Lucian Balut 1

Capitolul 4
Tranzistorul bipolar
4.1 Preliminarii
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mare
4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mic
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar.
Lucian Balut 2
4.1 Preliminarii
4.1.1 Structur, simbol, notaii;

4.1.2 Principiul de funcionare;

4.1.3 Conexiunile tranzistorului;
Lucian Balut 3
4.1 Preliminarii
4.1.1 Structur, simbol, notaii
Definitie: n mod uzual, tranzistorul bipolar este definit ca fiind o
structur de tip npnsau pnp care respect dou condiii:
- baza foarte ngust;
- emitorul puternic dopat.
tranzistor npn tranzistor pnp
Lucian Balut 4
4.1 Preliminarii
4.1.1 Structur, simbol, notaii
E emitor; are rolul de a emite (genera) purttori;
C colector; are rolul de colecta purttorii emii de emitor;
B are rolul de a controla fluxul de purttori dintre emitor i colector
C
E
B
i
C
i
E
i
B
v
CE
v
BE
v
CB
C
E
B
i
C
i
E
i
B
v
EC
v
EB
v
BC
i
C
curent de colector;
i
E
curent de emitor;
i
B
curent de baz;
v
CE
tensiune colector-emitor;
v
CB
tensiune colector-baz;
v
BE
tensiune baz-emitor;
Lucian Balut 5
4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcionare
Observatie: Dup cum s-a amintit deja, tranzitorul bipolar are n
structur dou jonciuni:

jonciunea baz emitor (sau jonciunea
emitorului) i
jonciunea baz colector (sau jonciunea
colectorului).

Funcionarea tranzistorului depinde n mod evident de
starea acestor jonciuni. Din acest punct de vedere pot
exista patru situaii dup cum urmeaz:
Lucian Balut 6
4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcionare
Regim saturat
Jonctiune baza-emitor
Conductie Blocata
Con-
ductie
Blocata
Jonctiune
Baza
Colector
Regim blocat Regim activ normal
Regim activ
inversat
Lucian Balut 7
4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcionare
1. Ambele jonciuni sunt blocate. Tranzistorul se comport ca un
circuit ntrerupt. Curenii prin tranzistor au valori neglijabile ceea
ce matematic nseamn
0 ~
C
i
0 ~
B
i
Explicaia const n faptul c fiecare jonciune n parte se
comport ca un circuit ntrerupt. Despre tranzistor se spune c
lucreaz n regim de blocare
Model matematic
Lucian Balut 8
4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcionare
2. Ambele jonciuni sunt n conducie. Tranzistorul se comport
ca un scurcircuit. Tensiunile pe jonciunile tranzistorului sunt
foarte mici ceea ce matematic nseamn:
Explicaia const n faptul c fiecare jonciune n parte se
comport ca un scurtcircuit. Despre tranzistor se spune c
lucreaz n regim saturat.
0 ~
BC
v
0 ~
BE
v
Model matematic
Lucian Balut 9
4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcionare
3. Jonciunea emitorului este n polarizata direct (conducie) iar
jonciunea colectorului este polarizat invers (blocata). n
aceast situaie apare efectul de tranzistor (printr-o jonciune
polarizat invers trece un curent de valoare relativ mare).
emitter
n
collector
base
p
++
p
collector
junction
emitter
junction
emitter
n
collector
base
p
++
p
collector
junction
emitter
junction
emitter
n
collector
base
p
++
p
collector
junction
emitter
junction
E C
i i o ~
este un factor de transport cu
valori cuprins se intre 0.9 i 0.99
Lucian Balut 10
4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcionare
3. Jonciunea emitorului este n polarizata direct (conducie) iar
jonciunea colectorului este polarizat invers (blocata). cont.
E C
i i o ~
B C E
i i i + =
o
o
|

=
1
B C
i i | ~
Model matematic
B C
i i | ~

V v
BE
~
Tranzistorul se comport
ntre colector i emitor ca
un generator de curent
comandat
Despre tranzistor se spune c lucreaz n regim activ normal..
Lucian Balut 11
4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcionare
4. Jonciunea colectorului este n conducie, iar jonciunea
emitorului este blocat.
n practic aceast stare nu este utilizat. Despre tranzistor se
spune c lucreaz n regim activ inversat
Lucian Balut 12
4.1 Preliminarii
4.1.3 Conexiunile tranzistorului
a.) Conexiunea emitor comun.
i
B
i
C
Intrare
Iesire
v
BE
v
CE
Semnalele de intrare (sau de comand) sunt:
tensiunea v
BE
tensiunea baz emitor, i
curentul i
B
curentul de baz
Semnalele de ieire (sau comandate)
tensiunea v
CE
tensiunea colector emitor, i
curentul i
C
curentul de colector
Lucian Balut 13
4.1 Preliminarii
4.1.3 Conexiunile tranzistorului
b.) Conexiunea colector comun
Semnalele de intrare (sau de comand) sunt:
tensiunea v
BC
tensiunea baz colector, i
curentul i
B
curentul de baz
Semnalele de ieire (sau comandate)
tensiunea v
EC
tensiunea emitor colector, i
curentul i
E
curentul de emitor
i
B
i
E
Intrare
Iesire
v
BC
v
EC
Lucian Balut 14
4.1 Preliminarii
4.1.3 Conexiunile tranzistorului
c.) Conexiunea baz comuna
Semnalele de intrare (sau de comand) sunt:
tensiunea v
EB
tensiunea emitor baz, i
curentul i
E
curentul de emitor
Semnalele de ieire (sau comandate)
tensiunea v
CB
tensiunea colector baz, i
curentul i
C
curentul de colector.
i
C i
E
Intrare Iesire v
EB
v
CB
Lucian Balut 15
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mare
Observatie n regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar
este integral descris de dou i numai dou ecuaii,
numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt,
caracteristici statice
( )
B CE C C
i v i i , =
( )
CE BE B B
v v i i , =
Prezentul subcapitol ii propune s prezinte forme explicite
pentru expresiile de mai sus, iar pe baza lor s dezvolte
modele aproximative pentru tranzistoarele bipolare.
Lucian Balut 16
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mare
4.2.1 Caracteristici statice;

4.2.2 Modele de semnal mare pentru TB

4.2.3 Abateri de la teoria ideal

4.2.4 Limitri n funcionare.
Lucian Balut 17
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.1 Caracteristici statice
( )
B CE C C
i v i i , =
( )
CE BE B B
v v i i , =
( )
. const i CE C C
B
v i i
=
=
( )
. const v B C C
CE
i i i
=
=
( )
. const v BE B B
CE
v i i
=
=
( )
. const v CE B B
BE
v i i
=
=
caracteristica de ieire,
B C
i i | ~
caracteristica de intrare
nu se folosete ntruct i
B
practic
nu depinde de v
CE

Lucian Balut 18
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.1 Caracteristici statice (cont.)
( )
. const i CE C C
B
v i i
=
=
a.) caracteristica de ieire
v
CE
i
C
i
B1
i
B2
i
B3
i
B4
Regiunea activ normal
v
CB
=0
Regiunea de
saturatie
Regiunea de
blocare
Lucian Balut 19
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.1 Caracteristici statice (cont.)
b.) caracteristica de intrare
( )
. const v BE B B
CE
v i i
=
=
v
BE
i
B
v
CE1
v
CE2
>v
CE1

V
1. este vorba de
caracteristica unei diode,
2. practic i
C
nu depunde de
v
CE

Lucian Balut 20
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
a.) Modele aproximative pentru regimul de blocare.
Ecuaiile de dispozitiv
i
B
=0
i
C
=0
B
E
C
v
BE
v
CE

C
E
B
Lucian Balut 21
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
b.) Modele aproximative pentru regimul de saturatie.
Ecuaiile de dispozitiv
v
BE
0
v
CE
0

C
E
B
B
E
C
i
C
i
B
Lucian Balut 22
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal.
Model de ordin zero

C
E
B
Model matematic
Model de ordin unu
Model matematic
B C
i i | ~

V v
BE
~

V v
BE
~
E C
i i ~
B
E
C
|
F
i
B
v
BE
i
B
Lucian Balut 23
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal (cont).
Model de ordin doi

C
E
B
Model matematic
|
|
.
|

\
|
=
T
BE
S C
e
v
I i exp
|
|
.
|

\
|
=
T
BE
F
S
B
e
v I
i exp
|

B
E
C
|
|
.
|

\
|
=
T
BE
S C
e
v
exp I i

I
S
/|
F

i
B

Lucian Balut 24
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal (cont).
Model de ordin doi (varianta)

C
E
B
Model matematic
B C
i i | =
|
|
.
|

\
|
=
T
BE
F
S
B
e
v I
i exp
|
B
E
C
|
F
i
B
I
S
/|
F
i
B
Lucian Balut 25
R
C
R
B1
E
C
R
B2
R
E
R
C
I
B
V
BE
E
C
|I
B
B C
E
V
CE
I
R
E
R
B2
I
E
I
2
I
1
R
B1
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
I=I
1
+|I
B

I
1
=I
2
+I
B

I
B
+|I
B
=I
E
E
C
=|I
B
R
C
+V
CE
+I
E
R
E
-V
BE
=-V
CE
-|I
B
R
C
+I
1
R
B1
V
BE
=I
2
R
B2
-I
E
R
E

Model de ordin unu
Lucian Balut 26
R
C
R
B1
E
C
R
B2
R
E
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
Model de ordin zero
15k
10k
1k
9.3k
25V
10 V
24 V
9.3V
1 mA
Lucian Balut 27
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
R
1
R
2
R
3
R
8
R
5
R
6
R
7
R
12
R
13
R
4
R
11
R
10
R
9
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
T
10
+E
C
-E
E
U
O
U
i
-
U
i
+
12 K
12 K
1.5 K
4.17K
3 K
+12V
8.67K
4 K 4 K
6 K
6.7 K
9.85 K
1.5 K 1.5 K
-12V
Lucian Balut 28
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
Nodul Potentialul
manual (V)
Potentialul
automat (V)
Nodul Potentialul
manual (V)
Potentialul
automat (V)
U
I
-
0 0 V
ET5
5,35 5,336
U
I
+
0 0 V
CT10
-9,85 -9,856
V
CT1
6 5,994 V
ET10
-10,50 -10,51
V
CT2
6 5,994 V
ET9
-10,50 -10,51
V
ET1
-0,65 -0,64 V
CT9
0,65 0,638
V
ET1
-9 -8.997 V
CT7
7,35 7,343
V
CT4
-5,35 -5,339 U
o
0 -0,038
V
ET4
-9 -9,015 E
C
12 12
V
CT5
8 8,041 E
E
-12 -12
V
CT6
8 8,001
Lucian Balut 29
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideal
Comentariu Analiza prezentat pn n acest moment a
considerat tranzistorul bipolar un dispozitiv ideal.
Din punct de vedere formal, au fost omise dou
categorii de factori care pot influena comportarea
tranzistorului:

-fenomenul de strpungere al jonciunilor;
-efectele temperaturii.
Lucian Balut 30
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideal
a.) Strpungerea tranzistorului bipolar
Exist in principiu trei probleme ce vor fi prezentate:
- strpungerea normal (primar),
- strpungerea secundar i
- ambalarea termic.
I. Strpungerea normal (primar),
v
CE
V
S
=

aprox
.
30 V
I
B
=0
I
B
=0.01mA
I
B
=0.02mA
I
B
=0.04mA
i
C
I
B
=-0.01mA
I
B
=-0.02mA
Lucian Balut 31
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideal
a.) Strpungerea tranzistorului bipolar
II. Strpungerea secundara

Strpungere
primar
I
B
=0
v
CE

i
C

Strpungere
secundar
III. Ambalarea termic

T
a
| T
j
| i
C
|
|

T
a
- temperatura ambiant
T
j
- temperatura jonciunii
Lucian Balut 32
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideal
b.) Variaia cu temperatura Parametrii n discuie sunt cei ce apar n
schemele echivalente prezentate. Pentru regiunea activ normal
este mai variatia lui v
BE
., Referitor la v
BE
- fiind tensiunea unei
jonciuni polarizat direct - respect legea de variaie amintit si
anume, valoarea coeficientului c
VF
este cuprins ntre 2-2.5mV/oC.
Lucian Balut 33
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.4 Limitri n funcionare
n cazul jonciunii pn s-a artat c exist n principiu trei tipuri
de limitri de care trebuie s in cont un proiectant:

- limitare la tensiune invers maxim necesar pentru
evitarea fenomenului de strpungere;
- limitare la curent direct maxim necesar pentru
evitarea efectelor termice distructive.
- limitarea functie de puterea maxim disipata
Lucian Balut 34
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.4 Limitri n funcionare
tensiune maxim colector - emitor; depirea acestei valori duce la
apariia fenomenului de multiplicare n avalan la nivelul jonciunii de
colector;
curent maxim de colector; depsirea acestei valori duce la distrugerea
termic a structurii;
putere disipat maxim; aceast valoare trebuie s fie mai mic dect
limita impus de catalog; depsirea acestei valori duce la distrugerea
structurii tot prin efect termic
Lucian Balut 35
4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mic
be m c
v g i =
t
r
v
i
be
b
=
|
|
.
|

\
|
=
T
BE
S C
e
v
I i exp
|
|
.
|

\
|
=
T
BE
F
S
B
e
v I
i exp
|
T
C
BE
C
m
e
I
dv
di
g ~ =
g
m
[mS]=40I
C
[mA]
m
C
B
BE
C
BE
B
g
di
di
du
di
du
di
r
|
t
~ = =
1 1
Liniarizare Taylor
Lucian Balut 36
4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mic
be m c
v g i =
t
r
v
i
be
b
=
Model matematic
Schema echivalenta
B
E
C
v
be
r
t
g
m
v
be
i
b
i
c
b c
i i | =
t
r
v
i
be
b
=
Model matematic
Schema echivalenta
B
E
C
r
t
i
b
i
b
i
c
t
| r g
m
=
Lucian Balut 37
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
1. Punct static de funcionare

2. Circuit elementar de polarizare
Lucian Balut 38
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.1 Punct static de funcionare
Definitia 1: Termenul de polarizare desemneaz procedeul de
aplicarea a tensiunilor de curent continuu pe dispozitiv,
n vederea funcionrii corespunztoare a lui.
Definitia 2: Totalitatea tensiunilor i curenilor de curent continu
formeaz punctul static de funcionare (PSF)
Comentariu Pentru un tranzistor bipolar PSF cuprinde: V
BE
, V
CE
, V
CB
,
I
C
, I
B
i I
E

Observaia 1. Pentru specificarea PSF sunt necesare numai dou din
cele ase mrimi menionate.
Observaia 2. n calculul PSF este suficient s fie determinat o
singur mrime. Uzual aceasta este I
C
.
Lucian Balut 39
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.1 Punct static de funcionare
Problema Stabilizarea PSF funcie de efectele temperaturii i
dispersia parametrilor.
Observatia 3 Pentru a considera stabilizat PSF funcie de variaiile de
temperatur i dispersia parametrilor este suficient s se
asigure stabilizarea I
C

Criterii de alegere a PSF

1. Meninerea unei funcionri liniare.
2. Controlul parametrilor de semnal mic.
3. Controlul disipaiei puterii.
Lucian Balut 40
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.2 Circuit elementar de polarizare
a.) schema
R
C
R
B
E
C
b.) rol elemente, notaii folosite
R
B
rezisten pentru polarizarea bazei.
R
C
rezisten de sarcin.; are importan
n analiza de curent alternativ
c.) analiza de semnal mar
R
C
R
B
I
B
V
BE
E
C
|I
B
B C
E
V
CE
I
I=I
B
+|I
B

E
C
=|I
B
R
C
+V
CE

V
BE
=-I
B
R
B
+|I
B
R
C
+V
CE

B
BE C
B C
R
V E
I I

| = | =
Lucian Balut 41
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
a.) schema
b.) rol elemente, notaii folosite

R
B1
, R
B2
divizor de polarizare;
asigur n baz potenialul necesar
PSF
R
C
rezisten de sarcin
R
E
asigur stabilizarea termic a
etajului;
R
C
R
B1
E
C
R
B2
R
E

T| I
C
| V
RE
| V
E
| V
BE
+
I
C
+
Lucian Balut 42
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu
R
C
R
B1
E
C
R
B2
R
E
R
C
I
B
V
BE
E
C
|I
B
B C
E
V
CE
I
R
E
R
B2
I
E
I
2
I
1
R
B1
Lucian Balut 43
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu (cont.)
R
C
I
B
V
BE
E
C
|I
B
B C
E
V
CE
I
R
E
R
B2
I
E
I
2
I
1
R
B1
I=I
1
+|I
B

I
1
=I
2
+I
B

I
B
+|I
B
=I
E
E
C
=|I
B
R
C
+V
CE
+I
E
R
E
-V
BE
=-V
CE
-|I
B
R
C
+I
1
R
B1
V
BE
=I
2
R
B2
-I
E
R
E

Sistemul conine ase necunoscute deci problema este rezolvat. I
C

se calculeaz prin nmulirea cu | a lui I
B
. Acest tip de abordare nu se
ntlnete n literatura de specialitate. Motivaia st n numrul mare
de ecuaii care oricum conin necunoscute neinteresante din punctul
de vedere al PSF.
Lucian Balut 44
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu (cont.)
R
C
E
C
R
B
R
E
E
B
R
C
I
B
V
BE
E
C
|I
B
B C
E
V
CE
I
R
E
R
B
I
E
E
B
R
C
R
B1
E
C
R
B2
R
E
Echivalare Thevenin
Lucian Balut 45
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu (cont.)
R
C
I
B
V
BE
E
C
|I
B
B C
E
V
CE
I
R
E
R
B
I
E
E
B
I
E
=I
B
+|I
B

E
C
=|I
B
I
C
+V
CE
+I
E

E
B
-V
BE
=R
E
I
E
+R
B
I
B

E E
R
R R
B C
B
B B
=
+
2
1 2
R
R R
R R
B
B B
B B
=
+
1 2
1 2
( )
( )
E B
BE B
C
R R
V E
I
1 + +

=
|
|