P. 1
Tipuri de Memorii Atestat

Tipuri de Memorii Atestat

5.0

|Views: 114|Likes:
Published by catalinkenny
memoria calculatorului - atestat
memoria calculatorului - atestat

More info:

Categories:Types, School Work
Published by: catalinkenny on Apr 17, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

05/10/2014

pdf

text

original

Curpins

Tema Proiect ……………………………………………….. 1 Cuprins……………………………………………………… 2 Capitolul I Notiuni Introductive………………………………….. 3 Capitolul II Memoria RAM………………………………………… 7 Capitolul III Memoria ROM………………………………………... 14 Concluzie …………………………………………………… 21 Argument ……………………………………….………....... 23 Anexe………………………………………………………… 24 Bibliografie………………………………………………….. 26

Memoria - notiuni introductive

1

Acest proiect prezinta memoria calculatorului dumneavoastra atat din punct de vedere logic, cat si din punct de vedere fizic. Proiectul contine o multime de informatii utile care ridica valul de pe misterele memoriei si va permit sa obtineti de le sistemul dumneavoastra performante cat mai bune. Putem defini functia de memorare ca fiind posibilitatea de regasire a unor informatii reprezentata sub forma binara care au fost anterior stocate. Un circuit de memorare este un circuit electronic care implementeaza functia de memorare . Mentionam ca implementarea acestei functii se poate realiza in mai multe moduri ,depinzand de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu memorii magnetice, memorii optice, memorii semiconductoare. In continuare avem in vedere numai circuite de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. Din punct de vedere al memorarii ,memorarea unor informatii sub forma numerica mai precis a unor numere reprezentate sub forma binara, aceste numere nu au nici o importanta. Cel care doreste sa cunoasca sistemele PC trebuie sa se familiarizeze cu tipurile de memorie instalate pe un calculator personal - zone mici sau mari de memorie de diferite tipuri, unele putand fi accesate de programele de aplicatie, altele nu,o scema simpla a unui bloc de memorie este prezentat in Anexa nr. 1. In majoritatea sistemelor de calcul se utilizeaza urmatoarele tipuri de memorii : - memoria conventionala (de baza) - zona de memorie superioara (UMA) - zona de memorie inalta (HMA) - memoria extinsa - memoria expandata (actualmente depasita) - memoria RAM video - memoria ROM pentru adaptoare si memoria RAM cu destinatie speciala - componenta ROM BIOS de pe placa de baza

Dar exista mai multe clasificari ale acestora: • Memorii interne Caracterizate prin capacitate mica si viteza mare de operare ;

2

Arhitectura unitatii centrale de prelucrare si a placii de baza determina capacitatea memoriei fizice a sistemului. Factorul principal care a dus la cresterea 3 .• Memorii externe De capacitate foarte mare si viteza redusa de operare (sau acces) . Memorii citeste-scrie (RWM = READ WRITE MEMORY sau RAM = RANDOM ACCES MEMORY – memorie cu acces aleatoriu). Memorii nedistructive La care informatia nu este alterata la citire. Dupa modul de functionare. stocheaza informatia un timp scurt Retin informatia cat timp memoria este alimentata . memoriile se mai pot clasifica in : • Memorii distructive • La care informatia este distrusa in urma citirii . • Memorii – tampon interne. memoriile pot fi : • Memorii numai citeste (ROM = READ ONLY MEMORY) • Continutul se inscrie la fabricarea circuitului integrat. ceea ce a dus la o scadere dramatica a pretului/MB. memoriile pot fi : • Statice • Dinamice Chiar si atunci cand sunt alimentate. In ultimii ani chip-urile de memorie au avansat intr-un ritm alert. Industria memoriilor este una dintre cele mai dinamice aplicatii ale electronicii din zilele noastre. Continutul poate fi citit si scris in timpul folosirii acesteia. continutul memoriei trebuie improspatat din timp in timp . Din punct de vedere al modificarii continutului memoriei. De capacitate medie si viteza de operare comparabila cu a memoriilor De asemenea. • Memorii semipermanente Reprogramabile ( READ MOSTLY MEMORY). (1-2 ms) .

Toate aceste caracteristici au fost implementate din cauza mai multor factori de ordin tehnic. In acelasi timp performantele noilor module au fost imbunatatite. In practica este memoria de lucru a PC-ului. RAM (Random Access Memory). Avantajul principal pe care aceasta memorie il aduce este insensibilitatea fata de curentul electric. care a crescut datorita programelor ce utiulizeaza tot mai multa memorie dar si datorita avantajului (din punctul de vedere al performantelor) pe care memoria RAM il ofera in comparatie cu alte tehnologii de stocare a informatiei. dupa care este necesar ca acestea sa fie stocate (salvate) pe un suport ce nu depinde direct de alimentarea cu energie pentru a mentine informatia. care prin cresterea frecventei introduc necesitatea cresterii performantelor pentru memorii. dupa cum multi dintre noi cunosc. In lungul timpului memoriile au fost construite prin prisma mai multor tehnologii. raportul pret/performanta. Cu toate ca exista mai multe gategorii de memorii cele mai cunoscute si cele cu care ne intalnim mai mult sunt ROM (Read Only Memory) acest tip de memorie nu poate fi rescrisa ori stearsa. Principalul motiv fiind. este memoria care poate fi citita ori scrisa in mod aleator. aceasta este utila pentru prelucrarea temporara a datelor. au scazut timpii de acces iar viteza bus-ului a crescut. dintre acestea doar o parte au reusit sa se impuna pe piata. in acest mod se poate accesa o singura celula a memoriei fara ca acest lucru sa implice utilizarea altor celule.productiei fiind cererea de memorie. Cateva modele de memorie mai des intalnite in prezent 4 . Continutul memoriei se pastreaza chiar si atunci cand nu este alimentata cu energie. Prin acest proiect mi-am propus o scurta descriere a modului de functionare pentru cele mai raspandite memorii existente pe piata cat si avantajele/dezavantajele tehnologiilor existente. unul dintre acestia ar fi evolutia procesoarelor.

Memoria RAM (RANDOM ACCES MEMORY) Circuitele de stocare din memoria principală a calculatorului sunt organizate în unităţi denumite celule (sau cuvinte). dimensiunea uzuală a unei celule fiind de opt biţi. iar pe de altă a impus pentru cuvântul byte sensul de şir de biţi de această lungime. 5 . De fapt.şirul de biţi de lungime opt a devenit atât de popular încât pe de o parte a dus la apariţia termenului octet.

fiecare are atribuit un nume unic. circuitele care stocheazăbiţii sunt combinate cu circuitele necesare pentru a permite altor circuite să stocheze şi să recupereze datele din celulele de memorie. ci asociază în plus şi o relaţie de ordonare între celule.au de obicei memorii ale căror dimensiuni sunt de sute de celule sau chiar mai puţin.. cum este cuptorul cu microunde. fiecare dintre ele având un octet. Pentru a desemna această unitate de măsură se foloseşte termenul mega. respectiv 230 octeţi. Pentru a fi mai precişi. utilizate pentru stocarea şi prelucrarea ansamblurilor de date de dimensiuni mari pot avea memoria principală alcătuită din miliarde de celule. 1. cercetată şi modificată individual. Însă. celulele se consideră plasate toate pe un singur rând şi numerotate în ordine pornind de la valoarea 0. în timp ce calculatoarele complexe. Astfel o memorie de 4 MB conţine 4..048.4192303. Pentru identificarea celulelor individuale din memoria principală a unui calculator.192. care este egal cu 1024 octeţi (210 octeţi) şi gigaoctetul (gigabyte . mai precis 220 şi de aceea este mult mai natural să fie utilizat ca unitate de măsură în cadrul calculatoarelor decât 1. în cazul celulelor de memorie.prescurtat GB) care este egal cu 1024 MB.576 este o putere a lui 2. O consecinţă importantă a modului de organizare a memoriei principale a calculatorului în celule de dimensiuni mici cu adresă este aceea că fiecare celulă poate fi apelată. permiţându-ne să facem referiri de tipul ″celula precedentă″ sau ″următoarea celulă″. Celulele dintr-un calculator cu 4MB de memorie vor avea astfel de adrese ca 0.Calculatoarele simple utilizate în cadrul aparatelor casnice.576 celule. De aceea memoria principală a unui calculator este adesea denumită memorie cu acces aleator (random acces memory RAM). datele stocate în memoria principală aunui calculator pot fi prelucrate în orice ordine. În consecinţă. Alte unităţi de măsură a dimensiunii memoriei sunt kilooctetul (kilobyte – prescurtat KB). Adesea.304 celule.000. Dimensiunea memoriei este măsurată în multipli de 1. Astfel. (Numărul 1. . . care este o putere a lui 10).048. alte circuite pot prelua date din memorie solicitând informaţii despre conţinutul unei anumite adrese (operaţie ce se numeşte citire) sau pot înregistra informaţii în memorie solicitând ca un anumit şir de biţi să fie plasat în celula aflată la o anumită adresă (operaţie ce poartă nimele de scriere). Pentru a completa structura memoriei principale a unui calculator. adresele utilizate sunt în întregime numerice. pentru termenul megabyte se foloseşte abrevierea MB. Sistemul este analog cu tehnica de identificare – după adresă . 6 .a caselor unui oraş şi utilizează aceiaşi terminologie.000. O celulă de memorie cu o adresă mică este la fel de accesabilă ca una cu o adresă mare. 2. Acest acces aleator la mici unităţi de date se deosebeşte radical de sistemele de stocare de masă în cazul cărora şiruri lungi de biţi trebuie manipulate ca blocuri. De observat că un astfel de sistem de adrese nu numai că ne oferă o cale de a identifica unic fiecare celulă. denumit adresă.

Diferentele de vitezã dintre ele corespund perfect perioadei de glorie: dacã prima versiune era uzualã pe timpul sistemelor 286 si 386. BEDO RAM (Burst EDO DRAM). SGRAM (Synchronous Graphics RAM) si GDDR3. dacã ni se permite comparatia. în prezent impunându-se SDRAM (Synchronous DRAM).Circuitul SRAM este mai mare si de asemenea un circuit SRAM are mai putini biti decat unul DRAM cu acealasi dimensiuni. dimensiunea fizicã a SIMM-ului pe 30 de pini este de douã ori mai micã decât în cazul celeilalte variante. toate concepute în scopul cresterii performantelor DRAM-ului standard: FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM). el oferã o lãtime de bandã de 64 de biti. WRAM (Windows RAM). în functie de tip: SDRAM sau DDR SDRAM. dublã fatã de SIMM-urile pe 72 de pini. ele fiind variante de DRAM (primele douã). Urmasul lui SIMM s-a chemat DIMM (Dual Inline Memory Module).Memoria RAM(Ramdom Acces Memory)este folosita de catre procesor atunci cand foloseste infornatii. Calculatorul poate accesa date prin SRAM mai rapid decat DRAM. Numãrul de pini a fost de 168 sau de 184 de pini. modulul prezentând o lãtime de bandã de 8 biti pentru prima versiune si de 32 pentru cea de-a doua. configuratia pinilor si modul de lucru fiind total diferit. optimizate pentru a fi folosite ca memorie video. Dupã cum îi spune si numele. SIMM (Single Inline Memory Module). când chip-urile de memorie se înfigeau pur si simplu în placa de bazã. EDO DRAM. De acest din urmã tip ne vom ocupa în continuare. Dupã perioada de început. având la bazã un fel de dual-channel intern. A existat si un numãr limitat de modele de DIMM bazate pe EDO DRAM dar ele nu au avut succes pentru cã trecerea de la SIMM la DIMM a coincis cu cea de la EDO la SDRAM. De asemenea. RDRAM (Rambus DRAM).Circuitele folosite pentru a construi memoria RAM pot fi clasificate fie ca dynamic RAM(DRAM) sau static RAM (SRAM).dar SRAM consuma mai multe resurse. mai târziu. FPM si. EDO DRAM (Extended Data Out DRAM). urmat de cel pe 72 de pini. RIMM (Rambus Inline Memory Module) este modelul constructiv al memoriilor RDRAM. memoria de tip SRAM este folositã cel mai adesea ca memorie cache pe când DRAM-ul este uzual în PC-urile moderne. primul model uzual a fost SIMM-ul pe 30 de pini.Din acest motiv SRAM este mai utilizat cand este necesara o accesare rapida a memoriei si capacitatea memoriei si consumul de resurse nu conteaza. fiind prezent în primul rând ca memorie principalã a oricãrui sistem. Numãrul de pini este de 184 (ca si la DDR SDRAM) dar asemãnãrile se opresc aici. printre care VRAM (Video RAM). Mai sunt de amintit modulele 7 . pentru plãcile grafice au fost concepute mai multe tipuri de memorie. Pentium si Pentium Pro. enumerând tipurile uzuale de DRAM prezente de-a lungul istoriei. SIMM-ul pe 72 de pini a stat la baza generatiei 486. În realitate. SDRAM si respectiv DDR2 SDRAM. cu variantele DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) si DDR2 SDRAM. Chip-urile folosite au fost de tip DRAM.

tehnologic sunt mai usoare de realizat. Memoriile DRAM actuale au timpii de acces intre 61 si 80 nanosecunde.o parte a instructiunii specifica care parte a memoriei trebuie accesata.Memoriile RAM in tehnologiea TTL utilizeaza de regula tranzistoare multiemitator.datele trebuie mai intai sa treaca prin registre. Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o mare raspandire datorita faptului ca sunt mai ieftine. 8 .Acest interval este numit timp de acces.pe cand la altele. montarea modulelor SIMM era o operatie greoaie si necesita experientã si îndemânare. Celulelede memorie bipolare sunt de tip static(retin informatia atata timp cat celula este alimentata la o sursa de tensiune).SO-DIMM. Cand calculatorul executa o comanda de citire.Circuitele de memorie pot tip MOS pot fi statice. care au acelasi sistem de prindere) chinul a fost dat uitãrii. fiind necesarã doar putinã atentie. care detin un numãr diferit de pini: 184 pentru SDRAM si 200 pentru DDR SDRAM. .cat si in tehnologie MOS.ocupa un volum de 5-6 ori mai mic decat al memoriilor cu tranzistori bipolari.in schimb consumul lor este mult mai mic.Puterea consumata in repaus este mult mai mica .Numarul de tranzistoare pe celula de memorie este mult mai mic.Se rot realeza memorii de capacitate mai mare pe cip. Montarea inversã a unui DIMM (care necesitã.la un prêt de cost mai mic.Adresa este trimisa de processor catre memorie printr-un address bus. Practic vorbind. Memoria RAM se clasifica in SRAM (Static) si DRAM (Dynamic). Memoria interna este impartita in locatii care au anumite adrese care se refera la un singur bit sau adrese care sunt specificate la un grup de biti. Odatã cu modulele DIMM (si RIMM. Memoriile RAM se realizeaza ata in tehnologie bipolara. destulã fortã) Timpul necesar care ii trebuie procesorului pentru a scrie un bit de memorie este foarte important pentru calculator.Viteza lor de lucru si timpul de acces sunt intrucatva inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare. destinate calculatoarelor portabile. oricine putând monta o memorie. totusi.fie dinamice.Memoria SRAM are timpul de acces de patru ori mai rapid decat DRAM. Memoriile MOS dinamice au urmatoarele avantaje fata de cele statice : . Continutul acestora sunt trimise inapoi catre procesor printr-un cicuit numit data path.La unele procesoare cale de date poate face direct operatii aritmetice pe date din memorie. Cicuitele de control folosesc adresele pentru a selecta bitii la locatia la din RAM.

acest tip de memorie utilizeaza in structura celulei de memorie 4 tranzistori si 2 rezistente. care este o procedura obligatorie si are loc la fiecare 64 ms. acestea dispun de o adresa unica pentru fiecare celula in parte. din motive ce tin de design. Constructiv. care micsoreaza performantele in ansamblu. acesta identifica celula de memorie care corespunde adresei primite si transmite continutul acesteia catre interfata de date iar aceasta mai departe. Principiul de functionare este in fapt modificarea starii logice intre 0 si 1 care la nivel fizic. Aceste probleme de ordin tehnic conduc la cresterea timpul de asteptare (latency) pentru folosirea memoriei. Aceasta metoda de citire a memoriei este denumita "citire distructiva". prima parte fiind transmisa catre decodorul de linie iar a doua catre cel de coloana. Decodorul de adrese este format din decodorul de linie si cel de coloana. Schimbarea starii intre 0 si 1 se realizeaza prin comutarea starii tranzistorilor. Prin gruparea a opt bytes se obtine un cuvint (word). Datorita utilizari matricei de tranzistori. Cea mai mica unitate logica adresabila a memoriei este formata din opt biti si ia denumirea byte. Este compusa din componente electronice discrete. catre BUS-ul de date. am sa exemplific modul de functionare a celulei de memorie in baza acestei tehnologii. in functie de tehnologia utilizata. Datorita raspindiri vaste a memoriei de tip DRAM. Din aceasta cauza celula de memorie trebuie sa fie reincarcata dupa fiecare citire. La citirea unei celule de memorie informatia nu se pierde. Acesta ofera posibilitatea obtineri a 256 combinatii (caractere). condensatorul se descarca. Celula de memorie din punct de vedere logic este tratat ca fiind un bit. aceasta este puntea de legatura prin care adresele sunt transmise catre decodor. 9 . insa dupa o anumita perioada de timp energia inmagazinata scade in intensitate datorita pierderilor din dielectric. astfel se identifica celula de memorie corespunzatoare. Magistrala pentru adrese (BUS adrese) este conexiunea intre chipset-ul placii de baza si memorie. La fiecare citire a celulei.• SRAM. Reimprospatarea memoriei este o consecinta a principiului de functionare al condensatoriilor. Schimbarea starii se face prin incarcarea/descarcarea condensatorului. acesta receptioneaza adresa celulei de memorie pe care o imparte in doua. este timpul de reimprospatare al memoriei. este cea mai mica unitate fizica a memoriei. ori cu reconfigurarea matricei de tranzistori (in cazul SRAM). Acestia colecteaza electroni care se afla in miscare la aplicarea unei tensiuni electrice. Identificarea celulei de memorie se face prin transmiterea adresei acesteia prin BUS-ul de adrese catre decodorul de adrese (format din decodoare pentru linie si coloana). corespunde cu inmagazinarea energiei electrice prin intermediul unui condensator (pentru DRAM). Celula de memorie. comutarea intre cele doua stari este foarte rapida. celulele de memorie sint organizate sub forma unor matrici. • DRAM are ca principiu constructiv celula de memorie formata dintr-un tranzistor si un condensator de capacitate mica. O alta problema. Pentru identificarea si accesarea celulelor de memorie.

Dupa transmiterea informatiilor. Modulele de memorie la randul lor sint organizate in bancuri de memorie. Daca luam ca exemplu un procesor ce lucreaza pe 16 biti si vechile module de memorie de tip SIMM care functionau numai in perechi. chipset si memorie se utilizeaza 2 cicluri de tact. urmatoarele cuvinte sint transmise catre procesor in modul rafala "burst mode" la fiecare ciclu de tact. In general celulele de memorie nu pot fi accesate individual. aceasta ofera posibilitatea transmiterii informatiilor ce trebuiesc prelucrate de catre procesor ori stocate in memorie. in acest mod sa obtinut o magistrala pentru date cu latimea de 16 biti. Acestea sint conectate la magistrala de adrese si la cea pentru date. pentru care avem nevoie de 2/3 cicluri (in functie de calitatea memoriei utilizata). acestea sunt conectate intre ele in acelasi mod ca si chip-urile. constructiv matricea de memorie este incapsulata intr-un chip. Astfel ca. Identificarea liniei din matrice. Ne punem intrebare. acesta receptioneaza informatiile stocate in celulele de memorie. doua astfel de module au fost conectate intre ele. Pentru scriere procedeul se inverseaza. amplifica semnalul. avind in vedere ca un modul de memorie detine numai 8 biti. din acest motiv. acest lucru este posibil datorita unui numarator intern care identifica urmatoarea coloana si transmite catre amplificator continutul. Pentru transmiterea informatiei catre interfata de date se consuma 1 ciclu iar pentru ultima operatie.Matricea de memorie este structura prin care celulele de memorie sunt ordonate pe linii si coloane. Chip-urile de memorie sunt asamblate pe un modul de memorie (circuit imprimat) in numar de opt. care are nevoie de 16 biti pentru a umple magistrala de date. aceasta perioada se numeste RAS (Row Address Strobe) to CAS (Column Address Strobe) delay si identificarea coloanei (CAS latency) pentru care se consuma aproximativ acelasi timp ca si pentru prima operatie (2/3 cicluri). Pentru identificarea celulei de memorie se parcurg doua operatii. formata din 8 biti (1 byte). in cazul in care cererea emisa de procesor este mai mai mare decit latimea magistralei pentru date. 10 . inca 2 cicluri. pentru transmiterea adreselor intre procesor. Astfel se obtine o celula de memorie virtuala. care este identificat sub numele "latency". transmiterea datelor catre chipset si apoi catre procesor. Magistrala pentru date (BUS date) este conexiunea intre chipset-ul placi de baza si memorie. Interfata pentru date contine un amplificator de semnal. de ce cite doua? Acest lucru se intimpla datorita procesorului. Timpul de asteptare. reincarca memoria si transmite informatia prin BUS-ul de date catre chipset (in cazul in care informatia este citita din memorie). pentru efectuarea tuturor operatiilor ce aduc informatia in interfata pentru date este necesar un anumit timp.

SDRAM-urile nu vor opera la frecvenţe mai mari de 100 Mhz deoarece sloturile SIMM-urilor devin nesigure la frecvenţe mai înalte. Cache-ul operează la viteză înaltă (în mod obişnuit 15 ns). ce permite transferul unei pagini de memorie în cache într-un singur ciclu. proiectanţii au dezvoltat o serie de tehnologii care să depăşească aceste limite. Memoriile DDR (Double Data Rate) sunt realizate într-o tehnologie SDRAM cu posibilitatea dublării frecvenţei de la 100 la 200 Mhz. Spre deosebire de EDRAM. memoria MDRAM (Multibank DRAM) produsă de MoSys Incorporated desparte informaţia stocată într-un număr de bank-uri de memorie separate. 11 . orientându-se asupra modului în care sunt procesate datele intern – moduri ce constitue formatele logice ale memoriilor interne. Memoria CDRAM (Cached DRAM) realizată de Mitsubishi adaugă o memorie cache pe fiecare cip utilizând un model de tip asociativ pe set. Cache-ul este destul de rapid. fiind utilizabile pentru magistrale de memorie de 100 Mhz. soclurile purtând denumirea de RIMM (Rambus In line Memory Module). Memoriile EDRAM (Enhanced DRAM) fac DRAM-urile companiei Ramtron mai rapide prin adăugarea unor blocuri mici de memorie cache statică pe fiecare cip. CDRAM permite atât cache-ului cât şi DRAM-ului principal să opereze independent una de cealaltă.Formate logice ale memoriei RAM Pentru a mări performanţele memoriei. În locul unui bloc de memorie în care fiecare celulă este adresată de numărul liniei şi coloanei. Cache-ul este suficient de rapid pentru a transfera date în mod burst la o frecvenţă de 100 Mhz. cipul iniţial de 4 MB avea încorporată o memorie cache de 2 K şi folosea două buffere de câte un cuvânt (16 biţi) pentru transferul dintre cache şi circuitele externe. dar există potenţial pentru crearea modulelor de 1 G şi 2 G care să funcţioneze pe magistrale ale sistemului de 200 Mhz. Modelul RDRAM (Rambus DRAM) al firmei cu acelaşi nume foloseşte un cache RAM static de 2048 K cuplat la DRAM printr-o magistrală foarte largă. Rata de transfer poate ajunge la 800 Mb/sec dublu faţă de SDRAM. furnizând datele la un timp de acces de 10 ns. Modelul Rambus cere o modificare radicală a plăcii de bază pe care se instalează. Cipurile actuale au anumite limite care reduc frecvenţa la aproape 66 Mhz. Cipurile SDRAM au un timp de acces de 10 ns. astfel încât poate să acopere cererile de date ale microprocesorului fără a adăuga stări de aşteptare generate de operaţia de reîmprospătare. 128 MB şi 256 MB/modul. Capacităţile disponibile actual sunt de 64 MB. Deocamdată sunt utile pentru sisteme care includ integrare video.

Datorita modului prin care se comuta intre starile 0 si 1 si a modului in care se executa citirea celulei de memorie. Datorita pretului de cost mare pentru obtinerea unei celule SRAM. In schimb performantele sint cu mult in urma memoriei statice (SRAM). Memoria ROM (READ ONLY MEMORY) 12 . Memoria cache a fost introdusa ca un artificiu tehnologic. Atfel ca timpii de acces sint mult mai mici iar viteza la care acest tip de memorie lucreaza depaste cu mult performantele memoriei dinamice. SRAM nu are nevoie de rescriere a datelor dupa ce acestea au fost citite si nici de reimprospatarea celulei de memorie. Memoria cache L1 functioneaza la aceasi frecventa cu cea a procesorului in timp ce pentru memoria cache L2 frecventa de lucru este jumatate fata de frecventa procesorului. acest tip de memorie este utilizat numai pentru fabricarea memoriei cache ce se implementeaza in placile de baza sub denumirea de cache level 2 (L2) ori pentru memoria cache level 1 (L1) ce este integrata in structura procesoarelor. acesta este si singurul plus pe care aceasta memorie il are in comparatie cu SRAM. care trebuie sa suplineasca diferenta de frecventa dintre procesor si memorie. De altfel.Deosebiri SRAM/DRAM Principalul avantaj al memoriei dinamice (DRAM) este pretul foarte redus pentru obtinerea unei celule.

EPROM-Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory-. Memoria PROM . Imediat ce se porneste sistemul intra in lucru o rutina a acestei componente. o data cu evolutia PC-urilor acest timp de memorie a suferit o serie de modificari care au ca rezultat rescrierea/arderea "flash" de catre utilizator a BIOSului. Asa cum exista mai multe variante de memorii RAM.Ca regula generala ROM-BIOS egalizeaza toate diferentele constructive ale sistemului de calcul fata de conventiile DOS. la care unele elementedin celule nu sunt conectate sau lipsesc din schema. este de a actualiza functiile BIOS-ului pentru adaptarea noilor cerinte si realizari hardware . si memoriile ROM sunt de mai multe feluri. Componenta ROM-BIOS este livrata de catre firma producatoare a calculatorului in memoria ROM a sistemului de calcul. evident. Putem clasifica memoriile ROM astfel: • • • Memoria ROM . tranzistori bipolari sau tranzistori MOS. Memoria EPROM . mai mult sau mai putin avantajoase in functie de gradul de complexitate al operarii acestora.ori chiar pentru a repara unele imperfectiuni de functionare. acest lucru exprimand una din starile logice "0" sau "1". Aceste memorii se realizeaza sub forma unor matrici de diode. In practica.Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input Output System) unui PC. etc) prin diverse tehnici. Scopul. Astfel ca in zilele noastre exista o multitudine de astfel de memorii ROM programabile (PROM-Progamable Read Only Memory-. 13 .

Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input Output System) unui PC. Memoria FLASH . sunt reversibile. din fericire. In acest scop. Este acea memorie nevolatila care este programata in momentul fabricarii. La memoriile bipolare. cipul de memorie este prevazut cu o fereastra care permite 14 . unul cate unul. acesta reprezinta interfata intre componentele din sistem si sistemul de operare instalat (SO). Memoria EPROM (Eraseable Programmable ROM) elimina deazavantajul PROM-urilor de a fi utilizate (programate) numai o singura data. Structura acestei memorii este asemanatoare cu cea a memorie ROM. aceasta ducand la ireversibilitatea programarii (in cel mai bun caz se mai pot arde o parte din elmentele care au ramas intregi in urma primei programari). Memoria PROM (Programmable Read-Only Memory) este caracterizata de faptul ca se poate programa de catre utilizator o singura data (nu se poate reprograma). intre sursa si drena tranzistorului.5 . conform cerintelor produsului software care trebuie codificat in memoria PROM. deosebirea apare in faptul ca fiecare tranzistor este conectat prin elemente fuzibile la linia de iesire. Un element fuzibil o data ars. Generarea acestor impulsuri este realizata cu ajutorul unui aparat special numit programator. arderea elementelor fuzibile realizandu-se pe rand. Ea este realizata cu matrici de tranzistori MOS si se programeaza prin aplicarea unei tensiuni (circa 5V). cu ajutorul unei masti prin care se stabileste configuratia circuitelor pe CIP. Refacerea starii initiale a memoriei (stergerea) se realizeaza prin iluminarea ei cu raze ultraviolete. dar care. BIOS-ul este un program de marime mica (<2 MB) fara de care computerul nu poate functiona.1 A) conduce la arderea acestor elemente si la intreruperea conexiunii tranzistorului corespondent cu iesirea memoriei. producandu-i astfel modificari. ci doar citite. Aceasta face ca informatiile continute sa nu poata fi modificate. nu poate fi refacut.• • Memoria EEPROM . Trecerea unui tren de impulsuri de curent mai mare prin aceste elemente (de obicei de 0.

o celula isi poate schimba continutul din zero in unu. Stergerea blocului preuspune ca valoarea zero logic sa se ragaseasca in toate celulele blocului. Aceasta fereastra. in general. Eticheta se scoate doar cand se doreste stergerea si reprogramarea memoriei. Un exemplu de celula de baza pentru un astfel de memorie este dat in figura de mai jos: 15 . se acopera cu o eticheta pentru a o proteja impotriva stergerii involuntare. cu diferenta ca stergerea se realizeaza electric. in general. Acest lucru permite stergerea si reprogramarea. precum si stergerea si modificarea unui singur octet. prin aplicarea unei tensiuni mai mari decat cea normala. Scrierea.iluminarea pastilei de siliciu. Pe langa memoriile RAM si ROM. stergerea si programarea memoriei flash se realizeaza folosind tensiunile de alimentare dintr-un calculator si nu o tensiune speciala. Memoria flash este. Pentru a modifica datele unui bloc este suficient a se sterge blocul respectiv. pe timpul utilizarii memoriei. se poate intalni un alt tip de memorie: "memoria virtuala". unitati de banda). desi performantele de viteza ale ei sunt foarte reduse. La scriere. in mod aleator. dar revenirea in zero se poate face numai prin stergerea blocului. Memoriile Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este programat la fabricare si nu poate fi schimbat de utilizator. de zeci sau sute de mii de ori). Spre deosebire de acestea. lucru care nu permite folosirea ei pe post de memorie utilizata in cadrul calculatoarelor (intr-un PC memoria se poate modifica de mii de ori pe secunda). Memoriile EPROM se pot reprograma de un numar finit de ori (in general. Memoria FLASH numita si FLASH ROM este o versiune mai noua a memoriilor EEPROM. celelalte blocuri ramanand neschimbate. in general. in timp ce memoria EPROM se sterge in totalitate. Memoria EEPROM (Electrically Eraseable Programmable ROM) se aseamana cu memoria EPROM. iar stergerea foloseste tensiunea de +12V. ca si citirile se pot face. impartita in blocuri. Aceasta a aparut din dorinta de a obtine o capacitate de memorie mai mare in conditiile in care circuitele de memorii aveau preturi foarte mari. Memoria virtuala este folosita pe o scara destul de larga. Astfel. in special in primele generatii de calculatoare. citirea si scrierea (programarea) se realizeaza la tensiunea de +5V. fara a fi necesara scoaterea din montajul in care a fost amplasata. Acest tip de memorie foloseste spatiul existent in sistemele de stocare masiva a datelor (hard-disk-uri.

Celula de memorie a unor astfel de circuite au la baza un fuzibil din polisiliciu care este ars la programare . daca ramane blocat atunci avem 1 logic . Daca pe poarta izolata nu este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc creaza un camp care duce la formarea canalului n si la conductia tranzistorului . Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia selectie cuvant(WL) si +18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia de programare este la potential zero . si o tensiune pozitiva pe grila . produce arderea fuzibilului F . Tensiunea Vds mare .Datorita campului electric intern mare . Daca pe poarta izolata este acumulata sarcina electrica negativa atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a doua(Vc) nu poate aduce in stare de conductie tranzistorul. aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie prin formarea canalului “n” intre drena si sursa. Memoriile PROM sunt circuite de memorie al caror continut este programat o singura data de utilizator. Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator . Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face prin aplicarea unei tensiuni drena . Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand acesta conduce. suficient de mare .formand o sarcina negativa . trec prin stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila izolata .Obtinerea unor tranzisotare cu tensiuni de prag diferite se face printr-un strat de oxid de grosime corespunzatoare intre grila tranzistorului si substrat Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si EPROM). grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat.Dupa inscriere informatia nu mai poate fi stearsa. Programarea unei celule inseamna arderea fuzibilului din nodul respectiv . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in grila izolata .Pentru stergereainformatiei din celula si revenirea in stare neprogramata (tranzistor blocat)se expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete . Electronii din grila preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin stratul izolator.iar linia de bit DL se mentine la potential coborat . Structura tranzistorului de memorare si a unei celule de memorie este data in figura de mai jos : Celula de memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC obisnuit (T2) si tranzistorul prezentat mai sus (T1) care este un TEC-MOS. Daca la aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce atunci el se comporta ca un scurtcircuit drena sursa . Stergerea informatiei din celula se face astfel : se aplica tensiunea pozitiva(+20 V) pe linia de selectie cuvant punand in conductie tranzistorul T. 16 .. numai ca pentru trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] . Pentru programare se aplica impuls pozitiv pe baza .Initial toate fuzibilele memoriei sunt scurtcircuitate .Curentul de emitor al tranzistorului . Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se aplica +20V pe linia de programare . duce la campul electric intern intens .Memoriile EPROM se folosesc pentru realizarea celulei de memorie un tranzistor cu efect de camp cu dubla poarta (grila) .Campul electric format intre grila si substrat (= substrat .grila ) smulge electroni din grila a doua .Celula de baza a unei memorii PROM este realizata cu tranzistoare bipolare.Ea este constituita dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui tensiune de prag difera in functie de continutul informational al locatiei respective .selectia unei celule facandu-se prin liniile WL si DL. informatia inscrisa fiind 0 logic.Intr-o celula de memorie stearsa . Programarea se face succesiv pe fiecare celula .una comanda si una izolata.

care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. Există mai multe tipuri constructive de memorie ROM. iar coloanele cu ajutorul celor 8 multiplexoare cu câte 3 intrări de selecţie. Memoriile ROM programabile prin mască. Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil. adică 1K ×8. izolată de substrat prin 10−7 m de 2 SiO . În această memorie se stochează informaţii referitoare la configuraţia hardware a sistemului electronic de calcul. Liniile matricei sunt selectate cu ajutorul decodificatorului cu 7 intrări de selecţie. Desenul mai conţine şi aspectul unui element din matricea de memorie. Memoriile EPROM (Erasable PROM) sunt programabile ca şi PROM-urile. o peliculă subţire de CrNi. Această sarcină electrică stocată în poartă determină crearea unui canal p în substrat şi tranzistorul 17 . acţionează asupra circuitelor din structură în scopul reducerii consumului. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. valorile logice complementare. Structura internă a unui cip de memorie ROM organizat pe 1024 cuvinte de câte 8 biţi. alimentată în permanenţă de o baterie pentru a nu-şi pierde conţinutul informaţional. joncţiunea pn constituită de drenă şi substrat este străpunsă prin avalanşă şi. activă pe 0 logic.memorie cu acces aleator). Matricea de memorie se construieşte sub o formă cât mai apropiată de cea a unui pătrat. pentru că realizarea unei măşti “la cerere” costă câteva mii de dolari. Intrarea suplimentară CS (Chip Select). pregăteşte cipul de memorie în vederea unei operaţii de citire a datelor. este prezentată în figura urmatoare. Numărul lor depinde de amplitudinea şi durata impulsului. Ele se realizează la comandă. sau mask ROM.Dacă accesul la memorie este permis atât pentru citire cât şi pentru scriere memoria se numeşte RAM (Random Access Memory . Calculatoarele din familia IBM PC conţin şi o memorie CMOS (de tip RAM. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. acolo unde doreşte.Programele aflate în ROM sunt livrate odată cu calculatorul şi alcătuiesc aşa numitul firmware. electronii sunt injectaţi în poarta flotantă. sunt circuite la care harta memoriei se introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. dacă aceasta este realizată în tehnologie MOS. Prin dezactivare. prin efect tunel. în serie mare. dar de mai multe ori. Memoriile PROM (Programmable ROM) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS) adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. Prin aplicarea unui impuls negativ de amplitudine mare pe drenă.

ea insemna defapt cipurile din diversele aparate electronice si electrotehnice pe care le folosim (de ex. in ea fiind scrise isntructiunile necesare pt o functionare corecta a acestora. iar in Anexa 2 este o schema a acestora.aparat radio-tv. mai jos este o poza cu acestea. Radiaţia ultravioletă crează perechi electronigoluri şi permite descărcarea porţii ([Valachi. Memoria ROM. masina.conduce. etc). Fara sa ne dam seama memoria ROM este cea mai prezenta in viata de zi cu zi. Telefoane mobile/fixe. dar se pare că circa 70% din sarcină este regăsită şi după 10 ani. 1986]). Însă izolaţia nu este perfectă şi în timp se pierd electroni. cel mai des intalnit tip de memorie 18 .

1 mw/bit.Gigabite(GB) = 2 la puterea 10 MB= 20 la puterea 20 KB = 2 la puterea 30 B . cu atat mai bine. performantele globale ale unui sistem sunt mult mai semnificativ ameliorate de instalarea de memorie in plus.Termenul in sine defineste suficient de bine rolul acestei componente intr-un sistem. Memoria internă este zona de stocare temporară a datelor într-un calculator.BIT-ul este atomul informatiei iar zona de memorie adresabila este octetul. . calculatorului lucreaza cu date.Pentru a modela si manevra informatiile.Concluzie Dupa toate cele prezentate mai sus putem sa tragem urmatoarele concluzii: .serie in care timpul de localizare a unei adrese depinde de pozitia ei in retea. Cu cat o memorie este mai rapida si cu cat mai mult RAM este prezenta intr-un sistem. deosebindu-se doua moduri de organizare a unei retele de celule de memorie: . Memorii TTL . 100-500 ns la memoriile MOS). Date – reprezentarea informatiilor in memoria interna(M.ROM 19 . Puterea electrica consumata de o memorie se raporteaza la un bit si se masoara in mw/bit.numarul de celule continute de o memorie este totdeauna o putere a lui 2. Bitii sunt grupati in – . 4. Trebuie precizat ca. Capacitatea reprezinta produsul intre numarul de cuvinte din memorie si numarul de celule cuprinsein fiecare cuvant. Aici sunt pastrate (memorate) datele imediat necesare aplicatiilor care ruleaza pe un sistem oarecare.Principalele caracteristici ale memorieie: 1. Memorii CMOS .1}.Timpul de acces (de adresare) . Datele supuse prelucrării sunt transformate în şiruri de cifre 0 şi 1.Cantitatea de informatie elementara e numeste BIT { 0. 2. Capacitatea de inmaganizare .Kilobyte(KB) = 2 la a 10 a = 1024 B .01 mw/bit. 3.).Megabite(MB) = 2 la puterea 10 KB = 2 la puterea 20 a B . Modelarea fizica a sistemului binar este comutatorul. decat de inlocuirea procesorului cu unul mai performant.Se foloseste sistemul binar cu cifrele 0 si 1.0.reprezinta durata intre solicitarea unei celule (locatii) in memorie si momentul cand continutul locatiei respective poate fi citit (30-60 ns la memoriile TTL. Performanta RAM are un impact major asupra performantei sistemului si este definita de doi parametri: viteza de acces si transfer (a datelor in si din memorie) si capacitatea. Memorii MOS . asa-zisa RAM (Random Access Memory).1 mw/bit.Byte(octet) = 8 biti . Cele doua tipuri de memorie utilizate in prezent sunt DDR si DDR2. . Modul de acces. de lucru a sistemului. Adesea. Tipuri de memorie: . ne referim la memoria "rapida".aleator (RANDOM ACCESS) ce nu depinde de pozitia adresei in retea. .0. in acest context. .I.

nu îşi pierde conţinutul la oprirea calculatorului. ce lucrează în mod optic cu raze laser (CD-ROM. Această memorie (ROM) este folosită pentru stocarea permanentă a unor date. DVD-RAM) şi pe suport magnetooptic 20 .Memoria externă reutilizabilă prin prelucrări automate cu calculatorul poate fi pe suport sensibil la câmpul magnetic (hard disk şi floppz disk) pe suport sensibil la lumină. În această categorie însă există şi câteva excepţii. este de capacitate redusă şi este folosită pentru stocarea informaţiilor despre hardware. nu poate fi \"scrisă\" de către utilizator. fiind considerată principala memorie de lucru a calculatorului.RAM (Random Access Memory) . care pot fi modificate. aceasta fiind folosita pentru stocare datelor pentru o perioada mai lunga decat o sesiune de lucru. mici programe ce configurează diverse dispozitive . cum ar fi PROM (Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se poate reprograma).este o memorie volatilă (se pierde la oprirea calculatorului). EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se poate şterge şi reprograma). Industria memoriilor este intr-o continua dezvoltare data fiind cererea foarte mare de memorie care ste pe piata. CD-RW şi DVD-ROM. poate fi atât citită cât şi modificată şi este folosită pentru stocarea programelor şi datelor.in special de memorie RAM. Memoria nu este numai interna ea fiind si externa.(Read Only Memory) . CD-R.

in cercetare sau in industrie. nu ar fi putut comunica asa cum o face azi pin Internet.Argument Epoca in care traim nu mai este posibila fara utilizarea calculatoarelor. Acestea au devenit instrumente absolut necesare aproape in orice domeniu de activitate. Specialistii considera ca in viitor calculatoarele vor prelua toate activitatile de rutina pe care le realizeaza in momentul de fata oamenii. De exemplu putem avea o colectie de carti care in realitate ar ocupa o intreaga incapare pe un simplu Cd. de ce nu.puteti foarte simplu sa ajungeti la destinatie cu ajutorul GPS-urilor care folosesc de asemnea memoria(FLASH) pentru a stoca hartile.insa totusi limitate de probleme de ordin tehnologic. insa se fac si in acest domeniu progrese foarte mari. sa indeplinim mai bine o serie de sarcini dificile sau de rutina. Ele ne ajuta sa ne organizam mai eficient activitatea. sa ne informam.sau ganditiva ca trebuie sa plecati in vacanta intr-o tara in care nu ati mai fost. cladiri. 21 . sa comunicam. Ele contribuie in mod substantial la desfasurarea activitatilor din majoritatea domeniilor de activitate. Aceste posibilitati oferite de memorie fiind si motivul pentru care am ales ca tema pentru acest atestat MEMORIA unui calculator. chiar sa ne distram. echipamente. sa se ocupe de activitati pentru care si inteligenta si intuitia umana nu pot fi inca inlocuite de masini. sa ne instruim si. ca si pentru distractie. Azi nu am mai putea concepe viata fara existenta calculatoarelor. nu ar fi putut proiecta si realiza cu precizia si rapiditatea pe care le asigura calculatorul masini. Asa cum am mai precizat memoria este prezenta in viata noastra fara sa ne dam seama. pe mine personal fascinandu-ma aceasta posibilitate uriase de stocare a informatie. sa calatoreasca.in domeniul bancar sau cel turistic. posibilitatile oferite de memorie sunt foarte mari. in domeniul medical sau in cel artistic. sa petreaca mai mult timp cu familia si cu prietenii. Calculatorul este folosit. Fara existenta calculatoarelor omul nu ar mai fi putut ajunge pe Luna. acestora ramandu-le mai mult timp sa se instruiasca.

Anexa 1 SCHEMA BLOC A UNUI SISTEM DE MEMORIE COMANDA DE SCRIERE A DATELOR DATELOR COMANDA DE CITIRE A INTRODUCEREA SI EXTRAGEREA A DATELOR INTRODUCEREA ADRESELOR 22 .

S1. 14 13 12 11 10 9 8 4X W1 S1 S0 GND W0 4Y 3JH 7481 333333333 3 33 1 2 3 4 5 6 7 W0.scrie ..citeste.1’’ S0.Anexa 2 Tipuri reprezentative de memorii integrate • 7481 – memorie citeste – scrie (RAM) de 16 biti.citeste. scrie .0’’.1’’ 23 .0’’.W1....

Diverse site-uri de internet. 24 . Notite de la orele de curs. 2.BIBLIOGRAFIE 1.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->