Surse de curent cu tranzistoare i sarcini active

1. Introducere Sursele de curent realizate cu tranzistoare au ajuns s lie utilizate att ca elemente de polarizare ct i ca sarcini pentru etajele de amplificare. Utilizarea surselor de curent pentru polarizare duce la creterea insensibilitii circuitului fa de variaiile surselor de alimentare i ale temperaturii. n ceea ce privete aria de pe cip necesar pentru a se realiza o valoare dat a curentului de polarizare, suresele cu tranzistoare sunt mai ieftine n particular atunci cnd valoarea necesar a curentului de polarizare este mic. Utilizarea surselor de curent cu sarcin n amplificatoarele cu tranzistoare, duce datorit rezistenei de iesire de valoare mare pe care acestea o ofera la obinerea de ctiguri n tensiune mari pentru valori mici ale tensiunii surselor de alimentare. 2. Surse de curent 2.1 Sursa de curent simpl

Scriind suma curenilor n colectorul tranzistorului Q1 se abine

Cea mai simpl form a sursei de curent vezi fig. 1 const dintr-un rezistor i dou tranzistoare. Tranzistorul Q1 este conectat ca diod, forndu-se astfel o valoare nul pentru tensiunea colector-baz. n acest fel, la jonciunea colector-baz nu exist injecie (deoarece nu este polarizat) i tranzistorul se comport ca i cum ar fi regiunea activ direct. n continuare vom neglija curenii reziduali ai jonciunilor i vom presupune ca tranzistoarele sunt identice i c rezistena de ieire a tranzistorului Q2 este infinit. Deoarece tranzistoarele Q1 i Q2 au aceeai tensiune baz-emitor curenii lor de colector sunt egali IC1=IC2 (1) I ref I C 2 2 I ref I C1 = IC 2 = 0 deci IC1 = 2 F 1+ F IC 2 I ref = VCC VBE ( on ) R
(3) (2)

Dac F este mare, curentul de colector al tranzistorului Q2 este practic egal cu curentul de referin

Fig.1 O surs de curent simpl, cu dou tranzistoare

Rezult c n cazul a dou tranzistoare Q1, Q2 identice curenii de ieire i de referin sunt egali. De fapt nu este necesar ca tranzistoarele s fie identice. Ariile de emitor ale lui Q1 i Q2 pot s fie fcute diferite, fapt care determin ca i valorile curentului IS pentru cele dou tranzistoare s fie diferite; n acest caz valorile celor doi cureni de colector, IC1 i IC2 , nu vor mai fi egale ci se vor afla ntr-un raport constant. Cum acest raport poate s fie supraunitar sau subunitar, rezult c plecnd de la o valoare dat a curentului de referin se poate obine orice valoare se dorete pentru curentul de ieire. Totui rapoartele de arii mai mari ca, aproximativ, 5:1 duc la un consum

mare de arie, din cauza suprafeei ocupate de ctre cel mai mare dintre cele dou tranzistoare. Din aceast cauz penrtu generarea unor rapoarte mari de cureni se prefer alte metode care se vor discuta n seciunile urmtoare. Deoarece curentul de intrare este reflectat la ieire, acest circuit este deseori denumit oglind de curent. Unul din cele mai importante aspecte legete de funcionarea unei surse de curent este dat de modificarea curentului sursei de curent la variaiile de tensiune de pe terminalul de ieire. Aceast modificare este caracterizat de rezistena de ieire de semnal mic a sursei de curent. Importana acestui parametru este pus n eviden, se exemplu, de faptul c att raportul de rejecie a modului comun al unui amplificator diferenial ct i ctigul unui circuit cu sarcin activ depind n mod direct de valoarea sa. n scrierea relaiei (1) am presupus independena curenilor de colector ai celor dou tranzistoare de tensiunile lor colector-emitor. n realitate, curentul de colector crete uor odat cu creterea tensiunii colectoremitor (vezi fig.2).

Figura 2 Efectul de modulare a grosimii bazei se poate reprezenta, pentru condiii de semnal mare prin expresia

V V IC = I S exp BE 1 + CE VT VA
unde VA este tensiunea Early. O valoare tipica a tensiunii Early pentru tranzistoarele npn este de 130 V. Deci, de exemplu, presupunnd c potenialul colectorului tranzistorului Q2 este de 30 V i observnd c tensiunea colectoremitor a tranzistorului Q1 este egal cu VBE(on), raportul curenilor IC2 i IC1 este:

IC 2 I C1

VCE 2 30 1+ VA = = 130 1.25 VCE1 0.6 1+ 1+ VA 130 1+

(4)

Rezult ca pentru un circuit care lucreaz cu o alimentare de 30 V curenii sursei de curent pot s difere fa de valprile calculate pentru cazul n care se neglijeaz rezistena de ieire a tranzistorului cu nu mai puin dect 25%. Un alt factor de merit pentru o surs de current realizat cu tranzistoare este tensiunea echivalent n gol, VThev. Att timp ct tranzistoarele sursei de curent sunt n regiunea activ direct, orice configuraie de surs de curent poate fi caracterizat printr-o rezisten de ieire Ro i un current de ieire Io, n conformitate cu circuitul echivalent Norton din fig. 4.3a. n general vorbind, n circuitele concrete, rezistena de ieire scade atunci cnd cerentul de ieire crete. Circuitul echivalent Thvenin este indicat n fig. 4.3b, generatorul echivalent Thvenin fiind egal cu VThev = I o Ro (5)

Fig. 3 (a) Reprezentarea prin circuit echivalent Norton a unei surse de curent cu transistor. (b) Reprezentarea prin circuitul echivalent Thvenin a unei surse de curent cu transistor. Tensiunea Thvenin rmne n general constant pentru o configuraie dat de surs de curent, fiind independent de valoarea particular Io urmrit prin proiectare. De exemplu pentru sursa de curent simpl se obine

VThev = I o Ro = I C 2 ro 2 = I C 2

VA = VA IC 2

(6)

expresie n care s-a utilizat relaia ro=VA/IC. Deci pentru sursa de curent simpl tensiunea echivalent n gol este egal cu tensiunea Early, VA. Sursele de current cu o structur de circuit mai complex au valori ale tensiunii VThev care sunt mai mari ca VA. De exemplu, dac curentul de ieire al sursei de curent simple este de 1 mA, atunci

Ro =

VThev VA 130V = = = 130 k Io I o 1mA

(7)

De observat c la ieirea sursei de curent nu apare niciodat tensiunea echivalent n gol, VThev. Dac ieirea sursei de curent este lsat n gol, din circuitul echivalent din fig. 4.3b rezult c s-ar obine o tensiune de ieire VThev. Acest rezultat nu se verific n realitate deoarece tranzistorul surs de curent se satureaz atunci cnd tensiunea la bornele sursei de curent (care este egal cu tensiunea colector-emitor) se apropie de zero. Rezult c reprezentrile Thvenin i Norton sunt valabile numai pentru acele valori ale tensiunii i curentului de la ieirea sursei de curent pentru care tranzistoarele sunt n regiunea activ direct.

2.2 Sursa de curent simpl cu ctig de curent n plus fa de variaia curentului de ieire datorit valorii finite a rezistenei de ieire, curentul de collector IC2 difer de curentul de referin i printr-un factor 1+2/F. Atunci cnd sursa de current se realizeaz cu tranzistoare pnp de ctig mic, valoarea lui F poate fi destul de mic astfel nct acest factor s fie semnificativ. Pentru a reduce aceast surs de eroare, se adaug un transistor, dup cum se arat n fig. 4. Curentul de emitor al tranzistorului Q3 este egal cu

I E3 =

I C1 I C 2 2 + = IC 2 F F F

(8)

unde curenii IE, IC i IB sunt pozitivi atunci cnd intr n transistor. n relaia 8 s-au neglijat efectele date de valoarea finit a rezistenei de ieire. Curentul de baz al tranzistorului Q3 este dat de relaia:

I B3 =

I E 3 2 = IC 2 F + 1 F ( F + 1) 2 IC 2 = 0 F ( F + 1) I ref 2 1+ 2 + F F

(9)

Scriind suma curenilor n colectorul tranzistorului Q2, se obine:

I ref I C1
Deoarece curenii IC1 i IC2 sunt egali rezult

(10)

Io = IC 2 =

(11)

Fig. 4 Sursa de current simpl cu ctig de curent

n acest fel curentul de referin i curentul de ieire difer numai printr-un factor de ordinal 1/2 F (dac se neglijeaz efectul rezisten ei de ieire). Aceast configuraie este deseori utilizat pentru generarea unor ieiri multiple, plecnd de la un singur curent de referin. n acest scop n paralel cu tranzistorul Q2 se conecteaz mai multe tranzistoare identice care au colectoarele independente. Odat cu creterea numrului de ieiri independente crete i curentul total de baz (furnizat de emitorul lui Q3) dar contribuia acestui termen de eroare n Iref este redus prin cigul n current F3. Topologia sursei de curent simple din fig. 1 este mult utilizat i n circuitele analogice integrate MOS. Versiunea MOS prezentat n fig. 5 pune n eviden un TECMOS conectat ca diod (M1) care genereaz o tensiune se polarizare VGS1 stabilit prin intermediul curentului Iref. Deoarece VGS1=VGS2 i ambele tranzistoare sunt n regiunea activ direct curentul de ieire este I D 2 = I D1 = I ref (12) dac se presupune c rezistena de ieire a tranzistoarelor este infinit. De fapt tranzistorul M2 are o rezisten de ieire finit, ro, caracteristica I-V a sursei de curent prezentat n fig. 6 avnd un aspect asemntor ca aceea din cazul bipolar. n ambele cazuri rezistena de ieire ro este invers proporional cu curentul de polarizare. De observat c n versiunea MOS nu exist termenul de eroare corespunztor curentului de baz; ca urmare se poate genera un numr arbitrar de ieiri prin conectarea n parallel cu tranzistorul M2 a unui numr corespunztor de trabzistoare. Totodat nu mai este nevoie de tranzistoare suplimentare, cum este Q3 n fig. 4.

Fig. 5 Sursa de curent simpl realizat cu TECMOS De observat c n versiunea MOS nu exist termenul de eroare corespunztor curentului de baz; ca urmare se poate genera un numr arbitrar de ieiri prin conectarea n parallel cu tranzistorul M2 a unui numr corespunztor de trabzistoare. Totodat nu mai este nevoie de tranzistoare suplimentare, cum este Q3 n fig. 4. O diferen semnificativ fa de sursa de curent bipolar const n faptul c rezistena de ieire a TECMOS poate fi mrit prin creterea lungimii canalului Leff. O alt diferen care trebuie remarcat este dat de valoarea minim a tensiunii de ieire VDS2, sub care sursa de curent nu mai i men ine valoarea dorit a rezistenei de ieire, dat de VDS(sat)=VGS-Vt=VGSQ. Sursele bipolare se limiteaz la VCE(sat) care este tipic mai mic dact VDS(sat). Aceast caracteristic constituie o chestiune important n condiiile tendinei continue de scdere a tensiunii de alimentare (pn la 1 V n unele echipamente alimentate de la baterie) deoarece distana ntre tensiunea sursei de alimentare i tensiunea minim de funcionare a nodului de ieire a sursei de curent este critic. 2.3 Sursa de curent simpl cu degenerare n emitor Performanele sursei de curent simple bipolare din fig. 4 se pot mbunti prin adugarea se rezistene de degenerare n emitoare (vezi fig. 7). Pentru generalitate se consider o surs de curent cu dou ieiri independente. Prin introducerea rezistenelor de degenerare n emitoare se realizeaz doua obiective. Primul l constituie mbuntirea mojor a mperecherii ntre Iref i curenii de ieire IC3 i IC4. Al doilea l constituie creterea rezistenei de ieire a sursei de current. Rezistena de ieire la semnal mic care se vede n colectoarele tranzistoarelor Q3 i Q4 este Ro ro (1 + g m RE ) (13) Lund ca exemplu pe Q3 i folosind relaia gm3=IC3/VT rezult

(Tranzistoarele Q1 i Q2 acioneaz combinat prezentnd n baza lui Q3 i Q4 o rezisten foarte mic). Mrimea IC3R3 este chiar cderea de tensiune n curent continuu pe rezistorul R 3. De exemplu, dac aceast cdere de tensiune este de 260 mV rezistena Ro va fi egal cu aproximativ 10ro. Limita pn la care se poate merge cu aceast mrire a rezistenei de ieire este dat de valoarea minim care poate fi acceptat a tensiunii de ieire n colectorul tranzistorului Q3 care este acum (VCE(sat)+IC3R 3).

I R Ro ro 1 + C 3 3 VT

(14)

Fig. 7 Sursa de curent simpl cu degenerare n emitor. Ariile de emitor ele tranzistoarelor Q1, Q3 i Q4 pot fi egale sau se pot afla ntr-un raport dat. De exemplu, dac dorim ca IC3=Iref i IC4=2Iref putem s-i facem pe Q1 i Q3 identici i IS4=2IS1. n plus putem face R1=R3 i s scdem pe R 4 facndu-l egal cu R 1/2. De observat c n acest fel cderile de tensiune pe R1, R3 i R 4 vor fie gale. Adunnd tensiunile pe ochiul care include tranzistoarele Q1 i Q4 i neglijnd curenii de baz se obine

IC1 R1 + VT ln
din care rezult

I C1 I = I C 4 R4 + VT ln C 4 I S1 IS 4
(16)

(15)

IC 4 =
Deoarece IS4=2IS1 soluia ecuaiei (16) este

I ref I S 4 1 I ref R1 + VT ln R4 IC 4 I S1 R1 I ref = 2 I ref R4

(17)

IC 4 =

ultimul termen din (16) anulndu-se. Din analiza relaiei 16 se observ c datorit faptului c termenii care conin logaritmul variaz slab odat cu variaia argumentului, dac facem cderea de tensiune IrefR1 i IC4R4 mult mai mari dect VT putem fora IC4 (R1/R4)Iref chiar dac ariile de emitor ale tranzistoarelor Q1 i Q4 nu se scaleaz convenabil. n sfrit trebuie observat c degenerarea n surs nu este folosit n cazul surselor de current cu TEC. Motivul se gsete n faptul c TEC este inerent un transistor controlat. Ca urmare mbuntirea mperecherii n sursele de current cu TEC se realizeaz direct, fcnd aria tranzistoarelor mai mare. Creterea rezistenei de ieire se realizeaz prin creterea lungimii canalului. Att n circuitele cu TEC ct i n cele cu tranzistoare bipolare pre ul pltit pentru mbuntirea performanelor const n aria mai mare consumat de ctre sursele de curent.

2.4 Sursa de curent Widlar n amplificatoarele operaionale bipolare, valoarea mic impus curentului de la intrare dicteaz pentru curentul de polarizare al perechii cu cuplaj n emitor de la intrare o valoare foarte mic, de ordinal 5 A. Curenii de polarizare de aceast valoare sunt de asemenea necesari ntr-o mulime de alte aplicaime de alte aplicii. Dac am utilize o surs de current simpl, n care am lua pentru raportul ariilor de emitor ale tranzistoarelor Q1 i Q2 valoarea maxim, practic, de 10:1, ar rezulta pentru un curent de ieire de 5 A un curent de referin de 50 A. Dac curentul de

referin se obine prin conectarea pe sursa de alimentare a unui resistor, valoarea rezistorului ar fi de 600 k, pentru o alimentare de 30 V. Un resistor cu o astfel de valoare este foarte scump din punct de vedere al consumului de arie. Curenii de valori att de mici pot fi obinui, totui, cu valori moderate de rezisten, prin modificarea sursei de current simple, astfel nct cele dou tranzistoare Q1 i Q2 s funcioneze cu valori diferite ale tensiunilor bazemitor. n cazul sursei de curent Widlar din fig. 8 aceasta se realizeaz prin plasarea unui resistor n serie cu emitorul tranzistorului Q2. n continuare vom calcula pentru aceast surs de curent curentul de ieire i tensiunea echivalent n gol. Pentru acest circuit nu exist o versiune echivalent realizat cu TECJ.

Fig. 8 Sursa de curent Widlar Prin adunarea tensiunilor pe ochiul emitor-baz, presupunnd c tensiunea Early, VA, este infinit i neglijnd curenii de baz se obine VBE1 VBE 2 IC 2 R2 = 0 (18) deci

VT ln

I C1 I VT ln C 2 I C 2 R2 = 0 IS1 IS 2 VT ln I C1 = IC 2 R2 IC 2
(20)

(19)

Pentru tranzistoare identice curenii IS1 i IS2 sunt egali iar relaia 19 devine

Dac se dau R2 i IC1, gsirea valorii IC2 care constituie soluia acestei ecuaii transcendente se face prin ncercri. n proiectare, sunt cunoscui de obicei IC1 i IC2 valoarea rezistorului R 2 obinndu-se direct din (20). 2.5 Sursa de curent cascod n conexiunea cascod se atinge o rezisten de ieire foarte mare, proprietate care este de dorit pentru sursele de curent. Ca urmare este natural s se ncerce utilizarea cascadelor ca surse de curent. O surs de current bipolar bazat pe conexiunea cascod este prezentat n fig. 9. Tranzistoarele Q3 i Q4 formeaz sursa de curent de baz; de multe ori se adaug i rezistene n emitor pentru mbuntirea mperecherii. Tranzistorul Q2, care opereaz ca partea baz-comun a cascodei, transfer la ieire curentul de collector al tranzistorului Q3 prezentnd o rezisten de ieire mare. Tranzistorul Q1 realizeaz o deplasare de nivel de un VBE asigurnd faptul c tranzistorul Q3 eate n regiunea activ cu VBE 0. Dac presupunem c rezistenele de semnal mic ale tranzistoarelor Q1 i Q4 sunt mici rezistena de ieire de semnal mic n colectorul lui Q2 este

g m 2 ro3 = g m 3ro 3
Ro = 0 ro

(21)

Fig. 9 Sursa de curent cascod realizat cu tranzistoare bipolare. Un rezultat mai exact se obine dac n analiza complet de semnal mic a circuitului din fig. 9 se ine cont i de valorile finite ale rezistenelor de semnal mic ale tranzistoarelor Q1 i Q4:

Ro =

0 ro 2

(22)

modificarea rezultatului fiind datorat cii de semnal de la Q2la Q3 prin Q1 i Q4. n concluzie, sursa de current cascod determin creterea valorii rezistenei de ieire i a tensiunii echivalente n gol cu un factor de aproximativ 0/2. De exemplu pentru 0=100 i VA=130 V

VThev =

la un curent de ieire Io=1 mA se obine o rezisten de ieire

0 ro I o 0VA = = 6500V 2 2 6500V = 6.5M 1mA

(23)

Ro =

(24)

n analiza surselor de curent Widlar i cascod s-au neglijat efectele date de rezistena r. n timp ce pentru sursa de curent simpl aceast presupunere a fost uor de justificat, n cazul acestor surse de impedan mai mare ea trebuie reexaminat. Rezistena colector-baz r, rezult din modularea curentului de recombinare n baz, consecin a efectului Early. Pentru cazul unui trabzistor al crui curent de baz este compus n ntregime din curentul de recombinare n baz, variaia procentual a curentului de baz va fi egal cu aceea a curentului de colector; ca urmare r va fi legat de ro printr-un factor 0. n aceste condiii efectul dat de r ar consta n reducerea rezistenei de ieire a sursei de curent cascod cu un factor de 2; sursa Widlar va fi mult mai puin afectat. Totui ntr-un tranzistor npn, real, de circui integrat numai o foarte mic parte a curentului de baz rezult din recombinarea n baz. Deoarece numai aceast component este modulat de efectul Early, valorile observate pentru r sunt cu un factor de 10, sau mai mult, mai mari ca 0ro. Aceasta nseamn c n sursele de curent npn considerate pn acum efectul rezistenei de reacie este neglijabil. n cazul tranzistoarelor pnp laterale, rezistena de reacie, r, este mult mai mica dect la tranzistoarele npn deoarece cea mai mare parte a curentului de baz rezult prin recombinarea n baz. Valoarea real a acestei rezistene depinde de diferite variabile de proces i de geometria tranzistorului, valorile observate fiind n gama (25)0ro. Ca urmare pentru tranzistoarele pnp efectul rezisten ei de reacie poate fi semnificativ dac baza tranzistorului este conectat la o rezisten incremental mare. Efectele date de rezistena r trebuie luate n considerare n cazul surselor de curent care ao o rezisten de ieire mai mare ca 0ro. S observm, de esemenea, c n toate circuitele discutate pn acum baza tranzistorului surs de curent este legat la un punct de mic impedan, astfel c variaiile de curent prin r nu modific tensiunea VBE. n cazul n care baza se leag la un punct de impedan mare variaiile curentului care curge prin r trec n baz fiind amplificate de ctre tranzistor cu ; rezult astfel variaii mult mai mari ale curentului de ieire, n comparaie cu cazul n care baza se leag la un punct de impedan mic.

Sursa de curent cascod este larg utilizat i n tehnologiile MOS. Un exemplu simplu este prezentat n fig. 10. Figura 10 Expresia rezistenei de ieire de semnal mic este:

Ro = ro 2 [1 + ( g m 2 + g mb 2 )ro1 ] + ro1

(25)

Dup cum s-a artat anterior sursele de curent cascod simple bipolare nu pot realiza o rezisten de ieire mai mare dect 0ro/2 din cauza efectului dat de curentul de baz n tranzistorul cascod. Spre deosebire de cazul tranzistorului bipolar ctigul n curent al tranzistorului MOS este infinit, fiind posibil astfel obinerea cu cascoda MOS a unei rezistene de ieire arbitrar de mari prin adugarea n stiva cascodei a unui numr sufficient de tranzistoare. O limitare este introdus de curentul residual de substrat al TECMOS care creeaz un unt rezistiv de la nodul de ieire spre mas. Acest unt poate domina valoarea rezisten ei de ieire pentru valori moderate i mari ale tensiunii Vout . Exemplu: S se determine tensiunea echivalent n gol a cascosei triple din fig. 11. Pentru fiecare transistor se va presupune c valoarea tensiunii echivalente n gol este de 50 V i c gmro=50. Se va neglija efectul de substrat. Fiecare etaj cascod crete rezistena de ieire cu un factor aproximativ egal cu (1+gmro). Deci tensiunea echivalent n gol este:

VThev = (VThev )M 3 [1 + g m 3 ro 3 (1 + g m 2 ro1 )] = 50V *[1 + 50(1 + 50)] = 127.550V

Din acest exemplu se constat c rezistena de ieire este de ordinal a 1010 pentru cureni de polarizare de ordinal a 10 A. Diferite elemente parasite cum ar fi, de exemplu, rezistena determinat de curentul residual de substrat, pot fi comparabile ca valoare cu aceast rezisten de ieire. Un dezavantaj important al sursei de curent cascod, n comparaie cu sursa de curent simpl, este dat de valoarea mai mic a excursiei de tensiune n nodul de ieire pentru care ambele tranzistoare sunt n regiunea de saturaie. Aceast situaie este o urmare a faptului c tranzistoarele surs de curent i cascod sunt stivuite. Dup cum rezult din fig. 10 tensiunea minim la ieirea sursei de curent, astfel ca ambele tranzistoare s fie n saturaia, este (Vt +2VGSQ). Cu toate c VGSQ poate fi fcut mai mic folosind W mari i polariznd tranzistoarele la cureni mici termenul dat de tensiunea de prag contribuie semnificativ la scderea excursiei de tensiune, n special n cazurile n care sursa de curent este utilizat ca element de sarcin n etajele de amplificare. O tehnic mult mai bun de polarizare, care permite mbuntirea excursiei de tensiune la ieire, const n polarizarea tranzistorului M1 la marginea regiunii de saturaie, drena fiind mai negativ fa de gril cu o tensiune de prag. O soluie de principiu este descris n fig. 11a n care n serie cu grila tranzistorului M2 s-a inserat un element de deplasare de nivel. O posibilitate de implementare a acestei scheme de polarizare este prezent n fig. 11b; repetorul pe surs M5 a fost inserat pentru a se obine cderea de tensiune iar raportul W/L al lui M4 a fost micorat de patru ori pentru compensarea VGSQ a lui M5. de fapt tranziia de la regiunea de tip triod la cea de saturaie a tranzistoarelor MOS este gradual astfel c de obicei este necesar s se mreasc tensiunea de dren a lui M1 cu cteva sute de mV peste VGSQ pentru a reliza valoarea rezistenei incrementale de ieire prezis de (25). Acest tip de deplasare de nivel, folosit pentru mrirea excursiei tensiunii de la ieirea surselor de curent cascod, se poate aplica i la circuitele bipolare. 2.4 Sursa de curent Wilson O alt configuraie de surs de curent larg utilizat, care permite obinerea de valori foarte mari pentru Ro, este sursa de curent Wilson, prezentat n fig. 12 n versiunea care folosete tranzistoare bipolare. De fapt este un circuit cu reacie negativ: reacia prin tranzistorul Q3 l comand pe Q1 pentru a-i crete rezistena de ieire. n plus, se obine un grad ridicat de compensare a erorii determinate de curentul de baz rezultnd astfel un transfer precis de la Iref la Io=IC2.

Fig. 12 Sursa de curent Wilson. Dintr-un punct de vedere calitativ, se poate spune c diferena ntre curentul de referin i curentul IC1 va curge n baza tranzistorului Q2. Acest curent de baz multiplicat cu (F+1) trece prin tranzistorul conectat ca diod Q3, ceea ce face ca un curent de aceeai valoare s curg prin tranzistorul Q1. Se formeaz deci o bucl de reacie care regleaz valoarea curentului IC1 astfel nct s fie practic egal cu valoarea curentului de referin. Trebuie observat ca tranzistoarele Q1 i Q3 funcioneaz la tensiuni colector-emitor care difer doar prin cderea de tensiune pe o diod i c la variaiile de tensiune de la bornele sursei de curent tensiunea colector-emitor a tranzistorului Q3 nu se modific. Ca urmare curentul de colector al tranzistorului Q3 rmne practic egal cu acela al tranzistorului Q1, independent de valoarea tensiunii din colectorul tranzistorului Q2. Acest fapt determin o valoare aproape constant pentru curentul de colector al tranzistorului Q2, rezultnd o valoare mare a rezistenei de ieire. Pentru analiza de curent continuu vom presupune ca VA= i c tranzistoarele sunt identice. Curentul de emitor al tranzistorului Q2 este egal cu curentul de colector al tranzistorului Q3 plus curenii de baz ai tranzistoarelor Q1 i Q3:

Din (27) se obine curentul de colector la tranzistorului Q2

1 I C1 I E 2 = I C 3 + I B 3 + I B1 = I C 3 1 + + F F 2 I E 2 = IC3 (27) 1 + F F 2 F = I C3 1+ 1+ F F 1 + F IC3 = IC2 F +1 F + 2 IC 2 F

(29)

(26)

I C 2 = I E 2
care se scrie

(28)

Fcnd suma curenilor n baz tranzistorului Q2 se gsete

IC1 = I ref

(30)

Deoarece n scrierea expresiei 26 am presupus c tranzistoarele sunt identice rezult I C1 = I C 3 (31) nlocuind (29) i (30) n (31) se obine

I C 2 = I ref

1 2 1+ 2 F + 2 F

(32)

2 Deci curentul de ieire i curentul de referin difer doar printr-un factor de ordinul 2/ F . O analiz de semnal mic a circuitului, desfurat n acelai mod ca i pentru sursa Widlar, neglijndu-se r, conduce la urmtoarele expresii pentru rezistena de ieire i tensiunea echivalent Thvenin:

Ro VThev

0 ro 2 2 V 0 A 2

(33a) (33b)

Sursele de curent Wilson sunt utilizate i n tehnologiile MOS, un exemplu fiind dat n fig. 13. Funcionarea circuitului este n esen identic cu aceea a versiunii bipolare n cazul n care F este infinit. Rezistena de ieire de semnal mic presupunnd c sursa Iref introduce o ncrcare rezistiv neglijabil este dat de expresia: Ro (2 + g m1 ro 3 )ro1 (34)

Fig. 14 Sursa de curent Wilson realizat cu TECMOS.

Fig. 15 Sursa de curent Wilson mbuntit prin adugarea unui tranzistor suplimentar.

n sursa de curent Wilson din fig. 13 tensiunea dren-surs de curent continuu este mai mare pe tranzistorul M3 dect pe tranzistorum M2 . n cazul unor tensiuni de prag mari aceasta conduce la o nemperechere a curenilor de dren datorit valorii finite a rezistenei de ieire a tranzistoarelor. Problema se rezolv prin adugarea unui tranzistor conectat ca diod M4, care egalizeaz tensiunea dren-surs pe M3 i M2 (vezi fig. 14). Aceeai tehnic adugarea unei diode suplimentare se poate aplica i pentru sursa Wilson bipolar di fig. 12 mbuntindu-se mperecherea i precizia. n analiza sursei de curent simpl i a surselor de curent Widlar i Wilson ne-am concentrat asupra problemei obinerii valorii dorite a curentului de ieire care poate s fie mic i asupra problemei obinerii unei valori mari a rezistenei de ieire a sursei de curent. Circuitul Widlar este util pentru realizarea de valori mici ale curenilor de ieire, iar circuitul Wilson pentru relizarea de valori mari ale impedanei de ieire i a unei sensibiliti mici fa de curenii de baz ai tranzistoarelor. Problemele particulare de proiectare a circuitelor impun n mod frecvent i controlul atant al altor aspecte legete de funcionarea surselor de curent cu tranzistoare. De exemplu de multe ori este necesar generarea a doi cureni ale cror valori trebuie s fie apropiate, ct se poate de precis. Posibilitatea de a realiza astfel de surse de curent mperecheate este de obicei limitat de nemperecherile tranzistoarelor care compun circuitul. O a doua cerin ntlnit frecvent este aceea ca funcionarea circuitului integrat s nu fie afectat de variaiile n interiorul unor limite specificate tensiunilor surselor de alimentare i/sau ale temperaturii. Aceast cerin impune n general ca sursele de curent de polarizare din circuit s aib cureni de ieire care s fie insensibili la variaiile tensiunilor surselor de alimentare i ale temperaturii. Surs de curent cu maxim cu MOS Configuraia sursei de curent cu punct culminant poate fi folosit de asemenea i n tehnologie MOS ca n Fig. Dac IIN e mic i pozitiv , cderea de tensiune pe R e mic i M1 funcioneaz n regiunea activ. Presupunem c M2 funcioneaz de asemenea n regiunea activ.

10

Aplicnd a II-a teorem a lui Kirchhoff pe bucla cu tensiunile gril-surs avem VGS1 I IN R VGS 2 = 0 (4.202) Cum sursele celor dou tranzistoare sunt legate mpreun pragurile se anuleaz i (4.202) se simplific la Vov 2 = Vov1 I IN R (4.203) Din(1.157),

I OUT =
unde Vov1 =

2 I IN

k(W L )2 k(W L )2 (Vov 2 )2 = (Vov1 I IN R )2 (4.204) 2 2 [k ' (W L)1 ] . Ecuaia 4.204 presupune c tranzistoarele funcioneaz n inversiune puternic. n

practic, curentul de intrare este suficient de mic astfel nct tensiunea gril-surs efectiv (VGS - Vt ) a lui M1 e mai mic dect2nVT, unde n este definit n (1.247) i VT este tensiunea termic. Ecuaia 4.203 arat c tensiunea grilsurs efectiv a lui M2 este i mai mic dect a lui M1. De aceea, ambele tranzistoare funcioneaz n inversiune slab, unde curentul de dren variaz exponenial cu tensiunea gril-surs cum s-a artat n (1.252). Dac VDS1 > 3VT, aplicnd (1.252) lui M1 i nlocuind n (4.202) rezult

Apoi dac tranzistoarele sunt identice i VDS2 > 3VT, nlocuind (4.205) n (1.252) d

I IN VGS 2 Vt VT ln (W L ) I 1 t VGS 2 Vt W I t exp nV L T

I IN R

(4.205)

I OUT

unde It este dat de (1.251) i reprezint curentul de dren al lui M2 cu VGS2 = Vt , W/L = 1 i VDS >> VT. Comparnd (4.206) cu (4.200) se observ c curentul de ieire la o surs de curent cu punct culminant MOS e la fel cu cel de la cea bipolar cu excepia c 1,3 n 1,5 n structura MOS i n = 1 n cea bipolar. Reprezentri grafice ale (4.206) i (4.204) sunt date n Fig. 4.35 pentru n = 1,5, T = 27C, R = 10 k, k = 200 A/V2, i (W L )1 = (W L )2 = 25 . n ambele cazuri, cnd curentul de intrare este mic cderea de tensiune pe rezistor este mic, i IOUT IIN. Odat cu creterea curentului de intrare, VGS1 crete mult mai ncet dect tensiunea pe R. Ca rezultat, creterea curentului de intrare n cele din urm determin scderea tensiunii gril-surs a lui M2. Curentul de ieire atinge maximul cnd VGS2 e maxim. Ca i n varianta bipolar, denumirea de surs de curent cu punct culminant provine din acest comportament, i localizarea i amplitudinea vrfului amndou depind de R.

I IN R I IN exp nV T

(4.206)

11

Deoarece tensiunile gril-surs efective ale ambelor tranzistoare sunt de obicei foarte mici, ecuaia de inversiune puternic (4.204) subestimeaz de obicei valoarea curentului de ieire.

12