Grup colar IndustrialUnirea Bucuresti

Proiect
Tema: Circuite basculante monostabile

ndrumtor: Prof. ing. Carmen Onofreiciuc

Absolvent: Anton Sorin-Iulian

An colar 2012-2013

Memoriu justificativ Descoperirea i studierea legilor i teoremelor electromagnetismului n urm cu un secol i jumtate au deschis o er nou a civilizaiei omeneti. Mecanizarea proceselor de producie a constituit o etap esenial n dezvoltarea tehnic a proceselor respective i a condus la uriae creteri ale productivitii muncii. Datorit mecanizrii s-a redus considerabil efortul fizic depus de om n cazul proceselor de producie, ntruct mainile motoare asigur transformarea diferitelor forme de energie din natur n alte forme de energie direct utilizabile pentru acionarea mainilor unelte care execut operaiile de prelucrare a materialelor prime i a semifabricatelor. Msurare nseamn att cutare i informare ct i cercetare sau inovare. Aria msurtorilor este deosebit de vast, acestea putnd fi considerate, separat pentru diferite domenii care sunt extrem de diversificate. n ultimele decenii, datorit evoluiei spectaculoase a electronicii i microelectronicii, aparatele electronice de msurare i control au cptat o mare dezvoltare i diversificare, fiind folosite n cele mai variate aplicaii care necesit investigaii i msurtori. Se constat astfel c la un anumit stadiu de dezvoltare a proceselor de producie devine necesar ca o parte din funciile de conducere s fie transferate unor echipamente i aparate destinate special acestui scop reprezentnd echipamente i aparate de automatizare. Omul rmne ns cu supravegherea general a funcionrii instalaiilor automatizate i cu adaptarea deciziilor i soluiilor de perfecionare i optimizare. Operaiile de conducere nu necesit dect un efort fizic redus dar necesit un efort intelectual important. Pe de alt parte, unele procese tehnice se desfoar att de rapid nct viteza de reacie a unui operator uman este insuficient pentru a transmite o comand necesar n timp util. Dup etapa mecanizrii, omul ndeplinete n principal funcia de conducere a proceselor tehnologice de producie.

Prin automatizarea proceselor de producie se urmrete asigurarea tuturor condiiilor de desfurare a acestora fr intervenia nemijlocit a operatorului uman. Aceast etap presupune crearea acelor mijloace tehnice capabile s asigure evoluia proceselor ntr-un sens prestabilit, asigurndu-se producia de bunuri materiale la parametrii dorii. Lucrarea a fost conceput pe baza unui studiu ndelungat al literaturii de specialitate, a rezultatelor obinute din experiena cercetrilor proprii ale autorilor i se adreseaz elevilor i profesorilor din licee, filiera tehnologic, cu specializri n domeniile electronic, electrotehnic, electromecanic dar i celor care doresc s se autoinstruiasc n acest domeniu bazndu-se n primul rnd pe experiment. La fiecare lucrare sunt precizate obiectivele urmrite, noiunile teoretice de baz i modul de desfurare.

Cuprins
Memoriu justificativ...................................................................................2 Capitolul I : Circuite basculante 1.1 Generaliti ............................................................................5 1.2 Circuite basculante astabile...................................................5 1.3 Circuite basculante monostabile ...........................................7 1.4 Circuite basculante bistabile .................................................9 1.4.1 1.4.2 1.4.3 1.4.4 Circuite Circuite Circuite Bistabilul basculante basculante basculante bistabile bistabile bistabile de de tip tip de R J tip S................10 K ................11 T ...................12 Schmitt ..................................................12 1.5 Circuite basculante autoblocate ...........................................14 1.5.1 1.5.2 Capitolul II : Tranzistoare 2.1 Funcionarea i fabricaia .....................................................17 2.1.1 Efectul de tranzistor ................................................17 2.1.2 Tehnologii ...............................................................18 2.2 Caracteristici electrice i termice ..........................................18 2.2.1 Elemente minime de caracterizare .........................18 2.2.2 Parametrii S ............................................................19 2.2.3 Confruntare aliere-difuzie ........................................20 Protecia muncii ........................................................................................22 Bibliografie ...............................................................................................24 4 Circuit monostabil ...............15 Circuit astabil .....................16 basculant autoblocat basculant autoblocat

Anexe .......................................................................................................25

Capitolul I : Circuite basculante

1.1 Generaliti Circuitele basculante sunt circuite electronice, prevzute cu o bucl de reacie pozitiv, folosite la generarea impulsurilor. Aceste circuite prezint n funcionare dou stri de durat de obicei inegal: una de acumulare, n care tensiunile i curenii variaz foarte lent i una de basculare, n care au loc variaii foarte rapide ale tensiunilor i curenilor. Procesul de basculare este un proces cumulativ, care o dat amorsat se dezvolt n avalan. Amorsarea proceselor de basculare se poate face fie cu ajutorul unor semnale de comand aplicate din exterior, fie n urma unui proces intern de variaie relativ lent(de exemplu, descrcarea unui condensator) sau creeaz la un moment dat condiii pentru declanarea proceselor ce duc la basculare. Dup numrul de stri stabile pe care le pot prezenta, circuitele basculante se mpart n trei categorii: Circuite basculante astabile: nu prezint nici o stare stabil; se caracterizeaz printr-o trecere dintr-o stare n alta, fr intervenia unor impulsuri de comand exterioare. Circuite basculante monostabile: prezint o singur stare stabil, n care pot rmne un timp ndelungat. Cu ajutorul unui impuls exterior de comand, ele trec ntr-o alt stare n care rmn un interval de timp determinat de elementele circuitului, dup care revin la starea iniial.

 Circuite basculante bistabile: se caracterizeaz prin dou stri stabile, n care pot rmne un timp ndelungat. Trecerea dintr-o stare n alta se face prin aplicarea unui impuls scurt de comand, din exterior. 1.2 Circuite basculante astabile. Circuitele basculante astabile, numite i multivibratoare, se utilizeaz pentru a genera impulsuri dreptunghiulare periodice. Ele pot fi considerate oscilatoare n sensul c semnalul de ieire apare fr a necesita un semnal de comand la intrare. n figur se reprezint un astfel de circuit, la care tranzistoarele se afl pe rnd n regim de conducie sau de blocare pe diferite intervale de timp, fr intervenia unor semnale de comand exterioare.
+ EC

RC1

RB2 C1

RB1

RC2

C2 T2
1

T1

- EC

Circuit basculant astabil

Funcionarea circuitului este ilustrat prin diagramele de variaie ale tensiunilor din figur.

U
0

Ta

Tb
t

Uc2
t

Ec
a

Ec
b

Ub2

Ub1

Diagramele de variaie ale tensiunilor din circuitul basculant astabil:

a tensiunea pe colectorul tranzistorului T1; b tensiunea pe colectorul tranzistorului T2; c tensiunea pe baza tranzistorului T2; d tensiunea pe baza tranzistorului T1.

1.3 Circuite basculante monostabile. Schema tipic a unui astfel de circuit este dat n figur.
+ Ec

RC1 C1

RB2 C
2

RC2

R1 T1 RB1

T2

-E c -Eb

Circuit basculant monostabil

Spre deosebire de cazul circuitelor astabile, schema nu mai este simetric, ceea ce determin i comportarea circuitului ce are o singur stare stabil. 7

Funcionarea circuitului este urmtoarea: dac la aplicarea tensiunii de alimentare se obine o variaie suplimentar a curentului de colector I c1 al tranzistorului T1, prin fenomene similare celor descrise la circuitul basculant astabil, T1 ajunge s conduc la saturaie, iar T 2 este blocat. Aceasta este o stare instabil deoarece prin procesele descrise anterior are loc descrcarea condensatorului C1 pn ce tensiunea pe baza lui T 2 scade, permind conducia lui T2. Din acest moment, procesele au loc n sensul mririi conduciei lui T 2 i micorrii conduciei lui T1, pn ce T1 ajunge blocat i T2 saturat. Aceast a doua stare reprezint starea stabil a montajului. Datorit prezenei tensiunii E b de blocare a bazei lui T1, descrcarea lui C2 nu mai poate avea loc. Trecerea n stare iniial se poate face numai aplicnd un impuls de comand pe baza lui T1, de polaritate corespunztoare scoaterii bazei lui T 1 din starea de blocare, sau pe baza lui T 2 astfel nct s-i micoreze starea de conducie. De obicei este folosit cea de-a doua variant.
+Ec RB2 C1 RC2

RC1

C2

T1 RB1 D

R
1

T2
1

C -Eb R

Circuit basculant monostabil comandat pe baza tranzistorului saturat

La aplicarea fiecrui impuls de comand, pe colectorul tranzistorului T 2 se obine un impuls dreptunghiular de polaritate negativ i durat proporional cu

constanta de timp C1R2. Diagrama de variaie a tensiunilor obinute n colectoare, respectiv n bazele tranzistoarelor este reprezentat n figur.
e Ub1 e Ub2

Uc1

c Uc2

-Ec

-Ec

Diagramele de variaie ale tensiunilor unui circuit basculant monostabil:

a impulsuri de comand; b tensiunea de colector a tranzistorului T1; c tensiunea de baz a tranzistorului T2; d tensiunea de colector a tranzistorului T2.

1.4 Circuite basculante bistabile. Circuitele basculante bistabile, caracterizate prin dou stri stabile egal posibile, au un domeniu vast de aplicaii, fiind elemente de baz n schemele logice de comand, numrtoare, registre, circuite de memorizare. Funcionare. Schema cea mai rspndit este cea simetric, n care se folosesc dou surse de polarizare: pentru colectoarele(E c) i respectiv pentru bazele tranzistoarelor(Eb). Procesele de basculare au o desfurare asemntoare celor descrise la circuitele basculante anterioare: o mic variaie a curentului de colector al unuia dintre tranzistoare( de exemplu T 1) determin, datorit cuplajelor existente ntre colectorul unui tranzistor i baza celuilalt, aducerea la saturaie a tranzistorului T 1 i respectiv blocarea tranzistorului T2. Aceast stare este stabil deoarece polarizarea exterioar a bazei tranzistorului blocat(Eb) mpiedic scderea tensiunii aplicate pe baza acestuia sub valoarea de tiere. n aceast stare circuitul poate rmne un timp orict de ndelungat. Pentru a provoca bascularea trebuie aplicat un impuls exterior astfel ales, ca polaritate, amplitudine i loc de aplicare, nct s schimbe starea montajului.

Acest lucru este posibil n dou situaii: fie prin scoaterea tranzistorului T 2 din starea de blocare, determinnd deschiderea sa, fie prin scoaterea lui T 1 din saturaie micornd conducia sa. n multe cazuri, impulsul exterior se aplic pe baza tranzistorului saturat, pentru schema prezentat(cu tranzistoare npn) impulsul avnd polaritate negativ.
RC1 C1 C2 +Ec RC2 iC2

iC1

UC1 T1

R1
1

R2 T2 RB2 RB1 UB2 UC

2

UB1

-Ec -Eb

Circuit basculant bistabil

Dup primirea impulsului de comand, circuitul basculeaz, trecnd rapid n cea de-a doua stare stabil, n care T2 conduce la saturaie i T1 este blocat. Pentru schimbarea acestei stri este necesar aplicarea unui nou impuls de comand exterior. n colectoarele celor dou tranzistoare se obin impulsuri dreptunghiulare, de polariti opuse i de durat egal cu intervalul dintre dou impulsuri succesive de comand.

10

Ucomand
0 t

Uc1 Ec

a Uc2 Ec b Ub1 c Diagramele de variatie ale tensiunilor in montajul din figura anterioara
a impulsuri de comand; b tensiunea de colector Uc2 ; c tensiunea de baz U1 ; d tensiunea de colector Uc1 ; e tensiunea de baz Ub2 .

d Ub2

t t

Dup tipul circuitului de comand folosit, circuitele basculante bistabile pot fi de urmtoarele tipuri: Circuite basculante bistabile de tip R - S, la care comanda se face pe baze, pe dou intrri numite R i S, cu impulsuri dreptunghiulare aplicate prin intermediul unui circuit de derivare i o diod ce selecteaz polaritatea dorit pentru impulsul de comand. Impulsul aplicat pe R aduce circuitul ntr-o stare notat 0, iar cel aplicat pe S aduce circuitul n starea 1. Aplicnd simultan impulsuri pe ambele intrri, rezult o stare de

11

nedeterminare, n sensul c circuitul poate rmne ntmpltor fie n stare anterioar aplicrii impulsului, fie poate bascula.
+Ec RC1 RC2

T1

R1

R2 T2

D C
R

RB1 R -Eb

RB2 R
S

D C

Circuit basculant bistabil de tip R-S.

Circuite basculante bistabile de tip J - K: constituie o variant mbuntit a celui de tip R - S. Legarea rezistenei R d a circuitului de derivare la colector( n loc de conectarea ei la mas) duce la ridicarea strii de nedeterminare. Impulsurile aplicate pe intrarea J aduc circuitul n starea 1 cele aplicate pe intrarea K aduc circuitul n starea 0 iar aplicarea simultan a impulsurilor pe J i K determin bascularea circuitului n starea complementar celei n care se afl.

12

+Ec RC1 R1 R T1 D C -Eb RB1 RB2 D C T2 RC2 R2 A R

Circuit basculant bistabil de tip J-K.

Circuite basculante bistabile de tip T: la aplicarea unei succesiuni de impulsuri pe aceast intrare comun celor dou baze, circuitul basculeaz la fiecare comand primit.
+Ec RC1 R1 RC2 R2

T1 D C RB1 RB2 -Eb

T

T2 D C

Circuit basculant bistabil de tip T

1.4.4 Bistabilul Schmitt Bistabilul (triggerul) Schmitt reprezint un circuit basculant cu dou stri stabile de echilibru, avnd ns o schem asimetric. Cuplajul ntre tranzistoare este asigurat din colectorul lui T 1 n baza lui T2 prin rezistena R, iar invers, ntre

13

T2 i T1, prin intermediul rezistenei de emitor R e. Din aceast cauz, circuitul mai este numit circuit bistabil cu cuplaj prin emitor.
+Ec RB1 RC1 C RC2

C Uintr
d

T1

T2 Uie

RB1

RB2

Re

-Ec Circuit basculant bistabil Schmitt.

Funcionarea bistabilului este urmtoarea: se consider n stare iniial T 1 blocat i T2 n conducie puternic; la aplicarea la intrare (pe C) a unui semnal a crui amplitudine depete tensiunea de blocare(nivelul de prag U 1), T1 ncepe s conduc. Tensiunea sa de colector scade, se aplic prin cuplaj rezistiv pe baza lui T2 care i micoreaz conducia, pe rezistena comun Re apare o micorare a cderii de tensiune, determinnd o conducie ns mai puternic a lui T1, ducnd ntr+un timp extrem de scurt la situaia: T 1 saturat, T2 blocat( a doua stare stabil). Starea dureaz pn cnd semnalul exterior scade sub o anumit valoare (U2) sub valoarea de deschidere a tranzistorului T 1. n acest caz, T1 i micoreaz conducia, determinnd apariia strii iniiale(T 1 blocat, T2 saturat). Datorit specificului su de funcionare, circuitul basculant bistabil Schmitt poate avea urmtoarele utilizri: formator de impulsuri dreptunghiulare din semnale alternative aplicate la intrare; memorator de impulsuri pentru un semnal de intrare alctuit dintr-o succesiune de impulsuri de polariti diferite; circuitul basculeaz ori de cte ori se schimb polaritatea impulsurilor de intrare;

14

discriminator de amplitudine a impulsurilor; circuitul basculeaz deci d semnal de ieire ori de intrare( de cte ori semnalul de intrare sau impulsurile de intrare depesc tensiunea de prag U 1).

Uin U1 Ub1 U2
O

Uin

Uin U1 Ub1 U2 t

Uie

t Uie (t)

Ei

a Uin U1 U2 Ub1
O

Uin

Uie (t)

Utilizrile circuitului basculant bistabil Schmitt:

a formator de impulsuri dreptunghiulare; b memorator de impulsuri; c discriminator de amplitudine.

1.5 Circuite basculante autoblocate.

15

Circuitele basculante autoblocate, denumite i blocking-generatoare, reprezint dispozitive generatoare de impulsuri cu un singur element activ i reacie pozitiv prin intermediul unui transformator de impulsuri, cu miez fie nesaturat, fie din ferit cu ciclu histerezis dreptunghiular. Aceste circuite pot furniza impulsuri foarte scurte, de amplitudini foarte mari, numite impulsuri de putere. Circuitele basculante autoblocate pot funciona att n regim de circuit basculant monostabil( regim de ateptare ), ct i n regim de circuit basculant astabil( regim de oscilaie).
+Ec Tr R Tr C +Ec

.
T

C T R

-Eb

Circuite basculante autoblocate:

a n regim de circuit basculant monostabil; b n regim de circuit basculant astabil.

n primul caz, la ieirea acestor circuite se obine cte un impuls scurt la aplicarea fiecrui impuls de comand exterior, circuitul avnd o singur stare stabil. n cel de-al doilea caz, circuitul fiind stabil, el genereaz la ieire impulsuri scurte, fr a mai avea nevoie de impulsuri exterioare de comand. 1.5.1 Circuitul basculant autoblocat monostabil( n regim de ateptare). Schema circuitului conine un transformator, avnd o nfurare n colector i cealalt nfurare n baz, avnd alese sensurile de nfurare n aa fel nct reacia ntre colectoare i baz s fie pozitiv. Funcionarea circuitului este urmtoarea: n starea iniial tranzistorul este blocat datorit tensiunii negative din baz. La aplicarea unui impuls de comand

16

pozitiv, de o amplitudine care s depeasc tensiunea de deschidere a tranzistorului, acesta ncepe s conduc i, printr-un proces de reacie pozitiv, T ajunge la saturaie( starea instabil a circuitului). Imediat dup comutare, la bornele nfurrilor de colector i de baz au loc salturi de tensiune, ceea ce prin inducie electromagnetic determin creterea liniar a curentului de magnetizare prin nfurarea bazei, ca i ncrcarea condensatorului C. Tensiunea de ncrcare a condensatorului, datorit polaritii sale, duce la micorarea conduciei tranzistorului, determinnd o micorare a curentului de colector, care, prin reacie, determin o micorare mai accentuat a deschiderii tranzistorului, ajungnd n final ca tranzistorul s se blocheze. n aceast situaie condensatorul C ncepe s se descarce pe rezistena R, pn cnd tensiunea pe baz devine Eb. Valoarea acesteia menine tarnzistorul n stare blocat pn la aplicarea urmtorului impuls pozitiv. 1.5.2 Circuitul basculant autoblocat astabil. n cazul acestui circuit, schema se deosebete de cea precedent numai prin faptul c sursa de polarizare a bazei lipsete, circuitul de baz fiind legat direct la mas. n acest caz, procesele descrise anterior se desfoar n acelai mod pn n momentul n care, T fiind blocat, condensatorul atinge n descrcare valoarea tensiunii de deschidere a tranzistorului. Acesta ncepe s conduc i bascularea rencepe, repetndu-se periodic. Elementele caracteristice ale impulsurilor generate se determin relativ greu, datorit complexitii fenomenelor din circuitele neliniare constituite de tranzistor i transformator. Se pot stabili ns urmtoarele concluzii generale: durata impulsului generat este direct proporional cu inductana primarului transformatorului; intervalul ntre impulsuri este proporional cu constanta de timp RC a circuitului.

17

n comparaie cu circuitele anterioare, generatorul autoblocat prezint caracteristica de a putea genera impulsuri foarte scurte, de amplitudini foarte mari folosind un singur element activ i o schem simpl.

Capitolul II : Tranzistoare
2.1 Funcionarea i fabricaia 2.1.1 Efectul de tranzistor Dup cum se tie, efectul de tranzistor se bazeaz pe interciunea fenomenelor electrice care au loc n dou jonciuni realizate fizic pe aceeai poriune de material semiconductor monocristalin. Tranzistorul se poate reprezenta schematic printr-o succesiune de zone np ca n figur. Pe aceast figur s-au specificat i semnele tensiunilor de alimentare pentru funcionarea normal a acestor dispozitive.

1
p

2
n

3
p

1
n

2
p

3
n

Reprezentarea schematica a unui tranzistor: a pnp; b npn.

Regiunea 2, comun celor dou jonciuni, are denumirea de baz. Dac jonciunii 1-2 i se aplic o tensiune direct, curentul direct rezultat se va nchide prin borna bazei dac lrgimea bazei este mare. Pe msur ce lrgimea acesteia se reduce, o fraciune din ce n ce mai nsemnat a acestui curent se va nchide prin regiunea 3. Regiunea 1 poart denumirea de emitor, regiunea 3 de colector, iar curentul care trece prin jonciunea 1-2 este denumit n general, curentul injectat de emitor. Cuplarea fenomenelor electrice din cele dou jonciuni se realizeaz prin fluxul

18

de purttori de sarcin injectai din emitor n baz. Acetia trec prin baz aproape n totalitate, ajungnd la colector cca. 98-99% din numrul puttorilor care au traversat jonciunea de emitor. n consecin orice variaie a curentului de emitor este reprodus aproape nealterat de curentul de colector. Colectorul fiind polarizat invers, deci la tensiune ridicat, variaia de putere resimit n circuitul de colector este mult mai mare dect variaia de putere necesar pentru schimbarea curentului de emitor. n aceasta const de fapt aciunea de amplificare a tranzistorului. Lrgimea zonei 2 - a bazei - se noteaz n general cu w. Noiunea de baz larg sau ngust se refer la raportul dintre lrgimea ei fizic i lungimea de difuzie a purttorilor minoritari n baz. Pentru ca efectul de tranzistor s existe i s fie pronunat este necesar ca lrgimea bazei s fie mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor minorilor n ea. n cazul tranzistorilor pnp purttorii minoritari din baz sunt golurile, iar n cazul tranzistorului npn, electronii. Modelul schematic din figur reprezint un tranzistor simetric ns n realitate regiunile de colector i emitor difer att prin geometria ct i prin compoziia lor fizic, acestea fiind dictate de necesitatea obinerii unor performane date i unor corelaii optime ntre parametrii dispozitivului. 2.1.2 Tehnologii Tranzistoarele se obin la IPRS Bneasa dup cele dou procedee care sunt cele mai rspndite n lume, i anume: tehnologia alierii n germaniu tehnologia difuziei n siliciu

Alierea reprezint o tehnologie pus la punct n decursul anilor 50-60. Cu ea se obin, n general, tranzistoare cu germaniu pnp. Din considerente tehnologice, obinerea tranzistoarelor aliate cu germaniu tip npn sau a tranzistoarelor aliate cu siliciu este mai dificil. 2.2 Caracteristici electrice i termice 2.2.1 Elemente minime de caracterizare

19

Pentru a-i putea face o imagine asupra dispozitivului, utilizatorul trebuie informat n primul rnd asupra: ctigului tranzistorului; frecvenei pn la care se poate asigura un anumit ctig, de obicei minim; tensiunii i curentului maxim admisibile; tensiunii baz-emitor necesare pentru a funciona n regiunile dorite; putere maxim disipat.

Aceti parametri trebuie cunoscui totdeauna, indiferent de aplicaie, i pe baza lor se pot face nite echivalene sumare ntre tranzistoarele fabricate de diferite firme. Este evident c n funcie de aplicaie utilizatorul pooate s cunoasc o serie de parametri suplimentari. O parte din acetia este dat n cataloage, standarde sau norme interne, dar unele date interesante nu sunt, n general, cunoscute de utilizatori. n aceast situaie se gsesc, de exemplu, corelaiile ntre parametri, dispersia parametrilor, comportarea n condiii climatice deosebite. Datele enumerate mai sus nefiind suficiente pentru proiectare, fabricantul informeaz pe utilizator asupra comportrii tranzistorului( fie prin familii de curbe, fie prin valori date ntr-un punct) ntr-un domeniu larg de tensiuni, cureni, frecvene etc. 2.2.2 Parametrii S n afara caracterizrii tranzistoarelor de nalt frecven prin parametrii y (sau z) s-a ncetenit n ultima perioad caracterizarea prin parametrii s. Denumirea lor provine din limba englez, fiind o prescurtare pentru scattering parameters ceea ce nseamn parametrii de mprtiere( sau reflecie). Nevoia folosirii acestui sistem de parametri s-a fcut simit p emsur ce tranzistoarele cucereau domeniul microundelor, echipnd amplificatoare i oscilatoare n domeniul 0,1....2 GHz. S-a constatat c parametrii y nu puteau fi msurai cu precizie suficient ntruct:

20

nu se mai puteau realiza condiiile de scurt necesare caracterizrii,

rolul inductanelor firelor de legtur, chiar foarte scurte i al diverselor capaciti parazite devenind foarte important; de multe ori schemele de msur intrau n oscilaii nedorite; n cazul realizrii condiiilor de scurt cu linii rezonante trebuie s se

asigure o deosebit precizie n cunoaterea frecvenei pe care se lucra, iar msurarea parametrilor ntr-o band larg de frecven devine foarte dificil. Dezavantajele menionate pot fi nlturate dac se consider tranzistorul ca fiind un cuadripol cu anumite proprieti de reflecie fa de impedanele de generator i sarcina pe care lucreaz. Acest gen de definire nu necesit imaginarea unui circuit echivalent nou, comportarea tranzistorului fiind descris prin 4 parametri independeni: s11, s12,s21, s22. Avantajele folosirii acestui sistem constau n urmtoarele: performanele de nalt frecven ale tranzistoarelor pot fi prezentate parametrii s provenind din rapoarte de puteri incidente i reflectate ntr-o form reproductibil, excluznd multe erori de msurare. ofer o baz fizic pentru nelegerea a ceea ce se ntmpl n circuit fr a necesita cunoaterea fizicii dispozitivului; msurarea lor este simpl i uoar, n cazul n care se dispune de un voltmetru vectorial ( care msoar att amplitudinea ct i faza unei tensiuni n raport cu o faz de referin); ntruct msurarea se face n general pe linii cu impedan caracteristic mic ( de regul 50) i cu pierderi reduse ea se poate executa la o distan mare fa de dispozitiv; proiectarea amplificatoarelor este foarte comod, dup cum se va vedea mai departe. 2.2.3 Confruntare aliere-difuzie Imposibilitatea fizic de a controla prin aliere grosimi de baz de ordinul micronului, ca i imposibilitatea de a realiza arii de colector i emitor foarte mici limiteaz domeniul de frecven al tranzistorului aliat la circa 15 MHz, iar cu

21

unele artificii cum ar fi impurificarea gradat a bazei n vederea crerii unui cmp accelerator pentru purttorii minoritari se poate ajunge la frecvene de tiere de ordinul 3060 MHz( tranzistorul drift). Flexibilitatea tehnologiei planare la care se poate adopta practic orice form geometric pentru emitor (spre deosebire de tehnologia alierii unde structurile prezint geometria cilindric) ca i posibilitatea de a modifica uor profilele de impuriti n jonciuni, permit realizarea unor tranzistoare cu frecvena de tiere de ordinul 1GHz i mai mare, avnd n acelai timp i capacitile parazite extrem de mici, datorit unor msurtori constructive speciale. n consecin n domeniul 1001000 MHz tranzistoarele se realizeaz prin metodele difuziei, att pe germaniu ct i pe iliciu. La IPRS Bneasa tranzistoarele planare de nalt frecven se realizeaz pe siliciu. Un domeniu rezervat exclusiv tranzistoarelor cu siliciu este cel altensiunilor foarte ridicate, de ordinul sutelor de voli, datorit faptului c siliciul monocristalin se poate obine la rezistiviti mari. De asemenea tranzistoarele difuzate cu siliciu dein exclusivitatea la puteri i frecvene mari. Curenii reziduali fiind foarte mici, se recomand folosirea tranzistoarelor cu siliciu n schemele care lucreaz n medii cu temperaturi peste 60C. Datorit aceluiai motiv, I CBO foarte mic, se pot obine ctiguri ridicate la cureni de colector de ordinul zecilor de microamperi. Determinat de proprietile fizice ale siliciului (banda interzis mult mai larg dect la germaniu) comportarea tranzistoarelor cu siliciu la temperaturi joase (sub 0C) este nesatisfctoare, n acest domeniu disprnd i dezavantajul curentului rezidual de colector ridicat al tranzistoarelor cu germaniu. Tranzistoarele cu germaniu se pot folosi cu mult succes n domeniul vast al amplificrii audio n radioreceptoare i televizoare pn la puteri de ieire de 810 W, n amplificatoarele industriale, care lucreaz la temperaturi moderate ale mediului ambiant, n circuitele de comutare lent, n circuitele care trebuie s lucreze la tensiuni de alimentare foarte reduse. De asemenea se pot folosi n bune condiiuni pentru amplificarea semnalelor de frecven intermediar i ca oscilator-convertor n receptoarele de unde lungi, medii i scurte pn la circa 15 MHz.

22

Protecia muncii
n unitile cu profil electronic este necesar s se aplice urmtoarele norme de protecia muncii: Art. 3687: Fiecare om al muncii este obligat ca nainte de folosirea mijloacelor individuale de protecie, s verifice buna lor stare, lipsa defectelor exterioare, curenia lor, marcarea tensiunii la care este permis utilizarea, precum i dac nu s- a depit termenul de meninere a caracteristicilor electrice. Art. 3699: n timpul ncercrilor i lucrrilor se va evita micarea mainilor sau a aparatelor care se ncarc i se afl sub tensiune. Art. 3702: Este interzis modificarea montajelor electrice sub tensiuni. Art. 3717: Pentru fiecare tip de ncercare se va da o schem bine stabilit i este interzis a se executa scheme de montaj ale ncercrilor din memorie. Art. 3720: Se interzice atingerea legturilor neizolate chiar dac acestea sunt alimentate cu tensiuni joase. Art. 3758: Cositorirea i lipirea se vor face n locuri special amenajate i prevzute cu un sistem de ventilaie corespunztor. Art. 3760: Bile de cositorit vor fi izolate termic astfel nct temperatura elementelor exterioare ale acestora s nu depeasc 55C. Art. 3761: Se interzice introducerea n baia de cositorit a unor piese umede. nainte de introducerea pieselor n baia de cositorit, se va constata dac acestea sunt bine uscate. Se interzice cositoritul n baia de cositorit fr a fi fost n prealabil tears i uscat. Art. 3763: Toate sculele electrice portative folosite la lipire vor fi alimentate la o tensiune sub 24V, iar n locurile foarte periculoase alimentarea se va face la 12V. La sculele prevzute cu un conductor de conectare la pmnt( sau la nul) se va face legtura respectiv. 23

Art. 3768: n ncperile separate destinate cositoririi i lipirii sunt interzise fumatul, accesul cu foc deschis, introducerea i consumul de alimente. Pentru a se realiza protecia la electrocutare prin atingere direct, instalaiile i echipamantele electrice se construiesc astfel nct elementele aflate n mod normal sub tensiune s nu poat fi atinse. Pentru aceasta se folosete nchiderea n carcase: conductoarele de legtur se izoleaz, se amplaseaz liniile electrice la nlimi mari unde nu pot fi atinse ntmpltor, elementele aflate sub tensiune n locuri deschise se izoleaz cu mprejmuiri protectoare, n locuri foarte periculoase se folosesc tensiuni reduse de lucru( 24V). Protecia mpotriva electrocutrii prin atingere inirect se poate realiza prin legarea la nul, legarea la pmnt, separarea de protecie, izolarea suplimentar de protecie, legarea ntre ele a tuturor obiectelor metalice ce pot fi atinse concomitent n zona de lucru. Principiul pe care se bazeaz realizarea i utilizarea mijloacelor de protecie individuale mpotriva electrocutrii este interpunerea ntre organismul uman i elementul conductor aflat sub tensiune a unui baraj electroizolant. La alegerea sau proiectarea mijloacelor de protecie individual trebuie s se in seama de partea expus a corpului omenesc, tensiunea maxim de utilizare, capacitatea de izolare electric a materialului folosit, influena factorilor de mediu asupra materialului de confecie, factorii de natur fiziologic( compatibilitatea materialului cu pielea, posibilitatea de absorbie a transpiraiei, greutatea). n cazul proteciei individuale contra arsurilor produse de curentul electric, mijloacele de protecie individual utilizate trebuie s aib i caliti termoizolante i termoreflectante. Ca mijloace de protecie individual se utilizeaz: mnui, cizme, oruri, covorae electroizolante. Toate aceste mijloace individuale de protecie trebuie s rspund la 2 obiective majore: s asigure o protecie eficient i s asigure comoditate n utilizare.

24

Bibliografie
1. Dispozitive electronice, Thomas L. Floyd, Teora, Bucureti, 2003. 2. Circuite digitale, John F. Wakerly, Teora, 2002. 3. Msurri electronice, Anca Gheorghiu i Ion Spnulescu, Victor, Bucureti, 2002. 4. Electronica peste tot, J.C. Boghioiu, Albatros, Bucureti, 1985. 5. Electronica. ntrebri i rspunsuri, Clement Brown, Editura Tehnic, Bucureti, 1975. 6. Dispozitive semiconductoare pentru microunde, ing. G.R. Antonescu, Editura Tehnic, Bucureti, 1978. 7. Dispozitive semiconductoare, ing. I. Rate, Editura Tehnic, Bucureti, 1975, Manual de utilizare. 8. Msurri electronice, ing. Agoston Agoston, Editura Tehnic, Bucureti, 1979, Manualul inginerului electronist. 9. Electronic analogic. Electronic digital, Aurelian Chivu, Drago Cosma, Arves, 2005, Lucrri practice. 10. Normativ de protecie a muncii pentru industria de utilaj greu, construcii de maini i electrotehnic, Tudor Vasile, Tipografia Ploieti, Bucureti, 1987. 11. Instalaii i echipamente electrice, Sabina Hilohi, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1995. 12. Aparate electronice pentru protecia muncii, ing. Minerva Scrltescu, Editura tehnic, Bucureti, 1976.

25

Anexe
I. TRANZISTOARE BIPOLARE
BC 171 tranzistor cu siliciu NPN de joas frecven i mic putere Configuraia terminalelor Valori limit absolute

UCEO[V]

UEBO[V]

IC[mA] Ptot[mW] Tj[C]

E B TO - 92

45

100

300

150

BC 135 tranzistor cu siliciu NPN de joas frecven i medie putere Configuraia terminalelor Valori limit absolute

UCEO[V]
B C E TO - 126

UEBO[V]

IC[mA] Ptot[mW] Tj[C]

45

6,5

150

BC 137 tranzistor cu siliciu NPN de joas frecven i medie putere Configuraia terminalelor Valori limit absolute

UCEO[V]
B C E TO - 126

UEBO[V]

IC[mA] Ptot[mW] Tj[C]

60

6,5

150

BC 139 tranzistor cu siliciu NPN de joas frecven i medie putere Configuraia terminalelor Valori limit absolute

UCEO[V]

UEBO[V]

IC[mA] Ptot[mW] Tj[C]

26

B C E

80

6,5

150

II. TRANZISTOARE TO - 126 CU EFECT DE CMP

BF 245 tranzistor cu gril jonciune, cu canal n, de mic putere Configuraia terminalelor UDGM
S

[V]

Valori limit absolute IGM UDSM UGSM Ptot[mW] [mA] [V] [V]

Tj[C]

D TO - 92

45

30

- 30

10

200

125

BC 171 tranzistor cu siliciu NPN de joas frecven i mic putere Configuraia terminalelor
G

Valori limit absolute UDSM [V] UGSM [V] UGB [V] IDM [mA] Ptot[mW]

30
B TO - 72

40

- 3040

10

200

27

III. TRANZISTOARE UNIJONCIUNE

2 N 2646 Configuraia terminalelor

E

Valori limit absolute Ptot [mW] IE[mA] VEB1[V] VB2B1[V]

B1

B2

300

50

30

30

TO - 5

28