Sunteți pe pagina 1din 14

2.3.

Componente electronice active


2.3.1. Diode semiconductoare O jonciune p-n prevzut cu contacte metalice ataate la cele dou regimuri i introdus ntr-o capsul de sticl, metal sau material plastic, pentru a o proteja de mediul exterior se numete diod semiconductoare. regiunea p a jonciunii constituie anodul diodei, iar regiunea n catodul (fig.2.11).

Fig.2.11. Structura unei diode i reprezentarea ei n scheme Dac la anod se aplic o tensiune pozitiv, se spune c dioda este polarizat direct. Rezistena electric direct a diodei este mic i depinde de tipul diodei. Clasificarea diodelor semiconductoare dup funciile lor n circuite electronice: a) redresoare - de mic putere IF 0,3 A - de putere medie IF 10 A - de putere IF > 10 A b) stabilizatoare - de mic putere Pd 0,3 W - de putere medie Pd 5 W - de putere Pd > 5 W c) varicap - de nalt frecven - de ultra nalt frecven d) fotodiode - pentru spectru vizibil - speciale a) Caracteristica direct Alura caracteristicii n conducie direct a unei diode semiconductoare este prezentat n primul cadran al fig.2.12. Curentul este egal cu zero, pn la o anumit valoare numit tensiune de prag, de la care crete rapid cu creterea tensiunii U; valori tipice pentru tensiunea de prag sunt cuprinse n limitele 0,2 0,3 V pentru diodele cu germaniu i 0,60,7 V pentru diodele cu siliciu.

24

b) Caracteristica invers Diodele sunt parcurse de cureni foarte mici (de ordinul microamperilor sau nanoamperilor). La creterea tensiunii inverse, curentul invers crete semnificativ pn la o anumit valoare a tensiunii aplicate diodei (al treilea cadran fig.2.12).

Fig.2.12. Caracteristica static a diodei semiconductoare Pentru aceast tensiune (VBr fig.2.12), chiar la variaii mici ale tensiunii inverse aplicate diodei, curentul invers crete rapid. Dac aceast cretere a curentului invers nu este emitat sau limitat, dioda se poate distruge. Tensiunea la care apare acest fenomen se numete tensiune de strpungere. Diode redresoare Diodele redresoare utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a conduce un curent relativ mare n polaritate direct i un curent mic (neglijabil) n polaritate invers i sunt folosite pentru transformarea curentului alternativ n curent continuu. Pentru redresoarele alimentate la reea, frecvena de lucru este de 50 Hz n timp ce pentru unele redresoare speciale, folosite de obicei pentru tensiuni nalte, aceste diode redreseaz tensiuni de frecven mai ridicat, dar care nu depesc 2040kHz. La fabricarea diodelor redresoare se folosesc Ge i Si. Diode stabilizate (Zener) O diod semiconductoare, care n regim invers de conducie are o regiune a caracteristicii curent-tensiune n care variaia tensiunii nu depinde de curent i poate fi utilizat n funcionare ndelungat pe aceast poriune a caracteristicii inverse, numit caracteristic de stabilizare, se numete diod stabilizatoare sau diod Zener. Diodele stabilizatoare pot fi: - de uz general; - de precizie.

25

2.3.2. Tranzistoare cu jonciuni (bipolare) Tranzistoarele cu jonciuni sunt realizate ntr-o plcu monocristalin semiconductoare care prezint dou jonciuni. Tranzistoarele cu jonciuni pot fi de tip npn sau pnp (fig.2.13).

Fig.2.13. Simbolurile de circuit ale tranzistoarelor Una dintre jonciuni este puternic asimetric din punct de vedere al dotrii cu impuriti adic n+p sau respectiv p+n (+ arat doparea puternic cu electroni respectiv cu goluri); aceast jonciune se numete emitor-baz iar cealalt jonciune colector-baz. Tranzistoarele bipolare se construiesc din Ge sau Si. Din punct de vedere al puterii disipate tranzistoarele pot fi: - de mic putere (P 0,3W) - de medie putere (0,3<P 5W) - de putere (P > 5W). Din punct de vedere al frecvenelor de funcionare ele pot fi: - de joas frecven (f 30MHz) - de nalt frecven (30MHz<f 300MHz) - de foarte nalt frecven (f > 300MHz). Structura unui tranzistor bipolar este prezentat n fig.2.14.

Fig.2.14. Structura unui tranzistor bipolar La funcionare normal jonciunea emitor-baz se polarizeaz n sens direct, iar jonciunea colector-baz se polarizeaz n sens invers. Concentraia purttorilor n emitor este mult mai mare dect concentraia lor n baz. La aplicarea unei polarizri directe jonciunii emitor-baz curentul prin aceasta n cazul unei structuri pnp, va fi determinat n esen de golurile care trec din emitor n baz; n baz n produce deci o injecie de goluri. Cum baza este foarte subire, numai o mic parte din goluri se va recombina cu electronii din baz; celelalte goluri trec trecnd prin baz vor fi
26

colectate de colector, proces favorizat i de potenialul aplicat acestuia. Apare un curent relativ intens n circuitul colectorului, cu toate c jonciunea colector-baz este polarizat n sens invers. Variaii mici ale tensiunii de polarizare a jonciunii emitorbaz vor produce variaii mari ale curentului din colector. Apariia unui semnal electric n circuitul emitorului va conduce la apariia unei variaii corespunztoare a curentului n circuitul colectorului i deci la apariia unei tensiuni variabile pe un rezistor intercalat n circuitul colectorului. ntr-un astfel de tranzistor se obine o amplificare a curentului i a puterii. Factorul de amplificare a curentului poate atinge valori de ordinul 103. Caracteristici statice Forma grafic a caracteristicilor statice cuprinde, de regul, urmtoarele seturi de curbe: a) caracteristicile de ieire iC = iC(vCB).

Fig.2.15. Caracteristicile de ieire pentru un tranzistor pnp b) caracteristici de intrare iE = iE(vEB).

Fig.2.16. Caracteristicile de ieire pentru un tranzistor npn

Fig.2.17. Caracteristicile de intrare pentru un tranzistor pnp c) caracteristici de transfer iC = iC(vBE). n fig.3.8 se reprezint caracteristica de transfer i de intrare a unui tranzistor npn n conexiune emitor comun.

27

Fig.2.18. Caracteristicile de transfer i de intrare, pentru un tranzistor npn Utilizri ale tranzistoarelor bipolare: - amplificatoare de c.c.; - amplificatoare de c.a.; - oscilatoare cu tranzistoare bipolare; - schimbtoare de frecven; - circuite modulatoare; - circuite demodulatoare; - circuite de alimentare. 2.3.3. Tranzistoare cu efect de cmp (unipolare) Tranzistoarele cu efect de cmp se bazeaz pe modificarea rezistenei unui traseu semiconductor cu ajutorul unui cmp electric transversal fa de direcia de curgere a curentului. traseul rezistiv se numete canal, iar capetele traseului se numesc surs (S) i dren (D). Cmpul electric de control (transversal) se obine prin al treilea electrod, numit poart (G). Exist dou categorii de tranzistoare cu efect de cmp. a.Tranzistoare cu efect de cmp cu poart jonciune (TEC-J), la care poarta este o regiune semiconductoare ce formeaz cu regiunea canalului o jonciune p-n; aceast jonciune se polarizeaz invers i determin modificarea dimensiunilor geometrice ale canalului; b.Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MIS), la care poarta este izolat galvanic de canal; cel mai reprezentativ dispozitiv din aceast categorie este tranzistorul MOS (metal oxid semiconductor). Rolul porii este de control asupra rezistivitii canalului.
28

Tranzistoare cu efect de cmp cu poart jonciune (TEC-J) n fig.2.19 se prezint schema constructiv a unui TEC-J cu canal n. Electrozii surs (S) i dren (D) constituie capetele canalului; poarta (G) este format din regiunile p+, care delimiteaz canalul n interiorul semiconductorului cu care formeaz o jonciune p+n.

Fig.2.19. Schema constructiv a TEC-J cu canal p Simbolurile folosite pentru aceste tranzistoare cu canal p sau n sunt prezentate n fig.2.20. Pentru tensiuni vDS mici (sub 0,1...0,3 V), TEC-J prezint ntre dren i surs o caracteristic rezistiv (liniar) controlat de tensiunea aplicat pe poart vGS. n acest caz caracteristicile sunt prezentate n fig.2.21. Pentru o anumit tensiune pe poart VGS = VT (tensiunea de tiere), curentul de dren iD se anuleaz.

Fig.2.20.Simbolurile de circuit ale Fig.2.21.Regimul de rezisten controlat TEC-J a) canal p; b) canal n n tensiune al TEC-J Caracteristicile statice de ieire pentru orice tensiune v DS sunt prezentate n fig.2.22. Pe msura creterii tensiunii v DS, caracteristicile i pierd caracterul liniar. Pentru vDS > vDSsat curentul de dren se limiteaz, aceast zon a caracteristicilor numindu-se regiunea de saturaie. Pentru tensiunea V (BR)DS se obine strpungerea dispozitivului.

29

Fig.2.22. Caracteristicile statice de ieire ale TEC-J

Fig.2.23. Caracteristica de transfer a TEC-J

Tranzistoare MOS Poarta tranzistorului MOS este metalic i este separat de semiconductor de un strat subire de bioxid de siliciu (grosime tipic 0,10,7m) care au proprieti izolante foarte bune. Sursa i drena au conductibilitate opus fa de traseul (substratul) n care se va crea canalul (fig.2.24.a). Simbolurile tranzistoarelor MOS se gsesc n fig.2.24.b i c. pentru vGS = 0 nu apare canal, deci curentul de dren este nul (iD = 0). Aceste tranzistoare se numesc tranzistoare MOS cu canal indus. Pentru o tensiune vGS > VT (VT tensiune de prag) suprafaa semiconductorului i inverseaz tipul de conductibilitate, devenind de tip n i stabilind un canal ntre surs i dren. Pe msura creterii tensiunii vGS concentraia de electroni din canal crete, scade rezistivitatea lui i curentul de dren crete.

Fig.2.24. a) Structura constructiv a unui tranzistor MOS cu canal n indus; Simbolurile de circuit pentru tranzistoare MOS cu canal b) p i c) n Caracteristicile de ieire (fig.2.25) au aceiai form ca la TEC-J. i aici se ntlnesc regiunea cvasiliniar, regiunea de saturaie i strpungerea. Caracteristica de transfer n regiunea de saturaie este prezentat n fig.2.26.

30

Fig.2.25.Caracteristicile statice de ieire Fig.2.26.Caracteristica de transfer n regim ale tranzistorului MOS cu canal n de saturaie a tranzistorului MOS Unele tranzistoare MOS prezint canal chiar n absena tensiunii de polarizare a porii (vGS = 0). Aceste tranzistoare se numesc MOS cu canal iniial. Simbolul unui tranzistor MOS cu canal iniial de tip n i caracteristica de transfer n regiunea de saturaie sunt prezentate n fig.2.27. a i b.

a. b. Fig.2.27. a) Simbolul unui tranzistor MOS cu canal n iniial; b) Caracteristica de transfer n saturaie 2.3.4. Tranzistoare unijonciune Tranzistorul unijonciune (TUJ) este o component semiconductoare cu trei terminale care prezint o caracteristica de rezisten negativ, stabil ntre terminalul de emitor E i baza unu B1 cnd ntre cele dou baze ale sale se aplic o tensiune pozitiv. n fig.2.28 se prezint o seciune printr-o seciune de TUJ de tip bar i simbolul de reprezentare al acestuia n schemele electronice.

31

Fig.2.28. Seciune printr-un TUJ a) structur bar; b) reprezentare simbolic Rezistivitatea siliciului folosit la realizarea TUJ-ului este cuprins n limite relativ largi. Funcionarea TUJ-ulu se bazeaz pe principiul modulrii conductivitii barei de siliciu ntre jonciunea emitorului i baza B1. ntre cele dou baze se aplic o tensiune continu (fig.2.29).

Fig.2.29. Mod de polarizare a TUJ

Fig.2.30. Caracteristica static IE = f(UE) a TUJ

32

Bara de siliciu se comport ca un divizor de tensiune, astfel nct ntre baza B1 i emitor apare o fraciune din tensiunea U BB egal cu UBB; se numete raport intrinsec i depinde de distanele dintre emitor i bazele B1 i B2. 2.3.5. Tiristoare Tiristorul este o component semiconductoare compus dintr-o pastil de siliciu n care sunt realizate patru straturi alternative de tip p i de tip n. Aceste straturi formeaz trei jonciuni J1, J2 i J3 (fig.2.31).

Fig.2.31. a) Schema de principiu a unei structuri de tiristor; b) reprezentarea n scheme; c) forma constructiv Conexiunile anodului i catodului sunt realizate pe straturile exterioare ale structurii, n timp ce conexiunea de poart este legat la unul din straturile intermediare. n fig.2.32 se prezint o variant constructiv a structurii unui rezistor.

Fig.2.32 Structuri de tiristoare La polarizarea invers, catodul este pozitiv fa de anod i jonciunile J 1 i J3 sunt polarizate invers; tiristoarele se comport ca o diod polarizat invers i nu las s treac prin el dect un curent foarte mic, curentul rezidual. Caracteristica I-U este similar cu cea a unei diode. La polarizarea direct, tensiunea anod-catod este pozitiv, jonciunile J 1 i J3 sunt polarizate direct, iar jonciunea J2 invers (fig.2.33).
33

Fig.2.33. Caracteristica I U a tiristoarelor n fig.2.33 este prezentat caracteristica I-U a tiristoarelor. Poriunea OA a caracteristicii (U < UBO) corespund strii blocate n direct, tiristorului i curentul care trece prin el este egal cu curentul de saturaie a jonciunii J 2 polarizat invers. n apropierea lui A apare strpungerea prin avalan a jonciunii J 2 polarizat invers. Apariia strpungerii prin avalan n jonciunea J2 conduce la creterea brusc a curentului prin dispozitiv i punctul A de funcionare se mut n B. Pe poriunea AB dispozitivul prezint o rezisten diferenial negativ i punctul de funcionare pe aceast poriune are o poziie instabil.. Tensiunea pe tiristor n acest caz va fii de 1-2 V. La diverse tensiuni de comand pe poart, pe msur ce aceast tensiune crete, tensiunea de comutare a tiristorului scade. Tensiunea UBO numit i tensiune de ntoarcere este valoarea tensiunii pozitive aplicate pe anod care provoac conducia tiristorului, circuitul pe poart fiind deschis. Tensiunea invers n stare de blocare U R este valoarea tensiunii aplicate tiristorului care se afl n stare blocat n invers care nu trebuie depit deoarece tiristorul se distruge. Curentul de meninere IH este valoarea curentului direct sub care tiristorul nu mai poate s rmn n conducie (cu valori ntre 1...1000 mA, n funcie de curentul tiristorului) IH scade cu creterea temperaturii. n practic, se utilizeaz diverse circuite de protecie care limiteaz semnalele aplicate pe poart la valori inferioare valorilor maxime indicate. Montajele de amorsare a tiristoarelor se clasific n: - montaje de comand n c.c.; - montaje de comand n c.a.; - montaje de comand n impulsuri.

34

2.3.7. Circuite integrate Circuitele integrate se deosebesc de circuitele electronice discrete prin aceea c elementele lor componente, att cele pasive, ct i cele semiconductoare, se execut pe un acelai suport. Principalele criterii de clasificare a circuitelor integrate semiconductoare sunt: gradul de integrare, funcia n circuite, tehnologia de realizare i viteza de rspuns. n funcie de numrul de componente pe cip circuitele integrate se clasific n: - CI cu nivel mic de integrare ( < 100 elemente); - CI pe scar medie (1001000 elemente); - CI pe scar larg (100010000 elemente); - CI pe scar foarte larg (> 10000 elemente). Din punct de vedere funcional CI se clasific n: - circuite integrate digitale (logice) care prelucreaz semnale binare pentru realizarea unor funcii logice; - circuite integrate liniare (analogice) care prelucreaz sau genereaz continuu pentru realizarea unor funcii de amplificare modulare sau demodulare, etc. Dup viteza de rspuns, CI se clasific n: - CI de mare vitez sau ultrarapide (t < 5 ns); - CI de mare vitez (510 ns); - CI de vitez medie (1050 ns); - CI lente (> 50 ns). Circuite integrate logice Circuitele integrate logice se caracterizeaz prin aceea c tensiunile lor, de intrare sau de ieire, nu pot avea dect dou valori care se prezint convenional printr-un 0 sau printr-un 1. Se mpart n circuite logice: - combinaionale; - secveniale. Circuitele convenionale se caracterizeaz prin aceea c semnalele la bornele lor de ieire la un moment dat depind numai de semnalele aplicate n acelai moment la bornele lor de intrare. Exemple de circuite combinaionale sunt porile logice care ndeplinesc funcii de baz: SI, NU, SAU, SI-NU, SAU-NU, SAU-EXCLUSIV. Circuitele secveniale sunt circuite ale cror semnal la ieire la un moment dat depinde att de semnalele aplicate n acelai moment la bornele lor de intrare, ct i semnalele aplicate la momentele de timp anterioare. Exemple de circuite secveniale: circuite basculante, registrele, numrtoarele etc. Circuite integrate liniare Amplificatorul operaional este cel mai rspndit circuit integrat liniar. Iniial a fost utilizat la realizarea analogic a unor operaii matematice (adunare, scdere,
35

integrare, etc.) ceea ce i-a dat denumirea. n variant integrat, amplificatoarele operaionale pot nlocui orice amplificator de joas frecven. Amplificatorul operaional este un amplificator diferenial de tensiune. Amplificatorul operaional ideal trebuie s aib o amplificare n tensiune infinit, impedana de intrare infinit i impedana de ieire nul. La aceste caracteristici se adaug o band de frecvene infinit, tensiunea de intrare de decalaj nul, performanele s nu fie influenate de temperatur i de variaiile surselor de alimentare. Domeniul tensiunilor de intrare este de obicei limitat la 12V, iar pentru sursele de alimentare de 15V. Exist peste 100 de tipuri de A.O. integrate pentru diferite aplicaii (de uz general, de precizie, de putere mic, de zgomot mic, de band larg etc.). 2.3.8. Dispozitive de afiare Pentru a converti datele electrice n diferite feluri de afiaje digitale sunt folosite cinci tehnologii principale: afiaje incandescente, tuburi fluorescente, dispozitive cu descrcare n gaz, diode electroluminiscente, afiaje cu cristale lichide. Spectrul de emisie trebuie s se ncadreze n domeniul lungimilor de und ale radiaiei vizibile: 380nm (ultraviolet) pn la 770nm (infrarou). Viteza de comutare este diferit n funcie de tehnologia de realizare de la sute de ms (cristale lichide) pn la zeci de ns (afiaje electroluminiscente).

Fig.3.24. Schema bloc general a unui sistem de afiare Constructiv, dispozitivele de afiare se prezint sub forma de afior individual cu un singur segment (punctiform, dreptunghiular etc.) sau sub form de afior cu mai multe segmente formnd un caracter (digit) n aceeai capsul sau mai multe caractere n aceiai capsul. n cazul utilizrii mai multor afioare, n loc de a le comanda simultan pe fiecare, n c.c., se poate folosi tehnica multiplexrii, adic afioarele s fie alimentate n impulsuri, cu vitez mare de baleiere i factor de umplere mic. Multiplexarea este avantajoas pentru mai mult de patru digii. Afiajele cu incandescen sunt cele mai vechi indicatoare i emit lumina prin nclzirea unui filament cu incandescen. Au un consum ridicat comparativ cu alte afiaje. Poate fi obinut o intensitate luminoas mare i funcioneaz ntr-o gam mare de tensiuni i cureni. Deoarece se folosesc lmpi cu incandescen durata de funcionare este limitat.
36

Afiajele fluorescente sunt n principiu tuburi vidate, diode sau triode, n care anozii formeaz un caracter vizibil din 7 segmente. Fiecare segment este acoperit cu un material fluorescent. Consum puin curent, au eficien luminoas mare i un timp de funcionare relativ mic. Afiaje cu descrcare n gaz, numite i cu catod rece se bazeaz pe radiaia produs de ionizarea din jurul catodului. Tubul conine un amestec de neon i alte gaze care produc o radiaie portocalie roiatic. Cele mai vechi tuburi cu descrcare n gaz sunt tuburile NIXIE care au n interior 10 catozi corespunztori celor 10 cifre, aflate n planuri diferite, paralele. Tensiunea de alimentare este ridicat, dificulti de multiplexare, citirea cifrelor n planuri diferite. Afiajele electroluminescente se bazeaz pe fenomenul de electroluminescen care apar n solide la o jonciune p-n, n momentul aplicrii unui cmp electric exterior. Avantajele LED-urilor (diod electroluminescent) sunt: tensiuni i cureni mici de funcionare, timpi de comutare mici (zeci de ns) timp ndelungat de funcionare, rezisten la ocuri mecanice. Dezavantaje: distrugerea jonciunii la supracurent sau supratensiune. Dispozitivele de afiare cu diode electroluminescente pot fi de mai multe feluri: - afiaje hibride cu apte segmente; - afiaje monolitice cu lup pentru mrirea cifrei; - afiaje alfanumerice cu matrice de puncte. Dimensiunile pot fi variate, de la un singur digit (caracter-alfa numeric) pn la afiaje montate pe cablaje imprimate care conin 40 de digii. Afiajele cu cristale lichide. Cristalul lichid este un lichid anizotrop aflat ntr-o stare intermediar ntre starea solid i cea lichid. Comanda afiajelor cu cristale lichide se face n c.a. (25 Hz...1kHz) ntre electrodul comun i segmente sau cu impulsuri dreptunghiulare. Pot fi comandate n circuite MOS pentru c au puterea mic. Rspunsul optic al afiajului cu cristale lichide este n funcie de tensiunea aplicat.

37