DEFECTOS E IMPERFECCIONES en los Arreglos atmicos

1. Defectos puntuales
2. Defectos lineales (Dislocaciones) 3. Defectos superficiales

En muchas aplicaciones es til la presencia de defectos; sin embargo hay unas pocas en las que se trata de minimizar algunos defectos

Por ejemplo las dislocaciones son tiles para aumentar la resistencia de los metales y aleaciones, Sin embargo en el silicio monocristalino (usado en chips) no son deseeble las dislocaciones

Los defectos se pueden crear intencionalmente para obtener determinadas propiedades electrnicas, pticas, mecnicas

Ejemplo: El hierro puro es relativamente suave, pero con pequeas cantidades de carbn se crean defectos en el arreglo cristalino y se convierte en acero al carbono

La alumina pura es transparente, pero cuando se agrega una pequea cantidad de cromo se produce en cristal de rubi rojo.

En el cristal de silicio para microelectrnica se agrega pequeas concentraciones de tomos de P o B que provocan defectos en los arreglos que aportan propiedades elctricas especiales a distintas regiones del cristal (transistores)

Cuando se desea usar cobre como conductor en microelectrnica, se usa con mxima pureza, (esto se debe a que una pequesima cantidad de impurezas causan un aumento de varios rdenes de magnitud en la resistividad del cobre)

Defectos Puntuales
Son interrupciones en los arreglos de los atmicos o inicos (de no ser as la estructura sera perfecta)

 La fig. 1 ilustra los tpicos defectos puntuales

 Un defecto puntual afecta toda la regin

donde interviene varios tomos o iones.
Se pueden crear debido al movimiento de los tomos o iones cuando aumenta la energa al calentarlos, al introducir por:

impurezas presentes en la materia o

por dopado (elementos o compuestos
agregados en forma deliberada) en concentraciones controladas y lugares especficos

vacancia
Se produce cuando falta un tomo o un ion en su sitio normal de la estructura cristalina, es decir cuando hay una vacancia (ver fig. 1 a).

Al haber una vacancia aumenta el desorden normal o entropa del material, lo que aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino

Las vacancias aparecen en los metales y aleaciones durante la solidificacin o por radiacin.

Las vacancias determinan la velocidad con que se pueden mover los tomos o iones; es decir difundirse en un material slido (especialmente en metales puros)

Se forman cuando se inserta un tomo o ion adicional en la estructura cristalina en una posicin normalmente desocupada,

Defectos intersticiales

La fig. 2 ilustra los tomos o iones intersticiales mucho menores que los tomos o iones de los puntos de red

 Se introduce un defecto sustitucional cuando un

Defectos sustitucionales

tomo o ion es sustituido con un tipo distinto de tomo o ion, tal como se muestra en la fig. 1.c

 Los tomos o iones sustitucionales ocupan el

sitio normal de la red.

Pueden ser mayores o menores que los

tomos o iones normales de estructura cristalina principal.

Los defectos sustitucionales se pueden Como ejemplo de sustitucin esta la

incorporacin de dopantes

introducir en forma de impureza o deliberada

Defecto de Frenkel
Tambin conocido como PAR DE FRENKEL es un par vacancia-intersticial que se forma cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial (ver fig. 1.e)y deja atrs una vacancia.

Defecto de Schottky
En este defecto las vacancias se presentan en un material con enlace inico donde debe faltar un nmero estequiomtrico de aniones y cationes en el cristal que se quiere conservar en l a neutralidad elctrica (fig. 1.f)

Fig. 1.f Suele encontrarse en materiales cermicos

Defectos puntuales sustitucionales

Se presenta cuando un ion de una carga remplaza a otro de carga distinta.

Por ejemplo: Cuando un ion de valencia +2 reemplaza a otro de valencia +1

Fig. 2 muestra como un catin divalente reemplaza un monovalente

En este caso se induce una carga positiva adicional en la estructura para permanecer en equilibrio.

Dislocaciones
Son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera sera perfecto. Se introducen en los cristales durante el momento de la solidificacin del material o cuando el material de deforma permanentemente.

Aunque todos los materiales hay dislocaciones son especialmente tiles para explicar la deformacin y el endurecimiento de los materiales metlicos

Dislocaciones

De tornillo

De borde

Mixtas

Dislocaciones de tornillo
Se pueden ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto, y a continuacin torciendo ese cristal una distancia atmica

Fig. 4 Dislocaciones de tornillo

Dslocacin de borde o arista

Se pueden ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto, y llenando en parte el corte con un plano adicional de tomos

(ver fig. 4.5 del libro Donald. Por anexar)

Dislocaciones mixtas
Tienen componentes de borde y de tornillo, con una regin de transicin entre ellas. Sin embargo su vector de Burgers queda igual para todas las porciones de la dislocacin.

Fig. 5 ilustra la dislocacin mixta

Fig. 6 Indica desplazamientos de planos en dislocaciones

Deslizamiento
El proceso por el que se mueve una dislocacin y hace que se deforme un material metlico se llama deslizamiento. La direccin en la que se mueve la dislocacin es la direccin de deslizamiento. Y es la del vector de Burgers para las dislocaciones de borde .

En una de tornillo la direccin de la dislocacin perpendicular al vector Burgers aunque el cristal se deforma en direccin paralela al vector

Importancia de los defectos

Los defectos desempean una funcin muy importante en definicin de las propiedades mecnicas, elctricas, pticas y magnticas de los materiales.

Efectos de las imperfecciones sobre las propiedades en un material

Todas las imperfecciones contenidas en un
cristal aumentan la energa interna en el lugar de la imperfeccin. Porque en la zona de la imperfeccin, los tomos, o estn muy cercaos (sujetos a compresin) o muy apartados (sujetos a tensin).

De las dislocacines
Si las dislocacion se encuentra en una regin donde los tomos estn desplazados respecto a su posicin normal, se requiere un esfuerzo mayor el paso de la dislocacin por la regin de alta energa. En consecuencia el material es ms resistente. En los materiales las dislocaciones, los defectos puntuales y los lmites de grano sirven como una barrera a las dislocaciones

Es posible controlar la resistencia de un materia? Si, controlando la cantidad y el tipo de imperfecciones.

Existen tres mecanismos para el endurecimiento basados en tres en categoras de defectos en los cristales.

 El movimiento de dislocaciones es

relativamente fcil en los metales y aleaciones, por lo que se recomienda para estos materiales.

Al tener en cuenta la resistencia a la tensin y

a las bajas temperaturas, est determinada por la cantidad de porosidad.

 En los polmeros amorfos las dislocaciones

tienen poco efecto en su comportamiento mecnico.

La resistencia de los vidrios inorgnicos

(como el vidrio flotado de silicato) depende de la distribucin de diminutas fallas sobre la superficie.

Endurecimiento por deformacin

La dislocacin interrumpe la perfeccin de la estructura cristalina.

Endurecimiento por solucin slida

Cuando la estructura cristalina de un material anfitrin asimila por competo los tomos o iones de otro elemento o compuesto.

Endurecimiento por tamao de grano

Al aumentar la cantidad de granos o reducir el tamao del grano, se produce un endurecimiento por tamao de grano en los materiales metlicos.

Existe tambin otro procedimiento de endurecimiento por precipitacin.

Investigacin
1.- estudiar los puntos 1.4.1 y 1.4.2 del programa en el libro Askeland Donald R. 2.- Elaborar un resumen de los puntos Contestar el cuestionario anexo.en formato Word.