Circuits Analogiques - Problemes Et Corriges PDF

Enseignements E.E.A.
Electronique analogique
P r o b l m e s e t c o r r ig s
anne 2010 par Sylvain Gronimi
Universit Paul Sabatier
Electronique analogique Problmes et corrigs
TABLE DES PROBLEMES
Partie 1
Rappel sur la thorie des circuits
Mise en quations et thormes fondamentaux Rponse dun circuit RL Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC Sonde passive doscilloscope Caractrisation dun quadriple Sensibilit dun pont de Wheatstone 3-4 5-8 9-10 11-12 13-15 16-17
Polarisation dun transistor

Dispersion des caractristiques dun JFET Polarisation dun JBT par diverses topologies Stabilisation par rsistance dmetteur 18-20 21-22 23-26
Caractrisation dun tage

Etage dphaseur JBT Etage source commune Etage collecteur commun charg par un miroir de courant Etage diffrentiel JBT Etage diffrentiel JFET 27-30 31-33 34-36 37-39 40-42
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage metteur commun Rponse en frquence dun tage base commune Rponse en frquence dun tage collecteur commun Comparaison des performances des montages fondamentaux JBT Rponse en frquence dun tage pseudo metteur commun Rponse en frquence dun tage source commune Rponse en frquence dun tage pseudo-source commune Rponse en frquence dun montage cascode Rponse en frquence dun montage metteur commun collecteur commun 43-50 51-55 56-59 60 61-64 65-70 71-74 75-78 80-86
Elments de circuits intgrs

Miroir de courant lmentaire pour polarisation dtage Miroir de courant lmentaire pour transfert dynamique Source de courant simple JFET pour polarisation dtage Source de courant gain pour polarisation dtage Source de Wilson pour transfert dynamique Source de Widlar en rptiteur de courant pour polarisation dtages Multiplicateur de VBE Ralisation dune opration arithmtique complexe (1 et 2) Conception dun buffer Etage diffrentiel charges asymtriques Etage diffrentiel charges actives (partie 1) Etage de tension (partie 2) Etage diffrentiel cascode charges actives (miroir) 87-88 89-90 91 92-93 94-96 97-98 99-100 101-102 103-109 110-112 113-119 120-124 125-133
Partie 2
Amplificateurs idaux
Intgrateur de tension diffrentielle Convertisseurs dimpdance Amplificateur dinstrumentation amlior Amplificateur dinstrumentation INA 114 Amplificateurs logarithmiques et exponentiels Multiplicateur / diviseur Amplificateurs conductance de transfert Voir aussi Le filtrage analogique 134 135-136 137-139 140 141-142 143-144 145-148
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Tables des problmes
Filtrage analogique
Filtre passe-bas deux suiveurs de tension Filtre passe-bas contre-raction multiple (structure de Rauch) Filtre passe-bas source contrle (structure Sallen-Key) Conception dun filtre passe-haut Butterworth dordre 4 Filtre passe-bande contre-raction multiple (structure de Rauch) sensibilit amliore Filtre passe-bande INIC Filtre passe-tout (dphaseur pur) du premier ordre Filtre passe-tout (dphaseur pur) du second ordre Filtre rjecteur deux amplificateurs de tension Filtre rjecteur variable dtat Filtre universel 149-151 152-156 157-162 163-166 167-169 170-172 173-174 175-177 178-180 181-183 184-187
Oscillateurs sinusodaux
Oscillateur triphas Oscillateur pont RLC Oscillateur pont RLC avec potentiomtre Oscillateur pont de Wien Oscillateur Colpitts Oscillateur Colpitts (variante) Oscillateur Clapp VCO JFET source commune VCO JFET drain commun 188 189-190 191-192 193-196 197-201 202 203 204-207 208-210
Rgulateurs de tension
Principe de stabilisation par diode zener Circuits de stabilisation dune tension par rfrence zener Rgulateur de tension 15 V / 2 A 211-213 214-221 222-223
Amplificateurs de puissance
Etage de puissance push-pull srie avec sources de Widlar Etage suiveur pilot par un amplificateur de tension intgr et contre-raction Etage de puissance push-pull srie en pont 224-229 230-235 236-240
Partie 3
Quelques structures de circuits intgrs
Amplificateur de tension LM 741 simplifi Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet) Amplificateur Norton LM 359 et applications Amplificateur conductance de transfert LM 13600 et application Buffer et amplificateur conductance de transfert OPA 660 et applications Amplificateur contre raction de courant LT1223 et application Comparateur LM 139 PLL analogique NE 565 et applications 241-257 258-264 265-276 277-284 285-395 296-306 307-312 313-337
Annexes
Modles de composants associs aux diffrents rgimes (diode, JBT, JFET) Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel symtrique Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun circuit complexe Mthode de travail pour lanalyse en frquence (approximation du ple dominant) Transformation de schma par application du thorme de Miller Bibliographie, symboles, notations 338-342 343-344 344-345 346-347 348-349 350
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Tables des problmes
Mise en quations et thormes fondamentaux

Diviseur de tension
R1
VE R3
R2
VS
Exprimez la tension VS en fonction de VE , R1, R2 , R3 .
Diviseur de courant
I
I2 R1 R2 R3 V
Exprimez le courant I 2 en fonction de I, R1, R 2 , R3 .
Application du thorme de Millman

R1 10 V 10 V R2 30 R 5 V1 I
Evaluez le courant I.
Application du thorme de Thvenin et de superposition

R1 R3
I V R2
Donnez le gnrateur de Thvenin quivalent au diple.
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Corrig
Diviseur de tension
VE = (R1 + R2 + R3 )I VS = R 2 I
VS =
R2 VE R1 + R2 + R3
Diviseur de courant
V V V I = R + R + R 1 2 3 V I = 2 R2
1 R2 I2 = I 1 1 1 + + R1 R2 R3
Application du thorme de Millman

V R1 Calcul du potentiel de nud : V1 = 1 1 1 + + R1 R2 R3
1 V1 R = V ( I = 0 .6 A ) I= 1 1 1 R + + R1 R2 R
Application du thorme de Thvenin et de superposition
La prsence des deux sources indpendantes V et I invite utiliser le thorme de superposition pour le calcul de la tension de Thvenin VTh (tension vide du diple). Ce calcul seffectue donc en deux tapes : 1re tape : extinction de la source de courant ( I = 0 , circuit ouvert) VTh1 = 2me tape : extinction de la source de tension ( V = 0 , court-circuit) VTh2 =
R2 V. R1 + R2
R1 R2 I. R1 + R2
do la superposition VTh = VTh1 + VTh2 =
R2 R R V+ 1 2 I. R1 + R2 R1 + R2
La rsistance du diple se calcule en teignant les deux sources indpendantes, ce qui donne R R RTh = 1 2 + R3 . R1 + R2
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Rponse temporelle dun circuit RL

Soit le circuit RL avec condition initiale nulle.
R vE 100 L 100mH
Une excitation sinusodale damplitude crte VE est applique au circuit. Le but du problme est dobtenir les rponses du courant i (t ) circulant dans la maille et de la tension aux bornes de linductance v L (t ) par les trois techniques suivantes : Rponse temporelle (variable t) 1. Ecrivez lexpression analytique du courant. 2. Ecrivez lexpression analytique de la tension. 3. Dmontrez que la tension est en avance de /2 par rapport au courant en rgime permanent. Rgime sinusodal tabli (variable j) 4. Ecrivez les expressions du module et de largument du courant et de la tension. 5. Comparez ces rsultats ceux obtenus prcdemment en rgime permanent. Transformes de Laplace (variable p) 6. Ecrivez la fonction de transfert en tension VL ( p) VE ( p) . 7. Par transformes de Laplace, donnez lexpression de la tension.
Corrig
Rponse temporelle d v (t ) = R i ( t ) + L i (t ) E dt v (t ) = L d i (t ) L dt
(posons =
L ) R
1. Expression analytique du courant Rsolvons lquation diffrentielle du premier ordre

c
v (t ) 1 d i (t ) + i ( t ) = E en quatre tapes : dt L = t do i H (t ) = e
t
quation homogne d 1 di dt i (t ) + i (t ) = 0 = dt i Log i
variation de la constante
' (t ) e
VE sin( t ) VE = m e j t L L
[ ]
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1 t + j t e j t VE VE m e dt = (t ) = e m 1 L L + j cos( t ) + j sin( t ) 1 1 car m = sin( t ) cos( t ) = sin( t ) 1 1 2 + j + 2
en posant cos =
et sin =
+ 2 = 1 avec = arctg ( ) et = 1 + 2 2
solution particulire de lquation complte

i P (t ) = (t ) e
t
do
i P (t ) =
VE R + L2 2
2
sin( t )
solution globale
i (t ) = e
+ i P (t ) VE
avec i (0) = 0 =
sin e
VE R + L2 2
2
sin
do i (t ) =
R +L
2 2
VE R + L2 2
2
sin( t )
Le premier terme correspond au rgime transitoire et le second terme au rgime tabli ou permanent.
2. Expression analytique de la tension

t t 1 v L (t ) = VE sin e + cos( t ) = VE sin cos e + cos( t )
3. Dphasage
cos( t ) = sin t + 2
L I =
( ) = + 2 2
Rgime transitoire (VE =1 V et f = 1 kHz)

rgime transitoire 1.0V
0V
-1.0V 0s 0.5ms V(E) 1.0ms 1.5ms 2.0ms Time 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms
V(L)
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Rgime permanent
1 1.0V 2 2.0mA
1.0mA tension d'entre (0) 0V 0A tension en avance de 9 -1.0mA
courant en retard de 81
-1.0V >> -2.0mA 18.0ms 1 V(L) 18.5ms I 19.0ms Time 19.5ms 20.0ms
V(E)
Rgime sinusodal tabli

VE = (R + jL ) I V = jL I L I=
VE R + jL
et VL =
jL VE R + jL
4. Modules et arguments
VE R +L L
2 2 2
I =
et
VE
I = E arctg
et
L R
( VE = VE e jE )
L R
VL =
R 2 + L2 2
L = E +
arctg
5. Comparaison du rgime tabli

i (t ) = VE R +L
2 2 2
sin( t + I )
I m e j ( t +I )
L = R
]
L R + L2 2
2
v L (t ) = VE sin sin( t + L ) avec sin = =
VL m e j ( t +L )
Transformes de Laplace
VE ( p ) = (R + Lp ) I ( p ) VL ( p ) = Lp I ( p )
6. Fonction de transfert
p V ( p) H ( p) = L = VE ( p )
n
1+ p
avec n =
R 1 = L
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7. Expression de la tension aux bornes de linductance Tableau des transformes : sin( t ) Dcomposition en lments simples :
p a bp + c = + = 1 p2 + 2 1 2 2 + p p + p + b c 2 (a + b )p 2 + + c p + + a
p +
2 2
VL ( p ) =
2 1 2 p + p +
VE
1 2 2 p + p +
b=a=
2 2 c = , 1 + 2 2 1 + 2 2
1 1 p 1 + + 2 VL ( p ) = VE 2 2 2 2 1 p + p + 1 p + 2 + 1 p Tableau des transformes : e at , 2 sin( t ) , 2 cos( t ) 2 p+a p + p + 2
Posons cos =
et sin =
1 2 + = 1 et cos cos( t ) + sin sin( t ) = cos( t )
t do v L (t ) = VE sin cos e + cos( t )
La technique dans le domaine temporel est dune grande complexit, puisquelle fait apparatre des quations intgro-diffrentielles dont la rsolution mathmatique est rapidement limite (utilisation du calcul numrique). La technique du calcul complexe est aise, mais limite uniquement une excitation sinusodale fournissant le rgime permanent (pas de transitoire). Ltude par les transformes de Laplace est la mthode la plus gnraliste, pouvant fournir la rponse du circuit une excitation quelconque.
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Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC

Soit le circuit RC avec condition initiale nulle.
R
vE
Un chelon unit de tension damplitude VE est appliqu au circuit. Le but du problme est dcrire la relation exprimant la corrlation entre temps de monte et frquence de coupure du circuit. 1. Ecrivez la fonction de transfert en tension VC ( p ) VE ( p ) et tracez les courbes de rponse dans le plan de Bode (module et argument). 2. Par transformes de Laplace, donnez lexpression de la tension v C (t ) . 3. Ecrivez lexpression du temps de monte t r dfini par la diffrence des temps pour atteindre respectivement 90% et 10% de la valeur finale en fonction de la constante de temps du circuit. 4. Ecrivez la relation entre la frquence de coupure fh du circuit passe-bas et le temps de monte.
Corrig
1. Fonction de transfert A partir de lquation dans le domaine temporel, on crit
v (t ) 1 d 1 1 v C (t ) + v C (t ) = E p VC ( p ) + VC ( p ) = VE ( p) dt 1 VE ( p ) = R + C p I ( p) V ( p) 1 = H ( p) = C ou directement V ( p ) 1 + p E V ( p ) = 1 I ( p ) C Cp
En rgime sinusodal, H ( j ) =
1 1 + j
avec = RC
2 H dB = 20 log 1 + ( ) , = arctg ( )
2 0d
-10
(159.436,-3.0185)
-20
-50d
(159.652,-45.089) -30 filtre du premier ordre = 1 ms
-40
-100d 1.0Hz 1 DB(VC)
10Hz P(VC)
100Hz Frequency
1.0KHz
10KHz
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2. Rponse lchelon de tension

VC ( p ) = VE V V = E E 1 p (1 + p ) p p+
avec VE ( p ) =
VE (chelon de tension damplitude VE ) p

t v C (t ) = VE 1 e
Tableau des transformes F ( p ) =
1 f (t ) = e t u(t ) , do p +
Lapplication des thormes de la valeur initiale et de la valeur finale donne immdiatement la valeur de cette fonction lorigine et au temps infini sans quil soit ncessaire de calculer vC(t) : VE pVC ( p ) = lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = 0 et lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = VE p t 0 p0 t 1+ p
1.2V vE(t)
0.8V
vC(t) t = 3 ms
0.4V
t = 1 ms VC = 63.2 % de VE
VC = 95 % de VE
0V 0s
1.0ms
2.0ms Temps
3.0ms
4.0ms
V d VE = 1V , = 1 ms , pente lorigine v C (t ) = E , v C ( ) 0.632 V , v C (3 ) 0.95 V dt t =0
3. Expression de t r ( )
v C (t1 ) = 0.1VE v (t ) = 0.9V E C 2 t1 = Ln 10 9 t 2 = Ln 10
t r = t 2 t1 = Ln 9
soit t r 2.2
Lchelon est la combinaison de la variation de la tension la plus abrupte et de la plus lente variation possible de tension.
4. Expression de t r (fh )
H ( p) = 1+ 1 p
avec h =
tr
2 .2
ou t r
0.35 fh
fh tant la frquence de coupure haute du passe-bas du 1 ordre.
Si le systme est un passe-bas plusieurs ples, cette relation est une approximation dautant meilleure que la valeur de fh est faible devant celles des autres ples (ple dominant).
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Sonde passive doscilloscope

Soit le schma de principe dune sonde passive attnuatrice.
embout de sonde CS cble de mesure RS vE capacit du cble CC 100p v0 R0 1Meg CP 13p entre de l'oscilloscope
Lamplificateur vertical de loscilloscope est reprsent par le schma quivalent parallle R0 - C p aux bornes duquel existe la tension v 0 (t ) . 1. Ecrivez la fonction de transfert V0 ( p) VE ( p) . 2. Donnez la condition pour que la fonction de transfert soit indpendante de la frquence. Evaluez la rsistance RS pour avoir une attnuation de rapport 1/10 et dduisez la valeur de la capacit CS0 dcoulant de la condition. 3. Dterminez limpdance dentre de la sonde branche sur loscilloscope, sous forme dun schma R-C parallle la condition prcdente. 4. Calculez et tracez les rponses temporelles de v 0 (t ) un chelon de tension unit pour une capacit de sonde rgle aux valeurs CS0 CS (on supposera que CS >> CS 10 et que les bandes passantes de la sonde et de loscilloscope sont trs larges).
+ t r2 + t r2 . Pour Le temps de monte lu sur lcran dun oscilloscope est donn par t rlu t r2 signal oscillo sonde
effectuer cette mesure, on dispose dun oscilloscope associ une sonde dont les bandes passantes sont respectivement de 100 MHz et de 500 MHz. 5. Calculez lerreur commise sur la mesure de signaux carrs dont le temps de monte serait de 5 ns et 50 ns. Formulaire : t r 0.35 , t r lu = t r2 . + t r2 + t r2 signal oscillo sonde fh
Corrig
Posons C0 = CC + CP = 113 pF , 0 = R0C0 et S = RSCS . 1. Fonction de transfert
H ( p) = V0 ( p ) Z0 ( p ) = VE ( p ) Z0 ( p ) + ZS ( p )
avec Z ( p ) =
R0 R H ( p) = R0 + RS 1 + RCp
1 + S p R0 S + RS 0 1+ p R0 + RS
2. Condition pour un rgime apriodique La fonction de transfert est indpendante de la frquence si S =
R0 S + RS 0 soit S = 0 . R0 + RS
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Sonde attnuatrice de rapport 1/10 H =
R0 1 = R0 + RS 10
RS = 9R0 = 9 M C0 = 12.56 pF CSO = 9
3. Impdance dentre de la sonde

Z E ( p ) = ZS ( p ) + Z 0 ( p )
Au rglage optimal de la sonde ZE ( p ) = parallle avec CE = C0 10 = 11.3 pF .
10 R0 RE = 1 + R0C0 p 1 + RE CE p
soit RE = 10 R0 = 10 M en
4. Rponses temporelles
CS = CS 0 CS
S = 0
1 1 1 do V0 ( p ) 10 p 0 1 +p 0
t CS 0 1 1 e 10 CS0
p 1 1 + ( 0 )p 1 1 H ( p) = 10 10 1 + 0 p 1 + 0 p 10
Transformation inverse de Laplace
v 0 (t )
Trois cas de rglage de la sonde apparaissent au sein de la simulation ci-dessous, savoir la compensation optimale (CS = 0), la surcompensation (CS > 0), la sous compensation (CS < 0).
200mV
surcompensation
Rponse un signal carr damplitude 2 Vpp
100mV
vO(t)
sous compensation
0V
compensation optimale
-100mV
Rglage de la sonde Cs/Cs

-200mV 0s 0.2ms 0.4ms Time 0.6ms 0.8ms 1.0ms
5. Erreur commise sur la mesure Instrumentation :

t r oscillo = t rsonde = 0.35 10 8 0.35 = 3.5 ns (bande passante 100 MHz)
Signal :
t rlu
= 0.7 ns (bande passante 500 MHz) 5 10 8 t rsignal ( 1 % prs) pour t r signal = 50 ns
t rlu 6.14 ns , soit une erreur de 1.14 ns (23%) pour t rsignal = 5 ns .
Pour ltude de circuits numriques, nous constatons que linstrumentation nest pas assez performante.
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Caractrisation dun quadriple

Le but de ce problme est de caractriser un quadriple, cest--dire dvaluer ses rsistance dentre et de sortie et son transfert, en prsence dune source contrle.
i1 Rg ve vg R1 k i1 R2 vs Rch is
1. Dterminez la rsistance dentre Re du quadriple charg par Rch . 2. Dterminez les lments RTh et vTh de Thvenin formant le diple de sortie du quadriple non charg par Rch . 3. Dessinez le nouveau schma quivalent du quadriple, puis dessinez ce schma sous la forme modlise dun amplificateur de tension.
Corrig
La difficult de la mise en quations du systme linaire et de sa rsolution vient de la prsence de la source de courant k i1 contrle par le courant i1 de la branche supportant la rsistance R1 . Ce type de source, symbolise par un losange, reprsente une modlisation de comportement correspondant un transfert dun courant de branche (branche contrlante) vers une autre branche (branche contrle) un coefficient constant prs (k). La source est donc dpendante dune autre branche et, de ce fait, na rien de commun avec une source fournissant une excitation au circuit tel que le gnrateur indpendant de tension symbolis par un cercle ( v g ). 1. Expression de la rsistance dentre Le quadriple, charg par la rsistance de charge Rch , constitue un diple dont la rsistance quivalente Re est obtenue par lapplication du thorme de Thvenin/Norton. Par dfinition, la rsistance dentre scrit Re =
i1 R1 v0 k i1 i2 R2 Rch
v0 daprs le schma droite ci-dessous. i1

i1
v0
Re
La topologie du circuit se simplifie en posant Req = R2 // Rch , ce qui conduit lcriture dune maille et dun nud.
v 0 = R1 i1 + Req i 2 (k + 1)i1 = i 2
v 0 = R1 i1 + Req (k + 1)i1 , do Re = R1 + (k + 1)(R2 // Rch )
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2. Expressions des lments de Thvenin La tension de Thvenin tant une tension vide, la rsistance de charge est donc dbranche. La topologie prsente une maille et un nud, soit deux quations auxquelles il faut ajouter la tension aux bornes de la rsistance R 2 afin de dfinir vTh .
i1 Rg R1 k i1 vg i2 R2 vth
(k + 1)i1 = i 2 v g = Rg + R1 i1 + R2 i 2 vTh =R2 i 2
Rg + R1 v g = k + 1 + R2 i 2 = v R i 2 2 Th
do vTh =
(k + 1)R2 vg Rg + R1 + (k + 1)R2
Le diple devant tre passif, la source indpendante de tension v g est teinte, mais la source de courant contrle par le courant i1 est prsente. La rsistance du diple scrit RTh =
i1 R1 Rg vg = 0 k i1 i2 R2 v0 i0 i0
v0 . i0
RTh
v0
La topologie prsente deux mailles et un nud, donc un systme de trois quations rsoudre
i 0 + (k + 1)i1 = i 2 v 0 =R2 i 2 v = R + R i g 1 1 0
i0 =
v0 v0 + (k + 1) R2 Rg + R1
do
Rg + R1 1 1 k +1 = + (conductance) ou encore RTh = R2 // (rsistance). RTh R2 Rg + R1 k +1
3. Schmas quivalents du quadriple Le gnrateur ( v g , Rg ) voit ses bornes la rsistance dentre du quadriple et la charge voit ses bornes le diple quivalent sous forme Thvenin.
Rg Re vg
RTh vs vTh Rch
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La modlisation du quadriple sous la forme dun amplificateur de tension utilise une source de tension contrle par la tension v e aux bornes de la branche contrlante supportant Re . Dautre part, la rsistance de sortie Rs du quadriple sidentifie RTh .
Rg ve vg Re
Rs vs Av ve Rch
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Sensibilit dun pont de Wheatstone

Le schma du pont de Wheatstone est le suivant.
R1 VE 1 R2 VM 2
R3
1Vdc
R4
Le but de ce problme est de dfinir les conditions sur les quatre rsistances afin dobtenir une sensibilit maximale du pont. 1. Ecrivez lexpression analytique de la tension diffrentielle VM aux points de mesure 1 et 2 et dduisez la condition pour que cette tension soit nulle. 2. Dterminez la sensibilit du pont et crivez la condition sur les rsistances pour que cette sensibilit soit maximale. 3. Pour des rsistances tolrance 1%, valuez lerreur maximale sur la tension VM dans le cas dune sensibilit maximale du pont.
Corrig
1. Condition dquilibre du pont
R2 V1 = R + R VE 1 2 R 4 V = VE 2 R R4 + 3
R2 R4 VM = R + R R + R VE 2 3 4 1
La condition pour que la tension diffrentielle VM soit nulle est R1R 4 = R2R3 .
2. Sensibilit du pont La tension diffrentielle est fonction de cinq paramtres VM (R1, R2 , R3 , R 4 , VE ) et lapproche au premier ordre donne dVM = VM V V V V dR1 + M dR2 + M dR3 + M dR4 + M dVE avec R1 R2 R3 R4 VE
VM R2 1 a R1 VM a 1 = VE = VE , VE = VE , = 2 2 2 2 R2 (R1 + R2 ) R1 (a + 1) R2 (R1 + R2 ) (a + 1) R1 R3 R4 VM VM a a 1 1 V = VE , V = VE , = = 2 E 2 R 2 E 2 R R R3 (R3 + R4 ) (a + 1) 3 (R3 + R4 ) (a + 1) 4 4 R VM R2 R4 R = = 0 en posant 1 = 3 = a . VE R1 + R2 R3 + R4 R2 R 4 dR1 dR2 dR3 dR 4 do dVM = S R + R R + R VE 1 2 3 4
avec S =
(a + 1)2
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La sensibilit devient maximale si do la condition R1 = R2
dS =0 da et R3 = R 4 .
a = 1 , Smax =
1 4
3. Erreur maximale sur la tension diffrentielle

VM = S 4 R VE et pour Smax , VM max = 10 mV R
La sensibilit du dtecteur de zro doit tre meilleure que lerreur maximale. Ainsi, pour mesurer des rsistances avec une prcision de 1% partir dune source fournissant 1 V, il faut que le dtecteur ait une sensibilit meilleure que 10 mV.
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Dispersion de caractristiques dun JFET

Ltude porte sur la comparaison de la dispersion, en rgime continu, obtenue partir de deux topologies de schma (figures 1 et 2). Le constructeur donne les dispersions suivantes pour le transistor effet de champ de type 2N4416A : dispersions maximales
I DSS = 15 mA, VP = 6 V
I DSS = 5 mA, VP = 2.5 V
dispersions minimales
RD 2k J2N4416A J1 VCC 30 V RS
RG1 J2N4416A
RD 2k J1 VCC 30 V
RG2 1Meg
RS1
figure 1
figure 2
Polarisation automatique (figure 1) La polarisation du transistor est obtenue automatiquement par la tension continue produite aux bornes de la rsistance de source. Le transistor dispersion maximale est dabord mont dans ce circuit, puis remplac par le transistor dispersion minimale. 1. Calculez la rsistance de source RS pour avoir le point de fonctionnement VGSo = 2 V dans le cas de dispersion maximale. 2. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo .
Polarisation mixte (figure 2) Une autre faon de polariser le transistor est employe, mettant en oeuvre la polarisation automatique utilise prcdemment associe un pont de grille. Dans le cas o la rsistance RG1 est de valeur infinie, le montage redevient polarisation automatique. Les dmarches analytiques restent identiques, si ce nest dintroduire la nouvelle valeur de la rsistance de source. 3. En prenant la rsistance de source RS1 = 3 RS , calculez la rsistance de pont de grille RG1 pour avoir le point de fonctionnement VGSo = 2 V dans le cas de dispersion maximale. 4. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo . Comparaison des deux topologies 5. Concluez sur le choix de la topologie du circuit.
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Corrig
Polarisation automatique 1. Evaluation de la rsistance RS
+VCC
RD ID IG=0 VDS VGS RS
V I D = I DSS 1 GS VP ( ) I I D S
(transistor)
VCC (RD + RS )I D + VDS VGS RS I D
(circuit)
systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , RS )

VGSo = I DSS 1 V P VGSo 6.67 mA , RS 300 , VDSo VCC (RD + RS )I Do 14.7 V I Do
2
I Do
2. Evaluation des dispersions Le transistor dispersion minimale est mont en place du transistor prcdent. Les quations du systme rsoudre demeurent inchanges, mais les inconnues sont maintenant I D , VGS , VDS , ce qui conduit la rsolution dune quation du second degr.
1 2 VGS + 1 = 0 VGS 0.74 V telle que VP < VGS < 0 (JFET canal N) + I o 0 DSS RS VP VGSo et I Do = 2.48 mA , VDSo = VCC (RD + RS )I Do 24.3 V RS
2 VGS 2 VP
Les dispersions extrmes donnent des carts de position du point de repos dans le plan de sortie I D 4.2 mA , VDS 9.6 V pour cette structure de circuit.
Polarisation mixte 3. Evaluation de la rsistance de pont de grille RG1 Une maille dentre unique apparat aprs application du thorme de Thvenin.
+VCC
RD ID RG IG=0 VGS VG RS1 VDS
VGS I D = I DSS 1 V P
(transistor)
VCC RD + RS1 I D + VDS VGS VG RS1 I D avec VG = RG2 RG1 + RG2
(circuit)
VCC , RG = RG1 // RG2
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I Do 6.67 mA , VG 4 V , RG1 6.5 M , VDSo 10.7 V
4. Evaluation des dispersions Le transistor dispersion minimale est mont en place du transistor prcdent.
2 VGS 2 VP
1 2 V + 1 VG + = 0 VGSo 0.11V , I Do 4.57 mA , VDSo 16.7 V I DSS RS VP GS I DSS RS1 1
Les dispersions extrmes donnent des carts de position du point de repos dans le plan de sortie I D 2.1 mA , VDS 6 V pour cette structure de circuit.
5. Conclusion La polarisation mixte diminue le phnomne de dispersion. En effet dans le plan de sortie, les plages des coordonnes du point de repos sont rduites de I D = 4.2 mA 2.1 mA et VDS = 9.6 V 6 V .
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Polarisation dun transistor bipolaire

Ltude porte sur diverses topologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un courant de collecteur donn et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les caractristiques de sortie. Le transistor est de type 2N1711 ( typique = 150 ).
RB
RC VCC 20 V Q1
RB
RC VCC 20 V Q1
figure 1
figure 2
RB
RC VCC Q1 20 V
RB1 100k
RC VCC Q1 20 V
RE 180
RB2
RE 180
figure 3
figure 4
Dterminez les rsistances au sein des topologies suivantes, pour un courant ICo = 10 mA et en prenant VBEo 0.6 V . 1. 2. 3. 4. Polarisation simple (figure 1). Polarisation par rsistance entre collecteur et base (figure 2). Polarisation avec rsistance dmetteur (figure 3). Polarisation avec rsistance dmetteur et pont de base (figure 4).
Corrig
Le point de repos tant plac sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les caractristiques de sortie, la tension VCEo VCC 2 = 10 V 1. Polarisation simple
+VCC
RB IC IB
RC
VCC = RC IC + VCE VCC = RB I B + VBE I = I B C
VCE VBE
RC =
VCC VCEo IC o
= 1 k , RB =
VCC VBEo IC o
= 291 k
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2. Polarisation par rsistance entre collecteur et base

+VCC
RC RB IC IB VCE VBE
VCC = RC (IC + I B ) + VCE VCE VBE = RB I B I = I B C
RC =
VCC VCEo IC o
+1
1 k , R B =
VCEo VBEo IC o
= 141 k
3. Polarisation avec rsistance dmetteur

+VCC
RB IC IB
RC
VCC = VCE + RC IC + RE I E VCC VCEo VCC = RB I B + VBE + RE I E RC RE = 820 , IC o I E = I B + IC I = I B C
VCE VBE RE
VCC VBEo RB RE 264 k IC o
4. Polarisation avec rsistance dmetteur et pont de base

+VCC
VB = RB I B + VBE + RE I E VCC = RC IC + VCE + RE I E RC VCC VCEo IC o
VB =
RB2 RB1 + RB2
VCC , RB = RB1 // RB2
RB1 IC VB IB
RC
VCE VBE
RE = 820 , RB
VBEo + RE ICo VCC ICo RB1
18 k ,
RB2
RE
RB2 22 k
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Stabilit du point de repos par rsistance dmetteur

Ltude porte sur le comportement du montage de la figure ci-dessous en fonction de la temprature.
RB1 100k
RC 1.5k VCC Q1 20 V
RB2
RE 470
Le transistor, de type 2N1711 ( typique = 150 ), possde les caractristiques constructeur
Ptot (TA 25 C )max = 0.8 W , TJmax = 200 C , RthJA = 220 C /W , RthJB = 58 C /W
Etude du rgime continu 1. En supposant IB << IC et VBE << VCE , crivez que la puissance Pd dissipe dans le transistor, satisfait la condition dPd dIC = 0 et dduisez le point de repos correspondant et la valeur de la rsistance RB 2 ncessaire pour polariser correctement le transistor ( VBE0 0.6 V ). 2. En prenant comme valeur de temprature ambiante TA = 25 C , calculez la temprature TJ de la jonction. Stabilit en temprature 3. Dans le cas gnral, crivez IC = [ (T ),VBE (T ),ICBO (T )] . 4. Dduisez les facteurs de stabilit SI = IC ICBO , SV = IC VBE , S = IC . 5. Evaluez dans le cas du montage dIC dT et dVCE dT sachant que, pour le silicium, le fabricant indique dVBE dT 2.5 mV / C , d ( dT ) 0.5 % / C , dICBO (ICBO dT ) 11 % / C et ICBO = 1 nA 25 C .
Corrig
Etude du rgime continu 1. Expression de la puissance dissipe
+VCC
RB1 IC VB IB
RC
VCE VBE
RB2
RE
VB = RB I B + VBE + RE I E VCC = RC IC + VCE + RE I E I E = I B + IC IC = I E + ICBO RB2 VCC , RB = RB1 // RB2 avec VB = RB1 + RB2
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et ICBO courant de fuite de la jonction base-collecteur polarise en inverse (drive thermique).
Les deux jonctions prsentes par le transistor produisent une rsistance au passage des courants, do une puissance dissipe en chaleur. La traverse du courant IC travers la jonction base-collecteur, aux bornes de laquelle existe la tension VCB , produit une dissipation de puissance gale VCB IC . De la mme faon, la puissance dissipe dans la jonction basemetteur vaut VBE I E . La puissance dissipe dans le transistor scrit
Pd = VBE I E + VCB IC = VBE I B + (VCB + VBE )IC = VBE I B + VCE IC VCE IC car IB << IC et VBE << VCE .
La puissance transforme en chaleur dans le transistor est presque intgralement dissipe par la jonction base-collecteur dont le courant de fuite ICBO varie en fonction de la temprature. En considrant que I E IC ( >> 1 ) dans lquation de la maille de sortie,
Pd IC [VCC (RC + RE )IC ] do dPd = 0 VCC = 2 (RC + RE )IC dIC
cinquime quation du systme linaire dont les cinq inconnues sont I B , IC , I E , VCE , RB2 . La puissance dissipe passe par un maximum au point de repos (fonction parabolique) VCC V IC o 5 mA et VCEo VCC (RC + RE ) ICo = CC = 10 V . 2 (RC + RE ) 2 Ces expressions, respectivement ordonne et abscisse du point de repos dans le plan de sortie du transistor, montrent une polarisation en classe A (au milieu de la droite de charge statique). En ce point, il y a le meilleur effet de stabilisation possible du courant collecteur en fonction de la temprature. En effet, une variation de IC correspond une variation minimale de Pd (sommet de la parabole). Il parat donc souhaitable de polariser le transistor au milieu de la droite de charge condition, bien sur, de pouvoir dissiper la puissance maximale 2 VCC Pdmax = 50 mW (<< 800 mW). 4 (RC + RE ) En considrant I E IC , la maille dentre scrit
VBE o + RE ICo I RB VCC RB C + VBE + RE IC RB 18 k et RB2 22 k . RB1 VCC ICo RB1
2. Calcul de la temprature TJ La puissance maximale que peut dissiper un transistor, pour une temprature ambiante dtermine, est une constante qui dpend des dimensions gomtriques du transistor
Pd = TJ TA RthJA
(approche linaire)
avec TJ temprature de la jonction ( TJmax = 200 C ), TA temprature ambiante ( TA = 25 C ),

RthJA rsistance thermique jonction-ambiant ( RthJA = 220 C /W ).
A remarquer que la formule satisfait les donnes constructeur Ptotmax = La temprature de la jonction vaut TJ = T A + RthJA Pd = 36 C .
TJmax TA RthJA
0 .8 W .
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Il est possible davoir une approche de la temprature du botier TB en considrant la rsistance thermique jonction-botier ( RthJB = 58 C /W ), soit TB = TJ RthJB Pd 33 C . Lutilisation dun radiateur permettrait daugmenter le pouvoir de dissipation du transistor,
Pd = TJ TA + RthBR + RthRA
RthJB
avec RthBR rsistance thermique botier-radiateur, RthRA rsistance thermique radiateur-ambiant. La somme des rsistances thermiques serait alors de valeur plus faible que la rsistance thermique RthJA du transistor seul.
Stabilit en temprature 3. Expression de IC ( ,VBE , ICBO )

VB = RB I B + VBE + RE I E VB = (RB + RE )I E + VBE RB IC I E + ICBO IC = +1 IC = + 1 I E + ICBO I E = I B + IC
IC =
(RE + RB )( + 1)ICBO + (VB VBE ) RB + ( + 1)RE
Le courant collecteur est fonction dun ensemble de variables physiques dpendantes de la temprature
4. Calcul des facteurs de stabilit Ces facteurs sont les mesures de la stabilit de la polarisation du transistor. Ils sont dfinis comme le rapport dune variation IC du courant collecteur due une variation de temprature, la variation correspondante dune des fonctions suivantes ICBO (T ) , VBE (T ) , (T ) , les autres variations tant nulles, do IC = SI ICBO + SV VBE + S . Pour des variations suffisamment faibles des variables fonctions de la temprature, la relation au IC I I dICBO + C dVBE + C d . premier ordre est utilise dIC = ICBO VBE Il faut souligner que cette approche mathmatique par les drives partielles est une approche linaire de phnomnes fortement non linaires. Les facteurs scrivent alors :
I ( + 1)(RB + RE ) , S = IC dIC dIC , = = SI = C = = V dICBO RB + ( + 1)RE dVBE RB + ( + 1)RE CBO = cte BE = cte VBE I ICBO V =cte =cte
I dI (RB + RE ) ICo ICBO SI I S = C = C = C ICBO = cte ( + 1) o d RB + ( + 1)RE V = cte
BE
Ces trois facteurs de stabilit du montage doivent simultanment avoir des valeurs les plus faibles possibles. Les trois expressions ayant mme dnominateur, on se contentera de rendre possible lingalit suivante RB << ( + 1)RE o RB reprsente le pont de base et ( + 1)RE limpdance ramene lentre par la contre-raction.
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Deux cas extrmes peuvent tre envisags : montage base commune RB = 0 SI = 1 , SV

I Co 1 , S 2 RE
RB Le pire cas correspond au montage metteur commun qui est le plus souvent employ.
montage metteur commun RE = 0 SI = + 1 , SV =
, S
IC o
5. Drive du point de repos Ces facteurs de stabilit permettent de calculer les variations du point de polarisation quand la temprature varie.
dICBO dICBO dVBE dVBE d d dIC + SV + S dT = SI dT + SV dT + S dT = SI ICBO I dT dT CBO dT dI dV CE (R + R ) C C E dT dT dIC 3.45 10 9 + 4.24 10 6 + 5.16 10 6 9.4 A dT do dVCE (R + R ) dIC 19 mV / C C E dT dT
Lapplication numrique montre que linfluence du courant de fuite ICBO est ngligeable une temprature raisonnable et que les variations sur VBE et jouent un rle fondamental. Sans rsistance dmetteur, la drive aurait t cinq fois plus importante. En conclusion, la prsence dune rsistance dmetteur diminue la fluctuation du point de repos dans le plan de sortie IC (VCE ) du transistor.
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Etage dphaseur
Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor est de type 2N1711 ( typique = 150 ). Le composant CG est un condensateur de liaison.
RB rg 50 vG RE 1k CG
RC 1k VCC Q1 vS1 vS2 20 V
Etude du rgime continu 1. Calculez la valeur de la rsistance RB ncessaire pour que la tension VCE 0 soit de 10 V ( VBE0 0.6 V ).
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 2. Dessinez le schma et valuez le paramtre rbe du modle du transistor ( rce = ). 3. Calculez les gains en tension A v1 = v s1 v g et A v 2 = v s2 v g . 4. Calculez la rsistance dentre Z e du montage. 5. Calculez les rsistances de sortie Z s1 et Z s2 correspondant respectivement aux signaux de sortie
v s1 et v s2 .
6. Concluez sur la dnomination du montage.
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Caractrisation dun amplificateur linaire
Corrig
Etude du rgime continu 1. Evaluation de la rsistance RB
+VCC
RB IC IB VBE RE Q1 VCE RC
VCC = RB I B + VBE + RE I E VCC = RC IC + VCE + RE I E I E = I B + IC I = I B C
systme de 4 quations 4 inconnues ( I B , IC , I E , RB )
En considrant I E IC ( >> 1 ), le systme se rduit 2 quations 2 inconnues ( IC , RB )

IC VCC VBE o RE ICo VCC VCEo + VBE + RE IC VCC RB IC o = 432 k = 5 mA et RB RC + RE IC o V (R + R )I + V C E C CE CC
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 2. Schma et valuation du paramtre rbe Aux frquences moyennes, le condensateur de liaison est quivalent un court-circuit.
rg RB vg i
rbe
i RC vs1
rbe
UT = 750 IC o
rce =
RE
vs2
3. Calcul des gains en tension En constatant que rg << RB dans lapplication du thorme de Thvenin, le systme scrit :
v g rg + rbe + ( + 1)RE i v s1 = RC i v s2 = ( + 1)RE i vs vs ( + 1)RE RC A v1 = 1 et A v 2 = 2 vg rg + rbe + ( + 1)RE vg rg + rbe + ( + 1)RE
soit A v1
RC 1 et A v 2 + 1 , car ( + 1)RE >> rg + rbe . RE
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4. Calcul de la rsistance dentre Le diple reprsent est quivalent une rsistance par application du thorme de Thvenin. Les courants dynamiques existant dans le diple sont gnrs par le courant dexcitation entrant i 0 , issu de la source de tension v 0 .
i0 i1 v0 i RB RE rbe i RC v0
i0
ze
i 0 = i1 + i v v0 i0 = 0 + v 0 = RB i1 ( R r + + 1)RB B be v = r i + ( + 1)R i be B 0
do Z e =
v0 = RB // [rbe + ( + 1)RE ] 112 k i0
Remarquons ici que la topologie du circuit prsente des branches en parallle, ce qui conduit crire lexpression de la conductance du diple et non de sa rsistance (topologie srie). A la vue du schma, cela se vrifie par la prsence de la rsistance RB en parallle sur la rsistance du transistor vue de sa base. 5. Calcul des rsistances de sortie Pour le calcul de la rsistance vue entre collecteur et masse, le courant dexcitation i 0 ne peut traverser la branche de rsistance infinie que reprsente la source lie. Le circuit en amont ne peut tre excit et i = 0 i = 0 . La rsistance du diple est donc Z s1 = RC .
i0 i=0 rbe i=0 RE RG RB RC v0
Pour le calcul de la rsistance vue entre lmetteur et la masse, la topologie du circuit prsente une mise en parallle des branches. Trouver RE en parallle aux autres branches apparat vident. De plus, RC est en srie avec la rsistance infinie de la source lie et, de ce fait, ne doit pas figurer dans lexpression de Z s2 . La source indpendante v g tant teinte dans le diple, le courant dexcitation entrant i 0 peut atteindre la branche qui supporte rbe et la fraction de courant i commande la source i .
i0 i rbe RE rg RB RC v0 i i1
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i 0 = i1 ( + 1)i rbe + rg // RB i +1 1 0 = do Z s2 = RE // 5 .3 + v 0 = RE i1 v 0 RE rbe + rg // RB +1 v = r + r // R i be g B 0
6. Conclusion Les diples quivalents du montage sous forme Thvenin sont, dune part en sortie collecteur, une source de tension indpendante damplitude v g et de phase oppose celle de lentre en srie avec une rsistance Z s1 = 1 k (pseudo-metteur commun) et, dautre part en sortie metteur, une source de tension indpendante damplitude v g et de mme phase que celle de lentre en srie avec une rsistance Z s2 5.3 (metteur suiveur). Le montage dphaseur de tension propose deux diples pour attaquer un ventuel montage suivant.
collecteur metteur
Zs1 vs1
Zs2 vs2
vg
vg
Lamplificateur de tension peut tre reprsent sous la forme dun quadriple faisant apparatre un modle utilisant une source contrle de tension, associe une branche contrlante supportant la rsistance dentre (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire .
collecteur rg 50 ve vg A v1 ve Zs1 1k Ze 112k vs1 vg A v2 ve rg 50 ve zs2 5.3 vs2 metteur
ze 112k
avec v e =
Ze v g v g car Ze >> rg Z e + rg
v s1 = A v 1v g A v 1v e v e et v s2 = A v 2 v g A v 2 v e + v e
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Etage source commune

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous sous la forme dun diple et dun quadriple. Le transistor effet de champ possde les caractristiques I DSS = 15 mA, VP = 6 V . La rsistance Rch reprsente la charge extrieure de ltage. Les condensateurs ont une fonction de liaison (couplage).
RD 2k rg 50 vG R 100k RS 300 CG J1
CL VCC Rch 8k CS 30 V
Etude du rgime continu 1. Dterminez les points de fonctionnement du transistor. Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 2. Dessinez le schma et valuez le paramtre g m du modle du transistor ( rds = ). 3. Calculez la rsistance dentre Z e vue par le diple dattaque ( v g , rg ). 4. Ecrivez les expressions des lments du diple de Thvenin ( v s0 , Z s ) du montage attaquant la charge Rch . 5. Identifiez les lments du quadriple reprsentatif de lamplificateur de tension, attaqu par le diple dattaque et charg par Rch . 6. Evaluez le transfert en tension v s v g .
Corrig
Etude du rgime continu 1. Calcul des points de fonctionnement En continu ( = 0 ), les condensateurs de liaison sont quivalents des circuits ouverts 1 = ). ( C
+VCC
RD ID IG=0 VGS R RS VDS
VCC (RD + RS )I D + VDS 2 VGS I I 1 = D DSS VP V R I S D GS
systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , VGS )
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2 VGS 2 VP
1 2 VGS + 1 = 0 VGS 2 V et I D 6.67 mA , VDS 14.7 V . + I o o o R V P DSS S
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 2. Schma et valuation du paramtre g m Aux frquences moyennes, les condensateurs de liaison sont quivalents des courts-circuits.
2 VP (canal N)
rg R vg
vgs gm vgs RD
vs
gm =
Rch
I DSS I Do 3.33 mA / V
3. Calcul de la rsistance dentre vue par lattaque

i0
G R
v0
Le diple contient tout le circuit (y compris la charge). La rsistance dentre vue de la grille du JFET tant de valeur norme (jonction en inverse), le courant dexcitation i 0 du diple se dirige entirement dans la rsistance R. Z e = R = 100 k
4. Diple de Thvenin Calcul de Z s vue par la charge Rch

i0 vgs = 0 R vg = 0 gm vgs =0 RD v0
rg
Le courant i 0 , issu de la source de tension v 0 extrieure applique au diple, est lunique courant dexcitation du circuit puisque v g = 0 (source teinte). Il ny a donc aucune possibilit datteindre la partie amont du circuit et v gs = 0 .
ZS = RD = 2 k
La tension vide, appele v s0 , se calcule en dconnectant la charge.

R R v gs = R + r v g vg v s0 = g m RD g R + rg v = g v R m gs D s0
RD vs vs0 Rch
La tension de sortie en charge est

vs = Rch R v s0 = g m (RD // Rch ) vg Rch + RD R + rg
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5. Quadriple reprsentatif de lamplificateur de tension Lamplificateur de tension peut tre reprsent sous la forme dun quadriple faisant apparatre un modle utilisant une source contrle de tension, associe une branche contrlante supportant la rsistance dentre (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire .
rg ve vg A v ve R
RD vs Rch
La branche dentre sidentifie Z e = R . Le diple de sortie sidentifie au diple de Thvenin attaquant la charge dont les lments sont ZS = RD et A v v e . Le transfert en tension A v est le coefficient de proportionnalit de la variable de commande v e tel que Av v e = Av R v g = v s0 A v = g m R D R + rg
6. Evaluation du transfert en tension Lexpression analytique de la tension de sortie en charge est : Rch v R vs = A v v e = g m (RD // Rch ) v g s 5.33 Rch + RD R + rg vg (mme expression que pour le diple, videmment).
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Etage collecteur commun charg par un miroir de courant

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous (rsistance dentre, rsistance de sortie, transfert en tension, frquence de coupure basse). Les transistors sont tous identiques tels que = 100 ( >> 1), VBE0 = 0.6 V , rce = 100 k . Le composant C est un condensateur de liaison.
RB C R VCC 10 V Q2 vs Q3
Q1
ve
Etude du rgime continu 1. Evaluez la rsistance R pour que la source de courant produise I E1 = 1 mA . ainsi que la rsistance
RB pour avoir VCE2 = 0.6 V .
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 2. Dessinez le schma et valuez le paramtre rbe du modle du transistor Q1 . 3. Calculez le transfert en tension A V = v s v e . la rsistance dentre Z e et la rsistance de sortie
Zs .
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences basses 4. Evaluez la capacit de liaison afin dobtenir une frquence de coupure de lordre du hertz.
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Corrig
Etude du rgime continu
RB
IR
Q1 IB1 IE1
R VCC
Q2
Q3
1. Evaluation des rsistances Les composants Q2 , Q3 et R constituent un miroir lmentaire qui reconduit le courant I R en sortie de Q2 .
VCC = R I R + VBE3 I R I E1
VCC VBEo I E1
= 9 .4 k
Evaluation de la rsistance RB
VCC = RB I B1 + VBE1 + VCE2 I E1 IC1 = I B1 ( >> 1)
RB
VCC VBEo VCE2 I E1
= 880 k
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 2. Schma et valuation du paramtre du modle Aux frquences moyennes, le condensateur de liaison est quivalent un court-circuit.
ie rbe1 RB ve i req vs i
rbe1
UT = 2 .5 k IC1 rce = 50 k . 2
req = rce1 // rce2 =
3. Caractrisation de ltage Calcul du gain en tension

v e rbe1 + ( + 1)req i v s = ( + 1)req i
Av =
( + 1)req vs = 1. v e rbe1 + ( + 1)req
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Calcul de la rsistance dentre Le diple reprsent est quivalent une rsistance par application du thorme de Thvenin. Les courants dynamiques existant dans le diple sont gnrs par le courant dexcitation entrant i 0 , issu de la source de tension v 0 .
i0 i1 RB v0 rbe1 i req i
i0
v0
ze
i 0 = i1 + i v v0 i0 = 0 + v 0 = RB i1 ( R r + + 1)req B be1 v = r i + ( + 1)r i be1 eq 0
do Z e =
v0 = RB // rbe + ( + 1)req 750 k i0
Calcul de la rsistance de sortie

i rbe1 ve = 0 RB i i1 req v0 i0
La source indpendante v e tant teinte dans le diple, le courant dexcitation entrant i 0 peut atteindre la branche qui supporte rbe1 et la fraction de courant i commande la source i .
i 0 = i1 ( + 1)i rbe1 rbe i 1 +1 0 = + do Z s = req // 1 = 25 . v 0 = req i1 v 0 req rbe1 +1 v 0 = rbe1 i
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences basses 4. Calcul de la capacit Constatons que le montage reprsente une simple rsistance sidentifiant la rsistance dentre.
C ve Ze
fb =
1 C 212 nF avec fb = 1 Hz . 2 Z e C
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Etage diffrentiel JBT

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont supposs technologiquement identiques avec = 200, VA trs grand .
RC S1 Q1 V1 RE Q2
RC
VCC 15 V
V2
VCC 15 V
Etude du rgime continu 1. Dmontrez que les courants collecteurs des transistors sont gaux. 2. En prenant I 0 = 200 A , valuez la rsistance RE . Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 4. Exprimez la tension de sortie sous la forme v s1 = Ad (v 1 v 2 ) + Ac (v 1 + v 2 ) 2 . 5. Evaluer RC pour avoir Ad = 100 , puis calculez le taux de rjection de mode commun TRMC . 6. Calculez la valeur de limpdance dentre diffrentielle Z d . 7. Calculez la valeur de limpdance dentre de mode commun Z c . La rsistance RE est remplace par un miroir de courant lmentaire Q3 - Q4 avec VA = 100 V (voir problme miroir lmentaire pour polarisation dtage , la polarisation tant directement compatible. 8. Evaluez le nouveau taux de rjection de mode commun. 3. Evaluez les paramtres rbe1 et rbe2 des modles des transistors.
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Corrig
RC IC1 Q1 VBE1 RE I0 IC2 Q2
RC
VCC 15 V
VBE2
VCC 15 V
1. Relation des courants collecteurs Equations technologiques

VBE1 I I e UT BS B Q1 Q2 1 VBE2 I B2 I BS e UT VBE1 = VBE 2 IC1 IC2
Equation de la maille dentre
2. Evaluation de la rsistance RE
IC1 = IC1 = ICo
o o
VCC VBE1 I0 o = 100 A et RE = 72 k 2 I0
Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes
vs1
RC
RC
Q1 v1 RE
Q2 v2
ie1 + ie2
3. Evaluation des paramtres des modles rbe1 et rbe2

rbe = rbe1 = rbe2 = UT = 50 k IC0
4. Expression de la tension de sortie Mthode classique (voir cours Montages plusieurs transistors )
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Mthode du demi-schma (voir annexe sur Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel )
vs1
RC
RC ie1 = - ie2
vs1
RC
RC ie1 = ie2
Q1 vd / 2 RE 0
Q2 masse virtuelle - vd / 2
vc
Q1
Q2 vc
vd + vc 2 v v2 = d + vc 2 v1 =
RE ie1 + ie2 = 2 ie
Pour le rgime diffrentiel, le montage (parfaitement symtrique) se rduit au montage metteur commun de gauche, les tensions dmetteur et de masse tant quipotentielles puisque la rsistance RE est traverse par un courant nul. La tension de sortie v s1 est gauche :
v s1 =
RC v d
rbe1
Pour le rgime de mode commun, le montage se rduit au montage pseudo-metteur commun, lmetteur de Q1 voyant une rsistance quivalente 2 RE traverse par son courant dmetteur :
v s1 = rbe1
RC vc + 2 ( + 1)RE RC RC vd vc 2 rbe1 rbe1 + 2 ( + 1)RE
Le thorme de superposition donne v s1 = On identifie Ad = v s1 vd =
RC
2 rbe1
et Ac =
v s1 vc
RC rbe1 + 2 ( + 1)RE
5. Evaluation de la rsistance RC et du taux de rjection TRMC

RC = 2 rbe Ad
= 50 k , TRMC =
Ad R 1 = + ( + 1) E 289 (49.2 dB) 2 Ac rbe1
6. Evaluation de la rsistance diffrentielle Z d (rsistance inter-bases, vue par la tension diffrentielle dentre) Z d = rbe1 + rbe2 = 100 k
7. Evaluation de la rsistance de mode commun Z c (rsistance entre base et masse, vue par la tension de mode Z c = rbe1 + 2 ( + 1)RE 29 M commun dentre pour le demi-schma) La source v c voit ses bornes une rsistance Z c 2 8. Evaluation du nouveau taux de rjection TRMC La charge dynamique du miroir rce3,4 VA = 500 k remplace la rsistance RE = 72 k , ce qui I0
amliore les performances de ltage diffrentiel ( TRMC 66 dB , Z c 201 M )
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Etage diffrentiel JFET

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont supposs technologiquement identiques avec I DSS = 2 mA, VP = 2 V .
+VCC +VCC
RD 10k J1
vs
RD 10k J2
v1 I0 J3
v2
RS 500
-VCC
Etude en rgime continu 1. Evaluez les courants de drain des transistors. Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 2. Dduisez de ltude du rgime continu, les valeurs des paramtres g mi des transistors J i . 3. Ecrivez lexpression de la rsistance dynamique z0 de la source de courant I 0 vue entre le drain et la masse. Evaluez cette dernire, le paramtre rds3 tant estim 100 k. 4. Les paramtres rds des transistors J1 et J 2 tant ngligs, crivez puis valuez les gains en tension Ad = vs v et Ac = s . vd vc
5. Dduisez le TRMC en dB. 6. Evaluez les rsistances diffrentielle Z d , de mode commun Z c et de sortie Z s du montage.
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Corrig
+VCC +VCC
RD 10k ID1 J1 ID2
RD 10k J2
VGS1 I0 J3
VGS2
VGS3 0
RS 500
-VCC
1. Evaluation des courants de drain des transistors

2 VGS1 I = I DSS 1 D1 Vp 2 VGS2 (mmes I DSS , VP ) I D2 = I DSS 1 Vp 2 VGS3 I D3 = I DSS 1 Vp
Equations technologiques ( J1 J 2 J 3 )
I 0 I D = I D + I D 3 1 2 Equations du circuit VGS1 VGS2 = 0 VGS3 = RS I 0 I0 I D1 = I D2 = 2 2 RS R2 2 1 do 2 S I + 2 0 I DSS Vp I = I Vp RS I 0 DSS 1 + 0 V p
I0 + 1 = 0
soit I 0 1.07 mA, I D1 = I D2 536 A

o o
2. Evaluation des paramtres g mi gm = 2 Vp I Do I DSS , g m1 = g m2 1.035 mA / V , g m3 1.46 mA / V
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3. Calcul de la charge dynamique

i0
rds3 i0 - gm vgs gm vgs v
v 0 = rds3 (i 0 g m3 v gs ) + RS i 0 v gs = RS i 0
0
RS
vgs
z0 =
v0 = RS + 1 + g m3 RS rds3 173 k i0
4. Expression de la tension de sortie La mthode du demi-schma est mise en uvre (voir annexe sur Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel symtrique).
G1 vgs1 vd / 2 vc gm vgs1 D1 RD z0 gm vgs2 D2 RD vs S1 S2 vgs2 vd / 2 G2
vc
Pour le rgime diffrentiel, le montage se rduit au montage source commune, car la charge z0 est traverse par un courant nul et la tension de sortie v s est droite, do v g R v v s = g m RD d do le gain diffrentiel Ad = s = m D 5.18 . 2 2 v d Pour le rgime de mode commun, le montage se rduit au montage pseudo-source commune, la source de J 2 voyant une charge quivalente 2 z0 traverse par son courant de source, do vs = g m RD vc 1 + 2 g m z0 do le gain de mode commun Ac = vs g m RD = 29 10 3 . vc 1 + 2 g m z0
Le thorme de superposition donne v s = Ad v d + Ac v c . 5. Evaluation du TRMC

TRMC = Ad 1 = + g m z0 180 (45 dB) Ac 2
6. Calcul des rsistances diffrentielle, de mode commun et de sortie du montage

Z d = , Z c = , Z s = RD = 10 k
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Rponse en frquence dun tage metteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Le transistor possde les caractristiques suivantes
= 150, ft = 70 MHz,Cbc = 20 pF , VA =
Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RB1 100k rg 50 vG CG 10u RB2 22k Q1
RC 1.5k S VCC 20 V RE 470 CE 100u
Etude du rgime continu 1. Dterminez le point de repos du transistor. Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 2. Dduisez la valeur du paramtre rbe de ltude prcdente. 3. Aux frquences moyennes, calculez le gain en tension Av o = v s v g , les rsistances dentre et de sortie. 4. Evaluez la frquence de coupure basse du montage. 5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage.
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Page 43
Rponse en frquence
Corrig
RB1 IC IB
RC VCC VCE VBE RE IE
RB2
1. Point de repos du transistor

VCC (RC + RE )IC + VCE VB = RB I B + VBE + RE I E
avec VB =
RB2 RB1 + RB2
VCC et RB = RB1 // RB2
RB 18 k , IC0 5.07 mA
Etude du rgime dynamique 2. Rsistance dynamique de la jonction base-metteur

rbe UT 740 IC 0
3. Gain en tension aux frquences moyennes
rg RB vg ib
ib rbe RC vs
Ce schma peut tre simplifi au regard des valeurs numriques, car RB >> rg par Thvenin.
RC v v g rg + rbe i b 285 Av o = s v r v i R = g g + rbe b C s
soit un gain damplitude de 285 avec dphasage de ou encore gain de 49 dB. Les rsistances dentre et de sortie scrivent : Z e = RB // rbe 711 et Z s = RC 1.5 k .
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Page 44
Rponse en frquence
4. Frquence de coupure basse Schma aux frquences basses

CG
rg RB vg ib
rbe ib RC
RE
CE
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la prsence des deux condensateurs indpendants au sein du montage. Mthode classique de mise en quations
1 3 = R C E E RB + rbe + ( + 1)RE 4 = R B rg + rbe RB + rg CG rbe + RB 2 = r + R // [r + ( + 1)R ] C + g B be E G RE // + 1 n RB rg + rbe RB + rg CG RE CE 1 1 2 = = RB + rbe + ( + 1)RE 3 4 n
p P 1 + 3 4 Av ( p ) = Av o 2 p2 p+ 1+
avec
2 n
[ {
)]
} )]
CE
Le calcul du coefficient damortissement et de la pulsation naturelle n du systme non amorti permet lvaluation de la frquence de coupure 3 dB (voir cours Le filtrage analogique ).
c = n 2 2 1 +
( 2 2 1)2 + 1
soit fc 327 Hz (filtre passe-haut du second ordre).
Mthode par lapproximation du ple dominant Calcul du premier ple :

du diple vu par C lorsque C est assimil un court-circuit. Rsistance RG G E
RG
rg
RB i
rbe
RC
RG = rg + RB // rbe 761
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Rponse en frquence
du diple vu par C Rsistance RE E lorsque CG est assimil un court-circuit.
i0
rbe rg
i RC
i rbe
i1
//RB
RE
v0
RE
RE
RC
rg //RB
v0 i1 = R E i 0 = i1 ( + 1)i v0 i = + r rg // RB be
i0 +1 1 = + v 0 RE rbe + rg // RB
do RE =
rg // RB + rbe
+1
// RE 5.21
)
1 2 1 1 R C + R C E E G G 326 Hz .
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB, fb
Calcul du deuxime ple : 0 du diple vu par C Rsistance RE E lorsque CG est assimil un circuit ouvert.
0 du diple vu par C Rsistance RG G lorsque CE est assimil un circuit ouvert.
0 RG
rbe RB i
i RC
rg
RE
0 RE
0 0 = R // RG = rg + RB // [rbe + ( + 1)RE ] 14440 , RE E
RB + rbe 95.8 +1
do f3
1 1 Hz 0 C + R0 C ) 2 (RG G E E
Calcul du zro : Le zro est produit par la liaison entre metteur et masse, couplage d CE . En effet, si lmetteur du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc RE 1 1 = p= 3.39 Hz . et f2 = 2 RE CE 1 + RE C E p R E CE
Les rsultats sont valables avec une excellente prcision car les deux ples sont spars de plus de deux dcades et le zro est deux dcades en dessous du ple dominant. La simulation sur Spice confirme ces chiffres.
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Page 46
Rponse en frquence
5. Frquence de coupure haute Estimation de la capacit de diffusion Cbe + Cbc = Schma aux frquences hautes
Cbc RB vg Cbe v rbe gm v Rc vs
IC 0 2 UT ft
Cbc = 20 pF , Cbe 440 pF
rg
La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des deux capacits indpendantes au sein du montage. Mthode classique de mise en quations Lcriture de la fonction de transfert en tension est la suivante : gm z = C p bc 1 2 Z AV ( p ) = AVo avec = rg // RB // rbe Cbe + RC + (1 + g m RC ) rg // RB // rbe Cb 'c 2 p2 n 1+ p+ 2 1 n n 2 = rg // RB // rbe RC Cbe Cbc n
)]
Le calcul du coefficient damortissement et de la pulsation naturelle n du systme non amorti permet lvaluation de la frquence de coupure 3 dB (voir cours Le filtrage analogique ).
c = n 1 2 2 +
( 2 2 1)2 + 1
soit fc 477 kHz
(filtre passe-bas du second ordre).
Mthode par lapproximation du ple dominant Calcul du premier ple :

0 Rbc
rg
v RB
rbe
0 R be
RC gm v
Rsistance du diple vu par C be lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert :

0 Rbe = rg // RB // rbe 46.7
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Page 47
Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert :

i0
0 Rbe
v v0
gm v RC
0 v 0 = R be i 0 + RC (i 0 + g m v ) 0 v = R be i 0
0 0 Rbc = (1 + g m RC )Rbe + RC 15730
0 0 a1 = Rbe Cbe + Rbc Cbc 3.35 10 7 s , fh
1 475 kHz ce qui donne la frquence de coupure 2 a1
- 3 dB. Calcul du deuxime ple :

be du diple vu par C Rsistance Rbc bc lorsque C be est assimil un court-circuit :
be Rbc
be = R = 1.5 k Rbc C
v=0 gm v = 0
RC
0 C R be C 16 s 2 , do f a2 = Rbe be bc bc 6.17 10 2
a1 86.5 MHz . 2 a2
Calcul du zro : Le zro est produit de manire telle que le courant circulant dans la charge RC est nul, couplage d Cbc . En effet, le courant circulant dans la branche supportant Cbc est gal au courant fourni par la source lie, donc g gm Cbc p V ( p ) = g m V ( p ) p = m et f3 = 1.6 GHz . C bc 2 Cbc Malgr que les calculs, conduisant lvaluation de f2 , outrepasse le domaine de validit du modle de comportement en frquence du transistor ( f2 et f3 > ft ), la frquence de coupure haute demeure valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus de deux dcades. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision infrieure 1%. Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une frquence de coupure corrige telle que 1 1 1 1 1 1 do f1 = fhcorrige 478 kHz en prenant la valeur trouve de 2 a1 = + fh f1 f 2 f1 fh f2
f2 (valeur approche).
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Page 48
Rponse en frquence
Mthode par transformation de schma par application du thorme de Miller Le schma H.F. fait apparatre un quadriple pont par la branche capacitive C bc . Le thorme de Miller (voir Annexes ) conduit au schma suivant (rappelons que le circuit de sortie ne sert que pour exprimer le transfert en tension).
rg RB vg v
Cbe rbe
C1 R1
avec C1 = (1 + g m RC )Cbc et R1 =
RC 1 + g m RC
Calcul du premier ple :

0 Rsistance du diple vu par C be lorsque C1 est assimil un circuit ouvert : Rbe = rg // RB // rbe .
0 0 = R be + R1 . Rsistance du diple vu par C1 lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert : R1 0 0 Cbe + Cbc (1 + g m RC )Rbe + RC (mme rsultat que prcdemment). soit a1 = Rbe
Calcul du deuxime ple :

be be du diple vu par C1 lorsque Cbe est assimil un court-circuit : R1 = R1 Rsistance R1
0 0 be Cbe R1 C1 = Rbe Cbe RC Cbc (mme rsultat que prcdemment). soit a2 = Rbe
La simulation sur Spice illustre ces rsultats. De plus, si la position du deuxime ple est accepte ( f2 > ft ), la marge de phase de lordre de 40 dmontre une bonne stabilit de lamplificateur.
80
(327.975, 46.058) (3.4146, 12.023)
(16.853K, 49.051)
(477.173K, 46.049)
40
(92.289M, 20.262m)
(1.1307, 7.1713)
-40
marge de phase 40 0 dB
-80 10mHz DB(V(S))
1.0Hz
100Hz
10KHz Frequency
1.0MHz
100MHz
10GHz
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Page 49
Rponse en frquence
0d
(12.430K, -180.004)
(473.028K, -225.027)
-200d
(321.990, -135.004)
(80.309M, -315.194)
-400d
(92.350M, -320.013)
-600d 10mHz P(V(S))
1.0Hz
100Hz
10KHz Frequency
1.0MHz
100MHz
10GHz
Sylvain Gronimi
Page 50
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage base commune

Le sujet propos porte sur ltude en rgime dynamique du montage base commune de la figure cidessous. Les paramtres du modle en comportement linaire du transistor sont :
= 150, rbe = 740 ,Cbe = 440 pF ,Cbc = 20 pF ,VA =

Les composants CG et CB sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RB1 100k
RC 1.5k VCC Q CG 10u rg 50 vg vs 20 V
CB 10u
RB2 22k
RE 470
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 1. Dessinez le schma. 2. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre et de sortie. Etude du rgime dynamique aux frquences basses 3. Dessinez le schma. 4. Evaluez linfluence de chacun des condensateurs CG et CB sur la frquence de coupure, lautre tant quivalent un court-circuit. Concluez sur la frquence fb de coupure basse du montage. 5. Evaluer la frquence fb par la mthode de lapproximation du ple dominant. Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 6. Dessinez le schma. 7. En se plaant dans lhypothse dun ple dominant, calculez la frquence fh de coupure haute du montage. 8. Validez lhypothse du ple dominant.
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Page 51
Rponse en frquence
Corrig
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 1. Schma
rg RE vg
i rbe
i RC vs
2. Caractrisation du montage
' = Ce schma peut tre simplifi par Thvenin v g
' ' ' vs vs vg RC RE v g = ( + 1)rg + rbe i = = = 26.9 (+28.6 dB) A v0 ' v + + ( 1 ) // v r R r R v g E be E + rg g g g v s = i RC
R E rg RE ' v g et rg . = R E + rg R E + rg
Les rsistances dentre et de sortie scrivent : Ze = RE //
rbe 4.9 et Z s = RC 1.5 k . +1
Etude du rgime dynamique aux frquences basses 3. Schma
CB
RB i
rbe i
RC
RE
CG rg
vg
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la prsence des deux condensateurs indpendants au sein du montage. La recherche de la frquence de coupure basse peut tre alors entreprise de deux manires : constater linfluence dun des condensateurs pris de manire indpendante, les autres tant assimils des court-circuits et interprter globalement les rsultats obtenus, appliquer la mthode dapproximation du ple dominant, en noubliant pas de valider lhypothse.
4. Influence de chaque condensateur pris indpendamment Frquence de coupure due linfluence du condensateur CB
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Page 52
Rponse en frquence
Le composant CG tant quivalent un court-circuit ( f = ), le but est de calculer la constante de

du diple vu temps de coupure de la maille, cest--dire dcrire lexpression de la rsistance RB
par CB (thorme de Thvenin / Norton).

i0 RB i rbe i RC
v0
RE // rg
v0 i 0 = R + i RB = RB // rbe + ( + 1) RE // rg 5326 B v = r + ( + 1) R // r i be E g 0
)]
)]
soit une frquence de coupure fb1 =
1 3 Hz . C 2 RB B
Frquence de coupure due linfluence du condensateur CG Le composant CB tant quivalent un court-circuit ( f = ), on recherche lexpression de la
du diple vu par C . rsistance RG G
i0 i i rbe RC rg i1 RE
v0
i1 = i 0 + ( + 1)i RE ( ) + + = 1 1 i i RE 1 0 rbe v0 = + rg i 0 v 0 = RE i1 + rg i 0 1 + ( + 1) RE v = R i + r i E 1 g 0 rbe i = RE i1 0 r be

RG =
+1
rbe
// RE + rg 54.8 , soit une frquence de coupure fb2 =
1 290 Hz . C 2 RG G
Linfluence de CG apparat prpondrante vis--vis de CB car deux dcades sparent les ples, ce qui entrane une frquence de coupure basse fb 290 Hz . 5. Mthode par lapproximation du ple dominant Calcul du premier ple : 1 1 1 + fb C C 2 R R E E G G
= fb + fb 293 Hz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB. 1 2
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Page 53
Rponse en frquence
Calcul du deuxime ple : 0 du diple vu par C Rsistance R B B lorsque CG est assimil un circuit ouvert.
0 du diple vu par C Rsistance RG G lorsque CB est assimil un circuit ouvert.
0 RB
RB i
rbe i
RC
RE
0 RG
rg
0 0 = R // [r RB B be + ( + 1)RE ] 14388 , RG = RE //
RB + rbe + rg 148 +1
do f3
1 1.1 Hz 0 C + R0 C ) 2 (RG G B B
Calcul du zro : Le zro est obtenu par le couplage d CB . En effet, si la base du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc RB 1 1 et f2 = = p= 0.88 Hz . 1 + RBCB RBCB 2 RB CB
Les rsultats sont valables avec une excellente prcision car les deux ples sont spars de plus de deux dcades et le zro est deux dcades en dessous du ple dominant. La simulation sur Spice confirme ces chiffres. Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 6. Schma
Cbc Cbe i rbe i RC
RE
rg
vg
La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des deux capacits indpendantes au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple dominant est applique. 7. Frquence de coupure haute Calcul du premier ple : Rsistance du diple vu par C be lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert :
Sylvain Gronimi
Page 54
Rponse en frquence
i0 i i rbe RC i1 rg //RE v0
i 0 + ( + 1)i = i1 v0 v r 0 i0 = + ( + 1) 0 Rbe = rg // RE // be 4.42 v 0 = rbe i +1 r R r // g E be v = r // R i g E 1 0

0 = R = 1.5 k car i = 0 . Rbc C 0 C 0 8 s , f a1 = Rbe be + R bc C bc 3.195 10 h
1 4.98 MHz 2 a1
(frquence de coupure 3 dB).
Calcul du deuxime ple : bc = R 0 . Rsistance du diple vu par Cbe lorsque Cbc est assimil un court-circuit : Rbe be
be = RC . Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un court-circuit : Rbc
0 C 0 be bc 17 s 2 , do f a2 = Rbe be R bc C bc = R be C be R bc C bc 5.834 10 2
a1 87.2 MHz 2 a2
Malgr que le calcul conduisant lvaluation de f2 outrepasse le domaine de validit du modle de comportement en frquence du transistor ( f2 > ft ), la frquence de coupure haute demeure valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus dune dcade. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision denviron 5%. Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une frquence de coupure corrige telle que 1 1 1 1 1 1 2 a1 = + do et f1 = fhcorrige 5.28 MHz (avec f2 valeur approche). fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice illustre les rsultats.
40
(45.243K, 28.588)
20
20 dB / decade
(291.838, 25.575) (5.2867M, 25.575)
(77.787M, 2.4421)
-20
40 dB / decade
-40 10Hz DB(V(S)) Frequency
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
1.0GHz
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Page 55
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage collecteur commun

Le sujet propos porte sur ltude en rgime dynamique du montage collecteur commun de la figure ci-dessous. Les paramtres du modle en comportement linaire du transistor sont :
= 150, rbe = 755 ,Cbe = 432 pF ,Cbc = 20 pF ,VA =

Le composant CG est un condensateur de liaison.
RB 284k rg 3k vg CG Q 10n RE 2k vs 20 V VCC
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 1. Dessinez le schma. 2. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre et de sortie. Etude du rgime dynamique aux frquences basses 3. Dessinez le schma. 4. Evaluez la frquence fb de coupure basse du montage. Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 5. Dessinez le schma. 6. En se plaant dans lhypothse dun ple dominant, calculez la frquence fh de coupure haute du montage. 7. Validez lhypothse du ple dominant.
Sylvain Gronimi
Page 56
Rponse en frquence
Corrig
i rg RB vg rbe i RE vs
2. Gain en tension
' = Ce schma peut tre simplifi par Thvenin v g
' ' v ( + 1)RE RB v g = rg + rbe + ( + 1)RE i Av 0 = s = 0.977 (- 0.2 dB) v r R r R R // + + ( + 1 ) ( ) v 1 i R = + g g B be E B + rg E s
RB rg RB ' v g et rg = 2969 . RB + rg R B + rg
Les rsistances dentre et de sortie scrivent : rg // RB + rbe Z e = RB //[rbe + ( + 1)RE ] 146.5 k et Z s = // RE 24.4 . +1 Etude du rgime dynamique aux frquences basses 3. Schma
CG
rg RB vg ib
rbe ib
RE
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du premier ordre par la prsence dun seul condensateur au sein du montage. 4. Frquence de coupure basse La constante de temps de coupure est obtenue par le calcul de la rsistance Req du diple (thorme de Thvenin ou Norton) vu par le condensateur.
i0 i1 v0 rg RB rbe i RE i
i 0 = i1 + i v 0 = RB i1 + rg i 0 RB i1 = [rbe + ( + 1)RE ]i
Sylvain Gronimi
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Rponse en frquence
RB 1+ i 0 = rbe + ( + 1)RE v = R i + r i B 1 g 0 0
i1
Req = rg + RB // [rbe + ( + 1)RE ]
do la frquence de coupure 3 dB fb
1 106 Hz avec Req 149.5 k . 2 Req CG
Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 5. Schma

Cbe rbe v RB vg Cbc i
rg
i gm v RE
La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des deux capacits indpendantes au sein du montage. 6. Frquence de coupure haute La mthode par lapproximation du ple dominant est applique Calcul du premier ple : Rsistance du diple vu par C be lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert :
i0 rg//RB v0 v rbe gm v RE i1
v 0 = v v + i1 i 0 = r be v = r // R i + R (i g v ) g B 1 E 1 m 0
v0 i 0 = r + i1 be v (1 + g R ) = r // R + R i m E g B E 1 0
i0 =
(1 + g m RE )v 0
rg // RB + RE
v0 rbe
0 = rbe // do Rbe
rg // RB + RE 1 + g m RE
12.3

i0 i1 i v0 rg//RB RE rbe i
0 Rbc = rg // RB // [rbe + ( + 1)RE ] 2940 .
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Rponse en frquence
0 C 0 8 s , f a1 = Rbe be + R bc C bc 6.41 10 h
1 2.48 MHz 2 a1
ce qui donne la frquence de
coupure 3 dB. Calcul du deuxime ple : Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit-circuit :
be be 0 C 16 s 2 Rbc = rg // RB // RE 1195 a2 = Rbe be R bc C bc 1.27
ou encore, rsistance du diple vu par Cbe lorsque C bc est assimil un circuit-circuit :

i0
v0
rbe gm v
RE
bc = Rbe
+1
rbe
// RE 4.99
bc C R 0 C 16 s 2 , do f a2 = Rbe 2 be bc bc 1.27 10
a1 80 MHz 2 a2
Malgr que le calcul conduisant lvaluation de f2 outrepasse le domaine de validit du modle de comportement en frquence du transistor ( f2 > ft ), la frquence de coupure haute demeure valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus dune dcade. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision denviron 3%. Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une frquence de coupure corrige telle que 1 1 1 1 1 1 et f1 = fhcorrige 2.56 MHz (avec f2 valeur approche). do 2 a1 = + fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice illustre ces rsultats. Un zro, situ fz = leffet du ple f2 80 MHz , do comportement du premier ordre.
10
+1 74 MHz , contre 2 rbe Cbe
(15.719K, -216.125m)
-0
-10
(107.303, -3.1986)
(2.5746M, -3.2344)
-20
-30
-40 1.0Hz DB(V(S))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
1.0GHz
Frequency
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Rponse en frquence
Comparaison des montages fondamentaux JBT

A partir des rsultats des problmes sur les rponses en frquence des tages metteur commun, base commune et collecteur commun, effectuez une comparaison des performances tudies.
Corrig
Report des performances dans le tableau suivant : performances polarisation ICo rsistance dentre Ze () Rsistance de sortie Zs ( ) gain en tension A v coupure basse fb (Hz ) coupure haute fh (kHz ) deuxime ple f2 (MHz )
fh (kHz ) corrige
metteur commun 5.07 711 1500 - 285 326 475 86.5 478
base commune 5.07 4.9 1500 26.9 297 4980 87.2 5280
collecteur commun 5 146500 24.4 0.977 106 2480 80 2560
Commentaires : Les trois montages utilisent le mme transistor ( , ft ,VA ) parcouru par le mme courant de polarisation ICo , cest--dire utilisant les mmes valeurs des paramtres dynamiques du modle aux faibles signaux ( rbe , Cbe ,Cbc ), permettant ainsi une bonne comparaison des performances. Les valeurs de la rsistance dentre montrent quun tage base commune doit tre attaqu en courant et quun tage collecteur commun en tension. La valeur de la rsistance de sortie de ltage collecteur commun fait apparatre son rle dabaisseur dimpdance (adaptateur basse impdance). Les tages metteur commun et base commune sont des amplificateurs de tension, alors que ltage collecteur commun recopie la tension dentre en sortie (suiveur de tension). Ici, le gain de ltage base commune est faible cause dun problme dadaptation sur lentre (attaque en courant). La frquence de coupure basse est fonction du choix des valeurs de condensateurs de liaison et de dcouplage, donc indpendante du type dtage. Les valeurs des frquences de coupure haute mettent en exergue le principal problme de ltage metteur commun, savoir une faible bande passante. Cette frquence de coupure sera dautant plus faible que la charge sera plus importante (gain en tension demand plus important). La solution est lutilisation du montage cascode. Le deuxime ple se situe aux environs de la frquence de transition ft , extrme limite du modle de comportement du transistor en frquence. La frquence de coupure haute corrige dmontre lefficacit de la mthode du ple dominant.
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Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage pseudo-metteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Le transistor possde les caractristiques :
= 200, ft = 400 MHz,Cbc = 0.2 pF , VA =

Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RB1 79.8k rg 50 vG RB2 24k CG Q1
RC 1k
VCC 5V vS
RE1 30 RE2 220 CE
VCC 5V
Etude du rgime continu 1. Calculez la valeur du courant IC 0 ( VBE0 0.6 V ). Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 2. Evaluez le paramtre rbe du transistor. 3. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g . 4. Evaluez la rsistance dentre Z e et la rsistance de sortie Z s . Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 5. Evaluez la capacit Cbe du transistor. On se place dans lhypothse o la fonction de transfert admet deux ples rels espacs de plus dune dcade (approximation du ple dominant). 6. Calculez la frquence de coupure du montage. 7. Validez lhypothse du ple dominant.
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Rponse en frquence
Corrig
RB1 IC IB VCE VBE RB2 IE RE2 RE1 RC VCC
VCC
1. Evaluation du courant de collecteur RB2 I 2VCC = RB C + VBE + RE1 + RE 2 I E RB1 + RB2
avec RB = RB1 // RB2
RB 18450 , IC0 5 mA Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes
rg RB vg i
rbe
i RC vs
RE1
2. Evaluation des paramtres U rbe = T 1 k , rce = car VA = IC 0 3. Gain en tension

Av 0
RC 28.25 ( + 29 dB ) rg + rbe + ( + 1)RE1
( RB >> rg par thorme de Thvenin)
4. Impdances dentre et de sortie Z e = RB // rbe + ( + 1)RE1 5090 (vue par le gnrateur dattaque), Z s = RC = 1 k
Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 5. Estimation de la capacit de diffusion IC 0 Cbc = 0.2 pF , Cbe 79.6 pF Cbe + Cbc = 2 UT ft
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Rponse en frquence
6. Calcul de la frquence de coupure (mthode par lapproximation du ple dominant)

0 R bc
rbe
0 R be
gm v RC
rg
RB RE1
0 Rsistance R be du diple vu par Cbe lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert
i0
i1
rg // RB
v0
rbe
i2 RE1
RC
gm v
Le circuit prsente deux nuds et deux mailles indpendantes, soit un systme de 4 quations 4 inconnues i1, i 2 , v et le couple recherch (v 0 , i 0 ) .
v i 0 = i1 + r be i = i + g v m 1 2 v = v 0 v 0 rg i1 + RE1 i 2
v0 i1 = i 0 r be i 2 = i1 g m v 0 v r i + R i g 1 E1 2 0
0 = rbe // do Rbe
RE1 rg v0 + + + g m RE1 1 rg + RE1 i 0 r r be be
i0 1 1 + g m RE1 = + v 0 rbe rg + RE1
rg + RE1
1 + g m RE1
0 ( Rbe 11.3 )
0 du diple vu par Cbc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert Rsistance R bc
i0
v0
i1
rbe i i (+1) i RE1
i2
rg // RB
RC
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Rponse en frquence
i 0 = i + i1 i 0 + i + i 2 = 0 v r i R i g 1 C 2 0 rg i1 rbe i + ( + 1)RE i 1
0 = RC + rg do Rbc
v 0 rg (i 0 i ) + RC ( i 0 + i ) rg (i 0 i ) rbe i + ( + 1)RE1 i
rbe + ( + 1)RE1 + RC rg + rbe + ( + 1)RE1
2462
0 C 0 9 s f a1 = Rbe be + R bc C bc 1.392 10 h
1 114 MHz (frquence de coupure) 2 a1
7. Validation de lapproximation du ple dominant Calcul du deuxime ple : a1 0 0 avec a2 = Rbe f2 Cbe Rbc Cbc ou a2 = Rbe Cbe Rbc Cbc 2 a2
bc ) : rsistance du diple vu par C Rbe (ou Rbe be lorsque C bc est assimil un court-circuit be ) : rsistance du diple vu par C Rbc (ou Rbc bc lorsque C be est assimil un court-circuit.
i0
RE1 v0
rg // RB
RC
be apparat plus judicieux au vu du schma prcdent, puisque la Le choix du calcul de Rbc
rsistance r be est court-circuite et la source lie ne dbite aucun courant. Le rsultat est alors
= rg // RB // RE1 + RC 1020 . immdiat, savoir Rbc
do a2 1.835 10 19 s 2 et la frquence de coupure est f2 1.2 GHz ( f2 > ft ). La frquence de coupure haute value par lapproximation du ple dominant est dune prcision de lordre de 10%, car les frquences calcules sont spares dune dcade. Il ne faut pas oublier que le modle de Giacoletto est tolr jusqu' la frquence de transition (400 MHz), ce qui signifie que les calculs du deuxime ple et des deux zros ne sont pas acceptables. Cependant ces frquences sont, en ralit, trs au-dela de la frquence de coupure 3 dB. Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une frquence de coupure corrige telle que 1 1 1 1 1 1 et f1 = fhcorrige 127 MHz do 2 a1 = + fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice illustre ce rsultat.
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Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage source commune

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor effet de champ possde les caractristiques statiques I DSS = 15 mA, VP = 6 V et les paramtres de son modle dynamique aux faibles signaux sont rds = , Cgs = 4 pF ,Cgd = 2 pF . Les composants CG et CS sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RD 2k rg 50 vG CG 10n R 100k RS 300 CS 100u J1 VCC 30 V vS
Etude du rgime continu 1. Dterminez le point de repos du transistor. Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 2. Evaluez le paramtre g m du modle du transistor de ltude prcdente. 3. Aux frquences moyennes, calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre Ze et de sortie Z s . 4. Evaluez la frquence de coupure basse du montage. 5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage.
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Rponse en frquence
Corrig
Etude du rgime continu 1. Point de repos du transistor En continu ( = 0 ), les condensateurs de liaison sont quivalents des circuits ouverts 1 = ). ( C
+VCC
RD ID IG=0 VGS R RS VDS
VCC (RD + RS )I D + VDS 2 VGS I D = I DSS 1 VP V R I S D GS
systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , VGS )
2 VGS 2 VP
1 2 VGS + 1 = 0 VGS 2 V et I D 6.67 mA , VDS 14.7 V . + I o o o R V P DSS S
Etude du rgime dynamique 2. Evaluation du paramtre g m gm = 2 VP I DSS I Do 3.33 mA / V
3. Caractrisation aux frquences moyennes
rg R vg
vgs gm vgs RD
vs
Dans ce domaine de frquences, les condensateurs de liaison et de dcouplage sont quivalents des courts-circuits. Calcul du gain R v R v gs = R + r v g v s = g m RD v g soit Av 0 = s g m RD 6.66 (16.48 dB) g R + r v g g v = g v R m gs D s La rsistance dentre (vue par le circuit dattaque sous forme Thvenin vaut Z e = R = 100 k et la rsistance de sortie ZS = RD = 2 k .
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Rponse en frquence
4. Frquence de coupure basse Schma aux frquences basses

CG
rg R vg
vgs gm vgs RD
RS
CS
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la prsence des deux condensateurs indpendants au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple dominant permet la dtermination rapide de la frquence de coupure basse (voir Annexes ). Calcul du premier ple :
du diple vu par C Rsistance RG G lorsque CE est assimil un court-circuit. RG
rg
vgs
gm vgs
RD
RG = rg + R 100 k
du diple vu par C lorsque C Rsistance RS S G est assimil un court-circuit.
i0 gm vgs vgs i
0 RD rg // R
RS
v0
v 0 = v gs i 1 + gm v gs 0 = v 0 RS i 0 + g m v gs + RS 1 = R // 150 do RS S gm
1 2
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB fb Calcul du deuxime ple :
1 1 R C + R C S S G G
170 Hz .
0 du diple vu par C lorsque C Rsistance RS S G est assimil un circuit ouvert. 0 du diple vu par C lorsque C est assimil un circuit ouvert. Rsistance RG G S
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Rponse en frquence
0 RG
vgs R RS
gm vgs RD
0 RS
rg
0 0 = R // RG = rg + R 100 k , RS S
1 150 gm
do f2
1 9.95 Hz 0 C + R0 C ) 2 (RG G S S
Calcul du zro : Le zro est produit par la liaison entre source et masse, couplage d CS . En effet, si la source du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc RS 1 1 = p= et f3 = 5.3 Hz . 2 RS CS 1 + RSCS p RS CS Les rsultats sont valables avec une prcision satisfaisante car les deux ples sont spars dun peu plus dune dcade et le zro est situ lgrement en dessous du ple le plus bas (voir la simulation sur Spice). 5. Frquence de coupure haute Schma aux frquences hautes
Cgd R vg Cgs vgs gm vgs RD vs
rg
La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des deux capacits indpendantes au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple dominant est mise en uvre. Calcul du premier ple :
0 Rgd
rg
vgs
0 R gs
RD gm vgs
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Page 68
Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un circuit ouvert :
0 Rgs = rg // R 50
Rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un circuit ouvert :
i0 0 Rgs vgs v0
gm vgs RD
0 v 0 = Rgs i 0 + RD i 0 + g m v gs 0 v gs = Rgs i 0
0 = (1 + g R )R 0 + R 2383 Rgd m D gs D
0 C 0 9 s , f a1 = Rgs gs + R gd C gd 4.97 10 h
1 32 MHz ce qui donne la frquence de coupure 2 a1
3 dB. Calcul du deuxime ple :

gs du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un court-circuit : Rsistance Rgd
gs Rgd
v=0 gm v = 0
RC
gs Rgd = R D = 2 k
0 C R gs C 19 s 2 , do f a2 = Rgs gs gd gd 8 10 2
a1 989 MHz 2 a2
Calcul du zro : Le zro est produit de manire telle que le courant circulant dans la charge RD est nul, couplage d Cgd . En effet, le courant circulant dans la branche supportant Cgd est gal au courant fourni par la source lie, donc
Cgd p Vgs ( p ) = g m Vgs ( p ) p =
gm gm 265 MHz et f3 = Cgd 2 Cgd
La frquence de coupure haute demeure valable avec une bonne prcision, malgr la prsence du zro qui sintercale entre les deux ples. Notons que le domaine de validit du modle de comportement en frquence du transistor est acceptable puisquil nexiste pas de phnomne de diffusion pour un JFET (modlisation de deux diodes en inverse).
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Rponse en frquence
La simulation sur Spice illustre ces rsultats.

20 (173.235, 13.788) (58.434K, 16.448) pente 20 dB/dcade 0 (13.335, -6.7119) (949.014M, -4.2491737m) pente - 20 dB/dcade (5.1989, -17.281) pente 20 dB/dcade pente - 20 dB/dcade (271.227M, 923.737m) (33.283M, 13.501)
pente 40 dB/dcade -20
-40 1.0Hz 10Hz DB(V(S))
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz Frequency
1.0MHz
10MHz
100MHz
1.0GHz
10GHz
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Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage pseudo-source commune

Le sujet propos porte sur ltude du montage de la figure ci-dessous, reprsent dans son rgime dynamique aux faibles signaux. Le paramtre rds du modle en comportement linaire du transistor JFET est suppos de valeur trs importante. Le composant CG est un condensateur de liaison et la valeur de la rsistance du diple dattaque est telle que rg << R .
RD rg CG J1
vS
vg
RS
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 1. Dessinez le schma. 2. Ecrivez les expressions du gain en tension Av 0 = v s v g et des rsistances dentre ze et de sortie zs du montage. Etude du rgime dynamique aux frquences basses 3. Dessinez le schma. 4. Ecrivez la frquence fb de coupure basse du montage. Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 5. Dessinez le schma. On se place dans lhypothse o la fonction de transfert admet deux ples rels espacs de plus dune dcade (approximation du ple dominant) et zros trs loigns.
0 , rsistance dynamique vue par C 6. Donnez lexpression analytique de Rgs gs frquence nulle. 0 , rsistance dynamique vue par C 7. Donnez lexpression analytique de Rgd gd frquence nulle.
gd (ou Rgs ), rsistance du diple vu par Cgs lorsque 8. Donnez les expressions analytiques de Rgs
gs ), rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs Cgd est assimil un court-circuit et Rgd (ou Rgd
est assimil un court-circuit qui permettent de valider lhypothse du ple dominant en dterminant la position du deuxime ple.
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Rponse en frquence
Corrig
rg R vg RS vgs gm vgs RD vs
2. Gain en tension et rsistance dentre

v s = g m v gs RD ( R >> rg par thorme de Thvenin) v g v gs + g m v gs RS v g R Av 0 = s m D et ze = R (vue par le gnrateur dattaque), zs = RD . vg 1 + g m RS
Etude du rgime dynamique aux frquences basses 3. Schma

rg CG ze = R
4. Frquence de coupure basse Le condensateur voit ses bornes un diple passif ( v g teint) de rsistance ze + rg , ce qui fournit la constante de temps de coupure, donc la frquence de coupure basse fb =
1 . 2 ( rg + ze )CG
Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 5. Schma

0 Rgd
vgs
0 R gs
gm vgs RD
rg
R RS
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Rponse en frquence
Calcul du premier ple : La frquence de coupure 3 dB scrit f1 1 2 a1

0 0 avec a1 = Rgs Cgs + Rgd Cgd (sous condition
dun ple dominant). 0 : rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un circuit ouvert. Rgs
0 : rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un circuit ouvert. Rgd
0 6. Ecriture analytique de la rsistance R gs
i0
rg // R
vgs v0
i1 RS
RD
gm vgs
i 0 = i1 + g m v gs i 0 = i1 + g m v 0 v 0 = v gs v 0 rg i 0 + RS i1 + v r i R i 0 g 0 S 1 r g + RS v 0 do Rgs . = 0 i 0 1 + g m RS
v 0 rg i 0 + RS (i 0 g m v 0 )
0 7. Ecriture analytique de la rsistance Rgd
i0
v0
i1 vgs gm vgs RD
rg // R RS
i 0 + g m v gs + i1 = 0 v 0 rg i 0 RD i1 rg i 0 v gs + g m v gs RS
v 0 rg i 0 + RD (i 0 + g m v gs ) rg i 0 v gs (1 + g m RS )
v 0 ( rg + R D ) i 0 +
rg g m RD 1 + g m RS
i0
g m rg 0 rg + RD do Rgd 1 + 1 + g R m S
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Rponse en frquence
8. Pour la validation de lapproximation du ple dominant Calcul du deuxime ple : a1 0 0 avec a2 = Rgs f2 Cgs Rgd Cgd ou a2 = Rgs Cgs Rgd Cgd 2 a2
gd Rgs (ou Rgs ) : rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un court-circuit. gs Rgd (ou Rgd ) : rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un court-circuit. Ecriture analytique de la rsistance Rgd
i0
RS v0
rg // R 0
RD
apparat plus judicieux au vu du schma prcdent, puisque la tension Le choix du calcul de Rgd
v gs est nullee et la source lie ne dbite aucun courant. Le rsultat est alors immdiat, savoir
Rgd rg // RS + RD . Ecriture analytique de la rsistance Rgs
i0
RD v0 vgs
rg // R
gm vgs RS
v 0 = v gs v 0 (RD // rg + RS ) i1 v 0 = (RD // rg + RS ) (i 0 g m v 0 ) i 0 = i1 + g m v gs v 1 do Rgs //(RD // rg + RS ) . = 0 = i0 gm
Dans les deux cas, nous devons retrouver la mme criture analytique de a2 .
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Page 74
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage cascode

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Les deux transistors sont supposs identiques :
= 100, ft = 100 MHz, Cbc = 4 pF , VA =

Les composants CG , CB , CE sont respectivement des condensateurs de liaison et un condensateur de dcouplage.
RB1 2.2k RB2 1.2k rg + 50 RB3 560 RE 220 CG Q1 vS CE CB Q2 RC 560 + VCC 20 V
vG
Etude du rgime continu 1. Dans lhypothse o lon suppose les courants de base des transistors ngligeables devant le courant circulant dans la maille dfinie par RB1 , RB2 , RB3 et VCC , dterminez les points de fonctionnement des deux transistors. Validez cette hypothse. Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 2. Dduisez les paramtres rbe des transistors de ltude prcdente. 3. Aux frquences moyennes, calculez les valeurs de la rsistance dentre ze , de la rsistance de sortie zs et du gain en tension Av 0 = v s v g du montage. 4. Dterminez la frquence de coupure haute. 5. Donnez les spcificits dun tel amplificateur.
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Page 75
Rponse en frquence
Corrig
RB1 IB2 VCE2 Q1 IB1 VCE1 RB3 VBE1 RE VBE2 IC1 Q2 IC2 + VCC RC
RB2
1. Points de repos Daprs lhypothse formule, le courant de maille est I

VCC RB1 + RB2 + RB3
Lhypothse de dpart fait ngliger deux fois 100 A devant 5.05 mA ( 4%) VCE1 VCE2 6.1V , IC1 IC2 IC o = 10 mA
o o o o
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 2. Rsistances dynamiques des jonctions base-metteur U rbe = rbe1 = rbe2 = T 250 donc g m = g m1 = g m2 0.4 A / V IC 0 3. Caractrisation aux frquences moyennes
i2
rg RB vg v rbe1 gm v
i2 rbe2 RC vs
ze = RB // rbe 151 avec RB = RB2 // RB3 , zs = RC = 560
g m v = ( + 1)i 2 v ze ze v g Av 0 = s = v = v z z r + g e + rg e g v = R i C 2 s
RC + 1 rbe
168 (+ 44.4 dB)
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Page 76
Rponse en frquence
4. Frquence de coupure haute

Cbe1 = Cbe2 = Cbe car Cbc1 = Cbc 2 = Cbc et mme frquence de transition Cbe + Cbc = IC 0
2 UT ft
( Cbc = 4 pF , Cbe 633 pF )
Mthode par lapproximation du ple dominant

0 Rbc 1 gm v2
RG
RB
v1
gm v1 rbe1
0 R be 1 0 Rbe 2
v2
rbe2 0 Rbc 2
RC
Ce circuit prsente trois lments capacitifs indpendants, puisquune maille nest compose que de ce type dlments. Le systme est donc dordre 3. Calcul du premier ple : 1 0 0 0 0 fh avec a1 = Rbe C + Rbc C bc1 + Rbe C be2 + Rbc Cbc 2 1 be1 1 2 2 2 a1 Rsistance du diple vu par Cbe1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 = rg // RB // rbe1 37.6 . circuits ouverts : Rbe 1
Rsistance du diple vu par Cbe2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 = circuits ouverts : Rbe
2
rbe2
+1
2.48 .
gm v2
v0
v2
rbe2
RC
Rsistance du diple vu par Cbc1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 = R 0 (1 + ) + R 0 circuits ouverts : Rbc be be 77.24 .
1 1 2
i0
v1 v0
0 Rbe 1
i1
0 Rbe 2
gm v1
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Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par Cbc 2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 = RC = 560 . circuits ouverts : Rbc
2
a1 2.79 10 8 s , fh 5.7 MHz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB par lapproximation du ple dominant.
Calcul du deuxime ple : Les lments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour lvaluation du coefficient a 2 . f2 a1 2 a2 avec
rbe1
be1 be1 be1 0 0 0 a2 = Rbe C Rbc Cbc1 + Rbe C be1 Rbe Cbe2 + Rbe C Rbc Cbc 2 1 be1 1 1 be1
1 2 2
bc1 0 + Rbc C bc1 Rbe Cbe2 1 2
bc1 0 + Rbc C Rbc Cbc 2 1 bc1 2
be2 0 + R be C be2 Rbc Cbc 2 2 2
be1 be1 = Rbc = Rbe

2 1
+1
bc1 be1 be2 bc1 0 // 2.48 , Rbc = Rbc = Rbc = RC = 560 , Rbe = Rbe
2 2 2 2 1
rbe2 1 // 1 .2 g m1 + 1
a2 9.53 10
17
s 2 , f2 46.6 MHz
Ce rsultat montre que lhypothse du ple dominant donne une frquence de coupure plus de 10% prs, puisque un peu moins dune dcade spare les deux ples, le troisime ple tant suppos plus haut en frquence. Les frquences de coupure des aux zros sont trs hautes. Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une frquence de coupure corrige (ngligeant la prsence du troisime ple) telle que 1 1 1 1 1 1 2 a1 = + do et f1 = fhcorrige 6.5 MHz fh f1 f 2 f1 fh f2 La simulation sur Spice prsente le mme rsultat. 5. Spcificits de lamplificateur Lamplificateur cascode est compos de deux tages (systme du 3 ordre) : un tage metteur commun damplification en courant gale et damplification en tension infrieure lunit puisque la charge dynamique de cet tage est la rsistance dynamique de la jonction base-metteur dun transistor mont en base commune (2.5 ). Cette trs faible amplification en tension permet de minimiser la valeur de la capacit Cbc ramene lentre de ltage par lapplication du thorme de Miller et, par consquent, dobtenir la bande passante la plus large possible, un tage base commune damplification en courant et possdant une frquence de coupure de lordre de la frquence de transition. Cet tage apporte une amplification en tension importante.
Lensemble des deux tages forme alors un amplificateur de puissance possdant une bande passante leve.
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Page 78
Rponse en frquence
Rponse en frquence dun montage metteur commun-collecteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Les transistors possdent les caractristiques suivantes
= 150, ft = 70 MHz,Cbc = 13.6 pF , VA = 100 V

Les composants C1 , C2 et C3 sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.
RB1
RC 10k Q1 C3 10 Q2 VCC 25Vdc
R1 2.2k
ie
C1 47
vg
ve
RB2 82k
RE 1k
C2 100
R2 2.2k
R3 22k
vs
RP
Etude du rgime continu 1. Dterminez la valeur de la rsistance de polarisation RB1 pour que le potentiel dmetteur de Q2 soit VCC 2 ( VBEo 0.6 V ). Etude du rgime dynamique aux faibles signaux sans contre-raction ( RP = ) 2. Dduisez, partir des courants de polarisation, les paramtres dynamiques des modles faibles signaux rbe , rce , Cbe de Q1 et Q2 . 3. Aux frquences moyennes, valuez le gain en tension A v o = v s v g , puis caractrisez le montage en labsence de R1 ( A v = v s v e , Ze , Zs ). 4. Evaluez la frquence de coupure basse du montage. 5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage et dmontrez que la marge de phase M est suprieure 45. Etude du rgime dynamique aux faibles signaux avec contre-raction 6. Constatez que les variables de polarisation ne sont pas modifies par la prsence de RP . 7. Aux frquences moyennes, valuez la rsistance de transfert Rt = v s i e de la chane directe et dessinez le schma quivalent du montage. Prcisez le type de contre-raction. 8. Aux frquences moyennes, caractrisez le montage en boucle ferme et valuez les paramtres ' ' ' Rt' , Ze , Zs et Av = v s v g pour RP = 150 k et 27 k. o 9. Dterminez la bande passante du montage pour les deux valeurs de contre-raction.
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Page 79
Rponse en frquence
Corrig
25 V 1.19 mA RB1 10k 37.6 A 29.14 A 1.76 V 13.1 V 7.68 A Q1 0.6 V 82k 21.46 A 1.16 V 1k 1.16 mA 0.6 V Q2 12.5 V 5.68 mA 2.2k
1. Evaluation de la rsistance RB1

IC1 1.15 mA , IC2 5.64 mA , RB1 798 k do le pont de base RB = RB1 // RB2 74.36 k .
o o
Etude du rgime dynamique 2. Paramtres dynamiques des modles JBT Q1 rbe1 3260 , rce1 87 k , Cbe1 91 pF , Cbe1 = 13.6 pF
Q2 rbe2 664 , rce2 17.7 k , Cbe2 500 pF , Cbe2 = 13.6 pF
3. Caractrisation du montage aux frquences moyennes Suivant la mthode de la caractrisation dtages en cascade, nous dterminons lquivalent de Thvenin vide du premier tage ( v s1 , Z s1 ).
R1 RB vg
v1
rbe1 gm1 v1
rce1
RC
vs1
Z s1
RB // rbe1 vg v 1 = R1 + RB // rbe1 v = g v R // r m1 1 C ce1 s1
A1 =
v s1 vg
rbe1
B // rbe (RC // rce ) R R + R // r

1 1
242
be1
zs1 = RC // rce1 8969
Le circuit quivalent de Thvenin obtenu attaque ltage collecteur commun.
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Page 80
Rponse en frquence
rbe2
i2
zs1 i2 vs1
rce2 R2 // R3
vs2
zs 2
Posons R = rce2 // R2 // R3 1797

vs ( + 1)R v s1 = zs1 + rbe2 + ( + 1)R i 2 A2 = 2 = 0.966 ( ) = + v 1 R i v z r + 2 s1 s1 be2 + ( + 1)R s2 ze2 = rbe2 + ( + 1)R 272 k , zs2 = R // zs1 + rbe2 61.6
+1
Ainsi, le transfert du montage vaut Av o =
vs = A1 A2 234 soit 47.4 dB vg

vs = RC // rce1 A2 399 . ve rbe1
La caractrisation demande en labsence de R1 est la suivante :

Z e = RB // rbe1 3123 , Z s = zs2 62 , A v =
4. Frquence de coupure basse Schma

C1 rbe2 R1 RB vg i1 rbe1 i1 rce1 RC i2 rce2 R2 R3 i2 C3
RE
C2
La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du troisime ordre par la prsence des trois condensateurs indpendants au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple dominant est utilise pour le calcul de la frquence de coupure. Calcul du premier ple : Rsistance R1 du diple vu par C1 lorsque C2 et C3 sont assimils des courts-circuits.
R1
R1
RB i1
rbe1 i1
rce1
RC
ze2
R1 = R1 + RB // rbe1 5323
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Rponse en frquence
Rsistance R2 du diple vu par C2 lorsque C1 et C3 sont assimils des courts-circuits.
i0
rbe1 R1
rce1 i1 RC ze2
i i1 rce1
i1 rbe1 RE v0
//RB
i1
RE
R2
ze2 //RC
R1 //RB
Afin de simplifier le calcul analytique, nous crivons lexpression de la rsistance du diple en labsence de RE , cette dernire tant branche en parallle sur ce diple.
i + ( + 1)i + i = 0 0 1 v = r 0 be1 + R1 // RB i1 v 0 = rce1 i ze2 // RC ( i1 + i )
ze2 // RC i0 1 +1 = + 1 v 0 rbe1 + R1 // RB r + R // R r + z ce1 be1 1 B e2 // RC
+1 i 0 = r + R // R v 0 i be1 B 1 v = r + z // R i + ze2 // RC v ce1 e2 C 0 0 rbe1 + R1 // RB
do R2 =
v0 // RE 38.14 i0
Rsistance R3 du diple vu par C3 lorsque C1 et C2 sont assimils des courts-circuits. R3
i2 rbe2 rce1 0 RC
i2
rce2
R2
R3
La rsistance R du diple de gauche est en srie avec la rsistance R3 . rce // RC + rbe2 R= 1 // rce2 // R2 do R3 = R + R3 22078 +1 ce qui donne la frquence de coupure 3 dB, fb
1 2 1 1 1 + + R C 1 1 R 2 C 2 R3 C 3 43 Hz
Calcul du zro : Le zro est produit par la liaison entre metteur et masse, couplage d C2 . En effet, si lmetteur du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc RE 1 1 et f2 = = p= 1.6 Hz 2 RE C2 1 + RE C 2 p RE C 2 Cette frquence est relativement proche de la frquence de coupure (environ une dcade et demi), mais interfre trs peu sur la frquence de coupure basse du montage.
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Rponse en frquence
5. Frquence de coupure haute Schma

0 Rbe
0 Rbc 1
2
i2 rbe2 R1 v1 gm1 v1 Ze 0 Rbe 1 zs1 0 Rbc
i2
Ce circuit prsente trois lments capacitifs indpendants, puisquune maille nest compose que de ce type dlments. Le systme est donc dordre 3. La mthode par lapproximation du ple dominant est utilise. Calcul du premier ple : 1 0 0 0 0 avec a1 = Rbe C + Rbc Cbc1 + Rbe Cbe2 + Rbc Cbc 2 fh 1 be1 1 2 2 2 a1 Rsistance du diple vu par Cbe1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 circuits ouverts : Rbe = R1 // Z e 1291 . 1
Rsistance du diple vu par Cbc1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des circuits ouverts :
i0 v0 rbe2 v1 gm1 v1 0 Rbe zs1
1
i2
i2
0 v 0 = Rbe i + zs1 // ze2 i 0 + g m1 v 1 1 0 0 v 1 = R be1 i 0
)(
0 0 0 Rbc = Rbe + zs1 // ze2 1 + g m1 Rbe 525.7 k 1 1 1
)(
Rsistance du diple vu par Cbe2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des circuits ouverts :
i0 zs1 v0 v rbe2 gm2 v R i
v = v 0 v +i i 0 = rbe2 v = z i + R i g v s1 m2 0
)
zs1 + R 1 + g m2 R 25.44
v0 +i i 0 = r be2 v 1 + g R = z + R i m2 s1 0
) (
i0 =
(1 + g m R )v 0 + v 0
2
zs1 + R
rbe2
0 Rbe = rbe2 // 2
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Rponse en frquence
Rsistance du diple vu par Cbc 2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 = zs1 // ze2 8683 . circuits ouverts : Rbc 2
do a1 7.40 10 6 s , fh
1 21.5 kHz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB. 2 a1
Calcul du deuxime ple : Les lments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour lvaluation du coefficient a2 .
a1 f2 2 a2
avec
be1 be1 be1 0 0 0 a2 = Rbe C Rbc Cbc1 + Rbe C be1 Rbe Cbe2 + Rbe Cbe1 Rbc Cbc 2 1 be1 1 1
1 2 2
bc1 bc1 be2 0 0 0 + Rbc C bc1 Rbe Cbe2 + Rbc Cbc1 Rbc Cbc 2 + R be C be2 Rbc Cbc 2 1 1 2
2 2 2
be1 be1 be1 be2 0 Rbc = Rbc = zs1 // ze2 8683 , Rbe = Rbe 25.44 , Rbc = zs1 // R 1497 ,
1 2 2 2 2
bc1 0 Rbc = Rbe // 1

2
1 bc1 // zs1 // ze2 21.32 , Rbe = rbe2 // 2 g m1
0 Rbe 1
1 // // zs1 + R g m1 1 + g m2 R
4.44
do a2 4.744 10 14 s 2 , f2 24.8 MHz Calcul du zro : Le zro du montage metteur commun est produit de manire telle que le courant circulant dans la capacit de couplage Cbc1 soit entirement absorb par la source lie (tension nulle sur la charge) Cbc1 p V1( p ) = g m1 V1( p ) p = g m1 Cbc1 et f z = g m1 2 Cbc1 540 Mhz
Malgr que ce calcul outrepasse le domaine de validit du modle de comportement en frquence des transistors ( ft = 70 Mhz ), les frquences issues des ples sont valables et spares de trois dcades. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision de 0.1 % pour ce type de calcul analytique. Le produit gain
x
frquence de coupure haute reste constant
Av o fh 5 MHz puisque le
deuxime ple apparat au dessous de laxe des 0 dB, la frquence de 25 MHz. Le comportement du systme est donc du premier ordre et la marge de phase est nettement suprieure 45, ce qui dmontre une bonne stabilit de lamplificateur. La simulation sur Spice illustre ces rsultats.
80 (42.258, 44.376) (1.0000K, 47.376) (21.527K, 44.376)
40
(1.2589, 19.750) (5.0119M, -38.642m)
produit gain x bande constant
(30.824M, -17.990)
-40
marge de phase 82
-80 100mHz 1.0Hz DB(V(S))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz Frequency
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz 1.0GHz
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Rponse en frquence
0d (40.596,-135.018)
(1.0000K,-180.285) (21.559K,-225.007) -200d (5.0119M,-277.848)
-400d
(34.133M,-315.031)
-600d 100mHz 1.0Hz P(V(S))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz Frequency
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz 1.0GHz
6. Polarisation du montage en contre-raction Les condensateurs de liaison C1 et C2 isolent la rsistance RP du continu. les paramtres des modles des transistors restent donc inchangs. 7. Rsistance de transfert aux frquences moyennes
is ig R1 2.2k ve vg R t ie ie RP 27k Zs 62 vs
Ze 3123
v e = Z e i e vs Av = v e v R t = s = A v Z e 1246 k (121.9 dB) ie (contre-raction tension courant)
8. Caractrisation du montage aux frquences moyennes La contre-raction fait apparatre une topologie parallle en entre et en sortie. De ce fait, les nouveaux paramtres diminuent dans un rapport 1 + Y Rt (voir cours La contre-raction ).
ig R1 2.2k ve vg R t ig Zs Ze vs
' Rt Rt = 1 + Y Rt Ze ' Ze = Y Rt 1 + ' Zs Zs = 1 Y Rt +
v ve vs v ve v 1 = s 1 s car e = 2.5 10 3 << 1 RP RP v s RP vs Av quadriple de retour est attaqu en tension ( Z s << RP ).

is =
Y =
is 1 vs RP
et le
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Rponse en frquence
' ' Pour RP = 150 k , Rt' 133.8 k , Ze 336 , Zs 6.6 avec 1 + Y Rt 9.307 ' Rt' v s = Rt i g ' Av = 52.8 (34.45 dB) ' ' R1 + Z e v R Z i = + g e g 1
' ' Pour RP = 27 k , Rt' 26.43 k , Z e 66.2 , Z s 1.3 avec 1 + Y Rt 47.15 ' = Av
Rt'
' R1 + Ze
11.66 (21.3 dB)
La rsistance dentre du montage est augmente de la valeur de la rsistance srie R1 = 2.2 k . 9. Bande passante du montage Le produit gain frquence de coupure haute se conserve car le circuit se comporte comme un systme du premier ordre cause du ple dominant. ' ' A v o fh = A v fh 5.03 MHz fh' 95.4 kHz , fh' 432 kHz respectivement pour RP = 150 k et 27 k. La valeur de la frquence de coupure basse du systme contre-ractionn peut tre approche en considrant que son comportement asymptotique est proche du premier ordre (zro et deuxime ple trs voisins). Le rapport gain frquence de coupure basse est alors peu prs conserv. Av o 5.44 Hz 1 fb' 9.7 Hz , fb' 2.2 Hz respectivement pour RP = 150 k et 27 k. fb Tableau rcapitulatif :
RP (k )
Rt' (k )
' Ze () ' Zs () ' Av
fh' (kHz )
fb' (Hz )
150 27 Simulation
80
- 1246 - 133.8 - 26.43
5323 2536 2266.2
62 6.6 1.3
- 234 - 52.8 - 11.7
21.5 95.4 432
43 9.7 2.2
(42.242, 44.375) (10.098, 31.434) 40
(1.0000K,47.376) (1.0000K,34.433) (1.0000K,21.313)
(21.534K, 44.376)
(95.499K, 31.434) (436.237K, 18.312)
(2.2179, 18.315)
(5.0119M, -38.643m)
-40 100mHz
1.0Hz DB(V(S))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
Frequency
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Rponse en frquence
Miroir de courant lmentaire pour polarisation dtage

On considre ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, V A = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 15 V .
+VCC
Ipol R IC2
Q1
Q2
-VCC
Etude du rgime continu 1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression de IC 2 en fonction de I pol . 2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I pol IC2 3. Evaluez la rsistance R pour obtenir IC2 = 200 A , VBE de lordre de 0.6 V. Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Evaluez les paramtres dynamiques rbe1 , rbe2 , rce1 , rce2 des modles des transistors.
5. Prouvez que la source est reprsente par une simple rsistance z0 et valuez celle-ci.
IC2 .
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Page 87
Corrig
1. Expression de IC2 (I pol ) Equations technologiques :
VBEi
ICi = I Bi = I BS e
UT
VCEi 1 + VA
I BS e UT
VBEi
en ngligeant leffet Early (VCEi << VA )
Q1 Q2
I BS1 = I BS2
VBE1 I I e UT BS C1 = I BS , 1 = 2 = VBE2 IC2 I BS e UT
Equations du circuit : VBE1 = VBE2 I B1 = I B2 et IC1 = IC2 I pol = I B1 + I B2 + IC2 2. Prcision du miroir
IC2 =
I pol +2
I pol IC 2
1=
= 1%
3. Evaluation de la rsistance R
R=
2VCC VBE1 + 2 148 k IC 2
(quation non linaire car VBE1 est fonction de I BS )
La valeur de VBE1 sera approche par une tension de 0.6 V. Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Evaluation des paramtres dynamiques des transistors
rbe = rbe1 = rbe2 UT V et rce = rce1 = rce2 A IC 2 IC 2
o
(VCE i << VA ) , soit rbe 25 k , rce 500 k
5. Caractrisation de la charge dynamique

i0
rce gm v
rbe
rbe gm v
rce v0
Labsence de source dexcitation dynamique lentre du montage fait quaucun courant nexiste dans la partie gauche du circuit, en particulier v = 0 entrane g m v = 0 , do z0 = v 0 i 0 = rce . Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0 500 k ).
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Miroir de courant lmentaire pour transfert dynamique

On considre le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie, effectu par le montage de la figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, VA = 100 V ).
iE (t)
iS (t)
vE (t)
Q1
Q2
vS (t)
Etude du rgime continu 1. Ecrivez lexpression de IS en fonction de I E . Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 2. Evaluez les paramtres dynamiques rbe1 , rbe2 , rce1 , rce2 des modles des transistors pour
IS = 200 A . 3. Prcisez les conditions dattaque et de charge de ce quadriple. Donnez les conditions idales. 4. Caractrisez la source de courant dynamique telle que ve vs is , Ze = , Zs = et dessinez le quadriple quivalent. Ai = i i i e v s =0 e v s =0 s i e =0
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Corrig
Etude du rgime continu 1. Expression de IS (I E )
IS =
I E I E (voir le mme problme en tage de polarisation) +2
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 2. Evaluation des paramtres dynamiques des transistors
rbe = rbe1 = rbe2 UT V et rce = rce1 = rce2 A , soit rbe 25 k , rce 500 k IC 2 IC 2
o o
3. Conditions dattaque et de charge On a affaire un amplificateur de courant de gain unit. Lattaque en courant lentre ncessite une rsistance de gnrateur trs importante devant la rsistance dentre du quadriple et lattaque en courant la sortie impose une rsistance de sortie du quadriple trs importante devant la rsistance de charge. Les conditions idales sont de considrer la sortie en court-circuit et lentre attaque par un gnrateur de courant de rsistance infinie. 4. Caractrisation de la source de courant
is rce ve gm v
ie
rbe
rbe gm v
rce
vs
is ve vs r = 1 , Ze = = be 124 , Z s = = rce 500 k Ai = i i e v s =0 + 2 i e v s =0 + 2 s i e =0
Le calcul de la rsistance de sortie seffectue en teignant la source de courant indpendante (application du thorme de Thvenin / Norton). Schma du quadriple quivalent
ie is
Ai ie
ve
Ze
Zs
vs
On peut vrifier que si le courant dynamique dentre i e est nul, la source lie est telle que Ai i e = 0 (pas de transfert de courant) et le diple de sortie se rduit la prsence de Z s uniquement. On retrouve le cas dune source pour polarisation dtage prsentant sa charge dynamique Z s (diple).
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Source de courant simple JFET pour polarisation dtage

Considrons le sous-circuit reprsent ci-dessous. Le transistor possde les caractristiques constructeur I DSS = 2 mA, VP = 2 V . Lalimentation a le ple +VCC reli la masse.
I0 J3 D S RS 500
-VCC
Etude du rgime continu 1. Evaluez le courant I 0 . Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 2. Evaluez le paramtre dynamique g m3 du modle du transistor. 3. Ecrivez lexpression de la rsistance dynamique z0 vue entre le drain et la masse. Evaluez cette dernire, le paramtre rds3 tant estim 100 k.
Corrig
Etude du rgime continu 1. Evaluation de I 0
R I 2 RS R I 1 2 2 + 0 = 1 + S 0 S I 0 Vp I DSS Vp V I p DSS En retenant la racine du polynme de plus faible valeur, I 0 1.072 mA .
VGS = RS I 0 VGS 1 I 0 = I DSS Vp
I0 + 1 = 0
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 2. Evaluation de la pente du transistor g m =
3. Evaluation de la rsistance dynamique z0
i0
2 VP
I D I DSS 1.46 mA / V
rds gm vgs v0
v 0 = rds i 0 g m v gs + RS i 0 v gs = RS i 0
vgs
z0 =
RS
v0 = (1 + g m RS )rds + RS (1 + g m RS )rds 173 k i0
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Source de courant gain pour polarisation dtage

Considrons ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, V A = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 15 V .
+VCC
Ipol
R 138k Q3 IC2
Q1
Q2
Etude du rgime continu 1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression de IC 2 en fonction de I pol . 2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I pol IC2 3. Evaluez les courants de collecteur des transistors. Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Prouvez que la source est reprsente par une simple rsistance z0 et valuez celle-ci.
IC2 .
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Corrig
1. Expression de IC2 (I pol ) Equations technologiques :
VBEi
ICi = I Bi = I BS e
UT
VCEi 1 + VA
I BS e UT
VBEi
en ngligeant leffet Early (VCEi << VA )
Q1 Q2
I BS1 = I BS2
VBE1 I I e UT BS C1 = I BS , 1 = 2 = VBE2 IC2 I BS e UT
Equations du circuit : VBE1 = VBE2 IC1 IC2 2 I pol = IC2 1 + ( + 1) = + I I I I B1 + I B2 pol C1 B3 do I pol = + IC2 +1 VCC 2VBE I E3 = I B1 + I B2 I pol VCC = R I pol + VBE + VBE V = R I + V R 3 1 pol BE 3 + VBE1 CC 2. Prcision du miroir
I pol IC 2
1=
( + 1)
5 10 5
3. Evaluation des courants de collecteur
I pol 100 A
(valeur des VBE approche par une tension de 0.6 V), IC2 100 A , IC3 1 A .
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Caractrisation de la charge dynamique
i3 rbe3 i3 R rce1 gm v v rbe/2 rce3 gm v rce2 ic2
avec rbe1 = rbe2 = rbe , rce1 = rce2 = rce et
rbe << rce3 2
Labsence de source dexcitation dynamique lentre du montage fait quaucun courant nexiste dans la partie gauche du circuit, en particulier v = 0 entrane g m v = 0 , do z0 = v 0 i 0 = rce2 . Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0
VA = 1 M ). IC 2
o
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Source de Wilson pour transfert dynamique

On considre le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie, effectu par le montage de la figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, VA = 100 V ).
iE (t) Q3 iS (t)
Q1
Q2
-VCC
Etude du rgime continu 1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression du courant dentre I E en fonction de IS . 2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I IC 3 / IC 3 .
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 3. Evaluez les paramtres des modles des transistors pour IS = 100 A . 4. Dessinez le schma quivalent. 5. Caractrisez la source sous la forme dun amplificateur de courant de paramtres Z e , Z s , Ai .
Corrig
Etude du rgime continu 1. Expression de IS (I E ) Equations technologiques :
VBE1 I = I e UT BS C1 = I BS , 1 = 2 = ) VBE2 IC2 = I BS e UT
Q1 Q2
(I BS1 = I BS2
( VCEi << VA )
Equations du circuit :
VBE = VBE 1 2 I I I = + E3 B1 B2 + IC2 I E = I B3 + IC1
2 1 + I E3 = IC2 I E3 I E = + 1 + IC2
car IC1 = IC2
d'o IS =
+2 ( + 2) IE = IC = IE + 1 3 + 1 2 2 + 2 + 2
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2. Prcision du miroir
IE 2 1= 50 10 6 IS ( + 1)
Etude dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 3. Evaluation des paramtres du modle des transistors
rbe = UT V , rce A IC o IC o
avec IC1 = IC2 IC3 = 100 A

o o o
rbe 50 k , rce 1 M
4. Schma quivalent aux frquences moyennes

is - i3 i3 ie - i3 - (is + i3) /(+2) ve rce (is + i3) /(+2) rbe/(+2) Rch vs rbe
i3
rce is
ie
5. Caractristiques dynamiques de la source

is Calcul du transfert en courant Ai = i e v s = 0 Ce calcul correspond lapplication du thorme de Norton (courant de court-circuit en sortie du diple valu avec une source de courant indpendante parfaite en entre). r ie i3 = rbe i 3 + be (i s + i 3 ) (i s + i 3 ) rce + +2 2 rbe (i + i ) + r i r i = 0 ce s ce 3 + 2 s 3
Lcriture de ces quations de mailles se simplifie en constatant que et rbe << 2rce ( 2.5% prs). Lapproximation donne
i e i3 + + 2 is 1 + + 2 i i 3 s
rbe << rce ( 0.025% prs) +2
Ai =
is ( + 2) 1 ( comparer avec le transfert continu) ie 2 + 2 + 2
vs Calcul de la rsistance de sortie Z s = i s
i e =0
Ce calcul correspond la dtermination de la rsistance de Norton (ou Thvenin) du diple prcdent, la source dexcitation de courant i e tant teinte (circuit ouvert en place de la source).
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rbe v s = rce (i s i 3 ) + + 2 (i 3 + i s ) rbe (i + i ) + r i + r i3 + =0 i3 + is be 3 ce + 2 3 s 2 2 + +
Par les mmes approximations prcdentes, on obtient v s rce i s rce i 3 v 2 Zs = s rce rce = 100 M 1+ is 2( + 1) 2 1 + + 2 i 3 + 2 i s
ve Calcul de la rsistance dentre Z e = i e
v s =0
Ce calcul correspond une configuration de charge trs faible (court-circuit en sortie) par rapport la rsistance de sortie Z s du quadriple. Il faut remarquer que la rsistance rce en entre est en parallle avec le diple qui suit, ce qui conduit au calcul de la rsistance de ce dernier dans le but dallger lanalytique.
(i 3 + i s ) i = i 3 + +2 r be (i 3 + i s ) v = r be i 3 + +2 r be (i 3 + i s ) + r ce (i s i 3 ) = 0 + 2
Par les mmes approximations prcdentes, on obtient 2r v 2 + 3 2r v avec i s i 3 Z e // rce be = 500 = rbe 2 be i i + 2 + 2 + 2 Une autre mthode danalyse plus directe peut tre employe, savoir lapplication de la thorie de la contre-raction courant-courant (voir cours La contre-raction ). Cest une contre-raction quasi totale puisque le miroir lmentaire, reprsentant le quadriple de retour, ramne le courant de sortie lentre et en opposition de phase. La prcision de cette mthode dpendra des hypothses de simplification. La source de Wilson est un miroir de prcision trs importante. Les impdances dentre et de sortie respectivement basse (configuration parallle en entre) et trs haute (configuration srie en sortie) en fait une source adapte la conception des amplificateurs oprationnels transconductance.
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Source de Widlar en rptiteur de courant pour polarisation dtages

On considre ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs identiques ( = 200, VA = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 10 V . Les courants de base seront ngligs.
+VCC
R1 38.8k Ipol Q1 Q2 IC2 Q3 IC3
R2 200
R3 3k
-VCC
Etude du rgime continu 1. Evaluez les courants IC2 et IC3 . Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 2. Evaluez les paramtres dynamiques des modles des transistors. 3. Calculez les charges z2 et z3 vues respectivement entre collecteurs de Q2 et Q3 et la masse.
Corrig
Etude du rgime continu 1. Evaluation des courants IC2 et IC3
VBE1 IC I BS e UT 1 VBE2 Q1 Q2 Q3 IC2 I BS e UT VBE3 UT I I e C3 BS
(technologie)
VBE1 VBE2 + R2 IC2 VBE1 VBE3 + R3 IC3 (circuit) I pol = IC1 + I B1 + I B2 + I B3 IC1 2V = R I + V 1 pol BE1 CC
VBE2 R2 IC2 IC I BS e UT e UT 1 VBE3 R3 IC3 do IC1 I BS e UT e UT I = 2VCC VBE1 I C1 pol R1
IC R 2 IC 2 Ln 1 IC 2 UT avec deux quations transcendantes rsoudre R3 IC3 Ln IC1 U IC 3 T
IC1 500 A , IC2 150 A , IC3 25 A

o o o
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Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 2. Evaluation des paramtres des modles
rbe UT V , rce A IC o IC o
rbe1 10 k, rce1 200 k , rbe2 33.3 k, rce2 667 k , rbe3 200 k, rce3 4 M
3. Calcul des charges z2 et z3 Le montage prsente entre le collecteur de Q1 et la masse, un transistor mont en diode en parallle avec la rsistance de polarisation R1 , soit
rbe1
+1
// rce1 // R1 49.7 << rbe2 et rbe3 .
Les bases de Q2 et Q3 peuvent tre considres la masse au niveau dynamique, do

i0
z2 = R2 // rbe2 + rce2 1 + g m2 R2 // rbe2

rce2 gm2 v2 v0
R2 )] rce 1+ R +r
2
be2
R3 de mme z3 rce3 1 + R3 + rbe 3 z2 1.46 M , z3 15.8 M
v2
R2 // rbe2
Les rsultats du miroir de courant lmentaire sont retrouvs en rendant nulles les valeurs des rsistances dmetteur. Ici, la dissymtrie produit dune part, un courant continu plus faible que le courant de rfrence I pol (effet lentille) ce qui permet dajuster les polarisations au sein dun circuit intgr et dautre part, une charge dynamique qui peut tre trs leve selon la valeur de la rsistance dmetteur. Si lobtention dune charge dynamique importante est uniquement dsire, il y a intrt rendre symtrique le montage (effet miroir) pour une meilleure stabilit des courants en fonction de la temprature (voir problme stabilisation par rsistance dmetteur ).
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Multiplicateur de VBE
Le montage de la figure qui suit prsente une source de courant alimentant un multiplicateur de VBE. Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 250, VA = 100 V ) et la tension dalimentation VCC = 15 V .
+VCC
Q1
Q2
R1 28.8k R2 4.5k R3 7.5k Q3
Etude du rgime continu 1. Evaluez le courant de collecteur de Q2 en prenant VEB1 et VEB2 de dordre de 0.6 V. 2. Dans lhypothse o lon suppose que le courant de base de Q3 est nglig, calculez la tension VCE3 en prenant VBE3 de lordre de 0.6 V. 3. Evaluez tous les courants parcourant le montage afin de valider lhypothse prcdente. Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Evaluez les paramtres rbe3 , rce3 , rce 2 des modles des transistors. 5. Calculez limpdance z 3 vue entre collecteur et metteur de Q3 . 6. Concluez sur la reprsentation dune source de tension au sein dtudes statique et dynamique aux faibles signaux.
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Corrig
Etude du rgime continu 1. Courant de collecteur de Q2
Q1 Q2 I BS1 = I BS2 = I BS et 1 = 2 =
IC2 = IC1
VCC VEB1 + 2 500 A R1
2. Expression de la tension VCE 3 En supposant que I B3 << I , courant circulant dans R3

R2 VCE3 VBE3 1 + R = 0.96 V 3
3. Validation de lhypothse VBE3 IC I I= = 80 A et I B3 2 1.67 A soit une prcision des calculs environ 2%. R3 +1
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Paramtres dynamiques des modles des transistors U V rbe3 T 15 k, rce3 A 239 k I B3 IC 3
o o
5. Impdance vue entre collecteur et metteur de Q3

R2 i1 i0
R3
rbe gm v
rce3
v0
i 0 = i1 + g m v i 0 1 + g m3 R (calcul sans la prsence de rce3 ) = v 0 = (R2 + R )i1 avec R = R3 // rbe3 v R2 + R 0 v = R i 1 z3 = rce3 // R2 + R 113 1 + g m3 R
6. Le multiplicateur de VBE est un gnrateur de tension continue dont limpdance dynamique est trs faible vis--vis de la charge en srie propose par le miroir ( rce2 200 k ). La translation de tension produite pourra servir de polarisation dun tage push-pull srie complmentaire. Il faut noter que ce montage utilise une diode en direct et prsente une meilleure stabilit en temprature que n diodes mises en srie, sans compter la prcision de la tension continue obtenue par le choix des deux rsistances.
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Ralisation dune opration arithmtique complexe

On considre le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques et trs grand (courants de base ngligs).
I1 Q4 Q1 Q3 Q2 Q5 I3
I2
Etude en rgime pseudo-continu 1. En considrant la maille forme par les transistors Q1 - Q2 - Q4 - Q5 , crivez la relation de leurs courants collecteurs. 2. En considrant la maille forme par les transistors Q2 - Q3 , crivez la relation de leurs courants collecteurs. 3. Ecrivez lexpression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 .
Corrig
Les transistors tant supposs technologiquement identiques, lquation gnrale utilise est la IC suivante, en ngligeant leffet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x UT Ln x pour x = 1 5 . I BS 1. Premire relation de maille
VBE1 + VBE2 = VBE 4 + VBE5 IC1 IC2 IC4 IC5
2. Deuxime relation de maille

VBE2 = VBE3 IC2 IC3
3. Expression de I 3
I1 IC + IC 1 3 I I I 2 C2 C1 I 3 = IC4 IC5 IC2 IC3 I I I I C 4 C5 C1 C2
I1 IC + IC I1 + I 2 2 IC 1 2 2 I 2 IC2 IC1 I1 I 2 2 IC1 I 3 = 2 2 IC1 IC2 I 3 IC1 IC2 I 3
2 I2 I1 2
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Ralisation dune opration arithmtique complexe

On considre le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques et trs grand (courants de base ngligs).
I1 Q5 Q1 I3 Q6 Q4 I2
Q2
Q7
Q3
Etude en rgime pseudo-continu 1. En considrant la maille forme par les transistors Q1 - Q2 - Q7 - Q5 , crivez la relation de leurs courants collecteurs. 2. En considrant la maille forme par les transistors Q4 - Q3 - Q7 - Q6 , crivez la relation de leurs courants collecteurs. 3. Ecrivez lexpression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 et concluez.
Corrig
Les transistors tant supposs technologiquement identiques, lquation gnrale utilise est la IC suivante, en ngligeant leffet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x UT Ln x pour x = 1 7 . I BS 1. Premire relation de maille VBE1 + VBE2 = VBE5 + VBE7 IC1 IC2 IC5 IC7 2. Deuxime relation de maille VBE 4 + VBE3 = VBE6 + VBE7 IC4 IC3 IC6 IC7
3. Expression de I 3
I 3 = IC + IC IC 5 6 7 I1 IC1 et I 2 IC4 IC1 = IC2 et IC3 = IC4 IC1 IC2 IC5 IC7 I I I I C6 C7 C 4 C3
I 3 = IC + IC 5 6 2 2 + I2 IC 5 I 3 I1 I 3 = I1 2 2 I 2 IC6 I 3
Le circuit effectue le calcul du module dun nombre complexe partir de ses parties relles et imaginaires.
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Conception dun buffer

Ltude porte sur les performances dun buffer (circuit intgr) dont le circuit le plus simple est ltage collecteur commun (suiveur). Ce dernier prsente des inconvnients quil est possible dviter en modifiant la topologie de base. Cette volution vers lamlioration des performances en rgimes statique et dynamique seffectuera en trois tapes. Les transistors seront supposs technologiquement identiques ou parfaitement complmentaires et de gain en courant = 200 , de tension dEarly VA = 100V . Lalimentation symtrique du montage est telle que VCC = 5 V . Lors des calculs, les courants de base seront ngligs ( grand ) et VA >> VCEo .
Ltage buffer 1. Rappelez les spcificits de ce circuit en rgimes continu et dynamique. Etude de ltage suiveur classique
+VCC 2 mA Q1
vE
vS R1
Rch 200
-VCC
Etude du rgime continu 2. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez la rsistance R1 . 3. Discutez des inconvnients inhrents ce montage. Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle du transistor, puis dessinez le schma. 5. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e , des rsistances dentre Z e et de sortie Z s vue de la charge. Evaluez ces paramtres.
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Etude de ltage suiveur transistors complmentaires

+VCC 2 mA R2 Q1
vE
Q2 R1
vS
Rch 200
-VCC
Etude du rgime continu 6. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez le courant collecteur de Q2 dans le cas o les rsistances R1 et R2 ont la mme valeur. 7. Quelles amliorations apparaissent par rapport au montage prcdent ? Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 8. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle des transistors et dessinez le schma. 9. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e , des rsistances dentre Z e et de sortie Z s vue de la charge. Evaluez ces paramtres.
Etude de ltage suiveur transistors complmentaires et sources de courant

+VCC
2 mA Q5 Q6 Q1
vE
Q2
vS
Rch 200
Q3
Q4
-VCC
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Etude du rgime continu 10. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez la rsistance R. 11. Quelle amlioration apporte la prsence des sources de courant ?
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 12. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle des transistors et dessinez le schma. 13. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e , des rsistances dentre Z e et de sortie Z s vue de la charge. Evaluez ces paramtres. 14. Dans le contexte dynamique, comparez les valeurs des paramtres calculs lors de ces trois tudes et prcisez lamlioration obtenue.
Formulaire :
VBE
Modle en rgime continu pour des transistors appairs IC I BS e (courants de saturation I BS
I BS des jonctions base-metteur et gains en courant supposs identiques,
UT
ou VBE UT Ln
IC
effet Early nglig VCE << VA ). Paramtres du modle du transistor en rgime dynamique aux faibles signaux rbe
UT V , rce A . IC o IC o
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Corrig
1. Dfinition dun buffer Un buffer (tage tampon) recopie la tension dentre en sortie et prsente une trs faible rsistance de sortie et une rsistance dentre importante. Son rle est disoler deux tages mis en cascade pour une adaptation en tension quasi idale. Etude de ltage suiveur classique Etude du rgime continu 2. Evaluation de VS et R1
+5V 2 mA Q1 0V 5.6 V 0.6 V 5 mA 200 880 -5V - 0.6 V 3 mA
VS = VBEo 0.6 V VCE1 = VCC VS 5.6 V

o
I E1 =
o
VS + VCC VS + IC1 o R1 Rch
R1 880
3. Discussion Inconvnients du montage : - prsence dune tension doffset en sortie due la jonction BE de Q1 (translation de - 0.6 V), - jonction BE fonction de la temprature, - courant de polarisation dpendant de la charge.
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Evaluation des paramtres du modle du transistor et schma
i1 rbe1 i1 ve R1 //Rch vs
rbe1
UT V 2.5 k , rce1 A = 50 k IC1 IC1

o o
R1 // Rch 163 et rce1 >> R1 // Rch . 5. Caractrisation de ltage

Av =
( + 1)(R1 // Rch ) , Z = r + ( + 1)(R // R ) , Z = R // rbe1 . vs = s 1 e be1 1 ch v e rbe1 + ( + 1)(R1 // Rch ) +1
do Av 0.929 , Z e 35.3 k , Z s 12.3 .
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Etude de ltage suiveur transistors complmentaires Etude du rgime continu 6. Evaluation de VS et IC2
+5V 2 mA 2500 Q1 0.6 V 0V Q2 2500 1.76 mA 5V 0V 0A 200
o
VS = VEB2 VBE1 0 V
o o
VCE1 = VCC VS 5 V
o
5.6 V
I E1 =
o
VS + VCC VS V + CC IC1 o R1 Rch R1 VCC = 2.5 k IC1

o
R1 (= R2 )
-5V
7. Discussion Lintroduction dun second metteur suiveur, de type complmentaire au premier, permet de compenser le dcalage de tension doffset en sortie. Cependant, les courants de collecteur des transistors ntant pas les mmes, les tensions aux bornes des jonctions BE ne sont pas tout fait identiques daprs lexpression mathmatique du modle pour ces transistors appairs I VBE UT Ln C avec VCE << VA . Le potentiel de sortie VS est peu prs nul. I BS Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 8. Evaluation des paramtres du modle des transistors et schma rbe1 2500
rce1 50 k >> R1 // Rch rbe2 2841 rce2 57 k >> R 2
ve i2 rbe2 i2 R2 rbe1 i1 R1 //Rch vs i1
9. Caractrisation de ltage Les deux tages tant en cascade, nous caractrisons le premier tage vide (base de Q1 dconnecte) sous la forme dun diple quivalent de Thvenin ( v s1 , zs1 ) tel que
A1 = v s1 ve =
( + 1)R2 , rbe + ( + 1)R2

1
zs1 = R2 //
rbe2
+1
Ce diple attaque le second tage caractris sous la forme dun nouveau diple quivalent de Thvenin ( v s2 , zs2 ) tel que
A2 = v s2 v s1 = zs1
( + 1)(R1 // Rch ) , + rbe + ( + 1)(R1 // Rch )

1
zs2 = R1 //
zs1 + rbe1
+1
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La rsistance dentre du second tage charge le premier tage, ce qui donne ze1 = rbe2 + ( + 1) R2 // ze2 avec ze2 = rbe1 + ( + 1)(R1 // Rch ) .
do Av = A1 A2 0.931 , Z e ze1 476 k , Z s zs2 12.4 . Remarquons une augmentation de la rsistance dentre.
Etude de ltage suiveur transistors complmentaires et sources de courant Etude du rgime continu 10. Evaluation de R
+5V
2 mA Q5 Q6 Q1 0.6 V R 0V 2 mA Q2 2 mA 2 mA Q4 0V 0A 200
VBE3 I I e UT BS C Q3 Q4 3 VBE4 IC4 I BS e UT IC 3 IC 4 VEB5 I I e UT BS C5 Q5 Q6 VEB6 IC6 I BS e UT IC 5 IC 6
et VEB3 = VEB4
et VEB5 = VEB6
Q3
En ngligeant les courants de base, IC1 IC2 2 mA

-5V
IC1 VBE1 UT Ln I BS Q1 Q2 IC 2 V EB2 UT Ln I BS R=

2VCC VEB5 VBE3
VBE1 VEB2 et VS = VEB2 VBE1 0 .
IR
4.4 k
11. Discussion Lintroduction des sources de courant au sein du montage amliore la symtrie des courants collecteur de Q1 et Q2 . Ce circuit intgr permet une tension doffset ngligeable en sortie et un meilleur comportement en temprature.
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 12. Evaluation des paramtres du modle des transistors et schma Tous les courant collecteur sont de lordre de 2 mA, donc
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i2
i1 rbe1
i2 i1
rbe rbei 2500
rce rcei 50 k
rbe2 ve rce /2
vs Rch //rce/2
13. Caractrisation de ltage De la mme faon que prcdemment, nous oboutissons aux rsultats suivants.
v s1 ve
A1 =
A2 =
v s2 v s1
r r , zs1 = ce // be . rce 2 +1 rbe + ( + 1) 2 r ( + 1) ce // Rch zs + rbe r 2 , zs2 = ce // 1 . = 2 +1 rce zs1 + rbe + ( + 1) // Rch 2
2
( + 1) rce
r r ze1 = rbe + ( + 1) ce // ze2 avec ze2 = rbe + ( + 1) ce // Rch . 2 2 do Av = A1 A2 0.941 , Z e ze1 3.17 M , Z s zs2 12.5 . 14. Discussion Tableau rcapitulatif n tage Offset en sortie (V) Comportement en temprature Gain en tension Rsistance dentre (k) Rsistance de sortie () 1 - 0.6 mauvais 0.929 35.3 12.3 2 voisin de 0 moyen 0.931 476 12.4 3 0 bon 0.941 3170 12.5
La rsistance dentre subit une nette augmentation due la prsence de charges dynamiques sur les metteurs de Q1 et Q2 , le gain en tension et la rsistance de sortie restant du mme ordre. Il ne faut pas oublier que les valeurs numriques trouves sont lies au choix dune charge de 200 et dun courant de polarisation de 2 mA.
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Etage diffrentiel charges asymtriques

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200 , VA = , rce = ).
R3 3.6k out Q1 Q2
R4 1.8k ref 6V VCC
vd
R5 9.6k R1 1k Q3 R2 1k VCC Q4 6V
Etude du rgime continu 1. Evaluez les courants IC3 ainsi que les potentiels de nuds Vout et Vref . 2. Expliquez lintrt de disposer du potentiel de rfrence Vref . Etude du rgime dynamique diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes) 3. Evaluez le paramtre rbe des transistors Q1 et Q2 . 4. Calculez les valeurs du transfert Ad = v out v d , de limpdance dentre Zd et de limpdance de sortie Zs .
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Corrig
Etude du rgime continu 1. Evaluation des courants et potentiels de nuds
6V
500 A
1.8k 4.2 V
500 A
3.6k 4.2 V
Q1 9.6k 1k
Q2
1k - 1.1 V
1 mA - 5.4 V
Ipol
1 mA
Q4 -6V
Q3
Ltage diffrentiel Q1 - Q2 est polaris par le courant issu du miroir lmentaire Q3 - Q4 tel que
IC 3
o
2VCC VBE 4 R 4 + R5
= 1 mA .
IC 3 VBE1 + R1I E1 = VBE2 + R2 I E2 o I E1 =I E2 = 500 A avec R1 = R 2 et VBE1 = VBE2 0.6 V . o o I I I = + 2 C E E 1 2 3

Vref VCC R 4 IC3 Vref Vout 4.2 V . Vout VCC R3 IC2
2. Intrt de disposer du potentiel Vref Les deux bornes de sortie sont quipotentielles et permettent une attaque diffrentielle en tension dun montage qui suit.
Etude du rgime dynamique diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes) Le fait de considrer la valeur du paramtre rce3 infinie, conduit un rgime purement diffrentiel. Le rgime de mode commun est tel que Ac = 0 , Z c = car v c = . 3. Evaluation du paramtre rbe
rbe = rbe1 = rbe2 = UT 10 k I Co
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Page 111
4. Caractrisation de ltage Posons R = R1 = R2 .

R3 vout
i1 + vd /2 rbe
i1 i2
i2 + - vd /2 rbe
v d = [rbe + ( + 1)R ](i1 i 2 ) ( + 1)i1 + ( + 1)i 2 = 0 v out = R3 i1
Ad = Zd =
v out R3 = 1.71 , vd 2 [rbe + ( + 1)R ]
R1
R2
vd = 2 [rbe + ( + 1)R ] = 422 k , i1
Z s = R3 = 3.6 k
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Etage diffrentiel charges actives (partie 1)

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques avec = 200 , VA = 100 V .
Q5
Q6
VCC 15 V
v1 R1 294k
Q1
Q2
v2
iS
VCC 15 V
Q3
Q4
Comprhension du schma 1. Identifiez les parties du circuit et prcisez leurs fonctions. Etude du rgime continu 2. Dessinez le montage et valuez les courants de collecteur, ainsi que le courant de sortie IS . Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 3. Afin dallger le calcul analytique, les paramtres rce des modles aux faibles signaux des transistors Q1 et Q2 seront ngligs. Evaluez les autres paramtres rbe et rce des transistors et caractrisez les quadriples forms par les sources de courant. Dessinez le schma rsultant. 4. Dessinez le schma quivalent du montage dans son rgime diffrentiel. 5. Ecrivez les expressions de la rsistance diffrentielle dentre Z d , de la rsistance de sortie Z s et du transfert i s / v d et dessinez le quadriple issu de cette caractrisation en prcisant les conditions dattaque et de charge pour obtenir un convertisseur tension-courant. 6. Dduisez la valeur du gain en tension Ad . 7. Dessinez le schma quivalent du montage dans son rgime de mode commun. 8. Evaluez le gain en tension Ac et dduisez la valeur du TRMC (en dB). Etude du rgime pseudo-continu 9. Ecrivez la relation du transfert IS (VD ) et tracez cette courbe. 10. Donnez lexpression de la pente au point VD = 0 . Comparez ce rsultat lexpression du transfert trouve en 5. 11. Evaluez la distorsion sur le courant de sortie i s (t ) pour une amplitude crte de v d (t ) gale 25 mV.
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Page 113
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel dont la charge de collecteur est un miroir de courant. - Ltage de polarisation est un miroir de courant lmentaire Q5 - Q6 polarisant ltage diffrentiel par le point commun des metteurs de Q1 - Q2 . Le courant de cette source, issu de lalimentation totale de tension 2VCC , est rgl par la rsistance R1 .
-
Ltage diffrentiel Q1 - Q2 est comportement metteur commun, attaquant dynamiquement en courant le miroir lmentaire Q3 - Q4 . Le transfert effectu par ce miroir double le courant de sortie par comparaison avec une charge dynamique classique sur le collecteur de Q2 .
Cet tage est un amplificateur conductance de transfert.
Etude du rgime continu 2. Schma et valuation des courants

VEB5 Q5 VEB6 Q6 I0 VEB1 Q1 Q2 15 V VEB2
VCC
R1
IC2 IS IC4 VCC 15 V Q3 VBE3 VBE4 Q4
Ipol
VBEi
Equation du modle dun transistor Qi
: ICi = I Bi = I BS e
UT
1 + VCEi VA
I e BS
VBEi UT
en
ngligeant leffet Early ( VCEi << VA ) . Ici, tous les transistors ont mmes et I BS . Etage de polarisation : VEB5 I I e UT BS C5 Q5 Q6 VEB6 IC6 I BS e UT
et VEB5 = VEB6
IC5 IC6 I0
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Page 114
I pol = IC5 + I B5 + I B6 I 0 et IC6 100 A avec VEB5 pris 0.6 V. o 2VCC = R1 I pol + VEB5
Etage diffrentiel VEB1 I I e UT BS C et VEB1 = VEB2 Q1 Q2 1 VEB2 IC2 I BS e UT et I 0 = I E1 + I E 2 IC1 IC2 50 A
o o
IC1 IC2
Circuit de transfert VBE3 I I e UT BS C Q3 Q4 3 et VBE3 = VBE 4 IC3 IC4 VBE4 IC4 I BS e UT IC = IC3 + I B3 + I B4 IC3 et 1 IC3 IC4 50 A , ISo 0 . o o IC2 = IC4 + IS
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 3. Schma du montage Evaluation des paramtres des transistors aux faibles signaux
rbe UT V , rce A IC 0 IC 0
rbe rbe1 rbe2 rbe3 rbe4 = 100 k , rce rce3 rce4 = 2 M , rce6 = 1 M . Caractrisation des sources de courants et schma du montage Une source de courant est modlise sous la forme gnrale dun quadriple.
ie is
Ai ie
ve
Ze
Zs
vs
is avec A i = i e
ve = 1 , Ze = i e v s =0 + 2
vs r = be , Zs = i s v s =0 + 2
= rce i e =0
Dans le cas du miroir Q5 - Q6 , le circuit dattaque est reprsent par la rsistance R1 branche entre lentre du quadriple et la masse. De ce fait, le courant dynamique dentre i e est nul (absence de source dexcitation), la source lie est telle que Ai i e = 0 (pas de transfert) et le diple de sortie se rduit la prsence de Z s uniquement. Le courant de sortie i s parcourt une rsistance Z s = rce6 .
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Page 115
Dans le cas du miroir Q3 - Q4 , le courant dentre est le courant de collecteur de Q1 gnr par la tension v 1 et un transfert de courant a lieu ( Ai i e 0 ). La rsistance de sortie Z s = rce4 est parcourue par le courant i s Ai i e . La rsistance dentre vaut Ze 495 . Le schma dynamique est alors le suivant.
rce6
v1 =
i1 + vd /2 v1 vc Ze + Ai ic1 rce4 vs ic1 ic2 + vc Q1 Q2 i2 + - vd /2 v2
v1 v 2 v1 + v 2 v d + = + vc 2 2 2 v v1 v 2 v1 + v 2 + = d + vc 2 2 2
v2 =
La mthode du demi-schma sera mise en oeuvre ici malgr la dissymtrie de charge des collecteurs de Q1 - Q2 car rce1 = rce2 = , ce qui entrane i c1 = i1 et i c2 = i 2 (voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ). 4. Schma en rgime diffrentiel
i1 + vd /2 ic1
Q1
Q2
i2 + ic2 - vd /2 i1 + vs vd /2 rbe
Ze Ai i1 i
rce4
vs
i2 + - vd /2 rbe
Ze
Ai ic1 rce4
i1
i2
5. Caractrisation du montage Calcul du courant de court-circuit et de la rsistance de sortie (thorme de Norton)

vd 2 = rbe i 2 i = (Ai i1 i 2 ) v d = rbe i1 2
i1 = i 2 =
vd 2 rbe
et i =
(Ai + 1)
2 rbe
vd
rbe
v d (car Ai 1 ).
La conductance de transfert scrit Yt
rbe
= g m et la rsistance de sortie Z s = rce4 .
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Page 116
La source de tension diffrentielle en entre voit une rsistance Z d = 2 rbe .

B1 is Yt vd
vd
Zd
Zs
Rch
avec Z d = 200 k , Yt 2 mA / V , Z s = 2 M .
B2
Un amplificateur conductance de transfert doit tre attaqu en tension ( Z d >> rg ) et sa charge en courant ( Z s >> Rch ), do i s Yt v d (condition de court-circuit en sortie). 6. Evaluation du gain en tension ( vide)
v s = Z s Yt v d
rce4
rbe
v d , do Ad =
rce4 vs vd rbe
(condition de circuit ouvert en sortie).
Ce gain est surestim par la non prise en compte de rce1 et rce2 .

B1 Zs vd Zd + Ad vd vs C2
avec Z d = 200 k , Ad 4000 , Z s = 2 M .
B2
7. Schma en rgime de mode commun
2 rce6
2 rce6
Ze Ai i1 i
rce4
vs
i1 + vc ic1
Q1
Q2
i2 + ic2 vc + vc
i1
i2 + vc rbe
i1 i2
rbe
Ze
Ai ic1 rce4 vs 2 rce6 2 rce6
8. Caractrisation du montage Calcul du gain en tension

v s = rce (Ai i1 i 2 ) 4 v r 2 rce6 ( + 1) i1 = + c be v c = rbe + 2 rce6 ( + 1) i 2
[ [
] ]
i1 = i 2 =
rbe
rce4 (Ai 1) vc et v s = vc + 2 rce6 ( + 1) rbe + 2 rce6 ( + 1)
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Page 117
do Ac =
( + 2)[rbe + 2 rce ( + 1)]

6
2 rce4
= 0.01 avec rbe << 2 rce6 ( + 1) et 2 rce6 = rce4 .
Ce gain est surestim par la non prise en compte de rce1 et rce2 . Le taux de rjection vaut donc TRMC = Ad Ac 400000 (112 dB) .
Etude du rgime pseudo-continu

+ VCC
I0 VEB1 Q1 VD IC1 Q2 VEB2
IC2 IS
IC3 Q3 VBE3 VBE4
IC4 Q4 - VCC
9. Ecriture du transfert IS (VD )

VEB1 I I e UT BS C 1 VEB2 IC2 I BS e UT
Etage diffrentiel Q1 Q2
VD = VEB2 VEB1 et I 0 = I E1 + I E 2
IC1 IC2
VD UT
et IC1
I0
1+ e
VD UT
, IC 2
I0
1+ e
Q3 Q4
VD UT
Circuit de transfert effet miroir
IC1 IC3 IC3 IC4 et IC2 = IC4 + IS 1 1 IS I 0 VD VD UT UT 1+ e 1+ e
linarisation
I0
ou encore IS I 0 th
IS - I0
VD 2UT
-200mV
-100mV
0V VD
100mV
200mV
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Page 118
10. Retour au rgime linaire

I0 (rgime continu). Le signal v d (t ) volue sur la zone linaire de la 2 caractristique IS (Vd ) autour de VD = 0 et lexpression de la conductance de transfert du circuit linaire peut tre retrouve.
Pour VD = 0 , IC1 = IC2
dI S dVD V
D =0
I0 UT
V D e UT V D 1 + e UT
VD UT
VD UT e 1 +
I = 0 2 2 UT VD =0
is = Yt vd rbe
car rbe
UT et I 0 2 IC1 . o IC1
o
VD I0 VD Autre dmonstration, th 2U 2 U pour VD << 2 UT IS 2U VD pour de faibles variations T T T du pseudo-continu autour de VD = 0 , ce qui revient aussi dire que les variations de i s sont proportionnelles aux variations de v d si ces dernires sont damplitude crte faible devant 50 mV.
11. Calcul de la distorsion Par dfinition, d =

IS = I 0 th
2 + A 2 + A 2 + ... A2 4 3
A1
avec An valeur efficace de lharmonique n.

x3 x5 + + o x6 3 15
5 V VD V3 VD I0 D D 3 + 5 2U 2 UT 24 UT 240 UT T
car le dveloppement limit de th x lordre 6 est th x = x d

2 VD A3 et pour VD = UT = 25 mV , d 8.33 % . = 2 A1 12 UT
( )
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Page 119
Etage de tension intermdiaire (partie 2)

Ltude porte sur la caractrisation de ltage de tension de la figure ci-dessous. Cet tage fait suite ltage diffrentiel tudi prcdemment et les transistors ont mmes et VA.
+VCC
Q9
Q10
R2 29.4k
C 30p Q7
vs
ve
Q8
R3 6.3k
(VCC = 15 V)
-VCC
Etude du rgime continu 12. Dessinez le montage en rgime statique, puis valuez les courants de collecteur et justifiez la valeur du courant de base de Q7 lorsque ltage est connect la sortie de ltage diffrentiel. Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 13. Dessinez le schma quivalent du montage attaqu par lquivalent de Thvenin de ltage diffrentiel ( v g , rg = 2 M ) et valuez les paramtres rbe et rce des transistors.
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

' ' ' 14. Caractrisez ltage de gain en tension Q7 - Q8 ( A v , Ze , Zs ), le
transfert tant dfini par
' Av
= v s / v e et la charge de ltage tant considre comme trs importante et dessinez le
quadriple issu de cette caractrisation. Etude du rgime dynamique aux frquences hautes 15. Calculez la frquence de coupure haute de tage intermdiaire, les transistors tant sous leur schma aux frquences moyennes. Justifiez ce rsultat, puis valuez le produit gain bande du circuit incluant ltage diffrentiel.
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Page 120
Corrig
12. Polarisation Mirroir Q9 - Q10
miroir 1 mA 500 nA Q7 Q8 15 V
100 A
IC10 IC9 =
o o o
2VCC VEB9
R2
o
= 1 mA
IC8 = IC10 1 mA
5 A
95.2 A R3 6.3k VBE8
15 V
I E7 =
o
VBE 8 R3
+ I B8 IC7 100 A
o o
Lorsque cet tage de tension est connect la sortie de ltage diffrentiel, le nud de sortie ( droite) de ltage diffrentiel laisse fuir un courant de 500 nA vers la base de Q7 et le nud oppos ( gauche) laisse fuir le courant I B3 + I B4 = 2 IC3 500 nA . Ainsi, le choix de la
o o o
rsistance R3 , pour une valeur donne du courant issu du miroir, est conditionn pour symtriser ltage diffrentiel dans son rgime de polarisation. Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 13. Schma et valeurs des paramtres des modles
C
Q7 Q8
rce10
rbe =
UT V , rce A IC o IC o
rg + vg R3
vs
do rbe7 50 k , rce7 1 M ,
rbe8 5 k , rce8,10 100 k .
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 14. Caractrisation de ltage de gain Etage collecteur commun Q7 non charg (quivalent de Thvenin)
rbe7 rg
i7 rce7 i7 R3 vs1
Z s1
vg
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Page 121
A1 =
v s1 vg
( + 1) (R3 // rce ) rg + rbe + ( + 1) (R3 // rce

7 7
) 0.38 , Zs
= rce7 // R3 //
rg + rbe7
+1
3.88 k
Etage metteur commun Q8

i8 Zs1 rbe8 i8 vs1 rce8 rce10 vs2
Zs 2
A2 =
v s2 v s1
rce8 // rce10
rbe8 + Z s1
) 1126 , Z
s2
= rce8 // rce10 50 k
Le gain en tension de la chane non charge ( Rch trs importante) scrit v s2 vg = v s1 v s2 v g v s1 = A1 A2 428 .
Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre Lmetteur commun prsente la diode dentre de Q8 vue de sa base, soit Z e2 = rbe8
i8
Z e2
rbe8 i8
rce8
rce10
Rch
et le collecteur commun Z e1 = rbe7 + ( + 1) rce7 // R3 // Z e2 609 k .

i7 rbe7 i7
Z e1
rce7
R3
Ze2
do le schma rsum
rg ve vg Ze1 vs1 = A 1 vg
Zs1 Ze2 vs2 = A2 vs1
Zs2 vs Rch
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Page 122
Le gain de transfert en tension A 'v aux frquences moyennes (absence de C) doit tre exprim en terme de source lie la tension v e de la branche contrlante supportant Z e1 afin de respecter la modlisation du quadriple (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire ). La caractrisation de ltage devient alors :
' ' Ze = Z e1 609 k , Z s = Z s2 50 k << Rch ,
Rch Av ve
rg ve vg Ze
Zs
A 'v =
rg vs = 1 + ve Z e1
A1 A2 1834 .
15. Evaluation de la frquence de coupure haute (frquences hautes) La caractrisation de ltage de gain va permettre une approche rapide du comportement en frquence du circuit. Sous lhypothse dobtenir la frquence de coupure -3 dB uniquement par la prsence du condensateur C, le schma quivalent du systme est alors du premier ordre (un seul condensateur).
C
i0 ve Ze // rg
rg ve vg Ze Av ve
Zs Rch
v0 Av ve
Zs
Le condensateur voit ses bornes une rsistance (diple de Thvenin/Norton) 1 0 ' ' RC = Zs + rg // Z e 1 A 'v 857 M fh = 6.2 Hz . 0 2 RC C
)(
La constante de temps produisant la frquence trouve est de valeur norme devant la somme de toutes les constantes de temps vide produites par les capacits parasites des transistors et lapplication de la mthode du ple dominant donne (voir Annexes ) :
f1
1 fh 2 a1
0 avec a1 = RC C+
i =1
15
0 Rbe Cbei + i
R
i =1
15
0 bc i C bc i
0 RC C
Lamplificateur de tension complet (prsence dun tage diffrentiel en tte) se comporte comme Av un circuit du premier ordre de gain en boucle ouverte G( j f ) = avec A v 125 dB . 1 + j f fh La faible frquence de coupure haute permet datteindre un gain unit avec une pente de 20 dB par dcade dans le plan de Bode. Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable. Le produit gain en tension (en units et non en dB) frquence de coupure haute (proprit dun systme du premier ordre) permet de chiffrer la frquence de transition ft A v fh 10 MHz .
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Page 123
Illustration par la simulation

150 632.631m, 124.205) (98.658K, 121.209)
100 (6.2359, 121.204)
amplificateur compens (C = 30 pF)
amplificateur non compens
50 - 20 dB / dcade - 40 dB / dcade
0 (10.6510M, 8.2797m) -50
1.0Hz DB(V(s))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz Frequency
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
Si la capacit C de compensation tait absente, linfluence conjugue du montage metteur commun Q8 (voir le problme Rponse en frquence dun metteur commun ), et du montage base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacits parasites du miroir et de lentre de Q7 , produirait la frquence de coupure haute. La prsence de ces ples rend le systme instable comme le montre la simulation.
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Page 124
Etage diffrentiel cascode charges actives (miroir)

Ltude porte sur la caractrisation du circuit intgr (CI) de la figure ci-dessous aliment sous VCC = 15 V . Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques de caractristiques
= 250 ( >> 1 ), VA = 100 V (effet Early nglig VA >> VCE ) et VBE 0.6 V .
+VCC
Q7
Q8
(+)
Q1
Q2
(-)
R1 39.2k I2
Ipol
Q3
Q4 I1 I0 iS Q9 Q10
Q5
Q6
R2 4.53k
-VCC
Comprhension du circuit 1. Donnez une description du circuit. Etude du rgime continu 2. Evaluez le courant I 0 issu de la source. 3. Ecrivez les expressions analytiques I1 et I 2 en fonction de I 0 et du gain en courant des transistors Q3 et Q4 . 4. Comparez linfluence de sur les courants de collecteur de Q3 et Q4 pour ce circuit de polarisation et pour un circuit rduit la seule source de courant I 0 alimentant directement le point commun des bases. 5. Evaluez les courants et potentiels des nuds. Etude du rgime pseudo continu 6. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) , IC4 (VD ) et IS (VD ) de ltage diffrentiel. Tracez ces fonctions. 7. En considrant la zone linaire des courbes prcdentes, crivez lexpression de la conductance de transfert i S (v d ) en rgime linaire.
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Page 125
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 8. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors (prendre rce1,2,3,4 = ). 9. Evaluez la rsistance dynamique prsente par ltage de polarisation Q9 - Q10 - R1 - R 2 ( z9 ) et les lments de la caractrisation des miroirs Q5 - Q6 et Q7 - Q8 ( ze , zs , Ai ). Dessinez le schma rsultant. 10. Caractrisez lamplificateur en rgime purement diffrentiel ( Ad , Zd , Zs ). 11. Caractrisez lamplificateur en rgime de mode commun ( Ac , Zc ). 12. Dduisez le taux de rjection de mode commun. 13. Retrouvez lexpression de la conductance de transfert obtenue lors de ltude en pseudo continu.
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun circuit de polarisation et dun tage diffrentiel charges actives. - Le circuit de polarisation est une source de courant R2 - Q9 - Q10 , de type Widlar, dont le courant de rfrence est ajust laide de la rsistance R1 . Cette source permet dalimenter ltage diffrentiel par les points communs des bases de Q3 - Q4 et des collecteurs de Q1 - Q2 . Vu la polarit de ces derniers transistors, un miroir de courant Q7 - Q8 est ncessaire pour modifier le sens du courant. La comprhension de cette topologie apparatra lors de ltude du rgime continu. - Lassociation de collecteurs communs Q1 et Q2 suivis de bases communes Q3 et Q4 constitue un tage diffrentiel cascode, permettant dobtenir une bande passante plus leve que le montage traditionnel comportement metteur commun. Les charges actives de Q3 et Q4 composent un miroir de courant Q5 - Q6 qui permet de doubler le courant dynamique traversant la rsistance interne de cette source, donc de doubler la valeur du gain diffrentiel en tension (condition vide). Il est remarquer que la sortie de ltage est alors asymtrique. Cet tage est un amplificateur conductance de transfert.
Etude du rgime continu 2. Evaluation du courant I 0 Courant de rfrence I pol = Source de Widlar 2VCC VBE10 R1
o
750 A
I R2 pol IC9 Ln o UT IC 9 o
(quation transcendante) I = I 0 C9 o 20 A
3. Expressions analytiques I1 et I 2 Puisque le gain en courant est important ( >> 1) et le montage symtrique (effet Early nglig), IC1 = IC2 IC3 = IC4 .
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Page 126
I = I + I 0 1 2 I I + 2 C 3 IC 4 I1 = I B3 + I B4
I 0 = I1 + I 2 I soit I 2 I 0 et I1 0 . I I + 1 +1 1 2
4. Influence de sur IC3 et IC4 et comparaison Pour le circuit propos, IC3 = IC4
S C3
I
I0 et la sensibilit de ces courants scrit +1 2
d IC 3 1 d d d 1 car = . +1 +1 +1 IC 3
Dans le cas dun circuit de polarisation rduit la source I 0 alimentant de point commun des bases de Q3 et Q4 , la sensibilit scrit
IC 3 = IC 4 = I0 2
S C3 = 1 (sensibilit + 1 plus importante que prcdemment).
Le circuit de polarisation propos permet donc dalimenter ltage diffrentiel par un courant constant ( IC3 = IC4 I 0 2 ) dont la valeur nest pratiquement pas fonction du gain des PNP latraux Q3 et Q4 , gain relativement difficile contrlable la fabrication. 5. Evaluation des courants et potentiels de noeuds
+VCC +VCC
15 V
Q7
Q8 Q1 Q2
I2
20
14.4 V Q1 10
I2 /2
Q2 10
I2 /2
Q3 I2 20
I0 /2 I0 /2
Q4
- 1.2 V Q3 Q4 I1
I1 /2
IS
Q5
Q6
I0
10
I1 /2
10 IS 0 Q6
80n
- 14.4 V Q5
80n
20
-VCC I0
circuit de polarisation simple
- 15 V
-VCC
Remarquons que le nud de sortie nest pas connect ltage suivant ( vide). Pour obtenir une polarisation quilibre de ltage diffrentiel, le potentiel de ce nud doit tre - 14.4 V et laisser fuir vers ltage suivant un courant de 80 nA (symtrisation du schma).
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6. Expressions des transferts

Q Q 2 1 Q3 Q4 Q5 Q6
VBE1 I E ( + 1) I BS e UT 1 VBE2 UT I I e ( 1 ) + E BS 2 VEB3 ' e UT I E ( '+1) I BS 3 VEB4 UT ' I E 4 ( '+1) I BS e VBE5 IC I BS e UT 5 VBE6 UT IC6 I BS e
(technologie)
VD = VBE + VEB VEB VBE 1 3 4 2 I E1 = I E3 I E 2 = I E 4 (circuit) I 0 IC3 + IC4 VBE5 = VBE6 I I C5 C3 IS = IC IC 4 6
+VCC
Q7
Q8
I2
Q1 VD VBE1
Q2 VBE2 I2 20 Q4 I1
VEB3 VEB4 Q3 IB3 IB4
IC3
IC4 IC6 Q6 VBE5 VBE6
80n IS
IC5 Q5
20
I0
-VCC
A partir des quatre premires quations du circuit, on obtient : I E1 = I E3 I0 VD IC3 V I I E 2 = I E 4 I D 2 UT E3 = C3 e 2 UT 1+ e I E1 I E I E 4 IC 4 I0 + Ln 3 VD UT Ln I IE4 VD C4 IE2 I 0 IC3 + IC4 2 UT I I + I 1+ e 0 C3 C 4 et laide des trois dernires I0 I0 V IC5 = IC6 IS = I 0 th D V V D D 4 UT IS IC4 IC3 1 + e 2 UT 1 + e 2 UT
avec I 0 = 20 A
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20uA
linarisation du transfert
Q4 satur
Q3 satur
10uA (111.0E-18, 10.013u)
0A
Q3 bloqu
(111.0E-18, -37.759n) -10uA linarisation du transfert -20uA -400mV IC(Q3) -300mV IC(Q4) -200mV IC(Q4) - IC(Q3) -100mV 0V 100mV 200mV
Q4 bloqu
300mV
400mV
VD
7. Expression du transfert Pour une faible valeur de VD par rapport la masse,

th I I VD V V D et IS I 0 D , do le transfert Yt = S 0 . 4 UT 4 UT 4 UT VD 4 UT
Cette expression correspond la conductance de transfert de ltage court-circuit en sortie (adaptation en courant ralise) dans une tude dynamique aux faibles signaux. Dans ces conditions de charge, i s = Yt v d reprsente la source quivalente de Norton du montage et sa rsistance de diple est zs = rce6 telle que zs >> Rch avec rce3 = rce4 = .
Etude du rgime dynamique (faibles signaux) 8. Paramtres des modles

do rbe1,2,3,4,5,6 = rbe 625 k , rce1,2,3,4 = , rce5,6 10 M ,
rbe7,8,9 312.5 k , rce7,8 2.5 M , rce9 5 M .
9. Schma et lments dynamiques demands R2 La source de Widlar Q9 - Q10 est quivalente une rsistance z9 rce9 1 + R2 + rbe 9 22.9 M .
Le miroir de courant est quivalent un quadriple de transfert en courant dont les paramtres r valent ze = be , zs = rce , Ai = . +2 +2 Pour le miroir Q5 - Q6 , z5 2480 , z6 = 10 M . Pour le miroir Q7 - Q8 , z7 1240 , z8 = 2.5 M .
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z7 ic1+ic2
Ai (ic1+ic2)
rce8
+ v1
Q1
Q2
+ v2
Q3
Q4 ib3+ib4
ic3
ic4
z5
Ai ic3
rce6
z9
Dans le rgime diffrentiel, nous avons i c2 = i c1 et i c 4 = i c3 . La rsistance z7 est donc traverse par un courant nul et cette dernire disparat du schma. Le raisonnement est le mme pour le courant traversant la rsistance quivalente rce8 // z9 . Dans le rgime de mode commun, nous avons i c1 = i c2 = i c3 = i c 4 . La rsistance z7 est traverse par un courant i c1 + i c 2 = 2 i c2 et le courant de collecteur de Q2 traverse une rsistance quivalente 2 z7 . Par un mme raisonnement, le courant traversant la rsistance quivalente rce8 // z9 est 2 i b4 + 2 Ai i c 4 = 2 (1 + Ai )i b4 et le courant de base de Q4 traverse une rsistance
quivalente z0 = 2 (1 + Ai ) rce8 // z9 2 rce8 // z9 1127 M .
2 z7 Q2 + -vd/2 Q2 Q4 ib4 ic4 z0 - Ai ic4 rce6 vout1 Ai ic3 Q4 ic4 + vc ic2
rce6
(voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ).
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10. Caractrisation en rgime diffrentiel Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie du circuit, lattaque tant une source de tension v d / 2 . Etage collecteur commun Q2
i2 rbe2 - vd /2 i2 rce2 v's1
' Zs 1
' = A1 ' vs 1
vd 2
rbe2 + rce2 ( + 1)
rce2 ( + 1)
=1
( rce2 = )
i0 i2 rbe2 i2 v0
rbe2 i 0 + ( + 1)i 2 = 0 ' Zs = 2490 1 = v r i +1 be2 2 0
Etage base commune Q4

i4 iC4
Z's1
i4 rbe4 Ai ic3
z6
v's2
' Zs 2
v's1
' ' v s 1 = rbe4 + ( + 1)Z s1 i 4 ' v s2 = z6 i c 4 Ai i c3
avec i c 4 = i c3 = i 4
' A2 =
' vs 2 ' vs 1
2 z6 2 z6 z6 +1 ' = = 4000 , Z s = z6 = 4 M 2 ' +2 rbe4 + rbe2 rbe rbe4 + ( + 1)Z s 1
' = A ' ( v ( v d / 2 ). Pour le demi-schma de droite reprsent ici, la source v s 1 d 2 ) tant gale 1
' , les deux sources de tensions indpendantes lintrieur du diple sont teintes Pour valuer Z s 2
zro, le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 . Un mme raisonnement sur le demi-schma de gauche conduit i c3 = 0 . Les sources lies i 4 et Ai i c3 ne dbitant aucun courant, le courant
i 0 , produit par la source de tension v 0 applique lentre du diple, traverse intgralement la rsistance z6 .
Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre Le montage base commune prsente la diode dentre de Q4 vue de son metteur, soit
' = Ze 2
rbe4
+1
' et le collecteur commun Z e = rbe2 + ( + 1) 1
rbe4
+1
= 2 rbe 1.25 M .
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i2 rbe2 i2
' Ze 1
rce2 =
Z'e2
' La rsistance Z e tant vue par la source de tension v d / 2 , la rsistance diffrentielle dentre 1
' vue par la source v d est Z d = 2 Z e 4 rbe 2.5 M . 1
11. Caractrisation du rgime de mode commun Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie, lattaque tant une source de tension v c .
'' Pour ltage collecteur commun, mmes rsultats avec les notations A1 = '' vs 1
vc
' '' Z ' . ( A1 ) et Z s s1 1
Pour ltage pseudo-base commune

i4 i4 Z''s1 rbe4 Ai ic3 v''s1 z0 z6 v''s2
'' Zs 2
iC4
'' '' v s 1 = ( + 1)Z s1 + rbe4 + z0 i 4 '' v s1 = z6 i c 4 Ai i c3
avec i c3 = i c 4 = i 4
'' A2 =
'' vs 2 '' vs 1
rbe4
z6 2z 2 '' 6 17.7 10 3 , Z s = z6 = 10 M 2 '' z0 + ( + 1)Z s1 + z0 + 2
Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre Le schma du montage base commune charges rparties est modifi par la prsence de la rsistance z0 en srie avec la rsistance rbe4 , ce qui conduit remplacer rbe4 par rbe4 + z0 dans les expressions analytiques, rbe4 + z0 '' '' '' = soit Z e et Z e = rbe2 + ( + 1)Z e = 2 rbe + z0 . 2 1 2 +1 La rsistance de mode commun, vue par la source de tension v c dans le contexte du demi'' 1128 M , valeur surestime par labsence de rce2 . schma, est donc Z c = Z e 1
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12. Taux de rjection de mode commun Les gains de transfert en tension valent '' ' vs vs z6 2 z6 A' A' '' '' Ad = 2 = 1 2 = = 2000 , Ac = 2 = A1 A2 = 17.7 10 3 . 2 2 rbe vd vc z0 La tension obtenue en fin de chane est la somme des tensions de sortie vide issues des deux ' '' rgimes (thorme de superposition), soit v s2 = v s + vs = Ad v d + Ac v c et la qualit de 2 2 lamplification diffrentielle par rapport lamplification du mode commun est exprime par la A valeur du taux de rjection de mode commun TRMC = d 112700 , soit environ 100 dB. Ac
13. Conductance de transfert En considrant le rgime purement diffrentiel, lamplificateur a t reprsent sous la forme dun ' = Ad v d et de rsistance z6 . La transformation Thvenin diple de Thvenin de tension v s 2 Norton conduit ' vs i A v A v is = 2 = d d = v d Yt = s = d d = . 2 rbe vd z6 2 rbe z6 z6 Or rbe =
UT 2 UT = IC4 I0
o
Yt =
I0 . 4 UT
Lexpression de la conductance de transfert est retrouve. Ltude dynamique fournit les performances de ltage en rgime linaire (gain diffrentiel, taux de rjection de mode commun, rsistances dentre et de sortie, bande passante) et ltude pseudo-continue montre lexcursion maximale de la tension diffrentielle dentre ne pas dpasser afin de satisfaire un certain niveau de distorsion de la tension de sortie.
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Intgrateur de tension diffrentielle

Ltude propose concerne le montage de la figure ci-dessous au sein duquel lamplificateur de tension, suppos idal ( AV = , Z E = , ZS = 0 ), fonctionne en rgime linaire.
C1 R1 v1 R2 v2 + C2 vs
1. Ecrivez lexpression de la tension de sortie v s en fonction de v 1 et v 2 . 2. Si R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , concluez sur la fonction du montage.
Corrig
1. Expression de la tension de sortie
1 C2 p + V ( p ) = V ( p) 1 2 R2 + C2 p + V ( p ) = V ( p ) 1 R1 C1 p V ( p) + V ( p) V ( p ) = 1 s 1 1 R1 + R1 + C1 p C1 p
R1C1p 1 1 V2 ( p ) = Vs ( p ) + V1( p ) R2C2 p + 1 R1C1p + 1 R1C1p + 1
do Vs ( p ) =
1 1 R1C1p + 1 V1( p ) + V2 ( p ) R1C1p R1C1p R2C2 p + 1
2. Fonction du montage Si R1 = R2 = R et C1 = C 2 = C , Vs ( p ) =
1 [V1( p) V2 ( p )] RC p
Il sagit dun intgrateur de tension diffrentielle dexpression v s (t ) =
1 RC
[v (t ) v (t )]dt .
1 2
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Convertisseurs dimpdance
Les circuits proposs sont capables de simuler des selfs et des capacits. Les amplificateurs de tension utiliss, supposs idaux ( AV = , Z E = , ZS = 0 ), fonctionnent en rgime linaire.
La premire tude concerne un circuit simulateur dinductance.
R1 i C + ve R2 (a) (b) RP L RS
1. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z e ( p ) =
Ve ( p ) du montage de la figure a. I ( p) 2. Ecrivez lexpression de limpdance du montage b telle que RP >> RS .
3. Identifiez L, RS , RP en fonction de R1 , R2 , C.
Cette tude concerne un circuit simulateur de capacit.
R2 U1 R1 + ve C + U2
4. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z e ( p ) = 5. Interprtez ce rsultat.
Ve ( p ) du montage. I ( p)
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Corrig
1. Expression de limpdance dentre
I ( p ) = I1( p ) + I 2 ( p ) I ( p ) = Ve ( p ) V ( p ) 1 R1 I 2 ( p ) = Ve ( p ) V + ( p ) C p R2 V + ( p ) = V ( p ) = V ( p) 1 e + R 2 Cp
i1 i
R1 C
ve
i2 R2
1 + + Cp I ( p ) = Ve ( p ) V ( p ) R1 R C p V + ( p ) = 2 Ve ( p ) 1 + R2 C p
I( p) =
V ( p) 1 + R2 C p 1 1 + R1C p = R1 Ve ( p ) do Z e ( p ) = e I( p) 1 + R1C p R1 1 + R2 C p
2. Expression de limpdance du montage b
L L p 1+ p Rs Rs Z( p) = = Rs L L R p + R s + L p R p + Rs 1+ p 1+ p R p + Rs Rp R p (Rs + L p ) R p Rs 1+ 3. Identification
Z e ( p ) Z ( p ) R1 = Rs , R2 C = L L , R1C = Rp Rs
car RP >> RS .
do
R2 R p = R1 Rs
et R p = R2 , L = R1 R2 C .
4. Expression de limpdance dentre Lamplificateur U1 , mont en suiveur, recopie la tension Ve ( p ) sa sortie. Lamplificateur U 2 , mont en inverseur, fournit la tension de sortie Vs ( p ) = condensateur scrit alors
I ( p ) = [Ve ( p ) Vs ( p )]C p Z e ( p ) =
Ve ( p ) 1 = I( p) R2 1 + R C p 1
R2 Ve ( p ) . La loi dOhm aux bornes cu R1
5. Interprtation
R2 Le montage effectue une multiplication de la capacit C telle que Ceq = 1 + R C . 1
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Amplificateur dinstrumentation amlior

Ltude propose concerne le montage de la figure ci-dessous dans lequel lamplificateur de tension est suppos idal.
R2 100k R1 1k V1 R3 + 1k R4 V2 100k S
1. Donnez lexpression de la tension de sortie en fonction des tensions dentre. 2. Ecrivez la condition que doivent satisfaire les rsistances pour que ce montage soit un tage diffrentiel. 3. Donnez les expressions des rsistances dentre et dduisez la condition sur les rsistances du circuit pour que ces rsistances dentre soient peu prs gales. 4. Si les rsistances du circuit sont prises dans la srie 1%, valuez le TRMC pour le pire cas.
Un tage diffrentiel ( U1 , U 2 ) est plac lentre du montage prcdent, comme le montre la figure ci-dessous.
U2 + S1 R1 1k R2 100k
V1
R5
R7 2.2k 220k R6 220k V2 S2 + U3 + U1 R3 1k R4 S
100k
5. Donnez lexpression du TRMC du premier tage et discutez de la dispersion des composants. 6. Donnez lexpression du TRMC du montage complet. 7. Comparez les performances ce montage celui du problme prcdent.
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Corrig
1. Expression de la tension de sortie
vS = R2 R 4 R2 v2 v1 + 1 + R R1 1 R3 + R 4
2. Condition pour avoir un tage diffrentiel

R1 R3 = R2 R 4
Ad =
vS R = 2 v1 v 2 R1
3. Expressions des impdances dentre

Z E1 = R1 R 1 (R3 + R 4 ) v2 R4 R3 1 v 1 R3 + R 4
et
Z E 2 = R3 + R 4
En effet, la tension diffrentielle v 1 v 2 tant trs faible, v1 v 2 . On a donc intrt prendre R1 = R3 pour galiser les impdances dentre. Cette condition entrane R2 = R 4 qui correspond aussi la compensation doffset en sortie ( R1 // R2 = R3 // R 4 ).
4. Expression du taux de rjection de mode commun Posons K = Or v 1 =
R R1 1 [v1 (1 + K ') v 2 (1 + K )] et K ' = 3 v S = K (1 + K ' ) R2 R4
v1 v 2 v1 + v 2 v v 2 v1 + v 2 , v2 = 1 + + 2 2 2 2 1 2 + K + K' (v1 v1 ) (K K ') v1 + v1 vS = K (1 + K ' ) 2 2
En considrant des rsistances de mme dispersion autour de la valeur nominale, le calcul derreur donne K R1 R2 K ' R avec comme pire cas K = K 0 + K et K ' = K 0 K . = + = =2 K R1 R2 K' R Lamplificateur tant suppos parfait, on trouve ainsi un TRMC produit uniquement par la dispersion des composants passifs :
1 +1 Ad 2 + K + K ' K0 = = K R 2 (K K ') 2 4 K0 R
TRMC
en supposant que Ad >> 1 , soit TRMC 68 dB .
Pour un amplificateur dinstrumentation, il est ncessaire de choisir un composant actif trs bon TRMC . Cependant, le TRMC minimal calcul dmontre lutilisation de rsistances ultra prcises, mais les valeurs des impdances dentre restent faibles.
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Si un amplificateur prsentant un TRMC de 80 dB est utilis, lerreur additionnelle sera de 1% pour un gain diffrentiel de 100 ( Ac = 10 2 ). La tolrances des rsistances tant ici de 1%, lerreur totale de mode commun est donc de 5%.
5. Expression du taux de rjection de mode commun du premier tage

R5 v S1 = R (v 1 v 2 ) + v 1 7 v = R 6 (v v ) + v S2 1 2 2 R7
Ad = v S1 v S2 v1 v 2 = 1+ R5 + R 6 R7
R5 + R 6 v S1 v S2 = 1 + R (v 1 v 2 ) 7 v + v = R5 R6 (v v ) + (v + v ) S2 1 2 1 2 S1 R7
Ac = v S1 + v S2 v1 + v 2 = 1+ R5 R 6 v 1 v 2 1 R7 v 1 + v 2
et
La tension diffrentielle tant trs faible devant celle du mode commun, ainsi que la diffrence entre les deux rsistances, la dispersion des rsistances joue trs peu.
TRMC = 1 + R5 + R 6 R7
6. Expression du taux de rjection de mode commun du montage complet

R2 R1 = R 4 R
TRMC
2R 1 + R 7
avec R = R5 = R6
7. Performances Cet amplificateur dinstrumentation prsente des impdances dentre normes, une impdance de sortie trs faible (contre-raction tension-tension sur U 2 et U 3 ) et un gain en tension qui peut tre rglable par un potentiomtre en place de R7 . Lerreur de mode commun est nettement moindre que dans le premier montage diffrentiel.
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Amplificateur dinstrumentation (INA 114 de Burr-Brown)

Le constructeur Burr-Brown propose le circuit intgr reprsent la figure suivante (rsistance RG hors puce) dont le symbole est associ.
+
v in
vs1 RG
vd
RG R + v
+ in
+
Ref
symbole
vs2 R
vs R Ref
1. Ecrivez lexpression de la tension de sortie v s en fonction de v d et v ref .
vd RG + Ref
R1
+ i0 R0
2. Ecrivez lexpression du courant de sortie i 0 en fonction de v d et concluez sur la fonction du montage.
Corrig
1. Expression de la tension de sortie R + v S1 = R v in v in + v in 2R G v s = v s1 + v s2 + v ref v s = 1 + R v d + v ref R + + G v = v in v in + v in S2 RG
2. Expression du courant de sortie v ref = R0 i 0 2R vd i0 = R0 1 + R R R i v = 1 G 0 0 R +R s 0 1 Il sagit dun convertisseur tension diffrentielle / courant (conductance de transfert) dexpression
2R 1 Yt = 1 + R R . G 1
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Amplificateurs logarithmique et exponentiel (antilogarithmique)

Ltude propose concerne les circuits prsents ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques et leurs courants de base ngligeables ( trs grand, VA = ). Les amplificateurs de tension sont supposs idaux.
Vref Q1 Q2 V R2
+ R1 R4 VE + U1 R3
U2
VS
Figure 1
R2 Vref R4 V Q1 Q2 R3 +
R1
U2
VE
VS -
U1
Figure 2
Etude en rgime pseudo-continu 1. Ecrivez la relation VS (VE ) pour les deux montages, en constatant que Vref >> V . 2. Concluez sur le type damplificateur et prcisez les avantages et dfauts.
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Corrig
1. Expression de VS (VE ) Modles mathmatiques de JBT appairs :
VCEi ICi = I Bi = I BS e UT 1 + V A
VBEi
avec VA tension dEarly.
En considrant VA = , on a : (ici, VCB = 0 VCE = VBE << VA )

VBE1 IC1 VBE1 UT Ln I I e UT I BS BS C1 ou = I BS , 1 = 2 = VBE2 IC 2 V IC2 I BS e UT BE 2 UT Ln I BS
Q1 Q2
I BS1 = I BS2
Equations du circuit de la figure 1 :

V = VBE 2 VBE1 (tension diffrentielle trs faible devant Vref ) Vref = R2 I B2 + IC2 + V R2 IC2 + V ( grand) + VE = R1IC1 (V = V = 0 pour U1 ) R4 + VS = 1 + R V (V = V = V pour U 2 ) 3 V IC ref R2 2 VE IC1 = R1 I VS = 1 + R 4 UT Ln C2 R3 IC1
do
R4 VS UT 1 + R 3
R2 Ln R V VE (amplificateur logarithmique) 1 ref
Equations du circuit de la figure 2 :

V = VBE1 VBE2 (tension diffrentielle trs faible devant Vref ) I = Vref V (V + = V = V pour U1 ) C1 R2 VS (V + = V = 0 pour U 2 ) IC2 = R 1 R3 VE V = R3 + R 4 R1 Vref UT e R2
1 R3 VE R3 + R 4
V IC ref (Vref >> V ) 1 R2 V S IC2 = R 1 IC1 R3 UT Ln = VE I R C2 3 + R4
do
VS
(amplificateur exponentiel)
2. Conclusion Les expressions trouves sont indpendantes de IBS grce la prsence des deux transistors appairs. La drive due la temprature vient uniquement de la tension thermique UT , ce qui pose problme.
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Page 142
Multiplicateur / diviseur
Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques et leurs courants de base ngligeables ( trs grand, VA = ). Les amplificateurs de tension sont supposs idaux.
Q1
Q2
R1 100k v1 100k + U1 v
1.8k -
R2 100k + U2 100k v2
Q4 Q3 R3 100k v3 100k + U3 + U4 10k 1.8k -
R4 10k
vs
Etude en rgime pseudo-continu 1. Ecrivez la relation VS (V1,V2 ,V3 ) . 2. Expliquez le fonctionnement du montage.
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Page 143
Corrig
1. Expression de VS Pour le montage log, les quations sont les suivantes :
V1 IC1 = R VBE1 1 UT I I e BS V2 C et Q1 Q2 1 IC2 = VBE2 R2 UT I I e V = VBE VBE BS C2 2 1
R 2 V1 do V = UT Ln R V 1 2
De mme, pour le montage antilog :

V3 IC3 = R VBE3 3 U VS IC I BS e T et Q3 Q4 3 IC4 = VBE4 R4 UT I I e V = VBE VBE C4 BS 3 4
R 4 V3 do V = UT Ln R V 3 S
ce qui donne VS =
R2 R 4 V1V3 V1V3 = R1 R3 V2 10V2
2. Fonctionnement du montage Ce multiplieur/diviseur un quadrant est bas sur un montage log ( U1 , U 2 ) pilotant un montage antilog ( U 3 , U 4 ). Le gnrateur log en sortie de U1 commande la base de Q3 par une tension proportionnelle Ln (V1 V2 ) . Ce transistor additionne une tension proportionnelle Ln (V3 ) et commande le transistor antilog Q4 . Le courant collecteur de Q4 est converti en une tension de
sortie par U 4 et R 4 avec un facteur dchelle dfini par cette rsistance en V1 V3 (10V2 ) pour V1 , V2 , V3 0 . R1 , R2 , R3 , R 4 sont des rsistances de prcision (< 1%) et la relation obtenue se vrifie pourvu que les transistors soient ports la mme temprature.
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Page 144
Amplificateurs conductance de transfert

Ltude propose concerne quelques applications des amplificateurs conductance de transfert de type LM 13600 en rgime linaire (voir problme Amplificateur conductance de transfert LM 13600). Au sein des figures qui suivent, lamplificateur se reprsente par un amplificateur transconductance, remarquable par la prsence dune flche marque I pol , suivi dun buffer mis sous la forme dun amplificateur de tension mont en suiveur.
U1 is vd Ipol + U2
Lamplificateur transconductance prsente un transfert command par le courant I pol dfini par la relation Yt = i s / v d = I pol / 2UT et des impdances dentre et de sortie idales ( Z E = , ZS = ).
Lamplificateur de tension est suppos idal ( AV = , Z E = , ZS = 0 ).
Application 1
R1
vd + R2 R3
U1 is + U2
Ipol R
1. Ecrivez lexpression de la rsistance quivalente R. 2. Commentez ce rsultat.
Application 2
vd1 ve + U1 vd2 Ipol1 + U2 Ipol2 is1 is2
vs
3. Ecrivez lexpression du gain en tension A v = v s / v e . 4. Ecrivez lexpression de la rsistance de sortie du montage. 5. Commentez les rsultats obtenus.
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Page 145
Application 3
R2 R1
vd R1 + ve R2
U1 is + U2
Ipol
vs
6. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p ) = Vs ( p ) / Ve ( p ) et dduisez la pulsation de coupure. 7. Concluez sur le rle de ce montage.
Application 4
R2
R1 R1 vd1 U1 is1 + + U2 R1 + Ipol C vs1 R2 Ipol C vs2 R2 vd2
U3 is2 + U4
R1
ve
R2
8. Ecrivez les expressions des fonctions de transfert H1( p ) = Vs1 ( p ) / Ve ( p ) et H 2 ( p ) = Vs2 ( p ) / Ve ( p ) dans le cas o R1 >> R 2 et I pol1 = I pol 2 = I pol . 9. Identifiez les paramtres et n . 10. Concluez sur le rle de ce montage.
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Page 146
Corrig
Application 1 1. Expression de la rsistance quivalente La rsistance du diple est dfinie par R =
v0 avec v 0 tension applique lentre du diple et i0
recopie en sortie du suiveur de tension U 2 , i 0 courant entrant dans le diple tel que i 0 = i s .
i s = Yt v d = I pol R 2 UT R2 1+ 1 0 v0 R = 2 UT R1 + R2 R2 I pol
2. Commentaire La rsistance est commande par le courant I pol et est influence par la temprature ( UT ).
Application 2 3. Expression du gain en tension

i s = Yt v e 1 1 i s2 = Yt2 v s i s1 + i s2 = 0
Av =
Yt I pol1 vs = 1 = ve Yt 2 I pol 2
(amplificateur inverseur de tension)
4. Expression de la rsistance de sortie

Rs = vs i0
avec i 0 = i s1 + i s2
(courant entrant dans le diple) et v e = 0 (source teinte
lintrieur du diple), do Rs =
2UT 1 = . Yt 2 I pol
5. Commentaires Lamplification de tension et la rsistance de sortie sont rglables par les courants de commande I pol1 et I pol 2 sans utiliser de composants passifs, exceptes les rsistances de rglage des courants de commande. Lamplificateur peut varier continment de 0 < A v min < 1 < A v max .
Application 3 6. Expression de la fonction de transfert et de la pulsation de coupure

Is ( p ) = Yt Vd ( p ) R2 [Ve ( p) Vs ( p)] C pVs ( p) = Yt R2 [Ve ( p) Vs ( p)] Vd ( p ) = R R + R1 + R2 1 2 Is ( p ) = C p Vs ( p )
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do
Vs ( p ) = Ve ( p )
1 1 de la forme p R1 C 1+ 1+ 1 + R Y p c 2 t
avec c =
I pol R1 2UT 1 + R C 2
7. Conclusion Il sagit dun filtre passe-bas du premier ordre dont la frquence de coupure est commande par I pol .
Application 4 8. Expressions des fonctions de transfert

R2 R1 // R2 Ve ( p ) Vs1 ( p ) + Vs2 ( p ) I s1 ( p ) = Yt1 + + R R R R R // 2 1 1 2 1 I ( p ) = C pV ( p ) s1 s1 R2 I ( p ) = Y Vs ( p ) t2 s2 R1 + R2 1 I s2 ( p ) = C pVs2 ( p )
Yt1 = Yt 2 = Yt avec R1 // R2 R2 R2 R + R // R R + R R 1 2 1 2 1 1
R pVs1 ( p ) Ve ( p ) Vs1 ( p ) Vs2 ( p ) avec = Yt 2 R1C pVs2 ( p ) Vs1 ( p ) p Vs ( p ) Vs1 ( p ) 1 et H 2 ( p ) = 2 do H1( p ) = 2 Ve ( p ) Ve ( p ) p p p p2 1+ + 2 1+ + 2
9. Identification des paramtres Dnominateur de la forme 1 +

2 p+ p2
2 n
n Yt
R2 et 0.5 . R1C
10. Conclusion Il sagit respectivement de filtres passe-bande et passe-bas du second ordre.
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Filtre passe-bas deux suiveurs de tension

Ltude porte sur le circuit de la figure ci-dessous. Les amplificateurs de tension sont supposs idaux.
Z2
Z1
U1 + Z3 U2 + Z4 vs
ve
1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert en tension H ( p ) = Vs ( p ) Ve ( p ) . 2. A partir de la forme de lexpression trouve, dites quels types de filtres du second ordre sont ralisables et prcisez le type des composants.
Le but est, maintenant, de raliser un filtre passe-bas de frquence de coupure de 300 Hz 3 dB avec un coefficient de surtension = 1
2.
3. Les condensateurs tant choisis la valeur de 47 nF, valuez les rsistances du montage. 4. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres n et en fonction des composants passifs. Pourquoi les valeurs des sensibilits sont-elles constantes ? 5. Si tous les composants sont choisis la tolrance de 1%, donnez les variations relatives de ces paramtres dans le pire cas.
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Page 149
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de la fonction de transfert
Z2 ( p) Z1( p ) + VU1 ( p ) = Z ( p ) + Z ( p ) Ve ( p ) + Z ( p ) + Z ( p ) Vs ( p ) 1 2 1 2 ( U1 et U 2 monts en suiveur de tension ) Z ( p ) 4 + ( p) V ( p ) = V s Z 3 ( p ) + Z 4 ( p ) U1
Vs ( p ) =
Z 2 ( p )Ve ( p ) + Z1( p )Vs ( p ) Z 4 ( p) Z3 ( p) + Z 4 ( p ) Z1( p ) + Z 2 ( p )

Vs ( p ) Z2 ( p) Z 4 ( p) = Ve ( p ) Z1( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 4 ( p )
do H ( p ) =
2. Types de filtres du second ordre A la vue du schma, si les lments des ponts dimpdances Z1( p ) - Z 2 ( p ) ou Z 3 ( p ) - Z 4 ( p ) sont de mme nature (rsistif ou capacitif), le transfert en tension est indpendant de la frquence. Ces ponts doivent tre de mme topologie RC pour obtenir une fonction de transfert du second ordre, savoir Z1( p ) - Z 3 ( p ) des rsistances et Z 2 ( p ) - Z 4 ( p ) des condensateurs ou linverse, sinon la fonction est du premier ordre.
Type
Passe-bas Passe-haut
Z1 R1
1 C1 p
Z2 1 C2 p
R2
Z3 R3
1 C3 p
Z4 1 C4 p
R4
3. Calcul des rsistances

H ( p) =
1 de la forme H ( p ) = H 0 1 + R3 C 4 p + R1 R3 C 2 C 4 p 2
1 1+ 2
p+
p2
2 n
avec H 0 = 1 , n =
1 R1 R3 C2 C 4
, =
1 R3 C 4 et c = n 1 2 2 + 2 R1C2
( 2 2 1)2 + 1
Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un bilan montre 3 quations ci-dessus ( H 0 connu) pour 7 inconnues R1, C2 , R3 , C 4 et n , , c . Il est donc ncessaire dintroduire 4 donnes afin dvaluer tous les composants : 2 donnes issues du cahier des charges fc = 300 Hz , = 1 2 2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire, ici C2 = C 4 = 47 nF .
1 2 C2 R1 R3
La rsolution du systme linaire conduit aux quations fc = fn = donnant les valeurs R1 8 k , R3 16 k .
et R3 = 2 R1 ,
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Page 150
Filtrage analogique
4. Evaluation des sensibilits

d n 1 dR1 dR3 dC 2 dC 4 = + + + 2 R3 C2 C4 R1 n n n n SR = SR = SC = SC = 0 .5 1 3 2 4
1 dR3 dC 4 dR1 dC 2 SR + = SC = SR = SC = 0 .5 3 4 1 2 2 C4 R1 C2 R3
Les amplificateurs monts en suiveur isolent les cellules du premier ordre et il ny a donc pas dinteraction entre elles. 5. Etude du pire-cas Avec des tolrances de composants identiques ( R R = C C = 1% ), les variations relatives sont les suivantes (approche linaire) : n 1 R C = = 2 +2 = 2% n 2 R C La simulation du pire cas pour la valeur maximale [fonction MAX] au-dessus de la valeur nominale [direction Hi] donne les tracs suivants.
1.05V 1.00V
nominale
(299.214, 721.600m)
0.80V
(299.214, 707.241m)
(305.192,707.181m)
0.65V 100Hz
V(S)
300Hz Frequency
400Hz
Lcart damplitude le plus important (valeur maximale), recherch dans lintervalle 290-310 Hz, se situe 302 Hz pour les valeurs minimales des composants passifs (valeur nominale diminue de 1%). Les mesures donnent f 305.2 299.2 - pour lordonne 3 dB (0.707), c 0.02 (frquence de coupure) fc 299.2 pour labscisse fn 299 Hz , H ' ( jfn ) 0.722 .
En thorie, les valeurs des composants variant de - 1 %,

d = df f' f ' 4 = 0 ' = et n = n n = ( 1 %) = 2 % fn' = 1.02 fn , do fn fn 2
fc' = fn' 1 2 ' 2 +
( 2 ' 1)
2
+1
dfc fc' fc = = 2 % , H ' ( jfn ) = fc fc
1
2 2 1 fn + 4 ' 2 fn f '2 fn' 2 n 2
0.721
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Page 151
Filtrage analogique
Filtre passe-bas contre-raction multiple (structure de Rauch)

Le but du problme est de raliser une cellule du second ordre structure de Rauch, utilisant un amplificateur de tension parfait en rgime linaire. Les caractristiques relles sont celles dun filtre passe-bas de gain unit, de coefficient damortissement = 0.5 et de frquence de coupure fc 3 dB gale 1 kHz.
C2
R1 10k ve R4
R3
-
10k C5
vs
1. Vrifiez par lexamen du comportement en frquence du circuit quil sagit bien dun filtre passebas. Prcisez le gain du filtre. V ( p) en fonction des composants passifs. 2. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p) = s Ve ( p) 3. Identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation propre n , coefficient de surtension ). 4. Expliquez le fait que les valeurs de deux composants passifs soient donnes. 5. Evaluez les autres composants, y compris la rsistance R + qui permet de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie des amplificateurs. 6. Evaluez le maximum K res de la fonction de transfert et la frquence de rsonance fres correspondante. 7. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K = H 0 , n et en fonction des composants passifs. 8. Calculez les nouvelles valeurs de K, K res , fres et fc partir de lvaluation des sensibilits, lorsque la rsistance R1 augmente de 10 %. Fates de mme pour R3 , puis pour R 4 .
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Page 152
Filtrage analogique
Corrig
1. Vrification du type de filtre Aux trs basses frquences, les condensateurs sont assimils des circuits ouverts et aucun courant ne parcourt la rsistance R3 . Le montage est alors un amplificateur inverseur de gain
R 4 R1 . Aux trs hautes frquences, les condensateurs sont assimils des courts-circuits et lentre de lamplificateur est amene la masse.
2. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours Filtrage analogique )

1 1 R1 R3 1 1 1 1 1 C5 p R + C2 p + R + R + R R 3 4 3 4 1
H ( p) =
3. Identification des paramtres

H ( p) = R4 R1
1 1 1 2 1+ R + R + R R3 R 4 C 5 p + R 3 R 4 C 2 C 5 p 1 3 4 R4 1 R 3 R 4 C5 = K , = 2 C2 R1
de la forme H ( p ) = H 0
1 1+ 2
p+
p2
2 n
avec H 0 =
1 1 1 R + R + R , n = 3 4 1
1 R3 R 4 C 2 C5
et c = n 1 2 2 +
( 2 2 1)2 + 1
4. Prsence de deux valeurs de composants Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un bilan montre quatre quations crites prcdemment pour neuf inconnues R1, C2 , R3 , R 4 , C5 et K , n , , c . Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants : - 3 donnes issues du cahier des charges c = 2 1000 rad / s , = 0.5 , K = 1 , - 2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire, ici R1 = R3 = 10 k . 5. Evaluation des composants du filtre La rsolution du systme linaire fournit les valeurs R 4 = 10 k , C2 60.7 nF , C5 6.75 nF avec fn 786 Hz . Afin de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie, il faut quilibrer les entres par rapport la masse. La source dynamique tant teinte, les condensateurs assimils des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhait la masse, alors la topologie montre que R + = R3 + R1 // R 4 = 15 k .
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Page 153
Filtrage analogique
6. Evaluation de K res et fres (voir cours Filtrage analogique )

2 fres = fn 1 2 2 556 Hz et K res dB = H ( jres ) dB = 20 log 2 1 1.25 dB
Simulation
20
gain unit
(15.020,1.4982m) 0
rsonance
(562.341,1.2482)
(1.0000K,-3.0272) -20
frquence de cassure
-40 10Hz DB(V(s))
30Hz
100Hz
300Hz Frequency
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
7. Evaluation des sensibilits K= R4 dK dR 4 dR1 K K log K = log R 4 log R1 SR = SR =1 = 4 1 R1 K R4 R1

1 R3 R 4 C 2 C5
n =
d n
1 dR3 dR 4 dC2 dC5 = + + + 2 R4 C2 C5 R3
n n n n SR = SR = SC = SC = 0 .5 3 4 2 5
1 1 1 R + R + R 3 4 1 1 1 1 R3 dR3 1 R1 dR1 1 R4 d 1 dC5 1 dC 2 dR 4 = + + 1 1 R1 2 1 1 1 R3 2 1 1 1 R4 2 C5 2 C2 1 + + + + + + R1 R3 R 4 R1 R3 R 4 R1 R3 R 4 1 1 = SC = 0 . 5 , SR SC = , SR = SR = . 5 2 1 3 4 3 6
1 R3 R 4 C5 2 C2
9. Modification des performances Pour une variation dun composant passif donn, les nouvelles valeurs thoriques des fonctions 2 1 seront obtenues par la connaissance des nouveaux paramtres issus des sensibilits. dfn d dfn fn' fn dK K 'K d ' dK = K ' = 1 + '= , fn' = = 1+ = K , 1 + f K K K f f n n n K res = 1
2
, fres = fn 1 2 2 et fc = fn 1 2 2 +
( 2
1 +1
fn
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Page 154
Filtrage analogique
Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R1 , nous obtenons

dR1 dR1 ' K'= 1 R K = 0. 9 , ' = 1 3 R 0.4833 , fn = fn 786 Hz 1 1
1.2V
(11.909, 1.0001) 1.0V (11.909, 909.192m)
R1 = 10 k
(562.341, 1.1545)
R1 = 11 k
0.8V (578.762, 1.0718)
(0.9991K, 706.897m) (1.0136K, 641.379m)
0.6V
0.5V 10Hz
V(s)
30Hz
100Hz
300Hz Frequency
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
R1 +10% thorie mesure
K 0.9 0.909
Kres 1.082 1.072
fres (Hz) 574 579
fc (Hz) 1015 1014
Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R3 , nous obtenons

dR3 dR3 ' K ' = K = 1, ' = 1 + 6 R 0.5083 , fn = 1 2 R fn 747 Hz 3 3
1.2V
R3 = 10 k
(11.909, 1.0001)
1.0V
(562.341, 1.1545)
(520.795, 1.1419) (0.9991K, 706.897m) 0.8V (945.368, 706.897m)
0.6V
R3 = 11 k
V(s) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
0.5V 10Hz
K 1 1
Kres 1.142 1.142
fres (Hz) 519 520
fc (Hz) 943 945
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Page 155
Filtrage analogique
Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R 4 , nous obtenons

dR 4 dR 4 dR 4 ' K'= 1 + R K = 1 .1 , ' = 1 + 6 R 0.5083 , fn = 1 2 R fn 747 Hz 4 4 4
1.25V (11.923, 1.1001)
R4 = 11 k
(519.132, 1.2561)
(11.909, 1.0001) 1.00V (562.341, 1.1545)
R4 = 10 k
(945.111, 777.833m) (0.9991K, 706.897m)
0.75V
0.50V 10Hz
V(s)
30Hz
100Hz
300Hz Frequency
1.0KHz
3.0KHz
10KHz
K 1.1 1.1
Kres 1.242 1.256
fres (Hz) 519 519
fc (Hz) 943 945
Rappelons que les valeurs thoriques sont issues dune approche linaire.
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Page 156
Filtrage analogique
Filtre passe-bas source contrle (structure Sallen-Key)

Le but du problme est de comprendre la signification des facteurs de sensibilit sur le cas dun filtre passe-bas du second ordre. Lemploi dun simulateur de circuits lectriques est ncessaire pour traiter la partie exprimentale. Le rseau source contrle avec gain K (structure de Sallen-Key) utilise un amplificateur parfait en rgime linaire.
C1 47n R4 R3 1k R1 1703 ve R2 + 1703 C2 47n vs 1820
Etude thorique 1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) =

Vs ( p) en fonction des composants passifs, Ve ( p)
puis identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain K, pulsation naturelle n , coefficient de surtension ). 2. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K , n et en fonction des composants passifs. 3. Evaluez les paramtres et les facteurs de sensibilit. Etude exprimentale par simulateur Lutilisation dun simulateur de circuits va permettre de mesurer linfluence des variations de composants passifs sur la courbe de rponse en frquence du filtre. Deux rponses seront traces au sein dune analyse paramtrique, lune issue des valeurs nominales des composants et lautre issue de laugmentation de la valeur dun ou plusieurs composants. Le balayage des frquences stendra de 10 Hz 10 kHz avec 1500 points par dcade pour une bonne prcision des mesures. 4. Pour la rsistance R1 variant de 1703 1788 , valuez les rapports K K , , fn fn par la mesure et dduisez les facteurs de sensibilit fonction de R1 . Comparez la thorie. 5. Faites de mme lorsque les rsistances R1 et R2 varient simultanment de 1703 1788 . 6. Faites de mme lorsque la rsistance R 4 varie de 1820 1911 . Formulaire :
1 1 1
2 K0
avec K 0 =
fres K res 1 , fc = fn 1 2 2 + , fn = = 2 2 K 2 1 1 2
(1 2 )
2 2
+1
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Page 157
Filtrage analogique
Corrig
Etude thorique 1. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours Filtrage analogique ) Les composants passifs Yi sont des admittances (conductances ou capacits).
Y2 R4 R3 Y1 A ve Y4 Y3 + vs
La fonction de transfert en tension du filtre scrit :

VS ( p ) K Y1 Y3 = VE ( p ) Y4 (Y1 + Y2 + Y3 ) + Y3 (Y1 + Y2 (1 K ))
avec K = 1 +
R4 R3
Lidentification des admittances telles que Y1( p ) = conduit aux expressions des paramtres n , , K .
H ( p) =
1 1 , Y2 ( p ) = C1 p , Y3 ( p ) = , Y4 ( p ) = C2 p R1 R2
1 + [R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 ] p + R1 R2 C1 C2 p 2

1 R1R2C1C2
de la forme H ( p ) =
1+
H0 2
p+
p2
2 n
avec n =
, =
R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 2 R1R2C1C2
, H0 = K
2. Calcul des sensibilits Les expressions prcdentes montrent que la pulsation naturelle n est influence par les composants R1 , R2 , C1 , C2 , le coefficient damortissement par R1 , R2 , C1 , C2 , R3 , R 4 puisque ces deux derniers composants ont une action sur le gain K .
n =
1 R1R2C1C2
d n
1 dR1 dR2 dC1 dC 2 = + + + 2 R2 C1 C2 R1
n n n n SR = SR = SC = SC = 0 .5
1 2 1 2
R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 2 R1R2C1C2
log = log[R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 ] log 2
1 [log R1 + log R2 + logC1 + logC2 ] 2
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Page 158
Filtrage analogique
C1 (1 K ) + C2 R1 (1 K ) C2 dR1 + dC1 + dR 2 R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 + R1 + R2 R1C1 1 dR1 dR2 dC1 dC2 dC2 dK + + + R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 2 R2 C1 C2 R1
= SR
1
or
1 = n R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 2

2
SR =
RC K 1 R2 C2 n 1 R C (1 K )n 1 (R + R2 )C2 n , SC , SC , SK = 1 1 n + = + 1 1 = + 1 1 2 2 2 2 2 2 2 2
1 R1 [C1 (1 K ) + C2 ]n + , 2 2
Comme le gain K est fonction R3 et R 4 , nous pouvons calculer les sensibilits de ces rsistances sur les paramtres K et . R4 1 2 R R3 R3 K 1 dK K K dR3 SR K = 1+ 4 = SR = = dR 4 4 3 R4 R4 K R3 K 1+ 1+ R3 R3
K et SR = SR SK = 3
3
R1C1n (K 1) = SR 4 2
3. Evaluation des paramtres et facteur de sensibilit En posant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , les expressions scrivent
n =
R 1 3K , = , K = 1+ 4 R3 RC 2
1 2K 1 1 1 1 K K 1 1 1 , SR = + , SC , SC = SR = + = + = + , SR 2 1 2 3 4 2 2 2 2 2 2 2 2
2 1 2
SR =
1
fn fn fn fn K K SR = SR = SC = SC = 0 .5 , S R = SR = 3 4
1
1 K K
Lapplication numrique donne fn 1988 Hz , 0.09 , K 2.82

n
1
K res 15.73 , fres 1972 Hz , fc 3071 Hz

2 1 1 2
n n SR 5.06 , SR = 0.5 , SR 5.06 , SR 10.6 , SC 10.6 , = 0.5 , SC = 0.5 , SC

1 2
SC = 0.5 , SR 10.1 ,
2
K SR 3
0.645 , SR 10.1 ,
4
K SR 4
0.645
Etude par simulateur 4. Influence de la rsistance R1 La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1703 ) de la rsistance et la valeur augmente denviron 5 % (1788 ). Les frquences de rsonance et de coupure diminuent
fn = 0.5 ), la surtension augmente (coefficient (frquence naturelle diminue) faiblement ( SR
1
= 5.056 ), le gain K du plateau demeure damortissement diminue) de faon importante ( SR

1
inchang
K ( SR 1
= 0 ) avec laugmentation de la valeur de la rsistance.
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Page 159
Filtrage analogique
30V
(1.9292K, 20.855) 20V
R1 = 1788
(1.9709K, 15.752)
10V (3.0023K, 1.9942) (18.535, 2.8202) (3.0685K, 1.9945)
R1 = 1703
0V 10Hz V(S) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
Tableau des mesures : R1 () 1703 1788 K (Veff ) 2.820 2.820 K res (Veff ) 15.75 20.85 fres (Hz ) 1971 1929 fc (Hz ) 3069 3002
Traitement des mesures :

R1 ()
0.08989 0.06777 1
2 K0
fn (Hz )
1703 1788
1987 1938
1 1 en utilisant les formules = 2
avec K 0 =
fres K res 1 . , fn = = 2 K 2 1 1 2 2
R1 1788 1703 0.06777 0.08989 = 4.99 % , = 0.246 , 0.08989 R1 1703
fn 1938 1987 = 0.0247 1987 fn Comparaison : sensibilit

SR
1
thorique - 5.05 - 0.5 0
pratique - 4.93 - 0.49 0
fn SR
K SR 1
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Page 160
Filtrage analogique
5. Influence simultane des rsistances R1 et R2 La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1703 ) des rsistances et la valeur augmente denviron 5 % (1788 ). Les frquences de rsonance et de coupure diminuent
fn fn (frquence naturelle diminue deux fois plus que prcdemment) ( SR = SR = 0.5 ), la surtension
1 2
), le gain K (coefficient damortissement) demeure inchang car les effets sannulent ( SR = SR

1 2
du plateau demeure inchang

20V
K ( SR 1
K SR 2
= 0 ) avec laugmentation de la valeur des rsistances.
(1.8765K,15.751)
(1.9709K,15.752)
15V
R1 = 1788
10V
R1 = 1703
5V
(18.535,2.8202)
(3.0685K,1.9945)
0V 10Hz
(2.9230K,1.9940) V(S) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
Tableau des mesures :

R1, R2 ( ) K (Veff ) K res (Veff ) fres (Hz ) fc (Hz )
1703 1788
2.820 2.820
15.75 15.75
1971 1877
3069 2923

R1, R2 ()
0.08989 0.08989
fn (Hz )
1703 1788
1987 1892
R1 f K 1892 1987 4.99 % , = 0, =0, n = 0.0478 R1 K 1987 fn
Comparaison : sensibilit
SR + SR
1 1
thorique 0 -1 0
pratique 0 - 0.958 0
fn fn SR + SR
K K SR + SR 1 2
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Filtrage analogique
6. Influence de la rsistance R 4 La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1820 ) de la rsistance et la valeur augmente denviron 5 % (1911 ). Les frquences de rsonance et de coupure
fn augmentent trs lgrement (frquence naturelle inchange) ( SR = 0 ), la surtension (coefficient
4
damortissement diminue fortement) augmente fortement ( SR 10.1 ), le gain K du plateau

4
augmente lgrement
40V
K ( SR 4
0.645 ) avec laugmentation de la valeur des rsistances.
(1.9831K, 32.798)
30V
R4 = 1911
20V
(1.9709K, 15.752)
(10.798, 2.8201) 10V (3.0819K, 2.0582) (10.798, 2.9111) (3.0685K, 1.9945)
R4 = 1820
0V 10Hz V(S) 30Hz 100Hz 300Hz Frequency 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
Tableau des mesures :

R 4 () K (Veff ) K res (Veff ) fres (Hz ) fc (Hz )
1820 1911
2.820 2.911
15.75 32.80
1971 1983
3069 3082

R 4 ()
0.08989 0.04442
fn (Hz )
1820 1911
1987 1987
R1 f K 2.911 2.82 0.04442 0.08989 4.99 % , = 0.0323 , = 0.5058 , n = 0 K 2.82 0.08989 R1 fn
Comparaison : sensibilit
SR
thorique - 10.1 0 0.645
pratique - 10.1 0 0.647
fn SR
K SR 4
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Filtrage analogique
Conception dun filtre passe-haut Butterworth dordre 4

Le but du problme est de concevoir un filtre de Butterworth dordre 4. Les caractristiques relles sont celles dun filtre passe-haut de gain unit et de bande passante 3 dB gale 300 Hz. La structure contre-raction multiple (structure de Rauch) est choisie pour la ralisation des cellules dordre 2. Rponse de Butterworth 1. Trouvez lexpression du polynme de Butterworth partir du calcul des ples de la fonction de transfert gnrale, ples vrifiant les conditions de stabilit. 2. Ecrivez la fonction de transfert dnormalise du filtre passe-bas de pulsation de coupure c . Dduisez alors lexpression du filtre passe-haut par transformation conforme. 3. Identifiez les paramtres n et de chaque cellule la forme canonique. Structure contre-raction multiple
C4 C1 C3
R5
ve R2 + R
+
vs
Vs ( p) en fonction des composants passifs Ve ( p) pour la ralisation dune cellule passe-haut utilisant un amplificateur parfait en rgime linaire. 5. Identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation naturelle n , coefficient de surtension ). 6. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K = H 0 , n et en fonction des 4. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) = composants passifs. 7. En supposant que les condensateurs possdent la mme valeur et si tous les composants sont choisis la tolrance de 1%, donnez les variations relatives de ces paramtres dans le pire cas. Ralisation du circuit 8. Discutez de linteraction des cellules et de la stabilit du montage. 9. En considrant les donnes du problme, pouvez-vous valuer tous les composants passifs dune cellule ? 10. Les condensateurs C1 et C3 tant choisis la valeur de 47 nF, valuez les composants restants, y compris les rsistances R + qui permettent de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie des amplificateurs.
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Filtrage analogique
Corrig
Rponse de Butterworth 1. Expression du polynme de Butterworth La fonction de transfert en p scrit H ( p )
2
1 + ( 1) p 2n
n
.
k=2 k=3 k=1 k=0
Le carr du module tant pair ( H ( p ) = H ( p ) ), les ples le sont aussi. Pour n = 4, les ples de la fonction sont issus de lquation
cos + k + j sin + k 4 4 8 8 rpartis sur le cercle de rayon unit (constellation).

1 + p 8 = 0 , soit p = ( 1) 8 = e
j +k 4 8 =
k=4 k=5 k=6
k=7
La stabilit impose de retenir les ples partie relle ngative, donc situs gauche de laxe imaginaire, cest--dire 5 5 k = 2, 5 p = cos j sin 0.383 j 0.924 8 8 do (p 2 + 0.766 p + 1)(p 2 + 1.848 p + 1) 7 7 k = 3, 4 p = cos j sin 0.924 j 0.383 8 8 2. Ecriture du filtre passe-bas dnormalis La dnormalisation seffectue par rapport la pulsation de coupure 3 dB du filtre du 4 ordre : 1 1 2 2 (p + 0.766 p + 1) (p + 1.848 p + 1)

p p
1
0.766 2 + p + 1 c c p2
1
1.848 2 + p + 1 c c p2
p2
p2
Transformation passe-bas en passe-haut :
c
p
2 c
2 c
p 2 0.766 2 + p + 1 c c
p 2 1.848 2 + p + 1 c c
3. Identification des paramtres , soit n = 2 300 rad / s , = 0.383 n c 2 1.848 cellule 2 : n c , , soit n = 2 300 rad / s , = 0.924 n c
cellule 1 : n c ,
0.766
Structure contre-raction multiple 4. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours Filtrage analogique )
H ( p) = C1 C3 p 2 1 R5 1 2 C1 p + R + C3 p + C 4 p + C3 C 4 p 2 = R2 R5 C1 C3 p 2 1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2
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Filtrage analogique
5. Identification des paramtres

p2
H ( p) =
R 2 R5 C3 C 4 C1 de la forme H ( p ) = H 0 C 4 1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2
C1 , n = C4 1 R 2 R 5 C3 C 4
p2
2 n 2 p2 1+ p+ 2 n n
avec H 0 =
, =
C1 + C3 + C 4 R2 2 R 5 C3 C 4
6. Evaluation des sensibilits

K= C1 dK dC1 dC 4 K K log K = logC1 logC 4 SC = SC =1 = 1 4 C4 K C1 C4 1 R 2 R5 C 3 C 4
n =
d n
1 dR2 dR5 dC3 dC 4 = + + + 2 R5 C3 C4 R2
n n n n SR = SR = SC = SC = 0 .5 2 5 3 4
C1 + C3 + C 4 R2 2 R 5 C3 C 4 d
dC3 C1 1 dR 2 1 dR5 dC1 + + 2 R 2 2 R5 C1 C1 + C3 + C 4 C3

5 1
= SR = 0.5 , SC = SR
C1 , SC 3 C1 + C3 + C 4
C3 C4 1 dC 4 1 C +C +C 2 + C C +C +C 2 3 4 4 1 3 4 1 C3 C4 1 1 = , SC = 4 C1 + C3 + C 4 2 C1 + C3 + C 4 2
Les condensateurs C1 et C 4 sont les seuls composants passifs influencer le gain K. Les sensibilits sur les paramtres n et sont infrieures lunit, ce qui est une bonne chose. 7. Etude du pire cas Avec des condensateurs de mme valeur et des tolrances de composants identiques R C ( = = 1% ), les variations relatives sont les suivantes (approche linaire) : R C n 1 R C K C1 C 4 C R 2 C = 2 +2 = + =2 = 2% , = + = 1.67% = 2% , R 3 C 2 R K C1 C4 C n C
Ralisation du circuit 8. Discussion La fonction de transfert en tension du filtre du 4 ordre est gale au produit des fonctions de transfert des cellules sous la condition dadaptation en tension (pas dattnuation de tension entre cellules). Cette condition est ralise par la prsence, sur lamplificateur, dune contre-raction tension courant qui rduit fortement la rsistance de sortie de la cellule (topologie parallle en sortie de montage). La stabilit est satisfaisante puisque les coefficients damortissement sont positifs. Cela avait dj t conditionn par le choix des racines partie relle ngative du polynme de Butterworth, racines complexes conjugues de la forme n jn 1 2 avec la normalisation n = 1 , do des valeurs de 0.383 et 0.924 pour .
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Page 165
Filtrage analogique
9. Conditionnement du problme Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un bilan montre 3 quations crites prcdemment pour 8 inconnues C1, R2 , C3 , C 4 , R5 et H 0 , n , . Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants dune cellule : - 3 donnes issues du cahier des charges n = 2 300 rad / s , = 0.383 ou = 0.924 , K = H 0 = 1 , 2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire.
10. Calcul des rsistances Ici, les valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire sont C1 = C3 = 47 nF . La rsolution du systme linaire fournit les valeurs cellule 1 : C 4 = 47 nF , R2 = 2.88 k , R5 = 44.2 k cellule 2 : C 4 = 47 nF , R2 = 6.95 k , R5 = 18.3 k Afin de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie, il faut quilibrer les entres par rapport la masse. La source dynamique tant teinte, les condensateurs assimils des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhait la masse, alors la topologie montre que R + = R5 .
Simulation
10 (300.454, -3.0038) 0 (215.444, -3.0547)
cellule 1 : = 0.383 cellule 2 : = 0.924
gain unit
-10
(419.008, -2.9918)
-20
filtre complet
-30
-40 100Hz DB(V(S1))
DB(V(S2))
300Hz DB(V(S))
1.0KHz Frequency
3.0KHz
10KHz
Les deux cellules possdent le mme diagramme asymptotique car mmes pulsations naturelles n et leurs frquences de coupure 3 dB est fournie par la relation
fc = f n 2 2 1 +
( 2 2 1)2 + 1 , soit
fc1 216 Hz et fc2 417 Hz .
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Page 166
Filtrage analogique
Filtre passe-bande contre-raction multiple (structure de Rauch) sensibilit amliore

Ltude porte sur le filtre reprsent ci-dessous, utilisant deux amplificateurs de tension parfaits en rgime linaire.
C 1u R1 80k ve R2 15.9 R4 135k C
R3 100k 1u + 100k U1 vs1
4.7k + R 10k vs2 U2

R
1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H1( p ) =
. Ve ( p ) 2. Vu lexpression trouve, prcisez le type de filtre. Vrifiez par lexamen du comportement en frquence du circuit. 3. Ecrivez les expressions des paramtres qui caractrisent le filtre (gain H10 , pulsation naturelle
Vs1 ( p )
n , bande passante -3 dB , coefficient de qualit Q). Commentez ces rsultats.

4. Effectuez la mme dmarche pour la fonction de transfert H 2 ( p ) =
Vs2 ( p ) Ve ( p )
et commentez.
5. Discutez de la stabilit du montage suivant la valeur de . 6. Si lon prend = 1 et en constatant que la rsistance R 2 possde une valeur trs faible devant celles des autres rsistances, valuez les paramtres du filtre. 7. Si R 4 , quelle topologie connue retrouvez-vous ? Comparez ses performances aux performances gnrales prcdemment obtenues.
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Page 167
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de la fonction de transfert H1( p ) Soit A le nud commun R2 , R 4 , C.
Vs2 ( p ) = Vs1 ( p ) (inverseur U 2 ) Vs ( p ) Ve ( p ) + CpVs1 ( p ) + 2 R1 R4 VA ( p ) = Ve ( p ) 1 1 1 Vs1 ( p ) Cp + + + + 2Cp Vs1 ( p ) R1 R4 R1 R2 R 4 = 1 1 1 R C p Vs ( p ) 3 + + + 2Cp CpVA ( p ) + 1 R1 R2 R 4 R 3 V ( p ) = 1 Cp + R3 V + ( p ) = V ( p ) = 0 Vs1 ( p ) Ve ( p ) = R3C p 1 R1 1 R 1 1 2 2 + + + 2 3 C p + R3C p R1 R2 R 4 R 4
R3 2 R C 4 p 1 1 1 + + R3 R1 R2 R 4 H1( p ) = R3 R3 2 R R1 2 R C R3C 2 4 4 1+ p+ p2 1 1 1 1 1 1 + + + + R1 R2 R 4 R1 R2 R 4
2. Identification du type de filtre Le type de filtre est un passe-bande. Aux trs basses frquences, les condensateurs sont assimils des circuits ouverts et v s1 = 0 . Aux trs hautes frquences, les condensateurs sont assimils des courts-circuits et v s1 = v + = 0 . 3. Paramtres du filtre
1 1 1 R R3 2 3 R + R + R R4 2 4 1 , = R3 R3 C 2 R4
H 01 =
R3 R3 2 R R1 4
, n =
C
1 R3 1 1 1 + + R1 R2 R 4
,Q= n =
La rsistance R2 rgle la frquence centrale fn indpendamment du gain H 01 et de la largeur de bande f 3 dB.
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Page 168
Filtrage analogique
4. Fonction de transfert H 2 ( p )
H 2 ( p) = Vs2 ( p ) Ve ( p )
Vs2 ( p ) Vs1 ( p ) Vs1 ( p ) Ve ( p )
= H1( p )
Le gain laccord est multipli par et il ny a pas dinversion de phase entre/sortie R3 H 02 = R3 2 R R1 4 5. Stabilit du montage Stabilit pour 2
R3 2R 4 > 0 , soit < = 2 .7 R4 R3
6. Evaluation des paramtres Pour = 1 et R2 << R1 et R 4 , alors n

1 C R 2 R3
fn 126 Hz , f 2 Hz , H 02 = H 01 1 , Q 63
7. Discussion sur les performances Si R 4 , la topologie devient une structure de Rauch classique, suivie dun inverseur de gain unit. La frquence centrale demeure inchange, mais les autres paramtres deviennent figs alors que les performances prcdentes montrent, entre autre, une bande passante trs troite ou une forte surtension suivant la valeur de , grce au bouclage du second amplificateur.
20 (125.512, 10.456) (125.244, 7.4701) (125.837, 7.4388)
(125.512, -83.762m) 0
(125.512, -4.0932)
(124.573, -2.9929)
(126.512, -2.9835)
= 2.2, K = 3.33, Q = 213 = 1, K = 1, Q = 65
R4 = , K = 0.624, Q = 40
-20 (127.124, -7.0963) (123.981, -7.0837) -30 100Hz
DB(V(S1))
160Hz Frequency
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Page 169
Filtrage analogique
Filtre passe-bande INIC

Une premire tude porte sur le montage reprsent ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension parfait en rgime linaire.
R
i0 -
v0
+ R
1. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z 0 = v 0 / i 0 et concluez sur lintrt du montage. Le montage prcdent est intgr au sein du circuit de la figure suivante.
R1 C1 + U2
ve
R
R2
C2
vs
U1
2. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p) = 3. 4. 5. 6.
Vs ( p) . Ve ( p) Vu lexpression trouve, identifiez le type de filtre. Vrifiez par lexamen du comportement en frquence du circuit. Ecrivez les expressions des paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation naturelle n , coefficient de qualit Q, bande passante -3 dB ). Commentez ces rsultats. En choisissant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , discutez de la stabilit du montage suivant la valeur de . Expliquez la prsence de lamplificateur U 2 .
7. Evaluez les paramtres K = H 0 et Q pour = 1 et 1.95 .
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Page 170
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de limpdance dentre Z 0
V0 ( p ) Vs ( p ) I 0 ( p ) = R + V ( p ) = V ( p ) = V0 ( p ) Z( p) V + ( p ) = Vs ( p ) Z( p) + R
I0 ( p) =
V0 ( p ) Z ( p ) + R 1 R Z( p)
Z0 ( p) =
V0 ( p ) = Z( p) I0 ( p)
Ce montage ramne limpdance Z en entre, change de signe et proportionnelle (convertisseur dimpdance ngative). 2. Expression de la fonction de transfert H ( p ) Lamplificateur U 2 , mont en suiveur, prsente une haute impdance dentre. Le transfert en tension est produit par un pont dimpdances Z1( p ) = R1 +
Vs ( p ) Z2 ( p) R2C1 p = = Ve ( p ) Z1( p ) Z 2 ( p ) (1 + R1C1 p )(1 + R2C2 p ) R2C1 p
H ( p) = R2C1 p 1 + (R1C1 + R2C2 R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2 R2 1 , Z2 ( p) = . C1 p 1 + R2 C2 p
3. Identification du type de filtre

1 p Q n . La fonction de transfert en tension est de la forme H (p ) = 2 p 1 p + +1 2 n Q n
Le type de filtre est un passe-bande. Aux trs basses frquences, les condensateurs sont assimils des circuits ouverts et rien ne passe lentre de lamplificateur U1 . Aux trs hautes frquences, les condensateurs sont assimils des courts-circuits et lentre de lamplificateur U 2 est la masse. 4. Expressions des paramtres du filtre
H ( p) =
(R1C1 + R2C2 R2C1 )p R2C1 R1C1 + R2C2 R2C1 1 + (R1C1 + R2C2 R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2
H0 =
R1R2C1C2 R2C1 1 , n = ,Q= , R1C1 + R2C2 R2C1 R C + R1R2C1C 2 1 1 R 2C 2 R 2C1
R1C1 + R2C2 R2C1 R1R2C1C2
Si la rsistance R est ajustable, celle-ci modifie tous les paramtres, except la pulsation centrale n du filtre.
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Page 171
Filtrage analogique
5. Stabilit du montage
R1 = R2 = R , C1 = C2 = C H ( p ) = 1 RC p avec 2 = = 2 ( 0) Q 1 + (2 )RC p + R 2C 2 p 2
Le systme est stable pour > 0 , soit 0 < 2 ; oscillateur pour = 0 , soit = 2 ; instable pour < 0 , soit > 2 .
6. Prsence de lamplificateur U 2 Lamplificateur U 2 , mont en suiveur, sert de buffer (rsistance dentre trs leve et rsistance de sortie trs faible par la contre-raction tension-tension totale). Ainsi, la sortie du filtre est adapte en tension et indpendante de la frquence. 7. Evaluation de paramtres du filtre
40
(1.0574K, 31.700) (1.0311K, 28.748) (1.0841K, 28.748)
R1 = R2 = 15 k
20
C1 = C2 = 10 nF K = /(2-)
(1.0579K, 9.529)
= 1.95, K = 39, f = 53 Hz = 1.5, K = 3, f = 531 Hz
0 (1.0539K, -9.868m) (654.992, -3.0167) -20 (1.7120K, -3.0148)
= 1, K = 1, f = 1057 Hz
-40 100Hz
DB(V(s))
300Hz
1.0KHz Frequency
3.0KHz
10KHz
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Page 172
Filtrage analogique
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du premier ordre

Le montage reprsent ci-dessous, utilise un amplificateur de tension parfait en rgime linaire.
R 10k R 10k R ve 10k C
+
vs
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) =
2. Tracez le module H ( j ) et largument = arg[H ( j )] en fonction de log( ) . 3. Ecrivez lexpression du retard (temps de propagation) de groupe =
d et tracez sa variation d
Vs ( p) . Ve ( p)
en fonction de log( ) . 4. Evaluez le composant C tel que = 1 ms et donnez la plage de frquences correspondante. Formulaire :
d f '(x) arctg [f ( x )] = dx 1 + f ( x )2
Corrig
1 + V ( p ) = 1 + RCp Ve ( p ) + V ( p ) = V ( p ) V ( p ) + Vs ( p ) V ( p ) = e 2
V ( p ) 1 RCp = s Ve ( p ) 1 + RCp
do H ( p ) =
1+
n
p
avec n =
1 RC
2. Tracs du module et de largument ( p = j )
n H ( j ) = 1+ j n
1 j
1+
H ( j ) =
1+
2 2 n 2 n
2
= 1 (0 dB ) et = arg[H ( j )] = 2 arctg n
0 0 , = n =
3. Retard
, (voir tracs)
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Page 173
Filtrage analogique
=2
d arctg d n
2 1 = 2 n 1+ 2
, = n =
, 0
(voir trac)
4. Evaluation de C
= 2 R C C = 50 nF et fn 318 Hz
Le retard est peu prs constant pour f [0, 100 Hz ] (voir trac)
2.0 (318.339, -263.144u) 0
-2.0 0d
DB(V(s)) (318.339, -90.013)
-90d
-180d 2.0ms
arg (V(s))
1.0ms
(318.339, 500.078u)
0s 1.0Hz
(V(s))
10Hz
100Hz Frequency
1.0KHz
10KHz
100KHz
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Page 174
Filtrage analogique
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du second ordre

Le montage reprsent ci-dessous, utilise un amplificateur de tension parfait en rgime linaire.
R2 10k C1 R1 10k Ra
C2
+ ve Rb 10k
vs
Vs ( p) en posant K = Ra Rb . Ve ( p) 2. Dterminez lexpression de K telle que le montage soit un dphaseur pur de fonction de transfert 2 p2 1 p+ 2 n n 1 H ( p) = . 1+ K 2 p2 1+ p+ 2
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) =
3. Ecrivez les expressions des paramtres n et .
4. Tracez le module H ( j ) et largument = arg[H ( j )] en fonction de log( ) . 5. Ecrivez lexpression du retard (temps de propagation) de groupe =
d . d
Un retard sensiblement constant est souhait sur une plage de frquences donne. 6. En prenant comme condition (n ) = (0) 2 , valuez le paramtre puis dduisez les valeurs des composants passifs C1 , C2 et Ra tel que = 1 ms . 7. Tracez la variation du retard en fonction de log f et donnez la plage de frquences correspondant un retard peu prs constant.
d f '(x) arctg [f ( x )] = dx 1 + f ( x )2
Formulaire :
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Page 175
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de la fonction de transfert Soit A le nud commun R1 , R2 , C1
1 + V ( p ) = 1 + K Ve ( p ) VA ( p ) + C2 pVs ( p ) R1 V ( p ) = 1 + C2 p R1 V + ( p ) = V ( p ) V ( p) V ( p) + C1pVe ( p ) + s R2 R1 VA ( p ) = 1 1 C1p + + R2 R1
Vs ( p ) 1 1 + [(R1 + R2 )C2 K R2C1 ] p + R1R2C1C 2 p 2 = Ve ( p ) 1 + K 1 + (R1 + R2 )C2 p + R1R2C1C2 p 2
2. Expression de K Dphaseur pur si (R1 + R2 )C2 K R2C1 = (R1 + R2 )C2 K =

2 (R1 + R2 )C2 R2C1
3. Expression des paramtres
n =
1 R1 R2 C1C2
, =
C2 R1 + R2 R1 R2 C1 2
4. Tracs du module et de largument ( p = j )

1 1+ 2 p+ p2
2 n 2
H ( p) =
1 1+ K
2 p p+ 2 n n
2 n 1 H ( j ) = (constant) et = arg[H ( j )] = 2 arctg 2 1+ K 1 2 n
0 0 , = n = , 2 (voir tracs)
5. Retard
2 n d =2 arctg 2 d 1 2 n 4 = n 1+
2
2 2 n
2 2 1 + 4 2 2 2 n n
, = n =
, 0
(voir trac)
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Page 176
Filtrage analogique
6. Evaluation de et des composants Condition (n ) =
(0 )
2
4 2 n
1
do 0.841 .
En posant R = R1 = R 2 , n =
2 C1C2 = 4 2R 2 do C = C2 1 2
R C1C2
avec =
, =
C2 4 C 2 Ra et K = = C1 C1 Rb
C1 35.4 nF , C2 = 25 nF
et K 2.83 (- 11.6 dB), Ra 28.3 k ( fn 535 Hz )
7. Trac du retard
-10 -11 -12 -13 0d DB (V(s)) (534.963, -180.001) -180d (534.963, -11.632)
-360d 2.0ms
arg (V(s)) (301.834, 965.935u) (534.963,706.750u)
1.0ms
0s 1.0Hz (V(s))
10Hz
100Hz Frequency
1.0KHz
10KHz
100KHz
Le retard est peu prs constant sur une plage de 0 300 Hz.
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Page 177
Filtrage analogique
Filtre coupe-bande (rjecteur) deux amplificateurs de tension

Ltude porte sur le filtre prsent ci-dessous, utilisant deux amplificateurs de tension idaux en rgime linaire.
R3 100k R2 100k R1 ve 100k + U1 vs -
C1 68n
U2
Zeq
R4 33k
C2 68n
R5 68k
1. Ecrivez lexpression de limpdance quivalente Z eq constitue par les lments C1, C2, R4, R5,
U2.
2. Montrez que limpdance trouve est de la forme Z eq = R + Lp + 3. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p ) =
Vs ( p ) . Ve ( p )
1 . Cp
4. En constatant que R1 = R 2 = R3 R , identifiez le type de filtre et valuez ses caractristiques principales. 5. Tracez la rponse en frquence de la fonction dans le plan de Bode (module et argument).
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Page 178
Filtrage analogique
Corrig
1. Expression de limpdance quivalente Lamplificateur U 2 est mont en suiveur. Le condensateur C1 tant en srie avec lentre du montage, le calcul porte sur limpdance dentre vue par la tension v + .
1 I ( p ) = R 4 I e ( p ) car V + ( p ) = V ( p ) C2 p V + ( p ) = R I ( p ) + R [I ( p ) + I ( p )] 4 e 5 e
U2
C1 ie + R4 i C2
ve
V + ( p) = R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p Ie ( p)
R5
do Z eq =
1 + R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p C1 p
2. Identification des lments

R = R 4 + R5 , L = R 4 R5 C2 et C = C1

R3 100k R2 100k R1 ve 100k + U1 vs -
+ V ( p ) = V ( p ) Z eq ( p ) + Ve ( p ) V ( p ) = Z eq ( p ) + R1 R3 R2 V ( p ) = Vs ( p ) Ve ( p ) + R 2 + R3 R 2 + R3 Z eq ( p ) R1 R3 R2 Z eq ( p ) + R1
Zeq
H ( p) =
R1 R3 LC1 p 2 + R R C1 p + 1 2 do H ( p ) = LC1 p 2 + (R + R1 )C1 p + 1 Vs ( p ) = Ve ( p )
4. Identification du type de filtre
2 +j 2 0 1 H ( j ) = 2 1 2 + j 0 2
1
avec 0 =
1 LC1
, 1 =
1 R1 R3 R R 2 C1
et 2 =
1 (R + R1 )C1
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Page 179
Filtrage analogique
Pour << 0 et >> 0 , H ( j ) 1 , pour = 0 , H ( j0 ) =
R1 R3 R2 <1 R + R1
Cest donc un filtre rjecteur symtrique de gain unit, centr sur rej = 0 et de largeur relative de bande de rjection
C1 (R1 + R4 + R5 ) . Lvaluation des caractristiques donnent : R 4 R5 C 2
frej = 49.4 Hz avec attnuation de 1 201 soit 46 dB, f = 209.6 Hz , Q = 0.236 .
5. Tracs dans le plan de Bode

2 2 1 2 + 2 0 1 2 2 1 2 + 2 0 2
2 2
H ( j ) =
2 2 arctg et arg[H ( j )] = arctg 2 2 1 2 1 2 0 0
100d f0 = 49.4 Hz 0d (49.4 Hz,0 d)
-100d Arg(V(s)) 0 f = 209,6 Hz -25 f0 = 49.4 Hz Q = 0.236 -50 1.0Hz DB(V(s)) 3.0Hz 10Hz 30Hz Frequency 100Hz 300Hz 1.0KHz (11.1 Hz,-3 dB) (220.7 Hz,-3 dB) (49.4 Hz,-46 dB)
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Page 180
Filtrage analogique
Filtre rjecteur variable dtat

Ltude porte sur le filtre reprsent ci-dessous, utilisant trois amplificateurs de tension parfaits en rgime linaire.
R S2 + U2 R R1 R C
R1 S1 R2 R3
ve
+ U1 R2
S3
+ U3
Ltude de ce filtre seffectuera en deux tapes : tude du sous-circuit encadr en pointill, puis tude du circuit complet. Etude du sous-circuit en fonction des composants passifs. VE ( p ) 2. Vu lexpression trouve, prcisez le type de filtre et crivez les expressions des paramtres qui le caractrisent. Etude du circuit complet en fonction des composants passifs. VE ( p ) 4. Prcisez le type de filtre obtenu et crivez les expressions des paramtres qui le caractrisent. Commentez ces rsultats. 5. Citez les donnes manquantes que rclame le conditionnement du problme. Combien de valeurs arbitraires de composants passifs faut-il prendre si les caractristiques relles du filtre sont donnes (gain, ). 3. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p ) =
VS3 ( p ) VS1 ( p )
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H1( p ) =
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Page 181
Filtrage analogique
Corrig
Etude du sous-circuit 1. Expression de la fonction de transfert H1( p ) Le thorme de Millman appliqu aux nuds A dentre des AOI donne :
Ve ( p ) 1 Vs2 ( p ) + Vs1 ( p ) + R Cp + R R 1 1 0 = 2 1 + + Cp R1 R Vs1 ( p ) Vs ( p )Cp 2 R = 1 1 + Cp + Cp R R Vs1 ( p ) Ve ( p ) = 1+ R 2C p R1 R 2C p + R 2C 2 p 2 R1
Ve ( p ) 1 Vs2 ( p ) + + Vs1 ( p ) Cp + =0 R1 R R1 Vs1 ( p ) Vs2 ( p ) = RC p
2. Type et paramtres du filtre Le type de filtre est un passe-bande de la forme H1( p ) = H 01

2 p n 2 p2 1+ p+ 2 n n
avec H 01 = 1 , n =
R 1 1 1 ,Q= = n = 1 = RC 2 R R1C
Etude du circuit complet

VS3 ( p ) VE ( p ) R3 R Ve ( p ) + Vs1 ( p ) = 3 [1 + H1( p )]Ve ( p ) R2 R2
3. Expression de la fonction de transfert H ( p ) =
Le montage sommateur inverseur donne : Vs3 ( p ) =

Vs3 ( p ) Ve ( p ) = R3 R2 1 + R 2C 2 p 2 1+ R 2C p + R 2C 2 p 2 R1
4. Type et paramtres du filtre

1+ p2
2 n
Le type de filtre est un passe-bande coupe-bande de la forme H ( p ) = H 0

1+
p+
p2
2 n
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Page 182
Filtrage analogique
avec H 0 =
R3 1 1 , n = rej , = R2 RC R1C
Le rglage de la frquence de rjection et de la largeur de bande 3 dB peut tre ralis de faon indpendante par laction sur lensemble des rsistances R et R1 respectivement., la valeur du gain tant indpendante de ces paramtres. 5. Conditionnement du problme Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un bilan montre 3 quations crites prcdemment pour 8 inconnues R1, R2 , R3 , R, C et H 0 , n , . Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants du filtre. Si les caractristiques relles du filtre sont donnes ( H 0 , n , ), alors 2 valeurs de composants passifs seront prises de faon arbitraire.
Simulation
20 (47.556, 16.999) -0 (47.564, -3.0002) (52.565, 16.999) (52.557, -3.0002)
-20
-40
R2 = 10 k C = 1 F arbitraire
(50.004, -32.100) (77.545, -23.009)
-60 10Hz DB(V(S3))
DB(V(S1))
30Hz DB(V(S2))
100Hz Frequency
300Hz
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Page 183
Filtrage analogique
Filtre universel
A partir du schma de principe, on tudiera le filtre universel quatre sorties qui met en uvre un additionneur soustracteur, un additionneur et deux intgrateurs. Le but est de raliser un filtre rjecteur symtrique de gain unit, de frquence de rjection 50 Hz, de largeur de bande 2.5 Hz -3 dB et un filtre passe-bande de gain unit. Schma de principe -K1 S1 -K4
+
-K3 K2 -1/p S2 -2/p S3
+
-K5
S4
1. Ecrivez les quations issues du schma. 2. Identifiez les fonctions de transfert crites sous la forme canonique du second ordre et donnez les expressions de et n . Ralisation du filtre
R6 R5 10k
-
R1
10k
C1 100n
R2
C2 100n
R7
+ +
U1
U2 S1
+
U3
-
Ve
S2
+
S3
R4 R3 R10 R9
R8
-
U4 S4
+
10k
3. Identifiez les lments du montage ceux du schma de principe. 4. Les deux intgrateurs tant identiques et linfluence des courants de polarisation sur la composante continue du signal de sortie de U1 tant minimise, calculez les valeurs manquantes de rsistances.
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Page 184
Filtrage analogique
Corrig
Schma de principe 1. Equations issues du schma VS1 ( p ) = K1 VE ( p ) + K 2 VS2 ( p ) K 3 VS3 ( p ) , VS2 ( p ) =
VS4 ( p ) = K 4 VS1 ( p ) K 5 VS3 ( p )
1
p
VS1 ( p ) , VS3 ( p ) =
2
p
VS2 ( p ) ,
2. Identification des fonctions de transfert

2 p 2 VS2 ( p ) K1 n n (filtre passe-haut), (filtre passe-bande) = K1 2 = p 2 VE ( p ) VE ( p ) K 2 p 2 2 + p +1 + p +1 2 2 n n n n p2
VS1 ( p )
VS3 ( p )
K = 1 2 VE ( p ) K3 p
2 n
1 2
(filtre passe-bas),
p +1
VS4 ( p ) VE ( p )
= K1 K 4
2 n
K5 K3 K 4 (filtre rjecteur) p2 2 + p +1
2 n
p2
avec n = K 3 1 2
et
K2 2
K 3 2
Ralisation du filtre 3. Identification des lments Intgrateurs : (montage inverseur)

R1 S1 U2
-
C1
VS2 ( p ) VS1 ( p )
Z( p) R1
VS2 ( p) =
S2
1 VS ( p ) R1C1 p 1
(idem pour U 3 )
Identification 1 =
1 1 , 2 = R1 C1 R2 C2
Additionneur : (montage inverseur et thorme de superposition)
R9 S3 R8 S1
-
R10
VS4 ( p ) =
R10 R VS ( p ) 10 VS3 ( p ) R8 1 R9
R10 R , K 5 = 10 R8 R9
U4 S4
+
Identification K 4 =
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Page 185
Filtrage analogique
Additionneur soustracteur : (thorme de superposition avec montage additionneur)

R6 S3 R7 E
-
R5
U1 S1
+
v S2 = 0 VS1 ( p ) = v S3 = v E = 0
R5 R VE ( p ) 5 VS3 ( p ) R7 R6
R4 S2 R3
R3 + V ( p ) = R + R VS2 ( p ) 3 4 + ( p) = V ( p ) V R 6 // R 7 V ( p ) = VS1 ( p ) R 6 // R 7 + R 5
R5 R 5 VS1 ( p ) = 1 + R + R 6 7
R3 R + R VS2 ( p ) 4 3
R 5 R5 R3 R5 R5 soit VS1 ( p ) = 1 + R + R R + R VS2 ( p ) R VE ( p ) R VS3 ( p ) 6 7 3 4 7 6
Identification K1 =
R5 R5 R5 , K2 = 1 + R + R R7 6 7
R3 R5 R + R , K3 = R 4 6 3
4. Calcul des composants Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un bilan montre 9 quations crites prcdemment pour 21 inconnues R1, R2 , R3 , R 4 , R5 , R6 , R7 , R8 , R9 , R10 , C1, C2 et n , , 1, 2 , K1, K 2 , K 3 , K 4 , K 5 . Il est donc ncessaire dintroduire 12 donnes. a. 5 donnes sont issues du cahier des charges filtre rjecteur symtrique K 5 = K 3 K 4 , de gain unit K1 K 4 = 1 , de frquence de rjection rej = n = 100 rad/s et de largeur de bande relative 3 dB 2 = n = 0.05 , filtre passe-bande de gain unit K1 = K 2 , b. 2 donnes issues de relations entre composants passifs lors de la ralisation intgrateurs identiques 1 = 2 ou R1C1 = R2 C2 , quilibrage statique de ladditionneur soustracteur R 5 // R 6 // R 7 = R 3 // R 4 , c. 5 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire R5 = R6 = R8 = 10 k , C1 = C2 = 100 nF La rsolution du systme linaire fournit les valeurs R1 = R2 ( K 3 = 1 ), R7 = 20 R5 ( K1 = K 2 = 0.05 ), R3 // R 4 = 10 3 0.205 , 40 R3 = R 4 , R8 = R9 , R10 = 20 R8 ( K 4 = K 5 = 20 ) soit R1 = R2 = 31831 , R3 = 5 k , R 4 = R7 = R10 = 200 k , R9 = 10 k . Ce filtre est utilis en rjecteur de la frquence parasite issue du secteur, mais la norme EDF donne 50 0.5 Hz (amene ici 1.25 Hz). Si ces fluctuations amnent une attnuation insuffisante autour de la rjection, un filtre suiveur en frquence, intgrant une boucle verrouillage de phase, asservira la frquence de rjection la variation de la frquence du secteur (voir cours Boucles verrouillage de phase ).
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Page 186
Filtrage analogique
Pour une ralisation optimale, un circuit intgr quad (4 amplificateurs dans un mme botier) doit tre utilis.
20 (49.977, 37.030m)
frej = 50 Hz, f = 2.5 Hz
-0 (48.781, -3.0535) -20 (51.337, -3.0113)
-40
(50.004, -47.457) -60 10Hz DB(V(S1)) 30Hz DB(V(S4)) 100Hz Frequency 260Hz
DB(V(S2))
DB(V(S3))
Remarques : Les filtres passe-bande et rjecteur possdent un gain unit, les filtres passe-haut et passe-bas un gain de 0.05 (- 26 dB). Les quatre cellules composant le filtre prsentent chacune une contre-raction tension-courant qui justifie une trs faible rsistance de sortie (topologie parallle), assurant ainsi une adaptation en tension (fonction de transfert globale gale au produit des fonctions de transfert lmentaires). La lecture du schma lectrique peut seffectuer par le raisonnement suivant : les deux intgrateurs multiplient la fonction de transfert VS1 ( p ) VE ( p ) (sortie de U1 ) par 1 p (sortie de U 2 ), puis par 1 p (sortie de U 3 ), ce qui implique respectivement que S1 est un passe-haut, S2 passebande, S3 passe-bas ; la somme des passe-haut et passe-bas produit le coupe-bande (sortie de U 4 ).
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Page 187
Filtrage analogique
Oscillateur sinusodal triphas

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant des amplificateurs de tension supposs idaux en rgime dynamique faibles signaux.
C1 10n C1 10n R1 R2
S1 S2 + +
C1 10n
R1 R2
+
R1 R2
S3
1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert en boucle ouverte. 2. En boucle ferme et en rgime sinusodal, dterminez la pulsation osc des oscillations et la condition dentretien de celles-ci. 3. Evaluez les rsistances pour que le systme oscille la frquence de 1021 Hz.
Corrig
1. Expression de la fonction de transfert en boucle ouverte G( p ) B' ( p ) Les trois tages sont des montages inverseurs Gi ( p ) =
R1 1 do G( p ) B' ( p ) = R 2 p 1 + 0
3
R1 Z( p) avec Z ( p ) = 1 + R1 C1 p R2
avec 0 =
1 et B' ( p ) = 1 (retour unitaire) R1 C1
relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance de sortie du montage inverseur est trs faible par rapport sa rsistance dentre (contre-raction tension-courant).
2. Conditions doscillations La boucle tant ferme et en rgime tabli, G( j )B' ( j ) = 1 .

R1 R 2
3
1 1 3
2 2 3 +j 2 2 0 0 0
=1
Im[G ( j )B' ( j )] = 0 = 0 3 osc [ ( ) ( ) ] Re G j B j ' = 1 R1 = 2 R2
3. Evaluation des rsistances R1 =
3 = 27 k , R 2 = 13.5 k . 2 fosc C1
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Page 188
Oscillateur pont RLC

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension suppos idal en rgime dynamique faibles signaux.
R3 + R L C 100n R1 vs
R2
1. Ecrivez la fonction de transfert B ' ( p ) en tension du rseau passif. 2. Ecrivez le gain de lamplificateur G. 3. En boucle ferme et en rgime sinusodal, dterminez lexpression de la pulsation osc des oscillations du signal de sortie, ainsi que la condition sur les rsistances. 4. La rsistance R reprsentant les imperfections de linductance ( R >> R3 ), donnez le type de comportement du bloc amplificateur. 5. Donnez la valeur de linductance L pour obtenir un signal de sortie la frquence de 16 kHz. 6. Evaluez la rsistance R3 de telle manire que = 0.5 pour la fonction B ' ( p ) . 7. Comment devez-vous faire varier R1 pour dmarrer les oscillations ?
Corrig
1. Fonction de transfert B ' ( p ) en tension du rseau passif Lensemble des lments mis en parallle conduit une impdance 1 Lp Lp Z ( p ) = R // // Lp = R // = . L Cp LCp 2 + 1 2 LCp + p + 1 R
La fonction de transfert en tension est fournie par le pont L p R3 Z( p) B' ( p ) = = Z ( p ) + R3 1 1 LCp 2 + L p +1 R + R 3
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Page 189
2. Gain de lamplificateur Lamplificateur de tension tant idal, sa bande passante est considre comme infinie.
G( p ) = 1 + R1 = G (amplificateur non inverseur de gain rel) R2
3. Conditions doscillations La boucle tant ferme et en rgime tabli, G B' ( j ) = 1 , relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance dentre est infinie et rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si lamplificateur est rel, la contreraction tension-tension conduit des rsultats voisins. L R3 R1 G B' ( j ) = =1 1 + R 1 1 2 2 L + + j LC 1 R R3
1 osc = Im[G B' ( j )] = 0 LC Re[G B' ( j )] = 1 1 + R1 = 1 + R3 R R2
4. Comportement du bloc amplificateur Puisque R >> R3 G = 1 +

R1 1. R2
Lamplificateur se comporte comme un suiveur de tension ( R 2 >> R1 ).
5. Evaluation de linductance
L=
(2 fosc )2 C
0.99 mH
6. Evaluation de la rsistance R3
L p R3 2 1 L Pour R >> R3 , B' ( p ) est obtenue en . La relation ncessaire = = L Q R n n 3 LCp 2 + p +1 R3 identifiant la forme canonique du filtre passe-bande du second ordre, do R3 99.5 .
7. Dmarrage des oscillations Il faut tablir la condition G B' ( p ) > 1 avec G = 1 +

R1 = 1 + , cest--dire donner la rsistance R2
R1 une valeur relativement plus leve que la valeur nominale, puis diminuer cette valeur jusqu lobtention du rgime sinusodal tabli.
Ce montage est utilis pour dtecter la prsence de matriaux magntiques ou amagntiques.
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Page 190
Oscillateur pont RLC avec potentiomtre

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension suppos idal en rgime dynamique faibles signaux.
R2 100k R1 5k + (1-)R R C 10n L 10mH R 10k
Etude du rgime dynamique (faibles signaux) 1. Ecrivez les fonctions de transfert en tension du rseau passif B' ( p ) et de lamplificateur G. 2. Ecrivez les conditions doscillation. 3. Calculez la frquence des oscillations et la position du potentiomtre pour laquelle le circuit oscille.
Corrig
1. Fonction de transfert B' ( p ) en tension du rseau passif Lensemble des lments mis en parallle conduit une impdance Lp Lp 1 Z ( p ) = R // // Lp = R // = . L Cp LCp 2 + 1 LCp 2 + p +1 R
La fonction de transfert en tension est fournie par le pont L p Z( p) ( 1 )R B' ( p ) = = L Z ( p ) + (1 )R LCp 2 + p +1 (1 )R Lamplificateur de tension tant idal, sa bande passante est considre comme infinie.
G( p ) = 1 + R2 = G (amplificateur non inverseur de gain rel) R1
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Page 191
2. Conditions doscillations La boucle tant ferme et en rgime tabli, G B' ( j ) = 1 , relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance dentre est infinie et rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si lamplificateur est rel, la contreraction tension-tension amne des rsultats voisins.
R2 G B ' ( j ) = 1 + R 1
fosc
L + j LC 2 1 (1 )R R1 1 ,= = R1 + R2 2 LC
(1 )R
=1
LC 2 1 = 0 Im[G B' ( j )] = 0 R2 Re[G B' ( j )] = 1 1 + R =1 1
3. Application numrique
fosc 15.9 kHz , = 0.0476
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Page 192
Oscillateur pont de Wien

Ltude propose concerne le circuit de la figure suivante, utilisant un amplificateur linaire de tension suppos idal.
+ S
R3 10k
C1 15n R4 10k C2 15n
R2 10k
R1
Condition dentretien des oscillations 1. 2. 3. 4. Ecrivez la fonction de transfert en boucle ouverte. En boucle ferme, exprimez les conditions dentretien doscillations sinusodales. Donnez les rgles de dmarrage de loscillateur. Calculez les valeurs de la frquence fosc des oscillations et de la rsistance R1 .
Stabilisation de lamplitude des oscillations par thermistance La rsistance R2 sidentifie une thermistance coefficient de temprature ngatif telle que
2 2 R2 = R0 a v eff avec R0 = 11 k, a = 10 3 / V 2 et v eff la valeur quadratique moyenne de la tension aux bornes de R2 .
5. Vrifiez que la condition de dmarrage est assure. 6. Evaluez lamplitude de la tension de sortie v s en Vpp .
Stabilisation de lamplitude des oscillations par rsistance variable

R3 10k C1 15n
+ uA741 -
U1
S
R2 37.5k
R6 R4 10k C2 15n
D1 J1
J2N4416A G
R5 100k
C3 100u
D1N4148
La rsistance variable est constitue dun JFET travaillant dans sa zone ohmique et command en tension par un dtecteur de crte, Dans ces conditions, la tension v ds ne peut dpasser quelques
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Page 193
dizaines de mVpp , ce qui explique la prsence de la rsistance srie R6 sur le schma lectrique. Le transistor possde les caractristiques IDSS = 14 mA, VP = 4 V . 7. Donnez lexpression de la rsistance RDS du transistor. 8. Ecrivez lexpression de R2 en fonction de RDS , v s et v ds , puis lexpression de R6 . 9. La diode possdant une tension de seuil V0 , crivez lexpression de VGS en fonction de V0 , v ds et R2 . 10. Evaluez RON , VGS , v s , RDS et R6 en prenant v ds = 80 mVpp et V0 = 0.6 V . 11. Vrifiez que la condition de dmarrage est assure.
Corrig
Condition dentretien des oscillations 1. Fonction de transfert en boucle ouverte Amplificateur non inverseur : G (p ) = 1 + Rseau slectif : B' (p ) =
R2 (gain constant car amplificateur idal) R1
RC p avec R = R3 = R 4 et C = C1 = C2 R 2 C 2 p 2 + 3 RC p + 1
2 p n ' filtre de type passe-bande de la forme B0 et de caractristiques p 2 2 + p +1 2 n n

' = B0
R2 1 1 1 , n = , = = 2 = 3 , do G(p )B' (p ) = 1 + R 3 RC n Q 1
1 . p n 3+ + n p
relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance dentre est infinie et rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si lamplificateur est rel, la contre-raction tension-tension conduit des rsultats voisins. Cependant, le gain peut ne plus tre considr comme constant si la frquence de loscillateur nest pas faible par rapport la bande passante de lamplificateur.
2. Conditions doscillations
R2 1 En boucle ferme et en rgime tabli, G ( j )B' ( j ) = 1 + R n 1 3 j n = ( ) ( ) [ ] Im G j B' j = 0 osc n Conditions de Barkhausen [ ( ) ( ) ] = = Re G j B ' j 1 R 2 R 1 2 =1
3. Condition de dmarrage
1+ R2 >3 R1
soit R2 suprieure sa valeur nominale ou R1 infrieure sa valeur nominale.
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Page 194
4. Application fosc =
1 1061 Hz , R1 = 5 k 2 RC
Stabilisation de lamplitude des oscillations par thermistance 5. Condition de dmarrage

R0 > 3 avec lalimentation teinte. Une fois lalimentation R1 allume, la tension aux bornes de la thermistance augmente jusqu ce que sa valeur ohmique diminue et se stabilise R 2 = 2 R1 .
Le dmarrage est assur car 1 +
6. Amplitude de la tension de sortie

v eff = R0 R2 = 1Veff a
v s = 3 2 v eff 4.24 Vpp
Stabilisation de lamplitude des oscillations par rsistance variable 7. Expression de la rsistance dynamique du JFET
RDS
RON V 1 GS VP
avec RON
VP ( partir dune caractristique de transfert stylise du JFET) I DSS
8. Expressions des rsistances R2 et R3 Condition doscillations : R 2 = 2 (R 6 + RDS ) car R 6 + R DS sidentifie R1 des tudes prcdentes Pont de rsistances : v ds =
2 RDS v s 3 v ds RDS RDS vs + R6 + R2
do R2 =
et R6 =
R2 RDS 2
9. Expression de la tension de grille Le redressement de lalternance ngative du signal sinusodal de sortie seffectue en dtection crte puisque R5 C3 >> Tosc , do v s pp = 2 (V0 VGS ) en tenant compte du seuil de conduction de la diode. VGS = 1 V0 1 VP avec =
4 RON 3 R2 v ds
(tension continue ngative de commande du JFET canal N).
10. Application
RON 286 , VGS 2.45 V , v s 6.1Vpp , RDS 738 et R6 18 k .
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Page 195
11. Condition de dmarrage Le dmarrage est assur car 1 +

R2 > 3 avec lalimentation teinte ( VGS = 0 ). A la mise R6 + RON sous tension du montage, la valeur de RDS augmente et se stabilise pour vrifier lgalit R 2 = 2 (R 6 + RDS ) .
Simulation du circuit Dmarrage de loscillateur

4.0V
0V
-4.0V 0s V(S) V(G) Time 0.5s 1.0s 1.5s
Rgime permanent
4.0V vs = 6 Vpp fosc = 1055 Hz
v+ = 2 Vpp 0V
v ds = 80 mVpp
VGS = -2.39 V -4.0V 1.3500s V(S)
1.3505s V(G) V(U1:+)
1.3510s V(J1:d) Time
1.3515s
1.3520s
1.3525s
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Page 196
Oscillateur Colpitts
Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, le transistor JFET possdant les caractristiques constructeur I DSS = 8 mA, VP = 4 V .
VCC 20 V
+ -
RD 2.2k CG 100 n R 10M RS 480 CS 100 n J1

J2N3819
C2 68p
C1
Etude du rgime continu 1. Dterminez les variables de polarisation.
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 2. Dduisez le paramtre g m de ltude prcdente ( rds = , Cgs , Cgd ngliges). 3. En boucle ouverte, crivez lexpression de la fonction de transfert en tension. 4. En boucle ferme et en rgime sinusodal, crivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations. 5. Calculez les valeurs manquantes des composants du filtre afin de gnrer un signal sinusodal la frquence de 3 MHz. 6. Effectuez ltude de la fonction de transfert en tension du circuit en boucle ouverte. Tracez la rponse en frquence dans le plan de Bode et interprtez les rsultats.
Corrig
Etude du rgime continu 1. Etude statique
VCC = (RD + RS )I D + VDS VGS et I D = I DSS 1 V P VGS = RS I D VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 = VGS0 RS
2
2 VGS 2 VP
1 2 VGS + 1 = 0 + I DSS RS VP
= 3.125 mA , VDS0 = VCC (RD + RS )I D0 11.6 V
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

2 VP 3. Etude en boucle ouverte
2. Pente du JFET g m =
I D0 I DSS 2.5 mA / V
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Les condensateurs de liaison et de dcouplage CG et CS sont assimils des court-circuits la frquence de travail de loscillateur. ZC2 Z L + ZC1 Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L + ZC1 = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 + Z L + ZC1 1 1 avec ZC1 = , ZC2 = , Z L = Lp C1 p C2 p
)]
ZC2 Z L + ZC1 Vs ( p ) = g m RD Vgs ( p ) RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1
(
(
)
)
(
(
)
)
et
ZC1 V ( p) = Vs ( p ) Z L + ZC1
ZC1 ZC2 V ( p) = g m RD Vgs ( p ) RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1
4. Etude en boucle ferme et en rgime tabli ( p = j ) En refermant la boucle, le filtre charge sur la rsistance R de valeur trs importante devant celle 1 de la ractance du condensateur C1 la frquence doscillation ( << 10 M ). Ainsi, C1 osc
V ( p ) = Vgs ( p ) et g m RD
RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1
ZC1 ZC2
) = 1. ( )
Lquation complexe g m RD ZC1 ZC2 = RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1 prsentant des termes imaginaires purs (ractances ZC1 = quations
C1 g m RD 1 1 g m RD = C 2 L = ( partie relle) + = g R 1 LC 2 2 1 m D C2 C1 C1C 2 1 soit 2 ou 1 1 = 1 1 L = C + C CC 1 2 = 0 (partie imaginaire ) L C C RD L 1 2 1 2 C1 + C2
1 1 , ZC2 = , Z L = jL ), se dcompose en deux jC1 jC2
5. Evaluation des composants de loscillateur Le systme dquations deux inconnues conduit aux conditions doscillations. Dans le cas prsent, les inconnues sont L et C1 .
C1 = g m RD C 2 374 pF et L =
2 C1
1 1 1 49 H . + C2
Notons que la frquence des oscillations scrit fosc =
1 2 LC
avec
1 1 1 (mise en srie). = + C C1 C2
Ainsi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent, ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . A partir de linterprtation dun circuit LC parfait, initialement condensateur charg et courant dans la boucle nul, la dcharge du condensateur induit un courant dans le circuit magntisant alors la self. Lnergie lectrostatique du condensateur est convertie en nergie magntique dans la self.
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Page 198
La self magntise et le condensateur dcharg, le courant sinverse et lchange dnergie a lieu dans lautre sens pour revenir ltat initial. La pulsation doscillation est osc = 1 LC .
L
i v1 C2 C1
i v2
Si la capacit C est quivalente deux capacits dont le point commun est la masse, un mme courant circule alternativement de C1 vers C2 , chargeant un condensateur et dchargeant lautre, et inversement. Les tensions aux bornes des condensateurs sont donc en opposition de phase et le rapport des tensions est gal linverse du rapport des capacits, soit v C 1 1 v1 = i et v 2 = i 2 = 2 . josc C2 josc C1 v1 C1
En pratique, le rseau LC entre en rsonance sa frquence propre fosc , aliment par un amplificateur inverseur de gain en tension Av = C1 C 2 pour satisfaire les conditions de Barkhausen respectivement arg [G ( j )] + arg [B' ( j )] = 0 + 2k et G ( j )B' ( j ) = 1 .
6. Etude de tracs dans le diagramme de Bode en boucle ouverte

L i J1 ve R
RD
vs1
C2
C1
vs2
Une tension sinusodale v e est applique la grille du JFET. Le transistor est une source de courant commande par la tension dentre et dexpression i = g m v e . Il nest pas ncessaire de charger la sortie du rseau LC par limpdance dentre de lamplificateur puisque cette dernire est de valeur trs leve (R = 10 M).
60
(2.9969M, 14.819)
40
(10.000K, 14.792)
(2.9969M, 79.345m) (1.1749M, -0.8643)
transfert en boucle ouverte

-40
(1.1749M, -58.469) (2.9969M, -14.725)

-60 10KHz 30KHz DB(V(S1)/V(E)) DB(V(S2)/V(E)) 100KHz DB(V(S2)/V(S1)) 300KHz Frequency 1.0MHz 3.0MHz 10MHz
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Les tracs des modules montrent qu la frquence doscillation prvue (3 MHz), le gain de la boucle ouverte est de 1 (0 dB), ce qui est prouv par le gain de lamplificateur et lattnuation du rseau LC de valeurs respectives
v s1 v e = Av 5.5 (14.8 dB) et v s2 v s1 = C2 C1 = 1 Av 0.1818 (- 14.8 dB).
Le diagramme de Bode de la phase en boucle ouverte montre une phase nulle la frquence doscillation prvue, puisque v s2 v e = 1 .
180d
(1.1749M, 90.012)
100d
0d
(2.9974M,-13.767f)
-100d 30KHz 10KHz arg(V(S2)/V(E))
100KHz
300KHz Frequency
1.0MHz
3.0MHz
10MHz
Une simulation avec un JFET 2N3819 montre lanalyse transitoire de loscillateur en rgime permanent vrifiant que les deux tensions en entre et sortie du rseau LC sont en opposition de phase et que lattnuation du pont est toujours 3.72 20.46 0.1818 .
20V
gain en tension -5.5
frquence des oscillations 2.97 MHz
10V
VDSo=13 V v ds = 20.46 Vpp
0V
v gs = 3.72 Vpp
18.4u
18.6us
18.8us Time
19.0us
19.2us
Le rseau slectif permet dobtenir un dphasage de 180. Si lamplificateur compense lattnuation introduite par le rseau passif et induit lui-mme un dphasage de -180 (amplificateur inverseur), le gain en boucle ouverte vrifiera les conditions doscillations.
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Interprtation analytique Limpdance en parallle sur la rsistance RD et les transferts en tension scrivent
1 1 jL + jC 1 jC 2 Z ( j ) = 1 1 jL + + jC1 jC 2 Vs1 ( j ) Ve ( j ) = g m (RD // Z ( j )) , Vs2 ( j ) Vs1 ( j ) = 1 jC1 jL + 1 jC1
Vs2 ( j ) Ve ( j )
Vs2 ( j ) Vs1 ( j ) Vs1 ( j ) Ve ( j )
Pour 0 , Z ( j ) ,
Vs1 ( j ) Ve ( j )
g m RD ,
Vs2 ( j ) Vs1 ( j )
1,
Vs2 ( j ) Ve ( j )
g m RD ( + 14.8 dB, 180 )
Pour =
Vs1 ( j ) Ve ( j )
1 LC1
( f 1.175 MHz ) Z ( j ) = 0 ,
, Vs2 ( j ) Ve ( j ) = j gm L j 0.905 ( 0.864 dB, 90 ) C1
=0,
Vs2 ( j ) Vs1 ( j )
Pour = osc =
Vs1 ( j ) Ve ( j )
1 1 1 ( f 3 MHz ) Z ( j ) , + L C1 C2
= g m RD ,
Vs2 ( j ) Vs1 ( j )
C2 Vs2 ( j ) , = 1 ( 0 dB, 0 ) C1 Ve ( j )
1 Vs2 ( j ) Vs1 ( j ) Vs ( j ) jC1 gm 1 , Pour , Z ( j ) 0, 0, 2 j 0 Vs1 ( j ) jL jC2 Ve ( j ) Ve ( j ) LC1C2 3
( dB, 90 )
Dmarrage de loscillateur
25V 20V
V(J1:d) 10V
V(J1:g) 0V -5V 0s 5us 10us Time 15us 20us 25us
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Oscillateur Colpitts (variante)

Une tude dynamique aux faibles signaux est propose ici, concernant le circuit de la figure cidessous. Les paramtres du modle transistor JFET sont g m = 2.5 mA / V , rds , Cgs et Cgd ngligeables.
VCC + 20 V CG 1u RG 10M
RD 2.2k
S
C3
1n L
J1
J2N3819
C2 22p
C1
RS 480
CS 1u
1. Ecrivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations. 2. Evaluez les autres composants ( C1, L ) du filtre afin de gnrer un signal sinusodal la frquence de 1 MHz. 3. Quel est lintrt de ce montage par rapport au montage Colpitts classique ?
Corrig
1. Conditions dentretien des oscillations
C1 g m RD = C 2 1 = CC L C3 + 1 2 C1 + C2
Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale C3 en parallle sur C1 en srie avec C2 , ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions sur le rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2 pour satisfaire les conditions de Barkhausen.
2. Evaluation des composants de loscillateur

C1 = g m RD C2 121 pF et L = 1 1 25 H .
2 C3 +
C1C2 C1 + C2
C3
2
3. Intrt du montage La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparatre au niveau numrique que CC C3 >> 1 2 , ce qui implique que osc peut varier uniquement en fonction de C3 . C1 + C2
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Page 202
Oscillateur Clapp
Une tude dynamique aux faibles signaux est propose ici, concernant le circuit de la figure cidessous. Les paramtres du modle transistor JFET sont g m = 2.5 mA / V , rds , Cgs et Cgd ngligeables.
VCC + 20 V CG 1u RG 10M
RD 2.2k
S
C3 10p
J1
J2N3819
C2 1n
C1
RS 480
CS 1u
1. Ecrivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations. 2. Evaluez les autres composants ( C3 , L ) du filtre afin de gnrer un signal sinusodal la frquence de 5 MHz. 3. Quel est lintrt de ce montage ?
Corrig
C1 g m RD = C 2 1 = L 1 1 1 + + C C C 1 2 3
Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale C1 , C2 et C3 en srie, ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions sur le rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2 pour satisfaire les conditions de Barkhausen.
2. Evaluation des composants de loscillateur 1 1 1 1 1 C1 = g m RD C2 5.5 nF et L 2 100 H car et osc + + C C C C C3 1 2 3 3
1 L C3
3. Intrt du montage La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparatre au niveau numrique que C1 et C2 >> C3 , ce qui implique que osc peut varier uniquement en fonction de C3 . De cette faon, la frquence des oscillations est trs peu dpendante des impdances dentre ( de sortie ( 1
C2 osc << RD ) de lamplificateur, surtout avec un bipolaire.
1 C1 osc << RG ) et
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Page 203
Oscillateur Colpitts contrl en tension (VCO) JFET source commune

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, le transistor JFET possdant les caractristiques constructeur I DSS = 8 mA, VP = 4 V . La capacit CV de la diode varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de 0.5 5 V.
Vcc
B
RD
B
20V
2.2k
CD
B
CL
B
Lchoc
B
J1
B
10u C2
B
10u Vcom
B
68p
L 22uH
CV
B
R 10Meg
C1
B
RS 480
B
CS 10u
B
Comprhension du schma 1. Donnez une description prcise du circuit.
Etude en rgime continu 2. Dessinez le schma et valuez les variables de polarisation. Expliquez le fonctionnement de la commande de la diode varicap.
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 3. Dduisez la valeur du paramtre g m du modle du transistor ( rds , Cgs Cgd tant ngligs). 4. En boucle ouverte, crivez lexpression de la fonction de transfert en tension. 5. En boucle ferme et en rgime sinusodal, crivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations. 6. Evaluez la capacit C1 du filtre, puis le domaine des frquences doscillation possibles par laction de la tension continue Vcom . 7. Evaluez le facteur de conversion tension-frquence dfini par K 0 = f Vcom en supposant un transfert linaire.
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Page 204
Corrig
1. Description du circuit La rsistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et la capacit CS dcouple sa source (montage source commune pour les signaux HF). Limpdance de charge du transistor est constitue par la rsistance RD (suppose de faible valeur par rapport la charge extrieure du circuit). La capacit CD est une capacit de liaison permettant de sauvegarder le potentiel continu de drain. Une diode varicap est utilise pour commander loscillateur. Connecte en parallle avec le circuit L C1 C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique, elle est polarise en inverse par la tension continue Vcom de commande par le biais dune inductance de trs grande impdance en HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). La connexion de la diode avec le circuit L C1 C2 est ralise par une capacit de liaison CL (court-circuit en HF et circuit ouvert en continu).
2. Schma et variables de polarisation

VCC = (RD + RS )I D + VDS VGS et I D = I DSS 1 V P VGS = RS I D
VCC 20 V
B
RD 2.2k
B
D1
B B
J1
B
2 VGS 2 VP
Vcom
B
1 2 + I DSS RS VP
VGS + 1 = 0 VGS0 RS = 3.125 mA ,
R 10Meg
RS 480
B
VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 = VDS0 = VCC (RD + RS )I D0 11.6 V
La diode varicap est traverse par un courant inverse trs faible et le courant de grille du JFET est insignifiant (ordre du pA). La chute de tension aux bornes de la rsistance R peut tre nglige, ce qui signifie que lanode de la diode est la masse. De ce fait, la tension de commande Vcom est aux bornes de la diode varicap et modifie la valeur de sa capacit CV .
3. Paramtre g m =
2 VP
4. Etude en boucle ouverte Les condensateurs de liaison CS , CD et CL sont assimils des courts-circuits la frquence de travail de loscillateur.
CV
L J1 R vgs RD vs C2 C1 v
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Page 205
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L // ZC V + ZC1 = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L + ZC V
)]
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD // Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V + ZC2 Z L + ZC V 1 1 1 avec ZC1 = , ZC 2 = , ZC V = , Z L = Lp C1 p C2 p CV p
)] (
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 Vs ( p ) = g m RD Vgs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V
et
ZC1 Z L + ZC V V ( p) = Vs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V
)]
)]
)(
)]
)
( )] (
do
ZC1 ZC2 Z L + ZC V V ( p) = g m RD Vgs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V
)(
)]
5. Etude en boucle ferme et en rgime tabli ( p = j ) En refermant la boucle, le filtre charge sur la rsistance R de valeur trs importante devant celle 1 << 10 M ). Ainsi, de la ractance du condensateur C1 la frquence doscillation ( C1osc V ( p ) = Vgs ( p ) et g m RD g m RD ZC1 ZC2
[Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )] = 1 . (Z + Z ) = [Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )]
L CV C1 L CV C2 D L CV C1 C2 L CV L CV L CV C1 L CV C2 D L CV C1 C2 L CV
ZC1 ZC2 Z L + ZC V
quation prsentant des termes imaginaires purs qui se dcompose en deux quations avec 1 1 1 ZC1 = , ZC 2 = , ZC V = , Z L = jL : jC1 jC2 jCV
L 1 1 + 1 (partie relle) 0 = RD + L 2 CV CV C1 C 2 g m RD 1 1 L 1 1 L = + L 2 2 CV C2 CV C1 C1C 2 CV
(partie imaginaire )
2 1 1 1 1 1 1 L C + C + C =C C + C 1 2 2 V 1 V soit LC1 2 + = g R 1 m D 1 LCV 2
ou
C1 g m RD = C 2 1 = = 1 1 1 + + C C1 C2 L V 1 1 1 C + C C 2 V 1
1 C1C2 L C + C + CV 2 1
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Page 206
La self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale CV en parallle sur C1 en srie avec C2 , ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions sur le rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2 (ou Av = g m RD ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen.
6. Evaluation de C1 et du domaine des frquences doscillation

C1 = AV C2 = 374 pF et fosc =
1 2 C1C2 L CV + C + C 1 2
Pour CV = 2 pF , foscmax = 4397542 Hz et pour CV = 10 pF , foscmin = 4128889 Hz .
7. Evaluation de K 0 Lexcursion de frquence f est denviron 269 kHz pour une tension de commande passant de 0.5 5 V, ce qui donne un transfert (suppos linaire) du VCO f K0 = 59.7 kHz / V . Vcom
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Page 207
Oscillateur Colpitts contrl en tension (VCO) JFET drain commun

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, le transistor JFET possdant les caractristiques constructeur I DSS = 8 mA, VP = 4 V . La capacit CV de la diode Varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de 0.5 5 V.
Vcc
B
10V Lchoc
B
CL
B
J1
B
10u Vcom
B
C1
B
D1
B
L 22uH C2
B
RS
B
100p
480
vs
B
Etude du rgime continu 2. Dessinez le schma et dterminez les variables de polarisation du JFET.
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 3. Dduisez la valeur du paramtre g m du modle du transistor ( rds , Cgs Cgd tant ngligs). 4. Dessinez le schma. 5. En rgime sinusodal tabli, crivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations. 6. Evaluez la capacit C1 du filtre, puis les limites du domaine des frquences doscillation possibles par laction de la tension continue Vcom . 7. Dduisez la valeur du facteur de conversion tension-frquence dfini par K 0 = f Vcom en supposant un transfert linaire.
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Page 208
Corrig
1. Description du circuit La rsistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et constitue limpdance de charge du transistor (suppose de faible valeur par rapport la charge extrieure du circuit). Une diode varicap est utilise pour commander loscillateur. Connecte en parallle avec le circuit L C1 C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique, elle est polarise en inverse par la tension continue Vcom de commande par le biais dune inductance de trs grande impdance en HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). La connexion de la diode avec le circuit L C1 C2 est ralise par une capacit de liaison CL (court-circuit en HF et circuit ouvert en continu). Le systme est boucl entre source et grille (montage drain commun du JFET).
2. Schma et variables de polarisation

VCC = RS I D + VDS VGS et I D = I DSS 1 V P VGS = RS I D
VCC
B
Vcom
B
2 VGS 2 VP
J1
B
1 2 VGS + 1 = 0 + I R V P DSS S VGS0 RS = 3.125 mA ,
D1
B B
RS 480
B
VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 =

VDS0 = VCC RS I D0 8.5 V
La tension de commande Vcom est applique diectement aux bornes de la diode varicap car le condensateur CL est quivalent un circuit ouvert. La self, quivalente un court-circuit, relie la grille du JFET la masse.
3. Pente du JFET
gm =
2 VP
4. Schma
C1
B
i Z2
B
avec Z1( p ) =
Z1
B
vgs
B
gm vgs
B B B
RS Lp et Z 2 ( p ) = 1 + RSC2 p 1 + LCV p 2
( CV : capacit de la diode Varicap)
Le condensateur de liaison CL est assimil un court-circuit la frquence de travail de loscillateur.
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Page 209

Z ( p) 1 g m Vgs ( p ) + C1 pVgs ( p ) + I ( p ) = 0 gm + + 2 + 1 C1 p = 0 ( ) ( ) = ( ) + ( ) ( ) Z p I p V p Z p C p V p Z ( p ) gs 2 1 gs 1 Z1( p ) 1
soit 1 + g m RS + RS (C1 + C2 ) p +
LC1 p 2 1 + LCV p 2
(1 + RSC2 p ) = 0
LC1C 2 2 =0 + + + j R C C S 1 2 LCV 2 1 LCV 2 1 LC1 2
En rgime sinusodal, p = j
1 + g m RS +
do
LC1 2 = 0 (partie relle) 1 + g m RS + LCV 2 1 LC1C2 2 C1 + C2 + LC 2 1 = 0 (partie imaginaire ) V
C1 g m RS = C 2 1 = osc C1C2 L CV + C + C 1 2
Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale CV en parallle sur C1 en srie avec C2 , ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions sur le rseau LC est C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2 (ou Av = g m RS ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen.
6. Evaluation de C1 et du domaine des frquences doscillation

C1 = g m RS C2 = 120 pF . Frquences extrmes : foscmax = 4512424 Hz ( CV = 2 pF ), foscmin = 4223534 Hz ( CV = 10 pF ).
7. Evaluation de K 0 Lexcursion de frquence f est denviron 289 kHz pour une tension de commande passant de 0.5 5 V, ce qui donne un transfert (suppos linaire) du VCO f K0 = 64.2 kHz / V . Vcom
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Stabilisation dune tension par diode zener

Ltude porte sur le circuit diode zener suivant.
R
vE
Rch
vS
La tension v E (t ) = VEo + v e (t ) , v e (t ) tant londulation rsiduelle issue du filtrage, est applique lentre du circuit. Une tension v S (t ) = VSo + v s (t ) est recueillie sur la charge.
Les rsistances statique RZ et dynamique rz de la diode zener sont de valeur ngligeable devant la rsistance R.
Etude du rgime continu 1. Donnez lexpression de la tension VSo aux bornes de la charge. 2. Ecrivez la condition pour que la stabilisation ait bien lieu (polarisation de la diode dans sa zone davalanche). 3. Ecrivez la condition pour que la puissance dissipe en rgime permanent soit infrieure la puissance maximale (donnes constructeur).
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 4. Donnez lexpression de la tension v s (t ) aux bornes de la charge. 5. En supposant que Rch >> rz , discutez de la stabilit en dehors des problmes lis la temprature et au vieillissement de la diode. On rappelle quune tension est stabilise (et non rgule) quelle que soit la variation de la source (stabilisation amont) et quelle que soit la variation de la charge (stabilisation aval).
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Corrig
Etude du rgime continu 1. Expression de la tension aux bornes de la charge
R RZ VEo VZo Rch Vth
Rth Rch VSo
avec
Vth = VEo
RZ R + VZo RZ + R R + RZ
et Rth = R // R Z
VSo = Vth
Rch Rch R VE Z + VZo Rch + Rth Rch + RZ o R
avec R >> R Z
2. Condition sur la ralisation de la stabilit Pour que la stabilisation ait bien lieu, le point de fonctionnement de la diode doit se situer lintersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractristique. Le circuit quivalent vu par la diode conduit lexpression de cette droite de charge.
ID R VEo Rch D Vth Rth D VD
' =V avec Vth Eo
Rch V' V ' = R // R , do la droite de charge I = D th et Rth ch D ' ' Rch + R Rth Rth Rch > VZo . Rch + R
' >V La condition scrit Vth Zo ou encore VE o
3. Condition sur la puissance dissipe dans la diode La puissance dissipe dans la diode doit tre nettement infrieure la puissance maximale en rgime permanent, soit VSo I Z << PZmax = VSo I Zmax ( partir des donnes constructeur).
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 4. Expression de la tension aux bornes de la charge
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R ve rz Rch vth
rth Rch vs
avec v th = v e Puisque
Rch rz et rth = R // rz v s = v th rz + R Rch + rth
rz << R
vs
Rch rz ve . Rch + rz R
5. Stabilit de la tension En considrant de trs faibles variations de v e et Rch par rapport aux valeurs nominales, on dduit les variations de v s au premier ordre par
dv s =
avec
v s v s dv e + dRch v e Rch
dv s v s Rch rz = = dv e v e R =cte Rch + rz R ch
et
v dv s rz rz = ve = s 2 dRch Rch v =cte (Rch + rz ) R e
dv s
dRch rz r dv e + z v s R Rch Rch
( Rch >> rz ).
Si dv e = 0 (stabilisation aval)
dv s r dRch z vs Rch Rch

rz dv e R
soit
dv s dRch << car rz << Rch vs Rch
Si dRch = 0 (stabilisation amont) dv s
soit dv s << dv e car rz << R
En conclusion, la stabilisation est dautant meilleure que la variation v e (t ) de la source v E (t ) est faible (bon filtrage), la rsistance dynamique rz de la diode zener est faible (caractristique verticale), la rsistance R de polarisation est grande (source de courant). Remarquons que la tension zener est considre comme parfaite dans ce problme ( VZ = 0 ). Toutefois, pour tre complet, il faudrait tenir compte du coefficient de temprature et de vieillissement de la diode ( VZ relativement faible) (voir cours Les rgulateurs de tension ).
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Circuits de stabilisation dune tension par rfrence zener

Dans ce problme, les variations dues la temprature et au vieillissement des composants ne seront pas prises en compte. Le dispositif de stabilisation en tension est reprsent sous la forme du quadriple suivant :
RE iS (t)
Stabilisation
vE (t) vS (t) Rch
en tension
La tension de sortie VS dpend donc des variations de la tension VE et du courant continu soutir IS , soit VS = f (VE , IS ) et pour de faibles variations autour du point de fonctionnement, on peut crire
V V dVS = S dVE + S dI S V E IS =ISo IS VE =VEo
avec v s (t ) = dVS , v e (t ) = dVE , i s (t ) = dI S les variations dans le rgime dynamique aux faibles signaux respectivement aux points de fonctionnement VSo , VEo , ISo .
v facteur de Du rgime dynamique v s (t ) = SV v e (t ) R0 i s (t ) , on dfinit les performances SV = s v e i s =0
v rgulation (stabilit en amont), R0 = s rsistance de sortie (stabilit en aval), partir du i s v e =0
schma suivant
R0 is
SV ve
vs
Rch
Trois dispositifs de stabilisation en tension, utilisant une rfrence de tension dlivre par une diode zener, sont proposs ici et conduisent trois problmes indpendants. Chacun des problmes demande une tude du rgime continu et une tude du rgime dynamique aux faibles signaux en vue de dterminer SV et R0 .
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Stabilisation par diode zener

RE 20 vE D R' 80 Rch 100
Diode zener D
RZ 0 , VZo = 9 V statique , R = RE + R ' . dynamique rZ = 5
Etude du rgime continu 1. Dessinez le schma. 2. Dterminez le point de fonctionnement ( I Zo , VZo ) de la diode en fonction de VE , R, VZo , Rch . 3. Evaluez I Zo pour VE = 20 V , ainsi que la puissance dissipe PZ dans la diode zener. 4. Expliquez en quelques mots la prsence de la rsistance R.
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 5. Dessinez le schma. 6. Ecrivez lexpression de la tension aux bornes de la rsistance Rch en fonction du courant qui la traverse et de la tension dentre v e . 7. Dduisez les expressions des coefficients SV et R0 , puis valuez ces derniers.
Stabilisation par transistor

RE 20 vE D R Rch 100 Q
Transistor Q
= 100, VBE 0.6 V
( >> 1 )
Etude du rgime continu 8. Dessinez le schma. 9. Le point de fonctionnement de la diode demeurant inchang, dterminez les valeurs de la tension VS et du courant IS en sortie. 10. Donnez lexpression de la rsistance R et valuez cette dernire pour VE = 20 V .
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 11. Dessinez le schma. 12. Evaluez le paramtre rbe du modle du transistor.
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13. Ecrivez lexpression de la tension aux bornes de la rsistance Rch en fonction du courant qui la traverse et de la tension dentre v e . 14. Dduisez les expressions des coefficients SV et R0 , puis valuez ces derniers.
Stabilisation par contre-raction

RE 20 R + vE D R2 20k R1 10k Rch 100 Q
Amplificateur oprationnel
Ad = 10 5 , Re = , Rs = 0
Etude du rgime continu 15. Dessinez le schma. 16. Le point de fonctionnement de la diode demeurant toujours inchang, calculez la tension de sortie VS , le courant traversant le pont R1 R2 tant de valeur ngligeable devant IS . 17. Donnez lexpression de la rsistance R et valuez cette dernire pour VE = 20 V .
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 18. Dessinez le schma. 19. Evaluez le paramtre rbe du modle du transistor. 20. Ecrivez lexpression de la tension aux bornes de la rsistance Rch en fonction du courant qui la traverse et de la tension dentre v e . 21. Dduisez les expressions des coefficients SV et R0 , puis valuez ces derniers.
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Corrig
Stabilisation par diode zener
Etude du rgime continu 1. Schma
R
RZ 0 VE VZo Rch VS
( R = RE + R ' )
2. Dtermination du point de fonctionnement de la diode Pour que la stabilisation ait bien lieu, le point de fonctionnement de la diode doit se situer lintersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractristique. Le circuit quivalent vu par la diode conduit lexpression de cette droite de charge.
ID R VE Rch D Vth Rth D VD
avec Vth = VE
Rch V V et Rth = R // Rch , do la droite de charge I D = D th . Rch + R Rth Rth

VZo Vth Rth
Les coordonnes du point de repos sont alors VDo = VZo , I Do =
3. Evaluation des variables statiques

I Zo = I Do = 20 mA et la puissance dissipe dans la diode est PZ = VZo I Zo = 180 mW .
4. Prsence de la rsistance R En labsence de la rsistance R ( R = RE ), le courant I Zo traversant la diode serait de 460 mA et la puissance dissipe de 4.14 W, valeur excessive conduisant la destruction du composant.
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Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 5. Schma

is R ve rz Rch vs
6. Relation de v s (v e , i s )
is rth vth Rch vs
avec v th = v e
rz et rth = R // rz rz + R
vs =
rz R rz ve is R + rz R + rz
7. Evaluation des coefficients SV et R0

SV = rz R rz 48 10 3 , R0 = 4.76 . R + rz R + rz
Stabilisation par transistor

RE
IB
IS
R IZo + IB VE IZo VZo IB
VBE
Rch
VS
9. Evaluation de IS et VS Le point de fonctionnement de la diode est inchang ( VZo = 9 V , I Zo = 20 mA ).
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VE = RE I B + I Zo + I B + R I Zo + I B + VZo VZ = VBE + VS Circuit o (systme 4 inconnues I B , IS , VS , R) VS = Rch IS I = ( + 1)I B S
) (
Des trois dernires quations, on tire V I VS = VZo VBEo 8.4 V , IS = S 84 mA , I Bo S 0.84 mA . Rch
10. Evaluation de la rsistance R La premire quation du systme donne R =
VE VZo RE I Zo + IS I Zo + I Bo
) 428 .

RE
ib
is
R iz + ib ve iz rz ib
rbe Rch
vs
12. Evaluation du paramtre rbe

rbe = UT 30 . I Bo
v e = RE (i z + i s ) + R (i z + i b ) + rz i z Circuit v s = rz i z rbe i b (systme 3 inconnues i b , i z , v s ( i s ,v e ) ) i = ( + 1)i b s
En liminant successivement i b et i z , on obtient la relation souhaite.

R v e = (RE + R + rz )i z + is RE + + 1 r rz rz R vs v e be + RE + is RE + R + rz RE + R + r z v = r i rbe i z z s s +1
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SV =
r rz rz R RE + 11 10 3 , R0 be + R + R + r 0.57 . RE + R + r z E z
Stabilisation par contre-raction

RE IB Q IP R 0 IZo VE VZo VS 0 R2 + IB VBE R1 Rch VS IS
16. Evaluation de IS et VS Le point de fonctionnement de la diode est inchang ( VZo = 9 V , I Zo = 20 mA ).

V + = VZ o R2 VE RE IS + I Zo + R I Zo + VZo V = R + R VS 1 2 R2 Circuit VE = RE I B + I Zo + R I Zo + VZo Ad VZo R + R VS = VBE + VS 1 2 ' + V = R I VS = Ad V V = VBE + VS S ch S V = R I ch S S IS = ( + 1)I B + I P
La deuxime quation donne VS =
Ad VZo VBEo R2 1 + Ad R1 + R2
R1 VZo 1 + R 13.5 V . 2
La troisime quation donne IS = Le courant de polarisation I Bo
VS 135 mA . Rch
1.35 mA .
IS
17. Evaluation de la rsistance R La premire quation donne R I Zo
VE VZo RE IS + I Zo
) 395 .
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RE ib ib R 0 ve iz rz + rbe vs R1 Rch vs ip is
R2
19. Evaluation du paramtre rbe

rbe = UT 18.5 . I Bo
v e = RE (i z + i b ) + (R + rz ) i z R2 ' Circuit v s = rbe i b + v s = Ad rz i z R + R v s 1 2 i ( + 1)i i b b s
En liminant successivement i b et i z , on obtient la relation souhaite.

v e RE i s + (RE + R + rz ) i z ou encore R2 rbe i s + v s Ad rz i z R + R v s 1 2 ve RE i z R + R + r R + R + r i s E z E z rbe R2 v 1 + A d Ad rz i z i s s R R + 1 2
rbe R2 rz r z RE vs + Ad R + R + r Ad R + R + r v e 1 + Ad R + R 1 2 E z E z
is

SV = rz R rz 3 1 + 1 R + R + r 17.8 10 R2 RE + R + r z R z 2 E 1 + Ad R1 + R2 Ad rbe r z RE A +R + R + r R2 d E z 1 + Ad R1 + R2 Ad R rz RE 1 + 1 R R + R + r 0.36 . 2 E z
R0 =
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Rgulateur de tension 15 V / 2 A
Lalimentation rgule de la figure ci-dessous doit rpondre au cahier des charges suivant :
VS = 15 V , IS 2 A
La tension dentre v E (t ) non rgule prsente une valeur moyenne VE = 25 V . Les transistors sont caractriss par 1 = 100 , 2 = 50 , 3 = 20 . Lamplificateur diffrentiel de tension U1 est suppos idal.
Q3 IS
D1 2mA
R2
Q2 IP << IS R3
Q1 VE + U1
R4 VS
R1 D2 R5
2mA
Ltude de ce montage seffectue en rgime continu 1. Sachant que lamplificateur diffrentiel de tension peut fournir un courant de sortie maximum de 20 mA, dmontez lobligation dutiliser un ballast Darlington (on ne tiendra pas compte ici du courant dans la rsistance R3 ). 2. Evaluez la puissance critique dissipe par Q3 (court-circuit en sortie). 3. Evaluez la rsistance R3 suivant le critre de dviation du 1/10me du courant maximum de base de Q3 . 4. La tension de rfrence est obtenue par un montage utilisant deux diodes zener polarises chacune par un courant de 2 mA et telles que VZ1 = 10 V et VZ2 = 5 V . Evaluez les rsistances
R1 et R 2 . 5. Dterminez les valeurs des rsistances R 4 et R5 du pont pour satisfaire le cahier des charges (prendre I P = 1 mA ).
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Corrig
1. Utilisation dun ballast Darlington Il nest pas ncessaire de tenir compte du courant driv par la rsistance R3 puisquun ordre de grandeur du courant de base de Q2 est recherch lorsque IS max est demand.
I B3 max I B2 max IS max
3
I B3 max
= 100 mA , valeur de courant que ne peut produire U1 (20 mA maximum) = 2 mA , valeur infrieure 20 mA.
2. Puissance critique dissipe par Q3 Le transistor Q3 dissipe une puissance maximale PQ3 VCE3 IC3 (VE VS )ISmax = 20 W , sans compter les conditions de court-circuit en sortie qui entrane VCE3
max
= 25 V . Si Q3 doit
fonctionner en toute scurit, la puissance dissipe en continu dans le pire cas doit tre faible devant sa puissance totale maximale (donne constructeur), ce qui employer un transistor dont le gain en courant min est de lordre de 20. Un montage Darlington est alors ncessaire.
3. Evaluation de la rsistance R3
VBE3 R3 I B3
max
10
R3 60
4. Evaluation des rsistances R1 et R2

R1 = VE VZ1 I1 7.5 k ( IB1 << 2 mA ) et R2 =
VZ1 VEB1 I E1
4.7 k ( I + = 0, 1 >> 1 )
5. Evaluation des rsistances R 4 et R5

R5 VS VZ2 = R 4 + R5 V = (R + R )I 4 5 P S VZ2 = 5 k R5 = =V ) IP R = VS VZ2 = 10 k 4 IP
(V
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Etage de puissance push-pull srie avec sources de Widlar

Ltude porte sur le rgime pseudo-continu de ltage terminal de puissance de la figure ci-dessous, le but tant dvaluer le rendement maximal. Une tude complmentaire dtermine les caractristiques du montage aux faibles signaux. Les paires Q1 - Q2 de gain en courant = 100 , et Q3 - Q4 de gain en courant ' = 250 , sont des transistors supposs technologiquement parfaitement complmentaires dont leffet dEarly est nglig ( VA = ). Les diodes D1 - D2 et D3 - D4 - D5 - D6 sont identiques. La valeur de la tension aux bornes dune diode ou dune jonction base-metteur de transistor sera de lordre de 0.6 V, quelque soit le courant qui traverse le composant (mme si ce courant est trs faible). Lalimentation symtrique fournit des tensions VCC = 15 V et le montage fonctionne en classe AB tel que IC1 = IC2 = 10 mA .
o o
+VCC
D3 D4 R1 400
Q3 Q1 R3 120k D1 RE1 2.2 iS(t) vE(t)
D2
RE2 2.2 Q2
Rch 100
vS(t)
Q4 D5 D6 R2 400
-VCC
Comprhension du schma 1. Donnez une brve description du circuit et expliquez, en quelques mots, son fonctionnement lors dune attaque par un signal sinusodal.
Etude du rgime continu 2. Dessinez le schma. 3. Dterminez les potentiels de nuds et les courants circulant dans les branches du montage et rapportez ces valeurs sur le schma. 4. Evaluez la puissance fournie par les alimentations.
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Etude du rgime pseudo- continu La tension dattaque du montage est augmente jusqu une valeur telle que la tension de sortie approche la limite de lcrtage. 5. Dessinez le schma. 6. Evaluez la tension et le courant de sortie dans le cas o le transistor Q3 est voisin de la saturation ( VEC3 0.2 V ). 7. Dterminez les potentiels de nuds et les courants circulant dans les branches du montage. 8. Dans un contexte sinusodal de lattaque, tracez les variations en fonction du temps de la tension VCE des transistors Q3 ou Q4 , du courant traversant les diodes D1 ou D2 , du courant de base des transistors Q1 ou Q2 et du courant de sortie. 9. Evaluez le rendement maximum du montage.
Etude du rgime dynamique aux faibles signaux 10. Dessinez le schma dans le cas dune variation de tension positive de v e (t ) en tenant compte de la prsence des rsistances rd des diodes et z0 des sources de courant. Le montage est attaqu par un gnrateur de rsistance rg = 100 . Les influences des rsistances des diodes et des sources sont ngliges ( rd = 0 , z0 = ) et le paramtre rbe1 est valu 80 . 11. Evaluez la rsistance dentre Re , le gain en tension A v = v s v e et la rsistance de sortie Rs vue par la charge.
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun circuit de polarisation qui alimente un tage push-pull srie dbitant un courant dans la charge. - Ltage push-pull, constitu des transistors complmentaires Q1 et Q2 monts chacun en metteur suiveur, doit fournir une grande excursion de tension en sortie et avoir une faible rsistance de sortie vis--vis de la charge Rch (attaque en tension). Les rsistances RE1 et RE 2 servent amliorer la stabilit thermique du montage et leur valeur doit rester faible par rapport la valeur de la charge. La tension de polarisation entre les bases dterminera la classe de fonctionnement. La polarisation seffectue grce aux sources de courant de type Widlar rgles par les rsistances R1 et R2 . Au repos, la majorit du courant issu de ces sources parcourt la paire de diodes D1 et D2 connectes en srie, produisant une translation de tension continue denviron 1.2 V et le faible courant restant constitue le courant de base de Q1 et Q2 (caractristiques des jonctions des diodes et transistors diffrentes). La distorsion de croisement est pratiquement limine en concdant une lgre conduction des transistors de sortie au repos. La classe de fonctionnement est AB.
Lorsque le signal dentre devient positif, Q1 se comporte comme une source de courant alimentant la charge et Q2 se bloque et inversement pour un signal dentre ngatif. Pour un signal sinusodal, chaque transistor ne conduit donc que durant peu prs une demi priode.
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+ 15 V
400 224 A 13.8 V 6 A 0.6 V 120k 1.4 mA 2.2 0V 0V 230 A VE 2.2 1.4 mA 100 A - 0.6 V 6 A -13.8 V Q4 - 14.4 V 1.5 mA 400 224 A 10 mA Q2 100 0A 1.5 mA 14.4 V Q3 100 A Q1 10 mA
- 15 V
3. Calcul des courants et tensions Aucune source dynamique ntant applique lentre du circuit, VE = 0 .
I R3 = 2VCC 4VD 230 A avec VD 0.6 V . R3
I R1 =
VD 1.5 mA avec VEB 0.6 V (de mme I R2 1.5 mA ). R1

o o
Les sources de courant produisent I 0 1.5 mA car IC3 I R1 et IC4 I R2 .

I D3D4 I R3 IC 3
o
'
224 A
Les valeurs des potentiels et courants sont indiqus sur le schma ci-dessus.
4. Calcul de la puissance fournie Par symtrie, chacune des alimentations fournit au montage le mme courant
+ =I ICC C1 + I R1 + I D3D4 11.7 mA (ou ICC = IC2 + I R2 + I D5D6 )
+ + I ) 352 mW Pfournie = 2VCC (ICC CC
o o
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Etude du rgime pseudo-continu En considrant la valeur crte Vemax de lalternance positive de la tension sinusodale v E (t ) , le transistor Q2 est bloqu et la tension crte de sortie VS est maximale (limite de lcrtage). 5. Schma
+ 15 V
400 224 A 13.8 V 6 A 14.2 V 120k 170 A 1.5 mA 14.4 V Q3 1.33 mA Q1 13.6 V 2.2 13.6 V 13.3 V 230 A VE 1.5 mA 13 V 6 A -13.8 V Q4 - 14.4 V 1.5 mA 400 224 A 100 133 mA 133 mA
- 15 V
6. Calcul des valeurs maximales des tension et courant de sortie Le transistor Q3 est au voisin de la saturation,
VCC VD + VEC3 sat + VBE1 + RE1 + Rch ISmax ISmax 133 mA et VSmax 13.3 V VSmax = Rch ISmax Il faut noter que Q3 ne dlivrera un courant I 0 constant (effet Early nglig) que si la tension VEC3 est suprieure ou voisine de VECsat .
7. Calcul des courants et tensions
I B1 max
ISmax
1.33 mA , I D1 = I 0 I B1max 170 A .
Les valeurs des potentiels et courants sont indiqus ci-dessus. Le courant traversant la diode D1 tant relativement faible, la tension ses bornes est surestime par lhypothse du problme ( 0.5 V < VD1 < 0.6 V ). Il serait peut-tre concevable daugmenter la
valeur de I 0 afin dobtenir une polarisation plus correcte des diodes D1 et D2 au dtriment du rendement.
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Il est aussi remarquer que la tension VCC fournit uniquement les courants dalimentation de la source de Wildar Q4 - R2 et quune tension de 0.3 V est perdue aux bornes de la rsistance RE1 ( VEmax 13.6 V ). Le gain en tension du montage est donc VSmax VEmax 0.98 .
8. Dtermination des variations sinusodales Ltude de la polarisation fournit les valeurs t = 0, T 2 , T . Ltude prcdente apporte les valeurs maximales obtenues t = T 4 ainsi qu t = 3T 4 par la symtrie complmentaire du montage, lorsque le signal sinusodal dattaque passe respectivement par les valeurs crte maximale et minimale. Au sein des chronogrammes, le signal sinusodal est de frquence 1 kHz (priode 1 ms).
30V
20V
(0, 13.8) (745u, 27.4)
vEC3(t)
10V (245u, 200m) 0V 20V (245u, 13.6)
vE(t)
0V (1.25m, 13.3)
vS(t)
(745u ,-13.6) -20V 0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms Time 1.2ms 1.4ms 1.6ms
(1.75m, -13.3)
1.8ms
2.0ms
La tension v EC (t ) de Q3 varie de 0.2 V ( VECsat ) 27.4 V en valeurs extrmes, de valeur moyenne VECo = 13.8 V et damplitude crte Vec = 13.6 V . Les tensions maximales dentre et de sortie diffrent de 0.3 V (prsence des rsistances de stabilisation en temprature) puisque ces calculs ont t obtenus en supposant que les jonctions de composants prsentaient 0.6 V malgr des courants et caractristiques diffrentes. En continu, le potentiel de sortie est nul par le fait que les composants du circuit sont parfaitement complmentaires et identiques.
2.0mA
(245u, 1.33m)
I0(t)
(757u, 29n)
(1.36m, 1.5m)
1.0mA
(245u, 170u)
iD1(t)
(1.5m, 100u)
iB1(t)
0A 200mA
(0, 10 m) (245u, 133m)
iC1(t) iC2(t)
(1.5m, 10m)
0A
-200mA 200mA 0A -200mA 0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms

(245u, 133m)
(745u, -133m)
(1.5m, -10m)
iS(t)
(745u, -133m) (1.5m, 34n)
1.0ms Time
1.2ms
1.4ms
1.6ms
1.8ms
2.0ms
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Quant aux variations des courants, les courants collecteurs de Q1 ou Q2 , limage de leurs courants de base, correspondent un signal monoaltern d la classe AB. Sur un faible temps par rapport la priode, langle de conduction est suprieur et la distorsion de croisement napparat aucunement dans lvolution de i S (t ) , les caractristiques non linaires de Q1 et Q2 tant identiques. Lvolution du courant dans la diode D1 est linverse de lvolution du courant de base de Q1 puisque leur somme est pratiquement constante I 0 .
9. Calcul du rendement maximum Le calcul seffectue pour une dynamique maximale aux bornes de la charge. La puissance utile est alors Putile max
(V =
s max
Rch
0.885 W (efficace).
Lalimentation + VCC fournit le faible courant parcourant les diodes D3 - D4 , le courant dmetteur de Q3 (courants constants sur la priode) et la valeur moyenne du courant monoaltern de collecteur de Q1 damplitude crte I s (courant variable existant uniquement sur la premire demipriode), I 1 + I s sin d = s ( = t , I s = ISmax ) = I D3D4 + I 0 + IC1moyen 44.06 mA avec IC1moyen soit ICC 2 0
Vu la symtrie du montage, lalimentation VCC fournit la mme quantit de courant, soit

+ ICC = I D5D6 + I 0 + IC2 moyen , do Pfournie max = VCC ICC + ICC 1.32 W max =
Putile max Pfournie max
0.67 .
Ce rendement parait trs honorable pour cette structure. Il est noter un point de dtail dans le calcul de la valeur moyenne des courants de collecteur des transistors de sortie, effectu plus haut entre 0 et . En effet, ce calcul sous-estime trs lgrement la valeur moyenne du vrai signal dangle de conduction suprieur (propre la classe AB).

rd ve rd + z0 rbe i
i
RE1 vs Rch
z0
11. Evaluation des caractristiques Rsistance dentre Re = rbe + ( + 1) RE1 + Rch 10.4 k
Rg + vg ve
rbe
RE1 vs Rch
Gain en tension ( + 1)Rch v Av = s = 0.97 v e rbe + ( + 1) RE1 + Rch
Rsistance de sortie vue par la charge rg + rbe Rs = + RE1 4 . +1 (performances dun tage collecteur commun)
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Push-pull srie pilot par amplificateur de tension intgr et contre-raction

Ltude porte sur lamplificateur de puissance reprsent la figure ci-dessous. Cette tude est effectue en rgime dynamique aux faibles signaux en tenant compte des paramtres suivants :
U1 R d = 1 M , Rs = 100 et fonction de transfert rd 0 Ad 1 avec Ad = 10 5 et fh = = 10 Hz 1+ p 2
Q1, Q2 D1, D2
= 100 , rbe = 80 , rce = , Cbe , Cbc de valeurs ngligeables
I1, I2
z0 trs grand
R4
9k +15V
I1 Q1
U1 + V vE D2 D1 R1 2.2 R2 2.2 vS
Rch 100
R3 1k I2 C1 10u Q2
-15V
Comprhension du montage 1. Expliquez brivement ce montage et prciser le type de contre-raction et la classe de fonctionnement. 2. Dessinez le montage sous forme de schmas-blocs faisant apparatre la chane directe G( p) et la chane de retour B( p ) .
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes 3. Caractrisez la chane directe ( Ze , Zs vue par la charge, Av ) et de la chane de retour.
' ' , Zs vue par la charge, A'v ) en vrifiant les 4. Caractrisez le montage en boucle ferme ( Ze
conditions dadaptation dimpdances. 5. Si un signal parasite v p de 1 Vpp sajoute au signal v issu de lamplificateur U1 , exprimez la tension de sortie v s en fonction des tensions v e et v p . Interprtez ce rsultat.
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Etude du rgime dynamique aux frquences hautes et basses 6. Calculez la frquence de coupure haute. 7. Dessinez le schma quivalent aux basses frquences et calculez la frquence de coupure basse. 8. Tracez la rponse en frquence du gain en tension dans le plan de Bode. 9. Dterminez les expressions des impdances dentre et de sortie en fonction de la frquence et interprtez les rsultats. 10. Pour un signal dentre en forme dchelon, dterminez le temps de monte du signal de sortie, temps dfini entre 10 et 90 %.
Corrig
Comprhension du montage 1. Explication Le circuit est un systme asservi tel que la chane directe se compose dun amplificateur diffrentiel de tension U1 pilotant un tage push-pull srie et la chane de retour dun attnuateur rsistif. La configuration tant srie/parallle, le circuit subit une contre-raction tension/tension. - Ltage push-pull, suiveur de tension, prsente une translation de tension entre les bases des transistors Q1 et Q2 , produite par deux diodes D1 et D2 montes en srie. Cette translation dfinit un fonctionnement en classe B/AB. Les sources de courant doivent, potentiellement, fournir les courants de polarisation des diodes et les courants de base permettant datteindre le niveau de saturation de la tension de sortie. Les rsistances R1 et R2 amliore le comportement thermique de ltage de puissance (stabilisation par rsistance dmetteur). - Le circuit de retour fixe le gain en tension de lensemble contre-ractionn car la chane directe possde un fort gain en tension par le biais de lamplificateur U1 .
-
La contre-raction est totale en rgime continu. En effet, le condensateur C1 tant assimil un circuit ouvert et lentre du montage tant connecte la masse, lasservissement maintient le potentiel continu de sortie 0 V. En rgime dynamique, la contre-raction est partielle, fixe par le pont rsistif car le condensateur est assimil un court-circuit dans le domaine des frquences de travail.
2. Schma
+ vd ve U1
G(p)
tage suiveur Rch vs
R4
R3 vr C1
B(p)
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes
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Ladaptation sur la charge tant suppose ralise (ici condition de circuit ouvert en sortie ou encore Rch ), nous caractrisons chaque bloc de faon indpendante, puis le montage contre-ractionn en validant les conditions dadaptation des blocs (voir cours La contre-raction ).
3. Caractrisation des chanes directe et de retour
(+) Rs + vd Rd (-) Ad vd z0 / 2 rbe i

i
R1 vs
Rch
Pour la chane directe, lentre (-) de lamplificateur diffrentiel de tension U1 est la masse, les deux sources de courant sont en parallle ( z0 2 >> Rs ) et Rch .
A d ( + 1)Rch v A d v d (Rs + rbe )i + ( + 1)(R1 + Rch )i Av = s A d = 10 5 ( )( ) v R + r + + 1 R + R ( ) v = + R i 1 d s be ch 1 ch s Le calcul de la rsistance de sortie du diple se fait en teignant la tension dentre ( v d = 0 )
i 0 + ( + 1)i = 0 v R +r Z s = 0 R1 + s be 4 et Z e = Rd = 1 M ( ) ( ) 1 v R + r i + R i i +1 s be 1 0 0
La chane de retour est un quadriple rsistif suppos attaqu en tension v s , non charg, et de tension de sortie v r , le condensateur C1 tant assimil un court-circuit, soit
R3 vr = =. v s R3 + R 4
4. Caractrisation du montage en boucle ferme La thorie de la contre-raction rclame la connaissance du facteur 1 + G( p ) B( p ) , soit, aux frquences moyennes, 1 + Ad 10 4 avec G A v A d et B .
' = Z (1 + A ) 1010 Le gain est alors A 'v = Ad (1 + Ad ) 10 , la rsistance dentre est Z e e d
(topologie srie) et la rsistance de sortie Z 's = Z s (1 + Ad ) 0.4 m (topologie parallle).
+ ve vd Ze Av vd
Zs Rch vs + Zs Rch Av ve vs
R4
ve
Ze
vr
R3
Le quadriple de retour est attaqu tel que Z s << R3 + R 4 et Z e >> R3 // (R 4 + Z s ) ne charge pas la sortie ( Z s << Rch ). Les conditions dadaptation en tension sont donc satisfaites.
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La tension de sortie en charge est alors v s =
Rch A 'v v e A 'v v e puisque Z 's << Rch , ce qui ' Rch + Z s correspond bien une attaque en tension de la charge (condition de circuit ouvert en sortie).
5. Influence dun signal parasite Le signal parasite v p sajoute au signal v issu de lamplificateur U1 .
vp ve +
Ad
-
+1
vs
vp Ad v 1 v s = v p + v + e vs = vp + v e , mais Ad >> 1 v s A A A 1 + 1 + ( ) v A v v = d d d d e s En sortie, la composante issue de la perturbation est divise par le gain Ad de lamplificateur diffrentiel par rapport la composante du signal dentre. Pour v p = 1 Vpp , 100 V viennent sajouter au transfert de tension.
Etude du rgime dynamique aux frquences hautes et basses 6. Calcul de la frquence de coupure haute Le systme en boucle ferme scrit H ( j ) =
G( j ) avec G( j ) = 1 + G( j ) B( j )
1+ j h
Ad
et B = , ce
qui donne H ( j ) =
Ad 1 + Ad
1+ j ' h
' = (1 + A ) avec h d h (voir cours La contre-raction ).
La contre-raction augmente la frquence de coupure haute fh' 100 kHz ( fh = 10 Hz ).
7. Calcul de la frquence de coupure basse

(+) ve = 0 vd (-) R4 Ze Av vd + Rch vs Zs
R3
C1
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Le systme est du premier ordre puisque le circuit comporte un seul condensateur. Le ple de la fonction de transfert est trouv partir de la constante de temps C1 Req , avec Req rsistance quivalente du diple vue aux bornes du condensateur. Pour ce calcul, remarquons que la branche compose de la source lie et de la rsistance R 4 possde la tension v d ses bornes aprs avoir constat que Z s << Rch (Thvenin).
i0
R3
i v0
vd Ze R4 + Av vd
v d Av v d + R 4 i
vd R4 i 1 + Av
do Req =
v0 R4 R3 + Z e // R3 . i0 1 + Av
La frquence de coupure basse est fb
1 15.9 Hz , valeur trs acceptable puisque le 2 R3 C1
gain en tension de la chane directe, fonction de la frquence, na pratiquement pas vari ( 10 5 ). La fonction de transfert en tension peut sannuler par la prsence du mme condensateur. En effet, si la tension de sortie v s est nulle, C1 voit ses bornes les rsistances R3 et R 4 // Z e en srie et la valeur de la frquence de coupure relative au zro est fz
p 1 1.59 Hz . 2 (R3 + R 4 )C1
La fonction de transfert est de la forme H (p ) =
1+ 1+
z
p
1 + (R3 + R 4 )C1 p ( p = j ). 1 + R3 C1 p
Pour H ( j )
Pour 0 H ( j ) 1 ( 0 dB )
R3 + R 4 = 10 ( 20 dB ) R3
8. Trac du gain en tension

30
(15.849, 17.015) 20
contre-raction dynamique
(104.713K, 17.012)
ple
ple
10
(1.6046, 3.0025)
zro
contre-raction statique
0
pente 20 dB/dcade
pente - 20 dB/dcade
gain unit
-10 100mHz 10mHz DB(V(S))
1.0Hz
10Hz
100Hz Frequency
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
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9. Expressions et tracs des impdances En ngligeant leffet d au condensateur C1 (effet aux basses frquences),
Ad ' ( j ) = Z e Ze 1 + 1 + j = Z e (1 + Ad ) 1 + j
1 + Ad ' = Ze 1 + j
1+ j
' h 1+ j h
' ' 0, Ze 1010 (200 dB, boucle ferme), , Z e 10 6 (120 dB, boucle ouverte)
1+ j Zs Zs h 1 + j ' ' Z s (p ) = = Zs Ad 1 + Ad 1 + j 1+ j ' 1+ 1 + Ad 1 + j h

' ' 0, Z s 0.4 m (- 68 dB, boucle ferme), , Z e 4 (12 dB, boucle ouverte)
Les ples et zros sont positionns aux valeurs 10 Hz et 100 kHz. Ces rsultats indiquent que les impdances voluent rapidement partir de la frquence de coupure de la chane directe.
10. Evaluation du temps de monte La rponse dun systme du premier ordre un chelon de tension damplitude V scrit t v S (t ) = V 1 e avec constante de temps du systme aux faibles signaux. 10 v S (t1 ) = 0.1 V t1 = Ln t r = t 2 t1 = Ln 9 9 v (t ) = 0.9 V t = Ln 10 2 S 2 soit t r 2.2 ou t r
2 .2
ou encore t r
0.35 ( fh frquence de coupure haute). fh
Ici, le passe-bas du premier ordre prsente une frquence de coupure haute fh' 100 kHz et le temps de monte scrit t r' de la chane directe). Ainsi, en rponse un chelon de tension en entre, le temps de monte est amlior par la contre-raction dautant mieux que est grand ou encore le gain en boucle ferme A 'v 1 est faible. 0.35 fh' = t 0.35 r et svalue 3.5 s ( t r temps de monte (1 + Ad )fh Ad
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Etage de puissance push-pull srie en pont

Ltude porte sur ltage amplificateur de puissance pont en pont dont le schma de principe est reprsent la figure ci-dessous. Les transistors de sortie ( Q1 , Q2 , Q5 , Q6 ) possdent un gain de 50 et les prcdents ( Q3 , Q4 , Q7 , Q8 ) un gain de 100. Les sources de courant I 0 sont constitues par des miroirs lmentaires dont les transistors ont un gain en courant trs lev devant lunit. Dans chacune de ces trois catgories, les transistors sont supposs technologiquement parfaitement identiques ou complmentaires. Les amplificateurs de tension ( U1 , U 2 ) sont supposs idaux et les diodes identiques. La valeur de la tension aux bornes dune diode ou dune jonction base-metteur de transistor sera de lordre de 0.6 V, quelque soit le courant qui traverse le composant (mme si ce courant est relativement faible). Les courants traversant les rsistances de 100 seront ngligs dans les calculs. Lalimentation fournit une tension VCC = 12 V et la charge Rch est de valeur 4 .
+ 12 V
I0 10k Q3 Q1 100 + 1 vF(t) 100k 100 vE(t) 200k 10k 10 I0 Q4 U1 vA(t) 0.33 Rch Q5 0.33 100 Q7
I0 100k
100k
vB(t) U2 + 100
0.33 Q2
vS(t)
0.33 Q6
Q8
I0
Etude du rgime continu 2. Dessinez le schma et indiquez les potentiels de nuds en considrant la polarisation des tages de puissance en classe B.
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Etude du rgime pseudo-continu Une tension sinusodale v E (t ) est applique en entre. Sa valeur crte est rgle de faon obtenir une dynamique de sortie maximale correspondant la limite de lcrtage. Dans cette situation, le courant minimum de polarisation des diodes est pris la valeur denviron 600 A et les transistors des sources I 0 sont au voisinage de la saturation ( VCEsat 0.2 V ). 3. Dessinez le schma. 4. Calculez les valeurs crte des signaux v S (t ) , v A (t ) , v B (t ) , v E (t ) et tracez les chronogrammes. 5. Evaluez le rendement maximum du montage.
Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes Chaque tage de puissance possde un gain en tension voisin de lunit, une rsistance dentre importante devant la rsistance de sortie de lamplificateur intgr et une rsistance de sortie faible devant la charge. 6. Dessinez le schma. 7. Evaluez le transfert en tension Av = v s v e du montage.
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le condensateur de liaison (1 F) isole lentre du continu et le condensateur de dcouplage (10 F) permet la connexion de lentre non inverseuse de U1 la masse dans le domaine des frquences de travail (dcouplage du pont 10 k/10 k). Ainsi U1 est mont en amplificateur inverseur et U 2 en amplificateur non inverseur. Ces amplificateurs pilotent chacun un tage suiveur push-pull srie Darlington simples dont les sorties sont connectes la charge. Lensemble constitue un montage de puissance mont en pont (structure en H) aliment par une tension unique de 12 V. Le diviseur de tension 10 k/10 k impose un point de repos des amplificateurs de tension et de puissance la moiti de la tension dalimentation de manire profiter du maximum dexcursion de la tension de sortie sur la charge. Quatre diodes compensent les seuils de conduction des jonctions des transistors et dfinissent une classe B/AB. Les rsistances de 0.33 , valeur faible devant celle de la charge, servent la stabilit en temprature des transistors de sortie. Les rsistances de 100 amliorent galement cette stabilit par drivation du courant de fuite des Darlington. Les sources de courant I 0 fourniront le courant de polarisation des diodes et le courant maximum de base des Darlington ncessaire lobtention de la dynamique maximale en sortie.
Etude du rgime continu 2. Schma avec valeurs des potentiels de noeuds Les amplificateurs de tension tant supposs parfaits, aucun courant ne circule dans la rsistance de 100 k connecte la borne non inverseuse de U 2 . De ce fait, les potentiels dentre des deux amplificateurs sont au mme niveau. Aucun courant ne circule dans la rsistance de 100 k connecte la borne non inverseuse de U1 puisque la diffrence de potentiels aux bornes de celle-ci est nulle. Ainsi, il ny a pas de courant traversant les rsistances de retour de U1 (200 k)
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et U 2 (100 k). Le pont de rsistances de 10 k fixe les potentiels dentre des amplificateurs de tension la moiti de la tension dalimentation, soit 6 V. Les potentiels VA et VB tant aussi 6 V,
VS = 0 . Les diodes et les jonctions en direct des transistors produisent une translation de tension de 0.6 V.
+ 12 V
I0 10k 7.2 V Q3 Q1 6V 0.33 U1 0 200k 10k 0 4.8 V Q4 6V 6V Rch Q5 0.33 Q7
I0 7.2 V 0 100k
100k
6V
6V 6V U2 +
100k
0.33 Q2
0V
0.33 Q6 Q8 4.8 V
I0
I0
Etude du rgime pseudo-continu Considrons la demi priode pendant laquelle les transistors
Q2 , Q5 , Q4 , Q7 tant ltat bloqu. Le schma est alors le suivant.
Q1 , Q3 , Q6 , Q8
conduisent,
3. Schma
+ 12 V
I0 11.8 V ID min IB max Q3 Q1 10.6 V VS 6V 100k VF + U1 10.6 V 0.33 9.95 V VA IS max 1.4 V 200k Q6 Q8 IB max Rch VB 2.05 V 0.33 1.4 V
I0 100k
100k U2 + VF 6V
ID min 0.2 V
I0
I0
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4. Calcul des valeurs crte maximales des tensions et tracs Les transistors des miroirs de courant sont au voisinage de la saturation et dlivreront un courant I 0 constant (effet Early nglig) tant que leur tension VCE > VCEsat .
VCC = VEC sat ( PNP ) + VBE3 + VBE1 + (2 RE + Rch )ISmax + VEB6 + VEB8 + VCE sat ( NPN ) ISmax 1.974 A .
VSmax = Rch ISmax 7.9 V valeur maximale autour de la tension au repos 0 V, soit Vs 7.9 Vcrte . VAmax = VCC VEC sat ( PNP ) VBE3 VBE1 + RE ISmax 9.95 V ,
VBmax = VCE sat ( NPN ) + VEB6 VEB8 + RE ISmax 2.05 V carts maximaux par rapport la tension au repos 6 V, soit Va = Vb 3.95 Vcrte . Les courants circulant dans les branches de contre-raction des amplificateurs de tension sont de valeurs ngligeables devant celui traversant la charge, mais importants compars aux courants dentre de ces amplificateurs (supposs nuls). 2 1 Pour U1 , V + = V = VF + VA = 6 V VF = 4.025 V 3 3 1 Pour U 2 , VF = V = (VB + 6 ) = 4.025 V 2 cart maximum par rapport la tension au repos 6 V, soit Vf = 1.975 Vcrte .
La prsence du condensateur de liaison en entre translate ce signal autour de 0 V (isolation du continu), soit VEmax = VF 6 = 1.975 V . Ve 1.975 Vcrte est donc la valeur de lamplitude de la tension sinusodale dentre ne pas dpasser avant crtage du signal de sortie. Ce montage en pont prsente un transfert en tension VSmax VEmax = 4 , ce qui quadruple la puissance en sortie par rapport au montage traditionnel.
10V (250u, 9.95) (750u, 9.95) 5V (250u, 7.975) (1m, 6.0) (750u, 4.025) (250u, 2.05) 0V 10V (250u, 1.975)
vF (t)
vA (t)
vB (t)
vS (t)
(750u, 7.9)
vE (t)
0V (250u, - 7.9) (750u, - 1.975) -10V 0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms Time 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms
Au sein des chronogrammes, le signal sinusodal est de frquence 1 kHz (priode 1 ms).
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5. Calcul du rendement maximum
Puissance maximale en sortie
Putilemax
(V =
Rch
7.8 W avec Vs amplitude crte maximale.
Puissance fournie par lalimentation sur une priode Lalimentation fournit les courants de polarisation des miroirs du haut du schma (chacun des transistors dun miroir consomme un courant constant I 0 ), ainsi que les courants de collecteur de Q1 , Q3 , Q5 et Q7 , de forme sinusodale mono alterne dont les valeurs moyennes scrivent
IC1 moy = IC5 moy Is
628 mA et IC3 moy = IC7 moy
Is
12.6 mA ( I s amplitude crte maximale),
do ICC = 2 I 0 ( miroir ) + 2 I 0 ( miroir ) + IC1 moy + IC3 moy + IC5 moy + IC7 moy . Le courant constant I 0 doit tre suprieur au courant de base maximum de Q3 de faon polariser les diodes dans ce cas extrme. Pour cela, lhypothse propose I Dmin 0.6 mA et donc
I0 = IDmin + I B3 max 1 mA avec I B3 max 0.4 mA . Pfourniemax = ICC VCC 15.42 W , max 0.506 .
Ce calcul correspond au rendement de ltage terminal. Le montage propos montre une consommation supplmentaire de courants due au pont de polarisation gnrale 10 k/10 k (0.6 mA) et aux amplificateurs de tension. La consommation est essentiellement dfinie par le courant moyen des transistors de puissance Q1 , Q2 , Q5 , Q6 .
Rgime dynamique aux faibles signaux 6. Schma

+ va U1 100k ve 200k + vb
Rch
+1
vs
+1
U2 100k
ve
100k
7. Evaluation du gain en tension Les adaptations en tension tant ralises, les tensions vide ( Rch = ), en sortie des montages inverseur et non inverseur, sont respectivement v a 2 v e et v b 2 v e . Les contre-ractions tension/courant et tension/tension produisent une trs faible rsistance de sortie (topologies parallles), ce qui permet dcrire v s = v a v b 4 v e . Ce rsultat est videmment identique celui trouv dans ltude du rgime pseudo-continu.
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Amplificateur de tension (inspir du LM741 de National Semiconductor)

On considre le circuit intgr de la figure ci-dessous. Le but est de caractriser lamplificateur de tension, puis dvaluer le produit gain bande passante au sein dune tude aux faibles signaux. Tous les transistors de type NPN sont supposs identiques ( = 250 , VANPN = 100V ). Pour les transistors de type PNP, Q3 , Q4 identiques ( ' = 5 , VAPNP trs grand), Q10 , Q11, Q15 identiques ( = 250 , VAPNP = 50V ). Lalimentation symtrique du montage est telle que VCC = 15 V
et la
rsistance de charge se situe hors puce.

+VCC
Q1 Q2 Q11 v1 Q3 Q4 v2 R4 R1 57.6k C 30p Q7 4.5k R5 7.5k Q6 Q5 R2 9.78k R3 20k Q13 Q12 Q8 Rch Q15 vS Q9 Q10 Q14
-VCC
Comprhension du schma 1. Donnez une description prcise du circuit. Etude du rgime continu 2. Dterminez les courants de collecteur de Q10 et Q13 . 3. Evaluez la tension entre les bases de Q14 et Q15 , puis concluez sur la classe de fonctionnement du dernier tage. 4. Dessinez le montage dans son rgime. 5. Calculez les courants de collecteur de Q1, Q2 ,Q3 , Q4 , Q5 , Q6 , Q7 , Q8 et Q9 . Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 6. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors. 7. Evaluez les rsistances dynamiques prsentes par les tages de polarisation Q10 - Q11 - R1 - Q12 Q13 - R2 ( z10 , z13 ), par lensemble Q9 - R4 - R5 entre bases de Q14 - Q15 ( z9 ), ainsi que les lments de la caractrisation de lensemble Q5 - Q6 ( ze , zs , Ai ). 8. Dessinez le montage dans son rgime. 9. Caractrisez le montage en rgime purement diffrentiel ( Ad , Zd , Zs ). 10. Caractrisez le montage en rgime de mode commun ( Ac , Zc ). 11. Dduisez le taux de rjection de mode commun. ' ' 12. Caractrisez ltage de gain en tension Q7 - Q8 ( A v , Z e , Zs ).
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Circuits intgrs
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences hautes) 13. Calculez la frquence de coupure haute du montage, les transistors tant sous leur schma aux frquences moyennes. Justifiez ce rsultat, puis valuez le produit gain bande du circuit. Etude du rgime pseudo-continu 14. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) , IC4 (VD ) et I (VD ) de ltage diffrentiel avec I courant de court-circuit en sortie de ltage. Tracez ces fonctions. 15. Dmontrez quen considrant la zone linaire des transferts, on retrouve lexpression du transfert en tension vide de ltage diffrentiel obtenu lors de ltude en rgime dynamique aux faibles signaux. Ecrivez lexpression de la conductance de transfert i (v d ) .
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Circuits intgrs
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun circuit de polarisation, dun amplificateur diffrentiel, dun tage de gain en tension et dun tage de sortie push-pull. - Le circuit de polarisation est compos dune source de Widlar Q12 - Q13 - R2 et dun miroir de courant lmentaire Q10 - Q11 polarisant respectivement ltage diffrentiel par le point commun des bases de Q3 - Q4 et lmetteur commun Q8 . Les courants de ces sources sont rgls par la rsistance R1 .
-
Ltage diffrentiel est un amplificateur cascode, permettant dobtenir une bande passante plus leve que le montage traditionnel comportement metteur commun. Les collecteurs communs Q1 et Q2 sont suivis de bases communes Q3 et Q4 dont la charge dynamique du point commun des bases est la source de Widlar et la charge dynamique des collecteurs est un miroir de courant Q5 - Q6 . Le choix de la source de Widlar est, dune part, de polariser ltage dentre trs faible courant (effet lentille au lieu dun effet miroir) et, dautre part, de prsenter une charge dynamique trs importante en vue de minimiser au mieux lamplification de mode commun. La prsence du miroir permet de doubler le courant dynamique traversant la rsistance interne de cette source, donc de doubler la valeur du gain diffrentiel en tension (condition vide). Il est remarquer que la sortie de ltage est alors asymtrique. Ltage de gain en tension, ncessaire pour obtenir un gain global de quelques centaines de mille, est compos dun collecteur commun Q7 suivi par un metteur commun Q8 dont la forte charge dynamique est le miroir de courant Q10 - Q11 . Le rle du collecteur commun est damliorer le transfert en tension entre ltage diffrentiel de forte rsistance de sortie (amplificateur conductance de transfert) et ltage metteur commun de relativement faible rsistance dentre. Ltage de sortie est un tage push-pull srie metteur suiveur complmentaire, car Q14 et Q15 sont des transistors de type oppos et monts en collecteur commun. Le rle de cet tage en rgime dynamique est dabaisser la rsistance dynamique en sortie du circuit afin de satisfaire ladaptation en tension vis--vis de la charge, tout en produisant un courant notoire dans cette dernire. De plus, cette structure permet une dynamique maximale en sortie par rapport aux tensions dalimentation. En rgime continu, le point commun de sortie des metteurs doit tre au potentiel 0 V en absence de dynamique, ainsi pas de courant traversant la charge, donc dcalage de tension nul (ralisable par une contre-raction totale tension-tension statique). La structure Q9 - R4 - R5 est un multiplicateur de VBE polaris par le courant du miroir Q10 - Q11 . Son rle consiste produire une translation de tension continue entre les bases de Q14 et Q15 dont la valeur dfinit la classe de fonctionnement de ltage push-pull (A, AB, B). Pour ce type de circuit intgr, la classe B est recommande afin de dissiper un minimum dnergie au repos dune part, et dautre part, de minimiser la distorsion de croisement que produirait ltage de sortie sans cette translation. La distorsion restante sera fortement rduite par leffet de contreraction d la prsence dlments extrieurs au circuit. La capacit intgre C est une capacit de compensation par effet Miller sur ltage de gain, requise pour rtrcir la bande passante de lamplificateur afin que ce dernier soit inconditionnellement stable. De ce fait, les applications de ce circuit intgr appartiennent au domaine de lamplification linaire basses frquences, donc non utilisable en fonctionnement en commutation par manque de rapidit d au phnomne de triangulation (slew rate).
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Circuits intgrs
Etude du rgime continu 2. Courants issus des sources

+VCC
Q11 VEB11 Q10
I pol
Courant de 2VCC VEB11 VBE12 o o = 500 A R1

Miroir de courant IC10 I pol 500 A
o
rfrence
R1 IC13 Q13 R2 VBE12 Ipol
IC10
Q12
Source de Widlar
I R2 pol IC13 Ln o UT IC13 o (quation transcendante)
-VCC
do IC13 10 A
o
3. Multiplicateur de VBE
R4 VCE9 = VBE 9 1 + R 0.96 V 5 La valeur numrique trouve permet de prciser la classe du push-pull srie, ici classe B. En effet, cette tension compense les seuils de conduction des deux jonctions base-metteur des transistors Q14 et Q15 (deux fois 0.5 V) et les valeurs de leurs courants de base ne sont pas significatifs (absence de ltage push-pull au sein du schma en rgime continu).
4. Schma
Q1
Q2 IC10o miroir 0A translateur de tension 15 V
30 A Q3 25 A 25 A
500 A 30 A Q4 128 nA Q7 32 A VCE9 0.96 V
2 A Q5 Q6 IC13o 10 A source de 30 A Widlar R3 20k
Q8
0A 15 V
Les sources dynamiques sont teintes ( v 1 = v 2 = 0 ). Les tages de polarisation sont remplacs par leur quivalent statique, savoir des sources de courant ( IC10 , IC13 ) et de tension VCE9 . Les
o o o
deux alimentations continues VCC sont videmment prsentes. Attention, le miroir de courant Q5 Q6 , reprsent sous sa forme originelle, reconduit le courant issu du collecteur de Q3 sa sortie,
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Circuits intgrs
mais nest pas, pour autant, un tage de polarisation. Ltude du pseudo-continu permettra de mieux saisir son rle. 5. Calcul des courants collecteurs Pour ltage diffrentiel
+VCC Q1 Q2
VEB3 VEB4 VBE1 Q3 VBE2 Q4
VBE1 VBE 2 = VEB4 VEB3 I E = I E3 quations du circuit 1 I E2 = I E 4 I C13 = I B3 + I B4
IC13
Q Q 2 1 quations technologiques Q3 Q4
I E1 IE2 I E3 IE4
VBE1 VBE2
UT VEB3 VEB4
UT
I E1 I E2
IE4 I E3
I E1 = I E 2 et I E3 = I E 4 , do IC3 = IC4 =
o o o o o o
'
2
IC13 = 25 A , IC1 = IC2 30 A

o o o
Pour ltage de gain
IC8 = IC10 500 A et I E7 =

o o o
VBE8 R3
+ I B8 IC7 32 A
o o
Pour le multiplicateur de VBE , IC10 = IC9 + I B9 +

o o o
VBE9 R5
IC 9 =
o
+ 1
IC10
o
VBE9 o 418 A R5
Pour la charge de ltage diffrentiel : quations technologiques Q5 Q6 IC5 IC6 car VBE5 = VBE6 en ngligeant leffet Early.
IC3 = I B5 + I B6 + IC5 quations des nuds IC4 = I B7 + IC6 I B5 + I B6 << IC5 et I B7 << IC6 IC5 = IC6 IC4 = 25 A
o o o
Un quilibrage de ltage peut tre ncessaire car I B5 + I B6 I B7 (voir la structure du 741).

o o o
Etude du rgime dynamique (faibles signaux) 6. Paramtres des modles

do rbe1,2 209 k , rce1,2 3.34 M , rbe3,4 5 k , rce3,4 ,
rbe5,6 250 k , rce5,6 4 M , rbe7 196 k , rce7 3.14 M , rbe8 12.5 k , rce8 200 k , rbe9 15 k , rce9 239 k , rce10 100 k , rbe13 625 k , rce13 10 M
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7. Elments dynamiques demands Les tages de polarisation sont quivalents des charges dynamiques R2 48.5 M (Widlar) z10 = rce10 = 100 k (miroir lmentaire), z13 rce13 1 + R2 + rbe 13 Le miroir de courant, chargeant ltage diffrentiel, est quivalent un quadriple de transfert en courant dont les paramtres valent rbe5 992 , zs = rce6 = 4 M , Ai = 0.992 ze = +2 +2
Le translateur de tension est quivalent une rsistance z9 de valeur ngligeable devant la charge z10 mise en srie au niveau du collecteur de Q8 .
z9 R 4 + R5 // rbe9
1 + g m9 (R5 // rbe9 )
112
8. Schma en rgime dynamique
Q1
Q2 z10 miroir Q14 translateur de tension Rch Q8 source de Widlar Q15 vs
v1 Q3 ic3 Q4
v2
C Q7
z9
ze Ai ic3
zs
z13
R3
Les rsistances dynamiques des sources dalimentations sont ngligeables (voir cours Les rgulateurs de tension ). La rsistance dynamique produite par le translateur de tension continu est ngligeable devant la charge quivalente du miroir mise en srie z9 << z10 et les potentiels des bases de Q14 , Q15 sont quasiment identiques. Le miroir de courant Q5 - Q6 sera reprsent par un quadriple de transfert en courant, puisque le courant dynamique issu du collecteur de Q3 est reconduit en sortie la prcision du miroir. Le condensateur C aura un rle jouer uniquement lors de ltude aux frquences hautes.
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) Ltude met en oeuvre deux tapes, savoir le calcul du transfert en tension vide et la rsistance de sortie du circuit, puis le calcul de la rsistance dentre du circuit comprenant cinq tages par lapplication du thorme de Thvenin (voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation dun circuit complexe ).
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Circuits intgrs
RG Ze1 vg vs1= A1 vg
Zs1 Ze2
Zs2 Ze5
Zs5 vs Rch
vs2=A2 vs1
vs5=A5 vs4
Ltage diffrentiel tant de structure relativement complexe, la mthode du demi-schma est utilise (voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ). Le circuit tant linaire, deux rgimes sont tudis sparment par application du thorme de superposition en effectuant deux tapes :
c ltude du rgime diffrentiel issu dune attaque symtrique ( v d 2 ), les sources de mode commun tant teintes ( v c = 0 ), permettant de caractriser les performances Ad , Zd , Zs , d ltude du rgime de mode commun issu dune attaque parallle ( +v c ), les sources diffrentielles tant teintes ( v d = 0 ), permettant de caractriser les performances Ac , Zc .
ib1 + vd /2 + vc Q3 Q4 Q1 Q2
ib2 + - vd /2 + vc
v1 =
v1 v 2 v1 + v 2 v d + = + vc 2 2 2 v v1 v 2 v1 + v 2 + = d + vc 2 2 2
v2 =
ib3+ib4 ic3 ic4
Ai ic3 ze zs vs2
z13
Les transistors Q1 , Q2 dune part et Q3 , Q4 dautre part, tant supposs technologiquement identiques, les courants dentres se retrouvent, une mme proportionnalit prs, somms dans la rsistance commune de base z13 . Si les courants sont issus dune attaque en tension symtrique ( i b1 = i b2 ), il ne passe aucun courant dans z13 et les bases de Q3 et Q4 sont la masse. Si les courants sont issus dune attaque en tension parallle ( i b1 = i b2 ), le courant dans
z13 est gal 2 i b , en posant i b3 = i b4 = i b , et la rsistance vue par le courant de base de Q3 ou
Q4 est 2 z13 . Pour chacune des tudes, le choix du demi-schma de droite simpose, puisquil propose la sortie vers ltage de gain.
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Circuits intgrs
+ vd /2
Q1
Q2 vd /2 +
+ vc
Q1
Q2
+ vc
Q3
Q4
Q3 2 z13 2 z13
Q4
ic3
ic4
ic3
ic4
ic3 = - ic4
ze Ai ic3 zs vs2
ic3 = ic4
ze Ai ic3 zs vs2
9. Caractrisation en rgime diffrentiel Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie du circuit, lattaque tant une source de tension v d / 2 . Etage collecteur commun Q2
i2 rbe2 - vd /2 i2 rce2 v's1
' Zs 1
' = A1
' vs 1
vd 2
rbe2 + rce2 ( + 1)
i0
rce2 ( + 1)
i2 rbe2 i2 rce2
i1 v0
i + ( + 1)i = i 0 2 1 rbe2 rbe2 ' =r v r i Zs 833 = 0 ce2 // be2 2 1 +1 +1 v 0 = rce2 i1

' i4 iC4
Z's1
i4 rbe4 Ai ic3
zs
v's2
' Zs 2
v's1
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Circuits intgrs
' ' v s 1 = rbe4 + ( '+1)Z s1 i 4 ' v s2 = zs i c 4 Ai i c3 avec i c 4 = i c3 = ' i 4
' = A2
' vs 2 ' vs 1
rbe4
2 ' zs 2 ' zs +1 ' = z = 4 M 3985 , Z s s 2 ' ' + ( '+1)Z s1 + 2 rbe4 + ( '+1)Z s 1
' = A ' ( v ( v d / 2 ). Pour le demi-schma de droite reprsent ici, la source v s 1 d 2 ) tant gale 1
' , les deux sources de tensions indpendantes lintrieur du diple sont teintes Pour valuer Z s 2
zro, le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 . Un mme raisonnement sur le demi-schma de gauche conduit i c3 = 0 . Les sources lies ' i 4 et Ai i c3 ne dbitant aucun courant, le courant
i 0 , produit par la source de tension v 0 applique lentre du diple, traverse intgralement la rsistance zs .
Pour ltage de gain en tension, lattaque est produite par lquivalent de Thvenin de ltage diffrentiel. Etage collecteur commun Q7
rbe7 i7
Z's2 i7 v's2
rce7
R3
v's3
' Zs 3
' = A3
' vs 3 ' vs 2
' Zs 2
( + 1) (R3 // rce ) + rbe + ( + 1) (R3 // rce

7 7
' =r 0.543 , Z s ce7 // R3 // 3
' +r Zs be7 2
+1
9080

i8 Z's3 rbe8 i8 v's3 rce8 z10 v's4 ' Zs 4
' A4 =
' vs 4 ' vs 3
rce8 // z10
rbe8 +
' Zs 3
) 772 , Z '
s4
= rce8 // z10 66.7 k
Pour ltage push-pull srie, les transistors, monts en collecteur commun, travaillent forts signaux alternativement pendant une demi priode, Q14 amplifiant le signal positif pendant que Q15 est bloqu, puis inversement. Pour ltude dynamique, on utilisera la caractristique linaire par morceaux de la diode base-metteur la place de la fonction exponentielle afin dobtenir une valeur approche de r be14 et rbe15 (valeur relativement faible). Chaque transistor produit un gain en
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courant gal -(+1) pendant sa dure de conduction. Le transfert en tension et la rsistance de sortie sont valus sans la charge, toujours tage non charg.
Etage collecteur commun Q14
( + 1)rce14 v' ' = s5 = 1 A5 ' ' v s4 Z s4 + rbe7 + ( + 1)rce14 (ou Q15 ) ' +r ' Zs Zs ' be7 4 4 Z s5 = rce14 // + 1 + 1 266
Le gain en tension de la chane non charge par Rch scrit

' vs 5
vd 2
' ' ' ' vs vs vs vs 5 3 4 2
' vs 1
' ' ' ' v vs vs vs vs d 2 4 3 2 1
' ' ' ' ' = A5 A4 A3 A2 A1
Le gain diffrentiel en tension et la rsistance de sortie du circuit intgr sont dfinis par ' vs A' A' A' A' A' ' 266 . Ad = 5 = 1 2 3 4 5 835000 (118.4 dB), Z s = Z s 5 vd 2 Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre
' R Pour ltage push-pull srie, la rsistance dentre Z e ch 2.5 M est trs importante. 5
i14 rbe14
' Ze 5
i14
rce14
Rcharge
Pour ltage de gain en tension, lmetteur commun prsente la diode dentre de Q8 vue de sa ' =r base, soit Z e be8 4
i8 ' Ze 4 rbe8 i8 rce8 z10 Z'e5
' =r ' et le collecteur commun Z e be7 + ( + 1) rce7 // R3 // Z e4 2.12 M . 3
i7 rbe7
' Ze 3
i7
rce7
R3
Z'e4
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Pour ltage cascode, le base commune prsente la diode dentre de Q4 vue de son metteur,
' = soit Z e 2
rbe4
'+1
833 .
' i4 i4
' Ze 2
iC4
rbe4 Ai ic3 = 0
zs
Z'e3
rbe4 r ' =r rbe + ( + 1) be4 418 k . et le collecteur commun Z e be2 + ( + 1) rce2 // 1 2 ' +1 '+1
i2 rbe2 i2
' Ze 1
rce2
Z'e2
' La rsistance Z e tant vue par la source de tension v d / 2 , la rsistance diffrentielle dentre 1
vue par la source v d est

' 4r Zd = 2 Ze be2 836 k 1
car ( + 1)
rbe4
'+1
U U U + 1 UT = ( + 1) T = ( + 1) T = T = rbe2 ' +1 I B 4 IE4 I E2 I B2

0 0 0 0
La reprsentation de lamplificateur intgr de tension dans son rgime purement diffrentiel est une source de tension contrle par la tension diffrentielle applique sur la branche contrlante supportant Z d .
(+) B1 Zs vd Zd vs Ad v d B2 Rch
(-)
En constatant lorientation de la tension v d et la valeur algbrique du transfert ( Ad > 0 ), il en dcoule que les entres en base de Q1 et de Q2 correspondent respectivement aux bornes non inverseuse et inverseuse de lamplificateur. Enfin, la tension en charge v s dcoule de ladaptation en tension, cest--dire
vs = Rch Ad v d Ad v d car Z s << Rch Z s + Rch
10. Caractrisation en rgime de mode commun Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie, lattaque tant une source de tension v c .
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'' Pour ltage collecteur commun, mmes rsultats avec les notations A1 =
'' vs 1
vc
' '' Z ' ( A1 ) et Z s s1 1
Pour ltage pseudo-base commune
' i4 Z''s1 i4 rbe4 v''s1 2 z13
iC4 zs Ai ic3 v''s2

'' Zs 2
'' '' v s 1 = ( '+1)Z s1 + rbe4 + 2 z13 i 4 '' v s1 = zs i c 4 Ai i c3 avec i c3 = i c 4 = ' i 4 v '' ' zs ' zs 2 '' = z = 4 M '' = s 2 = A2 1.64 10 3 , Z s s 2 '' '' + 2 z ( ) ( vs r + ' + 1 Z + 2 + 2) z13 13 be4 s1 1
Pour ltage de gain en tension et ltage push-pull, les rsultats analytiques sont identiques ceux '' vs '' pour i =3 5. trouvs lors de ltude du rgime diffrentiel avec les notations Ai'' = '' i Ai' et Z s i v si 1 Le gain scrit
'' vs 5
vc
' ' '' '' '' '' = A5 A4 A3 A2 A1 = Ac 0.69 , gain en tension en rgime de mode commun et
'' Z ' . la rsistance de sortie du montage est Z s = Z s s5 5
Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre Pour les tages push-pull et gain en tension, les rsistances dentre demeurent inchanges ' ' Z ' , Z '' Z ' , Z '' Z ' . Ze e5 e4 e4 e3 e3 5 Pour ltage cascode, le schma du base commune charges rparties est modifi par la prsence de la rsistance 2 z13 en srie avec la rsistance rbe4 , ce qui conduit remplacer rbe4 par rbe4 + 2 z13 dans les expressions analytiques
'' = soit Z e 2
rbe4 + 2 z13 '' = r . et Z e be2 + ( + 1) rce2 // 1 '+1 ' +1 La rsistance de mode commun, vue par la source de tension v c dans le contexte du demi'' 688 M . schma, est donc Z c = Z e 1
rbe4 + 2 z13
La reprsentation de lamplificateur intgr de tension dans son rgime de mode commun est une source de tension contrle par la tension de mode commun applique sur la branche contrlante supportant Z c , schma vu des bases de Q1 ou Q2 .
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B1 ou B2 Zs vc Zc vs Ac v c Rch
11. Taux de rjection de mode commun Les gains de transfert en tension sont Ad =
' vs 5
vd
'' ' ' ' ' ' vs A1 A2 A3 A4 A5 '' '' '' '' '' et Ac = 5 = A1 . A2 A3 A4 A5 vc 2
La tension obtenue en fin de chane est la somme des tensions de sortie vide issues des deux ' '' + vs = Ad v d + Ac v c et la qualit de rgimes (thorme de superposition), soit v s5 = v s 5 5 lamplification diffrentielle par rapport lamplification du mode commun est exprime par la valeur du taux de rjection de mode commun TRMC =
' Ad A2 = , soit 122 dB. Il est vident que '' Ac 2 A2
ce TRMC est produit par ltage diffrentiel, comme le prouve son expression analytique. La valeur trouve est trop leve pour un amplificateur de ce type. Le fait davoir nglig le paramtre rce des modles de Q3 et Q4 augmente la valeur de Ad et diminue celle de Ac , ce qui explique cette performance. 12. Caractrisation de ltage de gain On considre le quadriple caractrisant ltage de gain en tension Q7 ,Q8 , attaqu par lquivalent de Thvenin de ltage diffrentiel et charg par la rsistance dentre de ltage ' ' . push-pull Z e tant trs importante devant Z s 5 4
Zs2 Ze3 vs3= A3 vs2
Zs3 Ze4 vs4= A4 vs3
Zs4 Ze5
vs2
Le gain de transfert en tension Av aux frquences moyennes (absence de C) doit tre exprim en ' terme de source lie la tension v de la branche contrlante supportant Z e afin de respecter la 3 modlisation du quadriple (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire ). La caractrisation de ltage devient alors : Z' ' = Z ' 2.12 M , Z ' = Z ' 66.7 k << Z ' 2.5 M , A = 1 + s2 A ' A ' 1209 Ze v e3 s s4 e5 ' 3 4 Ze 3 13. Evaluation de la frquence de coupure haute (frquences hautes) La caractrisation de ltage de gain va permettre une approche rapide du comportement en frquence du circuit. Sous lhypothse dobtenir la frquence de coupure -3 dB uniquement par la prsence du condensateur C, le schma quivalent du systme est alors du premier ordre (un seul condensateur).
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i0 v Ze // Zs2
Zs2 v vs2 Ze
Zs Ze5
v0 Av v
Av v
Zs
Le condensateur voit ses bornes une rsistance (diple de Thvenin) 1 0 = Z ' + Z ' // Z ' 1 A fh = 3.16 Hz RC s s2 e v 1680 M 0C 2 RC
)(
La constante de temps produisant la frquence trouve est de valeur norme devant la somme de toutes les constantes de temps vide produites par les capacits parasites des transistors et lapplication de la mthode du ple dominant donne (voir Annexes ) :
f1
1 fh 2 a1
0 avec a1 = RC C+
i =1
15
0 Rbe Cbei + i
R
i =1
15
0 bc i C bc i
0 RC C
Lamplificateur de tension diffrentielle se comporte comme un circuit du premier ordre de gain en Ad boucle ouverte G( p ) = avec Ad 118 dB et fh 3.16 Hz . f 1+ j fh La faible frquence de coupure haute permet datteindre un gain unit avec une pente de 20 dB par dcade dans le plan de Bode. Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable. Le produit gain en tension (en units et non en dB) frquence de coupure haute (proprit dun systme du premier ordre) permet de chiffrer la frquence de transition ft = Ad fh 2.64 MHz .
150 232.631m, 118.205) (42.658K, 115.209)
100 (3.2359, 115.204)
amplificateur compens (C = 30 pF)
amplificateur non compens
50 - 20 dB / dcade - 40 dB / dcade
0 (2.6510M, 8.2797m) -50 100mHz 1.0Hz DB(V(s))
10Hz
100Hz
1.0KHz
10KHz
100KHz
1.0MHz
10MHz
100MHz
Frequency
Si la capacit C de compensation tait absente, linfluence conjugue du montage metteur commun Q8 (voir le problme Rponse en frquence dun metteur commun ), et du montage base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacits parasites du miroir et de lentre de Q7 , produirait la frquence de coupure haute. La prsence de ces ples rend le systme instable comme le montre la simulation.
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Etude du rgime pseudo continu
+VCC
Q1 VD VBE1
Q2 VBE2
VEB3 VEB4 Q3 IC3 IB3 IB4 Q4 IC4 I IC5 Q5 VBE5 VBE6 -VCC IC6 Q6 10 IC13o
14. Expressions des transferts courant / tension

Q Q 2 1 Q3 Q4 Q5 Q6
VBE1 I E ( + 1) I BS e UT 1 VBE2 UT + I I e ( 1 ) E2 BS
I E 3 I E 4 IC 5 IC6
' e ( '+1) I BS ' e ( '+1) I BS
VEB3 UT VEB4 UT
(technologie)
I BS e I BS e
VBE5 UT VBE6 UT
VD = VBE + VEB VEB VBE 1 3 4 2 I E1 = I E3 I E 2 = I E 4 (circuit) IC13o = I B3 + I B4 VBE5 = VBE6 IC3 IC5 I = I I C4 C6
A partir des quatre premires quations du circuit, on obtient :

I E1 = I E3 I E 2 = I E 4 I E1 I E3 VD = UT Ln I + Ln I E2 E4 ' I = + I I C3 C4 C13o
' IC13 o IC3 VD IE VD I C 3 3 = e 2 UT = 1 + e 2 UT IE4 IC 4 ' IC13 ' I o = IC 3 + I C 4 I C C 13 4 o VD 1 + e 2 UT
et laide des trois dernires
' IC13 ' IC13 IC5 = IC6 V o o I = ' IC13 th D VD VD o I I I 4 UT C4 C3 1 + e 2 UT 1 + e 2 UT
avec ' IC13 = 50 A

o
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50uA
linarisation du transfert
Q4 satur
25uA (111.0E-18, 24.913u)
Q3 satur
0A
Q3 bloqu
(111.0E-18, -37.759n) -25uA linarisation du transfert -50uA -400mV IC(Q3) -300mV IC(Q4) -200mV -100mV IC(Q4) - IC(Q3) 0V 100mV 200mV
Q4 bloqu
300mV
400mV
VD
15. Retour ltude dynamique aux faibles signaux

' Expression de v s v d (tension vide) 2
La polarisation est obtenue pour VD = 0 , soit IC3 = IC4 =

o o
o . 2 Les pentes des transfert au point de polarisation sont telles que V D e 2 UT ' IC13 ' IC13 iC iC4 dIC3 2 U o o T = = 3 et = ' IC13 = . 2 o dV 8 U v v 8 U V D D T d d T VD =0 1 + e 2 UT VD =0
' IC13
i C3 = i C 4 =
' IC13
8UT
vd =
IC 4
4UT
vd =
' gm vd 4
' Le transfert en tension de ltage diffrentiel v s v d vide scrit 2
iC4
rce6 Ai ic3 ic3
v's2
' =r vs ce6 ( i c 4 Ai i c3 ) 2 rce6 i c 4 2
' vs 2
vd
' gm rce6
La relation obtenue dans ltude du rgime dynamique purement diffrentiel aux faibles signaux est rapporte ci-dessous
' vs 2
vd
' ' A1 A2 2
' rce6
rbe4 + ( '+1)
+1
rbe2
avec
rbe2
+1
rbe4 UT U U UT = T = T = = IE2 IE4 ( + 1) I B2 ( '+1) I B4 ( '+1)

o o o o
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Circuits intgrs
ce qui conduit au mme rsultat. Expression de i v d (courant de court-circuit) I ' IC13 th

o
VD pour v d (t ) << 4 UT 4 UT
vd th 4U T
vd 4U T
i rce6 v's2
' IC13 g' i o = = m (ou encore i iC4 iC3 ) 4UT 2 vd
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Circuits intgrs
Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet)

La figure 1 reprsente le schma lectrique simplifi du circuit intgr TL071 de Texas Instruments. Les tages de polarisation sont prsents sur la forme de sources de courant I1 et I 2 dont la conception est dtaille la figure 2. Les types de transistors sont supposs technologiquement identiques et possdent les caractristiques (effet Early nglig)
= 250 ( >> 1) , VBE0 0.6 V (JBT) et I DSS = 200 A , VP = 3 V (JFET).

Ltude porte ici sur le rgime continu. Comprhension du schma (figure 1) 1. Donnez une description prcise du circuit. Prouvez que ce dernier est bien un amplificateur de tension. 2. Montrez que les bornes in + et in - correspondent respectivement aux entres non inverseuse et inverseuse du circuit. Conception du circuit de polarisation (figure 2) 3. Evaluez les rsistances R6 et R7 afin dobtenir les courants I1 et I 2 de lordre de 160 A et de 250 A respectivement. 4. Trouvez la relation donnant la valeur minimale des tensions dalimentation VCC en fonction de la tension de pincement VP du JFET et de la tension zener VZ de la diode D1 , ceci en maintenant le courant de drain de J 3 inchang. Etude du rgime continu Le circuit est aliment par deux sources symtriques de tension VCC = 15 V et les entres sont connectes la masse. Ltage push-pull consomme alors des courants IC8 = IC9 = 25 A . 5. Dessinez le schma et indiquez dessus toutes les variables de polarisation. Constatez que le choix de la topologie du miroir chargeant valeur ltage diffrentiel, conduit un meilleur quilibrage de la polarisation de ce dernier. 6. Evaluez le courant continu dalimentation ICC du circuit sans charge ( Vout = 0 ) et dduisez la puissance dissipe. Etude du rgime pseudo-continu Une tension continue est applique lentre de lamplificateur telle que Vin + = VD et Vin = 0 (masse), la sortie tant charge par une rsistance Rch = 2 k . 7. Dterminez le domaine des valeurs de VD produisant un courant maximal de drain pour ltage diffrentiel. 8. Pour VD = 5 V , valuez les courants et potentiels de nuds du schma en prcisant ltat des transistors.
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Circuits intgrs
+ VCC
I1
I2
Q8 in R4 64 out Q6 R3 10k Q3 Q4 R5 64 Q9
J1
J2
Q7
in +
Q1 R1 50k
Q2 R2 50k
Q5
- VCC
Figure 1
+ VCC
R6 Q11 Q10 I1 I2 Q12
J3
Q13
D1 R7 5.6V
- VCC
Figure 2
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Circuits intgrs
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun circuit de polarisation, dun tage diffrentiel associ un transfert dynamique de courant et dun tage de tension. - Le circuit de polarisation doit produire les courants I1 et I 2 alimentant respectivement un tage diffrentiel et un tage de tension. Sa conception (figure 2) fait apparatre un rptiteur de courant, association dune source de Widlar Q10 - Q12 - R6 et dun miroir de courant lmentaire Q11 - Q12 , dont le courant de rfrence est fourni par le circuit Q13 - R7 - D1 - J 3 (explication plus loin). - Ltage diffrentiel J1 - J 2 est comportement source commune (canal P), attaquant en courant un miroir Q1 - Q2 - Q3 - R1 transistors NPN. Leffet miroir a pour but de doubler le transfert en courant de ltage en rgime dynamique aux faibles signaux. Ltage de tension utilise un montage metteur commun Q5 , adapt par le montage collecteur commun Q4 en amont pour un meilleur transfert de tension et par un tage pushpull srie Q8 - Q9 en aval pour une sortie amplitude optimale et basse rsistance (montage suiveur complmentaire). Les rsistances R 4 et R5 , de faible valeur, limitent le courant de sortie. - Ltage push-pull est polaris en classe B/AB par le translateur Q7 de tension Q6 - Q7 - R3 . Ce translateur est constitu dune paire VBE7 Q6 de Darlington avec le premier transistor mont en diode et dune VBE6 rsistance dviant une partie du courant de base du second R3 transistor. Lintrt par rapport deux transistors monts en diode rside dans une occupation de surface moindre pour la paire Darlington. Le dcalage en tension est de lordre de 2VBE . Nous sommes donc en prsence dun amplificateur de tension de rsistance dentre diffrentielle trs importante (JFET) et de faible rsistance de sortie. 2. Entres non inverseuse et inverseuse Appliquons une tension alternative lentre de ltage diffrentiel, la grille de J1 tant la masse et intressons-nous la phase du signal recueilli en sortie des tages successifs. Ltage source commune J 2 inverse la phase, ltage collecteur commun Q4 la conserve, ltage metteur commun Q5 inverse nouveau la phase et ltage push-pull suiveur Q8 - Q9 la conserve. La tension de sortie est donc en phase avec la tension dentre et la borne non inverseuse est bien la grille de J 2 .
Conception du circuit de polarisation 3. Evaluation des rsistances R6 et R7 Le rptiteur de courant utilise un effet miroir ( Q11 - Q12 ) tel que I 2 IC13 , ainsi quun effet lentille ( Q10 - Q12 - R 6 ) tel que IC13 I1 e
R6 I1 UT
(voir cours).
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Circuits intgrs
Or I E13 =
VZ VBE13 R7
IC13 R7
VZ VBE13 I2
= 20 k et R6
UT I Ln 2 70 . I1 I1
4. Valeur minimale de la tension VCC

VGS Le modle de comportement des JFET canal P est donn par lquation I D = I DSS 1 V P les tensions VGS et VP > 0 et telles que 0 VGS VP . avec
2
Puisque VGS3 = 0 , alors I D3 = I DSS , courant de polarisation de la diode zener. Le transistor J 3 fournit ce courant condition de se situer dans sa zone de saturation, cest--dire VDS3 VP . Or
2VCC = VZ VDS3
2VCC VZ VP do VCC
VP + VZ . 2
Lintrt de ce systme est de proposer un choix de lalimentation symtrique VCC tout en conservant la mme polarisation du circuit intgr condition que VCC 4.3 V .
+ 15 V
R6 70 Q10 160 - 1.1 V J1 J2 Q7

1.2 V
Q11
25 14.4 V
13
250 100 n Q8 250
Q12
R4
80
+ 15 V 12.6 50 n
80 R3 52 n
Q6 R5 100 n Q4 - 14.4 V 1 Q5 R2 50k 25 R7 20k 250 Q9
J3 200 - 9.4 V
- 13.8 V
Q3 320 n 320 n
Q13 - 10 V D1
- 13.8 V
Q1 12 R1 50k
Q2
12
5.6 V
- 15 V
5. Evaluation des variables de polarisation Pour ltage diffrentiel ( J1 J 2 ),
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Circuits intgrs
2 V I D = I DSS 1 GS1 1 VP J1 J 2 et VGS1 VGS2 = 0 (topologie) 2 VGS2 I D2 = I DSS 1 V P I D1,2 I 1 .1 V . I D1 = I D2 = 1 = 80 A et VGS1 = VGS2 = VP 1 I DSS 2
VBE1 I I e UT BS C Q1 Q2 1 et VBE1 VBE 2 = 0 (topologie) I B1 = I B2 et IC1 = IC2 avec leurs VBE2 IC2 I BS e UT potentiels de collecteur 2VBE au dessus de VCC , soit 13.8 V.
Lquilibrage statique de ltage impose alors que I B3 = I B4 avec des transistors supposs identiques ( >> 1 ), puisque I D1 = IC1 + I B3 et I D2 = IC2 + I B4 . La topologie du miroir permet dapprocher cet quilibre puisque VBE 5 VBE1 I1 VBE1 I et I E 4 = 2 + avec R = R1 = R2 . I E3 = I B1 + I B2 + + R R1 R Comme
I1
et
I2
<<
VBE 12 A I E3 I E 4 , donc I B3 I B4 . R
6. Calcul de la consommation du circuit

+ Lalimentation au dessus de la masse fournit ICC = IE10 + IC4 + IC11 + IC8 + I E12 + I D1 898 A . De
mme, lalimentation sous la masse fournit ICC = I E1 + I E 2 + I R1 + I R2 + I E5 + IC9 + I E13 + I Z 909 A .
+ + ICC 1.8 mA et Pcontinue = 2VCC ICC 54 mW . do ICC = ICC
7. Dtermination du domaine de VD
I1 VGS1 VGS2
J1 ID1
J2 ID2 VD
VD = VGS2 VGS1 I D1,2 VGS1,2 = VP 1 I DSS I1 = I D1 + I D2
Le courant de drain dun transistor est maximal lorsque lautre transistor ne produit aucun courant. I1 0.32 V tel que Si J1 est bloqu, I D1 = 0 pour VGS1 VP et I D2 = I1 avec VGS2 = VP 1 I DSS
0 VGS2 < VP , do VD VP I1 I DSS
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I1 Si J 2 est bloqu, I D2 = 0 pour VGS2 VP et I D1 = I1 avec VGS1 = VP 1 I DSS 0 VGS1 < VP , do VD VP I1 I DSS
0.32 V tel que
Le domaine des tensions est donc VD 2.68 V . 8. Evaluation des courants et potentiels de nuds pour VD = 5 V Comme VD > 2.68 V , ltage diffrentiel prsente un transistor JFET bloqu, lautre transistor fournissant un courant de drain de 160 A associ une tension grille-source de 0.32 V (voir ltude prcdente). Premier cas : VD = 5 V
+ 15 V
R6 70 Q10 160 - 5.32 V J1 J2 -5V 0 + 15 V 160 - 14.4 V R3 0 160 0 - 14.2 V Q2 R1 50k 16 R2 50k Q4 28 Q6 Q7 -14 V R5 64 Q9 7m J3 R7 2k 200 - 9.4 V 40 m Q11 14.4 V 250 - 13.8 V 250 Q12
- 13.4 V Q3 0 0
-15 V 40 m
Q13 - 10 V
278 Q5 40.3 m
Q1
7m
R7 20k
D1
- 15 V
J1 est bloqu ( I D1 = 0 ), J 2 conduit ( I D2 = 160 A , VGS2 0.32 V ) et VGS1 = VGS2 VD 5.32 V .
Le miroir Q1 - Q2 - Q3 - R1 renvoyant un courant nul, le courant de base de Q4 est gal 160 A et son courant de collecteur est de lordre de 40 mA. En constatant que le courant circulant dans la rsistance R 2 est de faible valeur devant le courant metteur de Q4 , I B5 40 mA et, de ce fait, Q5 est satur ( VCE5 trs faible). Ltage push-pull est tel que Q8 est bloqu et Q9 conduit. La maille de sortie scrit alors VCC = VCE5
sat
+ VEB9 + (R5 + R7 )I E9 et Vout = R7 I E9 , do IE9 7 mA
et Vout 14 V . La sortie est ltat de saturation ngative. Puisque I B9 28 A , IC5 = IC11 + I B9 278 A . Constatons alors que le rapport IC5 I B5 7 10 3 est diffrent de . Cette trs faible valeur de forc conduit VCE5 0 V , ce qui corrobore ltat de saturation de Q5 .
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Circuits intgrs
Deuxime cas : VD = 5 V
+ 15 V
R6 70 Q10 Q11
7m
14.4 V 0 28 Q12 28 Q8 0 R4 64 14 V Q6 R3 7m J3 R7 2k 200 - 9.4 V 250
160
- 0.32 V J1 J2 5V
15 V
0
Q7
160
+ 15 V
160
-14.4 V Q1
- 15 V Q3
0 0 - 15 V Q2 0 R2 50k Q4 0 Q5 0
Q13 - 10 V R7 20k D1
R1 50k
- 15 V
J 2 est bloqu ( I D2 = 0 ), J1 conduit ( I D1 = 160 A , VGS1 0.32 V ) et VGS2 = VGS1 + VD 5.32 V .
Or, la loi du nud de sortie de ltage diffrentiel impose que I B4 = I D2 IC2 IC2 . Le sens des courants de Q2 et Q4 est incompatible pour des transistors de type NPN car I B4 doit se diriger vers la base de Q4 , do I B4 0 et IC2 0 . Lensemble Q1 - Q2 - Q3 - R1 ne travaille plus en effet miroir et Q4 est bloqu. Aucun courant ne circulant dans R2 , Q5 est aussi bloqu et le translateur de tension nest plus aliment. Le courant de collecteur de Q11 sidentifie alors au courant de base de Q8 . Ltage push-pull est tel que Q8 conduit et Q9 est bloqu. La maille de sortie scrit alors VCC = VEC11 + VBE8 + (R 4 + R7 )I E8 et Vout = R7 I E8 , do I E8 7 mA et
sat
Vout 14 V . La sortie est ltat de saturation positive. Constatons que I B8 28 A et IC11 I B8 . Q11 ne fournit plus le courant I 2 et son tat de
saturation conduit un forc = IC11 I B11 < , cest--dire un courant de base nettement plus important. Le courant de rfrence du rptiteur distribue les courants suivant la loi du nud IC13 = IC12 + I B12 + I B11 + I B10 = 250 A . Laugmentation de I B11 a pour consquence une diminution des autres courants, en particulier celle du courant de polarisation I1 de ltage diffrentiel. Cette modification ne change en rien le niveau de tension en sortie puisque Q4 est toujours bloqu. Ainsi, la tension de sortie de lamplificateur en boucle ouverte est Vout = Vsat avec Vsat = 14 V dans une condition de charge de 2 k et pour toute tension dentre telle que VD 2.68 V .
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Page 264
Circuits intgrs
Amplificateur intgr de type Norton (LM359 de National Semiconductor)

On considre le circuit intgr (CI) de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques de caractristiques = 200, VA = 100 V , VBEo 0.6 V . Au sein des calculs, le paramtre est considr comme grand (courants de base ngligs). La notation suivante est utilise pour les variables entre/sortie (superposition des rgimes continu et dynamique), savoir i + (t ) = I1 + i1(t ) , i (t ) = I 2 + i 2 (t ) , v out (t ) = VS + v s (t ) .
+VCC
12 V
Q10
Q11
Q12
Q5 Q6
out
R1
5.7k
Q4
Q7 iQ3 i
+
+VCC
vout
(-)
Q8 Q14
R2
19k
(+)
Q1
Q2
Q9
Q13
Q15
Comprhension du circuit 1. Donnez une description prcise du circuit. Etude du rgime continu 2. Dessinez le schma. 3. Calculez les valeurs des courants de collecteur de Q10 , Q11 , Q13 , Q14 , Q3 , Q4 , des potentiels de nuds dentres (+), (-) de la base et de lmetteur de Q4 . On modlise le CI limage du schma qui suit.
(-) I2 IB3 VBE3 I1 VS I1 VBE1 out
(+)
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Circuits intgrs
4. Expliquez la prsence des lments de cette modlisation.
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 5. Evaluez les paramtres rbe , rce des modles des transistors Q3 , Q4 , Q5 , Q6 et rbe7 , rbe8 , rbe9 ,
rce10 , rce11 , rce13 , rce14 des transistors associs.
6. Prouvez par le calcul que la rsistance dynamique vue entre base de Q4 et la masse est de valeur ngligeable devant rbe4 . 7. Dessinez le schma du circuit. 8. Ecrivez les expressions du transfert Rt = v s (i1 i 2 ) et de la rsistance de sortie du montage non charg. On modlise le CI limage du schma qui suit.
i2 (-) out vi1 Zs vs i1 (+) v+ Ze1 Av v Ze2
9. Identifiez les lments Z e1, Z e2 , Z s , Av du modle et valuez Z e2 , Z s , Av .
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Circuits intgrs
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose de deux tages de polarisation, dun tage cascode attaqu par un courant diffrentiel obtenu par un miroir de courant et dun tage darlington en sortie. - Les circuits de polarisation, rptiteurs de courant, sont lassociation de deux miroirs de courant lmentaires. Le rptiteur Q10 - Q11 - Q12 fournit deux courants sortants (transistors PNP) rgls par la rsistance R1 . Le courant issu de Q10 impose les courants de collecteur des transistors Q3 , Q4 et le courant issu de Q11 polarise trois transistors monts en diode ( Q7 , Q8 , Q9 ) et mis en srie, produisant une translation des potentiels continus de la base de Q4 3VBE et du collecteur de Q3 2VBE par rapport la masse. Le rptiteur Q13 - Q14 - Q15 fournit deux courants entrants (transistors NPN) rgls par la rsistance R2 . Les courants issus de Q13 et Q14 polarisent respectivement les tages collecteur commun Q5 et Q6 .
-
Le miroir de courant Q1 - Q2 , inversant le sens de son courant dentre, permet de constituer un courant diffrentiel partir des courants issus des bornes dentre du CI. Lassociation des tages metteur commun Q3 et base commune Q4 charg par la source de courant ralise un montage cascode impdance de sortie leve. Les tages collecteur commun Q5 et Q6 se comportent en suiveur par la prsence des charges dynamiques dmetteur et en abaisseur dimpdance. La sortie du CI est alors adapte en tension.
La tension de sortie est proportionnelle la diffrence des courants des entres. Le CI est donc un amplificateur rsistance de transfert, appel aussi amplificateur de Norton. Etude du rgime continu 2. Schma
+VCC
2 mA
IC10
2 mA
IC11
Q5
Q4 1.2 V 2 mA
1.8 V
Q6
out
Q7
(-)
I2
0.6 V Q3 Q8 VS
(+)
I1 IC13 Q1 Q2 Q9 0.6 mA IC14 0.6 mA
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Circuits intgrs
3. Evaluation des courants et potentiels de noeuds Rptiteur de courant PNP (effet miroir) : VCC VEB12 o I R1 = = 2 mA et IC10 IC11 = IC4 IC3 2 mA o o o o R1 Rptiteur de courant NPN (effet miroir) : VCC VBE15 o I R2 = = 0.6 mA et IC13 IC5 IC14 IC6 0.6 mA o o o o R2 Potentiels de nuds : V + = VBE1 0.6 V , V = VBE3 0.6 V , VB4 = 3VBE o 1.8 V , VC3 = 2VBEo 1.2 V
o o
avec VBEo = VBE7 = VBE8 = VBE9 .

o o o
4. Explication des lments du modle Lentre (+) prsente le transistor Q1 mont en diode en parallle sur la jonction base-metteur de Q2 , ce qui est toujours lquivalent statique dune diode passante avec une tension de 0.6 V ses bornes. Entre lentre (-) et la masse, la sortie du miroir de courant Q1 - Q2 est quivalente une source de courant continue inversant le courant dentre I1 . Cette source est en parallle sur la jonction base-metteur de Q3 . Notons que ce miroir est indpendant de leffet Early puisque VBC2 0 V , donc VCE1 = VCE 2 0.6 V . Le potentiel de sortie VS dpendra du montage externe et sera gnralement amen la moiti de la tension dalimentation, cest--dire VS VCC 2 , permettant aussi une dynamique de sortie optimale (voir applications de lamplificateur Norton ).
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 5. Evaluation des paramtres
rbe UT V , rce A IC o IC o
do r be3 r be4 2.5 k , rce3 rce4 50 k ,
' 2.5 k rbe5 = rbe6 8.33 k , rce5 = rce6 167 k , rbe7 = rbe8 = rbe9 = rbe
et posons z10 = rce10 50 k , z11 = rce11 50 k , z13 = rce13 167 k , z14 = rce14 167 k .
6. Transistor Q4 en base commune Les trois transistors Q7 , Q8 , Q9 , monts en diode et mis en srie, composent une rsistance dynamique quivalente 3
' U rbe 37.5 (ou 3 T ). La rsistance vue entre base de Q4 et la IC11 +1
o
r' masse scrit z 4 = 3 be // rce11 , valeur trs faible devant la rsistance de jonction rbe4 situe en +1 srie ( 2.5 k >> 37.5 ). La base du transistor Q4 tant, pour ainsi dire, connecte la masse, ltage correspond un montage base commune.
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Page 268
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7. Schma
z10
Q5
Q4
Q6
(-)
i2 Q3 i1 z13 z14 vs
(+)
Q1
Q2
8. Expressions du transfert et de la rsistance de sortie Afin de trouver lquivalent du diple de sortie du montage sous la forme Thvenin (ici rsistance de transfert), rappelons quune mthode de travail consiste reprsenter la sortie dun tage lmentaire non charg sous la forme quivalente dun diple de Thvenin ( v s , Z s ) ou de Norton ( i s , Z s ) suivant le cas, tude effectue du premier tage au dernier. A chaque tape, le diple obtenu attaque ltage lmentaire suivant. Les tapes successives tudient un miroir de courant, un tage metteur commun, un tage base commune et deux tages collecteur commun. Miroir de courant lmentaire Q1 - Q2
i1
rce2 rbe / (+2)
i1
Zs2
Zs1 is1
Cest un amplificateur de courant de diple de sortie (Norton) caractris par le courant de courtcircuit i s1 = i1 et la rsistance de sortie Z s1 = rce2 . Lcriture de la rsistance dentre est donne telle que r be1 = r be2 = r be .

i2
i3 Zs1 i1 rbe3 i3 rce3 vs2 Zs2
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Circuits intgrs
v s2 = i 3 rce3 i 3 = i 2 i1
v s2 = rce3 (i1 i 2 ) et Z s2 = rce3
( rce2 >> rbe3 )

(+1) i4 i4
Zs2
i4 rbe4
z10
vs3
Zs3
vs2 z4
v s3 = i 4 z10 v s2 = ( + 1)Z s2 + rbe4 i 4
v s3 v s2
z z z10 10 = 10 ( + 1)Z s2 Z s2 rce3
et Z s3 = z10 .
Si nous tenons compte de la prsence de rce4 dans ces calculs, les rsultats obtenus demeurent toujours valables (erreur de lordre de 0.5%). En effet, un montage base commune prsente, en sortie, une jonction polarise en inverse, donc une rsistance dynamique trs importante devant la charge z10 . Etages collecteur commun Q5 et Q6
rbe5 i5
Zs3
i5
rce5
z13
vs4
Zs4
vs3
( + 1) rce5 // z13 v s4 v s4 = rce5 // z13 ( + 1)i 5 +1 ( ) = + + + v Z r r // z 1 i v Z + r s3 be5 ce5 13 5 s3 s3 be5 + ( + 1) rce5 // z13 s3
( [
Zs 4 = rce5 // z13 //
Z s3 + rbe5
( + 1)
Z s3 + rbe5
( + 1)
290
La topologie tant identiques pour les deux tages, on obtient v s5 v s4 +1 , Z s5 Z s 4 + rbe6
( + 1)
43
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Page 270
Circuits intgrs
Lexpression de la rsistance de transfert est gale au produit des transferts lmentaires puisque ces derniers tiennent compte de linteraction inter-tages par la prsence de la rsistance de Thvenin / Norton. Rt = v s v s v s v s2 vs = 5 4 3 z10 = 10 M (140 dB) i 1 i 2 v s 4 v s3 v s 2 i 1 i 2 avec v s = v s5 et Z s = Z s5 .
9. Identification des lments du modle

Z e1 = rbe , Z e2 = rbe3 = 2.5 k , Z s 43 +2 Rt = + 4000 (72 dB) Z e2
v s = Rt (i1 i 2 ) = Av v v = (i 2 i1 )Z e2
Av =
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Page 271
Circuits intgrs
Applications de lamplificateur Norton

Nous proposons deux applications de lamplificateur. Dans les schmas apparat le montage de ltude prcdente sous limage symbolique suivante.
+ VCC i
-
i+
symbole de lamplificateur Norton
Application n1
R2 10k C R1 1k ve -
+ vs R3 +VCC 12 V
Etude du rgime continu 1. Dessinez le schma. 2. Evaluez la rsistance R3 afin que le potentiel de sortie VS soit de lordre de VCC 2 ( VBE 0.6 V et I B3 << I1 et I 2 ). Etude dynamique aux frquences moyennes 3. Dessinez le schma. 4. Dterminez le gain en tension dfini par v s v e et concluez sur le type damplificateur.
Application n2
R2 10k C R1 1k ve +VCC 12 V R3 + vs
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Page 272
Circuits intgrs
Etude du rgime continu 5. Dessinez le schma. 6. Evaluez la rsistance R2 afin que le potentiel de sortie VS soit VCC 2 ( VBE 0.6 V et I B3 << I1 et I 2 ), puis dduisez la valeur du courant I1 . Etude dynamique aux frquences moyennes 7. Dessinez le schma. 8. Dterminez le gain en tension dfini par v s v e et concluez sur le type damplificateur.
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Circuits intgrs
Corrig
Application n1
R2 I2 IB3 VBE
VS
I1
R3 + VCC
I1 VBE
2. Evaluation de la rsistance
I B3 << I1 VCC = R2 I1 + I B3 + VBE VS = 2 VCC = R3 I1 + VBE
R3 2R2
VCC VBE 21.1 k VCC 2VBE
Etude dynamique aux frquences moyennes 3. Schma

R1 i i R2
ve
v0
Ze2 i2
Zs 0 vs Av v -
i1 = 0
R3
Ze1
4. Gain en tension
v s A v v i ' = v e v v s A v v R1 v ve vs 1 1 v v i = s Z = R + R R + R v e2 1 2 1 2 R2 = (i + i ' ) Z v e2
1 vs R1 9.965 ve 1 1 1 1 + + Av Z e2 R1 R2
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En acceptant une approche numrique quelques %,
vs R 2 . ve R1
Cest un amplificateur inverseur de gain 20 dB. Lintrt du montage est labsence de mode commun puisque les entres (+) et (-) voient de faibles impdances (rsistances de diode passante).
Application n2
R2 I2 IB3 VBE I1
VS
R3 + VCC
I1 VBE
6. Evaluation de la rsistance et du courant La topologie tant la mme que prcdemment, les rsultats sont identiques. V 1 R3 21.1 k et I1 CC VBE = 540 A . 2 R3 IC Le courant de base de Q3 vaut IB3 = 3 = 10 A , courant ngligeable devant I1 , validant ainsi
lhypothse de dpart.
Etude dynamique aux frquences moyennes 7. Schma

i2 R2
vi1
Ze2
Zs 0 vs Av v -
R1
i1
ve
R3
Ze1
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Circuits intgrs
8. Gain en tension
v s A v v vs v v s A v v i 2 = R2 1 1 v = v s v e v + e i Z R R2 R1 + Z e1 1 2 e2 R1 + Z e1 v = (i 2 i1 )Z e 2
vs + 9.55 ve 1 1 1 1 + + Av Z e2 R2 R2
1 R1 + Z e1
avec Z e1 =
rbe1
+1
UT UT = 46.3 , valeur faible devant R3 ( R3 // Z e1 Z e1 ). I E1 I1
En acceptant une approche numrique quelques %, Cest un amplificateur non inverseur de gain 20 dB.
v s R2 = 10 . v e R1
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Amplificateur conductance de transfert (LM13600 de National Semiconductor)

On considre le circuit intgr de la figure ci-dessous o R est un lment hors puce. Le but est de caractriser la conductance de transfert en sortie de S1 sur une impdance de charge Z ch . Tous les transistors sont supposs identiques ou parfaitement complmentaires ( >> 1 ).
+VCC
Q8 Q7 Q10
Q11 E2
Q16 Q17
Q9 Q1 (+) vD (-) Ipol R V Q3 Q4 Q2
Q12 S1 Is Q15
S2
Q5
Q6 Q13 Q14
-VCC
Comprhension du schma 1. Donnez une description prcise du circuit. Etude du rgime pseudo-continu 2. Ecrivez lexpression du courant de sortie IS en fonction de la tension diffrentielle dentre VD et tracez ce transfert. 3. Fates apparatre dans lexpression trouve les termes V et R . Commentez ce rsultat.
Etude du rgime continu 4. Donnez les courants de polarisation du montage. Etude du rgime dynamique purement diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes) 5. Rappelez la caractrisation du quadriple dfini par la source de Wilson ( ze , zs , A i ). 6. Ecrivez lexpression du courant i s en fonction de v d en discutant des conditions aux impdances sur les divers transferts en courant. 7. Dmontrez quen considrant la zone linaire du transfert IS (VD ) obtenu lors de ltude en rgime pseudo-continu, on retrouve le rsultat prcdent. 8. La sortie S1 tant charge par une impdance Z ch , caractrisez lamplificateur sous forme de quadriple ( Y t , Z e , Z s1 ). 9. La sortie S1 , charge par Z ch , est relie la base de Q16 et une rsistance Rch est branche entre S2 et la masse, prcisez le type damplificateur obtenu.
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Circuits intgrs
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel associ un transfert dynamique de courant et dun tage darlington indpendant. - Le circuit de polarisation, rptiteur de courant, est lassociation dune source de Wilson Q3 - Q4 Q5 et dun miroir de courant lmentaire Q4 - Q6 polarisant respectivement ltage diffrentiel par le point commun des metteurs de Q1 - Q2 et ltage collecteur commun Q16 . Les courants de ces sources sont rgls par la rsistance R et la tension de polarisation V (lments hors puce). Ltage diffrentiel est comportement metteur commun, attaquant en courant des miroirs de haute prcision de type Wilson transistors PNP. La prsence de la source de Wilson utilisant des transistors NPN permet dinverser le sens du courant afin de reconduire la diffrence des courants issus des collecteurs de ltage diffrentiel la sortie S1 . Ce point de sortie doit tre au potentiel 0 V en absence de dynamique (dcalage de tension nul). Une deuxime sortie S2 est propose par le biais des deux montages metteur suiveur Q16 - Q17 ,
constituant un buffer, isolant la charge au point S1 et recopiant la tension aux bornes de celle-ci en sortie S2 . La charge dmetteur de Q17 peut alors tre attaque en tension. Au niveau du continu, le potentiel de sortie est abaiss de 2VBE . Ce circuit intgr peut donc tre utilis en amplificateur diffrentiel conductance de transfert, associ un buffer. Etude du rgime pseudo-continu 2. Expression du courant de sortie Les transistors sont identiques et >> 1 . La source de Wilson tant un miroir de prcision, les courants dentre de chacune delles sont reconduits en sortie et inverss, cest--dire I pol IC5 (courant constant) et IC1 IC9 IC15 , IC2 IC12 .
o
quations du circuit
VD = VBE1 VBE 2 V = R I pol + VBE5 + VBE 4 VCC IC5o = I E1 + I E2 I = I I C15 C12 S
VBE1 I I e UT BS C1 quations technologiques Q1 Q2 VBE2 IC2 I BS e UT VD IC 5 IC 5 VD o o IC1 IC2 e UT do IC1 , IC 2 , IS IC1 IC2 I pol th 2U VD VD T 1 + e UT 1 + e UT
3. Commentaire V VBE5 VBE 4 + VCC I pol = R
V 2VBE + VCC VD th 2U R T Le transfert sera modifiable en retouchant la tension V et/ou la rsistance R extrieure.
IS
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Circuits intgrs
Si VD >> 2 UT IS I pol
500uA
Ipol
tangente au point de polarisation (VD = 0)
0A
zone linaire
- Ipol
-500uA -200mV IS -150mV -100mV -50mV -0mV VD 50mV 100mV 150mV 200mV
Etude du rgime continu 4. Courants de polarisation Aucune source dynamique ntant applique lentre du circuit, les bases des transistors Q1 et Q2 sont la masse. Dans ltude du rgime pseudo-continu, cela revient poser VD = 0 . Il sen suit I pol , IS IC1 IC2 0 IC1 = IC2 o o o o 2
Etude du rgime dynamique purement diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes) 5. Caractrisation du miroir (voir problme Source de Wilson pour transfert dynamique )
ie is
ig
ze rg ie
zs Rch
ze
rce , zs , Ai 1 2 avec les conditions rg >> ze , zs >> Rch

2 rbe
6. Expression du courant de sortie

IC1 I pol vd o i c1 vd = vd r U I pol 2 T 4 UT be1 2 i s i c1 i c2 vd 2 UT I pol vd vd i c 2 r 4 UT be2 2 car attaque en courant en sortie de ltage diffrentiel rce1 et rce2 >> ze et de mme entre miroirs
zs >> ze (pour la sortie sur Rch , voir plus loin).
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7. Linarisation du transfert On peut calculer la pente lorigine telle que

v d (t ) << 2 UT vd th 2U T vd 2U T dI S dVD V = I pol = is vd
D =0
2 UT
ou encore considrer
(voir le trac, excursion trs faible !)
8. Caractrisation du montage en sortie S1 La rsistance diffrentielle dentre, situe entre les bases des transistors Q1 et Q2 , scrit rbe1 + rbe2 . La rsistance de sortie, vue entre le nud S1 et la masse, est produite par deux miroirs en parallle, soit zs // zs = , haute impdance due lemploi de sources de Wilson 4 bien mieux adapt quun autre type de miroir. Ceci montre que si les conditions dadaptation suivantes sont respectes, attaque en tension en entre ( rbe1 + rbe2 >> rg ) et attaque de la charge en courant ( rce 4 >> Z ch ), le quadriple obtenu reprsente un amplificateur diffrentiel conductance de transfert.
is
rce
vd
Ze Yt vd
Zs1
vs1
Zch
is Yt = v d
I pol vd , Ze = i v s1 =0 2UT e
v s1 = 2 rbe , Z s1 = i v s1 =0 s
rce = 4 v d = 0
9. Caractrisation du montage en sortie S2 Les transistors, Q16 aliment par le miroir de courant Q6 - Q4 , et Q17 connect la charge, sont monts en collecteur commun. Ltage darlington prsente une trs importante rsistance dentre ( 2 Rch ) et une rsistance de sortie trs diminue ( ZS1 2 << Rch ) permettant dattaquer la charge en tension. Cest alors un amplificateur de tension.
Zs2 vd Ze Rch
A v vd
Le constructeur permet lutilisateur de recopier la tension nodale S1 aux bornes de la charge par le biais de ladaptation en tension, un dcalage doffset prs de 2VBE vers la masse. Le darlington est donc un buffer.
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Application de lamplificateur conductance de transfert

Dans le schma apparat le montage de ltude prcdente sous limage symbolique suivante.
OTA + -
+VCC
buffer
-VCC
Ipol
Ltude porte sur lassociation en boucle de deux amplificateurs conductance de transfert (OTA) avec leur buffer. Lalimentation symtrique du montage est VCC = 15 V et la tension Vcom est la variable de commande du montage.
+VCC OTA1 + -VCC R1 30k OTA2 + Ipol1 C 200p -VCC
+VCC
R2 10k
-VCC R3 25k
Ipol2 R4 5k
R5 10k
vOUT
Vcom
+VCC
-VCC
1. Expliquez le fonctionnement du montage sachant que les deux OTA travaillent ici forts signaux dentre. 2. Tracez les volutions des potentiels nodaux des entres de lOTA2. 3. Ecrivez lexpression de la priode des oscillations. 4. Dans la considration dun oscillateur contrl par la tension de commande Vcom (VCO), crivez les expressions de la frquence libre f0 et le facteur de sensibilit K 0 , rpondant la relation fVCO = K 0 Vcom + f0 , en fonction des composants passifs et des tensions appliques au circuit. Evaluez ces paramtres. 5. Discutez de linfluence des valeurs des composants passifs R1 , R3 , R 4 et C sur les performances de loscillateur.
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Corrig
1. Fonctionnement de loscillateur Les OTA travaillant forts signaux, le courant de sortie en fonction du temps est de la forme v D (t ) i S (t ) = I pol th 2U I pol , car v D (t ) >> 2 UT . T En rgime permanent, le signal sur la rsistance de charge R 4 de OTA2 est un signal carr de niveau R 4 I pol 2 par rapport la masse. Ce signal est appliqu lentre (+) de OTA1 et compar la masse et le condensateur C en sortie, charg (ou dcharg) courant constant, produit ses bornes un signal triangulaire. Ce signal est recopi la sortie du buffer de OTA1, la translation 2VBE prs, et compar au signal carr lentre de lOTA2. Il y a basculement lorsque les niveaux des signaux sont quasiment gaux ( v D (t ) 0 ). Ainsi, la tension aux bornes du condensateur crot ou dcrot linairement suivant que le signal carr est sur son front haut ou son front bas et ceci de faon priodique. Le circuit est donc un oscillateur produisant deux signaux synchrones de forme carre et triangulaire. Le signal carr v OUT (t ) est disponible en sortie de buffer sous faible impdance pour une attaque en tension. Si la tension Vcom est variable (modulation) , la frquence de loscillateur est modifie (VCO). 2. Chronogrammes
+ R 4 I pol 2
v OTA 2
0
+ v OTA
t1
t2
R 4 I pol 2
+ (t ) v OTA (t ) 0 , cest--dire que les tensions Les basculements ont lieu lorsque v D (t ) = v OTA 2
2
+ = R 4 I pol 2 et v OTA = v C (t ) 2VBE sont peu prs gales. nodales v OTA 2

2
3. Priode des oscillations En prenant pour origine des temps, le basculement R 4 I pol 2 + R 4 I pol 2 de la tension de sortie de OTA2, calculons les instants t1 et t 2 des basculements suivants. A partir de linstant t = 0 , v C (t ) =
I pol1 C t + cte avec cte = v C (0) = R 4 I pol 2 + 2VBE
do v C (t ) =
I pol1 C
t R 4 I pol 2 + 2VBE pour t [0, t1 ]
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A linstant t1 du basculement suivant + R 4 I pol 2 R 4 I pol 2 ,

v C (t1 ) = R 4 I pol 2 + 2VBE = I pol1 C t1 R 4 I pol 2 + 2VBE t1 = I pol1 C
2 C R 4 I pol 2
I pol1 I pol1 C t1 = 3 R 4 I pol 2 + 2VBE
A partir de linstant t1 , VC (t ) = do v C (t ) = I pol1 C
t + cte avec cte = VC (t1 ) +
t + 3 R 4 I pol 2 + 2VBE pour t [t1, t 2 ]
A linstant t 2 du basculement suivant R 4 I pol 2 + R 4 I pol 2 ,

v C (t 2 ) = R 4 I pol 2 + 2VBE = I pol1 C t 2 + 3 R 4 I pol 2 + 2VBE t 2 =
4 C R 4 I pol 2
I pol1
Ainsi, t 2 = 2 t1 =
4 C R 4 I pol 2 I pol1
= T (priode des signaux)
4. Caractristique du VCO
fVCO I pol1
4 C R 4 I pol 2
avec I pol1 =
2VCC 2VBE Vcom 2VBE + VCC et I pol 2 = R1 R3

R3 VCC 2VBE 4 C R1 R 4 2VCC 2VBE
de la forme fVCO = K 0 Vcom + f0
avec f0
et K 0
VCC
f0 2VBE
Lapplication numrique donne f0 100 kHz et K 0 7.23 kHz / V . 5. Discussion Les rsistances R3 et R 4 rglent lamplitude du signal carr. Le choix de la frquence centrale f0 du VCO est fixe par la valeur de C et R1 avec la condition Vcom = 0V , tension correspondant au centrage de la plage des frquences possibles.
200K
150K
K0 6.89 kHz/V
(20.548m, 96.440K)
(15.000, 195.371K)
100K
(-12.000, 12.280K) 50K
0 -12
1/ Period(V(OUT))
-8
-4
0 Vcom
12
15
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10V (32.318u, 5.6410)
Vcom = 0 V fosc 96.8 kHz
2VBE
0
pente 2.21 V/s
-10V
(36.671u, -7.2086) 30us V(OTA2:+) - V(OTA2:-) V(OTA2:+) 32us V(OTA2-) V(OUT) 34us Time 36us
(37.706u, -5.8083)
28us
V(C)
38us
40us
La simulation montre des rsultats en accord avec ltude la prcision prs des valeurs de VBE (0.6 0.7 V) et de la transition de IS = I pol en fonction de VD lors des basculements. Pente du signal triangulaire
VBE = 0.6 V . I pol1 C
2.3 V / s et amplitude crte du signal carr R 4 I pol 2 5.76 V avec
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Buffer et amplificateur conductance de transfert (OPA660 de Burr-Brown)

Le circuit tudier intgre deux fonctions, un buffer et un amplificateur conductance de transfert. Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques ou parfaitement complmentaires et de gain en courant = 200 , de tension dEarly VA = 100V . Lalimentation symtrique du montage est telle que VCC = 5 V . Les rsistances R pol et Rch sont hors puce et la tension VE est applique lentre du circuit. Lors des calculs, les courants de base seront ngligs ( grand ) et VA >> VCEo . Etude du buffer de tension (Diamond Buffer)
+VCC
Q3
Q4 Q8
Q6 Rpol 17.6k Ipol vE Q5 Q7 vS Rch 1k
Q1
Q2
-VCC
Comprhension du schma 1. Donnez une description prcise du circuit. Etude du rgime pseudo-continu 2. Ecrivez la relation de la tension VS en fonction de VE et I pol , Rch .
Etude du rgime continu 3. Evaluez les courants de collecteur des transistors. Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors. 5. Dessinez le schma. 6. Ecrivez lexpression du transfert en tension Av = v s v e . Comparez au rsultat obtenu lors de ltude en rgime pseudo-continu. 7. Ecrivez les expressions des rsistances dentre Z e et de sortie Z s vue de la charge. 8. Evaluez les paramtres Z e , Z s , A v qui caractrisent lamplificateur de tension en prcisant les conditions dadaptation respecter.
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Etude de lamplificateur conductance de transfert (Diamond Transistor)

+VCC
Q3
Q4 Q8
Q11
Q12
Q6 Rpol 17.6k Ipol vE Q5 Q7 vS Rch 1k
iS
Q1
Q2
Q9
Q10
-VCC
Comprhension du schma 9. Donnez une description prcise du circuit. Etude du rgime pseudo-continu 10. Ecrivez la relation de la tension IS en fonction de VE et I pol .
Etude du rgime continu 11. Evaluez les courants de collecteur des transistors. Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 12. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors, ainsi que les lments de la caractrisation des miroirs Q9 - Q10 et Q11 - Q12 ( ze , zs , Ai ). 13. Dessinez le schma. 14. Ecrivez lexpression du transfert en tension Yt = i s v e . Comparez au rsultat obtenu lors de ltude en rgime pseudo-continu. 15. Ecrivez les expressions des rsistances dentre Z e et de sortie Z s du montage. 16. Evaluez les paramtres Z e , Z s , Y t qui caractrisent lamplificateur conductance de transfert en prcisant les conditions dadaptation respecter. Rappel de la notation : v E (t ) = VE + v e (t ) , (superposition des rgimes continu et dynamique).
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Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun tage de polarisation et de quatre tages collecteur commun. Une symtrie par rapport la masse, due aux transistors complmentaires fait apparatre une topologie parallle de lensemble. - Le circuit de polarisation est compos de deux miroirs de courant lmentaire Q1 - Q2 et Q3 - Q4 polarisant respectivement les transistors Q6 et Q5 . Les courants de ces sources sont fixs par le choix de la rsistance R pol . Nous dmontrerons que lassociation des transistors parfaitement complmentaires Q5 - Q8 et Q6 - Q7 produit ici les mmes courants de polarisation.
-
Les tages collecteur commun Q5 et Q6 , chargs en partie par une source de courant, prsentent un niveau de rsistance dentre relativement lev, permettant une attaque en tension du montage. Les tages collecteur commun Q7 et Q8 assurent une faible rsistance de sortie, permettant une attaque en tension de la charge. Lassociation de ces metteurs suiveurs conduit un gain en tension unit. Ici, lintrt de cette topologie rside dans lassociation en cascade de deux metteurs suiveurs complmentaires ( Q5 - Q8 ou Q6 - Q7 ) qui compensent leurs tensions base-metteur en mode actif (ni saturs ou bloqus), donc pas de translation de tension continue entre entre et sortie ( VS VE ) et amlioration de la stabilit thermique (structure Diamond).
Cette partie du circuit intgr est appel Diamond Buffer.
Etude du rgime pseudo-continu Les courants de saturation I BS des jonctions base-metteur et les gains en courant des transistors sont supposs identiques, leffet Early est nglig. 2. Relation VS (VE ) Pour les tages de polarisation : VBE1 IC I BS e UT Q1 Q2 1 (technologie) VBE2 IC2 I BS e UT
VEB3 IC I BS e UT Q3 Q4 3 (technologie) VEB4 UT IC4 I BS e
VBE1 = VBE 2 (circuit)
IC1 IC2 I pol
VEB3 = VEB4 (circuit)
IC3 IC4 I pol
Pour les tages metteurs suiveurs VEB5 VE VS IC I BS e UT 5 Q5 Q8 (technologie) VE = VEB5 + VBE8 + VS (circuit) IC8 I pol e UT VBE8 UT I I e BS C8
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VBE6 IC I BS e UT 6 Q6 Q7 (technologie) VEB7 IC7 I BS e UT
VE = VBE6 VEB7 + VS (circuit) IC7 I pol e
VE VS UT
Pour dfinir la tension de sortie

VS Rch IC8 IC7
V V VE VS E S VS Rch I pol e UT e UT
= 2 R I sh VE VS ch pol UT VE VS sh U T VE VS U T
Comme il a t dit lors de la discussion, VS VE ou VE VS << UT do VS
1 VE VE tant que les transistors travaillent en mode actif. UT 1+ 2 I pol Rch
Etude du rgime continu 3. Courants de polarisation Aucune source dynamique ntant applique lentre du circuit, les bases des transistors Q5 et Q6 sont la masse. Dans ltude du rgime pseudo-continu, cela revient poser VE = 0 . Il sen suit que tous les courants de collecteur sont gaux I pol et la tension de sortie VS 0 .
2VCC = VEB3 + R pol I pol + VBE1 (circuit) I pol 500 A avec VBEo 0.6 V .
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 4. Evaluation des paramtres des modles des transistors
rbe UT V et rce A ( VCEi << VA ) , soit rbe 10 k , rce 200 k I pol I pol
5. Schma
rce Q8 Q5
ve
Q6 Q7 rce
vs
Rch
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6. Expression du transfert en tension Etages collecteur commun Q5 ou Q6

i rbe i ve rce /2 vs1
Z s1
r rce v = rbe i + ce ( + 1)i ( + 1) v s1 e 2 2 = 1 rce ve v = rce ( + 1)i ( + 1) rbe + s 2 1 2

i0 i rbe i rce /2 i1 v0
i 0 + ( + 1)i = i1 r r r rce Z s1 = ce // be be i1 v 0 = 2 +1 +1 2 v = r i 0 be
Etages collecteur commun Q7 ou Q8

i Zs1 + rbe i vs1 rce
i Zs1 + rbe i vs1 rce Rch vs
Zs
vs v s1 = Zs1 + rbe i + 2 ( + 1)(rce // rce // Rch )i 1 1 vs v s = 2 ( + 1)(rce // rce // Rch )i
(avec charge quivalente rce // rce // Rch )
Le transfert en tension global est donc
v s1 v s 1 ou v s v e , ce qui est la mme expression que v e v s1
pour le transfert en rgime pseudo-continu. 7. Rsistances dentre et de sortie du montage Calcul de la rsistance dentre Les tages collecteur commun Q7 ou Q8 prsentent chacun la rsistance dentre Z e2 = rbe + 2 ( + 1)(rce // rce // Rch ) . La rsistance dentre du montage est donc celles des tages collecteur commun Q5 ou Q6 mis en parallle, chargs chacun par Z e2 , soit
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Ze =
1 rce r // Ze2 ce rbe + ( + 1) 2 2 2 2
rce // 2 2 // Rch
Calcul de la rsistance de sortie La rsistance de sortie, vue par la charge extrieure, est produite par les deux tages collecteur rbe + Z s1 rbe 1 . commun Q7 et Q8 en parallle, soit Z s = rce // 2 +1 2 Lassociation de cette rsistance Z s en srie avec une source de tension indpendante v s constitue le diple quivalent de Thvenin pouvant attaquer la charge du montage. 8. Caractrisation du buffer Les conditions dadaptation respecter pour ce type damplificateur en tension sont une attaque en tension en entre ( Z e >> RG ) et en sortie ( Z s << Rch ).
RG ve vg Ze
Zs Rch
A v ve
avec les valeurs Av 1 , Ze 8 M , Zs 25 .
5.0V
pente de 0.983 V/V
VS (VE)
0V
saturation et blocage des transistors
saturation et blocage des transistors

-5.0V -5.0V
fonctionnement en mode actif des transistors
0V
5.0V
Nous constatons que le domaine de linarit est trs tendu, puisque la tension dentre maximale possible est voisine de la tension dalimentation VCC .
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Comprhension du schma 9. Description Le schma est conu sur la mme ide que le buffer tudi prcdemment (structure Diamond). Il vient sajouter un transfert statique et dynamique de courant vers la nouvelle sortie. La symtrie par rapport la masse de lensemble, due aux transistors complmentaires, fait toujours apparatre une topologie parallle. - Les tages metteur suiveur Q7 et Q8 reconduisent leur courant de collecteur vers la sortie par le biais des miroirs Q9 - Q10 et Q11 - Q12 . Cet ensemble tant complmentaire par rapport la masse, le courant de sortie i S est la diffrence de leurs courants de collecteur.
-
Les deux miroirs en parallle produisent en sortie une rsistance dynamique relativement importante pour attaquer une charge en courant.
Ce circuit intgr peut donc tre utilis en amplificateur conductance de transfert.
Etude du rgime pseudo-continu 10. Relation IS (VE ) Pour dfinir la tension de sortie du buffer (metteurs suiveurs en mode actif) Rch VS Rch IC8 IC7 ou VS VE VE . U Rch + T 2 I pol
Pour les tages de transfert de courant VBE9 IC I BS e UT 9 Q9 Q10 (technologie) VBE10 UT IC10 I BS e
VEB11 IC I BS e UT 11 (technologie) VEB12 UT IC12 I BS e
VBE9 = VBE10 (circuit)
IC9 IC10
Q11 Q12
VEB11 = VEB12 (circuit)
IC11 IC12
Pour dfinir le courant de sortie IS = IC IC 12 10 VS VE V 1 E ou encore IS IC12 IC11 IC8 IS IC8 IC7 U Rch Rch Rch T 1+ 2 I pol Rch IC10 IC9 IC7 tant que les transistors travaillent en mode actif.
Etude du rgime continu 11. Courants de polarisation Tous les courants de collecteur sont gaux I pol et le courant de sortie IS 0 .
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Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 12. Evaluation des paramtres des modles des transistors et des quadriples de transfert de courant
rbe 10 k , rce 200 k et ze = rbe 50 , zs = rce 200 k , Ai = 1 +2 +2
13. Schma
i1 rce ze i1 Q8 Q5 in vs Q7 i2 rce ze zs i2 is zs
ve
Q6
Rch
14. Expression de la conductance de transfert Etages collecteur commun Q5 ou Q6 (inchang) Etages collecteur commun Q7 ou Q8 Les schmas des deux tages tant identiques, chacun dbite un mme courant constituant le courant i n traversant la charge.
i Zs1 + rbe i vs1 rce Rch i + i1 i1 ze vs in /2 in /2
v s1 = Z s1 + rbe i + rce (i1 + i ) + ze i1 rce (i1 + i ) + ze i1 = Rch i n i = 2 (i i ) 1 n
v s = Z s1 + rbe + rce i + (rce + ze )i1 1 (rce + ze + 2 Rch )i1 = (2 Rch rce )i
r + ze + 2 Rch + rce + ze i1 v s1 = Z s1 + rbe + rce ce R r 2 ch ce
soit
i1 1 v s1 2 Rch
avec rce >> ze , rce >> 2 Rch et Z s1 + rbe .
Etages de transfert en courant

i s (i1 + i 2 ) = 2 i1
i s (i1 + i 2 ) = 2 i1
ve Rch
(courant de court-circuit limage du
thorme de Norton)
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soit Yt =
is 1 v e Rch
(mme expression que pour le transfert en rgime pseudo-continu).
15. Rsistances dentre et de sortie du montage La rsistance dentre du montage est inchange (voir ltude du buffer). Calcul de la rsistance de sortie La rsistance de sortie est produite par deux miroirs en parallle, soit Zs = rce10 // rce12 = rce . 2 Lassociation de cette rsistance Z s en parallle avec une source de courant indpendante i s constitue le diple quivalent de Norton pouvant attaquer la charge du montage.
16. Caractrisation de lamplificateur conductance de transfert Les conditions dadaptation respecter pour ce type damplificateur sont une attaque en tension en entre ( Z e >> RG ) et une attaque de la charge en courant ( Z s >> Rch ).
is
ve
Ze Yt ve
Zs
vs
Rch
avec les valeurs Yt 1 mA / V , Z e 8 M , Z s 100 k .

5.0mA
IS (VE)
pente de 0.973 mA/V
0A
saturation et blocage
saturation et blocage
fonctionnement en mode actif des transistors
-5.0mA -5.0V
0V
5.0V
Nous constatons que le domaine de linarit est trs tendu, puisque la tension dentre maximale possible est voisine de la tension dalimentation VCC . De plus, les transferts en tension et en courant ont mme expression en rgime pseudo-continu et en rgime dynamique condition de rester dans le mode actif des transistors. Par contre, ltude du rgime pseudo-continu est la seule tude dlimiter les domaines de linarit.
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Applications de lamplificateur conductance de transfert

Lamplificateur conductance de transfert peut tre vu comme un transistor auto-polaris , puisque par dfinition, cest une source de courant commande par une tension. Ce quasi-transistor possde trois bornes : une entre haute impdance (base), une entre/sortie basse impdance (metteur) et une sortie de courant (collecteur). Nous proposons trois applications de base de lamplificateur qui dmontrent une quivalence de comportement avec les montages fondamentaux traditionnels. Dans les schmas apparat le montage de ltude prcdente sous limage symbolique suivante.
C B E
Application n1
iS C B vIN iS RE vE E Rch
Application n2
Application n3
iS
vOUT
C B vIN E
iS B
Rch
vOUT
Rch
vOUT
RE
vIN
1. Dterminez le transfert en tension des montages suivants. 2. Comparez avec les caractristiques des montages fondamentaux.
Corrig
Application n1
1. Transfert en tension Rgime pseudo-continu V R VE V 1 1 VE VIN VIN , IS E , VOUT = Rch IS OUT ch UT UT RE RE VIN RE 1+ 1+ 2 I pol RE 2 I pol RE Rgime continu VE VIN = 0 (base la masse), IS 0 VOUT 0 Rgime dynamique aux faibles signaux v R r v v e v in , v out Rch i s Rch in out ch , Z s ce // Rch Rch 2 RE v in RE
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2. Comparaison Le montage est un amplificateur non inverseur, comparable un montage pseudo-metteur commun (inverseur) sans translation de lordre 0.6 V de la tension de sortie en rgime continu. Sa rsistance de sortie est de valeur importante (source de courant).
Application n2
1. Transfert en tension Rgime pseudo-continu 1 VOUT VIN VIN UT 1+ 2 I pol Rch Rgime continu VIN = 0 (base la masse) VOUT 0 Rgime dynamique aux faibles signaux r v out v in , Z s be 2 2. Comparaison Le montage est un amplificateur suiveur (buffer), comparable un montage collecteur commun sans translation de 0.6 V de la tension de sortie en rgime continu. Sa rsistance dentre est de valeur importante et sa rsistance de sortie de valeur faible.
Application n3
1. Transfert en tension Rgime pseudo-continu V R V IS IN , VOUT = Rch IS OUT ch RE VIN RE Rgime continu VIN = 0 , IS 0 VOUT 0 Rgime dynamique aux faibles signaux v R v i s in , v out Rch i s out ch , Z s Rch RE v in RE 2. Comparaison Le montage est un amplificateur inverseur, comparable un montage base commun (non inverseur) sans translation de la tension de sortie en rgime continu. De plus, lamplificateur travaille en convoyeur de courant de gain unit. Sa rsistance dentre est de valeur faible et sa rsistance de sortie de valeur importante.
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Amplificateur contre raction de courant (LT1223 de Linear Technology)

Tous les transistors de ce circuit intgr sont supposs technologiquement identiques ou parfaitement complmentaires et de gain en courant = 200 , de tension dEarly VA = 100V . La capacit C correspond un effet parasite en H.F.. La rsistance R est hors puce et la tension VE est applique lentre du circuit. Lalimentation symtrique du montage est telle que VCC = 15 V . Lors des calculs, les courants de base seront ngligs ( grand ) et VA >> VCEo .
+VCC
Q5
Q6
Q9 Q10
Q12
Q11
Q19
Q3 Ipol Q1 iN R 57.6k vE C Q2 vN
Q17
vS
Q4
Q18
Q15 Q20 Q14 Q7 Q8 Q13 Q16
-VCC
Comprhension du schma 1. Donnez une description prcise du circuit. Etude du rgime continu 2. Evaluez les courants de collecteur des transistors. Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes 3. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors, ainsi que les lments de la caractrisation des sources de courant. 4. Dessinez le schma du circuit intgr en prenant en compte les lments prcdents.
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5. En considrant uniquement la partie de circuit compose des transistors Q1 - Q2 - Q3 - Q4 et leurs charges, crivez les expressions des rsistances dentre Re1 et de sortie Rs1 , du gain de transfert en tension 1 = v n v e dans des conditions idales dadaptation en tension lentre et charg par une rsistante Rch1 la sortie. Evaluez ces paramtres. 6. En considrant uniquement la partie de circuit compose des transistors Q17 - Q18 - Q19 - Q20 et le circuit dattaque, crivez les expressions de la rsistance de transfert Rt = v s i n vide (charge infinie), et de sortie Rs2 . Evaluez ces paramtres. Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences hautes 7. En ne considrant que leffet d la capacit parasite C, crivez les expressions des impdances de transfert Z t ( p ) et de sortie Z s2 ( p ) . 8. Dessinez le schma de lensemble du circuit en utilisant les paramtres de caractrisation obtenus.
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Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun buffer en entre (tage tampon de gain en tension unit) dont le courant de sortie, dpendant de sa charge, subit un transfert vers lentre dun second buffer. Un tage de polarisation, prsent en amont, conditionne les courants du circuit intgr. La symtrie par rapport la masse de lensemble, due aux transistors complmentaires, fait apparatre une topologie parallle.
-
Le circuit de polarisation est compos de deux miroirs de courant lmentaire Q5 - Q6 et Q7 - Q8 imposant respectivement les courants de collecteur des transistors Q1 et Q2 . Les courants de ces sources sont fixs par le choix de la rsistance R. Lassociation des transistors parfaitement complmentaires Q1 - Q3 et Q2 - Q4 reconduit ces courants de polarisation lentre des deux rptiteurs de courant effet miroir (miroirs lmentaires et Wilson) pour polariser les transistors Q17 et Q18 en association avec Q19 et Q20 . Le buffer dentre est constitu de quatre transistors Q1 - Q2 - Q3 - Q4 monts en collecteur commun. Q1 et Q2 , chargs en partie par une source de courant, prsentent un niveau de rsistance dentre relativement lev, permettant une attaque en tension du montage. Q3 et Q4 assurent une faible rsistance de sortie au niveau de leurs metteurs, permettant une attaque en tension de la charge. Lassociation de ces metteurs suiveurs conduit un gain en tension unit. Ici, lintrt de cette topologie rside dans lassociation en cascade de deux metteurs suiveurs complmentaires ( Q1 - Q3 ou Q2 - Q4 ) qui compensent leurs tensions base-metteur en mode actif (ni saturs ou bloqus), donc pas de translation de tension continue entre entre et sortie ( VS VE ) et amlioration de la stabilit thermique (structure Diamond). Le faible courant diffrentiel en sortie du buffer est reconduit par effet miroir (sources de Wilson Q9 - Q10 - Q11 et Q13 - Q14 - Q15 ) de manire ce quil traverse une charge dynamique complexe de valeur trs importante (rsistances de sortie des sources Wilson en parallle avec la capacit parasite C). Le buffer de sortie Q17 - Q18 - Q19 - Q20 possde une topologie limage du buffer dentre lapport dun transfert en courant prs (miroirs lmentaires Q10 - Q12 et Q14 - Q16 ). La tension dveloppe aux bornes de la charge lentre du buffer est recopie sa sortie. Les caractristiques dynamiques des buffers sont fonctions des conditions dattaque et de charge.
En rsum, si un signal est appliqu lentre, il dsquilibre les entre de Q1 et Q2 en gnrant un courant de dcalage. Ce faible courant est transmis une forte impdance dynamique dont la tension rsultante est recopie en sortie ( ladaptation prs).
+ VCC I1 transfert de courant I1 buffer +1 N C I2 - VCC transfert de courant +1 S
buffer E
I2
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Etude du rgime continu 2. Courants de polarisation Aucune tension ntant applique lentre du circuit, les bases des transistors Q1 et Q2 sont la masse. Il sen suit que tous les courants de collecteurs sont gaux I pol et les tensions de sortie
VN 0 et VS 0 (symtrie complmentaire).
VBE i
Les transistors tant technologiquement identiques, ICi I BS e
UT
Pour le buffer dentre, VE = VEB1 + VBE3 + VN VEB1 = VBE3 IC1 = IC3 I pol et VBE 2 = VEB4 IC2 = IC4 I pol . Pour le buffer de sortie, les courants de polarisation sont reconduits par les miroirs Q10 - Q12 et Q14 - Q16 , IC17 = IC19 I pol et IC18 = IC20 I pol . Le courant de polarisation est calcul partir de lcriture de la maille 2VCC = VEB5 + R I pol + VBE7 do I pol 500 A avec VBEo 0.6 V .
Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes) 3. Evaluation des paramtres des modles des transistors et des quadriples de transfert de courant U V rbe T et rce A ( VCEi << VA ) , soit rbe 10 k et rce 200 k I pol I pol
ze =
2 rbe 99 , zs rce 20 M , Ai 1 (sources de Wilson) +2 2
' zs = rce12,16 = 200 k , Ai' 1 (miroirs lmentaires)
4. Schma
i1 rce ze i1 Q3 Q1 in vn Q4 i2 rce ze zs i2 zs
i1 rce
Q19 Q17
ve
Q2
Q18 Q20 rce
vs
i2
buffer dentre
transfert en courant
buffer de sortie
La symtrie du schma conduit i1 = i 2 .
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5. Caractrisation du buffer dentre

i rbe i rbe rce /2 i i
rce
in /2 in
2i i1 ze ve i rbe i rbe rce /2 i i
in /2
vn
rce
i1 ze
Evaluation du transfert en tension vide Etages collecteur commun Q1 ou Q2

i rbe i ve rce /2 vs1
zs1
r v = rbe i + ce ( + 1)i e 2 r v = ce ( + 1)i s 1 2 vs ( + 1)rce 1 1 = 2 rbe + ( + 1)rce ve
i0 i rbe i rce /2 i1 v0
i 0 + ( + 1)i = i1 r r r rce zs1 = ce // be be i1 v 0 = 2 + 1 +1 2 v = r i be 0
Etages collecteur commun Q3 ou Q4

i zs1 + rbe i vs1 i1 ze rce vn
v s1 = zs1 + rbe i '+ rce ( + 1)i '+ ze i1 v n = rce ( + 1)i '+ ze i1 i = i ' 1
rce ( + 1) + ze v v v s1 vn 1 ( vide) = 1 do 1 = n = n v s1 zs1 + rbe + rce ( + 1) + ze v e v s1 v e
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Evaluation de la rsistance de sortie

i0 i zs1 + rbe i1 ze
rce
v0
i + ( + 1)i ' = i '+ i 1 0 v 0 = rbe + zs1 i ' rce ( i '+i1 ) + ze i1 + rbe + zs1 i ' = 0
i = i i ' 0 1 v 0 = rbe + zs1 i ' (ze + rce ) i1 + rbe + zs1 + rce i ' = 0
v0 i 0 = i1 + r + z be s1 v0 (z + r ) i = r + z + r be s1 ce e ce 1 r be + zs1
v0 = i0
1+
rbe + zs1 + rce ze + rce
rbe + zs1
rbe + zs1
+1
do Rs1
rbe + zs1
2 ( + 1)
25 .
Evaluation de la rsistance dentre Lvaluation de la rsistance dentre est fonction de la rsistance de charge Rch1 du buffer.
i rbe i v0 rce Rch1 i + i1 i1 ze vn in /2 in /2
v 0 = rbe i '+rce ( i '+ i1 ) + ze i1 Rch1 i n = rce ( i '+ i1 ) + ze i1 i n = 2 (i 'i1 )
v 0 = (rbe + rce ) i '+ (rce + ze )i1 rce + ze + 2 Rch1 i1 = 2 Rch1 rce i '
ze2 = rbe + rce + (rce + ze )
2 Rch1 rce rce + ze + 2 Rch1
r rbe + 2 ( + 1) ce // Rch1 2
La rsistance dentre du montage est donc celles des tages collecteur commun Q5 ou Q6 mis en parallle, chargs chacun par ze2 , soit
Re1 = 1 rce // ze2 rbe + ( + 1) 2 2
Les valeurs limites de cette rsistance sont 0.92 M Re1 10 M pour 0 Rch1 .
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Le buffer peut tre reprsent sous la forme du quadriple suivant :

in Rs1 ve Re1 vn 1 ve Rch1
vn =
R 1v e (en charge) R + Rs1
Les conditions dadaptation respecter pour ce type damplificateur en tension sont une attaque en tension en entre ( Re1 >> RG ) et en sortie ( Rs1 << R ).
Expressions des courants i1 , i 2 , i n Le schma du buffer tant symtrique, les tages suiveurs Q1 - Q3 et Q2 - Q4 dbitent un mme courant ( i1 = i 2 ) constituant le courant i n traversant la rsistance de charge Rch1 .
Rch1 i n = rce ( i '+ i1 ) + ze i1 i n = 2 (i 'i1 ) Rch1 Rch1 + Rs1
2 i1 =
avec ( + 1)rce >> ze et rce >> 2 Rch1

Rch1 i n =
( + 1)rce + ze
2 Rch1 rce
in
in in +1
1v e
do i1 = i 2
ve in et i n . 2 Rch1 + Rs1
6. Caractrisation de ltage amplificateur rsistance de transfert

rbe i i 2i in rbe i i
rce /2 i
in /2
rce
Rn rbe i i rbe i i
vs
rce /2 i
in /2
rce
Evaluation de la rsistance de transfert vide La sortie des sources de Wilson (tages de transfert en courant) fait apparatre un circuit sous forme de Norton, attaquant le second buffer, tel que
i n (i1 + i 2 ) = 2 i1 et Rn = zs = 10 M . 2
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in '' ' ( + 1)i + 2 = i + i [r + r ( + 1)]i ' = rce i '' be ce 2 rce '' i R n (i n 2 i ) = rbe i + 2 v s = rce ( + 1)i '
rce ' rce ( + 1)i + rce i n i = rbe + rce ( + 1) + 2 2 4 ' R n i n = (2 Rn + rbe ) i + [rbe + rce ( + 1)]i ' v s = rce ( + 1)i
rce rce ( + 1) 2 ( + 1)Rn rce rce vs 2 rbe + rce ( + 1) + = + + [rbe + rce ( + 1)] in 2 2 Rn + rbe rce ( + 1) 2 Rn + rbe 4 rce 2 ( + 1)Rn rce v rce ( + 1) + do Rt = s = rce in 2 Rn + rbe 4 ( + 1) r ce [rbe + rce ( + 1)] 1 + 2 + + R r 2 2 n be rce rce ( + 1)( + 2) ( + 2)Rn 2 Rt 2 5.03 M avec rbe << 2 R n et rce ( + 1) . rce rce ( ) R 2 1 + + ( ) + 1 n 2 2 ( + 1) 1 + 2 +1 R 2 n
Evaluation de la rsistance de sortie ( v e = 0 i n = 0 )

R s2 =
1 2
zs1 + rbe zs1 + rbe rce 2 Rn + rbe + 1 // rce 2 ( + 1) 149 avec zs1 = 2 // + 1 50 k
7. Etude aux frquences hautes Lintroduction de la capacit parasite en parallle sur Rn conduit une charge complexe
Rn , do limpdance de transfert vide et limpdance de sortie 1 + Rn C p rce rce ( + 2)Rn ( + 2)Rn Rt 1 2 Zt ( p) = 2 rce rce rce 1 + Rt C p ( + 1)(1 + Rn C p ) 2 Rn + ( + 1) ( + 1)Rn C 2 Rn + 2 2 1+ 2 p r 2 Rn + ce ( + 1) 2 p 1+ Z s1 ( p ) + rbe zs1 + rbe rbe 1 1 Z s2 ( p ) = R s2 avec 1 = et 2 = 1 p z z 2 ( + 1) rbe + zs1 s s 1+ ( ( + 2) 1 rbe C + 1) 1 C 2 2 2 ( f1 37.8 kHz et f2 6.3 kHz ) Zn ( p) =
r r 1 + be C p 1 + be C p rce 2 Z n ( p ) + rbe rce R 2 n 2 2 zs avec Z s1 ( p ) = // // 1 zs +1 2 2 + 1 1 + Rn C p 1 + ( + 1) 1 C p 2
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Limpdance de sortie demeure constante au-del de la frquence du zro ( f >> f1 ) la valeur

' = Rs 2
rbe 2 Rs2 25 . Rs 2 1 rbe + zs1
Notons que linfluence des buffers en fonction de la frquence est nglige, les montages collecteur commun prsentant une large bande importante. La stabilit ne peut tre tudie ici.
8. Caractrisation de lamplificateur contre-raction de courant
ve
+1 Zs2 (p) in Rs1 vs
Zt (p) in
vn
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Application de lamplificateur contre raction de courant

Le circuit intgr de lamplificateur contre raction de courant figure sous limage symbolique suivante au sein des datasheets.
+ + ve symbole R1 R2 vs
1. Dterminez le transfert en tension du montage aux frquences moyennes. 2. En ne considrant que leffet de la capacit parasite, dterminez la frquence de coupure haute. 3. Concluez sur loriginalit de ce type de circuit.
Corrig
1. Gain en tension aux frquences moyennes
v e Rs1 i n Rt i n v s i n = R1 R s2 v = v R i + Rt i n v s R e s1 n 2 s Rs 2 ve v + s Rt R 2 R1 Rs2 R vs = ve + Rs1 2 vs Rs Rs1 Rt R s2 2 1+ + R1 Rs2
i n = i1 i 2 v e Rs1 i n + R1 i1 v s = Rt i n Rs2 i 2 v = R i + R i 1 1 2 2 s
Rs Rt Rt R2 Rs1 R + 2 + 1+ 1 + 1 + v s = 1 + R1 Rs2 Rs2 R1 Rs2 Rs 2 R s2 K 1 + K Rt v s = R ve 1+ x Rt
R2 1 + R v e 1
en posant K = 1 +
Rs1 R2 et R x = 1 + R Rs2 + R 2 + K Rs1 . R1 1
2. Rponse aux frquences hautes

1+ 1+
p
Rt Zt ( p) et Z s2 ( p ) Rs2 1 + Rt C p
1
p
( f1 37.8 kHz et f2 6.3 kHz )
' Une approche directe de la frquence de coupure peut tre effectue en prenant Z s2 ( p ) Rs 2
pour des frquences trs leves (>> 1 MHz).
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' Rs C 2 ' ' Rs 2 K 1 + R s2 K 1 + K Zt ( p) K Rt V ( p) = do s Rx R Ve ( p ) 1+ 1+ x Zt ( p ) Rt
K p 1+ ' ' Rs Rs C 2 1+ 1+ 2 p K R t K K 1 + (R x // Rt )C p 1+ Rx C p
' Rs + R 2 + K R s . 1 2 1 K . Les coupures dues aux ple et zro sont respectivement fc et fz ' 2 Rx C 2 Rs C 2
Rs1 ' << K Rt et R x << Rt avec R x = car Rs 2 1 + R 1
Ce ple est videmment un ple dominant vis--vis des effets capacitifs des transistors en montage collecteur commun et sa valeur fluctue lgrement en fonction des rsistances de contre raction (voir tableau plus loin). Il y a intrt prendre des valeurs faibles pour ces dernires afin dobtenir une large bande passante. 3. Originalit du circuit intgr Aux frquences moyennes, le gain en tension en boucle ferme scrit donc vs R 1+ 2 = K . ve R1 Cette expression est identique celle obtenue avec un amplificateur de tension contre raction tension-tension. Aux hautes frquences, ce rapprochement nest plus faire puisque la frquence de coupure en boucle ferme est uniquement fonction du paramtre R x . La notion de produit gain bande passante na plus lieu. Cest loriginalit de ce type damplificateur de tension.
' Application numrique : Rs1 25 , Rs 25 2
R1 () 750 187 83 Simulation :

30
R2 () 750 750 750 750
K 1 2 5 10
R x () 800 826 904 1033
fc (MHz) 39.8 38.5 35.2 30.8
fz (GHz ) 1.27 2.55 6.37 12.7
R1 = 83 20 R1 = 187
K = 10 K=5
(30.406M ,16.923) (34.656M ,10.863)
R1 = 750 R1 =
K=2 K=1
(37.486M ,2.9676) (38.479M, -3.0174)
R2 = 750
-20 10KHz
DB(V(S))
100KHz
1.0MHz Frequency
10MHz
100MHz
1.0GHz
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Comparateur (LM139 de Texas Instruments)

Considrons le circuit intgr de la figure ci-dessous o la rsistance Rch est un lment hors puce. Le but est de dcrire le transfert en tension provoqu par un signal carr lentre du montage au sein dune tude forts signaux. Tous les transistors sont supposs identiques ou parfaitement complmentaires ( >> 1 ) et la tension dEarly est nglige ( VA = ). Le modle mathmatique dEbers-Moll sera utilis cause du comportement non linaire des transistors, avec les paramtres F 1 , R 0.5 et I ES = 1 fA .
VCC 5V
I1 100A
I2 100A Rch
Q2 (+) Q1 VD
Q3 (-) Q4
5k
Q8 Q7
VS
Q5
Q6
Comprhension du schma 1. Donnez une description prcise du circuit. Etude du rgime pseudo-continu 2. Ecrivez lexpression des courants IC2 et IC3 en fonction de la tension diffrentielle dentre VD et de la source de courant I1 . Tracez ce transfert. 3. Pour une valeur de VD >> 2 UT , expliquez les modes de fonctionnement des transistors Q5 , Q6 , Q7 et Q8 . Commentez ce rsultat. 4. Mme question pour une valeur de VD << 2 UT . 5. Tracez la rponse temporelle de VS et concluez. Conception du circuit de polarisation 6. Dessinez le circuit reprsentatif des sources de courant I1 et I 2 en employant des rsistances dont les valeurs nexcdent pas 20 k.
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Circuits intgrs
Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le circuit intgr se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel associ un transfert dynamique de courant et dun tage de sortie. - Le circuit de polarisation est symbolis, dans son rgime continu, par deux sources de courant I1 et I 2 qui alimentent respectivement ltage diffrentiel et ltage de sortie. La vritable structure de ce circuit peut tre un rptiteur de courant (source de Widlar par exemple) dont les valeurs de rsistances demeurent raisonnables afin doccuper un minimum de place sur la puce. - Ltage diffrentiel est comportement metteur commun. Les transistors Q1 et Q4 monts en collecteur commun, qui prcdent les transistors Q2 et Q3 respectivement, proposent un faible courant de polarisation en entre (quelques nA). Le circuit de charge est un miroir lmentaire Q5 - Q6 qui commande en courant ltage terminal.
-
Ltage de sortie utilise deux montages metteur commun. Le transistor Q8 est collecteur ouvert, permettant lutilisateur de choisir la valeur de la charge. Si la charge nest pas alimente en courant, le circuit est faible consommation (1 mW). Lintrt de cette structure apparatra lors de ltude en commutation de ces transistors.
Etude du rgime pseudo-continu Rappelons la modlisation du JBT en rgime continu (modle mathmatique dEbers-Moll)
VCB VBE I E = I ES e UT 1 R ICS e UT 1 = I I I B E C VCB VBE U U IC = ICS e T 1 + F I ES e T 1
associes la condition de rciprocit F I ES = R ICS .
Par exemple, en mode actif direct ( VBE > 0 , VCB 0 ), les quations scrivent :
VBE I E I ES e UT VBE IC F I ES e UT VBE I (1 )I e UT F ES B
IC F = F IB 1 F
si le courant de fuite de la jonction en inverse est ngligeable devant le courant direct de la jonction base-metteur et VBE >> UT . 2. Expression du courant de sortie Les transistors Q1 , Q2 , Q3 et Q4 sont identiques et travaillent en mode actif direct ( >> 1 ou F 1).
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VD = VEB1 VEB2 + VEB3 + VEB4 I B2 = I E1 quations du circuit I B3 = I E 4 I = I + I 1 E2 E3

VEB1 I E I ES e UT 1 quations technologiques Q1 Q2 VEB2 UT I I e ES E2 VEB3 I E I ES e UT 3 et Q3 Q4 VEB4 UT I I e ES E4
IE IE VD = UT ln 3 4 IE IE 1 2 I1 = I E 2 + I E3 I E1 = I B2 = I E 2 I I B3 I E3 E4
100uA
I E3 VD = 2 UT ln IE2 I1 = I E 2 + I E3
do I E2
I1 1+ e
VD 2 UT
IC 2 , I E 3
I1 1+ e
VD 2 UT
IC 3
IC2
IC 3
50uA
0A -300mV
-200mV
-100mV
0V
100mV
200mV
300mV
VD
3. Explication du fonctionnement des transistors pour VD >> 2 UT Si VD >> 2 UT IC2 0 et IC3 I1 = 100 A . Le transistor Q2 fournit un courant de collecteur
pratiquement nul et le transistor Q3 transfre la quasi intgralit du courant issu de la source I1 . Le miroir reconduisant le courant dentre IC5 IC2 , amne sa sortie IC6 0 . La loi de nud scrit IC3 = IC6 + I B7 , donc I B7 100 A . Si le courant collecteur de Q7 tait suprieur son courant de base, la loi du nud serait telle que I B8 = I 2 IC7 < 0 , sens du courant de base de Q8 incompatible avec le type du transistor (NPN). Ainsi, I B7 IC7 = 100 A et le transistor Q8 est bloqu. Aucun courant ne circule dans la charge et le potentiel de sortie est au niveau de lalimentation VCC . On peut vrifier que lensemble Q5 - Q6 fonctionne bien en miroir de courant. En effet, VBE5 = VBE6 (tension faible), VCB5 = 0 V (transistor Q5 mont en diode) et VCB6 = VBE7 VBE6 > 0 , ce qui correspond un mode actif direct trs faible courant.
VBE6 VBE5 U UT 1 I T e = F I ES e 1 et IC6 ICS + F I ES C5 (effet miroir)
IC 5
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Circuits intgrs
Pour le transistor Q7 ,
VCB7 VBE7 VBE7 VCB7 e UT 1 (1 )I e UT 1 + (1 )I e UT 1 UT 1 + I IC7 I B7 ICS e F ES F ES R CS
soit (2 R )ICS e
VCB7 UT
(2 F 1)I ES e
VBE7 UT
car forts courants ( VCB7 et VBE7 >> UT ).

0.66 V 0.633 V
IC 7 IC 7
1 R F I ES e 2 R
VBE7 UT
3 IC 7 VBE7 UT Ln I ES
1 R F ICS e 2 F 1
VCB7 UT
et VCE7 = VCB7 VBE7
2 IC 7 VCB7 UT Ln I CS 27 m V
Le transistor Q7 est videmment satur et comme VBE8 = VCE7 , le transistor Q8 est bien bloqu. La tension de sortie est VS = 5 V .
5V
Rch
0A
100 A
100 A 27 mV
0A
5V Q8
0.66 V
100 A
0A
Q5 Q6
Q7
4. Explication du fonctionnement des transistors pour VD << 2 UT Si VD << 2 UT IC2 I1 = 100 A et IC3 0 . Le transistor Q2 transfre la quasi intgralit du courant issu de la source I1 et le transistor Q3 amne un courant de collecteur pratiquement nul tel que IC3 = IC6 + I B7 0 , soit I B7 IC6 . Ainsi, lensemble Q5 - Q6 renvoie un courant IC6 dont le sens est incompatible avec le courant de base de Q7 (type NPN) et I B7 sidentifie grossirement au courant de fuite de la jonction collecteur-base du transistor Q7 (tension VBE7 0 ). La loi du nud impose donc que IC6 0 et lensemble Q5 - Q6 ne travaille plus en miroir de courant. Les quations du transistor Q6 scrivent
VBE6 VCB6 I = I e UT 1 + I e UT 1 0 C6 CS F ES VBE6 U ( ) I 1 I B6 R F ES e T 1 VBE6 VCB6 I E 6 = I ES e UT 1 R ICS e UT 1 I B6
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Circuits intgrs
et pour le transistor Q5 mont en diode IC5
VBE5 UT 1 . e = F I ES
VBE6 IC2 = I E5 + I B6 I1 UT 1 De plus, la topologie impose I1 ( F + 1 R F )I ES e VBE5 = VBE 6
do I E5
F 1 R F I1 67 A , I B6 I1 33 A , F + 1 R F F + 1 R F
I1 et VBE5 = VBE 6 UT Ln 0.623 V ( ) I 1 + R F ES F

VCB6 VBE6 VBE6 VCB6 e UT 1 e UT 1 e UT 1 UT 1 I ICS e F ES R
do VCB6 VBE6 + UT Ln ( R ) 0.606 V et VBE7 = VCE6 = VBE 6 + VCB6 17 m V Le transistor Q7 tant bloqu, le courant issu de la source I 2 constitue le courant de base de Q8 , fort courant qui sature le transistor. Ainsi, I B8 100 A et IC8
VCC 1 mA Rch
Les quations du transistor Q8 scrivent

VCB8 VBE8 IC ICS e UT + F I ES e UT 8 VBE8 VCB8 U T + (1 R )ICS e UT I B8 (1 F )I ES e
I B8 (1 R F )I ES e
VBE8 UT
(1 R )IC8
I B + (1 R )IC8 VBE8 UT Ln 8 (1 R F )I ES VCE8 = VBE8 + VCB8 62 m V
F I B8 + ( F 1)IC8 0.695 V , VCB8 UT Ln (1 R F )ICS
0.633 V
La source de courant I 2 permet une faible tension de saturation en sortie puisque VS 62 mV .

5V 1mA Rch 100A
0A
100A 100A 0.695 V
62 mV Q8
0A
0.623 V 17 mV Q7
0A
Q5 67 A 33 A Q6
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Circuits intgrs
5. Trac de VS (t ) La simulation confirme les rsultats obtenus.

6.0V
(124u, 5.00)
4.0V
2.0V
(24u, 300m) (73u ,-300m)

0V
(173u, 62m)
frquence 10 kHz
-2.0V 0s V(S) V(in+) 50us 100us 150us Time 200us 250us 300us
Le niveau du signal VS (t ) , issu du comparateur aliment sous 5 V, est directement compatible avec des technologies TTL et CMOS. Comme rien nempche de brancher le CI sous une tension dalimentation symtrique ( VCC ), la compatibilit demeure valable pour une technologie ECL. Conception du circuit de polarisation 6. Schma du circuit reprsentatif des sources de courant
VCC
R1 200 Q11 Q9 I1 IC11 R3 19.8 k
R2 200
Q10
I2
Le choix se porte sur un rptiteur sources de Widlar symtriques ( I1 = I 2 ) dont les quations de circuit sont :
VEB11 = VEB9 + R1 I E9 VEB9 R1 I E9 R1 I1 R2 I 2 U T VEB11 I E11 F I ES e e UT soit IC11 I1 e UT I 2 e UT ( F 1 ) I E F I ES e UT 11
En prenant R1 = R2 = 200 , IC11 222 A et R3
VCC VEB11 IC11
19.8 k ( 20 k ).
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Boucle verrouillage de phase analogique (NE565 de Motorola)

Ltude porte sur le circuit intgr de la figure ci-dessous. Le but est de retrouver les performances du circuit fournies par le constructeur. Tous les transistors sont supposs identiques ou parfaitement complmentaires, de gain en courant important ( >> 1 ) et dont leffet Early est nglig ( VA = ). Un transistor prsente VBE 0.6 V en mode actif direct, VBEsat 0.8 V et VCEsat 0.2 V en mode satur. La diode zener D10 prsente une tension inverse VZ 2.7 V et les autres diodes VDi 0.6 V en direct. Une alimentation symtrique par rapport la masse ( VCC ) est branche entre les bornes 10 et 1.
Ce circuit se compose de deux parties, dune part la fonction oscillateur contrl en tension (VCO), comprise entre les bornes 7 (entre) et 4 (sortie), dont la frquence libre des oscillations est ajuste par deux composants passifs extrieurs que sont la rsistance R1 branche entre les bornes 8 et 10 et le condensateur C1 branch entre les bornes 9 et 1, dautre part la fonction comparateur de phase (CDP), remarquable par ses deux entres, borne 5 et bornes 2 et 3, avec la sortie sur la borne 7. La sortie du CDP est directement relie lentre du VCO. Ltude entreprendre est en rgime pseudo-continu. Les caractristiques statiques valuer seront - le facteur de sensibilit K D du CDP,
-
la frquence libre des oscillations fo et le facteur de sensibilit K 0 du VCO, la plage de maintien 2 fM , centre autour de fo , de la PLL. la plage de capture 2 f A , centre autour de fo , de la PLL associe un filtre RC.
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Circuits intgrs
Fonction CDP Le circuit du CDP est constitu dun multiplicateur quatre quadrants, suivi dun amplificateur diffrentiel asymtrique fonctionnant en rgime linaire.
+VCC
R14 3.3k
R16 7.2k D12 D13
R18 7.2k
R19 1.75k
R24
Vref
3.6k
VC
VM1 VM2
Q26 Q27
VS
D11 Q18 Q19 Q22 Q23 R20 3.8k R23 1k R25 1k
Q20
Q24
R21 8.1k
VE
R15 5.7k
Q21
Q25 Q28
R22 200
R26 200
R27 205
-VCC
Fonction VCO Le VCO du circuit NE 565 est un oscillateur relaxation, constitu partir dune source de courant commande et dun trigger de Schmitt.
+VCC
R1 R5 R8 4.7k R10 16k R12 4.3k 6.5k Q1 Q2
D10
VF
Vo
Q13 Q3 Q4
R27 13.65k
VS
D2 D3
VT
Q9 D6
D8 D9 Q12 D7 Q11 R7 8.4k
Q14 Q15
Q16
Q5
C1
R11 5.8k
Q6 R2 530
-VCC Q7 R3 530 Q10 D4 D5 Q8 R4
Vi
Q17 Q25
Icom
R13 2.4k
R6 2.6k
R9 4.8k
R17 200
R26 200
-VCC
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Comprhension du schma 1. Donnez une description prcise du schma du constructeur. Etude de la fonction CDP 2. Ecrivez lexpression de la tension diffrentielle de sortie VM = VM1 VM 2 du multiplicateur en fonction des tensions VE et VS dentre. 3. Si les tensions dentre sont des signaux carrs de mme frquence et damplitude importante devant 2UT , dcrivez le fonctionnement du multiplicateur. 4. En rgime continu, valuez les potentiels Vref et VCo . Concluez sur les rsultats obtenus. 5. En rgime dynamique aux faibles signaux, valuez le gain en tension Ad de lamplificateur asymtrique ( = 200 ). Prcisez lamplitude du signal v C (t ) . 6. Calculez le facteur de sensibilit K D du CDP. Etude de la fonction VCO 7. Ecrivez lexpression du courant I1 , issu des metteurs de Q3 et Q4 , en fonction du potentiel VF . 8. Ecrivez lexpression de la priode du signal VT en fonction de ses variations VT et du courant I1 . 9. En ngligeant la prsence des diodes D6 D9 et de la rsistance R7 , valuez Vi et Vo , respectivement potentiels dentre et de sortie du trigger dans les cas Q11 bloqu et Q12 satur et inversement. Dduisez les valeurs des potentiels VT+ , VT et VS . 10. Expliquez prcisment la commande de Q8 par le courant I com issu de ltage diffrentiel. Etude de la fonction PLL Le systme est boucl en connectant les bornes 4 et 5. Un condensateur C2 est connect entre les bornes 7 et 10, introduisant ainsi un filtre passe-bas de constante de temps = R24 C2 . 11. Pour toute valeur des composants extrieurs R1 et C1 , crivez les relations donnant la frquence libre fo du VCO, les gains de conversion K D et K 0 et les plages de maintien 2 fM et dacquisition 2 f A .
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Corrig
Comprhension du schma 1. Description Le schma se compose dun tage de polarisation, dun comparateur de phase et dun oscillateur contrl en tension. - Le circuit de polarisation, rptiteur de courant, est lassociation de sources de type Widlar dont le courant de rfrence est fourni par le transistor Q25 et les rsistances R19 , R 20 , R21 et R 26 . Les sorties collecteurs Q10 , Q17 , Q21 et Q28 , associes leur rsistance dmetteur, polarisent respectivement ltage collecteur commun Q9 , la diode zener D10 qui fixe le potentiel de base de Q16 , ltage diffrentiel Q20 - Q24 , ltage diffrentiel Q26 - Q27 . Le circuit VCO est un oscillateur relaxation comportant dune source de courant commande chargeant et dchargeant un condensateur et dun trigger de Schmitt basculant en fonction du niveau aux bornes du condensateur. - Les transistors Q1 Q7 et les diodes D1 D3 forment la source de courant. Le signal de commande est appliqu sur la base de Q1 . Les transistors Q1 Q4 constituent la source de courant commande par v F (t ) , Q1 et Q2 permettant dappliquer indirectement v F (t ) aux bornes de la rsistance R1 (composant extrieur) et Q3 et Q4 imposant des courants pratiquement gaux dans Q1 et Q2 pour que les jonctions base-metteur de ces derniers soient polarises de faon identiques. La tension v F (t ) est donc transfre la borne 8 et le courant I1 constitue le courant de charge pour le VCO. Ce courant arrive sur les anodes des diodes D2 et D3 . Lorsque le transistor Q8 , contrl par le trigger, est satur, D3 est polarise en inverse. Tout le courant traverse D2 et commande le miroir de courant (type Wilson) constitu des transistors Q5 Q7 et des rsistances R 2 et R3 . Il apparat alors un courant de dcharge du condensateur C1 (composant extrieur) sur le collecteur de Q5 gal I1 . Lorsque Q8 est bloqu, la source de courant de type Wilson nest plus alimente et le condensateur C1 est charg par lintermdiaire de D3 . Le signal triangulaire est disponible sur la borne 9.
-
Le trigger de Schmitt, form par les transistors Q11 et Q12 , est pilot par le signal triangulaire issu de larmature positive du condensateur C1 par le biais de lmetteur suiveur Q9 charg par une source de courant de type Widlar (tage buffer). Les diodes D6 D9 vitent la saturation de Q11 et Q12 , ce qui permet damliorer la vitesse de commutation. La sortie du trigger est suivie dun transistor Q13 , mont en metteur suiveur, permettant une sortie sous faible impdance. Un signal carr est alors disponible sur la borne 4. Cette sortie est galement connecte un amplificateur diffrentiel Q14 - Q16 qui gnre un courant de commande vers la base de Q8 par le biais de Q15 - R11 . Les diodes D4 et D5 vitent la saturation de Q8 pour amliorer la vitesse de commutation.
Le circuit CDP est compos dun multiplicateur quatre quadrants et dun amplificateur diffrentiel de tension. - Les transistors Q20 et Q24 forment un circuit diffrentiel couplage par metteurs, aliment par le courant issu du collecteur de Q21 et attaqu par le signal v E (t ) . Chacun des transistors Q20 et Q24 constitue une source de courant pour les paires diffrentielles Q18 - Q19 et Q22 - Q23 . A ces paires est applique la tension diffrentielle v S (t ) issue du VCO. La tension diffrentielle de sortie du multiplicateur, issue des rsistances de charges R16 et R18 , est limite en amplitude par les diodes D12 et D13 .
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La tension diffrentielle recueillie est applique lentre dun tage diffrentiel asymtrique Q26 Q27 (absence de charge sur le collecteur de Q26 ), prsentant une contre-raction locale dmetteurs due aux rsistances R 23 et R 25 . Cette contre-raction permet un fonctionnement linaire de lamplificateur de tension, relativement lamplitude de lattaque. La tension de sortie du CDP est disponible sur la rsistance R 24 (borne 7).
Le CDP tant directement connecte lentre du VCO, le potentiel continu du collecteur de Q27 fixe la frquence libre du VCO rgl par le choix des composants extrieurs R1 et C1 . Seul, un filtre passe-bas passif est utilisable puisquun filtre actif ne peut tre intercal entre CDP et VCO. La boucle est referme en reliant les bornes 4 et 5. Le signal lentre de la PLL est appliqu entre les bornes 2 et 3 tel que sa valeur moyenne soit nulle (attaque centre par rapport la masse).
Etude de la fonction CDP 2. Expression de la tension diffrentielle de sortie VM du multiplicateur quatre quadrants Ce multiplieur analogique intgr dcoupage est bas sur le fonctionnement du montage diffrentiel travaillant en saturation.
+VCC
R14 3.3k
R16 7.2k D12 D13
R18 7.2k
R19 1.75k
vM D14 Q18 vS Q19 Q22 Q23 R20 3.8k
Q20 vE IE
Q24 Ipol
R21 8.1k
R15 5.7k
Q21
Q25
R22 200
R26 200
-VCC
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Pour les transistors Q20 et Q24

VBE20 IC I BS e UT 20 VBE24 UT I I e C BS 24
(technologie) VE = VBE20 VBE 24 (circuit)
IC20 IC24
e UT
VE
Le gnrateur de courant I E impose I E = I E 20 + I E24 IC20 + IC24 IC20
IE
1+ e
VE UT
et IC24
IE
1 + e UT
VE
De la mme faon, les expressions des courants collecteurs de Q18 , Q19 , Q22 et Q23 scrivent :
IC18 IC20
V S 1 + e UT
et IC19
IC20
1+ e
VS UT
, IC22
IC24
1+ e
VS UT
et IC23
IC24
1+ e
VS UT
do IC18
VE 1 + e UT
IE VS 1 + e UT
, IC19
VE 1 + e UT
IE VS 1 + e UT
et IC22
1 + e
VE UT
IE VS 1 + e UT
, IC23
1 + e
VE UT
IE VS 1 + e UT
La tension diffrentielle de sortie du multiplicateur VM est telle que :
VM1 = VCC R16 IC18 + IC22 VM 2 = VCC R18 IC19 + IC23

VE soit VM = R I E th 2U T
( (
) )
VM = VM1 VM 2 = IC18 + IC22 R16 + IC19 + IC23 R18

avec R = R16 = R18 e x e x x (car th = ) 2 (1 + e x )(1 + e x )
VS th 2 UT
La tension de sortie VM est donc gale au produit des tangentes hyperboliques des tensions diffrentielles dentre. Dans un contexte gnral, selon les amplitudes des variations de v e (t ) et de v s (t ) devant 2UT , le comportement du circuit peut tre class en trois catgories : Si v e et v s << 2UT , le circuit se comporte comme un multiplicateur linaire gnrant une tension de sortie v m (t ) = R IE v (t ) v s (t ) . 2 e 4 UT R IE v e (t ) ou 2 UT
Si v e ou v s << 2UT , imposant un fonctionnement en commutation des transistors considrs, le circuit fonctionne en modulateur gnrant une tension de sortie v m (t ) =
v m (t ) =
R IE v s (t ) . On multiplie donc un signal de faible amplitude par un signal carr. 2 UT
Si v e et v s >> 2UT , les six transistors fonctionnent comme un ou exclusif. Le circuit nest sensible qu la diffrence de phase entre v e (t ) et v s (t ) , signaux synchrones et de mme frquence. Cest le fonctionnement en modulateur quilibr qui gnre une tension de sortie v m (t ) = R I E .
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3. Description du fonctionnement du multiplicateur Dans le cas prsent, le circuit est sens fonctionner en commutation, v m (t ) = R I E signal rectangulaire de forte amplitude et de valeur moyenne nulle. Cependant, cette tension de sortie est limite par les tensions sur les diodes D12 et D13 et v M (t ) = VMo + v m (t ) avec v m (t ) 0.6 V et
VM o = 0 V .
4. Evaluation des potentiels Vcont et VCo Amplificateur diffrentiel asymtrique

+VCC
R19 Vref 1.75k
R24 3.6k VC
VM Q26 R20 3.8k R23 1k Q27 R25 1k
R21 8.1k Ipol I0
Q25
Q28
R26 200
R27 205
-VCC
En rgime continu, ltage diffrentiel est polaris par un quasi miroir de courant, car R26 R27 .
2VCC VBE 25 R 2VCC VBE25 + (R19 + R 20 + R21 + R26 )I pol I pol = et I 0 26 I pol . V R I V R I + + R + R + R + R R27 26 pol BE 26 27 0 19 20 21 26 BE25
Les expressions des potentiels disponibles en sortie du CDP en rgime continu scrivent : I R R Vref = Vcc R19 I pol (borne 6) et VCo VCC R24 0 VCC 24 26 I pol (borne 7) 2 2 R27
R24 R26 ), ces deux bornes sont quipotentielles 2 R27 et permettent une attaque diffrentielle issue de la sortie du filtre. La tension continue VCo , qui est
Les coefficients de I pol tant du mme ordre ( R19 applique lentre du VCO, dfinit en partie sa frquence libre doscillations (voir ltude du VCO).
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5. Evaluation du gain en tension Ad Lamplificateur diffrentiel fonctionne en amplification linaire de tension cause de forte contreraction locale dmetteur R 23 et R 25 . Le calcul du gain de ltage se fait en rgime dynamique aux faibles signaux. La mthode du demi schma est employe ici.
R18 i vm / 2
rbe
i R24 vc
R25
vm = [R18 + rbe + ( + 1)R25 ]i v R24 Ad = c = 2 v m R18 + rbe + ( + 1)R25 v = R i 24 c
Or rbe =
2UT UT Ad = IC I0
R24 1.64 R18 2 UT 2 + I + R25 0
( = 200 ).
Le gain en tension Ad est fonction du courant I 0 , donc de la tension dalimentation du circuit. Cependant, le terme 2 UT tant ngligeable devant la valeur de R25 , Ad est pratiquement constant. I0
Le signal rectangulaire v M (t ) , de valeur moyenne nulle et damplitude crte 0.6 V est donc amplifi. Le signal de sortie, image de v M (t ) est v C (t ) = VCo + v c (t ) = VCo + Ad v d (t ) , soit
v C (t ) = 4.56 1V .
8.0V 5.56 V
VC(t) Vref
4.0V 4.56 V
3.56 V
VM(t)
0V
0.6 V
- 0.6 V -2.0V 0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms Time 0.8ms 1.0ms 1.2ms
Le comportement ou exclusif du multiplicateur produit un signal de sortie rectangulaire de frquence double par rapport la frquence des signaux dentre et de rapport cyclique fonction du dcalage temporel entre ces signaux.
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6. Evaluation du facteur de sensibilit K D Calcul de la valeur moyenne de v C (t ) v C (t ) =

400mV
1 T
T 0
v C (t ) dt = VCo +
2 T
T 2v
c (t ) dt
0V
VE(t)
-400mV 6.0V 4.0V 2.0V 0V -2.0V 6.0V 5.0V 4.0V 3.0V 0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms Time 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms
VS(t)
VC(t)
Pour illustration, les signaux carrs v E (t ) = VEo + v e (t ) et v S (t ) = VSo + v s (t ) , damplitudes >> 50 mV , sont tels que v e (t ) = 0.25 V , valeur moyenne VEo = 0 V et v s (t ) = 3.08 V , VSo 2.32 V (voir la simulation dans ltude du VCO). Le dcalage temporel entre les deux signaux est t . Pour 0 t
2 4 t T T , v C (t ) = VCo + t t = VCo 1 + T 2 T 2 t ) T
vC =
d + 3.56 pour 0 d ( d = 2
Pour
2 4 t T T t T , v C (t ) = VCo + t + (T t ) = VCo + 3 2 T T 2
vC =
d + 7.56 pour d 2 ou encore v C = d + 3.56 pour d 0 .

Vc
moyen
5.56 V
5.0
point stable
4.56 V
point instable
4.0
pente = 2 / V / rad
3.56 V 3.0
d
/2 2
- /2
La sensibilit du CDP est donne par la pente de la caractristique , soit K D =
0.64 V / rad . Le
point stable retenu doit tre tel que le produit K D K 0 > 0 (voir plus loin le signe de K 0 ).
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Etude de la fonction VCO Les courants de base sont ngligs par rapport aux courants de collecteur ou dmetteur. La borne 7 est directement relie lentre du VCO. En labsence de filtre passe-bas, les potentiels sont identiques v F (t ) = v C (t ) et donc v F (t ) = VFo + v f (t ) avec VFo = 4.56 V .
7. Expression du courant I1 Source de courant commande

+VCC I R1
Q1 VF VBE1
VEB2 Q2
Q3
Q4
I1
Pour le miroir de courant VBE3 IC I BS e UT Q3 Q4 3 VBE4 UT I I e C BS 4 Pour les transistors Q1 et Q2

VBE1 IC I BS e UT 1 VEB2 UT I I e C BS 2
(technologie) VBE3 = VBE 4 (circuit) IC3 IC4
(technologie)
IC3 IC1 (circuit) VBE1 VEB2 IC4 IC2
Pour le restant du circuit I1 = I E + I E 3 4 I I1 V VF I1 CC I I I = + C1 E2 V R I V + R1 1 1 F CC VCC = R1I + VEB2 VBE1 + VF Les potentiels de collecteur et de base de Q1 sont gaux ( VCB1 0 ). Le potentiel dentre VF est reconduit au point bas de la rsistance R1 . Le choix de cette rsistance dfinit le courant I1 .
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8. Expression de la priode du signal VT Gnrateur donde triangulaire

I1
D2
D3 VT Q5 C1 68n
Q6 R2 530
Q7 R3 530
-VCC
Icom Q8
-VCC
Le transistor Q8 est command par le courant I com et fonctionne en commutation (voir plus loin ltude du trigger). Supposons quau dpart, le transistor soit bloqu ( I com 0 ). Le point commun des rsistances R2 et R3 nest plus connect, ce qui entrane le blocage des transistors Q5 , Q6 , Q7 et de la diode D2 . Le courant I1 , passant par la diode D3 , charge alors le condensateur C1 et le potentiel de larmature positive augmente jusqu atteindre le seuil de basculement VT+ du trigger. Ce dernier bascule et le courant I com , de valeur relativement importante, rend le transistor Q8 satur. Le circuit du miroir de courant est alors connect lalimentation. Le potentiel de lanode de la diode D3 est alors de
VD2 + VBE5 + VBE7 + R3 I1 + VCE8 sat VCC
avec R3 I1 R3
VCC VFo R1
soit lgrement > 4 V .
A linstant du basculement, le potentiel de la cathode de la diode D2 tant gal VT+ , valeur suprieure au potentiel danode, la diode est bloque. Le courant I1 passe par la diode D2 et le miroir de courant permet la circulation de ce courant dans le transistor Q5 , ce qui va produire la dcharge du condensateur travers ce dernier. La dcharge prend fin lorsque le potentiel dentre VT du trigger est atteint, ce qui provoque le blocage de Q8 . La situation de dpart est retrouve et le cycle recommence. Sous le rgime de polarisation, le potentiel dentre est constant ( VF = VFo ). Le condensateur C1 se charge et se dcharge courant I1 constant. Le circuit gnre un signal triangulaire sa sortie dont lvolution temporelle est VT =
I1 t. C1
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Circuits intgrs
Pour une volution positive du potentiel VT , la variation VT = VT+ VT seffectue durant une demi priode t = T 2 T =
2 C1 + (VT VT ) . I1
9. Evaluation des potentiels du trigger Trigger

+VCC
R5 6.5k
R8 4.7k
Q12 Q11 Vi R7 8.4k
Vo
R6 2.6k
-VCC
Le signal triangulaire de variation damplitude VT = VT+ VT , disponible sur la base du transistor Q9 (borne 9), subit une translation de tension denviron 0.6 V par ltage suiveur. La forte impdance dentre de ltage, charg par une source de courant, impose que le courant I1 se dirige vers le condensateur C1 . Le signal triangulaire dcal vers le bas, pilote le trigger de Schmitt, compos par les transistors Q11 et Q12 . La sortie du trigger de Schmitt est suivie du transistor Q13 , mont en metteur suiveur, permettant de sortir sous faible impdance (borne 4). Le potentiel Vi est donc limage du potentiel de larmature positive du condensateur C1 la translation prs de VBE9 0.6 V . Pour une approche analytique plus directe, le courant dans la rsistance R7 sera nglig par rapport aux autres courants et les diodes D6 D9 , qui permettent damliorer la vitesse de commutation, ne seront pas reprsentes. Cas 1 : Q11 bloqu et Q12 satur
+VCC
2VCC = R5 I ' + VBEsat + R6 (I + I ' ) 2VCC = R8 I + VCEsat + R6 (I + I ' )

2VCC VCEsat (R6 + R8 )I I ' = R6 R5 2VCC VBEsat 2VCC VCEsat 1 + R 6 I = R5 R6 1 + R (R6 + R8 ) 6
R5 6.5k I I
R8 4.7k
Q12 I + I R6 2.6k
Vo
-VCC
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Circuits intgrs
Le potentiel de sortie Vo est ltat bas (Low) VoL = VCC R8 I . Ce potentiel subit une translation de tension continue par la prsence de ltage suiveur Q13 , la borne 4 du circuit intgr prsente donc VS = VoL VBE13 . Au moment du basculement du trigger, le transistor Q11 est conducteur et le continue par la prsence de ltage suiveur Q9 , la borne 9 du circuit intgr prsente donc :
2VCC VBEsat R5 + R 6 2VCC VCEsat R6 VCC R + R6 (R6 + R8 ) R6 5 R6
potentiel dentre vaut Vi = VBE11 + R6 (I + I ' ) VCC . Ce potentiel ayant subi une translation de tension
VT+
= VBE9 + VBE11 + 2VCC VCEsat R8
Cas 2 : Q11 satur et Q12 bloqu
+VCC
2VCC VCEsat + (R5 + R6 )I Vi = VBE11 + R6 I VCC Vi = VBE11 + R6

2VCC VCEsat R5 + R 6 VCC
R5 6.5k
Q11 Vi I R6 2.6k
-VCC
Le transistor Q12 tant bloqu, le potentiel de sortie Vo est ltat haut (High) VoH VCC . La borne 4 prsente alors un potentiel de sortie VS VoH VBE13 . La borne 9 du circuit intgr prsente le potentiel Vi translat
VT = VBE9 + VBE11 + R6 2VCC VCEsat VCC R5 + R 6
Ainsi, le signal sur la borne 4 est un signal carr v S (t ) de frquence fs tel que v S (t ) = VSo + v s (t ) avec une valeur moyenne VSo = valeur moyenne.
VoH VoL R5 2VCC VBEsat 2VCC VCEsat 1 + R 6 R8 R5 R6 1 + R (R6 + R8 ) 6
VoH + VoL VBE13 et une variation v s (t ) VoH VoL autour de cette 2
Le signal sur la borne 9 est un signal triangulaire vT (t ) de mme frquence fs tel que
v T (t ) = VTo + v t (t ) avec une valeur moyenne VTo
VT+ + VT et une variation v t (t ) VT+ VT autour de 2
cette valeur moyenne.

2VCC VBEsat R5 + R 6 2VCC VCEsat R6 R6 2VCC VCEsat R5 + R 6 R5 + R 6 (R6 + R8 ) R6 R6
VT+
VT
= 2VCC VCEsat R8
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Circuits intgrs
6.0V
4.0V
VS(t)
5.40 V
fs = 1413 Hz R1 = 3.3
VS = 6.16 V
C1 = 68 nF
0.84 V
2.0V
VT(t)
0V
VT = 2.27 V
- 0.76 V -2.0V 0s 0.2ms 0.4ms - 1.43 V 0.6ms 0.8ms Time 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms
10. Explication de la commande de Q8 Amplificateur diffrentiel pour commande en courant

+VCC
D10 R10 16k R12 4.3k
R27 13.65k
Q14 VS Q15
Q16
R11 5.8k
Icom
Q17 R17 200
Q25 R26 200
-VCC
La sortie de ltage collecteur commun Q13 est connecte un amplificateur diffrentiel ( Q14 et Q16 ) qui commande en courant le transistor Q8 par le biais de Q15 .
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Circuits intgrs
Le miroir de courant polarise la diode zener D10 qui fixe le potentiel de la base de Q16 la valeur VB16 = VCC VZ 3.3 V . La diffrence de potentiel de lattaque de ltage diffrentiel est VS VB16 . Sur le front bas du signal carr ( VS = VoL VBE13 ), le potentiel de base de Q14 est un niveau trs infrieur VB16 . Le potentiel commun des metteurs tant plus bas que VB16 , Q16 est bloqu et Q14 satur. Le courant traversant la rsistance R11 tant ngligeable, le transistor Q15 est bloqu et I com 0 . Le transistor Q8 est bloqu lors de la charge du condensateur C1 . Sur le front haut du signal carr ( VS VoH VBE13 ), le point commun des metteurs est suprieur
VB16 . Q14 est bloqu et Q16 satur. La majorit du courant de collecteur de Q16 traverse la rsistance R11 , produisant une tension telle que Q15 devient conducteur. Ainsi, le courant I com est suffisamment important pour saturer Q8 lors de la dcharge du condensateur C1 .
Etude de la fonction PLL 11. Ecriture des relations gnrales En posant la tension dalimentation totale applique au circuit VALIM = 2VCC , et en considrant que VALIM >> VCEsat et VBEsat , les quations issues de ltude du VCO scrivent :
R5 (R5 + R6 )R8 R 6 R8 VT+ VT = R + R (R + R )R + R R 2VCC VCEsat + (R + R )R + R R 2VCC VBEsat 6 5 6 8 5 6 5 6 8 5 6 5 R R R 5 5 8 VT+ VT k VALIM avec k = 0.2023 R5 + R6 (R5 + R6 )R8 + R5 R6
VCC VFo
2VCC VBE25 R24 R26 R R I pol = 24 26 2 R27 2 R27 R19 + R20 + R21 + R26
VCC VFo k 'VALIM avec k ' =
R24 R26 0.1268 2 R27 (R19 + R20 + R21 + R26 )
Daprs lexpression de la priode du signal carr v S (t ) issu du VCO (borne 4), la pulsation scrit
I1 2 . = T C1 (VT+ VT )
Le courant I1 est obtenu partir, dune part de la rsistance extrieure R1 et, dautre part, de la tension dentre VF = VFo + VF , do I1
VCC VFo R1 VF (composantes continue et variable). R1
s =
VF de la forme s = o + = o + K 0 VF R1C1 (VT+ VT ) R1C1 (VT+ VT )
VCC VFo
Par identification, les expressions de la pulsation libre et de la sensibilit du VCO scrivent :
o =
VCC VFo
R1C1 VT+
VT
) R C k
1 1
k'
et K 0 =
. R1C1 (VT+ VT ) R1C1 k VALIM
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Circuits intgrs
La PLL est associe un filtre passif de la forme F ( p ) =
1 avec = R24 C2 . 1+ p
Calcul de la plage de maintien La variation maximale de la tension derreur gnre la sortie du CDP est v c max = K D d En sortie du filtre, la tension est v f max = F (0) v c max = K D
max
puisque F (0) = 1. 2 En sortie du VCO, la variation de la pulsation du signal de sortie autour de la pulsation libre o est
s max = K 0 v f max = K D K 0
Par dfinition s max = 2 fM , ce qui donne la plage de maintien 2 fM = Calcul de la plage dacquisition
A K D K 0
KD K0 . 2
1 1 A
F ( j A ) pour une capture rapide, avec F ( j A ) =
2 2 1 + A
En supposant que la demi-largeur de capture A est, en pratique, trs suprieure la pulsation de coupure du filtre 1 ,
A K D K 0
1 2 f A 2 A
2 f M
Dans le cas gnral, les donnes de la PLL NE565 sont les suivantes :
K D 0.64 V / rad , fo f A 50 fo 8 fo 1 (Hz), K 0 (rad/s/V), fM (Hz), 3.19 R1C1 VALIM VALIM
5 fo 1 (Hz) avec = 3.6 10 3 C2 (pour un rseau RC). 2 VALIM
Le gain de conversion K D du CDP est peu sensible la valeur de la tension dalimentation totale. Si le multiplicateur fonctionne en commutation (modulateur quilibr), sa valeur est quasi constante et ngative car le gain K 0 du VCO est ngatif. Sur la caractristique triangulaire v C ( d ) , le point de , centr entre - et 0 (voir cours technologie des 2 PLL ). Si le multiplicateur ne travaille pas en commutation, K D est fonction de lamplitude des signaux v E (t ) et v S (t ) . La frquence centrale libre des oscillations fo est ajuste par R1 et C1 . Les domaines de verrouillage et de capture stendent respectivement de fM et f A de chaque ct de la frquence centrale. repos stable est donc labscisse d =
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Circuits intgrs
Applications de la PLL 565

Nous proposons deux applications de la PLL. Ltude prcdente permet de prsenter le composant sous le schma suivant.
10 +VCC
2 3 5 4
R24
7 6
Multiplicateur
Amplificateur
3.6k
VCO
8 R1 +VCC
9 C1 -VCC
-VCC
Application n1 : Dmodulation FSK

+6V R1
C2 47n
CE 2 1u
10
565 vE (t) Ra 680 Ra 680 3 9 1
6 5 4
C1 6.8n -6V
La boucle est ferme en reliant les bornes 4 et 5. La rsistance R24 intgre au sein du circuit et le condensateur C2 compose le filtre passe-bas (FPB) du premier ordre. Les rsistances Ra de polarisation du multiplicateur ont une influence ngligeable. Le composant CE est un condensateur de liaison pour la source dattaque v E (t ) damplitude >> 50 mV . Caractrisation des paramtres statiques de la boucle En labsence du signal v E (t ) et du condensateur de filtrage C2 , la frquence libre des oscillations est ajuste fo = 10 kHz laide de la rsistance R1 . 1. Dterminez les valeurs des paramtres K D , K 0 , 2 fM de la PLL. Evaluez la rsistance R1 qui rgle la frquence fo la valeur souhaite. 2. Ecrivez la relation linaire fs (VF ) du transfert du VCO.
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Circuits intgrs
Etude dynamique Le filtre passe-bas est introduit dans la boucle en connectant C2 entre les bornes 7 et 10. Un signal carr v E (t ) est appliqu lentre, damplitude v e (t ) = 0.25 V et de valeur moyenne nulle, de frquence 9 kHz durant 3 ms , puis 11 kHz durant 3 ms et ceci priodiquement. 3. Evaluez la frquence de coupure du filtre et la plage de capture correspondante. 4. La PLL tant verrouille, tracez v F (t ) thorique. Discutez du type de dmodulation.
Vf ( p ) , puis crivez les expressions de n et , e ( p) respectivement pulsation propre du systme non amorti et coefficient damortissement. 6. En appliquant le thorme de la valeur finale, valuez la variation damplitude de v f (t ) en rgime permanent relative au saut de pulsation en entre, ainsi que la frquence des oscillations amorties et le dpassement pendant le rgime transitoire. 7. Tracez v F (t ) relle en respectant les chelles sur le rgime transitoire. 8. Discutez de lefficacit du filtre sur les rsidus de porteuse et de la stabilit du systme.
5. Ecrivez la fonction de transfert en boucle ferme
Application n2 : Modem 300 bauds

+5V R1 3.94k
C2 220n R 7 10k
C 22n R 10k R'
C 22n R
C 22n
CE 2 1u
10
+ 10k 30k TL082
565 vE (t) Ra 680 Ra 680 3 9 1
6 5 4
C1 68n -5V
La PLL 565 est destine dmoduler un signal FSK (lignes tlphoniques pour transmission de signaux binaires). Le signal v E (t ) quelle reoit a une frquence de 1270 Hz lorsque linformation correspond un 1 logique et une frquence de 1070 Hz lorsque linformation correspond un 0 logique. Le composant CE vite une composante continue indsirable. La valeur du condensateur C2 du filtre de boucle est fixe par le choix du dpassement appropri sur la tension dmodule v F (t ) . Un filtre en chelle trois tages RC est utilis pour enlever les rsidus de porteuse ( 2 fe ) et sa bande passante doit se situer approximativement mi-chemin entre la vitesse maximale du dbit binaire (ici 300 bits/s ou 150 Hz) et deux fois la frquence dentre (autour de 2340 Hz). La frquence libre du VCO est ajuste avec R1 pour que le potentiel continu la sortie (signal rapport cyclique de 50 % sur la borne 7) soit le mme que sur la borne 6. Un comparateur de tension convertit le signal de sortie en logique compatible. La rsistance R ' = 3 R quilibre les entres au niveau continu. Dveloppez le problme limage de lapplication prcdente.
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Circuits intgrs
Corrig
Application n1
Caractrisation des paramtres statiques de la boucle 1. Valeurs des paramtres
K D 0.64 V / rad (pour le multiplicateur fonctionnant en commutation)

K0 R1 50 fo 8 fo 41667 rad / s / V , fM 6667 Hz avec VALIM = 12 V VALIM VALIM
1 4610 3.19 C1 fo
2. Relation du transfert du VCO
s = aVF + b avec a = K 0 , b = o K 0 VF0 et VFo 4.56 V

s 41700 VF + 252833 rad / s ou encore fs 6632 VF + 40240 Hz
30K
fS (Hz) K0 - 6632 Hz / V
20K
(4.0, 13.71K) (4.56, 10K) (5.0, 7.08K)
10K
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
VF (V)
Etude dynamique 3. Evaluation de la frquence de coupure du filtre et de la plage de capture

F ( p) = f A
1 1 avec = R24 C2 ffpb = 941 Hz 1+ p 2
5 fo 1 2 2 >> 1 . 2.48 kHz valeur majore par lhypothse A 2 VALIM
4. Trac de v F (t ) thorique Pour fs = 9 kHz , VF 4.71V et pour fs = 11 kHz , VF 4.41V , ce qui donne un cart de tension VF 0.3 V associ une valeur moyenne VFo = 4.56 V .
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4.71 V 4.7V
9 kHz
vF (t)
VF = 0.3 V VF moyen = 4.56 V
4.6V
4.5V
11 kHz
4.4V 4.41 V
0s
3.0ms
6.0ms Time
9.0ms
Le signal dmodul v F (t ) est limage du signal modulant de forme carr de frquence denviron 167 Hz, de valeur moyenne nulle et dont lamplitude est rgle pour produire un saut de frquence de 2 kHz centr sur la frquence de 10 kHz de la porteuse. Le signal v E (t ) modul lentre de la PLL subit un dcalage en frquence. Le circuit effectue une dmodulation FSK. 5. Ecriture de la fonction de transfert en boucle ferme
H ( p) = ( p) K D K 0 F ( p) K K F ( p) G( p ) avec G( p ) = D 0 et B( p ) = 1 (retour unitaire ) s = 1 + G( p ) p e ( p) p + K D K 0 F ( p) Vf ( p ) K D F ( p) 1 avec F ( p ) = = 1+ p e ( p) p + K D K 0 F ( p)
s ( p ) = K 0 Vf ( p ) Vf ( p ) 1 = e ( p) K 0
1 K0
1 1 1+ p+ p2 KD K0 KD K0
1 1+ 2 p+ p2
2 n
de la forme
avec n =
KD K0
et =
1 2 KD K0
6. Paramtres de v f (t ) En rgime permanent, la variation de lamplitude de la tension v F (t ) est obtenue par lapplication du thorme de la valeur finale e e , soit VF 0.3 V pour fe = 2 kHz . v f ( ) = lim v f (t ) = lim pVf ( p ) avec e (p ) = p K0 p0 t
En rgime transitoire, les paramtres 0.235 , fn =
1 2 KD K0 2 kHz du domaine frquentiel
1 2
se traduisent par les paramtres fosc = fn 1 2 1942 Hz , D = e normalise du premier dpassement) dans le domaine temporel.
46.8 % (valeur
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7. Trac de v F (t ) relle
frquence des oscillations 1942 Hz dpassement 46.8 %
4.85 V
4.8V
4.71 V
vF (t)
4.6V
V = 0.3 V
4.4V
4.41 V 4.27 V
4.2V 0s 2ms 4ms 6ms Time 8ms 10ms
Les valeurs crte valent 4.41 + 0.3 1.468 4.85 V et 4.71 0.3 1.468 4.27 V .
8. Discussion sur le filtrage et la stabilit Le filtre attnue ces frquences suivant la relation F ( j ) =
1
2 1+ 2 c
. Son rle est dliminer les
rsidus de porteuse issus du doublage de frquence du CDP comportement ou exclusif . Le signal dmodul v F (t ) supporte sur ses fronts des rsidus aux frquences 18 kHz ( 2 9 kHz ) et 22 kHz ( 2 11 kHz ). Dans le cas prsent ffpb 941 Hz pour C2 = 47 nF , les attnuations 18 kHz et 22 kHz valent respectivement 0.052 et 0.043 (contexte sinusodal), soit des rsidus damplitude 104 mV et 85 mV issus du signal rectangulaire damplitude denviron 2 V ( v C (t ) = 4.56 1V ).
5.7V
sans C2
5.0V
signaux la frquence de 22 kHz (fe = 11 kHz)

C2 = 4.7 nF C2 = 47 nF
4.0V
C2 = 470 nF
3.6V 440us
460us
480us
500us
520us Time
540us
560us
580us
600us
VF (t)
Sur cette simulation, nous pouvons observer lefficacit du filtrage lorsque la valeur du condensateur C2 augmente. Le choix de C2 = 47 nF apparat relativement acceptable.
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Circuits intgrs
La stabilit du systme laisse dsirer au regard des valeurs des paramtres = 0.235 ou D 46.8 % . Ce type de filtre est incapable de satisfaire stabilit et filtrage simultanment. Cependant, pour la variation maximale VF 0.29 V de la tension lentre du VCO autour de la valeur moyenne VFo = 4.56 V correspond une variation dynamique de frquence
fdyn = K 0 VF 1923 Hz autour de la frquence libre fo = 10 kHz . La demi plage de maintien, 2
centre autour de fo , valant fM 6.67 kHz pour ce type de filtre, la PLL est bien verrouille.
excursion maximale de la frquence
3.3 7.5 8.1 10 11.9 12.5 16.7
fo-fM
fo-fA fo-fdyn
fo
fo+fdyn fo+fA
fo+fM f (kHz)
plage de verrouillage
5.0V
rsidu issu du signal carr fe = 9 kHz frquence 18 kHz
frquence amortie = 1942 Hz dpassement = 46.8 %
VF (t)
niveaux diffrents des amplitudes des rsidus
4.5V
amplitude 85 mV frquence = 22 kHz

frquence du signal modulant = 167 Hz 4.0V 0s 2ms 4ms
rsidu issu du signal carr fe = 11 kHz

6ms Time 8ms 10ms 12ms
Simulation de la PLL 565 en dmodulation FSK : le signal dattaque est un signal v e (t ) = 0.25 V de valeur moyenne nulle et modul par un signal carr de frquence 167 Hz dont lamplitude est rgle de faon obtenir un saut de frquence de 2 kHz.
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Application n2
Caractrisation des paramtres statiques de la boucle La frquence libre du VCO a pour valeur fo 1 1170 Hz , centre par rapport au saut 3.19 R1C1
de frquence de 200Hz. K D 0.64 V / rad (pour le multiplicateur fonctionnant en commutation) K0 50 fo 8 fo 5850 rad / s / V , fM 936 Hz avec VALIM = 10 V VALIM VALIM
Evaluation de la frquence de coupure du filtre de boucle et de la plage de capture

F ( p) = f A
1 1 avec = R24 C2 ffpb = 201 Hz 1+ p 2
5 fo 1 2 2 >> 1 . 430 Hz valeur majore par lhypothse A 2 VALIM
Paramtres de v F (t )
fn =
1 2
KD K0
346 Hz fosc = fn 1 2 331 Hz , 0.29 , D = e
1 2 KD K0
1 2
38.6 %
Variation en rgime permanent de v F (t ) autour de VFo = 3.81V (car VALIM = 10 V ) relative une variation fe = 200 Hz v f ( ) =
e 215 mV . K0
Filtres de lissage et comparateur de tension Ce filtre du troisime ordre doit lisser les rsidus de porteuse du signal v F (t ) . Par une approche ne tenant pas compte de linteraction entre cellules, y compris celle du FPB (adaptation en tension 1 ralise), la frquence de coupure est de lordre de flissage = 723 Hz avec une descente 2 RC de 60 dB par dcade. Les rsidus de porteuse de v F (t ) tant limins larrive dune entre du comparateur, ce dernier bascule lorsque v + = v , soit pour v F (t ) = Vref avec Vref 3.81V . Les variations de
v f (t ) sont centres par rapport la masse (si ce nest pas le cas, retouchez la frquence libre laide de la rsistance R1 ).
+ v > v + v < v
v s = + Vsat v s = Vsat
avec Vsat en accord avec la logique compatible.
La vitesse maximale de transmission est de lordre de <
fosc 165 Hz . 2
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Simulation
4.2V 4.0V
vF(t)
3.6V 3.4V
fe = 1270 Hz
500mV
fe = 1070 Hz
vE(t)
0V
-500mV
0s
5ms
10ms
15ms
20ms Time
25ms
30ms
35ms
40ms
La porteuse est un signal sinusodal damplitude 1 Vpp et de valeur moyenne nulle changeant de frquence toutes les 10 ms de manire priodique. Le signal dmodul v F (t ) , image du signal modulant (information), prsente dimportants rsidus de porteuse (2 fe).
4.0V
Vfiltre1(t) Vref Vfiltre2(t)

basculement
3.8V
Vfiltre3(t)
3.6V 5.0V
Vlogic(t)
0V
dmodulation FSK 100 bits / s (f = 50 Hz)
-5.0V
0s
5ms
10ms
15ms
20ms Time
25ms
30ms
35ms
40ms
Le signal dmodul v F (t ) , en sortie de filtre de boucle, subit un triple filtrage et le signal rsultant v filtre3 (t ) est compar au potentiel Vref . A linstant de basculement, la tension de sortie du comparateur change de niveau de saturation. La vitesse de transmission est de 100 bauds (100 bits par seconde). Si le signal dmodul nest pas centr par rapport Vref , le rapport cyclique de v logic (t ) est diffrent de 50 % et le temps de bit nest pas respect (10 ms).
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Circuits intgrs
4.2V
vF(t)
4.0V
Vfiltre1(t) Vfiltre2(t)
Vref
3.6V 3.4V 5.0V
Vfiltre3(t)
Vlogic(t)
0V
dmodulation FSK 200 bits / s (f = 100 Hz)
-5.0V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms Time
12ms
14ms
16ms
18ms
20ms
La vitesse de transmission est ici de 200 bauds.

4.2V
vF(t)
4.0V
Vref
3.6V 3.4V 5.0V
Vlogic(t)
0V
-5.0V
0s
2ms
4ms
6ms
8ms
10ms Time
12ms
14ms
16ms
18ms
20ms
La ncessit de filtrer les rsidus apparat de faon vidente en reprenant le cas de la transmission est 200 bauds o le triple rseau RC nest pas utilis. Linformation binaire est alors errone.
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Circuits intgrs
Electronique analogique - Cours
Modles de composants associs aux diffrents rgimes
La diode
iD(t) vD(t)
avec
v D (t ) = VD + v d (t ) i D (t ) = ID + i d (t )
Rgime continu Modle mathmatique non linaire

VD U I D = I S e T 1
en direct I D IS e
VD UT
en inverse ID IS 0
Modle linaris
ID RD
en direct
VD = RD I D + V
VD V
en inverse
VD
ID
Rgime dynamique aux faibles signaux Modle linaris

UT rd = I D0 C = d rd
en direct
rd
en inverse
Cd
Ct
Donnes du constructeur : V (tension dpendante du matriau), (dure de vie moyenne des porteurs ou temps de recombinaison des porteurs minoritaires en excs ), Ct (capacit de transition), UT =
kT 26 mV 27 C (tension thermique). q
Le transistor effet de champ (JFET)
canal N G vGS(t) 0
iD(t)
avec
S
v GS (t ) = VGS + v gs (t ) i D (t ) = ID + i d (t )
Sylvain Gronimi
Page 338
Annexes
Rgime continu
Modle mathmatique non linaire
VGS ID = IDSS 1 V P avec 0 VGS VP
pour canal N : VGS et VP < 0
pour canal P : VGS et VP > 0
Transistors technologiquement identiques : mmes I DSS et VP .
Rgime dynamique aux faibles signaux
Modle linaris (pour VDS > VP : zone de saturation)

gm
G vgs
Cgd

Cgs g m vgs rds
id
2 = VP
vds
I D0 I DSS
en A/V
S
(paramtre g m toujours >0)
Donnes du constructeur : I DSS (courant de saturation de drain pour VGS = 0 ), VP (tension de pincement), C gs , C gd (capacits de transition), rds (rsistance dynamique de sortie).
Le transistor bipolaire jonction (JBT)

IC IB IB VCE IC
en mode actif
VBE NPN IE
VEC
v BE (t ) = VBE + v be (t ) avec i B (t ) = I B + i b (t )
VEB IE PNP
Rgime continu
Modle mathmatique non linaire (quations dEbers-Molls en mode actif)

VCE IC = I B = I BS e UT 1 + V A
VBE
VBE
(NPN)
VEC IC = I B = I BS e UT 1 + V A
VEB
VEB
(PNP)
IC = I B = I BS e UT
(NPN)
IC = I B = I BS e UT
(PNP)
(effet Early nglig)
Transistors technologiquement identiques : mmes et I BS .
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Page 339
Annexes
Modle linaris
I E = I B + IC IC = I B VBE 0.6 0.7 V
IB + V IB RD 0
IC
VBE
IE
Rgime dynamique aux faibles signaux
Modle linaris
UT UT rbe = I = I g m = r B0 C0 be et + V V V CE 0 C + C = IC0 r = A A bc ce be 2 UT ft IC 0 IC 0
B
ib ib1 vbe rbe Cbe
Cbc
ib1 rce gm vbe
ic
Donnes du constructeur : (valeur typique acceptable en rgimes statique et dynamique), Cbc (capacit de transition), ft (frquence de transition), VA (tension dEarly suppose grande devant VCE 0 ).
Tableau rcapitulatif sur le choix du modle du composant en fonction du rgime tudi
diode
modle linaire par morceaux modle mathmatique modle faibles signaux aux frquences basses et moyennes aux frquences hautes VD = RD I D + V
VD I D IS e UT 1
U rd = T , ri = ID0
JFET
JBT
VBE 0.6 V , IC = IB
Rgime continu
V ID = IDSS 1 GS VP
gm =
VBE
IC I BS e UT (mode actif direct) gm = rbe =
2 VP
rds
rbe
I D I DSS
Rgime dynamique
UT V , rce A IC 0 IC0
Cd , Ct
Cgs , Cgd
I DSS , VP , rds , Cgs , Cgd
Cbe
IC0 2 UT ft
Cbc
Donnes constructeur Hypothses simplificatrices
Rd , V , Cd , Ct
VD VZ pour
, VA , Cbc , ft
VBE V , RD = 0 VA >> VCE0
zener (R Z = 0)
( Transistors technologiquement identiques : mmes , IBS pour les JBT ou mmes I DSS , VP pour les JFET au sein du modle non linaire en rgime continu ; pour le JBT en mode actif direct du modle Ebers-Moll, lexpression du transfert est simplifie VBE VBE VCE0 UT IC = I BS e 1+ I BS e UT avec VCE0 << VA (tension dEarly). VA
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Page 340
Annexes
Modle de Giacoletto
En rgime dynamique faibles signaux, le transistor bipolaire se comporte comme un quadriple linaire en hautes frquences. Le schma quivalent en montage metteur commun, appel encore schma de Giacoletto, est reprsent sur la figure suivante.
rb'c
ib
rbb' ib1
B'
Cb'c ib1 rb'e rce gm vb'e Cce
ic
vbe
vb'e
Cb'e
vce
En premier lieu, on remarque lintroduction du point B constituant le niveau de base vraie. On dfinit ainsi : rbb ' comme tant la rsistance extrinsque de base situe entre le foyer actif des porteurs B et la connexion de base B ; sa valeur nest pratiquement pas influence par la temprature, ni par une variation de courant. rcc ' et ree ' reprsentation semblable au niveau des autres lectrodes. Les jonctions du transistor sont reprsentes sous la forme dun schma R-C parallle. Une capacit de jonction est la rsultante de - une capacit de transition dominante dans une polarisation inverse telle que sa valeur est dautant plus faible que la tension aux bornes est plus grande, - une capacit de diffusion, reprsentant le phnomne de diffusion des porteurs lintrieur de la jonction, caractris dune part, par le temps de transit (ou temps moyen mis par un porteur command pour aller de lentre la sortie, et dautre part, par la dispersion du flux des porteurs, dpendante du phnomne de recombinaison et des rpulsions mutuelles qui conduit, tout compte fait, une dispersion sur le temps de transit moyen (il faut souligner ici que lassimilation du mcanisme de diffusion une capacit nest admissible que pour des frquences beaucoup plus faibles que linverse du temps moyen). Ainsi, la jonction base vraie - metteur est une jonction polarise dans le sens passant et sa modlisation est la suivante : rb'e est la rsistance dynamique de la jonction vue de la base vraie ; sa valeur est inversement proportionnelle au courant de polarisation, donc dpendante du point de repos choisi, et varie U U avec la temprature rb 'e = T = T avec UT 25 mV , I B0 IC 0
Cb'e est la capacit de la jonction modlisant le phnomne de diffusion; sa valeur est proportionnelle au courant de polarisation, donc dpendante du point de repos choisi, et varie IC 0 C b 'c . avec la temprature Cb 'e 2 f U
t T
La jonction base vraie - collecteur est une jonction polarise dans le sens bloquant et sa modlisation est la suivante : rb 'c est la rsistance dynamique de la jonction polarise en inverse (valeur trs importante),
Cb'c est la capacit de la jonction modlisant le phnomne de transition.
Il est intressant de noter que ces lments constituent le circuit de couplage entre lentre et la sortie du transistor.
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Page 341
Annexes
Il ne reste plus qu considrer ce qui se passe entre les lectrodes du collecteur et de lmetteur. Ceci est plus dlicat modliser puisquil ny a pas de jonction : rce est la rsistance dynamique qui dfinit grossirement la rsistance de sortie du transistor ; sa valeur peut tre approche par la tension dEarly VA telle que rce VA IC0 si VA >> VCE0 ,
Cce est une capacit extrinsque que lon peut caractriser de type lectrostatique (trs faible).
La source de courant dpendante est lie aux variables de la branche supportant rb 'e illustre leffet amplificateur du transistor. Dans cette reprsentation, le courant command est proportionnel la tension vbe par le facteur g m (pente interne du transistor) ou au courant traversant la rsistance de jonction par le facteur (gain en courant). Le relation liant les deux facteurs est g m = rb 'e . De faon pratique, cette modlisation du transistor nest valable que pour des frquences infrieures la frquence de transition, ceci cause de la reprsentation du mcanisme de diffusion sous la forme dune simple capacit. Dautre part, on considre que lon peut ngliger les influences de rb'c et Cce quon assimile des circuits ouverts et linfluence de rbb ' quon assimile un court-circuit. Les points B et B tant confondus, les paramtres rb'e , Cb'e , Cb'c sidentifient rbe , Cbe , Cbc . Linfluence de la rsistance rce peut tre nglige qu condition que la charge soit faible.
Evaluation du paramtre Cbe du modle

Soit le montage metteur commun excit en courant et charg par un court-circuit ( Rch << rce ).
Cbc ic
v ib
rbe
Cbe gm v
vs =0
Il est ncessaire dcrire lexpression du paramtre hybride h21e (p ) =

1 i b = v r + Cbe p + Cbc p b 'e i c = v (g m Cbc p )
ic = (p ) ib
Equations de nuds
p
(p ) = 0
1 1+
z
p
avec z =
gm 1 et = Cbc rbe (Cbe + Cbc )
( << z )
La frquence de transition ft est la frquence laquelle le gain en courant en court-circuit dun metteur commun a une amplitude unit :
(p )
0
1+ p
pour t
( jt )
0
1+ t
2
1 0
car
<< t
soit 1 ft 0 f (produit gain en courant x frquence de coupure haute constant pour un systme passe-bas du premier ordre), do lexpression de la capacit de diffusion : g Cbe m Cbc ( , ft , Cbc donnes constructeur). 2 ft
Sylvain Gronimi Page 342 Annexes
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel

Cette mthode de travail est valable pour un tage diffrentiel structure symtrique (charges identiques). Si les charges sont diffrentes (rsistances ou miroir de courant), la mthode reste valable condition que les transistors attaquent les charges en courant ( rce = ). Les sources de tension lentre de ltage se dcomposent chacune en deux sources mises en srie, faisant apparatre des composantes propres un rgime diffrentiel et un rgime de mode v v v 2 v1 + v 2 v d v v 2 v1 + v 2 + = + vc , v2 = 1 + = d + vc . commun : v 1 = 1 2 2 2 2 2 2 Le circuit tant linaire, ces deux rgimes sont tudis sparment par application du thorme de superposition en effectuant deux tapes :
c ltude du rgime diffrentiel issu dune attaque symtrique ( v d 2 ), les sources de mode commun tant teintes ( v c = 0 ), permettant de caractriser les performances Ad , Zd , Zs , d ltude du rgime de mode commun issu dune attaque parallle ( +v c ), les sources diffrentielles tant teintes ( v d = 0 ), permettant de caractriser les performances Ac , Zc . ( Exemple dun amplificateur diffrentiel classique (rsistances de charge identiques)
vs1
RC
RC
vs2
ib1 + vd /2 + vc z0 ie1+ ie2 Q1 Q2
ib2 + - vd /2 + vc
Les transistors Q1 , Q2 tant supposs technologiquement identiques, les courants dentres se retrouvent, une mme proportionnalit prs, somms dans la rsistance commune dmetteur z0 . Si les courants sont issus dune attaque en tension symtrique ( i b1 = i b2 ), il ne passe aucun courant dans z0 et les metteurs des transistors sont la masse. Si les courants sont issus dune attaque en tension parallle ( i b1 = i b2 ), le courant dans z0 est gal 2 i e , en posant i e1 = i e2 = i e , et la rsistance vue par le courant dmetteur de Q1 ou Q2 est 2 z0 . Cela fait apparatre deux demi-schmas dans chacun des rgimes.
vs1
RC
RC
vs2
vs1
RC
RC
vs2
ib1 + vd /2 Q1 Q2
ib2 + - vd /2 vc +
Q1
Q2
+ vc
2 z0
2 z0
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Page 343
Annexes
De faon gnrale, pour chacune des tudes, le choix du demi-schma simposera selon la sortie envisage (sortie vers ltage suivant par exemple). Dans le cas prsent o les charges de collecteurs sont gales, il napparat quune diffrence dans les performances, savoir le signe du gain en tension sur le schma de gauche. La reprsentation de lamplificateur dans son rgime purement diffrentiel est une source de tension contrle par la tension diffrentielle applique sur la branche contrlante supportant Z d .
(+) B1 Zs vd Zd vs Ad v d B2 Rch
(-)
De mme, la reprsentation de lamplificateur dans son rgime de mode commun est une source de tension contrle par la tension de mode commun applique sur la branche contrlante supportant Z c , schma vu des bases de Q1 ou Q2 .
B1 ou B2 Zs vc Zc vs Ac v c Rch
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun circuit complexe

Dans le cadre dtude en rgime dynamique (faibles signaux), la mthode consiste dcouper le circuit en tages lmentaires. Pour chaque tage en cascade, le diple de sortie, reprsent par son schma quivalent de Thvenin ou Norton vide, est limage dun gnrateur dattaque pour ltage suivant et ainsi de suite. Deux tapes sont ncessaires :
c La premire tape permet lvaluation du transfert en tension vide, ou du courant de court-circuit selon le cas, et la rsistance de sortie du circuit, fournissant ainsi un diple quivalent sous la forme Thvenin ou Norton. La procdure commence par lobtention du diple quivalent relatif au premier tage attaqu par lquivalent de Thvenin ou Norton, ltage suivant tant non connect. Le diple obtenu attaque ltage suivant dans les mmes conditions de charge et la procdure se poursuit jusquau dernier tage non charg. d La deuxime tape permet lvaluation de la rsistance dentre du circuit. La procdure de calcul considre le dernier tage charg dont on value la rsistance dentre (rsistance de Thvenin ou Norton du diple). La rsistance obtenue servira de charge pour ltage prcdent dont on value la rsistance dentre et la procdure se poursuit jusquau premier tage.
Ainsi, la rsistance dentre du premier tage est la rsistance dentre du circuit, la rsistance de sortie du dernier tage est la rsistance de sortie du circuit non charg et le transfert vide ou en court-circuit en sortie du montage est le produit des gains lmentaires puisque lattnuation intertages a t prise en compte par la prsence de la rsistance du diple dattaque.
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Page 344
Annexes
( Exemple dun amplificateur de tension cinq tages en cascade
RG ve vg Ze1 vs1 = A1 vg
Zs5 vs Rch
Le circuit dattaque est reprsent sous la forme dun diple de Thvenin ( RG , v g ) et la rsistance
Rch est la charge terminale.
Nous aboutissons au schma suivant produisant une rsistance dentre fermant la maille du circuit dattaque et un diple de Thvenin branch sur la charge.
RG ve vg Ze1 vs5 = A0 vg
Zs5 vs Rch
Les impdances dentre et de sortie de lamplificateur sont respectivement Z e = Z e1 et Z s = Z s5 . Le gain en tension est A 0 =
v s5 vg =
A
i =1
vide et v s = A 0 v g
Rch en charge. Rch + Z s
La reprsentation dun amplificateur transfert quelconque (tension, courant, rsistance de transfert, conductance de transfert) fait apparatre un modle utilisant une source contrle de tension ou de courant, associe une branche contrlante supportant une impdance.
( Exemple de lamplificateur de tension prcdent
Dans ce cas, la source lie de tension est commande par v e , tension aux bornes de la branche contrlante supportant la rsistance dentre Z e du quadriple.
RG ve vg Av ve Ze
Zs vs Rch
Le transfert en tension doit tre calcul nouveau en tenant compte du pont rsistif en entre.
A0 v g = A0
RG Z e + RG v e A v = A0 1 + Z Ze e (non charg)
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Page 345
Annexes
Mthode de travail pour la rponse en frquence (approximation du ple dominant)

La mthode, dite par approximation du ple dominant propose ici, permet une dtermination plus directe de la bande passante dun amplificateur large bande dans le cadre dune tude en rgime dynamique aux faibles signaux. La stabilit du systme peut aussi tre discute dans le cadre de la rponse aux frquences hautes (marge de phase). Considrons un circuit linaire constitu de rsistances, de condensateurs et de sources lies. Le nombre de ples de la fonction de transfert associe au circuit gale le nombre de condensateurs indpendants (ordre du systme). Dans le cas dune fonction de transfert ples rels, celle-ci scrit pour un ordre n : N( p) N( p) H (p ) = H 0 = H0 1 + a1p + a2 p 2 + a3 p 3 + ... p p p 1 + 1 + 1 + ... 1 2 3 avec a1 = 1 + 1 + ... , a2 = 1 + 1 + 1 + ... , etc et N ( p ) polynme dordre n.
12
13
23
Nous ne nous intressons quaux coefficients a1 et a2 en vue de lapplication de la mthode dite de l approximation du ple dominant dtaille plus bas. La forme analytique ci-dessus montre que ces coefficients sont gaux respectivement une somme et un produit de constantes de temps qui peuvent scrire de la manire suivante :
a1 =
R C
0 i
: somme de toutes les constantes de temps vide du circuit, avec k le nombre de tous
i =1
les condensateurs du schma et Ri0 la rsistance vue par Ci frquence nulle. La notation adopte pour les rsistances Ri0 est la suivante : lindice donne la rfrence de la capacit Ci aux bornes de laquelle la rsistance est calcule et lexposant indique que le calcul est effectu frquence nulle, tous autres les condensateurs tant assimils des circuits ouverts.
a2 =
R C R C
0 i i i j
j avec Ri0Ci R ij C j = R 0 j C j R i C i : somme pour toutes les paires possibles de
capacits avec R ij la rsistance vue par C j lorsque Ci est court-circuite, les autres condensateurs tant assimils des circuits ouverts. La notation adopte pour les rsistances R ij est la suivante : lindice donne la rfrence de la capacit C j aux bornes de laquelle la rsistance est calcule et lexposant indique que le calcul est effectu frquence nulle, tous les autres condensateurs tant assimils des circuits ouverts lexception du condensateur C j assimil un court-circuit. Quant au
i choix de la constante de temps vide R 0 j C j ou en court-circuit R j C j , il rsulte de la topologie du
circuit prsentant le calcul le plus commode. Notons enfin que les expressions analytiques de ces coefficients correspondent exactement celles obtenues par la mthode traditionnelle de mise en quations. Ainsi, lcriture dune fonction de transfert du second ordre est plus rapide par cette mthode des constantes de temps.
Approximation du ple dominant
Hypothse : la fonction de transfert est suppose ples rels et prsente une pulsation 1 , issue du ple provoquant la coupure 3 dB, nettement loigne des pulsations issues des autres ples et zros.
( Exemple dun systme passe-bas du second ordre (rponse aux frquences hautes)
Sylvain Gronimi Page 346 Annexes
La fonction de transfert est de la forme H0 H0 1 1 H (p ) = = avec a1 = + 2 1 a p a p + + p p 1 2 1 2 1 + 1 + 1 2 1 a1 = (1 + ) 1 Posons = 1 , si 1 << 2 ( << 1) 2 a1 a = 2 2 (1 + )
et a2 =
1 2
1 1 a 1 . a 1 2 a2
Notons que lhypothse 1 << 2 sous-estime la valeur du ple dominant 1 et surestime la valeur de 2 . Lapproximation sera dautant plus prcise que 1 est distant des autres ples et zros (les zros tant au-del de deux dcades du ple dominant). Dans le cas prsent o le circuit prsente deux condensateurs indpendants C1 et C2 , les
0 0 0 1 2 0 C1 + R2 C2 et a2 = R1 C1 R2 C2 = R1 C1 R2 C2 . coefficients scrivent a1 = R1
f1
1
0 0 2 (R1 C1 + R2 C2 )
( fh f1 ) et f2
0 0 0 0 C1 + R 2 C2 C1 + R2 C2 1 R1 1 R1 1 1 = = + . 0 1 2 0 1 2 2 R1 C1R2C2 2 R1 C1R2 C2 2 R2C2 2 R1 C1
Linverse de la frquence de coupure haute fh 3 dB est approch par la somme des inverses des frquences de coupure produites par chaque capacit, les autres tant assimiles un circuit ouvert.
( Exemple dun systme passe-haut du second ordre (rponse aux frquences basses)
La fonction de transfert est de la forme p p p p 1 + 1 + 1 1 1 3 4 3 4 H (p ) = H 0 avec a1 = + , a2 = , 1 2 = 3 4 . = H0 1 + a1p + a2 p 2 1 2 12 p p 1 + 1 + 1 2 a 1 (sous-estim) si 1 >> 2 1 1 (surestim), 2 a2 a1 Nous obtenons les expressions duales du cas prcdent : 0 0 C1 + R2 C2 1 R1 1 1 1 = + ( fb f1 ) et f2 f1 0 0 0 1 1 2 2 R1 C1R2C2 2 (R1 C1 + R2 C2 ) 2 R2C2 2 R1 C1 La frquence de coupure basse fb 3 dB est approche par la somme des frquences de coupure associes chaque condensateur, lautre tant assimil un court-circuit. En gnralisant plus de deux condensateurs, nous pouvons crire lquation suivante : fb
2 R
i =1
1
i Ci
f
i =1
bi
o Ri est la rsistance vue par Ci lorsque les autres condensateurs sont court-circuits (calcul effectu frquence infinie). La frquence de coupure 3 dB est approche par simple addition des frquences de coupure 3 dB produites indpendamment par chaque condensateur du circuit.
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Page 347
Annexes
Transformation de schma par application du thorme de Miller

Le thorme de Miller sapplique sur une topologie trs spcifique reconnaissable par une impdance branche entre lentre et la sortie dun amplificateur attaqu en tension. Lapplication du thorme transforme le schma original en un schma plus simple traiter analytiquement grce la disparition de la contre-raction. La mise en quations du circuit sera alors plus directe pour le calcul du transfert et de limpdance dentre du circuit considr.
i Z
i ve
Amplificateur
vs
ve
Z1
Amplificateur
Z2
vs
Ve ( p ) Vs ( p ) = Z ( p ) I ( p ) V ( p) Z( p) = Ve ( p ) 1 a v ( p ) = Z ( p ) I ( p ) Z1( p ) = e Vs ( p ) = ( ) a p I ( p ) 1 a v ( p) v Ve ( p )
V ( p) Z( p) 1 = Vs ( p ) 1 = Z( p) I( p) Z2 ( p) = s 1 a ( p ) I ( p ) v 1 a v ( p)
Lattaque en tension ne peut correspondre qu un amplificateur de tension ou un amplificateur admittance de transfert.
Si lamplificateur est caractris par ses paramtres dadmittance de transfert ( Z e , Z s , Yt ), nous obtenons (en allgeant la notation de Laplace ne faisant pas apparatre le terme (p) des variables) :
ve
Z1
Ze Yt ve
Zs
Z2
vs
Vs = Yt Ve
Zs Z2 Zs + Z 2
av =
Vs Zs Z Yt Z s Z + Z s Zs Z Z = Yt av = et Z1 = = + Y Z Z + Z Ve 1 + Y Z 1 + Yt Z s Z + Z t s s t s s 1 1 1 Z s + Z Z + Z av s
Limpdance ramene lentre est lassociation en srie de deux impdances. Il est important de constater que Z 2 , impdance de la branche ramene en sortie, na dutilit que pour dfinir le transfert en tension a v . Le schma transform par le thorme de Miller ne conduit donc quaux expressions du transfert en tension a v et de limpdance dentre Z1 // Z e . Limpdance de sortie du circuit ne peut tre calcule qu partir du circuit original.
( Exemple dun metteur commun en H.F.
Identification : Z =
1 1 , Yt = g m , Z s = rce // RC RC et Z e = rbe // C bc p Cbe p
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Page 348
Annexes
Cbc
ve
rbe Cbe gm ve
rce
RC
vs
En rgime sinusodal ( p = j ),
2 g 1 a v ( j ) = g m RC avec 1 = (ple), 2 = m (zro) et 1 < 2 RC C bc Cbc 1+ j 1

1 j
do Z1 ( j ) =
RC 1 , association srie dune capacit C1 = Cbc (1 + g m RC ) et + jCbc (1 + g m RC ) 1 + g m RC

RC , branche en parallle sur Z e ( j ) . 1 + g m RC 1 , cest-jCbc (1 + g m RC )
dune rsistance R1 =
Pour des frquences telles que f < f1 , a v = g m RC (gain rel) et Z1 ( j ) dire que la capacit C1 = Cbc (1 + g m RC ) est uniquement ramene en entre.
Si lamplificateur est caractris par ses paramtres de tension ( Z e , Z s , A v ), nous obtenons

Z2 avec A v = Yt Z s Zs + Z 2 (transformation Thvenin/Norton). Vs = A v Ve
ve
Z1
Ze A v ve
Zs
Z2
vs
Cette mme expression de dpart conduit videmment aux mmes rsultats qui scrivent Av Z + Zs Z + Zs et Z1 = . av = 1 Av Zs + Z Ce dernier cas est plus explicite puisquil montre que limpdance ramene en entre est limpdance de sortie Z s du quadriple en srie avec Z, divise chacune par le terme ( 1 A v ) o A v est le gain en tension vide du quadriple non contre-ractionn.
( Exemple dun amplificateur diffrentiel de tension
R
ve + vs
Identification : Z = R , A v = Ad , Z s = Rs avec Rs << R et Ad >> 1

av = R + Rs Ad R + Rs R R R Ad , R1 = et faible rsistance dentre // Rd Rs + R 1+ Ad Ad Ad Ad
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Page 349
Annexes
Ouvrages spcialiss
Microlectronique , Tome 3 et 4, par J. Millman et A. Grabel (Mc Graw-Hill) Principes et pratique de llectronique , Tome 1, par F. de Dieuleveult et H. Fanet (Dunod) Composants actifs discrets , Tomes 1 et 2, par M. Girard (Mc Graw-Hill) Amplificateurs oprationnels , Tomes 1 et 2, par M. Girard (Mc Graw-Hill) Amplificateurs de puissance , par M. Girard (Mc Graw-Hill) Filtres actifs , par P. Bildstein (Editions Radio)
Principaux symboles utiliss

Av
Ai
gain dun amplificateur de tension gain dun amplificateur de courant gain dun amplificateur rsistance (impdance) de transfert gain dun amplificateur conductance (admittance) de transfert rsistance (impdance) dentre dun amplificateur rsistance (impdance) de sortie dun amplificateur coefficient damortissement constante de temps de filtre pulsation naturelle (pulsation propre non amortie) pulsation de coupure 3 dB pulsation dfinissant la bande dondulation dun filtre passe-bas fonction de transfert de la chane de retour fonction de transfert de la chane directe fonction de transfert en boucle ferme rsistance de gnrateur tension, courant du gnrateur tension , courant dentre du montage tension, courant de sortie du montage
Zt Yt Ze Zs
n c rip
B( p ) G( p ) H ( p)
RG v G (t ) , i G (t ) v E (t ) , i E (t ) v S (t ) , i S (t )
Notations de variables
Superposition des rgimes continu et dynamique aux faibles signaux : i e (t ), v e (t ) , variations (faibles signaux) des variables en rgime dynamique. Etude du rgime pseudo-continu : I E , VE , VD , variations non linaires des variables en rgime continu (forts signaux) Etude frquentielle dans le plan de Bode ( p = j ) : I E ( p ), VE ( p ) , complexes et G( p ), B( p ), H ( p ) fonctions de transfert.
Z1( p ), Y1( p ) , variables i E (t ) = I E 0 + i e (t ) ,
v E (t ) = VE0 + v e (t ) , . avec I E0 , VE0 , valeurs des variables en rgime continu (polarisation),
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Page 350
Annexes

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Enseignements E.E.A.

anne 2010 par Sylvain Gronimi

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

TABLE DES PROBLEMES

Polarisation dun transistor

Caractrisation dun tage

Elments de circuits intgrs

Tables des problmes

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Tables des problmes

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Mise en quations et thormes fondamentaux

Exprimez la tension VS en fonction de VE , R1, R2 , R3 .

Exprimez le courant I 2 en fonction de I, R1, R 2 , R3 .

Application du thorme de Millman

Application du thorme de Thvenin et de superposition

Donnez le gnrateur de Thvenin quivalent au diple.

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Application du thorme de Millman

Application du thorme de Thvenin et de superposition

do la superposition VTh = VTh1 + VTh2 =

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

Rponse temporelle dun circuit RL

1. Expression analytique du courant Rsolvons lquation diffrentielle du premier ordre

quation homogne d 1 di dt i (t ) + i (t ) = 0 = dt i Log i

Rappel sur la thorie des circuits

Universit Paul Sabatier

Electronique analogique Problmes et corrigs

1 t + j t e j t VE VE m e dt = (t ) = e m 1 L L + j cos( t ) + j sin( t ) 1 1 car m = sin( t ) cos( t ) = sin( t ) 1 1 2 + j + 2

solution particulire de lquation complte

2. Expression analytique de la tension

Rgime transitoire (VE =1 V et f = 1 kHz)

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Electronique analogique Problmes et corrigs

1.0mA tension d'entre (0) 0V 0A tension en avance de 9 -1.0mA

Rgime sinusodal tabli

5. Comparaison du rgime tabli

v L (t ) = VE sin sin( t + L ) avec sin = =

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Electronique analogique Problmes et corrigs

1 1 p 1 + + 2 VL ( p ) = VE 2 2 2 2 1 p + p + 1 p + 2 + 1 p Tableau des transformes : e at , 2 sin( t ) , 2 cos( t ) 2 p+a p + p + 2

1 2 + = 1 et cos cos( t ) + sin sin( t ) = cos( t )

t do v L (t ) = VE sin cos e + cos( t )

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Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC

(159.652,-45.089) -30 filtre du premier ordre = 1 ms

-100d 1.0Hz 1 DB(VC)

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Electronique analogique Problmes et corrigs

2. Rponse lchelon de tension

VE (chelon de tension damplitude VE ) p