CAP.

3 TRANZISTORUL
3R. Probleme rezolvate

3R.1. Pentru schema din figura 3R.1a, să se determine:

a) PSF-ul celor două tranzistoare, şi
b) Amplificarea VO/Ugen în c.a. prin calcul exact,
ştiind că C=∞, β=100, UBE=0,6V, IDSS=8mA, Up=-3V şi rd=∞.

Rezolvare:

a) Schema echivalentă în c.c. este prezentată în Figura 3R.1b.

Se observă că sursa de semnal alternativ pasivizată devine
scurtcircuit iar condensatorul, gol. Se presupune că
tranzistorul bipolar (TB) T1, lucrează în regim activ normal Figura 3R.1a
(RAN), iar tranzistorul cu efect de câmp (TEC) T2, în regim
de saturaţie (RS), aceste regimuri fiind cele obişnuite în
electronica analogică, urmând a se verifica a posteriori
această premisă.

Astfel VB=0V ⇒ VE=VB-UBE=0-0,6V=-0,6V.

Deoarece curentul de grilă al tranzistorului T2 se poate

neglija, fiind foarte mic (nA - zeci nA) în comparaţie cu
restul curenţilor din circuit (mA) ⇒
V − (− E2 ) − 0,6 + 5
I E = c.c.I R 2 = E = = 2,2mA ⇒ Figura 3R.1b
R2 2k
Curentul prin tranzistorul T1 va fi

IT1 = IC ≅ IE (⇐ IB ≅ 0, fiind de β=100 ori mai mic decât curentul de colector)

Se poate determina acum tensiunea pe tranzistorul T1: UT1 = UCE = VC-VE = E1-IT1⋅R1-VE = 5V-
2,2mA⋅1kΩ-(-0,6V) = 3,4V

⇒ PSF1 IT1=2,2mA
UT1=3,4V
Se verifică premisa de lucru a tranzistorului bipolar T1 în RAN. Condiţia este ca UCE>UBE, relaţie ce
este verificată de tensiunea pe T1 în PSF (3,4V>0,6V).

Pentru tranzistorul T2 se utilizează relaţia între curentul ID şi tensiunea de comandă UGS valabilă în
regim de saturaţie:
2
 U 
I D = I DSS 1 − GS 
 Up 
 
şi relaţia
IC⋅R2=UGS+ID⋅R3 (3R.1a)

obţinută prin aplicarea teoremei a doua a lui Kirchhoff (T2K) în ochiul de comandă a lui T2.

2
I ⋅ R − U GS  U 
⇒ C 2 = I DSS 1 − GS 
R3  Up 
 

în care înlocuind mărimile cunoscute vom obţine o ecuaţie de gradul doi cu necunoscuta UGS:

2
2,2mA ⋅ 2kΩ − U GS  U 
= 8mA1 − GS 
4kΩ  − 3V 
După rezolvarea ecuaţiei se obţin soluţiile UGS1=-1,69V şi UGS2=-4,59V. Soluţia valabilă este UGS=-
1,69V>-3V=Up.

OBSERVAŢIE:De altfel, chiar dacă polarizarea este automată (Figura 3R.1c) sau cu divizor în grilă
(Figura 3R.1d), numai soluţiile cu valorile absolute mai mici (aici UGS respectiv ID1) sunt valabile
tehnic, deoarece, ele corespund intersecţiei dreptei de polarizare cu segmentul din parabolă care este
chiar caracteristica de transfer a TEC-ulu).
ID
IDSS
ID2
Caracteristica ID(UGS) a
Dreapta de polarizare TEC -ului
ID1 UGS
UGS2 Up UGS1
Figura 3R.1c
ID
IDSS
ID2
Caracteristica ID(UGS) a
Dreapta de polarizare ID1 TEC -ului
UGS
UGS2 Up UGS1
Figura 3R.1d

şi înlocuind în relaţia 3R.1a ⇒ ID = 1,52 mA.

UDS = VD-VS;
VD = E1-ID⋅R4 = 5V-1,52mA⋅0,5kΩ = 4,24V;

VS =ID⋅R3-E2 = 1,52mA⋅4kΩ-5V= 1,08V;

UDS = 3,16V;
 Se verifică premisa de lucru în Sat. a TEC-ului:

3,16V=UDS> UDSSat=UGS-Up=-1,69V+3V=1,31V ⇒ Sat.

sau

UGD=VG-VD=-0,6V-4,24V=-4,84V<-3V=Up ⇒ Sat.

⇒ PSF2 IT2=1,52mA
UT2=3,16V

În perspectiva punctului b) al problemei, calculăm rbe şi gm:

β ⋅ 1V 100V
rbe = = = 1,36kΩ
40 ⋅ I T 1 40 ⋅ 2,2mA

 U GS  − 2 ⋅ 8mA  − 1,69V 
− 2 I DSS
gm = 1 − = 1 −  = 6,99mS
Up  U  − 3V  − 3V 
 p 
b) În Figura 3R.1e este prezentată schema echivalentă în c.a. a circuitului. S-a ţinut cont de faptul că
sursele de c.c. şi condensatoarele, în c.a., devin scurtcircuite.

Pentru calculul amplificării în c.a. se echivalează schema din Figura 3R.1e cu schema cu parametri de
semnal mic alternativ, Figura 3R.1f.

Ie
βIb

Figura 3R.1f
Figura 3R.1e

Se pot scrie relaţiile

VO = R4 g mU gs (3R.1b)

( β + 1) I b R2 = U gs + VO (3R.1c)
U gen = I b rbe + ( β + 1) I b R2 (3R.1d)

Din relaţiile 3R.1b,c,d ⇒

VO ( β + 1) R2 R4 g m 101 ⋅ 2kΩ ⋅ 4kΩ ⋅ 6,99mS
= = = 1,854
U gen (1 + R2 g m )[rbe + ( β + 1) R2 ] (1 + 2kΩ ⋅ 6,99mS )(1,36kΩ + 101 ⋅ 2kΩ)

3R.2. Pentru schema din figura 3R.2a, să se determine:

a) PSF-ul celor două tranzistoare (Obs.: Doar IB1 se poate
neglija);
b) Amplificarea VO/Ugen în c.a. prin calcul aproximativ şi C∞
c) Amplificarea VO/Ugen în c.a. prin calcul exact
ştiind că β1,2 = 100 şi |UBE|1,2 = 0,6V.

Rezolvare:

a) Deoarece IB1≅0 ⇒ R1 şi R2 formează un divizor de

Figura 3R.2a
curent, deci potenţialul din baza tranzistorului T1 va fi
R2 4kΩ
VB 1 = E= 12V = 8V ,
R1 + R2 4kΩ + 2kΩ
UR6
Iar potenţialul în emitorul lui T1
UBE2 = E
VE1=VB1+UEB1 = 8V+0,6V = 8,6V
UR4
Se poate calcula acum curentul IT1 prin tranzistorul T1
Figura 3R.2b

E − VE1 12V − 8,6V

I T 1 = I C1 ≅ I E1 = = = 1,7mA
R3 2kΩ
Aplicăm T2K pe ochiul R6 - bază T2 – emitor T2 - R4 – E, figura 3R.2b

⇒ E = I B 2 ⋅ R6 + U BE 2 + ( I E1 + I E 2 ) ⋅ R4
I I
E = E 2 ⋅ R6 + U BE 2 + I E1 ⋅ R4 + I E 2 ⋅ R4 = E 2 ⋅ 250kΩ + 0,6V + 1,7mA ⋅ 1kΩ + I E 2 ⋅ 1kΩ =12V
β +1 101
⇒ IE2 ≅ 2,8 mA

UEC1=VE1-VC1=E-IC1⋅R3-(IE1+IE2)⋅R4=12V-1,7mA⋅2kΩ-(1,7mA+2,8mA)⋅1kΩ = 4,1V

⇒ PSF1 IT1=1,7mA
UT1=UEC1=4,1V > 0,6V = UEB1 ⇒ RAN

UCE2=VC2-VE2=E-IC2⋅R5-(IE1+IE2)⋅R4=12V-2,8mA⋅1kΩ-(1,7mA+2,8mA)⋅1kΩ = 4,7V

⇒ PSF2 IT2=2,8mA
UT2=UCE2=4,7V > 0,6V = UBE2 ⇒ RAN

Se pot calcula rbe1 şi rbe2, valori necesare la calculul exact al amplificării.

 β ⋅ 1V 100V
rbe1 = = = 1,47 kΩ
40 ⋅ I T 1 40 ⋅ 1,7 mA

β ⋅ 1V 100V
rbe 2 = = = 0,89kΩ
40 ⋅ I T 2 40 ⋅ 2,8mA

b) În c.a. C∞ şi sursa de tensiune continuă E, devin scurtcircuite. În concluzie schema iniţială va fi

echivalentă cu schema din figura 3R.2c. Pentru calculul
aproximativ (Figura 3R.2d):
V
Vb1 = Vi ≅ Ve1 (⇐ Ueb1 ≅ 0); Ic1=Ie1 (⇐ Ib1 ≅ 0) ⇒ I c1 = − i
R3

Ib2 ≅ 0 ⇒ Vb2 ≅ 0 ⇒ Ve2 ≅ 0 (⇐ Ube2 ≅ 0) masă virtuală

Figura 3R.2c
⇒ c.a.IR4 ≅ 0

VO
Ic1= Ie2 ≅ Ic1=
R5
VO R
⇒ = − 5 = −0,5 (calcul aproximativ)
Vi R3

c) În schema echivalentă de curent alternativ (Figura 3R.2c), Figura 3R.2d

pentru calculul exact al amplificării, se apelează la modelul de
semnal mic alternativ al tranzistoarelor şi se obţine schema echivalentă a montajului (Figura 3R.2e).
Ri,T1 Ri,T2 βIb2
β
R4 1
Vo = − R5 ⋅ ⋅ ⋅ (− β ) ⋅ ⋅ (−Vi )
β + 1 R4 + Ri ,T 2 Ri ,T 1
βIb1
-Ic2 Ie2 -Ic1 -Ib1

RDC
Figura 3R.2e

Ri ,T 1 = rbe1 + ( β + 1) ⋅ R3 = 1,47 kΩ + 101 ⋅ 2kΩ = 203,47 kΩ

rbe 2 + R6 0,89kΩ + 250kΩ
Ri ,T 2 = = = 2,48kΩ
β +1 101

VO − 1kΩ ⋅ 100 ⋅ 1kΩ ⋅ 100

⇒ = = −0,14 (calcul exact)
Vi 101 ⋅ (1kΩ + 2,48kΩ) ⋅ 203,47 kΩ

3R.3. Ştiind că tranzistorele din figura 3R.3a sunt identice având parametrii IDSS = 4mA, Up = -4V şi
rd = ∞, să se calculeze:
a) PSF-ul celor două tranzistoare;
 b) Calculul exact al amplificării în c.a., Vo/Ugen.

Rezolvare

a) Deoarece curenţii IG1 = IG2 ≅ 0 şi C∞ este întrerupt în c.c. ⇒

ID1 = ID2= ID (polarizare “din unul în altul”) şi, pentru că
tranzistoarele sunt identice ⇒ UGS1= UGS2= UGS
Din ecuaţia ce descrie funcţionarea TEC-ul în saturaţie (cum
C∞
presupunem că lucrează cele două tranzistoare)
C∞
2
 U 
I D = I DSS 1 − GS 
 U p 

şi din ecuaţia ce rezultă prin aplicarea T2K în ochiul de
comandă al lui T1
Figura 3R.3a
UGS=-ID⋅R2 ,

se determină ID şi UGS:

2
U GS  U  2
− = 4mA1 + GS  ; U GS + 10 ⋅ U GS + 16 = 0 ⇒ UGS = -2V ⇒ ID=1mA;
2K  4V 

VS1 = ID(R2+R3)-E2 = 3V-5V = -2V;

VS2 = VG2-UGS1 = 0-(-2V) = 2V;

VD1=VS2-R4ID=2V-1V=1V;

VD2=E1-R5ID=5V-1V=4V;

⇒ PSF1 IT1=1mA
UT1=UDS1=VD1-VS1=1V+2V=3V > UDS,Sat=UGS-Up= -2V+4V=2V ⇒ Sat.

PSF2 IT2=1mA
UT2=UDS2=VD2-VS2=4V-2V=2V =UDS,Sat=UGS-Up =-2V+4V=2V ⇒ Limită Sat.

− 2 I DSS  U GS  − 2 ⋅ 4mA  − 2V 
g m1, 2 = g m = 1 − = 1 −  = 1mS
Up  Up  − 4V  − 4V 
 

b) Schema de c.a. este prezentată în figura 3R.3b.

Pentru calculul exact al amplificării Vo/Ugen, se apelează la schema echivalentă de semnal mic
altenativ, Figura 3R.3c.
 Figura 3R.3b Figura 3R.3c

R2 || R3
VO = − R5 ⋅ g m ⋅ U gs1 = − R5 ⋅ g m ⋅ ⋅ U gen
R2 || R3 + R1

VO 2 K || 1K
⇒ = −1K ⋅ 1mS ⋅ = −0,4
U gen 2 K || 1K + 1K

3R.4. Ştiind că tranzistoarele din figura 3R.4a au parametrii

următori:
T1 - IDSS = 6mA, Up = -3V şi rd = ∞, iar
T2 - β = 100 şi UEB=0,6V, să se calculeze:
a) PSF-ul celor două tranzistoare;
b) Calculul exact al amplificării în c.a., Vo/Ugen pentru
C=0;
c) Calculul aproximativ în c.a. al Vd/Ugen şi Vc/Ugen,
penrtru C=∞.

Rezolvare:

a) În c.c. sursa de tensiune alternativă se pasivizează (prin Figura 3R.4a

scurtcircuitare), iar condensatorul C se dispare (se echivalează cu
întrerupere). Deoarece IG≅0 ⇒ VG este dat de potenţialul dintre rezistenţele R1 şi R2, divizor de
tensiune rezistiv,

R2 40kΩ
VG = E= 12V = 4V
R1 + R2 80kΩ + 40kΩ

Presupunând IB ≅ 0 ⇒ potenţialul VB este dat de divizorul rezistiv R51+R52 şi R6,

R6 5kΩ
VB = E= 12V = 5V
R51 + R52 + R6 2kΩ + 5kΩ + 5kΩ

VS=VE=VB+UEB=5V+0,6V=5,6V ⇒ UGS=VG-VS=4V-5,6V=-1,6V
 2 2
 U GS   − 1,6V 

şi I T 1 = I D = I DSS 1 −  = 6mA ⋅ 1 −  ≅ 1,3mA
 U p   − 3V 

V 5,6V
cum I R 3 = S = = 0,56mA ⇒ IT2=IC≅IE=ID-IR3=1,3mA-0,56mA=0,74mA
R3 10kΩ

UDS=VD-VS=E-ID⋅R4-VS=12V-1,3mA⋅1kΩ-5,6V=5,1V

⇒ PSF1 IT1=1,3mA
UT1=5,1V > 1,4V=UDSSat=UGS-Up=-1,6V+3V ⇒ Sat.

UEC=VE-VC=VE-IC⋅R4=5,6V-0,74V⋅1kΩ=4,84V

⇒ PSF2 IT2=0,74mA
UT2=4,84V > 0,6V=UEB⇒ RAN

Pentru calculul exact al amplificării aflăm valoarea lui rbe şi gm:

β ⋅ 1V 100V
rbe = = ≅ 3,38kΩ
40 ⋅ I T 2 40 ⋅ 0,74mA
− 2 I DSS  U GS  − 2 ⋅ 6mA  − 1,6V 
gm = 1 − = 1 −  = 1,86mS
Up  Up  − 3V  − 3V 
 

b) În c.a. sursa E de tensiune continuă se pasivizează prin

scurtcircuit ⇒ schema echivalentă din Figura 3R.4b, unde
Figura 3R.4b
Rech=R6||(R51+R52).

Pentru determinarea amplificării Vo/Ugen, se apelează la Ri,T2

schema echivalentă de semnal mic alternativ, Figura 3R.4c.
βIb

β  R3 
VO = R7 ⋅ ⋅  −  ⋅ g m ⋅ U gs
β + 1  R3 + Ri ,T 2 
Ic -Ie
Id
Comandă TEC
RDC
Figura 3R.4c
Comandă TB

Ri ,T 2
U gen = U gs + g m ⋅ U gs ⋅ R3 (3R.4a)
Ri ,T 2 + R3

Vg (⇐ Ig=0) c.a.IR3
 rbe + R6 || ( R51 + R52 ) 3,38kΩ + 5kΩ || (5kΩ + 2kΩ)
Ri ,T 2 = = = 0,062kΩ (3R.4b)
β +1 101

Ri ,T 2 + R3 10,062kΩ
U gs = U gen = U gen ≅ 0,897U gen
Ri ,T 2 + R3 + g m ⋅ R3 ⋅ Ri ,T 2 10,062kΩ + 1,86mS ⋅ 10kΩ ⋅ 0,062kΩ
(3R.4c)

Vo 100 ⋅ 10kΩ ⋅ 5kΩ ⋅ 1,86mS

⇒ din relaţiile 3R.4a,b şi c că =− ⋅ 0,897 ≅ −8,2 (calcul exact)
U gen 101 ⋅ 10,062kΩ

c) Aproximarea de c.a. presupune Ig=Ib≅0 şi Ugs=Ueb≅0. Astfel semnalul de intrare Ugen se va regăsi în
baza lui T2. C=∞ în c.a. se transformă în scurtcircuit ⇒ R4||R51, Figura 3R.4d.

Se pot scrie următoarele relaţii:

Vd − U gen U gen
c.a.I R 52 = = = c.a.I R 6
R52 R6

Vd R + R6 5kΩ + 5kΩ
⇒ = 52 = = 2 (calcul aproximativ)
U gen R6 5kΩ
Figura 3R.4d
Vd
I d + c.a.I 52 = − ⇒
R4 || R51
U gen Vc U gen R52 + R6
+ + =− U gen
R3 R7 R6 R6 ⋅ ( R4 || R51 )

Vc  R52 + R6 1 1   5kΩ + 5kΩ 1 1 

⇒ = − + +  ⋅ R7 = − + +  ⋅ 5kΩ = −16,5
U gen  R6 ⋅ ( R4 || R51 ) R3 R6   5kΩ ⋅ (1kΩ || 2kΩ) 10kΩ 5kΩ 
(calcul aproximativ)

3R.5. Cunoscând parametrii tranzistoarelor T1,2 din figura 3R.5a

(IDSS = 9mA, Up = -3V şi rd =∞), să se calculeze:
a) PSF-ul celor două tranzistoare;
b) Calculul exact al amplificării în c.a., Vo/Ii;
c) Calculul aproximativ în c.a. al amplificării Vo/Ii;
d) Frecveţa superioară a benzii de frecvenţă, fsup, cu metoda
τgol, pentru Cds1,2=0 şi Cgs1,2=Cgd1,2=1pF

Rezolvare:

a) În c.c sursa de curent alternativ se pasivizează prin întrerupere,

a.î. pentru tranzistorul T1 (presupus a lucra în saturaţie), putem Figura 3R.5a
scrie ecuaţiile:
 2
 
I D 1 = I DSS  1 − U GS 1  şi UGS1=-ID1⋅R1
 Up 
 
2
− U GS1  U 
⇒ ecuaţia = 9mA ⋅ 1 − GS1  , cu soluţia UGS1= -1,7V (pentru justificarea alegerii acestei
1kΩ  − 3V 
soluţii din cele două, vezi observaţia de la problema 3R.1).

U GS1 − 1,7V
⇒ I D1 = − =− = 1,7 mA
R1 1kΩ
Pentru tranzistorul T2 (ce se presupune a lucra şi el în saturaţie) se pot scrie ecuaţiile:

2
 U 
I D2 = I DSS 1 − GS 2  şi UGS2=-VS2 cu VS2=VD1+ID2⋅R2 ; VD1=E1-(ID1-ID2)R3
 U p 


I D1 R3 − E1 − U GS 2 1,7 mA ⋅ 6kΩ − 5V − U GS 2 5,2V − U GS 2

⇒ I D2 = = =
R2 + R3 3kΩ + 6kΩ 9kΩ

2
5,2V − U GS 2  U 
= 9mA1 − GS 2  ⇒ soluţia UGS2=-2,1V (din aceleaşi considerente făcute în observaţia
9kΩ  − 3V 
de la problema 3R.1)

7,3V
⇒ I D2 = = 0,81mA
9kΩ

Calculul căderilor de tensiune pe tranzistoare:

VD1 = 5V-0,89mA⋅6kΩ=-0,34V

VD2=E1-ID2⋅R4=5V-0,81V⋅1kΩ=4,19V] UDS1=VD1-VS1=-0,34V+3,3V=2,96V

VS1=-UGS1-E2=1,7V-5V=-3,3V UDS2=VD2-VS2=4,19V-2,1V=2,09V

VS2=-UGS2=2,1V

⇒ PSF1 IT1=1,7mA
UT1=2,96V > 1,3V=UGS1-Up=UDSSat ⇒ Sat.
⇒ Premizele s-au confirmat.
⇒ PSF2 IT2=0,81mA
UT2=2,09V > 0,9V=UGS2-Up=UDSSat ⇒ Sat.

Calculul conductanţelor mutuale:

 − 2 I DSS U GS1  − 2 ⋅ 9mA  − 1,7V 
g m1 = 1 − = 1 −  = 2,6mS
Up  U  − 3 V  − 3V 
 p 
− 2 I DSS  U GS 2  − 2 ⋅ 9mA  − 2,1V 
gm2 = 1− = 1 −  = 1,8mS
U p  U p  − 3V  − 3V 

b) În figura 3R.5b este prezentată schema echivalentă de c.a. a

circuitului. Pentru calculul amplificării Vo/Ii se înlocuiesc
tranzistoarele cu modelul lor de semnal mic alternativ şi
rezultă schema din figura 3R.5c.
Figura 3R.5b
Se pot scrie următoarele relaţii:

RDC
R3
g m 2U gs 2 = g m1U gs1 =
R2 + R3 + Ri ,T 2
g m 2 R3 1/gm2
= g m1U gs1
g m 2 R2 + g m 2 R3 + 1
Figura 3R.5c

R1 g R
g m1U gs1 = − I i = − m1 1 I i
R1 + Ri ,T 1 g m1 R1 + 1

1/gm1

g m 2 R3  g m1 R1 
Vo = − R4 g m 2U gs 2 = − R4 ⋅  −  ⋅ Ii
g m 2 R2 + g m 2 R3 + 1  g m1 R1 + 1 

Vo 1,8mS ⋅ 6k  2,6mS ⋅ 1k 
⇒ = 1k ⋅  ≅ 0,45 (calcul exact)
Ii 1,8mS ⋅ 3k + 1,8mS ⋅ 6k + 1  2,6mS ⋅ 1k + 1 

c) În figura 3R.5d se prezintă schema de c.a. pentru calcul aproximativ. Deoarece Ugs1,2≅0 şi Ig1,2=0
şi sursele de c.c. sunt pasivizate prin scurtcircuit vom
avea:

Vs1=0 (masă virtuală) ⇒ c.a.IR1=0 (⇐ ambele capete ale

rezistenţei R1 la masă) ⇒ Id1=Ii;

R2 şi R3 formează un divizor de curent (⇐ Vs2=0 – masă Figura 3R.5d

virtuală)

Vo R3 V RR 6k ⋅ 1k
⇒ = Ii ⇒ o = 3 4 = ≅ 0,67 (calcul aproximativ)
R4 R2 + R3 I i R2 + R3 3k + 6k
d) Pentru calculul rezistenţei derivaţie a fiecărei capacităţi parazite se
procedează la pasivizarea surselor independente (în problema dată sursă de IΩ
curent alternativ, pasivizată prin întrerupere), înlocuirea celorlalte
capacităţi cu goluri (întreruperi) şi montarea în locul capacităţii vizate a UΩ Ω RO,T1
unui ohmmetru de c.a.. Deoarece Cds1,2=0 ⇒ nu are sens calculul
rezistenţelor lor derivaţie (τds1,2= 0). De asemenea, deoarece la calculul
aproximativ Ugs1,2=0 ⇒ că rezistenţa derivaţie Rgs1,2=0 (τgs1,2= 0). Prezintă
aşadar interes doar Rgd1 şi Rgd2. Figura 3R.5e

Pentru calculul lui Rgd1 utilizăm schema parţială din figura 3R.5e.
Rezistenţa “văzută” de ohmmetru este Rgd1=R2||R3||RO,T1=3k||6k=2kΩ

⇒ τgd1= Rgd1⋅ Cgd1=2kΩ⋅1pF=2⋅10-9s =∞ IΩ

RO,T2
UΩ
Ω
Pentru calculul lui Rgd2 utilizăm schema parţială din figura 3R.5f.
Rezistenţa “văzută” de ohmmetru este Rgd2=R4||RO,T2=1kΩ

⇒ τgd2= Rgd2⋅ Cgd2=1kΩ⋅1pF=10-9s =∞

Figura 3R.5f
1 1 1
f sup = = = ≅ 53MHz
2π ∑ τ gol 2π (τ gd 1 + τ gd 2 ) 2π ⋅ 3 ⋅ 10 −9 s

3R.6. Cunoscând parametrii tranzistoarelor identice T1,2 din figura 3R.6a (IDSS = 8mA, Up = -3V şi rd
=50kΩ) şi că C=∞, să se calculeze:
a) PSF-ul celor două tranzistoare;
b) Calculul exact al amplificărilor în c.a., Vd1/Vi şi
Vd2/Vi;
c) Calculul aproximativ în c.a. al amplificărilor Vd1/Vi şi
Vd2/Vi.

Rezolvare:

a) Se pot scrie următoarele relaţii relativ la T1:

Figura 3R.6a
2
 U 
U GS1 = I DSS 1 − GS1  (3R.6a)
 U p 

UGS1=-(ID1+IR3⋅)R4 (3R.6b)

IR3⋅R3+(ID1+IR3⋅)R4=E (3R.6c)

E − I D1 ⋅ R4
Din relaţia 3R.6c ⇒ I R 3 = şi înlocuind în relaţia 3R.6b ⇒
R3 + R4
 E − I D1 ⋅ R4
U GS1 = − I D1 ⋅ R4 − R4 , cu care relaţia 3R.6a se transformă în ecuaţia de gradul 2 următoare:
R3 + R4
18I D2 1 − 97 I D1 + 72 = 0

Soluţia validă a acestei ecuaţii d.p.d.v. tehnic, este ID1=0,89mA (vezi Obs. de la problema 3R.1),
pentru care UGS1=-1V.

Pentru T2 avem relaţiile:

2
 U 
U GS 2 = I DSS 1 − GS 2  , UGS2=VG2-ID2⋅R6 şi VG2= VS1=-UGS1
 U p 

din care, prin înlocuire, se obţine relaţia

2
1V − U GS 2  U 
= 8mA1 + GS 2 
3kΩ  3V 

Soluţia validă (vezi Obs. de la problema 3R.1) este UGS2=-1,95V şi corespunzător ID2=0,98mA.

Calculul căderilor de tensiune pe tranzistoare:

UDS1=VD1-VS1= E-IT1⋅R2-VS1=12V-0,89mA⋅1kΩ-1V=10,11V

UDS2=VD2-VS2= E-IT2⋅R5- IT2⋅R6=12V-0,98mA⋅1kΩ-0,98mA⋅3kΩ=8,08V

⇒ PSF1 IT1=0,89mA
UT1=10,11V > 2V=UGS1-Up=UDSSat ⇒ Sat.
⇒ Premizele s-au confirmat.
⇒ PSF2 IT2=0,98mA
UT2=8,08 > 1,05V=UGS2-Up=UDSSat ⇒ Sat.

În perspectiva calculului valorii exacte a amplificării în c.a. se calculează şi valorile conductanţelor

mutuale:

− 2 I DSS  U GS1  − 2 ⋅ 18mA  − 1V 

g m1 = 1 − = 1 −  = 8mS
Up  
Up  − 3V  − 3V 


− 2 I DSS  U GS 2  − 2 ⋅ 18mA  − 1,95V 

gm2 = 1 − = 1 −  = 4,2mS
Up  U  − 3V  − 3V 
 p 

b) Pentru calculul în c.a. se utilizează schema echivalentă de c.a. din figura 3R.6b explicitată de
schema din figura 3R.6c în care tranzistoarele s-au înlocuit cu modelul lor la semnal mic alternativ în
echivalarea Thevenin, cu µ1=gm1⋅rd=8mS⋅50kΩ=400 şi µ2=gm2⋅rd=4,2mS⋅50kΩ=210.
 µ1Ugs1 µ2Ugs2

Figura 3R.6b
Figura 3R.6c
Se pot scrie următoarele relaţii:

R3 || R4 R2 + rd1 + R3 || R4
Vi = U gs1 + ⋅ µ1 ⋅ U gs1 ⇒ U gs1 = Vi
R3 || R4 + R2 + rd 1 R2 + rd1 + (µ1 + 1) ⋅ R3 || R4
(3R.6d)

R2 − R2 ⋅ µ1
Vom avea deci Vd 1 = − ⋅ µ1 ⋅ U gs1 = Vi
R2 + rd 1 + R3 || R4 R2 + rd 1 + (µ1 + 1) ⋅ R3 || R4

Vd 1 − 1k ⋅ 400 Vd 1
⇒ = = −0,971 (calcul exact)
Vi 1k + 50k + (400 + 1) ⋅ 0,9k Vi

De asemenea

R5
Vd 2 = − ⋅ µ 2 ⋅ U gs 2 (3R.6e)
R5 + R6 + rd 2

µ 2 ⋅ U gs 2 R3 || R4
U gs 2 + ⋅ R6 = ⋅ µ1 ⋅ U gs1
R5 + R6 + rd 2 R3 || R4 + R2 + rd 1
R 3 || R 4
R || R 4 + R 2 + rd 1
⇒ U gs 2 = 3 ⋅ µ 1 ⋅ U gs 1 (3R.6f)
µ 2 ⋅ R6
1+
R 5 + R 6 + rd 2

Din relaţiile 3R.6d, e şi f ⇒

Figura 3R.6d

Vd 2 µ1 ⋅ µ 2 ⋅ R5 ⋅ R3 || R4
=− = −0,268 (calcul exact)
Vi (R2 + rd1 + (µ1 + 1) ⋅ R3 || R4 )(R5 + rd 2 + (µ 2 + 1) ⋅ R6 )
c) În figura 3R.6d este reprezentată schema echivalentă pentru calcul aproximativ (Ugs1,2≅0, Ig1,2=0).
Astfel vom avea:

Vg1=Vs1=Vg2=Vs2=Vi ⇒

Vd 1 R2
=− = −1,11 (calcul aproximativ)
Vi R3 || R4

Vd 2 R
= − 5 = −0,33 (calcul aproximativ)
Vi R6

3R.7. Tranzistoarele T1 şi T2 din figura 3R.7a sunt identice şi au parametrii β=100 şi UBE=0,6V.
Ştiind că cele două condensatoare au capacităţile C1,2= ∞, să se calculeze:
a) PSF1 şi PSF2;
b) Calculul aproximativ în c.a. al amplificării Vo/Vi;
c) Calculul exact în c.a. al amplificării Vo/Vi;
d) Pentru C1=C2=1µF, să se calculeze finf cu metoda τscc.

Rezolvare:

a) Deoarece IB1≅0, R1 şi R2 se constituie într-un divizor rezistiv

de tensiune. În concluzie
Figura 3R.7a
R2 4k
VB1 = E= 9V = 4,5V
R1 + R2 4k + 4 k

şi cum UBE1=VB1-VE1 ⇒ VE1= VB1- UBE1=4,5V-0,6V=3,9V

VE1 3,9V
⇒ I R3 = = = 3,9mA
R3 1k

Curentul de bază al tranzistorului T2, IB2, nu se poate neglija şi aplicând T2K pe ochiul E-R6-Bază T2-
Emitor T2- R4-VE1 vom obţine:

IC 2 β
E= ⋅ R6 + U BE 2 + ⋅ I C 2 ⋅ R4 + VE1
β β +1
IB2 IE2

şi înlocuind cu valorile cunoscute se obţine valoarea curentului prin T2, IT2=IC2≅1,807mA

β +1
Deoarece IR3=IC1+IE2 ⇒ I T1 = I C1 = I R3 - ⋅ I C 2 = 3,9mA − 1,01 ⋅ 1,807mA = 2,07mA
β
Calculul căderilor de tensiune pe tranzistoare:

UT1=UCE1=VC1-VE1=12V-3,9V=8,1V

UT2=UCE2=VC2-VE2=E-IC2⋅R5-(VE1+IC2⋅R4)=12V-1,807mA⋅1k-(3,9V+1,807mA⋅1k)=4,49V

⇒ PSF1 IT1=2,07mA
UT1=8,1V > 0,6V=UBE1⇒ RAN

⇒ PSF2 IT2=1,807mA
UT2=4,49V > 0,6V=UBE2⇒ RAN

Calculul rezistenţelor rbe1 şi rbe2:

β ⋅ 1V 100V
rbe1 = = ≅ 1,2kΩ
40 ⋅ I T 1 40 ⋅ 2,07 mA

β ⋅ 1V 100V
rbe 2 = = ≅ 1,38kΩ
40 ⋅ I T 2 40 ⋅ 1,807 mA

Figura 3R.7b Figura 3R.7c

b) În figura 3R.7b este reprezentată schema echivalentă a circuitului dat în c.a.. Calculul aproximativ
se face pe schema din figura 3R.7b, unde, deoarece Ib1=Ib2≅0 şi Ube1=Ube2≅0 ⇒ Ve1=Vi, Ve2=0 (masă
virtuală), Ic2≅Ie2.

Vi VO V R
⇒ = ⇒ O = 5 = 1 (calcul aproximativ)
R4 R5 Vi R4

c) Pe schema în figura 3R.7d tranzistoarele sunt înlocuite cu modelul lor cel mai simplu de semnal mic
alternativ.

Din schema din figura 3R.7d se deduce că βIb2

βIb1
 β R3 1
VO = − R5 ⋅ ⋅ ⋅ [− ( β + 1)] ⋅ Vi
β + 1 R3 + R4 + Ri ,T 2 R1,T 1
Ic2 Ib1
Ie1
Ie2

unde

rbe 2 1,38k
Ri ,T 2 = = ≅ 0,014kΩ
β + 1 101

R4 + Ri ,T 2 1k + 0,014k
Ri ,T 1 = rbe1 + ( β + 1) = 1,2k + 101 ⋅ ≅ 52kΩ
R3 + R4 + R i ,T 2 1k + 1k + 0,014k

VO 100 ⋅ 1k ⋅ 1k
⇒ = = 0,954 (calcul exact)
Vi (1k + 1k + 0,014k ) ⋅ 52k

c) Pentru calculul τscc corespunzător fiecărui condensator de cuplare sau decuplare din schemă, se
pasivizează sursele independente (aici sursa de tensiune Vi prin scurtcircuitare), se scurcircuitează
celelalte condensatoare şi se montează în locul condensatorului vizat un ohmmetru de c.a. pentru
IΩ IΩ

UΩ
Ω
Ω UΩ

Figura 3R.7e Figura 3R.7f

determinarea rezistenţei derivaţie. Astfel, pentru determinarea τC1 se utilizează schema din figura
3R.7e. Deoarece Ib1≅0 rezistenţa pe care o “vede” ohmmetrul este RC1=R1||R2=2kΩ
⇒ τC1= RC1⋅C1=2kΩ⋅1µF=2⋅10-3s

Pentru determinarea τC2 se utilizează schema din figura 3R.7f. Se observă că doar rezistenţa R6 va fi
văzută de ohmemtru , deci RC2=R6

τC2= RC2⋅C2=150kΩ⋅1µF=150⋅10-3s

1 1 1  1 1  103  1 1 
⇒ f inf =
2π
∑τ =
2π

τ
+
τ
 =
2π
 +
 2 150
 ≅ 80 Hz

scc  C1 C2 
3P. Probleme propuse

3P.1. Tranzistoarele T1 şi T2 din figura 3P.1a au parametrii β=100 şi |UBE|=0,6V. Ştiind că cele 3
condensatoare au capacităţile C1,2,3= ∞, să se calculeze:
a) PSF1 şi PSF2;
b) Calculul exact în c.a. al amplificării Vo/Vi.

Soluţie:

a) PSF1 IT1=1,7mA
UT1=1,2V (RAN)

PSF2 IT2=4mA
UT2=2V (RAN)

VO R4 ⋅ R6 ⋅ β ⋅ (β + 1) Figura 3P.1a
b) =− ≅ −77,27
Vi (R4 + rbe 2 ) ⋅ (rbe1 + (β + 1) ⋅ R4 || rbe 2 )

3P.2. Tranzistoarele T1 şi T2 din figura 3P.2a au parametrii β=100 şi |UBE|=0,6V. Să se calculeze:

a) PSF1 şi PSF2;
b) Calculul aproximativ în c.a. al amplificării AZ=Vo/Ii;
c) Calculul exact în c.a. al amplificării AZ=Vo/Ii.

Soluţie:

a) PSF1 IT1=2,1mA
UT1=2,4V (RAN)

PSF2 IT2=3,6mA
UT2=4,8V (RAN)

Vo R ⋅R
b) AZ = = − 5 7 = −2kΩ (calcul aproximativ)
Ii R6
Figura 3P.2a
c)
Vo β 2 ⋅ R5 ⋅ R7 ⋅ R1 || R2
AZ = =− = −1,77kΩ (calcul exact)
Ii
(β + 1) ⋅ [R5 + rbe 2 + (β + 1) ⋅ R6 ] ⋅  R1 || R2 + rbe1 + R3 || R4 
 β +1 

3P.3. Tranzistoarele T1 şi T2 din figura 3P.3a au parametrii β=100 şi |UBE|=0,6V. Să se calculeze:

a) PSF1 şi PSF2;
b) Calculul aproximativ în c.a. al amplificării AU=Vo/Vi;
c) Calculul exact în c.a. al amplificării AU=Vo/Vi.
Soluţie:

a) PSF1 IT1=3,25mA
UT1=4,6V (RAN)

PSF2 IT2=1,4mA
UT2=3,2V (RAN)

R5
b) AU = = 0,5 (calcul aproximativ)
R4

c)
Figura 3P.3a
Vo β ⋅ R3 ⋅ R5
AU = = = 0,485 (calcul
Vi  rbe 2 + R6 || R7   R3 ⋅ ((β + 1) ⋅ R4 + rbe 2 + R6 || R7 ) 
 R3 + R4 +  ⋅  rbe1 + (β + 1) ⋅ 
 β + 1   ( β + 1 ) ⋅ ( R3 + R4 ) + rbe 2 + R6 || R7 

exact)

3P.4. Tranzistoarele T1 şi T2 din figura 3P.4a au parametrii IDSS=18mA şi Up=-3V (rd=∞). Să se

calculeze:
a) PSF1 şi PSF2;
b) Calculul aproximativ în c.a. al amplificării AU=Vo/Vi;
c) Calculul exact în c.a. al amplificării AU=Vo/Vi.

Soluţie:

a) PSF1 IT1=2mA
UT1=-2V (Sat.)

PSF2 IT2=1,06mA
UT2=-2,24V (Sat.)

R5 Figura 3P.4a
b) AU = − = −2 (calcul aproximativ)
R2

Vo g m1 ⋅ g m 2 ⋅ R4 ⋅ R5
c) AU = =− = −1,41 (calcul exact)
Vi (1 + g m 2 ⋅ R4 ) ⋅ (1 + g m1 ⋅ R2 )