Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
DEFEITOS CRISTALINOS
DEFEITOS CRISTALINOS
Uma irregularidade na rede cristalina da ordem de um dimetro atmico em uma ou mais de suas dimenses. muitas propriedades esto relacionadas com estes defeitos;
freqentemente, defeitos so induzidos propositalmente nos materiais.
CLASSIFICAO:
Defeitos Pontuais
Intersticiais
Vazios: stios atmicos vagos na estrutura cristalina Intersticiais: tomos extras ocupando posies entre os stios atmicos Substitucionais: tomos de elementos estranhos inseridos na rede cristalina
Substitucionais
DEFEITOS PONTUAIS:
Lacuna (ou vacncia) = ausncia de um tomo ou on em uma posio cristalogrfica
Distoro de planos
So formados durante a solidificao do cristal ou como resultado das vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais)
VACNCIAS - EXEMPLO
Calcule a concentrao de vacncias no cobre a 25oC. A que temperatura ser necessrio aquecer este metal para que a concentrao de vacncias produzidas seja 1000 vezes maior que a quantidade existente a 25oC? Assuma que a energia para a formao de lacunas seja 20000 cal/mol e o parmetro de rede para o cobre CFC 0,36151 nm.
Soluo: O nmero de tomos ou posies na rede cristalina, por unidade de volume, do cobre : Nv = a 25C (T=298K): Nv = 8,47x1022 e-20000/(1,987 x 298) = 1,81x108 lacunas / cm3 4 tomos/clula = 8,47x1022 tomos Cu/cm3 -8 3 (3,6151x10 cm)
VACNCIAS - EXEMPLO
No ferro com estrutura CFC, tomos de carbono podem ocupar o centro de cada aresta (posio 1/2, 0, 0) e o centro da clula unitria (1/2, 1/2, 1/2). No ferro CCC, os tomos de carbono podem se localizar em posies como a 1/4, 1/2, 0. O parmetro de rede do Fe 0,3571 nm para a estrutura CFC e 0,2866 nm para o ferro CCC. Assuma que os tomos de carbono tenham raios de 0,071 nm. 1) Em qual dessas situaes ocorrer a maior distoro do cristal pela presena de tomos intersticiais de carbono? 2) Qual seria a porcentagem de tomos de carbono em cada tipo de ferro se todos os stios intersticiais fossem ocupados?
,, ,0,0 ,0,0
,,0
CFC
CCC
VACNCIAS - EXEMPLO
Para a estrutura CFC, R = 2 a0 / 4 = 0,1263 nm. Alm disso, segundo a figura abaixo,
2r + 2R = a0
ento,
r R
r = 0,0522 nm
Desta forma, como o espao intersticial menor no ferro CCC, os tomos de carbono distorcero mais este tipo de estrutura.
VACNCIAS - EXEMPLO
b) A estrutura CCC possui dois tomos de ferro em cada clula unitria. Alm disso, existem 24 posies intersticiais do tipo ,,0. Entretanto, como cada posio est localizada na face da clula, apenas metade de cada stio pertence exclusivamente a uma clula. Assim, existem de fato 12 posies intersticiais para cada clula unitria. Se todas estas posies estiverem ocupadas, a porcentagem atmica de carbono contida no ferro ser
Na estrutura CFC, existem 4 tomos de ferro e 4 posies intersticiais em cada clula. Assim,
Distoro de planos
DEFEITOS PONTUAIS
SCHOTTKY
Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas; Envolve a falta de um nion e/ou um ction; Vazios (vacncias/lacunas) e Schottky favorecem a difuso.
Defeito Schottky
Defeito Frenkel
FRENKEL
Ocorre em slidos inicos, quando um on sai de sua posio normal e vai para um interstcio.
DEFEITOS PONTUAIS
DEFEITOS PONTUAIS
SUBSTITUCIONAIS:
Quando um tomo da rede cristalina substitudo por outro de tamanho diferente.
Um metal considerado puro sempre tem impurezas (tomos estranhos) presentes 99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3 A presena de impurezas promove a formao de defeitos pontuais
IMPUREZAS EM SLIDOS
H sempre impurezas em cristais metlicos e que podem ser vistos como
defeitos pontuais.
Ligas:
estrutura cristalina formada por outro tomo para gerar propriedades especficas nos materiais.
Adio de impurezas : soluo slida (menor limite de solubilidade); formao de 2a fase (maior limite de solubilidade). Elementos em uma liga:
SOLUES SLIDAS
Dois ou mais elementos dispersos em uma nica fase.
A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida e no formam-se novas estruturas
A solubilidade depende :
Temperatura Tipo de impureza
Concentrao da impureza
Substitucionais Ex. Cu em Ni
Intersticiais Ex. C em Fe
As solues slidas formam-se mais facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes
SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAL:
tomos do solvente substitudos por tomos do soluto no reticulado; a estrutura do solvente no muda, mas se deforma;
Substitucionais Ex. Cu em Ni
Intersticiais Ex. C em Fe
SUBSTITUCIONAL DESORDENADA
Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma Eletronegatividade prximas Valncia mesma ou maior que a do hospedeiro
Eletronegatividade
1,9
1,8
Valncia
+2
Cu Ag Al Co Cr Fe Ni Pd Zn
+2 +1 +3 +2 +3 +2 +2 +2 +2
Solubilidades desprezveis, estruturas diferentes. Al maior valncia, mais solvel. Al (CFC), Zn (Hex). Al mais solvel.
mi = massa do componente i
m1 %p x 100 m1 m2
Fe + C
FASE poro do sistema fsico, quimicamente homogneo separada das demais por uma interface.
DISCORDNCIA EM CUNHA
Envolve um SEMI-plano extra de tomos O vetor de Burger perpendicular direo da linha da discordncia Envolve zonas de trao e compresso
Atrao e aniquilamento
DISCORDNCIA EM CUNHA
VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direo de distoro da rede Corresponde distncia de deslocamento dos tomos ao redor da discordncia
MET Ti 51.450x
Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao diferente um cristal = um gro; No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados segundo um nico modelo e nica orientao, caracterizada pela clula unitria Os contornos de gro so regies repletas de defeitos cristalinos, tais como
lacunas e discordncias. Constituem obstculos ao deslizamento de discordncias responsvel pela deformao plstica e propagao de trincas. Dessa forma, quanto mais contornos de gro, mais resistente deformao e mais tenaz fica o material metlico. Por isso, o refino de gros constitui um eficiente mecanismo de aumento da resistncia e da tenacidade. A movimentao dos tomos (difuso) pelos contornos de gro tambm mais rpida, devido alta densidade de lacunas.
O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO .........A RESISTNCIA DO MATERIAL
A forma do gro controlada: - pela presena dos gros circunvizinhos O tamanho de gro controlado - Composio qumica - Taxa (velocidade) de cristalizao ou solidificao