Construirea de cip-uri din coloane nanometrice care cad Prin transformarea unei probleme simple din domeniul fabricrii

de cip-uri ntr-un avantaj, cercettorii de la MIT au reuit s produc structuri cu grosimea a 30 de atomi Larry Hardesty, Biroul de tiri MIT

Fabricarea dispozitivelor la scar nanometric, tranzistorii din microprocesoarele computerelor, sistemele mecanice din biosenzori i din cip-urile de tip microfluidic i de tip microoglind depind nc foarte mult de o tehnic numit fotolitografie sau litografie optic. Dar n ultimul timp, mrimea dispozitivelor obinute prin metoda fotolitografiei a ajuns la o limit care nu poate fi depit tocmai din cauza lungimii de und a luminii. Pe msur ce nanodispozitivele devin din ce n ce mai mici producerea acestora necesit gsirea unor noi metode de fabricaie. ntr-o serie de lucrri recente, cercettorii de la Laboratorul de Cercetri Electronice de la MIT mpreun cu cei de la Engineering Agency for Science, Technology and Research din Singapore (A* Star) au demonstrat c o nou tehnic ar putea produce cip-uri cu mrimi de ordinul a doar 10 nanometri, cam ct dimensiunea a 30 de atomi. Cercettorii folosesc metodele deja existente pentru a depozita coloane nguste de plastic pe suprafaa unui cip; apoi ei provoac cderea coloanelor pe o anumit direcie acoperind cip-urile cu modele complexe. n mod ironic, munca lor a fost rodul ncercrii cercettorilor de a preveni cderea coloanelor nanometrice. Cderea structurilor este principala problem cu care se confrunt litografia sub nivelul de 10 nanometri , spune Karl Berggren, profesor asociat la Inginerie Electrica i tiina Computerelor Emanuel E. Landsman (1958), fapt care duce la necesitatea gsirii unei noi metode. Structural, aceste lucruri nu sunt aa de dificil de realizat la acel ordin de mrime. Este mai mult ca i cum ai ncerca s faci un fir de pr s stea drept dar acesta vrea pur i simplu s se rstoarne. Berggren i colegii si se gndeau la aceast problem cnd, spune el, ntmpltor i-au dat seama c dac noi nu putem s rezolvm aceast problem poate ar fi mai bine sa ne folosim de ea. Status quo Folosind metoda fotolitografiei, cip-urile sunt construite n straturi etajate i dup ce fiecare strat este depozitat, acesta este acoperit cu un material sensibil la un fascicul electronic, numit i rezist. Lumina, trecnd prin matrie model complexe - numite foto mti iradiaz doar anumite pri din materialul rezist, procedeu care poate fi comparat cu modul n care lumina trece printr-un negativ fotografic care expune hrtia foto. Prile expuse se usuc iar restul sunt ndeprtate iar prile din cip-uri care nu sunt protejate de rezist sunt apoi gravate, n mod obinuit folosindu-se un acid sau plasm; resturile de rezist rmase sunt apoi ndeprtate i ntregul proces se repet. Mrimea trsturilor gravate pe cip-uri este determinat, totui, de lungimea de und a luminii folosite i productorii de cip-uri se confrunt deja cu problema pe care o pune limitarea miniaturizrii din cauza folosirii luminii vizibile. O posibil alternativ este aceea a folosirii de fascicule de electroni accelerate numite i e-raze - pentru a iradia (expune) stratul de rezist cu care suprafaa de lucru a fost acoperita n prealabil. Razele de electroni nu iradiaz ntreaga suprafa a cipului deodat aa cum o face lumina; n schimb, ele scaneaz suprafaa cipului cu cte un rnd o singur dat. Aceasta face ca litografia cu fascicul de electroni s fie mult mai eficient dect litografia optic.

Gravarea unei coloane pe material, pe de alt parte necesit concentrarea razei electronice doar ntr-un singur punct. mprtierea coloanelor fracionate de-a lungul cip-ului i lsarea lor s cad formnd o schem mult mai complex poate astfel s creasc eficiena litografiei cu fascicule de electroni. Stratul de material depozitat prin metoda litografiei cu fascicul de electroni este att de subire nct dup ce materialul neexpus este splat, fluidul care n mod normal rmne n urm este suficient pentru a acoperi coloanele. Pe msur ce lichidul se evapor i coloanele se scufund, elasticitatea suprafeei de pe fluidul rmas ntre coloane permite acestora s cad. Devenind inegal n prima din cele dou lucrri, publicate anul trecut in revista Nano Letters, Berggren si Huigao Duan, un student asociat de la Universitatea Lanzhou din China, au demonstrat c atunci cnd dou coloane sunt foarte aproape una de cealalt ele vor cdea totui departe una de alta. ntr-o lucrare ulterioar, aprut n numrul din 5 septembrie al revistei de nanotehnologie Small, Berggren, Duan (acum la A*STAR) i Joel Yang (care a fcut doctoratul cu Berrgren i care a mers de asemenea la A*STAR dup ce a absolvit n 2009) se arat c prin controlarea formei coloanelor izolate se poate determina cderea acestora ntr-o direcie dorit. i mai precis, netezind uor o parte a coloanei se poate provoca cderea acesteia n direcia opus. Cercettorii nu i dau seama de ce se ntmpl aa, spune Berggren. Cnd lor le-a venit ideea s foloseasc coloanele asimetrice se ateptau ca acestea s cad ctre partea plat, la fel ca i modul n care un copac tinde s cad n direcia axei n care a fost tiat. n experimente, coloanele parial turtite ar cdea n direcia dorit cu o probabilitate de 98 la sut. Aceast rat a probabilitii nu este una acceptabil din punct de vedere industrial, spune Berggren, dar este cu siguran un punct de plecare pentru o demonstraie inginereasc. n acest moment, aceast tehnic are limitele ei. Plasarea coloanelor prea aproape una de alta duce la cderea acestora una peste cealalt indiferent de forma lor. Aceasta restricioneaz domeniul modelelor pe care tehnica le poate produce pe cip-uri cu structuri mpachetate ct mai strns mpreun, aa cum sunt ele n microprocesoarele computerelor. Dar potrivit lui Joanna Aizenberg, Amy Smith Berylson Profesor de Stiinta materialelor de la Universitatea Harvard, domeniul de aplicabilitate n care aceast tehnic i va gsi cel mai bine utilitatea e posibil sa nu se fi imaginat nc. Poate deschide drumul pentru crearea de structuri care nu au fost posibile pn acum,spune Aizenberg. Ele nu sunt n producie pentru c nc nimeni nu tie cum sa le fac. De asemenea Berggren i colegii si nu tiu cnd vor ncepe propriile lor experimente, pentru civa ani grupul lui Aizenberg folosind tehnica controlrii cderii structurilor de mrimi micrometrice pentru a produce materiale cu proprieti optice neobinuite. Dar o deosebit de interesant aplicaie ar veni de la cele de mrimi de ordinul sub 100 nanometri , spune Aizenberg. Este un nivel de contro deosebit al structurilor nanometrice pe care l-a obinut grupul lui Karl.

Controlnd cderea micilor coloane depozitate pe un substrat de siliciu se poate produce un model complex

Cercettorii de la RLE pot de asemenea s controleze cderea de ziduri de mrimi nanometrice, imprimnd linii drepte pe un cip - sau n acest caz, reproducnd logoul MIT