Materiale Pentru Electronica 1 B5

Cristian FRCA
MATERIALE PENTRU ELECTRONIC
Editura RISOPRINT Cluj-Napoca 2009
isbn
Refereni tiinifici: prof. dr. ing. Dan Pitic prof. dr. ing. Dorin Petreu conf. dr. ing. Rodica Cre conf. dr. ing. Niculaie Palaghi Universitatea Tehnic din Cluj-Napoca
Cuprins
Cuprins ................................................................................... Prefa .................................................................................... 1. Noiuni despre structura materialelor ...................................... 1.1 Structura materiei ........................................................... 1.2 Strile de agregare ale materiei ..................................... 1.3 Fore de legtur chimic ............................................... 1.3.1 Legtura ionic ...................................................... 1.3.2 Legtura covalent ................................................ 1.3.3 Legtura metalic .................................................. 1.3.4 Legtura van der Waals ......................................... 1.3.5 Legtura de hidrogen ............................................. 1.4 Structura benzilor energetice n solide. Conductoare, semiconductoare i izolatoare ................. 1.5 ntrebri .......................................................................... 2. Materiale dielectrice ................................................................ 2.1 Clasificarea materialelor dielectrice ................................ 2.2 Principalele proprieti ale dielectricilor i dependena lor de diferii factori ......................................................... 2.2.1 Proprietile electrice ............................................. 2.2.2 Alte proprieti ale materialelor dielectrice ............. 2.3 Strpungerea materialelor dielectrice ............................. 2.3.1 Strpungerea gazelor ............................................ 2.3.2 Strpungerea lichidelor electroizolante .................. 2.3.3 Strpungerea solidelor electroizolante .................. 2.4 Materiale dielectrice solide utilizate n electronic ......... 2.4.1 Dielectrici cu polarizare de deplasare electronic.. 1 5 7 7 14 19 21 24 29 31 33 34 39 41 42 43 44 53 57 58 62 65 69 70
Cuprins 2.4.2 Dielectrici cu polarizare de deplasare electronic i ionic ............................................... 2.4.3 Dielectrici solizi cu polarizare de orientare ............ 2.4.4 Materiale dielectrice cu polarizaie spontan ......... 2.4.5 Materiale dielectrice cu polarizaie piezoelectric .. 2.4.6 Electrei .................................................................. 2.5 ntrebri ..........................................................................
71 75 78 79 80 81
3. Materiale semiconductoare ..................................................... 83 3.1 Definiii. Generaliti ....................................................... 83 3.2 Clasificare ....................................................................... 85 3.3 Conducia n materialele semiconductoare .................... 88 3.3.1 Conducia n materialele semiconductoare intrinseci ................................................................. 88 3.3.2 Conducia n materialele semiconductoare extrinseci ................................................................ 96 3.4 Materiale semiconductoare utilizate n electronic .........105 3.5 ntrebri .......................................................................... 108 4. Materiale conductoare ............................................................ 109 4.1 Definiii. Generaliti ....................................................... 109 4.2 Conducia electric ......................................................... 111 4.2.1 Teoria conduciei electronice n metale ................. 111 4.2.2 Dependena rezistivitii metalelor de diveri factori ..................................................................... 113 4.3 Materiale conductoare utilizate n electronic ................ 119 4.3.1 Materiale cu conductivitate mare ........................... 119 4.3.2 Materiale pentru contacte electrice ........................ 122 4.3.3 Materiale cu rezistivitate ridicat ............................ 126 4.4 ntrebri .......................................................................... 129 5. Materiale magnetice ............................................................... 130 5.1 Definiii. Generaliti ....................................................... 130 5.2 Clasificarea materialelor magnetice ............................... 133 5.3 Feromagnetismul ............................................................142 5.4 Ferimagnetismul ............................................................. 146 5.5 Pierderi n materialele magnetice ................................... 148 5.6 Principalele utilizri n electronic ale materialelor magnetice ....................................................................... 152
Cuprins
5.6.1 Materiale utilizate pentru confecionarea miezurilor magnetice .................................................... 153 5.6.1.1 Ferite ............................................................. 153 5.6.1.2 Aliaje ale fierului ............................................ 156 5.6.1.3 Materialele magnetodielectrice ......................159 5.6.2 Materiale pentru magnei permaneni i nregistrarea magnetic a informaiei .......................... 160 5.6.2.1 Materiale pentru magnei permanenei ..........161 5.6.2.2 Materiale pentru nregistrarea magnetic a informaiei ................................................................. 164 5.7 ntrebri .......................................................................... 166 Bibliografie .............................................................................. 167
PREFA
n prezent, progresul n domeniul electronicii depinde n mare msur de progresul n domeniul materialelor utilizate n electronic. Cercetrile actuale nu se mai concentreaz numai pe gsirea de noi topologii pentru circuitele electronice, ci se pune un accent tot mai mare pe creterea performanelor componentelor i dispozitivelor electronice. Materialele folosite n electronic sunt materiale care trebuie s aib diverse proprieti, n funcie de necesitile specifice. Astfel, se vor folosi ca materiale conductoare aurul sau cuprul pentru conexiunile dintre componente, filme din materiale conductoare, aliaje de lipit, materiale ceramice i polimeri ca i substrat pentru cablajele imprimate. Cele mai importante materiale utilizate n electronic sunt materialele semiconductoare. Semiconductoarele au proprietile de conducie cuprinse ntre ale materialelor conductoare i a celor izolatoare. Prin dopare controlat, aceste proprieti pot fi modificate. De asemenea, se folosesc materiale feromagnetice i ferimagnetice pentru componentele magnetice, materiale electroluminiscente la dispozitivele pentru emisia sau detecia luminii etc. Inventarea tranzistorului bipolar la Bell Telephone Laboratories din New Jersey n decembrie 1947 de ctre John Bardeen, Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley a constituit un pas important n dezvoltarea electronicii. Aceast descoperire este una dintre cele mai importante descoperiri ale lumii moderne, ducnd la revoluionarea tehnicii. Apariia n anul 1959 a circuitelor integrate a constituit un alt pas important n dezvoltarea electronicii. Apariia acestora a dus la apariia microelectronicii. Miniaturizarea echipamentelor electronice a dus la creterea performanelor, la scderea consumului de energie,
Prefa
la scderea preului. Totodat, aceste echipamente sunt mai uor de transportat i manevrat. Dar progresele n domeniul electronicii continu i astzi. Aceste progrese nu ar putea avea loc fr progrese semnificative n domeniul materialelor utilizate. Eforturile specialitilor se concentreaz pe dezvoltarea unor noi materiale cu performane superioare. Fr a avea pretenia c am reuit s surprindem toate aspectele, cartea se dorete a fi un instrument util pentru studenii din anul II ai Facultii de Electronic, Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei din cadrul Universitii Tehnice din Cluj-Napoca. De asemenea, cartea poate fi de folos tuturor celor care sunt interesai de acest domeniu. Pe aceast cale dorim s aducem mulumiri tuturor celor care m-au ajutat n redactarea i editarea acestei cri, prin ndemnuri i sfaturi competente.
1. Noiuni despre structura materialelor
1.1. Structura materiei
ntreg Universul este compus din materie. Termenul de materie provine din latin (n latin: materia=substan) i este un termen generic care descrie toate corpurile. Materia poate exista n dou forme: substana i energia. Un corp se poate defini ca un ansamblu de materiale. Ceea ce difereniaz corpurile de materiale este faptul c materialele pot avea o compoziie diferit, dar nu discontinu, iar corpurile pot avea o compoziie discontinu i suprafee de separare ntre materiale ce formeaz corpul. Materia este constituit din atomi. Atomul este cea mai mic particul dintr-un element chimic care pstreaz nsuirile fizicochimice ale elementului respectiv. Termenul de atom provine de la grecescul atomos care nseamn indivizibil. Dei iniial se credea c atomul este indivizibil, ulterior s-a constatat c atomii sunt compui din particule subatomice. Atomii sunt compui din trei tipuri de particule (figura 1.1) care guverneaz proprietile lor: electronii sunt particule subatomice fundamentale care au sarcin electric negativ (e=-1,60210-19 C), cu masa (me=9,110-31 kg); protonii sunt particule subatomice fundamentale care au sarcin electric pozitiv (qp=e=1,60210-19 C) i cu
Noiuni despre structura materialelor masa mp=1,67310-27 kg (este de aproape 1836 ori mai greu dect electronul); neutronii sunt particule subatomice din nucleul atomic, neutre din punct de vedere electric (qn=0 C), cu masa mn=1,67510-27 kg.
Electron Nucleu
Proton
Neutron
Fig. 1.1 Structura unui atom de heliu. Protonii i neutronii creeaz un nucleu atomic dens i masiv, ei fiind numii i nucleoni. Un atom este format dintr-un nucleu nconjurat de electroni. Totalitatea electronilor care graviteaz n jurul nucleului formeaz nveliul electronic. Numrul electronilor este egal cu cel al protonilor. Din acest motiv atomul este neutru din punct de vedere electric. Dac atomul cedeaz sau accept electroni, numrul electronilor i al protonilor va fi diferit, iar atomul va deveni un ion pozitiv sau negativ. Atomul este clasificat dup numrul de protoni i neutroni. Numrul protonilor determin numrul atomic (notat cu Z), iar numrul neutronilor determin izotopii acelui element chimic (numrul de neutroni se noteaz cu N). Izotopii sunt specii atomice care au acelai numr atomic, Z. Numrul neutronilor unui atom poate fi diferit pentru nucleele atomice ale aceluiai element. Astfel se formeaz izotopii. De exemplu: ZH = 1 ZC = 6 ZSi = 14
Noiuni despre structura materialelor
Ca forme ale materiei, substanele se caracterizeaz prin mas. Deoarece masele absolute ale particulelor sunt foarte mici, ncepnd cu anul 1961, pe plan internaional s-a convenit introducerea noiunii de unitate atomic de mas (u.a.m.), care este egal cu 1/12 din masa izotopului carbon 12.
1 uam = 1 12 C 12
(1.1)
Astfel se ajunge la noiunea de mas atomic relativ (notat cu A). Masa atomic relativ este o mrime adimensional care ne arat de cte ori masa unui atom este mai mare dect unitatea atomic de mas. De exemplu: AH = 1 AC = 12 ASi = 28 Atomul este caracterizat de numrul atomic (Z) i numrul de mas (A). Numrul de mas (A) este egal cu suma numrului de protoni (Z) i a numrului de neutroni (N) din nucleu:
A = Z +N
(1.2)
Dac se cunoate Z i A se poate deduce numrul de neutroni din nucleu. De exemplu, n cazul siliciului avem numrul atomic ZSi = 14, iar numrul de mas ASi = 28. Astfel, se poate spune c atomul de siliciu are 14 protoni, 14 electroni i 14 neutroni. Numrul de neutroni n cazul atomului de siliciu s-a calculat cu relaia: NSi = A Si Z Si = 28 14 = 14 (1.3)
Comportarea atomilor este dat de interaciunile dintre electroni. Electronii unui atom sunt dispui pe straturi cu nivele energetice diferite. nveliul electronic al atomului se compune din orbitele electronice pe care sunt aezai electronii. n cea mai stabil stare, de baz, electronii unui atom vor umple nveliurile acestuia n ordinea cresctoare a energiei. Nivelul energetic pe care se poate situa un electron este dat de patru numere cuantice: numrul cuantic principal (n), numrul cuantic orbital (l), numrul cuantic magnetic (m) i numrul cuantic de spin (s). Orice combinaie a acestor numere indic o anumit stare a electronului.
10
Numrul cuantic principal (notat cu n), conform modelului lui Bohr, indic numrul straturilor electronice. Exist apte straturi electronice notate cu cifre de la 1 la 7, sau cu litere (K, L, M, N, O, P, Q). Stratul cu numrul 1 este cel mai apropiat de nucleu. Cu ct nivelul de energie este mai nalt, cu att electronul va fi plasat pe un nivel mai ndeprtat de nucleu. Electronii de valen, aflai pe cel mai ndeprtat nveli, au cea mai puternic influen n comportarea chimic a atomului. Numrul maxim de electroni dintr-un strat este 2n2.
Straturi electronice Nucleu
3 2
6 45
KL
MN OPQ
Fig. 1.2 Straturile electronice din structura unui atom.
Numrul cuantic orbital sau azimutal (notat cu l) caracterizeaz momentul cinetic al electronului, indicnd numrul de stri energetice (substraturi) permise pentru fiecare strat electronic. Acest numr poate lua valori ntregi cuprinse ntre 0 i n-1 (sau s, p, d, f, g, h). Numrul cuantic magnetic (notat cu m) determin orientarea n spaiu a orbitalilor. Poate lua 2l+1 valori (m=0, 1, 2, , l). Numrul cuantic de spin (notat cu s) definete sensul de rotaie al electronului n jurul axei sale i poate avea dou valori (+1/2 i 1/2). Energia electronului nu depinde de numrul cuantic de spin. Structura nveliului electronic al atomului ne indic poziia elementului respectiv n sistemul periodic al elementelor. Tabelul periodic al elementelor, numit i tabelul periodic al lui Mendeleev, cuprinde ntr-o form tabelar toate elementele chimice. El este construit avnd la baz configuraia electronic a elementelor. Este
11
meritul remarcabil al savantului rus Dimitri I. Mendeleev (1834-1907) de a fi descoperit legea periodicitii elementelor chimice i de a fi conceput o reprezentare grafic, complex i perfect logic a interdependenei sofisticate a tuturor elementelor chimice. Cea mai mare valoare a tabelului periodic este abilitatea de a preciza proprietile chimice i fizice ale elementelor, bazndu-ne pe poziia lor n tabelul periodic. Grupa este coloana vertical din tabelul periodic. n unele grupe, elementele au proprieti similare sau au aceeai proprietate n tot grupul. Acestor grupe le sunt date anumite nume (de exemplu: metale alcaline, metale alcalino-pmntoase, metale tranziionale, halogeni, etc.). O perioad este un rnd orizontal din tabelul periodic. Dei grupele sunt cel mai comun mod de a grupa elementele, sunt regiuni ale sistemului periodic unde similaritile orizontale sunt mai semnificative dect cele verticale, cum ar fi cazul lantanidelor i actinidelor. Numrul perioadei arat i numrul straturilor ocupate cu electroni. Conform principiului de excluziune a lui Pauli, un orbital atomic poate fi ocupat cu maximum doi electroni cu spin opus, adic ntr-un atom nu pot exista doi electroni cu aceleai patru numere cuantice. n cazul siliciului (ZSi=14) structura orbitalilor este 1s22s22p63s23p2, n cazul germaniului (ZGe=32) structura orbitalilor este 1s22s22p63s23p63d104s24p2, iar n cazul cuprului (ZCu=29) structura orbitalilor este 1s22s22p63s23p63d104s1 (figura 1.3). Electronii sunt dispui pe straturi energetice ca n tabelul 1.
Cupru
26 2 KsLsLpMsMpMdNs
1 10 26
Fig. 1.3 Dispunerea pe straturi a electronilor n cazul unui atom de cupru.
12
Tabelul 1.1 Dispunerea electronilor pe straturi i orbitali. Denumire element Siliciu (Si) Germaniu (Ge) Cupru (Cu) Nr. atomic 14 32 29 K 1s 2 2 2 2s 2 2 2 L 2p 6 6 6 3s 2 2 2 M 3p 2 6 6 10 10 2 1 2 3d 4s N 4p
Se observ c att siliciul ct i germaniul au 4 electroni pe ultimul strat (ambele fac parte din grupa 4). Deci ambele au valena 4, adic au 4 electroni de valen. Valena (sau numrul de oxidare) caracterizeaz capacitatea de combinare a unui atom cu un alt atom. Ea este dat de numrul electronilor cu care atomul particip la formarea legturilor chimice i variaz n funcie de atom i grupare chimic. Elementele din subgrupele principale formeaz legturi prin intermediul electronilor de valen (electroni de valen sunt electronii de pe ultimul nivel energetic). Elementele din subgrupele secundare prezint stri de valen diferite, deoarece particip la legturi att electronii ultimului strat, ct i electronii din straturile interioare. n cazul n care ultimul strat este ocupat cu 8 electroni (sau 2 n cazul heliului) atunci elementul respectiv are o configuraie stabil de gaz inert. Gazele nobile sau gazele rare sunt substane care au toate straturile complet ocupate cu electroni. Din categoria gazelor nobile fac parte elementele din grupa a opta (tabelul 2). n aceast situaie, valena este nul, neexistnd electroni de valen care s participe la formarea legturilor chimice. Atomii din molecule tind s realizeze o configuraie stabil de 8 electroni pe ultimul strat (configuraie de gaz nobil). Aceasta se numete regula octetului. Ei pot ajunge la configuraii electronice stabile prin cedare, prin acceptare sau prin punere n comun de electroni cu ali atomi cnd se formeaz legturi chimice.

Tabelul 1.2 Gazele nobile. Perioada I II III IV V VI Gaz nobil Heliu (He) Neon (Ne) Argon (Ar) Kripton (Kr) Xenon (Xe) Radon (Rn) Nr. atomic (Z) 2 10 18 36 54 86 Structura nveliului electronic 1s2 1s2 2s22p6 1s2 2s22p6 3s23p6 1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p6 1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p64d10 5s25p6 1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p6 4d104f14 5s25p65d10 6s26p6
13
Electronegativitatea i electropozitivitatea sunt proprieti calitative ale elementelor. Ele exprim tendina atomilor de a atrage sau ceda electroni, transformndu-se n ioni negativi, respectiv ioni pozitivi. Electronegativitatea reprezint capacitatea unui atom dintr-o legtur chimic de a atrage de a atrage spre el electronii participani la legtura respectiv. Elementele cu nivelele de valen aproape pline (cum sunt halogenii) sunt puternic electronegative. Pe cnd elementele chimice care au nivelele de valen aproape goale (cum este cazul metalelor alcaline) au cele mai mici valori pentru electronegativitate (sunt electropozitive). Electronegativitatea crete n grup de jos n sus i crete n perioad de la grupa I A la VII A. Elementele cu numere atomice mari sunt mai slab electronegative, deoarece electronii de valen se afl la distane mai mari fa de nucleu, iar atracia electrostatic este mai mic. Diferena dintre valorile electronegativitii a dou elemente ntre care se formeaz o legtur chimic d informaii despre tipul de legtur care se realizeaz. Cu ct diferena de electronegativitate este mai mare, cu att legatura chimic este mai puternic.
14
1.2. Strile de agregare ale materiei
Indiferent de natura particulelor i a forelor cu care ele interacioneaz, substanele se pot afla n patru stri de agregare: solid, lichid, gazoas i plasma, diferind ntre ele prin coninutul energetic al particulelor componente. Strile de agregare depind n mare msur de condiiile de temperatur i presiune la care se afl substana respectiv. Starea solid n starea solid, materia are form i volum propriu. Solidele reprezint starea cea mai compact i cu densitatea cea mai mare. Energia cinetic a particulelor componente (atomi, ioni, molecule) este minim, acestea fiind strns legate ntre ele datorit unor fore de legtur puternice. Particulele componente pot executa doar micri de oscilaie n jurul punctelor de echilibru (n care energia particulelor este minim). Din cauza imposibilitii translaiei particulelor, solidele se caracterizeaz prin volum i form proprie. Relaia dintre masa (m), volumul (V) i densitatea (), caracteristice subtanei solide, este:
m = V
(1.4)
Din punct de vedere microscopic starea solid se ntlnete sub trei aspecte: amorf (vitroas), mesomorf i cristalin. Corpurile cu structur amorf au un grad maxim de dezordine n distribuia particulelor. Particulele au o distribuie ordonat doar pe distane mici, pe distane mari aezarea particulelor fiind dezordonat. Se poate spune c avem ordine local i dezordine la distan. Corpurile amorfe nu au punct de topire fix, ci mai nti se nmoaie, topirea fcndu-se ntr-un anumit interval de temperatur. Corpurile aflate n starea amorf prezint izotropia proprietilor fizice, adic au proprieti identice n toate direciile. Starea amorf este mai puin ntlnit i este mai puin stabil dect starea cristalin, energia liber a corpului prezint un minim relativ. Din acest motiv este o stare metastabil (la valori mari de
15
temperatur se pot observa treceri brute din starea amorf n cea cristalin). Din categoria corpurilor aflate n starea amorf amintim: sticla, polimerii, cerurile, rinile, cauciucul, masele plastice, etc. Starea mezomorf face trecerea ntre strile amorf i cristalin. n aceast categorie intr cristalele lichide. Se cunosc trei tipuri de stri mezomorfe: nematic, colesteric i smectic. Starea nematic se caracterizeaz prin orientarea paralel a axelor geometrice ale moleculelor lungi din cristalelor lichide, de-a lungul unei axe prefereniale care constituie axa optic a cristalului lichid. Centrele de greutate ale moleculelor se dispun aleatoriu, ceea ce determin o mobilitate n spaiu a moleculelor i implicit fluiditatea cristalului lichid. Starea smectic se caracterizeaz prin dispunerea moleculelor lungi n straturi paralele. Moleculele se pot mica numai n interiorul stratului. Prima lucrare care a pus n eviden diferite structuri ale cristalelor lichide smectice a fost publicat n anul 1932 de Herrmann i Krummacher. Denumirea de smectic atribuit acestora provine de la cuvntul grecesc smectos (spun), datorit structurii stratificate asemntoare soluiei de spun. Starea colesteric se caracterizeaz prin dispunerea moleculelor lungi n straturi paralele, orientarea lor variind de la un strat la altul ntr-o manier elicoidal. Moleculele cristalelor lichide colesterice au ordonare orientaional a axelor lungi ale moleculelor i aezare neordonat a centrilor de mas, asemntor cristalelor lichide nematice, dar difer de acestea prin structura de echilibru. Denumirea de cristale colesterice provine de la colesterol, deoarece pentru prima dat structura colesteric a fost observat la unii esteri ai colesterolului. Ele prezint o structur stratificat de forma elicoidal. Datorit acestei structuri, cristalele prezint o serie de proprieti cum ar fi reflexia selectiv a razelor de lumin. Corpurile cu structur cristalin sunt caracterizate printr-un grad nalt de ordonare a particulelor constituente, pe distane mari comparativ cu dimensiunile particulelor, dup forme geometrice regulate. Energia liber a corpurilor cristaline prezint un minim absolut, starea cristalului fiind stabil. Corpurile cu structur cristalin au un punct de topire fix i prezint anizotropia proprietilor fizice,
16
care variaz cu direcia n cristal (cu excepia cristalelor cubice). Anizotropia proprietilor apare datorit simetriei interne. Starea lichid n starea lichid, materia are volum propriu i ia forma vasului n care se afl. Datorit faptului c distana dintre particulele constituente este mai mare, forele de atracie sunt mai slabe dect n cazul solidelor. Starea lichid este o stare intermediar ntre starea solid i cea gazoas. Gradele de libertate ale particulelor componente sunt mai mici fa de cele din gaze, predominnd micrile vibratorii (de oscilaie). Lichidele difer ntre ele prin natura particulelor componente care determin caracteristici specifice, difereniindu-le. Lichidele prezint i anumite caracteristici generale, comune tuturor lichidelor, indiferent de natura particulelor componente. n funcie de natura particulelor constituente, lichidele pot fi: lichide ionice; lichide metalice; lichide atomice; lichide moleculare (polare i nepolare). Lichide moleculare (polare sau nepolare) sunt cele mai cunoscute. Ele exist la temperaturi obinuite. Lichidele ionice, metalice, atomice se obin la temperaturi nalte i poart numele generic de topituri. La fel ca i n cazul gazelor, particulele constituente efectueaz micri termice haotice, dar spre deosebire de gaze particulele nu se ciocnesc ci alunec unele pe lng altele, ceea ce explic fenomenul de curgere i existena volumului propriu, precum i absena unei forme proprii. Starea gazoas n starea gazoas materia nu are nici volum i nici form proprie. Substanele aflate n stare gazoas sunt formate din molecule mono sau poliatomice, aflate n micare de translaie datorit agitaiei
17
termice. Micarea de agitaie termic este o micare continu i dezordonat a crei intensitate este direct proporional cu temperatura. Datorit micrii de agitaie termic a moleculelor, acestea au o mare mobilitate i ocup volumul vasului n care se afl. Dintre substanele aflate n stare gazoas amintim gazele nobile, hidrogenul, oxigenul, dioxidul de carbon etc. Plasma Plasma este constituit din ioni, electroni i particule neutre (atomi sau molecule). Plasma este o form a materiei, care exist numai n condiii de temperatur nalt. Se poate considera c plasma este un gaz total sau parial ionizat, pe ansamblu neutru din punct de vedere electric. Totui, plasma este considerat ca o stare de agregare distinct, avnd proprieti specifice. Aprinderea plasmei depinde de numeroi parametri (concentraie, cmp electric exterior), fiind imposibil stabilirea unei temperaturi la care are loc trecerea materiei din stare gazoas n plasm. Datorit sarcinilor electrice libere plasma conduce curentul electric i este puternic influenat de prezena cmpurilor magnetice externe. n urma ciocnirilor dintre electroni i atomi pot aprea fenomene de excitare a atomilor, urmate de emisie de radiaie electromagnetic. Dac frecvena radiaiei emise are valori n domeniul vizibil, se pot observa fenomene luminoase. n condiii normale de presiune i temperatur, corpurile se afl n una din strile de agregare amintite. n anumite condiii de presiune i temperatur, substanele pot trece dintr-o stare n alta (figura 1.4). Topirea reprezint trecerea unei substane din starea solid n starea lichid, prin absorbie de cldur, iar solidificarea este transformarea invers. Topirea corpurilor amorfe se produce printr-o nmuiere treptat a corpului pn se ajunge la faza lichid, n timp ce topirea corpurilor cristaline se produce prin trecerea brusc n faz lichid la o temperatur bine precizat.
18
sublimare
Solid
topire solidificare
Lichid
vaporizare condensare
Gaz
desublimare
Fig. 1.4 Trecerea dintr-o stare de agregare n alta.
Vaporizarea este fenomenul de trecere a unei substane din starea lichid n stare gazoas. Substana lichid care a fost transformat n faz gazoas va fi sub form de vapori. Trecerea vaporilor din stare gazoas n stare lichid se numete condensare. Lichefierea este procesul de transformare a unei substane gazoase n una lichid la temperatur obinuit, dar sub aciunea presiunii. Sublimarea const n trecerea unei substane din starea solid direct n stare de vapori. Se numete desublimare fenomenul de trecere a unei substane din stare de vapori direct n starea solid. Se spune c s-a stabilit echilibrul fazelor, atunci cnd dup contactare, n aceleai condiii de presiune i temperatur, masa fiecreia din cele dou faze ale aceleiai substane rmne constant. Dependena dintre presiune i temperatur, astfel nct s se pstreze echilibrul celor dou faze, este dat de diagramele de faz. Diagramele de faz (sau de echilibru) sunt reprezentri geometrice ale valorilor potenialelor termodinamice cu care caracterizm sistemul n funcie de valorile parametrilor independeni n care acesta evolueaz. Utilizarea diagramelor de faz se bazeaz pe legea fazelor (sau legea Gibbs).

p pC
lichid
19
ptr
solid vapori
Ttr
TC
Fig. 1.5 Diagrama fazelor.
n diagrama fazelor (figura 1.5) apare un punct triplu caracterizat de temperatura Ttr i presiunea ptr, n care toate cele trei faze, solid, lichid i gazoas, sunt n echilibru (coexist). Pentru ap, punctul triplu este caracterizat de temperatura Ttr de 273,16K i presiune ptr de 610,8 Pa (0,006atm)1. De asemenea, exist un punct critic caracterizat de o temperatur critic TC i o presiune critic pC, peste care nu mai este posibil starea de echilibru dintre faza lichid i gazoas. La T>TC i p>pC fluidul care exist fizic este numit gaz supercritic. Trecerea unei substane din faza solid n faza gazoas se numete sublimare. Cldura latent necesar sublimrii Qs este egal cu suma dintre cldura latent de topire Qt i cldura latent de vaporizare Qv. Qs = Q t + Q v (1.5)
1.3. Fore de legtur chimic

Elucidarea structurii complexe a atomului a dus la formularea unor concepii noi asupra legturilor chimice, determinate n exclusivitate de structura nveliului electronic exterior. Noua teorie se
1
1Pa= 0,9869210 atm
-5
20
numete teoria electronic a legturii chimice. Din punct de vedere structural, substanele sunt formate din particule constituente: (atomi, ioni, molecule sau macromolecule). Cnd particulele constituente sunt apropiate la distane suficient de mici, ntre ele apar fore de legtur chimic. Legturile chimice sunt de dou tipuri: legturi primare (sau interatomice) legturi secundare (sau intermoleculare) Legturile interatomice (sau intramoleculare) sunt legturi puternice care apar ntre atomi n cadrul moleculei, iar legturile intermoleculare sunt legturi mai slabe care apar ntre molecule. G.N.Lewis explic natura legturilor chimice primare ca fiind dat de electronii necuplai de pe ultimul strat din nveliul electronic al atomilor care particip la legtura chimic respectiv. Teoria electronic a valenei, elaborat de Lewis, explic formarea legturilor chimice prin tendina atomilor de a realiza o configuraie stabil de dublet sau octet (configuraie de gaz nobil), a stratului electronic exterior. Majoritatea atomilor tind ctre configuraia de octet, fie prin cedare sau acceptare de electroni (electrovalena), fie prin punere de electroni n comun (covalena). Legtura chimic primar este fora care menine mpreun atomii n molecule. Tipul legturilor chimice dintr-o substan determin structura i proprietile substaei. n stare liber atomii nu sunt stabili, avnd nveliul electronic incomplete. n consecin, atomii au tendina de a se lega ntre ei. Procesul de combinare a atomilor (formarea legturilor chimice) are loc spontan, cu degajare de energie. Starea final (molecula, sau reeaua cristalin) este mai stabil dect atomii liberi i are o energie mai mic. Tipurile de legturi chimice primare sunt: legtura ionic (heteropolar); legtura covalent (homeopolar); legtura metalic. Legturile secundare sau intermoleculare cuprind toate forele care acioneaz ntre molecule. Aceste fore care acioneaz ntre molecule sunt mai slabe dect forele de legtur primar. Din categoria legturilor secundare fac parte:
21
legtura van der Waals; legtura de hidrogen.
1.3.1. Legtura ionic Teoria electronic a legturii ionice a fost elaborat de Kossel n 1916. Legtura ionic (electrovalent sau heteropolar) ia natere ntre elemente cu caracter chimic diferit, deci cu diferene mari de electronegativitate. Instabilitatea configuraiei electronice a atomilor este cu att mai mare cu ct elementele sunt situate n sistemul periodic mai aproape de un gaz rar. Conform teoriei electronice, atomii tind s-i realizeze n stratul de valen o configuraie electronic ct mai stabil, corespunztoare unui gaz nobil, de forma s2p6. Legtura ionic reprezint fora de atracie electrostatic dintre ionii pozitivi i ionii negativi, formai prin cedare, respectiv prin acceptare de electroni. Formarea legturii ionice presupune dou etape: formarea ionilor i atracia electrostatic dintre ionii formai. Ionii pozitivi i negativi se vor atrage cu o for de tip coulombian dat de relaia:
F= 1 q1q2 4 0 r d 2
(1.6)
unde: q1 i q2 sunt sarcinile ionilor (n modul); 0 permitivitatea vidului; r permitivitatea relativ a mediului; d distana dintre ioni msurat n angstromi (1A=10-10 m). n general elementele din grupele IA i IIA cedeaz cu uurin electroni devenind ioni pozitivi (cationi) cu configuraia electronic a gazului rar ce precede elementul n sistemul periodic al elementelor. Atomii care preced gazele rare (n general elementele din grupele VIA i VIIA) accept electroni devenind ioni negativi (anioni) avnd o configuraie stabil a gazului nobil ce urmeaz elementul respectiv n sistemul periodic al elementelor. Ionii formai n acest mod se atrag
22
prin fore electrostatice pn la o anumit distan minim cnd ncep s acioneze forele repulsive din nveliurile electronice. Un exemplu clasic de legtur ionic l constituie formarea moleculei de clorur de sodiu (NaCl sarea de buctrie). De exemplu sodiul avnd poziia 11 n sistemul periodic al elementelor va avea o configuraie a nveliului electronic de forma 1s22s22p63s1, deci are un singur electron pe ultimul strat. Dac sodiul cedeaz un electron:
Na 1e Na+
(1.7)
atunci ionul pozitiv de sodiu format va avea configuraia electronic a neonului, adic 1s22s22p6. Clorul avnd poziia 17 n sistemul periodic al elementelor va avea configuraia nveliului electronic de forma 1s22s22p63s23p5, deci are apte electroni pe ultimul strat. Dac clorul accept un electron:
Cl + 1e Cl
(1.8)
atunci ionul negativ de clor va avea configuraia electronic a argonului (gazul imediat urmtor din sistemul periodic), adic 1s22s22p63s23p6. Reacia dintre un metal alcalin i un halogen conduce la o combinaie ionic format prin transfer de electroni de la elementul electropozitiv (Na metalul alcalin) spre cel electronegativ (Cl halogenul). Legtura ionic nu este orientat n spaiu, ionii ncrcai cu electricitate putnd atrage n orice direcie ionii de semn contrar, n scopul formrii unei reele cristaline. n acest caz vom avea reele ionice cristaline, nu molecule ionice. Reeaua ionic este realizat prin alternarea ionilor de semn contrar, aa cum se observ din figura 1.6. n cazul cristalului de NaCl, formarea legturii ionice poate fi ilustrat de figura 1.7. Atomul de sodiu cedeaz un electron devenind ion pozitiv (Na+), iar atomul de clor va accepta electronul cedat de sodiu devenind ion negativ (Cl-). ntre cei doi ioni va aprea o for de atracie de natur electrostatic.
23
ion de clor (Cl-) ion de sodiu (Na+)

Fig. 1.6 Reea ionic.
Na
Cl
Na+
Cl-
Fig. 1.7 Formarea legturii ionice n cazul clorurii de sodiu.
24
Caracteristici i proprieti ale cristalelor ionice Legtura ionic este o legtur puternic caracterizat de o energie de legtur de valoare mare. Din acest motiv cristalele ionice sunt dure, au temperaturi de topire i de fierbere ridicate, iar n stare solid au o conducie electronic slab (n stare solid se comport ca i izolatori electrici). n stare lichid, cristalele ionice sunt electrolii i au o conducie ionic (sunt conductori de ordinul II). n general, cristalele ionice se dizolv n solveni polari (apa fiind solventul polar cel mai comun) i insolubile n solveni nepolari. Au un moment de dipol permanent (p) i cu valori mari (p>50), care determin o polarizare puternic. Datorit momentelor dipolare, permitivitatea dielectric este mare (r poate ajunge pn la 100). Caracteristicile dielectrice (r i tg) variaz puin cu frecvena i temperatura. Datorit diferenelor care exist ntre energiile straturilor electronice complete i incomplete, adesea cristalele ionice sunt transparente. Defectele de structur cristalin i impuritile existente n material pot determina culoarea cristalului (de exemplu, cristalul de rubin Al2O3 este de culoare roie datorat prezenei cromului ca element cromofor. Absena ionilor de crom Cr3+ ar face ca acest cristal s fie incolor). Exemple de materiale care au legtur ionic: NaCl (sarea de buctrie), AlCl3, Al2O3 etc.
1.3.2. Legtura covalent Teoria electronic a covalenei a fost elaborat de G. N. Lewis i dezvoltat ulterior de I. Lamgmuir. Aceast teorie explic formarea moleculelor prin punere n comun de electroni de valen ai atomilor participani, astfel nct fiecare atom participant la legtur s realizeze o configuraie stabil. Legtura covalent este legtura format ntre atomi prin punerea n comun a uneia sau mai multor perechi de electroni. Electronii pui n comun n cadrul unei legturi covalente formeaz perechi compensate (cu spini antiparaleli) i intr n
25
configuraia electronic a ambilor atomi. Perechile de electroni neangajate n legturi covalente se numesc electroni neparticipani. Aceste perechi de electroni influeneaz geometria moleculei i proprietile acesteia. Legtura covalent este dirijat n spaiu, atomii ocupnd poziii fixe unul fa de altul. Aceste poziii nu se pot schimba nici prin modificarea strii de agregare a substanelor. Legtura covalent se poate forma ntre atomi identici (de exemplu: H2, O2, Cl2, N2, Br2) i atunci va fi o legtur covalent nepolar, sau ntre atomi diferii (de exemplu: NH3, H2O, CH4, etc), caz n care va fi o legtur covalent polar. Pe lng aceste dou tipuri de legturi covalente, exist i un al treilea tip de legtur covalent, numit legtur covalent coordinativ, n care unul dintre atomi (atomul donor) posed o pereche de electroni neparticipani, pe care o doneaz unui atom deficitar n electroni (atomul acceptor). n esen, legtur covalent coordinativ se realizeaz prin ntreptrunderea unui orbital dielectronic al donorului de electroni, cu un orbital gol al acceptorului de electroni, ceea ce face ca legtura s fie polar. Legtura covalent coordinativ (donor-acceptor) explic formarea unor ioni anorganici (de exemplu: H3O+, NH4+, SO42-, [Ag(NH3)2]+, [Cu(H2O)4]2+, etc).
Fig. 1.8 Formarea legturii covalente n cazul moleculei de hidrogen.
Simbolizarea legturii covalente se face reprezentnd printr-o liniu fiecare pereche de electroni participani la legtur. Legturile covalente pot fi:
26
legturi simple (HH, HF, HOH), cnd atomii pun n comun o pereche de electroni; legturi duble ( CH2 = CH2 , O = O ), cnd atomii pun n comun dou perechi de electroni, sau legturi triple ( N N ), cnd atomii pun n comun trei perechi de electroni. Momentul de dipol n cazul moleculelor heteronucleare (formate din atomi diferii), electronegativitatea atomilor constiueni fiind diferit, perechea de electroni pui n comun este atras mai mult de atomul cu electronegativitatea cea mai mare. Astfel apare un moment de dipol electric (notat cu sau p). Valoarea momentului de dipol al unei molecule este determinat de diferena de electronegativitate a elementelor constituente i este dat de relaia:
p = qd unde: q este sarcina electric; d distana dintre atomi.
(1.9)
+q
d p
Fig. 1.9 Orientarea vectorului moment dipolar.
Momentul de dipol p se (1D=3,335641030 coulomb x metru).
msoar
debye
(D)
Calculul momentului de dipol al unei molecule se face prin nsumarea vectorial a momentelor de dipol ale tuturor legturilor din molecul. Momentul de dipol total (pt) al moleculei va fi dat de relaia:
2 p tot = p1 + p2 2 + 2p1p 2 cos
(1.10)
n cazul n care p1=p2=p, relaia de mai sus devine:
Noiuni despre structura materialelor p tot = 2pcos
27
(1.11)
n cazul moleculei de ap, ptot=1,87D, iar unghiul de valen este 104,5 (figura 1.10). Se observ c momentul de dipol este egal cu dublul proieciei de dipol al unei legturi O-H pe bisectoarea unghiului de valen:
p tot H2O = 2 1,53D cos 104,5 = 1,87D 2
(1.12)
r p
O -2q
r p = 1,53D
+q
=104,5
+q
r p tot = 1,87D
Fig. 1.10 Momentul de dipol n cazul unei molecule polare.
Moleculele cu structuri liniare simetrice (CO2, CH4, CCl4, CS2, etc.) au momentul de dipol nul (p=0D) i sunt considerate nepolare (figura 1.11). n acest caz, momentele de dipol ale legturilor sunt egale n modul, iar vectorii au sensuri opuse (=180). Astfel, cele dou momente electrice se anuleaz la compunerea vectorial.
+2q C
pCO
pCO
Fig. 1.11 Molecul cu structur simetric.
28
i n cazul moleculelor nepolare poate s apar un moment de dipol indus sub aciunea unui cmp electric extern. Astfel, n molecul va aprea o deplasare a sarcinii electrice spre unul dintre atomi. Momentul de dipol indus dispare la anularea aciunii cmpului extern. Caracteristici i proprieti ale materialelor cu legtur covalent Caracteristicile substanelor cu legturi covalente difer n funcie de moleculele substanelor dar i n funcie de reelele rezultate. Legtura covalent este o legtur puternic, fiind caracterizat de o energie de legtur de valoare mare. Prin legturi covalente se formeaz molecule independente (gaze sau lichide uor volatile) sau reele atomice (n stare solid). Materialele solide sunt cristaline i foarte dure deoarece legtura covalent este puternic. Aceste materiale au punctul de topire i de fierbere ridicat, dar mai mic dect n cazul materialelor cu legtur ionic (datorit forei de atracie mai slabe dintre atomi, comparativ cu cea dintre ioni). Materialele cu legtur covalent sunt izolatori electrici (dielectrici) att n stare solid ct i lichid (topitur), deoarece electronii sunt strns legai de atomi. Atomii participani la legturi covalente ocup poziii fixe, ceea ce nseamn c este o legtur rigid, orientat n spaiu. Din acest motiv, solidele cu legtur covalent sunt foarte puin deformabile. Legtura covalent este o legtur saturat, neputndu-se forma n numr nelimitat. Unele materiale cu legtur covalent sunt mai puin solubile n solveni polari (cum ar fi apa) dar se dizolv uor n solveni organici nepolari. Proprietile optice sunt diferite n cele trei faze de agregare (solid, lichid i gazoas). n cazul moleculelor formate din atomi diferii, apare fenomenul de polarizare, datorit diferenelor de dimensiune ale atomilor i diferenei de electronegativitate dintre atomi. Polarizarea crete cu creterea diferenei dintre electronegativitile atomilor.
29
1.3.3. Legtura metalic Legtura metalic este un caz limit a legturii covalente, care apare ntre atomii unui metal prin contopirea straturilor de valen ale atomilor metalici. Exist dou teorii privind legtura metalic. Prima teorie, cea a gazului electronic, elaborat n 1900 de P. Drude i perfecionat ulterior de H.A. Lorentz, are la baz modelul gazului electronic. Conform acestei teorii, elctronii liberi dintr-un metal se comport asemeni unui gaz ideal care se mic liber prin reeaua metalic. Aceast teorie explic anumite proprieti ale metalelor, cum ar fi conductibilitatea electric, dar nu explic alte proprieti, cum ar fi creterea rezistivitii cu temperatura i nici diferenele de rezistivitate dintre diferite metale (unele metale sunt bune conductoare de electricitate, n timp ce alte metale sunt mai puin bune). Cea de-a doua teorie, a benzilor de energie, presupune c numai electronii de pe straturile inferioare sunt distribuii pe nivele discrete de energie, iar electronii de pe nivelele exterioare se gsesc ntr-o band larg de energie. Electronii din aceast band energetic sunt comuni ntregului cristal metalic i se mic cvasiliber prin metal, propagndu-se sub forma unor unde prin reeaua metalic. Anumite proprieti ale metalelor, cum ar fi conducia electric i ductilitatea metalelor (proprietatea unui metal de a putea fi prelucrat n fire sau n foi subiri), sunt explicate de existena acestor electroni. n cazul metalelor, electronii de valen sunt comuni ntregului cristal metalic. Aceti electroni de valen se pot mica n tot materialul (metalul). Cristalele metalice au n noduri ioni metalici pozitivi, iar electronii cvasiliberi din metal constituie gazul electronic (figura 1.12). Legtura metalic exist n att n metale, ct i n aliaje (faze intermetalice) aflate n faz solid i lichid. La temperaturi obinuite toate metalele sunt solide, cu excepia mercurului (Hg) care este lichid. Vaporii metalelor sunt monoatomici i nu au proprietile macroscopice ale reelelor metalice.
30
+ + + +
+ + + +
electroni delocalizai
ioni pozitivi
Fig. 1.12 Modelul legturii metalice.
Caracteristici i proprieti ale metalelor Legtura metalic nu este orientat, nu este saturat i nici localizat. Tria legturii metalice depinde de natura atomilor. Gazul electronic exercit o presiune de natur electrostatic asupra ionilor pozitivi din nodurile reelei cristaline. Aceasta explic proprietile mecanice bune ale metalelor: rezisten la solicitri mecanice, maleabilitate i ductilitate. n cazul metalelor, energia de coeziune are valori mari, ceea ce determin o duritate mare i un punct de topire ridicat. Existena norului electronic n metale explic proprietile caracteristice ale acestora (conductibilitate electric i termic bun, opacitate, luciu, etc). Prezena electronilor liberi din metal explic valorile ridicate ale conductibilitii electrice din metale. Conductibilitatea termic este mare deoarece electronii liberi i cresc energia cinetic n zonele calde i cedeaz excesul de energie atomilor din zonele mai reci. Electronii liberi din metale reflect aproape toate radiaiile electromagnetice, inclusiv radiaia luminoas, ceea ce explic de ce metalele au luciu metalic i opacitate. Forele intermoleculare sunt fore care apar ntre molecule i sunt mai slabe dect forele interatomice. Acest tip de legtur
31
determin, n cazul cristalelor moleculare, o temperatur de topire joas i o densitate mic. Din aceast categorie de legturi fac parte legtura van der Waals i legtura de hidrogen.
1.3.4. Legtura van der Waals Legturile van der Waals sunt fore de legtur intermoleculare slabe, de natur electrostatic. Aceste fore de atracie sunt de trei tipuri: a. Fore Keesom sau fore de orientare care rezult n urma atraciei dintre dipolii electrici permaneni din moleculele polare. Dipolii permaneni se vor atrage reciproc, astfel nct polul pozitiv al unei molecule se va poziiona n dreptul polului negativ al unei molecule nvecinate, ca n figura 1.13.
q +q q +q +q q +q q q +q q +q +q q +q q q +q q +q +q q +q q q +q q +q +q q +q q
Fig. 1.13 Legtura van der Waals n cazul moleculelor polare.
b. Fore London sau fore de dispersie care apar ntre moleculele nepolare, indiferent de simetria acestora. Aceste fore apar datorit micrii electronilor din atomii moleculelor legate care determin apariia unor momente electrice spontane. Dipolii temporari care apar pot induce ntr-o molecul vecin un dipol temporar indus. Cele dou molecule se vor atrage reciproc. Mecanismul de formare a dipolilor i al apariiei forelor London este prezentat n figura 1.14.
32
+q
+
Molecul nepolar
+q
+q
Dipol temporar
Dipol temporar
Dipol indus
Fig. 1.14 Legtura van der Waals n cazul moleculelor nepolare.
c. Forele Debye sau forele de inducie care apar ntre o molecul polar i una nepolar. La apropierea moleculelor, cmpul electric produs de dipolul permanent din molecula polar va induce un moment electric n molecula nepolar. Aceste fore apar n cazul gazelor, la parafin, ceruri, vaselin etc. Caracteristici i proprieti caracteristice materialelor cu legtur van der Waals Forele van der Waals sunt fore de atracie nedirijate, de natur cuantic, care acioneaz ntre molecule. Forele van der Waals sunt fore intermoleculare slabe care scad foarte repede cu distana dintre molecule i cresc cu greutatea molecular (cu creterea numrului de electroni). Din acest motiv, corpurile n care apar fore van der Waals au temperatura de topire sczut. Forele van der Waals determin tensiunea superficial, cldura de evaporare, lichefierea i cristalizarea substanelor cu molecule nepolare (H2, N2, O2, etc.) sau a gazelor monoatomice. Materialele cu legtur van der Waals sunt izolatori electrici i termici, deoarece electronii sunt strns legai de atomi. Proprietile mecanice sunt slabe n cazul corpurilor micromoleculare (cum sunt cerurile) i relativ bune n cazul corpurilor macromoleculare (termoplaste).
33
1.3.5. Legtura de hidrogen n unele molecule, hidrogenul formeaz dipoli electrici permaneni cu atomii cu care se combin. Legtura (sau puntea) de hidrogen este o legtur intermolecular, de natur electrostatic, de tip dipol-dipol. Aceast legtur apare ntre doi atomi puternic electronegativi (de exemplu F, O, N etc) prin intermediul unui atom de hidrogen. Atomul de hidrogen este legat covalent de un atom electronegativ din molecula proprie i printr-o legtur de hidrogen de un alt atom electronegativ dintr-o molecul vecin. Lanul de molecule legate prin puni de hidrogen poate fi liniar sau angular (n funcie de structura moleculelor participante). Legturile de hidrogen sunt legturi mai slabe dect legturile intramoleculare, dar mai puternice dect legtura van der Waals. Cu toate c legtura de hidrogen este o legtur de natur electrostatic de tip dipol-dipol, prezint i unele caracteristici ale legturii covalente (este direcional, produce o distan interatomic mai scurt dect legtura van der Waals, este saturat, implicnd un numr limitat de legturi posibile etc). Legtura de hidrogen apare la ap, alcool, acid fluorhidic, acid cianhidric, amoniac, cetone, amine etc, precum i la diverse amestecuri ale acestora cu substane ce conin atomi puternic electroneagtivi (legai sau nelegai de un atom de hidrogen). Lichidele n care apare legtura de hidrogen se numesc i lichide asociate. Legturile de hidrogen apar i n cazul reelelor cristaline (la ghea, NaHCO3, H3BO3, Al(OH)3, CaSO4 etc). Legturile de hidrogen se rup la creterea temperaturii, la scderea presiunii sau prin diluarea cu solveni nepolari. Un exemplu clasic de legtur de hidrogen este legtura intermolecular care apare ntre moleculele de ap, repezentat schematic n figura 1.15. Punctul de fierbere ridicat al apei (100C) este dat tocmai de faptul c legtura de hidrogen este destul de puternic.
34
H O H
H O H
H O H
Fig. 1.15 Legtura de hidrogen n cazul moleculelor de ap.
1.4. Structura benzilor energetice n solide. Conductoare, semiconductoare i izolatoare
Electronii atomilor care intr n componena unui solid au energii diferite. Periodicitatea aezrii particulelor dintr-un cristal duce la gruparea valorilor energiei electronilor n benzi energetice permise separate de benzi interzise. Fiecare dintre zonele de energie permise conine un numr de niveluri energetice egal cu numrul de atomi din cristalul considerat. n cazul unui cristal format din n atomi, fiecare nivel energetic discret se va transforma ntr-o band de energie cu n niveluri energetice foarte apropiate. Solidele cu distane interatomice reduse au puine benzi interzise datorit gradului ridicat de suprapunere al benzilor permise. Benzile interzise nu pot fi ocupate de electroni. Ocuparea cu electroni se face ncepnd cu cel mai jos nivel energetic ctre cel mai ridicat. Nivelul Fermi reprezint ultimul nivel energetic ce poate fi ocupat cu electroni. Ultima band de energie permis ocupat se numete banda de valen, iar banda energetic permis situat imediat deasupra benzii de valen se numete banda de conducie. Electronul poate efectua dou tipuri de tranziii: o tranziie de pe un nivel energetic pe altul n cadrul aceleiai benzi energetice, numit tranziie intraband sau o tranziie de pe o band energetic pe alta numit tranziie interband. Trecerea de pe un nivel energetic inferior pe un nivel energetic superior se poate face dac electronul
35
primete energie astfel nct s poat efectua tranziia respectiv. Datorit agitaiei termice, electronului i se poate furniza energia:
W = k T
(1.13)
unde W[eV] este energia medie a electronului datorit agitaiei termice, k = 1,380662 10-23 J/K = 86,2 10-6 eV/K este constanta lui Boltzman; T[K] temperatura absolut. Astfel la o temperatur ambiant de 300 K, energia medie a electronului va fi aproximativ 0,026 eV. Energia de care are nevoie un electron pentru a deveni electron liber se numete energie de ionizare. Energia de ionizare depinde de tipul de material. Astfel, energia de care are nevoie un electron pentru a deveni electron liber poate lua valori foarte mari n cazul izolatorilor, respectiv valori foarte mici (aproape nul) n cazul materialelor conductoare. Tabelul 3 prezint cteva valori ale energiei de excitare pentru diferite materiale.
Tabelul 1.3 Energia de ionizare. Categorie Conductoare (metale) Semiconductoare Izolatoare Material Cu, Al, Ag, Au, Pt Si Ge GaAs SiO2 Si3N4 Energia de ionizare 0eV 1,21eV 0,756eV 1,52eV 9eV 5eV
Materialele care la 0 K au banda de valen complet ocupat cu electroni, iar banda de conducie complet goal sunt semiconductoarele intrinseci i izolatoarele (dielectricii). Diferena dintre semiconductoare i izolatoare este dat doar de limea benzii interzise. Benzile permise fiind complet ocupate, electronii din ele nu pot participa la conducie. Pe msur ce crete temperatura, o parte din electronii benzii de valen ajung n banda de conducie i ambele
36
benzi devin parial ocupate. Conductivitatea acestor materiale crete cu temperatura, avnd un coeficient pozitiv de temperatur. n schimb, materialele care la 0 K au o band permis parial ocupat cu electroni sunt conductoare. Aa cum am vzut la legtura metalic, metalele au o structur cristalin n nodurile creia se gsesc ionii pozitivi printre care se deplaseaz electronii. Concentraia electronilor liberi n metale este de ordinul 1028 m-3 i nu depinde de temperatur Rezistena electric a metalelor se datoreaz ciocnirilor electronilor liberi cu ionii pozitivi din nodurile reelei cristaline. Ionii pozitivi efectueaz o micare oscilatorie n jurul poziiilor de echilibru. Amplitudinea oscilaiilor crete cu temperatura, ceea ce duce la creterea frecvenei ciocnirilor i implicit la frnarea electronilor liberi care se deplaseaz sub aciunea unui cmp electric exterior. Astfel se explic creterea rezistivitii i implicit scderea conductivitii cu temperatura. Conductivitatea metalelor este mare i scade cu temperatura, metalele avnd un coeficient negativ de temperatur. Figura 1.16 prezint o comparaie ntre benzile energetice la materialele izolatoare, semiconductoare i conductoare.
w
Banda de conducie
w
Banda de conducie
wF
wF
Banda de valen a) Izolator Banda de valen b) Semiconductor
wF
x
Banda de conducie Banda de valen c) Conductor
Fig. 1.16 Structura benzilor energetice la: a. izolatoare; b. semiconductoare; c. conductoare.
37
Izolatoarele sunt materiale care au o band interzis de valoare mai mare de 3eV situat ntre banda de valen i cea de conducie. Avnd n vedere c la temperaturi obinuite energia medie acumulat de un electron este kT 0,026eV , mult mai mic dect limea benzii interzise, la temperaturi obinuite conducia electronic poate fi considerat nul, deoarece electronii nu au suficient energie pentru a trece din banda de valen n banda de conducie. n realitate, conducia electronic n izolatoare nu este nul, datorit prezenei impuritilor prezente n material. Atomii strini prezeni n izolatoare introduc niveluri adiionale n banda interzis, ceea ce duce la apariia unei conducii extrinseci. Semiconductoarele sunt materiale care au structura benzilor energetice asemntoare cu a izolatoarelor, dar banda interzis este mai mic de 3eV. Semiconductoarele sunt intrinseci (neimpurificate) sau extrinseci (impurificate cu atomi strini). n cazul semiconductoarelor intrinseci, nivelul Fermi trece prin mijlocul benzii interzise. La 0K comportarea semiconductoarelor este similar cu a izolatoarelor, dar la creterea temperaturii, un anumit numr de electroni vor trece din banda de valen n banda de conducie. Golurile rmase n banda de valen i electronii din banda de conducie vor participa la apariia curentului electric. La semiconductoarele extrinseci exist niveluri adiionale introduse n banda interzis de atomii de impuritate cu care este dopat semiconductorul. Impuritile pot fi de dou tipuri: donoare sau acceptoare. Impuritile donoare introduc un nivel adiional n apropierea benzii de conducie. Electronii de pe nivelul donor pot trece cu uurin n banda de conducie. n semiconductorii dopai cu impuriti donoare, conducia este dat de electronii din banda de conducie. Semiconductoarele impurificate cu impuriti donoare se numesc semiconductori de tip n. Impuritile acceptoare introduc un nivel adiional n apropierea benzii de valen. Electronii din banda de valen trec relativ uor pe nivelul acceptor. Conducia n acest caz va fi dat de golurile rmase n banda de valen, semiconductorul fiind de tip p.
38
w
Banda de conducie
w
Banda de conducie
wF
wF
Banda de valen a) Semiconductor de tip n x Banda de valen b) Semiconductor de tip p x
Fig. 1.17 Structura benzilor energetice la: a. semiconductoarele de tip n; b. semiconductoarele de tip p.
Conductoarele au proprieti de conducie foarte bune, avnd o conductivitate ridicat. n cazul metalelor nivelul Fermi trece printr-o band permis. n cazul metalelor monovalente avem o band permis ocupat doar parial, iar n cazul metalelor bivalente, ultima band permis ocupat cu electroni este suprapus peste urmtoarea band permis, neocupat. Astfel se va obine o band parial ocupat, ceea ce le confer posibilitatea de a fi conductoare. Figura 1.18 prezint conductivitatea ctorva tipuri de materiale utilizate n electronic.
39
[S/m]
1010 Aluminiu Fier 106 Semiconductori InAs InP Germaniu 10-2 Ceramice 10-6 Polimeri 10
-10
Metale Cupru Oel Staniu
102
Siliciu GaAs
Silicai
Fenol formaldehid Nylon, Plastic SiO2, Al2O3
10-14
Teflon Polietilen
Diamant Sticle silicat
10-18
10-22
Fig. 1.18 Conductivitatea diferitelor materiale.
1.5. ntrebri
1. Care sunt particulele subatomice? 2. Care este structura unui atom? 3. Ce este numrul atomic Z?
40
4. Ce sunt izotopii unui element chimic? 5. Care sunt cele patru numere cuantice? 6. Ce este electronegativitatea? 7. Care sunt caracteristicile principale ale corpurilor solide? 8. Ce este plasma? 9. Desenai diagrama fazelor. 10. Enumerai forele de legtur chimic. 11. Explicai formarea legturii ionice. 12. Ce sunt reelele ionice. 13. Cum se formeaz legtura covalent? 14. Explicai teoria legturii metalice. 15. Care sunt caracteristicile corpurilor cu legtur van der Waals? 16. Cum pot fi clasificate materialele solide din punct de vedere a structurii benzilor energetice? 17. Desenai structura benzilor energetice la semiconductoarele extrinseci.
2. Materiale dielectrice
Materialele dielectrice sunt materialele care prezint stri de polarizaie. La temperaturi obinuite, att semiconductoarele ct i materialele electroizolante au fenomenul de polarizare mai pregnant dect cel de conducie. Rezistivitatea materialelor electroizolante este mai mare de 108 m, iar limea benzii interzise este mai mare de 3 eV. Materialele electroizolante au gam larg de aplicaii n electronic. Una dintre cele mai importante aplicaii ale acestor materiale este cea de izolator electric. O alt utilizare care li se d n electronic este cea de dielectric pentru condensatoare. Pe lng aceste utilizri, materialele dielectrice au o serie de alte aplicaii: materialele piezoelectrice n traductoarele cu ultrasunete, n dozele de chitar, difuzoare piezoelectrice, rezonatoare piezoelectrice, iar materialele piroelectrice se folosesc n senzorii de cldur. Cristalele lichide se folosesc n afiajele cu cristale lichide, electreii n microfoanele i n copiatoare. Materialele dielectrice se polarizeaz cnd sunt introduse n cmp electric. Materialul polarizat se caracterizeaz prin moment de dipol electric nenul. Polarizaia poate fi temporar cnd momentul de dipol este indus de un cmp electric, sau permanent. Polarizaia electric reprezint starea materiei caracterizat prin moment electric al unitii de volum nenul. Polarizaia poate fi: polarizaie temporar dac depinde de cmpul electric n care este situat materialul; polarizaie permanent dac este independent de cmpul electric.
42
Materiale dielectrice
Polarizaia temporar poate fi polarizaie de deplasare sau polarizaie de orientare. Polarizaia de deplasare poate fi ionic (deplasarea ionilor sub aciunea cmpului electric) sau electronic. Polarizaia de orientare reprezint orientarea momentelor electrice pe direcia cmpului electric. n absena cmpului electric, momentele electrice sunt dispuse aleator. Polarizaia permanent poate fi polarizaie spontan sau piezoelectric.
2.1. Clasificarea materialelor dielectrice
Clasificarea dielectricilor se poate face dup mai multe criterii de clasificare. a. n funcie de starea de agregare, materialele dielectrice pot fi clasificate n: dielectrici gazoi (gaze: aer, bioxid de carbon, oxigen, azot, heliu, hidrogen, argon, tetraclorur de carbon, hexaclorur de sulf etc); dielectrici lichizi (uleiurile minerale i sintetice: uleiul de transformator, uleiul de cablu, uleiul de condensator, uleiuri clorurate, uleiuri fluorurate, uleiuri siliconice etc); dielectrici solizi (organici: celuloza, cauciucul, polimerii, monomerii, materiale sintetice i anorganici: oxizi ai metalelor, sticla, mica i materiale pe baz de mic, materiale ceramice etc). b. n funcie de tipul moleculei, dielectricii se clasific n: dielectrici polari (cristale ionice, parafina etc); dielectrici nepolari (gaze monoatomice, solide i lichide nepolare etc).
43
c. n funcie de variaia proprietilor fizice dup diferite direcii n material: dielectrici izotropi (materialele piezoelectrice etc); dielectrici anizotropi (sticla, parafin etc). d. n funcie de structura microscopic: dielectrici cristalini (cristale ionice etc); dielectrici mesomorfi (cristalele lichide); dielectrici amorfi (parafina, sticla etc). e. n funcie de structura macroscopic: dielectrici omogeni; dielectrici neomogeni. f. n funcie de comportarea cu temperatura: dielectrici termoplastici (materiale care trec din starea solid n starea lichid prin modificarea treptat a vscozitii); dielectrici termorigizi (materiale care la creterea temperaturii nu trec n stare lichid, ci se carbonizeaz).
2.2. Principalele proprieti ale dielectricilor i dependena lor de diferii factori
n funcie de aplicaia specific n care sunt utilizate materialele dielectrice, acestea trebuie s aib o serie de caracteristici. Proprietile materialelor dielectrice pot fi mprite n proprieti electrice (permitivitatea dielectric, rezistivitate, etc) i proprieti ce in de diveri ali factori (rezisten mecanic, conductivitatea termic, mbtrnire lent, rezistena la factorii de mediu, etc). Proprietile materialelor dielectrice depind de o serie de factori: compoziia
44
chimic a materialului, forele de legtur care apar ntre atomi i molecule, defectele de reea, temperatura, frecvena de lucru etc.
2.2.1. Proprietile electrice Principalele proprieti electrice ale dielectricilor sunt permitivitatea dielectric, tangenta unghiului de pierderi, rezistivitatea de volum i de suprafa, conductivitatea electric i rigiditatea dielectric. a) Permitivitatea dielectric relativ Permitivitatea dielectric relativ (r) este o mrime care caracterizeaz starea de polarizaie a materialului i se definete ca fiind raportul dintre capacitatea CX a unui condensator avnd ca dielectric materialul respectiv i capacitatea C0 a aceluiai condensator avnd ca dielectric vidul (sau aerul):
r = CX C0
(2.1)
Permitivitatea dielectric relativ este o mrime supraunitar, adimensional i ia valori cuprinse ntre 1 (pentru gaze) i mii sau chiar zeci de mii n cazul feroelectricilor. Valorile ei pentru cteva materiale electroizolante sunt indicate n tabelul 2.1 Permitivitatea absolut a materialului se obine nmulind permitivitatea relativ cu permitivitatea vidului: = r 0 = (1 + e ) 0 [F m] unde: este permitivitatea absolut a materialului, 0 este permitivitatea absolut a vidului, iar e este susceptibilitatea electric a materialului Permitivitatea absolut a vidului este:
0 = 1 = 8,854 1012 [F m] 4 9 109
(2.2)
(2.3)
45
Tabelul 2.1 Valorile permitivitii relative. Materialul Aer Azot Dioxid de carbon Heliu Hidrogen Polietilen Ulei de transformator Ulei de cablu Ulei pentru condensator (A-50) Ap Policlorur de vinil (PVC) Plexiglas Nylon Rini siliconice Rin fenolformaldehidic Rin anilinoformaldehidic Hrtie (celuloz) Sticl Ceramic Mic Clorur de sodiu r 1,000594 1,0003 1,00050 1,000072 1,00014 2,80 2,2-2,4 2,1-2,3 5 81 3,18 3,40 3,88 2,9-3 4,8-8,2 3,58 2-3,82 4-14 4-6,5 4-8 4,3 nepolar nepolar nepolar nepolar nepolar nepolar nepolar polar polar polar polar polar polar polar polar polar polar polar polar cristal ionic Tipul moleculei
Materialele cu permitivitate relativ mic se folosesc ca i izolatoare n circuitele electronice, precum i n dispozitivele electronice. n cazul circuitelor integrate i n mod special n cazul circuitelor de nalt frecven, utilizarea unor materiale cu permitivitate dielectric ct mai mic este esenial ntruct reduce capacitile parazite. n caz contrar, apare fenomenul de diafonie ntre trasee,
46
ceea ce afecteaz ntr-un mod negativ att performanele circuitului ct i frecvena maxim de lucru. n mod uzual, n circuitele integrate se folosete ca izolator dioxidul de siliciu SiO2, care are permitivitatea dielectric relativ 3,9. Dac dioxidul de siliciu este dopat cu fluor, permitivitatea dielectric relativ scade sub 3,5. Utilizarea unor materiale poroase ca i izolator scade i mai mult permitivitatea dielectric, aceasta avnd valori cuprinse ntre 1 i 3, n funcie de materialul utilizat. Materialele cu permitivitate dielectric ridicat se folosesc ca i dielectrici pentru condensatoare, precum i n componentele electronice semiconductoare ca nlocuitor pentru dioxidul de siliciu (SiO2) folosit ca i izolator la poarta tranzistoarelor MOS, n special n aplicaiile cu consum redus. Dac pelicula de oxid de sub poarta tranzistorului este sub 2 nm, curentul de pierderi este semnificativ. n aceast situaie se impune creterea grosimii stratului de dielectric, fr a reduce capacitatea.
Gril Dren Surs
Oxid n p n
Substrat
Fig. 2.1 Structura unui tranzistor MOS.
Permitivitatea dielectric relativ depinde de temperatur, umiditate, de solicitrile mecanice, de parametrii tensiunii aplicate, etc.
47
b) Tangenta unghiului de pierderi Tangenta unghiului de pierderi (tg) sau factorul de pierderi caracterizeaz pierderile totale din dielectric. Pierderile de energie din dielectric sunt datorate att fenomenului de polarizaie ct i fenomenului de conducie care apare n material. Unghiul de pierderi () este complementul unghiului de defazaj () dintre tensiunea U aplicat la bornele condensatorului avnd ca dielectric materialul respectiv i curentul I prin dielectricul dintre armturile condensatorului:
= 2
(2.4)
Dac considerm schema echivalent paralel a unui condensator real, curentul total I este suma curentului reactiv (capacitiv) IC i a curentului activ Ia.
IC I
Ia U
Fig. 2.2 Diagrama fazorial n cazul unui condensator real.
Tangenta unghiului de pierderi este dat de raportul dintre puterea activ (Pa) i puterea reactiv (Pr), care n cazul schemei echivalent paralel a condensatorului real va fi:
tg = Pa Ia = Pr IC
(2.5)
i tangenta unghiului de pierderi este influenat de intensitatea cmpului electric, de frecven, de temperatur, de umiditate, etc.
48
c) Rezistivitatea Rezistivitatea este proprietatea unui material de a se opune trecerii curentului electric. Pentru materialele dielectrice solide putem defini rezistivitatea de volum i rezistivitatea de suprafa. Rezistivitatea de volum (V) este numeric egal cu rezistena n curent continuu msurat ntre feele opuse ale unui cub din material cu latura l de 1m (fig. 2.3). Rezistivitatea de volum se msoar n m i este o mrime de material care nu depinde de dimensiunile fizice ale materialului msurat. Rezistivitatea de volum se calculeaz cu relaia: S l2 = RV = RV 1m (2.6) l l unde: V este rezistivitatea de volum; RV rezistena msurat n curent continuu, S=l2 aria seciunii strbtute de curent (aria electrodului); l distana dintre electrozi (grosimea materialului) V = RV
l UV IV l l l=1m
Fig. 2.3 Msurarea rezistivitii de volum.
Rezistivitatea este o mrime caracteristic fiecrui tip de material i st la baza calculrii rezistenei electrice cu relaia:
R = l S
(2.7)
49
Rezistivitatea de suprafa (S) este numeric egal cu rezistena msurat n curent continuu a unui ptrat delimitat la suprafaa materialului izolator de doi electrozi paraleli.
U L
Fig. 2.4 Msurarea rezistivitii de suprafa. Exist mai multe metode pentru determinarea rezistivitii de suprafa. Prima metod const n utilizarea a doi electrozi sub form de cuit care delimiteaz un ptrat la suprafaa materialului (figura 2.4), iar a doua metod const n utilizarea a doi electrozi circulari concentrici. Rezistivitatea de suprafa se determin ca raportul dintre tensiunea U per unitatea de lungime L i curentul de suprafa IS per unitatea de lime D: U U D S = L = IS IS L D unde: S este rezistivitatea de suprafa; U tensiunea dintre electrozi, IS curentul ce strbate suprafaa materialului L distana dintre electrozi, iar D lungimea electrozilor Dac D=L, atunci: (2.8)
50
U = RS lS
S =
(2.9)
Rezistivitatea de suprafa se msoar n i nu depinde de dimensiunile fizice ale materialului, dar depinde de compoziia chimic i de structura materialului msurat, de impurificarea suprafeei, de gradul de prelucrare al suprafeei, de temperatur, de umiditate etc. Rezistivitatea de suprafa poate fi msurat i cu doi electrozi circulari concentrici la fel ca i n figura 2.5. R1 este raza exterioar a electrodului central, iar R2 este raza interioar a electrodului exterior. Densitatea curentului de suprafa JS este:
JS (r ) = IS 2 r
(2.10)
R2 R1
Fig. 2.5 Msurarea rezistivitii de suprafa cu doi electrozi circulari concentrici.
Cu r s-a notat raza, care variaz ntre R1 i R2. Curentul care apare ntre electrozi trece doar printr-o pelicul subire de la suprafaa materialului, nu prin tot materialul. Legea lui Ohm descrie relaia dintre densitatea de curent J i intensitatea curentului electric. Aceast lege este adevrat i n cazul curenilor de suprafa:
E S
S I S 2 r
R2
51
JS =
(2.11)
Din ecuaiile 2.10 i 2.11 obinem intensitatea cmpului electric:

E (r ) =
(2.12)
Integrnd aceast relaie se obine tensiunea dintre electrozi:

U1,2 = S I S dr = 2 r R2 I R2 1 I = S S dr = S S ln R 1 r R1 2 2
R1
E (r )dr =
R2
R1
(2.13)
Din aceast relaie putem scoate rezistivitatea de suprafa:
S =
U1,2 2 I S ln R2 R1
(2.14)
U1,2 este rezistena de suprafa RS. Fcnd aceast IS nlocuire obinem:

Dar
S = 2 RS = kRS R2 ln R1
(2.15)
unde k =
2 este coeficientul de geometrie. R2 ln R1
d) Conductivitatea Conductivitatea () este mrimea fizic care caracterizeaz capacitatea unui material de a permite transportul sarcinilor electrice atunci cnd este plasat n cmp electric. Unitatea de msur pentru conductivitate este siemens pe metru (S/m). Inversul conductivitii electrice este rezistivitatea.
52
Conductivitatea unui material se definete ca fiind raportul dintre densitatea de curent J, produs prin plasarea materialului respectiv ntr-un cmp electric de intensitate E:
= J E
(2.16)
e) Rigiditatea dielectric Rigiditatea dielectric (Estr) este valoarea minim a cmpului electric uniform la care apare strpungerea materialului. Strpungerea dielectricului poate avea loc n interiorul materialului sau pe suprafaa materialului. De obicei strpungerea dielectricilor solizi duce la carbonizarea materialului n zona unde a aprut strpungerea. Canalele care apar n urma strpungerii au o conductivitate mult mai mare dect a materialului dielectric. Aceste canale au forme neregulate i seciuni mici. Datorit factorilor de mediu (umiditate, temperatur, etc), rigiditatea de suprafa poate s scad i s apar strpungeri la suprafaa materialului. Pentru a evita aceasta, suprafaa dielectricului poate fi protejat prin acoperire cu lacuri electroizolante. Aceast msur se aplic n mod special materialelor poroase, higroscopice. Rigiditatea dielectric este dat de raportul dintre tensiunea de strpungere Ustr i distana dintre electrozi d:
Estr = Ustr d
(2.17)
Tensiunea de strpungere (Ustr) este tensiunea minim la care apare strpungerea materialului. Exist dou metode pentru determinarea tensiunii de strpungere: n curent alternativ sau n impulsuri. Determinarea tensiunii de strpungere n curent alternativ se face la frecvena reelei (50 sau 60 Hz), iar pentru determinarea tensiunii de strpungere n impulsuri se aplic impulsuri de 1,2/50 s. Rigiditatea dielectric determinat experimental depinde de o serie de factori exteriori (temperatur, umiditate, forma electrozilor i natura lor, distana dintre elctrozi, viteza de cretere a tensiunii aplicate, frecvena etc). Dac nu se poate obine cmp uniform n material i eliminarea influenei factorilor exteriori, atunci se poate
53
determina rigiditatea dielectric tehnic, sau rigiditatea dielectric practic. Aceasta se determin n anumite condiii fizice de experiment standardizate, utiliznd relaia 2.17. Rigiditatea dielectric tehnic poate fi util pentru a compara diferite materiale. La alegerea grosimii dielectricului i a distanei dintre traseele conductoare trebuie inut cont de rigiditatea dielectric a materialului utilizat. n tabelul 2.2 este prezentat valoarea rigiditii dielectrice a unor materiale izolatoare frecvent utilizate.
2.2.2. Alte proprieti ale materialelor dielectrice Proprietile fizico-chimice ale materialelor dielectrice sunt higroscopicitatea, solubilitatea, porozitatea, densitatea, stabilitatea termic, conductivitatea termic etc. Higroscopicitatea reprezint proprietatea unui material de a absorbi umiditatea din atmosfer. Aceast proprietate este influenat de natura materialului, de structura sa molecular, de temperatur i de umiditatea relativ. Absorbia umezelii este n general urmat de dilatarea materialului. Absorbia umiditii din atmosfer duce la alterarea proprietilor electrice ale dielectricilor. Rigiditatea dielectric a materialelor scade dac acestea absorb umiditatea din atmosfer. Materialele cu o structur compact (mica, sticla, foliile sintetice etc) nu absorb umiditatea, dar materialele poroase, cum este celuloza i fibrele textile, absorb umiditatea. Solubilitatea reprezint proprietatea unui material de a se dizolva ntr-un solvent. Solubilitatea depinde de structura corpului i de mrimea forelor intermoleculare. Dac forele de legtur dintre molecule sunt slabe, micromoleculele solventului ptrund printre moleculele materialului rupnd legturile chimice dintre molecule, iar materialul respectiv se va dizolva n solvent. Materialele care au fore de legtur puternice nu sunt solubile, cel mult permit o ndeprtare limitat a moleculelor, ceea ce va duce la umflarea lor.
54
Tabelul 2.2 Rigiditatea dielectric a unor materiale izolatoare. Materialul electroizolant Sticla de cuar Dioxid de siliciu (SiO2) Ceramic electrotehnic Mica muscovit Mica flogopit Micalex PET Polietilentereftalat Sticlostratitex S 673 T Poliester Polietilen Polistiren PVC Ebonit Cauciuc siliconic Rini epoxidice Nomex (hrtie poliamidic) Hrtie de condensator Prepan Ulei de transformator Ulei pentru condensator Uleiuri siliconice Uleiuri fluorurate Aer Dioxid de carbon Azot Hidrogen Rigiditatea dielectric [kV/mm] 1040 500 2040 >80 >60 1020 16 11,516,1 1014 2050 5070 4075 1229 1229 2035 2040 2850 912 1522 20 35 2832 3,2 2,88 3,2 1,92
55
Porozitatea este proprietatea unui material de a fi poros. Porii reprezint goluri de mici dimensiuni din structura unui material solid. Porozitatea reprezint o component important a structurii materialelor dielectrice, deoarece influeneaz semnificativ proprietile electrice ale acestora. Gradul de umplere cu pori a unui material dielectric este dat de porozitatea total i de porozitatea aparent. Porozitatea total (Ptot) sau porozitatea absolut reprezint volumul tuturor porilor din unitatea de volum i se definete ca fiind raportul dintre volumul porilor (Vp) i volumul aparent al materialului (Vmat). Pt [%] = Vp 100 Vmat (2.18)
Porozitatea total se exprim n procente. Porozitatea aparent (Pa) (deschis) reprezint volumul porilor deschii ai materialului dielectric raportat la volumul total al materialului. n practic, porozitatea aparent se determin fcnd diferena dintre masa materialului saturat cu ap (m2) i masa materialului uscat (m1), raportat la masa materialului uscat.
Pa [%] = m2 m1 100 m1
(2.19)
Prin impregnare, sau lcuire, porii materialelor dielectrice pot fi nchii, ceea ce duce la o reducere a umiditii absorbite i implicit o mbuntire a proprietilor electroizolante ale acestora. Densitatea () unui material se definete ca find raportul dintre masa (m) i volumul (V) corpului respectiv.
= m V
(2.20)
Proprietile mecanice i termice ale materialelor dielectrice sunt strns legate de structura i forele de legtur dintre molecule. Temperatura de nmuiere este temperatura la care fluiditatea materialului este suficient de mare astfel nct acesta s se deformeze sub propria greutate
56
Materialele care se nmoaie la creterea temperaturii se numesc materiale termoplastice. Dac temperatura depete o anumit valoare, materialele termoplastice se topesc. La rcire, aceste materiale i recpt proprietile. Materialele care au forele de legtur dintre molecule mai puternice (cum este cazul polimerilor cu molecule spaiale sau reele moleculare) au o plasticitate redus i o rezisten mecanic mare. Aceste materiale se numesc termorigide sau termoreactive. La creterea temperaturii, materialele termorigide sufer modificri structurale ireversibile. Dac un material termorigid este nclzit pn la nmuiere i apoi rcit, acesta i modific proprietile. Conductivitatea termic caracterizeaz capacitatea materialelor de a transmite cldura, atunci cnd materialul este supus la o diferen de temperatur. n general, materialele cu conductivitate termic mare au i o conductivitate electric ridicat. Materialele dielectrice n marea lor majoritate au o conductivitate termic destul de mic. Exist i unele excepii, unele materiale izolatoare din punct de vedere electric conduc foarte bine cldura. Un astfel de exemplu este diamantul care este un bun izolator din punct de vedere electric (conductivitatea electric este ca ordin de mrime 10-16 S/m), dar conduce foarte bine cldura (conductivitatea termic fiind n jur de 1000 W/mK pentru diamantul natural i 2000-2500 W/mK pentru diamantul sintetic pur). n electronic se folosesc materiale care au o rezisten termic mic pentru transferul cldurii de la jonciune spre mediul exterior. Eforturile actuale sunt orientate pentru obinerea unor materiale cu coeficient de transfer termic ct mai bun. Pentru o rcire eficient, se impune utilizarea unor materiale cu rezisten termic ct mai mic, chiar din interiorul componentei. La realizarea componentelor i dispozitivelor electronice trebuie s se in cont i de coeficienii de expansiune termic ai diferilelor materiale utilizate. Coeficienii de expansiune termic trebuie s fie ct mai apropiai pentru a se reduce la minim solicitrile mecanice care apar ntre acestea datorit nclzirii componentei. La ora actual exist materiale compozite polimerice cu coeficieni de conductivitate termic mari, comparabili cu ai metalelor, dar au dezavantajul c prezint o neliniaritate crescut a conductivitii termice cu temperatura comparativ cu metalele utilizate n mod uzual la rcire
57
(aluminiul). Aceste materiale au toate proprietile polimerilor: densitate mic, pot fi prelucrate sub form de folii sau fibre, sunt mai ieftine dect metalele. Utilizarea acestor polimeri cu conductivitate foarte bun n locul metalelor duce la reducerea preului de cost i a greutii echipamentului electronic. Materialele compozite polimerice armate cu metale sau fibre de carbon se utilizeaz i la fabricarea procesoarelor. Stabilitatea termic reprezint proprietatea unui material de a-i pstra caracteristicile la variaiile de temperatur. nclzirea materialului peste o anumit temperatur duce la modificri ireversibile n structura acestuia. mbtrnirea termic reprezint procesul de degradare a proprietilor unui material datorit aciunii temperaturii. Creterea temperaturii duce la o accelerare a mbtrnirii termice datorit modificrilor ireversibile care apar n structura molecular a materialului.
2.3. Strpungerea materialelor dielectrice
Dac tensiunea aplicat dielectricului este mai mare dect tensiunea de strpungere Ustr, respectiv dac intensitatea cmpului electric aplicat este mai mare dect rigiditatea dielectric Estr apare fenomenul de strpungere a dielectricului. n acest moment, densitatea curentului electric crete rapid cu creterea cmpului. Valoarea rigiditii dielectrice depinde de o serie de factori: frecvena; curba de variaie a tensiunii aplicate; viteza de variaie a tensiunii aplicate; dimensiunile i omogenitatea materialului dielectric; direcia cristalin de aplicare a tensiunii;
58
prezena impuritilor i a umezelii; existena unor incluziuni gazoase; natura, dimensiunile i forma electrozilor; temperatura i presiunea etc.
E Estr
Fig. 2.6 Variaia densitii de curent cu cmpul electric aplicat.
Dependena rigiditii dielectrice de aceti factori face dificil de determinat rigiditatea dielectric ca mrime intrinsec de material. Din acest motiv, valoarea rigiditii dielectrice se determin n anumite condiii reglementate prin standarde. Valoarea determinat nu este o mrime intrinsec de material, dar este util pentru alegerea materialelor electroizolante n funcie de aplicaia specific.
2.3.1. Strpungerea gazelor Strpungerea gazelor apare n cmpuri electrice (E>105 V/m) i prezint cteva particulariti. Strpungerea este un fenomen reversibil. Dac gazul nu sufer modificri proceselor chimice, acesta i va recpta proprietile de dup dispariia cmpului electric aplicat. Strpungerea depinde de gradul de uniformitate a cmpului electric. intense gazelor datorit izolator gazelor
59
Fenomenul de strpungere care apare n gaze este legat de ionizrile prin ciocnire. Teoria avalanelor elaborat de Townsend, explic mecanismul strpungerilor care apar n gaze. Purttorii de sarcin existeni n gaz sunt puternic accelerai sub aciunea cmpului electric aplicat. Distanele dintre moleculele gazului sunt mult mai mari dect n cazul solidelor sau lichidelor, iar distana medie parcurs de purttorii de sarcin sub aciunea cmpului electric este semnificativ ~ mai mare dect n cazul lichidelor sau a solidelor. Dac notm cu l distana medie parcurs de un electron ntre dou ciocniri succesive cu particulele de gaz. n urma ciocnirii, electronul cedeaz o parte din energia sa particulei cu care s-a ciocnit. n cmpuri electrice intense, energia electronului este suficient de mare astfel nct s rmn cu o parte din energia acumulat. Prin efect cumulativ, dup un anumit numr de ciocniri, electronul va acumula suficient energie astfel nct s produc ionizarea particulei cu care se ciocnete. n urma acestei ciocniri, electronul care a ciocnit atomul de gaz va mai smulge un electron din nveliul electronic al acestuia. Procesul se reia, iar cei doi electroni vor mai extrage doi electroni. Dup un anumit numr n de ciocniri, vor rezulta 2n electroni. Astfel, vom avea o avalan de electroni care n final duce la strpungerea gazului. Valoarea sczut a rigiditii dielectrice a gazelor este explicat prin faptul c electronul acumuleaz o energie relativ mare ntre dou ciocniri succesive. Aceasta se datoreaz distanei mari pe care o strbate electronul sub aciunea cmpului electric. Tensiunea de strpungere a gazelor depinde de presiune i distana dintre electrozi. Aceast dependen a fost stabilit n anul 1889 de F. Pashchen i este cunoscut ca legea lui Paschen. Conform legii lui Paschen, tensiunea de strpungere este: Ustr = Bpd C + ln(pd ) (2.21)
Iar rigiditatea dielectric: Bp C + ln(pd ) unde: p este presiunea; d distana dintre electrozi; Estr = (2.22)
60 A
; 1 ln 1 + A i B constante de material; al doilea coeficient de ionizare al lui Townsend. Al doilea coeficient de ionizare al lui Townsend ( ) este egal cu numrul de electroni secundari emii de catod n unitatea de timp, pe unitatea de suprafa. Acest coeficient depinde de materialul din care este realizat catodul, de gazul n care se produce descrcarea i de raportul U/d. De exemplu, pentru aer avem: A=15 [cm-1Torr-1] B=365 [Vcm-1Torr-1] =10-2 C=1,18 Dependena tensiunii de strpungere Ustr de produsul pd n cazul aerului, azotului i hidrogenului este prezentat n figura 2.7. Din aceast figur se observ c tensiunea de strpungere este dependent de produsul dintre presiune i distana dintre electrozi, avnd o valoare minim pentru o anumit valoare a produsului pd, notat (pd)min. Astfel, dac considerm distana dintre electrozi constant, iar presiunea crete peste valoarea pmin, tensiunea de strpungere Ustr crete i implicit crete i rigiditatea dielectric Estr deoarece scade distana medie parcurs de un electron ntre dou ciocniri. Dac presiunea scade sub valoarea pmin, tensiunea de strpungere Ustr crete deoarece scade probabilitatea ciocnirii purttorilor de sarcin cu moleculele gazului. De acest lucru se ine cont la construcia echipamentelor de nalt tensiune (contactoare, ntreruptoare, etc) unde se utilizeaz gaze la presiuni foarte sczute (vid) sau foarte ridicate (gaz sub presiune).
C = ln
61
U[V] Aer 104 Hidrogen 103 Ustr min aer 102 10

-1
(pd)min aer 1
pd 10 10
2
10 [Torrcm]
Fig. 2.7 Variaia tensiunii de strpungere n funcie de produsul pd.
Din curbele lui Paschen se observ c exist o tensiune de strpungere minim sub care nu mai poate avea loc strpungerea gazului, indiferent de presiunea gazului sau de distana dintre electrozi. Aceast valoare minim a tensiunii la care poate s apar strpungerea corespunde valorii (pd)min. n tabelul 2.3 este dat tensiunea minim, pentru cteva gaze, la care se poate produce strpungerea gazului.
Tabelul 2.3 Valoarea minim a tensiunii de strpungere a unor gaze. Gazul Aer Argon Hidrogen Heliu Dioxid de carbon (CO2) Azot Protoxid de azot (N2O) Oxigen Dioxid de sulf (SO2) Hidrogen sulfurat (H2S) Ustr min [V] 327 137 273 156 420 251 418 450 457 414 (pd)min [torr cm] 0,567 0,9 1,15 4,0 0,51 0,67 0,5 0,7 0,33 0,6
62
Rigiditatea dielectric a gazelor depinde i de frecven. La frecvene mici (<104 Hz) rigiditatea dielectric Estr nu depinde de frecven. Pentru frecvene cuprinse ntre 104 Hz i 106107 Hz, rigiditatea dielectric scade cu creterea frecvenei, datorit acumulrii de sarcin spaial n gaz. Sarcina spaial se acumuleaz datorit vitezelor diferite pe care le au ionii pozitivi i electronii. Pentru frecvene mai mari de 106107 Hz, rigiditatea dielectric crete cu frecvena, deoarece durata procesului de ionizare prin ciocnire. care este de ordinul 10-710-8 secunde, devine comparabil cu semiperioada cmpului electric aplicat, iar electronii trebuie accelerai ntr-un cmp mult mai puternic pentru a reui s acumuleze energia de care au nevoie pentru a ioniza gazul. Ali factori care influeneaz rigiditatea dielectric a gazelor sunt: distana dintre electrozi Estr scade cu creterea distanei; temperatura Estr scade cu creterea temperaturii; umiditatea Estr scade cu creterea umiditii; durata i forma tensiunii aplicate etc.
2.3.2. Strpungerea lichidelor electroizolante Strpungerea lichidelor electroizolante este un fenomen mult mai complex dect cel al strpungerii gazelor. Au fost elaborate mai multe teorii, dar nici una din aceste teorii nu surprinde complet fenomenul strpungerii lichidelor. Teoriile care explic strpungerea lichidelor se mpart n trei categorii: Teorii bazate pe ionizrile moleculelor de lichid; Teorii bazate pe existena unor bule de gaz n lichid; Teorii bazate pe existena unor ci conductoare ntre electrozi.
63
Teoria ionizrii a fost elaborat de Peek i este asemntoare cu teoria lui Townsend de la gaze, fiind o extindere a acestei teorii. n cazul lichidelor, drumul mediu parcurs de purttorii de sarcin ntre dou ciocniri este mult mai mic dect la gaze, deoarece distana dintre moleculele lichidului este mai mic. Deoarece distana parcurs de purttorii de sarcin ntre dou ciocniri este mai mic, energia acumulat ntre dou ciocniri este mai mic i este nevoie de cmpuri electrice mult mai intense pentru a se strpunge lichidul. n cadrul acestor teorii se consider c electronii emii de electrozi au un rol determinant. Emisia electronilor de ctre catod este urmat de un proces de multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin, datorit accelerrii lor sub aciunea cmpului electric. Dac n urma ciocnirii purttorii de sarcin rmn cu un rest de energie, atunci este posibil apariia avalanelor. Energia cu care rmn purttorii de sarcin dup ciocnire este: Wr = q E lmed h ff (2.23)
unde: q este sarcina purttorului de sarcin (electron sau ion); E intensitatea cmpului electric; lmed distana medie parcurs de purttorii de sarcin ntre dou ciocniri; hff energia pierdut n urma ciocnirii cu o molecul de lichid; h=6,610-34 Js constanta lui Plank; ff frecvena de oscilaie a moleculei. Prin lichid se va stabili un curent de intensitate:
i = i 0 e d
(2.24)
unde: este coeficientul de ionizare i depinde de intensitatea cmpului electric; d distana dintre electrozi. Teoria bulelor de gaz din lichid afirm c strpungerea se produce n bulele care se formeaz n lichid. Aceste bule pot s apar din mai multe cauze (disocierea moleculelor de lichid, vaporii produi de nclzirea lichidului, etc). Densitile mari ale curentului electric care apar n zona asperitilor de pe electrozi duc la nclzire local a lichidului i apariia bulelor de gaz. Deoarece rigiditatea dielectric a
64
vaporilor este mult mai mic dect n cazul lichidului apare strpungerea lichidului. Teoria cilor conductoare ntre electrozi presupune existena unor particule izolante sau conductoare n lichid. Impuritile conductoare rezultate din descompunerea lichidului sau particulele metalice aflate n lichid pot crea puni de legtur ntre electrozi. Formarea punilor duce la o scdere a rigiditii dielectrice a materialului. Sub influena cmpului electric, particulele izolatoare aflate n suspensie n lichid pot avea un moment electric indus i ca urmare sunt atrase n zona dintre electrozi. Dac lichidul este n micare (agitat) nu se mai pot forma punile de legtur, iar rigiditatea dielectric crete. De asemenea, dac lichidul are un grad de puritate ridicat, aceast teorie nu este valabil. Teoretic, lichidele electroizolante pure au rigiditatea dielectric cu circa un ordin de mrime mai mare dect gazele. Aceasta se explic prin reducerea drumului mediu strbtut de purttorii de sarcin ntre dou ciocniri, datorit densitii mult mai mari a moleculelor. Prezena impuritilor n lichidele electroizolante duce la reducerea rigiditii dielectrice. Cele mai utilizate lichide electroizolante sunt uleiurile minerale. Uleiurile minerale sufer un proces de mbtrnire care le altereaz proprietile electrice i fizice. mbtrnirea uleiurilor minerale duce la o scdere semnificativ a rigiditii dielectrice. Factorii care contribuie la mbtrnirea uleiului sunt: temperatura ridicat, oxigenul, cmpul electric, arcul electric, lumina, etc. Temperatura ridicat favorizeaz reaciile chimice de descompunere a uleiului. Oxigenul formeaz cu hidrocarburile din ulei acizi liberi care corodeaz metalele i nrutesc caracteristicile izolaiei impregnate sau aflat n contact cu uleiul. Cmpul electric duce la disocierea moleculelor uleiului, rezultnd produse insolubile n ap. Descrcrile electrice care apar n timpul strpungerii descompun uleiul n produse gazoase (hidrogen i hidrocarburi), lichide (ap) i solide (negru de fum). Produsele
65
rezultate ca urmare a strpungerii dielectricului lichid pot nruti dramatic proprietile electrice ale acestuia, dar cazurile de formare a scurtcircuitelor permanente n urma strpungerii sunt rare. Recptarea proprietilor lichidelor electroizolante dup strpungere este doar parial.
2.3.3. Strpungerea solidelor electroizolante Strpungerea dielectricilor solizi este un proces mult mai complex dect n cazul lichidelor. Strpungerea unui material dielectric solid const n creterea concentraiei de purttori de sarcin i implicit o cretere a densitii curentului de conducie care strbate materialul. Experimental s-a constatat c valoarea rigiditii dielectrice depinde de structura fizico-chimic i de defectele de material. Rigiditatea dielectric scade cu creterea concentraiei de impuriti din material. Se constat o influen a grosimii materialului asupra valorii rigiditii dielectrice. Teoriile care explic strpungerea solidelor se pot mpri n mai multe categorii, n funcie de factorii predominani: strpungere electric, termic, electromecanic, prin descrcri pariale, a) Teoria strpungerii termice presupune c nclzirea dielectricului datorit curentului de conducie sau datorit proceselor de relaxare care apar n dielectric la aplicarea unui cmp electric variabil n timp are un rol determinant la scderea rigiditii dielectrice a acestuia. n cazul cmpurilor invariabile n timp, exist doar pierderi de conducie, dar dac cmpul este variabil n timp, pe lng pierderile de conducie mai apar i pierderile prin polarizaie, datorate orientrii dipolilor electrici. Aceasta ne ndreptete s afirmm c rigiditatea dielectric n curent alternativ este mai mic dect n curent continuu. Creterea frecvenei duce la scderea rigiditii dielectrice. Datorit conductivitii termice reduse a dielectricului, cldura generat n dielectric poate fi mai mare dect cldura ce poate fi disipat n exterior. Astfel, puterea disipat n dielectric duce la o cretere continu a temperaturii dielectricului, ceea ce provoac
66
apariia unei instabiliti termice (ambalare termic a dielectricului). Creterea temperaturii duce la generarea termic de electroni, prin tranziia lor din banda de valen n banda de conducie. Dac temperatura dielectricului depete o valoare critic TC a temperaturii, atunci se produce deteriorarea ireversibil a dielectricului prin topirea acestuia sau descompunerea chimic datorit temperaturii ridicate. n figura urmtoare este prezentat variaia puterii dezvoltate ntr-un dielectric (P1 la Eef1, P2 la Eef2, P3 la Eef3) pentru trei valori ale cmpului electric (Eef1<Eef2<Eef3) i a puterii disipate, prin conducie termic, de dielectric n exterior (Pd). S-a notat cu TA temperatura mediului ambiant. Dac cmpul electric stabilit are valoare Eef1, temperatura dielectricului crete pn cnd este atins temperatura T1. La aceast temperatur se realizeaz un echilibru ntre puterea dezvoltat n dielectric i cea disipat de dielectric n mediul exterior. Dac se depete T1 puterea disipat n exterior este mai mare dect puterea generat n interior i corpul se rcete, temperatura revenind la T1. Dac intensitatea cmpului electric crete la valoarea Eef2, temperatura la care se stabilete echilibrul termic este mai mare (T2>T1). Dac temperatura crete uor peste T2, puterea dezvoltat n material este mai mare dect cea care poate fi disipat n exterior, ceea ce va duce la o ambalare termic i n final la strpungerea materialului. Temperatura T2 reprezint valoarea maxim la care se poate menine un regim staionar. Dac intensitatea cmpului electric este mai mare dect Eef2, temperatura n dielectric va crete continuu pn cnd acesta se va strpunge. Eef2 reprezint valoarea maxim a intensitii cmpului electric n dielectric. Se disting dou cazuri limit ale strpungerii termice: Strpungerea termic staionar presupune o cretere lent a tensiunii aplicate, astfel nct dielectricul va rmne la echilibru termic (cldura dezvoltat n dielectric este egal cu cea disipat n mediul exterior); Strpungerea termic de impuls se produce la cmpuri mai mici, a cror valoare depinde de amplitudinea impulsurilor i de durata lor. Strpungerea dureaz un timp foarte scurt, mult mai puin dect propagarea cldurii prin conducie termic.
67
Mecanismul strpungerii termice este cel mai simplu mecanism de strpungere.
P3 Eef3
P2 Eef2
Pd P1 Eef1
TA
T1
T2
Fig. 2.8 Puterea dezvoltat ntr-un dielectric pentru trei valori ale cmpului electric i puterea disipat mediului ambiant.
b) Teoria strpungerii electrice presupune creterea numrului de purttori de sarcin. Aceast cretere se datoreaz exclusiv aciunii cmpului electric. Strpungerea electronic poate s fie strpungere intrinsec sau strpungere n avalan. Electronii liberi existeni n dielectric sau provenii de la electrozi, accelerai sub aciunea cmpului electric, pot ceda ntreaga lor energie reelei cristaline, n urma ciocnirii cu particulele din nodurile reelei. Dac intensitatea cmpului electric crete peste o anumit valoare, energia acumulat de electroni crete i ajunge s fie mai mare dect energia cedat reelei n urma ciocnirii. Dac intensitatea cmpului electric este suficient de mare, toi electronii liberi vor acumula suficient energie pentru a genera ali electroni liberi, ceea ce duce la o cretere exponenial a numrului de electroni liberi. Creterea concentraiei de electroni liberi duce la creterea densitii de curent prin dielectric i la strpungerea acestuia. c) Teoria strpungerii electromecanice presupune propagarea microfisurilor interne sau superficiale, sub aciunea forelor care se stabilesc n dielectric datorit atraciei electrostatice dintre electrozi.
68
Dac aceste fore depesc o valoare critic, care nu poate fi preluat de elasticitatea dielectricului, se produce strpungerea dielectricului. d) Teoria strpungerii de volum liber se datoreaz accelerrii purttorilor de sarcin din regiunile amorfe i ciocnirii acestora cu atomii corpului. Volumul liber este o caracteristic intrinsec a polimerilor. Polimerii sunt caracterizai de variaii ale densitii ntre regiunile cristaline i cele amorfe. S-a constatat experimental c rigiditatea dielectric a anumitor polimeri scade dac temperatura acestora depete o valoare critic situat n apropierea temperaturii de tranziie vitroas. Scderea rigiditii dielectrice a fost pus pe seama existenei volumului liber. Rigiditatea dielectric depinde de volumul liber, dar i de energia de legtur dintre diferitele lanuri moleculare, ceea ce sugereaz c mecanismul de strpungere implic ruperea lanurilor moleculare i o deformare a structurii polimerului. Electronii accelerai n cmpuri intense acumuleaz energii cinetice suficient de mari, astfel nct la ciocnirea cu moleculele polimerului s provoace ruperea lanurilor moleculare. Energia de care are nevoie electronul pentru a rupe lanurile de polimeri este de 4-5 eV. e) Teoria strpungerii prin descrcri pariale. Strpungerea se produce n dielectrici neomogeni care conin caviti umplute cu gaze. Existena cavitilor n dielectric se datoreaz procesului de fabricaie i solicitrilor la care este supus dielectricul. Diametrul cavitilor poate ajunge pn la 1 milimetru. Purttorii de sarcin din caviti sunt puternic accelerai sub aciunea cmpului electric i erodeaz pereii cavitilor, avansnd sub forma unor arborescene. Aceasta duce n timp la deteriorarea dielectricului. Strpungerea prin descrcri pariale are o evoluie lent n timp, ce depinde de intensitatea cmpului i de viteza de propagare a arborescenei. Apariia descrcrilor pariale depinde de formele i de dimensiunile cavitilor. Descrcrile pariale produc schimbri ale caracteristicilor cavitilor. S-a constatat c exist o valoare minim a tensiunii sub care strpungerea gazului din cavitate nu se produce.
69
Aceast valoare critic a tensiunii se numete tensiune de amorsare sau tensiune de iniiere. Tensiunea de amorsare depinde de natura dielectricului i a gazului, de presiunea gazului din cavitate, de forma i de dimensiunile cavitii, de temperatur, etc. Dac tensiunea aplicat este mai mare dect tensiunea de amorsare, se va produce o ionizare a moleculelor gazului i se va forma o avalan de electroni, ceea ce duce la strpungerea gazului. e) Teoria strpungerii electrochimice. Strpungerea electrochimic se produce n general n cmpuri constante sau la frecvene joase, dac n dielectric se produc procese electrochimice (descompuneri, ionizri), care duc la mbtrnirea dielectricului, la creterea conductivitii electrice i ulterior la strpungerea dielectricului. Fenomenul de strpungere electrochimic este lent, fiind legat de conductibilitatea ionic a dielectricului, ionii avnd o mobilitate destul de mic n dielectricii solizi. Acest tip de strpungere poate s apar independent sau combinat cu alte tipuri de strpungeri. Fenomenul strpungerii electrochimice este favorizat de temperaturi ridicate, de umiditate i de impuritile din material. Strpungerea electrochimic s-a observat n general la materialele ceramice care conin oxizi metalici cu valen variabil, cum ar fi TiO2.
2.4. Materiale dielectrice solide utilizate n electronic
Dielectricii au o serie de aplicaii n electronic: dielectrici pentru condensatoare, izolatori pentru diferite aplicaii (izolaie pentru conductoare, supori electroizolani, substrat pentru cablaje imprimate, carcase etc), materiale piezoelectrice, electrei etc. Pentru fiecare aplicaie n parte, materialele trebuie s ndeplineasc anumite condiii specifice.
70
2.4.1. Dielectrici cu polarizare de deplasare electronic Un exemplu tipic de dielectrici cu polarizare de deplasare electronic l reprezint polimerii termoplastici cu molecul nepolar. Dimensiunea longitudinal a moleculei polimerilor sintetici termoplastici este de cteva mii de ori mai mare dect cea transversal. Aceast form alungit a moleculei ofer polimerilor termoplastici anumite proprieti caracteristice. Sunt flexibili, elastici, iar la cald se deformeaz uor. Deoarece molecula nepolar prezint doar polarizare de deplasare electronic, permitivitatea dielectric relativ ia valori mici (n mod uzual ntre 2 i 3). Tangenta unghiului de pierderi ia valori mici, de ordinul 10-4. Aceste materiale au o stabilitate bun a permitivitii dielectrice n raport cu temperatura i frecvena. Tabelul 2.4 prezint permitivitatea dielectric relativ, tangenta unghiului de pierderi i rigiditatea dielectric pentru cteva materiale dielectrice cu polarizare de deplasare electronic.
Tabelul 2.4 Caracteristicile electrice ale dielectricilor cu polarizare electronic. Materialul Polietilen de mic densitate Polietilen de mare densitate Politetrafluoretilen (teflon) Polipropilen Polistiren Poliizobutilen Poliparaxilen r 2,1 2,32,4 1,92,2 2,22,3 2,52,6 2,2 2,62,7 tg 410-4 210-4 (14)10-4 (36)10-4 (14)10-4 510
-4
Estr[kV/mm] 1520 1520 2040 3032 2035 2535
(25)10-4
71
Polistirenul, polietilena, politetrafluoretilena i poliparaxilenul se utilizeaz ca dielectrici pentru condensatoare. Politetrafluoretilena se utilizeaz i ca i material izolator la frecvene ridicate, datorit pierderilor mici. Polietilena, polipropilena i poliizobutilena se utilizeaz ca izolatoare pentru cabluri.
2.4.2. Dielectrici cu polarizare de deplasare electronic i ionic Materialele dielectrice cu molecul nepolar care au legtur ionic au pe lng polarizarea de deplasare electronic i polarizare de deplasare ionic. Din acest motiv permitivitatea dielectric relativ poate avea valori mai ridicate. Pierderile dielectrice sunt mici (tg de ordinul 10-4). Permitivitatea dielectric relativ i tangenta unghiului de pierderi sunt relativ constante cu frecvena i temperatura. Din aceast categorie fac parte oxizii i compuii oxidici. Din categoria compuilor oxidici cu polarizare de deplasare electronic i ionic fac parte mica, sticlele silicat i materialele ceramice. Dielectrici oxidici n electronic se utilizeaz dielectrici oxidici datorit proprietilor dielectrice foarte bune. Cel mai utilizat este dioxidul de siliciu (SiO2). n afar de SiO2 se mai utilizeaz pentaoxidul de tantal (Ta2O5), oxidul de aluminiu (Al2O3), dioxidul de titan (TiO2), dioxidul de zirconiu (ZrO2), pentaoxidul de niobiu (Nb2O5). Dioxidul de siliciu este utilizat ca izolator la tranzistoarele MOS, ca dielectric pentru condensatoare sau ca strat de protecie. Pelicula de dioxid de siliciu se obine prin oxidare controlat la temperatur ridicat i n atmosfer bogat n oxigen. n anumite situaii SiO2 este nlocuit cu nitrura de siliciu (Si3N4). Ceilali oxizi amintii se utilizeaz ca dielectrici pentru condensatoare. Peliculele subiri ai acestor oxizi prezint proprieti dielectrice deosebite. n general, una din armturile condensatorului este chiar din metalul pe care se obine stratul de oxid dielectric.
72
Pelicula de oxid se obine prin oxidarea n atmosfer controlat a metalului respectiv. n cazul condensatoarelor electrolitice, cealalt armtur o constituie electrolitul aflat n contact cu o folie metalic, care asigur legtura cu terminalul. Tabelul 2.5 prezint valorile permitiviti dielectrice relative pentru civa oxizi utilizai n mod frecvent n electronic.
Tabelul 2.5 Permitivitatea dielectric relativ pentru civa dielectrici oxidici. Materialul SiO2 Ta2O5 Al2O3 TiO2 ZrO2 Nb2O5 r 4 27,6 10 107 27 45
Mica i produsele pe baz de mic Mica este un material cristalin din categoria silicailor de aluminiu. Pe lng oxizii de baz Al2O3 i SiO2 mica mai conine i ali oxizi metalici i grupe hidroxid. n funcie de compoziie, exist o mare varietate de tipuri de mic natural. n electronic se utilizeaz doar dou tipuri de mic natural: mica muscovit i mica flogopit. Muscovitul este un aluminosilicat de potasiu hidratat, cu structur cristalin stratificat. Fora de legtur este mult mai puternic n lungul stratului dect perpendicular pe strat, ceea ce explic uurina desfacerii n plane de clivaj. De obicei este incolor, dar uneori poate avea nuane de roz sau verde. Proprietile electrice sunt superioare flogopitului, dar proprietile termice sunt mai slabe. Rigiditatea dielectric este foarte bun (poate ajunge pn la 700MV/m). Mica muscovit se utilizeaz ca dielectric pentru condensatoare i izolator electric.
73
Flogopitul este un aluminosilicat de potasiu i magneziu hidratat. Culoarea flogopitului poate fi galben, verde-auriu sau brun nchis, spre negru. Mica flogopit are proprieti dielectrice inferioare muscovitului, dar stabilitate termic mai bun. n electronic se mai utilizeaz mica sintetic fluor-flogopit, la care radicalii OH sunt nlocuii cu ioni de fluor. Din acest motiv, mica fluor-flogopit are proprieti dielectrice mai bune dect flogopitul. Pe lng variantele de mic natural i sintetic n electronic i electrotehnic se utilizeaz o serie de produse pe baz de mic, cum ar fi: micalexul, micanitele, hrtia de mic, micafoliu etc. Micalexul este un bun izolator, cu proprieti mecanice i termice foarte bune. Se obine prin presare la cald a unui amestec din muscovit i sticl pe baz de bor-plumb. Hrtia de mic se obine din particule foarte fine de mic nglobate n rin. Hrtia de mic este mai flexibil dect mica avnd o compoziie uniform. Se prelucreaz uor prin tiere sau tanare, dar proprietile dielectrice sunt mai slabe. Este un material poros i din acest motiv este necesar impregnarea sa. Micanita este un material format din straturi de mic sau folii de mic aglomerate, lipite cu lacuri sintetice sau elac la temperaturi i presiuni ridicate. Este un izolator electric foarte bun. n funcie de coninutul de liant exist micanite de colector, micanite de garnituri, micanite flexibile, termomicanite etc. Micafoliul este un material electroizolant obinut din hrtie de mic sau foi de mic lipite cu liani pe un suport de hrtie sau estur de sticl. Sticle Sticlele fac parte din familia compuilor oxidici, avnd la baz dioxidul de siliciu (SiO2) sau oxidul de bor (B2O3) n amestec cu oxizi ai metalelor alcaline (Na2O, K2O), ai metalelor alcalino-pmntoase (CaO, BaO) sau cu ali oxizi metalici (Al2O3, PbO, ZnO). Se obin prin topirea n cuptoare a unui amestec de oxizi. Proprietile sticlelor depind de natura i proporia oxizilor din compoziia sticlei.
74
Sticla este un material amorf, cu rezisten mecanic i duritate mare. Nu au punct de topire bine definit. Prin nclzire se nmoaie treptat, ceea ce permite prelucrarea prin suflare, presare n forme, laminare, turnare etc. Permitivitatea dielectric relativ a sticlei crete cu temperatura. Tangenta unghiului de pierderi crete semnificativ cu frecvena. Rigiditatea dielectric este puin influenat de compoziia sticlei, dar este puternic influenat de incluziunile gazoase. Din sticl se realizeaz filtre, lentile, tuburi cu vid, tuburi cu descrcri n gaze, izolatori pentru telecomunicaii. Din sticlele silicat cu oxizi de Al, Ca, B i Na se obin fibre de sticl utilizate pentru obinerea esturilor de sticl. Aceste se utilizeaz ca izolator prin impregnare cu rini epoxidice, ca dielectric pentru condensatoare etc. Dielectrici ceramici Dielectricii ceramici fac parte tot din familia compuilor oxidici. Se obin din argil sau steatit la care se adaug fondani i degresani. Dup presarea n forme, piesele ceramice se usuc i se ard la 900C, se glazureaz i se ard din nou la o temperatur de 14001500C. Ceramica are o structur neomogen format din dou faze: cristalin i amorf. Proprietile ei sunt dependente de raportul dintre cele dou faze. Faza cristalin este predominant i determin principalele proprieti dielectrice: valori ridicate ale permitivitii dielectrice relative i pierderi dielectrice mici. Creterea fazei cristaline (determinat de creterea coninutului de caolin din care se formeaz cristalele de mulit) duce la creterea rezistenei mecanice i a temperaturii de utilizare. Faza amorf, de legtur ntre cristalele materialului, determin polarizri de tip structural. Creterea fazei amorfe (dat de creterea coninutului de feldspat) duce la scderea rezistenei mecanice i a rezistivitii electrice. Prezena incluziunilor gazoase n material duce la scderea rigiditii dielectrice. Ceramica prezint cteva avantaje: rezist foarte bine la aciunea arcului electric, nu prezint fenomenul de mbtrnire, are
75
stabilitate chimic bun etc. Dezavantajele principale ale materialelor ceramice sunt: rezisten la traciune mic, contracie mare la rcire i proprieti dielectrice slabe i dependente de compoziie, temperatur i frecven. Proprieti dielectrice sunt mai slabe deoarece ceramica este higroscopic. Pentru protecia mpotriva ptrunderii umiditii se glazureaz cu materiale nehigroscopice. Dielectricii ceramici din oxizi de titan i zirconiu sunt, n general, materiale feroelectrice cu valori mari ale permitivitii (mai mari de 20), cu o bun stabilitate n timp a proprietilor i cu stabilitate termic ridicat. Se utilizeaz n mod special la fabricarea condensatoarelor de nalt frecven. Ceramica steatit este utilizat la fabricarea izolatorilor de nalt sau joas tensiune, iar ceramica spinel ca dielectric pentru condensatoare de joas tensiune stabile termic. Ceramica mulitic, celsian, corund-mulitic i corund au valori mari ale rezistivitii i rigiditii dielectrice, pierderi reduse i sunt materiale nehigroscopice. Sunt utilizai ndeosebi pentru obinerea unor piese electroizolante. Creterea procentajului de BaO duce la creterea rezistivitii de volum i implicit la micorarea pierderilor dielectrice.
2.4.3. Dielectrici solizi cu polarizare de orientare Materialele dielectrice a cror molecul are moment electric propriu, prezint polarizare de orientare. Momentul electric este orientat aleatoriu n absena cmpului electric. n prezena cmpului electric, aceste momente electrice se orienteaz pe direcia cmpului. Permitivitatea dielectric relativ are valori cuprinse ntre 3 i 10. Pierderile dielectrice sunt mari (tg de ordinul 10-210-3). Permitivitatea dielectric relativ i tangenta unghiului de pierderi sunt puternic dependente de temperatur i frecven. Din aceast categorie fac parte materialele sintetice termoplastice, materialele sintetice termorigide i materialele celulozice.
76
Materialele sintetice termoplastice sunt polimeri cu molecul liniar. Datorit moleculei liniare, aceste materiale sunt flexibile, elastice i solubile n anumii solveni. Sub aciunea temperaturii se nmoaie, iar dac temperatura continu s creasc, la anumite temperaturi se pot chiar topi, iar la rcire revin la proprietile iniiale. Din aceast categorie fac parte policlorura de vinil (PVC), politrifluorcloretilena, policarbonatul, polietilentereftalatul, rinile poliamidice, rinile poliimidice, rinile poliuretanice etc. Policarbonatul i polietilentereftalatul se utilizeaz ca dielectrici pentru condensatoare. Policlorura de vinil i politrifluorcloretilena se utilizeaz ca izolaie pentru cabluri i conductoare. Politrifluorcloretilena se utilizeaz i ca suport pentru cablajele imprimate flexibile. Rinile poliamidice, poliimidice i poliuretanice se utilizeaz la fabricarea lacurilor electroizolante. Materialele sintetice termorigide sunt polimeri cu molecul spaial sau reele moleculare. Molecula este distribuit n spaiu n toate direciile. Majoritatea materialelor termorigide ard sau se carbonizeaz nainte de a atinge temperatura de nmuiere. La materialele termorigide prin creterea temperaturii se desfac toate legturile duble rmase nedesfcute n timpul reaciei de obinere a rinii i apar puni de legtur ntre macromolecule, ceea ce determin o reducere a plasticitii. Aceast modificare este ireversibil, deoarece punile nu dispar la rcire. Aceste materiale sunt dure i insolubile n solveni. Din categoria materialelor termorigide fac parte rinile epoxidice, rinile fenolformaldehidice, rinile anilinformaldehidice, rinile melaminoformaldehidice, rinile ureoformaldehidice etc. Rinile epoxidice se utilizeaz pentru impregnarea sau nglobarea componentelor electronice. Materialele din categoria rinilor formaldehidice se utilizeaz la fabricarea pieselor electroizolante. Tabelul 2.6 prezint comparativ principalele proprieti ale rinilor termoplastice i termorigide.
Tabelul 2.6 Proprietile rinilor termoplastice i termorigide. Rini termoplastice sunt flexibile i elastice se pot trage n fire sau foi se dizolv n solveni au proprieti electrice bune au proprieti mecanice slabe nu sunt higroscopice Rini termorigide sunt dure i casante nu se pot trage n fire sau foi nu se dizolv n solveni au proprieti electrice slabe au proprieti mecanice relativ bune sunt higroscopice
77
Materialele pe baz de celuloz au o serie de aplicaii n electronic i electrotehnic. Celuloza este un material ieftin i uor prelucrabil. Celuloza se obine din lemn de conifere, bumbac, in, cnep, iut etc. Lanurile moleculare ale celulozei se grupeaz n fibrile i fibre celulozice. Aceast structur explic porozitatea i higroscopicitatea mare a produselor pe baz de celuloz. Fiind un material polar, permitivitatea relativ ia valori apropiate de 7. Pierderi sunt relativ mari (tg de ordinul 10-210-3). Proprietile dielectrice (r i tg) sunt dependente de densitate, umiditate, temperatur i frecven. Produsele pe baz de celuloz utilizate sunt hrtia de condensator, hrtia de cablu, hrtia Kraft, hrtia japonez, prepanul, firele i esturile etc. Hrtia de condensator este omogen, dens, cu rigiditate dielectric mare, factor de pierderi sczut, permitivitate i rezistivitate electric mari i se utilizeaz ca dielectric pentru condensatoare. Hrtia de cablu se utilizeaz la izolarea cablurilor de energie, a conductoarelor de bobinaj etc. Hrtia japonez este utilizat ca suport pentru produsele pe baz de mic. Prepanul (cartonul electrotehnic) are rezisten mecanic mare, este rezistent la uleiul mineral i se utilizeaz la izolarea transformatoarelor. Firele i esturile celulozice se utilizeaz la izolarea conductoarelor, a bobinelor, a tecilor izolante etc.
78
2.4.4. Materiale dielectrice cu polarizaie spontan Polarizaia spontan const n ordonarea dielectric care apare n structuri fr centru de simetrie, dar cu ax polar, n absena unui cmp electric exterior. Din aceast categorie prezint importan pentru electronic materialele feroelectrice. Materialele feroelectrice sunt materiale cu polarizare spontan organizat pe domenii cu momente dipolare cuplate. Proprietile feroelectricilor sunt direct legate de existena polarizaiei spontane i se justific cu teoria domeniilor Weiss electrice. Aceste domenii elementare de dimensiuni mici (10-4 10-2mm). n fiecare domeniu, polarizaia spontan are o singur direcie. Din punct de vedere macroscopic corpul apare ca fiind nepolarizat, deoarece n lipsa cmpului electric suma vectorial a momentelor electrice ale domeniilor este zero. Direcia polarizaiei se poate schimba sub aciunea cmpului electric exterior. Dup dispariia cmpului electric exterior, materialul pstreaz o polariie remanent. Proprietile specifice ale materialelor feroelectrice sunt: dependena D=f(E) este neliniar (curba este un ciclu de histerezis); permitivitatea dielectric relativ are valori foarte mari (de ordinul 102103); permitivitatea dielectric relativ este dependent de cmpul electric aplicat; prezint o polarizaie remanent (starea de polarizare se pstreaz i dup ncetarea aciunii cmpului electric); prezint o stare de saturaie electric (peste o anumit valoare a cmpului electric aplicat, polarizaia nu mai crete); polarizaia scade cu creterea temperaturii; la temperaturi mai mari dect temperatura Curie (TC) starea de feroelectricitate dispare. Toate materialele feroelectrice sunt i piezoelectrice (dar nu toate materialele piezoelectrice sunt i feroelectrice).
79
Feroelectricii oxidici au anumite avantaje comparativ cu ali feroelectrici avnd rezisten mecanic bun, un domeniu larg de temperaturi, permitivitate dielectric relativ mare etc. Cel mai cunoscut feroelectric este titanatul de bariu (BaTiO3). Temperatura Curie a titanatului de bariu este 120C. Dezavantajul titanatului de bariu este c permitivitatea dielectric relativ depinde puternic de temperatur, iar tangenta unghiului de pierderi este relativ mare. Din acest motiv se utilizeaz soluiile solide ntre titanatul de bariu i alte materiale (fero- sau neferoelectrice). Aceste soluii solide se realizeaz cu scopul de a se obine valori mari ale permitivitii relative la temperatura ambiant, un factor de pierderi sczut corelat cu valori ridicate ale permitivitii sau obinerea unui coeficient de temperatur al permitivitii ct mai mic. Soluiile solide cele mai utilizate n electronic sunt: BaTiO3+SrTiO3+CaZrO3; -(1-x)BaTiO3+xCaZrO3; (Ba1-xSrx)TiO3; Ba(Ti1-xSnx)O3; Pb(TixZr1-x)O3; BaTiO3+CaZrO3+oxizi metalici etc. Pe lng feroelectricii oxidici, se mai utilizeaz i feroelectrici cu legtur de hidrogen. Acetia au aplicaii n dispozitivele electrooptice i n traductoarele piroelectrice.
2.4.5. Materiale dielectrice cu polarizaie piezoelectric Piezoelectricitatea este proprietatea de modificare a strii de polarizaie sub aciunea unor tensiuni mecanice (efect piezoelectric direct) sau de modificare a dimensiunilor corpului sub aciunea cmpului electric exterior (efect piezoelectric invers). Materialele piezoelectrice au reele cristaline fr centru de simetrie. Cele mai utilizate materiale n electronic sunt: cuarul,
80
titanat-zirconatul de plumb (PZT), titanatul de bariu, niobatul de sodiu i potasiu, TGS etc. Cuarul este cel mai utilizat material piezoelectric n electronic datorit performanelor pe care le are. Cuarul are avantajul c este ieftin, cu elasticitate ridicat, stabilitate termic bun, pierderi interne mici i se gsete n natur n faz cristalin, dar are dezavantajul c prezint un coeficient de cuplaj piezoelectric mic. Titanat-zirconatul de plumb are temperatura Curie ridicat (ntre 200C i 400C). Din acest motiv prezint o stabilitate bun cu temperatura. Titanatul de bariu are coeficienii piezoelectrici elastici i dielectrici puternic dependeni de temperatur i cu o puternic variaie n timp a proprietilor de material. Din aceast cauz este puin utilizat. Proprietile piezoelectrice ale niobatului de sodiu i potasiu sunt mai puin dependente de compoziie dect la PZT, avnd i o stabilitate bun a acestora n timp i la variaiile de temperatur. Din materialele piezoelectrice se realizeaz: rezonatoare, filtre ceramice, transformatoare ceramice, traductoare mecanic-electric (microfoane, microbalane piezoelectrice, generatoare de nalt tensiune, traductoare de deplasare, de vitez sau acceleraie etc) precum i traductoare electric-mecanic (difuzoare piezoelectrice, motoare piezoelectrice, generatoare de ultrasunete pentru aparatura medical, generatoare de ultrasunete pentru sonare submarin, traductoare pentru curire cu ultrasunete etc).
2.4.6. Electrei Electreii sunt materiale dielectrice care prezint polarizaie remanent timp ndelungat. Ei sunt analogi magneilor permaneni, producnd cmp electrostatic n jurul lor n absena surselor exterioare de cmp electric. Starea de polarizaie cvasipermanent din electrei poate fi creat prin nclzirea materialului n cmp electric (termoelectrei), iluminare n prezena cmpului electric (fotoelectrei), iradierea materialului (pseudoelectrei sau radioelectrei), prin frecare
81
(triboelectrei) etc. O aplicaie uzual a electreilor o costituie microfoanele cu electret.
2.5. ntrebri
1. Ce sunt materialele dielectrice? 2. Ce este polarizaia electric? 3. De cte feluri poate fi polarizaia temporar? 4. Dar cea permanent? 5. Cum pot fi clasificai dielectricii din punct de vedere al strii de agregare? 6. Care sunt proprietile electrice ale dielectricilor? 7. Cum se definete permitivitatea dielectric relativ? 8. Ce valori ia permitivitatea dielectric relativ n cazul gazelor? 9. Ce este factorul de pierderi? 10. Definii rezistivitatea de volum. 11. Definii rezistivitatea de suprafa. 12. Descriei principiul msurrii rezistivitii de suprafa. 13. Definii conductivitatea. 14. Ce este rigiditatea dielectric? 15. Dar tensiunea de strpungere? 16. Care sunt proprietile fizico-chimice ale dielectricilor? 17. Dar proprietile termice? 18. Ce reprezint strpungerea materialelor dielectrice? 19. Care este teoria avalanelor de electroni?
82
20. Cum este influenat tensiunea de strpungere n cazul gazelor de presiune i de distana dintre electrozi? 21. Explicai teoria ionizrii. 22. Ce este strpungerea termic? 23. Dar strpungerea electric? 24. Ce sunt materialele feroelectrice? 25. Ce este piezoelectricitatea? 26. Ce sunt electreii?
3. Materiale semiconductoare
3.1. Definiii. Generaliti.

Materialele semiconductoare sunt materiale care au valorile rezistivitii cuprinse ntre cele ale rezistivitii conductoarelor i ale izolanilor electrici. Rezistivitatea semiconductoarelor ia valori cuprinse ntre 10-6 i 108m, respectiv conductivitatea semiconductoarelor poate lua valori n intervalul 10-8 i 106S/m. Proprietile de conducie ale materialelor semiconductoare sunt puternic influenate de o serie de factori: impuritile prezente n material, aciunea cmpului electric, a cmpului magnetic, temperatura, radiaia nuclear etc. Spre deosebire de conductoare, unde conductivitatea scade cu creterea temperaturii, n cazul materialelor semiconductoare conductivitatea crete cu creterea temperaturii. Structura benzilor energetice a materialelor semiconductoare este similar cu cea a dielectricilor, cu deosebirea c limea benzii interzise n cazul semiconductoarelor este mai mic de 3eV. La 0K, benzile energetice permise ale semiconductorilor sunt fie complet ocupate cu electroni, fie complet goale. Banda de valen este complet ocupat, iar banda de conducie complet goal. Mecanismul conduciei electronice n semiconductoare este similar cu cel de la izolatoare, diferenele fiind de ordin cantitativ. Delimitarea dintre izolatoare i semiconductoare este fcut arbitrar. La aceast delimitare s-a inut cont de aplicaiile specifice ale materialelor. n anul 1947 a fost inventat primul tranzistor n laboratoarele Bell Telephone din New Jersey de ctre John Bardeen, Walter Houser Brattain i William Bradford Shockley. Inventarea tranzistorului a
84
Materiale semiconductoare
constituit un pas important n dezvoltarea electronicii. Ulterior au fost integrate mai multe tranzistoare ntr-un circuit integrat. Iniial, germaniul era principalul material semiconductor folosit n electronic.Rezultatele obinute cu germaniu erau destul de modeste. Dispozitivele cu germaniu au dezavantajul de a avea un curent rezidual destul de mare, iar oxidul de germaniu are proprieti modeste. Prin anii 60 siliciul a devenit cel mai utilizat material semiconductor n electronic. Dioxidul de siliciu (SiO2) are proprieti electrice foarte bune, ceea ce a permis dezvoltarea tehnologiei planare. Curentul rezidual n cazul siliciului este mult mai mic dect n cazul germaniului. Un alt considerent important luat n calcul la utilizarea pe scar larg a siliciului n electronic l constituie aspectul economic. Siliciul monocristalin utilizat la fabricarea dispozitivelor semiconductoare are un pre de cost mult mai mic dect alte materiale semiconductoare.
Fig. 3.1 O replic a primului tranzistor inventat de laboratoarele Bell Telephone din New Jersey. (imagine preluat de pe www.wikipedia.org)
85
Cu toate c siliciul are o serie de avantaje, exist aplicaii n care performanele siliciului sunt destul de modeste (mobilitatea purttorilor de sarcin destul de redus etc). Astfel, pentru aplicaiile (cum ar fi domeniul optic i al frecvenelor nalte) care necesit anumite performane pe care siliciul nu le are, s-au dezvoltat alte materiale semiconductoare cu performane net superioare siliciului. Materialele utilizate n aceste domenii sunt n general materiale compuse.
3.2. Clasificare
Clasificarea materialelor semiconductoare poate fi fcut dup mai multe criterii: n funcie de natura legturii interatomice, n funcie de numrul de elemente chimice care intr n structura chimic a semiconductorului, dup funciile pe care le pot ndeplini aceste materiale, n funcie de tipul structurii cristaline etc. n funcie de natura legturii interatomice avem: materiale semiconductoare cu legtur covalent; materiale semiconductoare cu legtur covalent-ionic. Materialele semiconductoare cu legtur covalent direcional se caracterizeaz prin rigiditate i duritate mare. Legtura covalent se realizeaz ntre doi atomi vecini prin punerea n comun a uneia sau mai multor perechi de electroni, cu spini antiparaleli. Legtura covalent direcional apare n cazul Si, Ge, S, Se, Te, Sn etc. Materiale semiconductoare cu legtur hibrid covalent-ionic sunt materiale caracterizate prin gradul de ionicitate. Gradul de ionicitate ia valori ntre 0% i 100%. Cu ct gradul de ionicitate este mai mare, cu att molecula are un caracter ionic mai pronunat, iar materialul se comport ca un dielectric. Cnd gradul de ionicitate tinde spre zero, polarizarea legturii covalente este neglijabil. n tabelul 3.1 este dat gradul de ionicitate pentru cteva materiale semiconductoare cu legtur hibrid.
86
Tabelul 3.1 Semiconductoare cu legtur covalent-ionic.
Semiconductorul Gradul de ionicitate [%]
SiC 18
GaAs InSb 32 32
InAs 35
InP 44
ZnO 62
CuCl 75
MgO 84
n funcie de numrul elementelor chimice care intr n structura chimic a semiconductorului avem: materiale semiconductoare elementare; materiale semiconductoare compuse. n tabelul periodic al elementelor exist 12 semiconductoare elementare: B, C, Si, Ge, Sn, P, As, Sb, S, Se, Te i I. Pe lng materialele semiconductoare elementare exist o serie de materiale semiconductoare compuse. Materialele semiconductoare compuse pot fi: compui binari materiale formate din dou elemente chimice; compui ternari materiale formate din trei elemente chimice; compui cuaternari materiale formate din patru elemente chimice etc. Compuii binari pot fi formai cu elemente din: grupa a IV-a (SiC, SiGe); grupele III-V (AlSb, AlAs, AlP, BN, GaSb, GaAs, GaP, InSb, InAs, InP); grupele II-VI (CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe); grupele IV-VI (PbSe, PbS, PbTe, SnS, SnTe) grupele I-VII (CuCl). Compuii ternari pot fi formai cu elemente din: grupele III-V (AlGaAs, AlxGa1-xAs, InGaAs, InxGa1-xAs, AlInAs, AlInSb, GaAsN, GaAsP, AlGaP, InAsSb, InGaSb);
87
grupele II-VI (CdZnTe, HgCdTe, HgZnSe); grupele IV-VI (PbSnTe, Tl2SnTe5, Tl2GeTe5). Compuii cuaternari pot fi formai cu elemente din: grupele III-V (AlGaInP, AlGaAsP, InGaAsP, AlInAsP, InGaAsN). Din punct de vedere al funciilor pe care le pot ndeplini materialele semiconductoare avem: materiale cu funcia de conducie controlat n curent sau tensiune materialele utilizate la dispozitivele semiconductoare active (tranzistoare bipolare, MOSFET, tiristoare, triace etc); materiale cu funcia de conversie electrooptic materiale pentru diode electroluminiscente, diode laser; materiale cu funcia de conversie optoelectric materiale pentru dispozitive optice (fotorezistene, fotodiode, fototranzistoare, fototiristoare, celule solare etc); materiale cu funcia de conversie termoelectric materiale pentru dispozitive semiconductoare utilizate pentru msurarea temperaturii i stabilizare termic (ex. termistoare); materiale cu funcia de conversie magnetoelectric materiale pentru traductoare magnetoelectrice (traductoare Hall, traductoare magnetorezistive); materiale cu funcia de conversie mecanoelectric materiale pentru dispozitive piezoelectrice etc; materiale cu funcia de detecie a radiaiei nucleare materiale pentru traductoare de radiaii alfa, beta, gama. n funcie de tipul reelei cristaline a semiconductorului avem: materiale semiconductoare cu reea cristalin cubic (Si, Ge, SiC, GaAs, GaP);
88
materiale semiconductoare monoclinic (LiAs);
cu
reea reea reea
cristalin cristalin cristalin
materiale semiconductoare cu hexagonal (GaSe, ZnSb, CdSb); materiale semiconductoare cu ortorombic (SnS, SnSe, CdAs2);
materiale semiconductoare cu reea cristalin trigonal (Bi2Se, Sb2Te3);
3.3. Conducia n materialele semiconductoare

Conducia materialelor semiconductoare poate lua valori ntr-un domeniu destul de mare, fiind puternic influenat de impuriti, defecte de reea, temperatur etc. Structura benzilor energetice la semiconductoare este similar cu cea a izolatoarelor. La 0K, benzile permise sunt fie complet ocupate cu electroni, fie complet goale. Banda de valen este complet ocupat, iar banda de conducie complet goal. Cele dou benzi energetice permise sunt desprite de banda interzis Fermi. Semiconductorii sunt intrinseci (nedopai) sau extrinseci (dopai). La rndul lor, semiconductorii extrinseci pot fi de tip n sau de tip p.
3.3.1. Conducia n materialele semiconductoare intrinseci Materialele semiconductoare pure sunt semiconductoare intrinseci. n general, se consider c un semiconductor este intrinsec dac are o concentraie a purttorilor de sarcin dai de impuriti este mult mai mic dect concentraia de purttorilor generai termic. n semiconductoarele intrinseci, conducia este determinat de electronii din banda de conducie i de golurile din banda de valen.
89
Golurile sunt vacane ale electronilor de valen i se definesc ca fiind purttori fictivi de sarcin pozitiv. La o anumit temperatur, datorit agitaiei termice un anumit numr de electroni din banda de valen trec n banda de conducie. Prin ruperea legturilor covalente se formeaz perechi electron-gol. Astfel, numrul electronilor din banda de conducie este egal cu numrul golurilor rmase n banda de valen. Concentraia purttorilor de sarcin ntr-un semiconductor intrinsec este:
n = p = ni
(3.1)
unde n este numrul electronilor din banda de conducie, iar p este numrul golurilor din banda de valen. Perechile electron-gol sunt create n mod continuu n structura cristalin. Totui, numrul concentraia electronilor i golurilor nu crete n timp datorit recombinrii electronilor cu golurile. La o temperatur dat, se va ajunge la o stare de echilibru, cnd rata de formare a perechilor de electron-gol este egal cu rata de recombinare. Timpul mediu de via al electronilor e este durata medie de existen a electronilor liberi. Timpul mediu de via al golurilor g se definete n mod similar. ntr-un semiconductor intrinsec, e este egal cu g pentru c numrul electronilor este egal cu numrul golurilor. Figura 3.2 prezint structura benzilor energetice din materialele semiconductoare intrinseci i formarea perechilor electron-gol.
w BC ewi wF BV
x
Fig. 3.2 Structura benzilor energetice n semiconductorii intrinseci.
wC g+ wV
90
Limea benzii interzise Fermi este: w i = w C wV unde wC este energia minim a benzii de conducie; wV energia maxim a benzii de valen; wi limea benzii interzise Fermi. n tabelul 3.2 este dat valoarea benzii interzise pentru cteva materiale semiconductoare uzuale, aflate la o temperatur de 300K.
Tabelul 3.2 Limea benzii interzise la T=300K, pentru cteva materiale semiconductoare. Semiconductorul wi [eV] Semiconductorul wi [eV] InSb 0,18 Cu2O 1,5 InAs 0,33 GaP 2,24 Ge 0,67 CdS 2,4 Se 0,8 SiC 2,8 Si 1,12 ZnO 3,2 InP 1,25 ZnS 3,6 GaAs 1,42 C 5,47
(3.2)
Limea benzii interzise a semiconductorilor descrete odat cu creterea temperaturii. Aceasta se ntmpl deoarece distana interatomic crete odat cu creterea temperaturii. De asemenea, modificarea distanei interatomice datorit stresului mecanic (comprimarea sau ntinderea materialului) duce la modificarea limii benzii interzise. Dependena de temperatur a limii benzii interzise a fost determinat experimental. Relaia care indic dependena benzii interzise de temperatur este:
w i (T ) = w i (0 )
T 2 T +
(3.3)
unde i sunt parametrii de material. Tabelul 3.3 conine valorile parametrilor i , precum i limea benzii interzise la 0K pentru siliciu, germaniu i arseniura de galiu.
Tabelul 3.3 Limea benzii interzise la T=0K i parametrii de material pentru cteva materiale semiconductoare. Semiconductorul Ei(0K) [eV] [meV/K] [K] Si 1,166 0,473 636 Ge 0,7437 0,477 235 GaAs 1,519 0,541 204
91
Exemplul 1 S se determine limea benzii interzise pentru siliciu, germaniu i arseniura de galiu la 100K, 200K, 300K, 400K, 500K i 600K. Rezolvare: De exemplu, limea benzii interzise la siliciu la 300K este:
w i (300K ) = w i (0K )
T 2 0,473 3002 =1 ,166 1 ,12eV T + 300 + 636
n mod similar se calculeaz i pentru restul temperaturilor i materialelor. Rezultatele obinute sunt trecute n tabelul 3.4. i reprezentate grafic n figura 3.3.
Tabelul 3.4 Valorile calculate pentru limea benzii interzise la diverse temperaturii. Semiconductorul T=0K T=100K T=200K T=300K T=400K T=500K T=600K Si 1,166 1,160 1,143 1,121 1,093 1,062 1,028 Ge 0,7437 0,729 0,700 0,663 0,624 0,581 0,538 GaAs 1,519 1,501 1,465 1,422 1,376 1,327 1,277
92
1,600 1,400 1,200
GaAs Si
Ei [eV]
1,000 0,800 0,600 0,400 0,200 0,000 0 100 200 300 400 500
Ge
600
T [K]
Fig. 3.3 Variaia benzii interzise cu temperatura la Si, Ge i GaAs.
n cazul semiconductorilor intrinseci, nivelul Fermi (wF) trece prin mijlocul benzii interzise:
wF = wC wV 1 1 = wV + w i = wC w i 2 2 2
(3.4)
Dac considerm un monocristal ideal de siliciu sau germaniu, acesta se va comporta ca un izolator la 0K. Deoarece toate legturile covalente sunt realizate (fig. 3.4), nu exist electroni liberi n material. Dac temperatura crete, datorit energiei de agitaie termic un anumit numr de legturi covalente se vor rupe, formndu-se perechi electron-gol (fig. 3.5). Ruperea unei legturi covalente corespunde tranziiei unui electron din banda de valen n banda de conducie. n urma electronului plecat rmne un gol (un nivel energetic liber) n banda de valen a semiconductorului. Atomul care a pierdut un electron prin ruperea legturii covalente, va avea sarcin pozitiv n exces. Excesul de sarcin pozitiv este egal n modul cu sarcina electronului. Electronul eliberat se va putea deplasa liber n cristal.
93
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Fig. 3.4 Monocristal ideal de siliciu la T=0K (reprezentare bidimensional).
Si
g+ e
-
Si
Si
Si
Si
g+
Si Si Si
eSi
Si
eSi Si
g+
Si
Si
Si
Fig. 3.5 Formarea perechilor electron-gol.
94
Micarea electronilor i golurilor n semiconductor se efectueaz n conformitate cu legile mecanicii cuantice. Cu toate acestea, micarea electronilor i golurilor sub aciunea cmpului electric poate fi echivalat cu o micare clasic. Sub aciunea cmpului electric, electronii liberi se vor deplasa n sens invers cmpului electric aplicat, iar electronii n sensul cmpului electric (fig. 3.6).
Si
Si
Si
Si
Si
eSi
g+
Si Si
eSi
g+
Si
eSi Si Si
g+
Si Si
Fig. 3.6 Deplasarea electronilor i golurilor sub aciunea cmpului electric.
Dac asupra unui electron de mas me i sarcin electric qe = 1,6 10 -19 C , va aciona un cmp electric de intensitate E , atunci electronului i se va imprima o vitez medie de deplasare (vitez de drift):
v e = e E
este:
(3.5)
Iar viteza medie imprimat golului de cmpul electric aplicat
95
v g = g E
(3.6)
unde e i g reprezint mobilitatea electronului, respectiv a golului din semiconductorul respectiv. Mobilitile purttorilor de sarcin influeneaz conductivitatea i comportarea semiconductorului la frecvene nalte. Mobilitatea electronilor i golurilor este influenat de timpii de relaxare, defectele de structur, impuritile existente n material, temperatur etc. Densitatea de sarcin a electronilor este: e = ni qe iar a golurilor:
g = ni q g
(3.7)
(3.8)
unde ni este concentraia intrinsec de purttori de sarcin. Golurile i electronii se deplaseaz n direcii opuse, dar densitile celor doi cureni se nsumeaz deoarece sarcinile au polariti opuse. Densitatea total a curentului de conducie este: J = e v e + g v g J = e v e + g v g = ni ( e + g ) q E = E (3.9)
Dar qg = qe = q = 1 ,602 10 19 C i fcnd nlocuirile rezult: (3.10)
Conductivitatea semiconductorului intrinsec fiind suma a dou conductiviti, una dat de electronii din banda de conducie i una dat de golurile din banda de valen:
= ni ( e + g ) q
(3.11)
Exemplul 2 Se consider o bar din siliciu cu lungimea de 1cm i diametrul de 1mm. Se presupune c la temperatura camerei, siliciul are concentraia intrinsec de purttori de sarcin ni = 1,5 1016 m3 . Mobilitatea electronilor este e = 0,13 m2 , iar mobilitatea golurilor V s
96
m2 . S se calculeze conductivitatea siliciului i V s rezistena barei respective. este g = 0,05 Rezolvare: Conductivitatea siliciului este:
= ni (e + g ) q = 1 ,5 1016 (0,13 + 0,05 ) 1 ,602 10 19 4,33 10 4 S m
Rezistena barei de siliciu este: R= l 0.01 l = = 4 S S 4.33 10 0.5 10 3
= 29.4M
3.3.2. Conducia n materialele semiconductoare extrinseci Din exemplul 2 se poate observa ct de mic este conductivitatea unui semiconductor intrinsec la temperaturi obinuite. Conductivitatea semiconductorului poate fi mrit considerabil prin impurificare. La doparea semiconductoarelor se utilizeaz impuriti donoare sau acceptoare. Un semiconductor impurificat cu impuriti donoare se numete semiconductor de tip n, iar un semiconductor impurificat cu impuriti acceptoare se numete semiconductor de tip p. Conducia n semiconductoarele de tip n n semiconductoarele de tip n, purttorii majoritari de sarcin sunt electronii, golurile fiind purttori minoritari. Concentraia electronilor fiind mult mai mare dect a golurilor:
nn >> pn
(3.12)
Semiconductoarele de tip n se obin prin dopare cu impuriti donoare. Impuritile donoare sunt materiale a cror atomi au numrul de electroni de valen mai mare dect numrul de electroni de
97
valen ai atomilor din cristalul de baz. Impuritile donoare introduc n banda interzis niveluri energetice cuantice ocupate (wD), de pe care electronii pot trece cu uurin n banda de conducie (figura 3.7).
w BC wi wF wD BV
x
Fig. 3.7 Structura benzilor energetice n semiconductorii extrinseci de tip n.
e-
g+
wC we wV
Energia de ionizare necesar excitrii electronilor de pe nivelul donor n banda de conducie este: w e = wC w D (3.13)
Nivelul Fermi este situat la jumtatea distanei dintre nivelul donor i banda de conducie. Tabelele 3.5, 3.6 i 3.7 conin valorile energiei de activare pentru cteva impuriti donoare, n cazul siliciului, germaniului i arseniurii de galiu, la temperatura de 300K.
Tabelul 3.5 Valoarea energiei de ionizare a impuritilor donoare n cazul siliciului.
Impuritate we [eV]
Li
Sb
As
Bi
Te
Ti 0,21
C 0,25
0,033 0,039 0,045 0,054 0,069 0,14
98
Tabelul 3.6 Valoarea energiei de ionizare a impuritilor donoare n cazul germaniului.
Impuritate we [eV]
Li
Sb
As
0,0093 0,0096 0,012 0,013 0,18
Tabelul 3.7 Valoarea energiei de ionizare a impuritilor donoare n cazul GaAs.
Impuritate we [eV]
Si
Se
Ge
Sn
Te
0,0058 0,0059 0,006 0,006 0,016 0,03
n electronic se utilizeaz acele impuriti care introduc niveluri adiionale donoare suficient de apropiate de banda de conducie, astfel nct la temperaturi obinuite toi electronii de pe nivelul donor s se afle n banda de conducie. Pentru aceasta trebuie ca energia de ionizare necesar s fie mai mic dect energia de agitaie termic. Dac considerm un cristal de siliciu (tetravalent) impurificat cu cu impuriti pentavalente (de ex. As, Sb, P), patru dintre electronii de valen ai atomului de impuritate particip la formarea legturilor covalente cu patru atomi de siliciu. Al cincilea electron, neparticipant n legturi covalente, fiind situat pe nivelul donor de energie wD, va putea trece cu uurin n banda de conducie a siliciului, devenind electron liber. Energia de ionizare de care are nevoie pentru a deveni electron liber este obinut prin absorbie de energie de agitaie termic. Perechile electron-gol se formeaz n mod continuu i n semiconductoarele de tip n, datorit agitaiei termice. Datorit impuritilor donoare, numrul electronilor este mult mai mare dect numrul golurilor. Durata medie de via a golurilor din semiconductoarele de tip n se va reduce semnificativ comparativ cu semiconductoarele intrinseci. Din acest motiv, ntr-un semiconductor de tip n, curentul datorat golurilor este nesemnificativ.
99
Si
Si
Si e-
Si
Si
Si
As
Si
Si e-
Si
Si
Si
Si
Si
As
Fig. 3.8 Cristal siliciu impurificat cu impuriti donoare.
Conducia n semiconductoarele de tip p Semiconductoarele de tip p se obin prin doparea cu impuriti acceptoare. n semiconductoarele de tip p, purttorii majoritari de sarcin sunt golurile din banda de valen, electronii fiind purttori minoritari de sarcin. Concentraia golurilor este mult mai mare dect a electronilor:
pp >> np
(3.14)
Semiconductoarele de tip p se obin prin dopare controlat cu impuriti acceptoare. Impuritile acceptoare sunt materiale a cror atomi au numrul de electroni de valen mai mic dect numrul de electroni de valen ai atomilor din cristalul de baz. Impuritile acceptoare introduc n banda interzis niveluri energetice (wA) pe care electronii din banda de valen pot fi excitai, producndu-se goluri n banda de valen (figura 3.9).
100
w BC wC wi wA wF BV eg
+
wg wV
x
Fig. 3.9 Structura benzilor energetice n semiconductorii extrinseci de tip p.
Energia de ionizare necesar excitrii electronilor din banda de valen pe nivelul acceptor este:
w g = w A wV
(3.15)
Nivelul Fermi este situat la jumtatea distanei dintre nivelul acceptor i banda de valen. Tabelele 3.8, 3.9 i 3.10 conin valorile energiei de activare pentru cteva impuriti acceptoare n cazul siliciului, germaniului i arseniurii de galiu, la temperatura de 300K.
Tabelul 3.8 Valoarea energiei de ionizare n cazul impuritilor acceptoare n siliciu.
Impuritate wg [eV]
Al
Ga
In
Ti 0,3
Pd 0,34
0,045 0,067 0,072 0,16

Tabelul 3.9
Valoarea energiei de ionizare n cazul impuritilor acceptoare n germaniu.
Impuritate wg [eV]
B 0,01
Al 0,01
Ti 0,01
Ga
In
Be 0,02
Cr 0,07
0,011 0,011
101
Tabelul 3.10 Valoarea energiei de ionizare n cazul impuritilor acceptoare n GaAs.
Impuritate wg [eV]
Be
Mg
Zn
Si
Cd
Au
0,026 0,028 0,028 0,031 0,035 0,035 0,09
n electronic se utilizeaz acele impuriti acceptoare care introduc niveluri adiionale suficient de apropiate de banda de valen, astfel nct la temperaturi obinuite toate nivelurile acceptoare s fie ocupate cu electroni provenii din banda de valen. Pentru aceasta trebuie ca energia de ionizare necesar s fie mai mic dect energia de agitaie termic. Considerm un cristal de siliciu (tetravalent) impurificat cu impuriti trivalente (de ex. In, B, Ga, Al). Cei trei electroni de valen ai atomului de impuritate particip la formarea legturilor covalente cu trei atomi de siliciu. A patra legtur covalent rmne nerealizat (reprezentat punctat n figura 3.10). Un electron dintr-o legtur covalent vecin se va desprinde i va trece n nveliul exterior al atomului de impuritate ionizndu-l. Aceasta nseamn c un atom din banda de valen a siliciului a efectuat o tranziie pe nivelul acceptor (de energie wA). n urma acestei tranziii, rmne un gol n banda de valen a siliciului. Datorit agitaiei termice, perechile electron-gol se formeaz n mod continuu n semiconductoarele de tip p. Datorit impuritilor acceptoare, numrul golurilor este mult mai mare dect numrul electronilor. Durata medie de via a electronilor liberi din semiconductoarele de tip p se va reduce semnificativ comparativ cu semiconductoarele intrinseci. Din acest motiv, ntr-un semiconductor de tip p, curentul datorat electronilor poate fi neglijat. Dup acceptarea unui electron de ctre un atom acceptor, numrul electronilor din nveliul electronic va fi mai mare dect numrul protonilor, acesta devenind ion pozitiv.
102
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
As
Fig. 3.10 Cristal siliciu impurificat cu impuriti acceptoare.
Conductivitatea semiconductoarelor Aa cum am precizat anterior, n semiconductoarele intrinseci, concentraiile golurilor i a electronilor sunt egale ( n = p = ni ). Dac acest lucru nu ar fi adevrat, semiconductorul nu ar fi neutru din punct de vedere electric. Dac ntr-un semiconductor se introduc impuriti donoare, crete concentraia electronilor i scade concentraia golurilor. n mod similar, dac semiconductorul este impurificat cu impuriti acceptoare crete concentraia golurilor i scade concentraia electronilor. Se poate demonstra c produsul dintre concentraia electronilor n i concentraia golurilor p este constant i independent de tipul doprii i nivelul acesteia: n p = ni2 (3.16)
Doparea semiconductoarelor cu impuriti donoare sau acceptoare, nu modific starea de neutralitate electric a acestora. Notm cu Na numrul de atomi acceptori pe unitatea de volum i cu Nd numrul de atomi donori pe unitatea de volum. Dac presupunem c toi atomii acceptori si donori sunt ionizai, atunci vom avea un surplus de Na goluri n banda de valen, respectiv un surplus de Nd
103
electroni n banda de conducie. Fiecare ion donor va avea sarcin pozitiv (+q), iar fiecare ion acceptor va avea sarcin negativ (-q). Numrul total al sarcinilor negative pe m3 este egal cu numrul electronilor liberi n plus numrul ionilor acceptori Na, iar numrul total al sarcinilor pozitive pe m3 este egal cu numrul golurilor p plus numrul ionilor donori Nd. Deoarece semiconductorul este neutru din punct de vedere electric, numrul sarcinilor negative este egal cu numrul sarcinilor pozitive: n + Na = p + Nd (3.17)
n semiconductoarele de tip n, concentraia impuritilor acceptoare Na este 0 i p << n . Ecuaia (3.17) devine: n = p + Nd Nd (3.18)
Din relaia (3.16) putem determina concentraia golurilor ntr-un semiconductor de tip n: p ni2 Nd (3.19)
n semiconductoarele de tip p, concentraia impuritilor donoare Nd este 0 i n << p , iar ecuaia (3.17) devine: p = n + Na Na (3.20)
Concentraia golurilor ntr-un semiconductor de tip p poate fi determinat cu relaia: n ni2 Na (3.21)
Conductivitatea unui semiconductor intrinsec este dat de relaia (3.11). n cazul general, conductivitatea este suma conductivitii electronilor i a conductivitii golurilor:
= n e qe + p g qg = (n e + p g ) q
(3.22)
n cazul semiconductoarelor de tip n, unde p << n , relaia devine: = n e q (3.23)
104
Iar n cazul semiconductoarelor de tip p, unde n << p , relaia (3.22) devine:

= p g q
(3.23)
n cazul semiconductoarelor intrinseci, unde n = p = ni , relaia (3.22) se reduce la relaia (3.11). Exemplul 3 Se consider bara din siliciu din exemplul 2, cu concentraia de atomi de siliciu 5 1028 m3 . Considerm c se impurific siliciul cu atomi donori n concentraie de un atom donor la 108 atomi de siliciu i considernd c fiecare atom donor contribuie cu un electron. Care este valoarea rezistenei barei de siliciu? Rezolvare: Concentraia de impuriti donoare n siliciu este:
Nd = 5 1028 1 = 5 1020 m 3 108
Conform ecuaiei (3.18), concentraia electronilor liberi este:

n Nd = 5 10 20 m3
Concentraia golurilor din semiconductor se determin cu relaia (3.19):
1 ,5 1016 n2 p i = 5 1020 Nd
= 4,5 1011m 3
Deoarece concentraia golurilor este mult mai mic dect concentraia electronilor ( p << n ), la calculul conductivitii vom ine cont doar de contribuia electronilor liberi. Conductivitatea o vom calcula cu relaia (3.23): = n e q = 5 1020 0,13 1 ,602 10 19 = 10,41S Rezistena barei de siliciu este: m
105
R =
10 2 l l = = S S 10,41 0,5 10 3
1 ,22k
Comparativ cu exemplul anterior unde rezistena era 29,4M, prin impurificare cu atomi donori, rezistena barei scade de aproximativ 24000 de ori.
3.4. Materiale semiconductoare utilizate n electronic
Principalele materiale semiconductoare utilizate n electronic sunt siliciul, germaniul, arseniura de galiu, carbura de siliciu, compuii semiconductori din grupele III-V i II-VI etc. Siliciul Siliciul este un element chimic din grupa a patra (tetravalent), cu numrul atomic 14 i simbolul Si. Masa atomic a siliciului este 28,0855. Siliciul este un element foarte rspndit n natur, aproximativ 27,5% din masa scoarei terestre o constituie siliciul. Siliciul se gsete n natur sub form de dioxid de siliciu (SiO2) sau silicai. Siliciul este de culoare gri, cu luciu metalic. Cristalizeaz n sistemul cubic cu fee centrate. Nu reacioneaz cu apa i nu oxideaz n aer la temperaturi obinuite. La temperaturi obinuite reacioneaz doar cu fluorul. n electronic, siliciul are o serie de aplicaii n domeniul dispozitivelor semiconductoare, a circuitelor integrate, a traductoarelor Hall, etc. Siliciul are anumite avantaje fa de alte materiale semiconductoare. Spre deosebire de germaniu, siliciul are cureni reziduali mult mai mici, dioxidul de siliciu are proprieti foarte bune fiind frecvent utilizat ca i izolator n dispozitivele electronice. Oxidul de siliciu poate fi crescut cu uurin n cuptoare, la temperaturi ridicate, n atmosfer bogat n oxigen. Un avantaj deosebit al
106
siliciului l constituie costul mai sczut fa de alte materiale semiconductoare. Cu toate acestea, n anumite aplicaii siliciul devine inutilizabil datorit performanelor modeste la frecvene ridicate sau n domeniul optic. Pentru aceste aplicaii se utilizeaz semiconductoare compuse din grupele III-V sau II-VI. Germaniul Germaniul este un element chimic din grupa a patra, asemntor cu siliciul. Numrul atomic al germaniului este 32, iar masa atomic 72,61. Germaniul este puin rspndit n natur (doar 0,001% din masa scoarei terestre), fiind ntlnit sub form de minereuri (germanit, renierit i argirodit). Germaniul cristalizeaz n sistemul cubic cu fee centrate. Nu reacioneaz cu apa i oxideaz pe la 700C. Culoarea germaniului este gri, cu luciu metalic. Iniial, dup apariia tranzistorului, germaniul era principalul material semiconductor utilizat n electronic. Deoarece germaniul prezint anumite dezavantaje, cum ar fi curent rezidual mare i caracteristici electrice modeste ale oxidului de germaniu, dup 1960 a fost nlocuit de siliciu. Arseniura de galiu Arseniura de galiu (GaAs) este un semiconductor compus, format din galiu (element din grupa a III-a) i arsen (element din grupa a V-a). Proprietile semiconductoare ale arseniurii de galiu sunt foarte bune. Arseniura de galiu se utilizeaz la fabricarea diodelor luminiscente (LED), a diodelor tunel, a laserelor etc. Datorit mobilitii ridicate a purttorilor de sarcin, arseniura de galiu se utilizeaz la realizarea tranzistoarelor pentru nalt frecven. Carbura de siliciu Carbura de siliciu (SiC) a fost descoperit n 1905 de Dr. Henri Moissan. Carbura de siliciu este un material semiconductor compus format din siliciu i carbon, n proporii egale. n stare natural, carbura de siliciu este foarte rar ntlnit. Carbura de siliciu utilizat n industrie este produs artificial. Carbura de siliciu este un material
107
dur, inert din punct de vedere chimic, care nu oxideaz la temperaturi obinuite. Este rezistent la medii ostile i temperaturi ridicate. Avnd o conductivitate termic foarte bun, evacueaz foarte bine cldura. Proprietile semiconductoare ale carburii de siliciu sunt excepionale. Carbura de siliciu prezint o form special de polimorfism, numit politipism. Au fost descoperite cteva zeci de tipuri de carbur de siliciu, dar doar trei dintre ele sunt stabile: 6H-SiC, 4H-SiC i 3CSiC. Literele H i C se refer la simetria cristalului (H hexagonal i C cubic). Majoritatea proprietilor fizice ale celor trei politipuri sunt aceleai, cu excepia proprietilor electrice. Fiecare politip are avantajele lui. Politipul 4H se preteaz la puteri mari i la temperaturi ridicate, fiind utilizat la realizarea dispozitivelor electronice de putere. Politipul 3C se preteaz la aplicaiile de nalt frecven. Compui semiconductori din grupele III-V Din aceast categorie fac parte materialele semiconductoare compuse din elemente din grupa a III-a (B, Al, Ga, In) i a V-a (N, P, As, Sb, Bi). n electronic se folosesc InSb, InAs, InP, GaSb, GaAs, AlSb. Aceste materiale se utilizeaz la fabricarea diodelor tunel, a tranzistoarelor, a dispozitivelor optoelectronice etc. Compui semiconductori din grupele II-VI Din aceast categorie fac parte materialele semiconductoare compuse din elemente din grupa a II-a i a VI-a. n electronic se folosesc ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe etc. Aceste materiale se utilizeaz la fabricarea fotorezistoarelor, a senzorilor Hall, a traductoarelor de presiune etc.
108
3.5. ntrebri
1. Ce sunt materialele semiconductoare? 2. Cte materiale semiconductoare elementare exist? 3. Ce funcii pot ndeplini materialele semiconductoare? 4. Ce sunt materialele semiconductoare intrinseci? 5. Explicai conducia n materialele semiconductoare intrinseci. 6. Ce sunt materialele semiconductoare extrinseci? 7. Explicai conducia n semiconductoarele de tip n. 8. Explicai conducia n semiconductoarele de tip p. 9. Ce se ntmpl cu limea benzii interzise dac crete temperatura? 10. Ce se ntmpl cu rezistivitatea unui semiconductor dac este impurificat cu atomi donori? Argumentai rspunsul. 11. Enumerai cteva materiale semiconductoare utilizate n electronic. 12. Ce tii despre siliciu?
4. Materiale conductoare
4.1. Definiii. Generaliti

Materialele conductoare sunt materiale care au rezistivitate mic (de ordinul 10-810-6m), respectiv conductivitate mare (106108S/m). Purttorii mobili de sarcin pot fi electronii sau ionii, n funcie de tipul materialului conductor. Din punct de vedere a conduciei, materialele conductoare pot fi clasificate n: materiale conductoare de ordinul I materiale cu conducie electronic; materiale conductoare de ordinul II materiale cu conducie ionic. Conductoarele de ordinul I sunt materialele cu conducie electronic. Electronii liberi din material se vor deplasa ordonat n raport cu corpul, sub aciunea cmpului electric. Din aceast categorie fac parte metalele i aliajele att n stare solid i lichid (topitur), carbonul n diverse forme (grafit, fulerene, nanotuburi, etc), dar i ali conductori nemetalici (ITO, polimeri conductivi, etc). Rezistivitatea acestor materiale crete cu creterea temperaturii, iar sub aciunea curentului electric materialele cu conducie electronic nu sufer modificri de structur. Conductoarele de ordinul II sunt materialele cu conducie ionic. Conducia electric a acestor materiale se realizeaz prin deplasarea, sub aciunea cmpului electric, a ionilor pozitivi i negativi. Aceast deplasare a ionilor are ca efect modificarea compoziiei electrolitului i separarea la electrozi a produilor de
110
Materiale conductoare
electroliz. Din aceast categorie fac parte electroliii (srurile n stare solid sau lichid, soluiile de sruri, soluiile bazice sau acide). Materialele cu conducie ionic n stare lichid sau solid se utilizeaz la construcia bateriilor i acumulatorilor, la pilele de combustie, senzori, etc. Din punct de vedere a strii de agregare, materialele conductoare pot fi clasificate n: materiale conductoare n stare solid: majoritatea metalelor i aliajele lor, carbonul etc; materiale conductoare n stare lichid: metalele topite (la temperaturi obinuite singurul metal n stare lichid este mercurul), electroliii; materiale conductoare n stare gazoas: n mod normal gazele sunt izolatoare, dar n anumite condiii gazul poate fi ionizat avnd o conducie electronic i ionic (plasm). Datorit sarcinilor electrice libere plasma conduce curentul electric. Principalele materiale conductoare folosite n electronic sunt materialele conductoare cu conducie electronic (conductoarele de ordinul I). Aceste materiale au o serie de aplicaii n electronic i electrotehnic i se pot clasifica n: materiale utilizate pentru conducia curentului electric n aceast categorie intr conductoarele cu conductivitate ridicat utilizate pentru realizarea traseelor conductoare, a conexiunilor n circuitele integrate, a armturilor pentru condensatoare, a conductoarelor utilizate la bobinaj etc; materiale utilizate pentru limitarea curentului electric n aceast categorie intr materialele cu rezistivitate mai mare din care se realizeaz rezistoare fixe i variabile de putere mic, medie i mare; materiale utilizate pentru contacte electrice sunt materiale conductoare cu conductivitate ridicat, rezistente la aciunea agenilor chimici i a arcului electric. Aceste materiale sunt utilizate pentru realizarea contactelor electrice fixe (pentru lipirea terminalelor
111
componentelor electronice), pentru conectori i pentru realizarea contactelor electrice de rupere (ntreruptoare i contactoare); materiale pentru traductoare de temperatur (termocuple) se bazeaz pe efectul termoelectric; materiale pentru traductoare mecano-electrice (mrci tensometrice) sunt materiale a cror rezistivitate de volum depinde de tensiunea mecanic aplicat.
4.2. Conducia electric
4.2.1. Teoria conduciei electronice n metale Drude, prin teoria elaborat de el i perfecionat ulterior de Lorentz, ncearc s explice conducia electronic din metale. Conform teorii lui Drude, electronii liberi dintr-un metal se comport asemeni unui gaz ideal care se mic liber. Aceast teorie presupune c electronii din metal se mic liber, interacionnd cu reeaua cristalin numai cnd se ciocnesc. Teoria elaborat de Drude explic suficient de bine conductibilitatea electric a metalelor. Lorentz a perfecionat teoria lui Drude lund n calcul i interacia dintre electronii liberi i cei legai. n cazul metalelor, electronii de valen sunt comuni ntregului cristal metalic. Aceti electroni de valen se mic haotic n tot materialul. Probabilitatea ca aceti electroni s se deplaseze ntr-o anumit direcie este aceeai pentru orice direcie n metal, astfel c per ansamblu nu se produce o deplasare net a electronilor n metal n absena cmpului electric. La aplicarea unui cmp electric exterior, de intensitate E , acesta acioneaz asupra electronului cu o for:
F = q0 E
(4.1)
unde q0 = 1,6 10 19 C este sarcina electronului.
112
Materiale conductoare Aceast for imprim electronilor o vitez v e de translaie n
raport cu corpul, suprapus peste viteza vT de agitaie termic. Viteza total a electronului este: v = v e + vT (4.2)
ntruct probabilitatea ca electronul s se deplaseze ntr-o anumit direcie este aceeai pentru toate direciile, media vitezei de ~ = 0 ). Deoarece v ~ = 0 , putem afirma c agitaie termic este nul ( v T T viteza medie total este: ~v v (4.3)
e
Ecuaia de micare a electronului liber n metal pe direcia cmpului este:

m0 dv e + b v e = q0 E dt
(4.4)
unde m0 este masa electronului, iar b este constanta de frnare. Soluia ecuaiei difereniale (4.4) este de forma:
ve = A e
t
+B
(4.5)
m0 este durata de relaxare. b
unde A i B sunt constante, iar =
Constantele A i B se determin impunnd condiia ca la momentul aplicrii cmpului electric (la t=0), viteza de translaie a electronului s fie nul (ve=0). Se va obine:
A = B = q0E q0E = b m0
(4.6)
Dac introducem constantele A i B n relaia (4.5), obinem viteza electronului:

t t q0E q0E q0E v E (t ) = e 1 e = m0 m0 m0
(4.7)
Densitatea curentului de conducie este dat de relaia: J = N0 ( q0 ) v e (4.8)
113
unde N0 este concentraia de electroni liberi n metal. Dac n relaia (4.8) nlocuim vE cu expresia (4.7) obinem:
J=
2 N0q0 m0
t e 1 E
(4.9)
Deoarece durata de relaxare a electronilor n metale este foarte mic ( 1014 s ) regimul permanent se obine foarte repede. n regim permanent e J=
t
= 0 , iar densitatea de curent devine:
2 N0 q0 E m0
(4.10)
innd cont de legea lui Ohm ( J = E ) i de relaia (4.10), conductivitatea metalului este: =
2 1 N0 q0 = = N0 ( q0 ) 0 m0
(4.11)
unde 0 =
q0 este mobilitatea electronilor liberi n metal. m0
Din relaia (4.11) se observ c avem o dependen a conductivitii electrice de mobilitatea electronilor din metal i de concentraia electronilor. n metale, concentraia purttorilor de sarcin este constant. Mobilitatea electronilor este influenat de ciocnirile electronilor cu fononii reelei metalice. Defectele de structur ale materialului influeneaz mobilitatea electronilor i implicit conductivitatea metalului.
4.2.2. Dependena rezistivitii metalelor de diveri factori Exist o serie de factori care influeneaz rezistivitatea metalelor. Unul dintre ei l reprezint temperatura. Defectele de structur, impuritile din material, tratamentele termice i mecanice
114
sunt ali factori care infueneaz rezistivitatea unui metal. Um metal cu reea cristalin fr defecte, fr impuriti i n absena solicitrilor termice i mecanice se caracterizeaz printr-o valoare minim a rezistivitii. n realitate, orice material prezint imperfeciuni ale reelei cristaline, ceea ce duce la modificri ale proprietilor electrice ale sale. Influena temperaturii asupra rezistivitii Rezistivitatea metalelor variaz cu temperatura prin intermediul constantei de timp de relaxare . Rezistivitatea unui metal crete cu temperatura, datorit ciocnirilor dintre electroni i fononii reelei metalice. n cazul unui metal pur, fr defecte de reea, rezistivitatea variaz proporional cu T5 pentru temperaturi mai mici dect temperatura Debye (TD) i proporional cu T pentru temperaturi mai mari dect temperatura Debye (figura 4.1). Temperatura Debye este temperatura minim de la care rezistivitatea metalului crete liniar cu temperatura.
[m]
T[K] TD
Fig. 4.1 Dependena rezistivitii unui metal de temperatur.
Dependena rezistivitii de temperatur poate fi descris de relaiile: (T ) = C1 T 5 pentru T < TD (4.12)
115
Respectiv
(T ) = C2 T
pentru T > TD
(4.13)
unde C1 i C2 sunt constante Tabelul 4.1 prezint valoarea temperaturii Debye pentru cteva metale uzuale.
Tabelul 4.1 Valorile temperaturii Debye pentru cteva metale. Metalul Pb TD[K] Au Zn 180 Ag 214 Pt 240 Cu 320 W 400 Al 428 Ni 450 Fe 470 Cr 630 84,5 160
Pentru temperaturi mai mari dect temperatura Debye, rezistivitatea este dat de relaia:
(T ) = (T0 ) 1 + p (T ) (T T0 )
(4.14)
unde (T) i (T0) sunt rezistivitile la temperatura T i T0; T0 temperatura de referin; p(T) coeficientul de temperatur al rezistivitii. Temperatura de referin este o temperatur aleas arbitrar. De obicei se alege 273K (0C) sau 293K (20C). Coeficientul de temperatur al rezistivitii se calculeaz cu relaia:
p (T ) = 1 1 (T ) (T0 ) = (T0 ) T (T0 ) T T0
(4.15)
La metale, coeficientul de temperatur al rezistivitii ia valori pozitive, spre deosebire de semiconductoare unde este negativ. n tabelul 4.2 sunt prezentate valorile coeficientului de temperatur al rezistivitii i rezistivitatea pentru cteva metale uzuale. Ultima coloan prezint rezistivitatea metalelor respective raportat la cupru. Se observ c dintre metalele prezentate doar argintul are rezistivitatea mai mic dect a cuprului. Cuprul fiind cel mai utilizat material conductor n electronic.
116
Tabelul 4.2 Coeficientul de temperatur al rezistivitii i rezistivitatea. Metalul Au Ag Pt Cu W Al Ni Fe
p K 1 la T=293K
3,810-3 3,610
-3
[ ]
Rezistivitatea [m] 2,310-8 1,6210 1,6810 2,910

-8
Rezistivitatea raportat la Cu 1,37 0,96 6,43 1,00
3,0210-3 3,9310 4,810 4,310 610

-3 -3 -3 -3
10,810-8
-8 -8
5,510 8,310
-8 -8
-8
3,274,94 1,73 5,17 5,186,25
8,6910
5,510-3
8,710-810,510-8
Conform relaiei (4.12), la 0K metalele ar trebui s aib rezistivitatea egal cu zero. n realitate se constat c la anumite materiale conductoare la scderea temperaturii sub o anumit temperatur critic (TC) rezistivitatea scade brusc la zero. Fenomenul se numete supraconductibilitate. n starea de supraconductibilitate, materialul supraconductor poate conduce curentul electric fr pierderi prin efect Joule. Figura 4.2 prezint dependena rezistivitii pentru un metal obinuit (cu linie punctat) i pentru unul supraconductor (cu linie nentrerupt).
T TC
Fig. 4.2 Dependena rezistivitii unui metal supraconductor de temperatur.
117
Se observ din desen c pentru un material supraconductor, dac temperatura este mai mic dect temperatura critic, rezistivitatea este zero. Temperatura critic este o mrime bine definit. Tabelul 4.3 prezint temperaturile critice pentru cteva materiale supraconductoare.
Tabelul 4.3 Valori ale temperaturii critice. Materialul TC[K] Materialul TC[K] Zn 0,87 V 5,38 Ga 1,1 Pb 7,2 Al 1,18 Te 7,7 In 3,4 Nb 9,2 Sn 3,7 V3Si 17 Hg 4,1 Nb3Al 17,5 Ta 4,5 Nb3Sn 18,2
Influena impurittilor i defectelor de reea asupra rezistivitii Impuritile din reeaua cristalin a metalului duc la o frnare suplimentar a electronilor de conducie. Conform relaiei (4.12), rezistivitatea unui metal ar trebui s scad cu temperatura pn la 0. n realitate se constat c rezistivitatea este diferit de zero, chiar dac temperatura ar scdea pn la 0K (figura 4.3). Aceast valoare a rezistivitii se numete rezistivitate rezidual.
rez
Fig. 4.3 Dependena rezistivitii unui metal cu impuriti.
118
Legea lui Matthiessen spune c rezistivitatea unui metal este compus din doi termeni, unul care depinde de temperatur (T) i unul care nu depinde de temperatur (rez): = T + rez (4.16) Rezistivitatea rezidual (rez) nu depinde de temperatur ci numai de natura i concentraia impuritilor (imp), dar i de defectele de reea (def), existente ntr-un material real. Rezistivitatea rezidual poate fi scris ca suma celor dou rezistiviti, cea dat de impuriti i cea dat de defectele de reea. Relaia (4.16) devine:
= T + imp + def
(4.17)
Deformarea plastic, la rece, a metalelor mrete concentraia defectelor de reea n metal. De regul, rezistivitatea rezidual crete liniar cu concentraia defectelor de reea. Tratamentele mecanice efectuate la rece pot duce la o cretere cu pn la 6% a rezistivitii n cazul metalelor pure (Al, Cu, Fe, Ag, Au etc). n cazul wolframului, creterea rezistivitii este i mai accentuat n urma prelucrrii la rece. Prin recoacere, rezistivitatea materialului poate s revin pn la valori apropiate de cele iniiale. Acest lucru se ntmpl deoarece n urma nclzirii metalului, reeaua cristalin tinde s se refac. Experimental s-a observat c scderea rezistivitii are loc chiar dac temperatura este mai mic dect temperatura de recristalizare. De exemplu, n cazul fierului temperatura de recristalizare este 520C, dar s-a observat c o recoacere la 100C duce la o reducere semnificativ a rezistivitii materialului. Acelai lucru s-a observat i la mainile electrice bobinate cu conductoare ecruisate, netratate termic. Dup un anumit numr de cicluri de funcionare, cnd maina se nclzea pn la o anumit temperatur, urmat de rcirea mainii, s-a constatat o reducere a rezistivitii, cu toate c temperatura atins n timpul funcionrii era considerabil mai mic dect temperatura de recoacere.
119
4.3. Materiale conductoare utilizate n electronic
4.3.1. Materiale cu conductivitate mare Materialele conductoare cu conductivitate mare au o serie de aplicaii n ingineria electric i n electronic. Aplicaiile n care se folosesc materiale conductoare ncep cu distribuia energiei la distan i se termin cu legturile interne din circuitele integrate. Din aceste materiale conductoare se realizeaz traseele conductoare, electrozi, antene, ecrane magnetice, contacte fixe i elastice etc. Materialele folosite n aceste aplicaii trebuie s aib o rezistivitate ct mai mic i o densitate de curent ct mai mare, conductivitate termic ridicat, proprieti mecanice bune, rezisten mare la coroziune, s poat fi prelucrate mecanic uor, s poat fi lipite/sudate, s fie ieftine etc. Tabelul 4.4 prezint cteva materiale cu conductivitate ridicat care au aplicaii n electronic.
Tabelul 4.4 Cteva caracteristici ale principalelor materiale conductoare. Materialul Rezistivitatea Conductivitatea Temperatura (la 300K) [m] [S/m] de topire [C] Ag Cu Au Al W Zn Ni Fe Pt Sn Pb 1,610-8 1,7210-8 2,2210 2,7410 5,410 7,310 9,810 5,9210
-8 -8
6,21107 5,81107 4,5010 3,6510 1,8510 1,6910 1,3710 1,0210 0,9510 0,4810
7 7 7 7 7 7 7
1234 1085 1336 660 3440 693 1728 1808 2043 505 327
-8 -8
-8 -8 -8
10,510 1210-8 2110

-8
0,83107
7
120
Cuprul Cuprul este cel mai utilizat material conductor n electronic datorit proprietilor sale electrice i mecanice foarte bune. Cuprul are o conductivitate electric de 5,8107S/m, foarte apropiat de a argintului. Rezistena mecanic este mare, se prelucreaz uor, se pot face lipituri cu uurin pe suprafa. n electronic se folosete cuprul electrolitic obinut prin rafinare electrolitic. n urma rafinrii se obine cuprul moale, cu o puritate de 99,95%. Caracteristicile cuprului depind n mare msur de gradul de puritate i de prelucrrile la care este supus materialul. Cuprul se aliaz cu zinc i se obine alama, cu staniu, aluminiu, siliciu, cadmiu, argint etc obinndu-se bronzul. Aceste aliaje se folosesc frecvent ca nlocuitoare pentru cupru, dar au performane electrice mai slabe, dar performane mecanice mai bune. Cuprul este un material maleabil i ductil. Prin laminare se obin folii de cupru de grosimi foarte mici. Prin trefilare se pot obine fire cu diametrul de ordinul sutimilor de milimetru. Temperatura de topire a cuprului este 1083C. Ca dezavantaje ale cuprului amintim faptul c este un material scump, deficitar i din acest motiv este nlocuit cu aluminiu sau cu aliajele sale (bronzuri sau alame) care au proprieti mecanice mai bune i se pot prelucra prin achiere. De asemenea, au o rezisten mai mare la coroziune. n electronic, cuprul se folosete pentru traseele conductoare pe cablajele imprimate, conectori, contacte, piese conductoare, conductoare de bobinaj, conductoare pentru transportul energiei electrice etc. Aluminiul Aluminiul este alt material utilizat frecvent datorit proprietilor sale electrice foarte bune. Este un material mai uor i mai ieftin dect cuprul, dar are conductivitate electric mai mic dect a cuprului. Conductivitatea electric a aluminiului este 3,65107S/m. Coeficientul de variaie a conductivitii cu temperatura este mare. Temperatura de topire a aluminiului este 657C. Aluminiul formeaz la suprafaa sa o
121
pelicul de oxid de aluminiu. Aceast pelicul are rol protector. Din acest motiv, aluminiul este rezistent la aciunea apei i a soluiilor organice, dar este atacat de acizi organici, apa de mare, sruri ale halogenilor etc. Oxidul de aluminiu asigur o protecie conductorului, dar poate crea probleme la jonciunea dintre dou conductoare. Din acest motiv, n zona de contact dintre dou conductoare, acestea se sudeaz. Oxidul de aluminiu are o rigiditate destul de ridicat, care crete cu grosimea acestuia. O pelicul de 310-5m rezist la o tensiune de 100V, iar o pelicul de 410-5m poate rezista la o tensiune de pn la 250V. Proprietile mecanice i electrice sunt inferioare proprietilor pe care le are cuprul. Aluminiul tras la rece este maleabil i ductil. Aluminiul are un potenial de electrod negativ, de valoare mare (-1,67V). Din aceast cauz, aluminiul se consum (apare un transfer de atomi de aluminiu spre cellalt metal). De aceea, la conectarea unui conductor de aluminiu cu un conductor de cupru se vor folosi cleme speciale. Din aluminiu se realizeaz conductoare de bobinaj, conductoare pentru transportul energiei electrice, carcase ale unor maini i aparate electrice, iar din aluminiul cu un grad de puritate ridicat prin laminare sau depunere n vid pe folii dielectrice se realizeaz armturi de condensatoare. Din aluminiu se mai realizeaz mantale i ecrane pentru cablurile electrice. Pentru a mbunti proprietile mecanice ale aluminiului, n anumite aplicaii se utilizeaz aliaje ale acestuia. Unele aliaje utilizate au proprieti electrice foarte apropiate de proprietile aluminiului. Dintre aliajele cele mai folosite amintim: alduro sau aldrey conine 98,45%Al, 0,7%Mg, 0,6%Si i 0,25%Fe i are rezistivitate mic (3210-9m) i rezisten mare la traciune. Se utilizeaz la construcia conductoarelor aeriene pentru transportul energiei electrice. siluminiul este un aliaj de aluminiu cu 1113,5%Si, care n stare topit are fluiditate mare, coeficient de contracie mic i rezisten mare la coroziune. Se utilizeaz la turnarea unor piese i carcase de aparate. aliajele aluminiului cu Mn, Cu, Cu-Ni, Si, Mn-Mg etc se utilizeaz pentru turnarea diferitelor piese i carcase.
122
Fierul Fierul este un alt metal utilizat frecvent, dei are conductivitatea mai sczut (1,02107S/m), datorit preului su mult mai mic dect al cuprului i al aluminiului. Este un metal de culoare gri-argintie, cu punct de topire ridicat (1538C). Este un material feromagnetic, se utilizeaz la realizarea circuitelor magnetice (pentru transformatoare i maini electrice), a carcaselor mainilor i aparatelor electrice. Din fier se realizeaz i conductoare pentru linii de distribuie de mic putere, circuite de telefonie, conductoare pentru linii electrice aeriene, care trebuie s suporte sarcini mari, miezul conductoarelor Al-Fe. Fierul se utilizeaz i la construcia prizelor de pmnt, a unor contacte glisante (la pantografe, poduri rulante etc). Oxizii de fier se utilizeaz ca materiale magnetice pentru stocarea magnetic a informaiei etc. Conductori nemetalici ITO (Indium Tin Oxide) este un material conductor transparent, incolor. ITO este un amestec de oxid de indiu (In2O3) i oxid de staniu (SnO2). n mod uzual, proporiile sunt 90% oxid de indiu i 10% oxid de staniu. Conductivitatea ITO-ului este acceptabil. Ca i aplicaii n care este utilizat ITO-ul amintim electrozii transpareni de pe afiajele cu cristale lichide, TFT-uri, OLED-uri, panouri solare etc. n afar de ITO mai exist i alte tipuri de oxizi metalici conductori: TiO, ZnO, NiO etc. Poliacetilena dopat cu iod (IPA) este un polimer conductor cu rezistivitatea n jur de 6,710-8m. n general, polimerii sunt materiale izolatoare, dar prin dopare cu anumite materiale se pot obine materiale cu conductivitate destul de bun.
4.3.2. Materiale pentru contacte electrice Materialele utilizate pentru contactele electrice trebuie s ndeplineasc o serie de condiii. Pe lng conductivitatea electric mare trebuie s aib o temperatur de topire ridicat, conductibilitate
123
termic bun, duritate mare, rezisten mare la aciunea factorilor de mediu etc. Conductivitatea electric trebuie s fie ct mai ridicat pentru ca rezistena de contact s fie ct mai mic. n cazul n care sub aciunea factorilor de mediu se formeaz oxizi pe suprafaa contactelor, acetia nu trebuie s influeneze semnificativ rezistena de contact. Proprietile mecanice ale materialului trebuie s fie bune, pentru ca acesta s reziste la un numr mare de acionri. Dac proprietile mecanice sunt slabe, apare uzura mecanic a contactului. Materialele utilizate la contactele electrice trebuie s aib o temperatur de topire ridicat, pentru ca arcul care se formeaz la ntreruperea contactului s nu topeasc materialul. Contactele pot fi clasificate n contacte: fixe asigur un contact permanent ntre cele dou conductoare; de rupere asigur nchiderea/deschiderea unui circuit electric; glisante (mobile) prile n contact alunec una pe alta. Contactele fixe pot fi realizate prin intermediul unor cleme, uruburi, nituri, manoane sau prin lipire. Aliajele de lipit sunt materiale cu temperatura de topire mai sczut pentru a asigura o lipire bun fr s existe riscul de a distruge componentele electronice sau s exfolieze cablajul pe care urmeaz s se fac lipitura. Contactele de rupere fiind supuse unor condiii de lucru mai dificile (uzur mecanic, coroziune etc) utilizeaz materiale cu proprieti speciale. De obicei aceste contacte se realizeaz din aliaje de wolfram, molibden sau aliaje ale metalelor nobile (Au-Ag, Pt-Ir, AuPt, Ag-Pt, Ag-W, Ag-Ni, Ag-Cu, Cu-Au, Au-Ag-Cu, Ag-Cu-W etc). Tot pentru contactele de mic putere se mai folosete carbonul (grafitul) n diverse variante. Contactele glisante sau mobile se utilizeaz la colectoarele motoarelor, la pantografe, poduri rulante etc) i se realizeaz din cupru, grafit, fier, bronzuri, alame etc.
124
Argintul Argintul este un metal de tranziie, cu conductivitate electric mare (6,3107S/m). Este un metal de culoare gri-argintie, cu temperatura de topire 960,5C. Argintul este un metal moale, maleabil i ductil. Se poate trage n fire foarte subiri. n prezena aerului, oxideaz destul de uor. Avnd conductivitate electric mare, are o serie de aplicaii n electronic i electrotehnic. Din argint se realizeaz sigurane fuzibile. Prin turnare i ambutisare se realizeaz conectori i pastile pentru contactele electrice. Platina Platina este un metal nobil, maleabil i ductil, cu conductivitate electric i termic foarte bun. Se utilizeaz la fabricarea termocuplelor, a lamelelor bimetalice din sistemele mobile ale aparatelor de msur. Din aliaje pe baz de platin se realizeaz contacte de rupere. Wolframul Wolframul sau tungstenul este un metal de culoare cenuie cu temperatura de topire ridicat (3442C). Conductivitatea electric a wolframului este 1,89107S/m, iar conductibilitatea termic este 174W/mK. Datorit temperaturii de topire ridicate, din wolfram se realizeaz filamentele lmpilor cu incandescen, a tuburilor electronice, electrozi etc. Wolframul are o duritate mare i suport bine arcul electric. Din acest motiv se folosete i la contactele de rupere. Nichelul Nichelul este un metal maleabil, ductil de culoare alb-cenuie. Temperatura de topire a nichelului este 1455C. Are o stabilitate chimic foarte bun.
125
Grafitul Grafitul este un material opac de culoare neagr-cenuie, care prezint o reea hexagonal stratificat. Atomii de carbon sunt dispui n plane reticulare paralele. Atomii din acelai plan sunt distribuii n forme de hexagon regulat cu latura de 1,42. Fiecare atom de carbon este legat de ali trei atomi de carbon din acelai strat prin legturi covalente, iar un electron rmne liber. Electronii de valen care nu sunt participani la legturile covalente se pot deplasa liber n cadrul planului din care fac parte. Aceasta explic conductivitatea bun a grafitului. Distana dintre dou plane reticulare este 3,35 . Din acest motiv forele de legtur dintre atomii din dou plane paralele sunt mult mai reduse. Planele reticulare paralele pot aluneca uor unele fa de altele. Din acest motiv, n timpul funcionrii, se desprind poriuni mici de grafit, care umplu golurile din suprafaa de contact. Astfel se obin suprafee de alunecare netede, caracterizate prin rezisten de contact mic i uzur redus. Din grafit se realizeaz contacte electrice, perii colectoare pentru motoare, electrozi etc.
Fig. 4.4 Structura hexagonal a grafitului.
126
4.3.3. Materiale cu rezistivitate ridicat Materialele rezistive sunt utilizate pentru limitarea curentului electric. Pentru ca un material conductor s poat realiza aceast funcie trebuie s aib rezistivitate mare, un coeficient de temperatur a rezistivitii ct mai mic, tensiunea electromotoare fa de cupru ct mai mic, proprieti electrice i mecanice stabile n timp, s nu mbtrneasc etc. Metalele pure nu au o rezistivitate suficient de ridicat la temperaturi obinuite pentru a fi utilizate la realizarea rezistoarelor. n plus, metalele au coeficient de variaie al rezistivitii cu temperatura destul de mare. Prin impurificare sau prin aliere se pot obine rezistiviti mai mari i la reducerea dependenei de temperatur a rezistivitii. Din materialele cu rezistivitate ridicat se realizeaz rezistoare fixe i variabile, reostate etc. Rezistoarele cele mai utilizate n electronic sunt rezistoare peliculare, avnd un pre de cost mai mic. La puteri mari, se folosesc rezistoare bobinate sau rezistoare de volum. Rezistoarele peliculare pot fi cu pelicul de carbon (aglomerat sau cristalin), cu pelicul de bor-carbon, cu pelicul de nichel sau cu pelicul de oxizi metalici. Rezistoarele cu pelicul de carbon se obin prin depunerea unei pelicule de carbon pe un suport izolator. Pelicula de carbon se obine prin descompunerea unei hidrocarburi saturate n atmosfer de azot. n cazul rezistoarelor cu pelicul de nichel, prin procedee chimice se depune o pelicul subire (cu grosime mai mic de 100m) pe un suport ceramic. Cu ct pelicula este mai subire, se obin rezistoare cu valori mai mari. Rezistoarele cu pelicul de nichel au valori nominale mici, cuprinse ntre 1 i 330. Alte materiale utilizate la rezistoarelor cu pelicul sunt aliajele Ni-Cr i Ni-Cu. Rezistoarele cu pelicul de oxizi metalici sau cu glazur metalic se realizeaz pe un suport izolator, din alumin. Suportul este plan i prin procedee serigrafice se depune pelicula rezistiv din oxizi metalici. Rezistoarele cu pelicul metalic sunt caracterizate prin
127
precizie ridicat i coeficient de temperatur sczut. Pelicula rezistiv poate fi din bioxid de staniu, cloruri ale staniului sau cermeturi. Rezistoarele bobinate se utilizeaz la puteri cuprinse ntre 1W i 250W. Se obin prin bobinarea unui fir conductor cu rezistivitate mai mare pe un suport izolator. n cazul rezistoarelor de precizie i etalon utilizate ca unturi sau rezistene adiionale n aparatele de msur se utilizeaz aliajele tip manganin i aliajele pe baz de metale preioase. Aliajele tip manganin sunt aliaje cupru, mangan, nichel sau aluminiu i eventual fier. Tabelul 4.5 prezint cteva aliaje tip manganin, iar tabelul 4.6 prezint dou aliaje pe baz de metale preioase.
Tabelul 4.5 Aliaje tip manganin. Compoziia 86%Cu+12%Mn+2%Ni 16,5%Cu+67%Mn+16,5%Ni 10%Cu+60%Mn+30%Ni 5%Cu+67%Mn+28%Ni 33%Cu+67%Mn 84%Cu+13%Mn+3%Al 85%Cu+9,5%Mn+5,5%Al 82,5%Cu+12%Mn+4%Al+1,5%Fe Rezistivitatea 4,310-7m 20,310-7m 20,510-7m 2210-7m 18,810-7m 510-7m 4,510-7m 4,510-7m
Tabelul 4.6 Aliaje pe baz de metale preioase. Compoziia 98%Au+2%Cu 82%Ag+10%Mn+8%Sn Rezistivitatea 3,310-7m 510-7m
n cazul reostatelor se utilizeaz aliaje pe baz de cupru i nichel, eventual cu adaosuri de zinc i fier. Materialele care se utilizeaz n mod curent la construcia reostalelor sunt constantanul, nichelina, neusilber (aur alb), nichelin-neusilber, alpaca etc.
128
Constantanul este aliajul cel mai utilizat la construcia reostatelor, avnd coeficientul de temperatur al rezistivitii foarte mic (1410-6K-1). Nichelinele au proprieti mai slabe dect constantanul, dar sunt mai ieftine i se prelucreaz mai uor. Nichelina are coeficientul de temperatur al rezistivitii aproximativ 2310-5K-1. Neusilberul sau aurul alb este un aliaj rezistiv care connine cupru, nichel i zinc, cu rezisten mecanic mai redus i stabilitate termic bun. Coeficientul de temperatur al rezistivitii este aproximativ 3110-5K-1. Are avantajul c este un aliaj mai ieftin.
Tabelul 4.7 Aliaje pentru reostate. Denumirea Constantan Nichelin Neusilber Kanthal Nichrone Nichrothal Compoziia 60%Cu+40%Ni 54%Cu+26%Ni+20%Zn 60%Cu+17%Ni+23%Zn 75%Ni+20%Cr+4,5%Al+0,5%Co 75%Ni+20%Cr+5%Fe 75%Ni+17%Cr+8%(Mn+Si) Rezistivitatea 510-7m 4,310-7m 310-7m 310-7m 13,510-7m 13,310-7m
Rezistoarele de volum sunt utilizate tot ca rezistoare de putere. Se realizeaz dintr-un amestec de material conductor cu un material izolant, de umplutur. Ca material conductor se utilizeaz grafit sau negru de fum, iar materialul izolator cu care este amestecat poate fi talc, bioxid de titan, bioxid de zirconiu, mic presat, caolin etc. Avantajul rezistoarelor de volum este robusteea i tehnologia simpl de fabricaie, dar au proprieti electrice modeste. Puterea nominal a acestor rezistoare nu depete 10W.
129
4.4. ntrebri
1. Ce sunt materialele conductoare? 2. Ce sunt conductoarele de ordinul I? 3. Dar cele de ordinul II? 4. Care sunt principalele aplicaii ale materialelor conductoare? 5. Explicai teoria conduciei electronice n metale. 6. Cum influeneaz temperatura rezistivitatea metalelor? 7. Ce este temperatura Debye? 8. Ce sunt materialele supraconductoare? 9. Ce este rezistivitatea rezidual? 10. Ce proprieti trebuie s aib materialele utilizate pentru contactele electrice? 11. La ce se utilizeaz materialele cu rezistivitate ridicat?
5. Materiale magnetice
5.1. Definiii. Generaliti

Materialele magnetice sunt materiale caracterizate prin stri de magnetizaie. Magnetizaia este starea materiei caracterizat prin moment magentic al unitii de volum diferit de zero. Dipolii magnetici prezeni n material sunt dai de micarea orbital i de spin (n jurul axei proprii) a electronilor. Momentul magnetic elementar este suma vectorial a momentelor magnetice orbitale i de spin de pe o particul. n absena unui cmp electric exterior, momentul magnetic elementar poate fi nul sau nenul (momentul magnetic elementar spontan). n cazul unui atom, momentul magnetic elementar ( mp ) este: mp = ms el i + mo el i + ms n
i i
(5.1)
unde ms el i este momentul magnetic de spin al electronului;

mo el i momentul magnetic orbital al electronului; ms n momentul magnetic de spin al nucleului.
Deoarece momentele magnetice orbitale ale electronilor se compenseaz, iar momentul magnetic de spin al nucleului este foarte mic n comparaie cu momentul magnetic de spin al electronului, putem afirma c doar momentul magnetic de spin al electronilor prezint importan la apariia momentului magnetic elementar spontan. Momentul magnetic elementar spontan al materialelor magnetice utilizate n electronic este determinat de necompensarea reciproc a momentelor magnetice de spin. Elementele chimice care au moment magnetic spontan sunt cele care
Materiale magnetice
131
au straturile interioare incomplet ocupate cu electroni. Din aceast categorie fac parte metalele de tranziie, pmnturile rare (actinidele i lantanidele). Elementele chimice care au straturile interioare complet ocupate cu electroni nu au moment magnetic spontan deoarece pe fiecare nivel energetic exist cte doi electroni cu spinii orientai antiparalel, care se compenseaz reciproc. Dac considerm un volum infinitezimal, vectorul magnetizaie ( M ) va fi dat de suma vectorial a tuturor momentelor magnetice elementare ( mi ) din unitatea de volum:
M = lim
m
i
V 0
(5.2)
Dac starea de magnetizaie a unui material este independent de cmpul magnetic exterior avem magnetizaie permanent ( M p ). Magnetizaia permanent exist i n absena cmpului magnetic exterior. Dac starea de magnetizaie a unui material depinde de cmpul magnetic exterior, atunci avem magnetizaie temporar ( M t ). Magnetizaia temporar exist atta timp ct avem cmp magnetic extern i dispare odat cu acesta. Vectorul magnetizaie este dat de suma celor dou componente:
M = M p + Mt
(5.3)
Legea magnetizaiei temporare ne d dependena dintre magnetizaia temporar i intensitatea cmpului magnetic exterior (H):
Mt = m H
(5.4)
unde m este susceptivitatea magnetic a materialului. Susceptivitatea magnetic este o caracteristic de material i depinde numai de natura fizico-chimic a materialului. n cazul corpurilor izotrope, susceptivitatea magnetic este o mrime scalar, iar n cazul corpurilor anizotrope, susceptivitatea magnetic este o mrime tensorial. Dac susceptivitatea magnetic este independent de intensitatea cmpului magnetic vom avea materiale magnetice liniare, iar dac ntre susceptivitatea magnetic i intensitatea cmpului magnetic exist o interdependen vom avea materiale magnetice neliniare.
132
Materiale magnetice
Ecuaia lui Maxwell descrie relaia dintre inducia magnetic ( B ) i intensitatea cmpului magnetic ( H ) n vid:
B = 0 H
(5.5) m este permeabilitatea magnetic a vidului.
unde 0 = 4 10 7 H
Unitatea de msur pentru inducia magnetic (densitatea V s fluxului magnetic) este Tesla. 1T este egal cu 1 2 i egal cu m 4 10 Gauss. Intensitatea cmpului magnetic se msoar n A sau n m 103 A . Oersted = 1Oe 4 m Interaciunea dintre un material i cmpul magnetic este descris de relaia:
B = 0 H + 0 M
(5.6)
Dac considerm un material izotrop, liniar i fr magnetizaie permanent, relaia (5.6) devine:
B = 0 H + 0 Mt
(5.7)
nlocuind n relaia (5.7) relaia (5.4), obinem:

B = 0 H + 0 m H = 0 (1 + m ) H
(5.8)
Facem notaia r = 1 + m i obinem:

B = 0 r H
(5.9)
unde r = 1 + m este permeabilitatea relativ a materialului. Comparnd relaiile (5.5) i (5.9) putem spune c inducia magnetic ntr-un material crete de r ori fa de vid. Permeabilitatea relativ a materialului este o mrime adimensional. n cazul materialelor magnetice reale, permeabilitatea relativ este o mrime complex care depinde de pierderile de energie activ din material. Permeabilitatea absolut a materialului este: = 0 r (5.10)
Materiale magnetice
133
Permeabilitatea relativ i permeabilitatea absolut sunt mrimi caracteristice materialului.
5.2. Clasificarea materialelor magnetice

Din punct de vedere al strii de magnetizaie avem: materiale cu magnetizaie temporar; materiale cu magnetizaie permanent. Materialele cu magnetizaie temporar pot fi: materiale diamagnetice; materiale paramagnetice. Materialele cu magnetizaie permanent se mpart n: materiale feromagnetice; materiale antiferomagnetice; materiale ferimagnetice. Materialele pot fi clasificate astfel: materiale nemagnetice; materiale magnetice. Materialele nemagnetice sunt materialele care au susceptivitatea i permeabilitatea magnetic de valori reduse. Acestea au o magnetizaie slab. Materialele diamagnetice, paramagnetice i antiferomagnetice sunt materiale nemagnetice deoarece au magnetizaia foarte slab. Materialele magnetice au susceptivitatea i permeabilitatea magnetic cu valori mari de ordinul sutelor, miilor, zecilor sau chiar sutelor de mii. Din aceast categorie fac parte materialele feromagnetice i ferimagnetice. Materialele feromagnetice i ferimagnetice sunt caracterizate prin valori mari ale cmpului magnetic coercitiv (HC) i ale induciei magnetice de saturaie (BS). Dependena dintre inducia magnetic i
134
Materiale magnetice
intensitatea cmpului magnetic este neliniar, iar la variaii ciclice ale cmpului magnetic se produc pierderi prin histerezis magnetic. Materialele diamagnetice sunt materiale liniare, adic dependena dintre inducia magnetic i intensitatea cmpului magnetic (B = H ) este liniar. Materialele diamagnetice sunt constituite din particule nepolare din punct de vedere magnetic. Permeabilitatea magnetic n cazul materialelor diamagnetice este independent de cmpul magnetic, de temperatur i de presiune. n cazul materialelor diamagnetice, cmpul magnetic aplicat materialului duce la suprapunerea unei micri de precesie peste micarea orbital a electronilor. Aceast micare de precesie produce un cmp magnetic indus, opus cmpului exterior aplicat. Datorit acestui fapt, cmpul magnetic se va reduce, deci avem o susceptivitate magnetic negativ (m<0) i o permeabilitatea magnetic relativ subunitar (r<1). Susceptivitatea magnetic n cazul materialelor diamagnetice are valori foarte mici i este de ordinul 10-510-6 (n valoare absolut). Tabelul 5.1 prezint cteva valori ale susceptivitii i permeabilitii magnetice relative pentru cteva materiale diamagnetice. Dependena dintre magnetizaie i intensitatea cmpului magnetic n cazul materialelor diamagnetice este prezentat n figura 5.1.
Fig. 5.1 Dependena magnetizaiei de intensitatea cmpului magnetic, n cazul materialelor diamagnetice.
Materiale magnetice
135
Tabelul 5.1 Valori ale susceptivitii i permeabilitii magnetice relative pentru cteva materiale diamagnetice. Materialul Cupru (Cu) Aur (Au) Argint (Ag) Zinc (Zn) Bismut (Bi) Plumb (Pb) Mercur (Hg) Germaniu (Ge) Siliciu (Si) Diamant Al2O3 NaCl Susceptivitatea magnetic m -0,910
-5
Permeabilitatea relativ
r = 1+ m
0,999991 0,999964 0,999981 0,999988 0,999982 0,999985 0,99997 0,999992 0,999997 0,999979 0,999995 0,999988
-3,610-5 -1,910 -1,210

-5 -5
-1,810-5 -1,510
-5
-310-5 -0,810 -0,310

-5 -5
-2,110-5 -0,510
-5
-1,210-5
Materialele paramagnetice sunt materialele ale cror atomi au momente magnetice elementare spontane. n absena cmpului magnetic exterior, momentele magnetice elementare sunt orientate n toate direciile, materialul avnt o magnetizaie nul. Dac exist cmp magnetic exterior, momentele magnetice elementare se orienteaz pe direcia cmpului magnetic. Aceasta duce la mrirea cmpului magnetic. n cazul materialelor paramagnetice, dependena dintre inducia magnetic i intensitatea cmpului magnetic este neliniar. n acest caz, procesul de orientare a momentelor magnetice elementare depinde de intensitatea cmpului magnetic exterior, iar magnetizaia se satureaz. Susceptivitatea magnetic la materialele diamagnetice ia valori mici (de ordinul 10-310-4), dar pozitive (m>0). Permeabilitatea magnetic relativ este supraunitar (r>1), dar foarte apropiat de 1.
136
Materiale magnetice
Tabelul 5.2 prezint valorile susceptivitii i permeabilitii magnetice relative pentru cteva materiale paramagnetice.
Tabelul 5.2 Valori ale susceptivitii i permeabilitii magnetice relative pentru cteva materiale paramagnetice. Materialul Aluminiu (Al) Crom (Cr) Mangan (Mn) Natriu (Na) Potasiu (K) Calciu (Ca) Platin (Pt) Oxigen (O) Fe2O3 FeCl2 CrCl3 Cr2O3 Susceptivitatea magnetic m 0,2110
-4
Permeabilitatea relativ
r = 1+ m
1,000021 1,00033 1,001 1,0000085 1,000006 1,000021 1,00025 1,000002 1,0014 1,0037 1,0015 1,0017
3,310-4 1,010
-3
0,8510-5 0,610 0,2110

-5 -4
2,510-4 0,210
-5
1,410-3 3,710-3 1,510

-3
1,710-3
Dependena dintre susceptivitatea magnetic i intensitatea cmpului magnetic n cazul materialelor paramagnetice este prezentat n figura 5.2. Cmpul magnetic are o aciune de orientare a momentelor magnetice, creia i se opune cea de dezordonare dat de agitaia termic. Susceptivitatea magnetic scade cu creterea temperaturii, conform legii Curie-Weiss:
m = C T
(5.11)
unde C este constanta Curie; T este temperatura.
Materiale magnetice
137
Fig. 5.2 Dependena susceptivitii magnetice de intensitatea cmpului magnetic, n cazul materialelor paramagnetice.
Figura 5.3 prezint dependena susceptivitii magnetice de temperatur la materialele paramagnetice.
T
Fig. 5.3 Dependena susceptivitii magnetice de temperatur, n cazul materialelor paramagnetice.
Materialele feromagnetice sunt materialele ale cror atomi au momente magnetice elementare spontane orientate omoparalel pe domenii de magnetizare spontan (domenii Weiss). n lipsa unui cmp magnetic exterior, orientarea domeniilor Weiss este haotic, iar materialul nu prezint magnetizaie, dac iniial a fost complet demagnetizat. Dup o magnetizaie la saturaie, materialul prezint o
138
Materiale magnetice
magnetizaie remanent. Domeniile Weiss sunt desprite ntre ele prin perei Bloch, de grosimi mici. Grosimea unui perete poate fi ntre 50 i 50000 constante de reea. Figura 5.4 prezint un material feromagnetic (fierul) care are o reea cristalin cubic cu volum centrat. Momentele magnetice ale fierului au toate aceeai orientare.
mFe mFe mFe
Fe Fe
mFe
mFe
mFe
Fe
mFe
Fe
mFe
mFe
Fe Fe
Fe
Fe Fe
mFe mFe
mFe
Fe Fe
mFe
Fe
mFe
Fe
Fe
Fig. 5.4 Momentele magnetice n fier.
Datorit acestei structuri, materialele feromagnetice au o permeabilitate relativ i o susceptivitate magnetic mare. Att susceptivitatea magnetic ct i permeabilitate relativ au un caracter neliniar, depinznd de valoarea cmpului magnetic aplicat, dar i de ali factori (temperatur, solicitri mecanice etc). Materiale feromagnetice sunt unele metale de tranziie (fier, nichel, cobalt) care au orbite electronice incomplete i unele aliaje ale acestora, precum i unele pmnturi rare. Ferimagnetismul i antiferomagnetismul apare la materialele care au n structura lor dou subreele magnetice a cror particule au momente magnetice elementare spontane orientate antiparalel. n funcie de egalitatea sau inegalitatea acestor momente magnetice elementare spontane, materialul este antiferomagnetic, respectiv ferimagnetic. Permeabilitatea magnetic relativ a materialelor antiferomagnetice este apropiat de 1, deoarece momentul rezultant
Materiale magnetice
139
este aproape nul. La temperaturi mai mari dect o anumit temperatur limit, numit temperatur Neel, comportamentul antiferomagnetic nceteaz i materialul devine paramagnetic. Materialele antiferomagnetice intr n categoria materialelor nemagnetice i nu prezint o importan deosebit n electronic. Dintre materialele antiferomagnetice amintim manganul, MnO, NiO, CaO etc. Materialele ferimagnetice au un moment magnetic nenul. n cazul fiecreia din cele dou subreele procesul de magnetizare este asemntor cu procesul de magnetizare al feromagneticilor. Magnetizaia rezultant este diferena magnetizrilor celor dou subreele. Magnetizaia scade cu creterea temperaturii, aa cum se observ din figura 5.5. Dac temperatura depete o anumit valoare, numit temperatur Curie TC, domeniile Weiss dispar, iar materialul devine paramagnetic.
M MS
TC
Fig. 5.5 Dependena de temperatur a magnetizaiei la materialele ferimagnetice. Susceptivitatea magnetic a materialelor ferimagnetice este de pn la 1000 de ori mai mic dect susceptivitatea magnetic a materialelor feromagnetice. Rezistivitatea materialelor ferimagnetice este mare, avnd o conducie comparabil cu a semiconductoarelor
140
Materiale magnetice
sau a izolatoarelor. Permeabilitatea relativ este mare (de ordinul sutelor i ajunge chiar pn la zeci de mii). Din categoria materialelor ferimagnetice fac parte feritele, care 3+ 2 au structura general Me 2 +O 2 Fe2 O3 , unde Me este de obicei un metal bivalent (Ni, Zn, Mn, Cd, Mg, Ba, Sr, Pb etc) sau o combinaie echivalent cu un metal bivalent (Mn-Zn, Ni-Zn, Mn-Mg, Mn-Cu, Li-Ni etc).
)(
Spre deosebire de materialele diamagnetice i paramagnetice, materialele feromagnetice i ferimagnetice prezint un interes sporit n electronic, fiind tratate mai detaliat n paragrafele urmtoare. n funcie de modul de comportare al materialelor feromagnetice i ferimagnetice n cmpul magnetic (dup forma ciclului de histerezis) avem: materiale magnetic moi pentru care cmpul coercitiv HC este mai mic de 80A/m; materiale magnetic dure pentru care cmpul coercitiv HC este mai mare de 80A/m. Materialele magnetic moi sunt caracterizate prin ciclu de histerezis ngust (figura 5.6) i cmp coercitiv HC mai mic de 80A/m. Materialele magnetice moi se pot magnetiza i demagnetiza cu uurin. n funcie de raportul mpri astfel:
Br < 0,5 sunt materiale care au permeabilitatea Bm magnetic mic i constant n raport cu cmpul magnetic. Aceste materiale se utilizeaz la realizarea miezurilor magnetice pentru bobine, cu inductivitate constant n raport cu intensitatea cmpului magnetic. Br , materialele magnetic moi se pot Bm
materiale cu
Br < 0,8 sunt materiale cu ciclu de Bm histerezis mai nclinat, care au permeabilitatea magnetic mare i dependent de cmpul magnetic. Aceste materiale se
materiale cu 0,5 <
Materiale magnetice
141
utilizeaz la realizarea miezurilor magnetice pentru bobine, electromagnei, transformatoare, etc.

Br > 0,8 sunt materiale care au ciclu de Bm histerezis dreptunghiular. Aceste materiale se utilizeaz la realizarea miezurilor magnetice pentru memorii magnetice, circuite de comutaie, etc.
materiale cu
Br reprezint coeficientul de nclinare al ciclului Bm de histerezis, iar Br i Bm sunt inducia remanent, respectiv inducia maxim.
Raportul k =
B Bm Br H
B Bm Br
B Bm Br
a)
b)
c)
Fig. 5.6 Exemple de cicluri de histerezis ale materialelor magnetic moi: a)
Br B B < 0,5 ; b) 0,5 < r < 0,8 i c) r > 0,8 . Bm Bm Bm
Materialele magnetic dure sunt caracterizate prin ciclu de histerezis lat (fig. 5.7), inducie remanent mare i cmp coercitiv HC mare (mai mare de 80A/m). Materialele magnetice dure se magnetizeaz mai greu, dar se i demagnetizeaz mai greu, rmnnd magnetizate un timp ndelungat.
142
Materiale magnetice
B Bm Br H
B Bm Br
a)
b)
Br B < 0,4 ; b) r > 0,4 . Bm Bm
Fig. 5.7 Exemple de cicluri de histerezis ale materialelor magnetic dure: a)
n funcie de raportul mpri astfel:
Br , materialele magnetic dure se pot Bm
Br < 0,4 materiale care se utilizeaz la Bm nregistrarea magnetic a informaiei.
materiale cu
Br > 0,4 materiale care se utilizeaz la Bm realizarea magneilor permaneni.
materiale cu
5.3. Feromagnetismul
Materialele feromagnetice care prezint o importan deosebit n tehnic sunt fierul, nichelul, cobaltul, gadoliniul i anumite aliaje ale lor. Proprietatea fundamental a materialelor feromagnetice este c prezint magnetizaie spontan nenul i n absena cmpurilor
Materiale magnetice
143
magnetice exterioare. Aceasta este explicat prin existena domeniilor magnetice (domeniile lui Weiss). Teoria lui Weiss afirm c materialele feromagnetice sunt formate din domenii magnetice de dimensiuni de ordinul sutimilor de milimetru. Aceste domenii prezint magnetizaie spontan. n fiecare domeniu Weiss, particulele constituente au momente magnetice omoparalele (figura 5.8).
Perete Bloch
Domenii magnetice
Fig. 5.8 Domenii Weiss n materiale feromagnetice.
Momentul magnetic elementar al unui atom este determinat de suma dintre momentul magnetic de spin al nucleului i momentele magnetice orbitale i de spin ale electronilor. Deoarece momentul magnetic de spin al nucleului este foarte mic n comparaie cu momentul magnetic de spin al electronului, iar momentele magnetice orbitale, de obicei, se compenseaz, numai momentele magnetice de spin ale electronilor prezint importan pentru apariia momentului magnetic elementar spontan. Momentul magnetic spontan apare doar la elementele chimice care au substraturile interne incomplet ocupate cu electroni, cum sunt metalele de tranziie, lantanidele i actinidele. Orientarea omoparalel a momentelor magnetice apare numai n interiorul domeniilor Weiss, care sunt domenii de mici dimensiuni (sutimi de milimetru). n absena cmpului magnetic exterior, momentele magnetice ale domeniilor Weiss sunt orientate aleator n spaiu, magnetizaia materialului fiind nul per ansamblul su. n
144
Materiale magnetice
prezena cmpului magnetic exterior, domeniile Weiss i vor orienta momentul magnetic n direcia cmpului. Trecerea de la un domeniu magnetic la altul se face treptat printr-o zon de tranziie numit perete Bloch. n interiorul zonei de tranziie, momentele magnetice elementare trec progresiv de la direcia magnetizaiei domeniului respectiv la cea din domeniului vecin. Figura 5.9 reprezint un perete Bloch de 180 ntre dou domenii magnetice antiparalele dintr-un material feromagnetic, precum i orientarea momentelor magnetice ale atomilor din peretele respectiv. Cu d s-a notat grosimea peretelui Bloch, cu a constanta de reea, mp1 i mp 2 sunt momentele magnetice elementar din primul respectiv din al doilea domeniu.
Perete Bloch M1 d a) M2
m p1
a d b)
mp 2
Fig. 5.9 Perete Bloch ntre dou domenii magnetice (a) i detaliu al peretelui Bloch (b).
n timpul magnetizrii materialului (sub aciunea cmpului magnetic exterior) apare o deplasare a pereilor Bloch, fiind favorizat
Materiale magnetice
145
domeniul care are orientarea n direcia cmpului. Deplasarea pereilor Bloch se realizeaz prin rotirea momentelor magnetice vecine peretelui. n cmpuri alternative, pereii au nevoie de un anumit timp pentru a se deplasa. Procesul de deplasare este parial ireversibil, existnd o inducie remanent n material i dup ncetarea aciunii cmpului magnetic exterior, ceea ce duce la histerezisul magnetic al materialului. Curba de histerezis din figura 5.10 ilustreaz variaia induciei magnetice n funcie de intensitatea cmpului magnetic. Principalele mrimi caracteristice ale unei curbe de histerezis sunt inducia remanent Br, cmpul coercitiv HC, inducia maxim Bm i cmpul maxim Hm, inducia de saturaie BS i cmpul de saturaie HS.
B
BS Bm Br
-HS -Hm
-Hc
H
Hc Hm HS
-Br -Bm -BS
Fig. 5.10 Curba de histerezis n cazul unui material feromagnetic.
Suprafaa ciclului de histerezis este o msur a energiei consumate pe durata unui proces magnetizare-demagnetizare. Materialele magnetic moi au ciclul de histerezis ngust, necesitnd energii mici pentru magnetizarea, respectiv demagnetizarea materialului. Materialele magnetic dure au ciclu de histerezis lat (de arie mare), ceea ce presupune energii consumate mari pentru deplasarea pereilor. Aceste materiale au nevoie de cmpuri magnetice mari att pentru magnetizare, ct i pentru demagnetizare.
146
Materiale magnetice
La creterea temperaturii peste o anumit limit, materialul se demagnetizeaz. Aceast temperatur limit este o mrime caracteristic materialului i se numete temperatura Curie (TC). Dac temperatura crete peste temperatura Curie, datorit agitaiei termice, momentele magnetice vor avea orientri aleatoare, materialul avnd o comportare paramagnetic. n tabelul 5.3 sunt indicate valorile temperaturii Curie (TC) pentru cteva materiale feromagnetice.
Tabelul 5.3 Temperatura Curie pentru cteva materiale feromagnetice. Fier 770C Cobalt 1120C Nichel 358C Gadoliniu 17C
5.4. Ferimagnetismul
Materialele ferimagnetice i cele antiferomagnetice conin dou sau mai multe subreele magnetice avnd momentele magnetice opuse. Presupunem un material magnetic format din dou subreele, care au momentele magnetice m A , respectiv m B , aa cum este prezentat n figura 5.11.
mA mA mA
B
mB
B
mB
mA
mA
B
mB
B
mB
B
mB
a)
Materiale magnetice
147
mA
mA
mA
B
mB mA
B
mB mA
B
mB
B
mB
B
mB
b)
Fig. 5.11 Momentele magnetice ntr-un material ferimagnetic (a) i antiferomagnetic (b). Materialele la care m A = m B sunt materiale antiferomagnetice. n lipsa unui cmp magnetic exterior, la materialele antiferomagnetice momentele celor dou subreele se compenseaz. Din punct de vedere macroscopic, materialul va aprea ca fiind nemagnetic. Materialele ferimagnetice au m A m B . Momentele magnetice elementare nu se vor compensa dect parial. Momentul magnetic echivalent va fi: m ech = m A m B (5.12)
Deci, magnetizarea spontan a materialelor ferimagnetice va fi mai mic dect n cazul materialelor feromagnetice. Momentele magnetice echivalente vor fi ordonate omoparalel pe domenii Weiss desprite prin perei Bloch, la fel ca i n cazul materialelor feromagnetice. n prezena unui cmp magnetic exterior, momentele magnetice se vor roti, orientndu-se pe direcia cmpului aplicat. Deplasarea pereilor Bloch are loc la fel ca i la materialele feromagnetice. Din acest motiv, dependena magnetizaiei i a induciei magnetice de cmpul magnetic este asemntoare cu cea de la feromagnetici.
148
Materiale magnetice
5.5. Pierderi n materialele magnetice

ntr-un material magnetic introdus ntr-un cmp magnetic apar pierderi de putere activ. Aceste pierderi de putere apar att n curent continuu ct i n curent alternativ. Pierderile de putere se manifest prin degajare de cldur. Pierderile din materialele magnetice sunt: pierderi prin histerezis magnetic; pierderi prin cureni turbionari; pierderi prin magnetizare; pierderi prin rezonan magnetic. Pierderi prin histerezis Pierderile prin histerezis n materialele magnetice sunt date de pierderile de energie necesare pentru deplasarea pereilor Bloch din materialele magnetice. Aceste pierderi sunt proporionale cu aria ciclului de histerezis. Dac ntr-o bobin cu miez magnetic se injecteaz un curent sinusoidal:
i (t ) = I sin t
(5.13)
atunci, miezului magnetic i se va aplica un cmp:

sin t H (t ) = H
(5.14)
Energia specific (wh) pe unitatea de volum furnizat de cmpul magnetic pentru parcurgerea ciclului de histerezis este:
w h = B(H )dH
h
(5.15)
(h).
Aceast energie este proporional cu aria ciclului de histerezis
Pierderile prin histerezis pe unitatea de mas sunt date de relaia:
Materiale magnetice
wh f
149
ph =
(5.16)
unde: ph[kg/m3] sunt pierderile specifice prin histerezis, pe unitatea de mas; wh[J/m3] energia specific pe unitatea de volum; f[Hz] frecvena cmpului magnetic; [kg/m3] densitatea de volum a materialului magnetic. Dac presupunem c pierderile sunt doar prin histerezis magnetic, schema echivalent a unei bobine care are un miez cu seciunea S i lungimea efectiv l este prezentat n figura 5.12. Bobina este echivalent cu o bobin ideal (L) n serie cu o rezisten de pierderi (Rh).
Rh L
Fig. 5.12 Schema echivalent a unei bobine cu pierderi prin histerezis.
Tangenta unghiului de pierderi prin histerezis este:

tg h = Rh L
(5.17)
Pierderile prin histerezis magnetic pot fi reduse prin utilizarea unor materiale magnetice cu ciclu de histerezis ngust (cu arie mic). Pierderi prin cureni turbionari La introducerea unui material magnetic ntr-un cmp magnetic variabil, n material se vor induce cureni turbionari (cureni Focault). Pierderile specifice pe unitatea de mas sunt date de relaia:
pct =
2 2 d 2 f 2 Bmax
(5.18)
unde: pct[kg/m3] sunt pierderile specifice prin cureni turbionari, pe unitatea de mas; f[Hz] frecvena cmpului magnetic;
150
Materiale magnetice
Bmax[T] amplitudinea induciei magnetice n seciunea transversal a miezului; [m] rezistivitatea miezului; [kg/m3] densitatea de volum a materialului magnetic; un parametru adimensional de form ( este 6 pentru o tol laminat, 16 pentru un miez cilindric, 20 pentru unul sferic, etc); d[m] o dimensiune a materialului (grosimea tolei, diametrul cilindrului sau al sferei). Curenii turbionari creaz un cmp magnetic care se opune cmpului iniial din material, atenundu-l. Atenuarea crete cu distana n material. Astfel, se produce un efect de ecranare. Schema echivalent serie a unei bobine cu pierderi prin cureni turbionari este prezentat n figura 5.13.
Rct L
Fig. 5.13 Schema echivalent a unei bobine cu pierderi prin cureni turbionari.
Tangenta unghiului de pierderi prin cureni turbionari este:

tg ct = Rct L
(5.19)
Pierderile prin cureni turbionari pot fi reduse prin reducerea dimensiunilor materialului (grosimea tolei) i prin utilizarea unor materiale magnetice cu rezistivitate mare. Pierderi prin magnetizare Dac unui material magnetic i se aplic un cmp magnetic sub forma unui semnal treapt, inducia magnetic n material va lua instantaneu o valoare iniial Bi, dup care va crete exponenial, spre o valoare de regim staionar Bst, aa cum se observ din figura 5.14. Cmpul magnetic fiind constant, valoarea instantanee a permeabilitii relative va avea aceeai variaie ca i inducia magnetic. Acest fenomen tranzitoriu este de natura unei vscoziti termice. La 0 K, fenomenul acesta dispare. n regim armonic, ntre inducie i cmp
Materiale magnetice
151
exist un defazaj, deoarece permeabilitatea relativ are un caracter complex.
0 B Bst Bi 0
t0
t0
Fig. 5.14 Variaia induciei la aplicarea brusc a unui cmp magnetic.
Pierderi prin rezonan magnetic Dac se introduce un material magnetic ntr- un cmp magnetic continuu H0 , apare o acceleraie centripet suplimentar care imprim electronilor o micare de precesie n jurul direciei cmpului. Aceasta se datoreaz forei Lorentz de interaciune ntre cmp i micarea orbital a electronilor. Micarea de precesie se desfoar cu pulsaia Larmoor: L = H0 unde: este coeficientul girometric al materialului. Micarea de precesie este amortizat datorit interaciunilor cu reeaua cristalin a materialului. Dac se aplic un cmp magnetic alternativ H1 , perpendicular pe cmpul magnetic continuu H0 , a crui pulsaie s fie egal cu pulsaia Larmoor, acesta va anula (5.20)
152
Materiale magnetice
amortizarea. Micarea de precesie va fi ntreinut cu un consum suplimentar de energie din partea cmpului magnetic alternativ, ceea ce reprezint pierdere de putere activ. Acest fenomen rezonant se numete rezonan magnetic. Pierderile magnetice totale Pierderile totale n materialele magnetice reprezint suma tuturor celor patru categorii de pierderi de energie din materialul magnetic. Ponderea celot patru categorii de pierderi este diferit. Ea depinde de natura materialului, grosimea tolelor, punctul de funcionare de pe curba de magnetizare i de frecven. Tangenta unghiului de pierderi prin histerezis tgh crete proporional cu frecvena, iar tangenta unghiului de pierderi prin cureni turbionari tgct crete proporional cu frecvena i cu inducia. La materialele feromagnetice sunt preponderente pierderile prin cureni turbionari i prin histerezis. Materialele feromagnetice se vor folosi la frecvene joase. Utilizarea acestora la frecvene ridicate nu este indicat datorit rezistivitii mici, ceea ce duce la pierderi prin cureni turbionari mari. La materialele ferimagnetice, n funcie de frecvena la care se lucreaz, pierderile totale sunt date de suma primelor trei categorii de pierderi sau a tuturor celor patru categorii.
5.6. Principalele utilizri n electronic ale materialelor magnetice

n funcie de aplicaia specific n care sunt utilizate materialele magnetice, acestea trebuie s aib anumite proprieti. Materialele magnetice moi cu rezistivitate mare se vor utiliza pentru realizarea miezurilor magnetice pentru bobine, transformatoare, electromagnei etc. La nregistrarea magnetic a informaiei i la realizarea magneilor permaneni se vor utiliza materialele magnetic dure, care i pstreaz starea de magnetizare un timp ndelungat i dup ncetarea aciunii cmpului magnetizant.
Materiale magnetice
153
5.6.1. Materiale utilizate pentru confecionarea miezurilor magnetice Materialele utilizate pentru confecionarea miezurilor magnetice sunt materiale magnetice moi. Pentru diminuarea pierderilor prin cureni turbionari, rezistivitatea materialelor magnetice trebuie s fie ct mai ridicat. n electronic se folosesc feritele, aliaje ale fierului (pentru realizarea tolelor), etc. Miezurile magnetice se prelucreaz n diferite forme, n funcie de aplicaia n care se folosesc. Prin presarea pulberilor se obin miezuri magnetice pentru nalt frecven n diferite forme: oal, tor, bare cilindrice (uneori filetate pentru a putea fi efectuate reglaje), juguri, coloane, etc. Prin tanare se obin tole, benzi, coloane i mantale utilizate ca miezuri pentru transformatoarele de joas frecven.
5.6.1.1 Ferite Feritele sunt materiale ferimagnetice care prezint ordine antiferomagnetic necompensat. Rezistivitatea feritelor este mare (de ordinul 102107m), ceea ce face ca aceste materiale magnetice s aib pierderi datorate curenilor turbionari mult mai mici dect n cazul altor materiale magnetice (cum este cazul aliajelor metalice). Din acest motiv, feritele se folosesc la frecvene ridicate cu performane satisfctoare. La frecvene joase, au performane magnetice inferioare altor materiale. Inducia de saturaie (BS este 0,30,4T fa de 1,22,2T ct poate ajunge la feromagnetici), inducia remanent, cmpul coercitiv, temperatura Curie i permeabilitatea (este cel mult 15000, iar la feromagneticii speciali, cum ar fi permalloy sau mumetal, poate ajunge la 106) sunt mai sczute dect n cazul materialelor feromagnetice. n cazul feritelor, permeabilitatea este dependent de
154
Materiale magnetice
cmpul magnetic aplicat. Feritele sunt materiale dure, casante i din acest motiv sunt greu prelucrabile mecanic. Feritele sunt materiale compuse obinute din amestecul oxizilor de fier (Fe2O3) cu unul sau mai muli oxizi metalici. Structura general a feritelor este de forma:
(MeO )(Fe2O3 )
(5.21)
Unde Me este de obicei un metal bivalent sau o combinaie bivalent echivalent. Se pot folosi oxizi metalici ai diferitelor metale (Mn, Co, Ni, Cu, Zn), precum i ai unor compui metalici (Mn-Zn, Ni-Zn, Mn-Mg, Mn-Cu, Li-Ni, etc). Cele mai cunoscute tipuri de ferite sunt: a) Feritele mangan-zinc sunt cunoscute i sub denumirile Ferroxcube, Formalite, Oxifer, Siferrit, CIA, CIB, CIC etc. Aceste ferite au inducia de saturaie BS=0,250,5T, raportul Br/BS=0,30,45, cmpul coercitiv HC=824A/m, rezistivitatea =0,31m, tg=10-110-3, temperatura Curie TC=120180C, iar permeabilitatea relativ iniial ri poate ajunge pn la 6000. Aceste ferite se utilizeaz n aplicaii ce lucreaz la frecvene mai mici de 1 MHz. Ca i aplicaii specifice: se utilizeaz n electronica de putere la transformatoare de impulsuri, n sursele n comutaie, n filtre, etc. b) Feritele nichel-zinc, cunoscute i sub denumirile Ferroxcube B, Niferit etc. Feritele cu coninut mare de zinc n compoziie au permeabilitatea relativ mare (poate ajunge pn la 15000), inducia de saturaie BS este mai mic de 0,4T, cmpul coercitiv HC=6,4160A/m, iar temperatura Curie TC=6080C. Dac scade coninutul de zinc, crete temperatura Curie, dar scade foarte mult permeabilitatea relativ maxim. Aceste ferite se utilizeaz la fabricarea miezurilor magnetice ce lucreaz la frecvene de ordinul zecilor de megaheri. c) Feritele de litiu i litiu-zinc au pierderi mici pn la frecvene ridicate (sute de megaheri), dar au permeabilitatea relativ iniial mic (mai mic de 100). Avnd rezistivitate ridicat, din aceste ferite se produc miezuri magnetice pentru bobine ce lucreaz la frecvene de ordinul zecilor de megaheri cu factor de calitate ridicat. d) Feritele magneziu-zinc i mangan-magneziu sunt ferite cu rezistivitate foarte mare 106107m, permeabilitatea relativ i
Materiale magnetice
155
inducia de saturaie destul de sczute, dar frecvena de rezonan magnetic este foarte mare (de ordinul gigaherilor). Miezurile realizate din acestea se folosesc la frecvene ridicate (pn la 10GHz). e) Feritele cu structur hexagonal (de tip BaFe12O13) sunt ferite mixte, pe baz de bariu. Aceste ferite sunt cunoscute i sub denumirea de ferite tip feroxplana. Rezistivitatea lor este mare, ajungnd pn la 108m. Permeabilitatea relativ este destul de sczut, dar frecvena de rezonan magnetic este mare. Din acest motiv pot fi utilizate la frecvene ridicate pn n domeniul gigaherilor (chiar pn la 100GHz). Hexaferitele permit miniaturizarea dispozitivelor discrete de microunde, fr a fi necesari magnei permaneni de polarizare. Realizarea feritelor presupune un proces complex i dificil. Parametrii microstructurii cristaline (dimensiunea granulelor, densitatea, porozitatea) influeneaz proprietile feritei. Din acest motiv, aceti parametrii trebuie strict controlai. Iniial se prepar oxizii metalici cu granulaia necesar, se amestec compuii oxidici n proporiile necesare, dup care se preseaz n formele dorite (tor, oal etc) i se sinterizeaz (fig. 5.15).
Fig. 5.15 Diferite miezuri de ferit.
156
Materiale magnetice
5.6.1.2 Aliaje ale fierului Aliajele fier-siliciu sunt materialele cele mai folosite la frecvene joase avnd performane magnetice satisfctoare i un pre mic. Pot fi laminate la rece sau la cald. Siliciul are rolul de a mri rezistivitatea materialului i de a reduce cmpul coercitiv. Dezavantajele constau n reducerea induciei de saturaie i n creterea fragilitii materialului. Din acest motiv, coninutul de siliciu este limitat la 3,3% pentru aliajele laminate la rece, respectiv la 4,5% pentru aliajele laminate la cald. Dac procentul de siliciu este mai mare de 4,5%, tabla devine casant i nu mai poate fi prelucrat prin tanare. n cazul aliajelor fier-siliciu laminate la rece apare o anizotropie indus, deoarece n timpul laminrii, cuburile elementare i orienteaz muchiile paralel cu direcia laminrii. Anizotropia indus determin proprieti superioare pe direcia laminrii. La aceste materiale inducia de saturaie depete 2T. Prelucrrile mecanice influeneaz negativ anizotropia mterialului. Din acest motiv, dup prelucrare, tolele trebuie supuse unui tratament termic (recoacere), care s le restabileasc proprietile magnetice iniiale. Pentru diminuarea pierderilor prin cureni turbionari, tolele se izoleaz ntre ele cu lacuri pe baz de rini sintetice, oxizi ceramici (carlit) sau prin fosfatare. n mod uzual, tolele au grosimi cuprinse ntre 0,03 i 0,5mm. Tolele cu grosimi mai mici se pot folosi i la frecvene mai ridicate (de ordinul kiloherilor). Aliajele fier-siliciu laminate la cald au grosimi cuprinse ntre 0,35 i 0,5mm. Tolele obinute prin tanare se izoleaz pe una sau pe ambele fee pentru a diminua pierderile prin cureni turbionari. Izolaia se realizeaz cu hrtie pentru tole lipit pe una sau pe ambele fee ale tolei cu clei de amidon, cu lacuri pe baz de rini sintetice sau pe baz de celuloz sau prin fosfatare. Dac se utilizeaz lacuri pe baz de rini epoxidice, se obin miezuri compacte care nu mai necesit piese de strngere. n cazul miezurilor magnetice mici, care funcioneaz la valori mici ale induciei, este suficient izolarea dat de oxizii care se formeaz pe tole. Aliajele fier-siliciu-aluminiu mai sunt cunoscute i sub denumirea de alsifer. Aceste aliaje pot conine pn la 12% aluminiu
Materiale magnetice
157
i 14% siliciu. Au cmp coercitiv mic, inducie de saturaie mare i rezistivitate mare. Se obin de obicei prin sinterizare. Aliajele care conin 23% aluminiu i siliciu se pot lamina pentru a se utiliza sub form de tole, dar au proprieti magnetice mai slabe. Aliajele cu coninut ridicat de siliciu se pot turna n foi cu grosimi de maxim 2mm i pot fi utilizate la ecrane magnetice, sau se obin sub form de pulberi care intr n compoziia magnetodielectricilor. Aliajele fier-nichel sau aliajele de tip permalloy pot avea proprieti magnetice deosebite: permeabilitatea relativ maxim este foarte mare (poate ajunge pn la 1000000), cmp coercitiv mic i pierderi magnetice mici. Compoziia aliajului (coninutul de nichel) i tratamentele termice influeneaz semnificativ parametrii de material. Permeabilitatea maxim se obine la un procent de 78,5% nichel. La un procent de 4050% nichel se obine o inducie de saturaie maxim (de aproximativ 1,5T). Dac concentraia de nichel crete mai mult, inducia de saturaie scade. Aliajul cu 65% fier i 35% nichel se numete invar i are un coeficient volumic de dilatare termic constant. Aceste aliaje se pot lamina la grosimi de ordinul micronilor i pot fi folosite pn la frecvene ridicate. Din aceste aliaje se fac ecrane magnetice i miezuri pentru transformatoare, transformatoare de impulsuri i bobine de oc. Dac n aliajele fier-nichel se introduce pn la 3% siliciu i pn la 5% molibden i crom, permeabilitatea magnetic i rezistivitatea cresc. Aceste aliaje se folosesc pentru realizarea miezurilor transformatoarelor de impulsuri i a altor transformatoare pentru aplicaii speciale. Aliajele de tip izoperm sunt aliaje fier-nichel care au n compoziie 4050% nichel i cu un adaos ntre 8 i 10% cupru, dac sunt supuse unor laminri succesive i unor tratamente termice dobndesc o anizotropie indus n direcia laminrii. Aceste aliaje au o permeabilitate magnetic relativ constant. Se utilizeaz la miezurile pentru bobinele cu o inductivitate constant cu cmpul. Dintre aliajele fier-nichel amintim: Permalloy 78 cu compoziia 21,5% fier i 78,5% nichel, care are cmpul coercitiv 4A/m, inducia de saturaie 1T,
158
Materiale magnetice
permeabilitatea magnetic relativ iniial 8000, permeabilitatea magnetic relativ maxim 100000.
iar
Izoperm cu compoziia 50% fier i 50% nichel. Aliajul are inducia de saturaie 1,6T, permeabilitatea magnetic relativ iniial 90, iar permeabilitatea magnetic relativ maxim 100. Superpermalloy cu compoziia 15% fier i 79, 5% nichel, 5% molibden i 0,5% mangan i siliciu. Acest aliaj are cmpul coercitiv 0,016A/m, inducia de saturaie 0,8T, permeabilitatea magnetic relativ iniial 125000, iar permeabilitatea magnetic relativ maxim 1000000. Cr-permalloy cu compoziia 17,7% fier, 78,5% nichel i 4,8% crom. Are cmpul coercitiv 0,8A/m, permeabilitatea magnetic relativ iniial 12000, iar permeabilitatea magnetic relativ maxim 60000. Dynamax cu compoziia 32,7% fier, 65% nichel, 2% molibden i 0,3% mangan. Are cmpul coercitiv 0,4A/m, inducia de saturaie 0,26T i permeabilitatea magnetic relativ maxim 1530000. Mumetal are compoziia 17% fier, 75% nichel, 5% cupru i 3% crom. Aliajul are cmpul coercitiv 0,24A/m, inducia de saturaie 0,81T, permeabilitatea magnetic relativ iniial 20000, iar permeabilitatea magnetic relativ maxim 100000. Aliajele fier-cobalt sunt aliajele cu inducia de saturaie mare (pn la 2,5T). Cobaltul este singurul element care adugat n aliajele fierului duce la creterea induciei de saturaie. Un astfel de aliaj este permendurul, care este un aliaj dur, casant i din acest motiv nu poate fi prelucrat. Permendurul conine ntre 30 i 50% cobalt, iar restul fier. Dac n aliaj se adaug 2% vanadiu se obine aliajul numit VanadiuPermendur. Aliajul i pstreaz proprietile magnetice, dar devine laminabil. Din aceste aliaje se obin miezurile pentru electromagnei, amplificatoarele magnetice, membrane telefonice, etc.
Materiale magnetice
159
Aliajele fier-cobalt-nichel sau aliajele de tip perminvar pot avea valori constante ale permeabilitii magnetice n raport cu cmpul (pn la cmpuri de mii de A/m). Aceasta se obine n urma unor tratamente termice n cmpuri intense. Au dezavantajul c dup aplicarea unor cmpuri intense pot prezenta anumite instabiliti magnetice, fiind necesar retratarea termic. Compoziia tipic a aliajului este 25% fier, 45% cobalt i 30% nichel. Perminvarul se utilizeaz la fabricarea transformatoarelor de curent cu eroare constant, a bobinelor Pupin etc.
5.6.1.3 Materialele magnetodielectrice Materialele magnetodielectrice sunt materiale magnetice realizate prin nglobarea unor granule de materiale feromagnetice sau ferimagnetice ntr-un liant dielectric (rini sintetice, sticl lichid, cauciuc etc). Prin nglobarea materialului magnetic n liant crete rezistivitatea, dar sunt alterate proprietile magnetice. Pierderile prin cureni turbionari sunt foarte mici, ceea ce permite utilizarea magnetodielectricilor la frecvene ridicate. Magnetodielectricii feroplastici, realizai prin nglobarea materialului magnetic n elac, poliesteri, bachelit etc, sunt materiale rigide, casante cu cmp coercitiv mic i permeabilitate magnetic relativ mare (de ordinul zecilor sau sutelor). Se utilizeaz la fabricarea miezurilor pentru bobine i transformatoare. Magnetodielectricii feroelastici, realizai prin nglobarea materialului magnetic n cauciuc, PVC, PE etc, sunt materiale elastice cu permeabilitate magnetic relativ mic (de ordinul unitilor sau zecilor). Se utilizeaz la fabricarea ecranelor magnetice, ca absorbani pentru microunde etc. La ora actual, materialele magnetodielectrice sunt prea puin utilizate, fiind preferate feritele care au proprieti magnetice mai bune.
160
Materiale magnetice
5.6.2. Materiale pentru magnei permaneni i nregistrarea magnetic a informaiei Materialele utilizate la fabricarea magneilor permaneni i pentru nregistrarea magnetic a informaiei sunt materiale magnetic dure. Aceste materiale sunt caracterizate printr-un ciclu de histerezis lat, cu cmp coercitiv mare. Suprafaa ciclului de histerezis este mult mai mare dect n cazul materialelor magnetic moi. Materialele magnetic dure se magnetizeaz mai greu, dar rmn magnetizate un timp ndelungat.Permeabilitatea magnetic a materialelor magnetic dure este mai mic dect n cazul materialelor magnetic moi. Permeabilitatea este cu att mai mic cu ct cmpul coercitiv este mai mare. Eficacitatea unui magnet permanent este dat de valoarea energiei cmpului magnetic n ntrefier. Aceast valoare depinde de produsul dintre imducie i cmp (BH) i de volumul magnetului. Punctul optim de funcionare al unui magnet permanent este punctul M de pe curba de demagnetizare n care produsul (BH) este maxim (fig. 5.16). Coordonatele acestui sunt HO i BO. Punctul M se determin intersectnd dreapta 0A, care unete originea cu punctul de coordonate (HC, Br), cu curba de demagnetizare. Coordonatele punctului optim de funcionare verific relaia:
HO HC = BO Br
(5.22)
Valoarea maxim a produsului (BH) se numete indice de calitate. Indicele de calitate este cu att mai mare cu ct inducia remanent i cmpul coercitiv sunt mai mari i cu ct ciclul de histerezis se apropie mai mult de un ciclu de histerezis dreptunghiular. O astfel de curb se poate obine n urma unor procedee tehnologice care duc la deformarea reelei cristaline, ceea ce determin o micare ireversibil a pereilor Bloch dup o magnetizare.
Materiale magnetice
161
B A B=f(H) M Br BO
H C HO
Fig. 5.16 Determinarea punctului optim de funcionare al unui magnet permanent.
5.6.2.1
Materiale pentru magnei permanenei
Principalele materiale magnetice dure utilizate la fabricarea magneilor sunt oelurile martensitice, oelurile aliate, aliaje plastice, ferite magnetic dure, etc. Oeluri martensitice i oelurile aliate. Structura martensitic se obine prin nclzirea la o temperatur ridicat urmat de o rcire brusc a oelurilor care conin peste 0,26% carbon sau care sunt aliate cu crom, wolfram, molibden sau cobalt. n urma clirii apar carburi ale elementelor de aliere, care duc la deformarea reelei cristaline. Tensiunile interne care apar n urma rcirii brute determin un caracter de material magnetic dur (un material cu cmp coercitiv mare). Indicele de calitate al acestor materiale este relativ mic, sunt sensibile la variaii de temperatur i la ocuri i vibraii mecanice. Dintre aliajele martensitice amintim: Oelul carbon cu 1% carbon i 0,5% mangan, care are cmpul coercitiv 4kA/m, inducia remanent 0,9T, indicele de calitate (BH)max=1,6kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=2,56kA/m i BO=0,62T.
162
Materiale magnetice
Oelul cu wolfram conine 0,7% carbon, 0,5% crom, 6% wolfram i 0,3% siliciu. Are cmpul coercitiv 5,6kA/m, inducia remanent 1,03T, indicele de calitate (BH)max=2,4kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=4,6kA/m i BO=0,63T. Oelul cu crom conine 0,9% carbon, 3,5% crom i 0,4% mangan. Aliajul are cmpul coercitiv 5,6kA/m, inducia remanent 0,98T, indicele de calitate (BH)max=2,32kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=4,6kA/m i BO=0,63T. Oelul cu cobalt conine 0,9% carbon, 5% crom, 5% wolfram i 35% cobalt. Are cmpul coercitiv 20kA/m, inducia remanent 0,9T, indicele de calitate (BH)max=7,4kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=12,7kA/m i BO=0,58T. Aliajele cu durificare prin dispersie de faz sunt aliaje care n topitur formeaz o soluie omogen, care dac este rcit lent are tendina de separare de faz (duce la un amestec eterogen de cristale diferite). Dac aliajul se rcete brusc, se obine un amestec omogen care deformeaz reeaua de baz. Dac rcirea se face n cmp magnetic, apare o anizotropie indus care duce la creterea indicelui de calitate. Dintre aliajele cu durificare prin dispersie de faz amintim aliajele Alni (Al-Ni-Cu-Fe) i Alnico (Al-Ni-Co-Cu-Fe): Alni 24 cu 24% nichel, 12% aluminiu i 4% cupru, care are cmpul coercitiv 32kA/m, inducia remanent 0,55T, indicele de calitate (BH)max=7,16kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=20,7kA/m i BO=0,35T. Alni 25 cu 24,5% nichel, 13% aluminiu i 3,5% cupru, care are cmpul coercitiv 34kA/m, inducia remanent 0,52T, indicele de calitate (BH)max=7,55kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=21,5kA/m i BO=0,35T.
Materiale magnetice
163
Alnico 15 cu 17% nichel, 9% aluminiu, 15% cobalt i 6% cupru, care are cmpul coercitiv 44kA/m, inducia remanent 0,7T, indicele de calitate (BH)max=12,74kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=27,9kA/m i BO=0,46T. Alnico 25 cu 15% nichel, 8% aluminiu, 25% cobalt i 4% cupru, care are cmpul coercitiv 48kA/m, inducia remanent 1,25T, indicele de calitate (BH)max=40kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=40kA/m i BO=1T. Alnico 32 cu 15% nichel, 8% aluminiu, 32% cobalt i 5% cupru, care are cmpul coercitiv 88kA/m, inducia remanent 0,74T, indicele de calitate (BH)max=24kJ/m3, iar coordonatele punctului optim de funcionare sunt HO=48kA/m i BO=0,5T. Aliajele Alni au proprieti magnetice foarte bune, iar Alnico au proprieti magnetice superioare aliajelor Alni, dar sunt mai scumpe. Aceste aliaje sunt fragile i greu prelucrabile mecanic. Magneii permaneni se obin prin turnare, sau pentru forme mai complicate prin sinterizare sau sub form de magnetodielectrici. Aliajele plastice sunt aliaje maleabile, ductile, care pot fi prelucrate mecanic uor, dar care sunt dure din punct de vedere magnetic. Din aceast categorie fac parte aliajele Cunife (Cu-Ni-Fe), Cunico (Cu-Ni-Co), Fe-Ni-Cr etc. Feritele magnetic dure sunt utilizate la fabricarea magneilor permaneni. Au avantajul c nu conin materii prime deficitare, au rezistivitate mare i din acest motiv pot fi folosite la frecvene mari. Pot avea un cmp coercitiv mare (pn la 800kA/m), dar inducia remanent este mai mic (0,20,4T). Prin presarea feritei n cmp magnetic, anizotropia indus mrete inducia remanent i indicele de calitate. Un alt avantaj al feritelor este c pot fi prelucrate uor. Dintre feritele dure amintim ferita de bariu, de stroniu, de cobalt, de plumb etc. Folosind liani plastici s-au realizat din feritele dure magnei permaneni flexibili cum ar fi ferroxdur.
164
Materiale magnetice
Alte materiale magnetic dure utilizate la fabricarea magneilor permaneni sunt pmnturile rare, oxizii de crom, aliajele Ag-Mn-Al, Mn-Al, Bi-Al etc. Se obin rezultate bune cu samariu (SmCo5) i ceriu (Cr5Ce). O combinaie de ceriu i samariu duce la obinerea unui aliaj (Co-Fe-Cu-Ce-Sm) cu un indice de calitate ce poate ajunge pn la 160kJ/m3.
5.6.2.2 Materiale pentru nregistrarea magnetic a informaiei nregistrarea magnetic a informaiei se bazeaz pe dependena dintre cmpul magnetic exterior (dat de capul de scriere) i inducia remanent a materialului magnetic. Suportul fizic pe care se stocheaz informaia este fie o band magnetic (de ex. casetele audio i video), fie un disc (de ex. dischetele sau hard disk-ul). Pe suportul respectiv sunt dispuse granule de aproximativ 0,51m dintr-un material magnetic. Materialele magnetice utilizate n acest scop trebuie s aib o inducie remanent ct mai mare, un cmp coercitiv mare pentru a mpiedica tergerea informaiei, precum i o dependen liniar ntre inducia remanent i cmpul magnetic exterior. Granulele de material magnetic se amestec cu un liant (un material dielectric cum ar fi rinile epoxidice sau acetil-celuloza) i se depune pe suport sub forma unui strat uniform, cu grosime de 375m. Suportul poate fi o band din acetat de celuloz, PVC sau poliester (mylar) cu grosime 612m sau poate fi un disc sau tambur din aluminiu sau poliester. Informaia nregistrat magnetic poate fi n format analogic sau digital. Densitatea datelor stocate crete semnificativ de la an la an. Acesta reprezint un parametru de interes, fiind dependent de granulaia mediului magnetic i de lungimea de und la care se face nscrierea informaiei. Capetele magnetice de citire/scriere au un miez magnetic n form de U, pe care este o bobin. Principiul de funcionare al unui cap magnetic este prezentat n figura 5.17. Cnd prin bobin trece un
Materiale magnetice
165
curent electric, n capul magnetic se induce un cmp magnetic. O particul magnetic de pe suportul pe care se dorete nscrierea informaiei ajunge n dreptul ntrefierului capului de scriere. Iniial particula este nemagnetizat (nu are inducie remanent). La trecerea prin dreptul ntrefierului, particula magnetic de pe suport va fi magnetizat mai mult sau mai puin n funcie de intensitatea cmpului magnetic din ntrefier. Pentru cmpuri de intensitate redus relaia dintre intensitatea cmpului magnetic i inducie este neliniar. Dar pentru valori ale cmpului situate ntr-un anumit interval, prezint o zon de liniaritate. Pentru a lucra n aceast zon, este necesar o premagnetizare a benzii.
Bobina de pe capul de scriere/citire Cap de scriere/citire Band magnetic Material magnetic pentru band Suport Semnal de scriere Semnal de citire +
Material magnetic pentru cap
NN
S S
N N
S S
Direcia de deplasare a benzii magnetice Tranziii de flux
Fig. 5.17 Cap se scriere/citire pe banda magnetic.
Materialele magnetice folosite pentru realizarea benzilor magnetice au fost pulberile din oxizi de fier (-Fe2O3) i de crom (CrO2) cu sau fr adaos de cobalt. S-au mai folosit aliajele Fe-Co-Ni i pulbere de ferit de cobalt. Au existat patru generaii de benzi magnetice: benzile cu oxid de fier (cu cmpul de premagnetizare de 30kA/m), cu oxid de crom (cu cmpul de premagnetizare de 45kA/m), cu oxid de fier cu cobalt (cu cmpul de premagnetizare de
166
Materiale magnetice
5060kA/m) i benzile cu premagnetizare de 80kA/m).
pulberi
metalice
(cu
cmpul
de
Tehnologiile moderne folosesc un proces de evaporare al unor pulberi pe baz de cobalt, cum ar fi Co-P sau Co-Ni-P. Aceste materiale permit o densitate a informaiei de cel puin 1Mb/cm2. Folosirea unor suporturi magnetice depuse n strat subire conduce la performane superioare. Pentru depunerea materialului magnetic n strat subire pe suprafaa platanelor unui hard-disk se utilizeaz procedee speciale de depunere n vid. Astfel se pot obine pelicule cu o grosime de 0,040,08m, iar nlimea de plutire a capetelor de citire/scriere poate fi de numai 0,1m.
5.7. ntrebri
1. Ce sunt materialele magnetice? 2. Cum se clasific materialele magnetice? 3. Ce sunt materialele diamagnetice? 4. Ce sunt materialele feromagnetice? 5. Definii ferimagnetismul i antiferomagnetismul. 6. Ce sunt domeniile Weiss? 7. Desenai curba de histerezis a unui material feromagnetic. 8. Ce tipuri de pierderi exist n materialele magnetice? 9. Ce aplicaii au materialele magnetice n electronic? 10. Ce sunt feritele? 11. La ce se utilizeaz aliajele fier-siliciu? 12. Ce materiale se utilizeaz pentru nregistrarea magnetic a informaiei?
Bibliografie
1. Brlea, N., Fizica senzorilor, Editura Albastr, Cluj-Napoca, 2000. 2. Brsan, R., Fizica i tehnologia circuitelor MOS integrate pe scar mare, Editura Academiei, Bucureti, 1989. 3. Baruch, Z., Sisteme de intrare-ieire ale calculatoarelor, Editura Albastr, Cluj-Napoca, 2000. 4. Bodea, M. i col., Diode i tiristoare de putere. Aplicaii, Editura Tehnic, Bucureti, 1990. 5. Bodea, M. i col., Diode i tiristoare de putere. Performane, Editura Tehnic, Bucureti, 1989. 6. Ctuneanu, V. (coordonator), Materiale pentru electronic, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1982. 7. Chan, S., The Electrical Engineering Handbook, CRC Press LLC, 2000. 8. Corleanu, V. (coordonator), Cercetri n tehnologie electronic i fiabilitate, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1981. 9. Cosma, I., Fizic, Litografia IPCN, Cluj-Napoca, 1984. 10. Costache, M., Chimie anorganic notie de curs, Universitatea Bioterra, Bucureti, 2006. 11. Cre, R., Drbant, L., Turcu, A., Dielectrici i materiale magnetice, Editura Mediamira, Cluj-Napoca, 2008. 12. Cre, R., Materiale pentru electronic, Editura U.T.Pres, ClujNapoca, 2004. 13. Cre, R., Micu, R., Turcu, A., Morar, M., Materiale electrotehnice. ndrumtor de laborator, Editura U.T.Pres, Cluj-Napoca, 2006. 14. Dima, I., Munteanu, I., Materiale i dispozitive semiconductoare, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1980. 15. Drgulnescu, N., Miroiu, C., Moraru, D., A, B, C ... Electronica n imagini. Componente pasive, Editura Tehnic, Bucureti, 1990. 16. Drgulinescu, M., Manea, A., Materiale pentru electronic (vol. 1), Editura Matrix Rom, Bucureti, 2002.
168
Bibliografie
17. Drgulinescu, M., Manea, A., Materiale pentru electronic. Materiale semiconductoare (vol. 2), Editura Matrix Rom, Bucureti, 2002. 18. Ghimpu, L., Obinerea i studierea proprietilor fotoelectrice ale heterostructurilor cu straturi subiri ai semiconductorilor II-VI, Tez de doctorat, Chiinu, 2006. 19. Gibilisco, S,, Teach Yourself Electricity and Electronics, Editura McGraw-Hill, 2002. 20. Helerea, E., Materiale electrotehnice: dielectrici, Editura Universitii Transilvania din Braov, 1998. 21. Horgo, M., Materiale i componente electronice, Editura Risoprint, Cluj-Napoca, 2002. 22. Ifrim, A., Noingher, P., Materiale electrotehnice, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1992. 23. Jantschi, L., Ungurean, L., Capitole speciale de chimie pentru automatic, Editura U.T.Pres, Cluj-Napoca, 2001. 24. Kuphaldt, T., Lessons In Electric Circuits, Volume III Semiconductors, www.ibiblio.org/obp, 2004. 25. Lower, S., Chemical Bonding, Simon Fraser University, Burnaby, Canada, www.chem1.com/acad/webtext/chembond/, 2003. 26. Maryniak, W., Uehara, T., Noras, M., Surface Resistivity and Surface Resistance Measurements. Using a Concentric Ring Probe Technique, Trek Application Note, 2003 27. Micu, R., Cre, R., Materiale electrotehnice, Editura U.T.Pres, ClujNapoca, 2002. 28. Mucutariu, I., Cristale lichide i aplicaii, Editura Tehnic, Bucureti, 1981. 29. Ohring, M., The Materials Science of Thin Films, Academic Press Inc, San Diego, 1992. 30. Oltean, I., Nicolae, G., Componente pasive de circuit, Editura Universitii Transilvania din Braov, 1999. 31. Palaghi, N., Electronic de putere. Dispozitive semiconductoare de putere, Editura Mediamira, Cluj-Napoca, 2002. 32. Pitic, D., Radu, M., Componente electronice pasive, Litografia UTCN, Cluj-Napoca, 1994. 33. Pop, V., Chicina, I., Jumate, N., Fizica materialelor. Metode experimentale, Presa Universitar Clujean, Cluj-Napoca, 2001. 34. Popovic, R., Hall effect devices, Institute of Physics, Bristol, Philadelphia, 2004.
Bibliografie
169
35. Puca, N., Fizic, Editura Universitii Politehnica din Bucureti, 2006. 36. Simion, E., Electrotehnic, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1978. 37. Stnescu, C., Complemente de fizica strii condensate, Editura Universitii din Piteti, Piteti, 1998. 38. Tsirimpis, A., Constant, A., Electrical characterization of the semiconductor SiC, Physics of Advanced Materials Winter School, 2008. 39. Van Zeghbroeck, B., Principles of Semiconductor Devices, ecewww.colorado.edu/~bart/book/book/, 2004. 40. ***, ASTM Standard D 257-99. Standard test methods for D-C resistance or conductance of insulating materials, 1999. 41. ***, ESD STM 11.11-2001 Standard. Surface resistance measurement of static dissipative planar materials, 2001. 42. ***, IEC 61340-5-1 Standard. Electrostatics part 5-1: Protection of electronic devices from electrostatic phenomena - general requirements, 1998. 43. ***, Indium-Tin Oxyde (ITO) Product Data Sheet, Indium Corporation, www.indium.com, accesat n 2009. 44. ***, Ferrite Cores, Magnetics Inc., 2006. 45. ***, Measurement of Volume Resistivity Cabot Test Methods E043A/E043B, noiembrie 2001. http://library.lanl.gov/cgibin/getfile?00208841.pdf 46. ***, Navy Electricity and Electronics Training Series, Published by Naval Education and Training Professional Development and Technology Center, 1998. 47. ro.wikipedia.org/wiki/

Materiale Pentru Electronica 1 B5

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Materiale Pentru Electronica 1 B5

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cristian FRCA

MATERIALE PENTRU ELECTRONIC

Editura RISOPRINT Cluj-Napoca 2009

1. Noiuni despre structura materialelor

1.1. Structura materiei

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Straturi electronice Nucleu

Fig. 1.2 Straturile electronice din structura unui atom.

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.3 Dispunerea pe straturi a electronilor n cazul unui atom de cupru.

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

1.2. Strile de agregare ale materiei

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.5 Diagrama fazelor.

1.3. Fore de legtur chimic

1Pa= 0,9869210 atm

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

legtura van der Waals; legtura de hidrogen.

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

ion de clor (Cl-) ion de sodiu (Na+)

Fig. 1.7 Formarea legturii ionice n cazul clorurii de sodiu.

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.8 Formarea legturii covalente n cazul moleculei de hidrogen.

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.9 Orientarea vectorului moment dipolar.

Momentul de dipol p se (1D=3,335641030 coulomb x metru).

n cazul n care p1=p2=p, relaia de mai sus devine:

Noiuni despre structura materialelor p tot = 2pcos

Fig. 1.11 Molecul cu structur simetric.

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.12 Modelul legturii metalice.

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.13 Legtura van der Waals n cazul moleculelor polare.

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.14 Legtura van der Waals n cazul moleculelor nepolare.

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Fig. 1.15 Legtura de hidrogen n cazul moleculelor de ap.

1.4. Structura benzilor energetice n solide. Conductoare, semiconductoare i izolatoare

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Banda de conducie Banda de valen c) Conductor

Fig. 1.16 Structura benzilor energetice la: a. izolatoare; b. semiconductoare; c. conductoare.

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Noiuni despre structura materialelor

Metale Cupru Oel Staniu

Fenol formaldehid Nylon, Plastic SiO2, Al2O3

Diamant Sticle silicat

Fig. 1.18 Conductivitatea diferitelor materiale.

Noiuni despre structura materialelor

2.1. Clasificarea materialelor dielectrice