MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI FACULTATEA DE CALCULATOARE, INFORMATIC I MICROELECTRONIC

LA DISCIPLINA: DMNE II LUCRAREA DE LABORATOR Nr.1

TEMA: Modelul i calculul diodelor semiconductoare. Simularea caracteristicilor statice

A efectuat:

std. gr Me-091 Rusu Valeriu

A verificat:

lector universitar Creu Vasilii

CHIINU 2011 1. Scopul lucrrii: Prezentarea mediului de definire a diodei semiconductoare i Zener n cadrul fiierului PSpice de intrare. Modelul PSpice static al diodei semiconductoare i simularea caracteristicilor statice. 2. Breviar teoretic:

DIODA ZENER Este o dioda stabilizatoare de tensiune. Functionarea ei se bazeaza pe proprietatea jonctiunii p-n de a avea in regiunea de strapungere o tensiune la borne constanta intr-o gama larga de variatie a curentului invers. Dioda functioneaza intr-un regim de strapungere controlat in care atat curentul cat si puterea disipata sunt mentinute la valori pe care dioda le poate suporta in regim permanent fara sa se distruga. Dioda zener este construita din siliciu -cand este polarizata direct (+ pe anod si pe catod) functioneaza ca o dioda cu jonctiune. -cand este polarizata invers (- pe anod si + pe catod) functioneaza in regim de strapungere. Functionarea diodei zener este caracteristica urmatoarelor marimi: 1 Tensiunea de stabilizare ( este tensiunea la care apare regimul de strapungere; poate avea valori intre 4-200 V) 2 Rezistenta dinamica (este rezistenta interna a diodei in regiunea de strapungere) Rd = DU/DI - cu cat rezistenta dinamica este mai mica cu atat tensiunea diodei este mai mica. 3 Curentul invers maxim (este valoare maxima a curentului pe care o poate suporta dioda fara sa se deterioreze) 4 Putere maxima disipata (este produsul dintre tensiunea de strapungere si curentul invers maxim; are valori cuprinse intre 0,2-50 W) 5 Coeficientul de temperatura a tensiunii de stabilizare care reprezinta variatia tensiunii de stabilizare pentru o variatie a temperaturii de 1grad C Sz = DU/DT Uz - acest coeficient este negativ pentru tensiunea la bornele diodei adica Uz mai mic de 6V si pozitiv pentru tensiuni mai mari de 6V.

3. Schemele circuitului de simulare:

4. Listingul programelor de simulare i rezultatele n Probe: 4.1

*Cercetarea variatiei de temperatura asupra caracteristicilor *statice la conectarea directa a diodei VIN 1 0 DC 5V R 1 2 1K D 2 0 DI1N4004 .MODEL DI1N4004 D (IS=76.9n RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u CJO=39.8p +M=0.333 N=1.45 TT=4.32u) .TEMP -30 20 60 .DC VIN 0 1.5 0.002V .PROBE .END

4.2
*Cercetarea variatiei cu temperatura a caracteristicilor statice *la conectarea indirecta a diodei VIN 1 0 DC -20V R 1 2 1K D 2 0 DI1N4004 .MODEL DI1N4004 D (IS=76.9n RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u CJO=39.8p +M=0.333 N=1.45 TT=4.32u) .TEMP -30 20 60 .DC VIN -20 0 1V .PROBE

.END

4.3
*Cercetarea variatiei caracteristicilor statice pentru diferite *valori ale rezistentei serie la conectarea indirecta a diodei VIN 1 0 DC -20V R 1 2 1K D 2 0 DI1N4004 .MODEL DI1N4004 D (IS=76.9n RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u CJO=39.8p +M=0.333 N=1.45 TT=4.32u) .PARAM RS=0.1 .STEP PARAM RS LIST 0.01 2 .DC VIN -20 0 1V .PROBE .END

4.4
*Cercetarea variatiei caracteristicilor statice pentru diferite *valori ale rezistentei serie la conectarea directa a diodei VIN 1 0 DC 1V R 1 2 1K D 2 0 DI1N4004 .MODEL DI1N4004 D (IS=76.9n RS=42.0m BV=400 IBV=5.00u CJO=39.8p +M=0.333 N=1.45 TT=4.32u) .PARAM RS=0.1 .STEP PARAM RS LIST 0.01 2 .DC VIN 0 1.25 0.01V .PROBE .END

4.5 Dioda Zenner

*Variatia caracteristicilor directe de temperatura VIN 1 0 DC 1V D 2 0 D1N750 R 1 2 1K .model D1N750 D(Is=880.5E-18 Rs=.25 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=175p M=.5516 + Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989 + Ibvl=1.9556m Nbvl=14.976 Tbv1=-21.277u) .DC VIN 0 1 0.05 .TEMP -25 25 75 .PROBE .END

4.6
*Variatia caracteristicilor indirecte de temperatura VIN 1 0 DC 1V D 2 0 D1N750 R 1 2 1K .model D1N750 D(Is=880.5E-18 Rs=.25 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=175p M=.5516 + Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989 + Ibvl=1.9556m Nbvl=14.976 Tbv1=-21.277u) .DC VIN -6 -4 0.05 .TEMP -25 25 75 .PROBE

.END

4.7
*Variatia caracteristicilor directe si inverse in dependenta temperatura VIN 1 0 DC 1V D 2 0 D1N750 R 1 2 1K .model D1N750 D(Is=880.5E-18 Rs=.25 Ikf=0 N=1 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=175p M=.5516 + Vj=.75 Fc=.5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989 + Ibvl=1.9556m Nbvl=14.976 Tbv1=-21.277u) .DC VIN -6 0 0.05 .TEMP -25 25 75 .PROBE .END

5. Concluzie: n urma efecturii lucrrii de laborator s-a studiat programul de simulare PSpice , s-au fcut analize asupra diodelor semiconductoare i diodei Zenner. Se remarc faptul c ntre caracteristicile statice ale unei diode simple i a unei diode Zenner nu se observ mari deosebiri, ci din contr aproape coincid. Factorul de neidealitate a strpungerii inverse influeneaz caracteristicile diodei, adic cu ct acesta e mai mic, cu att sunt mai bune caracteristicile de stabilizare a diodei Zenner.