Lucrarea nr.

2 TEHNOLOGIA TRANZISTOARELOR BIPOLARE

2.1 SCOPUL LUCRRII Lucrarea i propune cunoaterea: - variantelor constructive de tranzistoare bipolare; - principalelor etape ale tehnologiei tranzistoarelor bipolare; - structurii emitoarelor tranzistoarelor bipolare medie i mare de putere i a celor de nalt frecven; - modului de transfer a cldurii degajate de cip spre mediul ambiant; - modului de apreciere a tranzistoarelor defecte. 2.2. INDICAII TEORETICE Tranzistoarele bipolare se mpart n funcie de tehnologia de fabricaie n: - tranzistoare aliate, realizate prin procese de aliaere - tehnologie specific tranzistoarelor cu germaniu; - tranzistoare simplu difuzate (structur hometaxial): se realizeaz prin difuzarea simultan a impuritilor pe ambele fee ale unei plachete dopate iniial; - tranzistoare dublu i triplu difuzate se obin prin difuziile succesive ale bazei i emitorului; se caracterizeaz tensiuni mai mari de colector, deoarece zona colectorului conine i o zon de rezistivitate mare; - tranzistoare planar epitaxiale sunt forte rspndite n construcia tranzistoarelor de semnal mic precum i a celor de putere destinate aplicaiilor la tensiuni mici i medii. Structura unui tranzistor planar epitaxial dublu difuzat este prezentat n figura 1. Etapele principale de obinere a tranzistoarelor npn planar epitaxiale discrete sunt prezentate n tabelul 1. p E n B Strat epitaxial de tip n

n+ C Fig. 1 Structura unui tranzistor planar epitaxial Plachetele semiconductoare sunt supuse unor multitudini de operaii, care se realizeaz ntr-o succesiune bine determinat, prin procesul tehnologic specific pentru fiecare variant constructiv de tranzistoare. Tranzistoare npn sunt mai rspndite dect cele pnp datorit caracteristicilor mai bune (factor de amplificare, frecven de tiere) care se pot obine prin tehnologia planar.

Tehnologie microelectronic Prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

n tabelul 1 se prezint principalele etape ale tehnologiei de obinere a tranzistoarelor epitaxiale (tranzistoare planar epitaxiale dublu difuzate). Tabelul 1
Plachet de Si (wafer) monocristalin puternic dopat (NI1016 atomi/cm2) cu D=5075mm i grosime g0,3 mm

1.

n+ 0,3mm

10m

2.

Creterea epitaxial unui strat n slab dopat xepi10m

n+ SiO2 2m
Oxidarea termic umed a unui strat de oxid cu grosimea 2m

3.

n+

4.

n+

Fotolitografie (masca 1) deschiderea ferestrei pentru difuzia bazei

5.

Predifuzia atomilor de bor

n+

6.

n+

Difuzia atomilor de bor n atmosfer oxidant

7.
n+

Fotolitografie (masca 2) deschiderea ferestrei pentru difuzia emitorului

8.
n+

Difuzia emitorului prin impurificare cu fosfor schimbndu-se tipul doprii (din n n p)

9.

Reoxidare

n+

Tehnologia tranzistoarelor bipolare Prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

Tabelul 1 Principalele etape ale tehnologiei unui tranzistor npn planar epitaxial (cont.)
Fotolitografie (masca 3) Deschiderea ferestrelor pentru contactele ohmice (B i E)

10.

n+

11.

n+

Metalizare neselectiv (Al pur pentru zone p i Au-Sb sau Au-Ni pentru zone n)

12.

n+

Corodarea stratului metalic (cu excepia zonelor de contact)

13.

100m

Reducerea grosimii subtratului

14.

Metalizarea subtratului

B 15. E C
Montarea n capsul (lipire colector) Sudarea bazei i a emitorului

16.
ncapsulare, marcare

Construcia vertical a structurii tranzistorului bipolar realizat n tehnologia planar, face ca circulaia curentului de colector s fie perpendicular pe curentul de baz. n aceste condiii o mare parte a curentului de emitor se concentreaz la periferia emitorului . Din aceast

Tehnologie microelectronic Prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

cauz se impune, n special la tranzistoarele de curent mare, ca prin construcie s se asigure un bun raport dintre perimetrul i aria emitorului, aa cum se indic n figura 2 pentru tranzistoarele 2N3055 (IC=15A) (fig. 2.a) i BD140 (IC=1,5A) (fig. 2.b). Fenomenul de concentrare a liniilor de curent la periferia emitorului determin i geometria emitorului pentru tranzistoarele de nalt frecven 2N3375 structura de pieptne (mai multe emitoare conectate n paralel- fig. 2. c).

5mm 0,8mm

0,8mm

0,32mm

0,4mm

c) b) a) Fig. 2 Geometria emitorului pentru tranzistoarele: a) 2N3055, b) BD140, c) 2N3375 Din figura 2 se observ c dimensiunile cipului sunt dependente de valoarea maxim a curentului de colector pe care tranzistorul trebuie s o suporte. n funcionarea tranzistorului, trecerea curentului prin jonciuni determin o putere disipat care se transform n cldur. Cldura disipat trece prin siliciu i d natere unor gradieni de temperatur pe suprafaa cipului. Cldura degajat de ctre cipul tranzistorului n timpul funcionrii sale trebuie s treac din siliciu spre capsula n care acesta este ncapsulat i apoi de la capsul la mediul ambiant. Pentru tranzistoarele din siliciu din considerente de fiabilitate se impune ca temperatura cipului (jonciunii) s nu depeasc 1500 - 2000C. Rezistena termic jonciune - capsul Rjc[W/0C] reprezint o caracteristic a cipului tranzistorului respectiv, dar i a capsulei folosite. Aceast valoarea se indic n cataloagele productorilor de tranzistoare. Puterea maxim Pmax [W] pe care o poate disipa un cip (valoare ideal) se poate determina cu relaia: Pmax = R jc T j (2.1)

5mm

Valoarea Pmax care se obine cu relaia (2.1) este mai mare dect ceea care se poate obine n codiii reale. 2.3 DESFURAREA LUCRRII A) Se vizualizeaz plachete semiconductoare cu structuri de tranzistoare bipolare. Se determin dimensiunile plachetei de siliciu (la msurarea diametrului se are n vedere precizrile de la lucrarea 1) i dimensiunea cipului (Lxl). Se calculeaz numrul maxim de tranzistoare (cipuri) de pe plachet cu relaia (2.2) i numrul estimativ de cipuri cu relaia (2.3). Datele se consemneaz n tabelul 2.

Tehnologia tranzistoarelor bipolare Prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

Tabelul 2 Nr. Diametrul crt. plachetei D D [mm] [inch]

Dimensiuni cip L[mm] l[mm]

Nmax

Nestim

Observaii

n rubrica observaii se va indica forma structuri vizualizate i faza n care acestea se prezint, comparativ cu operaiile tehnologice prezentate n tabelul 1 (indicarea ultimei operaii la care a fost supus placheta semiconductoare de pe care se face vizualizarea). B) Se identific tipul de capsul pentru diferite tranzistoare (minim 5 capsule) i constat care este modul de dispunere a cipurilor (ncapsularea) unor tranzistoare bipolare existente n laborator. Rezultatele se centralizeaz n tabelul 3. Tabelul 3 Nr. Tip capsul crt. (cod) Rjc[W/0C] Dispunerea terminalelor Pmax [W]

C) Cu ajutorul multimetrului digital avnd comutatorul pe poziia de msurare a cderii de tensiune n sens direct se msoar pe rnd ntre UBE, UBC i apoi UCE . Datele se trec n tabelul 4. UBE UCE UBC Tranzistoarele bune (FUNCIONAL) se recunosc valorile UBE, UBC =0,40,6 V i UCE = (indicaie de depire domeniu UCE =1). DEFECT se declar tranzistorul la care una dintre valori nu corespunde domeniului de valori precizat. Tabelul 4 Nr. Tip tranzistor UBE [mV] UBC [mV] UCE [mV] Concluzii

2.4.

MOD DE LUCRU

Atenie: Manipularea plachetelor se efectueaz cu deosebit grij, deoarece acestea sunt forte fragile i se pot deteriora (sparge).

6 2.4.1

Tehnologie microelectronic Prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

Vizualizarea structurilor se face cu ajutorul unei lupe, iar pentru msurarea dimensiunilor cipurilor (L i l) se folosete un microscop metalografic. a) Vizualizarea. Partea optic a microscopului nu se va fixa direct pe prob (placheta de siliciu) pentru a nu o deteriora, ci se va sprijini lateral pe dou benzi de distanare cu grosimea de 11,5mm amplasate diametral fa de plachet. Se regleaz obiectivul microscopului, prin rotirea acestuia, pn cnd se va distinge clar forma structurii de pe plachet. b) Msurarea dimensiunilor cipului. Se rotete partea care conine vernierul, pentru a ncadra cipul paralel cu rigla de msur (axa pe care sunt marcate diviziunile de msur). Pentru a se vedea clar diviziunile riglei de msur se va roti uor obiectivul (stnga sau dreapta). Se ncadreaz iniial lungimea cipului (L) i se citesc prin ocular numrul de diviziuni (o diviziune =0,1mm) care corespundacestei dimensiuni. Se rotete apoi cu 900 partea de citire a microscopului i se msoar limea (l). Rezultatele msurrii (L i l) se noteaz n tabelul 2. Se calculeaz numrul maxim de cipuri de pe plachet: N max = sup rafata totala ( D 2 / 4) = sup rafata cipului L l (2.2)

Numrul estimativ de cipuri se determin prin prin raportarea suprafeei utile a plachetei la suprafaa unui cip. Suprafaa util se obine prin diminuarea suprafeei totale cu suprafaa corespunztoare cipurilor de prob (dac acestea exist - cipuri diferite ca structur de cipurile majoritare) i suprafaa echivalent a periferiei plachetei (fr structuri). Datele acestor determinri se centralizeaz n tabelul 2. N estim = sup rafata utila sup rafata totala sup rafata neutilizata = sup rafata cipului L l (2.3)

2.3.2 ncapsularea Se urmresc eantioanele (pri ale capsulelor: ambaz i capac) care se vor pune la dispoziie n acest scop. Capsulele metalice sunt formate din: ambaz - partea de fixare a cipului (conine i terminalele) i capacul. Capsulele din plastic au o ambaz metalic care la ncapsulare se muleaz n material plastic. La aceste tranzistoare, dup ncapsulare ambaza nu mai este vizibil. a) Se va urmri succesiunea operaiilor de ncapsulare a cipurilor tranzistoarelor de mic putere (cu capsul metalic i cu capsul din material plastic) i la cele de putere (capsula TO-3). b) Se va desena forma ambazei i a capacului. c) Cu relaia 2.1 se determin Pmax [W]. Datele se vor introduce n tabelul 3. tranzistoarelor se face cu ajutorul Determina integritii jonciunilor multimetrului digital avnd comutatorul pe poziia de msurare a cderii de tensiune n sens direct "DIODE" se msoar pe rnd ntre UBE, UBC i apoi UCE . Datele se trec n tabelul 4. Tranzistoarele care sunt funcionale (bune) se recunosc valorile UBE, UBC

Tehnologia tranzistoarelor bipolare Prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

=0,40,6 V i UCE = (indicaie de depire domeniu UCE =1). DEFECT se declar tranzistorul la care una dintre valori nu corespunde domeniului de valori precizat. 2.5 NTREBRI 1. Ce tipuri de tranzistoare bipolare cunoatei i prin ce se caracterizeaz ? 2. Ce fel de forme au emitoarele tranzistoarelor de putere ? Care este motivul ? 3. Enumerai care sunt principalele operaii folosite la realizarea tranzistoarelor epitaxiale dublu difuzate? 4. Ce valoare are puterea disipat Pmax la o jonciune avnd Rjc=0,25W/0C? 5. Care este principiul care st la baza determinrii strii de integritate a tranzistoarelor bipolare ? Indicai o alt metod care se poate folosi n acelai scop. 2.6. CONINUTUL REFERATULUI 1. 2. 3. 4. Scopul lucrrii; Tehnologia de realizare a tranzistoarelor bipolare; Completarea tabelelor (2, 3, 5) cu rezultatele determinrilor experimentale; Prezentarea principalelor operaii i a subansamblelor de la ncapsularea tranzistoarelor; 5. Rspunsuri la ntrebri.