11.

CONVERSIA FOTOVOLTAIC A ENERGIEI SOLARE

11.1 GENERALITI Exceptnd sursele nucleare de energie, toate celelalte surse de energie de pe planeta noastr i au originea n energia solar. Centralele termice cu combustibili fosili, centralele hidroelectrice, generatoarele eoliene i centralele utiliznd energia mrilor i oceanelor convertesc indirect energia solar n energie electric. Lumina direct a soarelui este cea mai abundent surs de energie de pe glob. O parte este absorbit de atmosfer i se regsete sub forma energiei eoliene, dar n medie 1.353 kW/m2 din aceast energie cade pe suprafaa pmntului, bineneles cu valori mai mari la ecuator i n zone deertice. Utilizarea direct a energiei solare (a acestui kilowat) se face de mult timp folosind captatoare solare cu sau fr concentratoare pentru nclzirea apei, pentru nclzirea aerului, pentru topirea metalelor, pentru uscarea diferitelor produse agricole sau industriale i pentru producerea de energie electric n centrale termice solare. Este cunoscut legenda cu oglinzile lui Arhimede, care ar fi incendiat corbiile inamice cu ele. Exist state, Israelul, SUA, Australia i Japonia, care au montate milioane de captatoare solare fiecare, pentru producerea apei calde. Exist multe centrale termice solare care produc energie electric, cu puteri de sute de MW fiecare, dar costul energiei electrice produse nu a putut fi sczut sub 10 ceni pe kWh fa de 5 ceni n centralele electrice clasice Dar cea mai interesant cale de utilizare a energiei solare este conversia ei direct n energie electric. Exist mai multe modaliti de utilizare direct a energiei solare: conversia fotovoltaic, conversia termoelectric i conversia termoionic. Dintre acestea, conversia fotovoltaic se pare c are cele mai mari posibiliti de a deveni o tehnologie alternativ la modul clasic de producere a energiei electrice n condiiile actualei crize energetice. Aceast tehnologie a fost inventat la laboratoarele Bell din New Jersey n 1954, cutnd o surs de electricitate pentru telefoanele din zonele izolate. Au realizat celule fotovoltaice cu randamente de 4-6%,
127

dar din cauza costurilor mari a energiei produse au renunat la aceast tehnologie. Celula fotovoltaic a fost salvat de la obscuritate de cursa spaial Statele Unite Uniunea Sovietic din anii 60. n scopul gsirii unui mod practic de alimentare cu energie electric a sateliilor, s-au alocat fonduri importante de cercetare i firme ca: Texas Instruments, RCA i Heliotek au reuit s scad preul acestor celele fotovoltaice de peste 10 ori. Criza energetic din anii 70 a adus multe miliarde de dolari n progresul acestei tehnologii fotovoltaice (FV), pentru a o folosi i n aplicaii terestre. n anii 80 erau larg rspndite n staii i relee telefonice, n faruri izolate i cabine telefonce rutiere etc., dei costul unui kWh produs nc nu a sczut sub 20 ceni. Au crescut vnzrile de celule fotovoltaice de la 6 MW n 1980 la 29 MW n 1987 i 60 MW n 1983. n prezent marea majoritate a ceasurilor de mn i a calculatoarelor de buzunar din lume au o astfel de surs de energie. Un nou avnt al acestei industrii este iminent: electrificarea rural n rile lumii a treia. La Congresul Mondial al Energiei din 1995 de la Tokio s-a afirmat c 40% din populaia actual a lumii nu are nici un acces la o energie comercial [1], populaie aflat n rile subdezvoltate ale lumii a treia. Guvernele acestor ri n loc s subvenioneze extinderea reelelor electrice clasice spre zonele rurale, industria lor energetic nefiind competitiv cu a rilor dezvoltate, ar putea gsi mai eficient tehnologia FV, ceea ce ar echivala cu o revoluie n domeniul energetic. Exist lanterne solare care folosesc un panou solar de 2.6 W pentru ncrcarea unei baterii pe timpul zilei i care poate aprinde dou lmpi fluorescente pe timpul nopii. Acest produs este accesibil ca pre i familiilor cele mai srace. Utilizarea sistemelor electrice solare n gospodriile rurale crete i n rile industriale. Astfel un sistem FV de 500W suficient pentru a alimenta iluminatul, radioul, televizorul i computerul unei locuine cost mai puin de 15000 de dolari, inclusiv panoul fotovoltaic, becuri, cabluri, baterie de nmagazinare a energiei i instalaia de reglare. Norvegia avea n 1993 peste 50000 de case rurale alimentate cu celule
128

fotovoltaice i o situaie similar se ntlnete n Japonia, Spania, Elveia i SUA. Reducerea costurilor celulelor fotovoltaice este ateptat n continuare i ca urmare o mai larg utilizare a acestei tehnologii. Exist muli productori de celule fotovoltaice, care este totui o tehnologie de vrf, ca: AMOCO Solarex Corp din SUA, BP Solar din Marea Britanie, NAPS din Frana, Sanyo i Sharp din Japonia etc., dar cel mai mare productor de fotovoltaice din lume n 1993 era gigantul german Siemens care cumprase ARCO Solars din California n 1990. i la noi n ar s-au fcut cercetri n acest domeniu, realizndu-se aproape toate tipurile de celule fotovoltaice, la ICCE; ICPE, Facultatea de Fizic i IFTM Bucureti. 11.2 CONVERSIA FOTOELECTRIC A ENERGIEI Conversia radiaiei solare n energie electric prin efect fotovoltaic se realizeaz n celule solare. Celula solar este un dispozitiv realizat cu materiale semiconductoare, n care prin absorbia luminii se genereaz perechi de electroni i goluri libere,iar acetia sunt separai spaial datorit unei discontinuiti interne ce formeaz o barier de potenial, electronii fiind antrenai n sens opus golurilor. Prin separarea purttorilor de sarcin ia natere o tensiune la bornele celulei i un curent printr-o rezisten de sarcin, astfel nct celula iluminat funcioneaz ca un generator de putere electric. Din punct de vedere structural, celulele fotovoltaice sunt formate din dou zone, realiznd o jonciune, care poate fi de mai multe tipuri: homojonciune, n care cele dou zone sunt formate din acelai material semiconductor, avnd tipuri de conducia diferite; heterojonciune, n care cele dou zone sunt formate din materiale semiconductoare diferite, avnd de asemenea tipuri de conducie diferit; jonciune metal - semiconductor (celula Schotky); jonciune electrolit semiconductor. Principalele fenomene care formeaz conversia fotoelectric se pot explica pornind de la cazul cel mai simplu: homojonciunea semiconductoare.
129

11.2.1 Efectul fotoelectric n jonciunea p-n Fie o homojonciune p-n (fig. 11.1) neiluminat. Presupunem cunoscute noiunile generale de fizica semiconductoarelor. Aceast homojonciune poate fi realizat prin impurificarea diferit cu impuriti donoare i acceptoare a cristalului semiconductor, aplicnd metode ca difuzia i alierea sau implantare ionic. p _ + _ + _ + I1 I2 Eg Ei n I3 I4 EC EF EV

Fig. 11.1 Structura, circulaia de cureni i benzile energetice pentru homojonciunea p-n. Dei ambele zone sunt neutre din punct de vedere electric, ele conin purttori de sarcin liberi, de ambele semne, dar n proporii diferite, purttorii majoritari atribuind i denumirea zonei respective (electronii pentru zona n i golurile pentru zona p). La contactul ntre regiunea p i regiunea n, realizat n jonciune, densitatea electronilor liberi fiind mai mare n regiunea n dect n regiunea p , electronii dintr-un strat din regiunea n difuzeaz n regiunea p unde se recombin cu golurile. La fel se ntmpl i cu golurile din regiunea p. La echilibru, de o parte i alta a jonciunii se formeaz dou regiuni nguste srcite n purttori mobili. Datorit donorilor ionizai rmai necompensai dup plecarea electronilor, regiunea din zona n se ncarc pozitiv. Regiunea din zona p rmne ncrcat negativ prin plecarea golurilor, datorit acceptorilor ionizai. Astfel se formeaz un strat dublu de sarcin spaial fix care va mpiedica difuzia n continuare a purttorilor majoritari de sarcin, numit strat de baraj. Acestuia i corespunde i o barier de potenial de
130

contact Ei. i un cmp electric intern orientat de la n spre p. Acest cmp electric frneaz difuzia n continuare a purttorilor majoritari i favorizeaz circulaia purttorilor minoritari. n prezena barierei de potenial, intensitile curenilor care circul prin jonciune se pot exprima, n principiu: curentul de electroni din zona p ctre zona n I 1 = k1 n1 ; (11.1) curentul de goluri din zona n ctre zona p I 2 = k 2 n2 ; (11.2) curentul de electroni din zona n ctre zona p I 3 = k 3 n3 e qEi / kT ; (11.3) curentul de goluri din zona p ctre zona n (11.4) I 4 = k 4 n 4 e qE i / kT , n care k1 k4 reprezint nite constante iar n1 n4 sunt concentraiile purttorilor de sarcin respectivi. Curentul total prin jonciune va fi

I = (k1 n1 + k 2 n 2 ) + (k 3 n3 + k 4 n 4 )e
i care la echilibru va trebui s fie nul. Deci

qEi kT

(11.5)

. (11.6) Cnd jonciunii i se aplic o tensiune exterioar n sens direct (+ la p i la n) , nlimea barierei de potenial scade cu mrimea tensiunii aplicate, ceea ce favorizeaz circulaia purttorilor majoritari fr a afecta circulaia purttorilor minoritari. Curentul prin jonciune n cazul polarizrii directe se poate scrie . (11.7) n cazul polarizrii inverse, nlimea barierei de potenial crete, ceea ce mpiedic circulaia purttorilor de sarcin majoritari i de asemenea nu afecteaz circulaia purttorilor minoritari de sarcin. Pentru polarizri inverse mari, circulaia purttorilor majoritari nceteaz, rmnnd numai un curent invers al purttorilor minoritari I 0 = k1 n1 + k 2 n2 . (11.8)
131

k1 n1 + k 2 n 2 = (k 3 n3 + k 4 n 4 )e

qEi kT

I d = (k1 n1 + k 2 n2 ) + (k 3 n3 + k 4 n 4 )e

q ( Ei U ) kT

innd cont de relaia (11.7), curentul prin jonciune n cazul polarizrii directe devine:

qU kT , Id = I0 e 1
I

(11.9)

a crei reprezentare grafic este prezentat n figura 11.2 (curba 1).

(1) (2) UM U0 IM Isc M

Fig. 11.2 Caracteristicile externe pentru homojonciunea p-n polarizat direct (1) i luminat (2). n continuare, considernd jonciunea nepolarizat, dar supus unei radiaii monocromatice, avnd cuanta de energie a fotonilor mai mare dect limea zonei interzise Eg, n celul se genereaz perechi de purttori de sarcin liberi, electron-gol. Dac acestea sunt generate n zona de influen a cmpului electric intern sau la o distan cel mult egal cu lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin, ei vor putea fi dirijai de ctre cmpul electric intern astfel: golurile ctre regiunea p; electronii ctre regiunea n. Prezena electronilor suplimentari n regiunea n i a golurilor suplimentare n regiunea p produce o micorare a barierei de potenial cu o cantitate egal cu tensiunea fotoelectric, analog polarizrii directe a jonciunii aflate la ntuneric. Ca urmare, prin jonciune va trece curentul de diod ntr-un sens i curentul de iluminare n sens contrar, astfel nct curentul total n acest regim va fi:

132

 qU kT IL . It = I0 e 1

(11.10)

n aceast expresie, U este tensiunea fotoelectric, care se stabilete la bornele celulei, polariznd-o n sens direct. n cazul ideal, valoarea maxim a acesteia (la mersul n gol) ar corespunde dispariiei totale a barierei de potenial, iar tensiunea de mers n gol ar fi cu att mai mare cu ct doparea semiconductorului ar fi mai mare. n realitate, n toate cazurile U0<Eg i n cele mai bune situaii U0=2/3Eg. Aceasta se ntmpl din cauz c, la dopri prea mari, curentul invers crete pe seama efectului tunel. Din expresia curentului (11.10) rezult c , n regim de iluminare, caracteristica I-U a fotocelulei se obine deplasnd n jos caracteristica diodei polarizate direct la ntuneric cu mrimea IL (fig. 11.2 curba 2). Apare astfel n cadranul IV o poriune a caracteristicii pentru care P=UI<0 ceea ce , conform conveniei din termodinamic, nseamn c celula este generatoare de energie. Pe baza expresiei (11.10) se poate stabili schema echivalent a unei fotocelule, ca n figura 11.3. IL Id R Fig. 11.3 Schema echivalent a unei fotocelule It

Schema cuprinde o surs de curent constant IL (pentru o iluminare constant), care debiteaz pe rezistena neliniar a jonciunii p-n , polarizat direct i pe rezistena de sarcin R. Se poate observa c la scurtcircuit (U=0) I sc = I L . (11.11) De obicei acest curent este direct proporional cu intensitatea radiaiei incidente. Tensiunea de mers n gol (pentru It=0), se poate calcula din relaia (11.10):

U0 =

IL kT ln + 1 I . q 0

(11.12)
133

Aceast relaie ne arat c tensiunea de mers n gol variaz logaritmic cu intensitatea radiaiei incidente, avnd o tendin de saturare. Puterea debitat de celul se exprim prin aria dreptunghiului haurat din figura 11.2, corespunztor punctului de funcionare. Exist un punct unde aceast arie este maxim. 11.2.2 Efectul fotoelectric n heterojonciunea semiconductoare Heterojonciunile se formeaz prin contactul a dou materiale semiconductoare diferite att ca natur ct i prin tipul de conducie. Datorit materialelor diferite difer lrgimile zonelor interzise n cele dou materiale ca i ali parametrii fizici precum constantele reelelor cristaline, coeficienii de dilatare termic, afinitile electronice etc. Datorit lrgimilor diferite a zonelor interzise, n zona de contact apar discontinuiti ale benzilor energetice de conducie i de valen. Aceste discontinuiti se adaug zonei interzise, mrind bariera de potenial i deci tensiunea de mers n gol, ceea ce constitue un mare avantaj. De asemenea, n acest caz, bariera de potenial pentru goluri va fi diferit de cea pentru electroni, predominnd curentul datorat unui singur tip de purttori. Cele mai mari randamente teoretice i practice s-au obinut cu acest tip de jonciuni. 11.2.3 Jonciuni metal-semiconductor Formarea stratului de baraj, care imprim comportamentul de diod redresoare acestei jonciuni se datorete, n acest caz, efectului de emisie termoelectric a celor dou materiale. Pentru a se realiza acest strat, trebuie ndeplinite anumite condiii cu privire la mrimea lucrului de ieire al electronului din metal (Lm), respectiv din semiconductor (Ls). Astfel: a) n cazul jonciunii metal-semiconductor (n), trebuie ca Lm Ls (11.13) astfel nct unii electroni s treac din semiconductor n metal, formndu-se n semiconductor un strat cu sarcin legat pozitiv, iar metalul ncrcndu-se negativ;
134

b) n cazul jonciunii metal-semiconductor (p), se cere ca Lm Ls , (11.14) astfel c prin trecerea unor electroni din metal n semiconductor se formeaz n acesta un strat de sarcini spaiale negative, metalul rmnnd cu sarcin rezultant pozitiv. De asemenea are loc apariia cmpului electric intern, care se opune trecerii n continuare a electronilor spre semiconductor. n regimul de iluminare a unei asemenea fotocelule, rolul principal l are zona semiconductoare, deoarece stratul de metal depus pe suprafaa semiconductorului trebuie s fie att de subire nct s permit trecerea luminii prin el. Eficiena de colectare a purttorilor n stratul de baraj este foarte mare astfel nct curentul de scurtcircuit rezult mai mare dect la alte fotocelule, dar tensiunile de mers n gol vor fi mai reduse. Mrirea tensiunii de mers n gol se poate realiza prin intercalarea ntre metal i semiconductor a unui strat foarte subire de material izolant sau de oxid, realiznd structuri MIS sau MOS. 11.3 TIPURI DE FOTOCELULE 11.3.1 Celule fotovoltaice cu siliciu cristalin Germaniul nu se folosete la realizarea fotocelulelor din cauza slabei sale rezistene la temperaturi ridicate. Siliciul domin piaa mondial a celulelor fotovoltaice ( peste 50%), din cel puin trei motive: stabilitate funcional i randamente bune, tehnologii bine puse la punct n alte domenii ale electronicii, el fiind i unul din cele mai abundente materiale din natur. Tehnologiile actuale utilizeaz siliciul sub trei forme: monocristal, policristalin i amorf hidrogenat. Dezavantajul major al acestor tipuri de fotocelule este costul nc ridicat. Tehnologia cu siliciu monocristalin tipic are trei etape distincte: producerea plachetei (40% din cost), producerea celulei (40% din cost), asamblarea i ncapsularea (20%). n prima etap, nisipul sau cuarul este traansformat n siliciu de grad metalurgic (99% puritate). Materialul este purificat n continuare n siliciu de grad semiconductor. Dup purificare siliciul este topit, se
135

dopeaz corespunztor i este tras apoi n monocristal. Materialul este tiat apoi n plachete de 0.3 mm grosime, ce se polizeaz pentru ndeprtarea defectelor de tiere. In etapa de producere a celulei, placheta se dopeaz din nou pentru a forma o ptur superficial de conductivitate opus plachetei de baz. Se ataeaz apoi contactele metalice pe cele dou fee i adugarea unui strat antireflectant pe faa luminat definitiveaz celula. Celulele sunt apoi interconectate n modul i ncapsulate transparent (sticl sau plastic). Pentru reducerea costurilor se admite un nivel de purificare intermediar ntre siliciul metalurgic i cel semiconductor i anume siliciul de tip solar, nivel care nu afecteaz semnificativ randamentul celulei solare. S-a dezvoltat o tehnologie de producere a unei panglice de siliciu monocristalin, obinndu-se siliciu de grad solar, eliminnd etapele de tiere i polizare. Panglica se obine prin ridicarea siliciului n stare topit prin efect capilar ntr-o matri din grafit cu fant dreptunghiular (firma Mobile Tyco-SUA). Renunarea complet la siliciul monocristalin n favoarea celui policristalin antreneaz o scdere considerabil a preurilor, dei randamentul este mai slab. Aceast soluie a gsit cea mai mare rspndire n momentul de fa, mari productori ca ARCO-SUA, AEG-Germania, Kyocera-Japonia utiliznd-o exclusiv. Siliciul de grad solar se toarn n lingouri paralelipipedice urmat de tierea i prelucrarea mecanic convenional. Doparea final a plachetelor se face prin difuzie din faz gazoas sau solid i prin implantare ionic cu atomi de fosfor (placheta fiind de tip p). Difuzia din stare gazoas nu este rec omandat deoarece se dopeaz plachetele pe ambele fee i o jonciune va trebui nlturat. Difuzia din stare solid se face prin depunere chimic din stare de vapori (CVD), pulverizarre i serigrafiere. Cea mai utilizat este tehnologia prin serigrafiere. O past cu fosfor este ntinde pe plachet printr-o sit serigrafic. apoi plachetele sunt arse la 900C ntr-un cuptor tunel, sunt corodate i se obine jonciunea. Implantarea ionic produce o dopare foarte bine controlat, dar echipamentul este cam scump i nu se justific pentru celule solare, care nu au cerine deosebite privind controlul doprii.
136

n figura 11.4 este prezentat structura unei celule normale cu siliciu. Contact gril
difuzie n+ Si-p strat antireflectant gril contact posterior

Fig. 11.4 Structura unei celule normale cu siliciu. Exist un mare numr de variante constructive, descrise n [2]. 11.3.2 Fotocelule cu siliciu amorf hidrogenat (a-Si:H) Din cauza ordinii structurale, siliciul monocristalin (c-Si), are benzi de conducie i de valen clar delimitate, n care purttorii de sarcin au mobiliti mari, deci este un semiconductor cu proprieti controlabile prin dopare controlat. Nu acelai lucru se poate spune despre siliciul amorf pur (a-Si). Acesta, din cauza dezordinii structurale, are muli atomi cu legturi rupte. Acestea fac ca s existe un numr mare de stri energetice, iar purttorii de sarcin s aibe mobiliti sczute. Toate acestea fac imposibil controlarea prin dopare a tipului de conducie i n final conduc la o fotoconducie neglijabil. Dac, prin procesul de preparare al siliciului amorf, n acesta se incorporeaz i hidrogen, rezult siliciul amorf hidrogenat (a-Si:H), care este de fapt unaliaj siliciu-hidrogen cu hidrogen n proporie de pn la 30%. Circa 1% din acest hidrogen compenseaz majoritatea legturilor rupte din atomii de siliciu ai reelei dezordonate, iar restul hidrogenului realizeaz legturi siliciu-hidrogen care relaxeaz n continuare tensiunile i abaterile de la ordinea local, impuse de necesitatea interconectrii atomilor ntr-o reea care rmne totui dezordonat. n final, numrul de stri energetice se reduce i se obine un semiconductor amorf cu proprieti asemntoare celui cristalin i care are proprieti fotovoltaice controlabile prin dopare
137

controlat. Cea mai utilizat metod de preparare a a-Si:H este metoda descrcrii luminescente sau GD (glow discharge) ntr-o atmosfer de silan-SiH4, un compus gazos al siliciului (fig. 11.5).
Generator RF Reactor de depunere Control debit

SiH4
Suport Vid Butelii

Fig. 11.5 Instalaie de depunere a siliciului amorf hidrogenat (a-Si:H) prin descrcare luminescent n plasm de silan a-Si:H se depune pe un suport din sticl, metal sau chiar plastic, plasat ntr-un reactor de depunere. n reactor, racordat la o instalaie de vidare, se introduce un debit controlat de SiH4, n care se amorseaz o descrcare electric luminescent prin aplicarea unei tensiuni de radiofrecven. n plasma descrcrii , SiH4 se descompune n grupuri SiH3 , SiH2 , SiH, pe suport depunndu-se n final un strat de a-Si:H. Acesta este un semiconductor cvasiintrinsec cu un slab caracter n. Proprietile stratului se controleaz prin temperatura suportului, debitul i presiunea gazului i tensiunea de radiofrecven aplicat. Straturi de a-Si:H cu dopare controlat se obin cu mici adaosuri de fosfin (PH3-dopare n) sau diboran (B2H6-dopare p), procente de debit n general sub 1% din debitul de silan. Avantajele tehnologice i economice sunt evidente: prin controlul simplu al duratei de depunere i al debitelor se pot realiza n mod controlat, pe supori ieftini, structuri complexe p-n, p-i-n, p-p+ etc., din compui gazoi ai siliciului i la temperaturi sczute (300C).
138

B2H3

PH3

n figura 11.6 se prezint structura unei fotocelule cu siliciu amorf hidrogenat.

contact frontal semitransparent

p n
contact spate

Fig. 11.6 Celul fotovoltaic cu siliciu amorf hidrogenat i structur p i n. Aceste celule au lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin foarte redus i efectul fotovoltaic ar fi neglijabil dac siliciul amorf nu ar avea un coeficient de absorbie a radiaiilor solare mult mai bun (cu un ordin de mrime) dect cel cristalin. Rezult c sunt necesare grosimi de civa microni fa de sute de microni la cele cu siliciu cristalin . Din acest motiv un strat suplimentar de circa 0.7 m de tip i, adic cu conducie intrinsec, este binevenit, aceast regiune devenind regiune de barier cu cmp electric ridicat. Firma Sanyo a introdus dou inovaii importante: realizarea stratului frontal p sub form de fereastr din a-SiC:H (prin introducerea de metan n reactor), jonciunea p-i-n devenind o heterojonciune; depunerea diverselor straturi ale structurii p-i-n se efectueaz n reactoare cu camere diferite pentru evitarea contaminrii, n special contaminarea cu bor a stratului intrinsec. Se realizeaz astzi celule solare cu structuri de homo i heterojonciune p-i-n , pe suport de sticl cu electrod transparent conductor de SnO (oxid de staniu), sau ITO (indium tin oxide), oel inoxidabil sau chiar plastic, care alimenteaz de la lumin ceasuri electronice, calculatoare portabile, radiouri i televizoare. ntre firmele implicate se citeaz: Sanyo, Sharp, Mitsubishi, Fuji Electric n Japonia, ECD, RCA n SUA i Siemens n Germania. i n Romnia s-au realizat astfel de celule solare la IFTM i ICCE Bucureti ncepnd din 1980.
139

11.4 CELULE SOLARE PE BAZ DE CdS Aceste celule solare sunt de tipul heterojonciune obinute n tehnologie cu straturi subiri policristaline. Stratul de baz (stratul n) este ntotdeauna sulfura de cadmiu CdS, dar stratul p poate fi realizat n mai multe moduri: din sulfur de cupru Cu2S, telurur de cadmiu CdTe sau CuInSe2. Exist mai multe tehnologii de realizare a acestor celule solare: metoda pulverizrii pirolitice din soluie (spray), metoda evaporrii termice n vid i metoda serigrafic. Metoda evaporrii n vid, se pare c este cea mai folosit i va fi prezentat n continuare. Tehnologia evaporrii n vid este bine cunoscut, fiind folosit pe scar larg n industria dispozitivelor semiconductoare, deci este accesibil ntreaga gam de utilaje necesare. Celulele CdS-Cu2S au intrat n atenia cercettorilor deoarece pot fi obinute cu strate subiri policristaline, deci consum redus de materiale semiconductoare i cu tehnologii de mare serie. O asemenea asociere a fost determinat de doi factori: sulfura cuproas, care este semiconductorul cu banda interzis ngust i n care are loc absorbia celei mai mari pri din lumina spectrului solar, nu poate fi obinut dect sub form de semiconductor de tip p, i ca atare s-a ales un alt semiconductor de tip n avnd proprieti ale reelei potrivite cu ale ei; sulfura cuproas poate fi obinut printr-o reacie chimic direct pe stratul de CdS. Exist dou tipuri posibile de structuri: cu iluminarea jonciunii dinspre partea de CdS i cu iluminarea dinspre partea de Cu2S. Ultima soluie este cea mai folosit deoarece permite folosirea unor benzi metalice netransparente n calitate de contacte la stratul de CdS. O asemenea structur este prezentat n figura 11.7. n calitate de substraturi se folosesc n special plci de sticl ordinar sau folii subiri de cupru (0.035 mm). n primul caz, n calitate de contact reflectant se utilizeaz un strat de argint obinut prin evaporare n vid. n al doilea caz folia de cupru este zincat i ca urmare a tratamentelor termice rezult un strat de alam care este reflectant, zincul din compoziia ei asigurnd contactul ohmic la CdS.
140

strat ncapsulant

strat antireflectant de SiO gril contact electric la Cu2S stratul Cu2S stratul CdS contact electric la CdS (reflectant) substrat

Fig. 11.7 Celul solar CdS-Cu2S obinut prin metoda evaporrii n vid. Pulberea presat de CdS este nclzit indirect ntr-un creuzet de cuar, n vid, de la un nclzitor de grafit. Substratul este nclzit tot indirect n aceeai incint vidat pn la 200C. Viteza de evaporare asigur o depunere de circa 1m/min. Se depune un strat de 15-30m. Stratul de Cu2S se obine prin reacia chimic a sulfurii de cadmiu cu o clorur cuproas n aa fel nct atomii de Cu i nlocuiesc pe cei de Cd n matricea cristalin a sulfurii de cadmiu. Acest proces poart denumirea de topotaxie. El se realizeaz fie prin scufundarea (dipping) stratului de CdS ntr-o soluie de CuCl la 99C fie prin depunerea n vid a unui strat de CuCl urmat de un tratament termic de reacie. 11.5 CELULE SOLARE DIN GaAs Utilizarea acestui tip de semiconductor la realizarea celulelor solare ar avea , n raport cu siliciul, urmtoarele avantaje: este cel mai eficient material semiconductor n conversia energiei solare n energie electric prin fenomene fotovoltaice (eficien maxim 26%); poate funciona la temperaturi superioare siliciului, permind realizarea de celule solare cu concentrarea 1000 fa de concentrarea 100 ct permit cele de siliciu; coeficient de absorbie mai ridicat, ceea ce permite folosirea structurilor foarte subiri. Ele au i dezavantaje, din care cauz nc nu au cunoscut o mare rspndire. Astfel, acest material semiconductor este mai scump de
141

vreo 10 ori dect siliciul. Tehnologia de realizare a acestor fotocelule este cea a creterii epitaxiale, care de asemenea este mai scump de circa 10 ori dect celelalte tehnologii utilizate n cazul siliciului. innd cont i de avantaje i de dezavantaje, cele dou direcii sunt comparabile ntre ele, aa c multe firme din lume produc astfel de celule. O structur tipic este prezentat n figura 11.8.
In Ni, Au, Zn GaAs-p Al0.8Ga0.2As-p GaAs-p GaAs-n Ni,Au,Ge Cu SnPb In GaAs-substrat

Fig. 11.8 Structura tipic a unei celule cu strat fereastr din AlGaAs Straturile se obin prin cretere epitaxial. Stratul p are trei substraturi. Stratul AlGaAs-p acioneaz ca un contact aproape transparent pentru stratul p, iar ultimul strat GaAs-p are rolul de a asigura valori reduse pentru rezistena de contact metalsemiconductor. i n Romnia s-au realizat astfel de celule la IFTM Bucureti, ncapsulate n capsule de tranzistoare de putere tip TO3, capabile s produc 3.4 W la o concentrare a radiaiei solare de 500.
BIBLIOGRAFIE 1. * * * , ENERGIA NTR-O PERIOAD DE SHIMBARE n viziunea celui de al 16-lea congres al Consiliului Mondial al Energiei, Tokio 1995, n ENERG Nr. 12/1996, ET, Bucureti 1996. Tnsescu F.T., s.a., Conversia energiei. Tehnici neconvenionale, ET, Bucureti 1986. Gu M., Energetic general. Note de curs, At. de multiplicare al Universitii GH. ASACHI din Iai, Iai 1993. Folescu G., Aventura surselor de energie, Ed. Albatros, Bucureti 1981. Flavin C., Lenssen N., Valul energetic, ET, Bucureti 1996.

2. 3. 4. 5.

* * *
142