Cap.

I Conversia energiei solare

11
Cap. I CONVERSIA ENERGIEI SOLARE
I.1 Energia. Scurt istoric
Aproape toat energia utilizat pe Pmnt (excepie doar energia
atomic) provine din energia solar.
nc de la descoperirea focului, omul a ars lemne pentru nclzire,
iluminat i pentru a prepara hran.
Combustibilii sunt cruciali pentru viaa noastr. Fr ei nu am fi putut
progresa si am fi rmas n Epoca de Piatr.
Revoluia industrial a nceput n secolul 18 n Marea Britanie deoarece
dintr-o dat a devenit posibil s topeasc cantiti imense de fier utiliznd
cocsul din crbune, iar motorul cu abur al lui James Watt a fost larg utilizat
la propulsia navelor, locomotivelor sau antrenarea fabricilor prin transmisii
prin curele. Timp de 100 de ani (secolul 19) principala surs de energie a
fost crbunele (epoca crbunelui). Abia 100 de ani mai trziu a fost
construit primul automobil (Daimler) i benzina produs din petrol a inceput
a fi utilizat drept combustibil. De atunci nc 100 de ani (secolul 20) a fost
folosit petrolul ca principal surs de energie (epoca petrolului).
Crbunele i gazul ca i petrolul sunt combustibil fosili care s-au produs
cu milioane de ani in urm pe baz de organisme vegetale i animale care i-
au extras energia tot de la soare.
Noi acum utilizm aceste rezerve aa de rapid nct sunt n pericol s se
epuizeze. Arderea acestor combustibili fosili adaug de asemenea i
problema polurii planetei. Prin ardere se produce bioxid de carbon care este
considerat un gaz de ser.
Se pare c vom avea nevoie de un combustibil nou, inepuizabil i s nu
polueze. Un astfel de combustibil e greu de gsit. Energia solar i eolian
depind de starea vremii i sunt de o densitate mic (aproximativ 1kW/m
2
).
Biomasa are o putere calorific de aproximativ 10 ori mai mic dect a
combustibililor fosili.
Hidrogenul a fost indicat nc de Jules Verne n carte sa Insula
Misterioas drept combustibilul viitorului. Are un coninut energetic
ridicat, poate fi convertit efficient (randamente de pn la 80 %) n energie
electric i este nepoluant, produsul secundar este apa, nu bioxidul de
carbon.
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
12
In 1875, the great futurist Jules Verne wrote The Mysterious Island. In
one dialogue, Verne's main character, Captain Cyrus Harding, suggests
that in two hundred and fifty or three hundred years the world would run
out of coal and turn to hydrogen for fuel. The hydrogen would be produced
from water decomposed into its primitive elements and the coal rooms of
steamers... will, instead of coal, be stored with [hydrogen and oxygen
gases], which will burn in the furnaces with enormous calorific power.
Although Captain Harding failed to anticipate the 20th century emergence
of petroleum and natural gas, his prescience may finally be appreciated in
the early part of the 21
st
century.
Dar hidrogenul are alte neajunsuri. Nu se gsete liber n natur.
Producerea lui este legat de unele consumuri energetice.
n industrie poate fi produs prin reformarea n abur a gazului metan:
2 2 4
3H CO O H CH + + , (I.1)
2 2 2
H CO O H CO + + . (I.2)
Hidrogenul de asemenea poate fi produs prin electroliza apei utiliznd o
membran schimbtoare de protoni (PEM).
Unele microorganisme au capacitatea de a produce hidrogen din
glucoz. Un litru de alge marine pot produce 3 cm
3
H
2
/or.
Totui se pare c urmtoarea epoc energetic (secolul 21) va fi epoca
hidrogenului.
I.2 Surt istoric al utilizrii energiei solare
Lumina direct a soarelui este cea mai abundent surs de energie de pe
glob. O parte este absorbit de atmosfer i se regsete sub forma energiei
eoliene, dar n medie 1.353 kW/m
2
din aceast energie cade pe suprafaa
pmntului, bineneles cu valori mai mari la ecuator i n zone deertice.
Utilizarea direct a energiei solare (a acestui kilowat) se face de mult
timp folosind captatoare solare cu sau fr concentratoare pentru nclzirea
apei, pentru nclzirea aerului, pentru topirea metalelor, pentru uscarea
diferitelor produse agricole sau industriale i pentru producerea de energie
electric n centrale termice solare. Este cunoscut legenda cu oglinzile lui
Arhimede, cu care ar fi incendiat corbiile inamice.
Exist state, Israelul, SUA, Australia i Japonia, care au montate
milioane de captatoare solare fiecare, pentru producerea apei calde. Exist
multe centrale termice solare care produc energie electric, cu puteri de sute
de MW fiecare, dar costul energiei electrice produse nu a putut fi sczut sub
Cap. I Conversia energiei solare
13
10 ceni pe kWh fa de 5 ceni n centralele electrice clasice.
Dar cea mai interesant cale de utilizare a energiei solare este conversia
ei direct n energie electric. Exist mai multe modaliti de utilizare
direct a energiei solare: conversia fotovoltaic, conversia termoelectric i
conversia termoionic. Dintre acestea, conversia fotovoltaic se pare c are
cele mai mari posibiliti de a deveni o tehnologie alternativ la modul
clasic de producere a energiei electrice n condiiile actualei crize
energetice. Principiul de funcionare, efectul fotovoltaic, a fost descoperit de
savantul francez Becquerel nc din 1839. Pentru explicaia cuantic a
efectului fotovoltaic a primit Albert Einstein premiul Nobel n 1921.
Aceast nou tehnologie a fost inventat la laboratoarele Bell din New
Jersey n 1954, cutnd o surs de electricitate pentru telefoanele din zonele
izolate. Au realizat celule fotovoltaice cu randamente de 4-6%, dar din
cauza costurilor mari a energiei produse au renunat la aceast tehnologie.
Celula fotovoltaic a fost salvat de la obscuritate de cursa spaial
Statele Unite Uniunea Sovietic din anii 60. n scopul gsirii unui mod
practic de alimentare cu energie electric a sateliilor, s-au alocat fonduri
importante de cercetare i firme ca: Texas Instruments, RCA i Heliotek au
reuit s scad preul acestor celule fotovoltaice de peste 10 ori.
Criza energetic din anii 70 a adus multe miliarde de dolari n progresul
acestei tehnologii fotovoltaice (FV), pentru a o folosi i n aplicaii terestre.
n anii 80 erau larg rspndite n staii i relee telefonice, n faruri izolate
i cabine telefonice rutiere etc., dei costul unui kWh produs nc nu a
sczut sub 20 ceni.
Au crescut vnzrile de celule fotovoltaice de la 6 MW n 1980 la 29
MW n 1987, 60 MW n 1983, 125 MW n 1997, 675 MW n 2002 i
3000MW n 2007. n prezent marea majoritate a ceasurilor de mn i a
calculatoarelor de buzunar din lume au o astfel de surs de energie.
Un nou avnt al acestei industrii este iminent: electrificarea rural n
rile lumii a treia. La Congresul Mondial al Energiei din 1995 de la Tokio
s-a afirmat c 40% din populaia actual a lumii nu are nici un acces la o
energie comercial, populaie aflat n rile subdezvoltate ale lumii a treia.
Guvernele acestor ri n loc s subvenioneze extinderea reelelor
electrice clasice spre zonele rurale, industria lor energetic nefiind
competitiv cu a rilor dezvoltate, ar putea gsi mai eficient tehnologia
FV, ceea ce ar echivala cu o revoluie n domeniul energetic.
Exist lanterne solare care folosesc un panou solar de 2.6 W pentru
ncrcarea unei baterii pe timpul zilei i care poate aprinde dou lmpi
fluorescente pe timpul nopii. Acest produs este accesibil ca pre i
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
14
familiilor cele mai srace.
Utilizarea sistemelor electrice solare n gospodriile rurale crete i n
rile industriale. Astfel un sistem FV de 2500W suficient pentru a
alimenta iluminatul, maina de splat, frigiderul, radioul, televizorul i
computerul unei locuine cost mai puin de 15000 de dolari, inclusiv
panoul fotovoltaic, becuri, cabluri, baterie de nmagazinare a energiei i
instalaia de reglare.
Norvegia avea n 1993 peste 50000 de case rurale alimentate cu celule
fotovoltaice i o situaie similar se ntlnete n Japonia, Spania, Elveia i
SUA. n Germania se deruleaz programul celor 100000 de acoperiuri
solare.
n Israel pot fi vzui stlpi de iluminat stradal echipai cu mici panouri
solare, care ziua acumuleaz energie electric i noaptea asigur iluminatul
stradal.
Japonia intenioneaz s asigure 30% din consumul rezidenial de
instalaii fotovoltaice (250 MW n anul 2000 i 4600MW n anul 2010),
Germania 10% pn n anul 2010, SUA 15% din consumul rezidenial pn
n 2010 i 100% n urmtorii 25-40 de ani dup 2010. Ungaria produce 2.5
MW pe an la uzina Duna Solar Photovoltaic.
Ritmul mediu de cretere al acestei industrii este de 20% anual, dar i
55% n 2007.
Reducerea costurilor celulelor fotovoltaice este ateptat n continuare i
ca urmare o mai larg utilizare a acestei tehnologii.
Exist muli productori de celule fotovoltaice, care este totui o
tehnologie de vrf, ca: AMOCO Solarex Corp din SUA, BP Solar din Marea
Britanie, NAPS din Frana, Sanyo, Kyocera i Sharp din Japonia etc., dar cel
mai mare productor de fotovoltaice din lume n 1993 era gigantul german
Siemens care cumprase ARCO Solars din California n 1990.
i la noi n ar, n trecut s-au fcut cercetri n acest domeniu,
realizndu-se aproape toate tipurile de celule fotovoltaice, la ICCE; ICPE i
IFTMBucureti.
I.3 Principiul conversiei fotoelectrice a energiei [9]
Conversia radiaiei solare n energie electric prin efect fotovoltaic se
realizeaz n celule solare.
Celula solar este un dispozitiv realizat cu materiale semiconductoare, n
care prin absorbia luminii se genereaz perechi de electroni i goluri libere,
Cap. I Conversia energiei solare
15
iar acetia sunt separai spaial datorit unei discontinuiti interne ce
formeaz o barier de potenial, electronii fiind antrenai n sens opus
golurilor. Prin separarea purttorilor de sarcin ia natere o tensiune la
bornele celulei i un curent printr-o rezisten de sarcin, astfel nct celula
iluminat funcioneaz ca un generator de putere electric.
Din punct de vedere structural, celulele fotovoltaice sunt formate din
dou zone, realiznd o jonciune, care poate fi de mai multe tipuri:
- homojonciune, n care cele dou zone sunt formate din acelai
material semiconductor, avnd tipuri de conducia diferite;
- heterojonciune, n care cele dou zone sunt formate din materiale
semiconductoare diferite, avnd de asemenea tipuri de conducie
diferit;
- jonciune metal - semiconductor (celula Schotky);
- jonciune electrolit semiconductor.
Principalele fenomene care formeaz conversia fotoelectric se pot
explica pornind de la cazul cel mai simplu: homojonciunea
semiconductoare.
Fie o homojonciune p-n (fig. I.1) neiluminat. Presupunem cunoscute
noiunile generale de fizica semiconductoarelor. Aceast homojonciune
poate fi realizat prin impurificarea diferit cu impuriti donoare i
acceptoare a cristalului semiconductor, aplicnd metode ca difuzia i alierea
sau implantare ionic.
Dei ambele zone sunt neutre din punct de vedere electric, ele conin
purttori de sarcin liberi, de ambele semne, dar n proporii diferite,
purttorii majoritari atribuind i denumirea zonei respective (electronii
pentru zona n i golurile pentru zona p).
La contactul ntre regiunea p i regiunea n, realizat n jonciune,
densitatea electronilor liberi fiind mai mare n regiunea n dect n regiunea
_ p n
_
+
+
+
_
I
3
I
4
I
1
I
2
E
C
E
F
E
V
E
g
E
i
Fig. I.1 Structura, circulaia de cureni
i benzile energetice pentru
homojonciunea p-n.
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
16
p , electronii dintr-un strat din regiunea n difuzeaz n regiunea p unde se
recombin cu golurile. La fel se ntmpl i cu golurile din regiunea p.
La echilibru, de o parte i alta a jonciunii se formeaz dou regiuni
nguste srcite n purttori mobili. Datorit donorilor ionizai rmai
necompensai dup plecarea electronilor, regiunea din zona n se ncarc
pozitiv. Regiunea din zona p rmne ncrcat negativ prin plecarea
golurilor, datorit acceptorilor ionizai. Astfel se formeaz un strat dublu de
sarcin spaial fix care va mpiedica difuzia n continuare a purttorilor
majoritari de sarcin, numit strat de baraj.
Acestuia i corespunde i o barier de potenial de contact E
i
. i un cmp
electric intern orientat de la n spre p. Acest cmp electric frneaz difuzia n
continuare a purttorilor majoritari i favorizeaz circulaia purttorilor
minoritari.
n prezena barierei de potenial, intensitile curenilor care circul prin
jonciune se pot exprima, n principiu:
- curentul de electroni din zona p ctre zona n
1 1 1
n k I = ; (I.3)
- curentul de goluri din zona n ctre zona p
2 2 2
n k I = ; (I.4)
- curentul de electroni din zona n ctre zona p
kT qE
i
e n k I
/
3 3 3

= ; (I.5)
- curentul de goluri din zona p ctre zona n
kT qE
i
e n k I
/
4 4 4

= , (I.6)
n care k
1
k
4
reprezint nite constante iar n
1
n
4
sunt concentraiile
purttorilor de sarcin respectivi.
Curentul total prin jonciune va fi
( ) ( )
kT
qE
i
e n k n k n k n k I

+ + + =
4 4 3 3 2 2 1 1
, (I.7)
i care la echilibru va trebui s fie nul. Deci
( )
kT
qE
i
e n k n k n k n k

+ = +
4 4 3 3 2 2 1 1
. (I.8)
Cnd jonciunii i se aplic o tensiune exterioar n sens direct (+ la p i
la n) , nlimea barierei de potenial scade cu mrimea tensiunii aplicate,
ceea ce favorizeaz circulaia purttorilor majoritari fr a afecta circulaia
purttorilor minoritari. Curentul prin jonciune n cazul polarizrii directe se
poate scrie
Cap. I Conversia energiei solare
17
( ) ( )
( )
kT
U E q
d
i
e n k n k n k n k I

+ + + =
4 4 3 3 2 2 1 1
. (I.9)
n cazul polarizrii inverse, nlimea barierei de potenial crete, ceea ce
mpiedic circulaia purttorilor de sarcin majoritari i de asemenea nu
afecteaz circulaia purttorilor minoritari de sarcin.
Pentru polarizri inverse mari, circulaia purttorilor majoritari nceteaz,
rmnnd numai un curent invers al purttorilor minoritari, cu expresia:
2 2 1 1 0
n k n k I + = . (I.10)
innd cont de relaia (I.8), curentul prin jonciune n cazul polarizrii
directe devine:
|
|
.
|

\
|
= 1
0
kT
qU
d
e I I , (I.11)
a crei reprezentare grafic este prezentat n figura I.2 (curba 1).
n continuare, considernd jonciunea nepolarizat, dar supus unei
radiaii monocromatice, avnd cuanta de energie a fotonilor mai mare dect
limea zonei interzise E
g
, n celul se genereaz perechi de purttori de
sarcin liberi, electron-gol. Dac acestea sunt generate n zona de influen a
cmpului electric intern sau la o distan cel mult egal cu lungimea de
difuzie a purttorilor de sarcin, ei vor putea fi dirijai de ctre cmpul
electric intern astfel:
- golurile ctre regiunea p;
- electronii ctre regiunea n.
Prezena electronilor suplimentari n regiunea n i a golurilor
suplimentare n regiunea p produce o micorare a barierei de potenial cu o
cantitate egal cu tensiunea fotoelectric, analog polarizrii directe a
jonciunii aflate la ntuneric.
(2)
I
U
M
I
sc
U
M
U
0
I
M
(1)
Fig. I.2 Caracteristicile externe
pentru homojonciunea p-n
polarizat direct (1) i luminat (2).
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
18
Ca urmare, prin jonciune va trece curentul de diod ntr-un sens i
curentul de iluminare n sens contrar, astfel nct curentul total n acest
regim va fi:
L
kT
qU
t
I e I I
|
|
.
|

\
|
= 1
0
. (I.10)
n aceast expresie, U este tensiunea fotoelectric, care se stabilete la
bornele celulei, polariznd-o n sens direct. n cazul ideal, valoarea maxim
a acesteia (la mersul n gol) ar corespunde dispariiei totale a barierei de
potenial, iar tensiunea de mers n gol ar fi cu att mai mare cu ct doparea
semiconductorului ar fi mai mare. n realitate, n toate cazurile U
0
<E
g
i n
cele mai bune situaii U
0
=2/3E
g
. Aceasta se ntmpl din cauz c, la dopri
prea mari, curentul invers crete pe seama efectului tunel.
Din expresia curentului (I.12) rezult c, n regim de iluminare,
caracteristica I-U a fotocelulei se obine deplasnd n jos caracteristica
diodei polarizate direct la ntuneric cu mrimea I
L
(fig. I.2 curba 2).
Apare astfel n cadranul IV o poriune a caracteristicii pentru care
P=UI<0 ceea ce, conform conveniei din termodinamic, nseamn c
celula este generatoare de energie.
Pe baza expresiei (I.12) se poate stabili schema echivalent a unei
fotocelule, ca n figura I.3.
Schema cuprinde o surs de curent constant I
L
(pentru o iluminare
constant), care debiteaz pe rezistena neliniar a jonciunii p-n , polarizat
direct i pe rezistena de sarcin R.
Se poate observa c la scurtcircuit (U=0)
L sc
I I = . (I.13)
De obicei acest curent este direct proporional cu intensitatea radiaiei
incidente.
Tensiunea de mers n gol (pentru I
t
=0), se poate calcula din relaia (I.12):
|
|
.
|

\
|
+ = 1 ln
0
0
I
I
q
kT
U
L
. (I.14)
Aceast relaie ne arat c tensiunea de mers n gol variaz logaritmic cu
intensitatea radiaiei incidente, avnd o tendin de saturare.
Puterea debitat de celul se exprim prin aria dreptunghiului haurat din
figura I.2, corespunztor punctului de funcionare. Exist un punct unde
aceast arie este maxim.
Cap. I Conversia energiei solare
19
I.4 Tipuri de fotocelule [9]
A. Fotocelule cu siliciu cristalin.
Germaniul nu se folosete la realizarea fotocelulelor din cauza slabei sale
rezistene la temperaturi ridicate.
Siliciul domin piaa mondial a celulelor fotovoltaice ( peste 50%), din
cel puin trei motive: stabilitate funcional i randamente bune, tehnologii
bine puse la punct n alte domenii ale electronicii, el fiind i unul din cele
mai abundente materiale din natur. Tehnologiile actuale utilizeaz siliciul
sub trei forme: monocristal, policristalin i amorf hidrogenat. Dezavantajul
major al acestor tipuri de fotocelule este costul nc ridicat.
Tehnologia cu siliciu monocristalin tipic are trei etape distincte:
producerea plachetei (40% din cost), producerea celulei (40% din cost),
asamblarea i ncapsularea (20%).
n prima etap, nisipul sau cuarul este transformat n siliciu de grad
metalurgic (99% puritate). Materialul este purificat n continuare n siliciu
de grad semiconductor. Dup purificare siliciul este topit, se dopeaz
corespunztor i este tras apoi n monocristal. Materialul este tiat apoi n
plachete de 0.3 mm grosime, ce se polizeaz pentru ndeprtarea defectelor
de tiere. In etapa de producere a celulei, placheta se dopeaz din nou pentru
a forma o ptur superficial de conductivitate opus plachetei de baz. Se
ataeaz apoi contactele metalice pe cele dou fee i adugarea unui strat
antireflectant pe faa luminat definitiveaz celula. Celulele sunt apoi
interconectate i ncapsulate transparent sticl sau plastic.
Pentru reducerea costurilor se admite un nivel de purificare intermediar
ntre siliciul metalurgic i cel semiconductor i anume siliciul de tip solar,
nivel care nu afecteaz semnificativ randamentul celulei solare.
S-a dezvoltat o tehnologie de producere a unei panglici de siliciu
monocristalin, obinndu-se siliciu de grad solar, eliminnd etapele de tiere
i polizare. Panglica se obine prin ridicarea siliciului n stare topit prin
efect capilar ntr-o matri din grafit cu fant dreptunghiular (firma Mobile
Tyco-SUA).
Renunarea complet la siliciul monocristalin n favoarea celui
I
L I
t
I
d
R
Fig. I.3 Schema echivalent a
unei fotocelule.
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
20
policristalin antreneaz o scdere considerabil a preurilor, dei
randamentul este mai slab. Aceast soluie a gsit cea mai mare rspndire
n momentul de fa, mari productori ca ARCO-SUA, AEG-Germania,
Kyocera-Japonia utiliznd-o exclusiv. Siliciul de grad solar se toarn n
lingouri paralelipipedice urmat de tierea i prelucrarea mecanic. Doparea
final a plachetelor se face prin difuzie din faz gazoas sau solid i prin
implantare ionic cu atomi de fosfor (placheta fiind de tip p). Difuzia din
stare gazoas nu este recomandat deoarece se dopeaz plachetele pe
ambele fee i o jonciune va trebui nlturat. Difuzia din stare solid se
face prin depunere chimic din stare de vapori (CVD), pulverizare i
serigrafiere.
Cea mai utilizat este tehnologia prin serigrafiere. O past cu fosfor este
ntinde pe plachet printr-o sit serigrafic. apoi plachetele sunt arse la
900C ntr-un cuptor tunel, sunt corodate i se obine jonciunea.
Implantarea ionic produce o dopare foarte bine controlat, dar
echipamentul este cam scump i nu se justific pentru celule solare, care nu
au cerine deosebite privind controlul doprii.
n figura I.4 este prezentat structura unei celule fotoelectrice normale cu
siliciu cristalin.
Exist un mare numr de variante constructive.
B. Fotocelule cu siliciu amorf hidrogenat (a-Si:H)
Din cauza ordinii structurale, siliciul monocristalin (c-Si), are benzi de
conducie i de valen clar delimitate, n care purttorii de sarcin au
mobiliti mari, deci este un semiconductor cu proprieti controlabile prin
dopare controlat.
Nu acelai lucru se poate spune despre siliciul amorf pur (a-Si). Acesta,
din cauza dezordinii structurale, are muli atomi cu legturi rupte. Acestea
fac ca s existe un numr mare de stri energetice, iar purttorii de sarcin
difuzie n
+
Si-p
Contact gril
gril
strat
antireflectant
contact
posterior
Fig. I.4 Structura
unei celule normale cu
siliciu.
Cap. I Conversia energiei solare
21
s posede mobiliti sczute. Toate acestea fac imposibil controlarea prin
dopare a tipului de conducie i n final conduc la o fotoconducie
neglijabil.
Dac, prin procesul de preparare al siliciului amorf, n acesta se
incorporeaz i hidrogen, rezult siliciul amorf hidrogenat (a-Si:H), care
este de fapt un aliaj siliciu-hidrogen cu hidrogen n proporie de pn la
30%. Circa 1% din acest hidrogen compenseaz majoritatea legturilor rupte
din atomii de siliciu ai reelei dezordonate, iar restul hidrogenului realizeaz
legturi siliciu-hidrogen care relaxeaz n continuare tensiunile i abaterile
de la ordinea local, impuse de necesitatea interconectrii atomilor ntr-o
reea care rmne totui dezordonat. n final, numrul de stri energetice se
reduce i se obine un semiconductor amorf cu proprieti asemntoare
celui cristalin i care are proprieti fotovoltaice controlabile prin dopare
controlat.
Cea mai utilizat metod de preparare a a-Si:H este metoda descrcrii
luminescente sau GD (glow discharge) ntr-o atmosfer de silan-SiH
4
, un
compus gazos al siliciului (fig. I.5).
Stratul de a-Si:H se depune pe un suport din sticl, metal sau chiar
plastic, plasat ntr-un reactor de depunere. n reactor, racordat la o instalaie
de vidare, se introduce un debit controlat de SiH
4
, n care se amorseaz o
descrcare electric luminescent prin aplicarea unei tensiuni de
~
S
i
H
4
P
H
3
B
2
H
3
Reactor
de
depunere
G
e
n
e
r
a
t
o
r

R
F
Suport
Vid
Butelii
Control debit
Fig. I.5 Instalaie de depunere a siliciului amorf hidrogenat (a-Si:H) prin descrcare
luminescent n plasm de silan
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
22
radiofrecven. n plasma descrcrii , SiH
4
se descompune n grupuri SiH
3
, SiH
2
, SiH, pe suport depunndu-se n final un strat de a-Si:H.
Acesta este un semiconductor cvasi intrinsec cu un slab caracter n.
Proprietile stratului se controleaz prin temperatura suportului, debitul i
presiunea gazului i tensiunea de radiofrecven aplicat.
Straturi de a-Si:H cu dopare controlat se obin cu mici adaosuri de
fosfin (PH
3
-dopare n) sau diboran (B
2
H
7
-dopare p), procente de debit n
general sub 1% din debitul de silan.
Avantajele tehnologice i economice sunt evidente: prin controlul simplu
al duratei de depunere i al debitelor se pot realiza n mod controlat, pe
supori ieftini, structuri complexe p-n, p-i-n, p-p
+
etc., din compui gazoi
ai siliciului i la temperaturi sczute (300C).
n figura I.6 se prezint structura unei fotocelule cu siliciu amorf
hidrogenat.
Aceste celule au lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin foarte
redus i efectul fotovoltaic ar fi neglijabil dac siliciul amorf nu ar avea un
coeficient de absorbie a radiaiilor solare mult mai bun (cu un ordin de
mrime) dect cel cristalin. Rezult c sunt necesare grosimi de civa
microni fa de sute de microni la cele cu siliciu cristalin . Din acest motiv
un strat suplimentar de circa 0.7 m de tip i, adic cu conducie intrinsec,
este binevenit, aceast regiune devenind regiune de barier cu cmp electric
ridicat.
Firma Sanyo a introdus dou inovaii importante:
- realizarea stratului frontal p sub form de fereastr din a-SiC:H (prin
introducerea de metan n reactor), jonciunea p-i-n devenind o
heterojonciune;
- depunerea diverselor straturi ale structurii p-i-n se efectueaz n
reactoare cu camere diferite pentru evitarea contaminrii, n special
contaminarea cu bor a stratului intrinsec.
Se realizeaz astzi celule solare cu structuri de homo i heterojonciune
contact frontal
semitransparent
contact spate
n
p
i
Fig. I.6 Celul fotovoltaic
cu siliciu amorf hidrogenat i
structur p i n.
Cap. I Conversia energiei solare
23
p-i-n , pe suport de sticl cu electrod transparent conductor de SnO (oxid de
staniu), sau ITO (indium tin oxide), oel inoxidabil sau chiar plastic, care
alimenteaz de la lumin ceasuri electronice, calculatoare portabile, radiouri
i televizoare.
ntre firmele implicate se citeaz: Sanyo, Sharp, Mitsubishi, Fuji Electric
n Japonia, ECD, RCA n SUA i Siemens n Germania. i n Romnia s-au
realizat astfel de celule solare la IFTM i ICCE Bucureti ncepnd din
1980.
C. Celule solare pe baz de CdS
Aceste celule solare sunt de tipul heterojonciune obinute n tehnologie
cu straturi subiri policristaline. Stratul de baz (stratul n) este ntotdeauna
sulfura de cadmiu CdS, dar stratul p poate fi realizat n mai multe moduri:
din sulfur de cupru Cu
2
S, telurur de cadmiu CdTe sau CuInSe
2
.
Exist mai multe tehnologii de realizare a acestor celule solare: metoda
pulverizrii pirolitice din soluie (spray), metoda evaporrii termice n vid i
metoda serigrafic. Metoda evaporrii n vid, se pare c este cea mai folosit
i va fi prezentat n continuare.
Tehnologia evaporrii n vid este bine cunoscut, fiind folosit pe scar
larg n industria dispozitivelor semiconductoare, deci este accesibil
ntreaga gam de utilaje necesare.
Celulele CdS-Cu
2
S au intrat n atenia cercettorilor deoarece pot fi
obinute cu straturi subiri policristaline, deci consum redus de materiale
semiconductoare i cu tehnologii de mare serie.
O asemenea asociere a fost determinat de doi factori:
- sulfura cuproas, care este semiconductorul cu banda interzis
ngust i n care are loc absorbia celei mai mari pri din lumina
spectrului solar, nu poate fi obinut dect sub form de
semiconductor de tip p, i ca atare s-a ales un alt semiconductor de
tip n avnd proprieti ale reelei potrivite cu ale ei;
- sulfura cuproas poate fi obinut printr-o reacie chimic direct pe
stratul de CdS.
Exist dou tipuri posibile de structuri: cu iluminarea jonciunii dinspre
partea de CdS i cu iluminarea dinspre partea de Cu
2
S. Ultima soluie este
cea mai folosit deoarece permite folosirea unor benzi metalice
netransparente n calitate de contacte la stratul de CdS.
O asemenea structur este prezentat n figura I.7.
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
24
n calitate de substraturi se folosesc n special plci de sticl ordinar sau
folii subiri de cupru (0.035 mm). n primul caz, n calitate de contact
reflectant se utilizeaz un strat de argint obinut prin evaporare n vid. n al
doilea caz folia de cupru este zincat i ca urmare a tratamentelor termice
rezult un strat de alam care este reflectant, zincul din compoziia ei
asigurnd contactul ohmic la CdS.
Pulberea presat de CdS este nclzit indirect ntr-un creuzet de cuar, n
vid, de la un nclzitor de grafit. Substratul este nclzit tot indirect n
aceeai incint vidat pn la 200C. Viteza de evaporare asigur o
depunere de circa 1m/min. Se depune un strat de 15-30m.
Stratul de Cu
2
S se obine prin reacia chimic a sulfurii de cadmiu cu o
clorur cuproas n aa fel nct atomii de Cu i nlocuiesc pe cei de Cd n
matricea cristalin a sulfurii de cadmiu. Acest proces poart denumirea de
topotaxie. El se realizeaz fie prin scufundarea (dipping) stratului de CdS
ntr-o soluie de CuCl la 99C fie prin depunerea n vid a unui strat de CuCl
urmat de un tratament termic de reacie.
D. Celule solare din GaAs
Utilizarea acestui tip de semiconductor la realizarea celulelor solare ar
avea , n raport cu siliciul, urmtoarele avantaje:
- este cel mai eficient material semiconductor n conversia energiei
solare n energie electric prin fenomene fotovoltaice (eficien
maxim 26%);
- poate funciona la temperaturi superioare siliciului, permind
realizarea de celule solare cu concentrarea 1000 fa de concentrarea
100 ct permit cele de siliciu;
- coeficient de absorbie mai ridicat, ceea ce permite folosirea
strat ncapsulant
gril contact electric la Cu
2
S
stratul Cu
2
S
stratul CdS
contact electric la
CdS (reflectant)
substrat
strat antireflectant de SiO
Fig. I.7 Celul solar CdS-Cu
2
S obinut prin metoda evaporrii n vid.
Cap. I Conversia energiei solare
25
structurilor foarte subiri.
Ele au i dezavantaje, din care cauz nc nu au cunoscut o mare
rspndire. Astfel, acest material semiconductor este mai scump de vreo 10
ori dect siliciul. Tehnologia de realizare a acestor fotocelule este cea a
creterii epitaxiale, care de asemenea este mai scump de circa 10 ori dect
celelalte tehnologii utilizate n cazul siliciului.
innd cont i de avantaje i de dezavantaje, cele dou direcii sunt
comparabile ntre ele, aa c multe firme din lume produc astfel de celule. O
structur tipic este prezentat n figura I.8.
Straturile se obin prin cretere epitaxial. Stratul p are trei substraturi.
Stratul AlGaAs-p acioneaz ca un contact aproape transparent pentru
stratul p, iar ultimul strat GaAs-p are rolul de a asigura valori reduse pentru
rezistena de contact metal-semiconductor.
i n Romnia s-au realizat n trecut astfel de celule la IFTM Bucureti,
ncapsulate n capsule de tranzistoare de putere tip TO3, capabile s produc
3.4 W la o concentrare a radiaiei solare de 500.
I.5 Efectul de ser [1-4]
Energia degajat prin reaciile nucleare de fuziune n interiorul Soarelui,
menin la suprafaa lui o temperatur de circa 6000 K. Aceast temperatur nalt
conduce la ideea c soarele radiaz energie nu numai n infrarou (IR), sau n
spectrul vizibil, dar i n ultraviolet (UV).
Energia radiat se schimb foarte puin n cele 8 minute ct cltorete de
la suprafaa Soarelui la Pmnt. Pmntul recepioneaz o extrem de mic parte din
energia radiat de soare. Dar chiar i din aceast energie recepiont, circa 30%
este imediat reflectat napoi in spaiu. Apoximativ 2/3 este absorbit de atmosfer,
SnPb
In
GaAs-p
Ni, Au, Zn
Al
0.8
Ga
0.2
As-p
GaAs-p
GaAs-n
GaAs-substrat
Ni,Au,Ge
In
Cu
Fig. I.8 Structura tipic a unei celule cu strat fereastr din AlGaAs.
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
26
sol i apa mrilor i oceanelor. Ca rezultat, totul devine mai cald. A treia parte este
coninut n apa evaporat. Numai 0.03% este utilizat de fotosinteza plantelor la
suprafa i a fitoplanctonului n stratul superior de ap al oceanelor.
O parte din energia care menine cald suprafaa Planetei vine din miezul
cald al Pmntului, dar emisia primit de la soare are o mai mare contribuie.
Ca orice corp cald, suprafaa pmntului radiaz n infrarou (IR). Aceast
energie radiat este pierdut de Pamnt n spaiu. Un echilibru se obine atunci
cnd suprafaa pmntului pierde energie la fel de repede cum o absoarbe.
Temperatura medie a suprafeei Pmntului este de 12 C mediat peste zi i
noapte pe parcusul unui an.
Presiunea atmosferic scade cu altitudinea, valoarea pe vrful Everest
(aproape 9 km) este n jur de 1/5 din cea de la nivelul mrii.
Temperatura medie a atmosferei scade cu altitudinea pn aproximativ pe
la 20 Km, dup care ncepe s creasc din nou. Partea din atmosfer sub 15 Km
este cunoscut ca troposfer iar partea din atmosfer dintre 15 Km i 50 Km este
cunoscut sub numele de stratosfer.
Lumina solar pierde mult din radiaiile de lungime de und scurte
(radiaiile ultra violete de nalt energie), la trecerea prin stratosfer. Aceasta,
deoarece radiaia UV poate sparge moleculele de oxigen n atomi de oxigen care se
unesc cu alte molecule de oxigen formnd ozonul. Ozonul este un foarte bun
absorbant de ultraviolete (UV) i ne protejeaz prin filtrarea acestei radiaii
(radiaiile UV ne pot produce cancer de piele).
Ultravioletele (UV) de nalt energie pot afecta i alte lucruri vii: ca
plantele i fitoplanctonul nct pot opri fotosinteza i ntrerupe ciclul carbonului n
natur.
Din pcate, moleculele fabricate de om pe baz de clor n special cloro-
fluoro-carbonul (CFC) au difuzat ncet spre stratosfer unde sub influena razelor
de soare distrug ozonul mai repede dect se formeaz. Acest fenomen a fost prezis
n 1970 i a fost observat clar n Antarctica i n alte locuri din 1985 ncoace.
Restricii privind utilizarea CFC au fost repede impuse, dar vor trebui s
treac muli ani pentru a deveni eficiente.
Problema ozonului a fost prima demonstraie real c activitatea uman pe
o anumit parte a Planetei poate avea consecine pe ntregul Pmnt, pentru toi cei
care triesc pe el.
Trecnd prin atmosfer lumina solar pierde mult din componena sa IR.
Aceasta se datoreaz faptului c vibraiile n moleculele de CO
2
i ap au aceeai
frecven ca radiaiile infraroii (IR) i astfel le absorb energia. Aceste molecule se
ciocnesc cu alte molecule din atmosfer, transfernd o parte din energia lor
acestora din urm. Atmosfera, prin urmare se nclzete. Dup un timp ele ating
Pmntul, dar cu componentele IR i UV bine filtrate, adic cu o componen
majoritar n spectrul vizibil.
Suprafaa Pmntului, nclzit de energia solar reemite radiaii infraroii
Cap. I Conversia energiei solare
27
(IR). Acestea din nou sunt absorbite de moleculele de ap i bioxid de carbon, aa
nct atmosfera se mai nclzete.
Efectul este similar cu ceea ce se intmpl ntr-o ser. Lumina solar poate
trece prin sticl, dar radiaiile infraroii emise de solul nclzit nu pot trece din nou
prin sticl aa nct interiorul serei se nclzete din nou.
S-a calculat c efectul de ser de pe Pmnt, menine temperatura la
suprafa cu 33 C mai cald dect ar fi fr efectul de ser. Acesta este evident un
lucru bun. Totui o cretere semnificativ a gazelor de ser n atmosfer (bioxidul
de carbon CO
2
, apa H
2
O, metanul CH
4
, oxidul de azot N
2
O i CFC-urile) conduc la
creterea temperaturii. Aceasta va conduce la o i mai mare evaporare de ap, mai
mult metan se va elibera prin topirea gheurilor din nordul Canadei i Siberia.
Aceasta va forma o bucl cu reacie pozitiv.
Cap. I Conversia energiei solare
27
L1 EFECTUL DE SER
1.1 Scopul lucrrii [1-4]
Studenii vor afla cum inseria unei benzi de hrtie neagr va crete
considerabil viteza de cretere a temperaturii ntr-un vas de sticl, toate
condiiile de experimentare fiind meninute constante.
Obiectivele lucrrii :
natura efectului de ser;
impactul activitii umane asupra mediului;
relaia efectului de ser cu procesele industriale.
Aparatura necesar :
Lamp de 60 W sau 100 W;
Vas cilindric de sticl, aproximativ H=15cm, D=7.5cm;
Hrtie neagr;
Carton;
Foarfece;
Termometru -10
o
C.... +110
o
C;
Hrtie A4;
Creion.
1.2 Instruciuni de experimentare
Se realizeaz montajul din figura 1.1.
Se efectueaz urmtoarele operaii:
Se taie o pies de carton care s acoperee vasul de sticl i s-l
depeasc cam cu 1 cm de jur mprejur;
n centrul piesei de carton se face un mic orificiu rotund. El trebuie
s fixeze strns termometrul. Se introduce termometrul n acest
orificiu aa nct bulbul termometrului s se afle aproximativ cu 5
cm sub carton si la 10 cm de baz;
Facei cu un creion dou semne pe o hrtie A4, aproximativ la 10-
15 cm distan ntre ele;
Punei lampa aa nct becul s se afle deasupra unuia din semne i
aproximativ 10 cm deasupra hrtiei A4, ndreptat spre cellalt semn;
Punei vasul de sticl deasupra celuilalt semn i puneti cartonul cu
termometrul pe vasul de sticl aa nct termometrul sa fie plasat n
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
28
centrul vasului de sticl;
Puneti lampa n funciune i nregistrai temperatura n fiecare
minut timp de 10 minute;
ndeprtai cartonul cu termometrul i lsai termometrul i vasul
s se rceasc la temperatura camerei sau utilizai un alt vas sau
termometru indentic;
Tiai o band de hrtie neagr de nlimea vasului i de lime
aproximativ o treime din diametru;
Introducei aceast band sub carton i presai-o cu degetele pe
peretele vasului opus lmpii;
Utiliznd aceleai semne repetai experiena i nregistrai din nou
temperatura;
Completai tabelele de mai jos i reprezentai i grafic la scar pe
acelai grafic variaia temperaturii cu timpul n cele 2 cazuri.
Acestea trebuie s arate ca n figura 1.2.
Tabelul 1.1 Rezultatele msuratorilor fr hrtie neagr n vas.
Timpul/min
Temperatura/C
Tabelul 1.2 Rezultatele msuratorilor cu hrtie neagr n vas.
Timpul/min
Temperatura/C
1
0

c
m
10-15cm
Fig. 1.1. Stand pentru investigarea efectului de ser.
Cap. I Conversia energiei solare
29
1.3 Interpretare
O parte din radiaia lmpii este reflectat de sticl i o parte trece prin
sticl. Sticla i aerul din ea se nclzete treptat. Efectul de ser depinde de o
suprafa care absoarbe radiaia vizibil i radiaz n infrarou.
Radiaia vizibil poate trece prin sticl dar radiaia infrarou nu poate
trece, aa nct n interiorul vasului de sticl (sau serei) temperatura crete
repede, se acumuleaz.
Hrtia neagr absoarbe radiaia vizibil i emite radiaii n infrarosu.
1.4 Concluzii
Se va interpreta forma curbelor de temperatur.
Se va interpreta diferenele dintre cele dou curbe.
Cu acest dispozitiv s-ar putea studia efectul de ser i utiliznd razele de
soare n locul lmpii, atunci cnd e un timp nsorit.
Se vor trage concluzii referitoare la impactul activitilor umane asupra
mediului i la relaia efectului de ser asupra activitilor industriale. Cum
are loc efectul de ser pe Pmnt? Care sunt gazele de ser responsabile
pentru inclzirea global a Pmntului ?
n 1996 erau n funciune 634 milioane de autovehicule n lume. Ele
emiteau 3.7 miliarde tone de bioxid de carbon pe an. Temperatura medie pe
glob e cu 2
o
C mai mare dect la nceputul revoluiei industriale n secolul
18.
Timpul [min]
Fig. 1.2. Curbele temperaturii n timpul nclzirii.
T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

[

C
]
Cu hrtie neagr
Fr hrtie neagr
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
30
L2 STUDIUL CARACTERISTICII DE DIOD A UNEI
CELULE SOLARE
2.1 Scopul lucrrii [1-4]
Studenii vor nva cum s ridice caracteristica de funcionare I(U)
pentru un modul solar plasat n ntuneric i vor afla c aceast caracteristic
este identic cu caracteristica unei diode.
Obiective de nvat:
- care este forma unei caracteristici de funcionare a unui modul
solar plasat n ntuneric;
- care este tensiunea maxim necesar unei celule fotovoltaice
pentru a intra n conducie, se va ine seam c modulul nostru
solar este format din 5 celule nseriate, adic n jur de 0.6V, ca la
orice diod din siliciu.
Aparatura necesar:
- modul solar;
- fire de legtur;
- 3 baterii de 1.5 V;
- carton negru;
- modul de msur.
2.2 Instruciuni de experimentare
n figura 2.1 se prezint montajul ce trebuie realizat n vederea
experimentrii.
Se vor executa urmtoarele operaii:
- se va realiza montajul din figura 2.1;
- se acoper modulul solar cu un carton negru;
- se asigur conectarea modulului solar la baterii prin rezistorul de
sarcin, astfel nct s se respecte polarizarea direct a modulului
solar, adic terminalul pozitiv de la baterii la terminalul pozitiv
de la modulul solar;
- prin modificarea valorii rezistorului de sarcin, se regleaz
tensiunea aplicat modulului solar n trepte de 0.5V ntre 0 i
Cap. I Conversia energiei solare
31
2.5V, apoi n trepte de 0.2V, ntre 2.5 i 3.5V. Tensiunea aplicat
modulului, nu trebuie s depeasc sub nici un motiv 3.5V,
deoarece poate distruge modulul solar;
- se completeaz tabelul 2.1;
- se deseneaz la scar caracteristica I(U), caracteristica de
ntuneric a modulului solar, similar cu figura 2.2;
- Comentai n scris forma acestei curbe;
- Explicai ce semnificaie are p i n de la o jonciune p-n.
Tabelul 2.1 Rezultate msurtori.
Rezistena/
Tensiunea/V Curentul/mA Puterea/W
I(mA)
U(V)
Fig. 2.2. Curba de ntuneric I(U) a unei celule solare
+
+
Voltmetru
Fig. 2.1. Stand pentru ridicarea caracteristicii de ntuneric a unui panou solar.
Ampermetru
Modul solar
A
0...3.5V
V
-
-
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
32
2.3 Interpretarea rezultatelor
Caracteristica de ntuneric a unui modul solar corespunde caracteristicii
I(U) a unei diode.
Dioda cu jonciunea p-n are un strat de barier fr sarcini mobile care
nu las s treac curentul continuu prin ea. La polarizare direct, prin
aplicarea unei tensiuni externe, acest strat va avea grosimea tot mai mic,
pn dispare i cnd dioda intr n conducie. De pe caracteristic se poate
vedea c pentru a depi bariera de potenial este nevoie de o tensiune de
polarizare direct de aproximativ 0.6V, numit tensiune de prag. La
msurtori, valoarea obinut se va mpri la 5, numrul celulelor solare
nseriate n modul.
Cap. I Conversia energiei solare
33
L3 STUDIUL DEPENDENEI FOTOCURENTULUI
FA DE DISTANA LA SURSA DE RADIAIE
3.1 Scopul lucrrii [1-4]
Studenii vor descoperi dependena curentului i tensiunii generate cu
distana dintre celula solar i sursa de lumin. Ei vor afia aceast
dependen grafic la scar.
Obiective:
- Aflarea c celulele solare genereaz electricitate cnd sunt expuse
la lumin;
- Stabilirea dependenei curentului generat de intensitatea sursei de
lumin;
- Stabilirea c intensitatea luminoas variaz direct proporional cu
inversul ptratului distanei fa de sursa de lumin.
Aparatura utilizat:
- Modul solar;
- Modul sarcin;
- Fire de legtur;
- Lamp 100-150W;
- Rigl.
3.2 Instruciuni de experimentare
n figura 3.1 se prezint montajul ce trebuie realizat n vederea
experimentrii.
Se vor executa urmtorele operaii:
- Se realizeaz montajul de mai sus;
- Se regleaz distana dintre sursa de lumin i modulul solar i se
msor fotocurentul la diferite distane (din 10 cm n 10 cm ntre
10 cm i 100 cm);
- Ateapt pn modulul solar ajunge la o temperatur stabilizat,
nainte de a ncepe experimentele;
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
34
Se completeaz tabelul 3.1.
- Se deseneaz la scar dependena dintre curent i distana d,
aceast dependen trebuie s arate ca n figura 3.2;
- Se deseneaz la scar i dependena dintre curent i 1/d
2
, aceast
dependen trebuie s arate ca n figura 3.3;
- Se comenteaz caracterul de linie dreapt a acestui din urm
grafic.
Tabelul 3.1 Dependena de distan.
d/cm
Curentul/mA
1/d
2
c[cm
2
2.3 Interpretarea rezultatelor
Puterea debitat de modulul solar este direct determinat de condiiile de
iradiaie.
Experimentul ne permite s apreciem dependena fotocurentului de
distana fa de sursa de radiaie.
d
A
Modul solar
Ampermetru
Lamp
Fig. 3.1. Montajul de msur a fotocurentului
Cap. I Conversia energiei solare
35
Experimentul ne arat c fotocurentul modulului solar scade cu distana
fa de sursa de radiaie. Aceast dependen este descris de legile radiaiei.
Din al doilea grafic se poate vedea c fotocurentul modulului solar este
direct proporional cu ptratul distanei fa de sursa de lumin (I~1/d
2
).
Acest dependen corespunde cu legea radiaiei din fizic, care este n
legtur cu teoria difuziei luminii.
I(mA
d[cm]
m]
Fig. 3.2. Dependena fotocurentului
de distan
I(mA
1/d
2
[1/cm
2
]
Fig. 3.3. Dependena fotocurentului
fa de 1/d
2
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
36
L4 STUDIUL DEPENDENEI FOTOCURENTULUI
FA DE UNGHIUL DE INCIDEN AL SURSEI DE
RADIAIE
4.1 Scopul lucrrii [1-4]
Studenii vor descoperi c variind unghiu de inciden al sursei de
radiaie va fi afectat curentul i tensiunea generat. Se vor afia grafic la
scar datele msurate.
Obiectivele nvrii
- Se va afla c modulele solare genereaz electricitate cnd sunt
expuse la lumin;
- Se va afla c unghiul de inciden al radiaiilor afecteaz
fotocurentul generat;
- Se va afla c exist o dependen direct proporional ntre
cosinusul unghiului de nclinare i fotocurentul generat.
Aparatura necesar:
- Modul solar;
- Cutia de sarcini;
- Conductoare de legtur;
- Ampermetru;
- Lamp 100W.
4.2 Instruciuni de experimentare
n figura 4.1 se prezint montajul ce trebuie realizat n vederea
experimentrii.
Se vor executa urmtoarele operaii:
- Se realizeaz montajul de mai sus;
- Se va poziiona comutatorul cutiei de sarcini pe poziia
scurtcircuit;
- Se alege o distan ntre modul i surs, de exemplu 20 cm i se
regleaz unghiul de inciden la 0
0
.
Cap. I Conversia energiei solare
37
- Unghiul de inciden poate fi variat prin rotirea modulului solar.
Se msoar fotocurentul la diferite unghiuri ntre 0
0
i 90
0
, att
spre stnga ct i spre dreapta.
Fig. 4.1. Stand pentru studiul dependenei fotocurentului fa de unghiul de inciden al
sursei de lumin.
Tabelul 4.1 Dependena de unghiul de inciden .
a/
0
0 30 60 90 -60 -30
Curentul/mA
Evaluare:
- Se deseneaz la scar dependena I: i I:cos;
- Ce ne arat aceast dependen i ce efect are ea n aplicaii
practice.
4.3 Interpretarea rezultatelor
Puterea generat de modulul solar este direct determinat de condiiile
de iradiere.
Se poate constata c fotocurentul este maxim cnd lumina cade pe
modulul solar perpendicular.
De asemenea se poate vedea c fotocurentul generat este direct
proporional cu cosinusul unghiului de inciden.
A
Ampermetru
Modul solar
Lamp
Cutia cu sarcini
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
38
Relaia funcional de mai sus corespunde legilor radiaiei din fizic,
care sunt legate de teoria difuziei luminii.
Dependena fotocurentului de unghiul de inciden este crucial pentru
practicieni cnd acetia utilizeaz modulele solare.
n acest context unghiul solar la diferite latitudini este un factor
important cnd calculm orientarea sistemelor fotovoltaice.
De exemplu, unghiul maxim al modulului (la ora 12 vara) n centru
Europei (latitudine 48
0
) variaz ntre 65.5
0
la 21 Iunie i 18.5
0
la 21
Decembrie.
Cnd instalm i aliniem panouri solare mari, un calcul al unghiului n
funcie de latitudine este de o mare importan.
Orientnd modulul solar spre sud (de exemplu pe acoperiul unei case)
se pare c e cel mai favorabil, deoarece primete radiaia solar i dimineaa
i dup masa.
Dac nu exist posibilitatea de reglare sezonier a acestui unghi, atunci
se recomand, orientarea spre sud cu un unghi fa de orizont de circa 40-
60
0
.
Cap. I Conversia energiei solare
39
L5 STUDIUL PUNCTULUI OPTIM DE
FUNCIONARE AL UNEI CELULE SOLARE
5.1 Scopul lucrrii [1-4]
Studenii vor nva cum s ridice caracteristica de funcionare I(U) i
P(U) pentru un modul solar. De aici pot determina cte astfel de module
sunt necesare pentru o cas tipic din Europa.
Obiective de nvat:
- care este forma unei caracteristici de funcionare a unui modul
solar;
- care este tensiunea maxim generat de un modul solar;
- care este punctul optim de funcionare al unui modul solar, i
care sunt parametrii caracteristici de funcionare (I, U i P);
- cum se calculeaz necesarul de module solare pentru o cas
tipic.
Aparatura necesar:
- modul solar;
- fire de legtur;
- modul de sarcini;
- modul de msur;
- lamp.
5.2 Instruciuni de experimentare
n figura 5.1 se prezint montajul ce trebuie realizat n vederea
experimentrii.
Se vor executa urmtoarele operaii:
- se va realiza montajul din figura 5.1;
- se regleaz rezistorul R la 100 ;
- se ilumineaz modulul solar cu o lamp pus la o distan de 20
cm fa de modul, curentul trebuie s fie n jur de 200 mA;
- se ateapt 5 minute pn modulul se nclzete i i se
stabilizeaz temperatura;
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
40
- se modific rezistena R pn la 0 i se noteaz ntr-un tabel
curentul i tensiunea generat;
- se deseneaz la scar caracteristica I(U), similar cu figura 5.2;
- se calculeaz puterea cu formula P=U*I i se completeaz tabelul
5.1;
- se deseneaz la scar caracteristica P(U), similar cu figura 5.3 i
se stabilete punctul optim de funcionare, adic unde puterea
generat este maxim;
- Comentai n scris forma acestor curbe;
- Rspundei la ntrebarea: Care este semnificaia punctului de
putere maxim din caracteristica P(U)?
Tabelul 5.1 Rezultate msurtori.
Rezistena/
Tensiunea/V Curentul/mA Puterea/W
Voltmetru
Lamp
Ampermetru
Modul solar
A
Cutia cu sarcini
V
R
Fig. 5.1. Stand pentru ridicarea caracteristicii de funcionare a unui panou solar.
Cap. I Conversia energiei solare
41
5.3 Interpretarea rezultatelor
n timpul experimentelor, lampa a fost pus aproximativ la 20 cm fa de
celulele solare. Vom avea grij s nu fie micat din aceast poziie n
timpul experimentelor.
Analiznd curbele din figurile 5.2 i 5.3 se poate constata c punctul
optim de funcionare este la curba I(U) la cotul acestei curbe.
Dac vom dori s realizm o anumit putere generat, va trebui s
conectm n serie i n paralel mai multe module. Prin conectarea n serie a
dou module, tensiunea obinut este suma tensiunilor celor 2 module, iar
curentul este acelai. Prin conectarea n paralel, tensiunea rmne aceai i
se nsumeaz curenii.
n aplicaii practice puterea consumat de sarcin este factorul
determinant n stabilirea necesarului de celule solare i cum se conecteaz
ntre ele pentru a forma un modul solar. Puterea consumat de sarcin
trebuie s fie apropiat de puterea maxim generat (n punctul de optim).
I(mA)
U(V)
Fig. 5.2. Curba I(U) a unei celue solare
P(mW)
U(V)
Fig. 5.3. Curba P(U) a unei celue solare
Conversia Energiei ndrumtor de Laborator
42
5.4 Aplicaie
A1
Urmtoarele sarcini urmeaz s fie conectate la instalaia fotovoltaic:
- Lampa (200 mA, 24 V);
- Modul de euromobil cu motor (400 mA, 3 V);
- Rezisten 24 W, 24 V.
Stabilii numrul de module solare necesare a acestor sarcini.
A2
O familie de 4 persoane utilizeaz 4500 kWh pe an, energie electric.
Celulele solare pot da 100kWh/m
2
energie electric pe an, n acea zon.
Calculai ci m
2
de celule solare sunt necesare i cum vor fi conectate
celulele n serie sau paralel pentru a asigura o tensiune continu de 24Vcc.