Sunteți pe pagina 1din 6

70

Superreele
Puul cuantic, poate fi realizat prin formarea a trei straturi semiconductoare din dou materiale distincte avnd energii interzise diferite E g1 , E g 2 , astfel nct materialul cu banda interzis mai mic s fie dispus ntre dou straturi formate din cellalt material. Cei mai importani parametrii ai puului sunt: limea ( a) i adncimea (b) a acestuia. Diagrama benzilor de energie corespunznd unei heterostructuri cu puuri cuantice multiple este dat n figura 31. Bariera de potenial este dat de offset-ul benzilor de conducie i de valen. n cazul real al unei bariere finite, atunci cnd este aplicat un cmp electric pe direcia perpendicular pe straturile semiconductoare, purttorii pot trece prin aceste bariere cu o anumit Fig.31 Pu cuantic probabilitate1. Acest lucru este important pentru modul n care urmeaz a fi construit o superreea. Cnd puurile cuantice sunt separate prin straturi barier foarte subiri, funciile de und au tendina s se suprapun, formnd o superreea. n superreele, apar minibenzi energetice permise, situate peste gropile cuantice. Tranziia de la sisteme cu puuri cuantice la superreele este asemenea formrii unei reele (cristaline) din atomi, cnd se formeaz benzi energetice din nivelele discrete permise ale fiecrui atom n parte.Superreelele sunt structuri constnd din straturi semiconductoare alternative din materiale diferite, de exemplu AlAs i GaAs sau din acelai material n care se definesc zone complementar dopate. Grosimea acestor straturi este de ordinul nm (1...10nm) adic ~10-100 plane atomice. Cele dou materiale au energii interzise de valoare diferit, lucru care conduce la apariia unor discontinuiti n banda de valen i de conducie. Electronii cu energii nu prea mari se vor gsi n gropile cuantice , iar dac nalimea acestor gropi este mare vor apare nivele discrete de energie conform modelului unui electron ntr-o groap de potenial. Transportul sarcinilor prin structur poate fi conceput prin tunelare de la un nivel energetic la altul care aparine unei gropi adiacente. Prin aplicarea unui cmp electric structurii, apare o nclinare a benzilor energetice.
1

Cnd electronii sunt liberi s se mite ntr-un material semiconductor n toate direciile, energia lor n banda de conducie este continu, putnd lua poate orice valori

71 n figura 32, sunt prezentate structura (de principiu) unei superreele AlAs-GaAs i

Fig. 32 Structura i profilul diagramei de benzi pentru o superreea ipotetic format din straturi alternative de AlAs-GaAs; Diagrama de benzi pentru o structur real care conine trei puuri cuantice (GaAs 11, 8 i 5 nm) n Al0,4Ga0,6As (barier) diagrama energetic pentru o structur real care conine trei puuri cuantice ( GaAs 11, 8 i 5 nm) n Al0,4Ga0,6As (barier). Prima dat, un astfel de material a fost propus n 1970 de Esaky i Tsu pentru a produce un potenial periodic unidimensional ntr-un semiconductor i a fost realizat efectiv de Cho i Arthur ceva mai trziu . Materialele cu superreea se pot clasifica n: 7.4.1 superreele compoziionale (contra i covariante) superreele cu impuriti superreele mixte

Superreelele compoziionale Au straturi de natur chimic diferit (heterogene) avnd o anumit configuraie a

benzilor energetice determinat de aceast particularitate. Pentru a putea localiza benzile energetice se definete afinitatea electronilor Vc prin cantitatea minim de energie necesar unui electron aflat la marginea superioar a benzii de conducie semiconductor pentru a putea prsi materialul fra a avea energie cinetic. Considernd dou straturi adiacente ca n figura 33 avnd benzi interzise de din

Fig.33 Superreele cu structur compoziional contravariant

72 mrimi diferite W g 1 > W g 2 se observ c la interfaa dintre ele au loc dou salturi
Wc , Wv . O astfel de superreea compoziional este energetice n sensuri opuse

contravariant. Periodicitatea unei astfel de reele este dat de grosimea d a dou straturi adiacente. Apar bariere de potenial pentru electronii de conducie i pentru goluri ce conduc la formarea unor subbenzi de electroni i de goluri n intervalul Wc1-Wc2 i, respectiv Wv1-Wv2. Dac limita benzii de conducie Fig.34 Superreele cu structur compoziional covariant (II) se afl n apropierea limitei benzii de valen avnd salturi energetice n

Wc , Wv (figura 34), materialele de tip superreea compoziionale sunt acelai sens,

denumite covariante. Introducerea unui al trei-lea material ntr-o structur de tip II (covariant) conduce la realizarea unor superreele compoziionale de tip III. Problema cea mai important ce trebuie considerat atunci cnd se dorete realizarea unei superreele compoziionale este compatibilitatea cristalin: apartenena la un acelai sistem cristalografic egalitatea constantelor de reea ale celor dou materiale din care sunt realizate dou straturi vecine (pentru a evita defectele care apar la interfa). Dac, totui exist nepotriviri rezonabile (cteva procente), n condiiile unor straturi extrem de subiri de ordinul a 10 nm pot apare deformri elastice ale reelei care s conduc la un acelai parametru de reea n direcie paralel cu interfaa. 7.4.2 Superreele dopate Sunt realizate din straturi succesive ale aceluiai semiconductor, mpurificate diferit. n aceste superreele structura de benzi este determinat de distribuiile de sarcin specifice. Potenialul este acum creat de sarcina Fig.35 Superreea spaial a ionilor de impuritate dispui n straturi spre dopat.Diagrama benzilor deosebire de cazul reelelor compoziionale n care energetice potenialul era determinat de configuraia diferit a benzilor energetice. Electronii

73 furnizai prin ionizarea impuritilor donoare din stratul n vor trece n stratul adiacent p ioniznd impuritile acceptoare din acest strat. Potenialul creat de sarcinile spaiale din superreele dopate, moduleaz marginile benzilor de conducie i valen ale materialului de baz, astfel nct electronii i golurile s fie separate spaial; aceast separare poate fi controlat prin profilul de dopare i grosimea straturilor. Un avantaj al acestui tip de superreele l constituie perfeciunea reelei cristaline deorece nivelul de dopare nu este prea ridicat i impurificarea nu conduce la defecte de structur apreciabile. Diagrama de benzi pentru o superreea dopat este prezentat n figura 35. Un mod n care poate fi realizat o superreea este prin dopare cu concentraie spaial variabil, figura 36. Aceasta (profilul de dopare) poate avea o form mai degrab parabolic dect rectangular. Barierele sunt formate de dou prin cmpuri create sarcinile spaiale. Exist Fig.36 Doparea n cazul puurilor cuantice multiple i a superreelelor. proprieti interesante ale aceste structuri create prin

dopare (n-i-p-i). Minimul benzii de conducie i maximul benzii de valen sunt deplasate relativ, ceeace nseamn acumulri de electroni i goluri n anumite locaii ceeace conduce la un proces de recombinare electron-gol improbabil i deci un timp de viat foarte lung al purttorilor, cu multe ordine de mrime mai lung dect n cazul materialului obinuit. Banda efectiv definit ntre nivelul cuantizat superior al benzii de valen i nivelul cuantizat inferior al benzii de conducie va fi mai redus dect n cazul Fig.37 Diagrama energetic pentru o superreea mixt materialului pe lungimi de und mai mari. materialului intrinsec. Aceasta deplaseaz proprietile de emisie i absorbie ale

74 7.4.3 Superreelele mixte Se realizeaz din materiale diferite dar dopate de aceast dat, nu intrinseci ca n cazul superreelelor compoziionale. Apar atunci diagrame de benzi care s fie determinate de combinaia compoziional dopat. n figura 37 se prezinta alura unor astfel de benzi, observndu-se o curbare a acestora datorat sarcinii spaiale creeate n superreea care alterneaz ca semn dup o coordonat spaial. Exemplificnd (figura 38) pe reeaua GaAs-AlGaAs se poate observa c marginea benzii de conducie din GaAs este inferioar nivelului energetic al impuritilor donoare din stratul de AlGaAs i, din acest motiv electronii provenii din impurificarea donorilor n regiunea AlGaAs (n+) pot difuza ctre straturile de GaAs intrinseci, separndu-se astfel spaial de donorii ionizai din care au provenit. Rezult astfel o curbare a benzilor energetice la heterointrerfee determinat de acest fenomen. n final, toi purttorii mobili de sarcin se concentreaz n straturile de GaAs unde se pot deplasa paralel cu suprafaa de separaie dintre straturi far a se mai ciocni cu impuritile ionizate din care au provenit. Din acest motiv, mobilitatea adcestor purttori de sarcin este Fig. 38 Superreea mixt GaAs GaAlAs mult mai ridicat n straturile nguste de material. Transferul electronilor creeaz regiuni de sarcin spaial care alterneaz ca semn n superreea. Creterea mobilitii n straturile subiri de

semiconductor este mai pronunat n superreelele mixte la temperaturi sczute unde procesele de mprtiere fononic sau pe impuriti sunt neglijabile.

7.5 Nanostructuri
O nanostructur este o structur pentru care cel puin o dimensiune este de ordinul unui nanometru. Pentru a realiza nanostructuri 2, sunt utilizate materiale noi produse (sintetizate) prin procedee avansate, specifice care implic conlucrri multidisciplinare. Proprietile fizice si chimice ale materialelor din care sunt realizate nanostructuri sunt, n general, diferite de proprietile materialului masiv, acestea din urm, fiind independente de form, dimensiuni, etc. n cazul nanostructurilor, proprietile sunt

Obiecte zero dimensionale

75 determinate n principal, de forma i dimensiunile structurii, putnd fi controlate tocmai datorit acestei dependene. Este important, s poat fi create proprieti noi pentru unele materiale (care s poat fi controlate i care sa nu existe n starea masiv a materialului) sau s poat fi cunoscut cum sunt modificate proprietile materialului masiv n variant nanostructural. Aceste proprieti pot fi de natur electronic , feroelectric, structural, magnetic, optic, supraconductoare, transport sarcini, etc. Dimensiunile foarte mici (de ordinul lungimii de und asociate electronilor) conduc la modificri calitative n comportamentul electronilor, proprietile structurii fiind puternic dependent de numrul atomilor implicai. Astfel, confinarea electronilor modific structura de benzi energetice ale materialelor fiind posibil optimizarea acestora n raport cu anumite aplicaii. De exemplu, carbonul elementar poate fi fcut s aib o comportare semiconductoare, metalic sau chiar supraconductoare . Unele nanostructuri organice au proprieti interesante de transport avnd aplicaii n medicin. Nanostructurile compozite care combin dou sau mai multe funcionaliti pot conduce la aplicaii extrem de interesante. Obinerea nanostructurilor estre dependent de materialul de baz, de multe ori se folosete o sintez chimic controlnd reaciile implicate. Pentru unele dintre aplicaii, nanostructurile trebuie numai realizate (self-assembling) pe cnd n altele este necesar i o poziionare bine definit ntr-un ansamblu (self-organization). n timpul fabricrii, este necesar o reacie negativ care s permit caracterizarea pe parcurs prin informaii (directe sau indirecte) despre proprietile fizicochimice3 urmrite, pentru a fi posibil o ajustare a condiiilor de sintez. O posibil observare a unui nanocristal poate fi fcut cu ajutorul microscopiei electronice (TEM)

cum ar fi de exemplu, absorbie optic sau fluorescen (indirecte)