P. 1
CIA - Amplificatorul de Radiofrecventa_receptoare Radio . PDF

CIA - Amplificatorul de Radiofrecventa_receptoare Radio . PDF

|Views: 36|Likes:
Published by Adrian Branescu

More info:

Published by: Adrian Branescu on Mar 22, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

08/04/2013

pdf

text

original

Sections

  • 1. Alinierea şi originea erorilor de aliniere
  • 2.1. Calculul elementelor reflectate
  • 3. Caracteristica de selectivitate (sau de frecvenţă)
  • 4.2. Necesitatea cuplării la prize pe circuitele acordate
  • 6.5. ARF cu reacţie redusă
  • 7. Fig. 2--Schema de principiu
  • 8. Lista de componente
  • 9. Prepararea placilor
  • 10. Circuit integrat SA5209
  • 11. Comentarii finale

UNIVERSITATEA POLITEHNICA DIN BUCURESTI FACULTATEA DE TRANSPORTURI

SECŢIA TELECOMENZI ŞI ELECTRONICĂ ÎN TRANSPORTURI

CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE

PROIECT
AMPLIFICATORUL DE RADIOFRECVENTA

Îndrumător: Valentin Stan

Student Steliean Bogdan-Gabriel 8311

CUPRINS

1. Alinierea şi originea erorilor de aliniere 2. Amplificarea în tensiune 2.1. Calculul elementelor reflectate 3. Caracteristica de selectivitate (sau de frecvenţă) 4. Stabilitatea amplificatoarelor acordate 4.1. Condiţiile de stabilitate 4.2. Necesitatea cuplării la prize pe circuitele acordate 4.3. Neutrodinarea 5. ARF cu reacţie redusă 6. Descrierea Amplificatorului. Schema bloc 7. Schema de principiu 8. Lista de componente 9. Prepararea placilor 10. Circuit integrat SA5209 11. Comentarii finale

Amplificatorul de radiofrecvenţă (ARF)

Amplificatorul de radiofrecvenţă (ARF) amplifică semnalul furnizat de circuitul de intrare pe frecvenţa sa. ARF-ul împreună cu circuitul de intrare formează blocul de radiofrecvenţă din receptor. În receptoarele simple, ARF-ul poate lipsi, semnalul de la circuitul de intrare aplicându-se direct mixerului. Principalul avantaj al utilizării unui ARF într-un receptor este obţinerea unui factor de zgomot mai redus, rezultând o sensibilitate limitată de zgomot (SLZ) mai bună deoarece acelaşi tranzistor are un factor de zgomot mai mic atunci când lucrează liniar ca amplificator decât când lucrează neliniar, ca mixer. Aceasta deoarece transconductanţa este mai mare decât panta de conversie şi pentru că la mixer intervin şi surse suplimentare de zgomot, de exemplu zgomotul oscilatorului local. ARF-ul îmbunătăţeşte izolarea antenei faţă de oscilatorul local (OL), scăzând câmpul radiat de antenă pe frecvenţa oscilatorului local. Un alt avantaj al utilizării ARF-ului este dat de faptul că i se poate aplica reglajul automat al amplificării (RAA), limitând astfel semnalul aplicat mixerului la recepţia unor semnale foarte puternice. Principalele cerinţe pe care trebuie să le îndeplinească ARF-ul sunt: 1. amplificarea să fie suficient de mare (în jur de 10) şi pe cât posibil constantă cu frecvenţa; 2. să aibă o bună stabilitate în toată gama de frecvenţă; 3. să nu introducă distorsiuni la semnale mari (de obicei sub 1%); 4. să prezinte distorsiuni de intermodulaţie şi de modulaţie încrucişată cât mai mici; 5. să contribuie la atenuarea semnalelor perturbatoare, fi şi fimag. De regulă, ARF-ul are sarcina acordată pe frecvenţa semnalului (obţinându-se astfel o îmbunătăţire a rejecţiei fi şi fimag), dar uneori se utilizează, pentru simplitate sau pentru asigurarea stabilităţii, şi ARF cu sarcină aperiodică. Această soluţie este frecventă la circuitele integrate.

1. Alinierea şi originea erorilor de aliniere În receptoarele superheterodină frecvenţa intermediară este fixă, iar selectivitatea blocului de FI este mult mai mare decât a circuitelor de RF. De aceea, indiferent de acordul circuitelor de RF, frecvenţa recepţionată este: fs=fh−fi (fh = frecvenţa OL, fi = frecvenţa intermediară).

Pentru ca receptorul să lucreze corect, cu sensibilitate maximă şi fără distorsiuni, ar trebui ca frecvenţa de acord a circuitelor de RF (fs0) să fie egală cu frecvenţa semnalului (fs). Această condiţie ar putea fi îndeplinită reglând separat fh (acordul OL) şi fs0 (acordul circuitelor de RF) la valorile necesare. O astfel de manipulare ar fi însă incomodă. În practica curentă acordul circuitelor de RF şi OL se efectuează simultan, condensatoarele variabile respective având rotoarele montate pe acelaşi ax. Respectiv, în cazul acordului inductiv, miezurile bobinelor variometrului se deplasează solidar. În felul acesta pentru acordarea receptorului pe frecvenţa dorită se acţionează asupra unui singur buton. Acest mod de acordare este numit monoreglaj. Realizarea monoreglajului este însoţită de dificultăţi de ordin tehnic, diferenţa între frecvenţele de acord ale circuitului OL (fh) şi a celor de RF (fs0) neputând fi menţinută constantă, cu precizie oricât de mare, în toată gama de recepţie. Apare o eroare de aliniere:

Δfa1=fs−fs0=fh−(fs0 +fi) Prin alinierea circuitului OL cu circuitele de RF se înţelege (la proiectare) determinarea elementelor L şi C ale circuitelor astfel încât diferenţa între frecvenţele lor de acord să fie cât mai apropiată de frecvenţa intermediară, în toată gama de recepţie; respectiv, erorile de aliniere să fie cât mai mici. Din punct de vedere practic prin aliniere se înţelege operaţia prin care, cu ajutorul elementelor ajustabile din circuitele de RF, se anulează eroarea de aliniere la una, două sau mai multe frecvenţe din gamă. Cu ajutorul elementelor ajustabile din circuitul OL se asigură încadrarea frecvenţei recepţionate în limitele dorite (frecvenţele de capăt ale gamei).

ele reglându-se în tandem (monoreglaj). Topologia circuitului acordat ce constituie sarcina ARF-ului trebuie să fie identică sau cât mai apropiată cu putinţă de topologia circuitului de intrare. efectul erorii de aliniere se rezumă la micşorarea amplificării. 2÷0. unde cu un factor de calitate de ordinul lui 100 (cât se poate realiza curent practic). deformarea caracteristicii globale de selectivitate.Importanţa alinierii este dependentă de raportul între banda de trecere a circuitelor de RF şi a celor de FI. rezultă BRF = fs/Q = 100 kHz. şi. De exemplu. în timp ce banda filtrului FI este de 6 . benzile laterale ale unui semnal MA vor fi amplificate diferit şi apar distorsiuni la recepţie. Dacă banda circuitelor de RF este mult mai mare decât a filtrului FI. direct în paralel pe circuitele acordate. Cele două elemente variabile din circuitul de intrare şi ARF trebuie să fie identice. eroarea de aliniere are ca efect scăderea amplificării globale şi. de regulă. Amplificarea în tensiune Intrarea şi ieşirea tranzistoarelor din ARF. ci la prize sau mutual.5BRF 2. ceea ce este mai supărător. Deoarece la studiul circuitelor de intrare. la fs = 10 MHz. . Limita admisă pentru erorile de aliniere este corelată cu banda circuitelor de RF: ( ) Δfa1< 0. Acest caz se întâlneşte în gamele US. după cum se va vedea. Ca rezultat al caracteristicii asimetrice de selectivitate. Acest caz se întâlneşte în gama UL. transferul în tensiune sa definit de la antenă până la intrarea în dispozitiv. caracteristica globală de selectivitate nu este afectată. Acest lucru este impus de limitarea dezacordului şi a amortizării circuitelor acordate de către rezistenţele de intrare şi ieşire ale tranzistoarelor. rezultă o bandă pentru circuitul de intrare mult mai mare decât banda AFI. Dacă banda circuitelor de RF este apropiată de cea a filtrului FI. vom defini amplificarea ARF între intrarea sa şi intrarea dispozitivului următor din lanţul de amplificare (intrarea în mixer). cu coeficient de cuplaj în tensiune subunitar.8 kHz. pentru asigurarea stabilităţii. nu se cuplează. astfel încât frecvenţele de acord ale celor două circuite să fie egale în toată gama de acord.

. 6. condensatoarele C1. Pentru schema echivalentă simplificată a tranzistorului bipolar din Fig. Pornind de la această schemă se obţin schemele echivalente din Fig.1.2 se prezintă o schemă de ARF.Pentru tranzistor se va utiliza un circuit echivalent cu parametrii de cuadripol Y. Rb2. 6. Cf formează un filtru pe alimentare.C2. 6. iar Rf. Re se utilizează pentru polarizare. Ce sunt scurcircuit pentru semnal.1. se poate scrie: În Fig.3. Rezistoarele Rb1. 6. aşa cum se ilustrează în schema simplificată din Fig.

se scrie: .2. de forma: Considerând că factorul de calitate al reactorului disipativ paralel format din inductanţa din secundar cu numărul de spire n2 şi conductanţa Gin. Calculul elementelor reflectate În urma eliminării prizei pe inductanţa L din secundarul transformatorului X2. din Fig. 6.3. Gin.2. impunându-se ca puterea pe această conductanţă să nu se modifice în urma eliminării prizei inductive.3. atunci în urma eliminării prizei inductive din Fig. conductanţa de intrare în tranzistorul Q2. Din considerente energetice. 6.3.3. 6.1.c).c). se transformă într-o conductanţă echivalentă notată Grs în schema echivalentă din Fig.b). se poate scrie: unde Ps reprezintă coeficientul de cuplaj în tensiune dintre inductanţele din secundar cu numerele de spire n1 şi n2. 6.b) este foarte mare. valoarea inductanţei L nu se modifică. Coeficientul de cuplaj în tensiune între inductanţele din primar (L1) şi secundar (L) din schema echivalentă din Fig. ilustrate în schema echivalentă din Fig. 6.

3. 6.unde n reprezintă numărul de spire al bobinei de inductanţă L din primar. prin următoarea relaţie matematică: . admitanţa Y1 din primar se reflectă în secundar cu valoarea notată Yr2. Astfel. În Fig.d) se prezintă schema echivalentă cu primarul raportat la secundar.

din considerente energetice. devine: .În urma reflectării primarului în secundar. generatorul de curent Ig.

.

în cazul acordului capacitiv. Combinând două tipuri de cuplaj (ca în Fig.25).5. ca în Fig. în ipoteza Q0 = constant. Global. ( ) () .4).b)) se poate obţine o amplificare aproape constantă cu frecvenţa. cuplând tranzistorul următor capacitiv interior. 6.16).16) pentru conductanţa G0 din relaţia (6. amplificarea creşte cu frecvenţa în cazul acordului capacitiv şi scade pentru cel inductiv (Fig. chiar o caracteristică căzătoare AU0(f0). rezultă pentru Q o scădere cu frecvenţa în cazul acordului capacitiv: În deducerea relaţiilor (6.5.19). Ps≈C / C+Cp scade cu frecvenţa de acord şi se poate obţine. În ambele cazuri variaţia lui Q compensează parţial variaţia lui AU0 cu frecvenţa.a). 6.27) s-au utilizat expresiile (6. Alura variaţiei AU0(f0) trebuie corelată cu alura variaţiei coeficientului de transfer al circuitului de intrare (T0). Conform cu relaţia (6.26) şi (6.24) şi (6. 6.Pentru a avea o imagine asupra variaţiei lui AU0 cu frecvenţa de acord trebuie să se ţină seama şi de variaţia lui Q. Spre exemplu. Menţinerea constantă a produsului T0AU0 se poate realiza alegând adecvat cuplajele în circuitul de intrare şi ARF. astfel ca produsul T0(f0)⋅AU0(f0) să prezinte o variaţie cât mai redusă. ce rezultă direct din relaţiile (6.

Caracteristica de selectivitate (sau de frecvenţă) .3.

În practică. pentru asigurarea benzii de trecere. amortizarea circuitului acordat ce constituie sarcina ARF-ului. amortizare ce se realizează de preferinţă cu o rezistenţă serie. este necesară. . de regulă.

considerăm pentru început. etc. Stabilitatea amplificatoarelor acordate 4. datorită căreia semnalul de la ieşire este adus la intrare. Dispozitivele active prezintă întotdeauna o anumită reacţie internă. Dispozitivul activ primeşte semnal de la circuitul LC de intrare. TEC. Condiţiile de stabilitate Considerăm un amplificator echipat cu un dispozitiv activ oarecare (TB. . De asemenea. că intrarea şi ieşirea dispozitivului sunt conectate în paralel pe circuitele acordate. Vom studia stabilitatea analizând admitanţa prezentată de dispozitiv la intrare.) având conectate la intrare şi la ieşire circuite LC acordate. îl amplifică şi îl transmite circuitului de ieşire.1. Aceasta fiind conectată în paralel cu circuitul acordat de la intrare. Din acest motiv rezultă necesitatea de verificare a stabilităţii amplificatorului.4. pericolul autooscilaţiei apare atunci când admitanţa echivalentă are partea reală (conductanţa) negativă.

.

.

Apare un maxim ascuţit. caracteristica de frecvenţă se deformează mult la frecvenţe sub cea de rezonanţă. Deci circuitul de la intrare se va dezacorda.9. Această capacitate variază puternic cu frecvenţa. Fenomenul are loc şi în sens invers: când se modifică L1 sau C1. la o anumită valoare a lui Cr amplificatorul autooscilează. Efectul reacţiei interne asupra caracteristicii de frecvenţă este ilustrat în Fig. Pornind de la o caracteristică de frecvenţă simetrică sub formă de clopot pentru Cr=0 şi ambele circuite acordate pe aceeaşi frecvenţă. prezentând un maxim la frecvenţa de rezonanţă ω02: Observaţie: Dacă L2 sau C2 se schimbă (de exemplu la reglaj).49). . pe măsura creşterii lui Cr.Al doilea efect nedorit al reacţiei interne a dispozitivului constă în reflectarea unei capacităţi (Cref) în paralel cu circuitul de intrare. cu atât mai pronunţat cu cât Cr este mai mare. se dezacordează circuitul de ieşire. 6. De notat că la valori mari ale lui Cr circuitele nu mai pot fi acordate prin metodele obişnuite (reglaj pe maxim sau cu semnal vobulat). Această interacţiune între acordul celor două circuite face dificilă (uneori chiar imposibilă) alinierea acordului circuitelor (acordul le aceeaşi frecvenţă). se impune o condiţie mult mai severă decât (6. prin intermediul variaţiei lui ω02 se schimbă Cref. Pentru evitarea deformării caracteristicii de frecvenţă şi pentru a se putea realiza acordul circuitelor.

6. Condiţia de stabilitate pentru circuitul din Fig.10). 6. Necesitatea cuplării la prize pe circuitele acordate În practică. iar p2L este inductanţa echivalentă la priză.b).49)): . Rezultă că pentru circuitul echivalent conectat la priză raportul C/L creşte de 1/p4 ori faţă de circuitul fizic.2. Este foarte greu de realizat practic circuite cu raport C/L mare şi cu factor de calitate corespunzător. C/p2 este capacitatea echivalentă la priză.10 se scrie (din (6. Rezolvarea acestei probleme se realizează prin conectarea tranzistorului la prize pe circuitele acordate (Fig.10. G/p2 este conductanţa echivalentă la priză. În schema echivalentă din Fig. 6.4. circuitele acordate rezultă cu capacitate foarte mare şi inductanţă foarte mică.

4. în ARF mai pot să apară reacţii inductive şi capacitive între componente şi traseele de conexiuni. Neutrodinarea .3. Reacţii externe: Pe lângă reacţia inversă din tranzistor. conectat fie la intrarea fie la ieşirea dispozitivului.Alegând coeficienţii de priză de valori convenabile (subunitare) se poate asigura stabilitatea cu valori uzuale pentru componentele circuitelor. prin tratarea corectă a punctelor de masă. o reacţie prin circuitele comune de alimentare. Stabilitatea ARF-ului poate fi îmbunătăţită suplimentar prin înscrierea unei rezistenţe R ≅ 50÷300 Ω între terminalul de ieşire al dispozitivului activ şi circuitul acordat. Stabilitatea amplificatoarelor cu un singur circuit acordat. etc. este mult mai uşor de realizat. singurul pericol de instabilitate îl constituie circuitele LC parazite de la intrare şi ieşire. proiectarea minuţioasă a cablajelor. De exemplu în cazul când nu avem circuit acordat la sarcină (amplificator aperiodic). prin dispunerea raţională a componentelor. utilizarea filtrelor de decuplare pe circuitele de alimentare. Această rezistenţă amortizează şi circuitul LC parazit ce se formează la ieşire. Toate acestea constituie reacţii externe. Acestea trebuie reduse cât mai mult posibil prin ecranare.

La tranzistoare. Unilateralizarea ar cere. Procedeul este numit neutralizare sau neutrodinare. conectat între intrare şi ieşire. dacă în montaj este disponibilă o tensiune în antifază cu tensiunea de ieşire. y12 este echivalent cu un grup paralel Cr.56) o capacitate negativă. . conform relaţiei (6. se poate face neutralizarea cu o reţea analogă celei ce modelează pe y12. În schimb. Gr.

este în conexiune EC. ARF cu reacţie redusă Parametrul y12 este foarte mic în conexiunile BC pentru TB şi GC pentru TEC. astfel încât stabilitatea lor este uşor de asigurat. 6. Cascoda prezintă atât avantajul rezistenţei de intrare mari al conexiunii EC. iar Q2 în BC.11. 6.5.Din condiţia ca cei doi curenţi de reacţie (Ir. Pentru schema din Fig. Conductanţa de intrare (g11) la aceste conexiuni este mare. 6. La frecvenţe peste 30 MHz acest fapt nu mai constituie dezavantaj deoarece intrările şi ieşirile se fac pe impedanţă de mică (75 Ω). La frecvenţe sub 30 MHz se utilizează ARF de tip cascodă ce are la intrare un etaj cu impedanţă mare (EC) care este urmat de un etaj cu reacţie internă redusă (BC) (Fig. 6. In) să se neutralizeze. faptul că rezistenţa de intrare este mică (≅100ohmi) creează dificultăţi de adaptare la frecvenţe mici.14 sunt echivalente cu diportul din Fig. Rezistoarele R1÷R4 stabilesc punctele statice ale tranzistoarelor. cât şi .a) avem: Ir+In= 0 . în practică. de unde rezultă: Prin neutrodinare se poate obţine. 6. Se poate arăta că cele două tranzistoare (a căror circuit echivalent de semnal mic este prezentat în Fig. În schimb. Pe semnal Q1.12). se poate dimensiona condensatorul de neutrodinare Cn.15. o scădere a capacităţii de reacţie cu un rdin de mărime.

13 şi este de forma: . 6. Rezistenţa de ieşire pentru configuraţia EC se calculează cu ajutorul schemei de test in Fig.avantajul reacţiei inverse reduse al conexiunii BC. Conexiunea cascodă este mai des folosită în circuitele integrate. Amplificarea realizată de cascodă este aproape egală cu a unui tranzistor în conexiune EC.

rezistenţa de ieşire este de forma: Cascodele cu TEC pot fi realizate cu scheme echivalente ca cea din Fig. Pentru acesta.Din Fig. conform cu (6. 6. transconductanţa circuitului de la intrare la ieşire este aproximativ egală cu transconductanţa tranzistorului Q1 (Gm=gm1=gm). deci generatorul gm1v1 este inactiv. Rezistenţa de ieşire se calculează prin scurtcircuitarea intrării la masă şi aplicarea apoi a unui semnal de test la ieşire.12. Mai uzual sunt schemele în care primul tranzistor este TEC (în conexiune SC). Se observă că v1 = 0 . Se utilizează mai rar pentru ARF (mai des la oscilatoare).59). Deoarece câştigul în curent din emitorul tranzistorului Q2 spre colectorul său este aproape egal cu unitatea.14 rezultă direct că rezistenţa de intrare este dată chiar de rezistenţa rπ a tranzistorului Q1 ( Ri = rπ 1 ). . 6. Ca urmare circuitul este identic cu acela pentru tranzistorul bipolar în EC cu degenerare în emitor. iar cel de-al doilea este TB (în conexiune BC).

2). ori au un preţ prohibitiv de ridicat. pentru a se asigura astfel nivelul adecvat al etajului de amplificare necesar punctului de lucru în clasa AB (tranzistoarele 2SC2312C sunt legate paralel. Amplificatorul complet este reprezentat în fig.trad. Descrierea amplificatorului Schema bloc Conceptul acestui amplificator stă la baza unor experienţe obişnuite de constructor. . Acest tranzistor se poate înlocui cu modelul TIP 41 sau cu BD243C [n. Multe dintre proiectele anterioare au fost elaborate folosind tranzistoare RF tip MRF făcute de Motorola. Excitarea la intrare a amplificatorul poate fi de la 2 la 5 W RF. 1. producţia cărora ori s-a sistat. reprezintă schema filtrului propriu-zis. Fig. Amplificatorul necesită componente uşor de procurat. cât şi din articolele apărute în QST şi alte reviste rezultând miezul proiectului. iar fig. 3. 2.6. Au fost preluate idei atât prin consultarea manualului publicat de ARRL şi Societatea Engleză de Radio (RSGB). fiind necesară alegerea unui atenuator potrivit constând din rezistenţele R1. Montajul este aşezat într-o cutie de aluminiu de 20X15X6 cm. prezintă schema ansamblului RF împreună cu lista pieselor componente ale filtrului trece jos.R2 şi R3) menţionate în fig. Ansamblul constă din două plăci aşezate în paralel: amplificatorul RF şi filtrul trece jos.].

armonicile au fost mai mari de 40 dB în sens negativ referitor la frecvenţa fundamentală (-40 dBc). 4 arată raportul între putere RF şi frecvenţa de lucru a amplificatorului. Secundarul transformatorului. Circuitul RC de la intrare asigură câştigul în ansamblu. aşa cum e menţionat şi în schemă. Comutatorul de banda are si roul de comutare a filtrelor trece-jos la iesire Măsurătorile au fost făcute cu un receptor al serviciilor de comunicaţii IFR1600S.7 nF sunt efective peste 14 MHz. iar condensatorii de 4. incluzând reacţiile produse de armonicile a 2-a şi a 3-a. 1--Amplificatorul construit. de mică impedanţă constă dintr-o singură spiră cu priză la mijloc. Fig. Spira de întoarcere asigură un nivel negativ de întoarcere cu scopul de a reduce câştigul şi de a stabiliza impedanţa de intrare peste ecartul de frecvenţă HF. Tensiunea de pretensionare trece prin dioda FES8J care este în contact termic direct cu tranzistoarele finale. În toate cazurile. LM 317 funcţionează când PTT-ul intern este activat. Rezistorii înseriaţi de 6.T1 este confecţionat pe un miez binoclu şi are un raport de 4:1. iar .8 Ω determină câştigul până la 14 MHz. El are o singură spiră spre înainte. Tensiunea este obţinută de la regulatorul LM317T care operează ca sursă de curent în comutaţie. Fig. Transformatorul de ieşire T2 este deasemenea confecţionat cu un raport de 4:1. Acesta transmite tensiunea de pretensionare la tranzistoarele finale.

315.amplificatorul îndeplineşte condiţiile FCC referitoare la puritatea spectrală (vezi Federal Communications Commission. totuşi. 2--Schema de principiu . 7. 97. Fig. micşorânduse de la puterea nominală de 30 W la 20 W pe 29 MHz.) Reţineţi că începând cu 21 MHz câştigul începe să scadă. Aceasta înseamnă că pe 10 metri mai putem vorbi de un câştig de 10 dB. o putere remarcabilă. Sec.

4700 pF capacitor C18-20 . verde.18. 1 W RFC1 . VK-200 T1 . Q4 .2 K.300.0. 1 W R8.18 Ω.Tranzistor 2SC2312C/TIP 41/BD243C R1 . Q2 . D7. 12 V CC. R7 .10 K.1N914 diode D5.01 µF capacitor C11 . D8 .1N4004 diode D6 . R5 .LED. DPDT Q1. 1 W R6. 1 W R4. 17 .3 µF capacitor C13 . 1 W R11 .Tranzistor de comutaţie.Releu.şoc RF.FES8JT diode D9 .6.120 Ω. 1 W R2. cu suport K1 .Miez trafo. LM317T . R9 .82 pF capacitor C14 . 1 W R12-14--3.1. U1 . potenţiometru R16--27Ω. Lista de componente Placa amplificatorului RF C1-10 . T2 .Miez trafo.8.001 µF capacitor D1-D4 .0. R3 .8 Ω. 1 W R15--1 K. 1 W R10 .200 pF capacitor C16.3.150 pF capacitor C15 .3 K.LED.0.7 K. 1 W R17--4. 2N2222A Q3. T-3/4.IC.1 µF capacitor C12 . (A) BN-43-303. cu suport D10 . roşu.

330 pF capacitor 2 .1500 pF capacitor Piesele Filtrului 1 . amplificator RF FARA Circuitul imprimat al filtrului trece jos (vezi fig.560 pF capacitor 3 . 1 .5 mm şurub 4 . DPDT. cu filet Comutator basculant.5 mm şaibă 2 .430 pF capacitor 1 . FARA LP Filter Piesele carcasei Cutia şasiu Capacul şasiului Radiator mare 4 . 12 V dc.0.2.5 mm şurub 2 .2.180 pF capacitor 3 . 12 .100 pF capacitor.T-50-2 4 .Miscelanee 2 . polarizat .TO-220 izolatoare mică Circuitul imprimat. distanţiere hexagonale 9 .2. 6 poziţii. cu filet 2 pini.820 pF capacitor 3 .5 mm diam.2.5 mm izolator 9 . 3 pentru implantarea pieselor) 2 . Yaxley 8 . SPDT Mufă tată tip Jones.5 mm piuliţe 2 .01 µF capacitor. 500 V 12 .T-50-6 Fir Cu de 0.2.Releu.2700 pF capacitor.suport BNC cu filet Mufă mamă RCA.2.3 mm izolator 2 .Comutator.2.8 mm Circuitul imprimat.500V 3 .5 mm şurub 6 . 1 circuit.TO-220 kit de montare 2 .

8 la 30 MHz. Orice interferenţă internă duce la degradarea serioasă a performanţei amplificatorului. Bobina poartă un curent substanţial. Valorile LC sunt identice cu cele recomandate de WA2EBY pentru amplificatorul RF MOSFET publicat în manualul ARRL (The 2003 ARRL Handbook. Comutarea în emisie este realizată cu ajutorul releului K1. 91-17. Valoarea lui C12 (3. de aceea trebuie înfăşurată cu sârmă groasă de 18 swg (1 mm) de preferat cu izolaţie de teflon. eliminându-se astfel situaţia de a comanda din exterior.Curentul continuu de la tranzistoarele finale este decuplat de filtrul PI reprezentat prin primarul transformatorului de ieşire T2. ori comandând-o printr-un circuit RF de cuplare. de aceea se recomandă precauţie pentru ca amplificatorul să nu fie suprasolicitat. Inelele pentru inductivităţi şi conductorii necesari pot fi achiziţionate de la Amidon.3uF) determină în SSB constanta de timp a comutatorului acţionat prin RF. pp 17. Cele şase filtre acoperă cele nouă benzi de amatori de la 1. S-au ales relee tocmai de a simplifica comutarea semnalului RF şi de a reduce costurile de construcţie. cum e Yaesu FT-817. . ceea ce permite o recepţie HF multibandă şi VHF moderată în cazul unui transceiver cu o plajă largă de frecvenţe.97) Filtrele nu sunt folosite dacă amplificatorul este în repaus ori dacă funcţia de PTT nu este activată. Nu există posibilitatea de a urmări ALC. Secţiunea PTT poate fi acţionată manual (legând-o la pământ). gamele de frecvenţă şi constantele circuitelor sunt menţionate în diagrama schemei filtrului trece jos. Modulul filtrului trece jos utilizează perechi de relee pentru a selecta filtrul potrivit frecvenţei de lucru alocate.

apoi lipite de masă pe ambele părţi şi tăiate.Fig. Acestea sunt menţionate pe schemă. Bobina secundarului T 2 să fie făcută şi lipită prima. Insulele dreptunghiulare să fie dimensionate astfel încât să poată fi prinse tranzistoarele şi dioda de pretensionare. Cele patru găuri de prindere să fie potrivite la dimensiunile şuruburilor şi distanţierelor. . Piesele să fie lipite de placă în aer". 4--Raportul între puterea RF şi frecvenţa de lucru Există un anumit număr de găuri care trebuiesc date prin masă şi cele două suprafeţe lipite între ele. Emitoarele celor două 2SC2312C trebuie montate la masă printr-un orificiu dreptunghiular. 6. Se vor introduce prin găuri fire de cupru şi turtite în formă de Z. Se impune listarea unor sugestii referitoare la acesta. Se recomandă îndoirea unei bucăţi de cupru în formă de U şi lipită de ambele părţi ale masei. Placa amplificatorului RF Imaginea amplificatorului complet este reprezentată prin fig. iar capacităţile cât mai aproape de statul de cupru.

doar câteva idei de a înlesni procesul de asamblare. Plăcile imprimate sunt cele obişnuite.9. Deşi circuitele de la FAR Circuits sunt . Prepararea placilor Idei de construcţie Nu se vor da aici instrucţii de tip pas cu pas. ele nu sunt placate cu zinc.

webmasterul FARA a realizat chiar şi o pagină separată pentru acest proiect. Cele mai bune sunt plăcile zincate. masa nu este legată între cele două părţi. Pe parcursul construcţiei soluţia de colofoniu trebuie îndepărtat cu un diluant. Saul K1BI. 6. Se impune listarea unor sugestii referitoare la acesta. Piesele să fie lipite de placă în aer".falara. Se vor introduce prin găuri fire de cupru şi turtite în formă de Z.2005 nu era accesibilă) Circuitele neasamblate sunt prezentate în fig.placate. Placa amplificatorului RF Imaginea amplificatorului complet este reprezentată prin fig. Acestea sunt menţionate pe schemă. Insulele dreptunghiulare să fie dimensionate astfel încât să poată fi prinse tranzistoarele şi dioda de pretensionare. Nu folosiţi pastă de lipit pentru că aceasta este corozivă. Calitatea acestor legături este crucială pentru performanţele amplificatorului. Desene detaliate ale plăcilor imprimate. acestea pot fi mai uşor lipite. Emitoarele celor două 2SC2312C trebuie montate la masă printr-un orificiu dreptunghiular. apoi lipite de masă pe ambele părţi şi tăiate.html. Există un anumit număr de găuri care trebuiesc date prin masă şi cele două suprafeţe lipite între ele. iar capacităţile cât mai aproape de statul de cupru. Ea se poate găsi la adresa www.org/files/qstbinaries/fara-amp. Placarea cu soluţie de colofoniu necoroziv ne poate fi de ajutor.5. Prepararea plăcilor Date fiind suprafeţele mari de cositorit acestea trebuie să fie curate. schema de implantare a pieselor şi confecţionarea bobinelor.10. aşa că aceste legături trebuie făcute şi cositorite. altfel veţi avea dificultăţi la lipirea pieselor componente. Controlaţi toate conectările să eliminaţi lipirile reci.arrl. . Cele patru găuri de prindere să fie potrivite la dimensiunile şuruburilor şi distanţierelor. Se recomandă îndoirea unei bucăţi de cupru în formă de U şi lipită de ambele părţi ale masei. (în data de 11.org/tektalk/tektalkfs.zip. a cutiei pot fi găsite pe site-ul www. Bobina secundarului T 2 să fie făcută şi lipită prima.

după care se vor implanta condensatoarele legate paralel şi firele de legătură. Placa filtrului trece jos Aceasta este dublu foliată. iar releul rămâne ultima. Vezi în schemă valoarea pieselor aparţinând fiecărei game de . Este posibil ca picioarele condensatoarelor să necesite ajustări uşor pentru a se potrivi cu rasterul de pe placă. 7. şi condensatoarele. Filtrul este reprezentat în fig. După aceea se vor monta piesele de dimensiuni mai mici: rezistenţele. Q3 şi Q4 până placa nu este fixată definitiv în carcasă şi orientată provizoriu spre radiator. După acestea urmează diodele.Fig. găurile pieselor sunt lărgite. Se vor monta mai întâi piesele filtrului. 6 Acest artificiu reduce impedanţa spre masă. partea de sus este masa. Nu montaţi D6.

Se recomandă legarea acesteia de selectorul de bandă.undă. Acesta se va . Fig. 7--Filtrul trece jos cu piesele plantate Nu montaţi ansamblul LPF înainte de acordarea acesteia. Releele se vor monta ultimele. Nu încălziţi prea mult terminalele releelor la lipire.

Verificaţi dacă puterea emisă se încadrează în limitele prevăzute de 1. Rotiţi uşor trimerul R15 şi măriţi curentulpână puterea de emisie creşte cu cca 15%. Acordaţi R15 (1 K) la minimul valorii sale. va trebui să măsuraţi cca 35 W putere emisă. Faceţi o listare a acelor documente şi decupaţi-le. Montaţi distanţierele care fixează montajul. dar va fi destul de dificil. Acordarea şi verificarea Pentru că acest montaj este de tip bandă largă nu necesită acordare. numai tensiunea de pretensionare trebuie fixată. . apoi măriţi tensiunea de lucru la 14. 3 mm în cele 4 colţuri drept distanţiere între şasiu şi placa cu piese. Montaţi radiatorul şi părţile componente ale faţadei. in afară de comutatorul de benzi. Este important ca găurile să fie marcate exact. Se va folosi sarcină artificială în locul unei antene reale. Aplicaţi 12 V CC şi legaţi firul PTT la pământ (releu ar trebui sa se aclanşeze). conectaţi şi activaţi placa filtrului trece jos. O vedere de sus în interiorul carcasei amplificatorului permite observarea plăcii cu filtrul RF este reprezentată în fig. indepărtaţi firele de legătură improvizate. Inscripţionaţi faţada cu litere de transfer existente la magazinele de specialitate.monta între cele două module după ce acestea au fost fixate definitiv în şasiu. apoi lipiţi-le pe cutia amplificatorului şi pe radiator. În prima fază de acord este nevoie de o sursă stabilizată de tensiune între 12-14 V. Montaţi amplificatorul folosind 4 şaibe de diam. Aplicaţi mai multe straturi subţiri de lac transparent pentru a proteja inscripţia. făcute cu un burghiu mic. Şasiul.8 . 8. Deconectaţi tensiunea. montaţi comutatorul de game. faţada şi radiatorul Modelele acestor părţi componente le găsiţi la pagina web menţionată ceva mai sus. Aplicaţi scurt 1 W RF pe 14 MHz la intrare şi notaţi puterea la ieşire. D6 nu trebuie izolată. Montaţi D6 Q3 şi Q4 folosind foiţele de mică de tip TO-220 şi scule necesare pentru a izola galvanic tranzistorul de şasiu. Folosiţi bucăţi scurte de RG 174 pentru legăturile RF în interiorul montajului. apoi măriţi orificiile la dimensiunile necesare. Măriţi puterea de intrare la 2 W apoi notaţi valoarea puterii de ieşire (cca 25 W). Legaţi bornele F in şi F out de pe placa RF.7 V CC.29 MHz.

Circuit integrat SA5209 .10.

.

.

.

.

.

.

.

Mulţumiri cordiale le sunt prezentate. Harry. Hartia press and peel este scumpa. David Hosom a asistat fotografiind. pentru ca fierul trebuie umblat cu grija pe toata suprafata placii. Lucrul în SSB rezultă că radiatorul se va încălzi destul de puternic. multistrat. Astfel. dupa care se lasa sa se raceasca placa. Se mai ajuta cu degetele. Cuvantul cheie este rabdarea. se calca cu fierul incins pe placa preparata corespunzator. Cam 4-5 minute se fac miscari de rotatie. Comentarii finale FCC a impus restricţii clare prvind amplificatoarele sub 30 MHz. gen glossy. Sau daca nu se doreste aceasta varianta. expunerea este de cca 8 minute de la 30 cm distanta. cu folie de plastic. Durata de construcţie al acestui amplificator. Se pune placa in solutie de clorura ferica sau acid clorhidric ori hiperoxid. se poate transpune imaginea doc cu imprimanta laser pe o hartie de tipografie. cu expunere la soare (metoda neanderthaliana). chiar şi parţial finalizate care necesită mici completări ulterioare sunt interzise de reglementările FCC. Dupa aceea iaginea se pune cu fata in jos. Kiturile oferite spre vânzare. Hartia foto nu este buna deoarece tonerul intra in textura hartiei si atunci nu se poate transpune cu fierul de calcat. ori cu o lampa cu aburi de mercur. Placile pot fi facute atat prin metoda POSITIV 20 (spray fotosensibil) si folie transparenta. dacă toate părţile componente sunt la îndemână şi corect preparate este de cca 4 ore. Un asemenea proiect aduce mai multe satisfacţii dacă la el participă şi alţii. rectilinii pe hartie. sa se lipeasca bine tonerul pe placa. se pune in apa cu Pur sa se desprinda hartia. al carei glob protector a fost indepartat. Acordă amplificatorului FARA o posibilitate de încercare. Cu altceva nu se admite pentru ca vopseaua toner transpusa este rigida si se desprinde. Sa fie o listare perfecta. este un proiect practic oferind multe satisfacţii.11. Înainte de a construi acest amplificator vă rog să consultaţi din nou reglementările FCC aferente. iar răcirea în condiţii de emisie este mai mult ca adecvată. . el a realizat circuitele imprimate şi a calculat filtrele pentru prototipurile amplificatorului. W2RKB a asigurat îndemnarea necesară pornirii. nu se admite economisirea de toner.

Secretul consta in faptul ca hartia cea buna are pe ambele fete un strat subtire de plastic care nu permite penetrarea tonerului in textura.5 lei coala A4 in Ungaria. BIBLIOGRAFIE . desigur. Deci eu folosesc aceasta metoda cu succes pentru diverse cablaje cu trasee mai groase. folosind hartie de tip "mûnyomó papír" care costa cca 1. de unde o cumpar ocazional din papetarie.

www. Instalaţii de recepţie (proiectare).ro Cojoc Dumitru. Bălan Constantin.electronics-lab. Bucureşti.radioamator.nxp. Cojoc Dumitru. Bucureşti. Editura Academia Militară. 1987. Bucureşti 1988.com http://www. Receptoare de frecvenţă foarte înaltă.partea a Il-a. Editura Academia Militară. Editura Militară. . 1970.com http://www. Tehnica transmisiunilor radio .

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->