Universitatea de Stat din Moldova

Catedra de Fizic Teoretic

Lucrarea de laborator Nr. 1
Cercetarea diodelor semiconductoare
Lucrarea a fost Lucrarea a fost
efectuat de ctre verificat de
ctre
studenta an. III gr.3.1 prof. universitar
Ciudin Ana Chetru Petru
/Chiinu 2010/
Cercetarea diodelor semiconductoare
Scopul lucrrii:
Msurarea i analiza a caracteristicilor curent-tensiune a diodelor semiconductoare,
confecionate pe baza siliciului i germaniului. Determinarea parametrilor diodelor.
Teoria lucrrii:
Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice cu dou terminale avnd ca
proprietate fundamental conducia electric unidirecional. Structura ei conine trei elemente
distincte: jonciunea pn , regiunile neutre p i n.
Regiunile p i n se obin prin doparea unei plachete semiconductoare din Si (Ge etc.)
monocristalin, cu atomi ai unor elemente trivalente(In, B, Ga, Al), respectiv ai unor elemente
pentavalente(As, P, Sb); elementele trivalente sunt numite acceptoare, iar cele pentavalente sunt
numite donoare. Notm prin Na i Nd concentraiile de dopare a ale acceptorilor, respectiv al
donorilor, n condiii normale de temperatur i la concentraii moderate(Na, Nd10
18
cm
-3
) cnd
se admite c toi atomii de impuriti se ionizeaz, concentraiile purttorilor mobili sunt :
1. n regiunea p purttorii majoritari sunt golurile avnd concentraia PpNa; electronii sunt
purttori minoritari i n
p
<<Pp.
2. n regiunea n purttorii majoritari sunt electronii avnd concentraia NnNd; electronii
sunt purttori minoritari i P
n
<<Nn.
p
l

n
l

0 p
l

0 n
l

0
l
Fig.1
Dup unirea celor dou tipuri de semiconductori (unul n i altul p) apar aglomerri de
purttori mobili-electroni i goluri care dau natere unui proces de difuzie i unor cureni de
difuzie. La suprafaa de contact se formeaz o diferen de potenial numit barier de
potenial Ub sau barier energetic Wb=eUb creat de schimbarea repartiiei sarcinilor n
apropierea jonciunii.
Aceast barier de potenial creeaz la rndul su un cmp electric E orientat de la n la p
care tinde s opreasc procesul de difuzie. Echilibrul termodinamic se stabilete atunci cnd
curentul de conducie datorit cmpului e se egaleaz cu curentul de difuzie care are sensul
opus. n realitate procesul de stabilire a echilibrului termodinamic prin mecanismul descris
mai sus are loc n timpul doprii cu impuriti a plachetei semiconductoare.
Conectnd dioda semiconductoare la o surs extern de tensiune, ea se polarizeaz
modificndu-se prin aceasta i valoarea barierei de potenial. Polarizarea poate fi direct i
invers. Polarizarea direct micoreaz bariera de potenial, iar polarizarea invers o mrete.
Expresia curentului direct este dat de ecuaia Shockley(ecuaia diodei ideale):
(1)
unde

P N
,
reprezint potenialul termic, iar mrimea I
s
se numete curent de saturaie i are expresia:

1
1
]
1

+
n
p n
p
n p
s
L
n D
L
p D
eA I
0 0
(2)
unde p
n0
, n
p0
sunt concentraiile de echilibru ale purttorilor minoritari; D
p
,D
n
sunt constantele
de difuzie pentru goluri, respectiv electroni; L
p
,L
n
sunt lungimile de difuzie ale acestor
purttori; A este aria jonciunii.
Pentru tensiuni de polarizare direct i invers care depesc 0.1V ecuaia Shockley este
valabil pentru ambele sensuri de polarizare.

V U pentruU I
V U pentruU e I
e I I
inv s
d
Ur
Ud
s Ur
Ud
s
1 . 0
1 . 0
1

,
_

(3)
Caracteristica volt-amperic ideal descris de relaiile(3) aste artat n Fig 2; la
polarizri directe avem o exponenial, la polarizri inverse rezult o dreapt paralel cu
abscisa; caracteristicile experimentale prezint abateri de la cele teoretice.
I mA
V
d
V

0,6
Fig.2
Caracteristica nelinear a diodelor semiconductoare permite utilizarea acestora n circuite
electronice n calitate de redresoare, detectoare, modulatoare de frecven i ca elemente de
comunicaie.
Spre deosebire de diodele de redresare i detectare, regimul normal de funcionare al
diodelor Zener este cel de polarizare invers.
Mersul lucrrii:
1. De desenat tabelele 1 i 2 pentru msurarea ramurilor directe i inverse a caracteristicilor
curent-tensiune I(U).
2. Folosind semnificaia graficelor de pe panou, de conectat schema pentru polarizarea
direct. De efectuat msurtorile caracteristice curentului-tensiune I
dir
(U
dir
) pentru diodele
din Ge i Si. Rezultatele msurtorilor de introdus n Tab.1.
3. Folosind semnificaia graficelor de pe panou de conectat schema pentru polarizarea
invers. De efectuat msurtorile caracteristice curent-tensiune I
inv
(U
inv
) pentru diodele
din Ge i Si. Rezultatul msurtorilor de introdus n Tab.2.
4. De construit caracteristicile I(U) pentru ambele diode.
5. De determinat:
a) Coeficientul de redresare:
la U
dir
= U
inv
=const.
b) Diferena de potenial de contact (prin extrapolarea ramurii directe spre I=0).
6. De ndeplinit darea de seam a lucrrii de laborator.
7. Concluzii.
Tabelele msurrilor:
Tab.1
I
dir,
mA 0,1 0,2 0,5 1 5 10
U
dir
, V
Ge 0,18 0,2 0,26 0,3 0,4 0,44
Si 0,12 0,14 0,16 0,18 0,22 0,24
Tab.2
U
inv
, V
Ge
1 5 10 20 30 40 50
I
inv
, A 0,4 0,6 0,8 2,8 8 60 380
U
inv
, V
Si
1 5 10 20 30 40 50
I
inv
, A 0,8 0,12 0,16 1,6 2,8 4,0 5,8
Reprezentarea grafic a dependenei curentului de tensiune, pentru Ge i Si:
5
Determinarea coeficientului de redresare:
a) Pentru Ge:
U
dir
= U
inv
=0,3V;
b) Pentru Si:
U
dir
= U
inv
=0,2V;
Diferena de potenial de contact:
Pentru Ge: U=0,41V;
Pentru Si: U=0,25V;
Concluzii:
n aceast lucrare ne-am familiarizat cu dioda semiconductoare, cu proprietile ei i n
acest sens am ridicat caracteristica de curent-tensiune al ei pentru polarizarea direct i cea
invers.
Construind graficele dependenei curent-tensiune, att pentru Ge ct i pentru Si, la
polarizarea direct observm c la nceput aceast dependen este dup o lege exponenial apoi
creterea este liniar. Pentru polarizarea indirect am obinut o cretere nensemnat care nu este
paralel la axa abciselor.
Determinnd coeficientul de redresare, pentru Ge i Si, observm c valoarile obinute
pentru K sunt destul de mari. Acest lucru ne scoate n eviden c valorile obinute coincid
cerinelor teoretice, fiind necesar de a obine nite mrimi mari care s tind spre infinit.
6