Sunteți pe pagina 1din 4

Ca orice site de electronic ce se respect, trebuie s avem mcar un articola despre tranzistoare.

Cum tranzistorul bipolar este cam fumat n anul 2011, vreau s scriu cteva rnduri, scurte i ct mai pe nelesul tuturor, despre tranzistorul MOSFET. n primul rnd, ce nsean MOSFET? Cuvntul este format din dou prescurtri, MOS i FET. MOS vine de la Metal Oxid Semiconductor, iar FET, de la Field Effect Transistor, adic tranzistor cu efect de cmp. Construcie Siliciul este un semimetal de grupa a patra, i are 4 electroni pe ultimul strat. Siliciul pur are conductivitatea electric foarte slab, adic rezistivitate mare. Atunci cnd n reeaua sa cristalin se introduc atomi de impuriti, acesta devine conductor. Dac se introduc impuriti donoare, adic din grupa a5-a, apar electroni liberi, iar conducia se realizeaz prin deplasarea electronilor. Semiconductorul devine astfel de tip N. Dac se introduc impuriti acceptoare, adic grupa a 3 -a, apare un exces de goluri, i se obine un semiconductor de tip P. Golul nu exist fizic, ci este mai degrab lipsa unui electron. Atunci cnd 2 regiuni, de tip P i N se unesc, apare o jonciune, care este de fapt, o diod. Efectul de cmp const n aplicarea unui cmp electric ce schimb tipul semiconductorului, ca n figura de mai jos.

Presupunem c avem un semiconductor de tip P. l vom numi substrat. Aplicm un cmp electric la suprafaa semiconductorului. Electronii din volumul substratului snt atrai la suprafa. Acetia schimb natura ionilor de la suprafaa semiconductorului, fcndu-i negativi. Practic astfel se schimb tipul semiconductorului de la suprafa, din P n N. Volumul de siliciu n care are loc aceast schimbare se numete strat de inversie. Ca s se poat forma un strat de inversie, este nevoie de un cmp electric. Acest cmp electric se formeaz similar cu cel dintr-un condensator. Practic dac una dintre armturi o considerm semiconductorul, ar mai trebui s mai avem deasupra un dielectric i nc o armtur. Izolatorul care se folosete este un oxid foarte subire de siliciu. Cealalt armtur poate fi un metal. Se formeaz astfel un sandwish cu 3 straturi: Metal, Oxid i Semiconductor. De aici provin i iniialele MOS. n prezent se folosete siliciu policristalin n loc de metal, dar denumirea a rmas MOS din motiv istoric. Deci avem pn acum doar un capacitor metal-oxid-semiconductor. De o parte i de alta fa de acest condensator, n siliciu, punem dou regiuni semiconductoare de acelai tip ca stratul de inversie, adic de tip opus fa de semiconductor. Aa nct s obinem o structur ca n figura de mai jos, unde este prezentat un tranzistor MOSFET de tip N.

rou semiconductor slab dopat de tip P (substrat) albastr semiconductor puternic dopat de tip N alb oxid de siliciu maro semiconductor de tip P+, puternic dopat gri metal / polisiliciu S source/surs G gate / poart D drain / dren B Bulk / substrat Aa cum este figurat, observm c ntre S i D avem dou jonciuni. Una ntre surs i substrat, iar cealalt ntre substrat i dren. Acestea au anodul comun. Dac aplicm o tensiune ntre surs i dren, acum nu circul nici un curent, deoarece indiferent de polaritatea tensiunii, una dintre jonciuni este blocat i cealalt saturat. Acum s aplicm ntre poart i surs o tensiune pozitiv, suficient de mare ct s determine apariia stratului de inversie. Semiconductorul de sub poart devine de tip N, astfel nct apare un canal de conducie. Prin acesta circul un curent de la surs la dren.

Cu alte cuvinte, n termeni foarte generici, tranzistorul MOS controleaz printr -o tensiune de poart, curentul care trece de la surs la dren.

Simboluri

Pe rndul de sus snt reprezentate tranzistoare MOSFET canal P, iar pe rndul de jos, cu canal N. n prima coloan este figurat i conexiunea la substrat. Uneori poate fi legat direct la surs, alteori, poate s vin la un pin al capsulei. Sensul sgeii arat tipul jonciunii care se formeaz ntre substrat i surs. n a doua coloan snt alte tipuri de simboluri, simplificate. A se observa c sensul sgeii este invers. Aceasta este o reprezentare mai intuitiv, avnd sgeata la fel ca tranzistorul bipolar corespunztor. La MOS canal N i NPN, sgeata iese, iar la MOS canal P i PNP, sgeata intr. Uneori, la tranzistoarele de putere, mai apare n schem o diod Zener (clamping diode) ntre surs i dren. Comparaie cu tranzistoarele bipolare Corespondena ntre pinii celor 2 tranzistoare este: baz-poart, emitor-surs, colector-dren. Att tranzistorul MOS ct i cel bipolar funcioneaz ca surse de curent comandate. La bipoar curentul de colector este proporional cu cel de baz, iar la MOS, curentul de dren este proporional cu ptratul tensiunii de poart. a. O diferen foarte important ntre MOS i bipolar este c MOS-urile se comand n tensiune, nu n curent. Datorit oxidului dintre poart i regiunea de inversie, n regim staionar, nu circul curent de la terminalul de comand, aa cum se ntmpl n cazul tranzistoarelor bipolare. Practic un MOSFET poate s in sute de amperi cu curent de poart zero, pe cnd un bipolar de putere, are nevoie de cel puin a suta parte din curentul de dren s fie aplicat pe baz. b. Dei nu trebuie comandate n curent, capacitatea capacitorului MOS nu trebuie neglijat. Poate ajunge chiar la 10nF n cazul tranzistoarelor de putere. Aceasta poate s ntrzie intrarea n saturaie a tranzistorului, sau s afecteze semnalul la intrarea acestuia. De aceea tranzistoarele MOS de putere trebuie atacate cu circuite speciale de gate driver. Acestea snt totui de putere mai mic dect n cazul bipolarelor. c. Oxidul de poart al tranzistoarelor MOS este subire i se poate strpunge uor n tensiune, datoriz descrcrilor electrostatice. Tranzistoarele MOS ale anilor 80 veneau cu o bucat de metal sudat ntre surs i poart, care trebuia tiat dup montare. De asemenea se recomanda lipirea acestora cu letconul scos din priz. n prezent, circuitele de protecie ESD din interiorul capsulei au eliminat aceast problem. Personal nu mi s-a ntmplat niciodat s ard un MOS la lipire sau la manevrare. d. Tranzistoarele MOS pot fi puse n paralel deoarece nu intr n ambalare termic, aa cum este cazul bipolarelor.

e. n regiunea liniar, cderea de tensiune ntre dren i surs poate fi orict de mic, depinznd doar de curent. Asta din cauz c tranzistorul MOS se comport ca o rezisten, notat n catalog ca Rdson. La bipolare nu poate fi mai mic de 200mV, sau chiar valori mai mari. Acesta este un avantaj pentru sursele n comutaie, unde scad pierderile de conducie. Parametrii specifici de catalog ai tranzistorului MOS Vds, max(V) este tensiunea maxim care poate fi aplicat ntre dren i surs. Am zis mai sus c ntre dren i surs apar dou diode dintre una este polarizat invers, mai exact, cea dintre substrat i dren. Ca orice diod, i aceasta are o tensiune de strpungere. Vgs, max (V) este tensiunea maxim care poate fi aplicat ntre poart i surs. Oxidul de poart este foarte subire, de ordinul zecilor de nanometri, i se poate strpunge la o tensiune mic. n general Vgs, max este de +/-20V. Rds, on este rezistena canalului cnd tranzistorul este deschis. Acest parametru este important la funcionarea n comutaie, unde acest parametru determin pierderile datorate conduciei. Valorile tipice se ntind de la sute de ohmi, la tranzistoarele de semnal, pn la miliohmi, la tranzistoarele de sute de amperi. Vt este tensiunea de prag, respectiv tensiunea ntre poart i surs de la care ncepe s treac un curent ntre dren i surs. gm (mA/V)este trasconductana, adic raportul ntre variaia curentului de dren i variaia corespunztoare a tensiunii de poart. Tranzistoarele MOS din circuitele integrate digitale au transconductane de microamperi pe volt, tranzistoarele de putere ating uor valori de zeci de amperi pe volt. Cin este capacitatea de intrare. A fi vrut s mai povestesc cte ceva despre scheme tipice, dar mi-e c devine un articol prea lung i plictisitor. Pentru mai multe detalii, i ntrebri vorbim n seciunea de comentarii de mai jos. (Imaginea reprezentativ a articolului este un tranzistor integrat ntr-o memorie NMOS Tesla MHB2114, fabricat n anii 1980. )