECH r BE

(92)

Comparnd relaiile (92) i (82) se poate remarca c acest montaj are aceeai amplificare de tensiune ca i montajul EC dar cu semn schimbat, deci semnalul de intrare este n faz cu semnalul de ieire.
i2 = RC RC RC iC iE = i1 RC + R S RC + R S RC + R S

deci amplificarea de curent va fi:

RC i2 = i1 RC + R S

prin urmare amplificarea de curent este subunitar. Practic, dac Rc>>Rs amplificarea maxim de curent este aproape de unitate. Dac inem seama de relaia (47) dintre curentul de colector i curentul de emitor observm c amplificarea maxim de curent poate fi F. Aceasta este situaia cnd RC i RS sunt una i aceeai rezisten. Din inspecia circuitului de semnal mic rezult c rezistena de intrare este rEE iar rezistena de ieire RC. Prin urmare circuitul are amplificare de tensiune mare (la fel ca i conexiunea EC) dar amplificarea de curent este subunitar. Are o rezisten de intrare foarte mic i o rezisten de ieire medie.

57

13. EXEMPLU PRACTIC DE AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC n finalul acestui capitol vom analiza o schem practic de amplificator cu TB (figura 64) .

Vcc 22V

R1 39k C1 10uF

Rc 10k Q1

IC V2 i1 V1 IB
R12

V1
R2 3.9k RE 1.5k

V2
Rc

CE 47uF

figura 64.Amplificator n EC i schema lui echivalent de semnal mic

Semnalul de intrare se aplic prin C1 n baza tranzistorului i semnalul de ieire se ia direct din colector. Rezistena de sarcin este chiar RC. Din relaia (82) avem:
aV = RC r BE

Nu cunoatem valoarea dar:

r BE
prin urmare:

1 r EE

iar

rEE =

vT IE

aV =

RC R I = C E r EE vT

La temperatura camerei (27OC) vT = 26mV, deci

1 = 0 ,038( mV ) 1 = 38(V ) 1 , deci: vT (93)

aV = 38 RC IE

n relaia (93) produsul RC IC trebuie s fie din punct de vedere dimensional volt, deci dac curentul se exprim n mA, rezistena se va exprima n k. IE se determin din schema de curent continuu:
VB = 3 ,9 1,3 22 2V VE 1,3V I E = = 0 ,86 mA 3 ,9 + 39 1,5
58

deci amplificarea de tensiune va fi:

aV = 38 10 0.86 326

Rezistena de intrare n montaj se determin astfel:

ri =

v1 = R1 R 2 r BE = R12 II rBE =R12IIrEE = i1

v T 3,9 39 26 II = 3,5k II 30 = 0,86 I E 3,9 + 39

= R12II

Cum este de ordinul 100 1000 pentru tranzistoarele de mic putere, rezult c termenul 30 este de ordinul a 3k - 30k. Prin urmare rezistena de intrare n montaj va fi de ordinul 1,5 3,5 k. n funcie de tipul de tranzistor folosit. Rezistena de ieire va fi egal cu rezistena din colector, 10 k. Tabelul urmtor sintetizeaz proprietile amplificatoarelor cu TB n cele trei conexiuni de baz: Conexiunea aV aI rI rO

Rc

RC r BE

rBE

RC

EC

RE

+1

(+1)RE

r BE +1

CC

Rc

RC r BE

r BE +1

RC

BC

59

Capitolul IV TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP

Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) sunt dispozitive semiconductoare cu trei terminale ca i TB i un comportament electric asemntor cu acestea. Cele trei terminale sunt sursa (corespondentul emitorului), drena (corespondentul colectorului) i poarta sau grila (corespondentul bazei). Principiul de funcionare este ns total diferit. Exist un canal semiconductor ntre surs (S) i dren (D), a crui conductivitate poate fi modificat de cmpul electric generat prin aplicarea unei tensiuni ntre poart (G) i surs. Dac tensiunea G S este aplicat prin intermediul unei jonciuni p-n invers polarizate, vorbim despre tranzistori cu efect de cmp cu jonciune (J-FET). Dac VGS este aplicat prin intermediul unui contact metal - oxid semiconductor, vorbim despre tranzistoare MOS (MOS FET). n cazul acestora din urm avem MOS FET cu canal iniial, dac canalul dintre S i D exist i nainte de aplicarea tensiunii VGS, i MOS FET cu canal indus, dac canalul apare abia dup aplicarea tensiunii VGS. Tabelul de mai jos sintetizeaz tipurile de TEC i simbolurile lor de circuit. TEC J - FET CU CANAL N
D G S D G S D G S G G S D S G S D

CU CANAL P
D

MOS FET CU CANAL INIIAL

MOS FET CU CANAL INDUS

1. TRANZISTORUL J FET La o jonciune p-n invers polarizat apare o regiune golit de purttori de sarcin cu att mai mare cu ct tensiunea de polarizare invers a jonciunii este mai mare. Funcionarea tranzistoarelor J FET se bazeaz pe modificarea conductivitii unui canal semiconductor de tip p sau n prin ngustarea lui mai mult sau mai puin accentuat. ngustarea se face prin extinderea sau reducerea regiunii golite a unei jonciuni p-n invers polarizate. n figura 65. este prezentat o structur J FET cu canal n. Canalul de tip n dintre cele dou regiuni golite are limea maxim atunci cnd VGS = 0. (Nu intr n discuie eventualitatea ca VGS s fie pozitiv pentru c n acest caz jonciunea p-n ar fi polarizat direct i nu mai putem vorbi despre efect de cmp).
60

Pe msur ce VGS crete n sens negativ, regiunea golit se extinde i canalul se ngusteaz, prin urmare conductivitatea lui scade. La o anumit valoare:

VGS = -VP

(94)

regiunea golit obtureaz complet canalul i prin urmare nu vom avea curent de dren, indiferent de valoarea tensiunii VDS. Distingem dou situaii:
D canal de tip n

G p n p

dac VDS are valoare mic, de ordinul a o sut de milivoli, curentul de dren va crete proporional cu tensiunea dren surs i prin urmare tranzistorul se comport ntre dren i surs ca o rezisten a crei valoare depinde de tensiunea VGS.

VGS 0

IDS =

VDS rDS

(95) (96)

regiunea golit

r DS = f (VGS )

figura 65. Structura J - FET cu canal n

dac VDS are valoare mare, peste cteva sute de milivoli, captul dinspre dren al canalului se va ngusta mai repede dect captul dinspre surs (figura 66.). deoarece :

VGD = VGS - VDS

(97)

G n

Pentru VGS = 0 din relaia (97) avem:

VGD = - VDS

(98)

VGS 0

figura 66. ngustarea mai accentuat a canalului la captul dinspre dren

Prin urmare, dac VDS = VP atunci VGD = - VP i prin urmare captul dinspre dren al canalului se obtureaz . Din acest moment, electronii pot ajunge de la surs la dren, traversnd regiunea golit, datorit atraciei pe care drena, pozitiv, o exercit asupra lor, dar curentul nu mai crete pe msur ce VDS crete. Prin dispozitiv va trece curentul maxim, numit

curentul de saturaie IDSS.

61

Pentru valori din ce n ce mai negative ale VGS, aceste fenomene se vor produce pentru valori din ce n ce mai mici ale VDS i curentul se limiteaz la valori mai mici dect IDSS. Caracteristica de ieire din figura 67 ilustreaz cele dou regiuni de funcionare. n figura 67. a. avem un detaliu al caracteristicii pentru tensiuni VDS mici. Se poate remarca dependena liniar a curentului de dren de tensiunea VDS. Pe msur ce canalul se ngusteaz mai accentuat spre dren, dependena aceasta devine neliniar i se poate remarca din figura 67.b. c de la un moment dat, ID este independent de VDS. Aceasta este zona de saturaie a curentului de dren sau regiunea de funcionare n regim de tranzistor a acestui dispozitiv. Se poate remarca din figura 67 c pentru VDS > VP caracteristica de ieire a J FET este similar cu a unui TB. Pentru tensiuni VDS mici, J FET poate fi folosit ca rezisten comandat n tensiune.

IDSS

a.
figura 67. Caracteristica de ieire a J FET

VP

b.

Pentru cazul particular din figura 67 ( tranzistorul 2N5198) se vede c VP 2V iar IDSS 4mA. Cunoaterea acestor valori este important pentru descrierea analitic a funcionrii J FET: Pentru regiunea de saturaie a curentului:
IDSS

ID = IDSS (1

VGS 2 ) VP

(99)

VP

figura 68. Caracteristica de transfer a j - fet

Relaia (99) exprim dependena dintre ID (mrime de ieire) i VGS (mrime de intrare), prin urmare descrie caracteristica de transfer a dispozitivului n zona de saturaie a curentului de dren . Graficul ei este trasat n figura 68. n cazul unui J FET cu canal p este evident c toate tensiunile i curentul de dren vor avea sens invers, n rest funcionarea dispozitivului fiind similar.
62

2. TRANZISTORUL MOS FET CU CANAL INIIAL Structura MOS FET cu canal iniial este prezentat n figura 69. Sub efectul VDS electronii din canal vor ajunge de la S la D asigurnd un curent ID cu att mai mare, cu ct avem mai muli electroni liberi n canal. Dac n0 este numrul de electroni pentru VGS = 0, atunci distingem 2 cazuri: SiO2 D metalizare G VGS S
-n -n

canal n

SS

VDS

VGS > 0, caz n care metalizarea din regiunea porii se ncarc pozitiv. Sarcina pozitiv din poart va atrage electronii minoritari din substratul p n canal mbogind canalul n purttori. Numrul acestora va fi :

n+ > n0
substrat p

(100)

i deci conductivitatea canalului va crete. -

VGS < 0, caz n care metalizarea din regiunea porii se va ncrca negativ. Sarcina negativ din poart va atrage goluri din regiunea p a substratului care se vor recombina cu electronii din canal srcindul n purttori de sarcin. Numrul acestora va fi:
figura 69. Structura MOS - FET cu canal initial

n- < n0

(101)
i n consecin conductivitatea canalului va scdea. Spre deosebire de J FET , MOS FET cu canal iniial poate s lucreze la valori pozitive i negative ale tensiunii VGS. Aa cum se vede din caracteristica de transfer din figura70. IDSS nu mai este curentul maxim prin dispozitiv . Pentru VGS>0 ID>IDSS. De aceea prin proiectarea circuitului de polarizare curentul de dren trebuie limitat sub valoarea maxim admis. Caracteristica de transfer este asemntoare cu a JFET iar pentru zona de saturaie a curentului de dren este valabil ecuaia lui Shockley (relaia 99).

ID

IDSS VGS
figura 70. Caracteristica de transfer a MOS FET cu canal iniial

63

3. MOS FET CU CANAL INDUS Structura de MOS FET cu canal indus este prezentat n figura 71. Ea este similar cu structura unui MOS FET cu canal iniial (figura 69.) cu deosebirea c nu exist canalul iniial ntre dren i surs. Distingem dou cazuri: 1. VGS > 0, caz n care metalizarea din regiunea SiO2 porii se ncarc pozitiv (figura72). Sarcina D pozitiv din poart va n atrage electronii minoritari metalizare din substratul p n SS G de sub VDS regiunea p metalizarea porii. Dac VGS VGS depete o valoare de prag VT, numrul de n S electroni atrai devine suficient de mare pentru a realiza un canal de substrat p electroni ntre dren i surs. ntre D i S este indus un canal n de figura 71. Structura MOS - FET cu canal indus ctre tensiunea VGS > VT. 2. VGS < 0, caz n care metalizarea din regiunea porii se va ncrca negativ. Sarcina negativ din poart va respinge electronii din regiunea de sub metalizarea porii astfel nct ntre dren i surs nu se va induce un canal care s permit trecerea curentului de dren. n aceast situaie ID = 0, indiferent de VDS.

SiO2 D + G + + + VGS>VT S n II II II II n

canal n indus

I I I SS I I I

VDS

Spre deosebire de MOS FET cu canal iniial, tranzistorul MOS FET cu canal indus poate s lucreze figura 72. Inducerea canalului de electroni doar la valori pozitive ale tensiunii VGS, aa cum se vede din caracteristica de transfer din figura 73. Pentru tranzistorul 2N7002 a crui caracteristic este reprezentat n figura 73, tensiunea de prag este de 2,2V. Caracteristica de ieire este asemntoare cu a JFET dar ecuaia lui Shockley nu mai este valabil. Se poate utiliza relaia:

substrat p

n care:

ID = k(VGS VT)2

(102)

64

k=

i D( ON ) (VGS ( ON ) VT ) 2

(103)

ID

VT = 2,2V

VGS

figura 73. Caracteristica de transfer a MOS FET cu canal indus

ID(ON) i VGS(ON) sunt date de catalog. Se poate observa din graficul caracteristicii de transfer c, pentru VGS=0, nu avem curent de dren. Prin urmare este evident c pentru acest tip de tranzistor nu putem defini un curent IDSS. Curentul de dren maxim trebuie limitat de circuitul exterior la o valoare care s nu pericliteze tranzistorul. Tranzistorii cu efect de cmp cu canal de tip p se comport la fel cu cei de tip n, pentru VGS de polaritate opus i ID de sens invers. n concluzia celor prezentate pn acum, tabelul urmtor sintetizeaz deosebirile dintre cele 3 tipuri de tranzistori cu efect de cmp. MOS FET cu canal indus
CU CANAL N CU CANAL P

J - FET
CU CANAL N CU CANAL P

MOS FET cu canal iniial

CU CANAL N CU CANAL P

ID = IDSS (1
VP<VGS<0

VGS 2 ) VP

ID = IDSS (1
VP<0 ; VP<VGS

VGS 2 ) VP

ID = k(VGS VT)2
0< VT < VGS VGS< VT<0

0< VGS< VP

VP>0 ; VP>VGS

4. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP. Polarizarea TEC are acelai scop ca i polarizarea TB dar soluiile practice de realizare depind de tipul de TEC. n analiza oricrui circuit de polarizare a TEC trebuie s inem cont de urmtoarele relaii:

Poarta TEC este izolat de canalul dren surs printr-un strat izolator de SiO2 sau printr-o jonciune invers polarizat deci: IG = 0 (104)

65

 Drena i sursa sunt legate printr-un canal la care nu sunt ataate ohmic alte terminale, deci: ID = IS (105)

4.1. Polarizarea J- FET Pentru polarizarea acestui tip de FET, n cazul n care este cu canal n, circuitul de polarizare trebuie s asigure VDS > 0 i VGS < 0. Ar fi nevoie prin urmare, de dou surse de tensiune, de polariti diferite, aa cum se vede n figura 74.

Sursa de tensiune V1 asigur prin intermediul RD o tensiune VDS pozitiv. Sursa de tensiune V2 asigur prin intermediul RG o tensiune VGS negativ. Pentru o polarizare corect aceast surs trebuie s ndeplineasc condiia:
VP < V2 < 0

Curentul de dren corespunztor se determin din ecuaia lui Shockley n care VGS se nlocuiete cu V2: V ID = IDSS (1 2 ) 2 VP Cunoscnd ID, VDS rezult imediat:
ID

VDS = V1 - IDRD Soluia este incomod din cauza utilizrii unei surse speciale de polarizare a porii i n majoritatea cazurilor este evitat. O alt soluie este utilizarea unui circuit de polarizare automat a porii. Circuitul este prezentat n figura 75 i se realizeaz prin intermediul a dou rezistene:

VGS

VDS

Figura 74. circuit de polarizare pentru JFET

D S

RG leag poarta la mas, asigurnd astfel VG = 0. RS leag sursa la mas i cderea de tensiune de pe aceast rezisten este VS > 0. Prin urmare tensiunea VGS va fi VG - VS = - VS < 0,

Figura75. circuit de polarizare automat

ceea ce urmrim de fapt.

66

Determinarea punctului static de funcionare se face pe baza urmtoarelor relaii:

VG = 0 VS = IDRS
Din relaiile (106) i (107) rezult:

(106) (107)

VGS = VG VS = - IDRS
nlocuind aceast valoare n ecuaia lui Shockley obinem:
I D = I DSS (1 I D RS 2 ) VP

(108)

(109)

Relaia (109) este o ecuaie de gradul 2 din care se poate determina algebric ID:
ID = B B 2 4 AC 2A

unde am notat:

A=R

2 S

V2 2IVP IR S + P B = I DSS

C = VP2

Cunoscnd valoarea ID, VGS se determin cu relaia (108) iar VDS din suma cderilor de tensiune pe bucla de ieire:

VDS = V1 (RD + RS)ID

(110)

Acest calcul algebric laborios poate fi evitat utiliznd metoda grafic de determinare a punctului static de funcionare. n acest scop, peste graficul caracteristicii de transfer a dispozitivului vom trasa dreapta dat de ecuaia (108). Coordonatele punctului de intersecie al celor dou grafice vor fi VGS i ID. VDS se va determina din relaia (110). S exemplificm metoda pe circuitul din figura 75 pentru urmtoarele valori numerice:

V1=20V

RD=3,3k

RS=1K

IDSS=8mA

VP= - 6V.

Graficul caracteristicii de transfer se poate trasa prin puncte. Se folosesc de obicei urmtoarele 4 puncte care rezult din ecuaia lui Shockley: VGS = ID =

VP 0

VP 2 I DSS 4

0,3VP

0 IDSS

I DSS 2

Pe baza tabelului de mai sus, n cazul nostru concret rezult 4 puncte de coordonate: (-6 ; 0) , (-3 ; 2) , (-1,8 ; 4) , (0;8).
67

n figura 76 am marcat aceste puncte i unindu-le am aproximat caracteristica de transfer a dispozitivului. Am desenat apoi dreapta a crei ecuaie este dat de relaia 108 prin dou puncte obinute pentru ID = 0 i ID = 4. Rezult punctele de coordonate (0,0) i (4,4). Coordonatele punctului de intersecie al celor dou grafice ne dau valorile VGS i ID n punctul static de funcionare:

VGS = -2,6V i ID = 2,6mA

Prin urmare, din relaia 110:

VDS = 20 (3,3 + 1)2,6 = 8,8V

ID (mA) 8 7 6 5 4
-2,6

3 2

VGS (V) -6 -5 -4 -3
-2,6

1 -2 -1 0

Se poate constata c RG nu apare n determinarea PSF. ntradevr, dat fiind c nu avem curent de poart, cderea de tensiune pe aceast rezisten este 0 indiferent de valoarea rezistenei. Prin urmare, din punctul de vedere al PSF ea poate s aib orice valoare. Important este ca poarta s fie legat la 0V. Dar, din punctul de vedere al unei eventuale surse de semnal legate la poarta JFET, aceast rezisten este vzut ca rezisten de intrare. Este deci de preferat ca aceast rezisten s fie mare, pentru a nu consuma curent din sursa de semnal. De obicei ea este de ordinul megaohmilor.

figura76. Determinarea grafic a PSF

4.2. Polarizarea MOSFET cu canal iniial. Dup cum s-a explicat n paragraful anterior, acest tip de MOS-FET poate s lucreze ca tranzistor att pentru valori pozitive ct i negative ale VGS. Implicit i

figura 77. Circuite de polarizare pentru MOS FET cu canal indus 68

pentru VGS = 0. Prin urmare cea mai simpl metod de polarizare este simpla legare a porii la mas printr-o rezisten de valoare mare. Dac se dorete polarizarea cu tensiune negativ a porii se poate aplica metoda de polarizare automat descris anterior. n cazul, mai rar utilizat, n care tensiunea de polarizare a porii se dorete a fi pozitiv, se poate folosi metoda divizorului de tensiune, ca la tranzistoarele bipolare. Cele 3 circuite de polarizare sunt prezentate n figura 77. Pentru circuitul din figura 77.a avem:

VGS = 0, deci ID = IDSS i VDS = V1 - RDIDSS

Pentru circuitul din figura 77.b se poate aplica metoda grafic sau metoda algebric prezentate n paragraful referitor la polarizarea J-FET, deoarece i n cazul acestui tranzistor este valabil ecuaia lui Shockley. n cazul circuitului de polarizare din figura 77.c, valoarea VGS se poate determina prin formula divizorului de tensiune:
VGS = RG 2 V1 RG1 + RG 2

Pe baza relaiei lui Shockley rezult ID. Se va verifica dac acesta nu cumva depete valoarea maxim admis pentru tranzistor. Dac ID este prea mare se va ajusta VGS prin reducerea RG2 sau creterea RG3. Aceste rezistene sunt uzual de ordinul megaohmilor, pentru a nu micora rezistena de intrare a circuitului.

4.3. Polarizarea MOS-FET cu canal indus. Acest tip de tranzistoare au nevoie de tensiune VGS > VT > 0 (ne referim ca i pn acum la cele cu canal n) pentru a fi polarizate n regiunea de saturaie a curentului de dren. Prin urmare se poate utiliza polarizarea prin divizor de tensiune, ca n cazul MOS-FET cu canal iniial (figura77. c). Un circuit de polarizare mult mai des folosit pentru acest tip de tranzistor este circuitul de polarizare prin reacie dren gril care este prezentat n figura 78.

RD RG

V1

figura Circuit de polarizare cu reactie fig.14. 78. circuit depolarizarecu reacie

Deoarece curentul de gril este 0, rezult:

VGS = VDS
prin urmare:

(111) (112)
69

VGS = V1 IDRD

cum pentru acest tip de tranzistor:

ID = k(VGS VT)2
din ultimele dou ecuaii se pot determina ID i VGS . Din relaia (111) se determin VDS. Dac avem de exemplu, un tranzistor cu VT = 3V , k = 0,24 mA/V2 i dorim s l polarizm cu circuitul din figura 78, de la o surs de alimentare de 12V, astfel nct ID = 3mA, vom obine pe baza relaiilor de mai sus:

(VGS VT)2 =

3 mA = 12.5V 2 (VGS - VT ) = 3.5V VGS = VDS = 6 ,5V mA 2 0.24 V

i prin urmare, din relaia (112):

I D R D = 12 6.5 = 5.5 R D = 5.5V = 1,8 k 3 mA

Deoarece nu trece curent prin ea, valoarea RG, cu condiia s fie finit, nu are relevan, din punctul de vedere al polarizrii. Din punctul de vedere al eventualei surse de semnal , care s-ar aplica n poart, ea este bine s aib o valoare foarte mare, pentru a nu micora impedana de intrare a montajului. De obicei se alege RG de ordinul megaohmilor. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu canal p se face prin aceleai circuite ca i n cazul TEC cu canal n, doar semnul tensiunilor aplicate i sensul curenilor rezultai se schimb.

5. MODELUL DE SEMNAL MIC PENTRU TEC Relaia ID = f(VGS) este ptratic, deci neliniar, pentru oricare tip de TEC. Dar ca i n cazul TB, pentru variaii mici VGS n jurul valorii din PSF, caracteristica se poate aproxima prin tangenta la ea n PSF. Panta acestei tangente se noteaz cu gm i se numete transconductan:

gm =

dI D , n punctul static de funcionare. dVGS

G vGS S gm vGS

figura 79. Model de semnal mic pentru TEC

Cum TEC nu consum curent la intrare modelul de semnal mic pentru TEC va fi o surs de curent comandat n tensiune (figura 79). Acest model simplificat permite analiza rapid a amplificatoarelor de semnal mic cu TEC. Un model mai exact include i rezistena intern dintre dren i surs care are valori de ordinul zecilor de k. n cazul analizei comportrii
70

dispozitivului la frecvene mari, vor fi luate n considerare i capacitile interne CGS, CDS, CGD, de ordinul picofarazilor.

6. UTILIZAREA TEC CA AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC. Ca i TB, TEC se pot folosi ca amplificatoare de semnal mic. n acest scop ele vor fi polarizate n regiunea de saturaie a curentului de dren. n figura 80 avem un amplificator cu JFET n conexiunea surs comun, precum i modelul de semnal mic al circuitului. Dac facem abstracie de condensatoare, obinem circuitul de polarizare automat din figura 75. Condensatoarele C1 i C2 decupleaz din punctul de vedere al curentului continuu sarcina, respectiv sursa de semnal de la intrare. Condensatorul C3 unteaz rezistena de polarizare RS n gama de frecvene pentru care este proiectat amplificatorul. n schema echivalent de semnal mic, acetia au fost nlocuii cu scurtcircuite.
Vcc RD

C1 Vo

C2 Vi

G vI RG S vGS

iD gm vGS

D RD S vo

RG

RS

C3

figura 80. Amplificator cu JFET n conexiune surs comun

Tensiunea de ieire va fi:

v o = i D R D = g m v GS R D = g m v i R D
de unde amplificarea de tensiune:
vo = g m R D vi

(113)

n cazul n care am avea o rezisten de sarcin RS conectat la ieire, aceasta ar apare n schema de semnal mic n paralel cu RD. n acest caz relaia (113) este aplicabil dac n loc de RD punem rezistena echivalent RDIIRS. Rezistena de intrare n montaj este RG. Dac sursa de semnal de intrare are rezistena intern Ri, ea va forma un divizor de tensiune cu RG i la intrarea

71

amplificatorului va ajunge numai o parte din semnalul sursei. Relaia (113) devine n acest caz:
vo RG = g m R D vi RG + R I

(114)

Pentru un RI dat, trebuie ca RG >> RI pentru ca amplificarea dat de relaia (114) s fie maxim. Din acest motiv se alege RG de ordinul megaohmilor. Se poate remarca faptul c, fa de un amplificator cu TB n conexiune EC, rezistena de intrare a amplificatorului cu J-FET este mult mai mare, ceea ce constituie un avantaj. Dar amplificarea de tensiune este mai mic. innd cont de faptul c gm are valori tipice de ordinul (2 5) mA / V iar RD este de ordinul kohmilor rezult pe baza relaiei (113) c amplificarea unui etaj cu J-FET va fi de ordinul zecilor. n cazul TB amplificarea poate fi de ordinul sutelor. Desigur, n loc de J-FET se poate folosi orice alt tip de TEC, modificnd corespunztor circuitul de polarizare. Valoarea amplificrii va fi tot cea dat de relaia (113).

7. UTILIZAREA TEC CA SURS DE CURENT CONSTANT Orice tranzistor se poate folosi pentru realizarea unei surse de curent constant. Dar, n cazul J-FET acest lucru se obine prin simpla legare a porii la surs (figura 81). n acest caz vGS = 0 i pe baza ecuaiei lui Shockley :
Vcc

ID = IDSS. Prin urmare valoarea curentului de dren este independent de rezistena de sarcin RD, sau de tensiunea de alimentare VCC , deci avem o surs de curent constant. Evident, trebuie respectat condiia VDS > VP altfel din graficul caracteristicii de ieire a J-FET se poate observa c ID devine dependent de VDS.

RD

ID

VDS = VCC I D R D
figura 81. Surs de curent constant

pentru ca ID s fie egal cu IDSS trebuie ca VDS > VP, de unde rezult urmtoarea condiie pentru rezistena de sarcin:
RD VCC VP I DSS

Dac aceast inegalitate este satisfcut, prin RD va trece acelai curent IDSS independent de valoarea rezistenei sau de valoarea tensiunii de alimentare.
72

8. PREACUIUNI DE MANEVRARE A TRANZISTOARELOR MOS FET Stratul subire de SiO2 dintre poarta i canalul unui tranzistor MOS are efectul pozitiv de a asigura o impedan de intrare aproape infinit pentru acest dispozitiv. Datorit faptului c acest strat este foarte subire apare o problem de manevrare a acestui tip de tranzistoare care nu apare la TB sau JFET. Problema const n faptul c , tocmai datorit rezistenei practic infinite dintre poart i canal, metalizarea porii se poate ncrca electrostatic chiar prin simpla atingere a terminalelor cu mna. Sarcina acumulat pe metalizarea porii poate s produc o diferen de potenial suficient de mare ntre poart i canal pentru ca stratul foarte subire de bioxid de siliciu s se strpung i tranzistorul s se defecteze. Din acest motiv este absolut necesar ca terminalele acestor dispozitive s fie scurtcircuitate de un inel sau o folie de protecie. Aceast protecie nu se va nltura pn cnd tranzistorul nu se va lipi n circuit. O alt metod utilizat de fabricani pentru a preveni strpungerea stratului de oxid la ncrcarea electrostatic accidental este prezentat n figura 82. Indiferent de polaritatea tensiunii la care se ncarc electrostatic poarta, dac valoarea ei depete tensiunea de strpungere a diodei Zener, una din diode se va strpunge iar cealalt va conduce ca orice diod polarizat direct. n consecin tensiunea maxim dintre poart i substrat va fi limitat la valoarea: VGS = VZ + 0,7V Tensiunea de strpungere a diodelor Zener este astfel aleas nct stratul de bioxid de siliciu s nu fie figura 82. MOSFET protejat cu expus la strpungere indiferent de polaritatea tensiunii diode Zener VGS. Desigur, prin aceast metod de protecie, rezistena de intrare a unui tranzistor MOS-FET este redus la valoarea rezistenei unei jonciuni invers polarizate (ca i n cazul J-FET). Aceast valoare este oricum suficient de mare pentru a putea fi considerat infinit, n majoritatea cazurilor.

9. TRANZISTOARE V-MOS Tranzistoarele MOS prezentate pn acum au un dezavantaj care deriv din tehnologia planar de realizare. Aa cum se vede n figura 69 canalul dintre surs i dren este ngust i lung raportat la limea lui. Din aceast cauz, cderea de tensiune pe canal poate fi mare n cazul unor cureni de ordinul zecilor de miliamperi i prin urmare , puterea disipat prin efect termic este mare i poate duce la defectarea dispozitivului. Din acest motiv, tranzistoarele MOS-FET realizate n tehnologie planar se pot folosi uzual n aplicaii de mic putere, sub 1W . Pentru a exploata calitile foarte bune ale acestor dispozitive i la puteri mai mari, a fost pus la punct o tehnologie vertical de realizare a acestor tranzistori (VMOS).

73

Prin acest mod de realizare, scade lungimea i crete limea canalului dintre dren i surs, reducndu-se astfel rezistivitatea lui. Ca o consecin, tranzistoarele V-MOS pot disipa puteri comparabile cu tranzistoarele bipolare. n figura 83 este prezentat structura VMOS cu canal indus de tip n. + + + + Regiunile de tip n ale + n n sursei i drenei sunt -- - -p p lungimea canalului separate de o regiune de -----tip p. Dac poarta este polarizat pozitiv fa de n n surs, sarcina pozitiv acumulat n metalizarea porii va atrage electronii D minoritari din regiunea p figura 83. Structura V-MOS n apropierea vrfului fig. 83. structura VMOS V- ului. Se induce astfel canalul de tip n care permite trecerea curentului de la surs la dren. Principiul de funcionare este deci identic cu al MOS FET ului planar dar electronii trec transversal prin canal. n consecin lungimea canalului este foarte mic n timp ce seciunea lui este mare. Canalul are prin urmare o rezistivitate mic i permite trecerea unui curent mare fr producerea unei nclziri exagerate. De exemplu tranzistorul V-MOS de tipul BUZ 90 poate disipa 75 W la temperatura de 25OC. Tensiunea maxim dren surs este de 600V iar curentul maxim de dren 4,5A. n starea de conducie, rezistena dren surs este de numai 1,6 . Tensiunea maxim ntre poart i surs este de 20 V. valoarea de prag a tensiunii VGS este VT = (2,1 4)V. O valoare foarte bun are transconductana acestui tranzistor: gm = 3,8 S. El este utilizat de exemplu n sursele de alimentare n comutaie ale unor monitoare.
S G SiO2

74