1

Metode de caracterizare optic a straturilor subiri semiconductoare

Una dintre metodele de caracterizare a straturilor subiri este cea optic, fie c vorbim
despre absorbie, reflexie sau transmisie. Fiecare dintre acestea poate fi folosit pentru
caracterizarea straturilor subiri, iar folosirea uneia sau a alteia dintre proceduri este
ndreptit n funcie de grosimea stratului pe care trebuie s-l caracterizm.
Pentru caracterizarea optic se folosete spectrofotometrul, cel mai utilizat, dar exist
posibilitatea de a folosi i elipsometrul spectroscopic.
Exist dou tipuri de spectrofotometre: cu o singur surs de lumin i cu dou surse
de lumin. n cazul celor din urm, acestea practic compar intensitatea luminoas provenind
de la o proba considerat referin i de la alt prob ce trebuie caracterizat. nainte de a
ncepe caracterizarea propriu-zis este nevoie ca aparatul s fie etalonat, adic s i se spun
care dintre cele dou va fi referin.
Lanul de msur folosit la caracterizarea optic a straturilor subiri este prezentat n
figura 1.

Figura 1. Lanul de msur folosit la caracterizarea optic a straturilor subiri

Montajul experimental utilizat pentru caracterizarea optic a straturilor subiri conine
trei elemente eseniale, i anume: o surs de lumin, un monocromator i un detector
fotosensibil legat la un aparat de msur i nregistrare.
Sursa de lumin folosit trebuie aleas astfel nct domeniul de lungimi de und n
care ea emite s se suprapun ct mai bine cu domeniul de lungimi de und n care absoarbe
proba. n regiunile vizibil i infrarou apropiat, sursele de radiaoe sunt lmpi cu
2

incandescen, iar pentru msurtori n infrarou ndeprtat se folosesc stifturi Nernst, bare
confecionate din oxizi ai diverselor metale, sau stifturi Globar, bare din carbur de siliciu,
nclzite la rou cu ajutorul curentului electric bine stabilizat, iar pentru ultra-violet se
folosesc lmpi cu descrcare n hidrogen, kripton, etc.
Monocromatorul selecteaz din spectrul de emisie al sursei de lumin un domeniu
ngust centrat pe o lungime de und, , care poate fi variat. Raportul / se numete
rezoluia monocromatorului. n fucie de rezoluia dorit i de domeniul spectral cercetat se
pot folosi prisme sau reele de difracie pentru descompunerea spectral a sursei. n regiunea
de ultra-violet ndeprtat sunt utilizate prisme de florur de calciu sau de litiu, n ultra-violet
apropiat sunt utilizate prisme de cuar, iar n vizibil sunt folosite prisme de sticl. Prisma sau
reeaua de difracie se pot roti, diferitele regiuni ale spectrului sursei ajungnd pe rnd n
dreptul fantei de ieire, realizndu-se astfel variaia lungimii de und a luminii la ieirea din
monocromator.
Detectorul radiaiei transmise de proba studiat poate fi un fotomultiplicator, o
fotorezisten sau un fotoelement.
Caracterizarea optic a straturilor subiri presupune efectuarea msurtorilor de
absorbie, reflexie sau transmisie.
Absorbia luminii n straturi subiri semiconductoare
Dac ne referim la straturi subiri semiconductoare, structura, compoziia i
proprietile lor fizico-chimice pot fi investigate prin studiul proprietilor optice i
fotoelectrice. Principalul fenomen responsabil de producerea efectelor optice i fotoelectrice
l reprezint absorbia radiaiei electromagnetice n volumul materialului, principalele
mecanisme de absorbie fiind:
Absorbia intrinsec sau fundamental, are loc sub aciunea fotonilor cu
energie egal sau mai mare dect lrgimea benzii interzise a
semiconductorului; principalul efect fiind trecerea electronilor din banda de
valen n banda de conducie.
Absorbia extrinsec apare sub aciunea fotonilor incideni, n urma ionizrii
impuritilor, adic la tranziii ale electronilor de pe nivelele energetice ale
impuritilor n banda de conducie sau din banda de valen pe nivelele
energetice ale impuritilor.
Absorbia pe purttori de sarcin liberi care const n atenuarea energiei
radiaiei incidente ca urmare a accelerrii purttorilor de sarcin liber n
cmpul electric al undei luminoase.
Absorbia excitonic are loc sub aciunea unui foton care determin apariia
unei perechi legate electron-gol.
Absorbia pe vibraiile reelei cristaline reprezint interaciunea radiaiei
electromagnetice cu oscilaiile termice ale reelei cristaline, interaciune care
determin o atenuare a fluxului de fotoni n semiconductori. [1]


3

Absorbia intrinsec sau fundamental

n cazul acestui tip de absorbie fotonul are o energie suficient pentru a trece un
electron din banda de valen n banda de conducie, deci poate crea o pereche electron-gol.
Pentru semiconductori, atunci cnd energia fotonilor incideni devine egal sau mai mare
dect lrgimea benzii interzise, coeficientul de absorbie crete rapid ntr-un interval
spectral mic, care definete marginea benzii de absorbie intrinsec. Din studiul acesteia se pot
obine informaii att despre lrgimea benzii interzise ct i despre structura benzilor
energetice, adic despre strile electronice de la marginea inferioar a benzii de conducie,
respectv marginea superioar a benzii de valen, dar i despre caracterul i mrimea
probabilitilor de tranziie [1].
O importan major n absorbia intrinsec o are configuraia benzilor energetice ale
semiconductorilor. Pentru semiconductorii cu benzi directe sau aliniate (figura 2a), minimul
benzii de conducie, caracterizat prin vectorul de und k
min
i maximul benzii de valen
caracterizat prin k
max
sunt dispuse n acelaii punct al zonei Brillouin (de regula n punctul k =
0, astfel nct k
min
= k
max
). Exemple: InSb, CdS, CdSe, ZnO, etc. n cazul semiconductorilor
cu benzi indirecte sau nealiniate (figura 2b) extremele benzilor de conducie i valen sunt
situate la vectori de und diferii, k
min
k
max
. Exemple: Ge, Si, n general majoritatea
semiconductorilor.








Figura 2. Semiconductori cu (a) benzi directe i (b) benzi indirecte [2]

Fotonul absorbit transmite electronului de valen doar energie, impulsul su fiind
neglijabil n comparaie cu cel al electronului, vectorul de und al electronului rmne
neschimbat sub aciunea radiaiei electromagnetice i se poate scrie egalitatea

,
denumit regula de selecie a tranziiilor electronice. Astfel sunt posibile numai tranziii
directe (verticale) band-band. Dac ns, n interacia dintre un foton i un electron intervine
o a treia particul, apare i posibilitatea unor tranziii indirecte band-band, iar interaciunea
electron-foton va fi nsoit de emisia sau de absorbia unui foton [1].


4

Absorbia intrinsec la tranziii directe
Dac semiconductorul are benzile de conducie i de valen sferic-simetrice, i
vorbim despre tranziii directe, atunci trebuie respectat legea conservrii energiei.

+ (1)

este energia electronului nainte de a interaciona cu cuanta de lumin de energie

este energia electronului dup interaciune

2
2

(2)

2
2

(3)
Din (2) i (3) rezult: =

) =

2
2

(4)

(0)

0 este lrgimea benzii interzise (5)

* *
* *
*
p n
p n
r
m m
m m
m
+
= este masa efectiv redus a electronului i a golului (6)
Coeficientul de absorbie este: =
1

=
1

= ()

(7)
=
1

este probabilitatea de absorbie a fotonului n unitatea de timp (8)

este viteza de micare a fotonului n substana cu indicele de refracie

, iar
este viteza luminii n vid.
Probabilitatea de absorbie a unui foton cu energia cuprins ntre i ( +)
este: () = ()

(9)
() este probabilitatea tranziiei electronului, iar

() este densitatea de stri din

banda de valen cu

(10)
Densitatea de stri din banda de valen este:
2 / 1
2 / 3
2
*
) (
2
4 ) (
i v
p
i v
m
g c c t c
|
|
.
|

\
|
=

(11)
Din (2), (3) i (4) rezult:
5

*
2 / 1
2
) (
p
i v
m
k
= c c ; dk k
m
d
r
*
2

= e ; | |
2 / 1 *
) ( 2
1
g r
m k c e =

(12)
nlocuind n ecuaia (9) ecuaiile (10) (12) se obine:
2 / 1
2 2
2 / 3 *
) )( (
) 2 (
) (
g
r
P
m
g c e e
t
e =

(13)
Deoarece probabilitatea pentru tranziiile directe permise n vecintatea lui = 0 este
constant, coeficientul de absorbie poate fi scris sub forma:
2 / 1
) (
g dp
A c e o = (14)
unde A este o constant a crei expresie este: ) (
) 2 (
2 2
2 / 3 *
e
t
P
c
n m
A
r r

= (15)
Relaia (15) este valabil ntr-un interval limitat de valori (

) i exprim o
dependen liniar ntre
2
i energia a fotonului. Cnd funciile de und ale electronilor
din banda de valen sunt construite pe baza orbitalilor s ai atomilor liberi, iar funciile de
und ale electronilor din banda de conducie sunt construite pe baza orbitalilor p au loc
tranziii optice permise. Dac ns, funciile de und ale electronilor sunt construite cu ajutorul
orbitalilor atomici d, atunci tranziiile corespunztoare sunt interzise. La tranziii interzise,
pentru toi 0, avem: ) ( ) (
g
const P c e e = (16)
Coeficientul de absorbie n cazul tranziiilor directe interzise este dat de expresia:
2 / 3
) (
g di
B c e o = (17)
unde
2 * 5/ 2
2 2 * *
( ) 4
3
r
r n p
q m
B
cn m m t e
= .
Marginea absorbiei fundamentale, pentru tranziiile verticale, se determin pe baza
relaiilor

g
c
e = i
g
hc
c
= .
Experimental

poate fi calculat din formula

=
1240

dac se exprim n eV.

Sumariznd datele obinute pn acum, coeficientul de absorbie se poate scrie sub
forma:
r
g
) (
0
c e o o = , unde
0
este o constant, iar r poate avea valori cuprinse ntre
(pentru tranziii directe permise) i 3/2 (pentru tranziii directe interzise).

Absorbia intrinsec la tranziii indirecte
Regulile de selecie permit i efectuarea, cu probabilitate mic, a tranziiilor indirecte,
acestea jucnd ns un rol important atunci cnd tranziiile directe nu sunt posibile. Legea de
conservare a impulsului cere ca aceste tranziii indirecte s se realizeze prin interacia
electronului att cu cmpul radiaiei ct i cu oscilaiile reelei. Astfel, o tranziie indirect, din
6

starea iniial

din BV n starea final

n BC, poate avea loc printr-o tranziie direct

urmat de o alt tranziie n care se absoarbe sau se emite un fonon de energie

.

Figura 3. Reprezentarea schematic a tranziiilor directe i indirecte

Ambele procese posibile sunt caracterizate prin legile de conservare a energiei (18),
prima expresie fiind valabil n cazul emisiei unui fonon, iar a doua n cazul absorbiei:
fon i f a
fon i f e
c c c e
c c c e
=
+ =

(18)
Coeficientul de absorbie este proporional cu integrala dup toate perechile de stri
posibile dispuse ntre energiile

din produsul strilor iniiale i finale, precum i

cu probabilitatea de interacie cu fononii, (

).
) ( e o ~
}

+
) (
0
2 / 1 2 / 1
) ( ) (
fon g
i i fon g i fon
d N P
c c e
c c c c e c

(19)
unde
1
1

(
(

=
T k
fon
B
fon
e N
c
este concentraia fononilor. Coeficientul de absorbie se poate scrie
astfel:
1
) (
) (
2

+
=
T k
fon g
a
B
fon
e
A
c
c c e
e o

, pentru
fon g
c c e > . (20)
Cum probabilitatea de emisie a fononului este proporional cu

+ 1, coeficientul de
absorbie n cazul tranziiilor cu emisia fononilor, este:
T k
fon g
e
B
fon
e
A
c
c c e
e o

+
=
1
) (
) (
2

(21)
Deoarece pentru
fon g
c c e + > sunt posibile procese att cu emisia ct i cu absorbia
fononilor, coeficientul de absorbie pentru tranziiile indirecte are doi termeni, corespunztori
absorbiei i emisiei fononului.
) ( ) ( ) ( e o e o e o
e a
+ = (22)
7

n cazul tranziiilor indirecte, care implic trei particule, electronul, fotonul i fononul,
coeficientul de absorbie a luminii este mai mic dect la tranziiile directe.
Exemple


Figura 4. Spectrul de absorbie pentru un strat subire de ITO/CdS

1,41 1,44 1,47 1,50 1,53 1,56 1,59
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0


A

(
u
.
a
.
)
(eV)

Figura 5. Determinarea lrgimii benzii interzise pentru un strat subire de ITO/CdTe

Ambele spectre de absorbie au fost trasate cu spectrofotometrul UV/VIS PerkinElmer
Lambda 35. Domeniul spectral pentru care au fost realizate caracterizrile optice este 190
1100 nm. Pe axa Y este absorbana i deoarece este o mrire arbitrar este exprimat n uniti
arbitrare (u.a.), iar pe axa X regsim lungimea de und exprimat n nanometri (figura 4) i n
eV (figura 5).
8

Pentru a putea determina coeficientul de absorbie al celor dou probe este nevoie s
cunoatem grosimea stratului subire depus, ntre cele dou mrimi existnd o relaie direct:
=

, unde A este absorbana, iar d este grosimea stratului subire depus.

Absorbia extrinsec (pe impuriti)

Acest tip de absorbie apare n semiconductorii cu impuriti cu o energie de activare
mai mic dect cea a benzii interzise. Fotonii cu energie inferioar pragului de absorbie
intrinsec pot induce saltul electronilor de pe nivelele de impuriti donoare n banda de
conducie sau din banda de valen pe nivelele de impuriti acceptoare.


Figura 6. Reprezentarea schematic a tranziiilor optice n cazul absorbiei pe impuriti

(a) tranziii donor neutru band de conducie;
(b) tranziii band de valen acceptor neutru;
(c) tranziii band de valen donor ionizat;
(d) tranziii acceptor ionizat band de conducie;
(e) tranziii acceptor neutru donor ionizat.
Tranziiile 1 i 2 se realizeaz n domeniul spectral al lungimilor de und mari
(infrarou ndeprtat), n timp ce tranziiile 3, 4 i 5 se realizeaz ntr-un domeniu spectral
apropiat de pragul absorbiei intrinseci. Absorbia extrinsec este corelat cu probabilitatea de
tranziie care se poate determina cunoscnd funcia de und a electronului de pe nivelul de
impuritate. Dac se folosete modelul hidrogenoid i se rezolv ecuaia lui Schrdinger pentru
strile de impuritate (donoare), valoarea energiei acestora exprimat n eV este de forma:
2
0
*
2
1 58 , 13
n m
m
n
D c D

|
|
.
|

\
|
= = A
c
c c c (23)
unde n = 1,2,3, . este numrul cuantic principal. Funcia de und ) (r
D

+ a strii donoare se
poate scrie ca o combinaie liniar a funciilor de und pentru strile din banda de conducie
( ) r
n
k

+ , iar componenta ei radial va avea forma:
n
a r
n
e a const r F
/ 2 / 3
) / ( ) (

= (24)
n care
2 *
0
) / ( n m m a a
n B n
c = este raza efectiv Bohr de ordinul n. Ca urmare, dependena de
coordonata r a funciei de und va fi:
) (r
D

+ ~ ) ( ) (
0
r F r

(25)
9

unde ) (
0
r

este o funcie periodic de constanta reelei. Starea fundamental a impuritii va

fi localizat n interiorul unei sfere de raz egal cu raza efectiv Bohr, a
n
, iar din relaia de
incertitudine ~ A A x p , rezult c domeniul de localizare a strii donoare n spaiul

va fi
dat de relaia:
n
a
k
2
1
~ A (26)
Odat cu creterea numrului cuantic principal n, regiunea de localizare n spaiul

se va
micora, astfel c spectrul de absorbie va avea urmtoarea structur: picul mai larg din
domeniul energiilor mari ale fotonilor incideni corespunde tranziiilor de pe nivelul donor din
starea fundamental n banda de conducie, n timp ce pentru energii mai mici ale fotonilor se
observ picuri mai ascuite, care corespund strilor excitate.
Dac n semiconductor exist att impuriti donoare, ct i impuriti acceptoare,
poate avea loc fenomenul de compensare total sau parial a acestora, chiar la temperaturi
foarte coborte. Electronii pot trece de pe acceptorii ionizai pe donorii ionizai sub aciunea
fotonilor cu energie corespunztoare, att acceptorii, dar i donorii devenind astfel neutri.
Interaciunea coulombian donor ionizat-acceptor ionizat determin apariia unui spectru larg
de stri posibile. Spectrul de absorbie se va particulariza, picurile de absorbie se vor
suprapune formnd o band de absorbie pentru perechile donor-acceptor separate prin
distane mari, n vreme ce pentru perechile donor-acceptor separate prin distane mai mici
spectrul de absorbie va fi discret. n mod obinuit, absorbia extrinsec se cerceteaz la
concentraii ale impuritilor mai mari dect 10
15
atomi/cm
3
i la temperaturi joase, pentru a
preveni ionizarea termic a impuritilor.
n concluzie, coeficientul de absorbie extrinsec se poate scrie:
I ex
N
0
o o = (27)
fiind proporional cu concentraia atomilor de impuriti neionizate termic, dar care pot fi
ionizate ca urmare a absorbiei unui foton [1]. Factorul de proporionalitate
0
reprezint
seciunea transversal a absorbiei i depinde de tipul impuritii i de lungimea de und a
radiaiei absorbite.

Absorbia pe purttori de sarcin liberi

Purttorii de sarcin liberi se pot deplasa liber n interiorul unei benzi energetice i pot
fi influenai de aciunea unor factori externi. Absorbia prezint un spectru continuu,
coeficientul de absorbie fiind proporional cu

, unde este lungimea de und a radiaiei

incidente, iar = 1,5 3,5 n funcie de mecanismul de mprtiere a purttorilor de sarcin.
Prin absorbia unui foton, electronul trece ntr-o stare cu energie mai mare din aceeai band
energetic, dar tranziiile intraband sub aciunea luminii necesit o interacie suplimentar,
pentru a putea fi ndeplinit legea de conservare a cvasiimpulsului, i anume fie o interacie cu
fononii, fie cu impuritile ionizate. Studiul absorbiei pe purttori de sarcin liberi implic
modele cuantice similare cu cele din cazul tranziiilor indirecte.
10

Coeficientul de absorbie pe purttorii de sarcin liberi va fi proporional cu
concentraia lor i va depinde prin r de mecanismul de mprtiere:
2
0
+
~
r
n o (28)
n cazul general, coeficientul de absorbie pe purttori liberi se exprim prin suma:
dc ion op ac
o o o o o + + + =
(29)
unde
ion op ac
o o o , , sunt coeficienii de absorbie condiionai de mprtierea electronilor pe
fononii acustici, pe fononii optici i pe centrii de impuriti ionizate. Mrimea
dc
o este legat
de mprtierea electronilor pe defecte complexe care se pot forma la creterea cristalelor, la
prelucrarea mecanic a suprafeei, sub aciunea radiaiilor de mare energie.
n cazul mprtierii purttorilor de sarcin pe fononi acustici = 1/2, iar:
2 / 3
o
ac ac
C = (30)
unde C
ac
este o constant care nu depinde de lungimea de und a luminii excitante.
Dependena este adevrat pentru cuante de lumin a cror energie este mult mai mare dect
energia termic a electronului, T k
B
> e . Dac T k
B
<< e , atunci pentru orice mecanism
de mprtiere a purttorilor liberi avem o dependen de forma
2
~ o .
La mprtierea pe fononi optici, dac energia cuantelor de lumin este mult mai mare
dect energia medie a electronilor, coeficientul de absorbie va fi:
2 / 5
o
op op
C = (31)
n semiconductorii dopai ns, rolul cel mai important l joac mprtierea purttorilor
pe impuritile ionizate, caz n care, la frecvene mari se poate scrie relaia:
7/2
ion ion
C o = (32)
n concluzie, coeficientul de absorbie pe purttori de sarcin liberi, se poate scrie sub
forma general:
3/2 5/2 7/2
ac op ion
C C C o = + + (33)
Studiul absorbiei selective pe purttori de sarcin liberi duce la obinerea de informaii
referitoare la structura de benzi energetice din cristale, iar din punct de vedere aplicativ
servete la fundamentarea tehnologiei de construcie a detectorilor i modulatorilor de radiaie
infraroie.


Determinarea grosimii stratului probei semiconductoare

Cunoaterea grosimii probei investigate este foarte util n investigarea proprietilor
optice i electrice ale materialelor. Una din metodele de determinare rapid, exact i
nedistructiv a grosimii materialului o reprezint tehnica franjelor de interferen descris de
ctre Carl i Wimpfheimer, metod utilizat att n spectroscopia n infrarou ct i n cea
ultra-violet/vizibil.


11









Figura 7. Schema optic pentru explicarea teoriei franjelor de interferen

Fasciculul de lumin incident (B) pe strat sub unghiul u sufer fenomene multiple de
reflexie i refracie att pe suprafaa superioar ct i pe cea inferioar a stratului. Intensitatea
rezultant a razelor emergente la o anumit lungime de und se exprim n funcie de
diferena de faz dintre razele reflectate la interfaa aer/strat i razele reflectate la interfaa
strat/substrat. Razele reflectate n aer vor interfera, iar dac lungimea de und a luminii
incidente este modificat continuu, atunci cmpul de interferen va fi format dintr-o serie
continu de maxime (interferen constructiv) i de minime (interferena distructiv).
Diferena de drum optic dintre raza incident i cea reflectat are expresia:
2
cos 2

| o + = nd (34)
unde: n este indicele de refracie al stratului, d este grosimea stratului, este unghiul de
refracie i este lungimea de und, iar condiia de maxim va fi:
|
i
n nd = cos 2 (35)
Scriind ultima relaie pentru dou lungimi de und
1
i
2
(
1
<
2
) i notnd cu N
numrul de franje dintre
1
i
2
, se obine relaia pentru grosimea stratului investigat:
) sin ( ) ( 2
cos ) ( 2
2 2
1 2
2 1
1 2
2 1
u

|


=

=
n
C N
n
C N
d (36)
Factorul 10 = C /nm permite exprimarea lungimilor de und n nm, iar grosimea
stratului n .
Exemplu




Figura 8. Spectrele de transmisie a unor probe de ZnO [2]
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0
20
40
60
80
100


T
(
%
)
(nm)
ZnO_1
ZnO_2
12

Grosimea determinat experimental pentru ZnO_1 a fost de 513 nm, iar pentru ZnO_2 a fost
de 430 nm.

Sfera integratoare
Acest accesoriu (figura 9) se utilizeaz pentru a amplifica intensitatea radiaiei
reflectate dac aceasta este prea slab. Avnd un diametru de 50 mm, sfera integratoare are
rolul de a integra spaial fluxul radiant. Radiana suprafeei interioare a sferei se obine innd
cont de doi parametri: amplificarea i radiana medie.











Figura 9. Construcia sferei integratoare
Dac sunt considerate dou suprafee elementare care fac schimb de radiaie, factorul de
schimb,
2 1
d d
dF

, reprezentnd energia care pleac din dA
1
i ajunge n dA
2
este:
2 2
2 1
cos cos
2 1
dA
S
dF
d d
t
u u
=

(37)
unde:
1
u i
2
u sunt unghiurile msurate fa de normalele suprafeelor.




Figura 10. Elementele de arie din interiorul unei sfere cu suprafaa difuz

13

2 1
cos 2 cos 2 u u R R S = = de unde reiese c:
2
2
4
2 1
R
dA
dF
d d
t
=

(38)
Relaia (38) exprim faptul c fluxul de radiaie primit de suprafaa dA
2
, din orice punct al
sferei, este acelai oriunde ar fi localizat aceast arie pe suprafaa interioar a sferei.
Dac suprafaa infinitezimal dA
1
schimb radiaie cu o suprafa finit A
2
atunci ecuaia (38)
devine:
s A
A
A
R
A
dA
R
F
2
2
2
2
2
2 1
4 4
1
2
= = =
}

t t
(39)
Lumina incident pe o suprafa difuz creaz prin reflexie o surs de lumin virtual, iar
radiana suprafeei reprezint densitatea de flux energetic din unitatea de unghi solid. Pentru
obinerea radianei unei sfere integratoare iluminat intern se pleac de la expresia radianei,
L, a unei suprafee difuze pentru un flux incident
i
.
A
L
i
t
u
= (W/m
2
/sr) (40)
unde: este reflectana, A este aria iluminat i t unghiul solid proiectat de suprafa.
Pentru sfera integratoare, expresia radianei trebuie s in seama de reflexiile multiple ale
suprafeei i de pierderile prin orificiile de intrare i ieire ale fluxului luminos. Dac avem o
sfer cu portul de intrare de arie A
i
i cel de ieire A
e
, cantitatea de flux incident pe ntreaga
suprafa a sferei este:
|
|
.
|

\
|
u = u
s
e i s
i tot
A
A A A
(41)
Dac ( )
s e i
A A A f + = este fracia port atunci cantitatea de flux incident pe ntreaga
suprafaa a sferei, dup o singur reflexie, devine:
( ) f
i tot
u = u 1 (42)
iar dup a doua reflexie: ( )
2 2
1 f
i tot
u = u (43)
iar dup n reflexii: ( ) ( ) ( ) { }
1 1
1 ... 1 1 1

+ + + u = u
n n
i tot
f f f (44)
ceea ce reprezint o serie de puteri, care prin extindere la infinit i n ipoteza c ( ) 1 1 < f
duce la:
( )
( ) f
f
i
tot

u
= u
1 1
1

(45)
Ecuaia (45) indic faptul c datorit reflexiilor multiple n interiorul cavitii, fluxul incident
total pe suprafaa sferei este mai mare dect fluxul de intrare. Radiana suprafeei sferei este:
( )
( )
( ) ( )
1
1 1 1 1 1
i i i
s
s s s
f
L M
A f f A f A

t t t

u u u
= = =

(46)
Ecuaia (46) este utilizat la determinarea radianei sferei integratoare pentru un flux de
intrare dat, n funcie de diametrul sferei, reflectan i de fracia port. Se observ c radiana
descrete cu creterea diametrului sferei. Factorul adimensional M, se numete factor de
amplificare i modeleaz creterea radianei datorit reflexiilor multiple.
14

( ) f
M

=
1 1

(47)
n cazul unei sfere integratoare reale, distribuia radianei n interiorul acesteia va depinde de
distribuia fluxului incident, de detaliile geometrice ale modelului i de distribuia funciei
reflectan pe nveliul sferei, ca de altfel pe fiecare suprafa a fiecrui dispozitiv montat pe
deschiderea port sau n interiorul sferei.