41

4.PREIVIISELE TEHNOLOGICE ALE IMPLEMENTARII COI.il{ERTOARELOR DE CA/CC CU COMUTATIE PROPR-IE. ADECVATE. DIsPozITIvE'sEMIcNDtJcToARE t _':
.
:; ,1 i5"1:
:

Convertoarele de calcc cu comutatie proprie trebuiesc s genereze circuitul'intermediar de tensiune continu n condi1iile unei func1ionri ecologice din punctul de vedere al re1elei de alimentare, de curent alternativ.%.ceast a doua firnqiune, de cQtectare a factorului de putere, poate fi optim _de indeplinit numai dac comuta1ia n redresor se va desfi$ura,la frecven1e d lucru

pCa urmar tiristoarele conventionaie, ca dispozitive semiconductoare mari. semicomandate, nu sunt adecvate acestui domeniu al electronicii de'putere. Convertoarele de calcc cu comutirie proprie se pot realiza cu tranzistoare bipolare de putere sau cu tranzistoare cu efect de mp de putere, MosFET. Performan1elg actuale ale cestor dspozitive semiconductoare, precum $i realizrile in domeniul circuitelor de comand'gi protecie adecvate, [8], [9], [10}, 11], t12]' I13]' [14] le recomand'pentru aceast categorie de aplica1ii, mai ales in gama de puteri mici gi mijlocii. Pentru echipamente de putere mare 9i foarte.mare pot veni in discu1ie ca dispozitive semiconductoare preferate tiristoarele cu comand de revenire pe poafi, GTo, tlsl, de;i in acest caz domeniul frecvenfelor de comuta1ie din convertor va i sever diminuat, n detrimentul gradului de satisfacere al functriei de corectare a factorului de
iuficient
putere.

in

1980, de ctre Harris, [16] a tranzistoarelor bipolare cu comand prin cmp, IGBT. Cu ajutorul acestor dispozitive semiconductoare s-au putut aborda frecvenle de lucru suficient de ridicate, in gama de puteri mai sus men}ionat, in condi1iile tr care investiiile in filtrulpasiv de repa au devertit nesemnificative gi convertorul electronic de putere satisfcea 9i celor mai severe condi1ii,privind fenomenele de interferen1 electromagnetic' De altfel trEnzistoarele bipolare cu comand prin cmp au condus la schimbri importante qi in alte domenii ale electronicii de putere, dintre care rnenionm doar cel 'al convertoareldf de cc/cc ai al convertoarelor d cclca, cu aplicalii n aciionrile electrice 9i in utilirile 9nergiei electrice. In lite1atura tehnic n limba romn exist foarte putine referiri la tran?iq!9arele IGBT,, [15J.

Aplicara pe scar industrial a convertoarelor ecologice de.calcc cu comutatie proprie a devenit realmente posibil pentru domeniul de puteri mijlocii gi mari dup punerea la punct,

tocmi din aceste motive, prezenful capitol va aborda in mod' detaliat protrletnatica tranzistoarelgr, bipolare cu comand prin cmp, IGBT' prin prisma ,performan1elor,
. . .

^l func1ionale gi a circuitelor de comand gi protec1ie speciice. Informa1iile caracteristicilor prezetate vor perrnite specialigtilor in electronica de putere s devin utilizatori ai

tranzistoarelor IGBT. Important de subliniat este fapfui c n acest capitol se prezint principii

42 fundamentale, dintre care multe pot fi folosite gi in proiectarea circuitelor cu tranzistoare bipolare de putere sau cu tranzistoare cu efect de cmp de putere' MosFET.

:
t

Utilizarea tranzistorului bipolar de putere in convertoarele statice este avantajoas din cauza cderii de tensiune mici in circuitul colctor - emitor, n stare saturat, dar este n acela5i timp serios limitat din cauza puterii de comand apreciabile nooesae in circuitul baz - cmitor. Tranzistoarele cu efect de camp {e Putgre; MqsF,ET. qyy ql.Gle nt1g situa1ie similar. Puterea de comand praqtic prrl lq cirorritul grili - urs le iecoran Ppntru aptiea1jile de electronic de putere dar rezistenla relativ rnare dren- _ srus n stare- satur4t conduce la pierderi

apreciabile de putere n conduc1ie. Tranzistorut bipolar cu comand prin cmp, IGBT este tocmai un rezultat al cercetrilor privind integrarea functrional bipolar - Mos, desfr5urate cu scopul dezvoltrii urrui dispozitiv semiconductor care s elimine dezavantajele tranzistoarelor bipolare 9i MOSFET, exploatnd ins calit$ile lor, [15]. lntr_adevr, tranzistorul IGBT este un dispozitiv semconductor care din punctul de vedere al utilizatorului se comport ca un tranzistor cu efect de cmp in circuitul de comand gril - emitor gi ca un tanzistor bipolar in circuitul de ieqire, colector - emitor. Inainte de a se aborda detaliat problematica tranzistoarelor bipolare cu comand prin cmp, IGBT, prin tabelul urrntot, [17], se eviden1iaz cteva dintre calitlile sau defectele lor, coryqrarativ cu tranzistoarele bipolare gi lv{oSFET:

CARACTERISTTCI
Limita superioar'de ,tensiune de'lucru i Circuitul de comanda
- cheltuieli - putere

Tristor bipolar
medie medii
mare

MOSFET
joas

IGBT
inalt
reduse mlca,

reduse

mic

Caracteristici de

comutatrie

':

- timp de saturare - timp de blocare

mediu

scurt

- pierderi de putere

lung mari

scurt

mici

mediu mediu medii

Caracteristici de,'
oonduclie - densitate de curent

admisibil
-rpierderi de putere

mare

mici imposibil
,I

mlca man

mare

mrcl

Funclionare in scurtcircuit Frecvenla de lucru (limita pentru 0.Sxl..o)

- uzual t. - maxlma

imposibil

posibil

''i

50 kHz

10 kHz

250 kHz

100 kHz

2A kHz 80 k]Prz

1i''

43

Figqa 4.l prezint structura, sctleqta gclivalent 5i dou dintre simbolurile uzuale . folosite pentru tranzistoarele bipolare cu pomand prin cmp' IGBT' [18]. Structura ilcestoJ tranzistoae este foarte asemntoare'cu cea.a tr?nzistoarelor de puterB cu efect de cmp, MosFET' cu canal de tip "n", cu func1ionare in domeniul de acumulare de purttori de sarcin. Stratul suplimentar P+, realizat prin impurificare adecvat pe partea colectonrlui, eonduce la un tranzistor bipolar PNP suplimentar, care impreun cu tranzistorul MosFET exstent alctuiesc noul tranzistor IGBT. Din pcate in structura semiconductoare apale in mod automat 5i tranzistorul NPN "parazitar'', care, impreun cu tranzistorul PNP conduce la o structur nedorit de tiristor care poate fi responsabil de fenomene de acrogare in timpul funclionrii tranzistorului cu comand prin cmp. Acest tiristor suplimentar este ins dezacivat prin integrarea rezisten1ei Ru de valoare foarte mic 9i prin realizarea pe cale tehnologic a traruistorului parazitar NPN cu un factor de amplificare in curent ct mai mic. Ca urmare tranzistoarele IGBT moderne funqioneaz la tensiuni colector - emitor mari, gi ih condi1iile unor varia1ii rapide ale tensiunii colector - emitor fr a acroga in mod accidental, altfel spus caracterizndu-se prir-o structur "latch-up free", [16], [18], [19].

E-.Emlton

\ (
(.

f
E

16
G-Grtla
G

a t)

rI

(I

l-.'
u2\
C-Colecior

Figura 4.1'. Simbo}ul s st'ructura tranzstoarelor IGBT.

Tranzistoarele IGBT pot s func1ioneze n zona activ a caracteristicii de ie5ire, in regim de amplificare. Ele se utili7aaz ns foarte rar in astfel de aplica1ii' ca gi n cazul tranzistoarelor bipolare de putere gi a tranzistorelor eu efect de cemp de putere':condiiile de evacuare a cldurii produse n timpul functrionri limiteaz sever puterea disipat maxim, in regim de amplificare performan1ele acestor dispozitive semiconductoare neputnd fi exploatate

44
bipolare'l u comand dect ntr-o propo4ie extrem de mc. Tranzistoarele d. .o*u,r1ie' stri1e stabie fiind ceatlocat, cnd tensiunea i' '"gi. practic nul, respectiv cea saturat. cnd colector - emitor este mare, curentul de colector fiind de colector - emiior'are va1oarea mic, corspurrzatoare saturatiei, cursntul

prin cmp

se

;;';;;""#;'""'r

;;i'*"
fiind

*t".,o.

"ur"n*l

sarcinii.

,l 1,0

i.

lo,e

Vnc
o lon

\/'
4,1

on,

YcE sat

a
I

1,4

uoE
o
l

i' tl
I

i il

4.2 Figura tranzistoarelor

IGBT.

Comutatia

di-recta

,^^l t"l
v

Fgrura :

3. CrcuLul comutatiei drecte

4

de

testre

a1

45

starea blocat in stafe d conduc1ig se nume$te prezentat in Figura 4.2 pentru cazul unei sarcini rezistive corutalie direct. Acest proces este n colectorul tranzistoruli, t17]. Circuitul de msurare folosit rzult din Figrra 4'3. Corrrrrttria direct se desfgoar sub efectul aplicrii tensiunij de comand vo." n circuinrl grit - emitor al tranzistorului. Tensiunea de gril vou evolueaz exponenial, dup o lege care depinde gi de rezisten1a dih circuirul de gril, Ro. Procesul de comuta1ie estelcaracterizat d du intervale de timp distincte: timpul de intrziere sau de stocare, to, respectiv timpul de comutare propriu ' zis sau timpl de cregtere, t,. ca urmare, timpul de comutare direct' ton, va fi:

'

Ttecerea tranzistorului

IGBf din

Lon- Lda Lr

(4 . 1

Pierderile in timpul comutafiei directe evolueaz conform curbei Pgp din Figura 4.2. Valoarea acestor pierderi, pentru tensiune colector - emitor gi curent de colector date, depinde de durata comutaliei, controlabil prin rezisten1a din circuitul de gril, R6.

,J,, I
4,1

1u*
trE.
o

t -*-*.
VEG

l,
4.4. Figura tranzist'oareIr
Comutatia
J-\Jt5

Lnversa

46 prin Figura4'1 esu Procegul de comutaie invers, nurnit 9i,{e blog.are , este evideniat IGBT este tranzistoarelor blocarea 4.!, Figura rl de_msurare altura, polector al circuitul.de in inductive rezistiv condiiile unei sarcini uegative Y66y terrs,|unii prin aplicarea loc are oi.po"i,i"or"i semiconductor. comutaia invers ctre noua .i'*itjui e.il ; emitor 21 6anzistorului. Ca urmare tensiunea de gril vou va evolua aceleia5i ajutorul cu fiind ajustabil timp ;;";il;;'uriona'a tot exponenia], constanta .de caracterizate etape, dou in tot loc are tranzistoare acestor ;;'ij';R"''co'not1iu invers a de timp: timpul de intrziere la blocare 1 9i timpul de comutare

fff'T"j*'i'"J:T

p'm

"ii"li.ie propriu-zis sau de cdere, tr' Timpul total de comutare,

inr"*a.

tgff' Vo

fi prin urmare:

tott=t"*tr (4.2)

Figura 4.5. Circuitul omutate nverse

-

testare

Nu este obligatorie folosirea unei tensiuni negative vE6M ppntru blocarea tranStorului 0 IGBT. Comuta1ia invers poate avea loc ai prin aducerea potenlialului grilei la valoarea comuta1ie 9i poten1ialului emitorului. Avantaje legate in special de vieza de
"or"rp.rrrzetoar

desiguran1ainfunc1ionarefacinsprimametodpreferabil Conform figurii 4.5, in paialel cu satcina este prevazut o diod de curent invers. - emitor, Aceasta rur exclude ins n intregime supratensiunile la bornele circuitului colector sunt supratensiirni caracteizate prin valoarea maxim Vcru tensiunii la blocare' Aceste nici totalitate in rezultatul prezen1ei inductivit1ilor parazite din circuit cafe nu pot fi eliminate

cu cea mai ingrijit proiectare a cablajului' timpul curb-a marat cu Pon in Figura 4.4 evidentiaz pierderile de putere influentate pot fi deci comutare, conrutaiei inverse, pierderi de putere care depind de timpul de gi e1e prin valoarea rezistenpi Ro de la iegirea etajului final de comand al tranzistorului. In c curenrul de cazut irarr'istoarelor IGBT o alentie deosebit trebuiegte acordat faptului procesului de terminarea dup lung colector mai pstreaz o valoare redus un timp relativ u.:' regim de sa comutare, cnd tensiunea colector - emitor a atins deja valoarea "t3i1 current'', eng|ez limba curent redus, numit in literatura tehnic de

il

Datorit acestui pierderile totale de putere la revenirea invers sunt apreciabil mrite.

11*''

4l

Ctncult

pr

lnclpal

Ctncult de supresane

Fgura

tranzstorului ' cu functionare in regim de impulsuri si sarcina RL irt colector.

4,'6

Comutata drecta

.I

l' ] In regirh de impulsuri, n cazul unei sarcini rezistiv - inductive in circurul de colector al tranzistorului, condiliile de comut4ie devin mai severe deoaeee in momgptul comenziido saturare ,dioda do,nul Dp se gsegte in corrduc1ie. Ca urrnare la,comutarea curentului de;sarcin it pircuitul de colector al tranr'isotului acesta va prelua in mod suplimentar gi curentul de revenfue invers 'al diodei. Figura 4 .6 evideniaz comuta1ia direct a tanzistorului in aee$t caz

48

considerare fiind prezentat in Figura 4'7' Curentul maxim prin iranzistor poate fi redus prin alegerea optim a timpului de comuta1ie, apelndu-se din nou la

practic, circuitul luat

in

rezisten} R". Aceasta este ins doar o posibilitate de mbunt1ire a conuaiei,efectul maxim rezultnd prin folosirea unor diode *up."ro-", Dp adecvate trarrzistoarelor lcBT' Aceste diode

sunt caracterizate printr-o caracteristic de revenire invers moal9, numit ''spft recovery'' in literatura tehnic de specialitate de limb englez' Un factor c-are mare$te siguran1a n functionare a circuiteloi electronice cu tfanzistoare IGBT este $i acela ct productorii livrea de obicei module care con}in un tranzistor asociat cu dioda de culent invers corespunztoare, caracteristicile din catalog referindu-se la ventilul de tensiune astfel oblinut. Modulele complexe cu dou tranzistoare gi dou diode, destinate unui ''braf" de convertor polifazat uqureaz in msur qi mai mare proiectarea circuitelor cu tranzistoare IGBT, elimnnd si o mare parte din problemele de supratensiuni de comuta1ie create de inductivit1ile parazite datorate unui cablaj

insuficient optimizat.

1jLP
Ic

'cc

Crcuitul de testare aI Figura 4.1 comutatei in regim de mpuIsuri pe sarcina

.

RL.

In mod asemntor tranzistoarelor bipolare de putere sau tranzistoarelor cu efect de cmp de putere, in nici un regim de lucru punctul de func1ionare al tranzistoarelor IGBT nu are voie s prseasc un domeniu bine definit al caracteristicii de iesire, Ig = f(U6J, numit aria de func1ionare sigur, soAR' Figura 4'8 evideniaz aria de flrncfionare sigur pentru

tranzistoare IGBT de 100 A gi 1000 V, produse de ctre firma SEMIKRON' [20]' Diagrama se refer la func1ionare n regim de curent continuu 9i in regim de impulsuri. Este foarte important de remarcat ca al1i productori fumizeaz diagrama pentru aria de func1ionare sigur distinct penrru regimurile neperiodice de funclionare respectiv pentru regimurile periodice de func1ionare ale tranzistorului bipolar cu comand prin cmp, [17]. Ceea ce confer un grad superior de robuste}e tranzistoardor IGBII tn raport cu tmnzistoarele bipolme de putere, 9i tranzistoarele cu efect de cmp de putere este'faptul c funelionarea.in regim dc scurtcirqrit este posibil" [20]. Evident, acest mod de lucru trebuie s 1ie o excep1ie gi nu o regul. Regimul de lucru periodic este admis numai in intetiorul riei de funqionare sigur, unde ternperatura jonc}iunii rmane "la valori adrnisibile dac rcirea

49

dispozitivului se face n condi1iile prescrise. Funclionarea in regim periodic de scurtcircuit nu este admis. Un tranzistor IGBT poate intrerupe prin comand adecvat pe gril un scurtcircuit care ajunge la curen1i de pn la 8 ori curentul nominal, la tensiuni de lucru de 80% din Ug6 *, cu condi1ia ca semnalul de comand de blocare s fie generat in mai pufin de 10 microsecunde de la apariia scurtcircuitului. Aceast performan1 rezult prin faptul c structura de tiristor parazitar din configura1ia tranzistorului IGBT rmne ''latch-up free" chiar $i in acest regim deosebit de sever de functrionare. Performantra aceasta este exploatat de proiectan1i in sensul fiabilizrii circuitelor cu IGBT, prin folosirea unor reac1ii de curent chiar in etajul final de comand, pentru comenzi de blocarc rapid in caz de scurtcircuit, asociat cu rezistenle de blocare in circuitul de gril, &,r, de valoare mrit,pentru a evita spratensiunile si oscilaliile de tensiune la blocare. In mod suplimentar se recomand in apest caz si diode Zener de 16 V, de comutafie, n antiparalel, montate direct in circuitul gril - emitor auxiliar, pentru a preveni distrugerea stratului de oxid izolator, datorat unei supratensiuni mai mari de 20 V in circuitul de gril.

Figura' 4.8. Ara de Lranzistoarelor IGBT.

functionare . sj-gura

Figura 4.9 se refer la un ,circuit de testare a regimului d scurtoiouit pentru tranzistoarele IGBT. Acest circut corespunde unui chopper de un cadran la care sarcin este scurtcircuitat. In mod,normal numnrl scurtcircuitdor eliminabile prin cbmand se indic n catalog 9! are o valoare linritat, ca urrnare aparifia lofintr-un convertor tebuie$tecontorizat, asociat.cu informarea sistemului de comand al instala1iei, in'vderea decup}dri atomate n '. l cazul repetrii evenimentului.

50

-10-15V-

Scurt clrcutt

--itl -++pts
i0 Emltor auxl!1ar

I u..u

au.u

'l

de tesLare a Figura 4.9. Circuitul Lranzistoarelor IGBT Ia functonare in scurtcircuit

sigur*"ln func1ionare a convertoarelor electronice de putere cu tranzistoare IGBT se poate asigura prin folosirea circuitelor de comand optime, asociat cu circuite

corespunztoare de protectie impotriva supratensiunilor gi curen}ilor de scurtcircuit, Un converto bine proiectat trebuie s ofere un grad ct mai ridicat de autoproteclie, chiar si in cazul unor semnale de comand gregite sau afectate de un nivel ridicat de zgomote. Tocmai din aceste motive n continuare se vor analiza detaliat principiile specifice de comand 9i de protectie pentu circuitele electronice cu tranzistoare IGBT_

Pentru un singur tranzistor bipolar cu comand prin cmp din configuralia unui convertor electronic de putere circuitul de comand adecvat rezult din Figura 4.10, [21']. Se presupune c sistemul de reglare 5i comarrd al convertorului se bazeaz pe un microcalculator, (PC, microcalculator specializat, DSP, transputer, etc.). Impulsurile propriu-zise de comand sunt generate de un circuit specializat pentru modulare in durat a impulsurilor, PWM 9i sunt transferate in circuitul de comand al tranzistorului prin intermediul unui transformator de impulsuri in vederea separrii galvanice. FolosirsB de optocuploare in acest scop ese de asemenea larg rspndit. Separarea galvanic este vital necesar intruct pe de o parte circuitul electronic de putere este afectat de serioase zgomote de natur electric 9i pe de alt parte poten}ialul emitorului tranzistorului IGBT comandat poate fi variabil in timpul func1ionrii convetorului, Circuitul de comand al tranzistorului con}ine un etaj de comand prefinal $i unul final. Etajrrl de comand prefinal preia semnalul de comand qi il transfer amplificat etajului final dac nu se constat un,regim de avarie in vecintatea tranzlStonrlui. Etajul de comand final comarrd tranzistorul in astfel de cmdi1ii nct s rezulte cotiuta1ia optim rt circuirul colector - enr,itor. Irnpulsul de comand se poate suprima sau ntrenrpe dac temperatura jonc1iunii dps{tevaloriledmisibile; dac in stareblocat a trnzistot'uli tensitinea eolector emitor nu este suficient de mare gi in conductie nu este atins starea complet'satiirat sau, in

51

ultim instan, dac se'sesizeazl1tcurent de scurtcircuit in circuitul colector - emitor. Pentru

a se

scurtcircuit, semnalele de eroare se transfer in timp minim direct etajului prefinal de comand. Circuitele integrate moderne pentru comanda tranzistoarelor IGBT returneaz, cu sepaare galvanic semnalul de eroare gi ctre microcalculatorul care comand convertorul, sau intregul proces' pentru contorizare gi decuplare definitiv dac abaterea apare de mai multe or n mod succesiv. Evident realizarea circuitului de comand in configura1ia prezentat este relativ dificil dar utilizarea tranzistoarelor IGBT nu se poate concpe frr circuite integrate de comand specializate' Acestea exist pe pia1, productorii de tranzistoare oferind circuitele de comand adecvate produselor lor.

exploata posibilitatea tranzistoarelor IGBT de

a elimina prin comand curen}ii

de

EtaJ de comanda finol

de

Supraveghere
temperatu^a

Figura 4.1o. Crcuit de comanda cu functii de protectie bazate pe senzori ntegrat'i. Schern b}oc.
Figura 4.11 pune n eviden1 un circuit de corrrand pentru tranzistoare IGBT la care semnalul aplicat n circuitul gril - emitor este pTelucrat de un ampliicator integrat 9i transferat n gril print-un etaj finat cu tranzistoare bipolare complementare. Se folosegte sursa dubl de tensiune continu pentru a menline negativat grila trenzistorului IGBT n timpul strii de blocare. Intre ie$irea etajului final si gril se aft o singur rezisten R6, constanta de timp a circuitului de comand fiind aceeasi att pentru procesul de saturare ct 9i pentru procesul de blocare, [21]. Formele de und care caracterizeaz evo|utria tensiunii gi curentului din gril in

52

cazul folosirii circuitului descris rtai sus, sunt prezentate prin Figura 4.12. Prin modificarea vlorii rezisten1ei R6 se poate ajusta durata,dc stabilire a regimului'quasista1ionar in circuitul d" gril qi prin aceasta optimiza in rrrad relativ comqta1ia tranzistorului.

uln

o_'-)

t\
L

i>

-tt

Fgura 4.1'I. Schema electronca de pr]-nc3-p]-u pentru circuit.ul de comanda aI unui Lrarlzistor IGBT.
Este foarte important s revenim mai detaliat asupra problemelor pe care le ridic reisten1a R6 din circuitul de gril al tranzistorului IGBT intnrct aeeasta influenteaz ntr-o msur hotrtoare procesele de comutatie direct gi invers. Figura 4.13 scoate in evidEn dependenla timpilor de comutafie de valoarea acestei rezistenle, [21]' Pentru optimizarea comutaiei tranistoarelor bipolare cu comand prin cmp s-au dezvoltat circuite de comand cu performanJe superioare n care _etajul final de comand este astfel conceput inct dou rezisten1e diferite, Rce respectiv Ru* impun independent constantele de timp de incrcare respectiv de descrcare a capacittrii gril - emitor' [20].
Crogterea valorii rezistentei Rop are drept consecin1e: pierderi mrite in tranzistor Ia satur"are, pieideri mrite la revenirea invers a diodi supreSoaie, pierd'i totaie e crmrtafe mrite, timp de stocare mrit la revenirea direct, viteza de varia1ie a tensiunii colector - emitor dv/dt redusi gi curent invers maxim diminuat in dioda supresoare. La alegerea valorii rezistenlei R5n trebuiegte gsit un compromis intre urmtoarele elemente:

llgcare

pierderile toale de comutaie direct admisilile n tranzistorul IGBT 9i pierdorile de in dioda supresoare;
_
:

- timpu1 maxim admisi6il de stocare la satgrare raportat la'cure'tul maxim comutat $i frecventa maxim de comuta1ie;

53

- curentul invers rnaxim n dioda supresoale g curcntul maxim comutat.

"t ULF
I

On

off
I
I
I I
I

On

i
I I

'ucr
I I

t
I

I
I

t-+

Vu=o
VLR
\

t.t
C (f

x (o
E

{t (F

C)

o E

Figura 4.L2 ' Tensiunea si curentul n circuit'ul grla- emtor aI trazstorului

IGBT

In cazul rezisten1ei R'6*,,nrirea valorii sale are drept rezultat urrhtafele cotsecintre relativ la procesul de blocare gi performanlele generale ale tranzistorului IGBT: cresc'pierderile de comuta1ie la blocare in tranzistor, cre$te tinput.de lntrziero la blocare, cre$te timpul de cdere, scade viteza de varia1ie a tensiunii colector - emitor, dv/dt, scad vrfurile de tertsiune

54 la blocare si, in sfr$it, cregte sensibilitatea la varia1ii tapide de tensiun9 a tranzistoJului blocat. elemente:

La dimensionarea valorii rezistentei Ro* va trebui gsit un compromis ntre urmtoarele

influenteaz curentul maxim comutat gi iecven}a maxim de lucnt;

- pierderile totale la blocarea tranzistorului $i intrzierea admisibil la blocare care

- supratensiunea maxim actmisibil la curentul maxim comutat' eventual scurtcircuit;
_

sensibilitatea admisibil la dv/dt.

{
I I

v1p- v1p: l5V

tuj:
y 1 -

25oC l25vC f
il

t1

'on

t oFf

tp sl
a o,3

4,1

'0,5

LO

30 50
R

rco

tal

Figura 4.13. Tnf luenta reZistentei dn circuLuI comanda asupra timpIor de comutatie.

-_=>

de

lnformativ se poate preciza c la,tranzistoarele IGBT actuale cataloagele recomand pentru cele dou rezisten1e valori cuprinse intre 3,3 s\ 27 ohm, dar nu mai mari dect 50 ohm. De asemenea se mai recomand ca rezisten|a R6* s nu depgeasc cu mai mult de 18 ohm
valoarea rezistenPi Ro..
indepeqdent proeesele de coryruta1ie direct 9i invers a tranzi$torului prin componente adecvat alese in circuitulde gri!, [21]. Figura 4.14 se refer la.un oircuit n cdre etajul prefinal este rea|izat cu un circuit amlificator integrat.iar etajul final sebazpaz, pe un circuit cu tranzistoare in contratimp.
:

In continuare se prezint cteva circuite de comand la care se pot

optimiza

55

Figura 4.14. Principul circutului comanda cu tranzistoare n contratimp.

de

.Varianta explicitat de Figura 4.I5 are un singur etaj care folosegte un citcuit integrat spocializat pentru comanda tranzistoarelor bipolare cu comand prin cmp.

4.15. Figura tranzistorului specializat.

Principul cu crcuiL

comenzii integrat

Cir.cuitul prezentat n Figura 4. 16 are din nou o configura1ie in dou etaje, pri.mul bazat pe un amplificatol integrat iar al doilea folosind tranzistoare complementare. o caracteristic

comun a tufuror circuitelor de comand indicate este aceea c folosesc, pentru fiecare tranzistor IGBT comanclat cte dou surse de tensiune gontinu flotante. Acest fapt se constituie

F
I

56
ca un dezavantaj, dac lum in considerare faptul c un converto modern poate avea un numr

relativ mare de ventile

Figura 4.L6. Prirrcp1ul circuitului comanda cu tranzistoare complementare.

de

n configura1ia sa. Pe de o parte aceste surse de tensiune pot apela la un singur transformator de inalt frecven1 cu un numr adccvat de secundare gi stabilizare,local.,Investilia este acceptabil dac se ia in considerae consumul de putere practic negIijabil al circuitelor de
comand propriu-zise.

I'

Figura 4.1-7. Principiul comenzi f;d'I surse de tensiune locale

t'

5'.1

din Figura 4.I7, I9], care are caracteristic faptul c tensiunea de alimentare necesar se ia chiar din circuitul de tensiune continu de alimentare a pdii electronice de putere n care
functioneaz tranzistorul'

Pe de alt parte, acolo unde acest lucru este posibil, se recomand circuitul de comand

consultarea documenta}iei oferite de productorii tranzistoarelor permanent gi oferta concret in domeniul circuitelor de comand.

Circuitele prezentate mai sus au un caracter principial. Pentru proiectare se recomand IGBT care modernizeaz

Informativ, Figura 4.18 eviden1iaz un caz concet in care etajul prefinal sebaz'eaz pe amplificatorul operational de uz general LM311 iar etajul ina] este realjzat cu circuitul integrat monolitic SGl644.

.-l L

Fgura 4.18. Exemp}u pracEic de circut de comanda.

Aga cum s_a prebizat.la.analiza schemei generale de corrtaild a tranzistorului bipolar cu comand prin cmp, IGBT, func1iortaea sa sigur este condi1ionat de detectarea la timp gi cu acurdtele a curelilorde scurtcircuit, n vederea eliminrii lor prin comand direct de blocare. In continuare se iau R considerarp cteva configuralli posibile pentru detectarea opdna a:acestor:puren}i de scurtcircuit. Est evident ca'sennalele de'reacfie astfel obinEte pot servi gi partnr scopuri de supraveghere gi reglare in condilii normale de funclionare, ln circuitul de comand ierarhic suporior, n acest scopfiind necemr'doar amplificarea gi transmiterea lor, cu luarea n considerare a separrii galvanice,

'

58

l.
I
I

I'ucc r

rt-

r-L tL rJ
I

l l

6UL LJ
I

r-=--L

iliffi;;;;l

':<

lnrEae

ri curenti1or de scurLcr.,'ii in'circutul intermediar de

Lensiune continua

deci in de tensiune continu re alimenteaz convertorul, de comand semnalul transfer tranzistor de intrare. Circuitul prefinal de comand al fiecarui gseqte intre

*ptu*uri.'

al supracurenlilor' circuitul din Figura 4.19 contine un singur punct de supraveghere circuitul

J;;i;i';"i

de intrare in convertor se ctre etajul final numai in corrdiiile in care curentul nu asigur dect o protecie relativ a ins limite admisibile. Principiul este simplu, economic din circuitul sursei nu este evidenliat' ventilelor semiconductoare. originea supracurenfilor cu tranzistoare IGBT' in gama de puteri Solutria propus se poate folosi cu succes la "oon.riouru

mici.

punctelor_de-msur se face in circuitul In cazul var'iantei din F'igur 4*20 amplasarea ir"lucraiea celor dou semnale de reac1ie se face de iegire al convertorului electron]c de putere. din cele dou semnale de reactie de curent asemntor ca 9i n cazul circuitului anterior. Fiecare circuitul de comand al fiecarui tranzistor trebuie s se gseasc intre limitele admisibile 9i qpesJe s'mnale' Daq sarcina^este legat in IQBT al conYertorului t."uoi" s ia n considerare

cuprivite"la curen1ii din toate'fazele sarcinii stea, fr conexiune o" nuraetine* informa1ie care provin in urrn defectfuii unui dispozitiv rfifazate. Nu se iau in considerarg supracurenii sesileaz eveiluale scurtcrcuite pe bra; rezultate semicoqductor de putere. De asernenea nu se n'urma rmor Zgomote p p'_i'"; **"d iresit. Acea{t comand gregit poate,p'$or apare p"'"met'i irporeci folosii 'la calculul 'senrnalului linia de transmitere a impulsurilor *uu prin limitri principiut de identificare PWM de modulare iqJui'te a impulsuriior., Din "awaac"slol medie: 4.2b este folosit doar la convertoarele cu putere instalat al supracuren1ilor din

6';

59

Clrcult

de com6nd6

Fgura 4,2a. Prncpiul detectarii curentlor de scurtcircuit pe partea sarcinii.

o variant de identificare optim a supracurentilor in vederea protejrii tranzistoarelor IGBT, aplicabil la toate tipurile de gonvertoare, inclusiv cele de putere mare, se prezint n Figura 4.ZL,In acest caz se amplaseazpuncte de'msur a curentului in circuiful colector emitor al fiecarui tranzistor.

Principiu1 dentifcarii Fgura 4.2l. curt'It'i1or de scurtcircut Ia f ecar ttanzlstor n parte

60

prefinal de comand

Laputeimaritoatesemnaleledereactiedecurent.sunt.}yteinconsiderareinetajul poate opea in circuitul

'-11: curent numai cu reaclia de fiecrui trarrz.istor de putere IGBT

a ii"'u*i

tranzistor' L"

nryJ

:l.T*:: proprle'

---T=i
I

^-

r--$-+ i l-

+?r
= saturate
I

bi r--h--u.t

'.=J

identf cari'i Principul nri Figura 4 .22. scurtcircuit r'*--n valoarea curentilor de tl^arrzistoarelor a tensiuni colecLor-emitor
-

de reacte' prelucrare suplimentar a semnaleior In toate cazurile este binevenit o de gi sistemului *io'*uriu rezu'ltat fiind returnal principial bazat pe o ,"gi"a- i'p snu, pia1 existen1a;pe ins este costisitoare' Aparent comand 5i reglare i"ruii" superi,or. '"iri" curent cu separare galvanic infirm de traductoare de a unei oferte foarte Iargi in materie
aceast

poate apela considerat suficient atunci se acestui saturat' Un circuit care corespunde tensiunii colector - .rniio, u truaoirto*iui n care circuitul cazul in se outin in special este indicat in Figura +.ii.-n""Jr"r: :"t1sT"F;ie gi returnarea cu sepaare

'oJliu;,o,",area fiecrui tranzistor impotriva

-Wi:::11l:i::':::"::.*i:::.H::l: r"*a'"'-e indirect de curent prin intermediul principiu

de supravegher.,

acesta galvanic a semnalulu de erare, dac

pr.,'n'o p'in''p*r

9i

in Figura 4'10' permite

'^-', e1plicitat

p'i:i ::."^:"u ultim problem mai trebuiegte sau s produc convetoare de experimenteze s'i proiectezg dor"r. s adevrat util celor trarzistoarele "u," impulsurilor !i;**i ca dispozitiv semicont1uctor a ca1cc cu modularo in durat a extrem 4p- irrrportanta Este voroa ae'ctp$1une1 bipolare cu comand prin crnp, .IGBT.. dt iupiatensiuni1or mpotriva gi'" protejrii dispozitivetr semiconductoare "o""'uo^b'sunt inerente in orice converto] supratensiuni Aceste externe. comutajie 9i u ,up,ut.,,,iunilor
o

ctre sistemul de reglare al convertorului' capitol s devin cu

6I deoarece

nici cu cea mai ngrijit proiectare a circuitului inductivit}ile parazite, LP.

nu se pot elirnina

complet

i,dl
a l-.'

Fgura 4.23. CircrrL de proLect'e ndividua1a pentru tranzistoare TGBT.

circuite care trebuiesc utilizate in parte, pentru fiecare dispozitiv semiconductor al unui convertor. Figura 4.23.a se refer la variantele foarte simple cu glup RC de protectie, cu diode Zener de putere, respectiv o configura1ie combinat cu grup RC asociat, n paralel, cu dioda 4.z3.b, l7l''
stabilizatoare de putere. Un circuit superior, b'azat pe o etrea RCD este evidcn1iat de Figura Valoarea capaeit1ii condensatorului de protec1ie se poate determina cu formula:

Fi9ura

.?3 ptezint cteva circuite de proteclie individual impotriva supratensiunilor,

cs>i cM/ (dvcE/ dt)

(4.3)

62

Pentlu valoarea rezistentrei R* din circuitui de proteciie'se pot folosi expresiile:

vcF/ rcRr4<Rssttgrin/ (4.

cs) (4.4)

Puterea disipal de rezistorul din circuitul de proteclie se stabile$te cu expresia

urmtoare:

P*-"=0.5. C" (v")2. f o

(4.s)

Semnificatia mrimilor care au intervenit in formulele de mai sus este: curentul de colector maxim n regim de func}ionare normal; lcu panta de cre$tere admisibil pentru tensiunea colector - emitor a,blocarea dv.r/dt tranzistorului; tensiunea colector - emitor inainte tle saturarea tranzistorului IGBT; Ycs curentul de colector de virf periodic, maxim admisibil; b*t convertorului;
fo

min

durata minim

a tensiunii gril - emitor, la

func1ionare normal a

frecventa maxim cle lucru a tranzistorului'

.

Dioda D, trebuiegte s fie o diod rapid sau de comutalie

Pierderile de putere in acest circuit de protec}ie sunt relativ ridicate ca valoare g cresc in mod smnificativ cu cre$terea frecventei de lucru a tranzistoare}or din convertor. Din acest motiv acest circuit de protec1ie se utilizeaz in conveltparele cu un numr redus de tranzistoare de putere. La circuitele n punte trifazat folosirea acestui ciruit este posibil, a$a cum rezult gi din Figura 4.24, dar se recomand numai pentu convertoarele cu putere instalat mic, destinate a funcliona la frecvenle de lucru relativ reduse,

impotriva supratensiunlor de comutalie gi din refeaua de alinrentare.

Pentru convertoaele care operelz pe baza tehnicii de modulare n durat a impulsurilor, cu firn4ii de comparaie de inalt frecven1, se recomand alte circuite de protectie
Figura '{.25 prezint un circuit de protec1ie impotriva supratensiunilor, adecvat convertoarelof n punts ttifazat cu IGBT, care func}ioneaz ptin modulare n duratl a impulsurilor. Protectia se face cu relele RCD comune pentru un bral al convertorului. Valoafea capacitii condensatorului din circuitul de protoctre se calculeaz cu expresia:

cB>-{i3.Lp) / t (/c3-r) v3")

(4 .6)

63

Figura 4'.24. Ap1carea protectei indivduale tranzistoarele TGBT ale unui convertor in punte.
Dimensionarea rezistenlei de protec1ie' este posibil cu formula:

1a

Rr=r/ (4 ' f a. cB)

(4.7)

Puterea disipat de rezisten1 de protecJie va fi:

'
semnificalie:

Pvnr=a.5. Cs. {k3-t! .vj".

t"

(4. B)

Mrimile care intervin n expresiile de dimensional

prezntate

mai sus au urmtoarea

id LP

- valoarea maxim a curentului corttinuu comutat;

- inductivitateaparazit a circuitului cuprins intre sursa de ten$iune continu gi nodul corespunztor bragului convertorului ;

64

V".
ku

tensiunea continu din circuitul intermediar; supratensiunea admisibi}, corespunde raportului vcEM/vcc admisibil
;

vcsv
fo

tensiunea colector - emitor maxim admisibil la blocarea tranzi.storului; frecven1a maxim de repetare a procesului de blocare a tranzistonrlui.

Dioda D" trebuiegte s te o diod rapid sau de comuta1ie.

.{l

1.

f J
r
ir

{:

:i

r
r'

Figura 4.25. Princj-piul protectiej- tranzistoarelor IGBT cu grup RCD pe brat.

Pierderile in canrl folosirii acestui circuit de protectrie sunt sensibil reduse fa1 de cazul circuitului prezentat n Figura 4.24. De aceea configura1ia desgris in Figura 4 .25 se recomand in cazul convertoarelor cu IGBT cu putere instalat mare. In cazul schiparnol|te}or cu trarzistoare bipolare cu coilrand prin cmp, cu putere instalat medie gi cu circuit n punte ttfazat se poate folosi cu succes gi circuitul de protectrie comun prezentat n Figura 4.26. Dimensionarea elementelor componente se poate face asemntor cazului studiat mai sus. In fine, n cuul puterilor mici se recomand un circuit simplu indicat n Figura 4.27 . Efeetul inductivit1ilor parazite de pe fiecare bra1 este controlat local cu condensatoarele Co. Un singur grup RCD este folosit pentru controlul supratensiunilor generate de inductivitatea parazit din circuitul sursei de curnf teontiiruu'

65

Fgura 4.26. Principul protectei tranzistoarelor

cu grup RCD
comun.

Exist o documenlatie tehnic relativ bogat in domeniul circuitelor cu tranzistoare bipolare cu comand prin cmp, IGBT' Aceasta se refer att la caracteristici func1iorrale, principii de comand 9i protec1ie specifice ct gi la o serie de aplica1ii concrete in cele mai diverse domenii ale electronicii de putere, t22l, z3|, 24],I25], rzq.

Figura 4.27. Princpul protecLiei distribuite tranzsLoare1or dintr-un convertor tri-f azat.
-

66

Cele prezentate n acest capitol se constituie n acest context, intr-un minimum de irrfurmaie, suiicient ins utilizatorilor sau prezumtivilor utilizatori pentru a aplica cu succes aceste dispozitive semiconductoare performante in circuitele electronice de putere.
.

t.
Y *

67

s.MODTILAREA IN DI'RATA A IMPULS-I]RILOR, MDI, TEHNICA DE COMANDA A CONVERTOARELOR ELECTRONICE DE P'I.ITERE MODERT{E.

proiectate pentru

locale de energie electric cfeate cu ajutorul convertoarelor electronice de putere. S-ar inti intr-un.cerc'vicios, neproductiv gi extrem de costisitor in care orice modernizare in electronic de putere ar atrage un proces de reproiectare in alte domeni ca: ma5inile electrice, electrotermie; iluminat electric, electrochimie, etc. Fac exceptie de la consicleraliunile de mai sus acele aplicatrii speciale n care procesul tehnologic cere performan}e care nu pot fi satisfcute cu elementele de execufie electrice din produc1ia de serie. Se pot men1iona aici aplica1ii speciale cum' ar fi: ac1ionarea direct a brogelor la magini de rectificat, ac}ionafea direct a frezelor dentre' actionarea direct Ia ma$ini de echilibrat, cuptoare 9i instala1ii d tratament termic de inalt frecvenf, instala$i speciale de galvanizare, etc. Func1ia de conversie a formei energiei electrice este ins ndeplinit de ctre convertoarele electronice de putre cu ajutorul diipozitivetor semiconductoare specifice are luoreaz in regim de comutatrie, in cazul majc'ritii absolute a aplica}iilor' In aceste condi1ii generara unor re}ele locale de energie electric caracterizate prin parametti de natur'electri constani sau cu legi de variatie descrise prin func|ii continue gi netede cle timp constituie intradevr o problem important si totodat dificil' Electronica de putere, in chiar fazele sa]e de nceput|a gsit rspunsul adecvat aeestei probleme, bazat pe folosirea convertoarelr cu mai multe nivele de tedtibne,la iegirb'respectiv, bazat'pe aplicarea metodei de comand prin modulare in durat a implsurlor, MDI. Acest principiu de comand este cunoscut hr literaura tehnic de specialitate de limba engle sub numle de "putse Width Modulatidn-, PWM, n rro" relativ incet1enit 9i la,'noi. ' , Proiectarea 'gi realizarea convertoarelor electronice de putere 'cu dispoziiive semiconductoare crre perr'niteau dohr frecven1c ' modeste de comutafle a liinitat' ins performa{ele realizate prin apliearoe metodei de comand cu modulare 'in durat a impulsurilor. Folosirea tehnicilor de modulare bipozdional'sau tripozi1ional, asociat cq strategii, relativ dificil de implementat de sinconizare intre funclia de modulare gi cea de comparare, {27|, au imbunt1it ?Htr-o oarecare msur calilatea energiei electrice' fiipnizate la iegirea convertoruluill.{u'mru1 redus de pulsuri de tensiune la iegire afecta in mod.seninificativ ' gi investi1ia in filtrul de iegire care n putea fi exploatat totjeauna in mod e'ficient in tot

cQnvenionale de energie electric, ( re1ele de curent continuu' de curent alternativ monofazat sau de curent alternativ trifazat ): Este complet lipsit de sens a pune problema fept'oiectrii echipamentelor de utilizare'a energiei electrice pentru condi1ii specifice alimentrii de la re1ele

Utilizatorii convertoarelor electronice de putere dispun de echipamente electrice a funcfiona la parametri optimi in condi1iile alimentfii de la reJele

68

domeniul de lucru. Apariiia tranzistoarelor de putere,

MosFET gi cu deosebire IGBT ) a lrgit in mod spectaculos aria de aplicare a metodei de conrand prin modulare in durat a impulsurir, MDI. In literatura tehnic de specialitate n limba romn lucrarea [11] abordeaz
(

bipolare ,

l,
I
I

l.

prblematica convertoarelor moderne cu comand MDI, care beneficiaz gi de avantajele oferite de cele oferite de dispozitivele semiconductoare de putere capabile a lucra in inalta frecven1 9i MDI comenzii de sisiemele de reglgre $i de comandi discrete cu microprocesoare' Folosirea cu electric permite convertoarelor electronice de putere s geneIeze relele locde de energie disponibil performanle foarte apropiate de cele ale surselor ciasice, in conditiile in care devine putere ii un graO superior de reglabilitate la iegire. Asociat cu aceasta, convertorul electronic de ct al consumatorului cu vor poate avea gi o comportare ecologic att din punctul de vedere curent de energetic 9i din cel al re1elei de alimentare care rmne, in mod evident, sistemul alternativ. Metoda de comand prin modulare in durat a impulsurilor' MDI, se aplic in prezent la toate categoriile de convertoare electronice de putere, inclusiv convertoarele de calcc cu comutaie prprie ciue constituie obiectul acestei lucrri. Din acest moiv prezentul capitol va fi destinat uni analize ct mai actuale privind performantele, modul de aplicare 9i tendinple de dezvoltare n acest domeniu. Se va presupune 9 convertorul are configura}ia de punte trifazatrealizat cu ventile de tensiune alctuite din tranzistoare'de putero, (bipolare, MosFET sau IGBT) prevzute cu diode de curent invers' Aceast configuraile are rspndirea cea mai larg, att in cazui redresoarelor cu comutatie proprie ct gi n cazul inYertoarelor. De altfel es1! bine s precizm chiar aici c din motive legatq de motxinerea perqanent a punctului de func1ionare 1 tranzistoarelor de putere in cadrul restrns al ariei de func1iorrare sigur toate convertoarele realizate cu aceste dispozitive semiconductoare sunt convertoae de 1ensiune. Nu este posibil realizarea irnor convertqare de curent, bazate pe ventile de out, n mod asemntor circuitelor cu tiristoare fr diode supresoare' ins folosind tranzistoarele. AEa cum se va'preciza la sfrgitul acesrui capitol 9i exemplifica in capitolul urmtor, acest fapt nu se constiruie ca urr dezavantaj deoarecs comanda prin modulare. in durat, MDI, permite gi 'surs de curent. implemennrea inYertoarelor de tensiune cu tranzistoa, cu caracter de

Nu ne vom referi Separat la particularitile comenzii prin modulare in durat a impulsurilor, MDI, in cazul convertoarelor de cclcc. Aceast situatie este intr_adevfu speciic

gi onvertoarelor de caloc in configura1ia redresor neqoma$dat asociat cu circuit aval de reglare gsi ns in a tnsiunii.5i de corectare a factorului de putere, t28]. o serie de clasifieri se pot

ca [27), iar metoda dg generare a semnalelor de comand'este relativ simpl' conslituindu'se in continuare. fi expuse celor ce vor paticula al un caz Pentru analiza metodelor de comandil prin modulare in durat a impulsurilor; MDI; vom lua n considerare un model simplificat al convertonrlui trifazat''in punte,care este prezgntat in Figura 5.1,a. Convertorul este realizatcu ventile de tensiune, conform cu precizrile de mai sus, Deocamdat qu vom defini o intrare, respectiv o iegre pentru acest circuit deoarece numai aplica;ia specific, in domeniul redresoarelor sau invertoarelor permito.acest lucru. Pe partea

de curent continuu se gsegte o surs de tensiune pontinu de valoare Uo iar pe partea de curent alternativ un sistem de bobine de reactan cupleaz convertorul la re1eaua de ca, ('bobinele pot lipsi dac reeaua are caracter inductiv, lucru valabil ta apliea1ii de tip invertor). Indiferent de strategia de comand a ventilelor conyertorlului, fazorul tensiunii de' pe. paea de curent atternati nu poate ocupa dect 8 pozi1ii raportat la cercul din Figura;5't'b' Dinrre aoest 8

sunt distincte, tripletele alturate pozi1"iilor ptabile erplicitnd starea iispozitivel'r gemiconductoare din ventilele de tensiune de pe fiecare bra1'al couvutoruli. Cu 1 s-a marct situa}ia in care conduce un ventil numit ''superior" 9i conectat la bar L*, respectiv

pozitii numai

'

69 cu 0 situa1a cnd conduce un ventil nmit ''inferior'' gi conectat la bar L . ordinea cifrelor din fiecare triplet corespunde celor trei bra1e ale conveoruli, considerate de la stnga la dreapta. Fazorul tensiunii de pe prrteade curent alternativ al convertorului este 0 numi dac toate ventilele superioare, respectiv inferioare conduc. Evident tensiunea dintre nodurile a, b, respectiv c va fi totdeauna dreptunghiular. ordinea in care se parcurg punctele de pe'cerc de ctre'fazorul de tensiune poate fi absolt arbitrar.

L1

L2 L3

,Re.

MO

l0l
P

,r'

lll

-/'/

000\
aat

in Figura 5.1. Cofivertorul- trifazat punte 'si orentar1e posibi1e pentru f azorul tensiunii u.r ,
l

Pentru ca acest convertor electronic cle putere s satisfac celor mai pretenlioase aplicaiii de conversie calcc sau cclca este de dorit ca fazorul tensiunii de pe partea de curent
alternativ s fie condus , cu viteza constant in regirir sta}ionar,'char pe cercul delimitat de cele 6 puncte stabile de tensiune nenul. n acest caz tensiunea pe pafiea de curent alternativ a convertorului va fi sinusoidal. Cu mijloaceie actuale de care dispune electronica de putere acest lucru nu este posibil. Comanda prin modulare n durat a impulsurilor are drept scop s asigure fazorului aoestei tensiuni o traictorie ct mai apropiat de acest ierc, cu folosira la ri"raximum a performantrelor oferite de ctre dispozitivele seniiconductoae moderne. In concordanf cu cele prezentate in eapitolul 2, fazoiu! tensiunii de pe partea de curent alternativ convefiorului din Figura 5.1 va'fi:

gs ( t) =u"o ( t) +i u"u ( t)

_2 I u,, ( t) +au,r( t) ta7u"" ( t)

3

5.1

r
70

In fiecare ciclu de functrionare cu durat de o perioad T, la frecvenla de lucru f = sflg stabile' 1/T, acest fazor parcurge complet gr o singur dat cercul care contine Poziiile va covetorul stabile, pozifii|e succesiv mod in urmnd face se p21'"u'ge.. Dac aceast

poate produce p. pu.t"u de curent alternativ o tensiune dreptunghiular nemodulat. Perioada T fi constant sau variabil in func1ie de aplica1ie. Comanda prin modulare in durat, a impulsurilor presupune dividerea ciclului de pentru conducerea func1ionare de durat T n subintervale de durat constant To. In acest fel

fazorului tensiunii pe o traiectorie ct mai apropiat de cea n form'de cerc ventilele din convertor vor funcfiona in cicluri de frecven constant fo:

-D

f=L fr
-

tp

(5.2)

Intruct durata subintervalelor To este constant aceast metod de modulare se va numi sincron. Pe parcursul acestor subintervale fazorul tensiunii va ocupa pozitii binedefinite,

evident alese dintre cele

binedefinite, astfel inct valoarea medie a fazorului tensiunii dreptunghiulare rezultante s fie egal tocmai cu va1oarea medie a fazorului tensiuiril sinusoidale corespunztoare pentru acela$i subinterval de timp Tr, 29|, :

posibile pe cercul traiectorie, pentru intervale de timp tot

U'r,

*^"n(at -p
-

(s.3)

Cu ct subintervalele vor fi mai scurte, cu att mul1imea valorilor medii ale tensiunii pe duratele va aproxima mai bine forma de undi sjnusoidal' In mod aparent fazorul tensiunii succesve pe partea de curent alternativ a convertrului v fi cdndus pe cercul care con}ine cele 6 valori vor fi mai scurte cu att va cregte 9i de tensiune practic realizabile. Cu ct subintervalele gi energia pierdut n convefior' in mod corespunztor pe timp de unitatea comuta1ii de numrul Deci va trebui gsit un echilibru ntre gradul de aproximare al traiectoriei circulare pentru fazorul de ter.lsiune gi pierderile de ln mod practic conducerea fazorului conform principiului descris mai sus mplic determinarea in fiecare subinterval a strilor de conduc1ie pgntru toate cele ventile din configura1ia conveitorului. In acest scop se genereaz un serrnal triunghiular bipolar simetric cu amplitudine unitar 9i cu perioad egal cu durata To a ciclurilor MDI. Acest semnal, numit funclie de comparare, c(t) se folosegte pentru determilarea strilor de conduc1ie pentru toate cele trei bre ale convertorului electronic de putere, In cazul modula'ie sinusoid4le un sistem tfzatsinusoidal simetric de semnale,'cu amplitudine gi frecven1 variabil se constituie in cole

comutalie

trei func1ii de modulare, m(t), cae compaatg. cu c(t) vor stabili in mod univoc strile de

conductie a tuturor ventilelor din convertor' In intervalele de timp' n care firnc1ia de modulare corespunztoare unei faze este mai mare dect functria de comparare trebuiegte s fie conectat ventilul superior pentru ca tensiunea pe partea de curent alternativ s fie pozitiv respectiv, n intervalele de timp in care functria de modulare este mai mic dect funcia de comparare trebuie$te s fie conectat ventilul inferior pentfu ca tensiuilea pe partea de curent alternativ a

7t
bra1ului s devin itgativ. Amptitudinea fuirc1iei de modulare va imprrne valoarea efctiv a tensiuni* alternative lenerte cu ajutorul impulsurilor de tensiune continu'constant de valoare +lJd/2, respectiv; -Uo/2. Frecveflla functiei de modulare va impune frecvenla aceleia6i tensiuni alternative."Rezumnd, tensiunea pe patea de curnti altemativ a unui bra va fi:

u(r)

rlir:"2

daca daca
i'l. i]

n(t) n(t)
-'

> c( E) < c(t)

(5.4)

In cele expus mai sus pecum gi n ecua1ia 5.4 tensinil continue s-au preSrlpus'rrlftb fa :' de punctul M din Figura

5.1.

l_

tT^lll
utr)

tr
F .J
I

,ud

Figura 5.2. Principiul modulatie naturale.

1

Exemplificat pe un braf de convertor, pentru cteva ciclun de func1ionare, Figura 5.2 prezint modul de aplicare a] comenzii prin MDI sincrone in cazulin care func1iile de modulare sunt sinusoidale. Este indicat modul de determinare al punctelor de comutalie giiunda de tensiune rezultant. Acest caz poart numele de modulatrie sinusoidal.natural, {'l'l]. Ea se poate implementa cu circuite de prelucrare continu a semrralelor dar metoda este costistoare,

77
depgit rnoral' Implem'entarea relativ rrnprecis - in special in'.regim.tranzitoriu 6in practic, MDl discrete se love$te de diioult}i metodei de modula1ie naturau in sistemele de comandi

se prezint detaliat in [l1l' sunt date legate de stabilirea punctelor de comutale care, a5a orni dJecualii transcendente, imposibil de solulionat in timp real' cu circuite de comand convertoarele electronice de putere moderne sunt prevZute comand 9i reglare a de cliscrete care func1ionea subordonat unor sisteme complexe discrete'bazarc pe sisteme lor rndul reglare sunt la |roceselor. Aceste ,i.te*" de comand 9i discrete procesoare proces, de calculatoare de proces, calculatoart personale; microcontrolere de magistral are o convertorului al de semnal, transputere' etc. Sistemul de comand discret

'

la intrare care este comun cu magistrala de date a sistemului de reglare discret a procesului. o bun ftlnc1ionare a comenzii MDI impune citirea la fiecare inceput de ciclu sau
date

de semiciclu a datelor referitoare la fazonrl tensiunii ce trebuiegle generat pe partea de curent alternativ a convertorului. Aceste date pot fi sub forma componentelor fazorului intr-un sistem ix de coordonate trifazate, a_b-c, ortogonale, d_q sau chiar in coordonatepolare. Important este ca ele s fie.reactualizate pentru fiecare ciclu MDI in parte, n caz contrar sistemul de comand discret al convertorului reproducnd pentru inc un subinterval To fazorul generat in ciclul anterior. Pe baza datelor primite de la sistemul de comand gi reglare al procesului, circuitul de comand discret al convertorului va trebui s determine momentele de comutare a ventilelor, fcndu-se apel la expresii matematice solu1ionabile in timp real. In acest scop sunt necesare tehnici de modulalie superioare modulaliei naturale.

it tl tl tt

ltl lll ltl ltt lrl lrl

Ej-gura

esant ionare

5.3

.'un f ortna

Prineipul
.

modu1ate

73

Trei variante de modulaie MDI vor fi:analizate in continuare.Figura 5'3 scoate in eviden canrl modulaliei sinusoitlale prin eEantionare uniform. Si^n acest caz se iau,in considerare nunai cteva subintervale de funcfionare pentru rrn braf de convertor: Aga''oum reanlt din figur, valoarea func1iei de modulare de la inceputul subintervalulu se mentrine pe toat.durata,To, aceast valoare constant ''comparndu-se" cu functria de comparare, c(t). Practic punctele de comutalie se stabilesc prin calcul, cu.expresii suficient ds simple, [{lJ; pbntru a fi posibil comanda MDI in timp real. Dezavantajele modulafiei sinusoidale prin e$antionare uniform constau in abaterile relativ mari fa1 de modulafia natural oi distributia nesimetric,a duratei'de conectare T" n interioru} subintervalului To: Pentru a se eliminaicele dou,aspecte negativo men}ionate se utilizeaipe scar larg mbtoda de egantionare uniform asimetric, explicitat prin Figrna 5.4. In acest c22 func1ia'de modularo'se menline contant pentru fiecare jumtate de subinterval To. Ca urmare aprximarea'funptriei'de modulare'oontinue are loc n condi}ii superioare 9i impulsurile de tensiune pozitiv pe patea de cufnt alternativ a bralrdui sunt mai bine centrate in interiorul subintervalului. Calculul ana'litic al punctelor de comutaie nu prezint dificultti deosebite, t11]' o comand MDI cu peformanle superioare reclam ns ln acest caz o vite de lucru drl din partea sistemului de reglare al procesului care trebuie s furnizeze valorile fazorului de tensiune peRtru fiec jumtate de subinterval
Te.
m(l)

'

mtt)

c{t)

t*
1

l1l lgt l1l l1l l;t l| lt

t) t
"ud

Fgura

esarlLionare uniform asmetrca.

.4

Princpiul

modulati_ei prin

74

Caracteristic pentru metodele de modulalie sinusoidal prin egantionare uniform 9i prin geneate pe egantionare uniform asimetric este acea c fundamentala undelor de tensiune de rnodulare funqiilor in urma defazat fi parteade curmt altcrnativ a bra1elor convetorului'va convers1a'de in deci invertor, tip de aplica1iile In naturale. ionr;inue folosite n cazul modula1iei cclca, in marea majoritate a cazurilor acest:defazaj nu are no,un fel de consecinte nedorite, deci'prez.onla sa poae fi neglijat. Problema se pwre cu totul altfel ln aplica1iile de tip redrcsor, deciln conversia de calc*, unde,at criteriile de func1ionate.ocologic ct $i sigurana in func1ionare a convertorului imprur' o sincronizare perfect cu reeaua de curent alternativ $i'un contiol riguros al fazei fazorului tensiunii de pe partea de curent alternativ al convertorului apotat t1pa fazorului teosiunii retrelei de ca. Ca urnure in acest domeniu este recomarrdat o alt variant de modul4ie care se preteaz mai bine la func1ionarea sincronizat a unui convertor electronic de putere comandat prin MDI. Figura 5.5 prezint acest tip de modula1ie numit modulafie prin egantionare unifqrm asirnetric optimal, [30]' [3u' [32]' Caracteristic pentru aceast metod de modula$e este fapnrl c func1ia de modulare egantionat este'cnstant iot pe durata unei jumt1i de subinterval To. Valoarea func1iei, de modulare egantionate nu va

corspunde ns cu valoarea func1iei de modulare continue,'de la ncepurul ciclului de functionare, ca gi in cazul variantelor anterior prezentate. Ea va fi acum egal chiar cu valoarea medie a func1iei de modulare continue calculat corespunztor jumtlii respective de
subinterval To.

ctr | m(t) .l

m(t)

uril

{ +ud

Figura 5.5.

esantionare uniform asimetrica optimala.

Princpu1 modulatiei prin

t'

75 Inainte de a ncheia discu1ia referitoare la metodele optirrre de egantiot&c a fuirc1iilor de,mdulare, m(t), se rirai impune urmtoarea obsewa1ie futrportant.-t a convfttBle modifie comandate prin modulare in durat a impulsurilor, MD[, funcia 'de comparre, c(t), are o

perioad foarte redus in raport cu cea mai mic durat, T, a ciclului de func1ionare a convertorului. Ca urmare nu mai are nici un sens sincronizarea funcliei de comparare cu nici una dintre funcliile de modulare. Aceasta se traduce printr-un deosebit avantaj legat de eliminarea unor eforturi tehnologice gi de programare deosebite.

4l
u-(1) +5

(J/

OA
,IM

w-fi)
o

p- tg

Fgura 5.6. Traectoria fazoruIui tensunii s f]-uxului converLorului' pentru p = ]-8.

Prin alegerea celei mai bune metode de e$antionare a funcliilor de modulare pentru o aplica1ie dat nu s-au rezolvat ins in mod automat toate problemele complexe ridicate de decizie asupia formei comanda MDI sincron a convertoarelor electronice de putere. funcliilor de modulare se impune de asemenea. Acest lucru este ns posibil numai dac vom analiza originea defonnrii curentului pe partea de curent alternativ aconvertorului. Aga cum s-a menionat deja, fazorul tensiunii alternative generate nu va putea fi condus niciodat cu viteza constant pe o traiectorie in form de eelc. Figura 5.6 arat cazul particular du'utu subintervalelor To s-a ales astfel ca o perioad T a tensiunii altemative pioduse de "nd ctre convertor s con1in l8 cicluri MDI' Fazorul tensiunii alternative u(t) nu se va roti pe

76

cerc, da, tggrotic, va ur,ma traiectoria poligonului cu 18 laturi, care aproximeaz foarte bine cercgl. Fazsrubi g{t), numit,in continuare "fazorul tensiunii convertorului"i i se poate asocia un alt fazor, {!(0, [30],,[3U, [32], definit prin expresia: ,.

V.(t)

fu.(r)dt

:.

(5.s)

numit 'fazorul fluxului convertorului'. Dac fazorul tensiunii convertorului s-ar roti cu viteza unglriular constant pe o traiectorie in form de cerc atunci 9i fazoruI fluxului mnvertorului s-ar roti, tot cu viteza ungliular constant' pe acela5i cerc. [n acest caz convertorul nu ar fi o surs de regim deformarrt. Notnd cu indicele ''i" fazorul fluxului convertorului pentru cazul ideal al traiectoriei circulare, ![ri(t), diferena celor dou fluxuri conduce !a un ''fazor al fluxului detbrmant'', v"(t), care este proporlional cu fazorul i"() al curentului ''deformant", conform ecualiei urmtoare:
9i

E-() =1,*jn(t) =L(L) -Vi(L)

(s.6)

Tr

de

aiector'ia lazor'ului fluxului

nef

erlnta a convertor'ului
l.f v(t)

..r

i !JvLft)
\

Lp5 p (t) :-..*

\
\

Figura

fazoruIuj_ fluxuIu dformant.

5.1

. Explicativa

privind. definrea

7',7

Definirea fazorului fluxului deformant gi at curentului defortnant s-a facut cu referire lf nrodelul convertorului n punte comandat prin MDI indicat de Figura 5:1. EVident c in cazul convertorului ideal comarrdat cu un numr infinit mare de pulsuri MDI, curentul va fi sinusoidal ntruct fazorul fluxului convertorului coincide cu fazorul fluxului convertorului ideal 9i deci fazorul fluxului deformant va fi zero. Dac fazorul'luxului convertorului este condus cu vitez cotlstant pe o traectorie poligonal cu un numr suficient de mare de laturi, vor apare doar diferen1e de modul fa1 de fazorul fluxului convertorului ideal, cei doi fazori rotindu-se sincron. Ca urmare deformarea curentului pe patea de altemativ a couvertonrlui va avea valori relativ
ponderate.
situatr'ia in realitat este ns rntlt mal cortrplf:'Indifererit de durata subiiitervalelor To, fazrul fluxulu convertorului' v"(): nu se Va deplbsa pe traiectotia poligonal a fazorului fluxuli de referil al cotvertoru1ui,:{*(). Aceasta este o consecin1 h faptulut' pe de o parte exist nuni 6 difclii posibile petr fazoiuI tensiunii convertorului gi pe de alt parte h'interiorul fiecrui subinterval: fazoru7 tenshmii convertorului nu se rote5te continuu ci, aga Ctltll:S- mai precizat, ia valori binedefinite pehtru intervale de timp binedefinite astfet c riumai valo-re' sa firedie Va fi cea impus. Din aceste'motib, aga cum rezult 9i din Figura 5.7 apare l: ' :i"l un flux defoimant, ,r"(t), a crui valoare este dt de

exiiiesia:

'i

Y-(t)

E=() _ V--P(t)

(s.7)

,.i:,.

Acest flux deformant este responsabil de distorsiuniIe curentului pe partea de alternatv a convertorul comandat prin MDI. Conform figurii 5.7 fazorul fluxului deformant s poate descompune n urmtoarele dou componenle:

Y-(t)

Y,a(L)

+ Y,., (r)

(s.8)

Componenta longitudinal a fazorului fluxului deformant, ,P"tr(t), este orientat de-a lungul traiectoriei fazorului fluxului de reft*rin1. Aceast componentigi are originea in principal in faptul c pe durata strilor de tensiune riul fazorul fluxului convertontlui nir se rote$te. Componenta transversal a fazorulqi fluxului deformant, v"-(0, este orientat perpendicular pe traiectoria fazorului fluxului de referin1. Ea rezult in urma faptului c fazorul tensiunii ' convertorului poate ocupa in realitate doar 6 pozilii distincte pe cercul traiectorie. Defini1iilg 3e mai sus sunt de o mare importani la studiul performan1elor 9i

affin_c-old sctn ri aiGnsiuiid:lctromotoare sau con'ine tensiuni electromotoare cu varia1ie sinusoidal in fruic1ie de tirnp. Evident gi n acest din urm caz calitaea energiei oleotrise fumizme Sarcinii de ca trebuie s satsfac 9i cloi riiai swte criterii de'prforman1, j' ragimul deformant trebuind a fi eliminat n cea mai mare msur Putem,acum reveni la problema alegerii optime a forrhei funcliilor de modutafe, [30]. Se pot adopta dou driterii de comparare: gt'adul de'distoniune al curen1ilo pecific metodei de modulare 9i gradul posibil de:exploatare a tensirltiii continue prin opareala adncimi de rnodulare ct rnai mari, Prin adncim de modulare, ., ii1elegem faportul dintre amplitrldinea,

proiectarcorrveitoaiitoi"oiogicti alc !|pcifTi xtinso1-'ffiIii-ertoatIi- e

c/ca

posibil.

78

variabil

ln general, a func;iilor de

triunghiulare de cQmparae

c(t):

modulare m(t)

'i : ,.

li

amptitudinqa constant

funciei ''

.4_fr a^V

{s.e)

proportional cu aceast adincime de modulare gi cu valoarea te.nsiunii continue de pe partea de curent continuu a convertorului. Posibilit'atea funqionrii convertorului la adnoimi &'npdulare maxime, adic foarte apropiate gi chia1egale cu unitatgp, permite generarea tensiunii alternati1p dorite cu o tensiune continu minim. Ca unnare pe.de o parte in circuitul de.eurent'alternativ vor fi prwenite imbtrnirile premafure ,a materialelgr izolntoare 9i' condensatoarelor qi pe de alt parte nu va trebui aplelat la dis'pozitivq semiconductoa1e de tensiune inalt, asosjat ,cu circre sofisticate de protec1ie la supiatensiuni. Subliniem c,cele indicate aici se.constituie ca un avantaj fundamental al modula1iei sincrone in raport cu cea asincron cae va fi analizat la

Valoarea efectir, a tensiunilor pe partea.de curent alternativ a convertorului este

sfir$itul acestui caPitol.

in

rl

t t

m(t)

c{i)

fro)

n
t'

b
E

r
H-

t
I

F'

i
!

nigura s

'8

Principiul moduIatie sinusojdalq.

f,igirra 5.ti reia cazul modula}iei'sinusoidale la care ne-arn referit in mod rpetat ln cadrul acestui capitol.,Se.eviden1iaz procesul modutrii n durat a impulsurilor'n cazul
142 pulsuri de 1ensiung pe o alternanl,,la o adfuiclne de modulare fu Figura prezint functra de modulare sinusoidat continu' funia de modulare e$antional

func1ionrii eu

P=

uniform asimetric opiimal precum gi functia'de compaare' luate n considerare p9ntru'durata unei semialternanle' T/2. Cu scopui de a servi cabaz de comparare cu urmtoarele meto&,

it9

precizm c funcia de modulare continu, pcilt{u .faza conform expresiei:

'ta"

, in

acest caz,

Ne fprpa simpl
I

',

'i

.'

m,(t)

'snot

(s.10)

Evident, func1iile de modulare pentru celelalte dou faze ale convertorului trifazat vor fi li identice, dar defazate cu cte 2n/3 grade electrice.

\.
wvft)
l.usft)
r-ps

Star-e de tensiune nula 2

Tr^eiector^ia r^ea1a

luxu1ui
i

Stane de tensiune nula

n

ft)

\ --Tr^alectorla
r^efer^1nta

de

f1uxulu

Fgura

f'Iuxului Traector:ia ' f azorului convertoru]_u in cazul modu}atiei sinusodale.

5.9.

Pin. figura 5.9 se paatg vedea diferega din1re traiegtoria fazorului de refbrin1 al fluxului convertorului gi traiectoria real a fazorului fluxrrlui convertorului, care st la originea fazgnrlui fluxului deformant !"(), 9i impIicit la originea componntei deformante a fazonrlui curentului, !lt). ij
d'e durat To, scas

in

eviden priu Figura 5.10, constituie'.un dezavantaj

al modulrii

sinusoidale.
|e' $e alt pafte nu trebuegte pierdut din'yedere faptul c dispozitiyele semiconductoare diu convertor sunt reale. Ce19' dou tranzistoarq,amplasate pe un bral al ponvertorului,. Figura 5,11, functriopga sigur gi punctul lor de func1ionaxe Ilu rgrne nici mcar aparent in zpna activ a ariei de func1ionare sigur dac: - tranzistorul blocat este menlinut ferm in aceast stare cel pufin un interval de timp
toni

- tranzistorul saturat este' m9n}inut ferm in aceast stare cel puin un interval de timp
tnn

- un tranzistor de pe brat prime$te comanda de saturare numai dac corespondetrtul su

r
80
esrc blocat deja de un timp tg. Acost timp se ilume9te timp de gard. Intervalele de timp necesare pentru o brrn protejare a tranzistoarelor,'o,,,'d1i gi t, sunt indicate de ctre productori in cataloagele produselor'

'

I U*l

EA
3

Interval de tensiune nula

Intervai de tenslune nula 2

.t I A T,, ^tA'2
I
I |

lr lt ll

laT6i t#t

'+

A Tor # LTa2

t!+1) Tp

t'r-gura

5.10. Dist,ributia 'impulsului de tensirte intr-un circut de modulare.

:
Figura 5.12 se refer la proceiul modulrii sinusodale, atunci cnd comuta1ia
se

desfgoar la unghiuri <ot in jur de 9ff, cor*puntor functiei de m(t)' S-au liiat n consierare doar cteva cicluri de func1io'rart gi' pentru simplitte, s-a presutrius'modula1ie natural. Relt

curentul, dac are direc1ia indicat de sgeat, va i preluat de diod D'' Situa1ia se repet, pe acelagi bral, dar pentru ventilul T2, pentru c,lt n jur de27tr. Atunci cnd intervalele de timp t'!2' generate de procesul de mdulare sinusoidal Sunt mai scute dect un timp minitn tp', in confurmitate cu cele'artate n Figura 5.13, circuiteli'de protec1ie ale ionvertcrlui vor igora comanda MDI simrsoidal, comandnd respectivul bra1]de conveftot cu impulsur cu fator de umplere constant. Durata de deconectare a tranzistorului T, seva stabili la:

clar c tranzistorul T' va tinde s fie blocat pentru intervale de timp, tr2, tot mai'scurte. Conform figurii, in aceste intervale'de timp tranzistorul T' va primi comanda d saurare dar

t{, = to, * 2( tor,

+'''Yn

(s.1_1-)

8l

LLI

a
-U6
5.11. Figura refertoare 1a convertorului. ' un

LLI

ExpI cat va

brat

al

Revenirea la comanda corect, conform modulrii sinusoidale va avea loc arunci cnd va respecta din nou condilia: i

trz 2 4,

(5.L2)

La convertoarele moderne insugi circuitul integtet speciatizat pentru comabda MDI sau procesorul de semnal progamat in acest scop calculeaz strile de conducie'a ventilelor cu verificarea gi luarea in considerare,.,la,nevoie, a timp.}t}i rninlm rerut prit fg}mula 5. t 1 Cele descrise aici conduc la deformarea suplimentar a traiectoriei fazotului fluxului
.

82

convertorului' Ca urmare, dac se lucrea la adncimi de modulare rnari, aqa cum rezult 9i va fi nici din [33] , in jurul valorilor de vrf, qrrentul p9 patea de alternativ a convertorului nu sunt de specialitate tehnic literatura prez,ente in p. oipn" sinusoidal. Metodele de corectare, a adncimii maxime valorii cu limitarea sinusoidal, modularea iar solu1ia de a folosi partea de cc a "o.pi"^. de modulare sunt neeconomice deoarece impun mrirea tensiuni continue pe
convertorului.

-*----tI

lr
u{n I
+Ud

-+l

v'T2 t-

Figura 5.1'2. Modulata sinusodala in, jur de ot egal cu 90".

Sunt necesare prin urmare metode MDI superioare care fac apel la alte func1ii de modulare. Dac circuiful conectat pe partea de curent altenativ a convertorului are configura1ia stea fr conductor de nul, atunci curenlii din faze vor fi determina1i de tensiunile de linie. Ca urnare,tensiunile de taznu mai trebuioo s fie neaprat sinusoidale, Metodele optimale de commd MDI oxploateaz tocrnai s9east posibilita0e, opernd ,cu func1ii de modulare nesinusoidale. Acestea se obin prin adunarea unei componente homopolare comune la toat cele
trei functii de modulare sinusoidale, corespunztoals,fazelor. Evident tonsiunile de linie produse

83
de convertor rmn cu fundamental sinusoidal' Ca urmare funcliile de modulare'optimale vor

fi de forma:

mao(t) = 'sintrt + nc(t) mro(t) = 'sin(cot - 2n/3) * mo(r) m.o(t) = 'sin (ol t - an /31 + mo ( t)

(s.13)

Diferitele metode de modulare MDI optimal difer tocmai prin modul de alegere al componentei homopolare, rn"(t)"

t\

_l______
uttr
{

l\
t\
I

*ud

-iri tl
ll

'.-

__*li

rI
I I I
I I

'#

2dconst,

'l rl

il
-ud

Figura 5.13. Efectul protectiei asupra modulatiei sinusoidale }a adincime de moduIare mar.

cazul modulrii sinusoidale cu simetrizare, Figura 5 ' 14' componenta \(t) este aceea dinne func1iile sinusoidale de: modulare 'trifazate, luat pe jumtate, 'iafe 'afe valoarea
In

instantanee cea mai mic:

moss(

) = }min{ m"(t) , mr(t) , m.(t) }

(5.14)

Functia de modulare continu, pentru faza ''a" , corespunztor primelor trei intervale, va fi:

mu"r(

t) =

'( sincrr * +sno

m""r(

r,lr - an/t sinoL + lsin( 2 :r/Lz<t<r/4 m''"(L) = 'I sncot * +sn( o _ zn/3 T/4<L<sr/L2

t)

'

o<r <r/tzz
,/,

)l

L5)

(s.

))

Figura 5.14. Principiu1 modulari'snusoda1e cu smetrizare.

Figura indic fungia de modulare sinusoidal, componenta homopolar si funcia de modulare continu, sinusoidal cu simetrizare rezultant. Pentru un numr de 42'impulsuri de

r
;r""'t'

s5,

Sfan'de tenstune nula "2

Vs(tl
t{sp(t)

Tr^atectoria reala p,,fluxului

Star^e

de tenslune nula

\ ;Traiectorla de efnlntaa fluxulr.tl

Fgura 5. ]_5. Fazorul fIuxulu deformant 1a modulatia sinusodala cu smetrizare.

tensiune pe alternan1 se aat $i func}ia de compaae corespunztoare, pe baza ei deducndu-se func1ia de modulare snusoidal cu simetrizare egantionat uniform asimetric optimal. Se constat posibilitatea de a se opera la adncime de modulare maxim fr a apare distoisiuni suplimentare. Evident, rmn distorsiunile datorate neconducerii fazorului tensiunii pe cerc, ci

pe poligonu! cu 42 de laturi. Traiectoria de referin1 gi cea real a fazorului fluxului convertorului rezult din Figura 5.15' unde se arat 9i modul de stabilire al fazorului fluxului 'n cazul modulrii sinusoidale cu simetiizare. In plus, conform Figurii'5.16, deformant, !'(t), constatm gi o repartizare simetric a impulsurilor de tensiune continu n interiorul

subintervalelor To. Deosebit de util in aplica1iile practice se dovede5te a fi metoda de modulare Flat:- Top de 60o, [34], la care componenta homopolar asociat la fiecare dintre cele trei func1ii de modulare sinusoidale const n amplitudinea unitar a functriei de comparare, c(t), luat cu semnul acelei firnc1ii de modulare sinusoidale, care la momentul respectiv are valoarea absolut cea mai mare, din care s-a sczut valoarea instantanee a aceleiagi func1ii de modulare :
'

moF"(t) = l,xsignumlnr(t)) -

ni(t)

(s.16)

In expresia de mai sus m(t), cu i egal cu a sau b sau c, este valoarea instantnee a acelei func1ii de modulare sinuboldale care are la momentul corespunzator ''t'' valoarea absolut cea mai mare, [30]. Ca urmare functria de modulare continu pentru faZA "a" , corespunztor primelor trei intervale ale unei perioade va fi:

:ii

mu;rr(t) = ''zsin(,<o _ c/6 ) _

-1 .; o{<r/6l muFr(t).=e,psin()+x/a) (5.L7) naF?(t) -L ;; T/6st<T/3

r :)

T/3,<

< T/2:,
.i
r

F
!"j

86 Expresia de mai sus' precum gi Figura 5.1'7 ,"are el'iden1iaz principiul modulrii Flat - Top de 60o, ne permite s observm c n acest caz func1iile de modulare sunt unitare in jurul valorilor ot 90o gi ot 270'. Acest fapt are o mullime de consecinle extrem de importante. Pe de o parte se poate opera la adncime de modulare maxim, . = l, fr ca circuitele de

i
;

protectie s intervin gi deci fr distorsiuni suplimentare ale curenului. Ca urmare se asigur o folosire optmal a tensiunii continue de pe partea de cc a convertorului electronic de putere. Pe,de alt parte, spre deosebire de toate celelalte metode de modulare cunoscute' pentru cte 120' grade, n fiecare ciclu, un bra1 al convertorului este pasiv, (cu un tranzistor Saturat, reslectiv, cellalt blocat). Altfel spus, la nivelul ansamblului convertorului, totdeauna in timpul func1ionrii un bra{ va fi pasiv. Ca urmare pierderile de comutatie scad la o treime fa1 de celelalte metode de modulare. Acest fapt se poate exploata in sensul mririi puterii instalate in acelagi conveftor electronic de putere sau, la putere constant, in sensul mririi n mod adecvat a frecven1ei de comuta1ie MDI, cu scopul optimizrii performan1elor. Intr-aclevr, reducerea duratei subintervalelor To conduce la micaorarea gradului de distorsiune al curenlilor.

t t,
F

lU"l -->-dss
tr

intenval de tenslune nla i

r,
I tl tl tl

Interval de tenslune nula

tt

aI61 i <__=>l
..

l i
I

',

L g2

',

A Tot = L'82

vT^ P

()J*1)Tp

Figura 5. 16 . Repart,izarea impulsului de t.ensiune intr-un ciclu MDI.

Figura 5'18 arat traiectoriile fazorilrrr spaliali ai fluxurilor $i modul de determinare aceast metod de modukre. Figura 5'19 scoate ln evident faptul c la modularea Flat - Top de ffo, in intervalele de timp in care un bra1 este pasiv' nici nu mai exist impulsuri de tensiuno continu modulate in durat. In continuare va fi abordat un ultim exemplu de metod MDI care sebaz'eaz' pe func1ii

al facorului fluxului deformant pentru

87

m(t)

c(t) frft)

mo(1)

Figura

5,.1"7.

Principiul modularii Flat-Top de

60o

de modulare nesinusoidale' Este vorba de aga numit metod de'modulare HANNING, [32], [35], prezentat in Figura 5.20' tn acest caz fune1ia de modulare pentru faza "a", pentru'un

ciclu de functionare, va fi:

mur( t)

mur(t)
naH(

t)

mrr( t)

- ar[2sin(ol * n/6) - r-] ; 0 < .o't < n/3 m,H(t) _ a, ; fi/3 < )L < 2n/l _ a^[zsin(<ot - n/6) * ]_] ; zn/3 < ot ( n _ arl2sin(oL + n/a) + 1] ; l. < <ot < 4n/s muH(t) - -, ; 4n/3 < (')t < sn/3 - an[2sn(or _ fi/6) + ]-] ; sn/3 < at <' 2n
(s. 18)

acestei metode de modulare intruct firma HANNING, care a introdus acest principiu, are pe pia1 9i un ASIC _ 'circuit integrat specific aplica1iei, cu codul L5Aa252. Schema bloc a acestui circuit ese drezentat in Figura 5.21. Dup cum se poate observa este vorba de un microcalculator specializat, intr-un chip,

l,a metoda de modulare HANNING procesul de comutalie este continuu dar se poate opera la adncimi de modulare de valoare mare' Ca urmare'gi n acest caz se poate exploata optimal tensiunea continu de pe patea de cc a convertorului. S-a considerat necesar pezentaea

care se conecteaz la magistrala de date a calculatorului care comand conver1orul. Acest calculator ini1iizeaz func1ionarea circuitrrlui integrat MDI, gi apoi furnizeaz,_pentru fiecare ciclu de modulare' valorile actualjzae ale componentelor fazorului tensiunii ce urmeaz a se
genera pe paea de curent alternativ a convertorului. Circuitul integrat MDI dispune de un ceas intern, de frecventr mult mai mare dect cea mai mare frecvet4 de modulare pentru care poate fi programat. Blocul su

88

Tr^aiectoria r'eala o fluxu1u

-Tr-aiector nefennta a

ia de
f

luxului

Fgura 5.1B . Fazorul tnodulat iei FIat -Top .

]-uxului deformant n cazul

aritmetic efectueaz pentru fiecare ciclu de func1ionare opera1iile necesare de conversie bifazatltrifazat a componentelor fazorului citit la intrare, determin valorile func1iilor de
modulare egantionate conform metodei HANNING, calculeaz momentele de comutare pentru fiecare ventil, supervizeaz 9i eventual corecteaz duratele minime de functrionare gi, n sfrgit, trimite in memoria tampon de la iegire rezultatele astfel determinte,

g
I

E art

yT^ P
F
.

'privind igura 5 .',1-9 ExpJ_icatv ''ontributia unu brat pasiv la formarea

f

'P

(D*i) T^

azoruIui tensuni.

:.

89

In interionrl circuitului integrat MDI, informatiile circul pe o magistral intern proprie de date 9i adrese. Memotia tampon de la iegire este bidirec}ional ntruct nu se face
numai controlul circuitelor de comand al tranzistoarelor ci qi returnarea, dac exist, a uhor semnale referitoare la starea ventilelor din convertor.

m()

c(t)
-m( )

Figura 5.20. Principiul modu]-ari Hannng

Este evident c cele expuse mai sus nu pot epuiza nici pe departe problematica extren de complex a comenzii prin modulare sincron in durat a impulsurilor, MDI, aplicat la convefioarele electronice de putere moderne. Putem mentiona aici gi alte lucrri de specialitate, ca de exemplu: [36], [37], [38]' [39] sau [40]. Exist metode de modulare MDI optimizate 9i dup alte criterii dect cele men}ionate aici. De exemplu se poate lua in considerare generarea semnalelor de comand prin MDI subordonat criteriului pierderilor minime in dispozitivele

semiconductoare, [41], [42), [43]. Se impune ins in acest caz o' analiz atefit a metodei din punctul de vedere al indeplinirii altor condi1ii de performani. De altfel cercetrile n domeniul modula1iei sincrone in durat a impulsurilor sunt deosebit de actuale gi n prezent, inclusiv cele referitoare la stabilirea celor mai bune metode de comparare a pertbrmanlelor diferitelor procedee. Aceste elemente considerm c depgesc ins cadrul lucrrii de fa1. La incheierea acestui capitol este neaprat necesar prezentarea pe scurt gi a

principiului comenzii prin modulare asincron in durat a impulsurilor' Modularea MDI

asincron este specific cazurilor cnd convertorul de tensiune trebuie5te s func1ioneze ca surs de curent pe partea de ca. In acest caz comuta'ia ventilelor este complet subordonat ideii de

genera un curent de forma cerut pe partea de curent altemativ a fiecrui bra1 de convertor. Figura 5.22 prezint principiul modulrii MDI asincrone. Un crent de forma i,"{t) este cerut in circuitul de pe partea de ca a convertorului. n acest caz'bazat pe un sistem de reglare bipozi1ional de curent, tensiunea de pe partea de curent continuu a convetorului este aplicat

a se

90

date s[ adres
Interfalo
maglstrala de d6te

Hemorle de

Megislrslo

interna

L5AO252

HANNING PBMI/87

Figura 5.2I. Schema bloc a circuLulu MDI Hanning.

la bornele circuituiui de ca, in mod succesiv' cu selnn pozitiv sau negativ, n aga fel inct curentul i(t) s varieze intr un prag superior de curent" p'(t) si un inferior de curent, p'(t), aproximnd referin1a impus. Impulsurile de tensiune modulate in durat pe partea de ca a

l(t)
I

A
|

psp(f)

ps(t)

pt(t)

u(t)

t
I

,ud

Figura 5.22. Prncpiul modularii

asncrone.

h
convertorului se stabilesc subordonat criteriului de urmrire a referin1ei de curent, conform legilor de comand:

(t) u(t)
u

= =

vffd *fld

daca i (t) < pj (t) daca' j(t) >pu()

= =

i,",(t) - Ll/Z i,.r(t) + Ai/z

(s. l e)

1(t)

lPef (t) p"(t)

F1(t)

tt

lt
tt

il
lr

Fgura 5.23. Curent quasisinusoidal generat prn comutatie MDI asncrona.

92

Curentul i() reproduce cu att mai fidel semnalul de referin1 de curent irc(t), cu c histereza regulatorului bipozifional de curent este mai mic, intruct atunci 9i pulsa1ia curentulu dat de expresia:

Aj(L)

J*.*(L) - 4i"()

(s.20)

comuta1ie din convertor poate scdea ?n mod'pronunat' Ca urmare pot apare distorsiun insemnate ale curentului alternativ generat. Pe de alt piarte, la valori instantanee medii alr semnalului de referin1 de curent, frecvena de comutatrie din convertor poate cfege att de mul nct s devin necesar interven1ia circuitelor do protecie referitoare la timpul minim dl conectare al dispozitivelor semiconductoare. Aceasta poate conduce la distsrsiuni suplimentan ale curentului' Deci, n mod'evident, devine necesar un compromis intre frecventa medie dr modulare MDI a curentului, impus prin histerea din blocul regulator gi,rezerva de tensiunt din circuitul intermediar de cc, Rezerva de tensiune nu poate fi nici ea prea mare ntruct, a$i cum s-a mai precizat, duneaz circuitului de curent alternativ. Principalul avantaj al metodei const in fapul c se poate sintetiza orice form dr curent in circuitul de ca. Figura 5.23 se refer la cazul pa4icular a] unui convertor cafi opereaz cu curent sinusoidal, varianta mult aplicat, [31]; din cauza robusteii gi simplit1ii ei asociat cu performan}e dinamice superioare concretizate n posibilitatea modificrii rapide : amplitudinii gi frecven1ei semnalului pe patea de ca a convertorului. Probleme legate dt domeniul relativ linritat in care convertorul igi poate pstra caractenrl de surS de curent, asocia cu dificult1i privind controlul distorsiunilor curentului limitea aplica1iile actuale ale comutalie MDI asincrone, n special n domeniul puterilor medii gi mari.

componenta de inalt frecvenl cu perioada 5i factoruI de umplere.variabil n raport cu valoarei instantanee a semnalului de ret'erin1 de curent i,"d| $i n raport cu nez,erva de tensiune de pr partea de curent continuu a convertorului' La o valoare dat a rezervei de tensiune oontinu la valori instantanee mici, respectiv, mari ale semnalului de refrin1 de curent frecvenla dt

devine minim' Aceasta implic ins cre$terea frecven1ei de comutaJie in convertor, deci gi i pierderilor de comutaie. Tensiunea gi curentul alternativ generate pe aceast cale at