UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" DIN BUCURETI DEPARTAMENTUL DE FIZIC

LABORATORUL DE FIZIC ATOMIC SI FIZICA CORPULUI SOLID

BN - 031 B

TERMISTORUL

TERMISTORUL
1. Scopul lucrrii
a. Verificarea legii dependenei rezistenei electrice cu temperatura la materialele semiconductoare. b. Determinarea lrgimii benzii interzise E.

2. Teoria lucrrii
Structura corect a diagramei energetice a unui corp solid depinde de natura atomilor i de distana dintre atomi. Largimea benzilor de energie permis i interzis constituie proprieti caracteristice pentru fiecare tip de cristal n parte. Electronii corpului solid vor ocupa la temperatura de 0K nivelele energetice cele mai coborate. Prin completarea benzilor de energie cu electroni pot ocupa parial sau complet o ultima band energetic. Semiconductorii sunt materiale care posed o band de valen, complet ocupat, separat de banda de conducie, complet libar, printr-o band de energie interzis E. O astfel de structur a benzilor energetice se ntlnete att la semiconductori ct i la izolatori; deosebirea const n faptul c pentru izolatori E = 4 11eV , n timp ce la semiconductori intervalul energetic este mult mai mic. Semiconductorii pot proveni dintr-un singur element chimic (Si, Ge, Se Te), sau sunt compui formai din elemente ale coloanei a III-a i a V-a a sistemului periodic (AIIIBV) sau formai din elemente ale coloanei a II-a i a VI-a a sistemului periodic (AIIBVI). La 0K se spune c sunt ocupate toate strile cu energie minim i deci umplnd strile cu electroni se va ajunge la o ultim stare ocupat, adic la un ultim nivel energetic ocupat cu electroni numit nivel Fermi. Pentru materiale semiconductoare intrinseci sau slab dopate, la temperaturi pn la cteva sute de grade Celsius, energia Fermi se afl n banda interzis. Sub aciunea temperaturii, datorit energiei termice pe care o primesc unii electroni pot trece din ultima band ocupat, banda de valen n banda de conducie. Atunci n semicondictor vor exista concentraii egale de electroni i goluri: n = p = ni . Concentraia electronilor egal cu a golurilor poart numele de concentraie intrinsec i este notat cu ni. Concentraia intrinsec la un semiconductor poate fi calculat dac se cunoate distribuia electronilor de conducie cu energia. Din teoria benzilor de energie n materialele semiconductoare rezult expresiile celor dou concentraii de sarcini electrice:

n = 2 (2me kT )3 / 2 h 3 exp[ (Ec E F ) / kT ]

(1) (2)

p = 2 2 mg kT

) 3/ 2 h 3 exp[ ( E F E v ) / kT ]

unde: - me este masa efectiv a electronilor; - mg este masa efectiv a golurilor; - k este constanta Boltzman; - T este temperatura semiconductorului; - h este constanta Planck; - E c este energia corespunztoare minimului benzii de conducie; - E v este energia corespunztoare plafonului benzii de valen,
1

- E F este energia nivelului Fermi aflat, n cazul semiconductorilor intrinseci, la jumtatea "distanei" dintre E c i E v . Rezistivitatea este: 1 E (3) = = const. exp e(n n + p p ) 2 KT
unde:n i p sunt mobilitile. Rezistena unei probe semiconductoare va fi: R = C exp( + E / 2kT ) (4)

Fig. 1

unde E = E c E v i poart numele de lrgimea benzii (zonei) interzise i dependena ei de temperatur e reprezentat n fig. 1. Logaritmnd expresia (4) se obine: E ln R = C + (5) 2kT

3. Dispozitivul experimental
Termistorul este un element semiconductor de circuit care utilizeaz dependena rezistenei electrice a unui semiconductor intrinsec de temperatura. Dispozitivul este realizat din materiale semiconductoare la care rezistivitatea scade repede cu temperatura, precum amestecuri de oxizi metalici ( oxid de mangan, oxid de cupru, oxid de zinc, etc ) care sunt mcinai i apoi presai mpreun cu un liant organic, iar apoi sinterizai. Dispozitivul experimental este prezentat n figura 2 i cuprinde un cuptor electric (1) pentru nclzirea termistorului, un ohmmetru (2), care servete la msurarea rezistenei termistorului i un transformator (3) pentru alimentarea ohmetrului. Cuptorul are inerie termic mare astfel nct, dei nu este alimentat printr-un reostat ci direct de la reea, creterea temperaturii este foarte lent. Acest fapt nltur necesitatea unui termostat, permindu-ne s presupunem c fiecare msurare de rezisten se face ntr-un regim staionar. Pe capacul cuptorului sunt fixate termometrul (4) pentru indicarea temperaturii i termistorul (5) cu cele 2 borne care sunt legate prin conductori izolai la ohmetru.

Fig. 2

Ohmetrul este construit dup schema punii Wheastone. El cuprinde un galvanometru (6) ca instrument de zero, un comutator (7) (rotativ sau cu fi) care schimb intervalele de valori indicnd de fiecare dat factorul multiplicator, i o rezisten variabil (8) cu cursor gradat i prevzut cu indicator. Un ntreruptor (9) intercalat n circuitul acumulatorului permite ca alimentarea ohmetrului s se fac doar n timpul citirilor. La unele ohmetre ntreruptorul intr n construcia lor sub forma unui buton .

4. Modul de lucru
- Se verific legturile de la termistor la ohmetru i la transformator. - Sub ndrumarea cadrului didactic se face prima msurare a rezistenei termistorului. - Cursorul rezistenei variabile se pune pe poziia minim iar comutatorul factorului multiplicator pe poziia maxim. Se apas scurt pe buton (ntreruptor) i se observ sensul deviaiei acului galvanometrului. Se trece la factorul multiplicator inferior observnd din nou sensul deviaiei acului. Operaiunea se repet pn cnd sensul deviaiei acului se schimb. Din acest moment se apas permanent pe buton i rotind cursorul, se aduce acul galvanometrului la zero, dup care se ridic degetul de pe buton. Rezistena termistorului este egal cu valoarea indicat la cursor nmulit cu factorul multiplicator. n acest moment se citete i temperatura. - Valorile se trec ntr-un tabel de forma: t [oC] R [] T [K] 1/T [K-1] ln R

Se pornete nclzirea cuptorului punndu-l la priza de 380 V curent alternativ. Pe msur ce temperatura crete se fac noi msurtori ale rezistenei, nemaifiind necesare ncercrile cu diferii factori multiplicatori. Temperatura se citete imediat dup aducerea acului la zero. Intervalul de temperatur dintre dou citiri se alege astfel nct de la temperatura iniial (care eventual este mai mare dect temperatura camerei) i pn la temperatura final (care nu trebuie s depeasc 100oC) s se fac un numr de aproximativ 10 citiri. Este preferabil ca intervalele de temperatur dintre citirile succesive s fie egale, ns rezultatele experienei nu vor fi viciate dac din neatenie a fost depit vreuna dintre temperaturile propuse. Important este ca citirea temperaturii s se fac practic concomitent cu determinarea rezistenei. La terminarea msurtorilor se scoate cuptorul din priz.

5. Prelucrarea rezultatelor experimentale

Folosind datele din tabel se traseaz un grafic R = f (t ) .

1 Pentru calcularea lrgimii benzii interzise se reprezint grafic ln R = f . Printre T punctele experimentale se traseaz dreapta de interpolare. Se deduce panta m a acestei E drepte. Conform relaiei (5) m . 2k -5 Se va calcula E exprimat n electroni voli. (k = 8,6.10 eV / K)

6. ntrebri
1. Ce este un termistor? 2. De ce un termistor este mult mai sensibil la variaia temperaturii dect un metal? 3. Care este starea de umplere a nivelelor din banda de conducie, respectiv valen, la un semiconductor la T = 0 K i T 0 K? 4. Cum variaz rezistenta termistorului cu temperatura?
3

ANEX
Conform distributiei Fermi-Dirac, probabilitatea ca o stare electronic de energie W s fie ocupat de un electron la echilibru termic este dat de expresia: 1 fF D = (A1)
E EF e KT + 1

Se observ c o stare avnd energia nivelului Fermi are o probabilitate de ocupare egal cu 1/2, indiferent de valoarea temperaturii. Pentru energii care depasesc nivelul Fermi functia fF-D poate fi aproximat cu o exponenial:

1
E EF e KT + 1

E EF e KT ;

pentru

E EF >>1 KT

(A2)

Intrucat nivelele energetice ale electronilor se gsesc la distante relativ mari de nivelul Fermi, satisfac cu sigurant relatia (A2). Din teoria benzilor de energie n materialele semiconductoare rezult expresiile celor dou concentraii de sarcini electrice:
n = 2 ( 2 me kT )

[ ] p = 2 ( 2 mg kT ) h 3 exp[ ( E F E v ) / kT ]
3/ 2

h 3 exp ( E c E F ) / kT

(A3) (A4)

3/ 2

unde: me este masa efectiv a electronilor; mg este masa efectiv a golurilor; k este constanta Boltzman; T este temperatura semiconductorului; h este constanta Planck; E c este energia corespunztoare minimului benzii de conducie; E v este energia corespunztoare plafonului benzii de valen, E F este energia nivelului Fermi aflat, n cazul semiconductorilor intrinseci, la jumtatea "distanei" dintre E c i E v . Din expresiilor (1) i (2) rezult: n p = AT 3 / 2 exp[ (Ec Ev ) / kT ] innd seama c: n = p = ni se deduce concentraia purttorilor n semiconductorii intrinseci ni : (A5) (A6)

(A7) ni = BT 3 / 2 exp[ (Ec Ev ) / 2kT ] Marimea E = Ec - Ev reprezinta mrimea benzii interzise. Conducia purttorilor de sarcin mobili este cu att mai mare cu ct banda interzis este mai ingust. Termenul exponential este decisiv deoarece creste mult mai repede cu temperatura decat termenul T3/2. Conductibilitatea electrica a unui semiconductor este: =e(n n + p p ) (A8) Mobilitile n si p fiind practic independente de temperatur rezult rezistivitatea: 1 E = = const. exp (A9) 2 KT Deci variaia rezistenei unui semiconductor cu temperatura va fi dat de relaia E R = const. exp (A10) 2 KT