Ejercicios Resueltos de Dispositivos Electrnicos I Examen de Diciembre de 2000 - Ejercicio 51 Enunciado

de drenador del transistor T1 . Datos: del transistor se sabe que VT H Calcular la corriente RS 150, RG 2 2k, RD 180.

3 4V , K

20 mA . VDC V2

24V ,

RS VDC T1 RG

RD

Figura 1: Circuito del enunciado

Solucin
Para resolver este problema no es necesario suponer nada, basta con observar la topologa del circuito y razonar sobre el comportamiento del transistor. Al ser un transistor de efecto de campo de puerta aislada, de canal N (N-MOSFET), la corriente que entra o sale por la puerta es despreciable, siendo a todos los efectos I 0. Consecuentemente con este hecho, la caida de G tensin en la resistencia RG es VRG 0 y, consecuentemente las tensiones entre drenador y fuente y entre puerta y fuente son iguales, lo que expresado matemticamente es : VDS Si se cumple la ecuacin

VGS

(1)

VDS

VGS VT H

(2)

el MOSFET tipo N de enriquecimiento est en saturacin. Uniendo las ecuaciones 1 y 2 se concluye que el transistor estar en saturacin mientras el valor de la tensin entre drenador y fuente sea mayor que la tensin umbral del transistor. En el circuito del enunciado esto se cumple, luego nuestro transistor est en saturacin y no es posible suponer ningn otro estado para el mismo. Slo resta calcular los valores numricos del problema. Al estar el transistor en saturacin es vlida la ecuacin : ID Tambin podemos cerrar la malla: VDC VDC Uniendo las ecuaciones 3 y 4:
1 Resuelto

K VGS VTH

20

mA VGS 3 4V V2

(3)

ID RS RD VDS

ID RS RD VGS

ID 180 150 VGS

ID 330 VGS

(4)

por el Prof. Andrs A. Nogueiras Melndez, aaugusto@dte.uvigo.es, 2001

20 operando y despejando:

mA VGS 3 4V V2

24V VGS 330

2 52 296 43 88VGS 6 6VGS 0 (5) Resolviendo se obtienen dos valores de la ecuacin 5: VGS1 1 55592V y VGS2 5 09256V . El primero no es vlido como solucin, ya que es menor que VT H . Esto hara que el transistor no estuviera conduciendo, es decir, que estuviera en corte. Empleando el valor VGS2 en la ecuacin 3 obtenemos:

ID que es el dato pedido.

K VGS VTH

20

mA 5 09256 3 4V V2

57 29519mA