Nanostructuri cuantice: superretele

Superreele

Puul cuantic, poate fi realizat prin formarea a trei straturi semiconductoare din dou materiale distincte avnd energii interzise diferite E g1 , E g 2 , astfel nct materialul cu banda interzis mai mic s fie dispus ntre dou straturi formate din cellalt material. Cei mai importani parametrii ai puului sunt: limea ( a) i adncimea (b) a acestuia. Diagrama benzilor de energie corespunznd unei heterostructuri cu puuri cuantice multiple este dat n figura 31. Bariera de potenial este dat de offset-ul benzilor de conducie i de valen. n cazul real al unei bariere finite, atunci cnd este aplicat un cmp electric pe direcia perpendicular pe straturile semiconductoare, purttorii pot trece prin aceste bariere cu o anumit Fig.31 Pu cuantic probabilitate. Acest lucru este important pentru modul n care urmeaz a fi construit o superreea. Cnd puurile cuantice sunt separate prin straturi barier foarte subiri, funciile de und au tendina s se suprapun, formnd o superreea. n superreele, apar minibenzi energetice permise, situate peste gropile cuantice. Tranziia de la sisteme cu puuri cuantice la superreele este asemenea formrii unei reele (cristaline) din atomi, cnd se formeaz benzi energetice din nivelele discrete permise ale fiecrui atom n parte. Superreelele sunt structuri constnd din straturi semiconductoare alternative din materiale diferite, de exemplu AlAs i GaAs sau din acelai material n care se definesc zone complementar dopate. Grosimea acestor straturi este de ordinul nm (1...10nm) adic ~10-100 plane atomice. Cele dou materiale au energii interzise de valoare diferit, lucru care conduce la apariia unor discontinuiti n banda de valen i de conducie. Electronii cu energii nu prea mari se vor gsi n gropile cuantice , iar dac nalimea acestor gropi este mare vor apare nivele discrete de energie conform modelului unui electron ntr-o groap de potenial. Transportul sarcinilor prin structur poate fi conceput prin tunelare de la un nivel energetic la altul care aparine unei gropi adiacente. Prin aplicarea unui cmp electric structurii, apare o nclinare a benzilor energetice. n figura 32, sunt prezentate structura (de principiu) unei superreele AlAs-GaAs i diagrama energetic pentru o structur real care conine trei puuri cuantice ( GaAs 11, 8 i 5 nm) n Al0,4Ga0,6As (barier).

Prima dat, un astfel de material a fost propus n 1970 de Esaky i Tsu pentru a

Fig. 32 Structura i profilul diagramei de benzi pentru o superreea ipotetic format din straturi alternative de AlAs-GaAs; Diagrama de benzi pentru o structur real care conine trei puuri cuantice (GaAs 11, 8 i 5 nm) n Al0,4Ga0,6As (barier) produce un potenial periodic unidimensional ntr-un semiconductor i a fost realizat efectiv de Cho i Arthur ceva mai trziu . Materialele cu superreea se pot clasifica n: superreele compoziionale (contra i covariante) superreele cu impuriti superreele mixte

Structurile minibanda ale superretelelor sunt impartite in doua tipuri diferite , numite de tip I si tip II. Pentru tipul I heterostructurile de la baza subbandei de conductie si de la inceputul subbandei de valenta sunt formate in acelasi nivel de semiconductor. In tipu al II-lea subbenzile de conductie si de valenta sunt esalonate atat in spatiul eral cat si cel bilateral, asa fel incat electronii si golurile sa se inchida in straturi diferite. Mai exista de asemenea o clasa de superretea cvasiperiodica denumita dupa Fibonacci.O superretea Fibonacci poate fii vazuta ca un cvasicristal unidimensional, unde fie in cazul in care transferul de electroni topait fie siteul de energie ia doua valori aranjate intr-o secventa Fibonacci. Superreelele compoziionale Au straturi de natur chimic diferit (heterogene) avnd o anumit configuraie a benzilor energetice determinat de aceast particularitate. Pentru a putea localiza benzile

energetice se definete afinitatea electronilor Vc prin cantitatea minim de energie necesar unui electron aflat la marginea superioar a benzii de conducie semiconductor pentru a putea prsi materialul fra a avea energie cinetic. Considernd dou straturi adiacente ca n figura 33 avnd benzi interzise de mrimi diferite W g 1 > Fig.33 Superreele cu structur compoziional contravariant Fig.34 Superreele cu structur compoziional covariant (II)
Wc , Wv . opuse
Wg 2

din

se observ c la

interfaa dintre ele au

loc dou salturi energetice n sensuri O astfel de superreea compoziional este contravariant.

Periodicitatea unei astfel de reele este dat de grosimea d a dou straturi adiacente. Apar bariere de potenial pentru electronii de conducie i pentru goluri ce conduc la formarea unor subbenzi de electroni i de goluri n intervalul Wc1-Wc2 i, respectiv Wv1-Wv2. Dac limita benzii de conducie se afl n apropierea limitei benzii de valen
Wc , Wv (figura 34), materialele de tip avnd salturi energetice n acelai sens,

superreea compoziionale sunt denumite covariante. Introducerea unui al trei-lea material ntr-o structur de tip II (covariant) conduce la realizarea unor superreele compoziionale de tip III. Problema cea mai important ce trebuie considerat atunci cnd se dorete realizarea unei superreele compoziionale este compatibilitatea cristalin: apartenena la un acelai sistem cristalografic egalitatea constantelor de reea ale celor dou materiale din care sunt realizate dou straturi vecine (pentru a evita defectele care apar la interfa). Dac, totui exist nepotriviri rezonabile (cteva procente), n condiiile unor straturi extrem de subiri de ordinul a 10 nm pot apare deformri elastice ale reelei care s conduc la un acelai parametru de reea n direcie paralel cu interfaa.

Superreele dopate Sunt realizate din straturi succesive ale aceluiai semiconductor, mpurificate diferit. n aceste superreele structura de benzi este determinat de distribuiile de sarcin specifice. Potenialul este acum creat de sarcina Fig.35 Superreea dopat.Diagrama benzilor energetice spaial a ionilor de impuritate dispui n straturi spre deosebire de cazul reelelor compoziionale n care potenialul era determinat de configuraia diferit a

benzilor energetice. Electronii furnizai prin ionizarea impuritilor donoare din stratul n vor trece n stratul adiacent p ioniznd impuritile acceptoare din acest strat. Potenialul creat de sarcinile spaiale din superreele dopate, moduleaz marginile benzilor de conducie i valen ale materialului de baz, astfel nct electronii i golurile s fie separate spaial; aceast separare poate fi controlat prin profilul de dopare i grosimea straturilor. Un avantaj al acestui tip de superreele l constituie perfeciunea reelei cristaline deorece nivelul de dopare nu este prea ridicat i impurificarea nu conduce la defecte de structur apreciabile. Diagrama de benzi pentru o superreea dopat este prezentat n figura 35. Un mod n care poate fi realizat o superreea este prin dopare cu concentraie spaial variabil, figura 36. Aceasta (profilul de dopare) poate avea o form mai degrab parabolic dect rectangular. Barierele sunt formate de dou prin cmpuri create sarcinile spaiale. Exist Fig.36 Doparea n cazul puurilor cuantice multiple i a superreelelor. proprieti interesante ale aceste structuri create prin

dopare (n-i-p-i). Minimul benzii de conducie i maximul benzii de valen sunt deplasate relativ, ceeace nseamn acumulri de

Fig.37 Diagrama energetic pentru o superreea mixt

electroni i goluri n anumite locaii ceeace conduce la un proces de recombinare electron-gol improbabil i deci un timp de viat foarte lung al purttorilor, cu multe ordine de mrime mai lung dect n cazul materialului obinuit. Banda efectiv definit ntre nivelul cuantizat superior al benzii de valen i nivelul cuantizat inferior al benzii de conducie va fi mai redus dect n cazul materialului intrinsec. Aceasta deplaseaz proprietile de emisie i absorbie ale materialului pe lungimi de und mai mari. Superreelele mixte Se realizeaz din materiale diferite dar dopate de aceast dat, nu intrinseci ca n cazul superreelelor compoziionale. Apar atunci diagrame de benzi care s fie determinate de combinaia compoziional dopat. n figura 37 se prezinta alura unor astfel de benzi, observndu-se o curbare a acestora datorat sarcinii spaiale creeate n superreea care alterneaz ca semn dup o coordonat spaial. Exemplificnd (figura 38) pe reeaua GaAs-AlGaAs se poate observa c marginea benzii de conducie din GaAs este inferioar nivelului energetic al impuritilor donoare din stratul de AlGaAs i, din acest motiv electronii provenii din impurificarea donorilor n regiunea AlGaAs (n+) pot difuza ctre straturile de GaAs intrinseci, separndu-se astfel spaial de donorii ionizai din care au provenit. Rezult astfel o curbare a benzilor energetice la heterointrerfee determinat de acest fenomen. n final, toi purttorii mobili de sarcin se concentreaz n straturile de GaAs unde se pot deplasa paralel cu suprafaa de separaie dintre straturi far a se mai ciocni cu impuritile ionizate din care au provenit. Din acest motiv, mobilitatea adcestor purttori de sarcin este Fig. 38 Superreea mixt GaAs GaAlAs mult mai ridicat n straturile nguste de material. Transferul electronilor creeaz regiuni de sarcin spaial care alterneaz ca semn n superreea. Creterea mobilitii n straturile subiri de

semiconductor este mai pronunat n superreelele mixte la temperaturi sczute unde procesele de mprtiere fononic sau pe impuriti sunt neglijabile.

Materialele semiconductoare a superretelelor si tehnologia de crestere

Materialel semiconductoare ,care de fapt sunt utilizate pentru a fabrica structurile de superretele, pot fii impartite dupa grupele de elemente IV, III-V si II-IV. In timp ce grupul de semiconductoare III-V a fost in detaliu analizat, grupul IV de heterostructuri de exemplu sistemul SixGe1-x este mult mai dificil de realizat din cauza asimetriei mari a retelei. Nu in ultimo rand, tulpina de modificare a structurii benzii inferioare este interesanta in aceste structuri cuantice si a atras o foarte mare atentie. Pana acuma in mare parte doar semiconductorii de tip III-V reprezentati de heterostructurile GaAs/AlxGa1-xAs au fost investigate. In particular, singura diferenta a sistemului GaAs/Al este aceea ca apare o diferenta intre constanta retelei a GaAs si AlAs, care este foarte mica in ciuda faptului ca AlAs este de natura foarte coroziva. In plus diferenta intre coeficientii de expansiune termali iarasi este foarte mica. Asadar, tensinea ramasa la temperatura caperei poate fii minimizata dupa racirea de la temperaturile mari epitaxiale. Primul compus de superretea a fost realizat utilizand sistemul de material GaAs/AlxGa1-xAs. Superretelele pot fii produse folosind tehnici variate, dar cele mai commune sunt molecular-beam epitaxy (MBE) si sputtering. Cu aceste metode, nivelele pot fii produse cu grosimi de doar cateva distante de atomi. Un exemplu de o superretea specifica este [Fe20V30]20 . Descrie un dublu nivel de 20 de fier (Fe) si 30 de Vanadium (V) repetat de 20 de ori, asadar adunand o grosime totala de 1000 sau 100nm. Tehnologia MBE este una dintre cele mai importante in crearea de superretele de semiconductoare. In plus la tehnologia MBE, metal-organic chemical vapor deposition (MO-CVD) a contribuit de asemenea la dezvoltarea superretelelor de superconductori, care sunt compusi dintr-un compus de semiconductori cuaternari III-V, ca aliajele InGaAsP. Recent, o combinatie de tehnologii de surse de gaze handling and ultrahigh vacuum (UHV) ca moleculele de metal organic ca materiale de sursa, devin din ce in ce mai populare ca surse de gaz MBE folosind gaze hibride ca arsine (AsH3) sau fosfine (PH3).

In general vorbind MBE este o metoda care foloseste trei temperature in sistemul binary, temperature de substrat si temperature materialelor de sursa a grupului III si a grupului V de elemente in cazul de compusi de tipul III-V. Calitatea structurala a superretelelor produse poate fii verificata prin X-ray diffraction sau neutron diffraction spectral care contine caracteristicile varfurilor de satelit. Alte efecte associate cu alternarea nivelelor sunt: giant magnetoresistance, reflexia acordabila pentru X-ray sau oglinzile Neutron, neutron spin polarization si schimbarile in proprietatile elastice si acustice. Depinzand de natura componentelor, o superretea poate si numita magnetica, optica sau semiconductoare.

Superreteaua GaAs/AlAs si profilul de potential al benzi de conductie si de valente de-a lungul directiei de crestere

Structura mini banda

Structura schematica a superretelei periodice este arata mai jos, unde A si B sunt doua materiale semiconductoare diferite cu grosimile nivelurilor de a si b (perioada

d=a+b ). Atunci cand a si b nu sunt atat de mici in comparatie cu spatierea interatomica, o aproximare adecvata este obtinuta prin inlocuirea acestor potentiale rapid variabile cu un potential folositor derivat din structura de banda a celei mai mari parti din semiconductorul original. Este simplu de a rezolva o ecuatie 1D Schrdinger in fiecare nivel in parte, a carui solutii sunt combinatii lineare cu exponent real sau imaginar. Pentru o bariera mare de grosime, tunelarea este o perturbatie slaba in privinta cu starile decuplate, care sunt complet limitate. In acest caz relatia de dispersie Ez(kz),cu perioada de 2 / d cu d=a+b cu calitatea teoremei lui Bloch, este total sinusoidala.

Si masa efectiv

In cazul de mini banda acest caracter sinusoidal numai este conservat. Numai ridicat in mini banda pentru formele de vectori de peste 2 / d, este in partea de sus simtit si care modifica semnul masei effective. Forma dispersiei mini benzii evident ca influenteaza transportul mini benzii in profunzime, si in profunzime relatiile de calcul a dispersiei sutn indispensabile in cazul mini bezilor largi. Este bine de mentionat aici ca conditia pentru a observa un singur transport de minibanda este absenta a oricarui transfer de mini banda intermediara de catre orice proces. Acest lucru inseamna in particular ca termalul cuantic kBT trebuie sa fie mult mai mic decat diferenta de energie E2 E1 dintre prima si a doua minibanda, chiar in prezenta unui camp electric aplicat.

Starile Bloch
Pentru o superretea ideala un set complet de stari eigenstates pot fii construite din bucati ale planurilor grafurilor eigenvalue si o functie z fk(z) care satisface ecuatia

. Asa cum Ec(z) si mc(z) sunt functii periodice cu superretele de perioada d, Eigenstates sunt stari Bloch cu energia 2 ordin teoria perturbatiei in k , se obtine energia . In termen de prim

. Acuma , va prezenta o probabilitate mai mare in put, asa incat va parea rezonabil sa schimbe al doilea termen cu

unde mw este masa efectiva a putului cuantic.

Transportul superretelelor
Miscarea purtatorilor incarcati intr-o superretea este diferita decat cea din nivelele individuale: mobilitatea purtatorilor incarcati poate fi consolidate, care este benefica pentru dispozitivele de frecventa inalta, si proprietatile optice specifice sunt folosite in laseri semiconductori. Daca o interferenta de afara este aplicata unui conductor, de exemplu un metal sau un semiconductor, atunci un current electric este generat. Magnitudinea acestui current este determinate de structura benzii de material, imprastiind procesele, puterea domeniului aplicata, ca si echilibrul distributiei purtatorului conductorului. Un caz particular de superretea numuit superstripes este format din unitati superconductoare separate de spatii. In fiecare minibanda parametrul de ordine superconductive, numit golul superconductive, ia diferite valori producand un multi decalaj, sau doua decalajuri sau o superconductivitate de multi banda.

O privire de asamblu asupra diferitelor standarde pentru transportul superretelelor

Nanostructuri
O nanostructur este o structur pentru care cel puin o dimensiune este de ordinul unui nanometru. Pentru a realiza nanostructuri, sunt utilizate materiale noi produse (sintetizate) prin procedee avansate, specifice care implic conlucrri multidisciplinare. Proprietile fizice si chimice ale materialelor din care sunt realizate nanostructuri sunt, n general, diferite de proprietile materialului masiv, acestea din urm, fiind independente de form, dimensiuni, etc. n cazul nanostructurilor, proprietile sunt

determinate n principal, de forma i dimensiunile structurii, putnd fi controlate tocmai datorit acestei dependene. Este important, s poat fi create proprieti noi pentru unele materiale (care s poat fi controlate i care sa nu existe n starea masiv a materialului) sau s poat fi cunoscut cum sunt modificate proprietile materialului masiv n variant nanostructural. Aceste proprieti pot fi de natur electronic , feroelectric, structural, magnetic, optic, supraconductoare, transport sarcini, etc. Dimensiunile foarte mici (de ordinul lungimii de und asociate electronilor) conduc la modificri calitative n comportamentul electronilor, proprietile structurii fiind puternic dependent de numrul atomilor implicai. Astfel, confinarea electronilor modific structura de benzi energetice ale materialelor fiind posibil optimizarea acestora n raport cu anumite aplicaii. De exemplu, carbonul elementar poate fi fcut s aib o comportare semiconductoare, metalic sau chiar supraconductoare . Unele nanostructuri organice au proprieti interesante de transport avnd aplicaii n medicin. Nanostructurile compozite care combin dou sau mai multe funcionaliti pot conduce la aplicaii extrem de interesante. Obinerea nanostructurilor estre dependent de materialul de baz, de multe ori se folosete o sintez chimic controlnd reaciile implicate. Pentru unele dintre aplicaii, nanostructurile trebuie numai realizate (self-assembling) pe cnd n altele este necesar i o poziionare bine definit ntr-un ansamblu (self-organization). n timpul fabricrii, este necesar o reacie negativ care s permit caracterizarea pe parcurs prin informaii (directe sau indirecte) despre proprietile fizicochimice urmrite, pentru a fi posibil o ajustare a condiiilor de sintez. O posibil observare a unui nanocristal poate fi fcut cu ajutorul microscopiei electronice (TEM)