3 33 3

JONCIUNI JONCIUNI JONCIUNI JONCIUNI

ALE CORPURILOR SOLIDE ALE CORPURILOR SOLIDE ALE CORPURILOR SOLIDE ALE CORPURILOR SOLIDE
3.1. Introducere 3.1. Introducere 3.1. Introducere 3.1. Introducere
Jonciunea ntre dou corpuri solide reprezint interfaa sau regiunea de grani ce
separ doumateriale solide ce au compoziii fizico-chimice diferite. Acestea se mpart n
jonciuni omogene (homojonciuni) i jonciuni neomogene sau eterogene (heterojonciuni).
La jonciunile omogene materialele de baz din cele dou pri ale acestora sunt
identice din punct de vedere chimic, fizic i atomic. Jonciunea p-n, ce reprezint o structur
fizic realizat ntr-un monocristal care are dou regiuni vecine, una de tip p i alta de tip n,
este clasificat, n mod uzual, ca jonciune omogen.Aceasta reprezint elementul principal
al diodelor semiconductoare p-n ct i al unor amplificatoare i comutatoare
semiconductoare multijonciune/multiterminal ca tranzistoarele cu efect de cmp,
tranzistoarele bipolare, diodele p-n-p-n, structurile multiterminal n 4 straturi p-n-p-n.
La jonciunile eterogene materialele de baz din cele dou pri ale acestora sunt
diferite. Heterojonciunea ntre un metal i un semiconductor este cea mai veche jonciune
studiat i folosit n aplicaii. Cnd heterojonciunea metal/semiconductor are proprieti
redresoare, aceasta este elementul principal al diodelor cunoscute sub denumirea de diode
Schottky (sau diode cu barier de suprafa), folosite att ca detectoare de semnal n prima
transmisie radio (n anul 1930), ct i ca elemente redresoare de putere n conversia
curentului alternativ n curent continuu. n anii '40 au fost folosite n construcia
receptoarelor radar ca detector al semnalelor de microunde, iar n anii '60 au fost elementele
cheie n construcia circuitelor integrate TTL cu vitez mare de rspuns. Heterojonciunea
metal/semiconductor ce nu are proprieti redresoare este cunoscut sub denumirea de
contact ohmic. Heterojonciunile ntre dou semiconductoare compuse sunt utilizate pe larg
n optoelectronic n scopul creterii eficienei emisiei fotonice a dispozitivelor uzuale i a
obinerii unor laseri semiconductori cu emisie controlabil i eficient. n ultimii ani ns,
heterojonciunile multiple ntre dou semiconductoare compuse sunt folosite pentru
concentrarea purttorilor mobili de sarcin n straturi n care acetia au o mobilitate maxim
n scopul obinerii unor tranzistoare ultrarapide i ca nlocuitor al jonciunii, p-n clasice, de
emitor n tranzistoarele bipolare n scopul obinerii unor ctiguri mari n curent ( ) i a > 10
3
unor frecvene de tiere mai mari de . Tot n categoria heterojonciunilor se 100 GHz
ncadreaz i jonciunile metal-oxid i oxid-semiconductor prezente n construcia
capacitoarelor i tranzistoarelor MOS.
n acest capitol vom studia numai homojonciunea p-n, heterojonciunea
metal-semiconductor cu caracter redresor i contactul ohmic. Heterojonciunile
semiconductor-semiconductor vor fi studiate n capitolul dedicat dispozitivelor
optoelectronice, iar heterojonciunile metal-oxid i oxid-semiconductor n capitolul dedicat
tranzistoarelor MOS.
3.2. Jonciunea 3.2. Jonciunea 3.2. Jonciunea 3.2. Jonciunea p-n p-n p-n p-n
n structura dispozitivelor semiconductoare sunt incluse att regiuni de tip p, ct i
regiuni de tip n. ntre aceste regiuni de conductibilitate diferit apare o variaie a distribuiei
impuritilor. Dac aceast variaie se face pe o poriune mare, nu apar proprieti deosebite
i cele dou semiconductoare se comport ca semiconductoare gradate. Dac variaia
concentraiei de impuriti se face ntr-un domeniu de cel mult se obine o jonciune 10
6
m
p-n.
Studiul jonciunii p-n se va realiza n mai multe etape. Mai nti se vor deduce
caracteristicile electrice ale jonciunii p-n la echilibru termodinamic. Acestea vor fi utilizate
ca baz pentru determinarea efectelor ce apar n cazul aplicrii unor cmpuri electrice
externe, mai nti continue i apoi variabile n timp. Comutaia jonciunii p-n nu va fi
abordat n acest capitol, ci va fi studiat pe larg n capitolul dedicat comutrii dispozitivelor
electronice.
3.2.1. Jonciunea 3.2.1. Jonciunea 3.2.1. Jonciunea 3.2.1. Jonciunea p-n p-n p-n p-n la echilibru termodinamic la echilibru termodinamic la echilibru termodinamic la echilibru termodinamic
n determinarea proprietilor electrice ale jonciunii p-n se pornete de la cele ase
ecuaii ale lui Shockley. Rezolvarea analitic a acestora este imposibil fr efectuarea unor
aproximaii, iar rezolvarea numeric a acestora nu prezint importanpentru scopul propus.
Efectuarea unor aproximaii adecvate este esenial pentru obinerea unor soluii analitice i
pentru evidenierea proprietilor electrice ale jonciunii p-n.
Studiul jonciunii p-n se va face pe baza urmtoarelor aproximaii de baz:
folosirea unui model unidimensional pentru jonciune;
grosimea domeniilor p i n este mare n raport cu lungimea de difuzie a electronilor
n domeniul p, respectiv a golurilor n domeniul n, adic avem o jonciune groas;
lungimea de difuzie este definit ca ; L
n (p)
=
n(p)
D
n (p)
profilul impuritilor dopante este abrupt, adic n regiunea n se gsesc numai
impuriti donoare n concentraie constant , iar n regiunea p se gsesc numai N
D
impuriti acceptoare n concentraie constant ; N
A
jonciunea este izoterm.
40 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Aceste aproximaii generale vor fi completate pe parcursul dezvoltrilor analitice i
de alte aproximaii specifice situaiei analizate.
n figura 3.1 este prezentat un model unidimensional al jonciunii p-n, precum i
reprezentarea profilului abrupt de impuriti al acesteia. Linia de demarcaie dintre cele dou
domenii de conductibiliti diferite se numete jonciune metalurgic. La jonciunea
metalurgic concentraia de impuriti net este 0. Electronii din regiunea n i golurile din
regiunea p se numesc purttori majoritari iar golurile din regiunea n i electronii din zona p
se numesc purttori minoritari.
p
n
Jonciune
metalurgic
N
A
N
A
-
N
D
x
0
N
D
-
Figura 3.1. Modelul unidimensional al jonciunii p-n i
variaia concentraiei nete de impuriti.
Dac cele dou regiuni semiconductoare, n i p, ar fi fost independente, concentraiile
purttorilor de sarcin ar fi fost date de relaiile:
n regiunea p

: i ; (3.1.a) p
p 0
N
A
n
p 0
=
n
i
2
N
A
n regiunea n

: i . (3.1.b) n
n 0
N
D
p
n 0

n
i
2
N
D
ntr-o jonciune p-n aflat la echilibru termic, datorit fenomenelor de difuzie ce apar
n structur, concentraiile de purttori de sarcin difer de cele date n relaiile de mai sus.
Aceast diferen este pregnant n special n zonele adiacente jonciunii metalurgice unde
se constat o scdere apreciabil a concentraiei de purttori majoritari i, respectiv, o
cretere apreciabil a purttorilor de sarcin minoritari fa de cele date de relaiile (3.1).
Datorit concentraiilor foarte diferite ale purttorilor mobili de sarcin de un anumit tip
ntre cele dou regiuni semiconductoare, electronii din regiunea n difuzeaz n regiunea p,
unde concentraia lor este mai mic, disprnd prin recombinare cu purttorii majoritari ai
acestei regiuni n timpul mediu , iar golurile din regiunea p difuzeaz n domeniul n unde
n 0
se recombin cu electronii majoritari. Evident, procesele de difuzie ncep cu purttorii din
apropierea jonciunii metalurgice. Astfel, n regiunile adiacente jonciunii metalurgice, prin
plecarea golurilor majoritare din regiunea p apare un exces de sarcin negativ reprezentat
de sarcina fix a ionilor acceptori, i, respectiv, prin plecarea electronilor majoritari din
regiunea n, apare un exces de sarcin pozitiv reprezentat de sarcina fix a ionilor donori.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 41
Existena celor dou sarcini electrice de semn contrar determin apariia unui cmp electric
intern orientat de la regiunea n spre regiunea p i apariia unei bariere interne de potenial,
numit barier de potenial incorporat. Regiunea, ce cuprinde jonciunea metalurgic, n
care concentraiile sarcinilor fixe sunt mai mari dect cele ale sarcinilor mobile se numete
regiune de trecere sau regiune de sarcin spaial. Cmpul electric intern transport golurile
din regiunea n n regiunea p, respectiv electronii din regiunea p n regiunea n, deci n sens
contrar fluxului de difuzie. Ca urmare, procesul de scdere a concentraiei de purttori
majoritari nu se continu pn la uniformizarea concentraiilor (conform tendinei de
difuzie), ci se autolimiteaz la valori care asigur, n conformitate cu condiia de echilibru
termodinamic, egalitatea fluxurilor de difuzie i de drift:
(3.2)
j
nc
= j
nd
j
pc
= j
pd
Reprezentarea grafic a situaiei de echilibru termodinamic a unei jonciuni p-n este
ilustrat n figura 3.2.
p0
-l
n0
l
u(x)
x

B0
d.
p0
-l

V
n0
l
c.
E
p n
Regiunea Regiunea Regiunea
neutr p neutr n de trecere
a.
n, p
x
0
p
p0
p
n0
n
n0
n
p0
p0
-l
n0
l
b.
i
x
- -
- -
- -
- -
+ +
+ +
+ +
+ +
q N
D
.
-q N
A
.
x
Figura 3.2. Jonciunea p-n la echilibru termic:
a) zonarea jonciunii p-n; b) variaiile concentraiilor purttorilor de sarcin;
c) variaia densitii de sarcin ; d) variaia potenialului electrostatic.
V
42 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Descrierea analitic a fenomenelor din jonciunea p-n este laborioas chiar i pentru
aproximaiile enunate anterior. Dezvoltarea analitic a fost simplificat considerabil de
Shockley prin introducerea unei noi aproximaii numit aproximaie de golire. Conform
acestei aproximaii jonciunea se mparte n trei regiuni: o regiune de golire
(corespunztoare regiunii de trecere) i dou regiuni neutre (vezi figura 3.2.a). Aproximaia
de golire const n faptul c n regiunea de trecere se neglijeaz concentraiile de electroni i
de goluri fa de concentraiile de impuriti, iar regiunile neutre n i p au o comportare
identic cu aceea a dou semiconductoare separate. Deci, n regiunile neutre nu exist
sarcin electric net. Toate fenomenele specifice jonciunii p-n la echilibru termic se petrec
n regiunea de golire.
n regiunea de sarcin spaial, n conformitate cu aproximaia de golire, densitatea
de sarcin de volum este dat de relaia:
(3.3)
v
=

q N
A
pentru l
p 0
< x < 0
q N
D
pentru 0 < x < l
n0
Distribuiile de cmp electric i de potenial electric se deduc din rezolvarea ecuaiei
lui Poisson:
; (3.4)

2
u
x
2
=

i folosirea relaiei , cu condiiile la limit: E = u/x

(3.5)
E(x = l
n0
) = E(x = l
p0
) = 0
u (x = l
n0
) =
B0
; u (x = l
p0
)
unde reprezint nlimea barierei de potenial interne.
B 0
Prin rezolvarea ecuaiei lui Poisson obinem variaia intensitii cmpului electric i a
potenialului n interiorul regiunii de sarcin spaial:
(3.6) E
0
(x) =

q N
A

(x +l
p0
); pentru x |l
p0
; 0|

q N
D

(l
n 0
x); pentru x |0 ; l
n 0
|
(3.7) u
0
(x) =

q N
A

(x +l
p0
)
2
pentru x |l
p0
; 0|

B 0

q N
D

(l
n0
x)
2
pentru x |0 ; l
n0
|
Reprezentarea grafic a variaiei acestor mrimi este dat n figura 3.3.c i d.
n scopul determinrii expresiei analitice a nlimii barierei de potenial se
B 0
traseaz diagrama energetic a jonciunii p-n la echilibru termodinamic. n capitolul anterior
am artat c la echilibru termodinamic potenialul Fermi este constant n tot volumul
semiconductorului, iar diagrama energetic la poziii x situate n regiunile neutre este de
forma prezentat n figura 3.3.a. Aceast diagram energetic arat c nivelele energetice
, i corespunztoare zonei neutre p sunt superioare celor corespunztoare zonei E
C
E
V
E
I
neutre n, astfel nct avem o treapt energetic de la regiunea n la regiunea p, benzile
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 43
energetice curbndu-se n regiunea de trecere (vezi figura 3.3.b). nlimea barierei de
potenial corespunztoare este dat de relaia:
(3.8)
B 0
=
E
C
(l
n0
) E
C
(l
p0
)
q
Concentraiile electronilor, la echilibru termic, n cele dou regiuni neutre n i p sunt
(vezi capitolul 2.3.3):
(3.9)
n
n 0
= N
C
exp
|
\

E
C
(l
n0
) E
F
k T
|

n
p 0
= N
C
exp
|
\

E
C(
l
p 0)
E
F
k T
|

|
Relaiile (3.9) permit determinarea expresiilor nivelelor energetice i E
C
(l
n0
)
n funcie de concentraiile electronilor din cele dou regiuni. nlocuirea acestor E
C (l
p0)
expresii n relaia (3.8) conduce la urmtoarea expresie pentru nlimea barierei de
potenial:
(3.10)
B 0
=
k T
q
ln
n
n 0
n
p 0
=
k T
q
ln
N
A

N
D

n
i
2

k T
q
ln
N
A
N
D
n
i
2
Valoarea maxim a intensitii cmpului electric se obine la i este dat de x = 0
expresia:
(3.11) E
0max
= E
0
(x = 0) =
q N
A

l
p0
=
q N
D

l
n 0
Neutralitatea global a semiconductorului se exprim prin:
(3.12) N
A
l
p0
= N
D
l
n0
Aceast relaie indic ptrunderea mai accentuat a regiunii de sarcin spaial n
regiunea mai slab dopat.
Din condiia de continuitate a potenialului electric la obinem o nou expresie x = 0
pentru nlimea barierei de potenial:
(3.13)
B 0
=
q
2

|
\
N
A
l
p0
2
+N
D
l
n 0
2 |

Din relaiile (3.12) i (3.13) se poate determina lrgimea regiunii de sarcin spaial:
(3.14)
l
0
= l
n 0
+ l
p0
=
2
q
(
1
N
A
+
1
N
D
)
B 0
l
n 0
= l
0

N
A
N
A
+ N
D
=
2
q

N
A
N
D


B0
N
A
+ N
D
l
p 0
= l
0

N
D
N
A
+ N
D
=
2
q

N
D
N
A


B0
N
A
+ N
D
Folosind relaiile (3.14) n relaiile (3.11) intensitatea maxim a cmpului electric
devine:
(3.15) E
0max
=
2 q

(
1
N
A
+
1
N
D
)
B 0
44 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
x
i
0
Regiunea Regiunea Regiunea
neutr p neutr n de trecere
-l
p0 n0
l
x
E
C
n
E
C
p
E
V
n
E
V
p
E
V
(x)
E
C
(x)
E
Fi
n
(x) E
Fi
E
Fi
p
E
F E
F
x=0
b.
a.
x=0
E
F
x
E
c.
(x)
-l
p0 n0
l
E
0max
-
x

B0
d.
u (x)
-l
p0 n0
l
0
0
Figura 3.3. a) Diagramele energetice ale celor dou regiuni neutre n i p

;
b) Diagrama energetic a jonciunii p-n

; c) Variaia intensitii cmpului electric;
d) Variaia potenialului electric.
Dac una din regiuni este mai slab dopat ca cealalt, atunci lrgimea zonei de
golire va fi dat de regiunea cea mai slab dopat. Cazul cel mai des ntlnit n practic este
cel al jonciunii asimetrice , la care , iar p
+
n N
A
>> N
D
(3.16) l
0
l
n 0

2
q

1
N
D

B0
3.2.2. Jonciunea 3.2.2. Jonciunea 3.2.2. Jonciunea 3.2.2. Jonciunea p-n p-n p-n p-n polarizat electric polarizat electric polarizat electric polarizat electric
Cnd unei jonciuni p-n i se aplic o tensiune continu extern , echilibrul existent V
A
ntre curenii de drift i de difuzie se stric i prin structur va circula un curent net nenul.
Pentru aplicarea tensiunii la capetele jonciunii se consider dou contacte metalice ideale.
Contactele ideale sunt acele contacte ce permit trecerea curentului n ambele sensuri fr a
determina cderi de tensiune pe ele. Tensiunea aplicat din exterior se repartizeaz pe
regiunile jonciunii p-n astfel: cderea de tensiune pe regiunea neutr n, notat cu , V
n
cderea de tensiune pe regiunea neutr p, notat cu , i cderea de tensiune pe regiunea de V
p
trecere, notat cu . Datorit faptului c regiunea de trecere este srcit n purttori de V
j
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 45
sarcin, rezistivitatea sa electric este mai mare ca cea a regiunilor neutre n i p

. n
consecin, pentru valori mici i medii ale curentului se poate considera c tensiunea aplicat
din exterior cade n totalitate pe regiunea de trecere, adic . V
A
V
j
Sensurile convenionale pentru tensiunea aplicat din exterior i pentru curentul V
A
net, , pe care aceasta l produce sunt prezentate n figura 3.4. I
A
p
n
V
A
I
A
Figura 3.4. Jonciunea p-n polarizat cu o tensiune aplicat din exterior.
Dac tensiunea continu extern se aplic cu polaritatea pozitiv pe domeniul p i cu
polaritatea negativ pe domeniul n, sensul acesteia coincide cu cel convenional i . V
A
> 0
Acest tip de polarizare se numete polarizare direct. Dac tensiunea continu extern se
aplic cu polaritatea negativ pe domeniul p i cu polaritatea pozitiv pe domeniul n, sensul
acesteia este opus celui convenional i . Acest tip de polarizare se numete polarizare V
A
< 0
invers. Notaiile IEEE sunt:
pentru cazul polarizrii directe:
V
A
= V
F
I
A
= I
F
pentru cazul polarizrii inverse:
V
A
= V
R
I
A
= I
R
n cazul jonciunii p-n polarizat direct cmpul electric n regiunea de sarcin
spaial scade la valoarea , reprezentnd intensitatea cmpului electric E
0
E
F
E
F
corespunztor tensiunii externe directe aplicate, bariera de potenial se reduce la valoarea
, iar diagrama benzilor energetice a domeniului n se deplaseaz cu n sensul
B 0
V
F
q V
F
pozitiv al axei energetice. Cmpul electric n regiunea de trecere se modific la valoarea:
(3.17) E (V
F
) = E
0
1
V
F

B0
Micorarea valorii cmpului electric pune n eviden o reducere a sarcinii electrice
n regiunea de trecere. Cum concentraia ionilor de impuritai nu depinde de polarizarea
jonciunii, ci numai de doparea cu impuriti, nseamn c reducerea cmpului electric este
posibil numai prin micorarea dimensiunilor regiunii de golire. Acest lucru este ilustrat i
de relaia (3.14) n care se modific numai nlimea barierei de potenial, adic
(3.18)
l
F
= l
n F
+ l
pF
=
2
q
(
1
N
A
+
1
N
D
) (
B 0
V
F
) = l
0
1
V
F

B0
l
n F
= l
F

N
A
N
A
+ N
D
=
2
q

N
A
N
D


B0
V
F
N
A
+ N
D
= l
nF0
1
V
F

B0
l
p F
= l
F

N
D
N
A
+ N
D
=
2
q

N
D
N
A


B0
V
F
N
A
+ N
D
= l
pF0
1
V
F

B0
46 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
De asemenea, micorarea cmpului electric duce la micorarea curenilor de cmp i
mrirea celor de difuzie, rezultnd un curent nenul. Toate aceste efecte corespunztoare I
F
polarizrii directe a jonciunii p-n, precum i distribuiile purttorilor de sarcin, sunt
ilustrate n figura 3.5.A.
Deplasarea golurilor spre regiunea n, respectiv a electronilor spre regiunea p n
cantiti mai mari dect la echilibrul termic se numete injecie de purttori minoritari.
Existena unui excedent de concentraii de purttori n aceste regiuni duce la creterea ratei
fenomenelor de recombinare. Regiunile n care concentraiile de purttori minoritari sunt
diferite fa de cele corespunztoare echilibrului termic (deci sau ) poart g > g
0
r > r
0
numele de regiuni active. n consecin, jonciunea p-n va cuprinde dou regiuni neutre, o
regiune de sarcin spaial i dou regiuni active situate de o parte i de alta a regiunii de
sarcin spaial.
n regiunile active este ndeplinit condiia de cvasineutralitate electric, adic
distribuiile purttorilor de sarcin n exces fa de cele ale echilibrului termodinamic
satisfac n orice plan condiiile:
p (x ) = n (x )
(3.19) p (x ) = p (x ) p
0
(x )
n (x ) = n (x ) n
0
(x )
n cazul jonciunii p-n polarizat invers, cmpul electric n regiunea de sarcin
spaial crete la valoarea , reprezentnd intensitatea cmpului datorat polarizrii E
0
+E
R
E
R
inverse, bariera de potenial crete la , iar diagrama benzilor energetice se
B 0
+ V
R
deplaseaz cu n sensul negativ al axei energetice. Cmpul electric n regiunea de q V
R
trecere se modific la valoarea:
(3.20) E (V
R
) = E
0
1 +
V
R

B0
Mrirea valorii cmpului electric pune n eviden o cretere a sarcinii electrice n
regiunea de trecere i deci o cretere a dimensiunilor regiunii de golire:
(3.21)
l
R
= l
n R
+ l
pR
= l
0
1 +
V
R

B0
l
n R
= l
R

N
A
N
A
+ N
D
= l
nR0
1 +
V
R

B0
l
pR
= l
R

N
D
N
A
+ N
D
= l
pR 0
1 +
V
R

B0
Creterea cmpului electric duce la micorarea curenilor de difuzie n favoarea
curenilor de cmp. n regiunile active concentraiile de electroni i goluri vor fi mai mici
dect la echilibru termic, deci vor domina fenomenele de generare. Condiia de
cvasineutralitate n regiunile active este:
(3.22) n (x ) = p (x )
Efectele corespunztoare polarizrii inverse a jonciunii p-n, precum i concentraiile
purttorilor de sarcin, sunt ilustrate n figura 3.5.B.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 47
V
R
p'( )
p n
0
p n
-l
p
0
l
n
V
F
V
R
n, p
p
n0
p'( ) -l
p
n'( ) -l
p
n'( ) l
n
p'( )
n
l
n'( ) -l
p
n, p
-l
p
l
n
-l
p
n'( )
n
l
p'( ) l
n
A. B.
x
x
x x
p
p0
n
p0
n
n0
I
F
-l
p
l
n
p
p0
n
p0
n
n0
C
E
C
E
V
E
V
E
Fn
E
Fp
E
q V
F
.
p
n0
C
E
C
E
V
E
V
E
Fp
E
Fn
E
q V
R
.
-l
p
l
n
u(x)
-l
p0
l
n0
x
V
F
B0

-V
F B0

-l
p
l
n
-l
p
u(x)
-l
p0
l
n0
x
B0

+V
R B0

l
n
E
0max
E
max
E
x
-l
p0
-l
p
l
n
l
n0
E
Emax
E
0max
x
-l
p
-l
p0
l
n0
l
n
I
R
(recombinare)
Jdn
-lp ( ) Curent
de
goluri
Curent
de
electroni
J
dp
l
n
( )
Reg. Reg.
neutr neutr
Reg.
trecere
Regiuni active
J
F
J
dn
-l
p
( )
J
dp
l
n
( )
Reg.
Reg.
neutr
neutr
Reg.
trecere
Regiuni active
(generare)
J
R
a.
b.
c.
d.
e.
Figura 3.5. Jonciunea p-n n polarizare: A. direct; B. invers.
a) Distribuiile purttorilor de sarcin; b) Diagramele E- -- -x;
c)Variaia potenialului electric; d) Variaia intensitii cmpului electric;
e) Densitatea de curent prin structur.
48 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Notnd cu , n care pentru polarizare direct i
B
=
B 0
V
A
V
A
= V
F
V
A
= V
R
pentru polarizare invers, relaiile ce descriu jonciunea p-n n cazul polarizrii acesteia sunt:
(3.23) E(x) =

q N
A

(x + l
p
); x |l
p
; 0|

q N
D

(l
n
x); x |0 ; l
n
|
(3.24) u (x) =

q N
A

(x + l
p
)
2
; x |l
p
; 0|

B

q N
D

(l
n
x)
2
; x |0; l
n
|
(3.25) l = l
n
+ l
p
=
2
q
(
1
N
A
+
1
N
D
)
B
= l
0
1
V
A

B0
3.2.3. Caracteristica static ideal a jonciunii 3.2.3. Caracteristica static ideal a jonciunii 3.2.3. Caracteristica static ideal a jonciunii 3.2.3. Caracteristica static ideal a jonciunii p-n p-n p-n p-n
Determinarea caracteristicii statice ideale se va face n continuare pe baza
aproximaiei de golire completat cu dou aproximaii specifice situaiei de neechilibru:
Nivel mic al injeciei de purttori minoritari, adic
(3.26)
n (l
p
) << p
p 0
, n (l
p
) << n
p 0
p (l
n
) << n
n 0
, p (l
n
) << p
n 0
Acest fapt are urmtoarele consecine:
a) Concentraia de purttori majoritari din regiunile neutre nu difer de cele de la
echilibru termic, iar pentru regiunile active variaia este foarte mic.
b) Cmpul electric din regiunile neutre i active este foarte mic. Pentru purttorii
majoritari el nu poate fi neglijat ntruct reprezint singura modalitate de transport n
condiiile n care concentraia s-a presupus constant. Pentru purttorii minoritari, n
regiunile active, se neglijeaz curenii de cmp fa de cei de difuzie. Ca urmare,
putem aproxima:
(3.27)
j
p
(x l
n
) j
pd
j
n
(x l
p
) j
nd
n regiunea de sarcin spaial avem o situaie de cvasiechilibru. Conform acestei
ipoteze produsul concentraiilor de electroni i goluri este constant n tot volumul
regiunii de sarcin spaial, la fel ca la echilibru termic:
(3.28) n p = ct. n
i
2
Caracteristica static ideal a jonciunii p-n este cunoscut sub numele de ecuaia
Shockley a diodei. Determinarea acesteia se face pornind de la ecuaiile de continuitate ale
purttorilor minoritari, care pentru cazul unidimensional i regim staionar sunt:
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 49
(3.29)

p
n
p
n0

p
+
1
q

j
p
x
= 0
n
p
n
p0

n

1
q

j
n
x
= 0
Folosind aproximaia de injecie mic putem exprima densitile de curent ale
purttorilor de sarcin minoritari din regiunile active ca fiind:
(3.30)

j
p
(x l
n
) j
pd
= q D
p

p
n
x
j
n
(x l
p
) j
nd
= q D
n

n
p
x
Introducnd expresiile (3.30) n ecuaiile (3.29) se obin relaiile:
(3.31)

2
p
n
x
2

p
n
p
n0
L
p
2
= 0

2
n
p
x
2

n
p
n
p0
L
n
2
= 0
unde i reprezint lungimile de difuzie ale golurilor, respectiv electronilor, n L
p
L
n
regiunile active ale jonciunii:
(3.32)

L
p
= D
p

p
L
n
= D
n

n
Ecuaiile (3.31) furnizeaz concentraiile purttorilor minoritari din regiunile active
i implicit, prin relaiile (3.30), a densitilor de curent ale acestora. Soluiile generale ale
ecuaiilor (3.31) sunt:
(3.33)
p
n
p
n0
= A exp
|
\
x
L
p
|

+ B exp
|
\

x
L
p
|

n
p
n
p0
= C exp
|
\
x
L
n
|

+ D exp
|
\

x
L
n
|

Determinarea constantelor A, B, C i D impune cunoaterea condiiilor la limit,

, corespunztoare geometriei date a jonciunii, profilului de p
n
(), n
p
(), p
n
(l
n
), i n
p(l
p)
impuriti i tensiunii aplicate jonciunii.
Primele condiii la limit referitoare la concentraiile purttorilor minoritari din
regiunile neutre, n cazul n care lungimile de difuzie n regiunile active sunt mult mai mici
dect lungimile tehnologice ale regiunilor n ip , sunt:
(L
n
<< W
Ep
, L
p
<< W
Cn)
. (3.34)

p
n
() = p
n 0
n
p
() = n
p 0
Acestea conduc la determinarea constantelor A i D. Astfel , iar relaiile A = D = 0
(3.33) devin:
(3.35)
p
n
= p
n 0
+ B exp
|
\

x
L
p
|

n
p
= n
p 0
+ C exp
|
\
x
L
n
|

50 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide

Urmtoarele condiii la limit se refer la concentraiile purttorilor minoritari de
sarcin la interfeele dintre regiunea de sarcin spaial i regiunile active ale jonciunii.
Din condiia de cvasiechilibru n regiunea de sarcin spaial se determin:
. (3.36) n p = n
i
2
exp
|
\
E
Fn
E
Fp
k T
|

= const
n aceast regiune, . Deci condiiile la limit cutate sunt: E
Fn
E
Fp
=const.= q V
A
(3.37)

n
p(
l
p)
= n
i
exp
|
\
E
Fn
E
Fi
k T
|

= n
p0
exp
|
\
E
Fn
E
Fp
k T
|

= n
p0
exp
|
\
q V
A
k T
|

p
n
(l
n
) = n
i
exp
|
\
E
Fp
E
Fi
k T
|

= p
n0
exp
|
\
E
Fn
E
Fp
k T
|

= p
n0
exp
|
\
q V
A
k T
|

Din egalitatea relaiilor (3.35) i (3.37) la , respectiv , se determin: x = l

n
x = l
p
(3.38)
B = p
n0

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
exp
|
\
l
n
L
p
|

C = n
p0

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
exp
|
\
l
p
L
n
|

n consecin soluiile ecuaiilor de continuitate vor fi:

(3.39)

p
n
(x l
n
) = p
n0
+ p
n 0

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
exp
|
\

x l
n
L
p
|

n
p
(x l
p
) = n
p 0
+ n
p0

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
exp
|
\
x + l
p
L
n
|

Din aceste distribuii se pot deduce densitile curenilor de difuzie:

(3.40)

j
n d
(x ) = q D
n

n
p
(x )
x
=
q D
n
n
p0
L
n

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
exp
|
\
x + l
p
L
n
|

j
p d
(x ) = q D
p

p
n
(x )
x
=
q D
p
p
n0
L
p

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
exp
|
\

x l
n
L
p
|

i prin particularizarea acestora la , respectiv , se obin relaiile: l = l

p
l = l
n
(3.41)

j
n d
(l
p
) =
q D
n
n
p 0
L
n

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
j
pd
(l
n
) =
q D
p
p
n0
L
p

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
Densitatea curentului total rezult ca suma densitilor curenilor de difuzie i de
cmp, pentru goluri i electroni, n orice seciune a jonciunii p-n. Datorit neglijrii
fenomenelor de generare-recombinare din regiunea de sarcin spaial (aproximarea de
golire), este mai comod s se determine densitatea total a curentului prin jonciune la
graniele regiunii de trecere. Astfel, prin sumarea densitilor de curent i , j
n d(l
p ) j
p d
(l
n
)
se obine cunoscuta ecuaie a lui Shockley:
(3.42) j
A
= j
p d
(l
n
) + j
nd
(l
p
) =

q D
p
p
n0
L
p
+
q D
n
n
p0
L
n
(

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
Considernd aria seciunii regiunii de trecere, curentul total prin jonciune este: A
j
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 51
(3.43) I
A
= A
j
j
A
= I
0

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
unde:
(3.44) I
0
= q A
j

D
p
p
n0
L
p
+
D
n
n
p0
L
n
(

(
= q A
j

II

L
p
p
n0

p
+
L
n
n
p0

n
(

(
reprezint curentul de saturaie al jonciunii p-n.
Cele dou forme alternative de exprimare a curentului de saturaie relev cele dou
mecanisme ce controleaz mrimea acestuia: difuzia purttorilor de sarcin n regiunile
active (injecia de purttori minoritari) i generarea-recombinarea purttorilor de sarcin
injectai n regiunile active (mecanismele de generare-recombinare termic
Shockley-Read-Hall). Aa cum am artat n subcapitolul 3.2.2., n regiunile active n
polarizare direct predomin fenomenele de recombinare, iar n polarizare invers
predomin fenomenele de generare.
Reprezentarea grafic a relaiei (3.43), dat n figura 3.6, este caracteristica static
ideal a jonciunii p-n.
R
-I
R
I
0
I
V
A
I
A
Figura 3.6. Caracteristica static ideal a unei jonciuni p-n.
Pentru tensiuni de polarizare direct , la temperaturi n jur V
A
= V
F
4
k T
q
0, 1V
de , n relaia (3.43) predomin termenul exponenial i curentul direct prin jonciunea 300 K
p-n se poate determina cu relaia:
(3.45) I
A
I
0
exp
|
\
q V
A
k T
|

Acest curent datorat difuziei i recombinrii purttorilor minoritari injectai n cele

dou regiuni active este cunoscut sub denumirea de curent de injecie.
Pentru tensiuni de polarizare inverse , la temperaturi V
A
= V
R
4
k T
q
0.1 V
n jur de n relaia (3.43) termenul exponenial poate fi neglijat i curentul invers prin 300 K,
jonciune este dat de relaia:
(3.46) I
A
= I
R
I
0
52 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Acest curent, datorat n principal fenomenelor de generare n regiunile active este
cunoscut sub denumirea de curent de pierderi sau curent de saturaie. Jonciunile p-n utilizate
n dispozitivele de putere mic se caracterizeaz prin cureni de saturaie de ordinul nA
pentru Si i la germaniu. A
Aa cum relev relaiile (3.45) i (3.46) caracteristica jonciunii p-n este puternic
neliniar n gama de tensiuni . V
F
, V
R
100 mV
3.2.4. Abateri de la caracteristica static ideal a jonciunii 3.2.4. Abateri de la caracteristica static ideal a jonciunii 3.2.4. Abateri de la caracteristica static ideal a jonciunii 3.2.4. Abateri de la caracteristica static ideal a jonciunii p-n p-n p-n p-n
Ecuaia Shockley pentru jonciuni p-n a fost dedus pentru nivele mici de injecie
(tensiunile directe i inverse aplicate jonciunii au valori mici i moderate) i n condiiile
simplificatoare ale neglijrii proceselor de generare-recombinare n regiunea de trecere i a
efectelor de la suprafaa semiconductorului. n caracteristica static real a jonciunii p-n
apar abateri fa de caracteristica static ideal att n sens direct, ct i n sens invers.
Caracteristica static real a unei jonciuni p-n este prezentat, comparativ cu
caracteristica ideal, n figura 3.7. Din punct de vedere al abaterilor de la idealitate, n
polarizare direct, deosebim pe caracteristica static real patru regiuni. n polarizare
invers, pentru tensiuni de valoare moderat, curentul invers prin jonciune este mai mare
dect curentul de saturaie ( ) i depinde de valoarea tensiunii inverse aplicate. I
R
> I
0
Fenomenele fizice ce stau la baza acestor abateri vor fi prezentate n continuare. ntr-un
subcapitol separat vor fi tratate fenomenele ce apar n polarizarea invers cu tensiuni de
valoare ridicat.
I
II
III
IV
ideal real
VA
V
j
I
0 I
inv
V
A
I
A
[mA]
I
R
[nA]
Figura 3.7. Caracteristica static real a unei jonciuni p-n.
Ecuaia (3.43) a fost dedus neglijnd fenomenele de generare-recombinare din
regiunea de sarcin spaial. La echilibru termodinamic rata fenomenelor de recombinare,
, este egal cu cea a fenomenelor de generare, . Cnd se aplic o tensiune exterioar r
n,p
g
n,p
acest echilibru este distrus i rata net de recombinare va fi pozitiv n polarizare direct
datorit creterii ratei de recombinare ( ), respectiv negativ n polarizare R
n,p
= r
n,p
g
n,p
> 0
invers datorit creterii ratei de generare ( ). Aceat inegalitate ntre R
n,p
= r
n,p
g
n,p
< 0
ratele fenomenelor de generare i recombinare n regiunea de trecere produce un curent
adiional prin jonciune, cunoscut sub denumirea de curent de generare-recombinare, . I
gr
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 53
Curentul de generare-recombinare datorat regiunii de sarcin spaial este format din
dou componente: componenta datorat fenomenelor de generare-recombinare din volumul
regiunii de sarcin spaial i componenta datorat fenomenelor de I
grv
generare-recombinare de la suprafaa acestei regiuni . Astfel: I
grs
(3.47) I
gr
= I
grv
+I
grs
Determinarea lui I
grv
n conformitate cu modelul Shockley-Read-Hall prezentat n capitolul 2.4, expresia
vitezei nete de recombinare n volumul regiunii de sarcin spaial este:
. (3.48) U =
n p n
i
2

n0
(p + p
t
) +
p 0
(n + n
t
)
nlocuind n aceast expresie produsul concentraiilor purttorilor de sarcin cu
relaia (3.36) i innd cont de faptul c obinem: E
Fn
E
Fp
= q V
A
. (3.49) U =
n
i
2

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

n0
(p + p
t
) +
p 0
(n + n
t
)
Analiznd expresia de mai sus se observ c viteza net de recombinare U este
maxim pentru nivele energetice intermediare E
t
situate la mijlocul benzii interzise (E
t
= E
i
)
. Deci . Pentru o astfel de situaie putem considera egalitatea timpilor de via ai p
t
= n
t
= n
i
purttorilor de sarcin ce ocup aceste nivele energetice: .
n 0
=
p0
=
0
n consecin, relaia (3.49) devine:
(3.50) U =
n
i
2

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

0
(p + n +2 n
i
)
Variaia concentraiilor purttorilor de sarcin n funcie de poziia x n n i p
interiorul regiunii de sarcin spaial a fost prezentat n figura 3.5. n ipoteza situaiei de
cvasiechilibru, , maximul expresiei (3.50) are loc pentru abscisa la care n p =constant x
i
. Folosind expresiile (2.30) pentru exprimarea concentaiilor, precum i relaia n = p
se obine: E
Fn
E
Fp
= q V
A
(3.51)
E
Fn
E
Fi
= E
Fi
E
Fp
=
q V
A
2
n = p = n
i
exp
|
\
q V
A
2 k T
|

Viteza net maxim de recombinare devine:

(3.52) U
max
=
n
i
2
o

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
exp
|
\
q V
A
2 k T
|

+ 1
Densitatea de curent corespunztoare fenomenelor de generare-recombinare n
volumul regiunii de trecere se determin plecnd de la ecuaiile de continuitate n care
. Se obine astfel: R
p
= R
n
= U
54 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
(3.53) j
grv
= j
n
(l
n
) j
n(
l
p)
= q

l
p
l
n
U dx
Datorit dependenei concentraiilor purttorilor de sarcin de abscisa x integrala din
relaia (3.53) este dificil de calculat. Rezultate mulumitoare se obin nlocuind n relaia de
mai sus viteza net de recombinare prin : U
max
. (3.54) j
grv
= q

l
p
l
n
U
max
dx = q
n
i
2
o

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
exp
|
\
q V
A
2 k T
|

+ 1
l
n consecin:
(3.55) I
grv
= A
j
j
grv
= I
grv0

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
exp
|
\
q V
A
2 k T
|

+ 1
n care . I
grv 0
= q A
j

n
i
2
o
l
Pentru tensiuni aplicate situate n gama relaia (3.56) se poate V
A
3
k T
q
aproxima prin:
(3.56) I
grv
I
grv 0

exp
|
\
q V
A
2 k T
|

1
(

(
Determinarea lui I
grs
Suprafaa semiconductorului reprezint o "defeciune" major a structurii cristaline,
prin ntreruperea periodicitii reelei. Din punct de vedere tehnic suprafaa este i sediul
unor impuriti suplimentare, active electric. Din aceste motive la suprafaa
semiconductorului vitezele de generare i recombinare cresc.
Conform modelului Shockley-Read-Hall, viteza net de recombinare la suprafa este
dat de relaia:
(3.57) U
s
= s
0
p
s
n
s
n
i
2
n
s
+ p
s
+ 2 n
s
n care reprezint viteza efectiv de generare-recombinare la suprafa, iar i s
0
|cm/s| n
s
p
s
reprezint concentraiile de purttori la suprafaa corespunztoare regiunii de sarcin
spaial. Parametrul caracterizeaz suprafaa din punct de vedere al fenomenelor de s
0
generare-recombinare ntr-un mod analog cu modul n care parametrul caracterizeaz
0
volumul semiconductorului.
Procednd ca n cazul anterior se determin curentul de generare-recombinare de
suprafa pentru tensiuni de polarizare : V
A
3 (k T/q)
(3.58) I
grs

1
2
q n
i
s
0
A
S

exp
|
\
q V
A
2 k T
|

1
(

(
unde reprezint aria suprafeei semiconductorului cuprins n regiunea de sarcin A
S
spaial.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 55
n consecin, curentul total de generare-recombinare n regiunea de sarcin spaial,
pentru tensiuni este: V
A
3 (k T/q)
(3.59) I
gr

1
2
q n
i

|
\
l A
j

0
+s
0
A
S
|

exp
|
\
q V
A
2 k T
|

1
(

(
= I
gr 0

exp
|
\
q V
A
2 k T
|

1
(

(
Curentul total prin jonciune este, n condiiile considerrii fenomenelor de
generare-recombinare, suma ntre curentul dat de ecuaia Shockley i cel furnizat de relaia
(3.59):
(5.60) I
A
= I
0

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
+ I
gr 0

exp
|
\
q V
A
2 k T
|

1
(

(
Ponderea celor dou componente n relaia de mai sus definete o mrime des folosit
n exprimarea caracteristicilor redresoare ale unei jonciuni p-n i anume tensiunea de prag
Astfel, tensiunea de prag reprezint tensiunea direct la care componenta Shockley a V.
curentului este egal cu componenta de recombinare:
(5.61) I
0

exp
|
\
q V

k T
|

1
(

(
= I
gr 0

exp
|
\
q V

2 k T
|

1
(

(
n consecin expresia aproximativ a tensiunii de prag este:
(5.62) V

2 k T
q
ln
|
\
I
gr 0
I
0
|

n polarizare direct curentul de recombinare prezint importan la nivele foarte

mici de injecie (regiunea notat cu I pe caracteristica reprezentat n figura 3.7), cnd
caracteristica static real este situat sub caracteristica static ideal reprezentat punctat n
figura 3.7. n domeniul curenilor medii (regiunea notat cu II), nivele de injecie mici i
medii, componenta de recombinare devine neglijabil, iar curentul este practic dat de ecuaia
ideal.
La nivele mari de injecie (regiunile notate cu III i IV) pentru jonciunea polarizat
direct relaiile determinate n capitolele 3.2.3 i 3.2.4 nu mai sunt valabile. Modelele care
descriu nivelul mare de injecie sunt complicate i nu vor fi prezentate n cadrul acestei
lucrri. Fenomenul fizic cel mai notabil este legat de apariia unor cmpuri electrice n
regiunile neutre, cmpuri care nu se mai pot neglija. n consecin, tensiunea aplicat V
A
jonciunii p-n nu se va mai regsi n totalitate pe regiunea de sarcin spaial, aceasta
repartizndu-se ntre regiunile neutre, active i regiunea de sarcin spaial . De (V
n,p)
(V
J
)
asemenea, panta caracteristicii statice reale este mult mai puin abrupt dect cea ideal
corespunztoare tensiunii ce este aplicat regiunii de trecere. Aceast scdere a pantei V
j
este modelat prin introducerea unui coeficient m

n expresia caracteristicii statice
Shockley:
(3.63) I
F
= I
0

exp
|
\
q V
j
m k T
|

1
(

(
Valoarea coeficientului m

variaz ntre 1 i 2. n consecin, tensiunea pe jonciunea
p-n este datde relaia:
56 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
(3.64) V
F
= V
j
+V
n,p
= m V
T
ln
|
\
I
F
I
0
|

+ (R
n
+ R
p
) I
F
= m V
T
ln
|
\
I
F
I
0
|

+ R
S
I
F
n care reprezint rezistenele regiunilor neutre i active n ip. Suma celor dou R
n
i R
p
rezistene se noteaz cu i poart denumirea de rezisten serie a structurii. Trebuie R
S
remarcat c valoarea rezistenei serie din relaia de mai sus nu este o constant. Valoarea
rezistenei serie depinde de concentraiile purttorilor de sarcin n i p, care depind la R
S
rndul lor de nivelul de polarizare al structurii.
Pentru tensiuni inverse moderate curentul invers prin jonciune va fi o sum de
componente:
(3.65) I
R
= I
inv
= (I
0
+I
gr 0)
Curentul invers prin jonciune depinde de tensiunea invers aplicat prin intermediul
componentei , ce depinde de lrgimea a regiunii de sarcin spaial. I
gr 0
l(V
R
)
Multe dispozitive semiconductoare de larg consum, al cror grad de prelucrare a
suprafeei nu este prea avansat, au caracteristicile statice dominate de curentul de
generare-recombinare la suprafa. Aceasta duce la creterea excesiv a curenilor inveri i
la instabilitatea n timp a caracteristicilor statice.
3.2.5 3.2.5 3.2.5 3.2.5. .. . Strpungerea jonciunii Strpungerea jonciunii Strpungerea jonciunii Strpungerea jonciunii p-n p-n p-n p-n
Aa cum am artat n subcapitolul anterior jonciunea p-n polarizat invers cu
tensiuni de valori medii i mici este parcurs de un curent de valoare mic. Datorit acestui
fapt, cderile de tensiune pe domeniile neutre p i n pot fi neglijate i putem considera c
toat tensiunea exterioar este aplicat regiunii de trecere.
Pe msur ce tensiunea crete curentul invers crete uor, iar cnd aceasta atinge V
R
o anumit valoare, notat cu , curentul invers crete puternic i rapid, tinznd ctre V
BR
infinit dac acesta nu este limitat de circuitul exterior. Acest fenomen poart denumirea de
strpungere, iar tensiunea invers la care se produce se numete tensiune de V
BR
strpungere. Dac circuitul exterior limiteaz curentul prin jonciune la o valoare care nu
duce la distrugerea structurii prin nclzire excesiv, fenomenul de strpungere este
reversibil.
Principalele fenomene fizice ce stau la baza strpungerii jonciunii p-n sunt:
generarea interband, n perechi, a purttorilor de sarcin prin impact,
efetul de tunel,
generarea termic a perechilor electron-gol.
Primele dou fenomene se datoreaz cmpului electric de valori mari, de peste
, din regiunea de trecere, iar cel de-al treilea este legat de creterea puterii disipate 10
7
V/m
urmat de creterea temperaturii n anumite puncte din structura jonciunii. Reprezentarea
strpungerii jonciunii p-n, pe caracteristica static, prin cele trei mecanisme este ilustrat n
figura 3.8.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 57
R
-V
BR
V
R
-I
0
a
b
c
Figura 3.8. Strpungerea jonciunii p-n prin: a) multiplicare n avalan;
b) efect tunel; c) efect termic.
Pentru jonciunile p-n ce au concentraii de impuriti mai mici de , 10
18
cm
3
strpungerea jonciunii p-n este determinat de fenomenul de generare interband prin
impact, n perechi, a purttorilor de sarcin n regiunea de trecere. Acest tip de strpungere
poart demunirea de strpungere prin multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin.
n cazul n care intensitatea cmpului electric n regiunea de trecere atinge valori de
aproximativ , acesta poate imprima purttorilor de sarcin ce traverseaz regiunea 2 10
7
V/m
de trecere o energie cinetic de cteva ori mai mare ca nlimea energetic a benzii
interzise , astfel nct n urma ciocnirii cu atomii reelei cristaline s-i ionizeze. Purttorii E
G
de sarcin astfel formai sunt accelerai la rndul lor de cmpul electric puternic i cnd
energia lor cinetic este suficient vor forma noi perechi electron-gol .a.m.d. Acest proces
regenerativ conduce la producerea unui numr infinit de perechi electron-gol i deci a unui
curent invers infinit. n prezena procesului cumulativ de multiplicare n avalan numrul
purttorilor de sarcin, de un anumit tip, care ies din regiunea de trecere este mult mai mare
ca numrul purttorilor de sarcin care intr n regiunea de trecere. Raportul acestor dou
categorii de purttori de sarcin definete factorul de multiplicare n avalan M ce permite
descrierea cantitativ a fenomenului prin relaia:
(3.66) I
R
= M I
0

1 exp
|
\

q V
R
k T
|

(
+ M I
gr 0

1 exp
|
\

q V
R
2 k T
|

(
Coeficientul M poate fi estimat folosind relaia empiric:
(3.67) M =
1
1
|
\
V
R
V
BR
|

n
n care n este un coeficient cuprins ntre 4 i 7, valoarea sa depinznd de rezistivitatea
semiconductorului.
Pentru tensiuni coeficientul M este aproximativ unitar, dar pentru V
R
< 0, 7 V
BR
tensiuni inverse ce depesc aceast valoare devine necesar folosirea relaiei (3.66) pentru
determinarea curentului prin structur.
Valoarea tensiunii de stpungere prin avalan depinde de mai muli factori ca:
temperatur, dopare cu impuriti, geometria structurii, tehnologia de fabricaie etc.
58 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Pentru concentraii mari de impuritii ( ) lrgimea regiunii de sarcin > 10
18
cm
3
spaial scade iar valoarea maxim a intensitii cmpului electric n polarizare invers
crete, putnd atinge valoari de ordinul , astfel nct curentul invers crete foarte 5 10
7
V/m
mult pentru tensiuni inverse mai mici. Cnd concentraiile de impuriti sunt suficient de
mari pentru ca tensiunea la care are loc strpungerea jonciunii s fie mai mic de 7...6

V,
generarea interband prin impact devine ineficient datorit faptului c lrgimea regiunii de
sarcin spaial este prea mic pentru ca purttorii de sarcin astfel creai s aib ansa
generrii unor noi perechi electron-gol i un alt fenomen fizic devine responsabil de
creterea puternic a curentului invers. Bariera de potenial a jonciunii este, n acest caz,
att de subire nct probabilitatea ca purttorii de sarcin s o treac prin efect de tunel
crete foarte mult. Deci noul fenomen fizic responsabil de strpungerea jonciunilor puternic
dopate este efectul de tunel, iar strpungerea n acest caz poart numele de strpungere
Zener. n cazul strpungerii prin efect Zener curentul invers variaz mai lent. Trebuie
subliniat faptul c, spre deosebire de fenomenul de generare interband prin impact,
fenomenul de efect de tunel nu este un proces regenerativ. Regiunea de strpungere a
caracteristicii statice inverse, unde tensiunea este practic independent de valoarea
curentului, se numete i regiune de stabilizare.
Atunci cnd jonciunile p-n prezint multe defecte sau cnd, datorit materialului
semiconductor din care sunt confecionate, prezint cureni inveri de valoare ridicat
strpungerea acestora se poate realiza datorit fenomenului de generare termic a
purttorilor de sarcin. n cazul jonciunilor cu defecte, intensitatea cmpului electric n
centrele de defect poate fi foarte mare i temperatura semiconductorul n aceste puncte
crete foarte mult. Creterea temperaturii antreneaz creterea concentraiilor de putrtori de
sarcin datorit generrii pe cale termic a acestora, dar creterea concentraiilor de purttori
de sarcin conduce la o cretere suplimentar a temperaturii .a.m.d. Acest proces
regenerativ conduce la distrugerea structurii prin topirea local a semiconductorului.
n cazul jonciunilor ce prezint cureni inveri de valoare ridicat puterea disipat pe
jonciune conduce la nclzirea structurii. Aceast nclzire determin generarea pe cale
termic a purttorilor de sarcin, i deci creterea curentului prin structur. Creterea
curentului conduce la o nou cretere a temperaturii, .a.m.d., acest proces fiind i el
regenerativ. n acest caz tensiunea de strpungere poate fi evaluat cu formula:
(3.68) V
BRth
=
1
I
inv
R
th
A
n care este rezistena termic ntre jonciune i mediul ambiant i repezint un R
th
A[
o
C
1
]
coeficient termic ce caracterizeaz semiconductorul.
Trebuie subliniat faptul c fenomenul de cretere a concentraiilor purttorilor de
sarcin pe cale termic poate conduce la scderea tensiunii pe jonciunea p-n, deci la
existena unei regiuni de rezisten negativ pe caracteristica static la strpungere termic
(vezi figura 3.8).
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 59
Observaii
Strpungerea jonciunii p-n poate fi cauzat i de compunerea fenomenelor
prezentate
mai sus. Creterea curentului prin multiplicare n avalan sau prin efect de tunel poate fi
urmat de o strpungere termic a structurii datorit creterii puterii disipate pe jonciune i
deci a temperaturii acesteia. Aceasta este cauza pentru care, n unele cazuri, n caracteristica
static poriunea aproape vertical corespunztoare strpungerii prin avalan (sau efect de
tunel) este urmat de o poriune ce prezint rezisten negativ.
Suprafaa semiconductorului are un rol important n strpungerea jonciunii p-n.
Dac suprafaa prezint imperfeciuni majore tensiunea de strpungere devine instabil n
timp i caracteristica structurii din apropierea strpungerii prezint un cot moale.
3.2.6 3.2.6 3.2.6 3.2.6. .. . Dependena cu temperatura a caracteristicii statice a jonciunii Dependena cu temperatura a caracteristicii statice a jonciunii Dependena cu temperatura a caracteristicii statice a jonciunii Dependena cu temperatura a caracteristicii statice a jonciunii
p-n p-n p-n p-n
Caracteristica static a jonciunii p-n depinde puternic de temperatur. Calitativ
aceast dependen se manifest prin creterea curentului prin jonciune, att n polarizare
direct ct i n polarizare invers, i prin modificarea tensiunii de strpungere a structurii
odat cu creterea temperaturii.
Dependena de temperatur, n polarizare direct n polarizare direct n polarizare direct n polarizare direct, a caracteristicii statice a
jonciunii p-n este dat n figura 3.9. Curentul prin jonciune depinde de temperatur att
prin intermediul mrimilor ce definesc curenii ct i prin n
i
, D
p
, D
n
, L
n
i L
p
, I
0
i I
gr 0
,
termenii exponeniali corespunztori celor dou componente ale curentului: Shockley i de
recombinare. Dependena de temperatur a celor dou componente se poate exprima prin
relaiile:
(3.69)
I
F Shockley

I
0
/const
T

exp
|
\

E
G
k T
|

exp
|
\
q V
A
k T
|

= T

exp
|
\

E
G
q V
A
k T
|

I
F recombinare

I
gr0
/const

T

exp
|
\

E
G
2 k T
|

exp
|
\
q V
A
2 k T
|

= T

exp
|
\

E
G
q V
A
2 k T
|

n care . 2, 5 i 1, 5
n domeniul curenilor medii predomin efectul componentei Shockley, iar pentru a
determina influena temperaturii asupra caracteristicii statice directe se utilizeaz
coeficientul:
(3.70) c
V
F
=
dV
F
dT
I
A
=ct.
=
d
dT

k T
q
ln
|
\
I
F
I
0
|

(
=
|
\
E
G
q T

V
F
T
|

Coeficientul este cuprins ntre , dar n practic este utilizat c

V
F
(1 3) mV/
o
C
valoarea medie de . 2 mV/
o
C
60 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
V
A
T
1
( ) I
A1
T
1
( )
A1
I T
2
A
I
T
1
T
2 <
T
2
V
A1
= ct.
Figura 3.9. Influena temperaturii asupra caracteristicii directe a jonciunii p-n.
n polarizare invers, n polarizare invers, n polarizare invers, n polarizare invers, variaia temperaturii jonciunii produce modificri ale
caracteristicii statice datorit variaiei att a curentului invers ct i a tensiunii de
strpungere.
Dependena de temperatur a curentului invers este dat n principal de , termen ce n
i
apare att n ct i n i poate fi evaluat cu relaiile: I
0
(n
i
2
) I
gr 0
(n
i
),
(3.71)
I
0
T

exp
|
\

E
G
k T
|

I
gr 0
T

exp
|
\

E
G
2 k T
|

Pentru mecanismele, ce determin caracteristica static a unei structuri, care au o

dependen de temperatur de tipul se folosete termenul de procese exp |E/(k T )|
activate termic, iar se numete energie de activare termic. n cazul nostru energia de E
activare termic pentru curentul este iar pentru este . I
0
E
G
, I
gr 0
E
G
/2
Dependena de temperatur a tensiunii de strpungere a jonciunii p-n este
determinat de tipul acesteia: prin multiplicare n avalan sau Zener. La structurile la care
strpungerea este prin multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin, tensiunea de
strpungere crete odat cu creterea temperaturii. Explicaia acestui fapt este urmtoarea.
La creterea temperaturii se accentueaz vibraia termic a atomilor din nodurile reelei
cristaline i deci drumul mediu dintre dou ciocniri consecutive scade. Pentru ca un purttor
de sarcin s acumuleze energia necesar ionizrii prin oc trebuie ca valoarea intensitii
cmpului electric n regiunea de sarcin spaial s fie mai ridicat, deci va crete cu V
BR
creterea temperaturii (figura 3.10.a.). Cnd strpungerea jonciunii este de tip Zener,
tensiunea de strpungere scade odat cu creterea temperaturii (figura 3.10.b).
I
A
I
A
V
A
V
A
0
[ A]

[pA]
0
V
BR1 BR2
V
T
1
T
2
>T
1
a.
b.
T
1
T
2
>T
1
Figura 3.10. Dependena cu temperatura a caracteristicii statice a jonciunii p-n n
polarizare invers pentru strpungere de tip: a) avalan, b) Zener.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 61
3.2.7. Regimul dinamic al jonciunii 3.2.7. Regimul dinamic al jonciunii 3.2.7. Regimul dinamic al jonciunii 3.2.7. Regimul dinamic al jonciunii p-n p-n p-n p-n
Regimul dinamic reprezint regimul de funcionare a structurii n cazul aplicrii unor
semnale de polarizare variabile n timp. Metoda cea mai folosit n analiza regimului
variabil const n stabilirea unor circuite echivalente care modeleaz comportarea jonciunii
n condiiile de lucru date i care nlocuiete structura n schema electric n care
funcioneaz. Circuitul echivalent nu este unic, el depinznd, de regul, de specificul
semnalului variabil aplicat.
n funcie de amplitudinea semnalului variabil aplicat deosebim:
regimul variabil de semnal mic ce const n aplicarea unui semnal compus dintr-un
semnal variabil de amplitudine mic suprapus peste un semnal de polarizare de
curent continuu,
regimul variabil de semnal mare ce const fie n aplicarea unui semnal compus
dintr-un semnal variabil de amplitudine mare suprapus peste un semnal de polarizare
de curent continuu, fie n aplicarea numai a unui semnal variabil de amplitudine
mare.
Una din cele mai ntlnite situaii n funcionarea dispozitivelor este cea n care
semnalul variabil de amplitudine mic este alternativ. Acest caz va fi studiat n continuare,
att n condiiile de regim cvasistaionar (frecven joas a semnalului alternativ), ct i n
condiiile unui regim nestaionar (frecvene medii i nalte ale semnalului alternativ).
Rspunsul jonciunii la semnal mic n regim cvasistaionar Rspunsul jonciunii la semnal mic n regim cvasistaionar Rspunsul jonciunii la semnal mic n regim cvasistaionar Rspunsul jonciunii la semnal mic n regim cvasistaionar
n cazul regimului variabil de semnal mic, tensiunea la bornele jonciunii este:
(3.72) v
A
(t ) = V
A
+ v
a
(t )
n prezena componentei variabile jonciunea i modific starea staionar prin
modificarea dimensiunilor regiunii de trecere, a barierei de potenial i distribuiei
purttorilor minoritari din regiunile active. Aceste procese sunt legate de variaia sarcinilor
electrice din regiunea de trecere i din regiunile active i necesit un anumit timp pentru a se
dezvolta. Dac variaia n timp a componentei , considerat a fi alternativ, este lent v
a
(t )
(cazul frecvenelor joase) se poate presupune c mrimile instantanee sunt n v
A
(t ) i i
A
(t )
aceeai relaie ca i n regim staionar, respectiv:
. (3.73) i
A
(t ) = I
0

exp
|
\
q v
A
(t )
m k T
|

1
(

(
Deci, acest mod de funcionare consider c jonciunea lucreaz n regim staionar
pentru toate strile intermediare posibile. De aceea, acest mod de funcionare se numete
regim cvasistaionar.
Funcionarea unei jonciunii p-n n cazul regimului cvasistaionar de semnal mic este
ilustrat n figura 3.11.
62 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
(t)
i
A
~
+ ++ + -
v
A
(t)
(t)
a
v
A
V
p n
v
i
V
I
v
t
t
i
A
A
A
A
a
a
0
Figura 3.11. Jonciunea p-n n regim cvasistaionar.
Condiia de semnal mic pentru jonciunea p-n se poate deduce din relaia (3.73) prin
introducerea expresiei tensiunii totale (3.72):
(3.74) i
A
(t ) = I
0
exp

q (V
A
+ v
a
(t ))
m k T
(

(
1 =I
0

exp
|
\
q V
A
m k T
|

exp
|
\
q v
a
m k T
|

1
(

(
Termenul poate fi dezvoltat n serie Taylor de puteri. Pentru a exp |q v
a
/(m k T)|
putea neglija termenii de ordin superior trebuie ndeplinit urmtoarea condiie:
(3.75) v
a
(t ) = V
a
sin ( t ) <<
m k t
q
sau V
a
<<
m k t
q
= m V
T
care definete de fapt condiia de semnal mic.
Aceast condiie permite deci aproximaia :
(3.76) exp
|
\
q v
a
m k T
|

1 +
q v
a
m k T
i deci:
(3.77)
i
A
(t ) = I
0

exp
|
\
q V
A
m k T
|

+
q v
a
m k T
exp
|
\
q V
A
m k T
|

1
(

(
=
= I
A
+I
0

exp
|
\
q V
A
m k T
|

(

q v
a
m k T
Aceast relaie arat faptul c n condiii de semnal mic se poate considera rspunsul
jonciunii ca o suprapunere a dou efecte: componenta static (ca efect al aplicrii I
A
tensiunii ) i componenta variabil (ca efect al aplicrii tensiunii ), dat de V
A
i
a
(t ) v
a
(t )
relaia:
(3.78) i
a
(t ) =
I
A
+I
0
m k T
q
v
a
(t ) =
1
R
i
v
a
(t )
Relaia de mai sus relev faptul c ntre componentele variabile ale tensiunii i
curentului exist o relaie liniar. Mrimea definit de relaia: R
i
(3.79) R
i
=
m V
T
I
0
+ I
A
I
A
>>I
0

m V
T
I
A
se numete rezistena intern sau diferenial a jonciunii.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 63
Din punct de vedere grafic, condiia de semnal mic este echivalent cu aproximarea
caracteristicii, n jurul unui punct static de funcionare M, cu tangenta la caracteristic n
acel punct:
(3.80)
1
R
i
=
dI
A
dV
A
=
I
0
m V
T
exp
|
\
V
A
m V
T
|

=
I
A
+ I
0
m V
T
n polarizare invers, curentul prin jonciune este foarte mic ( ) i I
inv
I
0
+I
gr 0
rezistena intern devine foarte mare ( ). R
i

m V
T
I
inv
+I
0
=
m V
T
I
gr 0

n cazul curenilor mari, rezistena intern devine comparabil cu rezistenele de
volum introduse de regiunile neutre, iar circuitul echivalent n regim cvasistaionar va trebui
completat i cu aceste rezistene.
Circuitul echivalent al jonciunii pentru regim cvasistaionar de semnal mic este dat
n figura 3.12.
(t) i
a
r
p
R
i
r
n
v
a
(t)
Figura 3.12. Circuitul echivalent al jonciunii p-n pentru
regim cvasistaionar de semnal mic.
Circuitul echivalent de semnal mic al jonciunii n regim nestaionar Circuitul echivalent de semnal mic al jonciunii n regim nestaionar Circuitul echivalent de semnal mic al jonciunii n regim nestaionar Circuitul echivalent de semnal mic al jonciunii n regim nestaionar
Cnd componenta variabil are variaii rapide, viteza de variaie este mare, iar n
dv
a
dt
jonciunea p-n apar efecte dinamice, legate de variaia n timp a sarcinii electrice din
regiunile active i din regiunea de trecere.
Modelul echivalent al jonciunii n regim nestaionar de semnal mic se determin
folosind aa-numita metod de analiz de control prin sarcin al crei rezultat este cunoscut
sub numele de modelul de control prin sarcin. n determinarea acestuia se neglijeaz
urmtoarele surse de ntrziere ale semnalului:
ntrzierea curenilor de drift i difuzie prin regiunile neutre ale jonciunii p-n,
ntrzierea curenilor de drift i difuzie prin regiunea de sarcin spaial,
ntrzierea datorat fenomenelor de captur i generare n centrele de defect
interband situate n toate regiunile jonciunii.
n conformitate cu metoda mai sus menionat, elementele modelului echivalent al
jonciunii n regim nestaionar de semnal mic se determin prin diferenierea curentului i
sarcinii prin jonciune funcie de tensiunea aplicat.
Curentul prin structur n condiiile unui regim variabil este:
(3.81) i
A
(t ) =
curentul Shockley
I
0

exp
|
\
q v
A
k T
|

1
(

+
curentul de generare-recombinare
I
grv0

exp
|
\
q v
A
2 k T
|

1
(

+
curentul de deplasare
A
j

E
t
64 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Aceast relaie este justificat de condiia de cvasiechilibru ce rmne valabil pn
la frecvene foarte nalte, deoarece traversarea regiunii de sarcin spaial de ctre purttorii
de sarcin se face ntr-un timp foarte scurt ( ). Deosebirea ce apare n distribuiile 10
11
s
purttorilor de sarcin din regiunile active fa de regimul cvasistatic const n faptul c
acestea nu mai pot urmri modul de variaie al concentraiilor , respectiv . p
n
(l
n
) n
p(l
p)
Acest lucru, relevat n figura 3.13, se datoreaz faptului c modificarea distribuiilor se
realizeaz prin fenomene de generare-recombinare, fenomene relativ lente.

x
t
0
p
n
p
n
(V )
A
l
n
t
x
n
-l
p
p
n
p
(V )
A
p
n0
n
p0
0
i
R
C
d
d
id
Figura 3.13. Modul de variaie n timp a distribuiei spaiale a concentraiilor de
goluri respectiv electroni.
Folosind relaia (3.81) se obin conductanele corespunztoare fenomenelor de difuzie
din cele dou regiuni active i de generare-recombinare din regiunea de sarcin spaial:
(3.82)
G
p
= q A
j

|
\
L
p
p
n0

p
|

|
\
q
k T
|

exp
|
\
q v
A
k T
|

=
q A
j
k T
J
p0
exp
|
\
q v
A
k T
|

G
n
= q A
j

|
\
L
n
n
p0

n
|

|
\
q
k T
|

exp
|
\
q v
A
k T
|

=
q A
j
k T
J
n0
exp
|
\
q v
A
k T
|

G
gr
=
|
\
q A
j

n
i
2
0
l
|

|
\
q
2 k T
|

exp
|
\
q v
A
2 k T
|

+
+
|
\
q A
j

n
i
2
0
|

exp
|
\
q v
A
2 k T
|

1
(

dl
dv
A
Relaiile (3.82) relev faptul c putem asocia curentului Shockley rezistena:
, (3.83) R
Shockley

V
T
I
0
+I
AShockley
iar curentului de generare-recombinare de volum rezistena:
(3.84) R
gr

2 V
T
I
grv
1 +
I
grv0
I
grv
+
V
T
V
A

B0
Conductana total a jonciunii este suma conductanelor celor trei zone:
(3.85) G = G
Shockley
+ G
gr
Elementele capacitive, corespunztoare fenomenelor de difuzie din regiunile active i
de generare-recombinare din regiunea de sarcin spaial, se determin cu relaiile:
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 65
(3.86)
C
p
=
dQ
p
dv
A
A
j

q
V
T
p
n 0
L
p
exp
|
\
V
A
V
T
|

= G
p

p
C
n
=
dQ
n
dv
A
A
j

q
V
T
n
p 0
L
n
exp
|
\
V
A
V
T
|

= G
n

n
C
gr
=
dQ
gr
dv
A
A
j

q
2 V
T
n
i
l exp
|
\
V
A
2 V
T
|

+
+ A
j
q n
i

exp
|
\
V
A
2 V
T
|

1
(

(

dl
dv
A
= G
gr
2
0
n care i reprezint sarcinile minoritare acumulate n exces fa de situaia Q
p
Q
n
echilibrului termodinamic n regiunile active de tip p, respeciv n, date de relaiile:
, (3.87)
Q
p
= q A
j

ln

|p
n
(x) p
n 0
| dx = q p
n0
L
p

exp
|
\
V
A
V
T
|

1
(

(
Q
n
= q A
j

l
p
|n
p
(x) n
p0
| dx = q n
p 0
L
n

exp
|
\
V
A
V
T
|

1
(

(
iar reprezint sarcina electronilor i golurilor din regiunea de trecere, dat de relaia: Q
gr
(3.88) Q
gr
= q

lp
0
n
p
(x)dx + q

0
ln
p
n
(x)dx = q n
i
l

exp
|
\
V
A
2 V
T
|

1
(

(
obinut prin folosirea relaiei (3.51) pentru concentraiile purttorilor de sarcin.
n literatura de specialitate capacitatea ce modeleaz variaiile sarcinii electrice din
regiunile active este numit capacitate de difuzie, : C
d
(3.89) C
d
= C
n
+C
p
= G
n

n
+ G
p

p
G
Shockley


0
2
=

o
2 R
Shockley
=

o
(I
Ad
+I
od
)
2 V
T
Elementele conductive i capacitive ale modelului de regim nestaionar de semnal
mic datorate componentelor de curent Shockley i de generare-reconbinare au valori
semnificative n polarizare direct, iar n polarizare invers efectul lor este neglijabil.
Curentul de deplasare depinde de distribuia cmpului electric. Pentru o variaie mic
a tensiunii de polarizare regiunea de sarcina spaial sufer o modificare a lrgimii ei dv
A
dl
, iar cmpul electric o variaie a intensitii (figura 3.14). dE
dE
x
E
i
deplasare
b
C
jonciune nesimetric
l >>l
n
p
dl
Figura 3.14. Modificarea intensitii cmpului electric i a lrgimii regiunii de sarcin
spaial n cazul unei modificri a tensiunii aplicate jonciunii p-n. dv
A
Modificarea lrgimii regiunii de sarcin spaial conduce la variaia sarcinii din
volumul : A
j
l
(3.90) dQ
B
= q A
j
N
A
dl
p
+ q A
j
N
D
dl
n
= q A
j

N
A
N
D
N
A
+ N
D
dl
66 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Elementul capacitiv asociat acestui fenomen este dat de relaia urmtoare:
(3.91)
C
b
=
dQ
B
dv
A
= q A
j

N
A
N
D
N
A
+N
D

dl
dv
A
=
A
j
l

C
b0
1
V
A

B0
C
b 0
=
A
j
l
0
i poart denumirea de capacitate de barier.
Efectul acestui element capacitiv al circuitului echivalent este pregnant n polarizare
invers. n polarizare direct capacitatea de barier se poate neglija.
n consecin, circuitul echivalent corespunztor fenomenelor fizice din regiunile
active i de sarcin spaial ale jonciunii p-n este format dintr-o rezisten intern (care R
i
ine seama de efectele staionare ale tuturor componentelor curentului) i o capacitate
, toate n paralel. n funcie de polarizarea n curent continuu a C
j
= C
d
+C
gr
+ C
b
C
d
+ C
b
jonciunii p-n acest circuit echivalent capt forme particulare. Figura 3.15 prezint aceste
forme particulare. Se observ c elementele datorate componentei de generare-recombinare
a curentului au fost neglijate datorit faptului c mrimile lor sunt neglijabile att n
comparaie cu elementele datorate componentei Shockley ct i cu capacitatea de barier.
R
i
C
b
C
d
C
d
n polarizare direct ( 0,6 0,7 V )
R
i
n polarizare invers
C
b
Figura 3.15. Circuitul echivalent de semnal mic n regim nestaionar corespunztor
structurii active a jonciunii.
La nivele mari de injecie schema echivalent a jonciunii prezentat n figura 3.15 se
completeaz cu rezistenele serie de volum ale regiunilor neutre n i p, . Suma R
sn
i R
sp
acestor dou rezistene se noteaz cu i poart denumirea de rezisten serie a structurii. R
S
Figura 3.16 prezint circuitul echivalent complet al jonciunii p-n pentru regim nestaionar
de semnal mic. Acest circuit este valabil pentru frecvene . < 1/
0
R
i
R
S
C + C =
d j b
C
Figura 3.16 Circuitul echivalent complet al jonciunii p-n pentru regim nestaionar de
semnal mic.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 67
Jonciunea p-n n regim variabil de semnal mare Jonciunea p-n n regim variabil de semnal mare Jonciunea p-n n regim variabil de semnal mare Jonciunea p-n n regim variabil de semnal mare
Pentru amplitudini mari ale semnalului variabil curentul prin jonciune i V
a
tensiunea aplicat acesteia se modific n limite largi. La frecvene joase ale semnalului,
adic pentru regim cvasistaionar, analiza se poate face grafic pe caracteristica static a
jonciunii p-n, aa cum este ilustrat n figura 3.17.
Jonciunea p-n n regim cvasistaionar de semnal mare este un element neliniar,
caracterizat prin conducia curentului practic numai ntr-un singur sens. Modelarea
comportrii jonciunii n acest caz se realizeaz, n mod uzual, prin aproximarea
caracteristicii statice prin dou segmente de dreapt. Tensiunea la care are loc mbinarea
celor dou drepte, precum i panta dreptei situat n ntregime n domeniul tensiunilor
pozitive determin elementele modelului de semnal mare i regim cvasistaionar . V
D
i R
D
v
v
R
D
V
D A
A
i
>
n polarizare direct
V
D
R
D
A
+
-
Figura 3.17. Modelul de semnal mare i regim cvasistaionar al jonciunii p-n.
3.3. Heterojonciunea 3.3. Heterojonciunea 3.3. Heterojonciunea 3.3. Heterojonciunea m mm metal-semiconductor etal-semiconductor etal-semiconductor etal-semiconductor
Contactul metal-semiconductor este o structur fizic ce intr n componena tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa funcie este de a contacta diverse regiuni
semiconductoare n vederea conectrii terminalelor capsulei. n acest caz contactul trebuie
s prezinte o rezisten foarte mic n ambele sensuri de polarizare; un astfel de contact se
numete contact ohmic.
Contactul metal-semiconductor poate avea i conducie unilateral, caz n care poart
denumirea de contact redresor. Contactele redresoare stau la baza construciei diodelor
Schottky. Proprietile contactului metal-semiconductor au fost descoperite de F. Braun nc
din 1874, dar teoria heterojonciunilor metal-semiconductor (M-S) redresoare a fost corect
dezvoltat abia n 1942 de Hans Bethe i nu de Schottky-Mott-Davydov cum greit apare n
multe publicaii. Datorit propagrii pe scar larg a acestei confuzii diodele a cror
structur se bazeaz pe contactul M-S redresor au fost numite diode Schottky i nu diode
Bethe aa cum ar fi fost normal. Folosirea pe scar a diodelor Schottky pentru comutarea
rapid ntr-o gam larg de cureni a nceput n anii 1980. Problemele de reproductibilitate
i uniformitate a performanelor contactului M-S redresor au restrns folosirea acestuia
numai n structurile dispozitivelor discrete, nepermind utilizarea lui n circuitele integrate
pe scar larg. O alt aplicaie a heterojonciunilor M-S este reprezentat de jonciunea de
gril a tranzistoarelor MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) folosite cu
68 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
precdere n domeniul microundelor i a cror integrare pe scar larg a nceput timid n
1991 dup cteva decade de eforturi ale inginerilor fizicieni.
Obinerea funciei ohmice

sau redresoare a contactului metal-semiconductor se face
prin alegerea metalului, a semiconductorului i a gradului de impurificare.
3.3.1. Diagrama energetic a contactului metal-semiconductor la 3.3.1. Diagrama energetic a contactului metal-semiconductor la 3.3.1. Diagrama energetic a contactului metal-semiconductor la 3.3.1. Diagrama energetic a contactului metal-semiconductor la
echilibru termic echilibru termic echilibru termic echilibru termic
Determinarea diagramei energetice a contactului M-S la echilibru termic este util
deoarece aceasta este utilizat n determinarea caracteristicilor statice, de semnal mic i de
comutaie ale heterojonciunilor M-S redresoare.
Primul pas n construirea diagramei la echilibru termodinamic pentru contactul Ex
M-S const n relevarea diagramelor energetice ale metalului i semiconductorului n Ex
vecintatea suprafeei.
Diagrama energetic a semiconductorului n vecintatea suprafeei Diagrama energetic a semiconductorului n vecintatea suprafeei Diagrama energetic a semiconductorului n vecintatea suprafeei Diagrama energetic a semiconductorului n vecintatea suprafeei
Suprafaa semiconductorului reprezint o discontinuitate a structurii periodice din
interiorul monocristalului deoarece, pe lng faptul c atomii de la suprafaa
semiconductorului nu mai au vecini n exterior pentru formarea legturilor covalente,
aceasta este i sediul unor centre de defect de tip impuritate. Aceste defecte, ce afecteaz
continuitatea i puritatea semiconductorului n vecintatea suprafeei, se traduc prin apariia
n banda interzis a unor nivele energetice numite stri rapide de suprafa. Aceste nivele
energetice sunt relativ dese, iar numrul lor pe unitatea de suprafa i energie se numete
densitate energetic i se noteaz cu . Aa cum este ilustrat n figura 3.18, la echilibru D
st
termodinamic numai poriunea din strile rapide de suprafa este ocupat cu q
0
electronii de la suprafaa semiconductorului.
E
E
C
V
q

0

E
G
Figura 3.18. Ocuparea cu electroni a strilor rapide de suprafa.
Existena strilor rapide de suprafa produce modificri n regiunea adiacent
acestora, modificri ce nseamn de fapt apariia unei regiuni de sarcin spaial (numit i
regiune golit). Mecanismul formrii regiunii golite este prezentat n continuare pentru
ambele tipuri de semiconductoare n i p.
Pentru semiconductoarele de tip n, electronii de conducie din apropierea suprafeei
tind s ocupe strile rapide de suprafa i deci, pe msur ce acestea se ocup cu electroni,
la suprafa se acumuleaz sarcin negativ, iar n regiunea din vecintatea suprafeei, prin
plecarea electronilor, vom avea o sarcin pozitiv, egal cu cea negativ a suprafeei,
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 69
datorat ionilor donori. Apariia acestei regiuni golite, cu sarcin spaial de semn contrar
celei de la suprafaa semiconductorului, determin apariia unui cmp electric care se opune
transferului de electroni la suprafa. Astfel la echilibru numai o fraciune din strile rapide
de suprafa sunt ocupate cu electroni. Aceast situaie este ilustat n figura 3.19.a.
Lrgimea regiunii de sarcin spaial se determin din condiia de neutralitate global a
semiconductorului:
(3.92)
s
= q N
D
l
n 0
n care reprezint lrgimea regiunii de sarcin spaial la echilibru termic, iar l
n 0

s
reprezint densitatea superficial a sarcinii negative de la suprafa.
Densitatea superficial a sarcinii negative de la suprafa este dat de expresia:
(3.93)
s
= q D
st
(E
G
q
0
q
Bn
)
n care reprezint nlimea barierei de potenial pentru electroni n sensul dinspre
Bn
exterior spre semiconductor.
Pentru semiconductoarele de tip p, electronii care ocupau deja strile rapide de
suprafa din intervalul trec n banda de valen ocupnd nivelele energetice libere. q
0
Astfel, prin ionizarea impuritilor acceptoare, n vecintatea suprafeei apare o sarcin
spaial negativ, iar la suprafaa semiconductorului de tip p se acumuleaz sarcin pozitiv
(golurile ce ocup strile rapide de suprafa). Aceast situaie este ilustrat n figura 3.19.
La fel ca n cazul precedent lrgimea regiunii de golire se determin pornind de la condiia
de neutralitate global a semiconductorului:
(3.94) q D
st

(
q
0
q
Bp
)
= q N
A
l
p0
n care reprezint nlimea barierei energetice pentru goluri n sensul dinspre exterior
Bp
spre semiconductor.
.
+
+
+
+
+
+
+
+
E
S
n
l '
E
C
E
F
E
G
E
V
n0
0
+
+
+
+
-
-
-
-
E
S
p
l '
p0
0
E
C
E
F
E
V
q
Bn
'
.
0
q
.
0
q
.
q
Bp
'
.
x x
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Figura 3.19. Diagramele , la echilibru termodinamic, la suprafaa unui Ex
semiconductor intrinsec: a) de tip n; b) de tip p.
70 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Diagrama energetic a Diagrama energetic a Diagrama energetic a Diagrama energetic a metalelor metalelor metalelor metalelor la echilibru termic la echilibru termic la echilibru termic la echilibru termic
Metalele au o diagram energetic relativ simpl. Ele prezint o band de conducie
ocupat cu electroni pn n dreptul nivelului Fermi aa cum relev figura 3.20. Mrimea
notat cu n aceast figur se numete energia de extracie a electronilor din metal E
M
("electron work function in the metal"):
(3.95) E
M
= q
M
=E
VL
E
FM0
i reprezint energia ce trebuie consumat n scopul extragerii unui electron din metal i
deplasrii lui la infinit. n relaia (3.95) cu s-a notat nivelul energetic al vidului. E
VL
E
E
VL
E
FM0
E=q
M

.
x
Figura 3.20. Diagrama energetic a unui metal. Ex
Prin contactul dintre metal i semiconductor au loc transferuri de electroni ntre cele
dou pri care modific barierele energetice i sarcinile nete de la suprafaa de contact i
din vecintatea semiconductoare a acesteia .
Condiia de echilibru termic impune ca nivelul Fermi s fie constant n toat
structura.
Contactul metal-semiconductor de tip n Contactul metal-semiconductor de tip n Contactul metal-semiconductor de tip n Contactul metal-semiconductor de tip n
Contactul metal-semiconductor de tip n poate s aib att un caracter redresor ct i
unul ohmic. Pentru obinerea unui caracter redresor util caracter redresor util caracter redresor util caracter redresor util metalul folosit trebuie s prezinte
o energie de extracie a electronilor din metal mare. Pentru a descrie cantitativ ct de mare
trebuie s fie se definete, n mod similar, i pentru semiconductor energia de extracie a E
M
electronilor din semiconductorul de tip n:
(3.96) E
Sn
= q
Sn
=E
VL
E
Fn
Astfel, pentru obinerea unui caracter redresor util trebuie ca , fapt ce E
M
>E
Sn
faciliteaz obinerea unei bariere de potenial importante, necesar pentru restricionarea
transferului de purttori majoritari ntre cele dou regiuni. Transferul electronilor ntre cele
dou regiuni const n trecerea acestora din banda de conducie a semiconductorului spre
metal i din metal spre strile rapide neocupate de la suprafa. Aceste transferuri
accentueaz starea de golire de purttori majoritari a regiunii din vecintatea suprafeei i
deci intensitatea cmpului electric intern crete. Diferena intern de potenial pe care o
ntmpin electronii ce trec dinspre semiconductor spre metal poart denumirea de barier
de potenial de contact i se noteaz cu . nlimea barierei de potenial pe care o V
bi
ntmpin electronii ce trec dinspre metal spre semiconductor se noteaz cu i reprezint
B
principala caracteristic a acestui tip de contact.
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 71
n figura 3.21 este ilustrat diagrama benzilor energetice la echilibru termodinamic
corespunztoare heterojonciunii metal-semiconductor de tip n i modul de construcie al
acesteia.
M
Semiconductor
de tip n
a.
E
C
E
V
E
Fn
E
S0
E
FM
E
VL
E
M
q
.
S
E
-
-
-
-
-
-
+ +
+ +
Semiconductor
de tip n
M
+ +
x
-
-
-
-
-
-
+ +
+ +
Semiconductor
de tip n
M
+ +
b.
E
S0
E
M
E
FM
E
V
q

.
S
B
q
. q V
.
bi
q
.
S
E
F0
E
C
E
VLR
E
VLL
n0
l
x
b.
E
S0
E
M
E
FM
E
V
q

.
S
B
q
. q V
.
bi
q
.
S
E
F0
E
C
E
VLR
E
VLL
E
n0
l
x
Figura 3.21. Diagrama benzilor energetice a contactului metal-semiconductor de tip n.
Pe aceast diagram s-au folosit nivele energetice diferite de referin pentru Ex
metal i pentru semiconductor. Diferena ntre cele dou nivele este egal cu diferena ntre
energiile de extracie ntre metal i semiconductor:
(3.97) E
VLL
E
VLR
=E
M
E
Sn
Lrgimea regiunii de golire se poate determina folosind urmtoarea relaie:
(3.98) l
n 0
=
2
q

1
N
D
V
bi
Caracterul ohmic pentru contactul metal-semiconductor de tip n poate fi obinut pe
dou ci:
prin micorarea pn la anulare a barierei de potenial de contact prin alegerea V
bi
unui metal cu o energie de extracie mic (de exemplu Al); condiia de V
bi
= 0
necesar obinerii unui contact ohmic ideal poart numele de condiie de benzi
netede;
prin doparea puternic a semiconductorului astfel nct lrgimea regiunii de sarcin
spaial s devin suficient de mic, i deci transferul de electroni ntre cele dou
regiuni s se realizeze prin efect de tunel.
72 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
Contactul metal-semiconductor de tip p Contactul metal-semiconductor de tip p Contactul metal-semiconductor de tip p Contactul metal-semiconductor de tip p
Contactul metal-semiconductor de tip p are n mod natural un caracter ohmic.
Aceasta pentru c:
semiconductorul fiind de tip p, electronii acestuia sunt purttori minoritari i nivelul
transferului lor n metal este extrem de redus, iar
electronii transferai din metal ocup strile rapide de suprafa, conducnd la
micorarea sarcinii pozitive existente aici nainte de contact.
Din aceste motive poate chiar s apar la suprafaa de contact un excedent de sarcin
negativ ce conduce la dispariia regiunii golite de barier i formarea unui strat de
acumulare de goluri n imediata vecintate a suprafeei aa cum este ilustrat n figura 3.22.
p
+
M (p) S
E
E
E
C
F
V
q
B
.
Figura 3.22 Contactul metal-semiconductor de tip p.
3.3.2. 3.3.2. 3.3.2. 3.3.2. Caracteristica static a heterojonciunii Caracteristica static a heterojonciunii Caracteristica static a heterojonciunii Caracteristica static a heterojonciunii metal-semiconductor metal-semiconductor metal-semiconductor metal-semiconductor
Descrierea corect a comportrii heterojonciunii metal-semiconductor n regim de
polarizare electric a fost fcut de Bethe, iar modelarea dezvoltat de acesta este cunoscut
sub denumirea de teoria emisiei.
Caracteristica static a heteojonciunii metal-semiconductor de tip n Caracteristica static a heteojonciunii metal-semiconductor de tip n Caracteristica static a heteojonciunii metal-semiconductor de tip n Caracteristica static a heteojonciunii metal-semiconductor de tip n
Diagrama simplificat a benzilor energetice corespunztoare polarizrii acestei
heterojonciuni este ilustrat n figura 3.23. Pe aceast caracteristic se observ c nlimea
barierei de potenial pentru electronii ce trec dinspre metal spre semiconductor este
independent de polarizare, valoarea sa fiind egal cu cea corespunztoare situaiei de
echilibru termodinamic , iar nlimea barierei de potenial pentru electronii ce trec
B
dinspre semiconductor spre metal este , deci dependent de polarizare. nlimea V
bi
V
A
barierei de potenial pentru electronii ce trec dinspre semiconductor spre metal scade n
polarizare direct ( ) i crete n polarizare invers ( ). V
bi
V
F
V
bi
+V
R
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 73
Semiconductor
de tip n
M M
S
n
a. b.
E
Fn
E
FM
E
VLL
E
V
E
C
q
.

B
E
M
E
q (V -V )
bi F
.
E
VLR
E
Fn
E
FM
E
VLL
E
V
E
C
q
.

B
n
l
x
E
M
E
q (V -V )
bi F
.
E
FM
E
VLL
q
.

B
E
M
E
q (V +V )
bi R
.
E
VLR
E
Fn
E
FM
E
VLL
E
V
E
C
q
.

B
n
l
x
E
M
E
Figura 3.23. Diagrama n regim de polarizare electric: Ex
a) polarizare direct; b) polarizare invers.
Curentul prin structur este rezultatul superpoziiei a doi cureni:
curentul de electroni dinspre metal spre semiconductor, notat cu , i care, dup I
MS
cum am artat mai sus, nu depinde de polarizare, respectiv
curentul de electroni dinspre semiconductor spre metal, notat cu , a crui valoare I
SM
este dependent de polarizare.
Deci:
. (3.99) I
A
= I
SM
I
MS
Curentul este dat, n conformitate cu teoria emisiei, de ecuaia cunoscut sub I
MS
denumirea de ecuaia Richardson-Dushman:
(3.100) I
MS
= A
j
J
TH
exp
|
\
q
B
k T
|

n care reprezint aa numitul coeficient de curent termoelectronic definit prin relaia: J

TH
(3.101) J
TH
= 120
|
\
m

m
|

T
2
= A

T
2

A/cm
2
(

Curentul este format din electronii ce posed o energie mai mare ca I

SM
i viteza imprimat de cmpul electric din semiconductor. Astfel: q (V
bi
V
A
) v
x
(3.102) I
SM
= A
j
(q)

(v
x
)dn
n care reprezint densitatea electonilor dat de relaia: dn
(3.103) dn = f (E) 2
1
(2 )
3
dk
x
dk
y
dk
z
cu funcia de distribuie Fermi-Dirac. f (E)
n urma efecturii calculelor se obine:
(3.104) I
SM
= A
j
J
TH
exp

q (
B
V
A
)
k T
(

(
74 Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide
n consecin curentul prin structur este:
(3.105) I
A
= I
SM
I
MS
= I
MS

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
n figura 3.24.a este reprezentat calitativ caracteristica static a heterojonciunii
metal-semiconductor de tip n cu caracter redresor.
I
MS
0,3 V
I
A I
A
V
A
V
A
0 0
a.
b.
Figura 3.24. Caracteristica static a heterojonciunii metal-semiconductor de tip n
cu caracter: a) redresor; b) ohmic.
n cazul contactului metal-semiconductor de tip n cu caracter ohmic, obinut prin
doparea puternic a semiconductorului, ecuaia caracteristicii statice este:
(3.106) I
A
= A
J
J
TN

exp
|
\
q V
A
k T
|

1
(

(
n care reprezint coeficientul de curent de tunel. este cu cteva ordine de mrime J
TN
J
TN
mai mare dect J
TH.
n figura 3.24.b este reprezentat caracteristica static ce corespunde acestui tip de
heterojonciune.
Contactul metal-semiconductor de tip p Contactul metal-semiconductor de tip p Contactul metal-semiconductor de tip p Contactul metal-semiconductor de tip p
Contactul metal-semiconductor de tip p are caracteristica static bidirecional.
Aceasta poate s fie aproximat prin:
(3.107) I
A
=
1
R
C
V
A
n care reprezint rezistena intern a structurii. R
C
Rezistena este de valoare mic. R
C
Cap. 3. Jonciuni ale corpurilor solide 75