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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA DE LA FUERZA ARMADA

NACIONAL U.N.E.F.A. NCLEO MARACAY COORDINACIN DE INGENIERA DE TELECOMUNICACIONES

GUA PRCTICA LABORATORIO DE ELECTRNICA I

ABRIL DE 2010

Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

LABORATORIO DE ELECTRNICA I

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 1 UNEFA Ncleo Maracay

PRCTICA N 1 CIRCUITOS CON DIODOS (RECORTADORES)


Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en circuitos recortadores. Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Diodo Zener entre 3,6 V y 6 V de 1 W, Resistores varios. Pre-Laboratorio: Obtenga de la Hoja de Datos de los diodos seleccionados los valores de los diodos dados por el fabricante y explique lo que cada uno de ellos especifica. Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva caracterstica de transferencia Vo vs. Vi.

Procedimiento: 1. Monte el siguiente circuito:

Figura 1 generador de funciones en: Vi = senoidal que sucede en Vo. Para amplitud media, fotografe la seal observada y mida los valores pico de la seal. Grafique Vo vs. Vi en el f = 200 Hz Aumente la amplitud y observe lo Coloque los controles del

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osciloscopio. Para ello, tome Vo en el canal 2, Vi en el canal 1 y coloque el control de presentacin XY. Vare la amplitud y fotografe lo observado para amplitud mxima. pico de la seal final? Justifique. observado. diferencias entre los grficos anteriores. Sustituya el diodo por el diodo zener y repita todos los pasos anteriores. Analice y concluya. 2. Monte el siguiente circuito: Justifique el por qu de las Invierta el diodo (en media amplitud) y mida los valores pico; grafique en el osciloscopio Vo vs. Vi y fotografe lo De quienes dependen los valores

Vi Figura 2 - Coloque los controles del generador de funciones en: Vi = senoidal f = 200 Hz Amplitud = media - Mida los valores pico de Vo; - Grafique Vo vs. Vi en el osciloscopio y fotografe lo observado en Vo y Vo vs. Vi. - De quines dependen los valores pico de la seal final? Justifique. - Invierta el diodo y repita el paso anterior. - Justifique las diferencias entre los grficos anteriores. 3. Monte el siguiente circuito: + Vo V Figura 3 Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez -

Vi

LABORATORIO DE ELECTRNICA I 200 Hz. grafique Vo vs. Vi sucedido, fotografe la forma de onda de Vo y para el Circuito de la figura N 4 fuente VDC y el diodo.

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 3 UNEFA Ncleo Maracay Ajuste Vi a amplitud mxima y f = Ajuste V a 0 voltios. Observe Vo y

comience a aumentar V. Observe lo que sucede para V = 4 voltios. Mida los valores pico de Vo y

Vare la fuente, observe y anote lo Vo vs. Vi (para V = 4 V). Justifique. Repita el procedimiento anterior Observe que slo se invirtieron la

Vi

+ Vo Figura 4

generador de funciones en: Ajuste Vi a amplitud mxima y f = 200 Hz. seal de entrada Vi. observado. diferencias entre los grficos anteriores. Vi en el canal 1. -

Coloque

los

controles

del

Grafique Vo y compare con la Invierta Justifique el el diodo por y dibuje de lo las

qu

Para la posicin inicial del diodo grafique Vo vs. Vi colocando en osciloscopio en XY, graficando Vo en el canal 2 y Fotografe lo observado. Justifique las diferencias entre las grficas obtenidas entre los dos circuitos. Concluya. Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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2.4. Monte el siguiente circuito:

Vi

Figura 5 200 Hz. sucede en Vo; mida los valores pico para obtenidas para Vo y Vo vs. Vi. Vare V1 y V2 y observe lo que V 1 = 4 voltios y V2 = 6 voltios. Grafique en el Osciloscopio Vo vs. Vi; vare las fuentes, observe lo que sucede y anote los resultados. Fotografe las formas de onda Ajuste Vi a amplitud mxima y f =

Post-Laboratorio: Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento de la prctica Compare los grficos simulados con los obtenidos en la prctica, analice y concluya.

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PRCTICA N 2 CIRCUITOS CON DIODOS (RECTIFICADORES)

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la accin de rectificar la seal de entrada en media onda y onda completa. Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Resistores varios, transformador de toma central. Pre-Laboratorio: Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vi y Vo. Calcule los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en los diodos para cada uno de los circuitos de la prctica. Mida en la simulacin, todos los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en los diodos para cada uno de los circuitos de la prctica.

Procedimiento: 1. Monte el siguiente circuito:


D2

Vi

+ 5V/200Hz 10K

+ Vo -

Figura 1 Generador de Funciones en: Vi = 5V (Senoidal) seal de entrada Vi. Fotografe Vo y Vi. Mida el voltaje DC y la corriente Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez F=200Hz Grafique Vo y compare con la Coloque los controles del

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DC que circula por la carga y por el diodo. Compare con los calculados y simulados en el pre-laboratorio. observado en Vo y en Vi. diferencias entre los grficos anteriores. y Vi en el Canal 1. 2. Monte el siguiente circuito: Fotografe lo observado. Concluya. Para la posicin inicial del diodo, grafique Vo vs. Vi colocando el Osciloscopio en XY, y graficando Vo en el Canal 2 Justifique por qu existen Mida el voltaje de pico inverso (VPI) que aparece en el diodo, comprelo con el valor pico de V i. Invierta el diodo y fotografe lo

D1 + Vi D2
Figura 2 Generador de Funciones en: Vi = 6 voltios (senoidal) (Vr) y comprela con la de V i. Fotografe Vo y Vi.

D3
Ir

1K
+

6V/200Hz

Vr D4

Coloque F =200 HZ

los

controles

del

Observe la seal que aparece en R.

Mida el voltaje DC de la carga Vr y compare con el calculado y simulado en el pre-laboratorio. Mida el voltaje de pico inverso Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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(VPI) que aparece en cada diodo, comprelo con el valor pico de V i. simulados en el pre-laboratorio. del puente (por ejemplo D3). con el primer valor tomado. desconectar una rama del circuito. Explique la operacin de este circuito e indique qu relacin existe entre las corrientes IR e ID. 3. Monte el siguiente circuito:
TX1 Vi 6V/200Hz + -

Mida IR (en DC); mida la corriente DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y Mida VR y desconecte una rama Mida VR nuevamente y comprelo Explique lo que sucede con VR al

D1

+ Vs + Vs -

- Vo + IR 10K

Figura 3 Generador de Funciones en: Vi = 6 voltios (senoidal) valor pico de Vs. Fotografe Vo y Vs. indique qu sucede a Vo. diodo, comprelo con el valor pico de Vs. F =200 HZ

D2 Coloque

los

controles

del

Grafique Vo y comprela con el Sustituya el D1 por un corto e Mida el voltaje DC de la carga Vo y comprelo con el calculado y simulado en el pre-laboratorio. Mida el VPI que aparece en cada Mida IR (en DC); mida la corriente Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio. Explique la operacin de este circuito e indique la diferencia entre el mismo y el montado en la experiencia 2. Post-Laboratorio: Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento de la prctica Compare los grficos y valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos en la prctica, analice y concluya.

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PRCTICA N 3 EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE - FUENTE DE ALIMENTACIN REGULADA CON DIODO ZENER

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento del Diodo Zener como regulador de voltaje y emplearlo en el diseo de una fuente de alimentacin regulada. Materiales: Diodo Zener del voltaje que indique el docente para el diseo, Resistores varios. Valores comerciales ms cercanos para los dispositivos calculados en el diseo.

Pre-Laboratorio: Realice los clculos sugeridos en el procedimiento 1 de la prctica. Recuerde asumir el valor comercial ms cercano al calculado y determine la potencia de los resistores y diodos que emplear. Simule el circuito del procedimiento 1 de la prctica y obtenga todos los valores de corrientes y voltajes DC que corresponda de acuerdo al caso que corresponda. Disee una fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener como la mostrada en el procedimiento 2, segn las caractersticas y restricciones dadas por el instructor de laboratorio. Estas restricciones pueden incluir: variacin IL de la corriente de carga, variacin de RL, (que soporte la condicin de circuito abierto), etc. Simule la fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener diseada y mida para cada caso representado por las restricciones del diseo los voltajes y corrientes DC correspondientes.

Procedimiento: Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

LABORATORIO DE ELECTRNICA I 1. Diodo Zener como regulador de voltaje.

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Atendiendo a las caractersticas del Zener adquirido y con relacin al circuito mostrado en la figura 1: IR
+ Va Rs

IL +
Vz

IZ
ZENER RL

Figura 1 (Va variable, RL variable) Obtenga el valor de Rs de tal forma que su diodo Zener soporte variaciones de una fuente de alimentacin no regulada denominada Va y variaciones de RL. Asumiendo Vamax = 3Vz y RL min = 470, calcule Vamin y RLmax de acuerdo con las caractersticas del diodo Zener y tomando en cuenta sus condiciones bsicas de seguridad. Una vez obtenidos los valores, monte el circuito y mida Va, I R, IZ, IL y VZ, para cada uno de los casos siguientes: a) Vamax, RLmax b) Vamax, RLmin c) Vamin, RLmax d) Vamin, RLmin Determine cules de esos casos son los ms extremos y por qu Compare los valores obtenidos con los calculados y simulados previamente, concluya sobre las condiciones de trabajo idneas para que un diodo Zener acte como regulador de voltaje, as como tambin sobre lo criterios prioritarios a tomar en cuenta en este diseo. 2. Fuente de Alimentacin regulada con Diodo Zener. Monte la fuente de alimentacin regulada con diodo zener mostrada en la figura 2 y Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

LABORATORIO DE ELECTRNICA I diseada en el pre-laboratorio de la prctica


Vin -110/110V 60 Hz + C

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N:a Rs

ZENER

RL

Figura 2 Una vez montado el diseo, realice todas las mediciones de los parmetros de corriente y voltaje. Comprelos con los tericos y con los simulados. Nota: Tomar en cuenta las potencias disipadas (en teora) y usar valores comerciales.

Post-Laboratorio: Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento de la prctica Compare los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos en la prctica, analice y concluya.

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PRCTICA N 4 POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON BJT

Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con BJT, observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la temperatura y reemplazo de transistores. Materiales: Q1 = 2N3904, Q2 = 2N2222. Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn. Pre-Laboratorio:

Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N2222 la curva de mxima potencia, as como tambin las curvas caractersticas de entrada y de salida de cada transistor.

Para los circuitos mostrados en las figuras 1, 2 y 3, si Vcc = 15 V, obtenga el valor de R para obtener la mxima excursin simtrica para Q1

Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3, ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y salida. Mida Vbe, Vce e Ic en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin.

En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento presentado en el apartado anterior.

Procedimiento:

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LABORATORIO DE ELECTRNICA I 1. Polarizacin Fija Monte el circuito de la figura 1

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1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Ic, Vbe y Vce, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. 2. Aplique calor al BJT durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y comprela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calrico, mida en DC los valores de Ic, Vbe y Vce, comprelos con los obtenidos en el paso 1 y seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q. 3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2. 2. Polarizacin Colector a Base (por Retroalimentacin del Colector): Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la experiencia anterior. Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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3. Polarizacin por Divisor de Tensin: Para el circuito de la figura 3 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.

Post-Laboratorio:

Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con calor. Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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Analice y concluya sobre el efecto del calor y de la variacin de (de transistor) en relacin con el empleo de los tres circuitos empleados en la prctica.

Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un BJT. Justifique.

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PRCTICA N 5 POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET

Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con JFET, observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la temperatura y reemplazo de transistores. Materiales: Q1 = 2N5454, Q2 = 2N5457 (es posible sustituir cualquier JFET por el MPF102) Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn. Pre-Laboratorio:

Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas caractersticas de entrada y de salida para cada transistor, as como tambin los valores Idss y Vp.

Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor de Rs para obtener la mxima excursin simtrica para Q1.

Simule cada uno de los circuitos, ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y salida. Mida Vgs, Vds e Id en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin.

En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento presentado en el apartado anterior.

Procedimiento: Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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1. Polarizacin Fija Monte el circuito de la figura 1

1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. 2. Aplique calor al JFET durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y comprela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calrico, mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, comprelos con los obtenidos en el paso 1 y seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q. 3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.

2. Polarizacin por Divisor de Tensin: Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.

Post-Laboratorio: Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con calor. Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un JFET, dada su variabilidad en sus parmetros Idss y Vp. Justifique. Analice y concluya sobre el efecto del calor en los JFET, comprelos con los BJT.

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PRCTICA N 6 DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA SEAL CON BJT

Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con BJT, verificando las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores. Materiales: 2N3904 2N2222, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f. Pre-Laboratorio: Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin emisor comn (E-C) de la figura 1, para una ganancia de voltaje Av = Vo/Vb que indique su instructor. Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin seguidor de emisor (C-C) de la figura 2, para una impedancia de entrada Ri = Vb/Ii que indique su instructor. Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vbe, Vce e Ic en DC y grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin

distorsin y grafique las seales de entrada (Vb) y salida (Vo). Mida adems: Av, Ai, Ri y Ro.

Figura 1

Figura 2

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LABORATORIO DE ELECTRNICA I Procedimiento:

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1. Amplificador con BJT en configuracin Emisor Comn (E-C) Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin, indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra trabajando este transistor y por qu. Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa. Ej. Vbe 0,6 V, Vce Vcc/2 e Ic 0. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto. Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya. Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro (ver observaciones).

2. Amplificador con BJT en configuracin Seguidor de Emisor (C-C) Monte el circuito de la figura 2 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin, indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra trabajando este transistor. Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto. Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya. Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro (ver observaciones). Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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Post-Laboratorio: Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos en la prctica. Compare los parmetros Av, Ai, Ri, concluya. Ro y fase de ambas configuraciones y

OBSERVACIONES Las mediciones se hacen en AC, a una frecuencia tal que la ganancia permanezca constante alrededor de la frecuencia de medicin, o dicho de otra forma, a frecuencias medias (f 1KHz). MTODOS PARA AMPLIFICADOR LA MEDICIN DE LOS PARMETROS DE UN CIRCUITO

Ganancia de tensin Av=Vo/Vb. Es importante tener claro los lugares donde hay que medir las tensiones para poder obtener la ganancia deseada. Si se desea obtener la ganancia Vo/Vs, es necesario medir Vs del generador de seales en circuito abierto, de tal forma que se pueda medir solamente Vs, sin la carga del circuito Resistencia de entrada, Ri=Vb/is Un posible mtodo para hallar Ri es a travs de la medicin con carga y sin carga de Vb: a)Mida Vs. Para lograr esto, haga una medicin en vaco de Vs (tensin de la fuente de seales sin carga). b)Mida Vb con carga c)De la ecuacin Vb= Vs * Ri/(Ri + Rs), despeje Ri. Rs es la resistencia del generador (50 ) Ganancia de corriente Ai=io/ib No es normal medir la corriente con un ampermetro en circuitos de naturaleza resistiva, pues es mucho ms sencillo medir la tensin y luego dividirla entre el valor de la resistencia. Actualizado por: Dra. Mara del Pilar Prez

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a)Obtenga io como io=Vo/Rc b)Obtenga hie a travs de la expresin: Ri= Rb * hie/(Rb + hie) , Rb= R1* R2 /(R1 + R2) c)Obtenga ib como ib=Vb/hie y luego haga el cociente io/ib=Ai Resistencia de salida Ro, resistencia de Thevenin entre colector y tierra A pesar que el procedimiento terico para medir la resistencia de salida es aplicar una fuente de tensin Vk entre colector y tierra, con la entrada cortocircuitada y luego hacer el clculo del cociente entre Vk e ik, donde ik es la corriente que circula por la fuente Vk, resulta ser poco prctico. Si el amplificador se puede representar como el circuito de la figura, a travs de la medicin de la tensin de colector Vc, con carga y sin carga, se puede determinar Ro siguiendo el procedimiento: a)Mida Vo en AC a travs de la tensin de colector en vaco (Sin RL) b)Cargue el circuito con una resistencia conocida RL entre colector y tierra (colocndole el capacitor Cc) y mida de nuevo la tensin de colector Vc en AC c)Despeje Ro, de la ecuacin: Vc= Vo* RL/ (Ro + RL)

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PRCTICA N 7 DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA SEAL CON JFET

Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con JFET, verificando las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores. Materiales: MPF102 2N5454, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f. Pre-Laboratorio: Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin fuente comn de la figura 1, para una ganancia |Av|= 2, RL=1k, VDD=20V Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin seguidor de fuente de la figura 2, para una impedancia de entrada que indique su instructor. Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vgs, Vds e Id en DC y grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin

distorsin y grafique las seales de entrada (Vg) y salida (Vo). Mida adems: Av, Ai, Ri y Ro.

Figura 1 Procedimiento:

Figura 2

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1. Amplificador con JFET en configuracin Fuente Comn. Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id). Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador. Fotografe Vo y Vg en conjunto. Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya. Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro. 2. Amplificador con JFET en configuracin Seguidor de Fuente. Monte el circuito de la figura 2 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id). Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador Av, Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro. Fotografe Vo y Vg en conjunto. Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.

Post-Laboratorio: Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos en la prctica. Compare los parmetros Av, Ai, Ri, concluya. gm=gmo.(ID/Idss); gmo=2.Idss / Vp Ro y fase de ambas configuraciones y

PRCTICA N 8
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ESTUDIO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS EN CONFIGURACIN CASCODE CON BJT Y CON JFET


Objetivo: Verificar experimentalmente las caractersticas de etapas amplificadoras en etapas cascode con BJT y con JFET. Materiales - 2 transistores BJT 2N2222. - 2 transistores JFET MPF102. - Potencimetros varios, resistores varios, capacitores varios. Pre-Laboratorio: Para el circuito de la figura 1, determine el valor de R para que los BJT posean una corriente de colector igual a 10 ma. Para el circuito de la figura 2, determine el valor de R para que los JFET posean una corriente de drenador igual a 6 ma. Realice las simulaciones de los dos circuitos, colocando en Vs la amplitud mxima que no genere distorsin a la salida y obtenga cada uno de los valores solicitados en el procedimiento de la prctica.

Procedimiento: Monte cada uno de los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2 y en el laboratorio obtenga: El punto Q de cada transistor (en DC). La ganancia de tensin: Vout/Va, Va/Vin, Vout/Vin (en AC). La ganancia de corriente: Iout/Ic, Ic/Iin, Iout/Iin (en AC). Grafique las seales de entrada y de salida

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Figura 2

Figura1

Post Labortorio Compare todos los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones del prelaboratorio con los obtenidos en la prctica. Analice y concluya. Compare las ganancias de tensin y corriente de cada cascode y obtenga una aplicacin de esta configuracin. De acuerdo a los resultados obtenidos, esta configuracin sirve como amplificador de potencia, tensin o corriente? Justifique su respuesta.

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