P. 1
Proiectarea unui redresor trifazat

Proiectarea unui redresor trifazat

|Views: 298|Likes:
Published by Cosmina Papa
Prezentare powerpoint
Prezentare powerpoint

More info:

Published by: Cosmina Papa on May 15, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PPTX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

11/08/2013

pdf

text

original

UNIVERSITATEA DIN CRAIOVA FACULTATEA DE INGINERIE ÎN ELECTROMECANICĂ MEDIU ȘI INFORMATICĂ INDUSTRIALĂ

PROIECT CONVERTOARE STATICE II
PROFESOR ÎNDRUMĂTOR: LINCĂ MIHĂIȚĂ

STUDENT: PAPA ADRIANA COSMINA

1

Marimi caracteristice CAPITOLUL II.3. Alegerea sigurantelor ultrarapide 3.1. Verificarea sigurantelor ultrarapide 2 .3. Verificarea la incalzire in regim stationar 2. Schema de principiu a redresorului trifazat 1. Verificarea elementelor semiconductoare la incalzire 2. Verificarea la incalzire in regim tranzitoriu CAPITOLUL III.2.3.3. Protectia elementelor semiconductoare de putere 3.1. Protectia la scurtcircuit 3. Alegerea elementelor semiconductoare de putere 2. Pierderile in tiristoare 2. Forme de unda 1. Notiuni teoretice 1.3.2. Alegerea si verificarea elementelor semiconductoare de putere 2.1.1.1. Protectia la supratensiuni externe 3.2.3.3. Protectia la supratensiuni de comutatie 3.Cuprins CAPITOLUL I.2.2.

pulsatiile admise pentru tensiunea de sarcina 3 . . 𝑠 .5 𝑠.curentul de suprasarcina  𝑓𝑠 = 0.curentul nominal  𝐼𝑀 = 1. 𝐼𝑁 = 360 𝐴.pulsatiile admise pentru curentul de sarcina . ∆I = 29 A. . . Prelucrarea datelor: 𝑈𝑁 = 290 𝑉. 𝐼𝑀 = 540 𝐴. ∆U = 10%𝑈𝑁 . i = 21. 𝑡𝑠 = 2.frecventa de aplicare asupra sarcinii 1  𝑡𝑠 = 4∗𝑓 .tensiunea nominala  𝐼𝑁 = 150 + 10*i. avand urmatoarele date nominale:  𝑈𝑁 = 500 – 10*i.curentul de mers in gol . ∆I = 10%𝐼𝑁 .timpul de aplicare asupra sarcinii             𝐼0 = 5% 𝐼𝑁 .TEMA DE PROIECT Sa se proiecteze schema de forta a unui redresor tifazat in punte. . .5 ∗ 𝐼𝑁 .temperatura mediului ambiant .1 𝐻𝑧. 𝐼0 = 18 𝐴. ∆U = 36 V. 𝜃𝐴 = 40° 𝐶.

deoarece îmbină avantajele redresării unui număr mare de pulsuri (p=6). Fig 1. de tiristoare.1 Schema de principiu Redresorul trifazat în punte care este cea mai utilizată schemă de redresare. Schema de forţa a unui redresor trifazat în punte complet comandat 4 . cu cele ale folosirii unui număr. relativ redus.1.

fiecare tiristor mai primeşte un impuls de comandă. numit secundar.la π/3 după primul.2 : Comanda unui tiristor 5 . În punctele comune ale tiristoarelor de pe fiecare fază se aplică sistemul trifazat de tensiune obţinută de la un transformator.tiristoarele trebuie comandate in ordinea numerotării cu impulsuri defazate cu π/3 radiani.Pentru succesiunea directă a sistemului trifazat de tensiuni din secundarul transformatorului. Rezultă aşadar că simultan se comandă două tiristoare câte unul pe fiecare parte Fig. Pentru amorsarea iniţială a schemei şi pentru pentru ca schema să poată funcţiona şi in regim de curent neîntrerupt.

Marimi caracteristice Marimile ce caracterizeaza functionarea redresoarelor comandate si intervin în calculele de proiectare se referă la valori ale curentilor. Puterea aparenta in secundarul transformatorului: 𝑆2 = 129.24 𝑉 6 . 1.92 𝑊 8.83 𝐴 5. Valoarea efectiva a fundamentalei curentului: 𝐼21 = 280.14 𝑉 3. Valoarea maxima a tensiunii ce solicita tiristoarele. Puterea aparenta pe fundamentala: 𝑆21 = 123 486 𝑊 7. Tensiunea medie redresata: 𝑈𝑑 = 336.93 𝐴 4.1. Valoarea efectiva a curentului in secundarul transformatorului: 𝐼2 = 293. tensiunii redresate si puterii transformatorului .24 𝐾𝑉𝐴 6. Puterea activa in secundarul transformatorului: 𝑃𝑑 = 121 013.3. in stare blocata: 𝑈𝑏 = 359.01 𝑉 2. Tensiunea medie redresata la mersul in gol: 𝑈𝑑0 = 343.

respectiv : Pt = 1.1 Pierderile in tiristoare Pierderile totale Pt care se degaja intr-un tiristor si contribuie la incalzirea acestuia.1 ∙ PT. 7 .II. se obtin prin insumarea mai multor componente: Pt = PR + PD + PT + PTT + PRQ + PSQ + PG Pentru tiristoarele rapide se determina grafic pierderile totale. Alegerea si verificarea elementelor semiconductoare de putere 2. iar pentru tiristoarele lente se determina grafic pierderile in conductie.Cap. celelalte aproximandu-se la 10% din acestea.

1 ≥ 𝑉𝑅𝑅𝑀 .5 – coeficient de siguranta în tensiune 8 .5– coeficient de siguranta în curent 𝑘𝑠𝑢 =1.5 𝑘𝑠𝑖 ∗ 𝐼𝑇𝐴𝑉 = 300 ≥ 𝐼𝑇𝐴𝑉𝑐𝑎𝑡 Se alege 𝑘𝑠𝑢 = 2. din catalog.1. în functie de tipul convertorului în care acesta va functiona.8 – 2. alegerea se va face. 𝑉𝐷𝑅𝑀 𝑘𝑠𝑖 =1.2 Alegerea elementelor semiconductoare de putere Dupa stabilirea tipului de element semiconductor.2.5 𝑘𝑠𝑢 ∗ 𝑈𝑏 = 898.1. respectand urmatoarele relatii: Pentru a fi indeplinite conditiile se alege. tiristorul T 320 N 1000 Se alege 𝑘𝑠𝑖 = 2. in principiu pe baza soliciaărilor în tensiune şi curent.

2.  Alegerea ansamblului de racire Se alege ansamblul de racire R150 – E50.3. este necesara verificarea la incalzire. atat in regim stationar. nu se depaseste valoarea maxima admisibila a temperaturii jonctiunii. cat si in regim intermitent. Verificarea elementelor semiconductoare la incalzire Aceasta verificare are drept scop asigurarea ca in conditiile concrete de mediu si de ventilatie in care lucreaza elementul. In general.corespunzator tipului capsulei tiristorului 9 .

rezistenta termica capsula .radiator 𝑅𝑡ℎ𝐾−𝐴 . schema termica echivalenta a ansamblului evidentiind marimile: 𝑇𝑗 .2.1.temperatura mediului ambiant 𝑅𝑡ℎ𝐽−𝐶 .rezistenta termica jonctiune – capsula 𝑅𝑡ℎ𝐶−𝐾 .2 Schema termica echivalenta 10 . Verificarea in regim stationar Orice element semiconductor de putere se monteaza pe un radiator.temperatura radiatorului 𝑇𝐴 .rezistenta termica rediator – mediu ambiant Fig.temperatura jonctiunii 𝑇𝐶 .temperatura capsulei 𝑇𝐾 .3.

3. elementele semiconductoare pot fi parcurse de curent variabil situaţie în care temperatura joncţiunii se modifică continuu în jurul valorii medii. temperatura jonctiunii este data de relatia de mai jos: 2. cat si in regim tranzitoriu trebuie sa respecte conditia: 𝑇𝑗 ≤ 𝑇𝑗 𝑎𝑑𝑚 = 125 11 . Verificarea in regim intermitent Datorită sarcinii.In regim stationar.2. Temperatura jonctiunii. atat in regim stationar.

3-1.6 Protectia tiristoarelor la supratensiuni de comutatie • • se adopta pentru rezistenta o valoare normalizata: R = 28Ω.1. Protectia elementelor semiconductoare de putere 3.4). 𝑑𝜏 Fig. se montează un grup serie RC.6 si 𝑑𝑢 panta maxima de variatie a tensiunii = 3. • se determina capacitatea c = 0.2. se adopta pentru capacitate o valoare normalizata: C =0. in paralel cu tiristorul.38. . rezistenta optima 𝑟0 = 1.Cap. III. se calculeaza tensiunea maxima relativa: 𝑢 𝑇𝑀 = 2.47𝜇𝐹. Protectia la supratensiuni de comutatie Supratensiunile de comutaţie apar în procesul de blocare. iar pentru reducerea acestora.5 (se alege 𝑘𝑠 = 1. Algoritm de dimensionare: • • se impune un coeficient de siguranţa 𝑘𝑠 =1.

7 Conectarea grupurilor de protectie R1 – C1 . Fig. Protectia se realizeaza cu grupuri serie R1 – C1.2. B 7106 – K4. conectate in secundarul transformatorului.3. Algoritm de dimensionare: • Se adopta pentru capacitate o valoare standardizata: 𝐶1 = 10𝜇𝐹 .56 Ω. de tipul Seite 272. • Se adopta pentru rezistenta o valoare standardizata: 𝑅1 = 8. de tipul E 192. Protectia la supratensiuni externe Convertoarele statice conectate la reteaua de curent alternativ trebuie protejate impotriva supratensiunilor esterioare.

.S. orice scurtcircuit trebuie întrerupt in mai puţin de 10 ms.3. Acest lucru poate fi realizat de către siguranţele ultrarapide. trebuie satisfacute relatiile: 𝑈𝑁𝑆 ≈ 𝑈𝑒𝑓 𝑁 𝐼𝑁𝑆 ≈ 𝐼𝑒𝑓 𝑁 Fig. Protectia la scurtcircuit Tiristoarele au capacitatea redusa de suprasarcină termică. Astfel. Alegerea acestora se face pe baza valorilor efective ale curentului si tensiunii.5 Montarea sigurantelor in secundarul transformatorului de alimentare a unui C. şi de accea.3.

MULTUMESC PENTRU ATENTIE! 15 .

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->