1

CAPITOLUL 1

ETAJE TIPICE ALE CIRCUITELOR INTEGRATE ANALOGICE

Pentru aprecierea performanelor, nelegerea funcionrii i dimensionrii circuitelor integrate analogice este necesar mprirea i studierea lor pe etaje. Exist o serie de etaje specifice, tipice (realizate n general n diverse variante), care vor fi prezentate n continuare.

1.1. Surse de curent

Sursele de curent servesc la: - furnizarea unor cureni de polarizare constani sau cu o anumit dependen, pentru o parte din circuitele integrate, - realizarea unor rezistene dinamice mari (sarcini active) care nlocuiesc rezistenele integrate obinuite ce nu se pot face de valori mari. Parametrii importani ai surselor de curent sunt n cele mai multe cazuri: rezistena de ieire Re, stabilitatea curentului cu temperatura, independena curentului de tensiunea de alimentare, precizia raportului curenilor prin diferite ramuri.

Surse de curent standard

Sunt denumite astfel sursele de curent integrate care au schema identic cu cea folosit n montaje cu componente discrete. Se realizeaz: - surse standard pentru cureni obinuii ( n 10 A) i - surse standard pentru cureni mici (n 1 A). Primul din aceste tipuri (fig.1.1) se utilizeaz n special cnd este necesar un raport mai mare dect 5 ntre curentul de ieire al sursei i un curent de referin (care l impune pe cel de ieire). Aa cum se va vedea mai trziu, un raport sub 5 se poate obine cu o surs de curent mai simpl. De asemenea, sursa de acest tip se folosete pentru obinerea unei rezistene de ieire de valoare mare.

+E

Circuit de sarcin

RB Iref

Ie Re T1 UBE1

T2

(D)

UBE2 R2

R1

Tranzistorul T1 nu trebuie s ajung n saturaie, deci UCE1min UBE1. Tranzistorul T2 este conectat ca diod i are rolul de a face compensarea termic a curentului de ieire Ie al sursei (la variaia tensiunii UBE i a factorului cu temperatura). n calculele ce urmeaz se consider curenii de baz neglijabili iar tranzistoarele identice. Curentul de referin se admite iniial astfel nct s nu rezulte rezistena RB foarte mare, avnd: R E U BE 2 RB + R2 = , cu R2 B 10 Iref Eventual, tensiunea +E se realizeaz de valoare mai mic. n cazul n care totui RB rezult mare, ea poate fi nlocuit printr-o alt surs de curent.

Fig. 1.1. Sursa de curent standard

Pentru stabilirea relaiei curentului de ieire i a raportului Ie / Iref se utilizeaz relaia aproximativ a curentului de colector obinut din ecuaia Ebers-Moll a acestuia:

N I EB0 ICB0 I (e U T 1) (e U T 1) N EB0 e U T = IC0 e U T IC = 1 NI 1 N I 1 NI

u BE

u CB

u BE

u BE

unde uCB este mare i negativ iar uBE >> uT. Curentul IC0 este un curent de calcul ce poate fi denumit curent rezidual. El este proporional cu curentul IEB0 deci cu aria jonciunii emitoare a tranzistorului. Cu aceasta se pot scrie curenii: Ie = IC0 e din care:
Ie I ; UBE2 UTln ref I C0 I C0 Pe bucla ce include intrrile celor dou tranzistoare se poate scrie ecuaia:
u BE1 UT

Iref IC0 e

u BE 2 UT

UBE1 = UTln

sau: UTln

UBE2 UBE1 IeR1 IrefR2 I ref I - UTln e IeR1 IrefR2 I C0 I C0 I UTln ref IeR1 IrefR2 Ie
adic:

din care:
Ie I UT R R = ln ref + 2 2 I ref I ref R 1 Ie R1 R1

3 Ie R 2 I ref R 1 deoarece IrefR1>>UT i de obicei Ie > Iref. Prin urmare, fa de o surs de curent simpl (fr rezistenele R1 i R2, care se va trata mai trziu i la care Ie / Iref este dependent de raportul ariilor jonciunilor emitoare ale tranzistoarelor) raportul celor doi cureni se poate face mare (5) prin utilizarea unor rezistene potrivite i nu prin creterea exagerat a dimensiunilor unuia din tranzistoare. Deci curentul Ie poate fi realizat de valoarea dorit plecnd de la un curent de referin obinuit. Circuitul poate fi i oglind de curent (Ie Iref cu destul precizie) dac se adopt R2 = R1. Oglinzile de curent se folosesc n special drept sarcini active pentru cele dou tranzistoare ale unui etaj diferenial, care reclam o bun simetrie de curent. Calculul rezistenei de ieire a unei astfel de surse este prezentat n [20]. Al doilea tip de surs standard, cel pentru cureni mici, se cunoate i sub denumirea de surs Widlar (fig.1.2) i este obinut din cea precedent fcnd R2=0. Realizarea unui curent Ie mic (n 1 A) ar necesita +E altfel creterea exagerat a rezistenei RB (pentru reducerea lui Iref) sau a rezistenei R1 (pentru reducerea raportului Ie / Iref). Pentru R2 = 0, relaia complet a RB Ie raportului Ie / Iref de mai nainte devine: Ie I UT Iref ln ref sau: = I ref I ref R 1 Ie T1 I U UBE1 T2 Ie = T ln ref R1 Ie (D) R1 UBE2 Din aceast ecuaie, impunnd pe Iref i Ie se poate determina valoarea R1 necesar. Rezult rezistene RB i R1 de valori normale. Evident, sursa Widlar nu poate fi o Fig. 1.2. Surs de curent Widlar oglind de curent.
Surs (oglind) de curent simpl

+E

RB Iref T2 UBE1 UBE2

Ie Re T1

(D)

Fig. 1.3. Oglind de curent simpl

Cea mai simpl surs de curent i cea mai convenabil pentru circuite integrate analogice este derivat din sursa standard eliminnd rezistenele R1 i R2 (fig.1.3). Dac tranzistoarele sunt identice (IC01 = IC02), avnd UBE1 = UBE2, atunci: I I UTln e = UTln C 2 I C0 I C0 i dac se neglijeaz curenii de baz rezult: Ie = IC2 i Ie Iref. Deci circuitul este oglind de curent. Dac ns ariile jonciunilor emitoare nu sunt

4 egale, rezult IC01 IC02 i din: UTln rezult: Ie I A C01 1 I ref I C02 A 2 n care A1 i A2 sunt ariile jonciunilor emitoare ale celor dou tranzistoare. Prin urmare, avnd un curent Iref obinuit, se poate realiza un raport Ie / Iref pn la valoarea 5 deoarece n continuare aria tranzistorului T1 devine exagerat. Pe scheme raportul se marcheaz prin cifre n apropierea emitorului. n cazul oglinzii de curent chiar dac tranzistoarele sunt identice, curenii nu vor fi n realitate egali din urmtoarele motive: - curenii de baz nu sunt neglijabili, n special la cureni de colector mici, sau la tranzistoare pnp-lateral, cnd factorii sunt redui. Acest fapt nu afecteaz totui semnificativ egalitatea celor doi cureni; - factorii ai celor dou tranzistoare nu sunt egali datorit efectului Early. Astfel, dac dou tranzistoare identice lucreaz la tensiuni UCE diferite (de exemplu UCE2 < UCE1) atunci i factorii lor vor fi diferii (i anume 2 < 1). ntr-adevr, n cazul oglinzii simple tranzistorul T2 lucreaz foarte aproape de saturaie, avnd UCE2 = UBE2 0,6V << UCE1. n aceste condiii, aa cum se observ din fig.1.4, raportul celor doi cureni se scrie astfel: +E Ie 1 1I B = = = 1,1...1,2 + + I I 2 I 2 RB ref 2 B B 2 Ie=1IB deoarece 1 > 2. Din nefericire, n tehnologie Iref bipolar acest raport nu poate fi controlat exact IB prin dimensiunile tranzistoarelor. T1 IC2=2IB Rezistena de ieire a acestei oglinzi este IB de valoare medie (de ordinul 200k500k la T2 (D) cureni de ordinul 100A). Tensiunea UCE1 ce trebuie asigurat pentru T1 este puin mai mare de UBE (T1 nu trebuie s ajung n saturaie). Fig. 1.4. Marcarea curenilor la oglinda
simpl

Ie I C01

UTln

I ref I C02

Oglinzi de curent perfecionate (cu trei tranzistoare)

n cazul cnd tranzistoarele de pe cele dou ramuri ale unei oglinzi de curent simple lucreaz la tensiuni colector-emitor mult diferite, efectul Early determin apariia unor diferene mari ntre curentul de ieire al sursei i cel de referin. Se realizeaz prin urmare oglinzi de curent perfecionate care pot funciona bine n toate situaiile i care asigur o rezisten de ieire mai mare.

5
a) Oglinda de curent cu reacie (oglinda Wilson)

Oglinda Wilson (fig.1.5) asigur meninerea constant a curentului de ieire datorit reaciei negative realizat prin tranzistorul T2. Este o reacie de tipul serieparalel i este negativ datorit inversrii de faz produse de T2 (n conexiune EC). Rezistena de ieire a tranzistorului T1 n colector (deci a sursei) este mare datorit reaciei negative cu configuraie serie la ieire. Efectul reaciei n meninerea curentului +E Ie se poate explica fenomenologic astfel. Se 3+2 Iref =(2+ 1+1 )IB admite o cretere a curentului Ie datorit sarcinii. 3+2 I = I Aceasta produce o cretere a tensiunii pe dioda B e 1 RB 1+1 realizat cu T3 i deci deschiderea mai puternic a 3+2 Re I tranzistorului T2. Creterea curentului IC2 produce 1+1 B T1 creterea cderii de tensiune pe RB i reducerea 2IB RNSP potenialului bazei lui T1 deci reducerea (3+2) IB polarizrii jonciunii emitoare a tranzistorului T1 T2 IB adic a curentului Ie. Prin urmare curentul Ie nu 3IB IB este lsat s se modifice mult la schimbarea T3 (D) sarcinii. Deoarece tranzistorul T3 este conectat ca diod , el prezint o tensiune UCE30,6 V. Nici RE RE tranzistorul T2 nu are o tensiune cu mult mai mare, deoarece UCE2 = UBE1+UBE2 1,2 V. Existnd aadar o relaie de inegalitate ntre Fig. 1.5. Oglind Wilson tensiunile colector-emitor ale celor trei Varianta 1 Partea 1 subict 4 tranzistoare (UCE1>UCE2>UCE3) i aici intervine efectul Early, astfel c vom avea 1>2>3, cu observaia c 2 i 3 sunt de valori mult mai apropiate ntre ele. Admind c T2 i T3 au cureni de baz egali (IB), conform celor din fig.1.5 rezult: +2 Ie = 1 3 IB 1 + 1 i: +2 Iref = ( 2 + 3 )I B 1 + 1 Astfel: Ie 13 + 21 = 1 3 = 3 I ref 1 2 + 2 + 3 + 2 1 2 2 i rezult un raport apropiat de 1 (0,95), ntruct termenii de gradul II att la numrtor ct i la numitor sunt dominani, iar 23. Eventualele rezistene RE conduc la creterea considerabil a rezistenei de ieire.

Varianta 4 Partea 1 subiect 1

b) Oglinda de curent cu tranzistor tampon

Schema acestei oglinzi, folosit ca sarcin activ n etajul diferenial de intare al amplificatoarelor integrate (operaionale) este dat n fig.1.6. Tranzistorul T3, denumit tampon, prelund un curent foarte mic din Iref, face ca cei doi cureni Ie i Iref s fie foarte apropiai. +E Iref
2IB 2 IB 3+1

Ie =1 IB T3
2IB

Re T1

T2

IB (nIB)

IB

RE

RE3

RE

Efectul Early apare i aici deoarece tranzistoarele lucreaz la tensiuni colectoremitor diferite. Astfel, UCE2 = UBE3+UBE2 1,2 V iar UCE3>UCE1>UCE2, ceea ce face ca 3>1>2 (tranzistorul tampon prezint cea mai mare tensiune colector-emitor deoarece are colectorul legat la +E). Aa cum e de ateptat, inegalitatea factorilor va conduce la apariia unei diferene semnificative ntre curentul de ieire al sursei i cel de referin. Astfel, admind c T2 i T3 au cureni de baz egali, conform cu cele din fig.1.6 i n absena rezistenei RE3 (al crei rol se va vedea puin mai trziu) se obine:

Fig. 1.6. Oglind cu tranzistor tampon

Ie = 1IB i Iref = 2 I B + caz n care:

+ 2 + 2 2I B = 2 3 IB 3 + 1 3 + 1

13 + 1 Ie = 1 3 = 1 I ref 23 + 2 + 2 23 2 Aadar raportul este net supraunitar (tensiunile UCE ale celor dou tranzistoare nu mai sunt att de apropiate ca i la oglinda Wilson). Pentru a compensa acest lucru se introduce rezistena RE3 care mrete artificial curentul prin T3 i prin intermediul curentului su de baz, mrete i pe Iref. Astfel se obine: ( n + 2) I B 2 3 + 2 + n + 2 Iref = 2 I B + = IB 3 + 1 3 + 1 i raportul devine: Ie 13 + 1 = 1 I ref 23 + 2 + 2 + n care poate fi fcut apropiat de 1 alegnd potrivit valoarea rezistenei RE3. Aceast rezisten are i rolul de a asigura o mai bun stabilitate termic circuitului. Rezistenele RE pot mri sensibil rezistena de ieire Re a sursei de curent (n colectorul lui T1). n unele amplificatoare integrate rezistenele RE permit legarea ntre emitoarele lui T1 i T2, din exteriorul integratului, a unui poteniometru care poate ajusta fin raportul Ie / Iref (echilibrarea amplificatorului).

7
Surse de curent multiple

Pentru realizarea unor sarcini active multiple i identice sau a unor polarizri multiple (curenii furnizai putndu-se gsi ntr-un anumit raport), se folosesc surse de curent cu mai multe ieiri. Exist surse multiple cu emitoarele la potenial cobort sau cu tranzistoare npn (fig.1.7) i surse multiple cu emitoarele la potenial ridicat sau cu tranzistoare pnp-lateral (fig.1.8). Prin surse mperecheate se pot realiza cureni Ie1=Ie2 cu suficient precizie, aa cum este +E necesar pentru etajul diferenial de intrare al Iref Surse unui amplificator integrat. Surs mperecheate Widlar Rezisten ele din emitoare pot stabili RB rapoartele curenilor ca la sursa standard. Ie3 Cnd Ie2 Ie1 rezistenele din emitoarele tranzistoarelor lipsesc, curenii Ie1 i Ie2 pot fi realizai ntr-un anumit raport fa de Iref prin D ariile jonciunilor emitoare, ca la sursa simpl. T1 T3 T2 Dac n fig.1.8 lipsesc rezistenele (emitoarele sunt comune) este posibil folosirea n aceste surse multiple a unui singur tranzistor pnp-lateral multicolector (fig.1.9). Aici rapoartele curenilor Ie1, Ie2, Iref se pot impune prin perimetrul zonelor de colector ce nconjoar emitorul. Integratul de Fig. 1.7. Surs de curent multipl tip 324 folosete o surs multipl cu tranzistor pnp-lateral cu 5 colectoare. La toate sursele, o rezisten RB de valoare mare poate fi nlocuit printr-o alt surs de curent constant. +E +E

D T1 Ie1 RB Iref
Surse mperecheate

T2 Ie2 RB Iref
Fig. 1.9. Surs de curent multipl cu tranzistor pnp-lateral multicolector

Ie1

Ie2

Fig. 1.8. Surs de curent multipl cu tranzistoare pnp-lateral

8
Surs de curent independent de tensiunea de alimentare

+E
oglind multipl

T5 T4 I2 I1 I1 IeI1 T1 T3 T2 UBE2 R
Ogl. simp.

T6 IeI1

oglind Wilson modif.

Fig. 1.10. Surs de curent independent de alimentare

Pentru a se realiza circuite integrate analogice ce pot fi alimentate de la civa voli pn la zeci de voli sunt necesare surse de curent independente de tensiunea de alimentare. Una dintre soluii este aceea a impunerii curentului printr-o tensiune aproximativ constant, ca de exemplu UBE, UT, sau UZ. n fig.1.10 curentul de referin este I1UBE2/R i prin sursa de curent multipl T4 / T5 / T6 i oglinda T2 / T3 se impun curenii I2, Ie i Ie, egali aproximativ cu I1.

Surse de curent cu tranzistoare TECJ i MOS

Dezavantajul principal al surselor de curent cu tranzistoare TECJ l reprezint instabilitatea termic mare, n timp ce ele sunt simple. O surs de curent constant pentru cureni relativ mari este dat n fig.1.11. Deoarece UGS=0 sursa lucreaz la curentul ID=IDSS, care ID=IDSS este de ordinul miliamperilor. Cu UP s-a notat tensiunea de prag a tranzistorului. n general necesit ntre dren i UDS>UP surs o tensiune UDsmin mai mare dect UCEmin de la tranzistoarele bipolare. UGS=0 Pentru cureni mai mici este necesar s se polarizeze jonciunea gril-surs a tranzistorului Fig. 1.11. Surs de curent relativ (fig.1.12a), care se realizeaz automat prin introducerea mare cu TECJ rezistenei R. Punctul de funcionare al tranzistorului se stabilete pe caracteristica de transfer ca n fig.1.12b, la curentul dorit. Rezult rezistena R necesar: R=UGS/ID. La ID UDS>UP-UGS UGS R ID 0
Fig. 1.12a. Surs de curent cu TECJ

iD IDSS 1/R P UGS UP uGS

Fig. 1.12b. Punctul de funcionare la TECJ

9 cureni sub IDSS tensiunea minim ce trebuie asigurat pe tranzistorul sursei de curent (UDS) se reduce. Sursa se poate realiza i cu tranzistor cu canal p, dar cu terminalul S conectat spre alimentarea +E. Tranzistorul TECJ poate suplini +E rezistena de valoare mare RB ntr-o surs de ID=Iref curent cu tranzistoare bipolare (fig.1.13). Aici T1 UGS=UBE i T1 se afl n zona de saturaie unde Ie ID efectul tensiunii E asupra curentului ID este UGS redus. Astfel Ie nu depinde de tensiunea E T2 datorit tranzistorului TECJ i este vorba de o T3 (D) surs simpl ce poate fi alimentat de la o UBE=UGS tensiune cu valoare cuprins n gam larg. Majoritatea surselor de curent Fig.1.13. Surs de curent constant, cu realizate cu tranzistoare bipolare pot fi tensiunea de alimentare cuprins ntlnite i n variant cu tranzistoare MOS n gam larg cu canal indus. Astfel, se folosesc oglinda simpl (fig.1.14), oglinda cascod, oglinda Wilson etc. La aceste oglinzi nu exist eroarea dat de curenii de gril. Exist ns efectul Early care face ca Ie s difere de Iref atunci cnd tranzistoarele suport tensiuni dren-surs diferite. Avantajul const ns n aceea c tehnologia CMOS permite ajustarea +ED raportului curenilor prin dimensiunile Iref = ID1 tranzistoarelor. n plus, rezistena de ieire a surselor cu tranzistoare MOS se poate mri R prin creterea lungimii canalului. Tensiunea Ie = ID1 = Iref minim necesar pe tranzistorul T2 trebuie s fie: T2 ID1 UDS2 UGS - UP T1 UDS2 fiind de obicei mai mic dect la tranzistoarele UGS1 UGS2 bipolare, ceea ce constituie de asemenea un avantaj. Raportul curenilor se poate stabili Fig.1.14. Oglind de curent simpl cu prin rapoarte W/L (lime/lungime) pentru tranzistoare MOS canalele lui T1 i T2.
Sursa de curent ca sarcin activ

Problema principal la proiectarea amplificatoarelor integrate este aceea de obinere a unor amplificri de tensiune foarte mari, pe un numr minim de etaje (2) n conexiune EC. Deoarece amplificare mare pe un etaj se obine numai cu rezisten mare de colector (dren) iar aceasta ar ocupa suprafa mare pe placheta de siliciu i ar impune tensiune mare de alimentare, se renun la rezisten i se utilizeaz drept sarcin pentru tranzistorul amplificator - rezistena de ieire mare a unui tranzistor dintr-o surs de curent constant. Aceasta reprezint o sarcin activ (fig.1.15). Pentru tranzistorul amplificator T1, din colectorul cruia se face cuplajul spre intrarea unui tranzistor T4 al etajului urmtor, amplificarea de tensiune este:

10 Au = ue h R 21e d ui h11e

cu Rd=Re2Ri4Re2 ntruct etajul urmtor se realizeaz cu rezisten de intrare foarte mare (conexiune Darlington), tocmai n scopul creterii rezistenei dinamice Rd i a amplificrii Au. Dac sursa de curent este simpl, ca n fig.1.15, pentru curent redus de colector, de exemplu 50 A, parametrii h +E din relaia lui Au au valorile tipice: h11e 100 k; h21e 200, iar rezistena de ieire T3 T2 Re2 va fi de ordinul: (D) Re2 1 1 R e2 = = 500k . ieire h 2 10 6 22 e T4 Rd Astfel se poate realiza o amplificare de u e tensiune: intrare T1 200 500 ui Ri4>>Re2 Au = 1000 100 Ri1 aceasta putnd fi mai mare dac se Fig. 1.15. Utilizarea sursei de curent ca i sarcin utilizeaz o surs de curent cu rezisten activ de ieire mai mare.

1.2. Surse de tensiune

Sursele de tensiune realizeaz tensiuni continue aproximativ constante (n raport cu sarcina, cu valoarea tensiunii de alimentare i deseori, cu temperatura cipului) pentru polarizarea unor pri din circuite sau pentru a servi ca surse de tensiune de referin pentru alte circuite integrate. Se utilizeaz trei categorii de surse de tensiune: - de precizie redus, pentru aplicaii nepretenioase i n special pentru cureni mai mari, variabili; - de precizie medie, pentru aplicaii mai pretenioase i n special pentru cureni mici, cu variaie n gam restrns; - de precizie mare (de referin), pentru cureni redui, constani. Precizia se refer la stabilitatea tensiunii furnizate cu tensiunea de alimentare a circuitului integrat, la variaia sarcinii i cu temperatura. Sursele de tensiune se caracterizeaz printr-o rezisten de ieire redus. Diferena de tensiune ntre cea de alimentare i cea de ieire este preluat de obicei de alte tranzistoare, de multe ori utilizate ca surse de curent constant. Se prezint n continuare cteva surse de tensiune de precizie redus. Un prim exemplu este cel din fig.1.16 cu lan de diode. Se utilizeaz tranzistoare conectate ca diode, avnd pe fiecare o tensiune UBE. Rezult o tensiune de ieire: Ue = nUBE,

11

+E Io IS rd Re ID

o rezisten de ieire Re (considernd rezistena sursei de curent foarte mare): h R e n rd = n 11e h 21e i un coeficient de temperatur: KT = n KT(D) = n KUBE (KUBE-2mV/C).

Curentul sursei, Io, se admite mai mare dect IS + IDmin. Dintre dezavantajele acestei surse de tensiune Ue= nUBE se citeaz: - rezistena de ieire relativ mare pentru un numr n ridicat; - coeficientul de temperatur mare; - numr mare de tranzistoare necesar cnd Fig. 1.16. Surs de tensiune de tensiunea Ue este mare i deci ocuparea unei suprafee precizie redus mari pe placheta de siliciu. Un alt exemplu de surs de tensiune de precizie redus (fig.1.17) utilizeaz o superdiod sau diod multiplicat. Aici: R + R2 +E Ue= k UBE cu k= 1 R2 (k este inversul factorului de divizare al Io divizorului R1 R2). Re Coeficientul de temperatur al tensiunii IS furnizate este: IC R1 KT = kKUBE
n diode

iar rezistena de ieire a acestei surse de tensiune este: UBE R2 h11e + R1 R 2 Re = k h 21e Se pstreaz prin urmare dezavantajele legate de rezistena de ieire i coeficientul de temperatur Fig. 1.17. Superdioda utilizat ca pentru k mare. n schimb, suprafaa ocupat pe i surs de tensiune de plachet poate fi uneori mai redus dect la precizie redus circuitul precedent. Un exemplu de surs de tensiune de precizie medie include o diod-tranzistor polarizat invers (fig.1.18), adic o diod Zener. Aici tranzistorul T are rol de repetor pentru a putea furniza un curent mai mare i variabil n sarcin, pstrnd rezistena de ieire redus. Dioda stabilizatoare are tensiunea UZ 6,5 V astfel c, dac se folosete numai dioda D1: Ue = (UZ + UBE) UBE = UZ 6,5 V.

Ue=kUBE

12 +E Io ID UZ UBE UBE RBech UBE Dz , rz D1 , rd D2 , rd Ue T Avnd aceast valoare, UZ prezint un coeficient de temperatur pozitiv i apare o compensare parial a acestuia datorit coeficientului de temperatur negativ al diodei simple nseriate cu dioda stabilizatoare. Tensiunea Ue se mai modific la variaia temperaturii datorit variaiei tensiunii UBE a tranzistorului, astfel c n final: KT KUBE. Pentru o compensare termic mai bun, n serie cu DZ i D1 se mai poate introduce o a doua diod simpl, D2, cnd Ue devine: Ue = UZ + UBE 7,2 V

repetor

Re

RS

i KT scade spre zero. Rezistena de ieire a repetorului va fi: Fig. 1.18. Surs de tensiune de precizie R + h11e ( rz + rd ) + h11e h11e R e Bech medie h 21e h 21e h 21e ntruct rz i rd sunt mult mai mici dect h11e. Rezult deci o rezisten de ieire mic fa de circuitele prezentate anterior. Un dezavantaj al sursei l constituie faptul c dioda Zener produce zgomot de nalt frecven.
Surs de tensiune de referin de tip band-gap

Coeficientul de temperatur de 2mV/K al tensiunii UBE se poate compensa dac se nsumeaz cu aceasta o tensiune avnd un coeficient de temperatur de +2mV/K. Acest procedeu este utilizat n circuitul din fig.1.19, unde A este un amplificator diferenial. Aici prin T2 se realizeaz o reacie negativ mai puternic dect reacia negativ introdus prin T1. Rezistena de ieire a acestei surse de tensiune este foarte mic datorit reaciei negative n configuraie cu nod la ieire. Deoarece cele dou intrri ale amplificatorului (care are o amplificare de tensiune 1000) au aproximativ acelai potenial UI rezult: URC1 = URC2 deci: IC2 = n IC1 Cderea de tensiune pe rezistena R1 este: I I I IC1R1 = UBE2 UBE1 = UTln C 2 U T ln C1 = U T ln C 2 = U T ln n IC0 IC0 I C1 Cu aceasta rezult: U ln n IC1 = T R1 care este un curent dependent de temperatur prin intermediul lui UT. Cderea de tensiune pe rezistena R2 este:

13 U T ln n U ln n R +n T ) = 2 (n + 1) U T ln n = NUT R1 R1 R1 unde s-a notat (R2 / R1)(n+1)ln n = N (constant). Aceast tensiune (UR2) trebuie s aib un coeficient de temperatur de +2mV/K. UR2 = (IC1 + IC2)R2 = R 2 (

+E

RC1 Ui

RC2 = = RC1/n

+E A

IC1 T1

Ui T2 UBE1

IC2

+
IB0

Ue

UBE2

IC1R1

R1

R2

UR2

Fig. 1.19. Surs de tensiune de referin de tip band-gap

Cunoscnd c UT = kT/q (n care k este constanta lui Boltzmann iar q sarcina electronului), se scrie: dU R 2 dU T k =N =N dT dT q care este o constant independent de temperatur. Se obine n continuare: mV kT NU T dU R 2 =N = = +2 K qT T dT Considernd o anumit situaie, de exemplu aceea cu T=300K i UT = 26 mV, rezult: 300 N = 2 10 3 23 . 26 10 3 Acest numr este realizat suficient de precis prin rapoarte de rezistene. Astfel:

Ue = UBE2 + UR2 = UBE2 + NUT = const. (T) adic tensiunea Ue este compensat termic (n realitate nu total).

14 Se va justifica n continuare denumirea acestei surse de tensiune. Coeficientul de temperatur al tensiunii UBE se poate scrie pe baza graficului din fig.1.20 astfel: dU BE U BE U BG mV = 2 dT T K n care UBG = WBG/q 1,2 V este tensiunea de accelerare corespunztoare energiei benzii interzise a siliciului (WBG). De la denumirea acestei benzi, tensiunea UBG se cheam tensiune band-gap (band interzis). Deoarece: dU BE mV U UBE ) = N T = (+2 dT K T dUBG /dT = -2mV/K rezult : UBG U U U BG N T = BE sau: T T UBE U BG = U BE + NU T Comparnd aceast relaie cu cea a tensiunii Ue de mai sus rezult c: 0 T T
Fig. 1.20. Variaia tensiunii UBE cu temperatura

Ue = UBG 1,2 V

i sursa de tensiune de referin din fig.1.19 se mai numete surs de tensiune de referi de tip band-gap. Pentru obinerea unei tensiuni mai mari de 1,2 V se realizeaz schema ca n fig.1.21. Se scrie pentru aceasta: RC1 RC2 = = RC1/n

+E>Ue+1V

Ue

+
T1 T2 UBE1 R1 UBE2 UBG R2 UR2

R3

R4

Fig. 1.21. Surs band-gap cu tensiune mai mare de 1,2 V

15 R3 ) U BG R4 deoarece divizorul R3 R4 este ncrcat cu cureni foarte mici ai bazelor lui T1 i T2 (i se poate considera n gol). Pentru performane mai bune, rezistenele RC1 i RC2 sunt aici legate la tensiunea Ue care este suficient de mare. Circuitul integrat incluznd i amplificatorul prezint numai trei borne (+E, mas i ieirea Ue). El se realizeaz cu tensiune de ieire avnd una din valorile: 2,5 V; 5 V; 9 V; 10 V etc. Tensiuni compensate termic mai mari de 1,2V mai pot fi obinute pentru valori care s fie multiplu de 1,2 V dac se nseriaz m jonciuni emitoare n sursa bandgap. n acest caz, coeficientul de temperatur de 2m mV/K al tensiunilor UBE nsumate se poate compensa dac se adun la acestea o tensiune avnd un coeficient de temperatur de +2m mV/K. Se obine astfel o surs band-gap multiplicat care va furniza o tensiune: U BGm = m U BE + m N U T = m 1,2V U e (1 +

O alt variant de surs band-gap utilizeaz cureni egali prin tranzistoarele T1 i T2 din fig.1.19 (RC1 = RC2), valoarea n a argumentului logaritmului din expresiile lui IC1 i IC2 obinndu-se prin intermediul raportului curenilor reziduali ai celor dou tranzistoare. Pentru aceasta, jonciunea emitoare a lui T1 se realizeaz cu o arie de n ori mai mare dect cea a lui T2. n schemele obinuite, totui, compensarea termic nu este total deoarece UBE=f(T) are i un termen de ordinul 2. Exist ns scheme complexe de surse bandgap mai performante, care asigur i compensarea acestui termen neliniar [43]. O msur suplimentar important pentru mbuntirea performanelor este i aceea care prevede realizarea n acelai cip, pe lng sursa de tensiune de referin, a unui circuit de termostatare a plachetei (ce asigur meninerea cipului la o temperatur constant ridicat de exemplu +90 C). n acest fel se elimin practic efectul variaiei temperaturii mediului (070 C) asupra tensiunii de referin. Se citeaz aici integratul LM399 al firmei National Semiconductors, care furnizeaz tensiunea de 6,95V cu un coeficient de temperatur de 0,3 106 / C [3].

1.3. Etaje difereniale cu sarcin activ

Probleme generale

Etajul diferenial este un amplificator cu dou intrri care amplific practic numai diferena tensiunilor de la aceste intrri. Amplificatoarele integrate prezint n majoritatea cazurilor un etaj de intrare diferenial, cu tranzistoarele lucrnd la curent redus de colector, ceea ce asigur rezisten de intrare mare, stabilitate termic i erori reduse n curent continuu. Se consider cunoscut schema etajului diferenial simetric cu sarcin rezistiv.

16 Problemele ce trebuie rezolvate la etajul de intrare sunt: - IB (sau IG) foarte mic (curent de intrare) i de valori apropiate la cele dou tranzistoare, ceea ce conduce la decalaj iniial i deriv de curent reduse, precum i la rezisten de intrare mare (h11e la bipolare), - tensiuni UBE (sau UGS) foarte apropiate la tranzistoare ceea ce conduce la decalaj iniial i deriv de tensiune reduse, - rejecie puternic a semnalului comun de la cele dou intrri (prin folosirea unei surse de curent constant n circuitul comun din emitoarele sau sursele tranzistoarelor). Sunt tratate ca semnale comune: - valoarea medie a tensiunilor de la intrri, - valoarea medie a decalajelor i derivelor individuale ale tranzistoarelor, - tensiunile perturbatoare induse identic n circuitele celor dou intrri. Etajul diferenial simetric prezint dou ieiri n antifaz. Preluarea semnalelor de la amplificatorul diferenial (ieirea) poate fi simetric (se preia tensiunea dintre cele dou ieiri) sau nesimetric (se preia tensiunea dintre o ieire i mas). Modul de aplicare a unui semnal eg la intrare poate fi simetric sau nesimetric. Indiferent de modul de aplicare a semnalului la intrare, tensiunea de ieire se calculeaz cu una din relaiile: - pentru ieire simetric: uesim Addeg dac se aplic semnalul eg la o singur intrare, sau: uesim Add(eg1eg2) cnd se folosesc ambele intrri; - pentru ieire nesimetric: A u e1 dd e g sau: 2 A u e1 dd (eg1 eg 2 ) iar 2 ue2 = ue1, unde Add reprezint amplificarea diferenial definit [5]: u e1 u e 2 u ed u u e2 2 A dd = = = e1 e d e = 0 e g1 e g 2 eg1 eg 2 ec =0 c 2 ec =0 n situaia cnd semnalul comun ec= (eg1 + eg2)/2 = 0. Aici ued reprezint tensiunea de ieire diferenial iar ed semnalul diferenial i se definesc ca semidiferene ale tensiunilor de la ieiri, respectiv intrri, ca n relaia de mai sus. Deci n cazul ieirii simetrice de la etajul diferenial simetric, amplificarea de tensiune este dubl. Pentru un amplificator diferenial cu tranzistoare bipolare simetric: A dd h 21e R dd h11e

17 unde Rdd este rezistena dinamic de sarcin pentru semnal diferenial din colectorul fiecrui tranzistor, deci Add are aceeai formul ca i amplificarea unui tranzistor n conexiune EC. Se mai ntlnete n etajul diferenial i amplificarea de semnal comun, definit [5]: u e1 + u e 2 u ec u + u e2 2 A cc = = = e1 ec e = 0 eg1 + eg 2 eg1 + eg 2 ed =0 d 2 ed =0 i pentru tranzistoare bipolare aceasta se calculeaz cu relaia aproximativ: R Acc dc n care: 2R E - Rdc este rezistena de sarcin pentru semnal comun, - RE este rezistena comun din emitoare i este de valoare mare [5]. Rezistenele Rdd i Rdc sunt identice cnd cel de-al doilea etaj este realizat cu un singur tranzistor i difer (din cauza rezistenelor de intrare) cnd acesta este diferenial [5]. Pentru etajul diferenial se pot scrie acum relaiile: - pentru ieiri nesimetrice: ue1 Added+Accec Added ue2 Added pentru c Acc << Add; - pentru ieire simetric: uesim=ue1ue2 2Added. Scriind tensiunea de ieire nesimetric n forma: A cc ec u e1 A dd e d + A cc e c = A dd ed + ed + A ec = A dd CMRR dd se introduce mrimea CMMR, denumit factor de rejecie a semnalului comun (cu iniialele provenind de la denumirea n englez: common mode rejection ratio). Acesta se definete: e CMRR = c e d aceeasi ued adic, raportul dintre semnalul comun i semnalul diferenial ce produc (fiecare singur) aceeai tensiune de ieire diferenial. Pentru ieire nesimetric, pe baza relaiei tensiunii ue1 de mai sus, rezult: A CMRR dd A cc i are valori de ordinul miilor sau zecilor de mii (cu msuri speciale). Pentru ieire simetric factorul de rejecie este sensibil mai mare i are alt relaie. Oricum, el este cu att mai mare cu ct rezistena comun din emitoare RE este mai mare, i cu ct nesimetriile etajului diferenial sunt mai mici [5]. Importana realizrii unui factor de rejecie a semnalului comun ridicat este foarte mare deoarece prin acesta se poate reduce pn la neglijare eroarea dat de

18 semnalul comun n tensiunea de ieire. Rezult un alt dezavantaj al ieirii nesimetrice de la etajul diferenial acela al factorului de rejecie a semnalului comun mai mic.
Etaj diferenial cu sarcin activ simplu

Un prim exemplu de etaj diferenial cu sarcin activ este dat n fig.1.22. n cazul folosirii ca sarcin activ a unei oglinzi de curent (i nu a unor surse mperecheate) rezistenele dinamice prezentate de cele dou ramuri ale oglinzii sunt mult diferite. +E Asfel, pe ramura cu diod (T3) rezistena dinamic prezent n colectorul lui T1 este T4 T3 Re4 h11e/h21e i este foarte ic3 mic, iar pe ramura cu T4 ic4 Re4 ieire rezult drept sarcin Re3 ue Rd2 rezistena de ieire Re4 a ie=2ic1 sursei de curent constant, i c2 ic1 Ri1 egal aproximativ cu 1 2 Ri5>>Re4 1/h22e (pentru curent T2 T1 eg1 eg2=0 mic). Deoarece numai n colectorul lui T2 rezult un semnal puternic Ri2 amplificat, se folosete n RE 2IC mod obligatoriu ieirea nesimetric de la -E amplificatorul diferenial. Fig. 1.22. Etaj diferenial cu sarcin activ simplu Acest tip de ieire prezint dezavantajul reducerii factorului de rejecie a semnalului comun dar nu i cel al njumtirii amplificrii, datorit modului special n care acioneaz oglinda de curent. Astfel, o variaie ic1 a curentului prin T1 produce variaia de curent ic3 i ic4 de acelai sens dar i o variaie ic2 de sens contrar prin T2 (datorit sursei de curent constant din emitoare). n acest fel, prin sarcina dinamic a tranzistorului T2, Rd2 = Re4 || Ri5, apare o variaie dubl de curent. Tensiunea de ieire obinut prin aplicarea unui semnal eg1 (cu eg2=0) este: eg1 ue = (iC2 + iC4)Rd2 = 2iC1Rd2 2h21eib1Rd2 2h21e R d2 R i1 Avnd rezistena de intrare: h Ri1 h11e + h21eRi2 h11e + h21eh11b = h11e + h21e 11e = 2h11e h 21e eg1 h R rezult: u e = 2h 21e R d 2 = 21e d 2 eg1 = A dd eg1 2h11e h11e

19 Prin urmare, dei ieirea este nesimetric, se realizeaz amplificarea corespunztoare ieirii simetrice. Amplificatorul diferenial cu sarcin activ din fig.1.22 are o serie de dezavantaje, provocate n special de oglinda de curent simpl i de ieirea nesimetric: - reducerea factorului de rejecie a semnalului comun, - cureni de colector inegali furnizai de oglind (realizat cu tranzistoare pnplateral, avnd factori redui i inegali din cauza efectului Early), ceea ce conduce la inegalitatea curenilor IB i a tensiunilor UBE la tranzistoarele principale T1 i T2 (deci la decalaje iniiale i derive mai mari), - tensiuni UCE inegale la tranzistoarele principale T1 i T2, ceea ce conduce la factori inegali (efectul Early) i cureni IB inegali, deci din nou la decalaje iniiale i derive mai mari, - tranzistoarele pnp-lateral din sarcina activ au frecvena de tranziie redus i afecteaz caracteristica de frecven a amplificatorului. Acestea sunt motivele pentru care etajele difereniale de intrare au fost perfecionate i nu au rmas n forma simpl din fig.1.22. n primul rnd s-a realizat o cretere substanial a valorii CMRR prin nlocuirea oglinzii simple ce reprezint sarcina activ a etajului diferenial cu sursele de curent mperecheate din fig.1.8. n acest fel s-a mbuntit simetria etajului diferenial i s-a redus considerabil influena efectului Early asupra tranzistoarelor principale ale etajului. Se pstreaz ns dezavantajul dat de frecvena de tranziie redus a tranzistoarelor pnp-lateral. Creterea n continuare a valorii factorului CMRR s-a reuit prin reducerea amplificrii ACC utiliznd o reacie negativ de semnal comun, sursa de curent din emitoarele comune ale lui T1 i T2 fiind asigurat de o oglind de curent cu reacie.
Etajul diferenial de intrare al amplificatorului operaional 741

O variant de amplificator diferenial de intare mult perfecionat este cea din amplificatorul operaional 741 (fig.1.23). Aici sarcina activ este realizat cu o oglind cu tranzistor tampon (T7) ce folosete tanzistoare npn. Aceasta prezint o bun apropiere a curenilor i o rezisten de ieire Re6 de valoare mare (deci o amplificare de tensiune mare). n emitoarele tranzistoarelor T5, T6 sunt prevzute ieiri pentru realizarea n exterior a unui circuit de echilibrare a amplificarorului operaional (ce realizeaz 0V la ieire cnd intrrile se conecteaz la mas). Tranzistoarele principale ale etajului diferenial sunt realizate sub form de tranzistoare compuse care pentru regim dinamic au emitorul n partea de jos, iar colectorul sus. Acestea prezint un parametru: h11ep > 2h11en h11e ech = h11en + h21en h 21ep
i asigur astfel o rezisten de intrare mrit pentru etajul diferenial. n aceste tranzistoare compuse, cele de tip pnp-lateral lucreaz n conexiune BC i deci pot funciona bine la frecvene mai mari.

20 -E RE 1k
Echil.

I10

RE7 50k

RE 1k

Oglind cu tranzistor tampon Echil.

T5 T7 +E T3 IB3
Intr. 1

T6 Re6
Ieire nesimetric

T4 IB4 T2
Intr. 2

T1

T9

RNSC

T8 +E

Oglind Wilson

Fig. 1.23. Etajul diferenial de intrare al amplificatorului operaional 741

Parametrul h21e ech este egal aproximativ cu h21en. Tensiunile UCE1 i UCE2 ale tranzistoarelor principale T1, T2 sunt aici egale asfel c efectul Early nu intervine. Aceste tranzistoare compuse, incluznd i tranzistoare pnp-laterale, permit eliminarea unui etaj pentru deplasare de nivel din amplificator (problem tratat n paragraful urmtor). Un tranzistor compus de acelai tip se folosete i n amplificatorul operaional 101. Sursa de curent din emitoarele tranzistoarelor etajului diferenial, realizat cu tranzistoare pnp-lateral, nu intervine practic n caracteristica de frecven a amplificatorului ntruct pe ramura comun din emitor exist numai semnal comun [5]. Aceast surs folosete i tranzistoarele compuse din etajul diferenial, alturi de T9, ce asigur cureni IC1 i IC2 constani. Creterea valorii factorului de rejecie a semnalului comun se realizeaz prin reacia negativ de semnal comun nchis de oglinda Wilson i legtura spre bazele comune ale tranzistoarelor T3 i T4. A se observa c reacia negativ amintit este

21 realizat ntre puncte ce conin numai semnal comun ale etajului diferenial (din axa de simetrie), ea afectnd deci numai amplificarea ACC.
Msuri pentru mbuntirea performanelor etajelor difereniale de intrare

Vor fi prezentate mai nti msurile luate la etajele difereniale pentru creterea rezistenei de intrare apoi alte msuri de mbuntire a performanelor.
a) Folosirea tranzistoarelor compuse Darlington Schema etajului de intrare cu tranzistoare Darlington nu este prea rspndit deoarece factorii ech = 12 ai celor doi dublei ai etajului diferenial difer relativ mult ntre ei, ceea ce face ca dubleii s aib cureni IB diferii (deci apare decalaj mare de curent). n plus, ech depinde mai mult de temperatur i crete deriva de curent. Din cauza nesimetriei etajului scade factorul CMRR. Un asfel de etaj diferenial de intrare este utilizat n amplificatorul operaional rapid ROB115. Totui, el este ntlnit mai ales drept al doilea etaj al amplificatoarelor operaionale (fig.1.24). b) Folosirea tranzistoarelor TECJ (n tehnologie bipolar) Se realizeaz rezisten de intrare foarte mare dar intervine i un dezavantaj: - tranzistoarele nu sunt suficient de apropiate n caracteristici, motiv pentru care rezult decalajul iniial i deriva termic de tensiune mai mari dect la etajele difereniale cu tranzistoare bipolare. n schimb decalajul iniial i deriva de curent sunt neglijabile. Se produc amplificatoare integrate cu etaj diferenial cu tranzistoare TECJ (de exemplu A 740, TL 082) dar i amplificatoare ce prezint la intrri dou repetoare cu TECJ (de exemplu ROB74). Etajele cu TECJ asigur, de asemenea, o valoare mai bun a parametrului SR (viteza maxim de variaie a tensiunii de ieire). c) Folosirea tranzistoarelor superbeta Aceste tranzistoare prezint la cureni de civa A un factor de cteva mii, obinut prin reducerea grosimii bazei la 0,1...0,2 m. Datorit curenilor de intrare foarte mici rezult rezistene de intrare mari (n 10 M). Dezavantajul acestor tranzistoare l constituie tensiunea maxim admis de valoare redus ntre colector i emitor (cca. 2V), ceea ce face necesar luarea unor msuri speciale n circuit (fig.1.26). Astfel, tranzistoarele superbeta se combin cu tranzistoare npn obinuite n montaj cascod, iar tensiunile UCE ale tranzistoarelor superbeta se limiteaz la valoarea UBE (limita regiunii de saturaie) prin diode. Sunt necesare, de asemenea, diode de protecie integrate ntre cele dou intrri ale etajului diferenial. Din aceast categorie face parte amplificatorul de precizie LM 108 (M 108) care prezint decalaje i derive reduse. Efectul Early nu mai intervine la tranzistoarele principale T1, T2. Etajul este simetric, ieirea simetric i deci CMRR este mare. n consecin acest etaj diferenial nu necesit o reacie negativ pentru semnalul comun (RNSC). Al doilea etaj, tot diferenial, se poate realiza cu tranzistoare pnp-lateral (cu amplificare redus) deoarece primul etaj are amplificare mare. Se poate asfel evita un etaj de deplasare de nivel. n schimb, etajul cu tranzistoare pnp-lateral conduce la

Varianta 4 Partea 1 subiect 2

22 scderea factorului SR. Diodele D1 i D2 au att rol de sarcin pentru tranzistoarele din primul etaj ct i de liniarizare a caracteristicii de transfer a amplificatorului. +E I1 RC D1 RC D2
Ieire simetric

15A

T3 UBE
-

T4 UBE 2UBE T2
+

T1

T5 Dp
2IC = 6 A

Rp -E
Fig. 1.26. Etaj diferenial de intrare cu tranzistoare superbeta

d) Reducerea (anularea) curenilor de intrare Pentru reducerea curenilor de intrare la tranzistoarele bipolare, firmele Linear Technology i Precision Monolitics au aplicat o soluie elegant de furnizare a curenilor de polarizare pe cale separat [3], ca n fig.1.29 (aici s-a desenat numai o jumtate din etajul diferenial de intrare). Utiliznd o configuraie cascod pentru T1 i T3, cele dou tranzistoare au aproximativ aceiai cureni de colector i de baz. Deci o oglind de curent (simpl) la care curentul de referin este impus de baza lui T3 va fora curentul IB necesar i n baza lui T1. Astfel, intrarea nu mai trebuie s furnizeze curent de polarizare pentru tranzistorul T1, iar rezistena de intrare a acestuia nu este mult afectat. Efectul Early la perechea T1-T2 nu mai apare (au UCE aceeai) i se reduce i deriva termic. Este vorba de amplificatoarele LT 1008 i OP07. e) Reducerea decalajelor iniiale prin geometria cu centru comun Pentru reducerea influenei nesimetriei geometrice i difuziei la perechea de tranzistoare de intrare se mrete dimensiunea acestora. ntruct nesimetria n funcionare e cauzat de diferena de temperatur ntre puncte de pe plachet este

23 necesar o aezare special a tranzistoarelor etajului diferenial. Soluia folosit este prezentat n fig.1.30 i se numete geometrie cu centru comun. +E I2
pnp-lat. Ieire Iref = IB IB RC

Oglind simpl

T3

IB - Ii 0 Intrare

T1 UBE

I1 -E
Fig. 1.29. Reducerea (anularea) curenilor de intrare la etajul diferenial de intrare

Se utilizeaz patru tranzistoare n loc de dou, cte dou n paralel, care pe plachet se plaseaz pe diagonal. Se obine astfel i o cretere a dimensiunii tranzistoarelor echivalente, deci o reducere a erorilor date de decalaje (offset-uri) dar i simetrie termic. Se citeaz amplificatorul OP27 al firmei Precision Monolitics. Aceast metod de reducere a erorilor se folosete i n cazul etajelor difereniale realizate n tehnologie CMOS. C1 B1
T1A T1B

C2
T2B T2A

B2

T1A

T2B
centru comun

E
Fig. 1.30. Utilizarea geometriei cu centru comun

T2A

T1B

f) Reducerea decalajelor iniiale prin ajustare pe cip Ajustarea pe cip reprezint ajustarea rezistenelor de colector ale tranzistoarelor etajului diferenial de intrare fie cu fascicul laser, fie prin scurtcircuitri de rezistene, n timpul testrii, pe placheta prelucrat i nc nencapsulat. Decalajul iniial este msurat i apoi minimizat prin nesimetrizarea rezistenelor de sarcin. Scurtcircuitrile se fac sau se desfac prin diode Zener (care se

24 strpung) respectiv prin legturi fuzibile din polisiliciu (care se ntrerup). Se ncepe de exemplu cu scurtcircuitarea unei rezis-tene 4R (R<<RC) i n funcie de semnul decalajului msurat (acelai sau inversat) se continu cu scurtcircuitri de rezistene din ce n ce mai mici (din aceeai ramur, ori, dup caz, din cealalt) (fig.1.31). Se obin performane finale ca: decalaj iniial de tensiune Uio=10 V i variaia lui cu temperatura (deriva) Uio/T= 0,2 V /oC. Se citeaz tot amplificatorul OP27 de mai sus ca exemplu.
+

+E R 2R 4R RC R 2R 4R RC
Ieire simetric

T1

T2

1.4. Circuite pentru deplasarea nivelului de tensiune continu

-E Circuitele pentru deplasarea Fig. 1.31. Etaj diferenial ajustabil pe cip nivelului de tensiune continu sunt necesare n amplificatoare din cauza folosirii unui singur tip de tranzistor integrat. Pe fiecare etaj n conexiune EC din amplificator apare o deplasare de nivel nedorit, de ordinul volilor. Aceste deplasri nsumate pe mai multe etaje (datorit cuplajului direct) duc tensiunea de ieire a unui amplificator spre valoarea sursei de alimentare (n lipsa semnalului util) dac nu se utilizeaz un etaj intermediar pentru deplasare n sens opus a nivelului de tensiune continu. O situaie de acest gen este prezentat in fig.1.32. +E +E UCB2 UCB1 0V T1 0V
Etaj dif. 1 Etaj 2 tranzistoare npn Fig. 1.32. Refacerea nivelului de tensiune continu folosind circuitul de deplasare de nivel UCB1+UCB2 Cdere UCB1+UCB2 Circuit de deplasare de nivel Etaj final

T2

Ue=0V

25 Dac n etajele consecutive ale amplificatoarelor integrate se utilizeaz tranzistoare complementare, nu mai este necesar etajul pentru deplasare de nivel (exemple: integratele 741, 101, 324, 108, 201 etc.). La realizarea amplificatoarelor de band larg se evit folosirea tranzistoarelor pnp-lateral astfel c este necesar etajul de deplasare de nivel (exemplu: amplificatorul 115, 739). Cerinele impuse acestor circuite sunt: - atenuare minim a semnalului util, eventual chiar realizarea unei amplificri suplimentare; - rezisten mare de intrare pentru a nu afecta amplificarea etajului precedent; - rezisten de ieire redus pentru a nu diviza la ieire semnalul util i a nu afecta caracteristica de frecven a etajului urmtor; - eventual compensarea termic a cderii de tensiune. Aceste condiii sunt n general asigurate de repetoarele pe emitor, cu unele completri. Se cunosc soluii de producere a cderii de tensiune pe rezisten sau pe diod Zener prin care este trecut un curent aproximativ constant de la o surs de curent. Rezistena dinamic a acestor componente este relativ redus fa de rezistena ce urmeaz dup ele, astfel nct divizarea semnalului util amplificat s fie redus.

1.5. Etaje de ieire ale amplificatoarelor

Etajele de ieire sunt necesare pentru a se putea conecta la amplificator rezistene de sarcin de valori medii, spre mici (pn la sute de ohmi) fr a se influena defavorabil amplificarea i fr a se reduce excursia de tensiune maxim la ieire. Cerinele impuse etajelor de ieire (finale) sunt cuprinse n dou categorii: a) cele asemntoare cerinelor amplificatoarelor de ieire cu componente discrete, - asigurarea unui curent maxim anumit, - asigurarea excursiei de tensiune de ieire pn n apropierea tensiunilor de alimentare +E, - asigurarea unui randament ridicat, - distorsiuni de neliniaritate reduse, - distorsiuni de frecven reduse (band de frecven suficient de larg); b) cerine specifice circuitelor integrate: - tensiune de ieire nul n regim static (lipsa curentului prin sarcin n lipsa semnalului la intrarea amplificatorului), - rezisten de intrare suficient de mare pentru a nu afecta amplificarea etajului prefinal (pilot) care prezint de obicei sarcin activ. O mare parte din cerinele enunate se pot asigura folosind repetoare pe emitor:

26 - simple, cu tranzistorul funcionnd n clas A, - n contratimp: cu tranzistoarele funcionnd n clas AB, B i mai rar C. Acestea din urm prezint avantajele (fa de clasa A): - randament ridicat - putere disipat redus pe integrat, dar i dezavantajul: - neliniaritatea caracteristicii de transfer n jurul originii (distorsiuni de trecere). Distorsiunile neliniare introduse de etajul final sunt ns eficient reduse, pn la anumite frecvene, datorit reaciei negative globale.

1.6. Circuite pentru protecie termic

Se utilizeaz circuite care sesizeaz atingerea unei temperaturi ridicate a cipului (de exemplu 150 la TCA 150 T i A 2030) i blocheaz (prin deviere de curent) un etaj important al circuitului protejat, urmrind reducerea puterii disipate pe circuitul integrat. Principiul proteciei termice are la baz Uo ct. funcionarea circuitului din fig.1.46. La o temperatur a cipului situat sub cea de pericol, cderea de curent tensiune pe R2 este aproximativ 0,5 V, deci tranzistorul deturnat R1 este practic blocat. La creterea temperaturii cipului n urma: T - creterii temperaturii ambiante, sau - rcirii nesatisfctoare, sau U BE UR2 - apriiei unei puteri disipate mai mari (sarcin 0,5V R2 exagerat), tensiunea de deschidere a tranzistorului scade cu cca 0,10,2 V iar tensiunea de polarizare de 0,5 V este Fig. 1.46. Circuit pentru protecie termic acum suficient pentru deschiderea tranzistorului T. Este deturnat un curent destinat polarizrii unui circuit cu efect asupra puterii disipate. Asupra rezistenelor R1 i R2 temperatura cipului influeneaz n acelai mod i efectul acesta nu se resimte deoarece tensiunea de polarizare depinde de un raport de rezistene. O schem concret, perfecionat, de circuit pentru protecie termic este dat n fig.1.47. Ca surs de tensiune se folosete un repetor (T2) avnd la intrare o diod Zener. Curentul prin aceasta este limitat cu rezistena Rlim. Prin modul de realizare a sursei de tensiune, fr compensare termic a tensiunii Uz-UBE de alimentare a divizorului, n emitorul lui T2 apare variaie dubl de tensiune n raport cu temperatura. Se obine astfel o cretere dubl a acestei tensiuni la creterea temperaturii i deci un efect sporit al acesteia asupra deschiderii tranzistorului de protecie T1, cu ajutorul divizorului R1-R2. Schema din fig.1.47 este deci cu sensibilizare termic.

27 +E Rlim T2 UBE R1
UZ6,5V DZ
(T3)

UZ-UBE

curent deturnat

T1 R2

0,5V

Fig. 1.47. Circuit de protecie cu sensibilizare termic"

(continuare la paragraful 1.2) Surs de tensiune sub band gap

In circuitele integrate analogice alimentate cu tensiuni mici (1,2...2V) sunt uneori necesare surse de tensiune de referin de valori mai mici dect 1,25V tensiunea band gap - obinut cu scheme obinuite.

A dif.

I1 T1
CMOS

I2=I1 T2
2 I2a

I3=I1 T3 I2b R2 R4

+VDD

Vref

(Rs= )

V I1b
Fig.12.13. Surs de tensiune sub band gap

R3

1 I1a

R1

D1

VD1

VD2

ID2 D2
n diode

Schema din fig.12.13 este o surs de tensiune de tip band gap de tensiune redus (sub 1,25V). Se folosesc tranzistoare MOS identice, R2=R1 , poteniale egale n punctele 1 i 2, i 1+ n diode identice.

28 Rezult cderi de tensiune egale pe R1 i R2 i cum aceste rezistene sunt egale avem I1b=I2b . Cu aceasta i avnd I2=I1 din schem, rezult I I I1a +I1b =I2a +I2b deci I2a =I1a si ID2 = 2a = 1a n n Se poate scrie de asemenea: I I /n V=VD1VD2 =VT ln 1a VT ln 1a =VT lnn Io Io V Cu I1b =I2b = D1 i I2a = V rezult R2 R3 VT ln n VD1 I1 = I 2 = I 3 = I 2 a + I 2 b = + R3 R2 deci tensiunea de ieire, egal cu cderea pe R4 , va fi
VD1 VT ln n R4 R4 Vref = I 3 R 4 = R 4 R + R = R VD1 + R ln n VT 3 2 2 3

Se obine o formul asemntoare cu aceea a unei surse band-gap clasice, cu observaia c fracia R 4 / R 2 se poate lua i subunitar, astfel nct s se obin o tensiune de referin < 1,25V. Se poate scrie n continuare R R R R R R Vref = 4 VD1+ 2 4 lnn VT = 4 VD1+ 2 lnnVT 4 1,25V R2 R 2 R3 R2 R3 R2 deoarece paranteza reprezint o tensiune band gap obinuit, corespunztoare lui N=23 cnd este compensat termic. Tensiunea de alimentare a schemei trebuie s depeasc doar cu cteva zecimi de volt valoarea VD=0,6V, dac Vref 0,6V. Vref se modific foarte puin cu VDD i cu doar cca. 3mV pentru o variaie a temperaturii de 100C. S-a mai propus o mbuntire a calitii sursei prin compensarea efectului de ordinul 2 al temperaturii asupra tensiunii de ieire (ntlnit n relaia 12.4) obinndu-se astfel una dintre cele mai performante surse de tensiune band gap.