1

II.DISPOZITIVE MICRONANOOPTOELECTRONICE I TRADUCTOARE

1.Teoria i calculul parametrilor jonciunii p-n.Teoria redresrii i
deducerea caracteristicelor volt-amperice ale jonciunii p-n.
Fie c avem un semiconductor de tip p i altul de tip n. nnpp=ni
2
; Na>Nd.
la hotar apare un gradient de difuzie, se formeaz un cmp electric E. Sub
aciunea lui apare curent de deriv. Dac nu acionm cu cmp electric
exterior , se formeaz un echilibru dinamic unde suma tuturor curenilor
este =cu zero.


; ln ln
; ln ; ln
; ln ; ln
2 2
i
d a
i
p n
p n o
p
v
I
p
n
c
I
n
i
p
p
i
n
n
n
N N
q
kT
n
p n
q
kT
F F
p
N
q
kT
F
n
N
q
kT
F
n
p
q
kT
F
n
n
q
kT
F
= = + =
= =
= =

o depinde de Na , Nd , ni ; ni ~ e
-Eg/kT
; c ~ 2/3 Eg
2. Repartizarea potenialului de contact: (x)
2



Ecuaiile lui Poisson pentru reg. n i p . Condiiile de limit:
N: x =on ; n(on )=0 ; n
I
(on )=0 ;
p: x =op ; p(-op )= -o ; p
I
(-op )=0 ;
x =0 ; n(0 )= T ; n
I
(0 )= p
I
(0 ) ;
2 1: pentru n: n
II
(x)= -kn ,
I
(x)=-kn+c
n(x)=-kn x
2
/2 +c1x+c2 ; determinm c1 i c2 :
c1=knon ; c2= -knon
2
/2

on(x)= -knx
2
/2 +knonx -knon
2
/2 =>
( ) ( ) ( )
2
*
2
2 2
x
qN
x
k
x
n
d
n
n
n
= = o
c
o

pentru p: p
II
(x)=kp ; p
I
(x )= kp+c1 =>
c1=kpop ; op(x)= kpx
2
/2 +c1x+c2 =>
c2= -0+ kpop
2
/2 =>
( ) ( ) ( )
2
*
2
2 2
x
qN
x
k
x
p
a
o p
p
o p
+ + = + + = o
c
o

5.sarcina de volum Q:
}
=
o
0
) ( dx x N q Q
; pentru jonciunea abrupt:
Qa= -qNa xp ; Qd= -qNd xn ;
Cb caracterizeaz schimbarea sarcinii de volum la schimbarea tensiunii.
Odat cu formarea sarcinilor spaiale n semic. De tip n apar sarcini pozitive
iar n cel de tip p-sarcini negative , distana dintre care variaz cu mrimea
tensiunii aplicate. Aceste sarcini pot fi privite ca un condensator plan.
Capacitatea acestui cond.- Cb
C=dQa,d/dU ; pentru jonciunea abrupt:
Ca,d =qNa dop/ dU=qNd don/dU; dac privim jonc. ca un condens. plan cu
distana dintre plci on :
2
3

( ) ( )
( )
S
qU
N q
C Nd Na daca
S
qU N N
N N q
C
o
d
b
o d a
d a
b
2
1
*
2
1
*
2
;
1
2
(

= => >>
(

+
=

c

Cb=f(U) se ntrebiuneaz pentru determinarea distribuirii concentraiilor n
semicond.cu rezisten nalt:
2
*
2
1
b
d
C
q
U S
N
A
A
=

c

3. Cmpul electric de contact:
-o
p
o
n
E
max

( ) ( )
p
a
n
d
p n
p
d
n p
a
p
n
n
p
p
N N
E E E x
x
N
x E x
N
x E
q dx
d
E
q dx
d
E
o
c
o
c
o
c
o
c

* *
max
* *
: 0
; ) ( ; ) (
;
1
;
1
= = = = =
= =
= =

4.xn , xp ; xo= xn + xp ; xn=on ; xp=op ;
x=0 ; n(0)= p(0) ; n
I
(0)= p
I
(0) ;
|
|
.
|

\
|
+ =
+ =
d
a
n
p
n n
d
o
n
a
n
d
o
N
N qN
qN qN
o
o
o o
c

o
c
o
c

2
*
2
*
2
*
2
2 2
; Qa=Qd ;
qNaop= qNdon ; op/on=Nd/Na ;
2
1
0
*
2
0
*
0
2
;
2
; ;
(

+
=
+
=
+
=
+
=
+

c
o o
c

o o
o
o o
d a
d a
o
d a
d a
o
d a
a
n
a
d a
n
n p
N N
N N
q N N
N N q
N N
N
N
N N

dac cmpul electric exterior este diferit de 0 atunci U nu este 0:
4

( ) ( )
2
1
0
*
0
2
(

+
= U
N N
N N
q
U
d a
d a

c
o

Lrgimea joncuinii depinde invers de concentraie i direct proporional cu
potenialul de contact. La jonciunea simetric:Na=Nd=N ; op=on:
( )
2
1
0
*
2
1
0
2
*
0
4 2 2
(

=
(

=
N q N
N
q
U
o
c

c
o
; op=on=oo/2
Jonciunea nesimetric: Na>>Nd =>
( )
( )
2
1
0
*
0
2
(

=
d
N
U
q
U
c
o

Nd>>Na=>
( )
( )
2
1
0
*
0
2
(

=
a
N
U
q
U
c
o

Teoria redresrii i deducerii CVA a jonc. P-n

U=Udir; -qU; xo-Ax; R-AR.
Dispozitivele cu jonc. P-n lucreaz ori la polarizare direct ori la cea invers.
Vom cerceta aceste procese n regim deschis i nchis, folosindune de
5

diagrama zonal pentru regim staionar.P(x) i n(x) se deplaseaz dioda se
deschide apare j=jdir. Nivelul fermi se shimb cu qU. Are loc procesul de
injecie a electr.
Polarizarea invers:
Procesul de extracie are loc n rezultatul procesului de extracie a sarcinilor.
Condiiile de limit:
1)pentru pol.direct: x=0; p
I
(U)=pne
qU/kT
, n
I
(U)=npe
qU/kT

2)pentru pol.invers: x=0; p
I
(-U)=pne
-qU/kT
, n
I
(-U)=npe
-qU/kT

pentru deducerea CVA e necesar de a determina profilele n(x),p(x) apoi de
detrminat jn=qDdn/dx; jp= -qDdp/dx.Pentru a calcula n(x) , p(x) ne vom folosi
de ecuaia de baz:

Ec.(3) este ec.general ce descriu profilele sarcinilor injectate. Determinm
CVA n caz general:
qDdp/dx - jp
qDdn/dx, jn
=
=

(

|
.
|

\
|

=
(
(

|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

=
1 ) (
1 ) (
kT
qU
n n n
n n
n
kT
qU
p p p p
p n
p
e
L
x W
ch
L
W
ch
L
D p
q x j
e
L
x W
L
W
ch
L
W
ch
L
D p
q x j

Aceste ecuaii le vom scrie p/u 2 cazuri: a)baz mare; b)baz mic:
6



n acest caz avem dependen exponenial

(

+
|
.
|

\
|

+
=
(
(

|
.
|

\
|
=

n
kT
qU
n
p
p p
kT
qU
L
x W
n
L
W
e
L
x W
n x n
L
W
L
x W
e e p x p
p
1 ) (
; 1 ) (

Iar n acest caz avem dependen liniar.
Vom demonstra CVA pentru aceste 2 cazuri:

curenii cu sarcin injectat se supun legii exponeniale.
Pentru x=0:
|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|
=
1 ) 0 (
1 ) 0 (
kT
qU
n
n p
n
kT
qU
p
p n
p
e
L
D n
q j
e
L
D p
q j
;
|
.
|

\
|
+
|
.
|

\
|
= + = 1 1 jp jn j
kT
qU
n
n p
kT
qU
p
p n
e
L
D n
q e
L
D p
q
; j=joA
unde :
7

n
n
p
I
p
x
n
I
n
x

n
n p
p
p n
o
L
D n
q
L
D p
q j + =

n
n
kT
E
I
c
a p
p
kT
E
I
v
d n
n
p
i
p
p
n
i
o
n
n
p
p
p
n o
D
e N
N
q
D
e N
N
q D
p
n
q
D
n
n
q j
D L
D
qn
D
qp j
g g
t t t t
t
t t

+ = + =
= + =
2 2
; ;
jo depinde de temperat. dup legea exponenial, cu creterea lui T crete i
jo.
b) folosim ecuaia curenilor:
L
x W
e
W
D n
q
W
D p
q x j x j x j
fi va lor suma
L
x W
e
W
D n
q x j
L
x W
e
W
D p
q x j
L
x W
kT
qU
n p p n
n p
kT
qU
n p
n
kT
qU
p n
p

|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
+ = + =

|
.
|

\
|
=

|
.
|

\
|
= <<

1 ) ( ) ( ) (
:
1 ) (
; 1 ) ( ; 1

La nivel nalt de injecie apare un cmp electric local i curentul prezint
suma curenilor de difuzie i de drift , n acest caz e necesar s lum n
consideraie cifra 2 pentru diode cu baza mare , iar pentru diode cu baza
mic vom lua raportul bazei la lungimea de difuzie i viteza de recombinare.
La nivel nalt de injecie concenteia sarcinilor p
I
>nn ;
n
I
>pp. n acest caz apare cmp electric local ce se
determin dup
formula:
; ln ; ln
p
I
L
n
I
L
p
n
q
kT
E sau
n
p
q
kT
E = =
ca
rezultat curentul va fi alctuit din suma curenilor de
difuzie i de drift: j=jd+jE.
8

Baz
mare
Baz
mic
W
b
L p p
E qp
dx
dp
qD =

n acest caz pentru diod cu baz mare:W>>L =>
g
L
D qn
I e I I
n
n i
o
kT
qU
o
=
|
.
|

\
|
= ; 1
2

Pentru diod cu baza mic:W<<L =>
n k p
p k p n p
o
I
o
kT
qU
I
o
W S D
L S L W D
I I e I I
+
+
=
|
.
|

\
|
=
/
; 1

Pentru diode cu baza mic curentul de saturaie nu este constant dar
depinde de tensiunea invers. Deasemenea pentru diode cu baza mic
apare influena contactelor ohmice asupra CVA i a parametrilor.


a) b)



( ) | |
n
p W p
L
SD
x
p
=
c
c
|
unde S- viteza de recombinare n contacte.
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|

+

+ = A
L
x W
L
SD
L
x W
sh
L
W
csh
L
SD
L
W
csh p p
n
| |

|-coeficient ce depinde de proporionalitate a contactelor ohmice. Pentru
funcionarea normal e necesar obinerea contactalor de nalt calitate.
9

2.Teoria redresrii si modelele CVA ale diodei Shotkky
1)U=U
0
=0 2) U=U
inv
3) U=U
dir


Sunt mai multe metode teoretice de deducere a:
1)Diodic;
2)Cu CVA difuzie;
3)Model cu termo emisie n cmpul electric; 4)Model cu recombinare;
5)Model cu tunel; 6)Alte modele.
1)Model diodic:
La baz se afl ecuaiille:

2)Model cu difuzie:
Acest model are loc n cazul barierilor mai adnci
10


nmulim cu
( )
kT
x
e

i primim:



11

4)Mecanizm cu emisie la cmp nalt:
A
E
E
so
e I I =

5)Tunelare prin nivel-impuritate (aproximativ ca n(3))
6)Conductibilitate cu recombinare:
|
.
|

\
|

+
= 1
1
0
kT
qU
kT
dib
recomb
recomb e
e e
qN
I

0
0
0

12

S1 S2
1/C
2
b

0
N
1
,N
2
,c
1
,c
2
V
3.Heterojonciuni. Diagrame zonale, parametrii si caracteristicele.
Heterojonciunea este contactul dintre 2 semiconductori diferii. Creterea
unui semiconductor pe altul se poate efectua prin: epitaxie,
gaze, lichide. Eg2 Eg1 = ; constanta reelei a2 a1~ , reele identice ,
coeficientul termic de dilatare oT1=oT2.
Diagrame zonale:
Pe baza heterojonciunilor pot fi formate mai multe structuri: p1-n2 ;n1-p2
;n1-n2 ;p1-p2.

Des.1
n heterojonciuni este posibil de a dirija cu tipul de conductibilitate (la
conducie particip numai electroni ori numai goluri).
Parametrii heterojonciunilor: c ;Ec ;Ln ;Lp ;L0 ;Q1 ;Q2 ;Cb . Pentru calculul
acestor parametri se folosete ecuaia lui Poisson:
* *
2
c

c
q Q
dx
d
= =

n hetrioj.: N1c1=N2c2 -simetric.
2 2 1 1
N c c N =
-nesimetr.

Heterojonciunea se aseamn cu homojonciunea abrupt.
Q1=qN1L1
Q2=qN2L2
2 1
Q Q =

13

n
2
I
n
2
p
1
-
+



(Des1)
Mecanizmele de conductibilitate pot fi: difuzie, drift, recombinare, emisie
termoelectronic, termoelectronic cu cmp, tunelare. Cercetm aceste
mecanizme pe baza diagramelor zonale: 1)la polarizare direct U=0
(des.1)
2)La polarizare invers: U=Uinv

Efectele: 1)L+AL ; 2)
qU A
; 3)n2 ,p1 ,p2 respinse ;4)drift n1
Jmv ~n1+Ap2tunel
3)Polarizare direct: U=Udir
Efectele: 1)injecia p1





2)injecia slab n2 .
extracia n2
I
. Jdir p > Jdir n Jtot > Jdir p
Faptul c n conductibilitate poate participa numai un fel de sarcini duce la
mbuntirea proceselor de injecie , deci i la mrirea eficienii de
recombinare. Pentru deducerea CVA se folosesc mai multe modele i
teorii principale: 1)de difuzie i de drift.
14

S1 S2
d
J
1
J
2

2 1 2 1 2 2 1 1
*
0
*
0
; ; ; ; ; ~ ; 1 0 0 N E N E I e I I
kT
qU
|
.
|

\
|
=

2)Modelul de emisie:
( )
kT
U q
x m d s
d
s
kT
qU
s
e N Sqx I
D
SqN I
I
I
e I
I

= =
+
|
.
|

\
|

=
0
2
1
1
1
2
1
; ;
1
1

0
t
xm-limea jonciunii ;
2
1
*
2
|
.
|

\
|
=
m
kT
x
t
0

a)
|
.
|

\
|
= << 1 ;
kT
qU
s d s
e I I I I
-mecanism de difuzie ;
b)
|
.
|

\
|
= >> 1 ;
kT
qU
d d s
e I I I I
-emisie termoelectronic.
3)Modelul de recombinare
j1+j2=j recombinare.
|
.
|

\
|
= 1
kT
qU
e
qnd
j
t

4)Modelul cu efect tunel:
I=ztun E ; ztun coef.de tunelare. Acest model poate fi aplicat la p-n nguste
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
= + =

1
2 * 2
2
2
1 2 1
kT
qU
kT kT
qU
kT
qU
e e T A e T A e T A I I I

1) p1-n2 Eg1<Eg2 K1<K2 A1<A2 Fp<Fn

2) p1-n2 Eg1<Eg2 K1>K2 A1>A2 Fp<Fn
3) n1-n2 Eg1>Eg2 K1<K2 A1<A2 Fp>Fn
4) p1-p2 Eg1<Eg2 K1<K2 A1<A2 Fp<Fn
AEc=K1-K2=AK AEv=(K1+Eg2)-(K1+Eg1)= AK+AEg
15

4.Diode tunel
Dioda tunel se utilizeaz pe baza semiconductorilor dopai pn la
concentraii foarte nalte:
3 19 3 20
10 ; 10

> > cm N cm N
d a . La aa
concentraii mari EF se afl nuntrul benzilor Ec i Ev . Dioda tunel
servete pentru: comutare, generare, amplificare la frecvene foarte mari.
cm
V
L
E
c 6
0
10 ~

=

Tunelarea are loc n jonciunile care snt nguste, iar cmpul este mare.

16



n(E) , p(E)-densitatea strilor electronilor i golurilor ;
o-coeficientul funciei de form a barierii ;
fn(E) , fp(E)-funcia fermi.
La frecvene mari dioda tunel are urmtoarea schem echivalent:

dG
de
condiia de rezonan .
2
;
2
1 d
b b
R
R
G
R = =

Pentru diode tunel rezistena bazei ct i a contactului trebuie s fie
minim, chiar mai mic ca Rd. n condiii normale de lucru trebuie s se
ndeplineasc i alte condiii: Rb+Rd >L /CR ; L-min ; Rb-min; Rcont-min.
Dioda tunel funcioneaz la frecvene foarte nalte fmax ~5-50GHz.
Materialele de baz: Ge, GaAs, InSb. Pentru diferite materiale primim
diferite: Imin, Imax, U1, U2, U3.
17

1
2
1 2
N
0
Na difizie

1.regiunea de comutare:regiunea MN nestabil ;
2.regiunea de amplificare.
1 1
2 2
1
2
;
U I
U I
k
U
U
k
p u
= =

3.regim de generare: alegnd parametrii Rd ,Rext ,Cb , L putem primi
conturul cu erez=2tfrez
Probleme ntlnite: 1) doparea Na~10
20
-10
21
cm
-3
Nd~10
18
-10
19
cm
-3

La astfel de concentraii materialul devine defectat.
2)Nivelul fermi este n Ec i Ev . AEg-energia de suprapunere AEg~AEc,
AEv.
3)Degradarea: 1-normal; 2-degradat
Pricina de degradare:









a)La concentraii avem gradient mare
max
max
C
dx
dN
=
;
b)
cm v
L
U
E
p
loc
/ 10 ~
6
max .
=

c)defecte pe straturi:p
+
, n
+
18

5.Compararea tranzistoarelor cu drift si far drift: cmpul n baz,
diagrame zonale.
n tehnica semiconductorilor se aplic TB cu drift i fr drift . Practic mai
mult se folosesc numai cele cu drift . Clasificarea celor cu drift i fr drift
se bazeaz pe mecanizmul de transport al sarcinilor.



Ec este foarte concentrat dar ngust.
Pentru 0< x< W
) 4 ( ;
1
) 3 ( ;
1
) 2 ( ; ) 1 ( ; 0
dx
dN
N q
kT
E
dx
dn
n
D
E nE q
dx
dn
qD I
DB
DB
B B n n
= = = =
B

W
B DB B
e N x N N N n
o
= = =
0
) ( ;

o-gradientul ce caracterizeaz dependena exponenial a impuritilor n
baz.
19

W
B
EB p B
e N W N W x
N N N x
o
= =
= = =
0
) ( ,
) 0 ( , 0
(7)
) 9 ( ; ln
1
) 8 ( ; ln
1 ) (
ln
1
0 CB
EB
CB
EB B
N
N
W q
kT
E
N
N
W N
W N
W
= = =
B
o

c
E
N
N
W
B
E
min
max

Pentru TR.cu drift rolul principal l joac timpul de accelerare.
20

n
p
p
p
E
B
C
p
p
n
p
6.Parametrii de eficien a tranzistoarelor bipolare
1. Eficiena emitorului.




n regim activ din emitor n baz snt injectate golurile I
pe
, din baz n
emitor snt injectai electroni I
ne
. Prin eficitatea emitorului se
subnelege:













E necesar ca nivelul de dopare a emitorului s fie mai mare dect nivelul
de dopare a bazei: n baz:10
16
cm
-3
, n emitor 10
20
cm
3
.
2. Coeficientul de transfer n baz:

pe
pc
I
I
= |
(1) E
B
= 0 W- grosimea bazei
) 5 ( 1 1 1 ) 2 ( ) 3 ( ), 4 (
) 4 ( ; 1 exp
) 3 ( ; 1 exp
) 2 ( ; 1 1 1
1
n p
p n
n p p
p n n
n n p
p p n
E
E
p
n p
pe
E
n
p n
ne
ne
pe
pe
ne
ne pe
pe
E E
ne pe
pe
E
L
L
L p
L n
L p D
L n D
kT
U
L
n D
qS I
kT
U
L
n D
qS I
I
I
I
I
I I
I
I I
I
o
o

c
c

= = =
|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
=
|
|
.
|

\
|
=
+
=
+
=

21

W x
p pc
p qD j
=
A =
(2)
0
/
/
=
=
A
A
=
x
W x
p
p
|
(4)
Fie c tranzistorul nostru e comutat dup BC. n regim activ i se d
o tensiune
UE (x,t) = u0+u1exp(iet) (5) ;
P (x,t) = p0(x)+p1(x)exp(iet) (6) ;
j (x,t) = j0(x)+j1(x)exp(iet) (7) ;
Rezolvm (6) cu ecuaia continuitii:

p
I
(0)=1 (9) p
I
(W)=0 (10)
p i
L
L
p
p
e +
=
1
*
; A
1
+A
2
=1 ; A
1
=1-A
2
(10a)
( )
) 12 ( ;
2
exp
2
exp
1
) 10 ( ) 11 (
2
exp
exp exp exp
0 exp exp exp
; 0 exp exp
*
*
*
*
1
*
*
* * *
2
*
2
*
2
*
1
*
2
*
2 1
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
=
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|

p
p
p
p
p
p
p p p
p p p
p p
L
W
sh
L
W
L
W
sh
L
W
A
a
L
W
sh
L
W
L
W
L
W
L
W
A
L
W
A
L
W
A
L
W
A
L
W
A
L
W
A A

22

) 13 ( ;
2
exp exp
) ( 8 12
*
*
*
* *
p
p
p
p p
L
x W
sh
L
x W
sh
L
W
s
L
x W
L
x W
x p

|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|

+
|
|
.
|

\
|

) 14 ( ; 1
p
p
i
L
W
sch et | + =
Pentru frecvene joase | cnd iet
p
<1
) 15 ( ;
2
1
1
2
1
1
2
2
1
2
2
1
p p p p
L
W
L
W
L
W
ch
L
W
sch =
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
~ =

|
La
micorarea W:
|
.
|

\
|

= = =
0
2
1
1
) 16 ( ;
u
u
M
q
kT
D L p L
p p
p p p p
|
t
t

Coeficientul de amplificare a curentului n schema cu BC.
| o
c e
cp
cp
ep
cn cp
e
ep
ep
en ep
cn cp
b
c
I
I
I
I I
I
I
I I
I I
I
I
=
+
=
+
+
= < = 1

Eficiena colectorului:
; 1 ; 1 n p n pentru
n
p
p n p pentru
p
n
n
p
c
p
n
c
+ = + =

(E mai bun
n
>
p
)
23

( )
) ( ; 1 ) (
; 1
;
; 1 1
;
;
;
;
n p n
n
p
p n p
p
n
p
n
dj
dj
dj
dj
j
j
n qD p qD j
p
n
j
qp
p qD j
E
n qD E qp j
p qD E qp j
j
j j
n
p
c
p
n
c
p
n
cp
cn
cp
cn
cp
cn
c
n p cp
p
n
cn
p
p cp
n n cn
p p cp
cp
cn cp
c
+ =
+ =
=
+ ~ + =
V + V + =
V +
=
V + =
V =
+
=

24

7.Caracteristicele volt-amperice ale tranzistorului bipolar.
Procesele fizice a TB pot fi descrise prin sistem de ecuaii ce reprezint
modelul matematic al tranzistorului. Pentru obinerea acestui model e
necesar de a obine ecuaii care ar lega curentul tranzistorului cu
jonciunea la emitor i colector. Pentru componentele curentului
determinate de a emitorului i a colectorului avem urmtoarele ecuaii:
) 2 ( ; 1 exp 1 exp
) 1 ( ; 1 exp 1 exp
12
12
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=
T
c
cns
T
e
s cn
T
e
s
T
e
ens en
U
j
U
j j
U
j
U
j j



Componentele curenilor determinate de pot fi determinate din ecuaia
de continuitate pentru regiunile E i C.
Pentru E:
( ) ; ) 5 ( 1 exp 1 exp
; ) 4 ( 1 exp 1 exp
1 exp ; ) 3 ( 1 exp
12
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
T
e
s e
T
e
eps ens e e
T
c
cps
T
c
pc
nc pc
ep
T
e
eps ep
T
e
pe
ne pe
ep
U
j S
U
j j S I
U
j
U
L
p qD
j
U
j j
U
L
p qD
j




Calculul curentului n C prezint o problem mai complicat deoarece
formula (2) ne arat curentul electric numai n baza activ. Construcia
real a TB este:
P2 baza pasiv sub metalizaie ; P1 suprafaa pe care nu se afl metal.
Fie c TB lucreaz n regim invers, atunci n suprafaa Sc-Se curentul va fi:

W W W
BA BP
~ ~
i socotim c viteza de recombinaresub stratul de
metalizare i la suprafaa bazei snt foarte mari.
25

|
|
.
|

\
|
~ ~ 1 exp
T
c
cns
A
cn
p
cn
U
j j j

Curentul total n colector va fi:

( )
( ) ) 8 ( 1 exp 1 exp
; ) 7 (
21
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=
=
T
c
eps ens c
T
e
s e c
cp c
p
cn e c
A
cn e c
U
j j S
U
j S I
j S j S S j S I


(8) i (5) snt forme de baz ce descriu curenii n tranzistor i ele pot fi
scrise sub diferite forme :
( ) ( )
cps cns c s e s e eps ens e
T
c
T
e
c
T
c
T
e
e
j j S j S j S j j S
U U
I
U U
I
+ = = = + =
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
22 21 21 12 12 11
22 21
12 11
; ; ;
) 10 ( 1 exp 1 exp
; ) 9 ( 1 exp 1 exp
o o o o

o

o

sau alt form:
) 12 ( 1 exp 1 exp
; ) 11 ( 1 exp 1 exp
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
T
c
I
co
T
e
I
co N c
T
c
I
co I
T
e
I
eo e
U
I
U
I I
U
I
U
I I

o

oN-coef.de transfer a curentului n regiunea activ .
) 13 ( ;
21 12
n
n
p n e I
eo N
I
co I s s
L
W
sh L
n qD S
I I j j = = = o o
- ne arat cum
acioneaz jonciunea E i C una cu alta i ea are mare nsemntate
pentru tranzistor cu baz scurt: W/Ln <<1 ; Pentru tranzistor cu baz
lung: W/Ln >1 ; 0 ; 0
21 12
o o E i C nu acioneaz unul asupra
altuia.
26

Notm:
) 15 ( 1 exp
; ) 14 ( 1 exp
2
1
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
T
c
I
co
T
e
I
eo
U
I I
U
I I

; ) 17 ( ; ) 16 (
2 1 2 1
I I I I I I
N c e
= = o o

Ebers i Moll au artat aceast legtur ce descriu procesele fizice n TB
i poart denumirea de modelul Ebers Moll.
27

8.Caracteristicele de impuls ale transzistorului bipolar. Deducerea
caracteristicii de comutare.
Dispozitivele semiconductoare i circuitele integrate aplicate n
calculatoare, memorii statice i dinamice lucreaz n regim de impuls,
regim de saturaie i regim de blocare.




28

( )
( )
|
|
.
|

\
|
+
=
+
=

+
=
} }
c c p
F
B c
c c p
F
B
B c
t
c c p
C
I
Co
I
B c
R C
I t I
R C I
t I t I
R C
dt
I I d
| t
t
|
| t
t
|
|
| t
|
1 ) (
0
) ( ) (
ln
ln
0
0

( ) ) ( ;
) (
) (
ln t I I
I t I
I t I
R C
B co
Bo B
co c
c c p F
| | t t =
(

+ =

29

n-Si
G
p
D S
p-Si
G
n
D S
n-Si
G -U
p
D
+
S
W(U) h(U)
p-Si
G U
g
n
D
U
d
S
-U
go
U
g
U
g
I
d
n p
I
d
U
g
U
g1
U
g2
U
g3
3
2
1
9.TEC cu jonctiune p-n. Deducerea CVA.
TEC funcioneaz pe baza dirijrii proceselor electronice cu curentul
electric. Aceste tranzistoare snt unipolare. n conductibilitate lucreaz ori
p, ori n.TEC cu canal propriu i jonc.p-n:










n regim activ : la polarizare invers jonciunea se lrgete cu h(U): W(U)
= a-h(U) ; Id = f(Ud,Ug) TEC se mai folosete pentru amplificarea tensiunii,
puterii.

Caracteristicile:
1.Id =f(Ug) la Ud const. 2. Id =f(Ud) la Ug const. Ugo-tensiunea de
prag pentru canalul p









-Ugo-tensiunea de prag pentru canalul p
1-segmentul liniar
30

2- segmentul de saturare
3-segmentul de strpungere
Curentul ve fi mai mare cnd Ug3<Ug2<Ug1 , pe baza acestor caracteristici
putem determina :
1)
( ) ; 0 =

= = U pentru
b a
L
S
L
R
c
c
c c

2) conductibilitatea
const U
d
d
c
g
dU
dI
=
= o
; 3)Panta
const U
g
p
d
dU
dI
S
=
=
;
4)coeficientul de amplificare
s s u
S R k =
;
5) parametrul de frecven fmax ; 6) Imax , Umax , Pmax reiese din valorile
maximale a caracteristicilor.
Deducem caracteristicile:
(

|
.
|

\
|
= = =
dx
dU
a
U h
ab E q U bW S I
x x x jx x
o o
) (
) (
;
;
2
2
) ( ) (
*
qu
U
U y U h
c
= =
dac U=Ug , Ud=0
W(Ug=Ugo)=ah(Ugo)=0. Dac canalul este nchis atunci Ug=Ugo
0
2
2
) (
*
= =
qu
U
a U h a
go
go
c

*
2
2
2
c
qua
U
go
=
- tensiunea de prag . Depinde de concentraie i de
grosimea plcii.
31


Deci putem construi caracteristica:

Regimul de lucru a tranzistorului este regimul de saturare . n acest regim
determinm: Is=f(Uds) ,s , Ss.Punem condiia :Ud+Ug=Ug0 . Pentru a primi
Ids=f(Uds) nlocuim Ud cu Ug
Ug=Ug0-Ud .
Deci primim:
( )
(
(

+ =
go
ds go
go ds
c
ds
U
U U
U U
R
I
2
3
3
2
3
2 1

(
(

|
|
.
|

\
|
= =
2
1
1 1
1
go
ds
c ds
ds
s
U
U
R dU
dI
o
;
g
ds
s g go ds
dU
dI
S U U U = = ;

32

P-Si
G +
S D +
n
+
n
+
n
Stratul
srcit
10. MOS-tranzistoare. Deducerea CVA pentru tranzistorul cu canal
indus.
Construcia unui astfel de tranzistor poate fi artat n felul urmtor:







La un astfel de tranzistor n comparaie de cel cu canal propriu i lipsete
canalul. n cazul cnd 0 s
g
U ; L-lungimea canalului.Caracteristicile V-A.
I=f(U
d
,U
g
),
C
Q
U
dx
dU
z I I
dx
dU
E x j
x
x
x x
= = =
= =
o
o o ; ) 1 ( ) (

) 2 ( zdU Idx o =
.
Parametrii: Qi = 0 dielectricul nu conine sarcin
Ci capacitatea structurii MOS
) 4 ( ; 0
; ) 3 (
i
A
p n
p A n tot
C
Q
U Q
U U Q Q Q
= =
= + =


) 5 (
2
0
i
d
C
t
cc
=
di grosimea dielectricuului.
) 6 ( dU qnz Idx =

Qn =UCi ;
Qn = Qtot-QA
-
= (Ug-Up)Ci UpCi = (Ug-Up-U)Ci (7) ; ) 6 ( ) 7 (
( )
( ) ) 9 (
2
1
2
1
; ) 8 (
2 2
0 0
(

=
(

=
=
} }
d d p g
i
d d p d g
i
d
d
U
i p g
L
U U U U
L
zC
U U U U U
L
zC
I
dU C U U U z Idx

33


1-regim liniar.
2-regim de saturaie
3-regim de strpungere
Precutm regimul de saturare:
Ug Ud = Up (10) ; Ug Ud -Up =0 ;
) 11 (
2
1
2
(

=
D
i
ds
U
L
zC
I

;
) 12 (
d
i
d
ds
c
U
L
zC
dU
dI
g

= =
determinm panta-S ; limea
canalului-Z
( )
(

=
2
2
1
p g
i
ds
U U
L
zC
I

| | ) 13 (
d g
i
g
ds
U U
L
zC
dU
dI
S = =



34

U
go
11.Dispozitive cuplate cu sarcini
DSC-dispozitive ce funcioneaz pe baza efectului de cuplare, memorizare
i transferul sarcinii. La baza acestor dispozitive se aplic TMOS cu canal
indus.
DSC cu 3 faze:
1,2,3,4,5,6-pori metalice. Dac aplicm o tensiune la D, obinem o groap
de potenial. Putem genera , transfera, memoriza n dependen de
tensiunile aplicate U1,2,3 pe suprafaa semiconductorului pe poarta
respectiv vom obine sarcina informaional:
( )
go g i p
U U C Q =
+

Aceste dispozitive cu 3 sarcini au plusuri i neajunsuri.
+ tehnologia planar ;
+ memorii mari
+ registru cu 3 faze e utilizat pe larg ;
+ frecvene mari
- multe contacte de suprapunere ;
-fiabilitate sczut ;
- probleme cu defecte de suprafa.
Pentru a exclude neajunsurile pe larg se folosesc dispozitive cu 2
sarcini cuplate. Groapa de potenial apare sub dielectricul subire.
Funciile de registru se ndeplinesc ca i n cazul 1. Are loc transferul,
nscrierea, memorizarea, citirea.
a) DSC cu pori ngropate.
b) DSC cu jonciuni n lan.
n acest caz avem o serie de
tranz.MOS cu canal inversat. Sarcina
informaional Q=CiUg se transfer
de la un tranzistor la altul pentru
comutarea tensiunii U1, U2 .
Concentraii minimale, fiabilitate mare.
Pentru a exclude defectele de pe
suprafa se dopeaz suprafaa de
impuriti adugtoare. Problema
contactelor se rezolv folosind n
calitate de contact polisiliciu sau metale cu temperatur mare.
Parametrii:
DSC sunt caracterizate cu mai muli parametrii:
35

1)
rafata de ii recombinar viteza
volum de ii recombinar viteza
f
sup
min
care formeaz
zgomote de suprafa.
2) fmax depinde de lungimea canalului i de
r t 2
1
;
u
L
Eu
LU
transfer de timpul
V
L
r

2
= = =

3) Eficiena
( )( )
( )
%
1
0 1
1 2
n Q Q
n Q Q

+
= q
unde 1- pierderile
4) Q=CiUg
5) Durata vieii de exploatare ani t 10 ~
Aceste dispozitive sunt sensibile la lumin i radiaie , ns aceste
efecte snt pozitive pentru alte aplicaii (optoelectronic, camere video,
cinematografie, ecrane i displeie)
36

12.Mecanismul electroluminescenei prin injecie n jonciuni i
heterojonciuni. Construcia, caracteristicile i parametrele ale
diodelor electroluminescente.
n calitate de emitori necoereni pot fi utilizate tuburi cu incandescen i
cu tuburi cu descrcri n gaze supraminiature , luminofore sub form de
praf i pelicol. DE ,ns cerinele ce se refer la Disp.Opto. Elec.sunt
satisfcute numai deorece se carac. Cu o valoare mare a eficienei de
transformare a energiei electrice n cea luminoas cu fiabilitatea nalt ,
durat mare de funcii , stabilitate ctre aciuni mecanice i climaterice ,
rapiditate nalt ( Ins 10
-10
s).
ELD este procesul de recombinare a purttorilor de sarcini neechilibrai
prin trecerea purttorilor prin semi.
DE se mpart n 3 grupe:
1)DE care radiaz n domeniul vizibil al spectrului optic i care se
utilizeaz p/u afiarea informaiei de simboluri .
2)DE care radiaz n domenii infraroii pe care se utilizeaz n
optocuploare i n comunicaii optice prin fibre optice.
3)DE de o putere naltde rotaie.
Diodele acestor grupe se fabric din materiale semi-re :GaP, GaAs,
GaAs1-xPx, Ga1-xAlxAs, In1-xGaxAs1-yPy, GaAsPSby, InGaAsPSb.
Mai puin se utilizeaz InP.
Principiul de funcionare a DE acestor grupe este acelai i se bazeaz
pe fenomenul electroluminiscenei spontane prin injecie adica injecia
purttorilor de sarcin minoritari prin jonc. p-n n domeniul activ a
cristalului ,care are o jonciune omogen ,heterojonciune sau o jonc
variabil. Specific proceselor de injecie n DE (LED) const n aceea c
unul din domeniul al jonciunii trebuie s fie optic activ, adic trebuie s
aib o eficien mare de transferare a energiei electrice n energie
luminoas aa domeniu n DE ca deobicei este domeniul de tipul p. .
Acest domeniu activ se mai numete baz. Din fizica corpului solid
cunoatem c recombinarea purt. de sarc. Neechilibrai ntr-o unitate de
volum i de timp se determin prin formula:
R=Bnppp0 (1)
unde R-viteza de recombinare
B-coef. De recombinare
np-concent.purt.de sar. neechil.
ppo -echilibrai
P/u mat. sem. cu tranziii directe B=7,2*10
-10
cm
3
/s
cu tranziii indirecte B=5,3*10
-14
cm
3
-s.
Domeniul optic activ trebuie s fie fluxul :~R=Bnpppo (2)
37

Intensitatea de radiaie Irad~R=Bnpppo
Sau Irad=f()nppp (1a) probabilitatea
Electroluminiscena apare n jonc. ce sunt cptate n semic. La
doparea lor cu impuriti i n aceste jonciuni au urmtoarele procese
de baz:



DE dup structur se
reprezint printr-un cristal
cu 2 contacte omice.
Nde
-(qVd/kT)
=ni
2
/NA , (5)
np=ni
2
/Na(1-e
-(x/Ln)
), (3)
Vd=
q
kT
ln(NdNA/ni
2
) ,(6)
Nd>> Na pentru a
forma aceast jonc.
se respect: np=nI
2
;
np=ni
2
/NR
AEd~kT4kT
AEA~kT4kT
repartizarea de-a lungul
cristalului a purttorilor.
jnp=-qDn
dx
dnp
=-
q(Dn/NALn)e
-(x/L
n
)
(4)
Deplasarea electronilor
din p n n unde
L
n
= Dn
n

38



Distribuia dup energie
np(E)~e
kT
E
distribuia

Maxwell Boltzman

39

Vom precuta cnd U>0 i jonciunea are opolarizare direct.

Numrul de electroni n n va fi mai mare dect n p cu e
kT
qU

jn=jnn- jnp x=0 =q(ni
2
Dn/NALn)*(e
(qU/kT)
-1) (7)

e
-(x/Ln)
x=0=1
curentul total I=jnS
jp=jpp-jpn=q(ni
2
Dp/NDLp)-(e
qU/kT
-1) (7a)

j=jn+jp=js(e
qU/kT
-1) (8) formula lui Sotkli

js=j0=qnI=(Dn/LnNA+Dp/LpND) (9)
formula (8) a fost determinat n condiiile c:
- n apropierea frontierei metalurgice nu se formeaz defecte a reelei
cristaline (ideal)
- n straturi a reelei spaiale nu sunt impuriti ce formeaz nivele
energetice adnci.
- Deplasarea purttorilor de sarcini este numai ntr-o singur direcie
(direcia cmpului exterior).
Formula (8) mai are forma: I=Is(e
qU/kT
-1) (10) I=jS unde U>0 sau U<0



40

1-polarrizare direct 4-curba teoretic la
2-experimental (Ge) polarizare direct
3-curba teoretic (Si) 5-exp
6-teoretic (indirect) a;m=2, b;m=1,
c;m=12, d;m>2
n regiunea a se aflau impuriti ce formau nivele energetice adnci,
I=Is(e
qU/mkT
-1) (11)
Sectorul a ne caracterizeaz mecanizmul de parcurgere a purttorilor de
sarcini prin jonciunea p-n i este efectuat de curentul de recombinare n
stratul srcit.Sectorul b se caracterizeaz prin deplasarea de difuzie a
purttorilor de sarcini din emitor n baz ,la difuzie apare un curent Idif
(descris prin formula lui Sotkly).Sectorul c se descrie prin curentul de
difuzie i curentul de drift Idif+Idrift are o mai mare importan
n d cnd rezistena jonciunii p-n =0 rezult toat tensiunea cade pe baz
i curentul este determinat cu rezistena bazei ce eunit n serie la circuit.
Coeficientul de injecie? =In/Itot=In/In+Ip (12a) ntr-o jonciune abrupt cnd
ND>>NA .Dac ND>>NA In>>Ip i avem situaia cnd avem injecie ntr-o
direcie ?s1 ns curentul total mai are componente
?=In/In+Ip+Irecomb+Itunel+IAuger+Isupraf (12)
Ca s nu avem Isupraf trebuie s asigurm un strat dielectric (SiO2) i deci
Isupr=0 , IAuger=0 cnd avem banda interzis destul de mare (>1,4eV)
Itunel apare n jonciune puternic dopate (poate fi Itun=0)n domeniul vizibil
=0,350,7m Ef>1,8 eV
Recombinarea poate fi n 3 moduri :
1)recombinarea radiativ la care energia de prisos este emis n form
de cuant(foton) de lumin.
2)recombinare neradiativ-energia deprisos este transmis reelei
cristalin i aduce la majorarea cristalului.
3)recombinare neradiativ-energia deprisos este transmis al treilea
particule. Energia particolei a 3 e transmis ca fonon reelei cristaline .
Eficiena recombinrii radiative se caracterizeaz prin eficiena cuantic
intern care ne arat ci fotoni apar sau se regenereaz la recombinarea
unui electron neechilibrat.
int=Nfotoni/num.de elec.
Numrul de electroni n domeniul activ se determin prin numrul
electronilor injectai n p-n.
Qn=
q
I
ef (13) 1/efectiv=1/Radiativ+ 1/Neradiativ (14)
Nfotoni=Qn/R (15) int=Nfotoni/(I/q)=Qn/R*ef/Qn=ef/R=1/(1+R/NR) (16)

41

Din (16)reese c ?int<1 dac ?NR>>Rints1
Adic la recombinarea unui electron putem cpta un foton sau chiar
mai puin .
Prad.intern=
q
I
h*int (17)
DE se caracterizeaz prin eficiena cuantic exterioar(parametrul ?ext)
ext=Nfotoni/num.purt. ext=int**optic (18)
ext=(NR/NR+R)*(1-p/n)*opt (18a) ND=5*10
17
cm
-3

NA=5*10
17
----1*10
18
cm
-3

opt=*ffresnel*critic (19)
coeficient de refracie R1=(n1-n2)/(n1+n2) (20)
coeficient de transparen T=1-R=1-(4/(2+n1/n2+n2/n1)) (21)
T=0,69----0,702 numai ~70 de energie la cderea normal ctre
frontierse va reflecta mai departe.
n1sin1=n2sin2 , critic=arcsin(n2/n1), critic=17.
F2=T/critic=(n2/n1)
2
dac ext=100 =
x
1
adncimea la care
ajunge fotonul.
P/u a micora absorbia fotonilor generai n mediul activ se utilizeaz
urmtoarea metod:
-micorarea energiei fotonilor generai prin ntroducerea impuritilor n
domeniul activ n baz.
-utilizarea semiconductorilor cu tranziii indirecte.









ext=37
int=5083

42

2)pentru mrirea eficienei schimbm forma cristalului

Structura jonciunilor n DE:


43

Parametrii diodelor electroluminiscente.
1)lungimea de und ce iradiaz DE ?max,300400A
Prad=I/q* h*
Curentul maximal la polarizare direct:Imax.dir.
Durata de funcionare-?

Eao aa energie de activare la care temperatura T se va schimba cu
10C.
se va micsora de doua ori .Dac m=1 =10
6
ore de funcionare
nentrerupt.
Degradarea are loc din 2 motive :
1)difuziei impuritilor ,cmpuri electrice nalte n domeniul activ.
2)difuzia impuritilor din contactele omice ale DE (impuriti
cu:Cr,Ni,Ag,Au,Fe ele formeazcentre neradiativeale DE).
Marcarea
Numrul elaborrii
A 102
101
Tipul
Materialul folosit
Heterojonctiunile simple sau duble sunt structuri de tipul AlGaAs GaAs,
sau Al InAs GaInAs AlInAs, AlGaAs InGaAs AlGaAs, sau AlGaAs
GaAs AlGaAs, precum si alte combinatii si sunt utilizate pentru realizarea
diodelor LASER[Shi;Zha] si a tranzistoarelor cu efect de cmp
HEMT[Mat;Lai] (High Electron Mobility Tranzistor), care functioneaza n
frecvente de zeci de GHz. Ambele tipuri de dispozitive exploateaza
discontinuitatile mari ntre benzile interzise ale straturilor n contact, ceea
Rapiditatea :
Prad/Pel.cons.= randamentul
Prad(t)=Prad(0)e
-t/

iniial
=Aj
-m
e
-(Ea/kT)

Eaenergia de activare
j=js(e
qU/mkT
-1)

44

ce determina pe de o parte indici de refractie diferiti pentru stratul
intermediar fata de cele doua straturi vecine, iar pe de alta parte, n stratul
intermediar, se poate obtine o densitate ridicata a gazului electronic
bidimensional (2DEG), combinata cu o mobilitate ridicata a electronilor si,
implicit o densitate ridicata de curent. Gazul electronic bidimensional, se
formeaza n interfata dintre straturile structurii, densitatea superficiala de
electroni fiind 4.5 , iar mobilitatea electronilor depaseste 10000cm
/Vs [Mat]. Densitatea curentului de prag al diodelor LASER, realizata cu
heterojonctiune simpla este de ordinul: , iar pentru heterojonctiuni
duble, curentul de prag scade cu un ordin de marime la:
Heterojonctiunile cu GaN nu necesita dopari, pentru ca exista n mod
natural regiuni puternic polarizate, care poseda sarcini electrice.
CONSTRUCIA DIAGRAMEI ENERGETICE
O s studiem diagrama energetic a heterojonciunii GaAs Ge.
Presupunem c proprietile acestor semiconductori nu variaz n volum
pn la grania metalic a heterojonciunii.
( ) eV GaAs E
g
45 , 1 =
,
( ) eV Ge E
g
7 , 0 =
;
S
u
- lucrul de ieire (extracie) al electronilor, fiind egal cu energia necesar
pentru a transfera un electron de pe nivelul Fermi pe nivelul energetic al
vidului.
_
- afinitatea electronic, fiind energia necesar pentru transferul
electronului de pe
c
E
pe nivelul vidului (nu depinde de poziia nivelului
Fermi, de gradul de dopare).

Se vede c energia electronilor pe nivelul
Fn
E
este mai mic ca pe
Fp
E
.
Deci, la contactul acestor semiconductori nivele Fermi vor coincide i un
numr de electroni din GaAs vor trece n Ge. Aceasta face ca zonele
energetice n GaAs s se coboare n jos, iar cele din Ge s se ridice n
sus. Numai capetele zonelor energetice rmn nemicate.
Curbura zonelor o nsemnm prin
Dn
V
i
Dp
V
.
45


Diferena dintre nivelele Fermi care a fost lichidat n urma contactului va
fi:
( ) ( )
GaAs GaAs Ge Ge g Ge Dp Dn Fp Fn
E V V E E o _ o _ + + = + =
) ( . (1)
nsemnm prin
n
x
i
p
x
grosimea regiunii de sarcin spaial n
semiconductorul n i p. Atunci obinem:
d
a
p
n
N
N
x
x
=
;
Din ecuaia lui Poisson:
GaAs
n d
Dn
x N
V
c 2
2

=
;
Ge
p a
Dp
x N
V
c 2
2

=
;
GaAs
Ge
d
a
GaAs
Ge
d
a
a
d
GaAs p a
Ge n d
Dp
Dn
N
N
N
N
N
N
x N
x N
V
V
c
c
c
c
c
c
= =


=
2
2
2
2
2
2
;
eV V
Dn
42 , 0 =
;
eV V
Dp
1 , 0 =
.
Aflm valorile discontinuitii benzilor energetice n regiunea contactului:
( ) ( )
Dp Ge Ge g Dn GaAs c
V E V E + = A o o
) (
.
n ultima relaie introducem relaia (1) i obinem:
eV E E E
GaAs Ge GaAs GaAs Ge Ge g Ge Ge Ge g GaAs c
06 , 0
) ( ) (
= = + + + = A _ _ o _ o _ o o
.
Analogic se poate calcula:
( ) ( ) eV E E E
GaAs Ge Ge g GaAs g v
69 , 0
) ( ) (
= = A _ _
.
De aici rezult:
) ( ) ( Ge g GaAs g v c
E E E E = A + A
.
46

Acestea sunt expresiile pentru discontinuitatea zonelor energetice pentru
orice nivel de dopare al semiconductorului.
Analogic se construiete diagrama energetic pentru pGaAs nGe.

Dac
v
E A
este mare, atunci este limitat injecia golurilor din p n n.
Atunci curentul prin jonciune este format prin recombinarea purttorilor
de sarcin la grania metalurgic a jonciunii.
Discontinuitile (rupturile) benzilor energetice genereaz urmtoarele
particulariti proprii ale heterojonciunilor:
1. La polarizarea direct a heterojonciunii poate avea loc injecia
unilateral a purttorilor de sarcin (din semiconductorul cu band
energetic interzis n cel cu banda energetic interzis ngust).
2. n heterojonciuni este posibil situaia cnd n semiconductorul cu
g
E

mic concentraia purttorilor de sarcin injectai este mai mare ca
concentraia purttorilor de sarcin majoritari n semiconductorul cu
g
E

larg. Acest efect se numete superinjecie i se folosete n structurile
laser i a diodelor luminescente.
3. n cazul cnd bariera de contact este destul de ngust (
0 +
p n
x x
)
proprietile barierei vor depinde de constantele dielectrice ale
semiconductorilor i, deci, de curenii de ntuneric.
4. n heterojonciunile ideale, la grani, poate aprea reflectarea
purttorilor de sarcin i variaia maselor efective ale purttorilor de
sarcin. Aceasta, iari, influeneaz curentul prin jonciune.
La proiectarea dispozitivelor optoelectronice pe baz de heterojonciuni
este necesar s se ia n consideraie:
- Constantele dielectrice;
- Coeficienii de refracie;
- Coeficienii de transparen;
- etc.
De exemplu, n heterolaser, stratul activ (mijlociu) trebuie s aib
coeficientul de refracie
n
mai mare ca n regiunile emitorului.
47

Neajunsul principal: La heterograni exist o cantitate mrit de defecte,
care sunt generate de:
difuzia reciproc a materialelor ce contacteaz;
formarea fazelor intermediare dintre materialele ce contacteaz;
defecte ale reelei cristaline din cauza
% 1
2 1
> = A a a a
;
defecte din cauza
0
2 1
= r r
, (
r
- raza atomilor).
48

13.Procesele fizice n laserii cu semiconductori; caracteristicile i
parametrele ale diodelor laser
Laserul cu semiconductori este constituit ca si celelalte tipuri de laser tot
pe sablonul mediu activ, sistem de excitare, rezonator optic. In acest caz
un amestec semiconductor este folosit ca mediu activ. Cel mai adesea se
folosesc combinatii de metale din aceleasi perioade ale grupelor IIIa si
Va. Dintre acestea semiconductorul cel mai folosit este cel format din
Galiu si Arsenic (GaAs). Laserul cu conductori este, de fapt, un sandwich
format din 3 straturi de semiconductori la care se adauga elementele
sistemului de excitare. La acest tip de laser energia necesara excitarii
sistemului de atomi din mediul activ cat si factorul declansator sunt date
de curentul electric care se aplica, conform figurii. Datorita faptului ca
acest sandwich corespunde modelului clasic de dioda, de aici incolo se
va folosi si termenul de dioda.Randamentul unei astfel de diode este in
jurul a 30% dar amplificarea este destul de mare. Curentul necesar
trebuie sa aiba o densitate de cateva mii de amperi pe centimetru dar
avand in vedere ca o dioda laser are marimi foarte mici, curentul necesar
este adesea sub 100mA. Pentru a obtine rezultate satisfacatoare, in
practica se folosesc mai multe straturi decat se prezinta in figura. Cat
priveste stratul activ, lungimea lui nu depaseste 1 mm, iar grosimea sa
este, in functie de model, de la 200 pana la 10 nm. In general grosimea
stratului activ variaza intre 200 si 100 nm. Datorita faptului ca este atat de
subtire, fascicului emis este foarte divergent (pentru un laser) si astfel
laserul cu semiconductori se bazeaza foarte mult pe rezonatorul optic ce
trebuie ales cu mare grija si trebuie pozitionat foarte precis pentru a
obtine performante maximale.

Ldistana rezonatorului optic. Amplificarea va avea loc cnd:
L=m(/2), m=0,1,2..
Nu avem tensiune exterioar
49


d0grosimea stratului srcit
1)N2>>N1
2)> se descrie cu ajutorul ecuaiei: R*e
}

L
dt gt
0
) 2 (
>1
R1=R2=RR*e
(gt-)L
>1 R--coeficient de difracie
gtamplificare
R1=R2
2 1R R
e
(gt-)L
>1 coef. de absorbie
gt=[c
2
(N2-N1*(g2/g1))g()]/8
2
n
2
rec
jth=8
2
n
2
d/c
2
ext[+
L
1
ln(
R
1
)]
jth=1/(+
L
1
ln(1/
2 1R R
))

Lazerii pe parcurs de timp pot s-i schimbe puterea de radiaie .
Prad(t)=Prad(0)e
-(t/)

n formula dat are loc proces de degradare i sunt 3 tipuri de degradare:
a)catastrofic, b)apariia liniilor negre ,c)ncetinit
a) diferite straturi epitaxiale au diferii coeficieni termici de dilatare liber
la nclzire.
b) majorarea defectelor a reelei cristaline i a apariiilor lor n mediul
activ,dac n suport sunt defecte a reelei cristaline apoi pe
n 1967 Cazarinov a artat
jonc. omogene GaAs
c se poate obine
heterojonciuni adic
numrul de sarcini
injectat n heterojon.
poate depi valoarea
sarcinilor majoritari.
n aa caz se poate de cptat
Inversia de populaie.
Aceast inversie are loc n
stratul srcit cu gr. d.

50

parcursulfuncionrii lazerului cu mrirea temperaturii lazerului aceste
defecte trec n straturile epitaxiale i peste un timp trec n mediu
activ.Defectele joac un rol de centre de recombinare neradiativ.Dac
aceste defecte au aprut n planul oglindit apoi acolo apar centre
neradiative,puncte negre ,linii negre.
c) degradarea ncetinit e ca i n DE i e legat de difuzia
impuritilor,centrele de recombinarea radiativ se reduc i puterea de
radiaiese majoreaz.

Fibra optic p/u comunicaii are dimensiunile firului de pr 0,1mm.
Aa structur se numete laser cu contact de fie(cu band de contact).
Stratul de SiO2este depus prin fotolitografie (proces cu o precizie destul
de mare).
Tipul de miezo-structuri

51


52

14.Receptori de radiaie optic cu semiconductori (fotodiodele,
fototranzistori, fototiristori)
Receptor de radiaiedispozitive optice care transfer energia
semnalelor luminoas din domeniul spectral de radiaie optic n semnale
electrice.Receptor de radiaie se mai numesc detectori
fotoelectrici,fotodetectori.Principiul de funcionare:absorbia de radiaie i
transformarea n alte forme.Semnalul de ieire este proporional cu
ptratul amplitudineia undei electromagnetice.
Uieire~E
2
; Uieire~H
2

Fotodetectorii se mpert n:
1)Fd termici
2)Fd fotonici
1)Absorbia radiaiei luminoase nsoete creterea ta reelei cristaline n
aa situaie se schimb rezistivitatea elementului sensibil ,fora
electromotoric termic ,volumul,conductibilitatea electric sau
polarizarea.
2)are loc nemijlocit interaciunea fotonilor cu electronii de valen ale
atomilor care sunt n elementul sensibil al Fd ca rezultat elecccctronii
atomului se excit. Dup numrul electronilor excitai se poate de
determinat numrul fotonilor sau Prad absorbit,deci ele sunt nite
contoare de fotoni.
Fdfotonii sunt sensibili numai la fotonii <prag(n caz contrar sunt
transpareni).Fd fotonici sunt dispozitive selective sensibili la anumite .
Fd termici n dependen de sensibilitatea lor este la acelai nivel .
Undele de raze infraroii aduc la mrirea a t mate-lui razele infraroii
raze termice.Alegerea Fd se face dup date concrete ,Capacitatea
descoperirei rapiditatea, S domeniul spectral,schema dispozitivului
corezistivitatea la aciuni mecanice climatice i radiaii radioactive.

Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat dintr-o jonciune
pn sau un contact metal-semiconductor polarizat invers, cu regiunea de
trecere excitat de un flux luminos. Simbolul, modul de polarizare i
caracteristicile statice ale fotodiodei sunt prezentate in fig. 11.1.
53


Vom presupune o radiaie luminoas din domeniul de absorbie
fundamental a semiconductorului care cade perpendicular pe suprafaa
regiunii p, (planul x=0 din fig. 1a). Dac coeficientul de saturaie este
foarte mare (dp>>
o
1
) putem presupune c generarea purttorilor de
neechilibru are loc practic la planul x = 0. Ei difuzeaz spre interior
concentraia lor scznd cu distana datorit recombinrii, dup legea:

n
l
x
e o n x n

= ) ( ) (
(1)
unde
n n n
D L t =
este lungimea de difuzie adic drumul parcurs de
purttori n timpul de via
n
t
. Purttorii care nu recombin i ajung n
zona cmpului intern al jonciunii, sunt separai de ctre aceasta,
electronii de concentraie n(dp) fiind antrenai n regiunea n a structurii,
golurile de neechilibru fiind blocate de barier n regiunea p, cele dou
regiuni ncarcndu-se negativ, respectiv pozitiv, pn la atingerea unui
regim staionar datorit concurenei proceselor de generare i
recombinare.
Caracteristicile fotodiodelor i celuelor fotovoltaice:
Tensiune invers VR(V) este tensiunea nominal de funcionare ;
Curentul de ntuneric ID(nA) este curentul invers la tensiunea VR ;
Tensiunea de strpungere VBR (V) este valoarea tensiunii inverse la
care curentul de ntuneric crete de 1000 de ori (convenional).
Temperatura ambiant de funcionare TA . Se indic printr-un interval
de temperatur n care parametrii variaz cu pn la 50% fa de valorile
temperaturii camerei (de exemplu 40......+100
o
C)
Puterea disipat PD(nW) este determinat de condiiile de alimentare a
dispozitivului i se definete la TA=25
o
C, PD scade cu cretererea
temperaturii.
54

Capacitatea jonciunii Cj(pF) se determin la ntuneric la tensiunea VR
i la o anumit frecven, de exemplu f=1Mhz. n unele cazuri, se prezint
i capacitatea lor la tensiunea nul, Cj0.

Tensiunea n gol Voc (V) este tensiunea la circuit deschis, cnd curentul
este nul, msurata pentru o anumit iluminare (100 sau i 1000 lx)
folosind ca surs o lamp cu filament de tungsten cu temperatura de
culoare 2856
o
K. (standard de iluminare)
Curentul de scurt-circuit ISC (A) este curentul invers la tensiune nul pe
dispozitiv, msurat n aceleai condiii de iluminare ca i Voc.
Coeficientul de temperatur al tensiunii la circuitul de mers n gol.
Voc, KV(mV/
o
C). Se definete ca variaia tensiunii Voc la creterea
temperaturii dispozitivului cu 1
o
C. Voc scade cu creterea temperaturii
(KV<0) deoarece curentul de saturaie crete puternic cu T(v.ec.(7)). KV
are valoarea 2,5 -2,6 mV/
o
C la dipozitive din Si;
Coeficientul de temperatur al curentului de scurt-circuit ISC, KI(%,
o
C)
reprezint variaia curentului ISC la creterea temperaturii cu 1
o
C. KI > 0 i
are valoarea 1,2 1,6 %/
o
C pentru Si;
Sensibilitatea integral S(nA/1x pentru fotodiode A/1x sau A/W pentru
fotocelule) se definete ca raportul ntre curentul invers la tensiunea
VR i iluminare pentru fotodiode i raportul ntre curentul de scurt-circuit i
iluminare sau puterea radiant pentru fotocelule.
Lungimea de und la sensibilitatea maxim
) (nm
p

se determin din
dependena S= F()(V.fig.6) p este apropiat de valoarea
corespunztoare pragului absorbiei.
Sensibilitatea spectral S (A/W) este raportul ntre curentul invers la
tensiunea VR (sau pentru fotocelule, curentul pentru scurt-circuit i
puterea radiant =p.
Banda spectral
) (
2 / 1
nm A
se definete ca intervalul spectral de o parte i
de alta a lui max n care sensibilitatea scade cu cel mult 50% fa de
valoarea maxim.
Randamentul cuantic
) (
.
.
fotoni N
electroni N
e
q
se definete ca raportul dintre numrul
de electroni generai optic care strbat jonciunea (i particip la curent) i
numrul fotoni incideni la =p. Pentru tipurile moderne de fotodiode i
fotocelule are valori intre 0,7 i 0,9.
Aria fotosensibil A (mm
2
) este aria liber a dispozitivului neacoperit
de contacte. Pentru fotodiode, A este cuprins ntre fraciuni de mm
2
i
civa mm
2
, iar pentru fotocelule de la civa mm
2
pn la civa cm
2
.
55

Tipul capsulei. Ferestrei(lentilei). ntruct capsulele sunt
standardizate, indicativul ei arat dimensiunile i schema de conectare a
terminalelor. Fereastra poate fi plan sau sub form de lentil din epoxi
pentru care se prezint diagrama polar, adic caracteristici de
directivitate (v.lucrarea diode luminiscente).
Puterea generata maxim Pm(mW) este puterea maxim generat la o
putere radiant incident, standard (de ex. 100mW/cm
2
), cnd rezistena
de sarcin din circuit are valoare optim
Fotocurentul pentru putere maxim Im (mA) este latura pe axa
curenilor a dreptungiului de arie maxim (v.fig.2)
Tensiunea fotovoltaic pentru putere maxim Vm(V) este latura pe axa
tensiunii a dreptungiului de arie maxim (v.fig.2).
Factor de form (sau de umplere). FF reprezint raportul ntre puterea
generat maxim Pm i puterea ideal ISCVOC. Se poate observa ca
FF<1.
Eficiena (randamentul) de conversie
(%) q
se definete ca raportul ntre
puterea electric generat maxim i puterea radiant incident.

rad
OC SC
rad
m
P
V I
P
P
FF) ( =

Pentru fotodiodele care pot
funciona ca i fotodetectori de
semnale optice rapid variabile i
slabe, se definesc i alte
caracteristici ca: timpii de comutaie
i parametrii de zgomot.
Timpul de ntrziere (sau timpul
de rspuns) td(ns sau s), se
definete ca timpul scurs ntre
momentul aplicrii semnalului
luminos i cel la care fotocurentul
crete pn la 0,1 din valoarea sa
maxim (fig.7).
Timpul de cretere tr (ns sau s),
timpul n care fotocurentul crete de
la 0,1 la 0,9 din valoarea sa maxim
(fig.7) iar td+tr=ton .
Timpul de stocare (storage), tS(ns,s) este timpul n care fotocurentul
scade la 0,9 n valoarea maxim dup ncetarea semnalului (fig.7).
Timpul de cdere tf (ns,s) este timpul n care fotocurentul scade de la 0,9
la 0,1 din valoarea maxim iar ts + tt = toff .
56

Puterea echivalent de zgomot NEP(W
Hz-1/2
)

se definete ca puterea
medie a radiaiei incidente P care d la ieire un semnal mediu Vn egal
cu valoarea medie a zgomotului propriu, detectorului Vs, cnd acesta nu
are semnal la intrare .

2 / 1 2 / 1
) ( ) ( f
P
f V
PV
s
n
NEP
A A
= =
(W Hz
-1/2
)

Pentru fotodiodele din Si, Nep ajunge de 10
-15
W Hz
-1/2
.
Detectivitatea D
*
(cm W
-1
Hz
1/2
) este inversul NEP nmulit cu A
1/2
, unde A
este aria suprafeei fotosensibile (deoarece ne arat c NEP depinde de
A
1/2)
ceea ce permite compararea fotodetectorilor de diferite A2.
P
r A
PV
f V A
n
s
D
2 / 1 2 / 1 2 / 1 2 / 1
) ( ) ( * A A
= =

Pentru fotodiode de Si, D
*
ajunge la valori de 10
14
cm W
-1
Hz
1/2
.
3.Sarcinile lucrrilor i modul de
lucru
n lucrarea de fa, se studiaz
funcionarea fotodiodelor i
fotocelulelor i se determin
experimental unele dintre
caractereisticile de mai sus.
Astfel, pentru fotodiod se
determin:
1) a) caracteristica I-V de intuneric
b) caracteristicile I-V la trei valori ale
fluxului luminos,
c) dreapta de sarcina
d) sensibilitatea integrala.
In cazul fotoelementelor, n
laborator, se determina:
2) a) tensiunea la circuit deschis VOC precrum i circuitul de scurt-
circuit ISC la o valoare a fluxului luminos
b) caracteristica static de ieire la un anumit flux luminos
c) pentru aceasta caracteristic, mrimile R
LM
, P
m
, V
m
,FF
d) randamentul de conversie
Fototranzistor
Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structur
de tranzistor, a crui comand se realizeaz pe cale optic de ctre un
flux luminos ce cade pe regiunea bazei sau pe oricare alt regiune
(emitor sau colector). Pentru cazul in care comanda se realizeaz in baz
57

fototranzistorul are simbolul i caracteristicile statice de ieire date in
figura 11.2:

Sensibilitatea integral a fototranzistorului este mai mare ca la
fotodiode datorit amplificrii in curent . Parametrii fototranzistoarelor se
aseamn cu ai fotodiodelor i ai tranzistoarelor obinuite.FT functionand
in regim variabil de semnal mic si frecvente joase se comport, intre
emitor si colector, ca un generator de curent de valoare proporional cu
iluminarea: FT poate functiona in regim de comutaie sau in regim liniar.
Comparativ cu fotodioda, fototranzistorul in regim de comutatie permite
trecerea unui curent mai mare. In regim liniar, de multe ori, se prefer
folosirea unei fotodiode, deoarece liniaritatea caracteristicii de transfer a
acesteia este mai bun si distorsiunile introduse in circuit sunt mai mici.
Informatia binar oferit de un fototranzistor in regim de comutatie se
refer la prezenta sau absenta iluminrii sau la depsirea/nedepsirea
unui prag de iluminare prestabilit. De exemplu, fototranzistorul blocat sau
saturat poate comanda direct un releu.
Curentul rezidual al fototranzistorului, numit i curent de ntuneric este dat
de relaia:

( )
CE0 CB0
I 1 I = |+
(7.3)
Acest curent este mai mare dect cel al unei fotodiode cu acelai curent
ICB0.Deoarece IL este curentul de colector datorat incidenei luminoase i
IL, cel datorat efectului de tranzistor (IL = IB), curentul de colector al unui
fototranzistor va fi dat de relaia

( )
C L L CB0
I I I 1 I = +| + +|

sau

( )( )
C L CB0
I 1 I I = |+ +
(7.4)
58

Sensibilitatea fototranzistorului este de ordinul a
10 15 A lx
, iar ineria n
funcionare este mai mare dect cea a fotodiodei datorit timpului mare
de stocare a sarcinii. Ca i tranzistoarele, cele mai rspndite
fototranzistoare sunt cele pe baz de Si, simbolul unui fototranzistor fiind
dat n fig. 7.4.c. Fototranzistoarele au numeroase aplicaii n instalaiile de
automatizare i telecomand.
Fototiristorul
Fototiristorul este un dispozitiv realizat pe o structur de tiristor, a crui
aprindere se face sub aciunea unui flux luminos focalizat pe una din
jonciunile dispozitivului, J2, fig. 7.5.a.








Sursa de radiaie care asigur comanda optic a fototiristorului este cel
mai adesea o diod electroluminiscent (LED) cu emisie n infrarou (IR).
Semnalul optic generat de LED este condus pn n regiunea p2 prin
intermediul fibrelor optice.
n ipoteza c fototiristorul este polarizat direct (+ pe p1 i pe n2) i n
absena semnalului de comand, el este blocat deoarece, cu toate c
jonciunile J1 i J3 sunt polarizate direct, jonciunea J2 este polarizat
invers.Semnalul optic de comand ptrunde prin emitorul n2, o parte este
reflectat i o parte absorbit n material. El genereaz perechi de purttori
electron gol n regiunea de sarcin spaial a jonciunii J2. Acetia sunt
separai de cmpul electric intern al jonciunii J2, electronii fiind dirijai
spre zona n, iar golurile spre zona p. Purttorii injectai n baze determin
un curent ntre anod i catod, curent ce crete cu incidena radiant.
Pentru o anumit valoare a curentului prin fototiristor ctigul total n
curent devine supraunitar i are loc deschiderea acestuia. Din acest
moment, semnalul optic de comand poate fi anulat avnd n vedere
contribuia redus a fotocurentului la curentul anodic.
Amorsarea dispozitivului se poate face cu o putere extrem de redus, Pa
< 0,5 mW, dac fluxul luminos este concentrat pe o suprafa redus de
ordinul 10
-2
mm
2
.
a
G
A
Fig. 7.5
h
K
p1 n1 p2 n2
J1 J2 J3
A
K
h
regiunea
fotoactiv
b c
A
h
G
K
59

Simbolul fototiristorului este dat n fig. 7.6.b. Din fig. 7.5.c se observ c
schema echivalent a sa este constituit din dou tranzistoare, unul de tip
pnp i cellalt de tip npn i o fotodiod.
n prezent se realizeaz fototranzistoare avnd urmtorii parametrii:

DRM RMM
U U 4000V = =


TAV
I 1500A =


dU
2000V/ s
dt
=

dI
250A/ s
dt
=

Fototiristorul are aplicaii multiple, el putnd fi folosit ca element de
separare (izolare) galvanic ntre un circuit de comand, care este de
obicei de joas tensiune i un circuit de for care este un circuit ce
lucreaz la tensiuni i cureni mari.
60

15.Optocuploarele
Optocuplorul este un ansamblu alctuit dintr-un fotoemitor, de obicei o
diod electroluminiscent i un fotodetector, de obicei un fototranzistor,
cuplate optic i separate galvanic, fig.7.7.a. Pentru obinerea unui curent
de ieire mare n locul tranzistorului se poate folosi un tranzistor compus
de tip Darlington, fig.7.7.b.

Acest ansamblu este introdus ntr-o carcas cu perei opaci, astfel nct
lumina emis de fotodiod s cad direct pe fototranzistor. ntr-o alt
variant constructiv carcasa este prevzut cu o fant (deschiztur),
fig.7.7.c, prin intermediul creia se poate obtura legtura dintre cele dou
componente ale optocuplorului.Dac n deschiztura carcasei se
introduce o lamel opac, radiaia electromagnetic a LED-ului nu mai
poate s ajung la fototranzistor. Acest tip de optocuplor se mai numete
senzor optic sau optocuplor cu fant. Trebuie precizat faptul c n locul
fototranzistorului poate fi utilizat o fotodiod sau un fototiristor.
Parametrii unui optocuplor cu fant sunt determinai de parametrii
dispozitivelor componente, fotoemitorul i fotodetectorul.
Cei mai importani parametri ai unui optocuplor sunt:
- caracteristica de ieire, fig. 7.7.d, care exprim dependena grafic ntre
curentul de ieire i tensiunea de ieire, avnd drept parametru curentul
de intrare, IF;
- raportul de transfer, reprezint raportul ntre curentul de ieire i cel de
intrare. El se exprim n procente i poate ajunge pn la valoarea 1000,
pentru optocuploare prevzute cu amplificator;
- parametrii de izolare ntre fotoemitor i fotodetector, exprimai prin
rezistena de izolaie, capacitatea de cuplaj i tensiunea de izolaie.
Rezistena de izolaie ntre intrare i ieire are valori de ordinul 10
10
10
12

, fiind mult mai mare dect n comutatoarele electronice.
61

Capacitatea de cuplaj este de 0,5 2 pF, considerabil mai mic dect
capacitatea de cuplaj a altor dispozitive izolatoare.
Tensiunea de izolaie este cuprins n intervalul 1000 3000 V.
- frecvena maxim de lucru, fmax, determinat de timpii de comutare ai
elementelor componente ale optocuplorului.
Pentru optocuploare cu fotodiod fmax = 3 MHz iar pentru cele cu
fototranzistor , fmax = 5 10 kHz.
Valoarea mai mic a frecvenei de lucru pentru optocuplorul cu
fototranzistor se datoreaz timpului de comutare mai mare al
fototranzistorului care la rndul su este determinat de timpul de stocare
a sarcinii.


62

16.Traductoare magnetice; aplicaii.
Traductorul magnetic servete p-u nregistrarea, msur., dirijarea,
cmpului mag. Cu ajutorul el. Putem genera un cmp mag. i invers.
1. Trad. Holl d posibilitate de msurare i control direct a cmp
magnet. Fiindc exist dependen direct ntre semnalul Holl, cmp
mag i curent pot fi utilizate s mreasc curentul transform curentul
din continuu n alternativ, pulsaiile magnetice n electrice

FA= FH; qFH = q|UB| = qVB ;
B V U VB
a
U
a H
H
= = ;

ns
ns
q
I
V qV I = = ;

; * * *
1
b
IB
C
b a
a
B I
q q
IB
U
H
n ns
a
H
=

= =

H n
H
qC
n
q
C
1
;
1
= =

Determinm mobilitatea:
o o
o
o
H
C l
V
I
s s
l
R qn = = = = ; * *
1
; *
1
;

Parametrii trad. Holl .
1. sensibilitatea
B U
U
S
b
H
1
* =
2. randamentu
B P
P
H
0
= q
3. fiabilitatea, durata vieii

2. Trad. magnetorezistor. Efect magnetic rezistiv, depinde de cmpul
magnetic.
AR/R0 = f(B)
P-u msurarea cmpurilor magn. Pe larg se utilizeaz magnetorezistoare
la care R se mrete cu creterea cmp. magn. n rezultatul cmpului are
loc abaterea forei lorenz.Ca rezultat se micoreaz mobilitatea
63

micorarea conductibilitii i se mrete rezistena i se micoreaz
drumul liber.

F = qE + q|VB|
l = l0 - Al - A-AR+AR.
Sensibilitatea se va schimba
0
1
*
R B
R
S
A
A
= sau
B R
R
0
A

P-u a mri sensibilitatea i eficiena este necesar excluderea efectului
Holl.
1. Confecionm dispozitive n form de disc.
Sarcinile nu se apropie de suprafa, efectul Holl este exclus.
( ) | | B L
R
R
R
R
+
A
=
A
0
0
0


2. Aplicm rezistoare cu lungimea mic i limea mare. l<d. Deci
sarcinile nu la ajung periferii


( )
(

|
.
|

\
|
+ = =
A
d
l
B
R
R
R
R
B B
54 . 0 1 1
2
0 0 0

3. ontarea (excluderea prin ontare) ontm cu pelicole de Au. Dac
aplicm + i are loc scurt circuit i efectul Holl dispare.


3. Magnetodiode
d
l
64


Deci dioda semiconductoare deasemenia este sensibil la cmpul
magnetic.
AUdir=f(B)
0
1
*
U B
U
S
A
=

Dioda S ( ) B f U
B
= - c-ca de transferAvem i LED-uri dependente de B.

4. Tranzistor ca traductor magnetic. Pot fi realizate mai multe
variante.
1, Tranzistor obnuit. Dac B=0 curentul merge direct, E-C I=Ic
Dac B > 0 atunci curentul se va abate ori dreapta ori stnga B=0 I =
Ic-AI = f(B) c-ca de transfer va fi Ic = f(B).





2. Tranzistor cu 2 colectoare pentru a mri sensibilitatea se folosesc
2 colectoare.
1, B = 0 curentul merge simetric I1 = I2 ;Ux = 0
2, B = 0 curentul se nclin, ori stnga ori dreapta deci: I1 = I2 AI = f(B)
c-ca de transfer este:
65


3. Tranzistorul cu emitorul n pri.
B = 0 curentul simetric
B= 0 se nclin I1= I2
I1- I2 = AI = f(B)
Avem nc ca traductor magnetic tiristor, TEC,

66

17.Tenzo-traductoare integrate n baza de siliciu
Traductorul integrat presupune utilizarea direct a punii, a rezistoarelor,
trad. i schemelor de compensare i toate acestea se produc n acelai
ciclu tehnologic.
Cum de orientat cristalul i componentele. De exemplu termorezistorul
are 2 poziii
1. Radial
2. Tangenial




Bazele fizicii constau n dependena efectului tenzo de orientare a
cristalului, dopare a cristalului i temperaturii lui. Dac placheta e
orientat (111) atunci parametrii elastici
ikjm , ikjm f(orientare)
n comparaie cu efectele mecanice legea lui Hook ne spune: c
tensiunea
ij=Cijkmkm
km= Skmijij unde:
tensiunea mecanic
deformarea elastic
C coeficientul de elasticitate
S - coeficientul de supunere (adoptare)
Cu ct deformarea e mai mare cu att tensiunea mecanic e mai mare ;
i, j, k, m direciile alese.
n Si se observ o anizotropie accentuat a parametrilor elastici.

67


G coeficient de deplasare; y coeficientul lui Poison
Tensiunea n cristal e omogen iar coef lui Poison merge la maximum.
Orientarea cristalului i a tenzotraductorului este principial n
determinarea eficienei.
Parametrii trad. depind i de dopare i temperatur.

68

Cu ct e mai mare concentraia cu att e mai mic dependena de
temperatur.Tenzotraductor integrat se numete traductorul obinut n
ciclul tehnologic. n tehnologia traductoarelor (sensorilor) integrate
practic se aplic aceleai procese ca i n microelectronic, cu
deosebirea ctorva
1.Litografia bilateral (lucrm cu 2 fee a plachetei).
2.Procesul se petrece cu ajutorul razelor infraroii.
3.Orientarea strict a cristalului.
4.Anizotropia corodrii.
Viteza de corodare este direct proporional cu temperatura.
5.Pelicolele sau plachetele sunt foarte subiri. h= 10-20m

Exemplu de structuri

P/u realizarea tenzo traductorului integrat se aplic mai multe structuri
1. Rezistor funcie de presiune.
2. S a dopat i s a primit

Tenzotraductoarele sunt dispozitivele sensibile la deformaie. n
rezultatul deformaiei are loc schimbarea proprietilor lor (R0+R, +,
n+n, +, U+U, etc.).
1.Deformarea elastic
69

ijk=kijk ijk
ijk coordonate; coeficient de deformare; k modulul lui Young.
;
0
l
l A
= c
legea lui Hooke.
;

=
=
S
F
s
ijkl ijkl
o
o c

ijkl
s
- coeficient de supunere.
2.Tenzosensori metalici.

R=f(F),
); (F f
R
R
=
A
Legea Bridgeman:
;
l
l
c
A
=
A

c constanta de conversie.
;
l
l
b
b
a
a A
=
A
=
A
v

- coeficientul Poisson de ingustare.

.
; ) 2 1 (
lab lS V
l
l
V
V
= =
A
=
A
v

70

| |
| |; ) 2 1 ( ) 2 1 (
; ) 2 1 ( ) 2 1 (
; 2 ) 2 1 (
;
; lg lg lg lg
;
; ) 2 1 (
v v
v v
v v

+ + =
A
+ + =
A
A
+
A
+
A
=
A
A

A
+
A
=
A
+ =
=
A
=
A
c k
l
l
c
R
R
l
l
l
l
l
l
c
R
R
S
S
l
l
R
R
S l R
S
l
R
l
l
c
m

km coeficient de tenzoconversie a metalului (schimbarea R cu
schimbarea l).
;
l
l
k
R
R
m
A
=
A


Pentru metale
. 2 ; 3 , 0 ; 1 ~ ~ ~
m
k c v

Tenzotraductoarele metalice au un coeficient de conversie minimal, ns
au o serie de prioriti:
1.Stabil la temperatur R(T)=const.
Dependena
); (F f
R
R
=
A
este liniar.
1. Rezistent la presiuni mari.
( ).
0 0
R R I U = A
2. Tenzosensorii cu semiconductori sunt cu mult mai sensibili i pot fi
optimizai n baza mai multor efecte fizice:
- Selectarea materialului Si, Ge, InP, GaAs, Al,GaAs.
- Doparea: Na, Nd.
71

- Orientarea cristalografic: Si cel mai anizotropic material n
deformaiile elastice.
- Anizotropia corodrii.
- Dependena de T.
La deformare au loc mai multe efecte fizice:
- .
g g
E E A
- Liniarizarea benzilor.
- Transferul electronilor din valea 1 n valea 2 cu modificarea ulterioar
a masei me
*
.
Schimbarea mobilitii
. ,
.
o
o
A A A
=
n
qn

>
A
A = A
A + = A

<
A
A + = A
+ + + =
0
0
.
) ( ) (
01
02
01
2 02 1 01
R
R
sau
R
R
qn qn
o o o
o o o
o o o
o o o

), (
2 1
2 1
2 2 1 1
*
o

A = A
+
+
=
n q
n n
n n

Concluzie: sub influena deformrii are loc modificarea benzilor
energetice i ca rezultat modificarea tuturor parametrilor
semiconductorului cu o sensibilitate cu mult mai mare.
c t o y = legea lui Hooke.
coeficient tenzorezistiv.
c t o
ijkl ijkl ijkl
y =
cazul anizotropic.
Datorit anizotropiei Siliciului proprietile tenzometrice sunt foarte
avantajoase:
Efect tenzo
72

A
=
A
A
= =
A
l
l
y
R
R
l
l
y
R
R
ijkl ijkl
t
t to

Tenzosensori:
- Puntea Weabstone
- Cu membran
- Integrate
- Digitale
- Sisteme cu microprocesoare

Traductoarele n baza de membran au o sensibilitate nalt. n baza lor
se folosesc dispozitive:
- Accelerometre
F=am.
- Accelerometre cu capacitate.
C=f(F)
3. Tehnologia R-tenzo cu membran
- Tehnologii convenionale
Pregtirea plachetei, corodarea, difuzia, epitaxia, implantarea ionic,
depunere i oxidare.
- Tehnogii neconvenionale
73

Corodare inirotropic (ntr-o singur direcie n cristal), prelucrarea
plachetei din ambele pri, oxidarea din ambele pri, litografia din 2
pri, combinarea proceselor, contacte, asamblare.
4. Tenzosensori n baza dispozitivelor Microelectronice.
Tenzo-D, Tenzo- D, Tenzo-TB, Tenso MOS.
- Tenzo D, Tenzo- D, Tenso MOS.
). (
0
F f I = A
Acest efect se observ bine la polarizare invers.
.
.
0
0
0
kT
E
p
p n
n
n p
g
e
I
I
L
D qp
L
D qn
j
A
A

A
+ =

5. Caracteristicile de transfer ale tenzosensorilor integrai
Pentru tenyosensori nu se pot obine caracteristici ideale:
1. ideal
2. real
Deosebiri:
- nu trec prin originea coordonatelor
- diapazonul de msurare este mai limitat
- sensibilitatea este minimal
- n realitate exist driftul de zero.
- Apare driftul sensibilitii.
6. Smart-Sensori
Smart-sensorii conin:
- Elementul sensibil (sensor)
- Schemele de balansare
- Schemele de prelucrare a informaiei analogice
- Microprocesor
- Dispozitiv de afiare.

74

18.Metode de compensare a driftului "zero" i a sensibilitii
senzorilor
const
p
U
S U
x
x
=
A
A
= ; 0
0
;
const
p
U
S
x
=
A
A
=
Ux = kp abaterea liniar
Se folosete AO cu bloc de rezistene

Variind R6 aducem caracteristica p1 n p2 variind cu AO putem liniariza
caracteristica.
) ( ); (
0
T f S T f U
x
= =

Metoda elementelor pasive i active
Pentru compensarea driftului se folosesc mai multe metode
schemotehnice
a. Pasive
b. Active
Metodele pasive prevd introducerea n puni a termotiristorului cu
coeficienii corespunztori.
Metodele active implic curse adugtoare de curent , amplificatoare,
blocuri de termostabilizri.
n calitate de termoelemente se folosesc diode sau tranzistori termo.
Metoda pasiv.
75



76

Metoda activ

1. I
n
(T)
2. I
1
(T)
3. U
x
(T)
4. Rezultanta
Sensibilitatea

) ( ; %
1
0
T f S
U p
U
S
x
= -
A
A
=

Se utilizeaz scheme active i pasive, termorezistoarele se conecteaz
n circuitul ntrare sau ieire a punii.
77


T
x
C
S dT
ds
U dT
dU
= - = -
0 0
1 1

Schema cu diod
; ) (
0
T T R
I
U
R R
T
R
Di D
+ + = o
sunt scheme cu tranzistor,
scheme cu AO
const U k A k U
x T T x
= + = ) ( ) (


78

19.Traductoare optoelectronice; aplicaii.
n calitate de traductoare optoelectronice pot fi: fotorezistene, fotodiode,
fototranzistoare, fototiristoare etc. Fotodioda ca traductor se folosete n
2 regimuri a. diodic b. fotogalvanic.
Regim diodic:

|
.
|

\
|
= +
kT
qU
I I I
F D
exp
0
2
) 1 (
0
t
x
F F F
n
e
hc
R q qcF I unde I I I
t
t
o
|

q

= = ~ +





Regimul fotogalvanic.

0 = +
F D
I I
;
0 exp
0 0
= + + |
.
|

\
|

F
F
I I
kT
qU
I
; |
.
|

\
|
= +
kT
qU
I
I
F F
exp 1
0
;
|
|
.
|

\
|
+ =
0
1 ln
I
I
q
kT
U
F
F
;
U
F
tensiunea fotogalvanic.
79

0
I
I
F
1 ;
0
I
I
q
kT
U
F
F
~

1.
0
I
I
F
1 ;
0
ln
I
I
q
kT
U
F
F
~





Parametri principali
1. coeficientul de conversie %
tot
conv
p
p

= q
2. Um.g.
3. IF = 0
4. Full factor
5. Pm = ImUm
6.
%
1
0
I p
I
S
m
F

A
A
=


0
1
I ph
U
S
F

A
A
=
v
%
Tristorul
Aceast suprafa ne determin
energia electric conversat.
S = ImUm energia conversat.
} }
=
F md
I U
tot
dUdI S
0 0
, dup energia
total.
S Stotal
Pl. Si 10 15 %
AlxGaAs heterojonciuni 35 %

80


Exemplu de aplicare

81

20. Senzori cu fibre optice; aplicaii.
Fibra optic tot mai larg se rspndete n domeniul electronicii, de
comand, de control etc.


Un avantaj mare, la 100 km pierderile sunt de cteva % deci I1 = I2
pierderea.Fiabilitatea (pstrarea proprietilor) destul de mare.
Aplicaii
Traductoarele cu fibre optice se mpart n clase i grupe dup mai multe
criterii:
Funcii Efecte fizice metode de nregistrere.
Structura general

1. Surs de lumin
2. Fibra optic
3. FO traductor senzor
4. Prelucrarea semnalului
5. nregistrarea semnalului ecran, recepionat, calculat etc.
Lumina n aciune cu traductorul poate provoca diferite efecte :
schimbarea amplitudinii luminii, schimbarea coeficientului de refracie.
In amplituda, n indicele de refracie, y faza, Q
polarizarea, spectru.
Prelucrarea semnalelor include : In , n, ntunel coef de tunelare, y ,
Q, o - coef de absorbie, v - spectru. Reeind din aceti factori i
parametrii traductoarelor, ultimii au funciile:
1. AA AInv
2. Ay traductor amplitudional pe schimbul fazei.
3. Traductor cu schimbu coeficientului de refracie An
4. AQ - - - - - schimbarea unghiului de polarizare
5. An tunelare
6. A schimbarea dependenei spectrale.
Traductorul amplitudional
nregistreaz cu ct s-a schimbat amplituda semnalului iniial.
82



1. sursa
2. fibra optic
3. vas
4. sist cu robinet
5. sist optic , mrete drumul optic.
6. receptor
Receptorul ne nregistreaz concentraia , masa i spectru.
Traductor cu FO cu reele

1. laser
2. FO
3. SO
4. Dispozitivul
5. Membrana cu ecran reele
6. Ecranul
7. Receptor
8. Robinet



83

21.Caracteristica general a senzorilor inteligei; aplicaii.
Avantajele incontestabile ale microelectronicii au condus la implementarea
a noi incercari in constructia fizica a senzorilor integrati, precum:MEMS
(Micro-Electrical-Mechanical Systems) si SoC (Systems-on-Chip)
Microsystem technologia de tip microsystem (MST) ofera noi cai de
combinare a elementelor sensibile, cu circuitele de procesare si de
comunicare pe acelasi cip.
MEMS este un cip integrat IC care are functiuni de senzor si/sau de
sistem de actionare cumulate cu o electronica necesara prelucrarii
semnalelor vehiculate intre acestea.
SoC presupune integrarea tuturor componentelor unui sistem de calcul
pe acelasi cip. El contine sisteme de procesare analogica, numerica sau
mixta a semnalelor si posibilitati de preluare a unor functii de transmitere
a acestora in radiofrecventa.
Ca urmare poate include: P, C, DSP, memorii, periferice, diferite
interfete de communicatie, ADC, DAC, etc.
Dupa un studiu din 2006 al IFSA 55% din senzori sunt de tip analogic,
25% de tip digital si 20% de tip quasi-digital.
Numarul de fenomene fizice ce pot fi convertite direct in digital sunt
putine.Printre putinele exemple ar fi presiunea joasa, temperatura si
bineinteles, cel mai cunoscut senzorul de pozitie unghiulara (encoder).
Sistemul de achizitii de date este dispozitivul ce colecteaza, masoara si
adapteza semnalele primite de la senzori facandu-le compatibile cu
calculatorul. Acesta proceseaza semnalele primite, urmand a le afisa sau
transmite altor operatori sau sisteme de operare pe cale digitala si/sau
analogica sau via Internet.
Senzorul intelligent

Sensorul inteligent este un cip fara componente externe ce include
elementele sensibile de captare a semnalului fizic, de procesare
84

analogica si digitala a semnalului primit de la acestea dar si functii de
inteligenta: autotestare, autoidentificare, autovalidare sau autoadaptare.
Ca urmare:
Principalele proprietati ale unui asemenea senzor sunt:
- Adaptabilitatea: modificarea preciziei in functie de viteza de raspuns si
invers; modificarea consumului de putere prin ajustarea frecventei unui
timer de tip oscilator cu cuart.
- Precizie: erorile de masura pot fi programabile ( algoritmi
statistici,valoare medie, abatere medie patratica, etc.)
- Siguranta: pentru a controla performanta sistemului si conectarea
acestuia la firele senzorului senzorului este utilizat autodiagnosticul
Principalii parametrii ai senzorilor Frecventa- Domeniu Timp sunt:
-frecventa (fx)
- perioada (Tx)
- raportul de frecvente sau diferenta lor (f1/f2)
- abaterea de frecventa(f)
- factorul de umplere (%)
- intervalul de timp (t2-t1)
- largimea impuldului (ti)
- numarul de impulsuri (N)
- gradul de modulare a impulsului (PWM)
- modificarea de faza ().

Sensorii quasi-digitali combina simplitatea si universalitatea caracteristica
unui senzor analog si acuratetea si imunitatea la zgomote, proprii
sensorilor cu iesire digitala Sensors quasi-digitali sunt senzori de tip
frecventa-timp cu iesire in frecventa (70%), perioada (1%), factor de
umplere (9%), numar de impulsuri (3%), impulsuri modulate (PWM)(16%),
modificare de faza (1%), etc.
Senzorii quasi-digitali pot fi de trei tipuri;
Senzori cu conversie x(t) F(t) -Sunt senzorii ce pot genera direct o
frecventa la iesire, in functie de valoarea marimii de masurat. Exemple:
1,2,3-discrete
4-MicroElectronica
5-Electromacanic
6-micro mechanic
7-micro-electromecanic
85

senzori inductivi, senzori cu impulsuri fotoelectrice, senzori de tip cuarda
vibranta senzori , senzori acustici si cu stralucire (scintilatie)
Senzori cu conversie x(t)V(t)F(t) - Este cea mai mare categorie de
senzori .Avand iesirea in tensiune acestia necesita o simpla conversie
tensiune-frecventa si/sau curent-frecventa.Exemple : senzori Hall, senzori
de tip termocouplu, senzori de tip fotoelectric sau fotovoltaic (celule
fotoelectrice)
Senzori cu conversie x(t)P(t)F(t)- Din aceasta categorie, foarte
numeroasa de altfel, fac parte senzorii bazati pe oscilatoare electronice
Senzorul (elementul sensibil) este cel ce determina el insusi frecventa
oscilatorului .Exemple: senzor inductiv, senzor capacitiv, senzor
parametric rezistiv (cu modulare) .
Figura 1. Curba ideala si sensibilitatea erorii.

22.Caracteristica general a micronanosenzorilor biomedicali
Biosenzorii = detectori ce se bazeaza pe molecule selective ce intra in
componenta plantelor si animalelor. Biosenzorii moderni au evoluat din
combinarea a doua discipline separate: tehnologia informationala,
(microcircuite si fibre optice, procesare numerica a datelor, teoria generala
a sistemelor cu comportare neliniara) si biologia moleculara. Prima
furnizeaza electrozi miniaturali sau senzori optici, tehnica de preluare si
procesare a informatiei iar a doua, pune la dispozitie biomolecule care
recunosc o substanta tinta. Aplicatiile acestor dispozitive sunt cu atat mai
variate cu cat moleculele incorporate sunt mai variate. Asistenta medicala
este cea care beneficiaza imediat de biosenzori, nu numai in testele clinice,
dar si in fabricarea de medicamente si inlocuirea unor organe ca pancreasul
86

artificial pentru diabetici. Biosenzorii se folosesc de asemenea pentru
stabilirea calitatii si sigurantei hranei si detectarea factorilor de mediu
poluanti. Biosenzorul este un circuit analitic care convertete un rspuns
biologic ntr-un semnal electric. Este folosit pentru determinarea
concentraiilor substanelor i a unor parametrii biologici.Este alctuit din
trei pri: elementul biologic sensibil, traductorul i electronica pentru
prelucrarea semnalelor.
Structura unui biosensor

(a) bio-reacie transform substratul (S) n produs (P);
(b) traductor determin reacia i o transform ntr-un semnal electric;
(c) amplificator amplific semnalul electric;
(d) circuit de prelucrare a semnalelor - prelucrarea semnalului electric
amplificat;
(e) dispozitiv de afiare afiarea rezultatului prelucrrii semnalului.
Substratul (analitul)
Orice substan care este consumat sau produs ntr-un proces
biochimic poate fi, n principiu, analizat de un bisenzor construit n acest
scop.Exemple: zaharuri, urea, creatina, etanolul, acidul glutamic, acidul
lactic, fosfatul, colesterolul, penicilina, paracetamolul, aspirina, TNT, diferii
aminoacizi.c
Elementul biologic sensibil
Importana elementului biologic const n faptul c interaciunea sa cu
substratul este n cea mai mare parte realizat doar cu acesta, fr
influena (interferena) altor substane. Elementul biologic poate cataliza o
reacie implicnd substratul (enzima) sau se poate lega selectiv cu
substratul (anticorpi).Exemple: enzime sau componente care conin
enzime (microorganisme i esuturi), anticorpi, acizi nucleici.
Primii biosenzori
87

Poart denumirea de biosenzori bazai pe enzime (enzyme-based
biosensors).Primul biosenzor bazat pe enzime a fost senzorul pentru
determinarea glucozei n snge Clark (1962).
Parametrii unui biosenzor
- Selectivitatea: - indic abilitatea de a deosebi diferite substraturi. Este,
n principal, o funcie a elementului biologic.
- Domeniul de sensibilitate: - n general este ordinul submultiplilor de
milimolar, dar poate cobor, n cazuri speciale, la ordinul femtomolar (10-15
M).
- Precizia: - n general este n jurul valorii de 5 %.
- Natura soluiei: - condiii precum indicele pH, temperatura, fora ionic,
care trebuie specificate.
- Comportarea dinamic:
- timpul de rspuns timpul necesar pentru a ajunge la 95% din rspuns
(poate fi 30 s sau mai mare);
- timpul de revenire timpul necesar biosenzorului pentru a putea fi gata
pentru analizarea unui nou eantion (nu trebuie s depeasc cteva
minute);
- durata de funionare este determinat de instabilitatea elementului
biologic (poate varia de la cteva zile la cteva luni).
Exemplu: biosenzorul pentru msurarea glucozei n snge 1 an.