PL =
V = RL
2 L
(VS
RL )2 2 2 2 RL + RS RL ' 2 ( RL + RS ) RL 2 ( RL + RS ) 2 RL + RS P V V = VS2 = = L S S RL ( RL + RS ) 2 ( RL + RS ) 4 ( RL + RS ) 2
PL = max im PL' = 0 RL = RS Aceast condiie vizeaz n principal regimul DC de funcionare al circuitelor. Pentru AC se impune o alt condiie, mai general, care impune ca n situaia n care ZS=R+jX, ZL= R-jX, adic sarcin s fie complex conjugatul impedanei de ieire a generatorului. Se observ c aceast condiie nseamn implicit egalitatea prilor reale pentru un transfer maxim de putere.
Ex. 1 S se determine puterea transferat sarcinii pentru situaia RS=50 i RL=500. PL = V = RL
2 S
(VS
Se observ c puterea transferat sarcinii reprezint numai 0.0826 din puterea sursei, motiv pentru care este necesar adaptarea de impedan. 4.2 Adaptarea de impedan n cazul circuitelor active
Cel mai utilizat etaj elementar n cazul amplificatoarelor de tip LNA implementate n tehnologie CMOS este sursa comun (CS common source), ilustrat n Fig. 2a. Asemenea configuraie, dei foarte bun din punct de vedere al performanelor vis-a-vis de zgomot i liniaritate, nu posed adaptare de impedan intrinsec la intrare, aa cum se ntmpl n cazul grilei comune (CG common gate) i 1 . Din acest motiv o prim variant de drenei comune (CD common drain) la care Z in ,source = gm
1
TMU Laborator 5 Reele de adaptare a impedanei II Martie 2013 adaptare la intrare a unui etaj CS o constituie introducerea a dou bobine suplimentare, aa cum este artat n Fig. 2b.
Vin ( s ) = iin ( s )[ s ( Lg + LS ) + Z in ( s ) =
Vin ( s ) g L 1 = s ( L g + LS ) + + m S iin ( s ) sC gs C gs g L 1 + m S C gs C gs
Z in ( j ) = j ( Lg + LS ) j
1 1 echivalent cu 0 = , 0 C gs C gs ( Lg + LS )
s fie adaptat la intrare. Se observ c exist un grad de libertate n privina adaptrii, reprezentat de gm, acesta putnd fi modificat din polarizare, Cgs i LS fiind fixe. Drept concluzie, pentru un etaj surs comun adaptarea se face n doi pai, primul fiind crearea unei rezonane serie pentru eliminarea efectului capacitiv al lui Cgs prin introducerea a dou bobine on-chip suplimentare (dezavantajul ariei mari), respectiv modificarea lui gm pn cnd impedana de intrare a etajului devenit real este de 50. Bobina LS are de regul valori mici, putndu-se implementa cu ajutorul unor fire subiri de tip bond wire de Au (proprieti ilustrate n Fig. 4) sau Cu (proprieti ilustrate n tabelul din Fig. 5). LG poate fi implementat fie cu o bobin extern, fie intern (on-chip). Utilizarea unei bobine externe nu permite implementarea unei structuri integrate complet, soluie adoptat mai degrab pentru msurarea/testarea circuitelor, n timp ce bobinele on-chip au dezavantajul unei arii mari, n cele mai dese cazuri mai mari chiar dect aria circuitului activ.
Fig. 4 Inductana i capacitatea parazit a unui fir bond wire funcie de lungime [2]
Aceste celule de adaptare reprezint cele mai simple i utilizate reele de adaptare a impedanei. Numele provine de la faptul c orientarea componentelor confer acesteia o form n L. Exist 4 tipuri diferite de reele, cu bobin serie i capacitate paralel respectiv capacitate serie i bobin paralel, aa cum este ilustrat n Fig. 6 :
Fig. 6 Reele n L
Exist 3 pai bine definii la proiectarea unei reele n L, exemplificat pentru LC din Fig. 6a, factorul de calitate serie/paralel fiind definit ca n Fig. 7: RP 1. QS = QP = 1 , RP=RL RS
Q R X L 0 LS 2f 0 LS = = LS = S S RS RS RS 2f 0 R QP 3. QP = P = 0 RP C P C P = XP 2f 0 RP Atunci cnd se implementeaz cu elemente discrete, calitatea adaptrii de impedan depinde de toleranele acestora. Tabelul din Fig. 8 ilustreaz toleranele pentru inductanele de 7.5-12 nH [4].
2. QS =
Ex. 2 S se proiecteze i simuleze n Microwave Office reelele de adaptare pentru urmtoarele situaii: a) RS=100 , RL=1000 , f0=1 GHz b) RS=50 , RL=150 , f0=2.4 GHz c) RS=50 , RL=300 , f0=1.8 GHz
REFERINE
[1] C. Bowick, RF Circuit Design, 2008, Cap. 4 [2] www.amkor.com [3] http://www.amkor.com/go/packaging/copper-cu-wire-bonding [4] www.murata.com 5