P. 1
Circuite Integrate

Circuite Integrate

|Views: 167|Likes:
Published by fasolăi
Circuite Integrate
Circuite Integrate

More info:

Published by: fasolăi on Feb 18, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

06/01/2013

pdf

text

original

circuite integrate..........................................................................................1 Noţiuni generale .........................................................................................

1
7.2 Codificarea circuitelor integrate ..............................................................4

ГС.................................................................................................................4 гф..................................................................................................................4 Ха..................................................................................................................5 хл..................................................................................................................5 хк..................................................................................................................5 ли..................................................................................................................6 лл..................................................................................................................6 лн..................................................................................................................6 лс...................................................................................................................6 ла..................................................................................................................6 ле...................................................................................................................6 лр..................................................................................................................6 тл.................................................................................................................6 тд.................................................................................................................6 тт................................................................................................................6 тр.................................................................................................................6 тм.................................................................................................................6 тв..................................................................................................................6 ир..................................................................................................................6 им..................................................................................................................6 ие...................................................................................................................6 ив...................................................................................................................7
1

ид..................................................................................................................7 рм..................................................................................................................7 ру...................................................................................................................7 рв...................................................................................................................7 ре...................................................................................................................7 рп..................................................................................................................7 Tehnologia circuitelor integrate..................................................................7 Tehnologia circuitelor integrate bipolare .................................................7 7.3.1.Tehnologia circuitelor integrate unipolare ....................................10 7.3.2.Tehnologia circuitelor integrate hibride..........................................15

2

CIRCUITE INTEGRATE Noţiuni generale Dezvoltarea electronicii este însoţită de câteva tendinţe:

  

sofisticarea dispozitivelor şi sistemelor, care rezultă din multiplicarea funcţiilor solicitate de practică; creşterea numărului elementelor în dispozitiv;

cresc cerinţele faţă de dispozitive, şi anume faţă de fiabilitate, energia consumată, gabarite şi masă. În aşa mod apar contradicţii între cerinţele faţă de calitate şi creşterea numărului de elemente, care duce la scăderea fiabilităţii şi creşterea puterii consumate, gabaritelor şi masei. Soluţia a fost găsită în elaborarea dispozitivelor microelectronice. Microelectronica este un domeniu aparte al electronicii, care este preocupat de proiectarea, fabricarea şi aplicarea dispozitivelor microelectronice – circuitelor integrate. La baza microelectronicii se află principiul integral de fabricare şi utilizare. Circuitul integrat este un microcircuit, în care elementele circuitului (rezistenţe, capacităţi, inductanţe, diode, tranzistoare etc.) sunt asociate rigid în unităţi funcţionale şi pot fi utilizate numai ca atare, nu şi ca piese separate, şi au o capsulă pentru a proteja de factorii externi. Circuitele integrate se deosebesc după principiul constructiv – tehnologic: monolitice şi peliculare (vezi fig.7.1). În circuitele monolitice toate elementele sunt realizate într-un cristal semiconductor printr-un proces tehnologic unic. Elementul de bază în circuitele integrate semiconductoare poate fi tranzistorul bipolar sau tranzistorul unipolar (cu efect de câmp), şi circuitele pot fi, respectiv, bipolare sau unipolare. În circuitele integrate peliculare hibride elementele pasive (rezistenţe, capacităţi, inductanţe) sunt realizate pe suprafaţa substratului de mică sau sticlă din pelicule conductoare, rezistive şi izolatoare, iar elementele active, confecţionate în cristale semiconductoare (chip), sunt montate sub aceeaşi capsulă. Circuitele optoelectronice sunt constituite din emiţătoare, conductoare şi receptoare optice:  emiţătoare optice (surse de lumină):  lasere,  diode luminiscente;  fotoreceptoare:  fotorezistor,  fotodiodă,


 canal optic:

fototranzistor; ghid optic,

fibră optică. După principiul funcţional circuitele integrate se împart în două clase mari: circuite integrate digitale şi circuite integrate analogice (liniare). Nivelul de sofisticare a circuitelor integrate este caracterizat prin gradul de integrare: k=lgN, (7.1)

 

1

unde N − este numărul de elemente pe aria unui chip. De regulă valoarea k este rotunjit până la număr întreg (în partea mai mare). În aşa mod dacă numărul de elemente în circuitul integrat este până la 10 circuitul este de primul grad de integrare, de la 11 până la 100 − gradul doi de integrare etc. Circuitele cu k=3÷ 5 formează grupa circuitelor integrate mari, iar pentru k>5 – circuite integrate foarte mari. Din anul 1959, care poate fi considerat începutul erei circuitelor integrate, până la momentul actual dimensiunea specifică a elementului în cristalul semiconductor a scăzut cu câteva ordine până la 0,13 µm. Simultan numărul de elemente în chip a atins valori de circa mii, zeci şi sute de mii, milioane. Spre exemplu, dacă circuitul integrat al microprocesorului Intel 8080, apărut în anul 1974, conţine circa 4000 de tranzistoare; atunci procesoarele Intel Pentium apărute în anul 1993 conţine circa 3100000 tranzistoare.

2

diode
Tranzistoare bipolare Tranzistoare cu efect de câmp

Circuite integrate bipolare Circuite integrate unipolare

Circuite integrate monolitice

Circuite integrate hibride

lasere
receptoare optice

ghid optic fibră optică

3

Fig.7.1. Clasificarea dispozitivelor microelectronice

Di sp ozi tiv e dis cr ete

Ci rc uit e int eg rat e

disp ozit ive mic roel ectr onic e

Ci rc uit e opt oel ect ro nic e

7.2 CODIFICAREA CIRCUITELOR INTEGRATE Codurile circuitelor integrate (fabricate în U.R.S.S.) conţin informaţie despre realizarea constructivă şi tehnologică, despre posibilităţile funcţionale şi parametrii aparatului concret. Codul include patru elemente (de exemplu K140УД8A sau 155TM2): elementul→ I 1 1 II 55 40 III ТМ УД IV 2 8


К


А

Primul element este o cifră, care indică realizarea constructiv–tehnologică:  cifrele 1, 5, 6, 7 −reprezintă circuitul integrat monolitic,  cifrele 2, 4, 8 −reprezintă circuit integrat hibrid. Al doilea element conţine două cifre, care indică numărul curent al elaborării tehnologice. Primele două elemente împreună formează codul (numărul) seriei. Elementul al treilea constă din două litere, care reprezintă posibilităţile funcţionale ale circuitului integrat:  prima literă indică subgrupa funcţională a circuitului integrat,  a două literă indică tipul circuitului. Clasificarea circuitelor integrate şi codurile respective sunt prezentate în tabelul 5.1. Ultima poziţie, a patra, reprezintă numărul de ordine al elaborării schemei funcţionale şi este formată din câteva cifre. Suplimentar codul poate conţine la început litera K, care este atribuită circuitelor integrate de uz larg, iar la sfârşit o literă, care deosebesc circuitele integrate de acelaşi tip cu diferite valori ale parametrilor. În alte ţări fiecare firmă producătoare are sistemul său de codificare, care este prezentat în cataloagele respective. Tabelul 7. 1. Clasificarea funcţională a circuitelor integrate N d/o 1 Posibilităţile funcţionale ale circuitului integrat 2 Generatoare: 1.1. 1.2. 1.3. 1.4. 1.5. de semnale armonice de funcţii speciale de impulsuri dreptunghiulare de semnale liniar variabile zgomot Detectoare: 2.1. 2.2. de amplitudine de frecvenţă ДА ДС ГС ГФ ГГ ГЛ ГМ обозначение 3

1

2

4

2.3. 2.4.

de fază de impulsuri Modulatoare:

ДФ ДИ

3
3.1. 3.2. 3.3. 3.4. de amplitudine de frecvenţă de fază de impulsuri Convertoare: 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 4.5. 4.6. 4.7. 4.8. de frecvenţă de fază de impulsuri (durată) de tensiune de putere de nivel digital-analogic analogic-digital Amplificatoare: 5.1. 5.2. 5.3. 5.4. 5.5. 5.6. 5.7. 5.8. de semnal sinusoidal de curent continuu de impulsuri de frecvenţe înalte de joase frecvenţe de frecvenţe medii repetitoare operaţionale şi diferenţiale Linii de întârziere: 6.1. 6.2. 1 pasive active 2 Filtre: 7.1. 7.2. 7.3. 7.4. de frecvenţe înalte de joase frecvenţe de bandă de rejecţie Dispozitive multifuncţionale: 8.1. 8.2. 8.3. analogice digitale combinate ХА ХЛ ХК ФВ ФН ФЕ ФР БМ БР 3 УС УТ УИ УВ УН УР УЕ УД ПС ПФ ПД ПН ПМ ПУ ПА ПВ МА МС МФ МИ

4

5

6

7

8

5

9
Porţi logice: 9.1. AND 9.2. OR 9.3. NOT 9.4. AND-OR 9.5. NAND 9.6. NOR 9.7. NAND-OR ЛР ЛЕ ЛА ЛС ЛН ЛЛ ЛИ

10
Bistabile: 10.1. Schmitt 10.2. dinamice 10.3. T 10.4. RS 10.5. D 10.6. JK ТВ ТМ ТР ТТ ТД ТЛ

11
Circuite combinaţionale şi secvenţiale 11.1. registre 11.2. sumatoare 11.3. numărătoare ИЕ ИМ ИР

6

11.4. codificatoare 11.5. decodificatoare

ИВ ИД

12
Memorie: 12.1. matrice RAM 12.2. matrice RAM cu circuit de comandă 12.3. matrice ROM 12.4. matrice ROM cu circuit de comandă 12.5. RAM cu circuit de comandă Tehnologia circuitelor integrate РМ

peliculă SiO2 РУ plachetă Si de tip РВ p găuri în SiO2
РЕ РП

a

p

b

n c p tranzistorul integrat bipolar Circuitele integrate bipolare, de regulă, au ca element de bază
de tip n-p-n, fapt care se explică prin o viteză de funcţionare mai înaltă în comparaţie cu tranzistorul de tip p-n-p şi posibilitatea obţinerii unui factor α mai înalt. Ambele avantaje ale p p tranzistorului de tip n-p-n sunt cauzate de mobilitatea mai înaltă a electronilor în comparaţie cu d n n golurile. Valori mai înalte pentru factorul α se obţin prin folosirea fosforului în calitate de p impuritate donoare inserată în cristalul de siliciu prin procesul de difuziune. Solubilitatea fosforului în siliciu este net superioară şi se pot obţine domeniile emitoarelor cu nivel înalt de n n dopare (în comparaţie cu domeniul bazei) pentru obţinerea factorului de injecţie γ înalt şi, prin p p urmare, a factorului de transfer α înalt. e n n Circuitele integrate sunt formate în plachete de siliciu prin p tehnologia în grup – într-un procedeu sunt formate câteva mii de circuite. După formarea circuitelor în volumul sau pe suprafaţa C E B plachetei de siliciu, ultima este separată în chipuri (fiecare chip este un B E integrat). Aria unui circuit C 2 chip este de circa câţiva mm , iar dimensiunile unui element al circuitului sunt de ordinul µm. n n Elementele circuitului integrat sunt conectate electric prin domeniile respective în volumul p p f semiconductorului sau prin pelicule superficiale de metal (conductor). n nrealizatpprin tehnologia planară sau Procesul de fabricare a circuitelor integrate poate fi planar-epitaxială. Domeniile necesare în semiconductor suntFig. 7.2. Procesul difuziuei sau prin formate prin metoda de fabricare a strat protector creştere epitaxială. O etapă importantă este în acest caz formarea unuitranzistorului din SiO 2 cu configuraţia necesară prin metoda fotolitografică. Din aceste considerente procedura de oxidare integrat: termică a siliciului procedeele fotolitografice întră în lista operaţiilor principale de fabricare a а − oxidare, circuitelor integrate. b − gravarea SiO2, Elementul de bază în circuitul integrat monolitic este tranzistorul integrat, în baza cărui sunt formate alte elemente ca: diode, rezistoare şi condensatoare. Tranzistoarele integrate au un cost mult

Tehnologia circuitelor integrate bipolare

n

7

c − difuziune (formarea colectorului), d − formarea bazei, e − formarea emitorului, f − formarea contactelor

mai mic ca tranzistoarele respective discrete. Prin urmare, un etaj poate fi constituit din 5-10 tranzistoare spre deosebire de etajul cu 2-3 tranzistoare discrete. Fiecare circuit poate fi dotat cu tranzistoare de tipul necesar, dimensiunile, caracteristicile şi parametrii cărui corespund cerinţelor specifice dispozitivului elaborat. În circuitele integrate monolitice este posibilă combinarea tranzistoarelor de frecvenţă înaltă cu cele de putere. Deoarece toate elementele (tranzistoarele integrate) sun formate simultan într-un proces unic şi într-un cristal comun, este uşor realizabilă combinarea (corespunderea reciprocă) a caracteristicilor electrice şi termice. Să analizăm procesul de fabricare a tranzistorului bipolar integrat (vezi fig.7.2). În calitate de substrat serveşte placheta de siliciu de tip p. Pe suprafaţa semiconductorului prin oxidare termică este format o peliculă de SiO2, care va proteja suprafaţa plachetei de siliciu în locurile necesare în timpul procedurii de difuziune a impurităţii. Prin metoda fotolitografică pelicula de oxid este gravată în aşa mod încât în timpul etapei următoare prin găurile formate în SiO2 prin difuzia fosforului este format domeniul colectorului. După această procedură pelicula de SiO2 este decapată. Printr-o serie de proceduri analogice celor enumerate mai sus este format domeniul bazei, în altă serie – domeniul emitorului. În etapa următoare este formată o peliculă nouă de SiO2, prin găurile cărei, prin depunere a unui strat metalic, sunt formate contacte electrice pentru terminalele tranzistorului integrat. Dezavantajul acestei metode constă în necesitatea unei difuzii profunde (la formarea domeniului colectorului, spre exemplu), din care rezultă neuniformitatea joncţiunilor între domeniile formate prin difuziune. Acest dezavantaj este exclus în metoda tehnologică planar-epitaxială, în care sunt combinate procesele de difuziune cu cele de creştere epitaxială (vezi fig.7.3.). Pe placheta de siliciu de tip p este crescut prin metoda epitaxială un strat de siliciu de tip n. Prin metoda fotolitografică este gravată pelicula de SiO2 (formată prin oxidare termică) şi prin strat epitaxial n-Si difuzia impurităţii acceptoare se obţin buzunarele (insule de tip n), în care în continuare sunt formate structurile n-p-n ale tranzistoarelor integrate prin metoda de difuzie. În aşa mod se obţin joncţiuni pn uniforme, care sunt caracterizate de tensiuni mai înalte de străpungere (joncţiunile colectoarelor). Pentruplachetă p-Si formarea diodelor în circuitele integrate monolitice sunt folosite joncţiunile a tranzistorului integrat: dioda este formată sau în joncţiunea emitorului, sau în joncţiunea colectorului, sau ambele joncţiuni conectate paralel, în funcţie de caracteristicile necesare. Joncţiunea colectorului este caracterizată de tensiune înaltă de străpungere, iar joncţiunea emitorului difuzie – de curent invers mic. SiO găuri în Un avantaj important al diodelor integrate sunt caracteristicile şi parametrii 2 identici (sunt formate în acelaşi material semiconductor). Rezistoarele în circuitele integrate au dimensiuni de circa 1µm sau mai mici şi pot fi formate n p prin difuzie.p regulă, pentru formarea rezistoarelor cu rezistenţe mari este folosit domeniul bazei, De iar cu rezistenţe mici – domeniul Si b substrat p- emitorului. Rezistorul este izolat electric printr-o joncţiune p-n. buzunar Tensiunea de străpungere a acestei joncţiuni limitează tensiunea de lucru a rezistorului. Aria suprafeţei rezistorului determină valoarea maxim admisibilă a puterii disipate pe rezistor. Dezavantajele rezistoarelor integrate sunt: dispersia rezistenţei şi valorile mari ale factorului termic C E B al rezistenţei. Pentru formarea condensatoarelor în circuitele integrate monolitice sunt folosite capacităţile n p joncţiunilor (emitorului sau colectorului) polarizate invers. Condensatoarele, formate pe joncţiunea n emitorului, sunt caracterizate prin valori mari ale capacităţii şi tensiuni de străpungere joase, iar pe joncţiunea colectorului – invers – capacităţi mici şi tensiuni înalte de străpungere. Folosirea c joncţiunilor ca p condensatoare este limitată de rezistenţa echivalentă de pierderi serie şi capacitatea parazitară paralelă. Alt dezavantaj este dependenţa capacităţii de tensiune. Fig. 7.3. de condensatoare integrate sunt condensatoarele MOS, care au caracteristici mult mai Alt tip Fabricarea tranzistorului înalte. Aceste planar-epitaxial: formate direct pe placheta de siliciu, folosindu-se o peliculă de condensatoare sunt SiO2, − creştere epitaxială, În calitate de armături sunt folosite: substratul semiconductor şi o а în calitate de izolator. peliculă conductoare (spre exemplu, Al) formată prin metalizare. Aceste condensatoare sunt identice

b − formarea buzunarelor, c − tranzistorul în buzunar

8

cu cele discrete nepolarizate. Aceste condensatoare sunt caracterizate prin stabilitate înaltă şi capacitatea nu depinde de tensiune.

9

7.3.1.

Tehnologia circuitelor integrate unipolare

În circuitele integrate unipolare preponderent ca element de bază este folosit tranzistorul cu efect de câm cu canal indus. Aceste tranzistoare sunt caracterizate de tensiuni de străpungere între grilă şi drenă mult mai înalte în comparaţie cu tensiunea de străpungere ea joncţiunii colectorului în tranzistoarele bipolare. Într-un montaj adecvat MOS FET poate fi folosit ca element pasiv (rezistor sau condensator). Acest fapt permite formarea circuitelor integrate numai pe baza structurilor de tip MOS. Fabricarea circuitelor integrate MOS este mult mai simplă în comparaţie cu cele bipolare: numărul necesar de operaţii tehnologice este de circa trei ori mai mic, iar suprafaţa unui tranzistor integrat este de zeci de ori mai mică. Circuitele integrate unipolare sunt preferabile, în special în tehnica digitală: memorii RAM şi ROM, microprocesoare etc. În circuitele integrate cu tranzistoare MOS FET cu un singur tip de canal izolarea reciprocă a tranzistoarelor nu este necesară, deoarece ele sunt separate de volumul semiconductor cu conductivitate joasă, iar joncţiunile sunt polarizate invers. Un interes p deosebit prezintă circuitele integrate unipolare cu tranzistoare MOS FET complementare a plachetă caracterizate de: (cu canale de tip diferit) – CMOS FET. Aceste integrate sunt n-Si

   

viteză înaltă de funcţionare,

p+ n

p+

consum foarte redus de energie în regim static, stabilitate înaltă la perturbaţii,

p

b

+ p+ n+ n într-un posibilitatea funcţionării cuptensiuni de alimentare +
domeniu vast de valori.

n

p

c

Însă în circuitele integrate CMOS FET apare problema izolării tranzistoarelor cu canal de tip p(PMOS FET) de cele cu canal de tip n (NMOS FET). Cu acest scop pot fi p+ p+ n+ n+ folosite două metode: d  sunt create domenii izolatoare (buzunare) pentru tranzistoarele cu un tip p n de canal;  fabricare separată a tranzistoarelor de un tip pe substraturi diferite cu conexiune ulterioară. Însă în această metodă este sofisticat montajul cristalelor. p+ p+ n+ n+

e Consecutivitatea fabricării circuitelor integrate C MOS FET este prezentată în fig. p n n prin difuziune sunt formate 7.4. La etapa iniţială (vezi fig.7.4.a) în placheta de tip domeniile de tip p (buzunarele), care vor servi, în continuare, ca substrat pentru tranzistoarelor cu canal de tip n (NMOS FET). La etapaFig. 7.4. Fabricarea impurităţii următoare prin difuzia acceptoare în substratul de tip n (vezi fig.7.4.b) sunt formate FET integrate: şi drenei C MOS domeniile sursei tranzistorului cu canal de tip p (PMOS FET), − formarea buzunarelor, donoare în а iar prin difuzia impurităţii buzunarul de tip p (vezi fig.7.4.c) sunt formate domeniile sursei şi drenei NMOS FET. În
10 c − formarea NMOS FET,

b − formarea PMOS FET,

d − formarea oxidului sub grilă, e − formarea contactelor

continuare în ambele tranzistoare sunt formate şi gravate peliculele de oxid (vezi fig.7.4.d), prin găurile cărora sunt formate apoi (vezi fig.7.4.e) contactele.

11

7.3.2.

Tehnologia circuitelor integrate hibride

În circuitele integrate hibride elementele pasive (rezistoare, condensatoare, bobine, conductoare etc.) sunt formate prin depunerea peliculelor pe un substrat izolator. Peliculele rezistive, conductoare sau izolatoare sunt depuse prin metoda evaporării termice în vid sau prin metoda serigrafică. În prima metodă configuraţia peliculei este asigurată de masca, prin care are loc depunerea, sau se obţine prin procedura fotolitografică. În cazul al doilea are loc imprimarea prin intermediul sitei serigrafice a peliculei necesare formate din aliaje cu proprietăţile necesare, fiind apoi prelucrate termic. Deci, în circuitele integrate hibride elementele pasive sunt formate pe substratul de mică sau sticlă, iar elementele active sunt aderate prin montaj superficial (SMD – Surface Mounted Devices). Elementele active (diode, tranzistoare etc.), formate în cristale aparte, fără terminale, sunt lipite cu zonele respective metalizate pe locul pregătit pe substrat. Rezistoarele peliculare sunt formate din materiale cu rezistenţă specifică înaltă. Materialele rezistive pot fi metale (crom, tantal) sau aliaje (nicrom, nitrizi sau silicizi de crom). Configuraţia rezistoarelor peliculare poate fi simplă dreptunghiulară – „liniară” sau „în zigzag” (vezi fig.7.5), în funcţie de valoarea necesară a rezistenţei. Configuraţia „în zigzag” asigură obţinerea unor valori mari ale rezistenţei. Condensatoarele peliculare au structura formată din trei straturi: conductor – izolator – conductor. Elementul principal în condensatorul pelicular este izolatorul. Capacitatea şi alţi parametri ai condensatoarelor depind de proprietăţile materialului dielectric. Pentru formarea stratului izolator sunt folosite materiale neporoase cu tensiuni înalte de străpungere şi pierderi dielectrice minime. Aceste caracteristici le pot asigura, spre exemplu, oxizii de siliciu SiOx, oxidul de titan TiO, Sb2S3 SiOx etc. Structura unui condensator pelicular este prezentată în figura 7.6. Folosirea inductanţelor peliculare în unele circuite integrate liniare este inevitabilă. Spre deosebire de circuitele integrate monolitice în cele hibride este posibilă formarea inductanţelor. Inductanţe peliculare cu valoribnu prea mari se obţin prin depunerea peliculelor conductoare cu configuraţii de tip spirală (vezi fig.7.7.). Însă datorită valorilor foarte mici posibile ale inductanţelor SiO2 peliculare, de regulă, în circuite inductanţele necesar sunt folosite ca elemente discrete.

a

Fig.7.5. Configuraţia Conexiunile între elemente, zonele pentru terminale, armăturile condensatoarelor, inductanţele rezistoarelor peliculare: din pelicule conductoare de aur, argint, cupru sau aluminiu. şi contactele elementelor sunt formate n-Si a − liniară, b − în zigzag Fig.7.6. Structura 8. AMPLIFICATOARE condensatorului 8.1. Noţiuni generale pelicular
Amplificator se numeşte circuitul electronic, care transformă semnalul de putere mică, aplicat la intrare, într-un semnal de ieşire de putere mai mare. b a În fig.8.1 amplificatorul este reprezentat ca un cuadripol. Iieş. Procesul de amplificare constă în modularea puterii Iint. sursei de alimentare de curent continuu conform variaţiei în Fig.7.7. Configuraţia inductanţelor de intrare. Parametrul principal al peliculare: timp Uint. Uieş. − circulară,ab −semnalului a dreptunghiulară amplificatorului este factorul de amplificare k. Deosebim: - factorul de amplificare a tensiunii

Fig.8.1. Simbolul amplificatorului

15

kU =

Uie ş. Uin. t

,

(8.1)

- factorul de amplificare a curentului

kI =
- factorul de amplificare a puterii

I ie ş. I in. t

,

(8.2)

kP =

P ş. ie P t. in

=

Uie ⋅I ie ş. ş. Uin. ⋅I in. t t

= kU ⋅kI .

(8.3)

Valorile factorilor de amplificare pentru diferite amplificatoare pot fi diferite, însă k≥ 1. În caz contrar amplificatorul îşi pierde sensul. Dacă exprimăm factorul de amplificare în decibeli, avem:

k U [dB ] = 20 lg

U ieş U int. I ie ş.

,

(8.4)

I in. t Pieş k P [dB ] = 10 lg Pint. k =k e

kI [ d ] = 2 lg B 0

,

(8.5)

,

(8.6)

Deoarece factorul de amplificare în caz general este un număr complex, el poate fi scris în forma:

jψ,

(8.7)

Caracteristice importante ale amplificatorului sunt: - caracteristica amplitudine - frecvenţă (CAF) (vezi. fig. 8.2 a), care exprimă dependenţa modulului factorului de amplificare de frecvenţa semnalului k = F( f ) , - caracteristica fază - frecvenţă (CFF), care reprezintă dependenţa defazajului introdus de amplificator (argumentul ψ) de frecvenţa semnalului ψ = F(f) (vezi fig. 8.2 b): Imk ψ = a g kmax . rct (8.8) m Rek Parametrii de intrare ai amplificatorului sunt: a -tensiunea de intrare Uint. , ∆f -curentul de intrare Iint. , -puterea de intrare Pint. , fj fs f -impedanţa de intrare

Zint. =
Parametrii de ieşire ai amplificatorului sunt: -tensiunea de ieşire Uieş. , -curentul de ieşire Iieş. , -puterea de ieşire Pieş. ,

ψ Uint. , I int.

b f

16

Fig. 8.2. Caracteristicile amplificatorului a – amplitudine-frecvenţă; b – fază-frecvenţă

-impedanţa de ieşire

Zie = ş.

Uieş. I ieş.

.

Criterii de calitate: Zint. şi Pieş. - maximale, iar Zieş. - minimală. Altă caracteristică importantă este caracteristica de amplitudine (de transfer), reprezentată în figura 1.3. Pe porţiunea liniară a ei (de la Uint.min. până la Uint.max.) amplificatorul este în regim dinamic. La tensiuni mai înalte este regimul de saturaţie. Modificarea componentei spectrale a semnalului este definită prin distorsiuni. Uieş. Distorsiunile pot fi liniare şi neliniare. Distorsiunile liniare sunt: − de frecvenţă, când diferite frecvenţe sunt amplificate diferit, adică datorită dependenţei

k = F( f ) ;

− de fază, când defazajul pentru diferite frecvenţe este diferit. Factorul distorsiunilor de frecvenţă este

Uint.min. Uint.max. Uint.

M=

k . k mx a.

(8.9)

Distorsiunile de fază şi Fig.8.3. caracteristica de de frecvenţă sunt liniare, deoarece nu provoacă modificarea spectrului semnalului. Adică nu apar componente spectrale suplimentare la ieşirea amplificatorului. amplitudine Distorsiunile liniare sunt provocate de elementele reactive din schemă. Distorsiunile de fază sunt inacceptabile în televizoare, osciloscoape şi alte echipamente de acest gen. Distorsiunile neliniare se exprimă prin modificarea formei semnalului. În componenta spectrală a semnalului de ieşire găsim armonici noi sau nu găsim unele armonici ale semnalului de intrare. Factorul distorsiunilor neliniare este:

ν=

I ∑
i= 2

2 m i

Im 1

,

(8.10)

unde Im1 este amplitudinea armonicii fundamentale, iar Imi sunt amplitudinile armonicilor superioare. Alt parametru important este randamentul:

η=

P . ieş , P s.a.

(8.11)

unde Ps.a. – puterea, consumată de la sursa de alimentare.

8.2.  

Clasificarea amplificatoarelor

Clasificarea amplificatoarelor se face după câteva criterii: În funcţie de distorsiuni neliniare deosebim amplificatoare liniare, în care aceste distorsiuni sunt minime şi neliniare, оn care aceste distorsiuni sunt foarte mari; După tipul dispozitivelor active deosebim amplificatoare • cu tuburi electronice, • cu tranzistoare bipolare, • cu tranzistoare FET,

17

• parametrice cu diode tunel sau diode Gunn. După mărimea semnalului: • amplificatoare de tensiune, • amplificatoare de curent, • amplificatoare de putere. După natura semnalului: • amplificatoare de semnal mic (amplificatoare de tensiune) • amplificatoare de semnal mare (amplificatoare de putere). După numărul de etaje amplificatorul poate fi format dintr-un etaj sau câteva, legate în lanţ (vezi fig. 8.4). 1 2 N

Fig. 8.4.Amplificatoare cu multe etaje legate în lanţ
k = k1 ⋅ k2 ⋅⋅⋅ kN ,
(8.12) (8.13)

ψ = ψ1 + ψ 2 + ⋅ ⋅ ⋅ + ψ Ν .


k

După cuplajul între etaje şi cuplajul semnalului de intrare şi sarcinii deosebim: • - amplificatoare cu cuplaj direct; • amplificatoare cu cuplaj RC (rezistiv-capacitativ); • amplificatoare cu cuplaj prin transformator. După clasa de funcţionare a etajului deosebim amplificatoare de clasa A, B, C şi AB. Amplificatoarele liniare în funcţie de banda de trecere se deosebesc: • amplificatoare de joasă frecvenţă (audio) cu:  frecvenţa limită de jos circa 20 Hz şi  frecvenţa limită de sus circa 20 kHz, • amplificatoare de înaltă frecvenţă cu:  frecvenţa limită de jos circa 20 kHz şi  frecvenţa limită de sus circa 100 MHz, amplificatoare bandă largă (amplificatoare video) cu:  frecvenţa limită de jos circa 20 Hz şi  frecvenţa limită de sus circa 100 MHz, • amplificatoare de curent continuu, care au frecvenţa limită de jos aproape de zero. Caracteristica amplitudine-frecvenţă a amplificatorului de curent continuu este prezentată în fig.8.5. • amplificatoare bandă îngustă (selective). CAF a amplificatorului selectiv este prezentată în fig.8.6.

k

f Fig.8.4.CAF a amplificatorului de curent continuu
18

f0 f Fig.8.5. CAF a amplificatorului selectiv

8.3.

Structura etajului amplificator

E

Amplificatorul poate fi format din mai multe R etaje: etaj de intrare, etaje intermediare, etaj de ieşire. Etajul de intrare trebuie să aibă impedanţa de intrare DA mare, nivelul de zgomot mic şi sensibilitatea înaltă. Etajele intermediare amplifică semnalul în tensiune până Uint. Uieş. la nivelul necesar. Etajele de ieşire asigură puterea de ieşire (pe sarcină) maximală şi servesc pentru adaptarea ieşirii amplificatorului cu sarcină. Toate aceste etaje sunt formate pe acelaşi principiu unic. Structura unui etaj Fig. 8.6. Structura de amplificare este reprezentată în fig.8.6. etajului de amplificare Elementele princpale ale unui etaj amplificator sunt: - dispozitivul activ DA, care asigură procesul de amplificare (poate fi, spre exemplu, tranzistorul); - sursa de alimentare de curent continuu E, inclusă în circuitul de ieşire, care furnizează energie pentru formarea semnalului de ieşire şi asigură regimul de repaos al etajului; - rezistenţa R, pe care este format semnalul de ieşire şi de pe care el este cules. Sub acţiunea semnalului de intrare variază rezistenţa dinamică a DA şi în circuitul de ieşire se formează semnalul de ieşire. Procesul de amplificare este bazat pe transformarea energiei sursei de alimentare de curent continuu (c.c.) în energie de curent alternativ (c.a.) în circuitul de ieşire datorită modificării rezistenţei dispozitivului activ sub acţiunea semnalului de intrare. Deoarece sursa de alimentare este de c.c., în circuitul de ieşire pe curentul continuu este suprapus semnalul variabil. Este necesar, prin urmare, ca amplitudinile semnalului variabil să nu depăşească Um ≤ UC . În caz contrar, în anumite intervale de timp componentele de c.c. I m ≤ I C şi curentul de ieşire va fi nul şi semnalul de ieşire va fi distorsionat. Prin urmare, şi în circuitul de intrare trebuie formată o componentă de curent continuu. Componentele de c. c. ale tensiunilor şi intensităţilor în circuitul etajului amplificator formează regimul de repaos al etajului. Regimul de repaos al etajului amplificator este definit ca regimul existent în circuitul etajului în absenţa semnalului de intrare. Deosebesc etaje amplificatoare dotate cu tranzistoare bipolare în montaj emitor comun (EC), bază comună (BC) şi colector comun (CC). Analiza etajelor amplificatoare vom efectua-o presupunând semnalul este sinusoidal de frecvenţe medii de unde rezultă, că pot fi neglijate:  reactanţele condensatoarelor, −EC +  rezistenţa internă în c.c. a sursei de alimentare,  capacităţile de montaj şi capacităţile tranzistorului şi  dependenţa parametrilor tranzistorului de frecvenţă. R R
1 C

C1 Etajul amplificator cu tranzistor bipolar în conexiune emitor comun (în continuare etaj VT amplificator EC) este cel mai larg folosit. Vom analiza schema cu tranzistor de tip p-n-p (vezi Uieş. fig.8.7). Pentru schema cu tranzistor de tip n-p-n se R schimbă numai polaritatea sursei de alimentare şi s Rg sensurile curenţilor. Elementele principale ale etajului sunt: E U R R C
g int. 2 E E

8.4. Etaj amplificator cu tranzistor bipolar în montaj EC C
2

19 Fig.8.7.Schema etajului amplificator EC

   

tranzistorul VT, sursa de alimentare EC, rezistenţa RC, de pe care este cules semnalul de ieşire. Restul elementelor îndeplinesc funcţii auxiliare. Elementele auxiliare sunt: condensatoarele de cuplaj C1 şi C2, care exclud influenţa sursei de semnal şi a sarcinii asupra regimului de repaos, menţinându-l neschimbat. C1 exclude circulaţia curentului continuu prin sursa de semnal Eg (cu rezistenţa internă Rg), iar C2 admite numai circulaţia curentului alternativ prin sarcină. Rezistenţele R1 şi R2 formează divizor de tensiune, care asigură componenta de c.c. a tensiunii UBE (UBE0) şi determină regimul de repaos la intrarea tranzistorului. Rezistenţa RE serveşte pentru stabilizarea termică, formând reacţie negativă serie în curent. De exemplu, dacă în timpul funcţionării tranzistorul s-a încălzit, va creşte curentul colectorului şi creşte curentul emitorului. Prin urmare, creşte căderea de tensiune pe RE şi tensiunea se micşorează UBE, adică scad curenţii IB si IC , iar tranzistorul este întors la regimul iniţial. Condensatorul CE şuntează reacţia negativă adică RE în curent alternativ evitând micşorarea factorului de amplificare.

 

Principiul de funcţionare a etajului: pe componentele de c.c. ale tensiunilor şi curenţilor în circuitul de intrare este suprapus semnalul variabil , care condiţionează apariţia componentei variabile a curentului colectorului. Ultima formează componentă de c.a. a căderii de tensiune pe rezistenţa RC. Semnalul variabil este cules prin condensatorul de cuplaj C2 spre sarcina RS. Semnalul de ieşire are amplitudine mai mare ca cel de intrare deoarece impedanţa de ieşire a tranzistorului este mai mare ca impedanţa de intrare. Etajul EC este caracterizat de impedanţă de intrare mică, impedanţă de ieşire mare şi defazaj între semnalul de ieşire şi cel de intrare de 180o . Etajul EC este etaj inversor.

20

8.5. Analiza etajului EC în curent continuu (Relaţiile principale pentru alegerea regimului de repaos)
Analiza etajului în curent continuu este efectuată prin metoda grafo-analitică, adică sunt efectuate construcţii grafice în baza caracteristicilor statice ale tranzistorului însoţite de expresii analitice. În sistemul de coordonate al caracteristicilor de ieşire (vezi fig. 1.8.) este trasată dreapta de sarcină în curent continuu. Dreapta de sarcină în curent continuu este locul geometric al punctelor, coordonatele cărora corespund valorilor posibile ale curentului colectorului IC şi tensiunii UCE. Din schema etajului observăm, că bilanţul tensiunilor în circuitul de ieşire este: EC = ICRC + UCE + IERE. Deoarece IC=αIE, iar α≈ 1, putem Prin urmare, expresia (8.14) poate fi simplificată până la: EC = IC (RC + RE) + UCE. (8.14) admite (8.15) că

IC ≅ IE .

Formula (1.15)este ecuaţia dreptei de sarcină. Trasăm dreapta de sarcină în c.c. prin două puncte de intersecţie cu axele. • La intersecţia cu axa tensiunilor:

U CE = 0

şi

IC =

EC , RC + RE

(8.16)

iar la intersecţia cu axa curenţilor:

IC = 0

şi

UCE = EC .

(8.17)

La intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica de ieşire corespunzătoare curentului bazei de repaos IB0 este găsit punctul de repaos P. De alegerea corectă a punctului de repaos depinde funcţionarea etajului fără distorsiuni. În c.a. RE este şuntată, sursa de curent continuu EC (cu rezistenţa internă mică). Reactanţa condensatorului C2 este foarte mică şi în curent alternativ în paralel cu RC este conectată sarcina RS. Prin urmare, în expresia (8.15) RE dispare, iar rezistenţa RC este mai mică. Deci dreapta de sarcină în c.a., care se mai numeşte caracteristica dinamică de ieşire, trece prin punctul de repaos P şi are panta mai mare ca dreapta de sarcină în c.c. (vezi dreapta AB în fig.8.8.). Caracteristica dinamică de ieşire reprezintă dependenţa între componentele de c.a. ale tensiunii şi curentului de ieşire. Din fig.8.8 observăm: dacă la intrarea amplificatorului, este aplicat un semnal variabil, alternanţa sa pozitivă provoacă creşterea tensiunii UBE, curentului IB, curentului IC şi, conform dreptei de sarcină, micşorarea tensiunii UCE. Prin condensatorul de cuplaj C2 este culeasă componenta alternativă a tensiunii de pe colector, care va avea aceeaşi formă cu semnalul de intrare şi un defazaj de 180° faţa de semnalul de intrare. Etajul EC este inversor, adică introduce defazaj de 180°. De aceea factorul de amplificare a tensiunii pentru el este considerat negativ.

8.6. Clasele

de funcţionare a etajelor amplificatoare

21

În funcţie de poziţia punctului de repaos şi amplitudinea semnalului variabil deosebesc 3 clase de funcţionare a etajelor amplificatoare: A, B, C şi clasa intermediară AB. Clasele se deosebesc prin valoarea maximală posibilă a randamentului şi distorsiunile neliniare. CLASA A Punctul de repaos se află în mijlocul porţiunii liniare a caracteristicii de transfer a tranzistorului (vezi fig.8.8), iar amplitudinea semnalului variabil este limitată în domeniul, care nu scoate punctul funcţionare a tranzistorului din limitele porţiunii liniare a caracteristicii de transfer. Clasa A este caracterizată prin distorsiunile neliniare minime şi randament până la 50 %. Randamentul etajului amplificator este

η=
C

P ş. ie

P.a. s

=
C

0 I CmUCm ,5 I U = 0 Cm Cm ,5 I C0UCE0 I C0 UCE0
IC
η 0,5 ≤

.

(8.18)

≤ Deoarece I C mI I C 0 şi UCmI≤ UCE0 , găsim

A .

CLASA B Punctul de repaos este situat în originea coordonatelor caracteristicii de transfer (fig.8.9). Prin urmare, curentul bazei de repaos este nul. Pe sarcină apare curent şi tensiune numai de o IC0 P IB0 alternanţă (pozitivă), în timpul căreia tranzistorul este în conducţie (regim activ direct). Cealaltă alternanţă (negativă) este tăiată, deoarece tranzistorul este blocat. IB1 Distorsiunile liniare sunt foarte mari, însă randamentul poate căpăta valori mai mari în comparaţie cu clasa A. 1 B(8.19) • Puterea de ieşire este: Pieş. = 0,5 UCmICm. IC I IC IB3 • Puterea, consumată deCla sursa de alimentare este: Ps.a. = UC0IC med.. (8.20) EC UCE UBE t Curentul mediu consumat de la sursa de alimentare va circula numai în timpul alternanţei pozitive:

IB2

I Cmed. =

π π t π 2 IB2 t 1 1 I iCd(ω t ) = ∫ I Cmsin td (ω t ) = Cm ( − cos t ) = I Cm. (8.21) ω ω 0 π π∫ π 0 π 0

Deoarece UCm poate fiCaracteristicileC0, randamentul va fi: Fig. 8.8. nu mai mare ca U etajului amplificatorului clasa P 0,5U Cm ⋅ I Cm π η= ≤ , t 4 ≈ 78 ,6% 2 (8.22) UBEU C0 ⋅ I Cm

A IB1

Clasa B este folosită în amplificatoarele în contratimp, adică atunci când tranzistoarele, t t funcţionând pe rând, amplifică câte o alternanţă a semnalului de intrare. CLASA C Aici punctul de repaos este situat în zona corespunzătoare a regimului de tăiere Fig. 8.9. Caracteristicile etajului amplificator clasa B (vezi fig.8.10) şi, prin urmare, va fi amplificată numai o porţiune de alternanţă a semnalului de intrare. Distorsiunile neliniare sunt foarte mari, iar randamentul poate atinge valoarea η ≤ 85%. Clasa

π

UCE

IC

IC

IC

IB3 IB2 IB1

P UBE t

UCE t

t
22 Fig. 8.10. Caracteristicile etajului amplificator clasa C

C este folosită în cazul, când avem nevoie la ieşire de o singură armonică, adică în amplificatoare selective şi oscilatoare (generatoare de semnal sinusoidal).

8.7. Analiza

etajului amplificator EC pentru semnal variabil

Dacă analiza etajului în c.c. ne permite să dimensionăm elementele schemei, atunci analiza în c.a. ne dă posibilitate să găsim parametrii de amplificare, adică: • factorii de amplificare în curent, tensiune şi putere, • impedanţele de intrare şi ieşire. Pentru analiza în curent alternativ ne vom limita numai la banda de frecvenţe medii, în care *0 parametrii tranzistorului nu depind de frecvenţă. Vom folosi schema echivalentă a tranzistorului în montaj EC cu parametri naturali (vezi fig.3.12.b) şi vom presupune: *1 rezistenţa internă a sursei de alimentare în c.a. nulă, *2 reactanţele condensatoarelor nule şi, prin urmare, *3 rezistenţa RE fiind şuntată dispare din schemă. *4 rezistenţele R1 şi R2 pentru c.a. vor fi conectate în paralel. *5 în paralel cu RC va fi conectată sarcina RS. Schema echivalentă a etajului EC la frecvenţe medii este prezentată în figura 8.11. 1. Pentru a găsi impedanţa de intrare a etajului Zint. este necesar să găsim rezistenţa la intrarea tranzistorului. Cu acest scop exprimăm tensiunea uCE prin curentul bazei iB. Influenţa rC rB elementelor rC, βiB, RC şi RS poate fi neglijată, deoarece rC este foarte mare şi rezistenţa internă B C a sursei de curent este foarte mare mică. R1 (8.23) R R uBE = iB rB + iE rE.

Ub Deoarece β iintare rezistenţa foarte mare, iar r Eg
rC+ R S
E

g

2

R C >> rE, b

βi

RC

Rs
(8.24)

Uieş

expresia (8.23) poate fi scrisă în modul următor: uBE=iBrB+(iB+iC)rE=iBrB+iB(1+β)rE=iB[rB+(1+β)rE]. (8.25) E Prin urmare, rezistenţa de intrare a tranzistorului este:

Fig.8.11.Schema echivalentă a etajului EC la frecvenţe medii u rint. = BE = rB + rE (1 + β) , (8.26)

i

B

iar impedanţa de intrare a etajului Zint. este

Zint. = R 1 R 2 rint. = R 1 R 2 [rB + rE (1 + β )] .

(8.27)

2.

Găsim factorul de amplificare a curentului:

kI =

iie . i s = s . iin . iin . t t

(8.28.)

Cu acest scop vom exprima curentul de intrare şi curentul de ieşire (curentul sarcinii) prin curentul bazei: iint.Zint.=iBrint., (8.29)

23

iint. =

r t. in ⋅ iB , Zint.
uie . ş RS
.

(8.30)

iS =

(8.31)

Deoarece rE este foarte mică în comparaţie cu rC şi RC, ea poate fi neglijată în circuitul de ieşire şi, prin urmare, putem scrie:

iS = iieş. iint.

βiB ⋅[r R C R S ] C . RS
=β Zint. r R C R S C . r t. RS in

(8.32)

Introducând (8.30) şi (8.32) în (8.28.) vom obţine:

kI =

(8.33)

În cazul dimensionării optimale a schemei etajului amplificator EC, factorul de amplificare a curentului poate atinge valoarea maximală egală cu β (h21EC). 3. Factorul de amplificare a tensiunii:

kU =

uieş. Eg

.

(8.34)

Exprimăm tensiunea pe sarcină uS prin curentul sarcinii iS uieş. = uS = iSRS . Analizând circuitul de intrare putem scrie că:

(8.35)

Eg = iint. Zint. + R g
Prin urmare,

(

).

(8.36)

kU =

iint.

(

iS ⋅ R S RS = kI . Zint + R g Zint. + R g

)

(8.37)

Observăm că, factorul de amplificare a tensiunii va fi cu atât mai mare cu cât mai mare este β (vezi expresia (8.33)) şi va fi cu atât mai mare cu cât va fi mai mare raportul rezistenţei sarcinii către rezistenţa circuitului de intrare. Deoarece etajul EC este inversor factorul său de amplificare a tensiunii este considerat având valoare negativă. 4. Factorul de amplificare puterii:

kP =
5.

P ş. ie P t. in

= kUkI .

(8.38)

Impedanţa de ieşire Zieş. este calculată, fiind raportată la bornele colector-emitor:

Z ieşe = rC R C .

(8.39)

24

Deoarece rC este foarte mare (rC»RC), valoarea impedanţei de ieşire este determinată de RC.

8.8

Repetitor pe emitor (Etaj CC)

Repetitoare sunt numite amplificatoarele, care au factorul de amplificare unitar şi polaritatea sau faza tensiunii de ieşire coincide cu cea a tensiunii de intrare. Schema etajului este reprezentată în fig. 1.13. Pentru semnal variabil colectorul (prin sursa de alimentare) este comun pentru circuitul de intrare şi circuitul de ieşire . Elementele principale sunt: *6 tranzistorul VT, − EC + *7 sursa de alimentare EC şi *8 rezistenţa RE, pe care este format şi de pe care este cules semnalul de ieşire.

• •

Elementele auxiliare: R1 condensatoarele C1 şi C2 au aceeaşi destinaţie ca şi în cazul EC, C1 rezistenţa RB polarizează baza. Tensiunea aplicată nemijlocit la intrarea tranzistorului este: UBE = Uint. - Uieş. .

(8.40)

VT

C2 Uieş.

Prin urmare, avem în circuitul repetitorului reacţie negativă (serie în tensiune) totală (χ=1). Şi Uint. factorul de amplificare a tensiunii în repetitor este: R

kUR

kUE C = 1+kUEC
KU R=1

E

,

(8.41)

unde kU EC este factorul de amplificare a tensiunii în conexiune EC. Deoarece KU EC »1, KU R va fi practic aproape 1: F Fig. 8.13. Repetitor

pe emitor

Etajul CC nu roteşte faza semnalului. Dacă este aplicată alternanţa pozitivă a semnalului de intrare, curentul bazei creşte, creşte curentul emitorului, căderea de tensiune pe RE creşte, fapt echivalent cu apariţia alternanţei pozitive la ieşire. Deoarece semnalul de ieşire reproduce (repetă) valoarea tensiunii şi faza semnalului de intrare şi este cules de pe emitor, etajul este numit repetitor pe emitor. Etajul este folosit ca etaj de ieşire, deoarece are impedanţa de ieşire foarte mică. Proprietăţile importante ale repetitorului pe emitor sunt: • impedanţă de intrare mare; • amplificare în curent mare (ki CC ≈ ki EC); • amplificare în tensiune aproximativ unitară şi schimbare de semn; • impedanţă de ieşire – foarte mică; • amplificare în putere – mare. Datorită impedanţei de intrare foarte mare şi impedanţei de ieşire foarte mici repetitorul pe emitor este folosit frecvent ca etaj de adaptare (de ieşire) între amplificatoare cu impedanţe de ieşire mari şi sarcini (impedanţe de sarcini) mici.

25

−EC+

R1 C1

RC C3
VT

Atunci când avem nevoie de două semnale de aceeaşi formă dar în antifază este folosit amplificatorul cu sarcină divizată, schema cărui este reprezentată în fig. 1.14. Tensiunile U1 şi U2 vor avea aceeaşi formă însă U1 este cules de pe emitor şi coincide în fază cu semnalul de intrare, iar U2 este cules de pe colector şi este în antifază cu semnalul de intrare.

9.
U2 U1

REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE

9.1

Noţiuni generale

Uint.

R2

RE

C2

Fig. 8.14. Etaj cu sarcina divizată

Reacţia este modificarea circuitului electric al amplificatorului în aşa mod, încât împreună cu semnalul de intrare se aplică un semnal (semnalul de reacţie) R proporţional cu una din mărimile de ieşire (tensiune, curent sau

putere) (vezi fig.9.1). Reacţia poate fi parazitară sau poate fi introdusă intenţionat. Reacţia poate globală sau locală, pozitivă sau negativă. Atunci, când semnalul de reacţie este în antifază cu semnalul de intrare reacţia este negativă şi factorul de amplificare se va micşora: K K RN = , (9.1) 1+ χK unde K este factorul de amplificare iniţial

Fig.9.1. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie

(fără

reacţie),

UR χ este factorul de transfer al circuitului de reacţie χ = . Uieş.
Atunci, când semnalul de reacţie coincide în fază cu semnalul de intrare, reacţia este pozitivă şi factorul de amplificare se va mări conform expresiei:
K RP = K , 1 - χK

(9.2)

Reacţia negativă prezintă următoarele avantaje: kmax • este redus nivelul zgomotului, distorsiunilor de toate tipurile şi a tensiunilor perturbatoare, a provenite din amplificator; ∆F • reacţia negativă, ca şi cea pozitivă, permite modificarea impedanţelor de intrare şi ieşire ale amplificatorului în sensul dorit; • este fîmbunătăţită stabilitatea funcţionării amplificatorului; fs f j • este lărgită banda de trecere (vezi fig. 9.2).

Dacă se ţine seama atât de modul în care se culege semnalul de reacţie de la ieşire, cât şi de b modul în care el este aplicat la intrare, în funcţie de conexiunea buclei de reacţie la circuitul

kmax

∆FRN

fjRN fsRN f Fig.9.2.CAF a amplificatorului până la (a) şi după (b) introducerea reacţiei negative

26

a

amplificatorului deosebesc următoarele tipuri generale de reacţie, schemele-bloc ale cărora sunt reprezentate în fig.9.3,: serie-serie (fig. 9.3, a), serie-paralel (fig. 9.3, b), paralel-serie (fig.9.3, c), paralel-paralel (fig. 9.3, d). În cazul reacţiei serie-serie semnalul de reacţie este proporţional curentului de ieşire (din această cauză mai este numită reacţie în curent), iar la intrare are loc compararea (sumarea) tensiunilor semnalelor de intrare şi de reacţie (adică este reacţie serie în curent).Este clar, că şi impedanţa de intrare, şi impedanţa de ieşire după introducerea reacţiei serie-serie se vor mări. Un exemplu de amplificator cu reacţie negativă serie-serie este etajul EC, care are în circuitul emitorului o rezistenţă (RE) nedecuplată (neşuntată) de condensator (vezi fig.9.4). Adeseori, în aceste cazuri, în amplificatoarele cu etaje, pentru compensarea efectului de micşorare a factorului de amplificare de reacţia negativă, este realizată reacţia pozitivă serie-serie R R R R (vezi fig.9.5). Tensiunea de reacţie aplicată pe emitorul etajului de intrare este în opoziţie de fază cu tensiunea semnalului de intrare. Aceasta provoacă creşterea tensiunii UBE şi, în consecinţă, creşte a b d c factorul de amplificare. −E ale fig.9.3.schemele-bloc C + tipurilor generale de reacţie: sunt tensiuni, iar mărimea În cazul reacţiei serie-paralel mărimile ce se compară la intrare – serie care este b – serie-paralel, c – paraleleste tensiunea paralel-paralel reacţie serie în cu -serie, proporţională tensiunea de reacţie -serie, d – de ieşire (adică este tensiune). Este clar, că după introducerea reacţiei serie-paralel impedanţa de intrare se va mări, R1 RC iar impedanţa de ieşire se va micşora. C

C1

2

VT
Uint. R2 R RE 1 C1 Uieş. R
C1

−EC + R’1 C2 VT
1

RC2 VT
2

C3

Fig.9.4.Schema etajului EC Uint. R2 RE1 cu reacţie negativă serie-serie

R

R’2

RE2

Uieş.

Fig.9.5.Amplificator cu două etaje şi reacţie pozitivă serie-serie
Un exemplu de amplificator cu reacţie negativă serie-paralel este reprezentat în figura 9.6. Semnalul de reacţie este cules de pe colectorul tranzistorului VT2 în etajul de ieşire şi este aplicat pe emitorul tranzistorului VT1 în etajul de intrare. Adică tensiunea de reacţie va fi proporţională tensiunii de ieşire, şi la intrare ea este aplicată în serie cu tensiunea de intrare. În banda de frecvenţe medii defazajul global, introdus de amplificator, este ϕa = 2π , deoarece fiecare etaj roteşte faza cu π. Prin urmare: UBE= Uint. − UR, (9.3)

27

adică reacţia este negativă. Condensatorul CR separă emitorul VT1 de colectorul VT2 în curent continuu. Capacitatea CR trebuie să fie mare, ca în banda de trecere impedanţa buclei de reacţie să depindă slab de frecvenţă. În cazul reacţiei paralel-serie mărimile, ce se compară la intrare – sunt curenţii, iar curentul de reacţie este proporţional cu curentul de ieşire (adică este reacţie paralelă în curent).

−EC +

R1
C1

VT
1

RC1 C2

RC2 R’1 VT
2

C3

Uint.

R2

RE1

CR

R

R’2

RE2

Uieş.

Fig.9.6.Amplificator cu două etaje şi reacţie negativă serie-paralel
Este clar, că după introducerea reacţiei paralel-serie impedanţa de intrare se va micşora, iar impedanţa de ieşire se va mări. Un exemplu de amplificator cu reacţie negativă paralel-serie este dat în fig.9.7. Şi în acest caz trebuie considerate două etaje de amplificare, deoarece numai astfel curentul de ieşire din al doilea etaj este în opoziţie de fază cu curentul de intrare în primul etaj.

−EC +

R1 C1

RC1 C2
VT1

R’1

RC2
VT2

C3

Uint.

R2

RE1

R

R’2

RE2

Uieş.

Fig.9.7.Amplificator cu două etaje şi reacţie negativă paralel-serie
Dacă reacţia este paralel-paralel, mărimile, care se compară la intrare, sunt curenţi, iar mărimea de ieşire, cu care este proporţional curentul de reacţie, este tensiunea de ieşire (adică este reacţie paralelă în tensiune). Este clar, că după introducerea reacţiei paralel-paralel, şi impedanţa de intrare, şi impedanţa de ieşire se vor micşora. În figura 9.8 este reprezentată schema unui amplificator cu reacţie negativă paralel-paralel.

28

9.2

Corecţia caracteristicilor amplitudine-frecvenţă −E +
C

Pentru lărgirea benzii de trecere şi liniarizarea caracteristicii amplitudine-frecvenţă este efectuată corecţia caracteristicilor de frecvenţă. Ea este realizată prin utilizarea în schemă a unor R frecvenţă sau cu ajutorul reacţiei. R1 C elemente suplimentare cu caracteristici dependente deC R Reste efectuată cu C2 Liniarizarea în extremele benzii de trecere R elemente diferite în schemă. Adică C1 problema corecţiei caracteristicii amplitudine-frecvenţă este divizată în secvenţe (după frecvenţă) şi soluţionată separat. Corecţia poate fi realizată folosindu-se în bucla de reacţie circuite parametrii cărora depind de frecvenţă, adică circuite cu elemente reactive. Sunt folosite filtrele trece-jos, trece-sus şi filtrele Uieş. de bandă. Pentru a avea posibilitatea să modificăm faza semnalului de reacţie în intervalul de la 0 Uint. R2 CE R reprezintă filtrele simple de formă “L”. până la π sunt unite în lanţ celule elementare, care E Mai frecvent elementele se aleg cu valori identice: C1=C2=C3=C şi R1=R2=R3=R. În acest caz banda de trecere este limitată de frecvenţa fl, calculată în cazul filtrului trece-sus conform expresiei:

VT

1 fl = , (9.4) 2π negativă paralel-paralel Fig.9.8. Amplificator cu reacţie 6 RC iar în cazul filtrului trece-jos conform expresiei: R1 C2

C1

R2

b

6 (9.5) fl = C2π R . C 3 f0 f Pentru a evita efectul de şuntare a celulei precedente de cea următoare trebuie majorată acelulei următoare. Cu acest scop sunt formate reţelele progresive, în care: b impedanţa de intrare a R1 R2 R R2=mR1, R3=mR2, C2=C1/m, C3=C2/m, iar 3 m>1. În acest caz frecvenţa limită fl şi factorul de transfer Fig.9.11. Reţea Wien la frecvenţa limită, sunt calculate în cazul filtrului trece-sus conform expresiilor: ψ 1 a –fschema; c l = f f b – CAF; (9.6) l 2 1 , 2π R 1 C 1 3 + + 2 c – CFF a m 0 m ψ f0 f 1 Fig.9.9.Filtru RC trece-sus χl = π 12 7 1 (9.7) 8+ a – schema;+ 2 + 3 , c m m R b – R2 CAF; m iar în cazul 1 filtrului trece-jos conform expresiilor: c – CFF 2 1 3+ + C1 C2 (9.8) m m2 , fl = R1 R2 R3 bb 2π R 1C1 fl f 1 R3 C3 χl = 12 7 1 , (9.9) 8+ + + C1 C2 C3 m 2 m 3 m fl f În calitate de filtre de bandă mai frecvent sunt folosite: f0 f • filtru trece-bandă – reţeaua Wien (vezi fig.9.11) a fl f ψ • filtru de rejecţie– reţeaua dublu T (vezi fig.9.12.).

C1

C2

Fig.9.12. Reţea dublu “T” a a – schema; Fig.9.10. Filtru RC trece-jos b – CAF; a – schema; c – CFF b – CAF; c – CFF

ψ

c
−π 0 29

c

f0

f

Frecvenţa de cvazirezonanţă (la care factorul de transfer capătă valoarea maximală) f0 şi factorul de transfer la această frecvenţă χ0, sunt calculate în cazul reţelei Wien conform expresiilor: 1 f0 = , (9.10) 2π R 1 C 1 R 2 C 2 1 χ0 = C1 R (9.11) 1+ + 2 , C2 R1 Pentru a obţine un factor de transfer aproape de zero la frecvenţa de cvazirezonanţă (la care factorul de transfer capătă valoarea minimală) în cazul filtrului dublu T elementele sunt alese: R1=R2=2R3=R; C1=C2=C3/2=C. Atunci frecvenţa de cvazirezonanţă f0 este: 1 f0 = , (9.12) 2π R C Corecţia la joase frecvenţe se face, de regulă, folosind filtrul RF CF în circuitul sursei de alimentare (vezi fig.9.13). Corecţia de joasă frecvenţă este bazată pe faptul că odată cu micşorarea frecvenţei impedanţa circuitului colectorului etajului EC creşte, iar, prin urmare, creşte şi factorul de amplificare şi în aşa mod este compensată scăderea factorului de amplificare, cauzată de distorsiunile de frecvenţă (provocate de condensatoarele de cuplaj şi din circuitul emitorului).

− EC +

RF R1 C1 RC CF C2 1 f’j fj b f 2

VT
R2 a RE CE

L şuntat de condensatorul CF. La frecvenţe medii şi înalte impedanţa XCF decuplează rezistenţa RF şi R La frecvenţe joase XCF creşte considerabil şi impedanţa circuitului colectorului ZC=RC. 1

Fig.9.13. Etaj EC cu corecţie la joase frecvenţe a − schema, b− E + − caracteristicile amplitudine-frecvenţă pentru: C 1 − în circuitul corecţie, suplimentar rezistorului În figura 9.13 etajul fărăcolectorului2 − etajul cu corecţie RC este inclus rezistorul RF,

ZC = RC + R F X C F de RC C creşte, ceea ce majorează factorul de amplificare în tensiune. În aşa asemenea 2 C1 mod frecvenţa limită de jos se micşorează de la fj la f’j (vezi fig.9.13.b).

Valoarea necesară a capacităţii CF este foarte mare, de aceea sunt utilizate condensatoare VT electrolitice. Concomitent filtrul folosit în circuitul din fig.9.13.a joacă rol de protecţie contra perturbaţiilor, ce pătrund prin sursa de alimentare.

R2

RE

CE

Fig.9.14. Etaj EC cu corecţie paralelă la frecvenţe înalte

30

Corecţia caracteristicii amplitudine-frecvenţă la înalte frecvenţe este realizată prin corecţia paralelă sau prin reacţie în curent. În cazul corecţiei paralele în circuitul colectorului sunt folosite elemente, care majorează impedanţa în circuitul colectorului la frecvenţe înalte. Corecţia paralelă la frecvenţe înalte se face punându-se o inductanţă în circuitul colectorului (vezi fig.9.14). Circuitul echivalent al etajului în banda de frecvenţe înalte poate fi reprezentată ca în fig.9.15. Conform acestei scheme inductanţa L, capacitatea C (capacitatea C reprezintă capacitatea de montaj) şi rezistenţa RC formează un circuit oscilant derivaţie. La frecvenţa de rezonanţă impedanţa circuitului oscilant va fi mai mare ca RC şi, prin urmare, creşte impedanţa sarcinii: ZC=RC+XL şi, în aşa mod, creşte factorul de amplificare. Dacă vom alege frecvenţa de rezonanţă în banda de frecvenţe înalte, va creşte şi frecvenţa limită de sus de la fS la f’S. În caz de alegere optimală fS poate fi majorată de 1,7 ori. Pentru calcule de dimensionare a inductanţei de corecţie este folosită expresia:

L=

RS , 2π f S

(9.13)

unde fS este valoarea dorită a frecvenţei limita de sus. Mai frecvent, în amplificatoarele cu tranzistoare bipolare este folosită corecţia la frecvenţe înalte prin reacţie negativă în curent (vezi fig.9.16). Pentru formarea reacţiei, în circuitul emitorului este inclus suplimentar, rezistorul R0 (R0<<RE), şuntat de condensatorul C03 Capacitatea C0 este . 1 aleasă în aşa mod, ca la frecvenţe medii R0, să nu fie decupat, adică

1 R < <R0. (9.14) C rint. 2π f m C 0 Rs Uieş. 2 Prin urmare, la frecvenţe medii şi joase reacţia negativă (R0) va micşora factorul de L −SUint. amplificare şi caracteristica C amplitudine-frecvenţă îşi va extinde domeniul de uniformitate spre
frecvenţele înalte.

a

10

b AMPLIFICATOARE SELECTIVE

fS f’S f

Amplificatoarele selective au banda de trecere foarte îngustă şi sunt folosite pentru a evidenţia cu corecţie paralelă la frecvenţe înalte (a) şi CAF (b) pentru: semnalul util, prin suprimarea celorlalte armonici suplimentare, (pentru amplificarea semnalelor de 1− etajul fără corecţie, 2 − circuitul oscilant LC, 3 − etajul cu corecţie o anumită frecvenţă f0) la recepţia radio şi TV, în echipamentele de măsurări şi automatizări. Pentru îngustarea benzii de trecere şi formarea amplificatoarelor selective este folosit unul din două principii: 1. În calitate de sarcină a amplificatorului este conectat un circuit −E + (vezi fig. oscilant C 10.1.). 2. În bucla de reacţie este folosit un filtru de bandă R fig.10.2.). (vezi RC 1 Amplificatoarele selective de tipul I se mai numesc amplificatoare de rezonanţă şi au C2 conectate în circuitul colectorului un circuit oscilant LC (vezi fig.10.3). Caracteristica C1 impedanţei circuitului oscilant de amplitudine- frecvenţă va avea aceeaşi formă ca şi dependenţa

Fig.9.15. Circuitul echivalent al etajului EC

VT

Uint. Uint. Uieş.

R2 RE

Uieş.

R0

C0 CE

Fig. 10.1. Schema-bloc a amplificatorului selectiv de tipul I

Fig. 10.2. Schema-bloc a Fig.9.16. selectiv de tipul II amplificatoruluiEtaj EC cu corecţie la frecvenţe înalte prin reacţie negativă în curent
31

frecvenţă. Pentru a îmbunătăţi parametrii (factorul de calitate Q) inductanţa L este conectată în circuitul colectorului parţial (prin priză) (vezi fig.10.4). Pentru a evita şuntarea circuitului oscilant prin sarcina cu rezistenţă mică, semnalul este cules prin condensatorul de cuplaj de pe o porţiune a inductanţei (vezi fig.10.4.a.) sau este cules prin intermediul unei inductanţe mutuale (vezi fig.10.4.b.).

−E + k Deoarece la joase Cfrecvenţe (f<50k kHz) cresc valorile necesare ale inductanţelor şi max. capacităţilor, cresc gabaritele elementelor folosite. În acelaşi timp creşte şi rezistenţa bobinei, deci scade factorul ei de calitate. Din aceste considerente în amplificatoarele selective de tipul II în bucla Q C 0,7kmax. de reacţie sunt folosite filtre RC de bandă: reţeaua Wien şi reţeaua 1 dublu T (vezi fig.9.11 şi 9.12). R1 L Mai frecvent este folosită reţeaua dublu T (vezi fig.10.5), deoarece putem căpăta la frecvenţa de

cuazirezonanţă f0 un factor de 2transfer al buclei de reacţie aproape de zero χ 0 → 0 . La această C1 frecvenţă reacţia este nulă şi factorul de amplificare al amplificatorului capătă valoarea maximală. La VT frecvenţe deferite de f0 apare reacţia negativă,k care aduce la micşorarea factorului de amplificare.

C

Uint. R2

RE Uint.
a

Uieş.

max.

CE

0,7kmax.

Q2

∆f b Fig.10.3. Schema (a) şi caracteristicile amplitudine-frecvenţă (b) ale amplificatorului de rezonanţă −EC+ −EC+ Uieş.

∆f

Uieş.

f

Fig.10.5. amplificator selectiv de tipul II cu reţea dublu T L C2 C C L2 R1 R1 C1

11

AMPLIFICATOARE DE PUTERE

Uint.

VT AmplificatoareleVT putere sunt etaje de ieşire (finale) ale amplificatoarelor cu multe etaje, de care servesc pentru dezvoltarea pe sarcină aU puterii maximale. C
1. sarcina are de regulă rezistenţă mică şi, prin urmare, impedanţa de ieşire a amplificatorului de putere trebuie să fie mică; b 2. cuplajul sarciniia trebuie ales urmărind acelaşi scop şi mai frecvent este efectuat prin Fig.10.4. Amplificatoare de rezonanţă transformator; 3. deoarece puterea necesară pe sarcină este mare, este importantă alegerea tranzistorului după mărimea puterii maxime a colectorului PCM. Parametrii principali, prin care sunt caracterizate amplificatoarele de putere sunt: • puterea de ieşire Pieş; • factorul de amplificare a puterii Kp; • randamentul η;

C1 Uieş. Noţiuni generale
int.

R2 R2 RE RE Dificultăţile esenţiale legate de amplificatoare de putere sunt: CE

E

32

factorul distorsiunilor neliniare ν; factorul de utilizare a tranzistorului în tensiune ξ. Parametrii amplificatoarelor de putere depind de clasa de funcţionare a etajului de ieşire: A, B, C sau clasa intermediară AB. Cu toate că schemele amplificatoarelor de putere în varianta clasică includ transformatoarele de cuplaj, în schemele moderne, de regulă, sunt folosite amplificatoarele cu tranzistoare complementare, în care sunt evitate transformatoarele. Deoarece tradiţional amplificatoarele de putere sunt folosite pentru amplificarea semnalelor sonore, ele sunt mai frecvent amplificatoare de joasă frecvenţă.

• •

33

11.2

Amplificatoare de putere clasa A

În fig.11.1 este reprezentată schema amplificatorului de putere clasa A. Acordarea sarcinii este efectuată folosindu-se transformatorul T. Deoarece rezistenţa înfăşurării primare a transformatorului de ieşire Rw1 este foarte mică, dreapta de sarcină va fi aproape verticală. Sarcina în curent alternativ este determinată de rezistenţa sarcinii raportată la înfăşurarea primară:

R 1 = rS = S

RS 2 kT
w2 w1

,

(11.1)

unde kT este factorul de transformare al transformatorului de ieşire:

kT =

.

(11.2)

Dreapta de sarcină în c.a. (caracteristica dinamică de ieşire) trece prin punctul de repaos şi intersectează axa UCE în punctul:

U CE = E 1 = U CE + I C0 R 1 . C S

(11.3)

Destinaţia celorlalte elemente ale schemei este identică cu cazul etajului amplificator EC (vezi 8.4.). Deoarece puterea disipată pe RE poate fi trecută în pierderi, pentru a majora randamentul va fi necesar de micşora valoarea RE. Prin urmare, capacitatea CE va trebui să aibă valori foarte mari. −E exagerat de mari ne refuzăm de condensatorul CE în schemă. Atunci, când aceste valori sunt C+ Rezistenţa RE va fi aleasă de o valoare foarte mică pentru a asigura stabilitatea funcţionării T amplificatorului şi reducerea zgomotului, formând reacţie negativă. Pentru amplificatoarele de putere clasa A pot fi menţionate următoarele avantaje: R U w w ♦ simplitatea modificării fazei tensiunii de ieşire; ♦1 posibilitatea folosirii sursei de alimentare cu tensiune joasă, deoarece în C înfăşurarea primară a transformatorului de ieşire în curent continuu căderea de tensiune VT va fi foarte mică (datorită rezistenţei mici) şi U CE0 ≅ E C .

R1

1

2

S

ieş.

Uint. Dezavantajele principale sunt: R2 RE CE
deoarece este folosită clasa A randamentul maxim posibil va fi 50%; datorită curentului colectorului de repaos, care curge prin înfăşurarea primară a transformatorului de de putere clasa A Fig.11.1.Amplificatorieşire, regimul transformatorului este apropiat de saturaţie şi acest fapt aduce la distorsiuni neliniare esenţiale;  folosirea transformatorului este însoţită de:


• • •

creşterea gabaritelor şi masei, dependenţa parametrilor de frecvenţa , sensibilitatea echipamentului la câmpuri magnetice.

T1 Uint. w 11

VT1

iC1

T2

w 12

+EC−w 12 iC2

11.3

22 S Amplificatoare de putere în contratimp cu cuplaj prin transformator

w

R

VT2

Fig.11.2.Amplificator de putere în contratimp clasa B cu transformator 34

În fig.11.2. este reprezentată schema acestui amplificatorului de putere în contratimp clasa B cu cuplaj prin transformator. Schema este formată din două etaje cu punct neutru comun şi transformator de ieşire comun cu priză mediană în primar. Pentru ca tensiunile de intrare pentru fiecare etaj să fie în antifază poate fi folosit etajul cu sarcină divizată schema cărui a fost prezentată în 8.8 (vezi fig.8.14). De asemenea poate fi folosit un transformator de intrare cu priza mediană în secundar (vezi în fig.11.2). Tranzistoarele VT1 şi VT2 funcţionează pe rând în antifază, amplificând câte o alternanţă a semnalului. În timpul alternanţei pozitive VT1 va fi blocat şi curentul iC1 va fi egal cu zero, iar VT2 va fi în regim activ direct şi curentul iC2 va parcurge semiînfăşurarea primară de jos a transformatorului de ieşire T2, şi în înfăşurarea secundară va fi indusă tensiunea de ieşire. În timpul alternanţei negative tranzistoarele îşi schimbă rolul. Curentul înfăşurării primare a transformatorului de ieşire va fi suma algebrică a curenţilor colectoarelor: i1T2 = iC1 - iC2. (11.4) În fig.11.3 sunt reprezentate formele de undă ale tensiunilor de intrare uBE1, uBE2, curenţilor de ieşire ale tranzistoarelor iC1, iC2 şi al transformatorului de ieşire i2 T2 în circuitul amplificatorului clasa B pentru semnal de intrare sinusoidal. În amplificatoarele clasa B, adică fără polarizarea tranzistoarelor, apar distorsiuni iB1 iB1 neliniare datorită neliniarităţii caracteristicilor de intrare ale tranzistoarelor VT1 şi VT2 la tensiuni umici (vezi fig.11.4). În aşa mod la nivelul zero se formează o treaptă în semnalul de ieşire. Pentru BE1 ωt exclude aceste distorsiuni este folosită clasa AB . Prin divizorul de tensiune R1-R2 baza este slab uaBE2 polarizată. Schema amplificatorului de putere în contratimp clasa AB este reprezentată în fig.11.5.

ωt iB2 idatorită clasei de funcţionare valoarea maximă aiB2 randamentului este mult mai mare şi poate C2 atinge 78,6%; ωt ♦ icomponentele de curent continuu ale curenţilor colectoarelor au sensuri reciproc opuse prin 2T2
♦ ♦

ωt Pentru amplificatoarele de putere clasa B (AB) în comparaţie cu cele de clasa A menţionăm următoarele avantaje: iC1

uBE2

uBE1

t

înfăşurarea primară a transformatorului T2 şi fluxurile magnetice, formate de ele, se ωt compensează reciproc, de undă ale t Fig.11.3. Formele evitând saturaţia; etajele sunt conectate în paralel în circuitul sursei de alimentare şi, prin urmare nu este necesară curenţilor în circuitul sursă cu tensiune înaltă. Fig.11.4. distorsiuni neliniare în

care se adaugă dezavantajele, legate de folosirea transformatoarelor (vezi 11.2.).

amplificatorului de putere în amplificatoare clasa parametrii identici, la Dezavantajul principal B necesitatea unei perechi de tranzistoare cuB contratimp clasa este

11.4

Amplificatoare de putere în contratimp fără transformator

Aceste amplificatoare pot fi (vezi fig.11.6.) cu două intrări separate cu semnale în antifază (vezi fig.11.6.a) sau cu o intrare comună (vezi fig.11.6.b. şi fig.11.6.c.), cu două surse de alimentare (vezi fig.11.6.a. şi fig.11.6.b.) sau cu una comună (vezi fig.11.6.c.). Schema reprezentată în fig.11.6.a. i iB1 este formată din două tranzistoare de acelaşi tip VT1 B1 VT2, care funcţionează în contratimp, şi VT1 surseiindividuale de alimentare (E1 şi E2), şi are două întrări, la care semnalele de polarizate de două T1 T2 C1 intrare se aplica în antifază. Schemele din fig.11.6.b. şi fig.11.6.c. au o singură intrare deoarece sunt uBE dotate cuw tranzistoare complementare (cu parametri identici): VT1 de u p-n-p şi VT2 de tip n-p-n. În tip +E w 12 BE t schema tranzistor w RS w 11 din fig.11.6.b fiecareC− 12 este22polarizat separat, iar în schema din fig.11.6.c ca sursă de 2 polarizare pentru tranzistorul VT2 este folosit condensatorul C: când este aplicată alternanţa negativă R1 1 a semnalului de intrare, VT1 este în regim activ direct şi curentul emitorului iE1 încarcă condensatorul E i iC2 C până la VT acest timp VT2 este blocat, adică curentul său B2 egal cu zero. . În este 2 2 i

R2

B2

Fig.11.5. amplificator de putere clasa AB: 35 a – schema, b – excluderea distorsiunilor

t

VT1 Uint.1 Uint.2 VT2 VT1 Uint. a RS

− E1 + + E2 −

VT1 Uint. RS

− E1 + − E2 +

VT2 b

C RS

− E +

VT2

Fig.11.6. Amplificatoare de putere fără transformator cu: a – două intrări şi două surse, b – o intrare şi două surse, c – o intrare şi o sursă

c

În timpul alternanţei pozitive VT1 este blocat, iar tensiunea de pe armăturile condensatorului C polarizează VT2. Tranzistorul VT2 este în conducţie şi prin condensatorul C curge iE2. Deoarece VT1 şi VT2 au parametri identici şi curenţii prin sarcină ai tranzistoarelor iE1 şi iE2 de asemenea sunt egali. În curent continuu tranzistoarele sunt conectate în serie, iar în curent alternativ, atât la intrare, cât şi la ieşire, sunt conectate în paralel. Capacitatea C este aleasă din condiţia, ca la joase frecvenţe XC«RS. Tensiunea sursei de alimentare este limitată de străpungerea tranzistorului VT1: E ≤ (0.8÷ 0.9)UCEM. (11.4) Dezavantajul principal al amplificatoarelor de putere în contratimp fără transformator este necesitatea tranzistoarelor complementare identice.

11.5

Amplificatoare de putere cu intrare paralelă a tranzistoarelor de ieşire

În ultimul timp sunt folosite pe larg amplificatoare de putere fără transformator cu intrare paralelă şi sinfazică a tranzistoarelor de ieşire. Schema unui amplificator de acest tip este reprezentată în fig.11.7.a. În baza tranzistorului VT1 este format etajul de intrare, care funcţionează în clasa A. Sarcina de colector a tranzistorului VT1 este rezistorul RC. În calitate de etaj de ieşire este folosit un amplificator de putere în contratimp cu tranzistoare complementare VT2 şi VT3. Datorită rezistorului R bazele tranzistoarelor VT2 şi VT3 sunt slab polarizate şi, prin urmare, etajul de ieşire funcţionează în clasa AB. În acest mod sunt micşorate distorsiunile neliniare. În locul rezistorului R poate fi inclus în schemă o diodă polarizată direct. Folosirea unei diode semiconductoare sau a unui termorezistor în locul rezistorului R asigură o stabilizare termică suficientă a amplificatorului. În timpul alternanţei pozitive a semnalului de intrare este formată alternanţa negativă a tensiunii pe colectorul tranzistorului VT1 şi curentul curge prin VT2 şi sarcină. În timpul alternanţei negative a semnalului de intrare tranzistorul VT3 trece în conducţie şi curentul curge prin VT3 şi sarcină. În aşa

36

mod, pe parcursul unei perioade a semnalului de intrare sunt formate alternanţele pozitivă şi negativă ale curentului şi tensiunii pe sarcină. Dezavantajul principal al acestor amplificatoare constă în problema alegerii tranzistoarelor de putere VT2 şi VT3 de tip p-n-p şi n-p-n cu aceeaşi parametri. Deoarece tranzistoare complementare (cu parametri identici) de putere mică pot fi alese mai uşor, mai frecvent este folosită schema cu tranzistoare de putere (de ieşire) de acelaşi tip (vezi fig.11.7.b).

37

−EC+ RF RC t0 C1 Uint. R1 RE
R

CF

VT2 C2 RS VT3

VT1 CE

R2

a −EC+

RF RC t0 C1 Uint. R1 RE
R

CF

VT2 R4 VT3 CE R5 R6

VT4

C2 R S VT5 R7 b

VT1

R2

fig.11.7. amplificatoare de putere cu intrare paralelă a tranzistoarelor de ieşire: a – schema cu tranzistoare de putere complementare, b – schema cu tranzistoare de putere de acelaşi tip

38

5. AMPLIFICATOARE DE CURENT CONTINUU 5.1. Noţiuni generale Pentru amplificarea semnalelor foarte lente vor fi necesare amplificatoare, frecvenţa limită de jos a căror tinde spre zero. Ele se numesc amplificatoare de curent continuu (A.C.C.). Caracteristicile amplitudine - frecvenţa şi fază-frecvenţa a A.C.C. sunt reprezentate în fig. 12.1.(a şi b). Deoarece semnalele electrice la intrarea A.C.C. au valori foarte mici (tensiuni circa 10 -7 V şi curenţii de ordinul 10-12 ÷ 10-16 A), este necesar un factor de amplificare foarte mare, din care cauză A.C.C. sunt amplificatoare cu multe etaje. În amplificatoarele de c.a. cuplajul între etaje, cuplajul semnalului de intrare şi sarcinii este realizat prin grup RC sau prin transformator. În aşa mod se amplifică numai semnalul variabil (util). Odată cu micşorarea frecvenţei cresc distorsiunile, provocate de condensatoare sau transformatoare. Prin urmare, pentru liniarizarea caracteristicii amplitudine - frecvenţă la joase frecvenţe este necesară evitarea elementelor reactive în schema amplificatorului. Atunci, când semnalul este foarte lent sau trebuie amplificat curent continuu, este folosit cuplajul direct. Toate, cele menţionate mai sus, provoacă următoarele dificultăţi: Necesitatea acordării potenţialelor de la ieşirea etajului precedent şi intrarea etajului următor. • Este dificilă stabilizarea funcţionării amplificatorului la variaţiile tensiunii de alimentare şi a parametrilor elementelor schemei cu temperatura şi timpul (este exclus condensatorul din circuitul emitorului ). • Este complicat cuplajul sursei de semnal şi sarcinii, deoarece variaţiile tensiunilor în schemă vor avea acelaşi caracter şi valoare cu semnalul util. Variaţia parametrilor provoacă variaţii ale tensiunii şi curentului de ieşire, adică decalajului . Decalajul este variaţia maximală a semnalului de ieşire într-un anumit interval de timp în condiţiile de scurcircuit la intrare. De aici rezultă noţiunea de tensiune de drift sau tensiune de offset: •

U off. =

U ieş. kU

U int. = 0 .

(12.1)

În acest fenomen rolul principal revine etajului de intrare. Amplificatorul poate amplifica sigur semnale cu Uint. » Uoff.. Pentru micşorarea decalajului pot fi întreprinse următoarele măsuri: • folosirea în etajul de intrare a tranzistoarelor cu siliciu, în care dependenţa curentului colectorului de temperatură este mai mică, • folosirea în etajul de intrare a tranzistoarelor cu efect de câmp, • stabilizarea tensiunii surselor de alimentare, • termostatarea amplificatoarelor, • folosirea în circuitul amplificatorului a compensării termice, • folosirea reacţiei negative locale sau globale, • folosirea amplificatoarelor simetrice. În majoritatea ACC este necesar ca la schimbarea polarităţii semnalului de intrare să-şi sensul şi semnalul de ieşire. Prin urmare, caracteristica de amplitudine a A.C.C. are forma reprezentată în fig. 12.1.c.

39

A.C.C. sunt utilizate în stabilizatoare de tensiune sau curent, în metrologie, automatică, în metrologie etc. A.C.C. pot fi parte componentă a amplificatoarelor de curent alternativ deoarece nu conţin condensatoare (de dimensiuni mari) şi datorită posibilităţii realizării sale în formă integrală. A.C.C. pot fi: • cu cuplaj direct, care au schemă mai simplă, • amplificatoare cu modulare - demodulare.

ku

Uieş.

a ψ fs f f b c

Uint.

Fig. 12.1. Caracteristicile A.C.C.: a – caracteristica amplitudine-frecvenţă, b – caracteristica fază-frecvenţă, c – caracteristica de amplitudine
−EC+

RB1 VT1 Uint.

RC1 UCE1 UBE2

RC2

12.2.

A.C.C. cu cuplaj direct

VT2 Uieş. UE1 RE2
două cu

Schema unui A.C.C. cu etaje cu tranzistoare bipolare p-n-p cuplaj direct este reprezentată în

RB2

RE1

UE2

40 Fig.12.2. A.C.C. cu cuplaj direct

fig.12.2. Regimul de repaos al etajului de intrare este calculat în mod obişnuit. Rezistenţa în circuitul emitorului etajului următor RE2 este aleasă în aşa mod, ca să se respecte condiţia: UCE1+UE1=UBE2+UE2, (12.2) de unde rezultă, că: UE2 =UCE1+UE1−UBE2. (12.3) Deoarece, de regulă: UCE1>> UE1, (12.4) din (12.3) rezultă: UE2 > UE1. (12.5) Pentru regimuri identice ale tranzistoarelor VT1 şi VT2 (adică IE1 =IE2 şi UCE1 =UCE2) din ultima inegalitate (12.5) rezultă: RE2 >RE1 şi RC2 >RC1. (12.6) Deoarece prin rezistenţa în circuitul emitorului se realizează reacţie negativă, pentru determinarea factorului de amplificare a fiecărui etaj putem folosi expresia (9.1), unde: kU = S RC şi χ = RE / RC . (12.7) Atunci:

k U1 =

SR C1 şi 1 + SR E1

k U2 =

SR C2 . 1 + SR E2

(12.8)

Prin urmare, în etajul următor avem nevoie de o rezistenţă mai mare în circuitul emitorului şi una mai mică în circuitul colectorului, iar acest lucru duce la adâncirea reacţiei negative în etajul următor şi, prin urmare, în fiecare etaj următor factorul de amplificare va fi mai mic ca în cel precedent. Adică majorarea numărului de etaje în aşa un A.C.C. ne va aduce la o situaţie, când factorul de amplificare din ultimul etaj va fi mai mic ca unitatea şi acest etaj va fi inutil. Din această cauză nu putem majora valoarea factorului de amplificare numai prin creşterea numărului de etaje. O ieşire din situaţie este schimbarea tipului tranzistoarelor de la etaj la etaj (vezi fig.12.3.). Acest A.C.C. a căpătat denumirea de amplificator cu simetrie suplimentară. Altă soluţie folosirea în A.C.C. cu cuplaj direct a cuplajului potenţiometric între etaje (vezi fig.12.4). În acest caz pot fi folosite rezistoare cu aceleaşi valori de la etaj la etaj şi, prin urmare, pot fi asigurate −EC+ regimuri de repaos identice şi valori identice ale factorilor de RB1 RC1 RE2 RC3 amplificare în diferite etaje. Rezistenţele VT1 rezistoarelor VT2 VT3 divizorului de cuplaj Rd1 şi Rd2 sunt alese Uint. R Uieş. RE1 RE3 RC2 reieşind din B2 condiţia:

Fig.12.3. A.C.C. cu simetrie suplimentară

41

U E 2 = E 2 − I d R d2 − U B E0 = E 2 −

− E1 + În circuitul de intrare, în serie cu semnalul de intrare, poate fi conectată suplimentar o sursă de compensare a tensiunii de offset. Sarcina este conectată în diagonala unei punţii braţele căreia sunt: • RC2; R2 R1 • R1 plus o parte din R0; RB1 RC1R ; RC2 Ra RS • R2 plus cealaltă parte din 0 1 b + • RE2 plus tranzistorul VTR 2. E d1 VT În cealaltă diagonală VT1 conectată sursa de2 alimentare E1. Puntea este în echilibru, dacă (vezi este R − R4 fig.12.5): R0 3 Uieş. • curentul prin sarcină lipseşte, Id • potenţialele nodurilor a şi b sunt egale, Fig.12.5. Puntea în echilibru Uint. • tensiunea pe sarcină este nulă. RE2 Rd2 Rde RE1 R2 Condiţia B2 echilibru a punţi este:

E 2 + U CE 1 + U E 1 R d2 − U BE 0 . R d1 + R d2

(12.9)

RUBE0 R 2 1 = . (12.10) R3 R4 + E − După acest principiu în circuitul de2 ieşire este stabilit echilibrul variind alunecătorul R0 în condiţia, când semnalul de intrare lipseşte. cuplaj potenţiometric Fig.12.4. A.C.C. cu

12.3

Amplificatoare simetrice

Schemele amplificatoarelor simetrice sunt prezentate în fig.12.6. Structura schemotehnică a amplificatoarelor simetrice este formată pe principiul punţii (vezi 12.2). Sarcina este conectată în diagonala punţii braţele căreia sunt: R1, R2, −E + −E + VT2 plus o parte din R0, VT1 plus cealaltă parte din R0. În cealaltă diagonală este conectată sursa de alimentare E. R2 R2 RB11 RezistenţeleR1B11, RB12, RB21, RB22 Rformează divizoare de R1 R – B21 tensiune pentru polarizarea bazelor RS – RG1, RG2). De regulă, este obligatorie condiţia că tranzistoarele trebuie se RS VT1 şi VT2 (în fig. 12.6.b VT1 VT1 VT 3 aibă parametrii identici. Rezistenţa R2 este comună pentru tranzistoare şi serveşte VT2 stabilirea pentru curenţilor de emitor (sursă). Semnalul de intrare este aplicat între bazele (grilele) tranzistoarelor, iar semnalul de ieşire este cules între colectoare (drene). În aşa mod, amplificatoarele simetrice au intrare R0 R0 şi ieşire simetrice. Deplasând alunecătorul rezistenţei R0 puntea este stabilită în echilibru, adică în absenţa RG1 i2 Rse RB12 i1 i2 RG2 i1 semnalului (scurtcircuit) la intrare B22 stabileşte Uieş = 0. Schimbarea tensiunii sursei de alimentare, temperaturii mediului şi a R factori aduce la schimbări identice în curenţii colectoarelor (drenelor). altor R3 3 Prin urmare, tensiunile pe colectoare (drene) se schimbă analogic şi Uieş rămâne nulă. În aşa mod aceste fluctuaţii se compensează reciproc pe sarcină, micşorându-se esenţial decalajul. Dacă, de exemplu, creşte temperatura, ea va creşte pentru ambele tranzistoare cu aceeaşi valoare. Prin urmare, Uint. Uint. va creşte căderea de tensiune pe R1 şi R2 cu aceeaşi valoare. Se vor micşora tensiunile pe colectoare a b cu aceeaşi valoare şi diferenţa de potenţial între colectoarele (drenele) tranzistoarelor, adică tensiunea de ieşire, rămâne neschimbată. Pe când semnalul de intrare fiind aplicat cu polarităţi diferite provoacă schimbări egale ca valoare şi cu sensuri opuse pe cele două tranzistoare. Prin urmare, tensiunea de Fig.12.6. Amplificatoare simetrice

• • • •

a − cu tranzistoare bipolare, b − cu tranzistoare cu efect de câmp
42

ieşire se va dubla. Schimbarea polarităţii tensiunii de intrare aduce la schimbarea polarităţii tensiunii de ieşire, adică caracteristica de amplitudine are forma reprezentată în fig.12.1.c. Sub acţiunea semnalului de intrare schimbările tensiunilor bazelor (grilelor) sunt egale ca valoare şi au sens opus:

uin t. u şi − in t. . Aceste tensiuni provoacă aşa schimbări ale curenţilor i1 şi i2, 2 2
∆u3=(∆i1+∆i2)R3=0. (12.11)

că ∆i1= - ∆i2. Tensiunea pe R3 nu se va schimba, deoarece:

Prin urmare, pentru semnal R3 nu formează reacţie negativă, iar VT1 şi VT2 formează etaje cu R1 şi R2 , respectiv, în circuitul colectorului (drenei) şi fără reacţie negativă. Factorul de amplificare poate fi determinat folosind circuitele echivalente, reprezentare în fig.12.7. Semnul minus în faţa pantei S simbolizează proprietatea de inversor a etajului. Adică vom scrie:

uieş .1 = −SR

uint. 2

,

şi

uieş.2 = SR

uint. , 2

(12.12) (12.13) (12.14)

uieş..= uieş..1- uieş..2=-SR uint., şi unde ku= uieş./ uint. =-SR .

R=

ri 1 R 1 r R = i2 2 R 1 + ri 1 R 2 + ri 2

.

(12.15)

Prin urmare, amplificatorul simetric are acelaşi factor de amplificare ca etajul EC fără reacţie negativă.

ri1

R
1

Uieş.1 a

−E +

ri2

R
2

Uieş.2 + −E b

U int . S( )R U R 2 i

R1 R2 RB11 Fig.12.7. R1 R2echivalente B21 amplificatoarelor simetrice R ale Circuite Uieş. Uieş. VT1 VT1 VT2
0

12.4

Amplificatoare diferenţiale

R0

Amplificatorul diferenţial (vezi fig.12.8.) reprezintă o variantă a amplificatorului simetric, în Uint.2 U RG1 i i RB22 int.1 1 G2 int.1 B12 2 1 care la bazele tranzistoarelor2se aplică semnale diferite Uint1 şi Uunt2, iar semnalul de ieşire este int.2 cules de pe unul din colectoareR3 între ele. sau R
3

U int . − S (− ) U 2 i R
b

VT2

a

Fig.12.8. Amplificatoare diferenţiale 43 a − cu tranzistoare bipolare, b − cu tranzistoare cu efect de câmp

Atunci, când la intrările amplificatorului diferenţial se vor aplica semnale în antifază:

uint.1 =

uint. 2

şi

uint.2 = −

uint. 2

(semnal diferenţial), funcţionarea schemei nu diferă de cea a

amplificatorului simetric. Atunci, când semnalele sunt sinfazice (semnal de mod comun): uint.1= uint.2= uint., modificările curenţilor i1 şi i2 sunt identice ca valoare şi sens, iar variaţia tensiunii pe R3: ∆u3=(∆i1+∆i2)R3=2∆i 3. (12.16)

Prin urmare, pentru semnal de mod comun E + − rezistenţa R3 formează reacţie negativă, iar fiecare din cele două părţi (braţe) simetrice ale schemei poate fi reprezentat ca în fig.12.9. Factorul de amplificare se va determina prin expresia:

Uint.dif. 2 U unde ku=SR – este factorul de amplificare al fiecărui braţ fără a ţine cont de reacţia negativă,
χ= uR/uieş. – factorul de transfer al buclei de reacţie negativă, Uint.1 R – rezistenţa echivalentă a circuitului de ieşire a amplificatorului. Uint.c VT1 U Înlocuind în (12.17), vom căpăta pentru factorul de amplificare al unuiint.2 al A.D. următoarea braţ Uieş.1 (VT2) expresie: U
int.1
int.dif.

RB11 (RB21)

R1 (R2)

k UC =

kU , 1 + χk U

(12.17)

(Uint.2)

RB12 (RB22)

k UC =

2R3 SR (Uieş.2)R
1 + 2SR 3 =

2R 3

.

(12.18)

De regulă Zieş.>>R1 şi Zieş.>>R2 şi, prin urmare, putem considera R=R1=R2=RC. Atunci semnalului de intrare în expresia (12.18) capătă forma:

Fig.12.10. Descompunerea componente
(12.19)

Fig.12.9. Circuit echivalent al amplificatorului diferenţial

k UC =

RC , 2R E

unde RC şi RE sunt rezistenţele din circuitele colectorului şi emitorului, respectiv. Pentru semnal de mod comun potenţialele colectoarelor variază identic ca valoare şi sens şi uieş.=0. Deoarece semnalul de mod comun în realitate nu este altceva de cât zgomot sau perturbaţii, este dorit ku c=0. Reducerea factorului kuc se efectuează prin majorarea rezistenţei RE (R3). În majoritatea cazurilor reale semnalele de intrare reprezintă o combinaţie de semnal de mod comun (uint.c) şi semnal diferenţial (uint.dif=uint.1- uint.2 ), cum este reprezentat în fig.12.10. Atunci putem scrie:

uint.1 = uint.c + uint.2 = uint.c −

uint.dif. u − uint.2 = uint.c + int.1 2 2 uint.dif. u − uint.2 = uint.c − int.1 2 2

,

(12.20)

,

(12.21)

În fiecare braţ al A.D. componenta de mod comun se amplifică cu factorul kuc (vezi expresia (12.19)), iar componenta diferenţială cu factorul ku (vezi expresia (12.14)). Prin urmare, la ieşire vom avea:

44

uieş.1 = − uieş.2 = −

RC u − uint.2 uint.c − SR C int.1 2R E 2 RC u − uint.2 uint.c + SR C int.1 2R E 2

,

(12.22)

,

(12.23)

uieş. = uieş.1 − uieş.2 = −SR C ( uint.1 − uint.2 ) .

(12.24)

Expresiile (12.22), (12.23) şi (12.24) demonstrează, că în amplificatorul diferenţial cu braţele simetrice (identice) semnalul de mod comun este suprimată complet, iar tensiunea semnalului de ieşire este proporţională deferenţei tensiunilor de intrare ( de unde şi provine denumirea amplificator diferenţial). Semnalul de ieşire va repeta faza semnalului de intrare uint.1, de aceea prima intrare este numită neinversoare, şi semnalul de ieşire va fi în antifază cu semnalul de intrare uint.2 , de aceea a două intrare este numită inversoare În scheme reale la ieşire va fi prezentă şi o componentă (nedorită) mică de semnal de mod comun. Caracterizarea abaterii unui amplificator diferenţial de la comportarea ideală se indică prin parametrul rejecţia semnalului de mod comun:

G=

ku k uc

.

(12.25)

Expresia (12.25) demonstrează, că pentru îmbunătăţirea performanţelor amplificatorului diferenţial (majorarea G ) este necesară majorarea rezistenţei RE. Însă majorarea rezistenţei RE este însoţită de creşterea căderii de tensiune pe ea şi cere o tensiune de alimentare mai mare. Acest fapt cauzează înlocuirea RE cu un generator de curent stabil, care are rezistenţe dinamică mare iar statică mică. Amplificatoarele diferenţiale sunt pe larg folosite în practică nu numai în A.C.C. Ele sunt + E1 un element obligatoriu în amplificatoare operaţionale, deoarece intrarea diferenţială−a amplificatorului operaţional este formată folosindu-se ca etaj de intrare un etaj diferenţial. Pentru o amplificare mai mare sunt folosite câteva etaje cuplajul între ele fiind direct.

R1 R2 Uieş.1 Uint.1 Uieş. Uieş.2 U VT VT2 12.5 1Generator de curent stabilint.2

Schema unui amplificator diferenţial cu generator de curent stabil (G.C.S.) cu tranzistoare bipolare este reprezentată în fig.12.11. R schemă de principiu are circuitul integrat К118УД1. Aşa RB2 B1 i2 G.C.S. este realizat pe tranzistorul bipolar VT3. Regimul ide funcţionare al tranzistorului VT3, deci şi 1 curentul colectorului de repaos IC0, este determinat de divizorul de tensiune R4 R5, VT4 (în montaj Uint.3 diodă) şi rezistenţa R3 în circuitul emitorului. G.C.S. (VT3) are rezistenţă dinamică mare şi rezistenţă VT3 statică mică datorită caracterului neliniar al caracteristicilor statice de ieşire ale tranzistorului VT3 (vezi fig.12.12.). În regimul de repaos cu curentul colectorului IC0 şi tensiunea UCE0 rezistenţa statică VT4 (integrală) este: R

R3

5

R4 − E2 +

fig.12.11. Amplificator diferenţial 45 generator de curent stabil cu

RC =

U CE0 , I C0
∆U CE . ∆I C

(12.26)

şi deoarece caracteristica statică a tranzistorului VT3 are pantă mică, rezistenţa dinamică este:

rC =

(12.27)

Prin urmare, rC>>RC. În amplificatoarele diferenţiale şi alte amplificatoare integrate în calitate de G.C.S. este folosit pe larg circuitul numit oglindă de curent. Schema de principiu a unui aşa circuit într-o variantă

IC ∆IC ∆UCE VT1 IB1 IE2

I1 I2 IB2 VT2 UBE IE1

IC0

IB0

UCE0 UCE Fig.12.12. Caracteristicile statice ale VT3

Fig.12.13. Oglindă de curent

simplă este reprezentată în fig.12.13. Circuitul conţine două tranzistoare bipolare cu emitoarele cuplate direct. Deoarece joncţiunile emitoarelor au arii egale, curenţii emitoarelor IE1 şi IE2 de asemenea sunt egale, iar de aici rezultă şi egalitatea curenţilor I1 şi I2. Dacă primul etaj va fi considerat de intrare, iar etajul doi – de ieşire, atunci din egalitatea I1 = I2 rezultă, că curentul de ieşire repetă curentul de intrare. De aici provine noţiunea de oglindă de curent. Circuitul mai este numit repetitor de curent. El este caracterizat, spre deosebire de repetitorul de tensiune, prin impedanţă de intrare mică şi impedanţă de ieşire mare. Curenţii emitoarelor IE1 şi IE2 vor avea valori diferite, dacă joncţiunile emitoarelor tranzistoarelor VT1 şi VT2 se vor afla sub tensiuni cu valori diferite, sau, dacă vor avea arii diferite. Prin urmare, schimbând geometria tranzistoarelor sau modificând valorile tensiunilor UBE1 şi UBE2, aplicate pe joncţiunile emitoarelor poate fi variat factorul de redare al curentului. Majorarea ariei joncţiunii emitorului tranzistorului VT2 poate fi efectuată atât direct prin majorarea ariei joncţiunii, cât şi folosind un tranzistor cu multe emitoare (vezi fig.12.14.a). În aşa mod pentru tranzistoarele p-n-p poate fi variat factorul de redare între valorile 1,0 şi 10. Pentru a forma diferite valori ale tensiunilor pe joncţiunile emitoarelor în circuitele emitoarelor sunt incluse rezistenţele R1 şi R2 (vezi fig.12.14.b). Prin alegerea respectivă a valorilor rezistenţelor factorul de redare poate fi variat în domeniul de valori 0,1 la 0,9.

46

I1 VT1

I2 VT2 VT1

I1

I2 VT2

UBE1 UBE2 R1 R2

a

b

Fig.12.14. Variaţia factorului de redare

12.6

Amplificatoare cu modulare-demodulare.

Cu toate, că amplificatoarele moderne cu cuplaj direct sunt caracterizate printr-un decalaj foarte mic (circa câţiva microvolţi pe grad), aceste amplificatoare sunt inutile pentru amplificarea semnalelor foarte slabe de ordinul 10-7 V. Cu acest scop sunt folosite amplificatoarele cu modularedemodulare (A.M.D.). Schema bloc a A.M.D. este reprezentată în fig.12.15, iar formele de undă ale tensiunilor în amplificator −în fig.12.16. În A.M.D. este folosit principiul modulaţiei în amplitudine şi procesul de amplificare are loc în trei etape: • modulaţie în amplitudine, • amplificarea semnalului alternativ, • demodulare.

Uint. FTJ1 M

UMA1 FTS1 UP

UMA2 A.C.A. FTS2 DM UP

Uieş. FTJ2

G
fig.12.15. schema bloc a amplificatorului cu modulare-demodulare
• • •
Destinaţia elementelor principale ale amplificatorului cu modulare-demodulare urmează: Filtrul trece-jos FTJ1 limitează semnalul de intrare (lent variabil) la domeniu precizat al frecvenţelor Uint. joase, pentru a elimina efectul semnalelor perturbatoare din exteriorul benzii semnalului util. Modulatorul M transformă semnalul lent variabil Uint. într-un semnal alternativ de frecvenţă pilot (purtătoare) a cărui amplitudine respectă legea variaţiei în timp a semnalului de intrare (modulaţia în amplitudine) UMA 1. Filtrul trece-sus FTS1 suprimă componenta de curent continuu şi este realizat, folosindu-se cuplajul prin condensator sau transformator.

47

• • • • •

Generatorul G furnizează oscilaţii de frecvenţa pilot Up.. Frecvenţa pilot este aleasă mult mai mare ca frecvenţa de sus a semnalului de intrare (de circă 10 - 20 de ori). Generatorul acţionează sincron asupra modulatorului şi demodulatorului. Amplificatorul de curent alternativ A.C.A. realizează funcţia principală – de amplificare şi este realizat conform tuturor principiilor, care le cunoaştem pentru amplificatoare de semnal variabil (curent alternativ). Filtrul trece-sus FTS2 de asemenea suprimă componenta de curent continuu şi este realizat, folosindu-se cuplajul prin condensator sau transformator. Demodulatorul DM este realizat pe principiul detecţiei sensibile. Semnalul la ieşirea demodulatorului este proporţional cu amplitudinea semnalului de la intrarea sa. Filtrul trece josFTJ2 suprimă componentele spectrale suplimentare de frecvenţe înalte, apărute î componenţa spectrală a semnalului în circuitul amplificatorului cu modulare-demodulare. Avantajele amplificatorului A.M.D. sunt următoarele:     posibilitatea obţinerii unui decalaj minim; posibilitatea separării galvanice între ieşire şi intrare; amplificarea poate fi de orice nivel cât de înalt este dorit; deoarece amplificatorul este curent alternativ, este simplă folosirea reacţiei negative şi deci putem căpăta o funcţionare stabilă. Ca dezavantaje pot fi menţionate: Nivelul înalt de sofisticare a schemei, Banda de trecere este limitată (îngustă), deoarece trebuie respectată condiţia, expusă mai sus referitor la relaţia între frecvenţa pilot şi banda semnalului de intrare.

 

48

Uint. t

UP

t UMA1

t

UMA2

t

Uieş.

t

fig. 12.16. Formele de undă în A.M.D.

13. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

49

13.1. Noţiuni generale
Amplificatorul operaţional (A.O.) este un amplificator de curent continuu cu intrare diferenţială, factor de amplificare foarte mare, impedanţa de intrare foarte mare şi E1 impedanţa de ieşire foarte mică. Termenul de operaţional a fost aplicat ∞ Uint. 1 − acestor amplificatoare datorită folosirii lor în Uieş. circuite de calcul (calculatoare analogice) + pentru a efectua operaţii ca: adunarea, Uint. 2 b derivarea, integrarea, logaritmarea etc. a E2 Amplificatoarele operaţionale (A.O.) în formă integrală şi-au găsit aplicarea Fig. 13.1. Simbolul A.O. (a) şi simbolul într-o gamă foarte largă de scheme: simplificat al A.O. (b) diverse amplificatoare (inversoare şi neinversoare), comparatoare, stabilizatoare, oscilatoare, generatoare de impulsuri, porţi electronice, circuite de limitare, filtre active etc. Simbolul A.O. este reprezentat în fig. 13.1. Tensiunea de ieşire este în antifază cu semnalul de la intrarea inversoare (Uint.1 ) şi repetă faza semnalului, aplicat la intrarea neinversoare (Uint.2 ). De regulă etajul de intrare al A.O. este un etaj diferenţial, care asigură o valoare foarte mare a impedanţei de intrare, stabilitate şi sensibilitate înaltă. Etajul final este un repetitor pe emitor, care asigură impedanţa de ieşire mică. Etajele intermediare asigură amplificarea ( factorul de amplificare) la valoarea necesară (înaltă). De asemenea în cadrul amplificatorului operaţional pot fi incluse elemente suplimentare, care asigură decalarea de potenţial, formează generator de curent stabil, reacţie şi corecţie.

50

Caracteristica de amplitudine a A.O. este reprezentată în fig.13.2. Ea reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire de tensiunea de intrare pentru frecvenţe aproape de zero (curent continuu). Curba 1 corespunde amplificării semnalului aplicat la intrarea neinversoare, iar curba 2 corespunde semnalului aplicat la intrarea inversoare. Caracteristica de amplitudine a A.O. are două domenii cu comportare diferită:  Domeniul dinamic, în care caracteristica este liniară şi panta ei determină factorul dinamic de amplificare:  Domeniul de saturaţie, în care tensiunea de ieşire rămâne neschimbată la nivelul Uieş. U+ieş. max (U-ieş..min). Aceste valori sunt foarte aproape de valoarea tensiunii de alimentare. Deoarece factorul de E1 amplificare dinamic este foarte înalt domeniul dinamic este foarte îngust. Alimentarea A.O. este simetrică de la două surse cu polaritate diferită E1 şi E2 raportate la masă 2 şi egale ca modul.

U+ieş. max 13.2. Parametrii principali ai amplificatoarelor operaţionale
Parametrii principali ai A.O. sunt:

4.

int. Factorul dinamic de amplificare kU ( vezi expresia (13.1)). În A.O. moderne pentru frecvenţe aproape de zero kU poate avea valori de la zeci de mii până la câteva milioane (∼ 104÷ 106). Din  U ieş. max această cauză A.O., cu excepţia comparatoarelor, nu sunt folosite fără buclă de reacţie. 1

U

5.

Amplificare de mod comun. În caz ideal, dacă Uint.1=Uint.2=Uc, tensiunea de ieşire ar trebui să fie nulă. În A.O. reale această condiţie nu este îndeplinită absolut şi este necesară introducerea E noţiunii de amplificare de mod comun. 2

Fig. 13.2.Caracteristica de amplitudine a A.O. U 1 - neinversoare, 2. - inversoare (13.2) ku c = ieş.

Uc

6.

Rejecţia semnalului de mod comun. Caracterizarea abaterii unui amplificator operaţional de la comportarea ideală se indică în datele de catalog prin rejecţia semnalului de mod comun, definită ca:

G=
7.

ku . kuc

(13.3)

Valorile tipice pentru G sunt cuprinse între 103 şi 1013. Tensiunea de offset (tensiune de decalaj la intrare) este diferenţa de tensiune, care trebuie aplicată între cele două intrări pentru a aduce tensiunea de ieşire la zero: Uoff.=Uint.1−Uint.2 pentru Uieş.=0. (13.4) Tensiunea de offset poate să atingă valori de circa Uoff.=5÷ 20 mV. Tensiunea de offset poate fi compensată intern sau extern. Funcţionarea amplificatorului este perturbată de variaţia acestei tensiuni, variaţie determinată de temperatură, timp şi tensiunea surselor de alimentare. Impedanţa de intrare Zint. a A.O. este foarte mare. În A.O. cu tranzistoare bipolare în etajul de intrare Zint. are valori de ordinul kΩ, iar în A.O. cu tranzistoare cu efect de câmp Zint. este de câteva unităţi sau zeci de MΩ.

8.

51

9.

Impedanţa de ieşire Zieş. a A.O. este determinată de etajul de ieşire, care este, de regulă, repetitor de tensiune. Valorile Zieş. a A.O. pot fi de la câţiva Ω până la sute de Ω. 10. Parametrii de frecvenţă. Amplificarea semnalelor armonice este determinată de:  caracteristica amplitudine-frecvenţă, reprezentată în fig .13.3.  banda de trecere,  frecvenţa limită de sus fs ,  frecvenţa de amplificare unitară f1.

Uint. ku ku max

ku max 2
1 0 fs f1 f

Uieş. ∆Uieş. ∆t

t

t

fig.13.3. Caracteristica amplitudine-frecvenţăa A.O.
11. Viteza de creştere a tensiunii de ieşire

Fig.13.4. Amplificarea impulsurilor în A.O.

Amplificarea impulsurilor (de regulă dreptunghiulare) este determinată de viteza de creştere a tensiunii de ieşire

ΔU ieş. Δt
+E1 − 7 12

(vezi fig. 13.4.), când la intrare se aplică o treaptă de tensiune.

VT7 2 UCa ,exemplu de amplificator operaţional VT5 vom 6analiza К140УД1, care reprezintă prima neinv. integrat VT int.1 R9 generaţie de A.O. integrate. În fig.13.5. este reprezentată schema de principiu a acestui A.O. VT1 VT2 10 VD Precizia înaltă de realizare a operaţiilor în circuitele cu A.O. este determinată de impedanţa 3 R7 Uint.2,inv. 9 înaltă de intrare, valoarea înaltă a factorului de amplificare, nivelul foarte jos de zgomot, gradul înalt VT al rejecţiei semnalului de mod comun, banda largă de trecere. Aceste proprietăţi 9 A.O., în primul ale comun 4 R8 rând, sunt determinate de etajul de intrare. Acest fapt explică folosirea etajelor diferenţiale în calitate Uieş. de etaj de intrare. VT3 VT 5
Etajul de intrare este etaj Majorarea impedanţei de intrare funcţionarea tranzistoarelorRVT1 3 Stabilizarea curenţilor emitoarelor diferenţial şi este format pe baza şiVT4 micşorarea curenţilor de intrare R10 şi VT2 cu curenţii emitoarelor R de în etajul 4 intrare este realizată de

R6 R1 Amplificator operaţional К140УД1 5.3. R2

R5

8 tranzistoarelor VT1 şi VT2. ai A.O. sunt realizate prin R11 de ordinul microamperilor. generatorul de curent stabil,

R12 52

+ E2 − 1

Fig.13.5. schema de principiu a A.O. К140УД1

format pe baza elementelor VT3, VT4, R3, R4, R8. Generatorul de curent stabil funcţionează pe principiu repetitorului de curent (oglindă de curent). Etajul de intrare poate avea un factor de amplificare de circa 30 ÷ 100. Prin urmare, este necesar încă un etaj de amplificare − al doilea, care, de asemenea, este diferenţial şi este realizat în baza tranzistoarelor VT5 şi VT6 . Cuplajul între etaje este direct. Acest fapt aduce la creşterea componentei de curent continuu de la etaj la etaj. Tensiunea de c. c. se apropie ca valoare de tensiunea sursei de alimentare şi, în aşa mod, se îngustează domeniul dinamic în etajele finale. Pentru excluderea acestui efect sunt folosite scheme de decalare a nivelului de tensiune, iar alimentarea este simetrică de la două surse cu polaritate diferită şi aceleaşi valori ale tensiunilor:

E1 = E2 = E . Acest

fapt permite şi stabilirea nivelului zero de tensiune în etajul de intrare şi cel de ieşire. Curentul emitoarelor etajului doi este stabilit de rezistenţa R7. Aici nu este folosit generator de curent stabil, deoarece semnalul are un nivel mai înalt. În acelaşi timp rezistenţa R7 serveşte pentru decalarea potenţialului, deoarece tensiunea înaltă de pe colectoarele etajului de intrare cad direct pe bazele tranzistoarelor în etajul doi. În calitate de etaj de decalare a nivelului de tensiune, de regulă, este folosit un repetitor pe emitor cu generator de curent stabil în circuitul emitorului. În A.O. К140УД1 tensiunea amplificată, culeasă de pe colectorul VT6 , este aplicată la baza tranzistorului VT7, care formează etaj de decalare a nivelului de tensiune împreună cu generatorul de curent stabil, format în baza tranzistorului VT8. Etajul de ieşire trebuie să nu micşoreze amplificarea, realizată în etajele intermediare, şi, prin urmare, trebuie să aibă impedanţă de intrare mare, iar pentru dezvoltarea unei puteri maximale a semnalului de ieşire pe sarcină − impedanţă de ieşire − mică. Prin urmare, mai răspândit etaj în calitate de etaj de ieşire este folosit repetitorul pe emitor. Tensiunea de pe sarcina dinamică a etajului de decalare a nivelului de tensiune (colectorul tranzistorului VT8 ) se aplică la baza tranzistorului VT9 , care formează cu rezistoarele R10, R11 şi R12 etajul de ieşire − repetitorul de tensiune. Pentru compensarea atenuării tensiunii în etajul de ieşire este introdusă reacţiea pozitivă, care majorează factorul de redare a tensiunii al repetitorului până la o valoare supraunitară (∼ 1,5). Reacţia pozitivă se manifestă în modul următor: O parte din tensiunea de ieşire, culeasă de pe rezistorul R12, prin rezistorul R10 este aplicată în circuitul emitorului tranzistorului VT8. Pentru acest semnal tranzistorul VT8 formează un etaj bază comună. Deoarece etajul BC este neinversor, în circuitul colectorului acestui tranzistor (VT8) este formată o tensiune suplimentară sinfazică cu semnalul principal. Prin urmare, pe baza şi emitorul tranzistorului VT9 se formează o tensiune, care depăşeşte valoarea tensiunii, culese de pe colectorul tranzistorului VT8. Dioda VD, care este polarizată invers, este folosită în calitate de capacitate şi serveşte pentru introducerea unui defazaj suplimentar, necesar pentru majorarea stabilităţii funcţionării A.O. Alimentarea A.O.К140УД1A este ± 6,3 V, iar pentru К140УД1Б −± 12,6 V. Parametrii principali ai A.O. К140УД1Б sunt: ku=1350÷ 8000, Uint. max=± 1,2 V, Iint.max =9 µA, Uoff.=± 7 mV, f1≥ 5 MHz.

53

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->