Sunteți pe pagina 1din 66

1

UNIVERSITATEA DIN BUCURETI


FACULTATEA DE FIZIC





Tez de doctorat


CONTRIBUII LA STUDIUL METODELOR DE PREDARE
A SURSELOR DE ENERGIE NECONVENIONALE
BAZATE PE EFECTUL FOTOVOLTAIC

Rezumat






Conductor tiinific:
Prof. Univ. Dr. tefan ANTOHE
Doctorand:
BNIC ( DINA) Nicoleta




Bucureti
2011

2
MULUMIRI

Adresez alese mulumiri Domnului Prof. Univ. Dr.
tefan ANTOHE, conductorul tezei mele de doctorat care,
prin druirea i pasiunea de care d dovad att n munca de
cercettor ct i n cea de profesor, mi-a oferit permanent
sprijin, ncurajare i sfaturi valoroase pe tot parcursul elaborrii
tezei de doctorat.

Doresc s mi exprim recunotina referenilor mei Dl.
Prof. Univ. Dr. Victor CIUPIN, Dl. Prof. Univ. Dr. Ion V.
POPESCU, Dl. Prof. Univ. Dr. Gheorghe Toma i D-lui
Decan al Facultii de Fizic, Prof. Univ. Dr.Alexandu JIPA
preedintele comisiei, pentru susinerea public a tezei de
doctorat.

Mulumesc deasemeni tuturor profesorilor din Corpul
Profesoral al colii Doctorale de Fizic care i-au pus ntreg
talentul pedagogic n slujba pregtirii celor care aspir la titlul
de doctor i de a cror ndrumare i sprijin, am beneficiat la
rndul meu.
Nu n ultimul rnd, mulumesc familiei i n special soului
meu, pentru ajutorul, ncurajarea i cldura cu care m-au
ncurajat n toat aceast perioad.

Elaborarea i fundamentarea tiinific a acestei teze
a fost posibil prin suportul financiar oferit, pe ntreg
parcursul desfurrii studiilor doctorale, de Programul
POSDRU/6/1.5/S/10

3
Cuprins

INTRODUCERE - MOTIVARE ................................................................... 5
CAPITOLUL 1 - INTERACIA RADIAIEI ELECTROMAGNETICE CU
SEMICONDUCTORUL ............................................................................... 8
1.1. Absorbia intrinsec (fundamental).... 8
1.2. Absorbia extrinsec (pe impuriti).......9
1.3. Absorbia excitonic10
1.4. Metode de caracterizare a straturilor subiri prin msurtori optice...10
1.4.1. Aspecte teoretice ................................................................................ 10
1.4.2. Dispozitivul experimental ................................................................... 13
1.4.3. Modul de lucru i prelucrarea rezultatelor .......................................... 14
CAPITOLUL 2 - MECANISME DE TRANSPORT AL PURTATORILOR DE
SARCIN N SEMICONDUCTORI ORGANICI .......................................15
2.1. Contactul Metal/Semiconductor..15
2.1.1. Contactul metal-semiconductor de tip n ............................................. 15
2.1.2. Contactul metal/semiconductor de tip p ............................................. 17
2.2. Mecanisme de transport al purttorilor de sarcin la contactul metal-
semiconductor...18
2.3. Teoria curenilor limitai de sarcin spaial (CLSS)..20
2.3.1. Condiiile de formare a CLSS............................................................. 20
2.3.2. Cureni limitai de sarcin spaial n solide pure (fr stri de captur)
....................................................................................................................... 21
2.3.3. Cureni limitai de sarcin spaial n solide cu stri de captur ......... 22
CAPITOLUL 3 - FENOMENE FOTOVOLTAICE. CELULE SOLARE DE
GENERATIA I, II SI A III ..........................................................................24
3.1. Sursele efectului fotovoltaic..24
3.2. Efectul fotovoltaic n semiconductori anorganici.....25
3.2.1. Caracteristica curent-tensiune n cazul unei homojonciuni26
3.2.2. Caracteristica curent-tensiune n cazul unei heterojonciuni ............... 26
3.3. Efecte fotovoltaice n structuri bazate pe semiconductori organici.....26
3.3.1. Introducere ......................................................................................... 26
3.3.2. Efectele doprii ................................................................................... 27
3.3.3. Fotogenerarea purttorilor de sarcin ................................................. 27
3.3.4. Mecanismul efectului fotovoltaic. Eficiena fotovoltaic ................... 27
3.3.5. Mecanisme de modelare ale caracteristicilor spectrale Modelul
Chamberlain .................................................................................................. 29
3.3.6. Eficiena de conversie a luminii solare ............................................... 29
3.4. Tipuri de celule solare.....30
3.4.1. Celulele solare organice din prima generaie. ..................................... 30
3.4.2. Celule solare organice de generaia a doua ......................................... 30
3.4.3. Celule solare din generaia a 3-a i a 4-a ............................................ 30

4

CAPITOLUL 4 -REZULTATE EXPERIMENTALE I DISCUII ..............31
4.1. Cercetarea privind necesitatea studierii surselor de energie
alternative i n special a energiei solare n coala romneasc....31
4.1.1. Metode, tehnici i instrumente utilizate n cercetare ........................... 31
4.1.2. Rezultate i concluzii .......................................................................... 33
4.2. Prepararea i caracterizare unei celule solare cu jonciune p-n.38
4.2.1. Procese fizice din jonciunea p-n. Caracteristica curent-tensiune la
ntuneric ........................................................................................................ 38
4.2.2. Caracteristica curenttensiune a unei celule fotovoltaice cu jonciune
p-n ................................................................................................................. 39
4.2.3. Trasarea spectrului de aciune al unei celule solare cu jonciune p-n
din Si monocristalin....................................................................................... 40
4.2.4. Studiul caracteristicii I-V de ntuneric i determinarea parametrilor
diodei (factorul de redresare R
R
, n i I
0
) ........................................................ 41
4.2.5. Studiul caracteristicii I-U la iluminare n cel de-al IV-lea cadran....... 43
4.3. Prepararea i caracterizarea unei celule fotovoltaice cu
heterojonciune...45
4.3.1. Proceduri experimentale ..................................................................... 46
4.3.2. Caracterizare morfologic .................................................................. 47
4.3.3. Rezultate electrice i fotoelectrice pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT/Al ................................................................................... 47
4.3.4. Rezultate experimentale pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/PCBM/Al ................................................................................. 49
4.3.5. Rezultate obinute pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM/Al ...................................................................... 50
4.4. Prepararea i caracterizarea celulelor solare hibride anorganic-
organic pe baz de matrici de nanofire de CdTe, sensibilizate cu colorani
organici...53
4.4.1. Proceduri experimentale de preparare a probelor ............................... 53
4.4.2. Eficiena cuantic a celulei solare pe baz de nanofire de CdTe ....... 55
CONCLUZIE ..............................................................................................57
Contribuii personale la dezvoltarea temei ............................................60
Bibliografie selectiv..63

Not: n coninutul rezumatului au fost pstrate numerotrile referinelor
din tez.


5
INTRODUCERE - MOTIVARE

Pe fondul crizei energetice mondiale, utilizarea energiei solare
prin intermediul efectului fotovoltaic, a devenit n ultimii ani, una din
prioritile dezvoltrii energeticii mondiale. Dintre toate sursele de energie
care intr n categoria surselor ecologice i regenerabile cum ar fi: energia
eolian, energia geotermal, energia mareelor etc; energia solar reprezint
probabil, cea mai mare surs de energie regenerabil de pe pmnt.
Conversia direct a energiei solare n energie electric se
realizeaz prin intermediul efectului fotovoltaic. Utilizarea celulelor
fotovoltaice pentru conversia energiei solare este astzi deja o realitate iar
extinderea lor pe scar mai larg se face concomitent cu gsirea unor
soluii de mrire a randamentului i reducere a costurilor lor de fabricaie
astfel nct cercetrile sunt direcionate spre noi materiale ce devin
nlocuitori posibili ai siliciului utilizat n construirea acestor celule.
Eficiena de conversie a celulelor solare depinde de proprietile electrice
i optice ale materialelor semiconductoare utilizate n realizarea lor. n
acest context cercetrile comunitii tiinifice din domeniu sunt orientate
pe realizarea i caracterizarea de noi materiale semiconductoare cu
proprieti electrice i optice specifice care s conduc la dispozitive
optoelectronice cu performane ridicate, n regim de fotoelement, i cu pre
de cost ct mai sczut.
Paralel cu dezvoltarea i extinderea cercetrilor privind utilizarea
unor astfel de surse de energie alternative, este la fel de important
pregtirea viitorilor specialiti pentru acest domeniu de activitate. Rolul
esenial n formarea de specialiti cu competene sporite n domeniul
energiei fotovoltaice, l are evident coala care reprezint, pentru orice
societate, vectorul dezvoltrii durabile.
nelegerea efectului fotovoltaic integreaz abordarea mai multor
discipline precum fizica, chimia, tiina materialelor, ingineria electric i
electronic ns acest fenomen nu este predat n cadrul acestor discipline
tradiionale. Aceast omisiune curricular se ncearc a fi corectat prin
introducerea la nivelul colii gimnaziale i liceale a unor discipline
opionale care abordeaz printre altele i studiul efectului fotovoltaic. Cu
toate acestea percepia tinerei generaii este c subiectul este foarte puin
tratat n coala romneasc. Concluzia aceasta a fost tras n urma

6
efecturii unui studiu desfurat n perioada februarie-aprilie 2011 ce a avut
ca scop evaluarea nivelului de abordare a studiului energiilor alternative, n
special a energiei solare, n coala romneasca. Ipotezele detaliate ale
cercetrii, itemii aplicai i interpretarea acestora, sunt prezentai n tez cu
scopul a justifica alegerea temei i utilitatea ei.
n contextul celor spuse anterior, lucrarea de fa i propune s
abordeze fenomenele implicate n producerea efectului fotovoltaic de la
origine pan la aplicaiile sale n domeniul celulelor solare de ultim
generaie. Plusul pe care l aduce teza const n descrierea unor metode de
preparare i caracterizare a unor celule solare moderne bazate pe straturi
subiri organice, aflate deocamdat n faza de cercetare, metode care
urmresc s completeze pregtirea unor viitori specialiti n domeniu. De
asemenea nu este uitat nici activitatea de cercetare n rndul elevilor
pentru care este propus o metod de studiu a unei celule solare cu
jonciune p-n, ce se poate realiza ntr-un laborator colar cu o dotare
corespunztoare.
n digrama din Figura 1 am sintetizat paii ce trebuie parcuri
pentru conturarea unei imagini de ansamblu a conversiei energiei solare n
energie electric prin efect fotovoltaic.

Figura 1
Pornind de la aceste etape ce trebuie abordate n studiul efectului
fotovoltaic, lucrarea de fa este structurat astfel:
Capitolul 1 trateaz interacia radiaiei electromagnetice cu
semiconductorul, mai precis fenomenul de absorbie al luminii, responsabil
nelegerea mecanismului de absorbie a radiaiei
solare
ntelegerea mecanismului de transport al purttorilor de sarcin n
semiconductori
Cunoaterea fizicii de baz implicata n producerea efectului fotovoltaic
nelegerea metodelor de testare i caracterizare a
celulelor solare
Cunoterea metodelor de realizare i
caracterizare a celulelor solare moderne pe
baza de straturi subiri organice
Familiarizarea cu tendinele
viitoare i evoluia celulelor
fotovoltaice

7
de generarea perechilor electron-gol - condiie necesar pentru producerea
efectului fotovoltaic.
Capitolul 2 trateaz mecanismele prin care are loc micarea
purttorilor de sarcin produi prin diferitele procese de generare,
mecanisme ce sunt extrem de importante n studiul att a conductivitii
de ntuneric ct i al fotoconductivitatii materialelor semiconductoare. n
acest capitol am descris de asemenea teoria curenior limitai de sarcin
spaial, prezeni inevitabil n majoritatea semiconductorilor organici.
Capitolul 3 se ocup de studiul detaliat al efectului fotovoltaic ce
presupune cunoaterea mecanismului efectului fotovoltaic, a surselor sale,
a proceselor de generare i recombinare a purttorilor de sarcin, a
efectului doprii i a dependenei fotocurentului de lungimea de und sau
de intensitatea radiaiei incidente. Am insistat pe efectul fotovoltaic n
structuri bazate pe semiconductori organici deoarece cercetrile prezentate
n ultima parte a lucrrii au fost fcute tocmai pe astfel de structuri.
Capitolul 4 reprezint contribuia proprie la dezvoltarea temei
alese i include patru rezultate practice de cercetare, pubilcate n literatura
de specialitate. Primul rezultat a fost obinut n urma aplicrii unei cercetri
de tip anchet despre nivelul la care se studiaz n coala romneasc
subiectul conversiei energiei solare n energie electric prin intermediul
efectului fotovoltaic i necesitatea abordrii lui mai ample pe viitor.
Celelealte trei rezultate au fost obinute n urma caracterizrii unor structuri
fotovoltaice preparate n cadrul Laboratoarelor Centrului de Cercetare
Dezvoltare pentru Materiale si Dispozitive Electronice si Optoelectronice
condus de D-l Profesor Dr. tefan ANTOHE, i anume:
- o jonciune p-n din Si monocristalin, a crei analiz se poate face n orice
laborator colar bine dotat, cu scopul de a oferi elevilor interesai
posibilitatea de a-i dezvolta aptitudinile de investigare i cercetare
tiinific.
- o celul fotovoltaic de tip ,,bulk-heterojunction pe baza de amestecuri
de polimeri, in particular o structura de tipul ITO/PEDOT/P3HT:PCBM/Al
- o celul solar hibrid anorganic-organic pe baz de matrici de nanofire
de CdTe, sensibilizate cu colorant organic.
Ultimele dou stucturi reprezint celule solare de ultim generaie
(generaia III i IV), a cror descriere completeaz pregtirea oricrui
specialist n domeniu.


8
CAPITOLUL 1 - INTERACIA RADIAIEI
ELECTROMAGNETICE CU SEMICONDUCTORUL

O importan deosebit n studiul fenomenelor fotoelectrice o reprezint
absorbia radiaiei electromagnetice n volumul materialului, deoarece ea
st la baza producerii purtatorilor de sarcina de neechilibru.

1.1. Absorbia intrinsec (fundamental)
Absorbia intrinsec (fundamental sau banda-banda) reprezint
tipul de absorbie n care fotonul are energie suficient pentru a trece un
electron din banda de valen n banda de conducie, altfel spus are loc
generarea unei perechi electron-gol. Acestui proces i corespunde
fotoconducia intrinsec.
a) Absorbia intrinsec la tranziii directe este specific
semiconductorilor cu benzi aliniate(directe)
Coeficientul de absorbie pentru tranziii directe permise n
vecintatea lui k = 0 se poate scrie sub forma
2 / 1
) (
g dp
A = h
unde constanta A este dat de expresia:
) (
) 2 (
2 2
2 / 3 *

P
c
n m
A
r r
h
=
.
Coeficientul de absorbie n cazul tranziiilor directe interzise este
dat de expresia: [2]
2 / 3
) (
g di
B = h
unde
h h
* * 2 2
2 / 5 * 2
) (
3
4
p n r
r
m m cn
m e
B =
este aproximativ o constant.
Marginea absorbiei fundamentale, pentru tranziiile verticale, se
determin pe baza relaiei:
h
g

=
sau
g
hc

=

b) Absorbia intrinsec la tranziii indirecte este specific
semiconductorilor cu benzi nealiniate(indirecte)
Regulile de selecie permit i tranziii indirecte (neverticale,
oblice), ns cu probabilitate destul de mic. Ele ncep s joace un rol
important atunci cnd tranziiile directe band-band nu sunt posibile. n
cazul tranziiilor indirecte ale electronilor pe lng absorbia fotonilor are

9
loc i absorbia sau emisia unui fonon [21-23], din necesitatea ndeplinirii
legii de conservare a impulsului.
n cazul tranziiilor indirecte sunt posibile tranziii din orice stare
ocupat din banda de valen n orice stare liber din banda de conducie.
Coeficientul de absorbie pentru tranziiile cu absorbia fononului va avea
astfel forma

1
) (
) (
2

+
=
T
B
k
fon
fon g
a
e
A



h
h

pentru
fon g
> h
Coeficientul de absorbie pentru tranziiile cu emisia fononilor va fi dat de
relaia:
T
B
k
fon
fon g
e
e
A

+
=
1
) (
) (
2
h
h
pentru
fon g
+ > h
n tranziiile indirecte, trebuie s se ntlneasc trei particule:
electronul, fotonul i fononul, ceea ce face ca tranziiile neverticale s fie
mai puin probabile dect cele verticale i ca atare coeficientul de absorbie
a luminii trebuie s fie mai mic dect la tranziiile direct [3].

1.2. Absorbia extrinsec (pe impuriti)
n semiconductorul cu impuriti cu o energie de activare mai
mic dect cea a benzii interzise, fotonii de energie inferioar pragului de
absorbie intrinseci sunt capabili s excite electronii de pe nivelele de
impuriti n banda de conducie, n cazul impuritilor donoare sau din
banda de valen pe nivelele de impuriti n cazul impuritilor acceptoare.
Aceast form de absorbie, legat de tranziiile ntre un nivel local dispus
n banda interzis i banda de conducie sau de valen se numete
absorbie extrinsec sau absorbie pe impuriti [3].
La marginea absorbiei extrinseci, pentru fotonii cu energie apropiat de
energia de ionizare a nivelului de impuritate
I
, coeficientul de absorbie
este dat de relaia:
I r n
I
ex
n m
N m

*
0 17
10 3 , 8 =


10
unde m
0
este masa electronului liber,
*
n
m este masa efectiv a electronului
n semiconductor, n
r
este indicele de refracie i N
I
este concentraia
atomilor de impuriti [4].
n cazul absorbiei pe atomii de impuriti, coeficientul de
absorbie poate fi scris sub forma:
I ex
N
0
=
rezultnd c el este proporional cu concentraia atomilor de impuriti
neionizate termic, care pot fi ionizai ca rezultat al absorbiei unui foton [4].
Factorul
0
de proporionalitate se numete seciune transversal a
absorbiei i depinde de tipul impuritii i de lungimea de und a radiaiei.
.
1.3. Absorbia excitonic
Absorbia excitonic are loc sub aciunea unui foton i const n
apariia unei perechi electron-gol cunoscut sub numele de exciton. El se
poate deplasa liber prin cristal, transportnd energie de excitaie, dar nu
sarcin. Datorit neutralitii sale electrice, excitonul nu contribuie direct la
conductibilitatea electric [3,4,5].
Energia fotonului necesar pentru a crea o pereche legat va fi mai
mic dect energia
g
. Absorbia excitonic, adic excitarea electronului
din banda de valen sub aciunea unei cuante de lumin pe nivelul
excitonic
n
ex
se poate realiza numai dac energia fotonilor absorbii
n
h
satisface condiia:
2
n
leg
g n

= h , cu n = 1, 2, 3, ...

1. 4. Metode de caracterizare a straturilor subiri prin msurtori
optice

1.4.1. Aspecte teoretice
Dac vrem s cunoatem informaii importante despre structura,
compoziia i proprietile fizico-chimice ca i despre structura nivelelor i
benzilor energetice, precum i mecanismele fotoconduciei ale materialelor

11
(straturi subiri) nu trebuie dect s investigm proprietile optice ale
acestora [13].
Cnd un fascicul de lumin monocromatic trece printr-o
substan oarecare, intensitatea lui scade datorit reflexiei i absorbiei n
materialul respectiv. Raportul dintre energia reflectat la suprafaa
materialului i energia inciden se numete coeficient de reflexie i se
noteaz cu R, iar cantitatea de energie (luminoas) absorbit ntr-un start de
grosime egal cu unitatea, dintr-un fascicul avnd intensitatea egal cu
unitatea se numete coeficient de absorbie i se noteaz cu .
Dependena coeficientului de absorbie de frecvena luminii
folosite, adic ) ( , sau de lungimea de und folosit, adic ) ( , se
numete spectru de absorbie al radiaiei. Dependena ) ( R sau ) ( R a
coeficientului de reflexie se numete spectru de reflexie [3,4].
n straturile subiri, spectrul de absorbie poate fi observat mai
uor datorit grosimii mici a probelor.
Spectrele de absorbie ale solidelor ) ( dau informaii despre
interaciile moleculare, mecanismele fotoconduciei, poziia nivelelor
energetice i alte efecte [14, 17].
n continuare voi prezenta metodele prin care se poate determina
lrgimea benzii interzise i grosimea unui strat subire semiconductor.
a)Determinarea lrgimii benzii interzise
Pentru un semiconductor cu benzi directe n care, n urma
fenomenului de absorbie, are loc tranziia vertical a electronului din
banda de valen n banda de conducie, absorbia ncepe de la
pragul :
g
g
hc

=

unde
g
reprezint marginea absorbiei fundamentale, iar
g

reprezint lrgimea benzii interzise. Relaia de mai sus rescris sub forma:
) (
1240
) (
85 . 1239
) (
nm nm
eV
g g
g

=

ne va permite, s calculm lrgimea benzii interzise
g
a probei
considerate dup identificarea lui
g
din spectrul de absorbie.

12
b)Determinarea grosimii stratului
ntruct anumite proprieti optice i electrice ale unui material
sunt dependente de grosimea acestuia a fost necesar o metod de
determinare rapid, exact i nedistructiv a grosimii materialului.
O metod convenabil pentru determinarea grosimii unui strat
semiconductor este tehnica franjelor de interferen [11-13], fiind utilizat
att n spectroscopia n infrarou ct i n cea ultra-violet/vizibil.
Fasciculul incident sub unghiul sufer fenomene multiple de
reflexie i refracie att pe suprafaa superioar ct i pe cea inferioar a
stratului, diferena de drum optic fiind:
2
cos 2

+ = nd

unde: neste indicele de refracie al stratului, d este grosimea
stratului, este unghiul de refracie i este lungimea de und a luminii,
iar condiia de maxim i minim va fi
i
n nd = cos 2


Figura 1-1- Schema optic pentru explicarea teoriei franjelor de
interferen [8].

Considernd aceast relaie pentru dou lungimi de und
convenabile,
1
(lungimea de und minim) i
2
(lungimea de und
maxim) i notnd cu N diferena dintre numerele ntregi corespunztoare

13
celor dou extreme de aceeai natur ( adic numrul de franje dintre
1
i
2
) se obine pentru grosimea stratului d urmatoarea expresie:
) sin ( ) ( 2
2 2
1 2
2 1



=
n
C N
d


unde factorul 10 = C /nm permite exprimarea lungimilor de und n
nm, iar grosimea stratului n .

1.4.2. Dispozitivul experimental
Montajul experimental utilizat n studiul spectrului de absorbie al
unei probe semiconductoare este prezentat n Figura 1-2. Pentru studiul
spectrului de absorbie sunt necesare urmtoarele trei elemente, care sunt
pri de baz ale oricrui echipament spectroscopic: o surs de lumin, un
monocromator i un detector fotosensibil legat la un aparat de msur (i
nregistrare).

Figura 1-2- Lanul de msur folosit la trasarea spectrului de absorbie


14
Spectrul de absorbie al unui material este obinut prin analiza
spectroscopic a luminii transmise de materialul absorbant care este plasat
ntre sursa de lumin i spectroscop.

1.4.3. Modul de lucru i prelucrarea rezultatelor

nainte de a trasa spectrul de absorbie sau de reflexie al probei
cercetate, se traseaz mai nti curba de etalonare a ntregului sistem dup
care se trece la trasarea spectrului de absorbie sau de reflexie a probei prin
nlocuirea plcuei de sticl cu proba .
Din spectrul de absorbie se determina marginea absorbiei
g
si
se va calcula lrgimea benzii interzise pe baza relaiei
( )
( ) nm
eV
g
g

1240
=

Din spectrul de reflexie se identific zona de interes ( succesiune
de franje maxime i minime), numrul franjelor i lungimile de und
corespunztoare i se calculeaz grosimea stratului pe baza relaiei
) sin ( ) ( 2
2 2
1 2
2 1



=
n
C N
d
cu 10 = C /nm
Din studiul spectrului de reflexie pe baza tehnicii franjelor de
interferen se poate determina n mod nedistructiv i cu o foarte bun
exactitate grosimea stratului semiconductor.









15
CAPITOLUL 2 - MECANISME DE TRANSPORT AL
PURTATORILOR DE SARCIN N SEMICONDUCTORI
ORGANICI


2.1. Contactul Metal/Semiconductor.

Cunoaterea proceselor fizice care au loc la contactul metal-
semiconductor este de o importan deosebit pentru funcionarea
majoritii dispozitivelor electronice i optoelectronice, pentru c el este
obligatoriu prezent n componena acestora ca electrod de colectare a
purttorilor de sarcin sau ca element activ n cazul unor dispozitive ca
diodele Schottky sau celule solare, etc [1].
Procesele de la interfaa metal/semiconductor (M/S) i valoarea
potenialului de difuzie (de contact) care ia natere la contactul M/S depind
de diferena dintre lucrul termodinamic de extracie a electronului din metal

M
i lucrul termodinamic de extracie a electronului din semiconductor

S
.

2.1.1. Contactul metal-semiconductor de tip n
a) Daca
M
>
Sn

Deoarece lucrul de extracie al semiconductorului
sn
, este mai
mic dect al metalului, electronii din semiconductor difuzeaz n metal
ducnd la apariia unei sarcini negative n metal i a unei sarcini pozitive n
semiconductor, determinnd astfel apariia unui cmp electric intern
orientat de la semiconductor ctre metal. Acest cmp se va opune la
echilibrarea procesului de difuzie continu a electronilor din semiconductor
n metal. La interfaa M/S, semiconductorul este srcit n electroni ca
urmare benzile energetice se vor curba n sus.
Daca acest contact este polarizat direct sau invers, potenialul de
barier V
bn
este nlocuit cu V
bn
V i ca urmare lrgimea stratului de baraj i
capacitatea lui vor fi date de ecuaiile :
w =
( ) V V
qN
bn
d

2
i C
b
= S
) ( 2 V V
N q
bn
d



16
unde "-" se refer la polarizare direct iar "+" la polarizare invers. Expresia
capacitii stratului de baraj sugereaz posibilitatea determinrii profilului de dopaj i
a potenialului de difuzie folosind caracteristica capacitate-tensiune (C- V):
(

=
(

=
bn
b
bn
d
b
b
V
V
C
V
V
N q S
V
C
1
1
1
2 1
2
0
2
0
2


La polarizare direct (+ pe metal, - pe semiconductor) benzile
energetice se ridic cu cantitatea qV aa nct electronii care trec din
semiconductor n metal au de escaladat o barier mai mic (V
bn
-V) deci
vor trece mai uor din semiconductor n metal dect cei din metal n
semiconductor care au de escaladat bariera
SnM
, independent de valoarea
tensiunii aplicate [6].
La polarizare invers, nlimea barierei pe care o au de escaladat
pentru a trece din semiconductor n metal crete devenind V
bn
+V aa nct
curentul prin structur este mic rmnnd practic egal cu cel care trece din
metal n semiconductor , limitat aa cum s-a arta anterior de bariera
independent de cmp. Contactul M/S
n
n aceste condiii este un contact de
blocare (contact redresor) care permite trecerea unui curent mare al
purttorilor de sarcin majoritari din semiconductor n metal la polarizare
direct, n timp ce la polarizare invers curentul este mic, limitat fiind de
bariera Schottky.[1,6]
b) Dac
M
<
sn
n cazul contactului metal/semiconductor de
tip n, benzile energetice la echilibru se curbeaz n jos ca urmare a faptului
c mai muli electroni trec din metal n semiconductor dect invers. n acest
caz n semiconductor se formeaz un strat de acumulare de electroni,
contactul avnd comportare Ohmic fiind un contact injector de purttori
de sarcin majoritari i neinjector de purttori de sarcin minoritari.
Dac se aplic o tensiune invers (cu plus pe metal i minus pe
semiconductor) curentul electronic din semiconductor n metal va fi mare
ca urmare a faptului c nu exist barier energetic n calea lor, n timp ce
curentul de goluri injectate din metal n semiconductor este foarte mic ca
urmare a barierei energetice nalte vzut de goluri dinspre metal spre
semiconductor.
La polarizare direct (plus pe semiconductor i minus pe metal)
curentul electronic este mare, ca urmare a barierei energetice foarte mic
vzut de electroni dinspre metal spre semiconductor, deci se spune c

17
acest tip de contact permite injecia de purttori de sarcin majoritari din
metal n semiconductor i blocheaz injecia de purttori de sarcin
minoritari n acesta.
Un astfel de contact fr proprieti de redresare, care nu modific
impedana dispozitivului i nu influeneaz concentraiile de purttori de
sarcin de echilibru n semiconductor (blocnd injecia de purttori
minoritari) se numete contact Ohmic injector de purttori de sarcin
majoritari i neinjector de purttori de sarcin minoritari n
semiconductor.[1,7]
2.1.2. Contactul metal/semiconductor de tip p
a) Dac
M
>
Sp
atunci electronii din semiconductor difuzeaz
n M din nou benzile se curbeaz n sus, BV se apropie de nivelul Fermi, i
apare un strat de acumulare de goluri. La polarizare direct cu minus pe
semiconductor de tip p i plus pe metal golurile sunt uor injectate din
metal n semiconductor, bariera pe care o au de escaladat fiind foarte mic,
deci curentul dominant este un curent de goluri (al purttorilor de sarcin
majoritari). Electronii care ar trece din M n S nu reuesc s escaladeze
bariera
MSp
=
M
-
Sp.
care este foarte mare, i deci metalul nu poate
injecta electroni (purttori de sarcin minoritari) n semiconductor.
Electronii care ar trece din semiconductor n metal ar avea de escaladat
bariera
bp
=
M
-
Sp
= eV
bp
relativ mic, dar numrul electronilor este
foarte mic (ei sunt minoritari n semiconductorul de tip p). Aadar prin
acest contact la aceast polarizare curentul dominant este de goluri.
Dac se aplic plus pe metal i minus pe semiconductorul de tip
p, atunci curentul este asigurat de golurile injectate cu uurin din metal n
semiconductorul de tip p n sensul cmpului extern care reduce bariera
intern, electronii care ar trece din semiconductor n metal sunt foarte
puini (purttori de sarcin minoritari) deci au o contribuie mic la curent
i n acest caz de polarizare curentul este tot un curent al purttorilor de
sarcin majoritari. Acest tip de contact este un contact Ohmic pe
semiconductorul de tip p, avnd un strat de acumulare de goluri. Am vzut
c el nu are proprieti de redresare i nu permite injecia de electroni adic
de purttori de sarcin minoritari n semiconductorul de tip p.[1,8]

18
b) n cazul n care
M
<
Sp
electronii trec din M n S benzile se
curbeaz n jos apare un strat de srcire n goluri pentru c golurile trec
din semiconductor n metal. Cmpul intern care ia natere este orientat
dinspre M spre S
p.
Pentru egalarea nivelelor Fermi benzile se curbeaz n
jos i apare o barier pentru golurile care ar dori s treac din S
p
n M
datorit cmpului intern, egala cu:
bp
=
Sp
-
M
= eV
bp
.
La polarizare direct (plus pe semiconductor i minus pe metal),
cmpul extern este de sens opus celui intern i bariera pentru golurile
care trec din S
p
n M se reduce la q( V
bp
- V), ca urmare curentul prin
structur este un curent de goluri (curent al purttorilor de sarcin
majoritari) componenta electronic la curentul total prin structur fiind
neglijabil. La polarizare invers, (plus pe metal i minus pe
semiconductor), cmpul extern are acelai sens cu cel intern, deci bariera
vzut de golurile care trec din S n M creste la q( V
bp
+ V) n timp ce
bariera pentru golurile care vin dinspre M n semiconductorul de tip p
rmne neschimbat. Curentul dat de purttorii de sarcin majoritari, adic
golurile, este foarte mic n acest caz, practic nul, i atunci o contribuie la
curentul total o poate avea curentul de purttori de sarcin minoritari,
electronii (care se deplaseaz n sens opus cmpului) dar ei sunt n numr
foarte mic

2.2. Mecanisme de transport al purttorilor de sarcin la contactul
metal-semiconductor

Transportul curentului prin barierele metal/semiconductor este,
datorat purttorilor de sarcin majoritari spre deosebire de jonciunile p-n
unde curentul este asigurat de purttorii de sarcin minoritari. Exist trei
modele pentru stabilirea caracteristicii I-V a curentului M/S expuse n
continuare.
1) Modelul emisiei termoelectronice izotermic al lui Bethe;
Teoria emisiei termice peste barier elaborat de ctre Bethe
opereaz n urmtoarele condiii simplificatoare:
a) nlimea barierei q
bn
s fie mult mai mare dect kT,
b) Se neglijeaz ciocnirile purttorilor de sarcin n interiorul stratului de
baraj,
c) Efectul forei imagine se neglijeaz.

19
innd seama de efectul Schottky curentul de saturaie n cazul
emisiei termoelectronice devine:
J
S
= A*T
2
kT
MS
e

= A*T
2
kT
MS
e

kT
E
s
e

= J
S
kT
E
s
e

= J
S

w kT
V
s
e


care arat c, la polarizare invers, la tensiuni mari curentul nu rmne pe
un palier ci crete cu tensiunea aplicata. Panta dreptei ln(J'
s
) = f{( V)
1/2
}
permite determinarea lrgimii stratului de baraj w, dac se cunoate
coeficientul Schottky,
s
(adic
r
, al semiconductorului), iar dac se
traseaz o familie de caracteristici I-V la diferite temperaturi, din
reprezentarea grafic ln(J
s
/T
2
) = f(10
3
/T) se poate determina nlimea
barierei Schottky
MS
i constanta Richardson A*, iar din aceasta, masa
efectiv a purttorilor de sarcin n semiconductor[1].
2) Modelul difuziei simple izotermice al lui Schottky;
Teoria difuziei elaborat de ctre W. Schottky, este aplicabil
pentru calculul caracteristicilor I-V ale contactului redresor metal-
semiconductor, n cazul unor semiconductori cu concentraii i mobiliti
mici ale purttorilor de sarcin, cum sunt Te, AlSb, Cu
2
O, unii
semiconductori organici etc. Ipotezele de lucru care au fost folosite n acest
model sunt:
a) nlimea barierei de la contactul M/S este mai mare dect kT la
temperatura camerei (V
bn
-V) > kT/q;
b) Se iau n considerare ciocnirile purttorilor de sarcin n interiorul
stratului de baraj pentru c drumul liber mediu , al purttorilor de sarcin
este mai mic dect lrgimea stratului de baraj w;
c) Concentraiile de purttori de sarcin la x = 0 i x = w, sunt neafectate la
curgerea curentului, avnd valori constante i egale cu valorile lor la
echilibru.
Densitatea de curent calculat n cadrul teoriei difuziei va fi dat
de relaia:
( )
(
(

=
(
(


= 1 1
2
2
1
0
kT
qV
s
kT
qV
r
bn d
s n
e J e
V V qN
n q J


n care se vede direct dependena J
s
~ V
1/2
, n funcie de tensiunea aplicat.
n acest caz se vede c reprezentarea grafic a funciei (J
s
)
2
= f(V), la
polarizare invers permite determinarea profilului de dopaj N
d
din

20
semiconductor i al potenialului de construcie V
bn
, iar studiul familiei de
caracteristici I-V la diferite temperaturi permite determinarea nlimii
barierei Schottky
MS
.[1]
3) Modelul emisiei termice i difuziei elaborat de Crowell i Sze
n teoria lui Crowell i Sze sunt luate n considerare, pe lng
influena forei imagine i alte influente, cum sunt fenomenele de tunelare
prin barier a purttorilor, recombinarea purttorilor la interfaa M/S
(datorit strilor de suprafa), reflexia electronilor la interfaa M/S ca
urmare a mprtierii lor pe fononii optici n regiunea cuprins ntre metal
(x = 0) i x = x
max
. Caracteristica I-V, a contactului metal-semiconductor, n
aceast situaie, este descris de urmtoarea expresie:
(
(

+
=
(
(

+
=

1
1
1
1
'
kt
qV
kT
D
r
r s
kt
qV
kT
D
r
r c
e e
v
v
v qn
e e
v
v
v qN
J
MS

unde v
r
reprezint viteza efectiv de recombinare la interfaa M/S, n
s

reprezint concentraia de electroni la interfa.
Aceast ecuaie este o sintez ntre teoria difuziei a lui Schottky i teoria
emisiei termoelectronice a lui Bethe.

2.3. Teoria curenilor limitai de sarcin spaial (CLSS)

Teoria curenilor limitai de sarcin spaial a fost dezvoltat
pentru a explica neliniaritatea, mai exact supraliniaritatea caracteristicilor
(I-V) ale semiconductorilor organici, la cmpuri electrice mari ( peste 10
4
V/cm). Msurtorile caracteristicilor I-V ale curenilor limitai de sarcin
spaial reprezint o metod simpl dar foarte important n studiul
transportului purttorilor de sarcin n solidele organice [20,21-23]

2.3.1. Condiiile de formare a CLSS
Curenii limitai de sarcin spaiala apar, practic, de ndat ce
concentraia de purttori liberi injectai depete concentraia de purttori
intrinseci produi prin excitare termic. Pentru aceasta trebuie s existe cel

21
puin un contact injector n care sunt satisfcute urmtoarele condiiile
energetice:
c
I ~ cazul injeciei de goluri
g c
E I x = ~ cazul injeciei de electroni
unde este lucrul de extracie al electrodului, I
c
este energia de ionizare,
afinitatea electronic iar E
g
lrgimea benzii interzise pentru
semiconductorul organic.
Deoarece evaluarea curenilor limitai de sarcin spaial se face
n condiiile injeciei simple, dintr-un singur electrod, cellalt electrod
trebuie s nu injecteze purttori de sarcini de semn opus. Aceast condiie
este de obicei satisfcut dac electrodul injector este fcut din acelai
material ca i electrodul opus [27-29].

2.3.2. Cureni limitai de sarcin spaial n solide pure (fr stri de
captur)
Stabilirea caracteristicii I-U a CLSS ntr-un solid fr stri de
captur a fost fcut ntr-o tratare riguroas, de ctre Mott i Gurney [4].
Plecnd de la condiiile ce definesc contactul injector: n(0) = i
E(0) = 0, acetia folosesc pentru densitatea de curent numai componenta de
drift care este dominant n volumul probei i este dat de relaia:
( ) ( ) x E x qn J =
n care se consider c intensitatea cmpului electric E(x) ca i concentraia
de purttori liberi participani la conducie n(x) sunt dependente de poziie,
n timp ce densitatea de curent este constant n orice plan aflat la distana
x de electrodul injector.
Expresia caracteristicii I-U a CLSS obinut n cazul unui solid
fr stri de captur, este :
3
2
8
9
d
U
J
CLSS
=

Relaia de mai sus este cunoscut sub numele de relaia Mott i Gurney, i
corespunde legii Child din cazul tuburilor electronice [4].
n cazul injeciei ntr-un semiconductor fr stri de captur, la
tensiuni mici conducia poate avea loc pe seama purttorilor de echilibru i

22
atunci caracteristica I-U este liniar n acord cu legea lui Ohm, i numai la
nivele mari de injecie are loc tranziia la regimul de CLSS.
Tensiunea de tranziie de la legea lui Ohm (J
Ohm
~ U) la legea lui
Child (J
CLSS
~ U
2
) se determin egalnd curentul dat de legea Ohm cu cel
din regiunea CLSS exprimat prin relaia lui Mott i Gurney:


2
0
0
3
2
0
9
8
8
9 qd n
U
d
U
d
U
q n J J
CLSS CLSS Ohm
= = =



Determinarea experimental a tensiunii de tranziie U
O-CLSS

permite determinarea concentraiei de purttori de echilibru n prob, n
acord cu relaia de mai sus.[17]

2.3.3. Cureni limitai de sarcin spaial n solide cu stri de captur
n prezena strilor, de captur numai o parte din purttorii injectai n solid
pot fi considerai liberi, deoarece o mare parte dintre ei sunt captai pe
strile de captur devenind astfel imobili. Este de ateptat ca n aceste
condiii densitatea de curent s fie mai mic dect cea obinut n solidul
pur fr stri de captur. Forma caracteristicii I-U a CLSS depinde de tipul
de distribuie al strilor de captura din banda interzisa a materialului.[20.]
Astfel:
a) Pentru solidele organice cu o distibuie discret de stri de
captur:
Relaia lui Mott i Gurney devine n cazul solidului cu stri de
captur discrete:
(
(

= =
kT
E
N
N
d
U
d
U
J
t
t
ef
CLSSd
exp
8
9
8
9
3
2
3
2


Dependena de tensiune se pstreaz, dar curentul este de ori
mai mic dect cel din solidul fr stri de captur. Evident tensiunea de
tranziie de la regimul de conducie Ohmic la cel al CLSS, determinat din
aceeai condiie J
Ohm
=J
CLSS
se modific la:

2
0
0
9
8 qd n
U
CLSS
=


adic este mai mare de 1/ ori dect cea obinut la solidul pur.

23
b)Pentru solidele organice cu o distribuie liniar de stri de
captur n banda interzis:
Dependena ptratic a CLSS de tensiune, existent n cazul
solidelor fr stri de captur sau cu o distribuie discret de stri de
captur, nu mai este valabil n cazul distribuiei liniar de stri de captur.
n cazul acestei distribuii de stri de captur, caracteristica I-V a CLSS are
urmtoarea form:
( ) ( ) U
d
U
C
qn
d
U
U
CU
d qn
J
CLSS
exp
8
9
exp
8
9
2
0
0
3
2
0
0
= =

Aa cum sugereaz relaia de mai sus, prezena unei distribuii
liniar de stri de captura poate fi determinat din msurtori ale
caracteristicii I-U la temperatura camerei dac se face reprezentarea grafic
a funciei J
CCLS
/U = f(U). n condiiile n care aceasta este o linie dreapt se
poate afirma c n banda interzis a materialului de investigat se afl o
distribuie liniar de stri de captur. Astfel de rezultate s-au obinut n
cazul unor straturi subiri de ftalocianine [35].
c)Pentru solidele organice cu o distribuie exponenial de stri
de captur n banda interzis:
n mai multe solide organice (antracen [36], ftalocianine [27, 37]
porfirine [38, 39], etc.), s-a constatat c exist o distribuie exponenial de
stri de captur n banda interzis.
Expresia CLSS n prezena unei distribuii exponeniale de stri de captur
are urmatoarea form:
( )
1 2
1
1
1
1
0
1
1 2
1
+
+
+

+
+
(

+
=

d
U
N
q N J
ef CLSSc

Din studiul caracteristicilor I-U se poate cpta o serie de
informaii referitoare la materialul investigat i se pot determina o serie de
parametrii de interes precum: temperatura caracteristic T
c
, densitatea
total de stri de captur N
t
sau cvasinivelul Fermi.






24
CAPITOLUL 3 - FENOMENE FOTOVOLTAICE.
CELULE SOLARE DE GENERATIA I, II SI A III

3.1. Sursele efectului fotovoltaic

Efectul fotovoltaic apare la interacia luminii cu un
semiconductor, dac lumina puternic absorbit genereaz particule mobile
(electroni, goluri, excitoni, polaroni, etc.) care se pot mica prin solid prin
transport direct n benzi energetice sau prin hopping i dac exist un cmp
electric care s separe purttorii de sarcin provenii din fotogenerarea
direct sau din disocierea excitonilor creai de lumin i s-i pompeze n
circuitul exterior.
La circuit deschis structura se polarizeaz cu tensiunea V
OC
,
numit tensiune n gol, curentul de scurtcircuit de densitate j
SC
fiind chiar
fotocurentul. n prezena luminii, prin structur va trecere un curent de
densitate j (printr-o rezisten de sarcin), puterea fiind negativ, ceea ce
din punct de vedere termodinamic corespunde unui generator de energie.
n Figura 3-2 este prezentat caracteristica curent tensiune a
unei celule solare ideale.












Caracteristica I V complet a unei celulei solare este descris de expresia:
( )
L
Sh
S kT
IR V e
S
I
R
IR V
e I I
S

+
|
|

\
|
=


I
V
OC
V
m
V
m
I
SC
I
0
m
P


>>
S
R
0
R
Sh
R
d
I
L
I
I
Figura 3-2 - Caracteristica curent
tensiune a unei celule solare ideale
Figura 3-1 Circuitul echivalent al
unei celule solare


25
i este obinut pentru celula solar real, echivalent cu circuitul din
Figura 3-1, unde R
S
este rezistena serie datorat materialului
semiconductor i rezistenei la contacte, iar R
Sh
este rezistena unt n
paralel cu jonciunea p-n.

Eficiena celulei solare se definete prin raportul:
inc
SC OC
inc
m
P
I V FF
P
P .
= =
unde P
m
este puterea maxim debitat de celul,
P
inc
este puterea radiaiei incidente, iar FF este factorul de umplere (
SC OC
m m
I V
I V
FF =
).
Pentru a analiza sursele efectului fotovoltaic trebuiesc interpretai
principalii termeni care intervin n expresia tensiunii la circuit deschis V
OC,
care trebuie vzut ca

un catalog al surselor efectului fotovoltaic [1].

( ) ( )
( ) ( )
dx
dx
n d
dx
p d
kT
dx
dx
N d n
dx
N d
p
kT dx
dx
dE
p e
dx
dx
dE n e
V
L
n
p
L
C n V
p
L L
V
p
C n
OC

+
+
(

=
0
0 0 0
ln ln


Primul termen din ecuaia de mai sus arat contribuia cmpului
electrostatic E
0
, termenii 2, 3 i 4 arat contribuia la fototensiune a
variaiei cu poziia a afinitii electronului i golului, i a variaiei cu
poziia a densitii efective de stri din BC i BV. Ultimul termen pune n
eviden tensiunea Dember (asociat cu diferena ntre mobilitile
electronului i golului), ca surs a efectului fotovoltaic [3].


3.2. Efectul fotovoltaic n semiconductori anorganici
Cmpul electrostatic de construcie, ca surs principal a efectului
fotovoltaic, poate s apar la contactul metal semiconductor, ntr-o
jonciune pn sau ntr-o heterojonciune. Deducerea caracteristicii I V se
va face innd cont de structura concret care se analizeaz:


26
3.2.1. Caracteristica curent-tensiune n cazul unei homojonciuni
n cazul jonciunii p-n nguste, iluminat perpendicular, se obine
pentru caracteristica IV urmtoarea expresie:

( )
L
kT
qV
S L
kT
qV
nS pS
j e j j e j j j
|
|

\
|
=
|
|

\
|
+ = 1 1

n care primul termen reprezint curentul de ntuneric, iar cel de al doilea
fotocurentul, care este proporional cu intensitatea radiaiei incidente ntr-
un interval larg de valori ale energiei luminoase.
3.2.2. Caracteristica curent-tensiune n cazul unei heterojonciuni
O heterojonciune reprezint contactul dintre doi semiconductori care
difer nu doar prin tipul de conducie ci i prin lrgimile benzilor interzise,
prin masele efective ale purttorilor de sarcin i prin constantele
dielectrice ale celor dou materiale. Astfel, ntr-o heterojonciune poate
exista pe lng cmpul electrostatic i un cmp efectiv de fore ce poate
contribui la rspunsul fotovoltaic [4].
Caracteristica I V valabil pentru o heterojonciune ideal este de tipul:

( )
L
AV
j e j j = 1
0

iar tensiunea la circuit deschisse poate determina pe baza relaiei :
|
|

\
|
+
+
= 1 ln
1
0
2 1
j
j j
A
V
OC


3. 3. Efecte fotovoltaice n structuri bazate pe semiconductori organici
3.3.1. Introducere
Studiul efectului fotovoltaic n celule solare pe baza de
semiconductori organici ncepe din anul 1950, cnd diferite grupuri de
cercettori [10] msoar tensiuni la circuit deschis de aproximativ 1V pe
structuri de celule solare, cu unul din straturile subiri de natur organic,
aplicat pe un substrat anorganic.
Eficiena celulelor solare a crescut, pe msur ce a crescut gradul
de nelegere a mecanismelor de formare a jonciunilor, a proceselor de
generare i recombinare a purttorilor de sarcin, a dependenei
fotoconductivitii de structura i compoziia stratului organic.

27
3.3.2. Efectele doprii
Doparea influeneaz conductivitatea i fotoconductivitatea
materialelor organice. Este surprinztor c iniial s-au neglijat efectele
expunerii celulei la aer, respectiv la o atmosfer de oxigen i vapori de ap,
care s-a constatat ulterior, c joac un rol esenial n apariia
fotorspunsului [28,29]. Astfel, celule preparate i msurate complet n vid,
nu artau un rspuns fotovoltaic, n timp ce dup o expunere de numai
cteva secunde la aer, fotorspunsul cretea substanial. Aceast
comportare este specific tuturor materialelor organice de tip p, porfirine,
ftalocianine, mericianine. S-a ajuns la concluzia c dopanii puternic
electronegativi (halogenii O
2
, I
2
, Cl
2
, F
2
sau NO
2
) conduc la o cretere
substanial a rspunsului fotovoltaic.

3.3.3. Fotogenerarea purttorilor de sarcin
Exist o mare varietate de procese fizice, care n esen implic
dou tipuri de excitaii, unifotonice i dublu fotonice, i care conduc la
fotogenerare [11]. Dintre acestea rolul cel mai important n generarea
purttorilor de sarcin n celulele solare l au procesele de disociere a
excitonului pe strile induse de dopant [42,43].

3.3.4. Mecanismul efectului fotovoltaic. Eficiena fotovoltaic
Mecanismul efectului fotovoltaic ntr-o celul solar ce conine un
semiconductor organic poate fi neles din diagrama din Figura 3-3.
Excitonii creai de fotonii incideni pot s se sting neradiativ (fr a genera
purttori de sarcin n procesul de difuzie a lor prin material), dar ei pot
ntlni i un complex cu transfer de sarcin format dintr-o molecul a
solidului organic i dopant, creia i poate transfera un electron, ce se va
plasa pe cel mai de jos orbital molecular neocupat al complexului.
Electronul de pe orbitalul cel mai cobort al complexului i golul
de pe orbitalul cel mai nalt al moleculei organice se pot recombina din
start (recombinare iniial Onsager) sau se pot separa n purttori de
sarcin, ntr-o regiune n care exist un cmp electric de construcie.
[48,49]
Electronii i golurile fotogenerate constituie sarcina spaial
negativ i pozitiv care va drifta prin cmpul electric i va ajunge la
electrozi participnd la fotocurent. Procesul de difuzie i de drift al

28
purttorilor de sarcin liberi este adesea nsoit de procese de recombinare
electron-gol. Transportul purttorilor de sarcin se face fie prin
mecanism de transport n band, fie prin tunelare sau hopping.







Crearea excitonului
Difuzia excitonului
Transferul
electronului la
complexul cu
transfer de sarcin
Separarea perechilor
electron-gol n
cmpul de
construcie
Transportul
purttorilor ctre
electrozi
Transferul
electronului la
electrozi
Efect fotoelectric
Recombinarea
purttorilor
Recombinarea iniial
a purttorilor
Pierderi neradiative
Absorbtia luminii
Figura 3-3 Mecanismul efectului fotovoltaic

it de procese de recombinare
se face fie printr-un
, fie prin tunelare sau hopping.

Crearea excitonului
Difuzia excitonului
Recombinarea iniial
Pierderi neradiative


29
3.3.5. Mecanisme de modelare ale caracteristicilor spectrale Modelul
Chamberlain
Modelul excitonic al lui Chamberlain [52] a fost elaborat pe baza
unei structuri de tipul Al/CuPc + dopant/Au i se bazeaz pe implicarea
excitonilor singlet n procesul de generare a purttorilor de sarcin. Se
consider c procesul dominant de creare a purttorilor de sarcin, l
constituie disocierea excitonilor creai de lumin pe centrii de dopant,
genernd astfel purttori liberi. Acest mecanism este confirmat de o
mulime de rezultate experimentale obinute n studiile de fotoconducie pe
ftalocianine.

3.3.6. Eficiena de conversie a luminii solare
Pentru o celul solar, eficiena de conversie poate fi scris n
general :
( )
( )
( ) ( ) ( )
OC SC
E
E
SC
g
OC
E
E
g
S
V I
IV
dE E N R
q
I
E
qV
dE E EN
EdE N E
R
g

=
max max
max
1
1
0
0


n care primul factor reprezint pierderile prin reflexie, al doilea eficiena
de absorbie a luminii, urmeaz factorul de tensiune, randamentul cuantic
mediu i factorul de umplere. R reprezint factorul de reflexie, iar N(E) este
densitatea fluxului de fotoni incideni pe unitatea de energie.
Pentru o celul solar ideal, cu E
g
= 1,4 eV (GaAs), la
temperatura camerei, s-a obinut :
% 31 32 , 0 1 1 7 , 0 44 , 0 1 = = =
S

Pentru celulele solare cu un singur strat organic s-a obinut teoretic
valoarea :
% 4 04 , 0 6 , 0 25 , 0
55 , 1
1
4 , 0 1 = = =
S


Dac spectrul de absorbie este lrgit (de exemplu prin
fotosensibilizare sau printr-o modificare corespunztoare a structurii
chimice) i prin mrirea regiunii de cmp intern, se promite atingerea unor
eficiene mult crescute ale acestor structuri.


30
3.4. Tipuri de celule solare
3.4.1. Celulele solare organice din prima generaie.
Celule fotovoltaice organice din primele generaii sunt compuse dintr-un
singur strat de semiconductor organic plasat ntre doi electrozi metalici cu
lucruri de extracie diferite. Aceste tipuri de celule au un rspuns
fotovoltaic slab cu eficiena de conversie mic de 0,05%. pana la 0,1%

3.4.2. Celule solare organice de generaia a doua
A doua generaie de celule solare este constituit de structurile de
celul solar bazate pe straturi subiri din semiconductori anorganici i
organici. Avantajul acestor structuri este determinat n primul rnd de
costul sczut al acestora n raport cu prima generaie, dat fiind masa redus,
suprafaa mare, aportul energetic sczut n timpul proceselor tehnologice de
depunere a straturilor subiri cu grosimi de civa micrometri etc. Celula
fotovoltaic organic de tip heterojonctioune cu dublu strat donor
acceptor, a fost relevat prima oar de C. Tang n 1986, avnd o eficien
de conversie de 1% .[65,66]

3.4.3. Celule solare din generaia a 3-a i a 4-a
mbuntirea eficienei celulelor fotovoltaice binare de tip donor
acceptor se poate realiza prin amestecarea materialelor donoare i
acceptoare ntr-o mas heterogen (a bulk heterojunctions) n scopul mriri
interfeei D/A. Eficiena acestor celule, aparinnd celei de-a treia
generaii, este astfel substanial mbuntit crescnd considerabil la valori
cuprinse ntre 1 i 6 % [89,90]. Cnd vorbim de generaia a IV-a de celule
solare, avem n vedere structuri hibride organic/ anorganic n care
electrodul anorganic este un strat subire de civa nanometri grosime,
nanostructurat controlat n volum. Aceast morfologie permite organizarea
ntr-o reea de doturi cuantice sau matrici de nanofire, matrici de
nanotuburi, astfel nct prin depunerea absorbantului organic peste acesta,
s rezulte o cretere substanial a regiunii fotoactive reprezentat de
interfeele de tip Donor/Acceptor dintre nanocristalitele anorganice i
moleculele organice[91-93].



31
CAPITOLUL 4 -REZULTATE EXPERIMENTALE I
DISCUII

4.1. Cercetarea privind necesitatea studierii surselor de energie
alternative i n special a energiei solare n coala romneasc
n scopul evalurii nivelului actual de abordare i a necesitii
studierii energiilor alternative, n special a energiei solare n coala
romneasca, a fost desfurat o cercetare de tip anchet pe baz de
chestionar. n proiectarea cercetrii s-au parcurs etapele procesului aa cum
sunt ele prezentate n literatura de specialitate [1,2]: definirea problemei
decizionale, stabilirea scopului cercetrii, identificarea obiectivelor
cercetrii, elaborarea ipotezelor, analiza i interpretarea informaiilor.

4.1.1. Metode, tehnici i instrumente utilizate n cercetare
Problema decizional
Un aspect important de care trebuie inut cont atunci cnd se
contureaz structura unui curriculum colar l reprezint acela de a
rspunde aspiraiilor societii n materie de educaie. Societatea este ntr-o
continu dinamic mai ales n ultimele decenii cnd totul evolueaz rapid i
prin urmare ateptrile acesteia legate de sistemul educaional se modific
continuu. Pornind de la premisa c n Romnia nu se acord suficient
importan studierii surselor de energie alternativ, considerm util o
anchet care s evidenieze diferite aspecte legate de acest subiect n opinia
societii [75].
Scopul cercetrii
Pornind de la problema decizional, scopul cercetrii a fost acela
de a investiga nivelul la care se situeaz n acest moment, studiul sursele
de energie alternativ i n special a conversiei energiei solare n energie
electric n coala romneasc precum i de a clarifica diferite aspecte
legate de opinia unor absolveni de liceu cu privire la necesitatea i
utilitatea abordrii unui astfel de subiect pe viitor n nvmntul romnesc
[75].
Obiectivele cercetrii

32
a) Stabilirea gradului de interes al societii fa de studiul energiilor
alternative i n special a energiei solare
b) Stabilirea gradului de abordare n prezent n coala romneasc a
studiului celulelor solare i fenomenele care stau la baza funcionarii
lor
c) Aprecierea nevoii de studiu a conversiei energiei solare n coala
romneasc
d) Stabilirea nivelului colar la care este cel mai indicat s se fac acest
studiu
e) Stabilirea motivelor pentru care este importanta studierea n liceu a
conversiei energiei solare
f) Identificarea cauzelor pentru care conversia energiei solare se studiaz
insuficient n coala romneasc
Ipotezele cercetrii
a) Pentru societatea actual, energia solar reprezint o forma de energie
alternativ ce va fi preponderent utilizat n viitor
b) Absolvenii de liceu consider util studierea conversiei energiei
solare din punct de vedere al schimbrii mentalitii privind utilizarea
energiilor alternative n detrimentul celor clasice
c) n coala romneasc subiectul conversiei energiei solare n energie
electric prin intermediul efectului fotovoltaic este foarte puin abordat
d) Absolvenii de liceu consider necesar studierea de-a lungul
diverselor etape de nvmnt a conversiei energiei solare.
e) Studierea conversiei energiei solare la liceu poate constitui o premis
a pregtirii viitorilor specialiti n domeniu.
f) Lipsa unui curriculum adecvat i a unor programe colare
corespunztoare constituie principalele motive pentru care n ara
noastr nu se studiaz n mod corespunztor conversia energiei solare.
g) n opinia absolvenilor de liceu n ara noastr se face cercetare n
domeniul celulelor solare i este nevoie de absolveni bine pregtii
pentru a inova i dezvolta acest sector de cercetare.
Descrierea lotului:
Lotul experimental al cercetrii a fost alctuit din 230 de
absolveni de liceu cu vrste diferite. Eantionarea aplicat este una de tip
logic. Selecia componentelor eantionului s-a bazat pe raionamentul

33
conform cruia membrii eantionului trebuie s fie persoane cu vrste de
peste 18 ani, absolveni de liceu. ( Tabelul 4-1)
Tabelul 4-1

real uman/vocaional tehnic
Tipul de coal absolvit
de repondeni 152 34 44

Tehnica de investigare
Tehnica de instrumentare aleas a fost ancheta indirect, pe baz
de chestionar. Instrumentul de cercetare utilizat - chestionarul a fost
completat de ctre subieci (autoadministrat). Chestionarul aplicat a fost
alctuit din 12 itemi dintre care 11 itemi nchii i un item deschis.

4.1.2. Rezultate i concluzii
Prima ntrebare din chestionar se refer la posibila energie a
viitorului n opinia celor intervievai (Care din urmtoarele tipuri de
energie credei c va constitui energia viitorului?).

Figura 4-1 Energia viitorului[75]
Aa cum reiese din Figura 4-1 aproximativ 60% din cei care au
rspuns ntrebrii, au clasat energia solar pe locul unu n topul energiilor
hidroenergia
4%
energia
eoliana
24%
energia
solara
58%
energia
geotermala
3%
energia
nucleara
8%
nu stiu
3%

34
viitorului, devansnd cu brio alte forme de energie precum hidroenergia,
energia eolian sau cea nuclear.
Un numr foarte mare din cei care au rspuns chestionarului (191
din 230 conf. Figura 4-2), consider c atingerea unui anumit n
cunotine referitoare la modul de producere i utilizare a energiilor
alternative schimb comportamentul consumatorului de energie
orientndu-l din zona consumului energiilor clasice n zona consumului
energiilor alternative.
Figura 4-2 - Percepia privind existena unei legaturi ntre cunotin
despre producerea energiei alternative i comportamentul consumatorului de
energie[75]
Peste 80% dintre cei ntrebai nu au urmat n
despre energiile alternative (conform Figura 4-3).
Figura 4-3 - Numrul persoanelor care au urmat n coal un curs despre energiile
alternative[75]

Acest rezultat dovedete c coala romneasc este deficitar
capitolul educaie n domeniul utilizrii surselor de energie alternative
0
100
200
da nu nu tiu
191
26
13
29
181
15
da
nu
nu imi amintesc
0 50 100 150 200
da
nu
nu imi amintesc
devansnd cu brio alte forme de energie precum hidroenergia,
spuns chestionarului (191
atingerea unui anumit nivel de
utilizare a energiilor
comportamentul consumatorului de energie
l din zona consumului energiilor clasice n zona consumului

tinele acumulate
i comportamentul consumatorului de
i nu au urmat n coal un curs

un curs despre energiile
este deficitar la
rii surselor de energie alternative [75].
nu imi amintesc

35
La nivel mondial exist ns un interes deosebit fa de studiul energiilor
alternative [7,9]. n multe din rile lumii moderne au fost incluse n
curriculum colar, teme ce vizeaz educaia pentru o dezvoltare durabil,
bazat pe utilizarea energiilor alternative i au fost dezvoltate diverse
programe ce ofer elevilor posibilitatea de a primi n mod logic i ealonat
la fiecare nivel colar, o educaie complet despre energie [71]. Din pcate
la noi n ar nu exist o viziune unitar i o politica educaional de
ansamblu referitoare la acest subiect [3-5].
Dup prerea celor ntrebai n acest chestionar, cauzele posibile
ale predrii insuficiente a surselor de energie neconvenionale n coala
noastr sunt n primul rnd lipsa programelor colare corespunztoare
(165), lipsa laboratoarelor cu dotri specifice (99) dar i lipsa profesorilor
pregtii pentru acest domeniu (66) (Figura 4-4).

Figura 4-4 - Cauzele posibile ale predrii insuficiente n coal a surselor
neconvenionale[75]

Expansiunea rapid a energiei regenerabile i necesitatea creterii
eficienei energetice n acest domeniu a dus la crearea unui deficit, la nivel
global, de personal instruit pentru necesitile acestui sector i la apariia
unor oportuniti de carier n domeniu [71]. La nivel european conform
unui studiu efectuat de European Fotovoltaice Industry Association,
energia solar utilizat ar putea furniza pn n 2020, 12% din cererea de
electricitate din Europa, fapt ce ar duce i la crearea de aproximativ 2
milioane de locuri de munca n domeniu [8]. n acest context un numr
foarte mare din cei chestionai ( 85% conf. Figura 4-5 ) consider c
studiul la liceu a conversiei energiei solare n energie electric poate
constitui premisa pregtirii unor viitori specialiti n domeniu.
99
61
165
0 50 100 150 200
lipsa dotrilor pentru
laboratoare specifice
lipsa profesorilor pregtii
lipsa programelor colare
corespunztoare

36
Figura 4-5 - Necesitatea studierii conversiei energiei solare la liceu ca premisa a
pregatirii viitorilor specialiti[75]

Figura 4-6 - Apreciere asupra necesitii studierii n coal a conversiei energiei
solare

Majoritatea celor care au rspuns ntrebrilor ( 88% ), sunt de
prere c este necesar ca n coal s se studieze conversia energiei solare
n energie electric (Figura 4-6). Dintre acetia 155 de persoane consider
liceul ca fiind nivelul colar cel mai potrivit pentru studierea acestui
subiect. Exist ns i preri care pledeaz pentru abordarea subiectului la
gimnaziu (30 persoane) sau facultate (18 persoane).
n urma anchetei aplicate au fost identificate motivele pentru care
se consider util introducerea n curriculum colar a studiului conversiei
energiei solare. Aceste motive au fost sintetizate n diagrama
(Figura 4-7):
da
85%
nu
7%
nu tiu
8%
este
necesar
88%
nu este
necesar
5%
nu am nici
o parere
7%

Necesitatea studierii conversiei energiei solare la liceu ca premisa a

a conversiei energiei
rilor ( 88% ), sunt de
se studieze conversia energiei solare
de persoane consider
colar cel mai potrivit pentru studierea acestui
pentru abordarea subiectului la
anchetei aplicate au fost identificate motivele pentru care
colar a studiului conversiei
diagrama de mai jos

37


Figura 4-7 Utilitatea introducerii n curriculum colar a studiului conversiei
energiei solare
Pe baza rezultatelor obinute i a interpretrii acestora se poate
concluziona c ipotezele propuse spre validare se verific. n aceste
condiii considerm c este necesar intensificarea eforturile de transmitere
a cunotinelor legate de conversia energiei solare n energie electric ctre
tnra generaie. Saltul pe care urmeaz sa-l realizeze societatea n vederea
utilizrii energiilor alternative i n spe a energiei solare, depinde ntr-o
mare msur de calitatea pregtirii viitoarelor generaii de specialiti n
acest domeniu, de creterea gradului de cultur, de contientizare i de
schimbare a mentalitilor n domeniul energetic n rndul copiilor ca
principali actori ai lumii de mine [13].
Studierea
surselor de
energie
alternative n
coal
coala instituie
dinamic,
adaptat la i
cerinele
societii
actuale
Cercetare i
inovare n
domeniul
energiilor
alternative
Formare de
competene i
specialiti
Inducerea unei
atitudini
ecologice
Informare
corespunztoare
n domeniu

38
4.2. Prepararea i caracterizare unei celule solare cu jonciune p-n
Conform recomandrilor Consiliul Europei trebuie ca legislaia
fiecrui stat s recunoasc i s respecte diferenele individuale. Copii
talentai, ca i alte categorii, necesit condiii educaionale speciale, pentru
a-i dezvolta pe deplin disponibilitile aptitudinale. Sistemul colar
existent trebuie s fie flexibil n suficient msur, pentru a satisface
nevoile specifice copiilor performeri i talentai [12].
n acest sens se impune organizarea de activiti de iniiere a
elevilor n cercetarea tiinific, avnd ca scop [70]:
dezvoltarea, prin activiti de cercetare i de creaie tiinific a
competenelor elevilor cu aptitudini creative i interes sporit pentru un
anumit domeniu de cercetare tiinific;
dobndirea de cunotine suplimentare n diverse domenii,
familiarizarea cu metodele de cercetare tiinific, cu literatura de
specialitate i perfecionarea deprinderilor de munc intelectual.
Avnd n vedere faptul c progresele tehnicii i tehnologiei, i n final
progresul societii umane se pot realiza doar prin cercetare i studiu, iar
sursele convenionale de energie sunt epuizabile, trebuie avut n vedere
nvarea n coal, n cadrul cercurilor de fizic, a studiului fenomenelor
fotovoltaice. n acest sens propunem n continuare o metod de studiu a
unei celule solare cu jonciune p-n din Si monocristalin ce poate fi abordat
n orice laborator colar cu o dotare corespunztoare.

4.2.1. Procese fizice din jonciunea p-n. Caracteristica curent-tensiune
la ntuneric

Structura unei jonciuni p-n const dintr-un semiconductor n care
are loc trecerea abrupt de la conducia de tip p la cea de tip n
n general pentru o diod cu jonciune p-n real, caracteristica
curent-tensiune la ntuneric este descris de ecuaia Shockley modificat:
I=I
0
exp
q(U-IR
s
)
nkT
-1 +
U-IR
s
R
SH

unde: I
0
, n, R
s
i R
sh
sunt curentul invers de saturaie, factorul de idealitate
al diodei, respectiv rezistentele serie i unt ale celulei (q fiind sarcina
electric) [16].

39
4.2.2. Caracteristica curenttensiune a unei celule fotovoltaice cu
jonciune p-n
La iluminare sub aciunea fotonilor incideni pe celul va crete
numrul de perechi de electroni i goluri, iar caracteristica curent-tensiune
n acest caz va fi dat de :
=


unde I
L
=eSq
0
este fotocurentul.
Caracteristica I-V a unui fotoelement, n absena iluminrii (
0
=0 ),
coincide cu cea a unei jonciuni p-n obinuite la ntuneric. La iluminare
(
0
0) caracteristica curent tensiune se deplaseaz cu mrimea I
L
spre
axa negativ a curenilor(Figura 4-8).



Figura 4-8- Caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p-n la ntuneric (
0
=0)
i respectiv la iluminare (
0
0) [65]
Cu o tensiune pozitiv i un curent negativ, n cel de-al patrulea
cadran, celula fotovoltaic funcioneaz n regim de foto-element,
reprezentnd o surs real de energie , n acord cu primul principiu al
termodinamicii [17].

Voltage U
Current I
Quadrant II
Diode

Solar cell

0
0
Solar cell
Quadrant I
Quadrant III Quadrant IV
I
L

0
= 0
Photodiode
U
CD

I
SC


40
4.2.3. Trasarea spectrului de aciune al unei celule solare cu jonciune
p-n din Si monocristalin
O caracterizare scurt a celulei solare presupune msurarea i
analizarea urmtoarelor elemente:
Spectrul de aciune (caracteristica spectral I
f
= f() )
Caracteristica curent-tensiune la ntuneric
Caracteristica curent-tensiune la iluminare, n cel de-al patrulea
cadran ( n regim de foto-element)
Spectrul de aciune sau rspunsul spectral al unei celule
fotovoltaice reprezint dependena fotocurentului de scurt-circuit de
energia fotonilor incideni. Caracteristica curent-tensiune la iluminare va
oferi informaii despre regiunea fotoactiv i permite deasemenea
determinarea benzii interzise a semiconductorului, din care este fabricat
celula [18]. Folosind dispozitivul experimental artat n Figura 4-9
spectrul de aciune a fost nregistrat, msurnd fotocurentul de scurt-circuit
pentru fiecare valoare a lungimii de und din intervalul 400nm - 1200 nm
[14].


Figura 4-9 - Dispozitivul experimental pentru msurarea caracteristicii spectrale a
unei celule solare cu jonciune p-n[65]

Spectrul de aciune obinut prin reprezentarea dependenei
curentului de scurt-circuit I
sc
(u.a.), normat la unitate, n funcie de
lungimea de und (m), este prezentat n Figura 4-10 [22,23].
Valoarea maxim a fotocurentului I
sc
=51,6 A se obine pentru
=0,97 m. Regiunea cu sensibilitate maxim se gsete ntre 0,8 i 1,1 m
sugernd faptul c regiunea fotoactiv se afl n jonciunea p-n prezent n
structur [70].

M A
40W -Halogen
source
Lens Zeiss
monochromator
with the Si prism
Solar cell Microammeter

41
Figura 4-10.- Spectrul de aciune al unei celule solare cu jonciune p
monocristalin[65]

Energia benzii interzise a Si a fost determinat, folosind formula
lui Mott:

/

unde: h este constanta lui Plank, c este viteza luminii i
1/2
de unda ce corespunde jumtii din rspunsul spectral maxim
valoarea
1/2
= 1,08 m din spectrul aciune (Figura 4-10
pentru lrgimea benzii interzise a Si, o valoare

=

apropiat de valorile determinate prin alte metode[65].

4.2.4. Studiul caracteristicii I-V de ntuneric i determinarea
parametrilor diodei (factorul de redresare R
R
, n i I
0
)
Informaii referitoare la prezena stratului de baraj din jonc
calitatea acestuia se pot obine din analiza caracteristicii I-
ambipolar (polarizare direct i invers) [24-26]. Folosind montajul din
Figura 4-11, s-a trasat caracteristica curent-tensiune la ntuneric.

iune al unei celule solare cu jonciune p-n din Si
, folosind formula
1/2
este lungimea
spectral maxim. Folosind
10) s-a obinut

/
=1,14 eV,
determinarea
a stratului de baraj din jonciune i la
-V de ntuneric
Folosind montajul din
tensiune la ntuneric.

42

Figura 4-11- Dispozitivul experimental folosit pentru msurtori ale
caracteristicilor curent-tensiune ambipolare[65]
Pe baza datelor experimentale s-a trasat caracteristica I-V
ambipolar, din Figura 4-12. Se observ asimetria acestei caracteristici,
datorat prezenei jonciunii p-n [70]. Raportul de redresare reprezentnd
raportul dintre curentul direct i cel de la polarizare invers la o aceeai
tensiune, are n cazul acestei structuri, valoarea de 20, la tensiunea de 0,5V.


Figura 4-12- Caracteristica curent tensiune la ntuneric a unei celule solare cu
jonciune p-n din Si monocristalin[65]

E
mA
V
R
miliammeter
microvoltmeter
potentiometer
Solar cell

43
Informaii referitoare la calitatea jonciunii s-au obinut reprezentnd
grafic, n scar semilogaritmic, curentul, la polarizare direct, n funcie de
tensiune, aa cum se arat n
Figura 4-13.
n acest domeniu de tensiuni, caracteristica I-V este descris de
nkT
qU
e I I
0
.
Deci lnI n funcie de U este, conform acestei relaii: =



Figura 4-13 - Caracteristica I-V la polarizare direct n scar semilogaritmic[65]

Fitnd datele experimentale cu ecuaia de mai sus, s-a obinut
factorul de idealitate pentru diod n = 1/V
T*
tg = 1,4 i curentul de
saturaie I
0
10
-8
A. n determinarea factorului de idealitate n s-a folosit
potenialul termic la temperatura camerei V
T
= kT/q = 0.025V i panta
dreptei tg prezentat n legenda din Figura 4-13 [65].

4.2.5. Studiul caracteristicii I-U la iluminare n cel de-al IV-lea cadran

Pentru msurarea caracteristicii I-U n cel de-al IV-lea cadran,
celula solar a fost conectat n serie cu o rezistent de sarcin variabil (n
intervalul 10 - 10
5
) i iluminat cu lumin alb de 20 mW/cm
2
. Pentru

44
fiecare valoare a rezistorului de sarcin n intervalul de mai sus, s-au
msurat curentul debitat prin rezistena de sarcin i tensiunea pe celul.
Pe baza datelor experimentale s-a trasat caracteristica fotocurent-
tensiune n cadranul IV, artat n Figura 4-14. Din aceast figur s-au
determinat parametrii tipici n regim de fotoelement: V 0,5 U
oc
= i
mA. 3,89 - I
sc
=

Figura 4-14 - Caracteristica I-V n cadranul IV a celulei fotovoltaice cu jonciune
p-n din Si monocristalin iluminat n lumin integral cu puterea incident
2
/ 20 cm mW P
i
=
[65]

Pentru a determina cu acuratee factorul de umplere, n Figura
4-15 s-a reprezentat grafic dependena puterii ( UI P = ) de tensiune [70].
Coordonatele punctului de extrem din Figura 4-15, n concordan cu
Figura 4-14, ne conduc la valorile:
U
m
=0.42V i I
m
= -3.2mA.
Folosind aceti parametrii s-a calculat factorul de umplere la o
valoare de 0.74, fapt ce sugereaz prezena unei structuri cu rezistena
serie mic i rezistena unt mare.
Pentru eficienta puterii de conversie , s-a obinut o valoare de
7,3% - valoare bun pentru o celul preparat n condiii de laborator [65].
Msurarea caracteristicilor curent-tensiune n cel de-al IV-lea
cadran la iluminare, a oferit elevilor posibilitatea de a gsi cu acuratee
parametrii tipici ai unei celule ce funcioneaz n regim de fotoelement.

45

Figura 4-15 - Puterea la ieire n funcie de tensiune[65]

Pentru analiza datelor culese s-a folosit soft-ul Origin. OriginLab
este un soft profesional, specializat n analiza de date i trasarea de grafice,
cu interfa simpl, care alaturi de alte aplicaii multimedia conduce la o
mai buna asimilare a deprinderilor practice necesare pentru activitile de
laborator i n final la creterea calitii procesului de nvmnt [74].
O astfel de lucrare de laborator se poate desfurarea n orice
laborator colar bine dotat. Implicarea n acest tip de activitate ofer
elevilor posibilitatea de a formula o ipotez de lucru, de a nregistra,
prelucra i interpreta datele experimentale culese, dobndind astfel reale
caliti pentru cercetarea n acest domeniu.


4.3. Prepararea i caracterizarea unei celule fotovoltaice cu
heterojonciune
n cazul structurilor n care regiunea fotoactiv este format de
heterojonciunea a doua straturi organice, cu spectre de absorbie
complementare, eficiena de conversie crete cu aproape dou ordine de
mrime [28-30,76]. Celulele fotovoltaice bazate pe amestecuri polimerice
(blende), par s fie extrem de promitoare, eficiena lor de conversie fiind
de aproximativ 4-5% avnd i costuri de producere mai mici dect cele
bazate pe straturi subiri cu monomeri organici [33]. n acest sens sunt
prezentate n continuare metodele prin care pot fi studiate proprietile

46
structurale, morfologice, electrice i fotoelectrice ale celulelor fotovoltaice
avnd ca strat activ poli(3-hexiltiofen) (P3HT), 1-(3-metoxicarbonil)-
propil-1-fenil-(6,6)C
61
(PCBM) i amestecuri ale celor doi polimeri.

4.3.1. Proceduri experimentale
Pe sticl optic (Praezisions Glass und Optik, CECO20P) a fost
depus un strat subire de ITO servind drept anod [67]. Peste stratul de ITO,
prin tehnica de spin-coating a fost depus un strat de
poli(etilendioxitiofen) polistiren sulfonic (PEDOT-PSS) cu grosimea de
100 nm, cu rolul de a facilita transferul golurilor ntre electrodul de ITO i
stratul activ. Peste stratul de PEDOT au fost depuse prin aceiai tehnic
filme subiri de P3HT, PCBM i P3HT:PCBM(1:1). Pentru a completa
structura fotovoltaic, prin evaporare termic n vid a fost depus un strat
subire de Al servind ca electrod de spate. Reprezentarea schematic a
structurilor realizate este artat n Figura 4-16.

Figura 4-16 - Structura celulelor fotovoltaice avnd ca strat activ P3HT,
PCBM i P3HT:PCBM(1:1) [63]
Pentru fiecare din cele trei structuri n parte au trasate spectrele de
absorbie la temperatura camerei, folosind un spectrofotometru UV-VIS
Perkin Elmer Lambda. Spectrele de aciune au fost nregistrate cu ajutorul
unui set-up format dintr-un monocromator Cornerstone 130 i a unei surse
Keithley 2400, comandat de un computer. Caracterizarea morfo-structural
a probelor a fost realizat cu ajutorul Microscopului cu For Atomic (Ape
Research SPM, AFM A100-SGS), iar grosimea i rugozitatea filmelor

47
polimerice au fost determinate prin reflectometrie de raze X (difractometru
Bruker D8 Discover) [63], toate echipamentele necesare se gasesc n
laboratoarele Centrului de Cecetare Dezvoltare pentru Materiale si
Dispozitive Electronice si Optoelectronice al Facultii de Fizica a
Universitii din Bucureti.

4.3.2. Caracterizare morfologic
Curbele de reflectometrie pentru cele trei filme subiri au fost
trasate pentru = 1.5406 . Din curbele de reflectometrie au fost calculate
valorile grosimii i ale rugozitii pentru filmele polimerice cu ajutorului
programului LEPTOS, acestea fiind rezumate n Tabelul 4-2
Tabelul 4-2 - Valorile grosimii i ale rugozitii pentru filmele subiri
ITO/PEDOT/P3HT, ITO/PEDOT/PCBM i ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)
Proba Grosimea (nm) Rugozitatea (nm)
S1 - ITO/PEDOT/P3HT
97 10
S2 - ITO/PEDOT/PCBM
139 15
S3 - ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)
123 13

Depunerea filmelor subiri prin tehnica de spin-coating prezint
avantajul c valorile grosimilor i ale rugozitilor sunt mici ceea ce
confer acestora o mai bun integritate mecanic.

4.3.3. Rezultate electrice i fotoelectrice pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT/Al
Caracteristica I-V de ntuneric pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT/Al, la 2 ore dup depunerea electrodului de Al (Figura
4-17), a fost trasat la temperatura camerei, att la polarizare direct, ct i
pentru polarizare invers i este reprezentat n Figura 4-18, . Aa cum se
poate observa dependena este nelinear i puternic asimetric, cu un factor
de redresare de aproximativ 200 pentru o tensiune aplicat de 1.5V i care
crete la 500 pentru tensiunea maxim aplicat de 3,5V. Aceast asimetrie
se datoreaz prezenei unei bariere Schottky la interfaa Al/P3HT, n timp
ce interfaa ITO/PEDOT/P3HT se comport ca un contact ohmic.
Pornind de la ecuaia Shockley modificat, s-a fcut caracterizarea
interfeei Al/P3HT, responsabil pentru comportarea electric i

48
fotoelectric a celulei, i s-au calculat parametrii de jonciune: R
s
=328,
R
sh
=58,13 K, I
0
=7,210
-11
A i factorul de idealitate n=2,29.
n Figura 4-18 sunt prezentate spectrul de absorbie al filmului
subire de ITO/PEDOT/P3HT i spectrul de aciune al celulei fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT/Al, obinute la iluminare prin electrodul de ITO.







Se constat asemnarea spectrului de actiune cu cel de absorbie,
fapt explicat prin rspunsul fotovoltaic datorat separrii purttorilor de
sarcin fotogenerai rezultai prin disocierea excitonilor sub aciunea
cmpului electric intern de la interfaa Al/P3HT, care pare s se extind n
ntreg volumul filmului subire de P3HT.
Figura 4-17 - Caracteristica I-V de ntuneric a
celulelor fotovoltaice ITO/PEDOT/P3HT/Al[63]


Figura 4-18 - Spectrele de aciune ale celulei fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT/Al [63]

La dou ore
dup depunere
La 48 ore dup
depunere
Spectrul de
absorbie

49
4.3.4. Rezultate experimentale pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/PCBM/Al
n Figura 4-19 este prezentat caracteristica I-V de ntuneric,
trasat la temperatura camerei, pentru polarizare direct i invers, a
celulelor fotovoltaice ITO/PEDOT/PCBM/Al. Polarizarea direct
corespunde aplicrii unei tensiuni pozitive pe electrodul de ITO.
Dependena este de asemenea asimetric, ns cu un factor de
redresare mai mic de aproximativ 10 pentru o tensiune aplicat de 2V.
Asimetria se datoreaz n acest caz prezenei unui contact de blocare la
interfaa ITO/PEDOT/PCBM, n timp ce interfaa Al/PCBM se comport
ca un contact ohmic.

Figura 4-19 - Caracteristica I-V de ntuneric pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/PCBM/Al[63]

Valorile R
s
, R
sh
, n i I
0
calculate folosind ecuaia Shockley
modificat sunt: R
s
= 113, R
sh
=9730 , n =2,8 i I
o
= 4x10
-9
A.
Spectrul de absorbie al filmului subire de ITO/PEDOT/PCBM i
spectrul de aciune al celulei fotovoltaice ITO/PEDOT/PCBM/Al sunt
prezentate n Figura 4-20 i par s fie anti-batice, valoarea maxim a
fotocurentului fiind obinut atunci cnd absorbana este minim [63].

50

Figura 4-20 Spectrele de aciune ale celulei fotovoltaice ITO/PEDOT/PCBM/Al
[63]

Acest comportament poate fi pus pe baza asa numitului ,,efect de
filtrare datorat filmului de PCBM, i a prezenei unei bariere energetice la
interfaa Al/PCBM.
4.3.5. Rezultate obinute pentru celulele fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM/Al
n Figura 4-21 este prezentat caracteristica I-V de ntuneric a
celulelor fotovoltaice ITO/PEDOT/P3HT:PCBM/Al, trasat la temperatura
camerei, pentru polarizare direct i invers. Caracteristica I-V este
nelinear i puternic asimetric cu un factor de redresare de aproximativ
120 pentru o tensiune aplicat de 1V [63]. Asimetria acestei structuri este
datorat lucrurilor de extracie diferite ale celor doi electrozi, ITO/PEDOT
i Al.
Spectrul de aciune al celulei fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al mpreun cu spectrul de absorbie al
filmului subire de ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1) sunt prezentate n
Figura 4-22. Rspunsul fotovoltaic al celulei avnd ca strat activ blenda
celor doi polimeri este mult mai bun dect cel al structurilor analizate
anterior [63].
La dou ore
dup depunere
La 48 ore dup
depunere
Spectrul de
absorbie

51






Spectrul de absorbie al filmului subire de P3HT:PCBM(1:1) a
fost extins in domeniul (300-700 nm) i conine domeniile principale de
absorbie ale filmelor subiri de P3HT (400-700 nm) i PCBM (300-500
nm), prezentnd aa numitul efect de co-sensiblizare, evideniat i n
cazul structurilor D/A dublu-strat [41,42]. De asemenea, i spectrul de
aciune s-a lrgit (300-600 nm) comparativ cu cel al celulelor fotovoltaice
care aveau ca strat activ doar unul dintre polimeri
Figura 4-22 - Spectrele de aciune ale celulelor fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al

Figura 4-21 - Caracteristica I-V de ntuneric (linia neagr) i n
lumin monocromatic ( = 400 nm, linia verde) pentru celulele
fotovoltaice ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al[63]

La dou ore
dup depunere
La 48 ore dup
depunere
Spectrul de
absorbie

52

Figura 4-23 - Caracteristica I-V de cadran IV a celulelor fotovoltaice
ITO/PEDOT/P3HT:PCBM(1:1)/Al n lumin monocromatic ( = 400 nm, P
in
=
5.19 x 10
-5
W) [63]

n Figura 4-23 este prezentat caracteristica I-V de cadran IV
trasat la iluminare cu lumin monocromatic, = 400 nm. Parametrii
caracteristici calculai pentru aceast celul fotovoltaic sunt prezentai n
Tabelul 4-3[63]. Valorile acestora sunt mult mai mari comparativ cu cele
obinute pentru celulele fotovoltaice ITO/PEDOT/P3HT/Al i
ITO/PEDOT/PCBM/Al.
Tabelul 4-3. Parametrii caracteristici ai celulelor fotovoltaice: V
oc
tensiunea la
circuit deschis, I
ph
foto-curentul de scurt-circuit, P
m
puterea maxim obinut,
P
in
puterea incident, FF factorul de umplere, eficiena de conversie
Parame
trul
S1
ITO/PEDOT/P
3HT/Al
S2
ITO/PEDOT/P
CBM/Al
S3
ITO/PEDOT/P3HT:PC
BM(1:1)/Al
V
oc
(V) 0.84 0.1 0.58
I
ph
(A) 1.85x10
-8
4.1x10
-8
1.35x10
-6

P
m
(W) 1.7x10
-9
5.88x10
-10
2.25x10
-5

P
in
(W) 2.15x10
-5
3.3x10
-5
5.19x10
-5

FF (%) 10 14 28
(%) 0.01 0.0017 0.44


53
n concluzie, cele mai bune rezultate au fost obinute pentru
structurile ce au ca strat absorbant blenda celor doi polimeri,
P3HT:PCBM(1:1), dar este nevoie n continuare de noi studii pentru
explicarea problemelor legate de stabilitatea acestora.


4.4. Prepararea i caracterizarea celulelor solare hibride anorganic-
organic pe baz de matrici de nanofire de CdTe, sensibilizate cu
colorani organici

4.4.1. Proceduri experimentale de preparare a probelor
n ultimii ani n domeniul fotovoltaic a evoluat o nou direcie de
fabricare cu cost redus a celulelor fotovoltaice hibride anorganic/organic,
folosindu-se structuri bazate pe matrici de nanofire fabricate din
semiconductori A
2
B
6
i folosind ca strat absorbant colorani organici.
Banda interzis larg, coeficientul de absorbie optic mare i mobilitatea
relativ ridicat a purttorilor de sarcin, fac din compuii semiconductori
A
2
B
6,
candidaii promitori pentru utilizarea lor n dispozitive electronice
i optoelectronice, n special pentru aplicaii fotovoltaice [66].
La prepararea nanofirelor s-a utilizat o metod de cretere [69],
folosind ca ablon folii din policarbonat de grosime 30 , ce au fost
iradiate cu ioni grei, la diferite fluene n intervalul 10
4
-10
8
ioni/cm
2
.
Electrodepunerea ulterioar a nanofirelor s-a facut n porii de form
cilindric i cu diametrele corespunztoare, rezultate in urma unui proces
de corodare chimic n soluie apoas de NaOH cu adaos de metanol.
Urmtorul pas a constat n depunerea prin sputtering, a unui electrod de
lucru de aur, de grosime 50 nm, pe o parte a ablonului. Pentru a completa
nchiderea porilor i pentru a mbunti stabilitatea mecanic a ablonului,
a fost depus electrochimic peste filmul de aur, un strat de cupru, de grosime
10. Creterea nanofirelor de CdTe a fost realizat folosind o baie
acid, cu ajutorul unui poteniostat. Mecanismul de reacie care conduce la
formarea de nanofire de CdTe este descris de:

+ 3

+ 4

+ 2

+ + 2


Dup creterea firelor de CdTe, membranele de policarbonat au
fost dizolvate obinnd matricea de nanofire de CdTe care urmeaz a fi

54
sensibilizat cu un absorbant organic. Pentru a nu permite accesul
absorbantului organic la electrodul de spate din Au, nainte de depunerea
acestuia, s-a depus prin evaporare termic n vid, strat subire de CdTe
(300 nm). Peste matricea de fire de CdTe, procesat aa cum am artat mai
sus, a fost depus prin evaporare termic n vid un strat subire de colorant
organic cu grosimea de 400 nm. Electrodul de vrf transparent, care
completeaz structura a fost un strat subire de ZnO, depus prin ablaia
unei inte de ZnO cu un fascicol de electroni (PED).[68].
Figura 4-24 prezint etapele tehnologice n producerea structurilor
fotovoltaice hibride matrice de fire A
2
B
6
/colorant organic.
Noutatea n design-ul acestor structuri o reprezint rata redus de
recombinare a electrodului din spate i colectarea mai eficient a golurilor,
prin depunerea unui strat subire din acelai material ca cel din matricele de
nanofire. O eficient mai bun a procesului de disociere excitonic a fost
obinut prin crearea unei interfee mari ntre colorantul organic i
semiconductorul anorganic nanostructurat.















Figura 4-24 - Etapele tehnologice n producerea structurilor fotovoltaice matrice
de fire de CdTe/colorant organic [64].
Folia de policarbonat
iradiat

Nanofirele de
CdTe expuse
Strat subire de
material organic Strat subire de ZnO
Electrod de Aur
Strat de Cupru
Electrod de Aur
Strat de Cupru
Electrod de Aur
Strat de Cupru
Electrod de Aur
Strat de Cupru
Film subire de CdTe
policristalin (300 nm)

55
Caracterizarea morfologic a structurilor preparate s-a facut prin
Microscopie electronic de baleiaj (SEM). n Figura 4-25 sunt artate dou
imagini din timpul procesului tehnologic de preparare a acestor structuri.


(a) (b)
Figura 4-25 - (a) Imagine SEM cu matricea de fire de CdTe dup dizolvarea
membrane de policarbonat, (b) Imagine SEM a firelor de CdTe acoperite cu filme
subiri de CdTe, ZnPc i ZnO (300 nm) [64].

4.4.2. Eficiena cuantic a celulei solare pe baz de nanofire de CdTe
n Figura 4-26 i repectiv Figura 4-27 sunt prezentate
dependenele spectrale ale eficienei cuantice externe (EQE) n cazul
structurilor CdTe(nanofire)/ZnPc i respectiv CdTe(nanofire)/ CdTe (300
nm)/ZnPc.

500 600 700 800 900 1000 1100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
N
o
r
m
a
l
i
z
e
d

A
b
s
o
r
b
a
n
c
e

N
o
r
m
a
l
i
z
e
d

E
Q
E
Wavelength (nm)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Figura 4-26 - Spectrul EQE al structurii fotovoltaice de
Au/CdTe (nanofire)/ZnPc/ZnO i spectrul de aciune
corespunztor ZnPc[64].

56
200 400 600 800 1000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
N
o
r
m
a
l
i
z
e
d

A
b
s
o
r
b
a
n
c
e


N
o
r
m
a
l
i
z
e
d

E
Q
E
Wavelength (nm)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0



n cazul probei fr stratul subire de CdTe depus, eficiena
cuantic extern urmeaz trsturile spectrului de absorbie a ZnPc, n
regiunea spectral investigat. La a doua prob, eficiena cuantic extern a
structurilor Au/matrice de fire CdTe/ CdTe (300 nm)/ZnPc/ZnO a crescut
semnificativ n intervalul de lungimi de und msurat, n raport cu cele n
configuraia Au/matrice de fire de CdTe/ZnPc/ZnO. Pentru comparaie, n
Figura 4-27, sunt ilustrate i spectrele de absorbie ale filmelor subiri de
ZnPc i CdTe (cu linie roie, respectiv linie verde), depuse pe sticl n
aceleai condiii. Dup cum se poate vedea EQE-ul urmeaz forma
spectrului de absorbie a ZnPc, dar de asemenea, i pe cel al filmului
subire de CdTe, n regiunea spectral vizat.




Figura 4-27 - Spectrul EQE al structurii fotovoltaice de
Au/CdTe (nanofire)/ CdTe(300nm)/ZnPc/ZnO (linia neagr) i
spectrele de absorbie ale filmelor subiri de ZnPc ( linia roie)
i CdTe, ( linia verde) [64].


57
CONCLUZIE
Analizele, constatrile i cercetrile, prezentate pe larg pe parcursul ntregii
lucrri conduc la evidenierea unor concluzii care se prezint n esen
astfel:
n coala romneasc subiectul conversiei energiei solare este
destul de slab abordat, dei societatea este interesat de subiect, iar
evoluia economic pe plan mondial se ndreapt ctre utilizarea unor
energii alternative n care cea solar ocup la rndul sau un loc
important.
Includerea n curriculum colar a studiului conversiei energiei
solare n energie electric pe baza efectului fotovoltaic este
necesar deoarece:
Conduce la o informare corect i complet n domeniul surselor de
energie nepoluante i inepuizabile.
Schimb mentalitatea oamenilor de a utiliza cu precdere energia
provenit din surse clasice i determin o apropiere a acestora de
tendinele ecologice actuale
Creeaz competene i formeaz specialiti, oferind absolvenilor
posibilitatea ocuprii unui loc de munca ntr-un domeniu aflat n
continu expansiune
Printr-un parcurs continuu de-a lungul diverselor etape de nvmnt
(gimnaziu, liceu facultate) conduce la formarea unei baze de
absolveni bine pregtii din care se pot desprinde cu uurin
specialiti care prin cercetare pot inova i dezvolta domeniul.
Creeaz n rndul populaiei imaginea c coala este o instituie
modern i dinamic, capabil s se adapteze la evoluia, cerinele i
ateptrile societii actuale
La nivelul liceului n acest moment, studiul conversiei energiei solare
n energie electric prin intermediul efectului fotovoltaic, se poate
face n cadrul unui Opional, Cerc de fizic sau Centru de excelen,
ns pe viitor se recomand introducerea acestuia n cadrul curriculei
obligatorii pentru liceele cu profil real sau tehnic.
Studiul celulelor solare de generaia I-a pe baz de Si
monocristalin poate fi abordat pe parcursul colii liceale cu scopul de
a dezvolta capacitatea de cercetare n rndul elevilor i se poate
desfura n orice laborator colar bine dotat.

58
Pentru caracterizarea unei celule solare de generaia I a s-a utilizat o celul
cu jonciune p-n preparat n Laboratoarele Centrului de Cercetare
Dezvoltare pentru Materiale i Dispozitive Electronice i Optoelectronice,
din cadrul Universitii Bucuresti
Pentru aprofundarea subiectului conversiei energiei solare n energie
electric prin intermediul efectului fotovoltaic am descris dou
metode de preparare i caracterizare a unor celule solare de ultima
generaie:
Prima metod se refer la prepararea i analizarea proprietilor
structurale, morfologice, electrice i fotoelectrice ale celulelor
fotovoltaice avnd ca strat activ poli(3-hexiltiofen) (P3HT), 1-(3-
metoxicarbonil)-propil-1-fenil-(6,6)C
61
(PCBM) i amstecul celor doi
polimeri, n raport 1:1 n fiecare din cele trei situaii straturile active
respective au fost depuse pe un substrat de sticl acoperit cu ITO, prin
tehnica spin coating.
Au fost trasate spectrele de absorbie la temperatura camerei, spectrele de
aciune precum i caracteristicile I-V, de ntuneric i n lumin
monocromatic. n urma interpretrii caracteristicilor au fost extrai
parametrii jonciunii, precum i parametrii care caracterizeaz rspunsul
fotovoltaic al dispozitivelor. Nelinearitatea i asimetria acestora au fost
explicate innd seama de comportamentul de la interfaa
electrod/semiconductor organic.
Rezultatele cele mai bune au fost obinute pentru structurile ce
aveau ca strat absorbant blenda celor doi polimeri, P3HT:PCBM(1:1)
valoarea pentru tensiunea la circuit deschis, V
oc
, fiind 0.58 V, curentul de
scurt-circuit, I
ph
= 1.35 x 10
-6
A (cu dou ordine de mrime mai mare dect
n cazul structurilor simple), iar factorul de umplere FF = 28% .
n ceea ce privete spectrul de absorbie al filmului subire de
P3HT:PCBM(1:1) a fost largit comparativ cu domeniile principale de
absorbie ale filmelor subiri de P3HT i PCBM pe care de altfel le i
conine, ca urmare a apariiei aa numitului efect de co-sensiblizare,
evideniat i n cazul structurilor D/A dublu-strat. Numrul interfeelor
donor-acceptor (D/A) a crescut astfel semnificativ prin mixarea celor doi
polimeri unul donor, iar cellalt acceptor, realizndu-se astfel
heterojonciunea n volum, dovedind astfel superioritatea structurilor de tip
blend polimeric.

59
Cea de-a doua metod se refer la celulele solare hibride
anorganic/organic pe baz de matrici de nanofire de CdTe sensibilizate
cu colorani organici.
Matricile de fire de CdTe (10
6
fire/cm
2
) au fost crescute
electrochimic, folosind metoda ablonului utiliznd membrane de
policarbonat (cu o grosime de 30 micrometri) perforate prin iradiere cu
ioni grei accelerai. Dup dizolvarea ablonului de policarbonat, a fost
depus prin evaporare termic n vid peste matricea de fire, un film subtire
de CdTe (300 nm), nainte de depunerea filmului de ZnPc, ca absorbant
organic. Structurile fotovoltaic au fost completate cu un electrod de vrf
transparent de ZnO, depus prin ablaia unei inte de ZnO cu un fascicol de
electroni (PED).
Noutatea n design-ul acestor structuri o reprezint rata redus de
recombinare a electrodului de spate i colectarea mbuntit de goluri,
prin depunerea unui strat subire din acelai material ca cel din matricele
de nanofire. Eficiena cuantic extern a structurilor de Au/matrice de fire
CdTe/ CdTe (300 nm)/ZnPc/ZnO a crescut semnificativ pe tot intervalul
de lungimi de und, n comparaie cu cea a strucurilor de acelai tip dar
fr stratul subire de CdTe.

















60
Contribuii personale la dezvoltarea temei

Lista 3(a
1
). Articole tiinifice publicate n reviste de specialitate cotate in sistemul
ISI (USA), (Titlul articolului; autorii, subliniindu-se candidatul; denumirea revistei,
vol., nr., pagina de nceput-pagina de sfrit, anul).
Nr.
Crt.
Titlul articolului; autorii, subliniindu-se
candidatul; denumirea revistei; vol.(nr.);
pagina de nceput - pagina de sfrit;
anul;
q
i
=factorul de impact
al revistei cota-te ISI,
din anul in care a fost
publicata lucrarea sau
din anul cel mai
apropiat de data
publicarii
Punctaj: q
i
/A
i
sau
0,4*N
c
/A
i

q
i
=factorul de
impact al revistei
A
i
=nr. autori, N
c
=
nr. de citri
[1] Nicoleta Dina, Simona Crciun, Mirela
Bulgariu, S. Antohe, Teaching of
Alternative Energy Sources in
Romanian School, submitted to
Romanian Reports in Physics

[2] Larisa Magherusan, Polona Skraba,
Cristina Beeag,

Sorina Iftimie,
Nicoleta Dina, Mirela Bulgariu,
Carmen-Gabriela Bostan, C. Tazlaoanu,
A. Radu, L. Ion, M. Radu, A. Tanase, G.
Bratina, S. Antohe, Electrical and
Photoelectrical Properties of Organic
Photovoltaic Cells Based on Polymer
Blends ITO/PEDOT/P3HT: PCBM
(1:1), Journal of Optoelectronics and
Advanced Materials, Vol. 12 , No. 2,
February 18, 2010, p. 212-218
0.57 q
i
/A
i
= 0.040
[3] C. Florica, I. Arghir, L. Ion, I.
Enculescu, V. A. Antohe, M. Radu, G.
Chiulescu, N. Dina, S. Antohe "
Production and charactderization of
CdTe wire arrays for hybrid
inorganic/organic photovoltaic cells"
Digest Journal of Nanomaterials and
Biostructures, Vol.6, No 1, January-
March, 2011,p. 21-27
1.75(2009) q
i
/A
i
= 0.175
[4] Carmen-Gabriela BOSTAN, Nicoleta
DINA, Mirela BULGARIU, Simona
CRACIUN, M. DAFINEI, C. CHITU,
Ionelia STAICU, S.ANTOHE,
Teaching/ Learning Photovoltaic Effect
in High School, Romanian Reports in
Physics, Vol.63, No.2, p. 543-546, 2011
0.458 (2009) q
i
/A
i
= 0.057



61
g
2
) Lucrri prezentate i publicate la diferite congrese, conferine i
simpozioane:

2.1) Internaionale

[1] L. Ion, I. Enculescu, V. A. Antohe, A. Radu, M. Radu, G. Chisulescu, N.
Dina, S. Antohe, Electrical and Photoelectrical Properties of Heterojunction
Based on CdTe Nanowire Array and Organic Dyes Films, 2
nd
International
Symposium on Flexible Organic Electronics, 8-10 July 2009, Porto Carras
Grand Resort, Halkidiki, Greece, Book of Abstracts, pg.110
[2] M. Radu, Oana Ghenescu, M. Ghenescu, C. Lungu, V. Soare, M. Burada, T.
Mitran, Nicoleta Dina, L. Ion, S. Antohe, CIS Films Deposited on Flexible
Substrates for Photovoltaic Applications, 2
nd
International Symposium on
Flexible Organic Electronics, 8-10 July 2009, Porto Carras Grand Resort,
Halkidiki, Greece, Book of Abstracts, pg.131
[3] Cristina Beleag, Iulia Arghir, T. Mitran, C. Tazlaoanu, Nicoleta Dina, V.
Covlea, A. Nemne, L. Ion, S. Antohe, Preparation and |Characterization of
Hybrid Photovoltaic Structurs Based on nanostructured ZnO/CuPc, Sixth
International Edition of Romanian Conference on Advanced Materials:
ROCAM 2009, August 25-28th, 2009, Brasov, Romania- oral 15 min, Abstract
Book pg. 81
[4] Sorina IFTIMIE, L. ION, C. TAZLAOANU, Veta GHENESCU, Cristina
BELEAG, T. L. MITRAN, M. GUGIU, Nicoleta DINA, Oana PORUMB,
S. ANTOHE, Defects Generation in CdS/CdTe Heterojunction Photovoltaic
Cells by High Energy Protons Irradiation, 11
th
International Balkan Workshop
on Applied Physics, July 7-9 2010, Constanta Romania, Book of Abstract, S5
P51, pg. 149, Poster session
[5] Doru Alexandru Pleea, Bogdan Onete, Irina Maiorescu, Nicoleta Dina, A
multimedia solution for distance learning of practical skills in commodity
science, The 7th International Scientific Conference eLSE eLearning and
Software for Education, Bucharest, April 28-29, 2011, ISSN-2066-026X



62
2.2) Naionale
[1] Nicoleta Dina, Mirela Bulgariu, Carmen Bostan, Simona Crciun, M. Dafinei,
C. Chiu, S. Antohe, Teaching/Learning Photovoltaic Effect in High School
University of Bucharest, Faculty of Physics, 2010 Annual Scientific
Conference, Friday, June 18, 2010, oral presentation, Program and Abstracts,
pg. 140
[2] Sorina Iftimie, C. Tazlaoanu, M. Radu, Veta Ghenescu, Cristina Beleag,
T.L. Mitran, M. Gugiu, Nicoleta Dina, Oana Porumb, S. Antohe, Defects
generation in CdS/CdTe heterohunction Photovoltaic Cells by High-Energy
Proton Irradiation, University of Bucharest, Faculty of Physics, 2010 Annual
Scientific Conference, Friday, June 18, 2010, oral presentation, Program and
Abstracts, pg. 221
[3] C. Chiu, Nicoleta Dina, Simona Crciun, Mirela Bulgariu, G. Chiulescu, A.
Tnase, Physical parameters measurements in the Real Oscillator, 2010
Annual Scientific Conferance, University of Bucharest, Faculty of Physics,
June 18, 2010, Bucharest, Romania, Abstract Book pg. 138
[4] Nicoleta Dina, Rzvan Dina, Valorificarea tehnologiilor fotovoltaice pentru
creterea potentialului energetic al Romaniei, Conferinta Nationala-
Marketingul Intreprinderilor Romanesti in Procesul Integrarii Europene,
A.S.E., Bucuresti 29-30 mai 2009
[5] N. Dina, S. Crciun, M. Bulgariu, S. Antohe, Teaching of Alternative Energy
Sources in Romanian School, University of Bucharest, Faculty of Physics,
2011 Annual Scientific Conference, Friday, June 17, 2011, oral presentation,
Program and Abstracts, pg. 74
[6] C. F. Florica, I Tnase, S. Iftimie, C. Beleag, A. Radu, N. Dina, M. Dafinei,
O. Brncoveanu, L. Ion, S. Antohe, Properties of monomeric dyes thin films
deposited on flexible substrate for photovoltaic applications, University of
Bucharest, Faculty of Physics, 2011 Annual Scientific Conference, Friday,
June 17, 2011, oral presentation, Program and Abstracts, pg. 150




63
Bibliografie selectiv
Capitolul I
[2] The European Union by International Energy Agency (IEA) - IEA Energy Policies
Review, 2008
[3] I. Munteanu, Fizica solidului, Ed. CREDIS Universitatea din Bucureti, 2002.
[4] I. Spnulescu, Fizica straturilor subiri i aplicaiile acestora, Ed. tiinific,
Bucureti, 1975.
[5] I. Dima, I. Licea, Fenomene fotoelectrice n semiconductori i aplicaii, Ed.
Academiei, 1980
[6] S. Antohe, Materiale i dispozitive electronice organice, Ed. Universitii din
Bucureti, 1996
[8] T.S. Moss, Optical Properties of Semiconductors, Butterworths, London, 1961
[9] S. Antohe, Phys. Stat. Sol. (a) 136, 401-410 (1993).
[11] L. Ion, S. Antohe, J. Appl. Phys, 97, 013513 (2005).
[2] C.N.R. Rao, Ultra-Violet and Visible Spectroscopy. Chemical Applications,
Butterworth Thrid Edition, Printed in England by The Whitefriars Press Ltd.,
London&Tonbrige, 1975
[14] *** A Guide for Integrating Sphere. Theory and Applications from Labsphere
PerkinElmer, United Kingdom.
[17] G.R. Booker, C.E. Benjamin, J. Electrochem. Soc. 109, 1206, 1962.
[21] M. Silver, D. Olness, M. Swicord, R.C. Jarnagin, Phys. Rev. Letters 10, 12 (1963).
[22] M. Silver, S.Z. Weisz, J.S. Kim, R.C. Jarnagin, J. Chem. Physics 39, 3163 (1963).
[32] S.C. Ganguly, N.K. Chandbury, Rev. Mod. Physics 31, 1013 (1959).
Capitolul II
S. Antohe, Materiale i dispozitive electronice organice, Ed. Universitii din
Bucureti, 1996
[4] N. F. Mott and R. W. Gurney, Electronic Processes in Ionic Crystals, Oxford
University Press, Oxford, p. 172, (1940)
[6] M. A. Lampert, Proc. IRE 1783, (1962)
[7] M. A. Lampert, Rep. Prog. Phys, 27, 329, (1964)
[8] P. Mark and W. Helfrich, Z. Physik 166, 370, (1962); 168, 495, (1962)
[20] J. Adolph, Helv. Phys. Acta, 38, 409, (1965)
[21] W. Heilfrich. In: Physics and Chemistry of the Organic Solid State, Vol. III (D.
Fox, M. M. Labes, and A. Weissberger, eds.) Interscience Pub., New York, pp. 1-56,
(1967)
[2]3 R. H. Tredgold, Space Charge Conduction in Solids, Elsevier Publishing Co., Inc.,
Amsterdam, (1966)
[34] S. Antohe, Phys. Stat. Sol. (a), 136, 401, (1993)
[37] S. Antohe, I. Munteanu, I. Dima, Rev. Roum. Phys., 34(6), 665, (1989)
[38] J. Adolph, E. Baldinger, W. Czaja and I. Granacher, Physics Letters 6, 137, (1963)
[39] S. Antohe, I. Munteanu, I. Dima, "Al III-lea Colocviu National de Fizica si
Tehnologia Materialelor Crisialine si Amorfe" Iasi 3-4 lunie, (1988), pp. 69-73
[45] L. Yan and Y. Gao, Interfaces in organic semiconductor devices, Thin Solid Films
417, 101 (2002).

64
[49] D. Cahen and A. Kahn, Electron Energetics at Surfaces and Interfaces: Concepts
and Experiments, Adv. Mater. 15, 271 (2003).
[50] S.C. Veenstra and H.T. Jonkman, Energy-Level Alignment at Metal-Organic and
Organic-Organic Interfaces, J. Polym. Sci Polym. Phys. 41, 2549 (2003).
Capitolul III
[1] I. Dima, I. Licea, Fenomene fotoelectrice n semiconductori i aplicaii, Ed.
Academiei, 1980
[2] I. Munteanu, Fizica solidului, Ed. CREDIS Universitatea din Bucureti, 2002
[3] G. Yu, C. Zhang, and A.J. Heeger, Dual-function semiconducting polymer devices:
Light-emitting and photodetecting diodes, Appl. Phys. Lett. 64, 1540 (1994).
[4] C. Winder and N.S. Sariciftci, Low Bandgap Polymers for Photon Harvesting in Bulk
Heterojunction Solar Cells, J. Mater. Chem., in press (2004).
[10] Gutmann and L. E. Lyons; Organic Semiconductors, Willey Interscience (New York),
(1967)
[11] S. Antohe, Materiale i dispozitive electronice organice, Ed. Universitii din
Bucureti, 1996
[28] D.L. Morel, A.K. Gosh, T. Feng, E.L. Stogryn, P.E. Purwin, R.F. Shaw, and C.
Fishman, High-efficiency organic solar cells, Appl. Phys. Lett. 32, 495 (1978).
[42] T. Osa and M. Fujihira, Photocell using covalently-bound dyes on semiconductor
surfaces, Nature 264, 349 (1976).
[43] M. Fujihira, N. Ohishi, and T. Osa, Photocell using covalently-bound dyes on
semiconductor surfaces, Nature 268, 226 (1977).
[47] N.S. Sariciftci, D. Braun, C. Zhang, V.I. Srdanov, A.J. Heeger, G. Stucky, and F.
Wudl, Semiconducting polymer-buckminsterfullerene heterojunctions: Diodes,
photodiodes, and photovoltaic cells, Appl. Phys. Lett. 62, 585 (1993).
[48] I.D. Parker, Carrier tunneling and device characteristics in polymer light-emitting
diodes, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994).
[49] S.M. Sze, Physics of semiconductor devices (J. Wiley & Sons, New York, 1981).
[52] Chamberlain G. A., and P.J. Koney, Chem.Phys. Tett., 66, 68, (1979) ;
[65] P. Peumans, A. Yakimov, and S.R. Forrest, /. Appl. Phy., 93(7), 3693-3723, 2003.
[66] C.W. Tang, Appl. Phys. Lett, 48, 183-185, 1986.
[89] J. Xue, S. Uchida, B. Rand, and S.R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 86, 5757-5759, 2004.
[90] G. Li, V. Shrotriya, J. Huang, Y. Yao, T. Moriarty, K. Emery, and Y. Yang, Nature Materials,
4, 864-868,2005.
[91] Sun, Sol. Ener. Mater. Sol. Cel., 79(2), 257, 2003.
[92] E. Arici, N.S. Sariciftci, and D. Meissner, Hybrid Solar Cells Based on Nanoperticles
of CuInS2 in Organic Matrices, Adv. Funct. Mater. 13, 1 (2003)
[93] T. Kietzke, D. Neher, K. Landfester, R. Montenegro, R. Gntner, and U. Scherf, Novel
approaches to polymer blends based on polymer nanoparticles, Nature Mater. 2, 408 (2003).
Capitolul IV
[1] King, F, R. (2005). Strategia cercetrii. Iai: Editura Polirom.
[2] Muster, D. (1985). Metodologia cercetrii n educaie i nvmnt. Bucureti: Editura
Litera.
[3] MEdC Ordin cu privire la aprobarea planurilor-cadru de nvatamnt pentru ciclul
superior al liceului, 2006

65
[24] M.Ed.C. Reforma nvmntului obligatoriu din Romnia. Document de lucru.
Bucureti, 2003.
[5] MEN. Consiliul naional pentru curriculum. Curriculum Naional pentru nvmntul
obligatoriu. Cadru de referin. Bucureti: Editura Corint, 1998.
[7] Holsinger, D.B., Cowell, R.N. Positioning secondary school education in developing
countries. International Institute for Education Planning/UNESCO, 2000.
[8] The European Union by International Energy Agency (IEA) - IEA Energy Policies
Review, 2008
[9] * Detailed Work Programme on the follow-up of the objectives of education and
training systems in Europe. Council of the European Union, Brussels, 20 February 2002;
COM (2001) 501 final.
[12] Vlsceanu, L. (2005). Asigurarea calitii n educaie. Noi politici n domeniul
nvmntului superior i cercetrii tiinifice din Romnia. Bucureti: UNESCO-CEPES
i Fundaia Elias a Academiei Romne
[13] Eds.: Mary D. Archer and Robert Hill, Clean electricity from Photovoltaics, Imperial
College Press, 2001, ISBN 1-86094-161-3.
[14] E. Lorenzo, G. L. Arajo, P. Davies, A. Cuevas, M. Egido, J. Minano, R. Zilles, Solar
electricity: engineering of photovoltaic systems, Progensa, 1994
[16] Dima, I., I. Licea, High Schools, "Photoelectric phenomena in semiconductors and
applications", Academy Publishing House, 1980
[17] I Spnulescu, "Solar Cells", Scientific and Encyclopedic Publishing House, Bucharest,
1983
[18] K. Zweibel, Harnessing Solar Power: The photovoltaics Challenge, Plenum Press,
New York, 1990, 235-253
[23] S.Antohe et al.J.Phys.Ill.France 6(1996) 1133-1144
[24] S.Antohe et al.Phys Stat Sol (a) 153,581 (1996)
[25] S. Antohe, Organic materials and electronic devices, "University Publishing House,
Bucharest, 1996
[26] S.Antohe, ,,Phys.Stat.Sol. (a) 128,253, (1991)
[33] Schmidt-Mende, L.; Fechtenktter, A.; Mllen, K., Moons, E.; Friend, R.H.,
MacKenzie, J.D. Science 2001, 293, 1119.
[63] Larisa Mgheruan, Polona Skraba, Cristina Beleag,

Sorina Iftimie, Nicoleta Dina,
Mirela Bulgariu, Carmen Gabriela Bostan, C. Tazlaoanu, A. Radu, L. Ion, M. Radu, A.
Tanase, G. Bratina, S. Antohe, Electrical and Photoelectrical Properties of Organic
Photovoltaic Cells Based on Polymer Blends ITO/PEDOT/P3HT: PCBM (1:1), Journal of
Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 12 , No. 2, February 18, 2010, p. 212-218
[64] C. Florica, I. Arghir, L. Ion, I. Enculescu, V. A. Antohe, A. Radu, M. Radu, G.
Chiulescu, N. Dina, S. Antohe "Production and charactderization of CdTe wire arrays for
hybrid inorganic/organic photovoltaic cells" Digest Journal of Nanomaterials and
Biostructures, Vol.6, No 1, January-March, 2011, p. 21-27
[65] Carmen Gabriela Bostan, Nicoleta Dina, Mirela Bulgariu, Simona. Craciun, M.
Dafinei, C. Chiu, Ionelia Staicu, S. Antohe, Teaching/Learning Photovoltaic Effect in High
School, Romanian Reports in Physics, Vol.63, No.2 , p. 543-546, 2011
[66] L. Ion, I. Enculescu, V. A. Antohe, A. Radu, M. Radu, G. Chiulescu, Nicoleta Dina,
S. Antohe, Electrical and Photoelectrical Properties of Heterojunction Based on CdTe
Nanowire Array and Organic Dyes Films, 2
nd
International Symposium on Flexible Organic

66
Electronics, 8-10 July 2009, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece, Book of
Abstracts, pg.110
[67] M. Radu, Oana Ghenescu, M. Ghenescu, C. Lungu, V. Soare, M. Burada, T. Mitran,
Nicoleta Dina, L. Ion, S. Antohe, CIS Films Deposited on Flexible Substrates for
Photovoltaic Applications, 2
nd
International Symposium on Flexible Organic Electronics, 8-
10 July 2009, Porto Carras Grand Resort, Halkidiki, Greece, Book of Abstracts, pg.131
[68] Cristina Beleag, I. Arghir, T. Mitran, C. Tazlaoanu, Nicoleta Dina, V. Covlea, A.
Nemne, L. Ion, S. Antohe, Preparation and |Characterization of Hybrid Photovoltaic
Structurs Based on nanostructured ZnO/CuPc, Sixth International Edition of Romanian
Conference on Advanced Materials: ROCAM 2009, August 25-28th, 2009, Brasov,
Romania- oral 15 min, Abstract Book pg. 81
[69] Sorina Iftimie, L. Ion, C. Tazlaoanu, Veta Ghenescu, Cristina Beleag, T. L. Mitran,
M. Gugiu, Nicoleta Dina, Oana Porumb, S. Antohe, Defects Generation in CdS/CdTe
Heterojunction Photovoltaic Cells by High Energy Protons Irradiation, 11
th
International
Balkan Workshop on Applied Physics, July 7-9 2010, Constanta Romania, Book of
Abstract, S5 P51, pg. 149, Poster session
[70] Nicoleta Dina, Mirela Bulgariu, Carmen Gabriela Bostan, Simona Crciun, M.
Dafinei, C. Chiu, S. Antohe Teaching/Learning Photovoltaic Effect in High School,
University of Bucharest, Faculty of Physics, 2010 Annual Scientific Conference, Friday,
June 18, 2010, oral presentation, Program and Abstracts, pg. 140
[71] Nicoleta Dina, Rzvan. Dina, Valorificarea tehnologiilor fotovoltaice pentru creterea
potenialului energetic al Romaniei, Conferinta Nationala privind Marketingul
ntreprinderilor romneti n procesul integrrii europene, Academia de Studii Economice
Bucuresti 29-30 mai 2009, ISBN 978-606-505-272-7
[72] Sorina Iftimie, C. Tazlaoanu, M. Radu, Veta Ghenescu, Cristina Beleag, T.L. Mitran,
M. Gugiu, Nicoleta Dina, Oana Porumb, S. Antohe , Defects generation in CdS/CdTe
heterohunction Photovoltaic Cells by High-Energy Proton Irradiation, University of
Bucharest, Faculty of Physics, 2010 Annual Scientific Conference, Friday, June 18, 2010,
oral presentation, Program and Abstracts, pg. 221
[73] C. Chiu, Nicoleta Dina, Simona Crciun, Mirela Bulgariu, G. Chiulescu, A. Tnase,
Physical parameters measurements in the Real Oscillator, 2010 Annual Scientific
Conferance, University of Bucharest, Faculty of Physics, June 18, 2010, Bucharest,
Romania, Abstract Book pg. 138
[74] Doru Alexandru Pleea, Bogdan Onete, Irina Maiorescu, Nicoleta Dina, A multimedia
solution for distance learning of practical skills in commodity science, The 7th International
Scientific Conference eLSE eLearning and Software for Education, Bucharest, April 28-
29, 2011, ISSN-2066-026X
[75] Nicoleta Dina, Simona Crciun, Mirela Bulgariu, S. Antohe, Teaching of Alternative
Energy Sources in Romanian School, University of Bucharest, Faculty of Physics, 2011
Annual Scientific Conference, Friday, June 17, 2011, oral presentation, Program and
Abstracts, pg. 74, accepted for publication in Romanian Reports in Physics, vol.64, 2012
[76] C. F. Florica, I Tnase, S. Iftimie, C. Beleag, A. Radu, N. Dina, M. Dafinei, O.
Brncoveanu, L. Ion, S. Antohe, Properties of monomeric dyes thin films deposited on
flexible substrate for photovoltaic applications, University of Bucharest, Faculty of Physics,
2011 Annual Scientific Conference, Friday, June 17, 2011, oral presentation, Program and
Abstracts, pg. 150