PROCEDEUL LIGA

Pentru obtinerea microstructurilor metalice si din polimeri, dezvoltate n spatiu, pe 2 1/2 axe si pe 3 axe, cu raport mare ntre naltimea si dimensiunea lor n plan, a fost facut cunoscut, n anul 1980, procedeul LIGA. Cel care a comunicat aparitia acestui nou procedeu de lucru a fost Wolfgang Ehrfeld, de la Centrul de Cercetari Nucleare din Karlsruhe. Prima realizare a fost o minicentrifuga pentru separarea izotopilor de uraniu, din nichel, a carei dimensiune minima n plan era de 5 m si avea o naltime de 300 m. Numele procedeului este un acronim al denumirilor n limba germana ale metodelor de lucru pe care se bazeaza procedeul: Lithographie, Galvanoformung, Abformung (litografie, galvanoplastie, modelare/turnare). Procedeul si-a gasit numeroase aplicatii: zone Fresnel, elemente fluidice, lentile si prisme din PMMA, microcontacte din nichel, microbobine din cupru, cleme metalice si roti dintate din nichel formate pe un substrat separat si asamblate ulterior cu arborii, prisme hexagonale din nichel - adaosuri metalice pentru materiale compozite, duze pentru tragerea fibrelor din materiale plastice, microturbine din nichel sau cupru - cu fibra optica integrata pentru masurarea turatiei turbinei, micromotoare magnetice, micromotoare electrostatice, masti metalice pentru structurarea n plasma a suprafetelor asferice nanometrice.

1. Descrierea procedeului pentru structuri spatiale 2 1/2D si 3D

Procesul tehnologic schematic de obtinere a microstructurilor prin procedeul LIGA rezulta din fig.1. Spre deosebire de procesele de microstructurare superficiala a siliciului, pe care s-au bazat celelalte prelucrari micromecanice, la aplicarea procedeului LIGA, grosimea stratului de rezist corespunde cu naltimea dorita a microstructurii, deci va fi de cteva sute de micrometri; substratul se prefera a fi metalic, iar daca este un dielectric sau semiconductor - el va fi acoperit nainte cu un strat metalic subtire care sa-i confere proprietati conductive; rezistul utilizat este PMMA (denumirea comerciala: PLEXIGLAS); masca prin intermediul careia este configurat stratul de rezist este de o constructie speciala, astfel nct sa aiba calitati absorbante sau transparente pentru radiatia utilizata; radiatia X sincrotronica folosita, de lungime de unda 0,1...2 nm are calitatea de a fi foarte puternica - pentru a putea actiona pe ntreaga grosime foarte mare a rezistului, are o divergenta foarte mica apreciata la ~5 mrad (practic, radiatia este paralela) si aceasta permite obtinerea peretilor verticali de mare naltime (de altfel -litografia cu radiatie sincrotronica poarta si numele de "litografie adnca"). Zonele expuse radiatiei X vor deveni usor solubile n developant, deci PMMA lucreaza ca un rezist pozitiv.

Figura 1

Etapele de expunere si developare(fig.1 a) reprezinta faza de LITOGRAFIE. Utiliznd depunerea galvanica rezulta un profil negativ al formei obtinute din rezist; se poate depune cupru, nichel, aur sau orice alt metal; depunerea este selectiva si se face pe substratul conductiv neacoperit de configuratia din rezist. Daca grosimea stratului metalic depus este inferioara grosimii stratului de PMMA, dupa ndepartarea rezistului se obtine microstructura metalica unicat. Daca depunerea galvanica continua pna la acoperirea completa a modelului de PMMA, se obtine o forma cu goluri reprezentnd negativul modelului. Rigiditatea formei depinde de grosimea stratului metalic care acopera modelul. Aceasta este etapa de GALVANIZARE. In continuare, prin aplicarea unei placi de injectare prin reteaua careia se poate injecta material plastic, se pot obtine rapid si ieftin numeroase copii din polimeri; este faza de MODELARE/TURNARE/INJECTARE. Poate urma o a doua GALVANIZARE care va copia - n negativ - profilul structurilor din polimeri, fixate la placa de injectare. Placa metalica de turnare, acoperita n prealabil cu un strat de separare, va servi drept electrod, iar depunerea galvanica va reprezenta copia independenta metalica. Forma din polimeri poate constitui modelul pentru presarea pulberilor ceramice; se obtin astfel piese unicat a caror desprindere de pe model se va face prin distrugerea acestuia. Pentru obtinerea microstructurilor 3D exista mai multe variante (fig.1 b, c, d, e) care se deosebesc ntre ele prin etapa de expunere. Radiatia X poate fi nclinata cu unghiuri diferite fata de suprafata rezistului, poate fi rotita sau expunerea se poate face secvential -n fiecare secventa folosindu-se cte o masca cu configuratii diferite.

2. Masca pentru radiatie X sincrotronica

Masca pentru radiatie X sincrotronica are trei componente distincte: - un suport cu ct mai mare transparenta la radiatia X, de grosime ct mai mica si care sa poata fi obtinuta sub forma de membrana subtire; - pentru asigurarea contrastului e necesar un material absorbant care sa poata avea o grosime ct mai mare, fara ca precizia conturului configuratiei sa fie afectata; - o rama care sa asigure rigiditatea mecanica necesara pozitionarii, centrarii si schimbarii automate a mastii. Dintre materialele suport care ndeplinesc conditiile de mai sus se utilizeaza siliciul si titanul, dar pentru motive de stabilitate dimensionala se recomanda, de asemenea, beriliul si nitrura de bor. Grosimile de membrana care asigura transparenta de 90% a radiatiei sincrotronice cu lungimea de unda X=0,53 nm sunt urmatoarele: beriliu - 19 m, nitrura de bor - 6,7 m, siliciu - 0,55 m, titan - 0,45m. Ca material absorbant se recomanda aur, wolfram sau tantal. Capacitatea absorbanta este apreciata prin raportul ntre densitatea de putere a radiatiei rezultata la trecerea prin zona transparenta si prin zona opaca; acest raport trebuie sa depaseasca valoarea 1000 pentru ca masca sa fie considerata a avea contrast suficient. Grosimile uzuale sunt de ~ 17 m - pentru aur si ~ 18 m - pentru wolfram. Principalele etape ale tehnologiei de realizare a mastii pentru procedeul LIGA sunt: - obtinerea suportului - structura stratului de resist pentru masca intermediara - depunderea galvanica a structurii absorbante - copierea mastii intermediare pe masca de lucru Rama care sustine suportul structurii absorbante sau membrane transparenta la raze X, poate fi confectionata din INVAR (aliaj cu 18% Co, 28% Ni, 54% Fe) si este formata odata cu suportul, printr-o succesiune de operatii cunoscuta (prelucrarea mecanica a semifabricatului masiv din INVAR pana la obtinerea rugozitatii Ra=0.25 m, aplicarea stratului support, corodarea partiala a grosimii ramie pentru a mentine un perete de 1 mm cu rol de rigidizare, structura stratului de resist, depunerea galvanica selectiva a structurii absorbante, indepartarea rezistului, corodarea completa a peretului INVAR)

Fig.2 arata etapele de realizare a membranei suport din titan, prin transfer. Un strat de carbon de slaba aderenta la placheta de siliciu este depus selectiv prin procedeul CVD, astfel incat marginea plachetei sa ramana libera (a); prin pulverizare catodica se depune un strat de 2-3 m grosime, din titan materialul suportului mastii, avand o buna aderenta la marginea plachetei de siliciu (b); placheta este lipita cu un adeziv pe rama (c); printr-o usoara indoire a plachetei de siliciu se asigura desprinderea membranei (d); prin corodare uscata in plasma de oxigen se inlatura stratul intermediar de carbon (e).

Realizarea mastii intermediare este prezentata schematic in fig.3 . Pentru configurarea structurii absorbante se foloseste litografia cu fascicul de electroni. Fig. 3a : suportul este o placheta de siliciu corodata partial in zona viitoarei membrane pana la o grosime de 2 m. Marginea plachetei poate fi aplicata pe o placa de sticla, pentru a usura manipularea. Se depun straturi de aderenta si de amorsare a depunerii galvanice. Grosimea stratului de resist de baza nu depaseste grosimea uzuala la litografia optica sau la litografia electronica 1500 nm. Stratul metalic intermediar are rolul de a fi purtatorul profilului structurii de rezist de baza in care se va depune galvanic absorbantul radiatiei sincrotronice; acesta poate sa fie ,de exemplu nichel, si va fi depus autocatalytic. Pentru configurarea stratului de electronorezist PMMA se utilizeaza expunerea prin baleiere cu fascicul de electroni.

Se obtine fig. 3- o masca de PMMA care va

contribui la configurarea stratului metalic intermediar, prin corodare anizotropa in plasma reactiva CHF3.

Stratul intermediar metalic foloseste ca masca pentru structurarea stratului de rezist de baza, cu grosimea de 1500 m prin corodarea reactiva in plasma de oxigen; el va constitui forma de depunere galvanica a structurii absorbante. Fig. 3c : structura absorbanta din aur se depunde galvanic intr-o grosime de 1 m. Fig 3d : prin dizolvarea modelului de rezist se indeparteaza si stratul intermediar metalic , iar ceea ce se obtine este masca intermediara necesara litografiei cu raze X.

Masca de lucru are o structura asemanatoare mastii intermediare, cu deosebirea ca structura absorbanta are o inaltime mult mai mare (10- 20 m) Succesiunea principalelor etape (fig. 4) arata modul de transpunere a profilului mastii intermediare in stratul gros de PMMA prin radiatie sincrotronica. Membrana mastii de lucru poate fi obtinuta prin transfer procedeu descris mai sus. Structura stratului gros de PMMA se face printr-o succesiune de expuneri si developari repetate. Grosimea maxima ce poate fi structurata la o expunere este de 100 m. Pentru diminuarea factorului de imprecizie se utilizeaza opritoare atasate ramei mastii intermediare, care trebuie sa vina de fiecare data in contact cu opritoarele ramie mastii de lucru; precizia de

pozitionare obtinuta este sub 0.2 m, cu conditia ca temperature din spatiul de lucru sa fie riguros controlata. Aplicare unui strat uniform si de grosime mare pana la 1 mm de rezist se face prin turnarea si uniformizarea prin laminare a unui monomer urmata de polimerizarea acestuia la temperature inalta, sau la temperature camerei daca I se adauga un initiator de polimerizare; in urma polimerizarii MMA trece in PMMA. Pentru asigurarea aderentei stratului de PMMA la membrane suport de Ti, astfel incat modelul sa nu se desprinda de suport la mentinerea indelungata in baia de galvanizare, se recomanda crearea unor ancose mecanice la suprafata stratului de titan prin oxidarea umeda superficiala a acestuia, pe 30-40 m, prin cufundare intr-o solutie de hidroxid de sodiu si peroxid.

3. Microgalvanizarea
Celula de microgalvanizare (fig 5) trebuie sa asigure depunerea metalului in cele mai inguste adancituri; de aceea anodul va fi format din bile de nichel depolarizate introduse intr-un cos; catodul va fi rotit continuu, iar electrolitul continuu filtrat. Diagrama foloseste pentru uniformizarea densitatii de curent. Se mai pot depune, prin microgalvanizare: aur ( masti necesare procedeului LIGA), cupru (microbobine). Aliaje nichel-cobalt ,aliaje fier-nichel (micromotoare electromagnetice). Microstructura metalica astfel obtinuta poate fi utilizata ca atare sau poate constitui forma in care va fi injectat sau preset polimerul unor viitoare microstructuri dintr-un asemenea material. La realizarea formei de presare sau injectare cu rigiditate sporita se va proceda asa cum rezulta din fig 6. Pe o placa de baza, care ulterior va fi sacrificata, este realizata microstructura din rezist (PMMA) prin litografie adanca cu radiatie X sincrotronica.(fig 6a) Utilizand placa de baza drept electrod , se obtine negativul metalic din nichel al mictrostructurii din rezist (fig 6b). Depunerea continua pentru a forma o placa metalica groasa de 5 mm menita sa rigidizeze mictrostructurile metalice. Intre etapele b si c regimul de depunere va diferi prin densitatea de curent, care insa nu trebuie sa duca la inducerea unor tensiuni interne deoarece ar putea compromite legatura dintre microstructura metalica si placa de rigidizare.

corodarii si mecanica de titan de sub micsoreze abaterile de planeitate ale placii asigurat de Prelucrarea al stratuluifinala trebuie sa spire. Controlul procesului de corodare estede rigidizare masurarea (fig 6c). inductivitatii bobinei si intreruperea procesului la atingerea valorii proiectate. Daca asemenea microstructuri trebuie realizate pe suprafetele deja ar putea ale plachetei Rugozitatea si abaterile de planeitate ale partii posterioare a formeiprocesateafecta de siliciu si pentru a evita deteriorarea acestora , se poate pentru la la contactul cu placa de de dimensiunile si forma mictrostructurii din material plasticprocedaca, aplicarea unui procedeu otel curand facut cunoscut: realizarea structurilor metalice prin a masinii de injectare (fig 6c), forma se poate deforma. imprimare (fig 8b). Se aplica un strat de monomer care prin depuse de nichel intr-un polimer thermoplastic, Exista si posibilitatea netezirii suprafeteipolimerizare treceprin adaugarea in baia de de exemplu PMMA(fig 8b1). Dupa intarire se produs organic. Dezavantajul la temperatura depunere a unui agent de netezire care este un incalzeste toata placheta pana acestui process de inmuiere a faptul ca afentul de netezire este retinut forma pregatita prin litografie adanca, este provine dinpolimerului 160C pentru PMMA, cand la filtrarea electrolitului prin carbune active, imprimata pein electrolitului trebuie refacuta la o filtrarea prin carbune activ. deci compozitiapresare in stratul vascos, pana dupaoarecare distanta de stratul metalic. Se raceste Placa dupa care forma este indepartata (fig 8b2). Stratul isolator ramas microstructura pana la 80C,de baza este indepartata prin prelucrare mecanica, pentru a elibera este indepartat de rezist (fig 6d). Indepartarea placii sede oxigen. Dirijarea o sacrifice, dacaainaintea pe substrat de prin corodare in plasma reactiva (RIE) poate face si fara a perpendiculara ionilor procesului litografiere se aplica peaplaca de bazagrosimeacare sa reduca aderenta la suprafata sa si care va fi este importanta pentru nu modifica un strat structurii. Inaltimea formei trebuie astfel indepartat incat sad prin dizolvare corodareadupa tehnica straturilor de sacrificiu. Prelucrarea proiectata in faza fie compensate selectiva ei si in planul superior (fig8 b3). Stratul de fi necesara ulterior indepartarii catodul baza numai in selective care mecanica ar puteadescoperit de titan va reprezentaplacii de de galvanizare masura inpentru formarea micreostructuriiasigura rugozitatea siPMMA este indepartata prinformare. umeda rugozitatea sa initiala nu metalice. Forma de planitatea impusa placii de corodare Microstructura de rezist este indepartata bobinei este realizata prin uscata (fig plasma selective(fig 8b4). Izolarea electrica intre spireleprin dizolvare sau corodarecorodarea in6e). reactiva de argon sau corodare umeda. Legaturile electrice cu placheta de siliciu, in etapa de procesare a siliciului sunt asigurate prin deschiderea in stratul izolator de Si3N4 a zonelor de conectare , utilizand procesele fotolitografice (fig 8 b5).

4. Microinjectarea

Polimerii utilizati pentru obtinerea microstructurilor pot fi: - termorigizi (Poliuteran UP) - termoplastici (Policlorura de vinil PVC, Acrilonitril- butadienstiren ABS. Polimetilmetacrilat PMMA) Instalatiile de injectare sau presare folosite pentru etapa de formare a microstructurilor
din polimeri nu se deosebesc de cele clasice, ci numai de ciclul de lucru adaptat raportului foarte mare intre adancimea structurii h si dimensiunea sa minima transversala dm i n .

structurile micromecanice obtinute prin procedeul LIGA acest raport este cu doua ordine de marime mai mare h/d=50. De aceea, temperature formei este mai mare decat la procesele obisnuite de injectare si mentinuta tot timpul formarii la o valoare cu 70C inferioara temperaturii de topire a polimerului. Aceasta face ca timpul de umplere a formei sa creasca, iar viteza de injectare sa scada. Ciclul de lucru al masinii de injectat cu melc evolueaza dupa schema reprezentata in fig 7. Reducerea vitezei de deplasare a melcului in intervalul tn1 si t n2 fata de momentul initial, ca si variatia de presiune in aceleasi intervale, asigura umplerea completa a formelor celor mai complicate si cu raport mare h/d.

Daca la discurile compacte (unde h=0.1 m iar dm i n =0.6 m) raportul h/d=0.16 la

5. Aplicatii ale procedeului LIGA

- Microbobine

Microbobinele (fig 8) sunt din cupru. Pentru a preveni scurtcircuitarea, infasurarea trebuie realizata pe un substrat isolator(placa ceramica sau placheta de siliciu) pe care mai este aplicat un strat isolator (Si3 N4 de exemplu) si apoi un strat metalic (de obicei titan). Dupa etapele de litografie adanca cu radiatie X sincrotronica si galvanizare urmata de dizorvarea formei de PMMA, este indepartat stratul de titan dintre spirele bobinei prin corodare uscata sau chiar umeda; la corodarea umeda timpul de corodare trebuie controlat pentru a se evita pericolul