Diode

Problema 1.
O diod din Ge are curentul invers de saturaie de IS0 = 1 A. Dioda din Si are IS0 = 10
-8
A. Temperatura T=293 K. Curentul direct prin
aceste diode este I = 100 mA. S se determine tensiunile pe diode.
Rezolvare:
Curentul diodei se determin dup formula:
I I e
S
qU
KT
=
|
\

|
.
|
0
1 ;
de unde:
I
I
e
S
qU
KT
0
1 = ;

ln ; ln ;
I
I
qU
KT
U
KT
q
I
I
S S 0 0
1 1 +
|
\

|
.
| = = +
|
\

|
.
|

. 407 1
10
10 100
ln
10 6 , 1
10 38 , 1 293
: Pentru
. 288 1
10
10 100
ln
10 6 , 1
10 38 , 1 293
: Pentru
9
3
19
23
6
3
19
23
mV U Si
mV U Ge
=
|
|
.
|

\
|
+

=
=
|
|
.
|

\
|
+

Problema 2.
Dioda pe baz de Ge are IS0 = 25 A, funcioneaz la tensiunea direct U = 0,1 V, i la temperatura de T = 300 K. S se determine
rezistena total R0 i rezistena diferenial rdif a diodei.
Rezolvare:
Gsim curentul diodei la tensiune direct U = 0,1 V dup formula:
( )
( ) ; 1,17 1 e 10 25 1
300 10 38 , 1 1 , 0 10 1,6 6 -
0
23 19 -
mA e I I
KT
U q
S
= =
|
|
.
|

\
|
=


Atunci rezistena diodei pentru curentul continuu (punctul de lucru):
R
U
I
= =

0 1
10
3
,
.
1,17
85 O

Calculm rezistena diferenial, folosind formula:
= = =
kT
qU
S dif
dif
e
I q
kT
dU
dI
g
r
1 1
1
1
0
.
Lund n consideraie faptul c I>>IS0, putem scrie aproximativ:
O = = 22
1
I q
KT
r
dif
.











Problema 3.
Pentru dioda din Ge temperatura se schimb de la t1 = 20 pn la t2 = 80
0
C, iar pentru dioda din Si - de la 20 pn la 150
0
C. S se determine
raporturile curenilor de saturaie pentru fiecare diod la aceste temperaturi IS02/IS01. De considerat sarcina electronului q =1,60210
-19
Coulomb,
constanta Boltzmann k = 1,3810
-23
G/grad. Coeficienii care caracterizeaz jonciunea:
pentru Ge: m=2; n=1; UG0=0,785 V. pentru Si: m=1,5; n=2; UG0=1,21 V.
Rezolvare:
Curentul de saturaie este descris de formula
;
0
0
T
G
n
U
m
S
e T k I

=

unde:
U
E
q
G
g
0
= ;
Eg - limea zonei interzise n electronvoli.
q
kT
T
= - potenialul termic
La t = 20
o
C T=0,0252 V, iar la t =80
o
C T=0,0365 V

Pentru Ge:
; 285
293
353
293
1
353
1
10 38 , 1
10 6 , 1 785 , 0 2
2
1
2
1 1
01
02
23
19
1 2
0
= |
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

e
T
T
e
I
I
T T k n
q U
G

Pentru Si:
; 2719,8
293
423
293
1
423
1
10 38 , 1 2
10 6 , 1 21 , 1
5 , 1
5 , 1
1
2
1 1
01
02
23
19
1 2
0
=
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

e
T
T
e
I
I
T T k n
q U
G



Problema 4.
n schema din fig. 2.22 dioda are curentul de saturaie IS0=10 A, s se
determine tensiunea de ieire U0.

Rezolvare:
Deoarece dioda este polarizat direct, rezistena diodei din Si va fi
mic i curentul n schem se va determin de rezistena RL=20 kO. Prin urmare
curentul prin diod:
I
U
R
mA = =

=
40
20 10
2
3
;
conform legii Ebers-Moll
|
|
.
|

\
|
= 1
0
0
T
U
S
e I I

.
q
kT
T
=
- potenialul termic. La t = 20
o
C T=0,0252 V
De unde
U
I
I
V
T
S
0
0
1 014 = +
|
\

|
.
| = ln , ;








U
0

40 V
20 kO
R
L

Fig. 2.22. La problema 4
Problema 5.
Pentru schema din fig. 2.23 s se determine componenta
alternativ a tensiunii de ieire u0 dac ea funcioneaz la temperatura
de camer.
Rezolvare:
Componenta alternativ a tensiunii de ieire va fi egal cu
componenta alternativ a tensiunii pe diod. Poziia punctului de lucru
se determin de componenta constant a curentului diodei:
I
U
R
mA = =

=
20
10 10
2
3
;

; ;
0
dif
dif
dif
dif
r r
r u
r i u
r R
u
i
+

= =
+
=

( ) . 13 10 2 026 , 0
1
3
O = = =
A
A
=

I q
KT
I
U
R
dif

De aceea:
; 9 , 3
10 10 13
13 3
3
0
V m
r R
r u
U
dif
dif
=
+

=
+

=

Problema 6.
Trebuie de redresat tensiunea cu valoarea efectiv de 700 V, folosind numai diode de tipul 226.

Rezolvare:
Determinm valoarea amplitudinii tensiunii sinusoidale: U U V
m
= = ~ 2 2 700 1000 . Aceast tensiune n schema
simplificat de redresare va fi invers. Deoarece tensiunea invers a diodelor de acest tip la temperaturi maximale de lucru este 300 V, atunci
pentru redresare este necesar s utilizm conectarea n serie a diodelor. Dar din cauza c rezistenele inverse pot fi diferite pentru fiecare diod (la
unul i acelai tip de diode pot s difere de cteva ori), este necesar de untat diodele cu rezistene.

Numrul necesar de diode se determin dup formula:
( )
n U k U
m H inv
=
.max
,
unde kH - coeficientul de ncrcare dup curent (are valori de la 0,5
pn la 0,8). Fie KH=0,7, atunci:
( )
n = = 1000 0 7 300 4 76 , , .
Fie n = 5.
Valorile rezistenelor de untatre se calculeaz dup formula:
( )
( )
O =


=

s

k
I n
U U n
R
inv
m inv
333
10 300 1 5
1000 1 , 1 300 5
1
1 , 1
6
max
max

Avem RH=300 kO. Schema redresorului este reprezentat n fig.
2.24.









C
U
0

3 V
10 kO
R
H

20 V
Fig. 2.23. La problema 5
D
VD1
R
H

VD2
VD5
R

Fig. 2.24. La problema 6
Problema 7.
Avem diode de tipul 226 cu un curent mai mic de ct ne trebuie. I = 400 mA. Diodele pot redresa Imax = 200 mA. De alctuit i
calculat schema redresorului.

Rezolvare:
Deoarece curentul necesar redresat ntrece valoarea maximal a curentului a unei diode (la temperaturi maximale de lucru Iredrmax =
200 mA), este necesar ca cteva diode de unit n paralel. Lund n consideraie faptul c rezistenele directe ale diodelor sunt diferite pentru
fiecare diod, pentru redresarea curenilor, ce trec prin diode, este necesar de conectat n serie cu diodele rezistene.
Numrul necesar de diode se determin dup formula:
( )
n I k I
m H redr
=
max
, unde kT - coeficientul de ncrcare dup tensiune (are valori de la 0,5 pn la 0,8). Fie
KH=0,8, atunci:
( )
n = = 400 0 8 200 2 5 , , .
Fie n = 3.
Valorile rezistenelor se calcul dup formula:


( )
( )
O =


=

>

35 , 4
10 400 1 , 1 10 300 3
1 3 1
1 , 1
1
3 3
max m redr
med dir
I I n
n U
R
Avem R=5 O. Schema redresorului este reprezentat n fig. 2.25.

Problema 8.
Dioda funcioneaz n schema simpl de redresare cu rezistena R=10 kO (fig.
2.15). Dioda are Rdir = 40 O, Rinv = 400 kO i C = 80 pF. Datorit influenei capacitii
parazitare tensiunea redresat va scdea n dependen de frecven. De gsit frecvena, la
care curentul redresat se va micora de 2 ori.
Rezolvare:
Lund n consideraie c R>>Rdir i R<<Rinv, se poate socoti c:
la frecvene mici:
( ) R
U
R R
U
I
dir
dir
max max
max
~
+
~

i
( )
ind ind
inv
R
U
R R
U
I
max max
max
~
+
~
< Idir;
la frecvene mari:
R
U
I
dir
max
~ i
ind
inv
Z
U
I
max
~ .
La micorarea curentului de redresare I de 2 ori are loc
dir inv
I I 5 , 0 = ; prin urmare, R Z
inv
2 = . Se poate considera c
2 2
C inv
X R Z + =
, deoarece XC<<Rinv.
O = = = = =
4 2 2 2 2
10 73 , 1 73 , 1 3 4 R R R R R Z X
C
.
Din ( ) C X f
C
t 2 1 = ,

kHz Hz
C X
f
C
115 10 115
10 73 , 1 80 28 , 6
10
2
1
3
4
12
= =

= =
t
Tranzitor
VD3
R
VD1
R
VD2
R
Fig. 2.25. La problema 7
VD1
R
H

C
Fig. 2.26. La problema 7
Problema 9.
n schema din fig. 2.27 RE=5 kO, RL=10 kO, EE=10 V, EC=30 V.
De calculat tensiunea colector-baz UCB.

Rezolvare:
Dac temperatura, la care lucreaz tranzistorul nu este mare,
atunci se poate considera ICB0~0. Coeficientul de transmisie a curentului
emitorului o l considerm egal cu unitatea. Neglijnd potenialul la
jonciunea colectorului poate fi scris:
( ) mA R E I
E E E
2 10 5 10
3
= = = ,
iar curentul colectorului mA I I I
E E C
2 = ~ ~ o .
Prin urmare: . 10 10 2 30 V R I E U
L C C CB
= = =

Problema 10.
n schema din fig. 2.28 EE=2 V, RE=2 kO, RB=15 kO, EB=3 V,
RL=4 kO, EC=16 V. Tranzistorul are parametrii: o=0,98; ICB0= 10 A. De
calculat curentul colectorului.

Rezolvare:
Utiliznd legea II a lui Kirchoff pentru circuitul de intrare
(emitor - baz) i neglijnd tensiunea UBE la jonciunea emitorului, putem
scrie:
.
B B E E B E
R I R I E E + = +
Curentul bazei:
( ) ; 1
0 KB E B
I I I = o
prin urmare,
( ) | | , 1
0 B CB E E E B E
R I I R I E E + = + o
de unde:
( ) ( )
mA
R R
R I E E
I
B E
B CB B E
E
4 , 2
98 , 0 1 15 2
15 01 , 0 3 2
1
0
=
+
+ +
=
+
+ +
=
o
.
Gsim curentul colectorului:
mA I I I
CB E C
36 , 2 10 10 10 4 , 2 98 , 0
6 23
0
~ + = + =

o

Problema 11.
Un tranzistor folosit n schema din fig. 2.29. are parametrii: EC=28 V, RB=15
kO, RE=1 kO, RL=2 kO. De calculat la care tensiune de intrare minimal, tranzistorul va
lucra n regim de saturaie. Se consider c la hotarul regimului de saturaie |=9.
Rezolvare:
n regimul de saturaie tensiunea UCE~0. Tensiunea de intrare:
.
B B E E in
R I R I U =
Tensiunea sursei de alimentare a colectorului:
L C E E C
R I R I E = .
Curentul emitorului ( ) 1 + ~ |
B E
I I .
Curentul colectorului
B C
I I | ~ .
Prin urmare, tensiunea de intrare
( ) | | ( ) | |
B E B B B E B in
R R I R I R I U + + = + + = 1 1 | |
.
Dac tensiunea sursei de alimentare
( ) ( ) | |
L E B L B E B C
R R I R I R I E | | | | + + = + + = 1 1
,
atunci curentul bazei
( )
( )
mA
R R
E
I
L E
C
B
1
10 2 9 1 9 10
28
1
3 3
=
+ +

=
+ +

=
| |
.
n aa fel, definitiv primim ( ) V U
in
25 15 1 9 1 = + + = .
-
+
+
- +
E
E

E
C

R
L

R
E

Fig. 2.27. La problema 8
-
+
+
E
E

R
L

R
E

-
+
E
B

Fig. 2.28. La problema 10
R
L

-
+
E
C

E
C

R
E

U
in

R
B

R
L

I
E

I
C

I
B

Fig. 2.29. La problema 11

Problema 12.
n schema din fig. 2.30 (RB=50 kO, RL=10 kO, EC=24 V) se folosete tranzistorul cu coeficientul de transfer a curentului bazei |=9.
De calculat tensiunea colector-emitor U
CE
.

Rezolvare:
Neglijnd curentul ICB0, avem
( )
( )
B L CE C
L B C L E C CE
R R U E
R I E R I E U
1
1
+ =
= + = =
|
|

de unde
( )( )
( )
V
R R
E
U
B L
C
CE
8
1 9
10 50
10 10
1
24
1 1
3
3
=
+
|
|
.
|

\
|

+
=
+ +
=
|




Problema 13.
n schema din fig. 2.31. se folosete tranzistorul cu coeficientul de transfer a
curentului bazei |=50 i cu curentul indirect a jonciunii colectorului ICB0=10 A. Se tie, c
IC=1 mA, EC=15 V UCE=6 V. De calculat rezistena bazei RB i rezistena sursei RL.
Rezolvare:
Pentru curentul colectorului:
( ) 1
0
+ + = | |
CB B C
I I I ,
de unde:
( )
A
I I
I
CB C
B

|
|
10
50
10 49 , 0 1
3
0
~

=
+
=

.
Rezistena bazei: O =

= =

M
I
E
R
B
C
B
5 , 1
10 10
15
6
.
Tensiunea de alimentare
L C CE C
R I U E + = ,
de unde O = =

=

M
I
U E
R
C
CE C
L
9 10 9
10 1
6 15
3
3
.



































E
C

U
CE

R
B

R
L

I
C

I
B

Fig. 2.30. La problema 12
E
C

U
CE

R
B

R
L
I
C

I
B

Fig. 2.31. La problema 13
Problema 14.
Pentru schema amplificatorului din fig. 2.32 de calculat R1, R2, R3,
R4, dac punctul de lucru este caracterizat de parametrii: IC=1 mA, UCE= - 6 V.
Coeficientul de amplificare n tensiune
KU= -8.
Rezolvare:
Aici
. 8 10 8 10
3 3
V R I U
L C R
L
= = =

tiind UCE aflm
tensiunea rezultant a rezistenelor colectorului
V U
E
16 8 6 30 = =
.
Neglijnd curentul ICB0, primim
A I I
C B
| 20 50 10 1
3
= = =

. Prin
urmare
mA I I I
B C E
02 , 1 02 , 0 1 = + = + =
.
Pentru
K
U
s 10
are loc relaia aproximativ:
E L U
R R K ~ ,
de unde:
O = = = k K R R
U L E
1 8 10 8
3

Cum se vede, rezistena RE este rezistena R3. Tensiunea pe aceast
rezisten este:
V R I U
E R
1 10 02 , 1 10 1 3
3 3
4
~ = =

.
Respectiv
V U
R
15 1 16
4
= =
. n aa fel:
( ) O = =

k R 15 10 1 15 4
3
.
Calculul rezistenelor divizorului. Pentru funcionarea stabil a schemei
este necesar ca curentul din rezistorul R2 s fie de 5-10 ori mai mare ca curentul
bazei. Deoarece IB=20 A, lum Idiv=200 A
. Neglijnd tensiunea la jonciunea emitorului, se poate considera, c UB ~UE ~ -16
V, de unde ( ) O = =

k R 80 10 200 16 2
6
.
Determinm R1:
( ) ( ) ( ) ( ) O = = + + =

k I I U E R
div B E C
5 , 63 10 220 16 30 1
6

.


Problema 15.
Tranzistorul cu efect de cmp cu curentul drenei IDmax =2
mA; i conductana de transfer Smax = 2 mA/V, este conectat n schema
amplificatorului din fig. 2.33. cu surs comun. Rezistena sursei RL=10
kO. De calculat coeficientul de amplificare dup tensiune dac:
a) UGS= -1 V;
b) UGS= -0,5 V;
c) UGS= 0 V.

Rezolvare:
Gsim tensiunea porii: Up=2 IDmax /Smax = 2,2 10
-3
/(210
-3
) = 2 V.
Determinm panta caracteristicii tranzistorului pentru UGS= -1 V:
S = Smax (1 - UGS/Up ) = 2(1 - 1/2) = 1 mA/V.
Coeficientul de amlificare n tensiune:
KU = S RL = 1 10
-3
1010
3
= 10.
Pentru tensiunea UGS= -0,5 V avem:
S = 2(1 - 0,5/2) = 1,5 mA/V.
KU = S RL = 1,5 10
-3
1010
3
= 15.
Pentru tensiunea UGS= 5 V avem:
S = 2(1 - 0/2) = 2 mA/V.
KU = S RL = 210
-3
1010
3
= 20.





















Fig. 2.32. La problema 14
R
L
=8 kO
|=50
R3
R4
R2
R1
I
B

I
C

I
E

E=-30 V
U
i

R
G

R
D

R
S

U
+

Fig. 2.33. La problema 15
U
0

C
S

C
Problema 16:
Pentru un tranzistor cu efect de cmp (fig. 2.33) cu IDmax = 1 mA i Up = 4 V de calculat:
a) curentul care va trece la conectarea indirect a tensiunii UGS= 2 V;
b) panta S i panta maximal Smax n acest caz.
Rezolvare:
a) Curentul l aflm din relaia IC = IDmax (1-UGS/Up)
2
= 110
-3
(1 - 2/4)= = 0,25 mA.
b) Panta caracteristicii tranzistorului cu efect de cmp



S
I
U
I
U
U
U
mA V
C
GS
D
p
GS
P
= =
|
\

|
.
| =


|
\

|
.
|
=

A
A
2
1
2 10
4
1
2
4
0 25
3
max
,

Panta maximal:
V mA
U
I
S
p
D
5 , 0
4
10 2
2
3
max
max
=

= =

.

Problema 17.
n amplificatorul schema cruia este reprezentat
n fig. 2.34, la UGS = 2 V curentul drenei este ID = 1 mA. De
calculat:
a) Rezistena rezistorului RS, dac tensiunea ce cade pe RG
poate fi neglijat;
b) Tensiunea E, dac RL = 10 kO, UDS= 4 V.
Rezolvare:
RS = UGS/ ID = 2,0/110
-3
= 2 kO;
E = ID RL +UDS + ID RS = 10 + 4 + 2 = 16 V.

Problema 18.
Tranzistorul cu efect de cmp cu canal de tip n se folosete n amplificatorul schema crui este reprezentat n fig. 2.33. Tensiunea de
prag Up = -2 V, curentul drenei maximal IDmax = 1,8 mA. Se tie, c la tensiunea sursei U = 20 V curentul drenei ID = 1 mA. Modulul
coeficientului de amplificare n tensiune KU = 10. De calculat:
a) Tensiunea gril-surs UGS ;
b) Panta tranzistorului n punctul de lucru S;
c) Rezistena rezistorului sursei RS;
d) Rezistena n conturul drenei RD;
Se consider, c rezistena intern a tranzistorului Ri >>RD i c la frecvena de lucru rezistena capacitii este foarte mic.

Rezolvare:
Determinm tensiunea gril surs UGS, folosind expresia:
IC = IDmax (1-UGS/Up)
2

nlocuind datele cunoscute obinem:
110
-3
= 1,810
-3
(1 - UGS/2)
2
, de unde UGS= 0,5 V.
Calculm panta maximal a caracteristicii dispozitivului:
V mA
U
I
S
p
D
8 , 1
2
10 8 , 1 2
2
3
max
max
=

= =


Prin urmare, panta tranzistorului n punctul de lucru:
S
I
U
U
U
mA V
D
p
GS
P
=
|
\

|
.
| =
|
\

|
.
|
=

2
1 18 10 1
0 5
2
135
3 max
,
,
,

Calculm rezistena n conturul sursei:
RS = UGS/ID = 0,5/(110
-3
) = 0,5 kO..
Lund n consideraie, c Ri >>RD, RS se calcul din relaia KU=S RL,, de unde:
RS = KU/S = 10/(1,3510
-3
) = 7,4 kO..
U
i

R
G

R
L

R
S

E
Fig. 2.34. La problema 17
C
S

C

Problema 19.
Repetorul pe surs (fig. 2.35) are curentul drenei ID = 5
mA i S = 2 mA, RL= 500 O, URs = USD. De calculat urmtoarele
mrimi: a) KU; b) Rie; c) ED.


Rezolvare:
Aici
KU = SRS/(1+RS) = 210
-3
500/(1+210
3
500) =0,5;
Rie = RS/(1+RS) =500/(1+210
3
500) =250 O;
URL= IDRL= 510
-3
500 = 2,5 V; ED = 2,5 + 2,5 5
V.

















Fig. 2.35. La problema 19
R
G

R
S

C
E
D

E
G

U
in

R
L